WO2017187769A1 - 基材の処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

基材の処理方法および半導体装置の製造方法 Download PDF

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base material
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大喜多　健三
太一 松本
和人 渡部
森　隆
光 水野
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing method and a semiconductor device manufacturing method.
  • a method has been proposed in which a base material such as a semiconductor wafer is bonded to a support such as a glass substrate via a temporary fixing material, and processing such as back grinding and photofabrication is performed on the base material.
  • the temporary fixing material needs to be able to temporarily fix the base material on the support during the processing, and to easily separate the base material from the support after the processing.
  • the separation treatment by irradiating the temporary fixing material in the laminate having a support, a temporary fixing material and a base material with light such as ultraviolet rays and infrared rays, the adhesive force of the temporary fixing material is reduced, Subsequently, a method for separating the substrate from the support has been proposed.
  • Patent Document 1 discloses a laminate in which a transparent support and a semiconductor wafer are temporarily fixed by a temporary fixing material including a release layer and a bonding layer, and a laser is scanned from the side of the transparent support.
  • a method has been proposed in which the adhesive force of the release layer is reduced by irradiating the release layer, and then the substrate is released from the support.
  • the base material and the support In the temporary fixing method in which a base material is placed on a support via a temporary fixing material, the base material and the support must be accurately aligned and bonded together. In this case, it is conceivable to obtain position information of both using measurement light and align both. However, depending on the relationship between the material of the temporarily fixing material and the support and the wavelength of the measurement light, the detected object transmits the measurement light, so the light amount of the measurement light at the light receiving portion hardly changes, Position detection may be difficult.
  • An object of the present invention is to satisfactorily align a base material on a support in a method of processing and moving the base material in a state where the base material is temporarily fixed on a support via a temporary fixing material. It is to provide a method that can.
  • the present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, it has been found that the above problems can be solved by a method for treating a substrate having the following constitution, and the present invention has been completed. That is, the present invention relates to, for example, the following [1] to [16].
  • the bonding is performed; And / or a step of moving the laminate (2); a step of irradiating light to the light absorption layer (3); and a step of separating the substrate from the support (4).
  • the alignment of the structures (I) and (II) is performed based on the position information of the structure (II) obtained by irradiating the measurement light and detecting the reflected light from the metal-containing layer.
  • the substrate processing method according to [1].
  • [3] The method for treating a substrate according to [1] or [2], wherein the reflectance of the metal-containing layer at a wavelength of 633 nm is 90% or more.
  • [4] The method for treating a substrate according to any one of [1] to [3], wherein the metal-containing layer has a thickness of 20 to 500 ⁇ m.
  • [5] The method for treating a base material according to any one of [1] to [4], wherein the support is a glass substrate.
  • the base material in a method of processing and moving a base material in a state where the base material is temporarily fixed on a support via a temporarily fixing material, the base material is well aligned on the support. be able to.
  • FIG. 1 is an example of a cross-sectional view of a laminate formed in the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing alignment in the present invention.
  • the temporary fixing material refers to a material used for temporarily fixing a base material on a support so that the base material is not displaced and moved when the base material is processed and / or moved. is there.
  • the substrate treatment method of the present invention comprises a step (1) of forming a laminate comprising a substrate and a support; a step of processing the substrate and / or moving the laminate (2). Irradiating the light absorbing layer with light (3); and separating the substrate from the support (4).
  • a laminate is formed.
  • the laminate is obtained by bonding a structure (I) having a base material and an adhesive layer to a support, a light absorbing layer on the support and a structure (II) having a metal-containing layer on the light absorbing layer. It forms by bonding so that a layer and a metal content layer may oppose.
  • the laminate has a substrate, an adhesive layer, a metal-containing layer, a light absorption layer, and a support in the above order in the lamination direction.
  • Structure (I) has a base material and an adhesive layer.
  • Base material examples of the base material that is the object to be processed and / or moved include a semiconductor wafer, a semiconductor chip, a glass substrate, a resin substrate, a metal substrate, a metal foil, a polishing pad, and a resin coating film.
  • the semiconductor wafer and the semiconductor chip may be formed with at least one selected from bumps, wirings, insulating films, and various elements. Various elements may be formed or mounted on the substrate.
  • the resin coating examples include a layer containing an organic component as a main component; specifically, a photosensitive resin layer formed from a photosensitive material, an insulating resin layer formed from an insulating material, A photosensitive insulating resin layer formed from a photosensitive insulating resin material can be used.
  • the substrate may have a step.
  • the adhesive layer is formed on a substrate.
  • the adhesive layer is made of, for example, a thermoplastic resin or a resin composition containing the same.
  • the thermoplastic resin include cycloolefin resins, terpene resins, petroleum resins, novolac resins, and hydrogenated conjugated diene polymers.
  • the said resin may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the adhesive layer may also be formed from a thermosetting resin or a resin composition containing the same.
  • the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, an unsaturated polyester resin, a diallyl phthalate resin, a polybenzoxazole resin, a liptadiene liquid resin, a urethane liquid resin, and a silicone liquid resin.
  • the said resin may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • a radical polymerizable compound may be used.
  • the radical polymerizable compound include polyfunctional (meth) acrylate, polyfunctional urethane (meth) acrylate, and (meth) acryloyl group-containing isocyanurate. The said compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the adhesive layer may contain one type or two or more types selected from an antioxidant, a polymerization inhibitor, an adhesion aid, and polystyrene cross-linked particles as necessary.
  • the adhesive layer holds the substrate on the support and also functions as a layer that protects the substrate from heat generated by light irradiation to the light absorption layer during the separation process of the support and the substrate. Can do.
  • the thickness of the adhesive layer is usually 0.1 to 500 ⁇ m, preferably 1 to 250 ⁇ m, more preferably 1 to 150 ⁇ m from the viewpoint of temporarily fixing the substrate on the support.
  • a film of a resin such as a thermoplastic resin and a thermosetting resin or a resin composition containing the same is formed on a substrate by, for example, a coating or printing method such as a spin coating method or an inkjet method. If necessary, it can be formed by heating with a heating device such as a hot plate or oven to evaporate the solvent and / or cure the thermosetting resin.
  • the heating temperature is usually 150 to 350 ° C.
  • the heating time is usually 30 to 120 minutes.
  • the adhesive layer formed on the release film may be transferred onto the substrate.
  • the structure (II) has a support, a light absorption layer, and a metal-containing layer.
  • a support it is preferable to detect the position of the structure (II) by irradiating measurement light from the support side in the step (1), or to absorb light by irradiating light from the support side in the step (3).
  • a substrate transparent to measurement light used for position detection and light used for light irradiation is preferable, and examples thereof include a glass substrate, a quartz substrate, and a transparent resin substrate. . Among these, a glass substrate is preferable.
  • the light absorption layer contains, for example, a light absorber, and preferably further contains a thermally decomposable resin.
  • a light absorbent that can also function as a heat decomposable resin, it is not necessary to use another heat decomposable resin in addition to the light absorbent.
  • the light absorbing layer (for example, a light absorbing agent that is a component of the light absorbing layer) absorbs light, and decomposition / degeneration of constituent components occurs in the layer. , The strength and adhesive strength of the layer are reduced.
  • the substrate By applying an external force to the laminate, cohesive failure occurs in the layer, or interfacial failure occurs between the layer and a layer in contact with the layer. For this reason, by applying an external force to the laminated body after the light irradiation treatment, the substrate can be easily separated from the support without particularly requiring a heat treatment.
  • the light absorber examples include benzotriazole-based light absorbers, hydroxyphenyltriazine-based light absorbers, benzophenone-based light absorbers, salicylic acid-based light absorbers, radiation-sensitive radical polymerization initiators, and light-sensitive acid generators.
