WO2017178234A1 - Method for producing an organic light-emitting component, and organic light-emitting component - Google Patents

Method for producing an organic light-emitting component, and organic light-emitting component Download PDF

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WO2017178234A1
WO2017178234A1 PCT/EP2017/057419 EP2017057419W WO2017178234A1 WO 2017178234 A1 WO2017178234 A1 WO 2017178234A1 EP 2017057419 W EP2017057419 W EP 2017057419W WO 2017178234 A1 WO2017178234 A1 WO 2017178234A1
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WO
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layer
produced
deposition
substrate
electrode
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Application number
PCT/EP2017/057419
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German (de)
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Inventor
Sebastian Wittmann
Arne FLEISSNER
Erwin Lang
Original Assignee
Osram Oled Gmbh
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an organic light-emitting component. Furthermore, the invention relates to an organic light-emitting component.
  • a substrate of organic light emitting devices for example, flexible substrates of organic light emitting devices
  • Light-emitting diodes usually have to be planarized, since the surface quality is usually not sufficient to be able to process an organic functional layer stack thereon. Furthermore, such substrates must be compared
  • An object to be solved is to provide a method for
  • the organic light-emitting component easy to produce. It is another object of the invention to provide an organic light emitting device which is easy to manufacture.
  • the method of fabricating an organic light emitting device comprises the steps of: A) providing a substrate;
  • Layer stack which is set up to emit radiation and is arranged at least over the first electrode
  • Planarleiterstik is arranged in particular between the first electrode and the substrate.
  • the planarization layer is arranged over the second electrode.
  • polysilazane can also be used here and in the following as an alternative.
  • step E) a layer structure with at least one layer pair can be produced and each layer pair of the planarization layer and one by means
  • the layer produced by atomic layer deposition or chemical vapor deposition may have both a surface facing away from the substrate and
  • the means are configured to:
  • Planarleiters slaughter arranged downstream, the side surfaces as well as a substrate facing away from the surface by means of Atomlagenabscheideclar or chemical
  • the organic light-emitting component is formed as an organic light-emitting diode (OLED).
  • OLED organic light-emitting diode
  • this has a step A), providing a substrate.
  • the substrate may, for example, one or more
  • the substrate may comprise or consist of glass, for example in the form of a glass layer, glass foil or glass plate.
  • the substrate comprises a metal or a plastic film.
  • the substrate is flexibly shaped.
  • the substrate is flexible if this is a metal foil or polymer film.
  • metal foils are for example copper foils,
  • Aluminum foil with, for example, magnesium to improve mechanical properties
  • copper copper, nickel and alloys thereof.
  • polymer films are, for example, polyethylene naphthalate (PEN),
  • PEEK Polyetheretherketone
  • PET polyethylene terephthalate
  • PI polyimide
  • this has a step B), applying a first
  • the organic light-emitting component has a first and a second one
  • Electrodes are transparent. With transparent here and below a layer is called, the
  • transparent layer to be clear translucent or at least partially light-scattering and / or partially light-absorbing, so that the transparent layer, for example, also diffuse or milky translucent.
  • transparent layer particularly preferred is a layer referred to as transparent as translucent as possible, so that in particular the
  • Absorption of light generated in the operation of the organic light emitting device in the organic functional layer stack is as low as possible.
  • both electrodes can be transparent
  • the radiation generated in the at least one organic functional layer stack can be radiated in both directions, ie through both electrodes.
  • the radiation can be emitted both through the substrate, which is then likewise transparent, and in the direction away from the substrate. Furthermore, in this case, all layers of the
  • one of the two electrodes, between which the organic functional layer stack is arranged, is not transparent and preferably
  • the electrode disposed on the substrate is formed reflecting, so that the radiation generated in the organic functional layer stack can be emitted only in one direction through the transparent electrode. Is the electrode disposed on the substrate
  • the substrate is also transparent, so it is also called a so-called bottom emitter, while in the case that the electrode arranged facing away from the electrode is transparent, speaks of a so-called top emitter.
  • a transparent electrode for example, a transparent, conductive oxide (TCO)
  • Transparent Conductive Oxide such as ITO
  • TCO Transparent, electrically conductive oxides
  • metal oxides such as zinc oxide, tin oxide
  • ITO indium oxide
  • AZO aluminum zinc oxide
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or ⁇ 2 ⁇ 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 2, Cd Sn 3, Zn SnO 3, Mngln 20zi, GalnO 3, 2 ⁇ or In 4 Sn 30, 2 or mixtures of different transparent, conductive oxides into the group of TCOs.
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • a transparent electrode may also be a
  • the metal layer has, for example, one or more of the following materials: silver, platinum, gold, magnesium or an alloy of silver and magnesium. In addition, other metals are possible.
  • the metal layer has such a small thickness that it is at least partially permeable to that of the organic functional
  • Layer stack generated light is, for example, a thickness of less than or equal to 50 nm.
  • a metal may be used, which may be selected from aluminum, barium, indium, silver, gold, Magnesium, calcium and lithium, and compounds, combinations and alloys thereof.
  • a reflective electrode may comprise silver, aluminum or alloys with these, for example Ag: Mg, Ag: Ca, Mg: Al.
  • the first electrode is formed as an anode, then the second electrode is formed as a cathode.
  • the first electrode may be formed as a cathode, then the second electrode is formed as an anode.
  • the electrodes may also have in combination at least one or more TCO layers and at least one or more metal layers.
  • At least one organic functional layer stack is arranged above the first electrode and / or the substrate.
  • the fact that a layer or a stack is arranged or applied "on” or “above” another layer or stack may mean here and below that the one layer or the one stack is directly in direct mechanical and / or electrical contact the other layer or the other stack is arranged.
  • the one layer is arranged indirectly on or above the other layer or the other stack. In this case, further layers or stacks can then be arranged between the one and the other layer or stack.
  • this has a step C), applying at least one organic functional layer stack which is set up to emit radiation and at least over the first Electrode is arranged.
  • the organic light-emitting component has exactly one organic
  • Wavelength of the radiation or the wavelength maximum is preferably in the infrared and / or ultraviolet and / or visible spectral range, in particular at wavelengths between 420 nm and 680 nm inclusive.
  • the organic functional layer stack may include layers of organic polymers, organic oligomers,
  • organic monomers organic small non-polymeric molecules ("small molecules") or combinations thereof.
  • the organic functional layer stack may additionally have further functional layers, which are designed as a hole transport layer, in order to achieve an effective
  • the organic functional layer stack can furthermore have at least one functional layer which can be used as a
  • Electron transport layer is formed.
  • the organic functional layer stack may be additional
  • Electron injection layers electron transport layers, hole blocking layers and electron blocking layers.
  • organic functional layer stack completely or at least predominantly organic functional layers.
  • individual layers of the organic functional layer stack also comprise or are formed from inorganic materials.
  • the method comprises a method step D), application of a second electrode over the organic functional layer stack.
  • the method comprises a step E), applying perhydropolysilazane or polysilazane by wet-chemical methods and curing perhydropolysilazane to produce at least one
  • planarization layer is in particular arranged between the first electrode and the substrate. Alternatively or additionally, the planarization layer
  • the curing in step E) takes place at a temperature of greater than or equal to 80 ° C or 85 ° C, in particular at a temperature less than or equal to 80 ° C or 75 ° C.
  • the curing takes place in step E) at a temperature of> 85 ° C and a water vapor atmosphere, beispielswe.LSG 85%.
  • the curing in step E) takes place by means of UV light.
  • the UV light is a xenon light having a wavelength of 172 nm with a tolerance of 3 nm from this value.
  • planarization layer can therefore by means of low
  • SiON silicon oxynitride-like amorphous material
  • the structuring can take place by means of the wet-chemical method described above.
  • the wet chemical method by using the wet chemical method, the wet chemical method
  • Perhydropolysilazan be applied in a structured manner, without a subsequent etching back must be made.
  • planarization layer can also be applied over the entire surface.
  • Full surface means here and in the
  • planarization layer that the lateral extent of the planarization layer is smaller than the lateral extent of the substrate.
  • the perhydropolysilazane is used in particular as
  • the coating solution comprises or consists of polysilazane and its derivatives and / or of perhydropolysilazane and derivatives thereof.
  • solvents may be included, for example
  • Planarization layer can be a thin layer with a layer thickness of 5 nm to 500 nm or a thick layer with a layer thickness of 500 nm to 50 ym and several cohesive layers.
  • a planarization layer with a layer thickness of less than 2 ⁇ m, in particular with a layer thickness between 200 nm and 1200 nm, for example 800 nm is produced. Repeated application allows multiples of the value to be obtained.
  • the final values for a planarization layer may range from 300 nm to several ym.
  • the UV curing of PHPS can be obtained layers of about 300 nm.
  • layers of up to 1.2 ⁇ m can be obtained.
  • Planarleiterstik be generated in the range of 50 nm - 1200 nm. Particularly preferred may be in UV curing a
  • Planarization layer in the range of 200 nm - 300 nm
  • the planarization layer may optionally consist of several layers, for example buffer layers of polymer between two layers of PHPS are conceivable. This can lead to improved bendability of the layers.
  • Polysilazanes are polymeric compounds in which silicon and nitrogen atoms form the basic chemical framework in an alternating arrangement. Frequently, each silicon atom is bound to two nitrogen atoms and each nitrogen atom to two silicon atoms, so that preferably form molecular chains and / or rings of the formula [R ] _R2Si-nR3] n .
  • R ] _ to R3 can be hydrogen atoms or organic radicals. If exclusively H atoms are present as substituents, the polymer is referred to as perhydropolysilazane having the formula [H2Si-nH] n .
  • perhydropolysilazane is also called Polyperhydrosilazane or inorganic polysilazane referred. If hydrocarbon radicals are bonded to the silicon, it is referred to here and below as organopolysilazane.
  • Polysilazanes are one or more
  • Three-dimensionally crosslinked macromolecules with a more or less broad molecular weight distribution are three-dimensionally crosslinked macromolecules with a more or less broad molecular weight distribution.
  • Planarleiterstik is generated. In the presence of air and / or moisture and / or polar surfaces,
  • SiOx means here and below the oxides of silicon oxide.
  • SiOx is meant the divalent silica.
  • Silicon oxide nitride-like material can be produced from perhydropolysilazane. Curing can be done at 172 nm and reduced O 2 atmosphere of ⁇ 5 ppm O 2. Since SiON is better in terms of water and oxygen diffusion, conversion would be the method of choice.
  • the polysilazane provided is a perhydropolysilazane, that is to say a polysilazane which is saturated only with hydrogen and has no organic radical.
  • a perhydropolysilazane that is to say a polysilazane which is saturated only with hydrogen and has no organic radical.
  • An advantage of the perhydropolysilazane can be seen in the fact that it can harden to a SiOx network.
  • the network is then preferably free of nitrogen and carbon.
  • SiOx is glassy in one embodiment.
  • the x in SiOx is a maximum of 2. As a rule, x is less than 2. If, for example, x is less than 2, then the remainder to 2 is lost to the OH groups. SiOx is insensitive to moisture. As a result, a layer of SiOx also loses its barrier-insulating or protective function
  • Planarization layer formed as a barrier.
  • the barrier is densely formed. Dense here means that the planarization layer has a permeation rate of less than or equal to 0.1 g of water / m 2 per day,
  • planarization layer has these permeation rates
  • the ALD layer may e.g. Alumina, zirconia and titania. According to at least one embodiment, the
  • Planarization layer formed as a barrier.
  • Planarization layer can be made of materials that are generated by a CVD process. Suitable materials are, for example, SiN, SiO 2 or SiC. Alternatively, materials can also be considered using MLD, PECVD and
  • the planarization layer produced after step E) is completely cured has a vitreous structure and does not exhibit any outgassing of VOCs (Volatile Organic Compounds).
  • Perhydropolysilazane or polysilazane to a glassy shaped body.
  • the shaped body is a
  • planarization layer has a larger one in a direction parallel to the layer plane
  • Expansion as in the thickness direction. In this order, more preferably, at least 1,000, 20,000 times expansion. Typical dimensions of a structured
  • Planarization range from a few mm to several cm, for example 20 cm to 60 cm.
  • the wet chemical process is selected from a group comprising slot coating, spray coating, inkjet, screen printing, spin coating, gravure printing, flexographic printing and stencil printing.
  • the perhydropolysilazane or polysilazane can be applied by means of dispensing or spin coating.
  • Spin Coating allows a uniform thin film
  • a layer stack for encapsulation which comprises the planarization layer, is applied over the second electrode.
  • the planarization layer is applied over the second electrode.
  • the component additionally has an encapsulation, wherein the
  • the planarization layer is part of the encapsulation layer or part of the substrate.
  • the method produces a layer structure which has at least one layer pair. In particular, each layer pair of the
  • Atom testingabscheideclar produced layer or another produced by atomic layer deposition method (ALD: "Atomic Layer Deposition") layer, wherein the at least one pair of layers another
  • Atomticianabscheidebacter produced layer or further produced by atomic layer deposition method Layer is generated.
  • the layer made by ALD may be chemical
  • CVD Gas phase deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • sputtering can be applied.
  • the ALD layer can also be applied by means of MLD method (MLD: "Molecular Layer
  • a layer structure having at least one layer pair is produced, wherein each layer pair consists of the planarization layer or of a further planarization layer and one of
  • Atom Meltrachabscheidebacter produced layer or another produced by atomic layer deposition process layer is formed, wherein the at least one
  • Layer pair is further subordinate layer produced by Atomlagenabscheideclar, so that a
  • Atomticiansabscheideclar produced layer or other produced by atomic layer deposition process layer is produced.
