WO2017221880A1 - 光受信機 - Google Patents

光受信機 Download PDF

Info

Publication number
WO2017221880A1
WO2017221880A1 PCT/JP2017/022503 JP2017022503W WO2017221880A1 WO 2017221880 A1 WO2017221880 A1 WO 2017221880A1 JP 2017022503 W JP2017022503 W JP 2017022503W WO 2017221880 A1 WO2017221880 A1 WO 2017221880A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chip
tia
pds
pattern
tia chip
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/022503
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
敏洋 伊藤
百合子 川村
清史 菊池
都築　健
福田　浩
亀井　新
Original Assignee
日本電信電話株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電信電話株式会社 filed Critical 日本電信電話株式会社
Priority to CA3028361A priority Critical patent/CA3028361C/en
Priority to JP2018524076A priority patent/JP6560825B2/ja
Priority to CN201780038039.4A priority patent/CN109314582B/zh
Priority to US16/309,410 priority patent/US10601522B2/en
Priority to EP17815348.2A priority patent/EP3474467B1/en
Publication of WO2017221880A1 publication Critical patent/WO2017221880A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/61—Coherent receivers
    • H04B10/613—Coherent receivers including phase diversity, e.g., having in-phase and quadrature branches, as in QPSK coherent receivers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/61—Coherent receivers
    • H04B10/616—Details of the electronic signal processing in coherent optical receivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/61—Coherent receivers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/697—Arrangements for reducing noise and distortion
    • H04B10/6972—Arrangements for reducing noise and distortion using passive filtering

