WO2017159879A1 - 試料積載プレート及びその製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the other ceramic material is not limited to an example has been described using Al 2 O 3 ceramic substrate 1 in the embodiment, the composite material of the porcelain and ceramics, glass, Si, etc. may be used plastic .
- the example which used Ni, Ti, and Al as the 1st metal film 2M was demonstrated, it is not limited to this, You may use other metals, such as chromium and gold
- Al 2 O 3 as a material of the dielectric film, TiO 2 has been described an example using SiO 2 MgO not limited to this and may be other dielectric materials such as MgF 2, ZrO 2.
- a hydrophobic film 5 having a higher hydrophobicity than the optical multilayer film 2A is formed on the outer surface of the sample loading spot 10 (on the optical multilayer film 2A).
- the hydrophobic film 5 is not formed on the island portion inside the sample loading spot 10.
- FIG. 9 is a process diagram showing a first method for manufacturing the sample loading plate 110.
- FIG. 10 is a process diagram showing a second manufacturing method of the sample stacking plate 110.
- each sample 200 is dried in that state.
- the sample loading spot 10 on the sample loading plate 100 is such that the exposed portion 6 is formed near the inner center of the outer periphery 22 of the sample loading spot 10, that is, near the center of the island 21. Since the anchor effect that remains in the vicinity of the center is higher than when only the groove 3 is formed, it is difficult to move even with vibrations, and can be stably held during dripping, thus facilitating the work.
- the sample 200 on the sample loading plate 100 can be analyzed in the same manner as in the first embodiment by the mass spectrometer 300 similar to that described with reference to FIG. 6B in the first embodiment.
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Abstract
Description
さらに、上記基板の上記導電性表面が粗面に形成されているとよい。
さらに、上記基板が、絶縁性の基材と、上記基材の表面に形成され上記導電性表面を形成する導電膜とを備えているとよい。
さらに、上記試料積載スポットより外側では表面が疎水性であるとよい。
さらに、上記絶縁膜が、光学多層膜であるとよい。
さらに、上記光学多層膜は、誘電体膜または金属膜が少なくとも2層以上積層形成されており可視光の波長領域において上記試料とは異なる色を呈するとよい。