  • the layer structure is part of an encapsulation.
  • the layer structure more than two pairs of layers, wherein the means
  • Each of layers produced by atomic layer deposition methods is formed of a metal oxide or metal nitride or comprises at least one metal oxide, carbide, nitride or metal nitride.
  • Suitable metal oxides are, for example, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, zinc oxide and lanthanum oxide.
  • the ALD layer may turn off a combination of the aforementioned materials in alternation, ie a nanolaminate.
  • a metal nitride or nitride for example, silicon nitride comes into question.
  • Carbide for example, is silicon carbide.
  • the barrier effect can be increased. Furthermore, by the very good
  • the ALD layers are grown with low defects.
  • hermetically sealed flexible substrate such as a plastic film with a barrier layer or in particular a metal foil, are applied in a structured manner.
  • the polymer film can also be any suitable material.
  • organic light-emitting components in particular in OLEDs can be used.
  • the inventors have recognized that the method described herein can provide a more favorable process with faster clock cycles over inorganic metal oxide approaches. Furthermore, the curing produces an inorganic planarization layer.
  • inorganic planarization layer becomes low
  • planarization layer by means of
  • Liquid phase processing can be easily produced.
  • the advantages of liquid phase processing, such as the Speed, or simple structured deposition with advantages of the inorganic planarization layer, such as lack of outgassing of organic materials can be realized.
  • a cost-effective, robust and flexible organic light-emitting component, in particular an OLED can be provided.
  • the layers in the component are compared to many
  • planarization layers have a lower thermal compared to polymeric insulation layers
  • Temperature load leads. In particular, better interaction with inorganic encapsulation, e.g. A1203 possible.
  • the hardened planarization layer has a very good planarizing effect, so that deposited metal layers give a nearly perfect mirror.
  • a perfect mirror effect is highly desirable for automotive manufacturers even with flexible organic light emitting devices, as this effect of components on Glass substrates is known and considered extremely high quality
  • Substrate becomes compatible with the materials that can also be used in the manufacture of glass-based rigid OLEDs.
  • the organic light-emitting component has a substrate.
  • the device has a first electrode overlying the substrate
  • the component has at least one
  • organic functional layer stack on which to
  • Emission of radiation is established and arranged at least over the first electrode.
  • the component has a second electrode, which is arranged above the organic functional layer stack and in particular is formed as a cathode.
  • the device has a
  • planarization layer is in particular arranged between the first electrode and the substrate, preferably in direct mechanical contact with the electrode and the substrate. Alternatively or additionally, the planarization layer is above the second electrode, especially as part of the encapsulation.
  • Planarization layer is produced from perhydropolysilazane or polysilazane.
  • the device may have a layer structure with at least one pair of layers (10), each one
  • the layer produced by atomic layer deposition or chemical vapor deposition has both a surface facing away from the substrate and a layer that faces away from the substrate
  • a hermetically encapsulated flexible OLED can be formed, wherein the
  • Glass layer is fully compatible with the materials that are also used in the manufacture of glass-based rigid OLEDs, such as metallization.
  • the organic light-emitting component has a planarization layer, wherein the planarization layer is structured.
  • the organic light-emitting component has a layer structure, the layer structure comprising at least one layer pair (10), each layer pair consisting of the planarization layer (3) or another planarization layer (31) and one by means of atomic layer deposition or chemical
  • Gas phase deposition produced layer (9) or another by atomic layer deposition method or chemical A further planarization layer (31) is arranged downstream of the at least one layer pair, so that an alternating sequence of planarization layer (3) or another planarization layer (31) and by means of atomic layer deposition or chemical
  • Gas phase deposition produced layer (91, 92) is produced.
  • Planarleiters slaughter the organic light emitting device has an RMS value of less than 200 nm, preferably less than 50 nm, more preferably less than 10 nm.
  • RMS denotes the square roughness and can be determined by force measurement or atomic force microscopy (AFM).
  • AFM atomic force microscopy
  • the planarization layer reduces the roughness.
  • FIGS. 1A to 5B each show a schematic illustration of an organic light-emitting component according to an embodiment.
  • identical, identical or identically acting elements can each be provided with the same reference numerals.
  • the illustrated Elements and their proportions are not to be regarded as true to scale. Rather, individual elements such as layers, components, components and areas for exaggerated representability and / or better understanding may be exaggerated.
  • FIG. 1A shows a schematic side view of an organic light-emitting component 100 according to an embodiment.
  • the device 100 was produced in particular by the method described above.
  • the component has a substrate 1.
  • the substrate 1 has a rough surface.
  • Above the substrate 1 is a
  • Perhydropolysilazane or polysilazane is produced.
  • the planarization layer 3 can be applied by means of spin coating, slot coating, spray coating or inkjet printing. Depending on the curing condition, different results
  • the planarization layer can be cured by means of UV, for example with xenon light having a wavelength of 172 nm. This results in a very dense silicon oxynitride-like layer. Alternatively, the planarization layer can also be cured by means of temperature, wherein a less dense silicon dioxide-like
  • a first electrode 2 Above the planarization layer 3, a first electrode 2, an organic functional layer stack 5 and a second electrode 6 are arranged.
  • FIG. 1B shows a schematic side view of an organic light-emitting component 100 according to an embodiment.
  • the encapsulation 7 preferably has a further planarization layer 31. Also these others
  • Planarization layer 31 can be applied by spin coating, slot coating, spray coating or inkjet printing. Preferably, all statements made for the planarization layer 3 also apply to the others
  • a device 100 which has both a planarization layer 3 between the substrate 1 and the first electrode 2 and also over the second electrode 6.
  • Planarization layers 3, 31 can act for planarization or as a barrier.
  • the encapsulation 7 may have, in addition to the further planarization layer 31, further layers produced by means of ALD or CVD.
  • FIG. 2 shows a schematic side view of an organic light-emitting component 100 in accordance with FIG.
  • the device 100 has a substrate 1.
  • the substrate 1 is a metal foil or a plastic foil and is hermetically sealed.
  • a planarization layer 3 is applied in a structured manner.
  • the planarization layer 3 has a smaller lateral extent in cross-section than the substrate 1.
  • a first electrode 2 and metallizations 8 are arranged above the planarization layer 3. Insulation is arranged between the first electrode 2 and the second electrode 6 to avoid a short circuit (not shown here).
  • Above the first electrode 2 are an organic functional layer stack 5 and above a second electrode 6
  • the device 100 of Figure 2 also has a Encapsulation 7 on.
  • the component 100 of FIG. 2 may have a further planarization layer 31, which may also be part of the encapsulation 7.
  • the encapsulation 7 and the substrate 1 protect at least the organic functional layer stack 5 from environmental influences and form a hermetically sealed encapsulation.
  • the planarization layer 3 By applying the planarization layer 3 to the substrate surface 1, the substrate is compatible with other materials that are also used in the manufacture of glass-based rigid devices. For example, there are now no adhesion problems between the metallization 8 and the planarization layer 3.
  • planarization layer 3 by means of
  • wet-chemical process are applied so that no restructure is necessary.
  • FIGS. 3A to 3D each show a layer structure according to an embodiment.
  • the layer structure has a planarization and a barrier effect simultaneously.
  • FIG. 3A shows a layer structure of a pair of layers 3 and 9.
  • the layer pair 10 has a
  • Atomtician'sabscheideclar produced layer 9, which has in particular a metal oxide on.
  • Metal oxide layer is arranged another planarization layer 31. Only one layer pair 10 is shown in FIG. 3B, the layer 9 produced by means of atom layer deposition processes being arranged above the planarization layer 3.
  • FIG. 3C shows the opposite case, whereby the layer 9 produced by means of atomic layer deposition processes is arranged below the planarization layer 3.
  • the layer 9 produced by means of atomic layer deposition can also be produced by another method, for example PVD or PECVD or by sputtering.
  • ALD is used, as it allows a homogeneous layer growth with a very good barrier effect can be achieved.
  • Planarleitersll 3 wherein subsequently produced by means of atom layer deposition process layer 9 is applied.
  • the layer 9 produced by atomic layer deposition completely surrounds both the surface and the side surfaces of the planarization layer 3.
  • the layer 9 produced by means of atomic layer deposition process is followed by a further planarization layer 31, which the side surfaces and the surfaces of the means of
  • FIG. 4A shows a schematic side view of a layer pair according to an embodiment.
  • the layer pair 10 of FIG. 4A shows a layer pair of a planarization layer 9 and a layer 9 produced by means of atom layer deposition processes, the planarization layer 3 being between the layer 9 produced by means of atomic layer deposition processes and another layer 91 produced by atomic layer deposition method.
  • FIG. 4B in comparison to FIG. 4A, it is shown that the planarization layer 3 is applied in a structured manner.
  • FIGS. 5A and 5B each show a layer structure according to an embodiment. Both figures show two
  • Layer 91 which is produced by means of atom layer deposition processes is arranged downstream of the two layer pairs 10, so that an alternating arrangement of planarization layer and by means of
  • the layer structure of FIG. 5B differs from the layer structure of FIG. 5A in that the
  • planarleitersllen 3 and 31 are applied structured.
  • the planarizing layers have a smaller lateral extent in cross section compared to those by means of atomic layer deposition methods
  • Layer pairs are generated as a layer structure.
  • a layer structure can be generated, in addition to the
  • Planarization also has a very good barrier effect.

Abstract

The invention relates to a method for producing an organic light-emitting component (100), the method comprising the following steps: A) providing a substrate (1); B) applying a first electrode (2) on the substrate (1); C) applying at least one organic functional layer stack (5) that is designed for emitting radiation and is arranged above at least the first electrode (2); D) applying a second electrode (6) above the organic functional layer stack (5); and E) applying perhydropolysilazane (4) by means of wet-chemical methods, and curing perhydropolysilazane (4) for generating at least one planarization layer (3) that is arranged between the first electrode (2) and the substrate (1) and/or above the second electrode (6). In step E), a layer structure having at least one layer pair (10) is generated, and each layer pair is shaped from the planarization layer (3) and from a layer (9) produced by means of atomic layer deposition methods or chemical vapor deposition, wherein the layer (9) produced by means of atomic layer deposition methods or chemical vapor deposition entirely surrounds both a surface facing away from the substrate (1) and lateral surfaces of the planarization layer (3).

Description

Beschreibung description
Verfahren zur Herstellung eines organischen Process for producing an organic
lichtemittierenden Bauelements und organisches light emitting device and organic
lichtemittierendes Bauelement light-emitting component
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements. Ferner betrifft die Erfindung ein organisches lichtemittierendes Bauelement. The invention relates to a method for producing an organic light-emitting component. Furthermore, the invention relates to an organic light-emitting component.
Ein Substrat von organischen lichtemittierenden Bauelementen, beispielsweise flexible Substrate von organischen A substrate of organic light emitting devices, for example, flexible substrates of organic
Leuchtdioden, müssen in der Regel planarisiert werden, da die Oberflächenqualität meist nicht ausreicht, um darauf einen organischen funktionellen Schichtenstapel prozessieren zu können. Ferner müssen derartige Substrate gegenüber Light-emitting diodes usually have to be planarized, since the surface quality is usually not sufficient to be able to process an organic functional layer stack thereon. Furthermore, such substrates must be compared
Feuchtigkeit und Umwelteinflüssen, wie Sauerstoff und Wasser, geschützt werden. Zudem müssen solche Substrate außerdem zumindest teilweise elektrisch isolierend sein. Derzeitig verwendete Lösungen bestehen oft darin, organische Polymere zur Planarisierung, Verkapselung oder Isolierung zu Moisture and environmental factors, such as oxygen and water, are protected. In addition, such substrates must also be at least partially electrically insulating. Currently used solutions often include organic polymers for planarization, encapsulation or isolation
verwenden. Diese Polymere zeigen allerdings meist schlechte Adhäsion zu insbesondere anorganischen Schichten, eine hohe Permeabilität für Wasser und Sauerstoff sowie bei erhöhten Betriebstemperaturen ein signifikantes Ausgasverhalten. Damit sind solche organischen Polymere nicht ausreichend kompatibel für Anwendungen in anspruchsvollen Umgebungen wie use. However, these polymers usually show poor adhesion to, in particular, inorganic layers, high permeability to water and oxygen, and significant outgassing behavior at elevated operating temperatures. Thus, such organic polymers are not sufficiently compatible for applications in demanding environments such as
beispielsweise im Automobil. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zurfor example in the automobile. An object to be solved is to provide a method for
Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements anzugeben, das einen verbesserten Schutz aufweist. To provide an organic light emitting device having improved protection.
Insbesondere ist das organische lichtemittierende Bauelement leicht herstellbar. Ferner ist Aufgabe der Erfindung, ein organisches lichtemittierendes Bauelement bereitzustellen, das leicht herstellbar ist. Diese Aufgaben werden durch die Gegenstände mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte In particular, the organic light-emitting component easy to produce. It is another object of the invention to provide an organic light emitting device which is easy to manufacture. These objects are achieved by the subject matters with the features of the independent claims. advantageous
Ausführungen und Weiterbildungen der Gegenstände sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor. Embodiments and further developments of the objects are characterized in the dependent claims and will become apparent from the following description and the drawings.
In zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements die Schritte auf: A) Bereitstellen eines Substrats, In at least one embodiment, the method of fabricating an organic light emitting device comprises the steps of: A) providing a substrate;
B) Aufbringen einer ersten Elektrode auf das Substrat, B) applying a first electrode to the substrate,
C) Aufbringen zumindest eines organischen funktionellen C) applying at least one organic functional
Schichtenstapels, der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist und zumindest über der ersten Elektrode angeordnet ist, Layer stack, which is set up to emit radiation and is arranged at least over the first electrode,
D) Aufbringen einer zweiten Elektrode über dem organischen funktionellen Schichtenstapel, und D) applying a second electrode over the organic functional layer stack, and
E) Aufbringen von Perhydropolysilazan mittels nasschemischer Verfahren und Aushärten von Perhydropolysilazan zur Erzeugung zumindest einer Planarisierungsschicht. Die E) applying perhydropolysilazane by wet-chemical methods and curing perhydropolysilazane to produce at least one planarization layer. The
Planarisierungsschicht ist insbesondere zwischen der ersten Elektrode und dem Substrat angeordnet. Alternativ oder zusätzlich ist die Planarisierungsschicht über der zweiten Elektrode angeordnet. Anstatt von Perhydropolysilazan kann im Verfahrensschritt E) hier und im Folgenden auch Polysilazan alternativ verwendet werden . Zusätzlich kann im Schritt E) ein Schichtaufbau mit zumindest einem Schichtpaar erzeugt werden und jedes Schichtpaar aus der Planarisierungsschicht und einer mittels Planarisierungsschicht is arranged in particular between the first electrode and the substrate. Alternatively or additionally, the planarization layer is arranged over the second electrode. Instead of perhydropolysilazane, in process step E), polysilazane can also be used here and in the following as an alternative. In addition, in step E), a layer structure with at least one layer pair can be produced and each layer pair of the planarization layer and one by means
Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht ausgeformt werden.  Formed vapor-deposited layer.
Zusätzlich kann die mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellte Schicht sowohl eine dem Substrat abgewandte Oberfläche als auch In addition, the layer produced by atomic layer deposition or chemical vapor deposition may have both a surface facing away from the substrate and
Seitenflächen der Planarisierungsschicht vollständig umgeben. Completely surrounded side surfaces of the planarization layer.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der mittels In accordance with at least one embodiment, the means
Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht eine weitere Gas phase deposition produced another layer
Planarisierungsschicht nachgeordnet, die Seitenflächen als auch eine dem Substrat abgewandte Oberfläche der mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Planarisierungsschicht arranged downstream, the side surfaces as well as a substrate facing away from the surface by means of Atomlagenabscheideverfahren or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht formschlüssig und Stoffschlüssig umgibt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das organische lichtemittierende Bauelement als organische lichtemittierende Diode (OLED) ausgeformt.  Gas phase deposition layer produced positively and cohesively surrounds. In accordance with at least one embodiment, the organic light-emitting component is formed as an organic light-emitting diode (OLED).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist dieses einen Schritt A) auf, Bereitstellen eines Substrats. Das Substrat kann beispielsweise eines oder mehrere According to at least one embodiment of the method, this has a step A), providing a substrate. The substrate may, for example, one or more
Materialien in Form einer Schicht, einer Platte, einer Folie oder einem Laminat aufweisen, die ausgewählt sind aus Glas, Quarz, Kunststoff, Metall, Siliziumwafer, Keramik, beschichtetes Papier. Das Substrat kann Glas, beispielsweise in Form einer Glasschicht, Glasfolie oder Glasplatte, aufweisen oder besteht daraus. Bevorzugt weist das Substrat ein Metall oder eine Plastikfolie auf. Have materials in the form of a layer, a plate, a foil or a laminate, which are selected from glass, Quartz, plastic, metal, silicon wafers, ceramics, coated paper. The substrate may comprise or consist of glass, for example in the form of a glass layer, glass foil or glass plate. Preferably, the substrate comprises a metal or a plastic film.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Substrat flexibel ausgeformt. Insbesondere ist das Substrat flexibel, wenn dieses eine Metallfolie oder Polymerfolie ist. Als Metallfolien kommen beispielsweise Kupferfolien, In accordance with at least one embodiment, the substrate is flexibly shaped. In particular, the substrate is flexible if this is a metal foil or polymer film. As metal foils are for example copper foils,
Aluminiumfolien oder SUS-Folien (SUS = Steel Use Stainless = Edelstahl) in Betracht. Weitere Möglichkeiten sind z.B. low carbon steel (niedriggekohlter Stahl) und eloxierte  Aluminum foils or SUS foils (SUS = Steel Use Stainless = stainless steel) into consideration. Other possibilities are e.g. low carbon steel and anodised
Aluminiumfolie bzw. Aluminiumlegierungen (mit z.B. Magnesium zur Verbesserung der mechanischen Eigenschaften) , Kupfer, Nickel und Legierungen davon. Als Polymerfolien kommen beispielsweise Polyethylennaphthalat (PEN) , Aluminum foil (with, for example, magnesium to improve mechanical properties), copper, nickel and alloys thereof. As polymer films are, for example, polyethylene naphthalate (PEN),
Polyetheretherketon (PEEK) , Polyethylenterephthalat (PET) oder Polyimid (PI) in Frage. Polyetheretherketone (PEEK), polyethylene terephthalate (PET) or polyimide (PI) in question.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist dieses einen Schritt B) auf, Aufbringen einer ersten According to at least one embodiment of the method, this has a step B), applying a first
Elektrode auf das Substrat. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das organische lichtemittierende Bauelement eine erste und eine zweite Electrode on the substrate. In accordance with at least one embodiment, the organic light-emitting component has a first and a second one
Elektrode auf. Insbesondere kann zumindest eine der Electrode on. In particular, at least one of
Elektroden transparent ausgebildet sein. Mit transparent wird hier und im Folgenden eine Schicht bezeichnet, die Electrodes are transparent. With transparent here and below a layer is called, the
durchlässig für sichtbares Licht ist. Dabei kann die is transparent to visible light. It can the
transparente Schicht klar durchscheinend oder zumindest teilweise lichtstreuend und/oder teilweise lichtabsorbierend sein, sodass die transparente Schicht beispielsweise auch diffus oder milchig durchscheinend sein kann. Besonders bevorzugt ist eine hier als transparent bezeichnete Schicht möglichst lichtdurchlässig, sodass insbesondere die transparent layer to be clear translucent or at least partially light-scattering and / or partially light-absorbing, so that the transparent layer, for example, also diffuse or milky translucent. Particularly preferred is a layer referred to as transparent as translucent as possible, so that in particular the
Absorption von im Betrieb des organischen lichtemittierenden Bauelements im organischen funktionellen Schichtenstapel erzeugten Lichts so gering wie möglich ist. Absorption of light generated in the operation of the organic light emitting device in the organic functional layer stack is as low as possible.
Alternativ können auch beide Elektroden transparent Alternatively, both electrodes can be transparent
ausgeformt sein. Damit kann die in dem zumindest einen organischen funktionellen Schichtenstapel erzeugte Strahlung in beide Richtungen, also durch beide Elektroden hindurch, abgestrahlt werden. Für den Fall, dass das organische be formed. In this way, the radiation generated in the at least one organic functional layer stack can be radiated in both directions, ie through both electrodes. In the event that the organic
lichtemittierende Bauelement ein Substrat aufweist, bedeutet das, dass die Strahlung sowohl durch das Substrat hindurch, das dann ebenfalls transparent ausgebildet ist, als auch in die vom Substrat abgewandte Richtung abgestrahlt werden kann. Weiterhin können in diesem Fall alle Schichten des light-emitting component having a substrate, this means that the radiation can be emitted both through the substrate, which is then likewise transparent, and in the direction away from the substrate. Furthermore, in this case, all layers of the
organischen lichtemittierenden Bauelements transparent ausgebildet sein, sodass das organische lichtemittierende Bauelement eine transparente OLED bildet. Darüber hinaus kann es auch möglich sein, dass eine der beiden Elektroden, zwischen denen der organische funktionelle Schichtenstapel angeordnet ist, nicht transparent und vorzugsweise be formed transparent organic light-emitting device, so that the organic light-emitting device forms a transparent OLED. In addition, it may also be possible that one of the two electrodes, between which the organic functional layer stack is arranged, is not transparent and preferably
reflektierend ausgebildet ist, sodass die in dem organischen funktionellen Schichtenstapel erzeugte Strahlung nur in eine Richtung durch die transparente Elektrode abgestrahlt werden kann. Ist die auf dem Substrat angeordnete Elektrode is formed reflecting, so that the radiation generated in the organic functional layer stack can be emitted only in one direction through the transparent electrode. Is the electrode disposed on the substrate
transparent, ist auch das Substrat transparent ausgebildet, so spricht man auch von einem sogenannten Bottom-Emitter, während man in dem Fall, dass die dem Substrat abgewandt angeordnete Elektrode transparent ausgebildet ist, von einem sogenannten Top-Emitter spricht. Als Material für eine transparente Elektrode kann beispielsweise ein transparentes, leitfähiges Oxid (TCO transparent, the substrate is also transparent, so it is also called a so-called bottom emitter, while in the case that the electrode arranged facing away from the electrode is transparent, speaks of a so-called top emitter. As a material for a transparent electrode, for example, a transparent, conductive oxide (TCO
Transparent Conductive Oxide) , wie zum Beispiel ITO, Transparent Conductive Oxide), such as ITO,
verwendet werden. be used.
Transparente, elektrisch leitende Oxide (TCO) sind Transparent, electrically conductive oxides (TCO) are
transparente, elektrisch leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, transparent, electrically conductive materials, usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, Indiumzinnoxid (ITO) oder Aluminiumzinkoxid (AZO) . Neben binären Cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO) or aluminum zinc oxide (AZO). In addition to binary
MetallsauerstoffVerbindungen wie beispielsweise ZnO, Sn02 oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen wie beispielsweise Zn2SnOzi, CdSn03, ZnSn03, Mgln20zi, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter, leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs .  Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or Ιη 2θ 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 2, Cd Sn 3, Zn SnO 3, Mngln 20zi, GalnO 3, 2ηηηθ or In 4 Sn 30, 2 or mixtures of different transparent, conductive oxides into the group of TCOs.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to one
stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein. Weiterhin kann eine transparente Elektrode auch eine stoichiometric composition and may also be p- or n-doped. Furthermore, a transparent electrode may also be a
Metallschicht mit einem Metall oder einer Legierung Metal layer with a metal or an alloy
aufweisen, beispielsweise mit einem oder mit mehreren der folgenden Materialien: Silber, Platin, Gold, Magnesium oder eine Legierung aus Silber und Magnesium. Darüber hinaus sind auch andere Metalle möglich. Die Metallschicht weist dabei eine derart geringe Dicke auf, dass sie zumindest teilweise durchlässig für das von dem organischen funktionellen have, for example, one or more of the following materials: silver, platinum, gold, magnesium or an alloy of silver and magnesium. In addition, other metals are possible. The metal layer has such a small thickness that it is at least partially permeable to that of the organic functional
Schichtenstapel erzeugte Licht ist, beispielsweise eine Dicke von kleiner oder gleich 50 nm. Layer stack generated light is, for example, a thickness of less than or equal to 50 nm.
Als Material für eine reflektierende Elektrode kann As a material for a reflective electrode can
beispielsweise ein Metall verwendet werden, das ausgewählt sein kann aus Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Kalzium und Lithium sowie Verbindungen, Kombinationen und Legierungen daraus. Insbesondere kann eine reflektierende Elektrode Silber, Aluminium oder Legierungen mit diesen aufweisen, beispielsweise Ag:Mg, Ag:Ca, Mg:Al. For example, a metal may be used, which may be selected from aluminum, barium, indium, silver, gold, Magnesium, calcium and lithium, and compounds, combinations and alloys thereof. In particular, a reflective electrode may comprise silver, aluminum or alloys with these, for example Ag: Mg, Ag: Ca, Mg: Al.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste Elektrode als Anode ausgebildet, dann ist die zweite Elektrode als Kathode ausgebildet. Alternativ kann die erste Elektrode als Kathode ausgebildet sein, dann ist die zweite Elektrode als Anode ausgebildet. According to at least one embodiment, the first electrode is formed as an anode, then the second electrode is formed as a cathode. Alternatively, the first electrode may be formed as a cathode, then the second electrode is formed as an anode.
Die Elektroden können auch in Kombination von zumindest einer oder mehreren TCO-Schichten und zumindest eine oder mehrere Metallschichten aufweisen. The electrodes may also have in combination at least one or more TCO layers and at least one or more metal layers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zumindest ein organischer funktioneller Schichtenstapel über der ersten Elektrode und/oder dem Substrat angeordnet. Dass eine Schicht oder ein Stapel "auf" oder "über" einer anderen Schicht oder einem Stapel angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder der eine Stapel unmittelbar in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Stapel angeordnet ist. Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Stapel angeordnet ist. Dabei können dann weitere Schichten oder Stapel zwischen der einen und der anderen Schicht oder Stapel angeordnet sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist dieses einen Schritt C) auf, Aufbringen zumindest eines organischen funktionellen Schichtenstapels, der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist und zumindest über der ersten Elektrode angeordnet ist. Insbesondere weist das organische lichtemittierende Bauelement genau einen organischen In accordance with at least one embodiment, at least one organic functional layer stack is arranged above the first electrode and / or the substrate. The fact that a layer or a stack is arranged or applied "on" or "above" another layer or stack may mean here and below that the one layer or the one stack is directly in direct mechanical and / or electrical contact the other layer or the other stack is arranged. Furthermore, it can also mean that the one layer is arranged indirectly on or above the other layer or the other stack. In this case, further layers or stacks can then be arranged between the one and the other layer or stack. According to at least one embodiment of the method, this has a step C), applying at least one organic functional layer stack which is set up to emit radiation and at least over the first Electrode is arranged. In particular, the organic light-emitting component has exactly one organic
funktionellen Schichtenstapel auf. Im Betrieb des organischen lichtemittierenden Bauelements wird in dem organischen funktionellen Schichtenstapel Strahlung erzeugt. Eine functional layer stack on. During operation of the organic light-emitting component, radiation is generated in the organic functional layer stack. A
Wellenlänge der Strahlung oder das Wellenlängenmaximum liegt bevorzugt im infraroten und/oder ultravioletten und/oder sichtbaren Spektralbereich, insbesondere bei Wellenlängen zwischen einschließlich 420 nm und 680 nm.  Wavelength of the radiation or the wavelength maximum is preferably in the infrared and / or ultraviolet and / or visible spectral range, in particular at wavelengths between 420 nm and 680 nm inclusive.