  • Organic light absorbers such as phenol novolak and novolak resins such as naphthol novolak; I. Pigment black 7, C.I. I. Pigment black 31, C.I. I. Pigment black 32, and C.I. I. Black pigments such as CI Pigment Black 35 (for example, carbon black); I. Pigment blue 15: 3, C.I. I. Pigment blue 15: 4, C.I. I. Pigment blue 15: 6, C.I. I.
  • the said novolak resin can function also as a thermally decomposable resin mentioned later.
  • content mentioned later shall be calculated noting that it corresponds to a light absorber and a thermally decomposable resin.
  • a light absorber may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
  • the content of the light absorber in the light absorption layer is usually 1 to 99% by mass, preferably 30 to 90% by mass, more preferably 60 to 80% by mass. When the content of the light absorber is within the above range, it is preferable from the viewpoint of separability of the substrate from the support.
  • the light absorbing layer preferably further contains a thermally decomposable resin. It is considered that the separability of the base material from the support is further improved by decomposing or changing the heat-decomposable resin by heat generated by light irradiation.
  • the thermally decomposable resin refers to a resin having a 5% weight loss temperature of 300 ° C. or less.
  • the 5% weight loss temperature of the thermally decomposable resin is preferably 150 to 250 ° C.
  • the 5% weight loss temperature of the resin can be measured by thermogravimetric analysis (TGA) in a nitrogen atmosphere at a temperature rising rate of 10 ° C./min.
  • thermally decomposable resin examples include cycloolefin resins, acrylic resins, terpene resins, petroleum resins, novolac resins, and elastomers such as conjugated diene polymer rubbers.
  • a thermal decomposable resin may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the layer containing at least one selected from cycloolefin resins, terpene resins, petroleum resins and elastomers has high resistance to chemicals used in photofabrication, such as highly polar organic solvents or aqueous chemicals. Have. For this reason, when processing and / or moving the base material, it is possible to prevent a trouble that the light absorption layer is deteriorated by the chemical solution and the base material is displaced from the support.
  • the content of the thermally decomposable resin in the light absorbing layer is usually 1 to 95% by mass, preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 25% by mass.
  • the temperature when temporarily fixing the substrate on the support is lowered, or the substrate is displaced from the support when the substrate is processed and moved. It is preferable in that it does not move.
  • the light absorbing layer may contain one or more selected from an antioxidant, a polymerization inhibitor, an adhesion aid, a surfactant, and polystyrene cross-linked particles as necessary.
  • the thickness of the light absorbing layer is usually 0.01 to 100 ⁇ m, preferably 0.05 to 50 ⁇ m, more preferably 0.1 to 1 ⁇ m, from the viewpoint of temporarily fixing the substrate on the support.
  • the light absorption layer has a light transmittance of a wavelength used as measurement light of usually 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 90% or more.
  • a film of a resin composition containing each component is formed on a support by a coating method or a printing method such as a spin coat method or an ink jet method.
  • the film can be formed by heating with a heating device such as a hot plate or an oven to evaporate the solvent.
  • the heating temperature is usually 100 to 350 ° C.
  • the heating time is usually 1 to 120 minutes.
  • the light absorption layer formed on the release film may be transferred onto the support.
  • the metal-containing layer is a layer that reflects the measurement light in the case of reflection type detection and is a layer that blocks the measurement light or decreases the intensity of the measurement light in the case of transmission type detection. .
  • the light receiving part detects the reflected light of the measurement light or its intensity change
  • the light receiving part detects the blockage of the measurement light or the intensity reduction of the measurement light.
  • the position information of the body (II) can be obtained.
  • the metal-containing layer is preferably a layer that reflects measurement light (light reflection layer) in that it can be applied to a substrate having low measurement light transmittance, that is, the configuration of the present invention is reflective. Preferably it is type detection.
  • the reflectance of the metal-containing layer at a wavelength of 633 nm is usually 90% or more, preferably 95% or more, more preferably 99% or more. Within such a range, the substrate can be accurately aligned on the support.
  • the metal-containing layer is formed on the surface of the light absorbing layer opposite to the surface on the support side. This is because the light-absorbing layer is irradiated with light in the step (3), so that the metal-containing layer does not block the irradiation light in the step (3).
  • the metal-containing layer preferably has a reflectance of 20% or more, more preferably 30% or more, and still more preferably 50% or more with respect to the light applied to the light absorption layer in the step (3). It is.
  • the reflectance can be calculated from the refractive index and extinction coefficient at a specific wavelength.
  • the metal-containing layer may be a pattern film formed on the outer edge of the light absorption layer as shown in FIG. May be an alignment target patterned at the position, but the light absorption efficiency and the light absorption layer in the light absorption layer in view of preventing the light from reaching the substrate in the step (3)
  • the metal-containing layer is preferably formed on the entire surface of the light absorption layer as shown in FIG.
  • the thickness of the metal-containing layer is usually 20 to 500 ⁇ m, preferably 30 to 300 ⁇ m, more preferably 40 to 100 ⁇ m.
  • the substrate can be accurately aligned on the support, and the substrate can be prevented from being damaged by the light irradiated in step (3).
  • the light-absorbing layer can be efficiently decomposed and altered by the light irradiated.
  • the metal in the metal-containing layer examples include copper, iron, gold, silver, aluminum, chromium, and titanium, and may be an alloy containing the metal.
  • the alignment of the base material on the support can be accurately performed, damage to the base material due to the light irradiated in the step (3) can be prevented, and the irradiation is performed in the step (3).
  • Copper is preferable because the efficiency with which the light absorption layer is decomposed and altered by light can be improved.
  • the metal-containing layer can accurately align the base material on the support, can prevent the base material from being damaged by the light irradiated in the step (3), and is irradiated in the step (3). From the point that the efficiency of decomposition and alteration of the light absorption layer can be improved by the light emitted, it is preferably a metal layer or a metal compound layer, more preferably a copper layer or a copper-containing compound layer.
  • the metal-containing layer can be formed by, for example, a method using an ink containing a metal salt, a metal vapor deposition method, a sputtering method, a plating method, or the like, and a method using the ink is preferable. By using the ink, a thin metal-containing layer can be formed.
  • the metal salt is preferably a copper salt or a silver salt.
  • the copper salt include copper salts composed of copper ions and at least one selected from inorganic anion species and organic anion species. Among these, from the viewpoint of solubility, at least one selected from a copper carboxylate, a copper hydroxide, and a complex salt of copper and an acetylacetone derivative is preferable.
  • silver salts include silver nitrate, silver acetate, silver oxide, silver acetylacetone, silver benzoate, silver bromate, silver bromide, silver carbonate, silver chloride, silver citrate, silver fluoride, silver iodate, and iodide.
  • the ink may further contain a reducing agent capable of reducing metal ions contained in the metal salt.
  • the metal layer may be formed by reducing metal ions contained in the metal salt with a reducing agent to form a single metal.
  • the reducing agent examples include a monomolecular compound having at least one functional group selected from a thiol group, a nitrile group, an amino group, a hydroxy group, and a hydroxycarbonyl group, and at least selected from a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.
  • a polymer having one kind of heteroatom in the molecular structure is exemplified.
  • Examples of the monomolecular compound include alkanethiols, amines, hydrazines, monoalcohols, diols, hydroxylamines, ⁇ -hydroxyketones and carboxylic acids.
  • Examples of the polymer include polyvinyl pyrrolidone, polyethyleneimine, polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyacrylamide, polyacrylic acid, carboxymethylcellulose, polyvinyl alcohol, and polyethylene oxide.
  • the ink may further contain fine metal particles.
  • the metal fine particles include gold fine particles, silver fine particles, copper fine particles, platinum fine particles, palladium fine particles, and silver-coated copper fine particles.
  • the ink may further contain an organic solvent.