さらに、上記基板が、絶縁性の基材と上記基材の表面に形成され上記導電性表面を形成する導電膜とを備え、上記最表面よりも親水性のある面が、上記基材の上記表面であるとよい。
また、上記の各試料積載プレートにおいて、上記基材をセラミックスによって構成するとよい。
さらに、上記露出部に接続部が設けられ、上記試料積載スポットの内部の上記導電性表面と上記試料積載スポットの外部の上記導電性表面とが上記露出部によって完全に切断されることなく少なくとも一部で電気的に導通しているとよい。
さらに、上記露出部と上記絶縁膜とで、明確に区別がつくように色に差があるとよい。
あるいは、上記基板が絶縁性の基材と上記基材の表面に形成された導電膜とを備えており、上記表面加工工程を、上記基材上に上記導電膜を形成した後、上記導電膜を粗面に加工する工程とするとよい。
また、上記の各試料積載プレートの製造方法において、上記絶縁膜形成工程の後に、上記絶縁膜上の少なくとも上記試料積載スポットの外側の領域に疎水膜を形成する疎水膜形成工程を設けるとよい。
はじめに、本発明に係る試料積載プレートの第1の実施形態である試料積載プレート100について図1A~図6Bを用いて説明する。図1Aは試料積載プレート100の構成を説明するための平面図であり、図1Bは図1Aの試料積載プレート100の試料積載スポット10付近の符号Hで示す部分の拡大図である。図2は、図1Bの試料積載スポット付近の構造を示すI-I線に沿った断面図であり、図3A及び図3Bは、図2の基板及び積層される第1の金属膜と光学多層膜の構成例を示す図(表)である。図4は、光学多層膜の表面に疎らに第1の金属膜が露出した状態を説明するための模式的な拡大断面図である。図5Aは、光学多層膜の干渉による着色原理を説明するための模式的な断面図であり、図5Bは、試料と試料積載プレートとのコントラストを説明するグラフである。図6Aは、試料積載スポットに試料を積載した状態を説明するための部分断面図であり、図6Bは、質量分析装置の動作を説明するための模式図である。
まず、試料積載プレートの構成について図1A及び図1Bを用いて説明する。図1Aは、試料積載プレートを視認面側から見た平面図であり、図1Bは、図1Aの試料積載プレートに形成された試料積載スポットのH部拡大図である。
次に、図4を用いて基板1に積層される光学多層膜2Aが疎らに形成され、疎らに形成された光学多層膜2Aの隙間に第1の金属膜2Mが露出した状態について詳しく説明する。図4は、図2に示す試料積載プレート100の断面の一部を模式的に拡大した断面図であり説明しやすくするために表面状態を誇張して示している。
次に、試料積載プレートの着色及び試料の視認性に関して図5を用いて説明する。図5Aは、基板1に光学多層膜2Aを形成した場合の光の干渉について説明するための模式的な断面図である。図5Bは、光学多層膜2Aにより着色した試料積載プレート100の反射特性を示し、試料の視認性(見やすさ)を、金属製の他の試料積載プレートと比較したグラフである。
次に、試料の質量分析を行う動作について図6A及び図6Bを用いて説明する。ここでは主に試料積載プレート及び試料のイオン化に係る部分を説明し、他は原理的な説明にとどめ詳細は省略する。図6Aは、前述した試料積載プレート100に試料200を積載した状態を示し、図6Bは、質量分析装置300に試料が積載された試料積載プレートを載置した状態を示す模式図である。
以上説明したように、第1の実施形態によれば次に示す効果を得られる。
第1の実施形態の試料積載プレート100は、MALDI法の質量分析に使用される試料積載プレートにおいて、絶縁性を有し粗面が形成された基板1と、表面に積層される第1の金属膜2Mと光学多層膜2Aとを備え、第1の金属膜2Mの表面に光学多層膜2Aが疎らに形成され、疎らに形成された光学多層膜2Aの隙間に第1の金属膜2Mが露出した状態の表面が形成されている。この場合において、第1の金属膜2Mが、基板1の導電性表面を構成する導電膜に該当し、表面が絶縁性の光学多層膜2Aが、絶縁膜に該当する。
以上の構造により、第1の金属膜2Mが露出した表面が電極として機能し、質量分析のレーザ光の照射時において試料成分がイオン化するときに、試料積載プレート100に印加される電圧が、第1の金属膜2Mが露出した表面からイオンに有効に電界を与えることができる。この結果、試料がチャージアップすることなく適正なイオン化が可能となり精度の高い質量分析が可能となる。
次に、本発明に係る試料積載プレートの第2の実施形態の試料積載プレート110について図7を用いて説明し、また、第3の実施形態の試料積載プレート120について図8を用いて説明する。図7は、第2の実施形態の試料積載プレート110の部分断面図であり第1の実施形態の図6Aとの比較で説明する。また、図8は、第3の実施形態の試料積載プレート120の部分断面図であり同様に図6Aとの比較で説明する。