Der organische funktionelle Schichtenstapel kann Schichten mit organischen Polymeren, organischen Oligomeren, The organic functional layer stack may include layers of organic polymers, organic oligomers,
organischen Monomeren, organischen kleinen nichtpolymeren Molekülen ("small molecules") oder Kombinationen daraus aufweisen. Der organische funktionelle Schichtenstapel kann zusätzlich weitere funktionelle Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt sind, um eine effektive organic monomers, organic small non-polymeric molecules ("small molecules") or combinations thereof. The organic functional layer stack may additionally have further functional layers, which are designed as a hole transport layer, in order to achieve an effective
Löcherinjektion in den zumindest einen organischen Hole injection into the at least one organic
funktionellen Schichtenstapel zu ermöglichen. Als Materialien für eine Lochtransportschicht können sich beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, mit Kampfersulfonsäure dotiertes Polyanilin oder mit Polystyrolsulfonsäure dotiertes Polyethylendioxidthiophen als vorteilhaft erweisen. Der organische funktionelle Schichtenstapel kann weiterhin zumindest eine funktionelle Schicht aufweisen, die als to enable functional layer stacks. For example, tertiary amines, carbazole derivatives, polyaniline doped with camphorsulfonic acid, or polyethylenedioxythiophene doped with polystyrenesulfonic may prove advantageous as materials for a hole transport layer. The organic functional layer stack can furthermore have at least one functional layer which can be used as a
Elektronentransportschicht ausgebildet ist. Allgemein kann der organische funktionelle Schichtenstapel zusätzliche  Electron transport layer is formed. In general, the organic functional layer stack may be additional
Schichten aufweisen, die ausgewählt sind aus Have layers that are selected from
Löcherinj ektionsschichten, Lochtransportschichten, Hole injection layers, hole transport layers,
Elektroninjektionsschichten, Elektrontransportschichten, Lochblockierschichten und Elektronenblockierschichten . Electron injection layers, electron transport layers, hole blocking layers and electron blocking layers.
Insbesondere können die Schichten des organischen In particular, the layers of the organic
funktionellen Schichtenstapels vollständig oder zumindest überwiegend organische funktionelle Schichten sein. Darüber hinaus kann es auch möglich sein, dass einzelne Schichten des organischen funktionellen Schichtenstapels auch anorganische Materialien aufweisen oder daraus gebildet sind. functional layer stack completely or at least predominantly organic functional layers. In addition, it may also be possible that individual layers of the organic functional layer stack also comprise or are formed from inorganic materials.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Verfahrensschritt D) auf, Aufbringen einer zweiten Elektrode über dem organischen funktionellen Schichtenstapel. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt E) auf, Aufbringen von Perhydropolysilazan oder Polysilazan mittels nasschemischer Verfahren und Aushärten von Perhydropolysilazan zur Erzeugung zumindest einer In accordance with at least one embodiment, the method comprises a method step D), application of a second electrode over the organic functional layer stack. In accordance with at least one embodiment, the method comprises a step E), applying perhydropolysilazane or polysilazane by wet-chemical methods and curing perhydropolysilazane to produce at least one
Planarisierungsschicht. Die Planarisierungsschicht ist insbesondere zwischen der ersten Elektrode und dem Substrat angeordnet. Alternativ oder zusätzlich ist die Planarization layer. The planarization layer is in particular arranged between the first electrode and the substrate. Alternatively or additionally, the
Planarisierungsschicht über der zweiten Elektrode angeordnet.  Planarisierungsschicht arranged over the second electrode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt die Aushärtung im Schritt E) bei einer Temperatur von größer oder gleich 80 °C oder 85 °C, insbesondere bei einer Temperatur kleiner oder gleich 80 °C oder 75 °C. Insbesondere erfolgt die Aushärtung im Schritt E) bei einer Temperatur von > 85 °C und einer Wasserdampf Atmosphäre, beispielswe.LSG 85%. According to at least one embodiment, the curing in step E) takes place at a temperature of greater than or equal to 80 ° C or 85 ° C, in particular at a temperature less than or equal to 80 ° C or 75 ° C. In particular, the curing takes place in step E) at a temperature of> 85 ° C and a water vapor atmosphere, beispielswe.LSG 85%.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt die Aushärtung im Schritt E) mittels UV-Licht. Insbesondere ist das UV-Licht ein Xenon-Licht mit einer Wellenlänge von 172 nm mit einer Toleranz von 3 nm von diesem Wert. In accordance with at least one embodiment, the curing in step E) takes place by means of UV light. In particular, the UV light is a xenon light having a wavelength of 172 nm with a tolerance of 3 nm from this value.
Die Planarisierungsschicht kann daher mittels niedrigen The planarization layer can therefore by means of low
Temperaturen und unter UV-Bestrahlung zu einem anorganischen Glas ausgehärtet werden. Je nach Aushärtebedingung erhält man ein Siliziumoxynitrid-ähnliches amorphes Material (SiON) . Ein Siliziumdioxid (Si02) ähnliches amorphes Material erhält man durch Härtung von PHPS bei erhöhter Temperatur und Temperatures and cured under UV irradiation to an inorganic glass. Depending on the curing condition you get a silicon oxynitride-like amorphous material (SiON). A silica (Si0 2 ) -like amorphous material is obtained by curing PHPS at elevated temperature and
Feuchtigkeit . Humidity .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht strukturiert aufgebracht. Insbesondere kann die Strukturierung mittels dem oben beschriebenen nasschemischen Verfahren erfolgen. Mit anderen Worten kann durch die Verwendung der nasschemischen Verfahren das  Planarisierungsschicht structured applied. In particular, the structuring can take place by means of the wet-chemical method described above. In other words, by using the wet chemical method, the
Perhydropolysilazan strukturiert aufgebracht werden, ohne dass eine spätere Rückätzung erfolgen muss.  Perhydropolysilazan be applied in a structured manner, without a subsequent etching back must be made.
Alternativ kann die Planarisierungsschicht auch vollflächig aufgebracht werden. Vollflächig bedeutet hier und im Alternatively, the planarization layer can also be applied over the entire surface. Full surface means here and in the
Folgenden, dass die Planarisierungsschicht unstrukturiert aufgebracht wird, also die laterale Ausdehnung der  Below that the planarization layer is applied unstructured, so the lateral extent of
Planarisierungsschicht der lateralen Ausdehnung des Substrats entspricht. Dementsprechend bedeutet eine strukturierte Planarisierungsschicht the lateral extent of the substrate corresponds. Accordingly, a structured means
Aufbringung der Planarisierungsschicht, dass die laterale Ausdehnung der Planarisierungsschicht kleiner ist als die laterale Ausdehnung des Substrats. Application of the planarization layer that the lateral extent of the planarization layer is smaller than the lateral extent of the substrate.
Das Perhydropolysilazan wird insbesondere als The perhydropolysilazane is used in particular as
Beschichtungslösung aufgebracht. Die Beschichtungslösung umfasst oder besteht aus Polysilazan und deren Derivate und/oder aus Perhydropolysilazan und deren Derivate. Außerdem kann noch Lösungsmittel enthalten sein, beispielsweise Applied coating solution. The coating solution comprises or consists of polysilazane and its derivatives and / or of perhydropolysilazane and derivatives thereof. In addition, solvents may be included, for example
Diethylether oder Dibutylether . Bei der Diethyl ether or dibutyl ether. In the
Planarisierungsschicht kann es sich um eine dünne Schicht mit einer Schichtdicke von 5 nm bis 500 nm oder um eine dicke Schicht mit einer Schichtdicke von 500 nm bis 50 ym sowie um mehrere in sich zusammenhängende Schichten handeln. Insbesondere wird gemäß einer Ausführungsform eine Planarisierungsschicht mit einer Schichtdicke von kleiner als 2 ym, insbesondere mit einer Schichtdicke zwischen 200 nm und 1200 nm, beispielsweise 800 nm, erzeugt. Durch mehrmalige Auftragung lassen sich vielfache des Wertes erhalten. Je nach verwendeten Substrat und Rauigkeit können die finalen Werte für eine Planarisierungsschicht im Bereich von 300 nm bis mehreren ym liegen. Bei der UV Härtung von PHPS kann man Schichten von ca. 300 nm erhalten. Bei der Temperaturhärtung kann man Schichten von bis zu 1.2 ym erhalten. Beispielsweise kann bei UV Härtung eine Planarisierungsschicht im Bereich von 50 nm - 500 nm und/oder bei Temperaturhärtung eine Planarization layer can be a thin layer with a layer thickness of 5 nm to 500 nm or a thick layer with a layer thickness of 500 nm to 50 ym and several cohesive layers. In particular, according to one embodiment, a planarization layer with a layer thickness of less than 2 μm, in particular with a layer thickness between 200 nm and 1200 nm, for example 800 nm, is produced. Repeated application allows multiples of the value to be obtained. Depending on the substrate and roughness used, the final values for a planarization layer may range from 300 nm to several ym. In the UV curing of PHPS can be obtained layers of about 300 nm. In the case of temperature curing, layers of up to 1.2 μm can be obtained. For example, in the case of UV curing, a planarization layer in the range of 50 nm to 500 nm and / or in the case of temperature hardening
Planarisierungsschicht im Bereich von 50 nm - 1200 nm erzeugt werden. Besonders bevorzugt kann bei UV Härtung eine Planarisierungsschicht be generated in the range of 50 nm - 1200 nm. Particularly preferred may be in UV curing a
Planarisierungsschicht im Bereich von 200 nm - 300 nm Planarization layer in the range of 200 nm - 300 nm
und/oder bei Temperaturhärtung eine Planarisierungsschicht im Bereich von 800 - 1200 nm erzeugt werden. and / or when temperature-hardening a planarization layer in the range of 800 - 1200 nm are generated.
Die Planarisierungsschicht kann ggf. aus mehreren Schichten bestehen, beispielsweise sind Pufferschichten aus Polymer zwischen zwei Schichten aus PHPS denkbar. Dies kann zu verbesserter Biegbarkeit der Schichten führen. The planarization layer may optionally consist of several layers, for example buffer layers of polymer between two layers of PHPS are conceivable. This can lead to improved bendability of the layers.
Polysilazane sind polymere Verbindungen, in denen Silizium und Stickstoffatome in alternierender Anordnung das chemische Grundgerüst bilden. Häufig ist dabei jedes Siliziumatom an zwei Stickstoffatomen gebunden und jedes Stickstoffatom an zwei Siliziumatomen, sodass sich bevorzugt molekulare Ketten und/oder Ringe der Formel [R]_R2Si-nR3 ] n bilden. R]_ bis R3 können dabei Wasserstoffatome oder organische Reste sein. Sind ausschließlich H-Atome als Substituenten vorhanden, bezeichnet man das Polymer als Perhydropolysilazan mit der Formel [H2Si-nH]n. Oft wird auch Perhydropolysilazan als Polyperhydrosilazan oder anorganisches Polysilazan bezeichnet. Sind Kohlenwasserstoffreste am Silizium gebunden, so wird es hier und im Folgenden als Organopolysilazan bezeichnet. Polysilazane sind aus einer oder mehreren Polysilazanes are polymeric compounds in which silicon and nitrogen atoms form the basic chemical framework in an alternating arrangement. Frequently, each silicon atom is bound to two nitrogen atoms and each nitrogen atom to two silicon atoms, so that preferably form molecular chains and / or rings of the formula [R ] _R2Si-nR3] n . R ] _ to R3 can be hydrogen atoms or organic radicals. If exclusively H atoms are present as substituents, the polymer is referred to as perhydropolysilazane having the formula [H2Si-nH] n . Often, perhydropolysilazane is also called Polyperhydrosilazane or inorganic polysilazane referred. If hydrocarbon radicals are bonded to the silicon, it is referred to here and below as organopolysilazane. Polysilazanes are one or more
Grundeinheiten, den Monomeren, aufgebaut. Durch Basic units, the monomers, built. By
Aneinanderreihung dieser Grundeinheiten der Monomere bildeten sich unterschiedlich große Ketten und/oder Ringe und  Sequence of these basic units of monomers formed differently sized chains and / or rings and
dreidimensional vernetzte Makromoleküle mit einer mehr oder weniger breiten Molmasseverteilung. Three-dimensionally crosslinked macromolecules with a more or less broad molecular weight distribution.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht SiOx, wobei SiOx unter Abspaltung von Ammoniak der Lösung der herzustellenden Planarisierungsschicht SiOx, wherein SiOx with elimination of ammonia of the solution to be produced
Planarisierungsschicht erzeugt wird. In Anwesenheit von Luft und/oder Feuchtigkeit und/oder polaren Oberflächen,  Planarisierungsschicht is generated. In the presence of air and / or moisture and / or polar surfaces,
beispielsweise OH-Gruppen, findet eine Kondensationsreaktion statt, bei der Ammoniak (NH3) entweicht. SiOx meint hier und im Folgenden die Oxide des Siliziumoxids. Vorzugsweise ist hier das zweiwertige Siliziumdioxid gemeint. For example, OH groups, a condensation reaction takes place in which ammonia (NH3) escapes. SiOx means here and below the oxides of silicon oxide. Preferably, herein is meant the divalent silica.