Definitions

  • the present invention relates to an optical receiver used in an optical communication network.
  • optical communication networks short / medium-distance optical networks that transmit between cities at relatively short distances are also used for transmission within a data center, so there is a great demand for capacity expansion.
  • the digital coherent optical communication system with a wide dynamic range has been mainly introduced in ultra-long distance optical communication due to its high dispersion tolerance and wide dynamic range, but with the downsizing and low cost of optical components, In recent years, application to shorter distances has been studied. In particular, if silicon photonics technology is used, optical transmitters and optical receivers can be significantly downsized and integrated, greatly contributing to the cost reduction of optical components at such relatively close distances. That is expected.
  • FIG. 1 is an excerpt of FIG. 1 of Non-Patent Document 1 below.
  • the conventional optical receiver shown in FIG. 1 receives a received signal in a dual polarization optical hybrid (Dual Polarization Optical Hybrid) composed of two hybrid mixers for X polarization (X-Pol) and Y polarization (Y-Pol).
  • Light is demodulated by mixing the light (SIGNAL) with the reference light from the light source (LOCAL OSCILLATOR).
  • the optical demodulated output becomes four demodulated lights for each of X polarization and Y polarization I and Q, and 4 to 8 dual photodiodes (PD) that use two photodiodes in close proximity to each other, It is converted into four pairs of electrical signals.
  • the four pairs of demodulated electrical signals of the PD output are input to a four-channel transimpedance amplifier (TIA) and amplified.
  • TIA four-channel transimpedance amplifier
  • PD and TIA are usually composed of different chips because the semiconductor substrates are different. For this reason, it is necessary to connect the PD and TIA chips with electrical signal lines.
  • the power of the eight photodiodes (PD) of the PD chip is independently supplied from the outside of the receiver.
  • FIG. 2 shows the overall configuration of a general digital coherent optical transceiver by adding an optical transmitter to this optical receiver.
  • the digital coherent optical transmitter / receiver 1 includes an optical receiver 2 and an optical transmitter 3.
  • An input optical signal input to the optical receiver 2 is converted into an electric signal by a four-channel dual photodiode (PD) 5 through a dual-polarization optical hybrid 4 and is converted by a four-channel transimpedance amplifier (TIA) 6. Amplified and output as an input electrical signal.
  • PD dual photodiode
  • TIA transimpedance amplifier
  • the output electrical signal input to the optical transmitter 3 is electrically amplified by the 4-channel driver 7, and the CW light is modulated by the 4-channel optical modulator 8 to become an output optical signal.
  • FIG. 3 shows the entire four channels of the connection portion (PD-TIA connection portion) of the photodiode (PD, PD chip) 5 and the transimpedance amplifier (TIA, TIA chip) 6 of the conventional optical receiver 2. The configuration is shown. In FIG. 3, the outline of the circuit is shown for only one channel, but the other channels are similar circuits.
  • Fig. 4 shows a detailed circuit diagram of the PD-TIA connection part of Fig. 3 for one channel.
  • the input signal light is converted into a set of electric signals of two systems by two PDs (PD1, PD2) constituting a dual photodiode on the PD chip 5, and one-to-two signal lines IN, INC To the transimpedance amplifier (TIA) chip 6.
  • PD1, PD2 the PDs constituting a dual photodiode on the PD chip 5
  • TIA transimpedance amplifier
  • the power supplies (VPD1, VPD2) of the two PDs constituting the dual photodiode are directly supplied to the respective PDs from the outside of the PD chip 5, Capacitors (C51, C52) were arranged.
  • the power supply of the photodiode is supplied from the TIA chip 6 side, and the capacitor used for the power supply part of the photodiode is also integrated in the TIA chip 6 to greatly reduce the size. There is.
  • an ordinary non-coherent optical receiver has a configuration shown in FIG.
  • the power source of the photodiode (PD) 5 that is not of a dual configuration is supplied from the transimpedance amplifier (TIA) 6 side.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the entire four channels of this conventional PD-TIA connection unit.
  • FIG. 7 is a circuit diagram of a PD-TIA connection unit for one channel when two PD power supplies are independent when supplying PD power from the TIA chip 6 (VPD1, VPD2).
  • FIG. 8 is a circuit diagram of a PD-TIA connection unit for one channel when two PD power sources are shared (VPD).
  • none of these prior art forms has a part for electromagnetically protecting the signal lines IN and INC of the PD-TIA connection part and its terminals.
  • the PD output electric signal before amplification on the TIA input side is weak, it is easily affected by an external electromagnetic field and is affected by other receiving channels.
  • the transmitter and receiver cannot be completely separated, and the distance between the two is also Since it is near, the influence which the electromagnetic wave which a transmitter emits on a receiver cannot be ignored.
  • the electric signal lines and terminals inside the optical receiver are directly affected by the external electromagnetic field environment, resulting in deterioration of reception sensitivity and amplification noise resistance.
  • the present invention is characterized by having the following configuration.
  • An optical receiver having a PD chip having two photodiodes (PD) constituting a dual photodiode for each channel and a TIA chip having a transimpedance amplifier (TIA) corresponding to each channel, A signal line connecting the PD chip and the TIA chip is surrounded by a conductive pattern not connected to the signal line for each channel, and the conductive pattern is a ground pattern of the TIA chip or a PD Connected to the power pattern
  • PD chip having two photodiodes (PD) constituting a dual photodiode for each channel and a TIA chip having a transimpedance amplifier (TIA) corresponding to each channel
  • a signal line connecting the PD chip and the TIA chip is surrounded by a conductive pattern not connected to the signal line for each channel, and the conductive pattern is a ground pattern of the TIA chip or a PD Connected to the power pattern
  • the conductive patterns are two independent conductive patterns corresponding to the two PDs for each channel, and are independently connected to the TIA chip and capacitively coupled to the ground pattern in the TIA chip. ing, An optical receiver according to the first aspect of the invention.
  • the two PDs constituting the dual photodiode are connected with their cathodes facing each other, and the cathode connection point is connected to the PD power pattern of the TIA chip, Two signal lines are drawn out from the two anodes of the two PDs and input to the TIA chip, From the cathode connection point, the conductive pattern branches so as to surround the two PDs toward the outer peripheral side of the PD chip, and as two PD power supply patterns from a position sandwiching the two signal lines. Pulled out and connected to the PD power pattern of the TIA chip, The PD power pattern of the TIA chip is grounded at a high frequency by a capacitor of the TIA chip, An optical receiver according to the first aspect of the invention.
  • the two PDs constituting the dual photodiode are arranged so that their anodes are opposed to each other, two signal lines are drawn from both anodes, and input to the TIA chip,
  • the conductive pattern connects the cathodes of the two PDs on the outer peripheral side of the PD chip, branches off on the outer peripheral side, and is drawn out from a position sandwiching the two signal lines, and then the PD of the TIA chip Connected to the power pattern,
  • the PD power pattern of the TIA chip is grounded at a high frequency by a capacitor of the TIA chip,
  • the optical receiver according to claim 1.
  • the two PDs constituting the dual photodiode are arranged so that their anodes are opposed to each other, two signal lines are drawn from both anodes, and input to the TIA chip,
  • the conductive pattern connects the cathodes of the two PDs on the outer peripheral side of the PD chip in an AC manner via a capacitor, branches off on the outer peripheral side, and is pulled out from a position sandwiching the two signal lines.
  • the two PD power patterns of the TIA chip are grounded in high frequency by two capacitors of the TIA chip, respectively.
  • the optical receiver is affected by these noises as much as possible. It is possible to configure so that there is no.
  • FIG. 4 is a detailed circuit diagram for one channel in the PD-TIA connection unit of FIG. 3. It is a schematic diagram of the PD-TIA connection part when supplying PD power from TIA according to the prior art. In the prior art, it is a block diagram showing the whole four channels of the PD-TIA connection part of the coherent optical receiver when supplying PD power from TIA.
