CN112367051B - 基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法，基于片上功率合成方案的二倍频器结构包括矩形波导输入端口、肖特基二极管倍频电路和矩形波导输出端口，所述的肖特基二极管倍频电路包括GaAs基片和位于该基片上成对的输入微带探针、肖特基二极管、带通滤波器、输出微带探针、低通滤波器以及直流偏置电路；输入信号在矩形波导输入端口处利用金属脊和波导‑微带探针过渡实现了空间功率分配，倍频信号在矩形波导输出端口处利用微带探针‑波导过渡实现了空间功率合成，从而极大减小了结构的电长度，进而实现了结构紧凑和低损耗性能，为所设计的太赫兹二倍频器提供了额外增益，此外也具有更容易装配和散热特性更好的优点。

Description

基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法
技术领域
本发明属于无线通信技术领域，具体涉及基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法。
背景技术
太赫兹波是指波谱位于微波毫米波与光波之间的电磁波，国际上通常定义其频率范围为0.3～10THz(波长0.03～1mm，国内亦有定为0.1～10THz)，是电磁波谱中目前仅存的未被全面开发的频段，其刚好介于微观量子理论与宏观经典理论之间。由于其所处的特殊位置，太赫兹波可以表现出许多有别于其他种类电磁辐射的独特特性，这些特性决定了太赫兹波在很多领域具有广泛良好的应用前景。伴随着太赫兹技术的发展，它在射电天文、物体成像、通信、医疗诊断、环境监测、防恐安全以及军事雷达等方面均表现出巨大的应用潜力。太赫兹己经引起了世界各国的重点关注，成为二十一世纪科学研究的热点领域之一。
太赫兹频段通信和雷达电路中，稳定的太赫兹源是电路设计的难点和重点之一，但随着频率提高，电路器件的性能会急剧恶化。首先，当有源器件的工作频率高于截止频率的一半甚至接近截止频率时，器件的增益会急剧降低，难以为振荡器提供足够的环路增益。其次，有源器件的寄生效应在高频条件下无法忽略，这些引入的寄生会恶化振荡器的性能并限制振荡器的工作频率。第三，无源器件的品质因子等性能也会随着工作频率的提高迅速恶化，为振荡器带来更大的损耗，并限制振荡器的调节范围。上述这些问题都为太赫兹频段的本振信号电路的实现增加了难度。为了减轻本振信号设计的压力，在太赫兹频段往往使用倍频和功率合成技术，将基频信号倍频，并利用功率合成器提高信号功率，最终可以实现接近或高于器件截止频率的本振信号输出，使振荡器能够振荡在较低的频率，实现更好的性能。
目前的功率合成技术主要有芯片式、电路(波导)式、空间式、混合型四大类，由于太赫兹波段的器件尺寸小，介质损耗大，波导功率合成技术成为太赫兹波段的主流功率合成技术。然而，由于传统的太赫兹波导功率合成器合成网络电长度太长，整体结构较大。此外，基于空间功率合成技术的波导结构不易与IC芯片集成。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法，波导与片上功率合成相结合的太赫兹二倍频器，实现空间功率分配与合成，两组倍频电路可以集成于同一基片之上，结构紧凑，相对传统的太赫兹倍频器有更容易装配，相位一致性更好。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，包括肖特基二极管倍频电路、矩形波导和GaAs基片，肖特基二极管倍频电路设置在GaAs基片上，GaAs基片设置在矩形波导中部；
矩形波导侧面开设矩形波导输入端口，矩形波导顶部开设矩形波导输出端口，矩形波导输出端口从矩形波导顶面贯穿至矩形波导底面；矩形波导输入端口处设置金属脊，金属脊位于矩形波导的窄边中心处；肖特基二极管倍频电路通过一对输入微带探针连接矩形波导输入端口，肖特基二极管倍频电路通过一对输出微带探针与矩形波导输出端口连接；
输入微带探针和输出微带探针设置在GaAs基片上，一对输入微带探针和一对输出微带探针分别关于GaAs基片的中心线对称。
肖特基二极管倍频电路包括一对肖特基二极管、一对阻抗匹配网络、一对低通滤波器以及两条直流偏置电路；带通滤波器兼阻抗匹配网络、低通滤波器以及直流偏置电路均关于GaAs基片的中心线对称分布，肖特基二极管、带通滤波器兼阻抗匹配网络、输出微带探针、低通滤波器以及直流偏置电路依次连接；直流偏置电路为肖特基二极管提供反向加载的偏置电压，低通滤波器；输入微带探针连接肖特基二极管的输入端。