第2の実施形態の特徴は、試料積載スポット10の外側の光学多層膜の表面に光学多層膜より高い疎水性を有する疎水膜5が形成されている点である。
第3の実施形態の特徴は、試料積載スポット10の外側及びアイランド部の両方の光学多層膜の表面に光学多層膜より高い疎水性を有する疎水膜5が形成されている点である。
ともに試料のアンカー効果の強化を目的としたものであり、試料積載プレートの他の構成は基本的に同様であるので、説明にあっては同一要素には同一番号または同一符号を付し、重複する説明は省略する。
次に、第2の実施形態の試料積載プレート110の製造方法について図9及び図10を用いて説明する。尚、試料積載プレート100及び試料積載プレート120の製造方法については製造方法の相違点を後述する。
第2の製造方法の特徴は、基板にまず第1の金属膜を形成しその第1の金属膜の表面に粗面を形成したあとに光学多層膜を積層形成することで光学多層膜が疎らに形成できるようにする製造方法である。
2つの製造方法の他の製造工程は基本的に同様であるので、説明にあっては同一要素には同一番号または同一符号を付し、重複する説明は省略する。
この発明の試料積載プレートの製造方法の第1実施形態として、図9において、試料積載プレート110の第1の製造方法についてS310~S370の主要な工程を図示し説明する。尚、各工程において特定の記載がない限りそれぞれの工程に必要な一般的な例えば、移送、検査、洗浄、乾燥、アニール等の作業を行うことは当然のこととし、それらの説明は省略する。
まず、基板受け入れ工程S310では、基板1の平面度及び表面粗さの検査を行い、所定の平面度、表面粗さであることを確認する。
次に、基板表面加工工程S320では、基板1に粗面加工を施す。例えば、ラッピング加工やポリッシング加工によって所定の表面粗さを、例えば、Ra0.3μm以上に仕上げる。尚、本工程での主要な検査項目は基板の表面粗さ及び平面度である。
次に、第1の金属膜形成工程S330では、第1の金属膜2Mを形成する。例えば、真空蒸着やスパッタリング等の成膜方法を用い、例えば、Niを厚さ300nmに形成する。このとき、できるだけ均一な膜とするために成膜粒子の照射方向は垂直方向が望ましい(破線矢印2M参照)。
次に、光学多層膜形成工程S340では光学多層膜2Aを積層形成する。例えば、真空蒸着やスパッタリング等の成膜方法によって、例えば、2c層=Al2O3を厚さ64nm、2b層=Tiを厚さ8nm、2c層=SiO2を厚さ68nmに順に形成する。この工程では光学多層膜2Aの各膜層は比較的薄いので、第1の金属膜2M表面に光学多層膜2Aが疎らに形成され、光学多層膜2Aの隙間から第1の金属膜2Mが露出して形成される(実線矢印2M参照)。このとき、光学多層膜2Aを疎らに形成されやすくするために各成膜粒子を斜めに照射させることが望ましい(破線矢印2A参照)。尚、本工程での主要な検査項目は表面の導電性である。
次に、疎水膜形成工程S350では、前工程で形成された光学多層膜2Aの表面に疎水膜5を積層形成する。例えば、真空蒸着等の成膜方法によって、例えば、C(炭素)またはF(フッ素)またはSi(シリコン)を含む撥水材またはそれらの複合された撥水材を、例えば、2nmの厚さに形成する。このとき、前工程S340と同様の理由により疎水膜5の成膜粒子sを斜めに照射させるようにすることが望ましい(破線矢印s参照)。尚、本工程での主要な検査項目は、疎水膜表面の濡れ性(疎水性)と導電性である。
次に、溝形成工程S360では、試料積載スポット10を形成する溝3を形成する。例えば、レーザマーキング法等の加工方法によって疎水膜5、光学多層膜2A、第1の金属膜2Mを貫通し基板1の表面が露出するまで各膜層を剥離加工する。また、他のアドレスマーク、バーコードなども同時に加工することが望ましい。尚、本工程での主要な検査項目は基板1の露出表面の濡れ性(親水性)である。
最後に、疎水膜除去工程S370では、試料積載スポット10の内側に形成された疎水膜5を剥離する。例えば、プラズマエッチング等の加工方法により、試料積載スポット10の外側にはマスク7(詳しい説明は省略する)を形成し疎水膜5を剥離する。このとき、プラズマエッチングの加工時間と照射角度を調整して試料積載スポット表面の導電性を調整してもよい。尚、本工程での主要な検査項目は試料積載スポット表面の濡れ性(親水性)と導電性である。
この発明の試料積載プレートの製造方法の第2実施形態として、図10において、試料積載プレート110の第2の製造方法についてS410~S470の主要な工程を図示する。第2の製造方法が第1の製造方法と異なるところは、工程S420において基板1の表面にまず第1の金属膜2Mを形成し、次の工程S430において第1の金属膜2Mの表面に粗面を形成する点である。以降の工程S440~S470は、第1の製造方法の工程S340~S370の工程と同様である。したがって、同一要素には同一番号または同一符号を付し重複する説明は省略する。
