WO2018019311A1 - 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路 - Google Patents

耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路 Download PDF

Info

Publication number
WO2018019311A1
WO2018019311A1 PCT/CN2017/099274 CN2017099274W WO2018019311A1 WO 2018019311 A1 WO2018019311 A1 WO 2018019311A1 CN 2017099274 W CN2017099274 W CN 2017099274W WO 2018019311 A1 WO2018019311 A1 WO 2018019311A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
waveguide
microstrip line
terahertz
quartz substrate
frequency
Prior art date
Application number
PCT/CN2017/099274
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
王俊龙
冯志红
杨大宝
梁士雄
张立森
赵向阳
邢东
徐鹏
Original Assignee
中国电子科技集团公司第十三研究所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中国电子科技集团公司第十三研究所 filed Critical 中国电子科技集团公司第十三研究所
Priority to US16/321,480 priority Critical patent/US10868497B2/en
Publication of WO2018019311A1 publication Critical patent/WO2018019311A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/05—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using non-linear capacitance, e.g. varactor diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0084—Functional aspects of oscillators dedicated to Terahertz frequencies

Definitions

  • the present invention relates to the field of terahertz circuits, and in particular, to a power-resistant terahertz double frequency unbalanced circuit.
  • Terahertz (THz) waves in a broad sense, refer to electromagnetic waves with a frequency in the range of 0.1-lOTHz, in which
  • lTHz 1000 GHz.
  • THz 2.3 THz - 3 THz.
  • the TH z wave occupies a very special position in the electromagnetic spectrum. THz technology is recognized as a very important cross-cutting field in the international scientific and technological community.
  • the source is critical.
  • the miniaturized and low-cost solid-state terahertz frequency doubling technology is a hot topic in the world, mainly using a GaAs-based planar Schottky diode as a nonlinear frequency doubling device for realizing the power output of the terahertz band.
  • Extending the terahertz frequency source based on solid state electronics is an effective way.
  • the secondary frequency doubling technology has been widely developed due to its high frequency multiplication efficiency.
  • the technical problem to be solved by the present invention is to provide a power-resistant terahertz double-frequency unbalanced circuit, which has a simple structure and can withstand greater input power due to an increase in the number of Schottky diodes.
  • a power-resistant terahertz double frequency unbalanced circuit comprising: a radio frequency input waveguide, a quartz substrate, and a radio frequency output waveguide, One end of the quartz substrate is located in the waveguide slot of the RF input waveguide, the other end of the quartz substrate is located in the waveguide slot of the RF output waveguide, and the input transition microstrip line is located on the quartz substrate, the transition microstrip One end of the line is sequentially connected to the first transmission microstrip line, the low pass filter, the radio frequency matched microstrip line, the second transmission microstrip line and the output transition microstrip line, and the anodes of four multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diodes Connected to the RF matched microstrip line, each multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode is connected to a grounded quartz strip line at the outermost cathode, where
  • the input transition microstrip line is an E-plane probe input transition microstrip line.
  • the low pass filter is a 5th order or 7th order high and low impedance microstrip line.
  • both ends of the multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode are respectively connected to the radio frequency matching microstrip line and the ground end quartz strip line through the conductive adhesive.
  • the grounding quartz strip line is grounded through the conductive paste and the cavity.
  • the quartz substrate has a thickness of 30 micrometers to 75 micrometers.
  • the RF input waveguide is a WM-2032 rectangular waveguide, and a and b in the rectangular waveguide are 2032 micrometers and 1016 micrometers, respectively.
  • multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubling diodes are fixed on the quartz substrate in an oblique cross shape.
  • the beneficial effects produced by the above technical solution are as follows:
  • the structure of the unbalanced circuit is simple; due to the increased number of Schottky diodes used, it can withstand greater input power; four multi-tube junctions GaA s
  • the terahertz frequency doubling diode is placed in an oblique cross shape for better grounding.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a circuit according to an embodiment of the present invention.
  • an embodiment of the present invention discloses a power-resistant terahertz double frequency unbalanced circuit, including a radio frequency input waveguide 101, a quartz substrate 102, and a radio frequency output waveguide 103.
  • the quartz substrate 102 One end is located in the waveguide slot of the RF input waveguide 101, and the other end of the quartz substrate 102 is located in the waveguide slot of the RF output waveguide 103, wherein the RF signal is input through the RF input waveguide 101, and the multiplied signal is Output through the RF output waveguide.
  • the input transition microstrip line 104 is located on the quartz substrate 102, and one end of the transition microstrip line 104 passes through the first transmission microstrip line 105, the low pass filter 106, the radio frequency matching microstrip line 107, and the first
  • the second transmission microstrip line 108 is coupled to the output transition microstrip line 109. It should be noted that the first transmission microstrip line 105, the low pass filter 106, the radio frequency matching microstrip line 107, the second transmission microstrip line 108 and the output transition microstrip line 109 are also located on the quartz substrate 102.
  • the input transition microstrip line 104 as a whole is located on the quartz substrate above the waveguide slot of the radio frequency input waveguide 101, and the output transition microstrip line 109 as a whole is located at the radio frequency transmission On the quartz substrate above the waveguide groove of the waveguide 103.
  • each multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 is connected to the RF matched microstrip line 107, and each multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 is located at the outermost cathode and a grounded quartz strip line. 11 1 connection, wherein each multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 comprises four Schottky diodes connected in series.
  • RF input waveguide 101 (here, WM-2032 rectangular waveguide, a and b are 2032 micrometers and 1016 micrometers respectively) introduces a 100 GHz RF signal, and an input transition microstrip line 104 on the quartz substrate receives the RF signal from the input waveguide.
  • the circuit is introduced into a quartz substrate for transmission, and the thickness of the quartz substrate is generally 30 to 75 ⁇ m.
  • the low pass filter 106 can be a 5th order or 7th order high and low impedance microstrip line. The function of the low pass filter is to transmit the input RF signal to the diode at the maximum, while preventing the 2nd harmonic (200 GHz) of the RF signal.
  • the input end feedback the role of the RF matching microstrip line is to impedance match the input RF signal impedance with the impedance of the diode, so that the RF signal is fed into the multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 to the greatest extent.
  • Multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 pairs the RF input signals in parallel in the same direction, and the RF outputs are connected in parallel in the same direction.
  • each multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 is connected to the RF matching microstrip line 107, and the cathode of each multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 is connected to the ground terminal quartz strip line 111.
  • the multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 is connected to the RF matching microstrip line 107 and the grounding quartz strip line 111 through a conductive paste.
  • the grounding quartz strip line 111 is well grounded by the conductive paste and the cavity.
  • Multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubled diode 110 uses a flip chip soldering process.
  • the structure of the unbalanced circuit is simple; due to the increased number of Schottky diodes used, it can withstand greater input power; four multi-tube junction GaAs terahertz frequency doubling diodes are arranged in an oblique cross shape, Achieve better grounding.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