  • FIG. 4 is a detailed circuit diagram for one channel in the PD-TIA connection unit of FIG. 3. It is a schematic diagram of the PD-TIA connection part when supplying PD power from TIA according to the prior art. In the prior art, it is a block diagram showing the whole four channels of the PD-TIA connection part of the coherent optical receiver when supplying PD power from TIA.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a PD-TIA connection unit for one channel when two PD power supplies are independent when supplying PD power from a TIA in the prior art.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a PD-TIA connection portion for one channel when two PD power sources are shared when supplying PD power from a TIA in the prior art.
  • It is an example of the circuit diagram for 1 channel of the PD-TIA connection part of the optical receiver by 1st Embodiment of this invention.
  • It is another example of the circuit diagram of PD-TIA connection part of the optical receiver by 1st Embodiment of this invention.
  • It is an example of the circuit diagram of the PD-TIA connection part of the optical receiver by 2nd Embodiment of this invention.
  • It is another example of the circuit diagram of the PD-TIA connection part of the optical receiver by 2nd Embodiment of this invention.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing one channel of the PD-TIA connection unit of the optical receiver according to the first embodiment of the present invention. This figure shows the connection between a 4-channel dual photodiode (PD) chip 5 and a 4-channel transimpedance amplifier (TIA) chip 6 (PD-TIA connection) in the conventional digital coherent optical transceiver shown in FIG. 2 is a circuit diagram corresponding to one channel.
  • PD dual photodiode
  • TIA transimpedance amplifier
  • a PD-TIA connection is used to connect a PD chip 5 on which PDs (PD1, PD2) having a dual photodiode configuration for multiple channels and a TIA chip 6 on which a transimpedance amplifier (TIA) for the same number of channels is mounted.
  • PDs PD1, PD2
  • TIA transimpedance amplifier
  • the signal lines (IN, INC) of each channel are surrounded by PD power lines (PD power patterns) VPD for PD that supply power from the TIA chip 6 to the PD chip 5.
  • the description of the symbol of the TIA amplifier itself is omitted.
  • two PDs (PD1, PD2) having a dual photodiode configuration for one channel mounted on the PD chip 5 are connected with their cathodes facing each other, and the cathode connection point is the PD. It is drawn from the chip 5 and connected to the PD power line (PD power pattern) VPD of the TIA chip 6.
  • signal lines IN and INC are drawn out from the two anodes of the two PDs (PD1, PD2) in the dual photodiode configuration and input to the TIA chip 6.
  • the PD power line branches from the cathode connection point so as to surround the two PDs toward the outer peripheral side of the PD chip 5, and the two PD power lines sandwich the terminals of the signal lines IN and INC. It is pulled out from the terminal at the position and connected to the PD power line VPD of the TIA chip 6.
  • the PD power line VPD is grounded and stabilized at a high frequency by the capacitor C60 of the TIA chip 6.
  • These PD power supply lines are usually formed on a substrate as a conductive metal thin film pattern as a circuit mounting form, and can be referred to as a power supply pattern or a conductive pattern. Due to this conductive pattern, most of the external electromagnetic waves emitted from adjacent channels and transmitters are not directly input to the signal lines IN, INC and signal terminals from the photodiode, but the surrounding PD power supply pattern VPD and Shielded by power terminals.
  • FIG. 10 is another example of a circuit diagram corresponding to one channel of the PD-TIA connection unit of the optical receiver according to the first embodiment of the present invention.
  • a signal line IN, INC from the PD chip 5 is surrounded by a ground line (ground pattern) instead of the PD power supply line VPD, and this is connected to the ground pattern of the TIA chip 6.
  • the two photodiodes (PD1, PD2) of the dual photodiode configuration mounted on the PD chip 5 are connected with their cathodes facing each other, and the cathode connection point is drawn from the PD chip 5. It is connected to the PD power line VPD of the TIA chip 6.
  • signal lines IN and INC are drawn out from the two anodes of the two PDs (PD1, PD2) in the dual photodiode configuration and input to the TIA chip 6.
  • the conductive pattern branches from the cathode connection point to the outer peripheral side of the PD chip 5 via the capacitor C50 so as to surround the two PDs, and sandwiches the terminals of the signal lines IN and INC.
  • Two ground lines are drawn from the terminal and connected to the ground line of the TIA chip 6.
  • the PD power line VPD is grounded and stabilized at high frequency by the capacitor C60 of the TIA chip 6 and the capacitor C50 of the PD chip 5.
  • ground lines like the PD power lines, are usually formed on the substrate as conductive metal thin film patterns as a circuit mounting form, and can be referred to as a ground pattern or a conductive pattern.
  • a ground pattern With this conductive pattern, most of the external electromagnetic waves emitted from adjacent channels and transmitters are shielded by the surrounding ground pattern without being directly input to the signal terminals such as signal lines IN and INC from the photodiode. Is done.
  • FIG. 11 is a circuit diagram for one channel of the PD-TIA connection unit of the optical receiver according to the second embodiment of the present invention.
  • the PD power line terminal is not provided between the two signal lines IN and INC from the photodiode, and the photodiode and the two signal lines IN and INC are surrounded.
  • the PD power line VPD is arranged outside.
  • the two PDs (PD1, PD2) of the dual photodiode configuration mounted on the PD chip 5 are arranged with their anodes facing each other, and the signal lines IN and INC are drawn from both anodes. And input to the TIA chip 6.
  • a conductive pattern connects the cathodes of the two PDs on the outer peripheral side of the PD chip 5, branches on the outer peripheral side, and is led out from the terminal at the position sandwiching the terminals of the signal lines IN and INC, and the TIA chip 6 Connected to the PD power line VPD.
  • the PD power line VPD is grounded and stabilized in terms of high frequency by the capacitor C60 of the TIA chip 6.
  • FIG. 12 shows another example of the circuit diagram of the second embodiment of the present invention.
  • the two PD power supplies (VPD1, VPD2) that make up the dual photodiode for each channel are taken independently, and two systems are provided outside the photodiodes (PD1, PD2) and the two signal lines IN, INC.
  • PD power lines VPD1 and VPD2 are arranged. With this configuration, it is possible to independently monitor the photocurrent flowing through each photodiode.
  • a capacitor C53 is provided that separates the cathodes of two PDs (PD1, PD2) to be dual photodiodes in a direct current manner and connects them in high frequency.
  • the two photodiodes (PD1, PD2) of the dual photodiode configuration mounted on the PD chip 5 are arranged with their anodes facing each other, and the signal lines IN and INC are drawn from both anodes. Are input to the TIA chip 6.
  • a conductive pattern connects the cathodes of the two PDs on the outer peripheral side of the PD chip 5 in an alternating manner via a capacitor C53.
  • the conductive patterns are branched from the cathodes of the two PDs on the outer peripheral side, and are drawn out from the terminals on both sides of the signal lines IN and INC between the PD power lines VPD1, Each is connected to VPD2.
  • the PD power lines VPD1 and VPD2 are grounded and stabilized in high frequency by the two capacitors C61 and C62 of the TIA chip 6, respectively.
  • the capacitor C53 of the PD chip 5 has an effect of stabilizing when the balance between the left and right PD power supply lines VPD1 and VPD2 is lost.
  • the present invention is naturally applicable to a configuration of a plurality of channels other than four. Further, it is clear that even a one-channel configuration has a shielding effect against electromagnetic waves generated from a transmitter inside the optical transceiver.
  • the present invention provides an optical receiver having a connection part (PD-TIA connection part) of a PD chip having dual photodiodes for one or more channels and a TIA chip having transimpedance amplifiers for the same number of channels. Is also applicable.
  • an example of an optical receiver in the digital coherent optical communication system has been shown, but the present invention is not limited to this system but can be applied to any optical receiver using a dual photodiode and a transimpedance amplifier. Is possible. Further, in the transmitter / receiver in which the transmitter is integrated, the effect of the present invention is further increased because the influence of crosstalk from the transmitter is added in addition to the adjacent channel.
  • the optical receiver even when high noise is generated inside an optical transmitter / receiver in which the optical transmitter is built in the same housing as the optical receiver, the optical receiver It is possible to configure an optical transceiver in which the signal line is shielded so as not to be affected by these noises as much as possible.