Alternativ oder zusätzlich können auch ein Alternatively or additionally, a
Siliziumoxidnitrid-ähnliches Material aus Perhydropolysilazan erzeugt werden. Die Härtung kann bei 172 nm und reduzierter 02-Atmosphäre von ~ 5 ppm 02 erfolgen. Da SiON besser in Hinblick auf Wasser und Sauerstoffdiffusion ist, wäre die Konversion die Methode der Wahl.  Silicon oxide nitride-like material can be produced from perhydropolysilazane. Curing can be done at 172 nm and reduced O 2 atmosphere of ~ 5 ppm O 2. Since SiON is better in terms of water and oxygen diffusion, conversion would be the method of choice.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird als Polysilazan ein Perhydropolysilazan vorgesehen, also ein nur Wasserstoff gesättigtes Polysilazan ohne organischen Rest. Ein Vorteil des Perhydropolysilazan kann darin gesehen werden, dass es zu einem SiOx-Netzwerk aushärten kann. Das Netzwerk ist dann also vorzugsweise frei von Stickstoff und Kohlenstoff. SiOx ist gemäß einer Ausführungsform glasartig. Das x in SiOx ist maximal 2. In der Regel ist x kleiner als 2. Ist x beispielsweise kleiner als 2, dann entfällt der Rest zu 2 auf die OH-Gruppen. SiOx ist feuchtigkeitsunempfindlich. Damit verliert eine Schicht aus SiOx seine Barriereisolations- beziehungsweise Schutzfunktion auch unter According to at least one embodiment, the polysilazane provided is a perhydropolysilazane, that is to say a polysilazane which is saturated only with hydrogen and has no organic radical. An advantage of the perhydropolysilazane can be seen in the fact that it can harden to a SiOx network. The network is then preferably free of nitrogen and carbon. SiOx is glassy in one embodiment. The x in SiOx is a maximum of 2. As a rule, x is less than 2. If, for example, x is less than 2, then the remainder to 2 is lost to the OH groups. SiOx is insensitive to moisture. As a result, a layer of SiOx also loses its barrier-insulating or protective function
Feuchtigkeitseinfluss nicht. Moisture influence not.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht als Barriere ausgeformt. Mit anderen Worten ist die Barriere dicht ausgeformt. Dicht bedeutet hier, dass die Planarisierungsschicht eine Permeationsrate von kleiner oder gleich 0,1 g Wasser/m^ pro Tag, Planarization layer formed as a barrier. In other words, the barrier is densely formed. Dense here means that the planarization layer has a permeation rate of less than or equal to 0.1 g of water / m 2 per day,
beispielsweise 10~ g H20/m2 pro Tag aufweist. Insbesondere weist die Planarisierungsschicht diese Permeationsraten inFor example, 10 ~ g H20 / m2 per day. In particular, the planarization layer has these permeation rates
Kombination mit einer ALD-Schicht, beispielsweise aus A1203, auf. Die ALD Schicht kann z.B. Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid und Titanoxid umfassen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Combination with an ALD layer, for example from A1203. The ALD layer may e.g. Alumina, zirconia and titania. According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht als Barriere ausgeformt. Die  Planarization layer formed as a barrier. The
Planarisierungsschicht kann aus Materialien sein, die mittels eines CVD Prozesses erzeugt sind. Als Materialien kommen beispielsweise SiN, Si02 oder SiC in Frage. Alternativ kommen auch Materialien in Frage, die mittels MLD, PECVD und Planarization layer can be made of materials that are generated by a CVD process. Suitable materials are, for example, SiN, SiO 2 or SiC. Alternatively, materials can also be considered using MLD, PECVD and
Sputtern erzeugt sind. Sputtering are generated.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht eine lateral geringe Durchlässigkeit für Wasser auf. Vorzugsweise ist der WVTR-Wert 10-^ q/ m^ für eine Schichtdicke von 200 nm. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die nach Schritt E) erzeugte Planarisierungsschicht vollständig ausgehärtet, weist eine glasartige Struktur auf und zeigt kein Ausgasen von VOCs (Volatile Organic Compounds) . Planarisierungsschicht a laterally low permeability to water. Preferably, the WVTR value is 10- ^ q / m ^ for a layer thickness of 200 nm. In accordance with at least one embodiment, the planarization layer produced after step E) is completely cured, has a vitreous structure and does not exhibit any outgassing of VOCs (Volatile Organic Compounds).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform härtet das According to at least one embodiment, this cures
Perhydropolysilazan oder Polysilazan zu einem glasartigen Formkörper aus. Insbesondere ist der Formkörper eine Perhydropolysilazane or polysilazane to a glassy shaped body. In particular, the shaped body is a
Planarisierungsschicht und zum Beispiel auf der Oberfläche einer ersten Elektrode oder einer zweiten Elektrode Planarisierungsschicht and, for example, on the surface of a first electrode or a second electrode
angeordnet. Die Planarisierungsschicht hat insbesondere eine in einer Richtung parallel zur Schichtebene größere arranged. In particular, the planarization layer has a larger one in a direction parallel to the layer plane
Ausdehnung als in Dickenrichtung. In dieser Reihenfolge zunehmend bevorzugt eine mindestens 1.000-, 20.000-fache Ausdehnung. Typische Ausdehnungen einer strukturierten Expansion as in the thickness direction. In this order, more preferably, at least 1,000, 20,000 times expansion. Typical dimensions of a structured
Planarisierung reichen von wenigen mm bis mehreren cm, beispielsweise 20 cm bis 60 cm. Planarization range from a few mm to several cm, for example 20 cm to 60 cm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das nasschemische Verfahren aus einer Gruppe ausgewählt, die Slot Die Coating, Spray Coating, Inkjet, Siebdruck, Spin Coating, Tiefdruck, Flexodruck und Schablonendruck umfasst. In accordance with at least one embodiment, the wet chemical process is selected from a group comprising slot coating, spray coating, inkjet, screen printing, spin coating, gravure printing, flexographic printing and stencil printing.
Alternativ kann das Perhydropolysilazan oder Polysilazan mittels Dispensen oder Spin Coating aufgebracht werden. Durch Spin Coating kann ein gleichmäßiger dünner Film, Alternatively, the perhydropolysilazane or polysilazane can be applied by means of dispensing or spin coating. Spin Coating allows a uniform thin film,
beispielsweise mit einer Schichtdicke von 300 nm, erzeugt werden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist über der zweiten Elektrode ein Schichtenstapel zur Verkapselung aufgebracht, der die Planarisierungsschicht umfasst. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die for example, with a layer thickness of 300 nm. According to at least one embodiment, a layer stack for encapsulation, which comprises the planarization layer, is applied over the second electrode. According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht direkt zwischen der ersten Elektrode und dem Substrat angeordnet. Mit direkt ist hier Planarisierungsschicht arranged directly between the first electrode and the substrate. With direct is here
unmittelbarer mechanischer Kontakt gemeint. Mit anderen Worten sind keine weiteren Schichten oder Elemente zwischen der Planarisierungsschicht und der ersten Elektrode und/oder zwischen der Planarisierungsschicht und dem Substrat meant direct mechanical contact. In other words, there are no further layers or elements between the planarization layer and the first electrode and / or between the planarization layer and the substrate
angeordnet . Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die arranged. According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht strukturiert aufgebracht, sodass die Planarisierungsschicht im Querschnitt eine kleinere laterale Ausdehnung als das Substrat aufweist. Insbesondere weist das Bauelement zusätzlich eine Verkapselung auf, wobei die  Planarisierungsschicht applied structured, so that the planarization layer has a smaller lateral extent in cross-section than the substrate. In particular, the component additionally has an encapsulation, wherein the
Planarisierungsschicht, die Verkapselung und das Substrat eine Diffusionsbarriere gegenüber Umwelteinflüssen ist. Planarisierungsschicht, the encapsulation and the substrate is a diffusion barrier to environmental influences.
Vorzugsweise ist die Planarisierungsschicht Bestandteil der Verkapselungsschicht oder Bestandteil des Substrats. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird mit dem Verfahren ein Schichtaufbau erzeugt, der zumindest ein Schichtpaar aufweist. Insbesondere ist jedes Schichtpaar aus der Preferably, the planarization layer is part of the encapsulation layer or part of the substrate. In accordance with at least one embodiment, the method produces a layer structure which has at least one layer pair. In particular, each layer pair of the
Planarisierungsschicht oder einer weiteren Planarisierungsschicht or another
Planarisierungsschicht und einer mittels Planarisierungsschicht and a means
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht oder einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren (ALD: "Atomic Layer Deposition") hergestellten Schicht ausgeformt, wobei dem zumindest einem Schichtpaar eine weitere Atomschichtabscheideverfahren produced layer or another produced by atomic layer deposition method (ALD: "Atomic Layer Deposition") layer, wherein the at least one pair of layers another
Planarisierungsschicht nachgeordnet ist, sodass eine Planarisierungsschicht is subordinate, so that a
alternierende Abfolge aus Planarisierungsschicht oder einer weiteren Planarisierungsschicht und mittels alternating sequence of planarization layer or another planarization layer and means
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht oder weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht erzeugt wird. Alternativ kann die Schicht, die mittels ALD hergestellt ist, mittels chemischer Atomschichtabscheideverfahren produced layer or further produced by atomic layer deposition method Layer is generated. Alternatively, the layer made by ALD may be chemical
Gasphasenabscheidung (CVD) , plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) oder Sputtern aufgebracht werden. Alternativ kann die ALD-Schicht auch mittels MLD- Verfahren aufgebracht werden (MLD: "Molecular Layer Gas phase deposition (CVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or sputtering can be applied. Alternatively, the ALD layer can also be applied by means of MLD method (MLD: "Molecular Layer
Deposition" ) . Deposition ").
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Schichtaufbau mit zumindest einem Schichtpaar erzeugt, wobei jedes Schichtpaar aus der Planarisierungsschicht oder einer weiteren Planarisierungsschicht und einer mittels In accordance with at least one embodiment of the method, a layer structure having at least one layer pair is produced, wherein each layer pair consists of the planarization layer or of a further planarization layer and one of
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht oder einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht ausgeformt wird, wobei dem zumindest einem Atomschichtabscheideverfahren produced layer or another produced by atomic layer deposition process layer is formed, wherein the at least one
Schichtpaar eine weitere mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht nachgeordnet ist, sodass eine  Layer pair is further subordinate layer produced by Atomlagenabscheideverfahren, so that a
alternierende Abfolge aus Planarisierungsschicht oder einer weiteren Planarisierungsschicht und mittels alternating sequence of planarization layer or another planarization layer and means
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht oder weiterer mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht erzeugt wird. Atomschichtabscheideverfahren produced layer or other produced by atomic layer deposition process layer is produced.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Schichtaufbau Teil einer Verkapselung . In accordance with at least one embodiment, the layer structure is part of an encapsulation.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Schichtaufbau mehr als zwei Schichtpaare auf, wobei die mittels According to at least one embodiment, the layer structure more than two pairs of layers, wherein the means
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schichten jeweils aus einem Metalloxid oder Metallnitrid geformt sind oder zumindest ein Metalloxid, Carbid, Nitrid oder Metallnitrid umfassen. Als Metalloxid kommt beispielsweise Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Zinkoxid und Lanthanoxid in Frage. Die ALD Schicht kann wiederum aus einer Kombination der vorher genannten Materialien im Wechsel bestehen, also ein Nanolaminat. Als Metallnitrid oder Nitrid kommt beispielsweise Siliziumnitrid in Frage. Als Carbid kommt beispielsweise Siliziumcarbid in Frage. Each of layers produced by atomic layer deposition methods is formed of a metal oxide or metal nitride or comprises at least one metal oxide, carbide, nitride or metal nitride. Suitable metal oxides are, for example, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, zinc oxide and lanthanum oxide. The ALD layer may turn off a combination of the aforementioned materials in alternation, ie a nanolaminate. As a metal nitride or nitride, for example, silicon nitride comes into question. Carbide, for example, is silicon carbide.
Durch das Aufbringen der Schichtenpaare aus ALD-Schichten und Planarisierungsschichten kann die Barrierewirkung erhöht werden. Des Weiteren können durch die sehr guten By applying the layer pairs of ALD layers and planarization layers, the barrier effect can be increased. Furthermore, by the very good
Planarisierungseigenschaften der Planarisierungsschicht die ALD-Schichten defektarm aufgewachsen werden. Die Planarization properties of the planarization layer, the ALD layers are grown with low defects. The
Planarisierungsschicht kann in Verbindung mit einem  Planarisierungsschicht can in conjunction with a
hermetisch dichten flexiblen Substrat, beispielsweise einer Plastikfolie mit Barriereschicht oder insbesondere einer Metallfolie, strukturiert aufgebracht werden. hermetically sealed flexible substrate, such as a plastic film with a barrier layer or in particular a metal foil, are applied in a structured manner.