  • the solvent include organic solvents that can dissolve or disperse each component in the ink and do not participate in the reduction reaction of the metal salt. Specific examples include ethers, esters, aliphatic hydrocarbons, and aromatic hydrocarbons. Each of the above components may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the metal salt is preferably 0.01 to 50% by mass and more preferably 0.1 to 30% by mass in the total amount of the ink.
  • the content of the reducing agent is preferably 1 to 99% by mass, more preferably 10 to 90% by mass, based on the total amount of ink.
  • the content of the metal fine particles is exemplified by 0 to 60% by mass in the total amount of the ink. When metal fine particles are used, 1 to 40% by mass is preferable, and 1 to 20% by mass is more preferable.
  • the content of the solvent is exemplified by 0 to 95% by mass in the total amount of the ink, and when the solvent is used, it is preferably 1 to 70% by mass, and more preferably 10 to 50% by mass.
  • the metal-containing layer can be formed, for example, by forming the ink film on the light absorption layer and heating it with a heating device such as a hot plate or an oven as necessary.
  • a heating device such as a hot plate or an oven as necessary.
  • the heating temperature is usually 50 to 300 ° C.
  • the heating time is usually 5 to 100 minutes.
  • Examples of the film forming method include coating and printing, and specifically, printing by inkjet printing, coating by a dispenser, injector, curtain coater, and bar coater.
  • the heating for forming the metal-containing layer is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere.
  • the non-oxidizing atmosphere include a nitrogen atmosphere, a helium atmosphere, and an argon atmosphere.
  • a continuous firing furnace such as a nitrogen flow reflow furnace.
  • the structure (I) and the structure (II) are bonded so that the adhesive layer of the structure (I) and the metal-containing layer of the structure (II) face each other.
  • the bonding is performed after the structures (I) and (II) are aligned based on the position information of the structure (II) obtained by irradiating the measurement light.
  • the position information includes not only the position information of the structure (II) in the x-axis direction and the y-axis direction but also the position information of the structure (II) in the z-axis direction.
  • the position information of the structure (II) in the z-axis direction is used by the transfer arm to identify the structure (II).
  • the z axis is, for example, the stacking direction of each layer in the stack
  • the xy plane is a plane perpendicular to the z axis
  • the x axis and the y axis are perpendicular to each other to form the xy plane.
  • Measured light is preferably light having a wavelength of 600 to 900 nm from the viewpoint of suppressing deterioration of the material laminated on the structure (II), and the measured light particularly preferably includes light having a wavelength of 633 nm or 830 nm.
  • the measurement light source for example, a visible semiconductor laser or a light emitting diode is preferably used.
  • Alignment is performed as follows, for example.
  • the position information of the structure (II) is obtained by irradiating measurement light and detecting the reflected light from the metal-containing layer.
  • the structure (I) having the base material 10 and the adhesive layer 20 is fixed, and in the space between the optical sensor 100 having the light emitting part and the light receiving part and the structure (I),
  • the structure (II) having the metal-containing layer 30, the light absorption layer 40 and the support 50 is moved, and the irradiation light (measurement light) from the optical sensor 100 is reflected by the metal-containing layer 30 in the structure (II).
  • the optical sensor 100 receives the reflected light along the optical axis of the irradiation light.
  • the installation position of the optical sensor is not particularly limited. For example, a position where the measurement light can be irradiated perpendicularly to the substrate surface toward the outer edge of the substrate is exemplified, and the number of optical sensors is not particularly limited. Thereby, the presence / absence of the structure (II) in the space or the positional deviation between the structure (I) and the structure (II) is detected. From the obtained positional information, the structures (I) and (II) are aligned, and bonded to obtain the laminate 1.
  • Examples of the light source of the light emitting unit include a visible semiconductor laser and a light emitting diode, and examples of the light receiving unit include a photosensor such as a photodiode and a phototransistor; and an image sensor such as a CCD image sensor and a CMOS image sensor. .
  • the measurement light is preferably irradiated perpendicularly to the metal-containing layer surface in the structure (II).
  • means for moving the structure (II) include a transfer arm such as a robot arm.
  • the pressure bonding conditions of the structures (I) and (II) after alignment are, for example, preferably 15 to 400 ° C., more preferably 150 to 400 ° C. for 1 to 20 minutes, and a pressure of 0.01 to 100 MPa for each layer. What is necessary is just to add by adding in the lamination direction. After the pressure bonding, heat treatment may be further performed at 150 to 300 ° C. for 10 minutes to 3 hours. In this way, the base material is firmly held on the support via the temporary fixing material.
  • the base material to be processed or moved is temporarily fixed on the support via a temporary fixing material having an adhesive layer, a metal-containing layer, and a light absorption layer.
  • the temporary fixing material is sandwiched between a base material and a support.
  • the temporary fixing material having two or more layers can protect the circuit surface of the base material, the adhesion between the base material and the support, the separation of the base material from the support, and the light during processing. Functions such as heat resistance during irradiation treatment can be provided in a well-balanced manner.
  • the temporary fixing material may have any other layer in addition to the adhesive layer, the metal-containing layer, and the light absorption layer.
  • another layer may be provided between the light absorption layer and the support, or between the adhesive layer and the substrate.
  • a three-layer temporary fixing material including an adhesive layer, a metal-containing layer, and a light absorption layer is preferable.
  • the total thickness of the temporary fixing material is arbitrarily selected according to the size of the temporary fixing surface of the base material, the heat resistance required for processing and light irradiation processing, and the degree of adhesion between the base material and the support. can do.
  • the total thickness of the temporary fixing material is usually 20 to 1000 ⁇ m, preferably 30 to 500 ⁇ m, more preferably 40 to 300 ⁇ m.
  • the laminate of the present invention does not need to have each layer such as a light absorption layer, a metal-containing layer, and an adhesive layer on the entire surface of the support and the base material, and may have each layer in a partial region. It is not necessary to have all the layers on the entire surface.
  • Each of the layers may be provided only in the peripheral portion of the support and the base material, for example, when the support has an orientation flat or a notch.
  • the laminate of the present invention may not have a metal-containing layer in the other region, for example, the base material in the other region, It may be a laminate comprising an adhesive layer, a light absorbing layer and a support.
  • Step (2) is a step of processing the substrate temporarily fixed on the support and / or moving the obtained laminate.
  • the moving process is a process of moving a substrate such as a semiconductor wafer together with a support from one apparatus to another apparatus. Examples of the processing of the substrate temporarily fixed on the support include thinning of the substrate such as dicing and back grinding, photofabrication, stacking of semiconductor chips, and mounting of various elements.
  • the photofabrication includes, for example, one or more processes selected from resist pattern formation, etching processing, sputtered film formation, plating process, and plating reflow process.
  • the etching process and the formation of the sputtered film are performed, for example, in a temperature range of about 25 to 300 ° C.
  • the plating process and the plating reflow process are performed, for example, in a temperature range of about 225 to 300 ° C.
  • the processing of the substrate is not particularly limited as long as it is performed at a temperature at which the holding force of the temporarily fixed material is not lost.
  • the light absorption layer is irradiated with light, for example, from the support side.
  • the light absorption layer absorbs light, for example, a light absorbent that is a component contained in the light absorption layer absorbs light, and the strength or adhesive force of the light absorption layer decreases. Therefore, if it is after the light irradiation with respect to a light absorption layer, a base material can be easily isolate
  • UV light is preferably used for light irradiation, for example, light having a wavelength of 10 to 400 nm is employed, and light having a wavelength of 300 to 400 nm is particularly preferable.
  • the light source of irradiation light include a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, and a laser.
  • laser is preferable. It is preferable to irradiate the entire surface of the light absorption layer while scanning with a laser from the support side, and it is more preferable to irradiate the laser with focus on the light absorption layer.
  • the laser scanning method is not particularly limited.
