WO2017148685A1 - Anschlussträger, optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines anschlussträgers oder eines optoelektronischen bauteils - Google Patents

Anschlussträger, optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines anschlussträgers oder eines optoelektronischen bauteils Download PDF

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WO2017148685A1
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connection carrier
contact
contact element
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Eckhard Ditzel
Tihomir Klajic
Reiner Windisch
Andreas Biebersdorf
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Osram Gmbh
Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • Connection carrier optoelectronic component and method for producing a connection carrier or a
  • Optoelectronic semiconductor device and a method for producing a connection carrier.
  • connection carrier as well as an optoelectronic component which can be produced particularly inexpensively.
  • Task is a connection carrier and a
  • connection carrier is specified.
  • Connection carrier is for example a
  • connection carrier also serves as a mechanically supporting carrier on which electronic components, such as semiconductor chips, are arranged and fixed.
  • Connection carrier a substrate.
  • the substrate has a
  • Substrate cover surface which is formed by a main surface of the substrate at the top of the substrate.
  • the substrate further includes one of the substrate top surface
  • Substrate side surface which connects the substrate top surface with the substrate bottom surface.
  • the substrate top surface and the substrate bottom surface may be formed, for example, circular or n-shaped.
  • the substrate may be cuboid and the substrate top surface and the substrate bottom surface are rectangular, in particular square, formed.
  • Edge length of the substrate may then for example be between at least 2 mm and at most 50 mm, in particular between at least 6 mm and at most 35 mm.
  • the substrate is the mechanically bearing component of the connection carrier. That is, the substrate is intended to be the other components of the connection carrier.
  • the substrate is mechanically self-supporting.
  • the substrate may be rigid or flexible.
  • the mechanical load bearing properties the
  • Substrate in the connection carrier take on more properties.
  • the substrate may be absorbing at the substrate top surface for light or for light
  • the substrate can assume optical properties in the connection carrier.
  • the substrate can assume electrical properties in the connection carrier.
  • the substrate can be designed to be electrically conductive or electrically insulating, for example, on the substrate cover surface.
  • the substrate has a main extension plane along which it extends along two lateral directions.
  • the main extension plane of the substrate can, for example, be parallel to or along the top surface and / or the bottom surface of the substrate within the manufacturing tolerance
  • the substrate then has a thickness which in particular can be small compared to the extent of the substrate in the lateral directions.
  • the substrate may in particular be a thin plate, for example a thin carrier sheet.
  • the substrate may, for example, have a thickness between at least 0.3 mm and a maximum of 2.2 mm, in particular at most 1.5 mm. In particular, it is possible that the
  • Substrate has a thickness of at least 0.5 mm and at most 1.0 mm.
  • the substrate may in particular contain metals or consist of metals.
  • the substrate may in particular contain metals or consist of metals.
  • the substrate may in particular contain metals or consist of metals.
  • the substrate can then have a
  • Base body a dielectric layer system and optionally have a metallic reflection layer.
  • a metallic reflection layer for example, form an exposed outer surface of the base body, the substrate bottom surface.
  • exposed outer surface of the dielectric layer system or the metallic reflection layer at least
  • the main body of the substrate may, for example, with a metal like
  • a side of the main body of the substrate facing away from the substrate bottom surface can be band-anodized and / or
  • Metallic reflection layer may be provided a layer sequence, which may contain an Elox layer.
  • the anodized layer may contain an oxide, in particular aluminum oxide or silver oxide.
  • the dielectric layer system may comprise a plurality of layers, wherein at least one of the layers of the
  • Layer system contain an oxide or of an oxide
  • the layer system Ti0 2 , S1O 2 , Al 2 O 3 , b 2 0 5 or a 2 0 5 .
  • the layer system can exist.
  • the layer system Ti0 2 , S1O 2 , Al 2 O 3 , b 2 0 5 or a 2 0 5 .
  • the layer system can be
  • a dielectric mirror such as a Bragg mirror
  • connection carrier An appropriately trained connection carrier is
  • Connection carrier a connecting element.
  • Connecting element is electrically insulated.
  • the connecting element is an element over which components of the connection carrier in particular
  • connection is a connection in which the connection partners are held together by atomic and / or molecular forces
  • a material-bonding connection is characterized, for example, by the fact that it is not mechanically non-destructively solvable. That is, when attempting to solve the cohesive connection by mechanical force, at least one of the connection partners
  • Connection element destroyed and / or damaged.
  • connection partners are generated.
  • the connecting element may therefore be, for example, an adhesive or an adhesive tape.
  • the connecting element may in particular be formed with or consist of one of an oxide, a nitride, a polymer and / or a plastic material.
  • the connecting element is an adhesive tape, wherein the term "band" is not a form of the invention
  • Connecting element for example, in plan view may also have curved outer edges.
  • the connecting element may for example have a carrier layer which consists of PET or fluoropolymers or contains these materials.
  • the carrier layer can be coated on both sides with an adhesive layer.
  • the adhesive layer can be so pronounced that it develops a significant adhesive force only from a certain contact pressure. It can also be so pronounced that it is curable or that its adhesive power in exposed areas For example, by a plasma treatment loses, so that on the exposed in the finished state of the substrate areas of the adhesive tape no particles unintentionally
  • the connecting element may for example be formed as a layer which has a uniform thickness within the manufacturing tolerance.
  • Connecting element can then, for example, between
  • connection carrier comprises a contact element which
  • the contact element may contain at least one metal or consist of at least one metal.