Abstract

光送受信機において、内部に高い雑音が発生するような場合であっても、光受信機がこれらの雑音の影響を極力受けないように、光受信機を構成する。デュアルフォトダイオード構成の２つのフォトダイオード（PD）とトランスインピーダンスアンプ（TIA）を接続する接続部であって、デュアルフォトダイオードからの信号線が、各チャネル毎それぞれに、信号線と接続されていない導電性パタンで囲まれていて、これら導電性パタンは、トランスインピーダンスアンプのグランドパタン、もしくはPD用の電源パタンに接続されている接続部を有することを特徴とする光受信機とした。

Description

光受信機
　本発明は、光通信ネットワークに用いられる、光受信機に関する。
　近年、画像や動画の共有も含むSNS、低価格化が進むVODなどのサービスや、それを支える携帯情報端末・STBが普及している。これらのサービスや端末などに対して十分な通信容量を確保するため、インターネットを支える光通信ネットワークの伝送容量拡幅への要求は高まっている。
　光通信ネットワークの中でも、比較的短距離で都市間などを伝送する短・中距離の光ネットワークは、データセンタ内での伝送にも使用されるので容量拡幅の要求が非常に大きい。ダイナミックレンジの広いディジタルコヒーレント光通信方式は、その高い分散耐性や広いダイナミックレンジなどの理由により超長距離の光通信で主に導入が進んできたが、光部品の小型・低価格化に伴い、近年ではより短距離への適用が検討されている。特に、シリコンフォトニクス技術を用いると、光送信機・光受信機の大幅な小型化・一体化を行うことができるため、このような比較的近い距離での光部品の低コスト化にも大きく貢献すると期待されている。
　従来、このディジタルコヒーレント光通信方式に用いられるディジタルコヒーレント光受信機では、OIF(Optical Internetworking Forum)で規定された図１に示すような光受信機が使用されてきた。図１は、下記非特許文献１のFigure1抜粋である。
"Implementation Agreement for Integrated Dual Polarization Intradyne Coherent Receivers," Optical Internetworking Forum, IA # OIF-DPC-RX-01.2, November 14, 2013, http://www.oiforum.com/public/documents/OIF_DPC_RX-01.2.pdf
　図１の従来の光受信機は、Ｘ偏波（X-Pol)，Ｙ偏波（Y-Pol）対応の２つのハイブリッドミキサよりなる二重偏波光ハイブリッド(Dual Polarization Optical Hybrid)において、受信信号光（SIGNAL）を光源（LOCAL OSCILLATOR）からの参照光とミキシングして光復調する。光復調出力は、Ｘ偏波，Ｙ偏波の各I,Qで４つの復調光となり、２つのフォトダイオードを対として近接配置して使用する４対８個のデュアルフォトダイオード（PD）により、４対の電気信号に変換される。このPD出力の４対の復調電気信号は、４チャネル分のトランスインピーダンスアンプ(TIA)に入力されて増幅される。
　これらの構成要素を一つのパッケージに集積して、光受信機を構成する。ここで、PDとTIAは構成する半導体基板が違うため、通常は別チップで構成される。このため、PDとTIAの両チップの間を、電気的な信号線で接続する必要がある。また、PDチップの8個のフォトダイオード(PD)の電源は、独立に受信機の外部から供給される。
　図２のブロック図に、この光受信機に光送信機を加えて、一般的なディジタルコヒーレント光送受信機とした全体構成を示す。
　図２の従来例において、ディジタルコヒーレント光送受信機１は光受信機２と光送信機３からなる。光受信機２に入力された入力光信号は、二重偏波光ハイブリッド４を介して４チャネルのデュアルフォトダイオード(PD)５で電気信号に変換され、４チャネルのトランスインピーダンスアンプ(TIA)６で増幅されて、入力電気信号として出力される。
　光送信機３に入力された出力電気信号は、４チャネルドライバ７で電気的に増幅されて、４チャネルの光変調器８においてＣＷ光を変調して、出力光信号となる。
　図３には、この従来の光受信機２の、フォトダイオード（PD、PD チップ）５とトランスインピーダンスアンプ（TIA,TIA チップ）６の接続部（PD-TIA接続部）の４チャネル分全体の構成を示す。図３では、回路の概要は１チャネル分のみ示しているが、他のチャネルも同様な回路である。
　図４には、図３のPD-TIA接続部の詳細回路図を１チャネル分示す。
　図４で入力信号光は、PDチップ５上のデュアルフォトダイオードを構成する２つのPD（PD1,PD2）によって２系統１組の電気信号に変換されて、１対２本の信号線IN、INCによりトランスインピーダンスアンプ（TIA）チップ６に接続される。図４では、TIAアンプ自体の記号の図示は省略している。
　図４の従来の光受信機においては、デュアルフォトダイオードを構成する２つのPDの電源（VPD1,VPD2）は、PDチップ５の外部から直接それぞれのPDに与えられており、PDチップ５にはコンデンサ（C51,C52）が配置されていた。
　しかし、小型化が進展してくると、フォトダイオードの電源をTIAチップ６側から供給し、フォトダイオードの電源部に使用するコンデンサなどもTIAチップ６に集積してしまうのが小型化に大きな効果がある。
　このような小型化の従来技術として、通常のコヒーレントでない光受信機では、図５のような構成が知られている。この図５の従来技術では、デュアル構成ではないフォトダイオード（PD)５の電源は、トランスインピーダンスアンプ（TIA）６側から供給されている。
　また、この形式を単純にコヒーレント光受信機で用いるデュアルフォトダイオードに拡張したものが、図６、図７、図８に示される従来技術の形態である。
　図６は、この従来技術のPD-TIA接続部の４チャネル全体を表すブロック図である。図７は、PD電源をTIAチップ６から供給するときに２つのPD電源が独立の場合（VPD1,VPD2）の、１チャネル分のPD-TIA接続部の回路図である。図８は、２つのPD電源を共通化した場合（VPD）の、１チャネル分のPD-TIA接続部の回路図である。
　しかしこのような従来技術の形態ではいずれも、PD-TIA接続部の信号線IN、INCやその端子を電磁的に保護する部分がない。特に、TIA入力側の増幅前のPD出力電気信号は微弱なため、外部からの電磁場の影響を受けやすく、他の受信チャネルからの影響を受けることになる。
　さらに、集積化・小型化を進展して、シリコンフォトニクス技術で究極の送受信機一体化チップを実現する場合は、送信機と受信機を完全に分離することができず、両者の間の距離も近いので、送信機の発する電磁波が受信機に与える影響が無視できなくなる。
　このように従来技術では、光受信機内部の電気信号線や端子が、外部の電磁場環境の影響を直接受けるようになっていて、受信感度の劣化や増幅雑音耐性の劣化を招いていた。
　本発明の目的は、光送信機と同じ筐体に内蔵された光受信機などにおいて、内部に高い電気的雑音が発生する場合でも、光受信機がこれら雑音の影響を極力受けないように構成することにある。
　本発明は、このような目的を達成するために、以下のような構成を備えることを特徴とする。
　（発明の構成１）
　各チャネル毎にそれぞれデュアルフォトダイオードを構成する２つのフォトダイオード（PD）を搭載するPDチップと、各チャネルに対応するトランスインピーダンスアンプ（TIA）を搭載するTIAチップを有する光受信機であって、
　前記PDチップと前記TIAチップを接続する信号線が、各チャネル毎にそれぞれ信号線と接続されていない導電性パタンで囲まれていて、これら導電性パタンは、前記TIAチップのグランドパタン、もしくはPD用の電源パタンに接続されている 
ことを特徴とする光受信機。
　（発明の構成２）
　前記導電性パタンは各チャネル毎にそれぞれ２つの前記PDに対応して独立な２つの導電性パタンであって、独立に前記TIAチップに接続され、前記TIAチップ内でそれぞれグランドパタンに容量結合されている、
ことを特徴とする発明の構成１記載の光受信機。
　（発明の構成３）
　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのカソードが対向して接続され、該カソード接続点は前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
　２つの前記PDの２つのアノードからは、２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
　前記カソード接続点からは前記導電性パタンが、前記PDチップの外周側に向かって２つの前記PDを囲むように分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から２本のPD電源パタンとして引き出されて、前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
　前記TIAチップの前記PD電源パタンは前記TIAチップのコンデンサによって高周波的に接地されている、
ことを特徴とする発明の構成１記載の光受信機。
　（発明の構成４）
　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのカソードが対向して接続され、該カソード接続点は前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
　２つの前記PDの２つのアノードからは、２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
　前記カソード接続点からは前記導電性パタンが、コンデンサを介して前記PDチップの外周側に向かって２つの前記PDを囲むように分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から２本のグランドパタンとして引き出されて、前記TIAチップのグランドパタンに接続されており、
　前記TIAチップのPD電源パタンは前記TIAチップのコンデンサによって高周波的に接地されている、
ことを特徴とする発明の構成１記載の光受信機。