  • a method of irradiating the entire surface by linearly irradiating the laser in the X-axis direction and sequentially moving the irradiation unit in the Y-axis direction a method of irradiating the entire surface by irradiating the laser angularly and moving the irradiation part sequentially from the central part to the outer periphery or from the peripheral part to the inner part.
  • the laser examples include a solid laser (eg, all solid laser using a photoexcited semiconductor laser, YAG laser), a liquid laser (eg, dye laser), and a gas laser (eg, excimer laser).
  • a solid laser eg, all solid laser using a photoexcited semiconductor laser, YAG laser
  • a liquid laser eg, dye laser
  • a gas laser eg, excimer laser
  • an all-solid-state laser wavelength: 355 nm
  • YAG laser wavelength: 355 nm
  • excimer laser using a photoexcited semiconductor laser are preferable.
  • Examples of the excimer laser include F 2 excimer laser (wavelength: 157 nm), ArF excimer laser (193 nm), KrF excimer laser (248 nm), XeCl excimer laser (308 nm), and XeF excimer laser (351 nm). It is done.
  • the light irradiation conditions vary depending on the type of light source and the like, but in the case of an all solid-state laser using a photoexcited semiconductor laser and a YAG laser, it is usually 1 mW to 100 W.
  • Step (4) by applying a force to the base material and / or the support body, the base material is peeled off from the support body, and the both are separated. Note that the separation in the step (4) is preferably performed after the light irradiation in the step (3), but the separation in the step (4) may be performed while performing the light irradiation in the step (3).
  • “Substrate surface” refers to a surface perpendicular to the stacking direction of the substrate and the support.
  • the substrate is slid horizontally with respect to the surface of the support, and at the same time, the support is fixed, or a force that antagonizes the force applied to the substrate is applied to the support. And a method of separating the substrate from the support.
  • a force in a direction substantially perpendicular to the substrate surface is usually in the range of 0 ° to 60 °, preferably 0 ° with respect to the z-axis, which is the axis perpendicular to the substrate surface. Applying a force in the range of ⁇ 45 °, more preferably in the range of 0 ° to 30 °, even more preferably in the range of 0 ° to 5 °, particularly preferably 0 °, ie perpendicular to the substrate surface. Means.
  • Separation methods include, for example, a method in which the periphery of the substrate or the support is lifted and peeled in order from the periphery of the substrate or the support toward the center while applying a force in a direction substantially perpendicular to the substrate surface (hook pull). Method).
  • the above separation can be usually carried out at 5 to 100 ° C., preferably 10 to 45 ° C., more preferably 15 to 30 ° C.
  • the temperature here means the temperature of the support.
  • a reinforcing tape for example, a commercially available dicing tape, may be attached to the surface of the base material opposite to the temporary fixing surface with the support.
  • the temporary fixing material has the adhesive layer and the light absorption layer, the base material is protected by the adhesive layer, and separation of the base material and the support mainly occurs in the light absorption layer.
  • the bumps can be prevented from being damaged during the separation process.
  • Step (5) When the temporary fixing material remains on the base material after separation from the support, particularly when the above-mentioned adhesive layer remains, the temporary fixing material is removed from the base material by a method such as peeling and solvent washing. can do.
  • peeling treatment for example, a method of peeling the adhesive layer from the substrate in a direction substantially perpendicular to the substrate surface, specifically, while applying a force in a direction substantially perpendicular to the substrate surface, A method (hook-pull method) in which the adhesive layer is peeled in order from the periphery to the center of the substrate can be mentioned.
  • the meaning of the substantially vertical direction is as described in the step (4).
  • Examples of the cleaning treatment using a solvent include a method of immersing the substrate in the solvent, a method of spraying the solvent on the substrate, and a method of applying ultrasonic waves while immersing the substrate in the solvent.
  • the temperature of the solvent is not particularly limited, but is preferably 10 to 80 ° C, more preferably 20 to 50 ° C.
  • Examples of the solvent include hydrocarbon solvents, alcohol / ether solvents, ester / lactone solvents, ketone solvents, and amide / lactam solvents.
  • the peeling treatment is preferable because it can prevent the damage of the bumps.
  • the substrate can be separated from the support.