試料積載プレート100の製造方法が図9に示す第1の製造方法と異なるところは、疎水膜形成工程S350を省略している点である(第2の製造方法においても同様)。
試料積載プレート120の製造方法が図9に示す第1の製造方法と異なるところは、疎水膜除去工程S370を省略している点である(第2の製造方法においても同様)。
次に、本発明に係る試料積載プレートの第4の実施形態である試料積載プレートの構成について図11を用いて説明する。図11は、その試料積載プレートを試料を積載する面側から見た、図1と対応する平面図である。
試料積載スポット10は、スポット外縁9に囲まれた領域であり、そのスポット内のスポット外縁9に近い部分にリング状に溝3が形成されている。それに加えてスポット内の溝3より内側中心部に親水性の高い面が露出した露出部6が形成されている。本実施例では十字状に形成される溝形状の露出部6が表面に基板が露出するように形成されている。溝3は、連続した閉曲線ではなく、溝3で囲まれた内側領域であるアイランド21を外側周辺部22及び試料積載プレートの辺縁部20(図11)へ接続する接続部4が形成されている。以上のごとく、試料積載スポット10は、前記溝3、露出部6、アイランド21、接続部4を含む領域であり、溝3の外側周辺部22(スポット外縁9と溝3で挟まれた領域)を含む領域として定義される。外側周辺部22は、隣接する試料積載スポットの外側周辺部とは、積載された試料同士がお互いに混合、汚染しないために十分に離れている。
第2の例では、第1の例の十字状の露出部6のかわりに、リングを4分割したリング形状の露出部16とした以外は、第1の例と基本構造は同じである。露出部16が、表面に基板が露出するように形成されている。
第3の例では、第1の例の十字状の露出部6のかわりに、複数のドット状の露出部26とした以外は、第1の例と基本構造は同じである。露出部26が、表面に基板が露出するように形成されている。
図14Bに示した実施例における試料積載プレート100の反射特性も図14Aの実施例と類似した特性を示すが、若干の差異があり、青色に着色して見える。
このような構成を採ると、絶縁層2bが形成されていない部分の全部又は一部に最上層2aが入り込んで形成されるため、最上層2aが導電層2cと接触する。このため、光学多層膜2Aに含まれる最上層2a以外の導電層2cも、アイランド21の電気的導通に寄与させ、アイランド21における電気的導通を一層確実なものとすることができる。
次に、試料の質量分析を行う動作について図15を用いて説明する。ここでは主に試料積載プレート及び試料のイオン化に係る部分を説明し、他は原理的な説明にとどめ詳細は省略する。図15は、前述した試料積載プレート100に試料200を積載した状態を示す。
以上の試料積載プレート100上の試料200は、第1の実施形態で図6Bを用いて説明したものと同様な質量分析装置300により第1の実施形態の場合と同様に分析することができる。ただし、電圧印加部からプラスの電圧V1は、試料積載プレート100の第1の金属膜2Mだけでなく、光学多層膜中の金属膜(図14Aの例では2a、2cであり、図14Bの例では2aである)にも印加される。
以上説明したように、第4の実施形態によれば次に示す効果を得られる。
第4の実施形態の試料積載プレート100は、MALDI法の質量分析に使用され、試料を積載する試料積載スポット10を少なくとも一つ以上備える試料積載プレートであって、試料積載スポット10のアイランド21に基板が露出する溝3、露出部6が設けられ、溝3、露出部6に露出する基板1は試料積載プレート表面(光学多層膜2Aの最上層)より親水性が高いことを特徴とするとともに、基板1の色が白色であり、光学多層膜2Aによる青色系の色と明確に区別がつく程度の色の差があり、視認性がよいことも特徴である。
なお、基板1や誘電体膜の材料がここで説明したものに限られないことは、第1実施形態の場合と同様である。
また、各実施形態あるいは変形例で説明した構成を、矛盾しない範囲で適宜に組み合わせて実施することも可能である。
2A 光学多層膜
2M 第1の金属膜(第1の金属膜の露出部)
2a、2b、2c、2d 膜
3 溝
4 接続部
5 疎水膜
6、16、26 露出部
7 マスク
10 試料積載スポット
20 (試料積載プレートの)辺縁部
21 (試料積載スポットの)アイランド
22 (試料積載スポットの)外側周辺部
30 列アドレスマーク
40 行アドレスマーク
50 シリアルナンバー
60 バーコード
90 空気層
100、110、120 試料積載プレート
200 試料
200a、200b、200c イオン化した試料
220 レーザ光源
220a レーザ光
230 イオン加速部
231 イオントラップ部
232 質量分離部(飛行空間)
240 イオン検出部
300 MALDI質量分析装置