本发明公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石英基板和射频输出波导，所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内，所述石英基板的另一端位于所述射频输出波导的波导槽内，输入过渡微带线位于所述石英基板上，所述过渡微带线的一端依次经第一传输微带线、低通滤波器、射频匹配微带线、第二传输微带线与输出过渡微带线连接，四个多管结GaAs太赫兹倍频二极管的阳极与射频匹配微带线连接，每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线连接。所述电路结构简单，由于肖特基二极管数目的增多，可承受更大的输入功率。

Description

发明名称：耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
技术领域
[0001] 本发明涉及太赫兹电路技术领域， 尤其涉及一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式 电路。
背景技术
[0002] 太赫兹 （THz) 波从广义上来讲， 是指频率在 0.1-lOTHz范围内的电磁波， 其 中
lTHz=1000GHz , 也有人认为太赫玆频率是指 0.3THz-3THz范围内的电磁波。 TH z波在电磁波频谱中占有很特殊的位置， THz技术是国际科技界公认的一个非常 重要的交叉前沿领域。
[0003] 在太赫兹通信、 测量等系统中， 源至关重要。 目前小型化、 低成本的固态太赫 兹倍频技术是囯际上研究的热点问题， 主要是釆用 GaAs基平面肖特基二极管作 为非线性倍频器件， 用以实现太赫兹频段的功率输出。 基于固态电子技术对太 赫兹频率源进行拓展是一种有效的方式。 在电路技术的发展过程中， 二次倍频 技术由于其倍频效率高， 得到了广泛的发展。
[0004] 2000年后， 有关固态倍频技术的发展非常迅速， 主要有平衡式电路和非平衡式 电路结构。 两种电路均可通过增加肖特基二极管的数目， 提高功率的承载能力 , 非平衡式电路较平衡式电路相比， 由于肖特基二极管两端直接与腔体壁接触 , 散热效果更好， 较平衡式电路可以承载更大的输入功率， 非平衡式电路正逐 渐被采用。
[0005] 在目前经常用到的非平衡二次倍频电路中， 一般都是肖特基二极管在制作过程 中制作成适用于二次倍频电路形式的二极管， 一般只有 4个结或者 6个结， 每个 肖特基二极管结的有效承受功率在 20mW左右， 因此限制了输入功率进一步提升 , 导致输出功率不能继续增加。 大的功率输出具有更加广阔的应用前途， 因此 需要开发一种新的二倍频电路形式。
技术问题 [0006] 本发明所要解决的技术问题是提供一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 所 述电路结构简单， 由于肖特基二极管数目的增多， 可承受更大的输入功率。 问题的解决方案
技术解决方案
[0007] 为解决上述技术问题， 本发明所采取的技术方案是： 一种耐功率太赫兹二倍频 非平衡式电路， 其特征在于： 包括射频输入波导、 石英基板和射频输出波导， 所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内， 所述石英基板的另一 端位于所述射频输出波导的波导槽内， 输入过渡微带线位于所述石英基板上， 所述过渡微带线的一端依次经第一传输微带线、 低通滤波器、 射频匹配微带线 、 第二传输微带线与输出过渡微带线连接， 四个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 的阳极与射频匹配微带线连接， 每个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管位于最外侧 的阴极与一个接地端石英带线连接， 其中每个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管包 括四个串联连接的肖特基二极管。
[0008] 优选的， 所述输入过渡微带线为 E面探针输入过渡微带线。
[0009] 优选的， 所述低通滤波器为 5阶或 7阶高低阻抗微带线。
[0010] 优选的， 所述多管结 GaAs太赫兹倍频二极管的两端通过导电胶分别与射频匹 配微带线以及接地端石英带线连接。
[0011] 优选的， 所述接地端石英带线通过导电胶与腔体实现接地。
[0012] 优选的， 所述石英基板的厚度为 30微米到 75微米。
[0013] 优选的， 所述射频输入波导为 WM-2032矩形波导， 矩形波导中 a和 b分别为 2032 微米和 1016微米。
[0014] 优选的， 四个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管呈斜十字状固定在石英基板上。
发明的有益效果
有益效果
[0015] 采用上述技术方案所产生的有益效果在于： 所述非平衡式电路的结构简单； 由 于使用的肖特基二极管的数目增加， 可以承受更大的输入功率； 四个多管结 GaA s太赫兹倍频二极管呈斜十字状设置， 可以实现更好的接地。 对附图的简要说明
附图说明