　（発明の構成５）
　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのアノードが対向して配置され、両アノードから２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
　前記導電性パタンは、２つの前記PDのカソードを前記PDチップの外周側で接続するとともに、それぞれ外周側で分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から引き出されて前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
　前記TIAチップの前記PD電源パタンは前記TIAチップのコンデンサによって高周波的に接地されている、
ことを特徴とする請求項１記載の光受信機。
　（発明の構成６）
　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのアノードが対向して配置され、両アノードから２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
　前記導電性パタンは、２つの前記PDのカソードを前記PDチップの外周側でコンデンサを介して交流的に接続するとともに、それぞれ外周側で分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から引き出されて前記TIAチップの２つのPD電源パタンにそれぞれ接続されており、
　前記TIAチップの２つの前記PD電源パタンは前記TIAチップの２つのコンデンサによってそれぞれ高周波的に接地されている、
ことを特徴とする発明の構成２記載の光受信機。
　以上記載したように、本発明によれば、光送信機と同じ筐体に内蔵された光受信機において、内部に高い雑音が発生する場合でも、光受信機がこれらの雑音の影響を極力受けないように構成することが可能となる。
従来のディジタルコヒーレント光受信機の一例を示す図である。 従来のディジタルコヒーレント光送受信機全体のブロック図である。 従来のディジタルコヒーレント光受信機のフォトダイオード・トランスインピーダンスアンプ（PD-TIA）接続部において、4チャネル全体を表すブロック図である。 図３のPD-TIA接続部において1チャネル分の詳細の回路図である。 従来技術による、PD電源をTIAから供給するときのPD-TIA接続部の概要図である。 従来技術において、PD電源をTIAから供給するときのコヒーレント光受信機のPD-TIA接続部の4チャネル全体を表すブロック図である。 従来技術において、PD電源をTIAから供給するときに２つのPD電源が独立の場合の1チャネル分のPD-TIA接続部の回路図である。 従来技術において、PD電源をTIAから供給するときに２つのPD電源を共通化した場合の1チャネル分のPD-TIA接続部の回路図である。 本発明の第１実施形態による光受信機のPD-TIA接続部の１チャネル分の回路図の一例である。 本発明の第１実施形態による光受信機のPD-TIA接続部の回路図の別の例である。 本発明の第２実施形態による光受信機のPD-TIA接続部の回路図の一例である。 本発明の第２実施形態による光受信機のPD-TIA接続部の回路図の別の例である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
　（第１実施形態）
　図９は、本発明の第１実施形態による光受信機の、PD-TIA接続部の１チャネル分を表す回路図である。この図は、図２に示される従来のディジタルコヒーレント光送受信機において、４チャネルのデュアルフォトダイオード(PD)チップ５と、４チャネルのトランスインピーダンスアンプ(TIA)チップ６の接続部（PD-TIA接続部）の１チャネル分にあたる回路図である。
　図９では、複数チャネル分のデュアルフォトダイオード構成のPD（PD1,PD2）を搭載するPDチップ５と、同数チャネル分のトランスインピーダンスアンプ（TIA）を搭載したTIAチップ６を接続するPD-TIA接続部の１チャネル分を示している。本発明においては、各チャネルの信号線（IN、INC）が、TIAチップ６よりPDチップ５に電源を供給するPD用のPD電源線（PD電源パタン）VPDによってそれぞれ囲まれている。図９では、TIAアンプ自体の記号の記載は省略している。
　図９の第１実施形態では、PDチップ５に搭載された１チャネル分のデュアルフォトダイオード構成の２つのPD（PD1,PD2）は、そのカソードが対向して接続され、該カソード接続点はPDチップ５から引き出されてTIAチップ６のPD電源線（PD電源パタン）VPDに接続されている。
　また、デュアルフォトダイオード構成の２つのPD（PD1,PD2）の２つのアノードからは、信号線INおよびINCが引き出されて、TIAチップ６に入力されている。
　また、前述のカソード接続点からはPD電源線が、PDチップ５の外周側に向かって２つのPDを囲むように分岐して、２本のPD電源線が信号線INおよびINCの端子を挟む位置の端子から引き出されて、TIAチップ６のPD電源線VPDに接続されている。またこのPD電源線VPDは、TIAチップ６のコンデンサC60によって高周波的に接地され安定化している。
　これらのPD電源線は、回路の実装形態としては通常、導電性の金属薄膜のパタンとして基板上に構成されるので、電源パタン、導電性パタンということができる。この導電性パタンにより、隣接チャネルや送信機などから発せられる外部からの電磁波の大部分は、直接フォトダイオードからの信号線IN, INCや信号端子に入力することなく、周囲のPD電源パタンVPDや電源端子で遮蔽される。
　これにより、光受信機内の隣接チャネルや光送受信機内部の光送信機から発生する電磁波を光受信機が受け取る量を大幅に減らし、光受信機の感度を上げることが可能になる。
　（第１実施形態の別の例）
　図１０は、本発明の第１実施形態による光受信機の、PD-TIA接続部の1チャネル分にあたる回路図の別の例である。この例は、PD電源線VPDの代わりにグランド線（グランドパタン）でPDチップ5からの信号線IN, INCを囲い、これをTIAチップ６のグランドパタンに接続した場合の回路図である。