  • the method of the present invention can be used as various processing required in the scene of modern economic activities, for example, miniaturization processing of various material surfaces, various surface mounting, transportation of semiconductor wafers and semiconductor chips, etc. it can.
  • the semiconductor device of the present invention can be manufactured by processing the base material by the base material processing method of the present invention.
  • a semiconductor device e.g., a semiconductor element
  • a semiconductor device having various performances can be manufactured. it can.

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Abstract

［課題］仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、支持体上への基材の位置合わせを良好に行うことができる方法を提供する。 ［解決手段］基材および接着層を有する構造体（Ｉ）と、支持体、前記支持体上の光吸収層および前記光吸収層上の金属含有層を有する構造体（II）とを、接着層と金属含有層とが対向するように貼り合わせて、基材、接着層、金属含有層、光吸収層および支持体を積層方向に前記順序で有する積層体を形成する工程（１）、ここで、計測光を照射して得られた構造体（II）の位置情報に基づき、構造体（Ｉ）および（II）の位置合わせを行った後に、前記貼り合わせを行い；基材を加工し、および／または積層体を移動する工程（２）；光吸収層に光を照射する工程（３）；ならびに支持体から基材を分離する工程（４）；を有する、基材の処理方法。

Description

基材の処理方法および半導体装置の製造方法
　本発明は、基材の処理方法および半導体装置の製造方法に関する。
　半導体ウエハ等の基材をガラス基板等の支持体上に仮固定材を介して接合した状態で、基材に対して、裏面研削およびフォトファブリケーション等の加工処理を行う方法が提案されている。この仮固定材には、加工処理中において支持体上に基材を仮固定することができ、加工処理後には支持体から基材を容易に分離できることが必要である。
　上記分離処理において、紫外線および赤外線等の光を、支持体と仮固定材と基材とを有する積層体中の前記仮固定材に照射することによって、仮固定材の接着力を低減させて、続いて支持体から基材を分離する方法が提案されている。
　例えば特許文献１では、透明な支持体と半導体ウエハとが、剥離層および接合層を含む仮固定材により仮固定された積層体が開示されており、透明な支持体の側からレーザーをスキャンしながら剥離層に照射することで、剥離層の接着力を低減させて、続いて支持体から基材を剥離する方法が提案されている。
米国公開特許第２０１４／０１０６４７３号公報
　支持体上に仮固定材を介して基材を載置する仮固定法では、基材と支持体とを正確に位置合わせして貼り合わせる必要がある。この場合、計測光を用いて両者の位置情報を得て、両者を位置合わせする方法が考えられる。しかしながら、仮固定材および支持体の材質と、計測光の波長との関係によっては、被検出体が計測光を透過してしまうために、受光部での計測光の光量がほとんど変化せず、位置検出が困難である場合がある。
　本発明の課題は、仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、支持体上への基材の位置合わせを良好に行うことができる方法を提供することにある。
　本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する基材の処理方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち本発明は、例えば以下の［１］～［１６］に関する。
　［１］基材および接着層を有する構造体（Ｉ）と、支持体、前記支持体上の光吸収層および前記光吸収層上の金属含有層を有する構造体（II）とを、接着層と金属含有層とが対向するように貼り合わせて、基材、接着層、金属含有層、光吸収層および支持体を積層方向に前記順序で有する積層体を形成する工程（１）、ここで、計測光を照射して得られた構造体（II）の位置情報に基づき、構造体（Ｉ）および（II）の位置合わせを行った後に、前記貼り合わせを行い；基材を加工し、および／または積層体を移動する工程（２）；光吸収層に光を照射する工程（３）；ならびに支持体から基材を分離する工程（４）；を有する、基材の処理方法。
　［２］計測光を照射し、金属含有層からの反射光を検出することで得られた構造体（II）の位置情報に基づき、構造体（Ｉ）および（II）の位置合わせを行う前記［１］に記載の基材の処理方法。
　［３］金属含有層の波長６３３ｎｍにおける反射率が９０％以上である前記［１］または［２］に記載の基材の処理方法。
　［４］金属含有層の厚さが２０～５００μｍである前記［１］～［３］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［５］支持体がガラス基板である前記［１］～［４］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［６］光吸収層が光吸収剤および熱分解性樹脂を含有する前記［１］～［５］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［７］光吸収層が光吸収剤を含有する前記［１］～［５］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［８］光吸収剤がノボラック樹脂である前記［７］に記載の基材の処理方法。
　［９］光吸収層の厚さが０．０１～１００μｍである前記［１］～［８］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［１０］工程（１）における計測光の波長が６００～９００ｎｍである前記［１］～［９］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［１１］工程（３）における光吸収層に照射される光の波長が３００～４００ｎｍである前記［１］～［１０］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［１２］金属含有層が金属層または金属化合物層である前記［１］～［１１］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
　［１３］金属含有層が銅層または銅含有化合物層である前記［１２］に記載の基材の処理方法。
　［１４］金属含有層が金属塩を含有するインクにより形成される層である前記［１］～［１３］のいずれかに記載の基材の処理方法。
　［１５］前記金属塩を含有するインクが、さらに、還元剤を含有するインクである前記［１４］に記載の基材の処理方法。
　［１６］前記［１］～［１５］のいずれかに記載の基材の処理方法により基材を加工して半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
　本発明によれば、仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、支持体上への基材の位置合わせを良好に行うことができる。
図１は、本発明で形成される積層体の断面図の例である。 図２は、本発明における位置合わせを示す模式図である。
　以下、本発明の基材の処理方法および半導体装置の製造方法について説明する。
　本発明において仮固定材とは、基材を加工および／または移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないように支持体上に基材を仮固定するために用いられる材料のことである。
　１．基材の処理方法
　本発明の基材の処理方法は、基材および支持体を含む積層体を形成する工程（１）；基材を加工し、および／または積層体を移動する工程（２）；光吸収層に光を照射する工程（３）；ならびに支持体から基材を分離する工程（４）を有する。
　〔工程（１）〕
　工程（１）では、積層体を形成する。積層体は、基材および接着層を有する構造体（Ｉ）と、支持体、前記支持体上の光吸収層および前記光吸収層上の金属含有層を有する構造体（II）とを、接着層と金属含有層とが対向するように貼り合わせることで形成する。積層体は、基材、接着層、金属含有層、光吸収層および支持体を積層方向に前記順序で有する。
　［構造体（Ｉ）］
　構造体（Ｉ）は、基材および接着層を有する。
　《基材》
　加工及び／又は移動対象物である基材としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜が挙げられる。半導体ウエハおよび半導体チップには、バンプ、配線、絶縁膜および各種の素子から選ばれる少なくとも１種が形成されていてもよい。前記基板には、各種の素子が形成または搭載されていてもよい。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層が挙げられる。基材は、段差を有してもよい。
　《接着層》
　接着層は、例えば、基材上に形成されている。
　接着層は、例えば、熱可塑性樹脂又はそれを含む樹脂組成物より形成されている。熱可塑性樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂、ノボラック樹脂、水添共役ジエン重合体が挙げられる。前記樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　接着層は、また、熱硬化性樹脂又はそれを含む樹脂組成物より形成されていてもよい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ホリプタジエン系液状樹脂、ウレタン系液状樹脂、シリコーン系液状樹脂が挙げられる。前記樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記樹脂の硬化性を向上させるために、ラジカル重合性化合物を用いてもよい。ラジカル重合性化合物としては、例えば、多官能（メタ）アクリレート、多官能ウレタン（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイル基含有イソシアヌレートが挙げられる。前記化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　接着層は、必要に応じて、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、およびポリスチレン架橋粒子から選ばれる１種または２種以上を含有してもよい。