输入信号经过金属脊时，产生两路等幅同相的输入信号，其电场分别为Ei1和Ei2，一对输入微带探针分别位于输入电场Ei1和Ei2最强处。
矩形波导输出端口的两侧设置直流偏置端口。
GaAs基片的两侧均设置有散热片，散热片设置在靠近矩形波导输出端口处。
金属脊的长度与矩形波导输入端口的长边长度相同。
基于本发明所述片上功率合成的太赫兹二倍频器的功率合成方法，输入信号经由矩形波导的输入端口输入，所述矩形波导工作模式为基模TE10，输入信号电场Ei垂直于矩形波导的宽边，当输入信号经过金属脊时，产生两路等幅同相的输入信号，其电场分别为Ei1和Ei2，其电场依然垂直于矩形波导的宽边，实现空间功率均匀分配，两路倍频输出信号经由微带探针耦合到矩形波导输出端口，倍频输出信号电场垂直于输出矩形波导的宽边，实现空间功率合成。
肖特基二极管倍频电路中：肖特基二极管、带通滤波器兼阻抗匹配网络、输出微带探针、低通滤波器以及直流偏置电路依次连接；倍频输出信号经过带通滤波器兼阻抗匹配网络并通过输出微带探针耦合到矩形波导输出端口，直流偏置电路为肖特基二极管提供反向加载的偏置电压，其提供的直流信号经过低通滤波器、输出微带探针以及带通滤波器兼阻抗匹配网络，之后所述直流信号加载在肖特基二极管的直流端。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
矩形波导输入端口利用一对微带探针对所述的肖特基二极管倍频电路进行激励，输入信号通过矩形波导输入端口金属脊和波导-微带探针过渡实现空间功率分配，即矩形波导输入端口设计为波导-微带探针耦合结构，在波导窄边中央设置金属脊，将矩形波导均匀分割为两部分，从而实现空间功率均匀分配，获得的两路输入信号经过矩形波导输入端口产生一对等幅同相的信号，并分别通过所述的一对输入微带探针耦合到肖特基二极管倍频电路上，对该电路进行激励最终利用一对输出微带探针经由矩形波导输出端口实现空间功率合成并输出；极大减小了所需功率分配和合成结构电长度，实现了紧凑的功率合成器设计，并进而降低了损耗，为倍频器提供了额外增益；两组倍频电路可以集成于同一基片之上，相对传统的太赫兹倍频器有更容易装配、且相位一致性更强的优点。
进一步的，直流偏置电路对肖特基二极管加载反向偏置电压提供直流通路，带通滤波器用于抑制肖特基二极管产生的其余各次谐波和基波流向矩形波导输出端口和直流端口，并实现阻抗匹配，低通滤波器用于抑制肖特基二极管产生的基波和各次谐波流向直流端口。
进一步的，太赫兹倍频器的热源(肖特基二极管和直流偏置电路)间隔较远，而且散热片设置在肖特基二极管和直流偏置电路之间，对两者的热传递具有阻挡作用，对相对传统的太赫兹倍频器有散热更好的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术方案，下面将对实施例或现有技术方案中所使用的附图作简单介绍。需要注意的是，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的一种新型基于片上功率合成方案的太赫兹二倍频器的斜轴测图。
图2为本发明实施例提供的一种新型基于片上功率合成方案的太赫兹二倍频器的剖视图。
图3为本发明实施例提供的一种新型基于片上功率合成方案的太赫兹二倍频器剖件的俯视图。
附图中，1-矩形波导，2-GaAs基片，12-金属脊，13-矩形波导输出端口，141-第一直流偏置端口，142-第二直流偏置端口，211-输入微带探针，212-输入微带探针，22-肖特基二极管，23-带通滤波器及阻抗匹配网络，24-输出微带探针，25-低通滤波器，26-直流偏置电路，271-第一散热片，272-第二散热片。
具体实施方式
为使得本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清晰完整地描述。需要注意的是，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“顶面”、“底面”、“左侧”、“右侧”、“水平方向”和“竖直方向”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不能认定为所指示的元件或者装置是特定的方位。