[0016] 图 1是本发明实施例所述电路的结构示意图；
[0017] 其中： 101、 射频输入波导 102、 石英基板 103、 射频输出波导 104、 输入过渡微 带线 105、 第一传输微带线 106、 低通滤波器 107、 射频匹配微带线 108、 第二传 输微带线 109、 输出过渡微带线 110、 多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 111、 接地端 石英带线。
实施该发明的最佳实施例
本发明的最佳实施方式
[0018] 下面结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例， 而不是全部 的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳 动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
[0019] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明， 伹是本发明还可 以釆用其他不同于在此描述的其它方式来实施， 本领域技术人员可以在不违背 本发明内涵的情况下做类似推广， 因此本发明不受下面公开的具体实施例的限 制。
[0020] 如图 1所示， 本发明实施例公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 包 括射频输入波导 101、 石英基板 102和射频输出波导 103 , 所述石英基板 102的一 端位于所述射频输入波导 101的波导槽内 , 所述石英基板 102的另一端位于所述 射频输出波导 103的波导槽内， 其中射频信号经所述射频输入波导 101输入， 倍 频后的信号经过射频输出波导输出。
[0021] 输入过渡微带线 104位于所述石英基板 102上， 所述过渡微带线 104的一端依次 经第一传输微带线 105、 低通滤波器 106、 射频匹配微带线 107、 第二传输微带线 108与输出过渡微带线 109连接。 需要指出的是， 第一传输微带线 105、 低通滤波 器 106、 射频匹配微带线 107、 第二传输微带线 108与输出过渡微带线 109同样位 于所述石英基板 102上， 所述输入过渡微带线 104整体的位于所述射频输入波导 1 01的波导槽上方的石英基板上， 所述输出过渡微带线 109整体的位于所述射频输 出波导 103的波导槽上方的石英基板上。
[0022] 四个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110的阳极与射频匹配微带线 107连接， 每 个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线 11 1连接， 其中每个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110包括四个串联连接的肖特基 二极管。
[0023] 为了更好的说明本发明， 以 100GHz输入， 200GHz作为输出频率为例对本发明 的具体实施方式加以说明。
[0024] 射频输入波导 101 (此处为 WM-2032矩形波导， a和 b分别为 2032微米和 1016微 米） 引入 100GHz射频信号， 石英基板上的输入过渡微带线 104把射频信号从输入 波导中引入到石英基板上的电路进行传输， 石英基板的厚度一般为 30到 75微米 。 低通滤波器 106可以为 5阶或 7阶高低阻抗微带线， 低通滤波器的作用是将输入 的射频信号最大的传输至二极管处， 同时阻止射频信号的 2次谐波 (200GHz)向输 入端反馈， 射频匹配微带线的作用是将输入射频信号阻抗跟二极管的阻抗进行 阻抗匹配， 以使得射频信号最大程度的馈入多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110中 。 多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110对射频输入信号为同向并联， 对射频输出端 为同向并联。 在使用时， 每个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110的正极均与射频 匹配微带线 107相连， 每个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110的阴极与接地端石 英带线 111相连。 多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110的两端通过导电胶与射频匹 配微带线 107以及接地端石英带线 111相连接。 接地端石英带线 111通过导电胶与 腔体实现良好接地。 多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 110中采用倒装焊接的工艺。
[0025] 所述非平衡式电路的结构简单； 由于使用的肖特基二极管的数目增加， 可以承 受更大的输入功率； 四个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管呈斜十字状设置， 可以 实现更好的接地。