　図１０に示すように、PDチップ５に搭載されたデュアルフォトダイオード構成の２つのPD（PD1,PD2）は、そのカソードが対向して接続され、該カソード接続点はPDチップ５から引き出されてTIAチップ６のPD電源線VPDに接続されている。
　また、デュアルフォトダイオード構成の２つのPD（PD1,PD2）の２つのアノードからは、信号線INおよびINCが引き出されて、TIAチップ６に入力されている。
　また、前述のカソード接続点からは導電性パタンが、コンデンサC50を介してPDチップ５の外周側に向かって２つのPDを囲むように分岐して、信号線INおよびINCの端子を挟む位置の端子から２本のグランド線として引き出されて、TIAチップ６のグランド線に接続されている。
　また、PD電源線VPDは、TIAチップ６のコンデンサC60およびPDチップ５のコンデンサC50によって高周波的に接地され安定化している。
　これらのグランド線もPD電源線と同様に、回路の実装形態としては通常、導電性の金属薄膜パタンとして基板上に構成されるので、グランドパタン、導電性パタンということができる。この導電性パタンにより、隣接チャネルや送信機などから発せられる外部からの電磁波の大部分は、直接フォトダイオードからの信号線IN, INCなどの信号端子に入力することなく、周囲のグランドパタンで遮蔽される。
　（本発明の第２実施形態）
　図１１は、本発明の第２実施形態による光受信機のPD-TIA接続部の１チャネル分の回路図である。
　この第２実施形態では、回路構成としては、フォトダイオードからの２つの信号線IN,INCの端子間にPD電源線の端子を設けることをやめて、フォトダイオードおよび２つの信号線IN,INCを囲む外側にPD電源線VPDを配置したものである。
　図１１の第２実施形態では、PDチップ５に搭載されたデュアルフォトダイオード構成の２つのPD（PD1,PD2）は、そのアノードが対向して配置され、両アノードから信号線INおよびINCが引き出されて、TIAチップ６に入力されている。
　導電性パタンが、２つのPDのカソードをPDチップ５の外周側で接続するとともに、それぞれ外周側で分岐して、信号線INおよびINCの端子を挟む位置の端子から引き出されて、TIAチップ６のPD電源線VPDに接続されている。
　また、このPD電源線VPDは、TIAチップ６のコンデンサC60によって高周波的には接地され安定化している。
　この構成によっても、隣接チャネルや送信機などから発せられる外部からの電磁波の大部分は、直接フォトダイオードからの信号線IN, INCなどの信号端子に入力することなく、周囲のPD電源線VPDで遮蔽される。
　（第２実施形態の別の例）
　図１２には、本発明の第２実施形態の回路図の別の例を示す。この例では、各チャネル毎にデュアルフォトダイオードを構成する２つのPDの電源（VPD1,VPD2）を独立にとり、フォトダイオード（PD1,PD2）および２つの信号線IN,INCを囲む外側に、２系統のPD電源線VPD1,VPD2を配置する。この構成によって、それぞれのフォトダイオードを流れる光電流を独立にモニタすることが可能である。
　この場合、デュアルフォトダイオードとなる２つのPD（PD1,PD2）のカソード間を直流的に分離し高周波的に接続するコンデンサC53を設けている。
　図１２に示すように、PDチップ５に搭載されたデュアルフォトダイオード構成の２つのPD（PD1,PD2）は、そのアノードが対向して配置され、両アノードより信号線INおよびINCが引き出されて、TIAチップ６に入力されている。
　導電性パタンが、２つのPDのカソードをPDチップ５の外周側でコンデンサC53を介して交流的に接続している。また２つのPDのカソードからは該導電性パタンが、それぞれ外周側で分岐されて、信号線INおよびINCの端子を挟む位置の両側の端子から引き出されて、TIAチップ６のPD電源線VPD1、VPD2にそれぞれ接続されている。
　また、このPD電源線VPD1、VPD2はそれぞれ、TIAチップ６の２つのコンデンサC61,C62によって高周波的に接地され安定化している。PDチップ５のコンデンサC53は、左右のPD電源線VPD1、VPD2のバランスが崩れた時に安定化させる効果もある。
　この構成によっても、隣接チャネルや送信機などから発せられる外部からの電磁波の大部分は、直接フォトダイオードからの信号線IN, INCなどの信号端子に入力することなく、周囲のPD電源線VPD1、VPD2で遮蔽される。
　以上４チャネル構成の例を前提に説明したが、４以外の複数チャネル構成でも本発明は適用可能であるのはもちろんである。さらに、１チャネルの構成であっても光送受信機内部の送信機から発生する電磁波に対する遮蔽効果を有するのは明らかである。結局、本発明は１ないし複数のチャネル分のデュアルフォトダイオードを搭載したPDチップと、同数チャネル分のトランスインピーダンスアンプを搭載したTIAチップの接続部（PD-TIA接続部）を有する光受信機にも適用可能である。
　また、これらの実施形態では、ディジタルコヒーレント光通信方式での光受信機の例を示したが、この方式だけでなくデュアルフォトダイオードおよびトランスインピーダンスアンプを用いた光受信機であれば本発明は適用可能である。また、送信機が一体になった送受信機では、隣接チャネルに加えて送信機からのクロストークの影響が追加されるため本発明の効果がより大きくなる。
　以上記載したように、本発明によれば、光送信機を光受信機と同じ筐体に内蔵する光送受信機などにおいて内部に高い雑音が発生するような場合であっても、光受信機がこれらの雑音の影響を極力受けないように信号線を遮蔽した光送受信機を構成することが可能となる。
　１　ディジタルコヒーレント光送受信機
　２　光受信機
　３　光送信機
　４　二重偏波光ハイブリッド
　５　デュアルフォトダイオード(PD、PDチップ)
　６　トランスインピーダンスアンプ(TIA、TIAチップ)
　７　ドライバ
　８　光変調器
　PD1,PD2　フォトダイオード
　C50～C53、C60～C62　コンデンサ
　VPD、VPD1、VPD2　PD電源線（PD電源パタン）
　IN、INC　信号線