在本发明实施例的描述中，所给出的结构尺寸为优选参数，参照本发明实施例，修改各个部件的尺寸参数可以进一步得到实际所需的性能。
参考图1、图2和图3，包括肖特基二极管倍频电路、矩形波导1和GaAs基片2，肖特基二极管倍频电路设置在GaAs基片2上，GaAs基片2设置在矩形波导1中部；
矩形波导1侧面开设矩形波导输入端口11，矩形波导1顶部开设矩形波导输出端口13，矩形波导输出端口13从矩形波导1顶面贯穿至矩形波导1底面；矩形波导输入端口11处设置金属脊12，金属脊12位于矩形波导的窄边中心处；肖特基二极管倍频电路通过一对输入微带探针21连接矩形波导输入端口11，肖特基二极管倍频电路通过一对输出微带探针24与矩形波导输出端口13连接；
输入微带探针21和输出微带探针24设置在GaAs基片2上，一对输入微带探针21和一对输出微带探针24分别关于GaAs基片2的中心线对称。
肖特基二极管倍频电路包括一对肖特基二极管22、一对阻抗匹配网络23、一对低通滤波器25以及两条直流偏置电路26；带通滤波器兼阻抗匹配网络23、低通滤波器25以及直流偏置电路26均关于GaAs基片2的中心线对称分布，肖特基二极管22、带通滤波器兼阻抗匹配网络23、输出微带探针24、低通滤波器25以及直流偏置电路26依次连接；直流偏置电路26为肖特基二极管22提供反向加载的偏置电压，低通滤波器25；输入微带探针21连接肖特基二极管22的输入端。
输入信号经过金属脊12时，产生两路等幅同相的输入信号，其电场分别为Ei1和Ei2，一对输入微带探针21分别位于输入电场Ei1和Ei2最强处。
矩形波导输出端口13的两侧设置直流偏置端口。
GaAs基片2的两侧均设置有散热片27，散热片27设置在靠近矩形波导输出端口处。
金属脊12的长度与矩形波导输入端口11的长边长度相同。
基于本发明所述片上功率合成的太赫兹二倍频器的功率合成方法，输入信号经由矩形波导1的输入端口11输入，所述矩形波导1工作模式为基模TE10，输入信号电场Ei垂直于矩形波导1的宽边，当输入信号经过金属脊12时，产生两路等幅同相的输入信号，其电场分别为Ei1和Ei2，其电场依然垂直于矩形波导的宽边，实现空间功率均匀分配，两路倍频输出信号经由微带探针耦合到矩形波导输出端口，倍频输出信号电场垂直于输出矩形波导的宽边，实现空间功率合成。
肖特基二极管倍频电路中：肖特基二极管22、带通滤波器兼阻抗匹配网络23、输出微带探针24、低通滤波器25以及直流偏置电路26依次连接；倍频输出信号经过带通滤波器兼阻抗匹配网络23并通过输出微带探针24耦合到矩形波导输出端口13，直流偏置电路26为肖特基二极管22提供反向加载的偏置电压，其提供的直流信号经过低通滤波器25、输出微带探针24以及带通滤波器兼阻抗匹配网络23，之后所述直流信号加载在肖特基二极管22的直流端。
请参阅附图，图1为本发明实施例提供的一种新型基于片上功率合成方案的太赫兹二倍频器的斜轴测图，图2为本发明实施例提供的一种新型基于片上功率合成方案的太赫兹二倍频器的剖视图，图3为本发明实施例提供的一种新型基于片上功率合成方案的太赫兹二倍频器剖件的俯视图。
直流偏置端口包括第一直流偏置端口141和第二直流偏置端口142。
矩形波导1包括矩形波导输入端口11、位于矩形波导输入端口窄边中心的金属脊12、矩形波导输出端口13、为肖特基二极管提供直流偏置的第一直流偏置端口141和第二直流偏置端口142，为了简便起见，具体的直流电路没有在图中画出。
如附图3所示，标准波导为肖特基二极管提供入射驱动功率，输入信号经由矩形波导1的输入端口11输入，该矩形波导1工作模式为基模TE10，输入信号电场Ei垂直于矩形波导1的宽边；金属脊12位于该矩形波导1的窄边中央，当输入信号经过金属脊12时，产生两路等幅同相的输入信号，其电场分别为Ei1和Ei2，其电场依然垂直于矩形波导的宽边，从而实现了空间功率均匀分配。相应的，矩形波导输出端口为标准矩形波导，此处两路倍频输出信号经由微带探针耦合到输出矩形波导(矩形波导输出端口)，输出信号电场垂直于输出矩形波导的宽边，从而实现了空间功率合成。