　接着層は、支持体上に基材を保持させるとともに、支持体と基材との分離処理の際に、光吸収層に対する光照射で発生する熱から基材を保護する層としても機能することができる。
　接着層の厚さは、支持体上に基材を仮固定する観点から、通常、０．１～５００μｍ、好ましくは１～２５０μｍ、より好ましくは１～１５０μｍである。
　構造体（Ｉ）は、例えば、スピンコート法、インクジェット法等の塗布又は印刷方法により、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂等の樹脂又はそれを含む樹脂組成物の膜を基材上に形成し、必要に応じて、ホットプレート、オーブン等の加熱機器で加熱して、溶剤を蒸発させる、および／または熱硬化性樹脂を硬化させることで、形成することができる。加熱条件は、加熱温度が通常、１５０～３５０℃であり、加熱時間が通常、３０～１２０分である。あるいは、離型フィルム上に成膜した接着層を、基材上に転写してもよい。
　［構造体（II）］
　構造体（II）は、支持体、光吸収層および金属含有層を有する。
　《支持体》
　支持体としては、工程（１）で支持体側から計測光を照射して構造体（II）の位置検出を行うことが好ましい点や、工程（３）で支持体側から光照射をして光吸収層を分解・変質させることが好ましい点から、位置検出に用いられる計測光や光照射で用いられる光に対して透明な基板が好ましく、例えば、ガラス基板、石英基板および透明樹脂製基板が挙げられる。これらの中でも、ガラス基板が好ましい。
　《光吸収層》
　光吸収層は、例えば、光吸収剤を含有し、好ましくは熱分解性樹脂を更に含有する。熱分解性樹脂としても機能しうる光吸収剤を用いる場合、当該光吸収剤の他に、別の熱分解性樹脂を用いなくともよい。
　工程（３）において、光吸収層に対して光を照射すると、光吸収層（例えばその含有成分である光吸収剤）が光を吸収し、前記層において構成成分の分解・変質等が発生し、前記層の強度および接着力が低下する。積層体に外力を加えることにより、前記層内で凝集破壊が起こり、または前記層と前記層に接する層との間で界面破壊が起こる。このため、光照射処理後の積層体に外力を加えることにより、加熱処理を特に必要とすることなく、支持体から基材を容易に分離することができる。
　光吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系光吸収剤、ヒドロキシフェニルトリアジン系光吸収剤、ベンゾフェノン系光吸収剤、サリチル酸系光吸収剤、感放射線性ラジカル重合開始剤、および光感応性酸発生剤等の有機系光吸収剤；フェノールノボラック、およびナフトールノボラック等のノボラック樹脂；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック７、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック３１、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック３２、およびＣ．Ｉ．ピグメントブラック３５等の黒色顔料（例えばカーボンブラック）；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：４、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン５８、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２４２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２４５、およびＣ．Ｉ．ピグメントレッド２５４等の非黒色顔料；Ｃ．Ｉ．バットブルー４、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー４０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトグリーン２８、Ｃ．Ｉ．ダイレクトグリーン５９、Ｃ．Ｉ．アシッドイエロー１１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２、Ｃ．Ｉ．リアクティブイエロー２、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド３７、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド１８０、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー２９、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド２８、およびＣ．Ｉ．ダイレクトレッド８３等の染料が挙げられる。なお、上記ノボラック樹脂は、後述する熱分解性樹脂としても機能しうる。このような樹脂については、光吸収剤にも熱分解性樹脂にも該当するものとして、後述する含有量を計算するものとする。光吸収剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　光吸収層中の光吸収剤の含有量は、通常、１～９９質量％、好ましくは３０～９０質量％、より好ましくは６０～８０質量％である。光吸収剤の含有量が前記範囲にあると、支持体からの基材の分離性の観点から好ましい。
　光吸収層は、熱分解性樹脂を更に含有することが好ましい。熱分解性樹脂が光照射で発生した熱により分解または変質することで、支持体からの基材の分離性がより向上すると考えられる。熱分解性樹脂とは、５％重量減少温度が３００℃以下の樹脂をいう。熱分解性樹脂の５％重量減少温度は、好ましくは１５０～２５０℃である。前記樹脂の５％重量減少温度は、熱重量分析法（ＴＧＡ）により、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分にて測定することができる。
　熱分解性樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂、ノボラック樹脂、および共役ジエン重合体ゴム等のエラストマーが挙げられる。熱分解性樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂およびエラストマーから選ばれる少なくとも１種を含有する層は、フォトファブリケーションで用いられる薬液、例えば極性の高い有機溶剤または水系の薬液、に対して高い耐性を有する。このため、基材を加工および／または移動するに際して、薬液により光吸収層が劣化して、支持体から基材がずれて動くトラブルを防ぐことができる。
　光吸収層中の熱分解性樹脂の含有量は、通常、１～９５質量％、好ましくは３～５０質量％、より好ましくは５～２５質量％である。熱分解性樹脂の含有量が前記範囲にあると、支持体上に基材を仮固定する際の温度を低温化する点や、基材を加工および移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないようにする点で好ましい。
　光吸収層は、必要に応じて、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、界面活性剤、およびポリスチレン架橋粒子から選ばれる１種または２種以上を含有してもよい。
　光吸収層の厚さは、支持体上に基材を仮固定する観点から、通常、０．０１～１００μｍ、好ましくは０．０５～５０μｍ、より好ましくは０．１～１μｍである。
　光吸収層は、構造体（II）の位置検出の観点から、計測光として用いる波長の光の透過率が、通常、５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上である。
　光吸収層は、例えば、スピンコート法、インクジェット法等の塗布又は印刷方法により、各成分（例えば光吸収剤および熱分解性樹脂）を含む樹脂組成物の膜を支持体上に形成し、必要に応じて、ホットプレート、オーブン等の加熱機器で加熱して、溶剤を蒸発させることで、形成することができる。加熱条件は、加熱温度が通常、１００～３５０℃であり、加熱時間が通常、１～１２０分である。あるいは、離型フィルム上に成膜した光吸収層を、支持体上に転写してもよい。
　《金属含有層》
　金属含有層は、構造体（II）について、反射型検出の場合は計測光を反射させる層であり、透過型検出の場合は計測光を遮断し、または計測光の強度を減少させる層である。反射型検出の場合は受光部が計測光の反射光又はその強度変化を検知することにより、透過型検出の場合は受光部が計測光の遮断又は計測光の強度減少を検知することにより、構造体（II）の位置情報を得ることができる。本発明では、計測光の透過率が低い基材にも適用可能である点で、金属含有層が計測光を反射させる層（光反射層）であることが好ましく、すなわち本発明の構成は反射型検出であることが好ましい。
　金属含有層の波長６３３ｎｍにおける反射率は、通常、９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上である。このような範囲であると、支持体上への基材の位置合わせを精度よく行うことができる。
　金属含有層は、光吸収層における支持体側の面とは反対側の面上に形成されている。これは、工程（３）で光吸収層に光を照射するため、金属含有層が工程（３）の照射光を遮断しないためである。
　また、金属含有層は、工程（３）で照射される光に対する反射率が高い場合、工程（３）で前記光が基材に到達することを防ぎ、したがって基材が損傷することを防ぐことができ；さらに、金属含有層からの前記光の反射光によって、光吸収層中の前記光の吸収効率および光吸収層が分解・変質する効率を向上させることができ、したがって支持体からの基材の分離を良好に行うことができる。このような観点から、金属含有層は、工程（３）で光吸収層に照射される光に対する反射率が２０％以上であることが好ましく、より好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上である。
　上記反射率は、特定波長における屈折率および消衰係数から算出することができる。
　金属含有層は、位置検出・位置合わせの観点からは、図１（Ｂ）に示すような、光吸収層の外縁部上に形成されたパターン膜や、図示せぬ、光吸収層上の任意の位置にパターン形成されたアライメントターゲットであってもよいが、工程（３）で前記光が基材に到達することを防ぐという観点および光吸収層中の前記光の吸収効率および光吸収層が分解・変質する効率を向上させるという観点からは、金属含有層は、図１（Ａ）に示すように、光吸収層上の全面に形成されていることが好ましい。
　金属含有層の厚さは、通常、２０～５００μｍ、好ましくは３０～３００μｍ、より好ましくは４０～１００μｍである。厚さが前記範囲にあると、支持体上への基材の位置合わせを精度よく行うことができ、工程（３）で照射される光による基材の損傷を防ぐことができ、工程（３）で照射される光により光吸収層が分解・変質する効率を向上させることができる点で好ましい。
　金属含有層における金属としては、例えば、銅、鉄、金、銀、アルミニウム、クロム、チタンが挙げられ、前記金属を含む合金であってもよい。これらの中でも、支持体上への基材の位置合わせを精度よく行うことができ、工程（３）で照射される光による基材の損傷を防ぐことができ、工程（３）で照射される光により光吸収層が分解・変質する効率を向上させることができることから、銅が好ましい。