Claims (6)

  1. 　各チャネル毎にそれぞれデュアルフォトダイオードを構成する２つのフォトダイオード（PD）を搭載するPDチップと、各チャネルに対応するトランスインピーダンスアンプ（TIA）を搭載するTIAチップを有する光受信機であって、
    　前記PDチップと前記TIAチップを接続する信号線が、各チャネル毎にそれぞれ信号線と接続されていない導電性パタンで囲まれていて、これら導電性パタンは、前記TIAチップのグランドパタン、もしくはPD用の電源パタンに接続されている
    ことを特徴とする光受信機。
  2. 　前記導電性パタンは各チャネル毎にそれぞれ２つの前記PDに対応して独立な２つの導電性パタンであって、独立に前記TIAチップに接続され、前記TIAチップ内でそれぞれグランドパタンに容量結合されている、
    ことを特徴とする請求項１記載の光受信機。
  3. 　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのカソードが対向して接続され、該カソード接続点は前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
    　２つの前記PDの２つのアノードからは、２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
    　前記カソード接続点からは前記導電性パタンが、前記PDチップの外周側に向かって２つの前記PDを囲むように分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から２本のPD電源パタンとして引き出されて、前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
    　前記TIAチップの前記PD電源パタンは前記TIAチップのコンデンサによって高周波的に接地されている、
    ことを特徴とする請求項１記載の光受信機。
  4. 　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのカソードが対向して接続され、該カソード接続点は前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
    　２つの前記PDの２つのアノードからは、２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
    　前記カソード接続点からは前記導電性パタンが、コンデンサを介して前記PDチップの外周側に向かって２つの前記PDを囲むように分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から２本のグランドパタンとして引き出されて、前記TIAチップのグランドパタンに接続されており、
    　前記TIAチップのPD電源パタンは前記TIAチップのコンデンサによって高周波的に接地されている、
    ことを特徴とする請求項１記載の光受信機。
  5. 　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのアノードが対向して配置され、両アノードから２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
    　前記導電性パタンは、２つの前記PDのカソードを前記PDチップの外周側で接続するとともに、それぞれ外周側で分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から引き出されて前記TIAチップのPD電源パタンに接続されており、
    　前記TIAチップの前記PD電源パタンは前記TIAチップのコンデンサによって高周波的に接地されている、
    ことを特徴とする請求項１記載の光受信機。
  6. 　前記デュアルフォトダイオードを構成する２つの前記PDは、そのアノードが対向して配置され、両アノードから２本の信号線が引き出されて、前記TIAチップに入力されており、
    　前記導電性パタンは、２つの前記PDのカソードを前記PDチップの外周側でコンデンサを介して交流的に接続するとともに、それぞれ外周側で分岐して、２本の前記信号線を挟む位置から引き出されて前記TIAチップの２つのPD電源パタンにそれぞれ接続されており、
    　前記TIAチップの２つの前記PD電源パタンは前記TIAチップの２つのコンデンサによってそれぞれ高周波的に接地されている、
    ことを特徴とする請求項２記載の光受信機。
PCT/JP2017/022503 2016-06-20 2017-06-19 光受信機 WO2017221880A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA3028361A CA3028361C (en) 2016-06-20 2017-06-19 Optical receiver
JP2018524076A JP6560825B2 (ja) 2016-06-20 2017-06-19 光受信機
CN201780038039.4A CN109314582B (zh) 2016-06-20 2017-06-19 光接收器
US16/309,410 US10601522B2 (en) 2016-06-20 2017-06-19 Optical receiver
EP17815348.2A EP3474467B1 (en) 2016-06-20 2017-06-19 Optical receiver