Claims

一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于： 包括射频输入 波导 （101) 、 石英基板 （102) 和射频输出波导 （103) ， 所述石英 基板 （102) 的一端位于所述射频输入波导 （101) 的波导槽内， 所述 石英基板 （102) 的另一端位于所述射频输出波导 （103) 的波导槽内 , 输入过渡微带线 （104) 位于所述石英基板 （102) 上， 所述过渡微 带线 （104) 的一端依次经第一传输微带线 （105) 、 低通滤波器 （10 6) 、 射频匹配微带线 （107) 、 第二传输微带线 （108) 与输出过渡 微带线 （109) 连接， 四个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 （110) 的 阳极与射频匹配微带线 （107) 连接， 每个多管结 GaAs太赫兹倍频二 极管 （110) 位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线 （111) 连接， 其中每个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 （110) 包括四个串联连接的 肖特基二极管。
如权利要求 1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于
： 所述输入过渡微带线 （103) 为 E面探针输入过渡微带线。
如权利要求 1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于
： 所述低通滤波器 （106) 为 5阶或 7阶高低阻抗微带线。
如权利要求 1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于
： 所述多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 （110) 的两端通过导电胶分别 与射频匹配微带线 （107) 以及接地端石英带线 （111) 连接。
如权利要求 1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于
： 所述接地端石英带线 （111) 通过导电胶与腔体实现接地。
如权利要求 1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于
： 所述石英基板 （102) 的厚度为 30微米到 75微米。
如权利要求 1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于
： 所述射频输入波导 （101) 为 WM-2032矩形波导， 矩形波导中 a b 分别为 2032微米和 1016微米。
如权利要求 1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路， 其特征在于 ： 四个多管结 GaAs太赫兹倍频二极管 （110) 呈斜十字状固定在石英 基板上。
PCT/CN2017/099274 2016-07-29 2017-08-28 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路 WO2018019311A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/321,480 US10868497B2 (en) 2016-07-29 2017-08-28 Unbalanced terahertz frequency doubler circuit with power handling capacity

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610608507.4A CN106026927B (zh) 2016-07-29 2016-07-29 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
CN201610608507.4 2016-07-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018019311A1 true WO2018019311A1 (zh) 2018-02-01

Family

ID=57115082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2017/099274 WO2018019311A1 (zh) 2016-07-29 2017-08-28 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10868497B2 (zh)
CN (1) CN106026927B (zh)
WO (1) WO2018019311A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113098401A (zh) * 2021-04-14 2021-07-09 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种太赫兹d波段四次谐波混频器
CN114665823A (zh) * 2022-02-28 2022-06-24 电子科技大学 一种返波式的太赫兹三倍频电路结构