Claims (18)
- 試料を積載する試料積載スポットを1つ以上備える試料積載プレートであって、
導電性表面を有する基板と、前記基板の前記導電性表面上に積層され、少なくとも表面が絶縁性の絶縁膜と、を備え、
前記絶縁膜は、少なくとも前記試料積載スポット内において前記基板の前記導電性表面が部分的に露出するよう疎らに形成されていることを特徴とする試料積載プレート。 - 前記試料積載スポットにおいて、前記絶縁膜の表面に露出した前記基板の前記導電性表面は、前記試料に電界を与えるための電極を構成していることを特徴とする請求項1に記載の試料積載プレート。
- 前記基板の前記導電性表面は粗面に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の試料積載プレート。
- 前記基板は、絶縁性の基材と、前記基材の表面に形成され前記導電性表面を形成する導電膜とを備えていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の試料積載プレート。
- 前記試料積載スポットより外側では表面が疎水性であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の試料積載プレート。
- 前記絶縁膜の表面において、少なくとも前記試料積載スポットの外側の領域には、前記絶縁膜よりも高い疎水性を有する疎水膜が形成されていることを特徴とする請求項5に記載の試料積載プレート。
- 前記絶縁膜は、光学多層膜であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の試料積載プレート。
- 前記光学多層膜は、誘電体膜または金属膜が少なくとも2層以上積層形成されており可視光の波長領域において前記試料とは異なる色を呈することを特徴とする請求項7に記載の試料積載プレート。
- 前記試料積載スポット内の、少なくとも前記試料積載スポットの中心またはその近傍に、前記試料積載スポットの最表面よりも下層にあって、最表面よりも親水性のある面が露出する露出部が設けられていることを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載の試料積載プレート。
- 前記基板は、絶縁性の基材と前記基材の表面に形成され前記導電性表面を形成する導電膜とを備え、前記最表面よりも親水性のある面は、前記基材の前記表面であることを特徴とする、請求項9に記載の試料積載プレート。
- 前記基板は、絶縁性の基材と前記基材の表面に形成され前記導電性表面を形成する導電膜とを備え、前記最表面よりも親水性のある面は、前記導電膜の表面であることを特徴とする、請求項9に記載の試料積載プレート。
- 前記基材はセラミックスによって構成されていることを特徴とする請求項4、10及び11のいずれか1項に記載の試料積載プレート。
- 前記露出部には接続部が設けられていて、前記試料積載スポットの内部の前記導電性表面と前記試料積載スポットの外部の前記導電性表面とが前記露出部によって完全に切断されることなく少なくとも一部で電気的に導通していることを特徴とする請求項9~12のいずれか1項に記載の試料積載プレート。
- 前記露出部と前記絶縁膜とは、明確に区別がつくように色に差があることを特徴とする請求項9~13のいずれか1項に記載の試料積載プレート。
- 導電性表面を有する基板上に少なくとも表面が絶縁性の絶縁膜が形成され、試料を積載する試料積載スポットを1つ以上備えた試料積載プレートの製造方法であって、
前記基板に粗面の前記導電性表面を形成する表面加工工程と、
少なくとも表面が絶縁性の絶縁膜を前記基板の前記導電性表面上に形成する絶縁膜形成工程と、を備え、
前記絶縁膜形成工程は、少なくとも前記試料積載スポットに対応する前記基板の前記導電性表面上に前記絶縁膜を疎らに形成することで、前記基板の前記導電性表面が部分的に露出する工程であることを特徴とする試料積載プレートの製造方法。 - 前記基板は、絶縁性の基材と前記基材の表面に形成された導電膜とを備えており、
前記表面加工工程は、前記基材の表面を粗面に加工した後、前記基材上に前記導電膜を形成する工程であることを特徴とする請求項15に記載の試料積載プレートの製造方法。 - 前記基板は、絶縁性の基材と前記基材の表面に形成された導電膜とを備えており、
前記表面加工工程は、前記基材上に上記導電膜を形成した後、前記導電膜を粗面に加工する工程であることを特徴とする請求項15に記載の試料積載プレートの製造方法。 - 前記絶縁膜形成工程の後に、前記絶縁膜上の少なくとも前記試料積載スポットの外側の領域に疎水膜を形成する疎水膜形成工程を備えることを特徴とする請求項15~17のいずれか1項に記載の試料積載プレートの製造方法。
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