　金属含有層は、支持体上への基材の位置合わせを精度よく行うことができ、工程（３）で照射される光による基材の損傷を防ぐことができ、工程（３）で照射される光により光吸収層が分解・変質する効率を向上させることができる点から、好ましくは金属層または金属化合物層であり、より好ましくは銅層または銅含有化合物層である。
　金属含有層は、例えば、金属塩を含有するインクを用いる方法、金属蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などにより形成することができるが、前記インクを用いる方法が好ましい。前記インクを用いることで、薄膜の金属含有層を形成することができる。
　金属塩としては、銅塩、銀塩が好ましい。
　銅塩としては、例えば、銅イオンと、無機アニオン種および有機アニオン種から選ばれる少なくとも１種とからなる銅塩が挙げられる。これらの中でも、溶解度の観点から、銅カルボン酸塩、銅の水酸化物、および銅とアセチルアセトン誘導体との錯塩から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
　銀塩としては、例えば、硝酸銀、酢酸銀、酸化銀、アセチルアセトン銀、安息香酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クエン酸銀、フッ化銀、ヨウ素酸銀、ヨウ化銀、乳酸銀、亜硝酸銀、過塩素酸銀、リン酸銀、硫酸銀、硫化銀、トリフルオロ酢酸銀が挙げられる。
　インクは、金属塩に含まれる金属イオンを還元することができる還元剤を更に含有してもよい。例えば、金属塩に含まれる金属イオンを還元剤により還元し、金属単体とすることで、金属層を形成してもよい。
　還元剤としては、例えば、チオール基、ニトリル基、アミノ基、ヒドロキシ基およびヒドロキシカルボニル基から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する単分子化合物や、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を分子構造内に有するポリマーが挙げられる。
　単分子化合物としては、例えば、アルカンチオール類、アミン類、ヒドラジン類、モノアルコール類、ジオール類、ヒドロキシルアミン類、α－ヒドロキシケトン類およびカルボン酸類が挙げられる。ポリマーとしては、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコールおよびポリエチレンオキシドが挙げられる。
　インクは、金属微粒子を更に含有してもよい。金属微粒子としては、例えば、金微粒子、銀微粒子、銅微粒子、白金微粒子、パラジウム微粒子および銀コート銅微粒子が挙げられる。
　インクは、有機溶剤を更に含有してもよい。溶剤としては、インク中の各成分を溶解または分散することができるものであり、金属塩の還元反応に関与しない有機溶剤が挙げられる。具体的には、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類および芳香族炭化水素類が挙げられる。
　以上の各成分は、それぞれ１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　金属塩の含有量は、インク全量中、０．０１～５０質量％が好ましく、０．１～３０質量％がより好ましい。還元剤の含有量は、インク全量中、１～９９質量％が好ましく、１０～９０質量％がより好ましい。金属微粒子の含有量は、インク全量中、０～６０質量％が例示され、金属微粒子を用いる場合は１～４０質量％が好ましく、１～２０質量％がより好ましい。溶剤の含有量は、インク全量中、０～９５質量％が例示され、溶剤を用いる場合は１～７０質量％が好ましく、１０～５０質量％がより好ましい。
　金属含有層は、例えば、上記インクの膜を光吸収層上に形成し、必要に応じて、ホットプレート、オーブン等の加熱機器で加熱することで、形成することができる。加熱条件は、加熱温度が通常、５０～３００℃であり、加熱時間が通常、５～１００分である。
　膜形成方法としては、例えば塗布および印刷が挙げられ、具体的にはインクジェット印刷による印刷、ディスペンサ、インジェクタ、カーテンコーター、バーコーターによる塗布が挙げられる。
　インクが金属塩とともに還元剤を含有する場合、金属含有層を形成するための加熱は、非酸化性雰囲気下で行うことが好ましい。非酸化性雰囲気としては、例えば、窒素雰囲気、ヘリウム雰囲気、アルゴン雰囲気が挙げられる。また、処理能力向上のため、窒素フローリフロー炉等の連続焼成炉を使用し、加熱処理をすることも可能である。前記加熱により、金属塩が還元反応により金属微粒子として光吸収層に付着し、この金属微粒子を核として金属塩の還元反応が進行し、金属層を形成してもよい。
　［積層体の形成］
　工程（１）では、構造体（Ｉ）と構造体（II）とを、構造体（Ｉ）の接着層と構造体（II）の金属含有層とが対向するように貼り合わせる。本発明では、計測光を照射して得られた構造体（II）の位置情報に基づき、構造体（Ｉ）および（II）の位置合わせを行った後に、前記貼り合わせを行う。
　前記位置情報とは、ｘ軸方向およびｙ軸方向に関する構造体（II）の位置情報だけでなく、ｚ軸方向に関する構造体（II）の位置情報を含む。ｚ軸方向に関する構造体（II）の位置情報は、例えば、構造体（II）を搬送アームで移動させる際、搬送アームが構造体（II）を特定するために用いられる。なお、ｚ軸は、例えば、積層体における各層の積層方向であり、ｘｙ平面はｚ軸に垂直な平面であり、ｘ軸およびｙ軸は互いに垂直でｘｙ平面を形成する。
　計測光としては、構造体（II）に積層される材料の変質を抑制する観点から、波長６００～９００ｎｍの光が好ましく、計測光は、波長６３３ｎｍまたは８３０ｎｍの光を含むことが特に好ましい。計測光の光源としては、例えば、可視半導体レーザー、発光ダイオードが好ましく用いられる。
　位置合わせは、例えば、以下のようにして行う。計測光を照射し、金属含有層からの反射光を検出することで構造体（II）の位置情報を得る。例えば、図２に示すように、基材１０および接着層２０を有する構造体（Ｉ）を固定し、発光部および受光部を有する光センサ１００と構造体（Ｉ）との間の空間で、金属含有層３０、光吸収層４０および支持体５０を有する構造体（II）を移動させ、光センサ１００からの照射光（計測光）が構造体（II）中の金属含有層３０により反射され、照射光の光軸に沿った反射光を光センサ１００が受光する。光センサの設置位置は特に限定されず、例えば、基材の外縁部に向けて基材面に対して垂直に計測光を照射可能な位置が挙げられ、また光センサの個数も特に限定されない。これにより、前記空間での構造体（II）の有無、または構造体（Ｉ）と構造体（II）との位置ずれを検出する。得られた位置情報から構造体（Ｉ）および（II）の位置合わせを行い、これらを貼り合わせ、積層体１を得る。
　発光部の光源としては、例えば、可視半導体レーザー、発光ダイオードが挙げられ、受光部としては、例えば、フォトダイオードやフォトトランジスタ等のフォトセンサ；ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等のイメージセンサが挙げられる。
　計測光は、構造体（II）中の金属含有層面に対して垂直に照射することが好ましい。
　構造体（II）を移動する手段としては、例えば、ロボットアーム等の搬送アームが挙げられる。
　位置合わせ後の構造体（Ｉ）および（II）の圧着条件は、例えば、好ましくは１５～４００℃、より好ましくは１５０～４００℃で１～２０分間、０．０１～１００ＭＰａの圧力を各層の積層方向に付加することにより行えばよい。圧着後、さらに１５０～３００℃で１０分～３時間加熱処理してもよい。このようにして、基材が支持体上に仮固定材を介して強固に保持される。
　工程（１）で形成される積層体において、加工または移動対象である基材が、接着層、金属含有層および光吸収層を有する仮固定材を介して、支持体上に仮固定されている。前記仮固定材は、一実施態様において、基材および支持体により挟持されている。このように２層以上の層を有する仮固定材は、基材が有する回路面の保護、基材と支持体との接着性、支持体からの基材の分離性、および加工処理時・光照射処理時における耐熱性等の機能をバランス良く有することができる。
　上記積層体において、仮固定材は、接着層、金属含有層および光吸収層の他に、任意の他の層を有していてもよい。例えば、光吸収層と支持体との間や、接着層と基材との間に他の層を設けてもよい。特に、接着層、金属含有層および光吸収層からなる３層の仮固定材が好ましい。
　仮固定材の全厚さは、基材の仮固定面のサイズ、加工処理および光照射処理で要求される耐熱性、ならびに基材と支持体との密着性の程度に応じて、任意に選択することができる。上記仮固定材の全厚さは、通常、２０～１０００μｍ、好ましくは３０～５００μｍ、より好ましくは４０～３００μｍである。
　本発明の積層体は、支持体および基材の全面上に光吸収層、金属含有層および接着層等の各層を有する必要はなく、一部の領域に前記各層を有すればよく、また、前記全面上に前記各層を全て有する必要はない。支持体および基材の一部の領域、例えば、支持体にオリエンテーションフラットやノッチがある場合はその周辺部にのみ、前記各層を有してもよい。支持体および基材の一部の領域上に前記各層を形成する場合、本発明の積層体は、その他の領域では金属含有層を有さなくともよく、例えば、その他の領域においては基材、接着層、光吸収層および支持体からなる積層体であってもよい。
　〔工程（２）〕
　工程（２）は、支持体上に仮固定された基材を加工し、および／または得られた積層体を移動する工程である。移動工程は、半導体ウエハ等の基材を、ある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。支持体上に仮固定された基材の加工処理としては、例えば、ダイシング、裏面研削等の基材の薄膜化、フォトファブリケーション、半導体チップの積層、各種素子の搭載が挙げられる。フォトファブリケーションは、例えば、レジストパターンの形成、エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理から選ばれる１つ以上の処理を含む。エッチング加工およびスパッタ膜の形成は、例えば、２５～３００℃程度の温度範囲で行われ、メッキ処理およびメッキリフロー処理は、例えば、２２５～３００℃程度の温度範囲で行われる。基材の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。
　〔工程（３）〕
　基材の加工処理または積層体の移動後は、光吸収層に、例えば支持体側から、光を照射する。光照射により、光吸収層が光を吸収し、例えば光吸収層の含有成分である光吸収剤が光を吸収し、光吸収層の強度または接着力が低下する。したがって、光吸収層に対する光照射の後であれば、仮固定材の加熱処理を特に必要とすることなく、支持体から基材を容易に分離することができる。
　光照射には紫外線を用いることが好ましく、例えば波長１０～４００ｎｍの光が採用され、波長３００～４００ｎｍの光が特に好ましい。照射光の光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、レーザーが挙げられる。