Durch die Kombination von einer oder mehreren By combining one or more
Planarisierungsschichten und mittels ALD oder PECVD Planarization layers and using ALD or PECVD
aufgebrachten Schichten kann die Polymerfolie auch Applied layers, the polymer film can also
substratseitig sehr gut gegenüber Feuchte und Sauerstoff verkapselt werden, sodass diese für den Einsatz in On the substrate side, they are very well encapsulated with respect to moisture and oxygen, so that they can be used in applications such as
organischen lichtemittierenden Bauelementen, insbesondere in OLEDs, verwendet werden kann. organic light-emitting components, in particular in OLEDs can be used.
Die Erfinder haben erkannt, dass durch das hier beschriebene Verfahren ein günstiger Prozess mit schnelleren Taktzyklen gegenüber anorganischen Metalloxidansätzen bereitgestellt werden kann. Des Weiteren wird durch das Aushärten eine anorganische Planarisierungsschicht erzeugt. Diese The inventors have recognized that the method described herein can provide a more favorable process with faster clock cycles over inorganic metal oxide approaches. Furthermore, the curing produces an inorganic planarization layer. These
anorganische Planarisierungsschicht wird bei niedrigen inorganic planarization layer becomes low
Temperaturen beziehungsweise mittels UV-Strahlung erzeugt. Temperatures or generated by means of UV radiation.
Zudem kann die Planarisierungsschicht mittels In addition, the planarization layer by means of
Flüssigphasenprozessierung leicht hergestellt werden. Es können die Vorteile der Flüssigphasenprozessierung, wie die Geschwindigkeit, oder einfaches strukturiertes Abscheiden mit Vorteilen der anorganischen Planarisierungsschicht, wie fehlendes Ausgasen von organischen Materialien, realisiert werden. Zudem kann ein kostengünstig robustes und flexibles organisches lichtemittierendes Bauelement, insbesondere eine OLED, bereitgestellt werden. Liquid phase processing can be easily produced. The advantages of liquid phase processing, such as the Speed, or simple structured deposition with advantages of the inorganic planarization layer, such as lack of outgassing of organic materials can be realized. In addition, a cost-effective, robust and flexible organic light-emitting component, in particular an OLED, can be provided.
Die Schichten im Bauelement sind im Vergleich zu vielen The layers in the component are compared to many
Polymeren und Siliziumnitrid-Siliziumcarbidmaterialien beziehungsweise deren Schichtkombinationen transparent ausgeformt, da Polymere meist schon im sichtbaren Spektrum ein signifikantes Absorptionsverhalten zeigen. So bleibt beispielsweise bei der Verwendung von Metallfolien auch der metallische Eindruck im Randbereich eines organischen Polymer and silicon nitride silicon carbide materials or their layer combinations formed transparently, since polymers usually already in the visible spectrum show a significant absorption behavior. For example, when metal foils are used, the metallic impression also remains in the edge region of an organic one
lichtemittierenden Bauelements erhalten, der für received light emitting device, the for
Automotivehersteller gewünscht wird. Zudem wird bei  Automotive manufacturer is desired. In addition, at
Verwendung von Polymerfolien die Transparenz des organischen lichtemittierenden Bauelements nicht negativ beeinflusst. Die Planarisierungsschichten haben im Vergleich zu polymeren Isolationsschichten einen geringeren thermischen Use of polymer films does not adversely affect the transparency of the organic light-emitting device. The planarization layers have a lower thermal compared to polymeric insulation layers
Ausdehnungskoeffizienten, was zu einer besseren Stabilität eines organischen lichtemittierenden Bauelements bei Expansion coefficient, resulting in a better stability of an organic light-emitting device at
Temperaturbelastung führt. Insbesondere ist eine bessere Interaktion mit einer anorganischen Verkapselung z.B. A1203 möglich . Temperature load leads. In particular, better interaction with inorganic encapsulation, e.g. A1203 possible.
Die ausgehärtete Planarisierungsschicht weist eine sehr gute planarisierende Wirkung auf, sodass darauf abgeschiedene Metallschichten einen nahezu perfekten Spiegel ergeben. Ein perfekter Spiegeleindruck ist für Automotivehersteller auch bei flexiblen organischen lichtemittierenden Bauelementen äußerst wünschenswert, da dieser Effekt von Bauelementen auf Glassubstraten bekannt ist und als äußerst hochwertig The hardened planarization layer has a very good planarizing effect, so that deposited metal layers give a nearly perfect mirror. A perfect mirror effect is highly desirable for automotive manufacturers even with flexible organic light emitting devices, as this effect of components on Glass substrates is known and considered extremely high quality
eingestuft wird. Dies ist beispielsweise bei Verwendung von siebgedruckten polymeren Planarisierungsisolationsschichten nicht immer gegeben. is classified. This is not always the case, for example, when using screen-printed polymeric planarization insulation layers.
Zudem ist die Haftung von beispielsweise Metallisierungen auf der Planarisierungsschicht gewährleistet. Das flexible In addition, the adhesion of, for example, metallizations on the planarization layer is ensured. The flexible
Substrat wird kompatibel mit den Materialien, die auch in der Herstellung glasbasierter starrer OLEDs verwendet werden können. Substrate becomes compatible with the materials that can also be used in the manufacture of glass-based rigid OLEDs.
Es wird weiterhin ein organisches lichtemittierendes It will continue to be an organic light-emitting
Bauelement angegeben. Vorzugsweise ist das organische Component specified. Preferably, the organic
lichtemittierende Bauelement mit dem oben beschriebenen light-emitting device with the above-described
Verfahren erhältlich. Das heißt, sämtliche Ausführungsformen und Definitionen zum Verfahren sind auch für das organische lichtemittierende Bauelement gültig und umgekehrt. Method available. That is, all embodiments and definitions of the method are also valid for the organic light emitting device and vice versa.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das organische lichtemittierende Bauelement ein Substrat auf. Das Bauelement weist eine erste Elektrode auf, die über dem Substrat In accordance with at least one embodiment, the organic light-emitting component has a substrate. The device has a first electrode overlying the substrate
angeordnet ist. Das Bauelement weist zumindest einen is arranged. The component has at least one
organischen funktionellen Schichtenstapel auf, der zur organic functional layer stack on which to
Emission von Strahlung eingerichtet und zumindest über der ersten Elektrode angeordnet ist. Das Bauelement weist eine zweite Elektrode auf, die über dem organischen funktionellen Schichtenstapel angeordnet ist und insbesondere als Kathode ausgeformt ist. Das Bauelement weist eine Emission of radiation is established and arranged at least over the first electrode. The component has a second electrode, which is arranged above the organic functional layer stack and in particular is formed as a cathode. The device has a
Planarisierungsschicht auf. Die Planarisierungsschicht ist insbesondere zwischen der ersten Elektrode und dem Substrat, vorzugsweise in direktem mechanischem Kontakt zur Elektrode und zum Substrat, angeordnet. Alternativ oder zusätzlich ist die Planarisierungsschicht über der zweiten Elektrode, insbesondere als Teil der Verkapselung, angeordnet. Die Planarisierungsschicht on. The planarization layer is in particular arranged between the first electrode and the substrate, preferably in direct mechanical contact with the electrode and the substrate. Alternatively or additionally, the planarization layer is above the second electrode, especially as part of the encapsulation. The
Planarisierungsschicht wird aus Perhydropolysilazan oder Polysilazan erzeugt. Zusätzlich kann das Bauelement einen Schichtaufbau mit zumindest einem Schichtpaar (10) aufweisen, wobei jedes Planarization layer is produced from perhydropolysilazane or polysilazane. In addition, the device may have a layer structure with at least one pair of layers (10), each one
Schichtpaar aus der Planarisierungsschicht und einer mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Layer pair from the planarization layer and one by means of atom layer deposition method or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht ausgeformt ist, und wobei die mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellte Schicht sowohl eine dem Substrat abgewandte Oberfläche als auch In this case, the layer produced by atomic layer deposition or chemical vapor deposition has both a surface facing away from the substrate and a layer that faces away from the substrate
Seitenflächen der Planarisierungsschicht vollständig umgibt. In Verbindung mit einer Topverkapselung kann eine hermetisch verkapselte flexible OLED ausgeformt werden, wobei das Completely surrounds side surfaces of the planarization layer. In conjunction with a top encapsulation, a hermetically encapsulated flexible OLED can be formed, wherein the
Substrat, das insbesondere flexibel ist, aufgrund der Substrate, which is particularly flexible due to
Glasschicht voll kompatibel mit den Materialien ist, die auch in der Herstellung glasbasierter starrer OLEDs verwendet werden, beispielsweise die Metallisierung. Glass layer is fully compatible with the materials that are also used in the manufacture of glass-based rigid OLEDs, such as metallization.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das organische lichtemittierende Bauelement eine Planarisierungsschicht auf, wobei die Planarisierungsschicht strukturiert ist. In accordance with at least one embodiment, the organic light-emitting component has a planarization layer, wherein the planarization layer is structured.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das organische lichtemittierende Bauelement einen Schichtaufbau auf, wobei der Schichtaufbau zumindest ein Schichtpaar (10) aufweist, wobei jedes Schichtpaar aus der Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Planarisierungsschicht (31) und einer mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer In accordance with at least one embodiment, the organic light-emitting component has a layer structure, the layer structure comprising at least one layer pair (10), each layer pair consisting of the planarization layer (3) or another planarization layer (31) and one by means of atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) oder einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (91, 92, 93) ausgeformt ist, wobei dem zumindest einem Schichtpaar eine weitere Planarisierungsschicht (31) nachgeordnet ist, so dass eine alternierende Abfolge aus Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Planarisierungsschicht (31) und mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gas phase deposition produced layer (9) or another by atomic layer deposition method or chemical A further planarization layer (31) is arranged downstream of the at least one layer pair, so that an alternating sequence of planarization layer (3) or another planarization layer (31) and by means of atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) oder weiterer mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer  Gas phase deposition produced layer (9) or further by means of atomic layer deposition method or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (91, 92) erzeugt ist. Gas phase deposition produced layer (91, 92) is produced.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die According to at least one embodiment, the
Planarisierungsschicht des organischen lichtemittierenden Bauelements einen RMS-Wert von kleiner als 200 nm, bevorzugt von kleiner als 50 nm, besonders bevorzugt von kleiner als 10 nm auf. RMS bezeichnet die quadratische Rauheit und kann mittels Kraftmessung oder Atomkraftmikroskopie (AFM) bestimmt werden. Insbesondere reduziert die Planarisierungsschicht die Rauigkeit . Planarisierungsschicht the organic light emitting device has an RMS value of less than 200 nm, preferably less than 50 nm, more preferably less than 10 nm. RMS denotes the square roughness and can be determined by force measurement or atomic force microscopy (AFM). In particular, the planarization layer reduces the roughness.
Weitere Vorteile und Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Further advantages and embodiments and developments will become apparent from the following in connection with the
Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen: Figures described embodiments. Show it:
Die Figuren 1A bis 5B jeweils eine schematische Darstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements gemäß einer Ausführungsform. FIGS. 1A to 5B each show a schematic illustration of an organic light-emitting component according to an embodiment.
In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne Elemente wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. In the exemplary embodiments and figures, identical, identical or identically acting elements can each be provided with the same reference numerals. The illustrated Elements and their proportions are not to be regarded as true to scale. Rather, individual elements such as layers, components, components and areas for exaggerated representability and / or better understanding may be exaggerated.
Die Figur 1A zeigt eine schematische Seitenansicht eines organischen lichtemittierenden Bauelements 100 gemäß einer Ausführungsform. Das Bauelement 100 wurde insbesondere mit dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt. Das Bauelement weist ein Substrat 1 auf. Insbesondere weist das Substrat 1 eine raue Oberfläche auf. Über dem Substrat 1 ist eine FIG. 1A shows a schematic side view of an organic light-emitting component 100 according to an embodiment. The device 100 was produced in particular by the method described above. The component has a substrate 1. In particular, the substrate 1 has a rough surface. Above the substrate 1 is a
Planarisierungsschicht 3 angeordnet, die aus Planarisierungsschicht 3 arranged, consisting of
Perhydropolysilazan oder Polysilazan hergestellt ist. Die Planarisierungsschicht 3 kann mittels Spin Coating, Slot Die Coating, Spray Coating oder Inkjetdrucken aufgebracht werden. Je nach Aushärtebedingung ergeben sich verschiedene Perhydropolysilazane or polysilazane is produced. The planarization layer 3 can be applied by means of spin coating, slot coating, spray coating or inkjet printing. Depending on the curing condition, different results
Materialeigenschaften. Die Planarisierungsschicht kann mittels UV ausgehärtet werden, beispielsweise mit Xenon-Licht mit einer Wellenlänge von 172 nm. Dadurch entsteht eine sehr dichte siliziumoxynitridartige Schicht. Alternativ kann die Planarisierungsschicht auch mittels Temperatur ausgehärtet werden, wobei eine weniger dichte siliziumdioxidartige Material properties. The planarization layer can be cured by means of UV, for example with xenon light having a wavelength of 172 nm. This results in a very dense silicon oxynitride-like layer. Alternatively, the planarization layer can also be cured by means of temperature, wherein a less dense silicon dioxide-like
Schicht im Vergleich zur siliziumoxynitridartigen Schicht entsteht. Über der Planarisierungsschicht 3 sind eine erste Elektrode 2, ein organischer funktioneller Schichtenstapel 5 und eine zweite Elektrode 6 angeordnet. Layer arises in comparison to the silicon oxynitride-like layer. Above the planarization layer 3, a first electrode 2, an organic functional layer stack 5 and a second electrode 6 are arranged.