本发明提出的太赫兹功率合成方案与传统的太赫兹功率合成方法相比极大减小了器件的所需电长度，实现了更紧凑的结构，在太赫兹频段，较大的电长度即意味着较大的损耗，因此本发明功率合成方法也实现了低损耗性能，也为太赫兹倍频器提供了额外增益。
所述的GaAs基片2上设置一对输入微带探针21、一对肖特基二极管22、一对带通滤波器兼阻抗匹配网络23、一对输出微带探针24、一对低通滤波器25、两条直流偏置电路26、第一散热片271和第二散热片272，第一散热片271和第二散热片272衔接GaAs基片与矩形波导1；一对输入微带探针21、一对肖特基二极管22、一对阻抗匹配网络23、一对输出微带探针24、一对低通滤波器25、两条直流偏置电路26、第一散热片271和第二散热片272均关于GaAs基片2的中心线对称设置；肖特基二极管22、带通滤波器兼阻抗匹配网络23、输出微带探针24、低通滤波器25以及直流偏置电路26依次连接。
输入微带探针包括第一输入微带探针211和第二输入微带探针212，第一输入微带探针211和第二输入微带探针212分别位于输入电场Ei1、Ei2最强处，进而获得较强的能量耦合，为肖特基二极管倍频电路提供基波信号输入。
利用肖特基二极管22的非线性效应，输入信号经过肖特基二极管22产生直流、基波及各次谐波信号。对于所设计的太赫兹二倍频器，二次谐波为所需的倍频信号，由于器件的对称性，三次谐波无法传播到输出端，因此，倍频信号经过具有阻抗匹配作用的带通滤波器23并通过输出微带探针24耦合到矩形波导输出端口13，直流偏置电路26为肖特基二极管22提供反向加载的偏置电压，其提供的直流信号经过低通滤波器25、输出微带探针24、带通滤波器兼阻抗匹配网络23和输出微带探针加载在肖特基二极管22直流端。而由于带通滤波器兼阻抗匹配网络23以及低通滤波器的抑制作用，肖特基二极管22产生的基波和各次谐波无法反向留到直流偏置端口。
两路倍频信号在矩形波导输出端口处实现空间功率合成，从而为倍频器提供了额外3dB的功率增益。由于两路倍频电路可集成于同一基片上，使得所述倍频电路和矩形波导的装配也更为容易，且两路间的相位一致性跟更容易保证。此外，作为热源的两组肖特基二极管和两组直流偏置电路间隔较远，这使得本发明所述倍频器的散热性能更好。
以上为对本发明所提供的一种基于片上功率合成方案的太赫兹二倍频器的描述，对于本领域的技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，其特征在于，包括肖特基二极管倍频电路、矩形波导(1)和GaAs基片(2)，肖特基二极管倍频电路设置在GaAs基片(2)上，GaAs基片(2)设置在矩形波导(1)中部；
矩形波导(1)侧面开设矩形波导输入端口(11)，矩形波导(1)顶部开设矩形波导输出端口(13)，矩形波导输出端口(13)从矩形波导(1)顶面贯穿至矩形波导(1)底面；矩形波导输入端口(11)处设置金属脊(12)，金属脊(12)位于矩形波导的窄边中心处；肖特基二极管倍频电路通过一对输入微带探针(21)连接矩形波导输入端口(11)，肖特基二极管倍频电路通过一对输出微带探针(24)与矩形波导输出端口(13)连接；
输入微带探针(21)和输出微带探针(24)设置在GaAs基片(2)上，一对输入微带探针(21)和一对输出微带探针(24)分别关于GaAs基片(2)的中心线对称。
2.根据权利要求1所述的基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，其特征在于，肖特基二极管倍频电路包括一对肖特基二极管(22)、一对阻抗匹配网络(23)、一对低通滤波器(25)以及两条直流偏置电路(26)；带通滤波器兼阻抗匹配网络(23)、低通滤波器(25)以及直流偏置电路(26)均关于GaAs基片(2)的中心线对称分布，肖特基二极管(22)、带通滤波器兼阻抗匹配网络(23)、输出微带探针(24)、低通滤波器(25)以及直流偏置电路(26)依次连接；直流偏置电路(26)为肖特基二极管(22)提供反向加载的偏置电压，低通滤波器(25)；输入微带探针(21)连接肖特基二极管(22)的输入端。
3.根据权利要求1所述的基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，其特征在于，输入信号经过金属脊(12)时，产生两路等幅同相的输入信号，其电场分别为Ei1和Ei2，一对输入微带探针(21)分别位于输入电场Ei1和Ei2最强处。