　これらの中でも、レーザーが好ましい。支持体側から、レーザーを走査させながら光吸収層の全面に照射することが好ましく、レーザーを光吸収層に焦点を絞って照射することがより好ましい。レーザーの走査方法としては特に限定されず、例えば、光吸収層のＸＹ平面において、Ｘ軸方向にレーザーを線状に照射し、Ｙ軸方向に照射部を順次移動させて全面を照射する方法や、レーザーを角周状に照射し、中心部から周縁部へ外側に又は周縁部から中心部へ内側に照射部を順次移動させて全面を照射する方法が挙げられる。
　レーザーとしては、例えば、固体レーザー（例：光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー、ＹＡＧレーザー）、液体レーザー（例：色素レーザー）、ガスレーザー（例：エキシマレーザー）が挙げられる。これらの中でも、光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー（波長：３５５ｎｍ）、ＹＡＧレーザー（波長：３５５ｎｍ）およびエキシマレーザーが好ましい。
　エキシマレーザーとしては、例えば、Ｆ2エキシマレーザー（波長：１５７ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（同１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（同２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザー（同３０８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマレーザー（同３５１ｎｍ）が挙げられる。
　光照射の条件は光源等の種類によって異なるが、光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー、およびＹＡＧレーザーの場合、通常、１ｍＷ～１００Ｗである。
　〔工程（４）〕
　工程（４）では、基材および／または支持体に力を付加することで、前記支持体から前記基材を剥離するなどして、両者を分離する。なお、工程（３）の光照射を終えた後に、工程（４）の分離を行うことが好ましいが、工程（３）の光照射を行いながら、工程（４）の分離を行ってもよい。
　例えば、基材面に対して平行方向に基材または支持体に力を付加して両者を分離する方法；基材または支持体の一方を固定し、他方を基材面に対して平行方向から一定の角度を付けて持ち上げることで両者を分離する方法が挙げられる。「基材面」とは、基材および支持体の積層方向に対して垂直な方の面を指す。
　前者の方法では、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、または前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から分離する方法が挙げられる。
　後者の方法では、基材面に対して略垂直方向に力を付加して、支持体から基材を分離することが好ましい。「基材面に対して略垂直方向に力を付加する」とは、基材面に対して垂直な軸であるｚ軸に対して、通常、０°～６０°の範囲、好ましくは０°～４５°の範囲、より好ましくは０°～３０°の範囲、さらに好ましくは０°～５°の範囲、特に好ましくは０°、すなわち基材面に対して垂直の方向に力を付加することを意味する。
　分離方式としては、例えば、基材または支持体の周縁を持ち上げ、基材面に対して略垂直方向に力を加えながら、基材または支持体の周縁から中心に向けて順に剥離する方法（フックプル方式）で行うことができる。
　上記分離は、通常、５～１００℃、好ましくは１０～４５℃、さらに好ましくは１５～３０℃で行うことができる。ここでの温度は、支持体の温度を意味する。また、分離をする際、基材の破損を防ぐため、基材における支持体との仮止め面と反対側の面に補強テープ、例えば市販のダイシングテープを貼付してもよい。
　本発明では、上述したように、仮固定材が接着層および光吸収層を有し、基材が接着層により保護され、主に光吸収層において基材と支持体との分離が起こる。基材がバンプを有する場合、分離工程時にバンプの破損を防止することができる。
　〔工程（５）〕
　支持体から分離後の基材上に仮固定材が残存している場合、特に上述の接着層が残存している場合は、剥離および溶剤洗浄などの手法により、仮固定材を基材から除去することができる。
　剥離処理としては、例えば、基材から接着層を基材面に対して略垂直方向に剥離する方法が挙げられ、具体的には、基材面に対して略垂直方向に力を加えながら、基材の周縁から中心に向けて順に接着層を剥離する方法（フックプル方式）が挙げられる。略垂直方向の意味は、工程（４）の欄で説明したとおりである。
　溶剤を用いた洗浄処理としては、例えば、基材を溶剤に浸漬する方法、基材に溶剤をスプレーする方法、基材を溶剤に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。溶剤の温度は特に限定されないが、好ましくは１０～８０℃、より好ましくは２０～５０℃である。溶剤としては、炭化水素溶剤、アルコール／エーテル溶剤、エステル／ラクトン溶剤、ケトン溶剤、アミド／ラクタム溶剤が挙げられる。
　これらの中でも、剥離処理がバンプの破損を防止することができることから好ましい。
　以上のようにして、支持体から基材を分離することができる。
　本発明の方法は、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理、例えば各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハおよび半導体チップの運搬などの方法として、用いることができる。
　２．半導体装置の製造方法
　本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法により基材を加工することにより、製造することができる。本発明では、基材を加工して得られた半導体装置（例：半導体素子）を、基材を支持体から良好に分離することができ、したがって各種性能が良好な半導体装置を製造することができる。
１、１ａ、１ｂ…積層体
Ｉ　…構造体（Ｉ）
II　…構造体（II）
１０…基材
２０…接着層
３０…金属含有層
４０…光吸収層
５０…支持体
１００…光センサ

Claims (16)

  1. 　基材および接着層を有する構造体（Ｉ）と、支持体、前記支持体上の光吸収層および前記光吸収層上の金属含有層を有する構造体（II）とを、接着層と金属含有層とが対向するように貼り合わせて、基材、接着層、金属含有層、光吸収層および支持体を積層方向に前記順序で有する積層体を形成する工程（１）、ここで、計測光を照射して得られた構造体（II）の位置情報に基づき、構造体（Ｉ）および（II）の位置合わせを行った後に、前記貼り合わせを行い；
    　基材を加工し、および／または積層体を移動する工程（２）；
    　光吸収層に光を照射する工程（３）；ならびに
    　支持体から基材を分離する工程（４）；
    を有する、基材の処理方法。
  2. 　計測光を照射し、金属含有層からの反射光を検出することで得られた構造体（II）の位置情報に基づき、構造体（Ｉ）および（II）の位置合わせを行う請求項１に記載の基材の処理方法。
  3. 　金属含有層の波長６３３ｎｍにおける反射率が９０％以上である請求項１または２に記載の基材の処理方法。
  4. 　金属含有層の厚さが２０～５００μｍである請求項１～３のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  5. 　支持体がガラス基板である請求項１～４のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  6. 　光吸収層が光吸収剤および熱分解性樹脂を含有する請求項１～５のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  7. 　光吸収層が光吸収剤を含有する請求項１～５のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  8. 　光吸収剤がノボラック樹脂である請求項７に記載の基材の処理方法。
  9. 　光吸収層の厚さが０．０１～１００μｍである請求項１～８のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  10. 　工程（１）における計測光の波長が６００～９００ｎｍである請求項１～９のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  11. 　工程（３）における光吸収層に照射される光の波長が３００～４００ｎｍである請求項１～１０のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  12. 　金属含有層が金属層または金属化合物層である請求項１～１１のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
  13. 　金属含有層が銅層または銅含有化合物層である請求項１２に記載の基材の処理方法。
  14. 　金属含有層が金属塩を含有するインクにより形成される層である請求項１～１３のいずれかに記載の基材の処理方法。
  15. 　前記金属塩を含有するインクが、さらに、還元剤を含有するインクである請求項１４に記載の基材の処理方法。
  16. 　請求項１～１５のいずれかに記載の基材の処理方法により基材を加工して半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125929A (ja) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp 剥離方法
JP2014112618A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体の形成方法
WO2015029577A1 (ja) * 2013-08-28 2015-03-05 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法及び積層体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125929A (ja) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp 剥離方法
JP2014112618A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体の形成方法
WO2015029577A1 (ja) * 2013-08-28 2015-03-05 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法及び積層体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115668446A (zh) * 2020-05-26 2023-01-31 昭和电工材料株式会社 临时固定用层叠膜及其制造方法、临时固定用层叠体以及半导体装置的制造方法

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