Die Figur 1B zeigt eine schematische Seitenansicht eines organischen lichtemittierenden Bauelements 100 gemäß einer Ausführungsform. Das Bauelement 100 der Figur 1B FIG. 1B shows a schematic side view of an organic light-emitting component 100 according to an embodiment. The device 100 of Figure 1B
unterscheidet sich von dem Bauelement 100 der Figur 1A dadurch, dass es zusätzlich eine Verkapselung 7 aufweist. Vorzugsweise weist die Verkapselung 7 eine weitere Planarisierungsschicht 31 auf. Auch diese weitere differs from the device 100 of Figure 1A in that it additionally has an encapsulation 7. The encapsulation 7 preferably has a further planarization layer 31. Also these others
Planarisierungsschicht 31 kann mittels Spin Coating, Slot Die Coating, Spray Coating oder Inkjetdrucken aufgebracht werden. Vorzugsweise gelten alle für die Planarisierungsschicht 3 gemachten Ausführungen auch für die weitere Planarization layer 31 can be applied by spin coating, slot coating, spray coating or inkjet printing. Preferably, all statements made for the planarization layer 3 also apply to the others
Planarisierungsschicht 31 oder die weiteren Planarisierungsschicht 31 or the others
Planarisierungsschichten 31, 32 ,33. Mit anderen Worten kann ein Bauelement 100 zur Verfügung gestellt werden, das sowohl eine Planarisierungsschicht 3 zwischen dem Substrat 1 und der ersten Elektrode 2 als auch über der zweiten Elektrode 6 aufweist. Die Planarization layers 31, 32, 33. In other words, a device 100 can be provided which has both a planarization layer 3 between the substrate 1 and the first electrode 2 and also over the second electrode 6. The
Planarisierungsschichten 3, 31 können zur Planarisierung oder als Barriere wirken. Die Verkapselung 7 kann neben der weiteren Planarisierungsschicht 31 mittels ALD oder CVD hergestellte weitere Schichten aufweisen.  Planarization layers 3, 31 can act for planarization or as a barrier. The encapsulation 7 may have, in addition to the further planarization layer 31, further layers produced by means of ALD or CVD.
Die Figur 2 zeigt eine schematische Seitenansicht eines organischen lichtemittierenden Bauelements 100 gemäß einerFIG. 2 shows a schematic side view of an organic light-emitting component 100 in accordance with FIG
Ausführungsform. Das Bauelement 100 weist ein Substrat 1 auf. Insbesondere ist das Substrat 1 eine Metallfolie oder eine Plastikfolie und ist hermetisch dicht. Über dem Substrat 1 ist eine Planarisierungsschicht 3 strukturiert aufgebracht. Die Planarisierungsschicht 3 weist eine kleinere laterale Ausdehnung im Querschnitt auf als das Substrat 1. Über der Planarisierungsschicht 3 sind eine erste Elektrode 2 und Metallisierungen 8 angeordnet. Zwischen der ersten Elektrode 2 und der zweiten Elektrode 6 ist eine Isolierung angeordnet, um einen Kurzschluss zu vermeiden (hier nicht gezeigt) . Über der ersten Elektrode 2 sind ein organischer funktioneller Schichtenstapel 5 und darüber eine zweite Elektrode 6 Embodiment. The device 100 has a substrate 1. In particular, the substrate 1 is a metal foil or a plastic foil and is hermetically sealed. Above the substrate 1, a planarization layer 3 is applied in a structured manner. The planarization layer 3 has a smaller lateral extent in cross-section than the substrate 1. Above the planarization layer 3, a first electrode 2 and metallizations 8 are arranged. Insulation is arranged between the first electrode 2 and the second electrode 6 to avoid a short circuit (not shown here). Above the first electrode 2 are an organic functional layer stack 5 and above a second electrode 6
angeordnet. Das Bauelement 100 der Figur 2 weist zudem eine Verkapselung 7 auf. Das Bauelement 100 der Figur 2 kann eine weitere Planarisierungsschicht 31 aufweisen, die auch Teil der Verkapselung 7 sein kann. Die Verkapselung 7 und das Substrat 1 schützen zumindest den organischen funktionellen Schichtenstapel 5 vor Umwelteinflüssen und bilden eine hermetisch dichte Verkapselung. Durch das Aufbringen der Planarisierungsschicht 3 auf die Substratoberfläche 1 ist das Substrat kompatibel mit anderen Materialien, die auch in der Herstellung glasbasierter starrer Bauelemente verwendet werden. Beispielsweise gibt es nun keine Haftungsprobleme zwischen der Metallisierung 8 und der Planarisierungsschicht 3. arranged. The device 100 of Figure 2 also has a Encapsulation 7 on. The component 100 of FIG. 2 may have a further planarization layer 31, which may also be part of the encapsulation 7. The encapsulation 7 and the substrate 1 protect at least the organic functional layer stack 5 from environmental influences and form a hermetically sealed encapsulation. By applying the planarization layer 3 to the substrate surface 1, the substrate is compatible with other materials that are also used in the manufacture of glass-based rigid devices. For example, there are now no adhesion problems between the metallization 8 and the planarization layer 3.
Zudem kann die Planarisierungsschicht 3 mittels In addition, the planarization layer 3 by means of
nasschemischer Verfahren aufgebracht werden, so dass keine Rückstrukturierung notwendig ist. wet-chemical process are applied so that no restructure is necessary.
Die Figuren 3A bis 3D zeigen jeweils einen Schichtaufbau gemäß einer Ausführungsform. Der Schichtaufbau weist eine Planarisierungs- und eine Barrierewirkung gleichzeitig auf. FIGS. 3A to 3D each show a layer structure according to an embodiment. The layer structure has a planarization and a barrier effect simultaneously.
In Figur 3A ist ein Schichtaufbau aus einem Schichtpaar 3 und 9 zu sehen. Das Schichtpaar 10 weist eine FIG. 3A shows a layer structure of a pair of layers 3 and 9. The layer pair 10 has a
Planarisierungsschicht 3 und eine mittels Planarisierungsschicht 3 and a means
Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht 9, die insbesondere ein Metalloxid aufweist, auf. Über der Atomschichtabscheideverfahren produced layer 9, which has in particular a metal oxide on. Above the
Metalloxidschicht ist eine weitere Planarisierungsschicht 31 angeordnet . In Figur 3B ist nur ein Schichtpaar 10 gezeigt, wobei die mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht 9 über der Planarisierungsschicht 3 angeordnet ist. Die Figur 3C zeigt den umgekehrten Fall, wobei die mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht 9 unterhalb der Planarisierungsschicht 3 angeordnet ist. Die mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht 9 kann aber auch mit einem anderen Verfahren, beispielsweise PVD oder PECVD oder mittels Sputtern, hergestellt werden. Vorzugsweise wird ALD verwendet, da damit ein homogenes Schichtwachstum mit daraus sehr guter Barrierewirkung erzielt werden kann. Metal oxide layer is arranged another planarization layer 31. Only one layer pair 10 is shown in FIG. 3B, the layer 9 produced by means of atom layer deposition processes being arranged above the planarization layer 3. FIG. 3C shows the opposite case, whereby the layer 9 produced by means of atomic layer deposition processes is arranged below the planarization layer 3. However, the layer 9 produced by means of atomic layer deposition can also be produced by another method, for example PVD or PECVD or by sputtering. Preferably, ALD is used, as it allows a homogeneous layer growth with a very good barrier effect can be achieved.
In Figur 3D ist das strukturierte Aufbringen einer In Figure 3D, the structured application of a
Planarisierungsschicht 3 gezeigt, wobei anschließend eine mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht 9 aufgebracht ist. Die mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht 9 umgibt sowohl die Oberfläche als auch die Seitenflächen der Planarisierungsschicht 3 vollständig. Der mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht 9 ist eine weitere Planarisierungsschicht 31 nachgeordnet, die die Seitenflächen als auch die Oberflächen der mittelsPlanarisierungsschicht 3, wherein subsequently produced by means of atom layer deposition process layer 9 is applied. The layer 9 produced by atomic layer deposition completely surrounds both the surface and the side surfaces of the planarization layer 3. The layer 9 produced by means of atomic layer deposition process is followed by a further planarization layer 31, which the side surfaces and the surfaces of the means of
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht 9 form- und Stoffschlüssig umgibt. Atomschichtabscheideverfahren produced layer 9 positively and cohesively surrounds.
Durch die Strukturierung kann ein seitliches Eindringen von Umwelteinflüssen vermieden oder verhindert werden. By structuring, a lateral penetration of environmental influences can be avoided or prevented.
Die Figur 4A zeigt eine schematische Seitenansicht eines Schichtpaares gemäß einer Ausführungsform. Im Vergleich zum Schichtpaar 10 der Figur 3A zeigt das Schichtpaar 10 der Figur 4A ein Schichtpaar aus einer Planarisierungsschicht 9 und einer mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht 9, wobei die Planarisierungsschicht 3 zwischen der mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht 9 und einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht 91 angeordnet ist. FIG. 4A shows a schematic side view of a layer pair according to an embodiment. In comparison with the layer pair 10 of FIG. 3A, the layer pair 10 of FIG. 4A shows a layer pair of a planarization layer 9 and a layer 9 produced by means of atom layer deposition processes, the planarization layer 3 being between the layer 9 produced by means of atomic layer deposition processes and another layer 91 produced by atomic layer deposition method.
In Figur 4B ist im Vergleich zur Figur 4A gezeigt, dass die Planarisierungsschicht 3 strukturiert aufgebracht ist. In FIG. 4B, in comparison to FIG. 4A, it is shown that the planarization layer 3 is applied in a structured manner.
Die Figuren 5A und 5B zeigen jeweils einen Schichtaufbau gemäß einer Ausführungsform. Beide Figuren zeigen zwei FIGS. 5A and 5B each show a layer structure according to an embodiment. Both figures show two
Schichtpaare 10 aus einer Planarisierungsschicht 3 und einer mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht 9 beziehungsweise einer weiteren Planarisierungsschicht 31 und einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren Layer pairs 10 from a planarization layer 3 and a layer 9 produced by means of atom layer deposition process or a further planarization layer 31 and another by means of atom layer deposition process
hergestellten Schicht 91. Den beiden Schichtpaaren 10 ist eine weitere mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht 92 nachgeordnet, sodass eine alternierende Anordnung von Planarisierungsschicht und mittels Layer 91 which is produced by means of atom layer deposition processes is arranged downstream of the two layer pairs 10, so that an alternating arrangement of planarization layer and by means of
Atomlagenabscheideverfahren hergestellte Schicht erzeugt wird . Der Schichtaufbau der Figur 5B unterscheidet sich von dem Schichtaufbau der Figur 5A dadurch, dass die  Atomschichtabscheideverfahren produced layer is produced. The layer structure of FIG. 5B differs from the layer structure of FIG. 5A in that the
Planarisierungsschichten 3 und 31 strukturiert aufgebracht sind. Mit anderen Worten weisen die Planarisierungsschichten eine geringere laterale Ausdehnung im Querschnitt auf im Vergleich zu den mittels Atomlagenabscheideverfahren Planarisierungsschichten 3 and 31 are applied structured. In other words, the planarizing layers have a smaller lateral extent in cross section compared to those by means of atomic layer deposition methods
hergestellten Schichten 9, 91 und 92. produced layers 9, 91 and 92.
Es können auch mehr als zwei Schichtpaare, beispielsweise drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun oder zehn There may also be more than two pairs of layers, for example three, four, five, six, seven, eight, nine or ten
Schichtpaare, als Schichtaufbau erzeugt werden. Damit kann ein Schichtaufbau erzeugt werden, der neben der Layer pairs are generated as a layer structure. Thus, a layer structure can be generated, in addition to the
Planarisierung auch eine sehr gute Barrierewirkung aufweist. Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Planarization also has a very good barrier effect. The ones described in connection with the figures
Ausführungsbeispiele und deren Merkmale können gemäß weiterer Ausführungsbeispiele auch miteinander kombiniert werden, auch wenn solche Kombinationen nicht explizit in den Figuren gezeigt sind. Weiterhin können die in Verbindung mit denEmbodiments and their features can also be combined with each other according to further embodiments, even if such combinations are not explicitly shown in the figures. Furthermore, in conjunction with the
Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele zusätzliche oder alternative Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand derFigures embodiments described additional or alternative features as described in the general part. The invention is not by the description based on the
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Embodiments limited to these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly described in the claims
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.  Claims or embodiments is given.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2016 106 847.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2016 106 847.0, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
Bezugs zeichenliste Reference sign list
1 Substrat 1 substrate
10 Schichtpaar  10 layer pair
100 organisches lichtemittierendes Bauelement 100 organic light emitting device
2 erste Elektrode 2 first electrode
3 PIanarisierungsSchicht  3 PIanarization layer
31 weitere Planarisierungsschicht  31 additional planarization layer
4 Perhydropolysilazan oder Polysilazan  4 perhydropolysilazane or polysilazane
5 organischer funktioneller Schichtenstapel 5 organic functional layer stacks
6 zweite Elektrode 6 second electrode
7 Verkapselung  7 encapsulation
8 Metallisierung  8 metallization
9 eine mittels ALD hergestellte Schicht  9 shows a layer made by ALD
91 eine mittels ALD hergestellte weitere Schicht  91, a further layer produced by ALD

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zur Herstellung eines organischen 1. A process for producing an organic
lichtemittierenden Bauelements (100) mit den Schritten: light emitting device (100) comprising the steps of:
A) Bereitstellen eines Substrats (1), A) providing a substrate (1),
B) Aufbringen einer ersten Elektrode (2) auf das Substrat B) applying a first electrode (2) to the substrate
(1) , (1) ,
C) Aufbringen zumindest eines organischen funktionellen  C) applying at least one organic functional
Schichtenstapels (5) , der zur Emission von Strahlung Layer stack (5), which is responsible for the emission of radiation
eingerichtet und zumindest über der ersten Elektrode (2) angeordnet ist, is arranged and arranged at least over the first electrode (2),
D) Aufbringen einer zweiten Elektrode (6) über dem  D) applying a second electrode (6) over the
organischen funktionellen Schichtenstapel (5) , und organic functional layer stack (5), and
E) Aufbringen von Perhydropolysilazan (4) mittels  E) application of perhydropolysilazane (4) by means of
nasschemischer Verfahren und Aushärten von wet chemical method and curing of
Perhydropolysilazan (4) zur Erzeugung zumindest einer  Perhydropolysilazane (4) for producing at least one
Planarisierungsschicht (3) , die zwischen der ersten ElektrodePlanarisierungsschicht (3) between the first electrode
(2) und dem Substrat (1) und/oder über der zweiten Elektrode (6) angeordnet ist, (2) and the substrate (1) and / or over the second electrode (6) is arranged,
wobei im Schritt E) ein Schichtaufbau mit zumindest einemwherein in step E) a layer structure with at least one
Schichtpaar (10) erzeugt wird und jedes Schichtpaar aus der Planarisierungsschicht (3) und einer mittels Layer pair (10) is generated and each layer pair of the planarization layer (3) and a means
Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) ausgeformt wird, und Gas phase deposition produced layer (9) is formed, and
wobei die mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellte Schicht (9) sowohl eine dem Substrat (1) abgewandte Oberfläche als auch Seitenflächen der Planarisierungsschicht (3) vollständig umgibt. wherein the layer (9) produced by means of atomic layer deposition or chemical vapor deposition completely surrounds both a surface facing away from the substrate (1) and side surfaces of the planarization layer (3).