4.根据权利要求1所述的基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，其特征在于，矩形波导输出端口(13)的两侧设置直流偏置端口。
5.根据权利要求1所述的基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，其特征在于，GaAs基片(2)的两侧均设置有散热片(27)，散热片(27)设置在靠近矩形波导输出端口处。
6.根据权利要求1所述的基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，其特征在于，金属脊(12)的长度与矩形波导输入端口(11)的长边长度相同。
7.基于片上功率合成的太赫兹二倍频器的功率合成方法，其特征在于，基于权利要求1所述的基于片上功率合成的太赫兹二倍频器，输入信号经由矩形波导(1)的输入端口(11)输入，所述矩形波导(1)工作模式为基模TE10，输入信号电场Ei垂直于矩形波导(1)的宽边，当输入信号经过金属脊(12)时，产生两路等幅同相的输入信号，其电场分别为Ei1和Ei2，其电场依然垂直于矩形波导的宽边，实现空间功率均匀分配，两路倍频输出信号经由微带探针耦合到矩形波导输出端口，倍频输出信号电场垂直于输出矩形波导的宽边，实现空间功率合成。
8.根据权利要求7所述的基于片上功率合成的太赫兹二倍频器的功率合成方法，其特征在于，肖特基二极管倍频电路中：肖特基二极管(22)、带通滤波器兼阻抗匹配网络(23)、输出微带探针(24)、低通滤波器(25)以及直流偏置电路(26)依次连接；倍频输出信号经过带通滤波器兼阻抗匹配网络(23)并通过输出微带探针(24)耦合到矩形波导输出端口(13)，直流偏置电路(26)为肖特基二极管(22)提供反向加载的偏置电压，其提供的直流信号经过低通滤波器(25)、输出微带探针(24)以及带通滤波器兼阻抗匹配网络(23)，之后所述直流信号加载在肖特基二极管(22)的直流端。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114844468A (zh) * 2022-05-12 2022-08-02 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种新型的平衡式肖特基四倍频结构及其使用方法
CN115037251B (zh) * 2022-08-11 2022-11-11 壹新信通科技(成都)有限公司 一种两路输出太赫兹的二倍频器、通信发射端及系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107359861A (zh) * 2017-06-01 2017-11-17 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） 高阶奇次谐波THz源倍频器
CN207218641U (zh) * 2017-06-01 2018-04-10 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） 太赫兹奇次固态倍频器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107359861A (zh) * 2017-06-01 2017-11-17 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） 高阶奇次谐波THz源倍频器
CN207218641U (zh) * 2017-06-01 2018-04-10 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） 太赫兹奇次固态倍频器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
基于平面肖特基二极管的220 GHz二倍频器;陈鹏等;《太赫兹科学与电子信息学报》;20181028(第05期);全文 *

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