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016121992 2016-06-20
JP2016-121992 2016-06-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017221880A1 true WO2017221880A1 (ja) 2017-12-28

Family

ID=60784519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/022503 WO2017221880A1 (ja) 2016-06-20 2017-06-19 光受信機

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10601522B2 (ja)
EP (1) EP3474467B1 (ja)
JP (1) JP6560825B2 (ja)
CN (1) CN109314582B (ja)
CA (1) CA3028361C (ja)
WO (1) WO2017221880A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109428649B (zh) * 2017-09-01 2021-07-16 华为技术有限公司 光信号传输系统及光信号传输方法
CN114389713A (zh) 2019-06-21 2022-04-22 华为技术有限公司 光接收组件、光收发组件、光模块以及光网络设备
CN112187371A (zh) * 2020-09-29 2021-01-05 中国科学院半导体研究所 光电平衡探测器及其接收模块和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056704A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 富士通株式会社 光受信モジュール
JP2016025513A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 日本電信電話株式会社 コヒーレント光受信機

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068951B2 (en) * 2002-04-11 2006-06-27 Optical Communication Products, Inc. Optical signal receiver with RPM, data and data bar output
CN101651449B (zh) * 2009-09-03 2011-06-15 上海博为光电科技有限公司 一种用于光通信接收机的光输入前置放大器
US8346100B2 (en) * 2009-10-12 2013-01-01 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd Apparatus and method for monitoring received optical power in an optical receiver over a wide range of received power with high accuracy
JP5625918B2 (ja) * 2011-01-04 2014-11-19 富士通株式会社 光受信装置および光送信装置
JP6107146B2 (ja) * 2013-01-10 2017-04-05 富士通株式会社 光受信回路
CN203259693U (zh) * 2013-05-07 2013-10-30 苏州旭创科技有限公司 用于宽带高速传输的并行光收发组件
JP6247169B2 (ja) * 2014-07-04 2017-12-13 日本電信電話株式会社 光受信回路および光受信器
CN107851962B (zh) * 2015-07-28 2020-05-01 日本电信电话株式会社 光模块
JP2017034184A (ja) * 2015-08-05 2017-02-09 富士通株式会社 光受信モジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056704A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 富士通株式会社 光受信モジュール
JP2016025513A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 日本電信電話株式会社 コヒーレント光受信機

Also Published As

Publication number Publication date
CA3028361C (en) 2021-01-12
JP6560825B2 (ja) 2019-08-14
CN109314582B (zh) 2021-09-10
EP3474467A1 (en) 2019-04-24
CN109314582A (zh) 2019-02-05
JPWO2017221880A1 (ja) 2018-11-22
US20190181961A1 (en) 2019-06-13
EP3474467A4 (en) 2020-02-19
CA3028361A1 (en) 2017-12-28
US10601522B2 (en) 2020-03-24
EP3474467B1 (en) 2020-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cao et al. Advanced integration techniques on broadband millimeter-wave beam steering for 5G wireless networks and beyond
US9793992B2 (en) Signal transmission device, receiving circuit, and electronic apparatus
EP2330683B1 (en) In-millimeter-wave dielectric transmission device and method for manufacturing same, and wireless transmission device and wireless transmission method
TW586277B (en) Remotely locatable RF power amplification system
JP5316305B2 (ja) 無線伝送システム、無線伝送方法
US8891975B2 (en) Optical receiver and optical transmitter
US9564972B2 (en) Cable for radio frequency communication
JP6191348B2 (ja) 光受信モジュール
JP6560825B2 (ja) 光受信機
US8811830B2 (en) Multi-channel optical waveguide receiver
US11342318B2 (en) Optical communication apparatus
JP2001015775A (ja) スミアリングを減らすオプトロニック送受信機
US20230005897A1 (en) Optical Receiving Circuit
JP4109553B2 (ja) アンテナモジュール
WO2022224308A1 (ja) 受光素子および光受信回路
CN108512603B (zh) 一种多路相干光通信装置的发射端及多路相干光通信装置
JP2008085183A (ja) 光通信モジュール
CN108512606B (zh) 一种多路相干光通信装置的接收端及多路相干光通信装置
JP2023030400A (ja) 光送受信モジュール
Flammia et al. Quasi-hermetic photodiode module featuring a WR12 output for 71–76 GHz Radio-over-Fibre applications
Lysiuk et al. Radio over Fibre link for short range wireless communication

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2018524076

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17815348

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 3028361

Country of ref document: CA

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017815348

Country of ref document: EP

Effective date: 20190121