2. Verfahren nach Anspruch 1, 2. The method according to claim 1,
wobei der mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) eine weitere Planarisierungsschicht (31) nachgeordnet ist, die Seitenflächen als auch eine dem Substrat (9) abgewandte wherein the layer produced by atomic layer deposition method or chemical vapor deposition layer (9) another Planarisierungsschicht (31) is arranged downstream of the side surfaces and one the substrate (9)
Oberfläche der mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) formschlüssig und Stoffschlüssig umgibt. Surface of the layer produced by means of Atomlagenabscheideverfahren or chemical vapor deposition layer (9) positively and cohesively surrounds.
3. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 3. Method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei das nasschemische Verfahren aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Slot Die Coating, Spray Coating, Inkjet, Siebdruck, Spin Coating, Tiefdruck, Flexodruck und Schablonendruck umfasst . wherein the wet chemical process is selected from the group consisting of coating, coating, spray coating, inkjet, screen printing, spin coating, gravure printing, flexographic printing and stencil printing.
4. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 4. Method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei über der zweiten Elektrode (6) ein Schichtenstapel zur Verkapselung (7) aufgebracht wird, der die wherein over the second electrode (6), a layer stack is applied to the encapsulation (7), the
Planarisierungsschicht (3) umfasst. Planarisierungsschicht (3).
5. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 5. The method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei die Aushärtung im Schritt E) bei einer Temperatur von größer oder gleich 80 °C erfolgt. wherein the curing in step E) takes place at a temperature of greater than or equal to 80 ° C.
6. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 6. Method according to at least one of the preceding
Ansprüche 1 bis 4, Claims 1 to 4,
wobei die Aushärtung im Schritt E) mittels UV-Licht erfolgt. wherein the curing in step E) takes place by means of UV light.
7. Verfahren nach Anspruch 6, 7. The method according to claim 6,
wobei das UV-Licht Xenon-Licht mit einer Wellenlänge von 172 +/- 3 nm ist. wherein the UV light is xenon light having a wavelength of 172 +/- 3 nm.
8. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 8. Method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei die Planarisierungsschicht (3) direkt zwischen der ersten Elektrode (2) und dem Substrat (1) angeordnet ist. wherein the planarization layer (3) is disposed directly between the first electrode (2) and the substrate (1).
9. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 9. Method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei die Planarisierungsschicht (3) strukturiert aufgebracht wird, so dass die Planarisierungsschicht (3) im Querschnitt eine kleinere laterale Ausdehnung als das Substrat aufweist, wobei das Bauelement eine Verkapselung (7) aufweist, wobei die Planarisierungsschicht (3), die Verkapselung (7) und das Substrat (1) eine Diffusionsbarriere gegenüber wherein the planarization layer (3) is applied in a structured manner such that the planarization layer (3) has a smaller lateral extent than the substrate in cross section, wherein the component has an encapsulation (7), the planarization layer (3), the encapsulation (7). and the substrate (1) faces a diffusion barrier
Umwelteinflüssen ist. Environmental influences is.
10. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 10. The method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei ein Schichtaufbau mit zumindest einem Schichtpaar (10) erzeugt wird, wobei jedes Schichtpaar aus der wherein a layer structure with at least one layer pair (10) is produced, wherein each layer pair of the
Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Planarisierungsschicht (3) or another
Planarisierungsschicht (31) und einer mittels Planarisierungsschicht (31) and a means of
Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) oder einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (91, 92, 93) ausgeformt wird, wobei dem zumindest einem Schichtpaar eine weitere Planarisierungsschicht (31) nachgeordnet ist, so dass eine alternierende Abfolge aus Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Planarisierungsschicht (31) und mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gas phase deposition produced layer (9) or another produced by atomic layer deposition or chemical vapor deposition layer (91, 92, 93) is formed, wherein the at least one pair of layers is arranged downstream of another planarization layer (31), so that an alternating sequence of planarization layer (3) or another planarization layer (31) and by means of atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) oder weiterer mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (91, 92) erzeugt wird . Gas phase deposition produced layer (9) or further by means of atomic layer deposition method or chemical Gas phase deposition produced layer (91, 92) is produced.
11. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 11. The method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei ein Schichtaufbau mit zumindest einem Schichtpaar (10) erzeugt wird, wobei jedes Schichtpaar aus der wherein a layer structure with at least one layer pair (10) is produced, wherein each layer pair of the
Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Planarisierungsschicht (3) or another
Planarisierungsschicht (31) und einer mittels Planarisierungsschicht (31) and a means of
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht (9) oder einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren Atomschichtabscheideverfahren produced layer (9) or another means of Atomlagenabscheideverfahren
hergestellten Schicht (91, 92, 93) ausgeformt wird, wobei dem zumindest einem Schichtpaar eine weitere mittels formed layer (91, 92, 93) is formed, wherein the at least one pair of layers another means
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht (91, 92, 93) nachgeordnet ist, so dass eine alternierende Abfolge aus Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Atomschichtabscheideverfahren produced layer (91, 92, 93) is arranged downstream, so that an alternating sequence of planarization layer (3) or another
Planarisierungsschicht (31) und mittels Planarisierungsschicht (31) and means
Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht (9) oder weiterer mittels Atomlagenabscheideverfahren hergestellten Schicht (91, 92) erzeugt wird.  Atomschichtabscheideverfahren produced layer (9) or other produced by atomic layer deposition method layer (91, 92) is produced.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, 12. The method according to claim 10 or 11,
wobei der Schichtaufbau Teil einer Verkapselung ist. wherein the layer structure is part of an encapsulation.
13. Verfahren nach Anspruch 10, 11 oder 12, 13. The method according to claim 10, 11 or 12,
wobei der Schichtaufbau mehr als zwei Schichtpaare (10) aufweist und die mittels Atomlagenabscheideverfahren wherein the layer structure has more than two pairs of layers (10) and by means of Atomlagenabscheideverfahren
hergestellten Schichten jeweils aus einem Metalloxid, Carbid, Nitrid oder Metallnitrid geformt sind. each formed of a metal oxide, carbide, nitride or metal nitride are formed.
14. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden 14. Method according to at least one of the preceding
Ansprüche, Claims,
wobei das Substrat (1) flexibel ist. wherein the substrate (1) is flexible.
15. Organisches lichtemittierendes Bauelement (100) 15. Organic light-emitting component (100)
aufweisend including
- ein Substrat (1),  a substrate (1),
- eine erste Elektrode (2), die über dem Substrat (1) angeordnet ist,  a first electrode (2) arranged above the substrate (1),
- zumindest einen organischen funktionellen Schichtenstapel (5) , der zur Emission von Strahlung eingerichtet und  - At least one organic functional layer stack (5), which is set up for the emission of radiation and
zumindest über der ersten Elektrode (2) angeordnet ist,at least above the first electrode (2) is arranged
- eine zweite Elektrode (6), die über dem organischen - A second electrode (6), which is above the organic
funktionellen Schichtenstapel (5) angeordnet ist, functional layer stack (5) is arranged,
- eine Planarisierungsschicht (3) , die zwischen der ersten Elektrode (2) und dem Substrat (1) und/oder über der zweiten Elektrode (6) angeordnet ist, wobei die  a planarization layer (3) arranged between the first electrode (2) and the substrate (1) and / or over the second electrode (6), wherein the
Planarisierungsschicht (3) aus Perhydropolysilazan (4) erzeugt ist, Planarisierungsschicht (3) of Perhydropolysilazan (4) is generated,
- ein Schichtaufbau mit zumindest einem Schichtpaar (10), wobei jedes Schichtpaar aus der Planarisierungsschicht (3) und einer mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) ausgeformt ist, und  a layer structure comprising at least one layer pair (10), each layer pair being formed from the planarization layer (3) and a layer (9) produced by means of atomic layer deposition or chemical vapor deposition, and
wobei die mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellte Schicht (9) sowohl eine dem Substrat (1) abgewandte Oberfläche als auch Seitenflächen der Planarisierungsschicht (3) vollständig umgibt. wherein the layer (9) produced by means of atomic layer deposition or chemical vapor deposition completely surrounds both a surface facing away from the substrate (1) and side surfaces of the planarization layer (3).
16. Bauelement nach Anspruch 15, 16. Component according to claim 15,
wobei die Planarisierungsschicht (3) strukturiert ist. wherein the planarization layer (3) is structured.
17. Bauelement nach Anspruch 15 oder 16, 17. Component according to claim 15 or 16,
wobei ein Schichtaufbau zumindest ein Schichtpaar (10) aufweist, wobei jedes Schichtpaar aus der wherein a layer structure has at least one layer pair (10), each layer pair being made of the
Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Planarisierungsschicht (3) or another
Planarisierungsschicht (31) und einer mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Planarisierungsschicht (31) and a means of Atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) oder einer weiteren mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (91, 92, 93) ausgeformt ist, wobei dem zumindest einem Schichtpaar eine weitere Planarisierungsschicht (31) nachgeordnet ist, so dass eine alternierende Abfolge aus Planarisierungsschicht (3) oder einer weiteren Planarisierungsschicht (31) und mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer A further planarization layer (31) is produced downstream of the at least one layer pair, so that an alternating sequence of planarization layer (3) is formed downstream of the layer (9) produced by atomic layer deposition or chemical vapor deposition. or another planarization layer (31) and by means of atomic layer deposition or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (9) oder weiterer mittels Atomlagenabscheideverfahren oder chemischer Gas phase deposition produced layer (9) or further by means of atomic layer deposition method or chemical
Gasphasenabscheidung hergestellten Schicht (91, 92) erzeugt ist . Gas phase deposition produced layer (91, 92) is produced.
18. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die Planarisierungsschicht (3) einen RMS-Wert von kleiner als 200 nm aufweist. 18. The device according to at least one of claims 15 to 17, wherein the planarization layer (3) has an RMS value of less than 200 nm.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020140347A1 (en) * 2001-03-29 2002-10-03 Weaver Michael Stuart Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
JP2003118030A (en) * 2001-10-16 2003-04-23 Asahi Glass Co Ltd Gas-barrier organic base material and electroluminescent element using the base material
JP2013188942A (en) * 2012-03-14 2013-09-26 Konica Minolta Inc Method of manufacturing water vapor barrier film, water vapor barrier film and electronic apparatus
JP2014151571A (en) * 2013-02-08 2014-08-25 Konica Minolta Inc Gas barrier film, production method of the same and electronic device including the gas barrier film

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4185341B2 (en) * 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 Multilayer barrier film structure, organic electroluminescence display panel, and manufacturing method
JP5533585B2 (en) * 2010-11-18 2014-06-25 コニカミノルタ株式会社 Gas barrier film manufacturing method, gas barrier film, and electronic device
JP5716752B2 (en) * 2010-12-27 2015-05-13 コニカミノルタ株式会社 Method for producing gas barrier film, gas barrier film and electronic device
US8999497B2 (en) * 2011-12-13 2015-04-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Barrier film for electronic device and method of manufacturing the same
JPWO2014126063A1 (en) * 2013-02-15 2017-02-02 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
DE102013101598B9 (en) * 2013-02-18 2023-10-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Method for producing an optoelectronic semiconductor component

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020140347A1 (en) * 2001-03-29 2002-10-03 Weaver Michael Stuart Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
JP2003118030A (en) * 2001-10-16 2003-04-23 Asahi Glass Co Ltd Gas-barrier organic base material and electroluminescent element using the base material
JP2013188942A (en) * 2012-03-14 2013-09-26 Konica Minolta Inc Method of manufacturing water vapor barrier film, water vapor barrier film and electronic apparatus
JP2014151571A (en) * 2013-02-08 2014-08-25 Konica Minolta Inc Gas barrier film, production method of the same and electronic device including the gas barrier film

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