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106026927B (zh) * 2016-07-29 2019-08-20 中国电子科技集团公司第十三研究所 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
CN107040212B (zh) * 2017-05-27 2023-06-13 中国电子科技集团公司第十三研究所 单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路
CN107040213B (zh) * 2017-05-27 2023-06-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路
CN107181467B (zh) * 2017-05-27 2023-07-04 中国电子科技集团公司第十三研究所 单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路
CN107124140B (zh) * 2017-05-27 2023-06-20 中国电子科技集团公司第十三研究所 单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路
CN107395128A (zh) * 2017-07-10 2017-11-24 中国电子科技集团公司第十三研究所 太赫兹混频器
CN109870831B (zh) * 2019-03-25 2020-06-16 电子科技大学 一种腔体外部加载式可调金属线太赫兹波直接调制器
CN109951158B (zh) * 2019-04-10 2023-01-06 江苏心磁超导体有限公司 基于直流检测筛选6管非平衡式太赫兹二倍频器的方法
CN111884592B (zh) * 2020-08-17 2022-03-15 电子科技大学 一种基于超材料结构的太赫兹双面二倍频器件
CN113098398B (zh) * 2021-04-14 2022-03-18 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种太赫兹d波段平面二倍频器
CN114784475B (zh) * 2022-05-10 2023-03-21 电子科技大学 带有微带滤波枝节的毫米波波导-悬置微带探针过渡结构
CN115037250B (zh) * 2022-08-11 2022-11-04 壹新信通科技(成都)有限公司 一种太赫兹多管芯倍频器及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104935254A (zh) * 2015-06-26 2015-09-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 新型f波段三倍频器
CN104967409A (zh) * 2015-06-26 2015-10-07 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种基于高低阻抗新型太赫兹倍频器设计结构
CN104993795A (zh) * 2015-07-31 2015-10-21 中国电子科技集团公司第十三研究所 频率自适应w波段信号源组件
CN106026927A (zh) * 2016-07-29 2016-10-12 中国电子科技集团公司第十三研究所 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
CN205883165U (zh) * 2016-07-29 2017-01-11 中国电子科技集团公司第十三研究所 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7696604B2 (en) * 2007-10-23 2010-04-13 International Business Machines Corporation Silicon germanium heterostructure barrier varactor
US8693973B2 (en) * 2011-05-02 2014-04-08 California Institute Of Technology 670 GHz Schottky diode based subharmonic mixer with CPW circuits and 70 GHz IF
JP6432190B2 (ja) * 2014-07-25 2018-12-05 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、電子機器および移動体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104935254A (zh) * 2015-06-26 2015-09-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 新型f波段三倍频器
CN104967409A (zh) * 2015-06-26 2015-10-07 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种基于高低阻抗新型太赫兹倍频器设计结构
CN104993795A (zh) * 2015-07-31 2015-10-21 中国电子科技集团公司第十三研究所 频率自适应w波段信号源组件
CN106026927A (zh) * 2016-07-29 2016-10-12 中国电子科技集团公司第十三研究所 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
CN205883165U (zh) * 2016-07-29 2017-01-11 中国电子科技集团公司第十三研究所 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113098401A (zh) * 2021-04-14 2021-07-09 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种太赫兹d波段四次谐波混频器
CN113098401B (zh) * 2021-04-14 2022-09-30 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种太赫兹d波段四次谐波混频器
CN114665823A (zh) * 2022-02-28 2022-06-24 电子科技大学 一种返波式的太赫兹三倍频电路结构

Also Published As

Publication number Publication date
US10868497B2 (en) 2020-12-15
CN106026927B (zh) 2019-08-20
US20200280283A1 (en) 2020-09-03
CN106026927A (zh) 2016-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018019311A1 (zh) 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
CN106160668B (zh) 耐功率太赫兹三倍频类平衡式倍频电路
WO2018090434A1 (zh) 一种宽带高效集成本振的t形太赫兹混频器
CN108039591A (zh) 具有谐波抑制能力的双线极化整流天线
CN102611390A (zh) W波段二次分谐波混频器
CN102843100B (zh) 高效宽频全金属结构1毫米二倍频器
CN101510629A (zh) 半模基片集成波导双平衡混频器及其实现方法
CN107911177B (zh) 太赫兹小型化多功能集成接收机前端
CN112367051B (zh) 基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法
CN105958944A (zh) 太赫兹二倍频平衡式倍频电路
CN205883166U (zh) 耐功率太赫兹三倍频类平衡式倍频电路
CN206743193U (zh) 单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路
CN106130486B (zh) W波段及太赫兹频率低端倍频器
CN205657651U (zh) 太赫兹二倍频平衡式倍频电路
Guo et al. A new scheme for the design of balanced frequency tripler with Schottky diodes
CN107181467B (zh) 单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路
CN205883165U (zh) 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
CN107040212B (zh) 单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路
CN206743195U (zh) 单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路
CN206743197U (zh) 双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路
CN206743194U (zh) 双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路
CN206743196U (zh) 单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路
CN218514355U (zh) 新型太赫兹谐波混频器
Lai et al. A New Ka-Band Doubly BalancedMixer Based on Lange Couplers
CN107124140B (zh) 单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17833614

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17833614

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1