  • the contact element may contain a base material which is provided with a coating.
  • the contact element may for example be a base material
  • Base material may be at least on one major surface of the
  • Base material facing away from top of a metal such as silver or gold or one of these metals
  • Diffusion barrier may be introduced, containing, for example, titanium, platinum, palladium and / or nickel or may consist of one of these materials.
  • the contact element may have a constant thickness within the manufacturing tolerance.
  • the contact element has In this case, for example, a thickness between at least 5 ym and at most 200 ym, in particular between at least 20 ym and at most 80 ym, on.
  • the connection carrier comprises an insulation element, which is designed to be electrically insulating.
  • Isolation element may be, for example, a
  • Acting component which is constructed similar to the connecting element, wherein the insulating element must have adhesive or adhesive properties on only one major surface and a second major surface may be non-adhesive or non-adhesive.
  • the insulating element can be a material that is applied by spraying and / or vapor deposition and / or a printing process.
  • the insulation element may then in particular be a lacquer layer, in particular a solder resist lacquer layer.
  • the insulating element in addition to its electrical properties, as electrically insulating
  • connection carrier also assume optical tasks in the connection carrier.
  • the isolation element can be designed, for example, black, colored or white.
  • Insulation element can also cover the central area facing side of the connecting element, which is the
  • Burden of the connecting element with in particular blue light or UV radiation significantly reduced and thus improves the aging stability of the connecting element.
  • connection element is on the substrate cover surface arranged, the contact element disposed on the side facing away from the substrate of the connecting element and arranged the insulating element on the side facing away from the connecting element of the contact element.
  • the components of the connection carrier that is to say the substrate, the connection element, the contact element and the insulation element, can in each case be connected to one another in a material-locking manner.
  • the connecting element imparts a
  • the insulation element covers the contact element on a contact element cover surface facing away from the connection element and on a contact side face facing the substrate side surface. In this case, it is possible in particular for the insulation element to extend from the contact element cover surface without interruption to the contact element side surface.
  • the contact element cover surface is free in places of the insulating element and only partially covered by the insulating element.
  • connection carrier in particular at the outer edges of the connection carrier
  • connection carrier Outside edges of the connection carrier can be avoided.
  • the substrate cover surface is freely accessible in a central region. That means, at least in the central area of the connection carrier
  • Substrate cover surface is not another component of
  • Connection carrier such as the connecting element, the contact element, the insulating element arranged and the substrate cover surface is there of these components
  • the substrate cover surface is freely accessible and can serve, for example, as a mounting surface for semiconductor components which are to be fastened and electrically connected to the connection carrier.
  • the semiconductor devices may then be in direct contact with the substrate, for example, or it may merely be a connection means between the substrate and the substrate
  • the central region is laterally of the insulation element
  • the insulating element is arranged. That is, in at least one direction laterally spaced from the central region. In particular, it is possible that the
  • Isolation element the central area partially or
  • the insulation element may be spaced from the central region, so that others
  • connection carrier Components of the connection carrier are at least partially disposed between the central region and the Insolationselement.
  • the insulation element serves to avoid creepage distances at the outer edges of the connection carrier. The fact that the central region is laterally surrounded by the insulating element, this can be achieved particularly efficiently.
  • the side surface facing away from the central region of the contact element and / or the Covering element covered by the insulating element are therefore in particular the
  • connection carrier is indicated with
  • a substrate comprising a substrate top surface, a substrate bottom surface opposite the substrate top surface, and a substrate side surface
  • the contact element is arranged on the side of the connection element facing away from the substrate,
  • the insulating element is arranged on the side of the contact element facing away from the connecting element,
  • the substrate side surface connects the substrate top surface and the substrate bottom surface
  • the insulation element covers the contact element on a contact element cover surface facing away from the connection element and on a contact element side surface facing the substrate side surface,
  • the substrate top surface is freely accessible in a central area
  • the central region is laterally surrounded by the insulating element.
  • connection carrier may comprise exactly one connecting element, on which the contact element is arranged, or the connection carrier comprises two or more Connecting elements on which two or more contact elements are arranged.
  • connection between these components can each be a cohesive connection. In this way, a particularly secure electrical insulation of the
  • connection carrier allows.
  • the connection carrier can then consist of the named components. That is, the
  • Connection carrier then consists of the substrate, the
  • Insulating element wherein connecting element, contact element and insulation element can be present in the singular or in the plurality.
  • connection carrier preferably comprises at least two electrically
  • Connecting element and optionally the insulation element are electrically isolated from each other. At the two or more contact elements, components that are connected to the connection carrier be attached and contacted, be electrically connected.
  • connection carrier described here is based, inter alia, on the following considerations:
  • PCB printed circuit board
  • connection carriers are relatively expensive to produce. Compared with such connection carriers, a connection carrier described here is therefore distinguished by particularly low production costs.
  • connection carrier described here can have further properties which distinguish it from the connection carriers mentioned. For example, it is possible that on two opposite quadrants of the connection carrier, on which, for example, no
  • areas are that are electrically isolated because they are covered, for example, the insulating element. These areas can be provided, for example, for hold-downs which are used in the assembly of the connection carrier at the destination. These hold-downs can in this way, for example, with electrically conductive Structures, such as metallic retaining springs are formed. Furthermore, it is possible in these areas
  • Mounting holes for example, drill holes to provide, with which a fastening of the connection carrier on
  • Destination can be done by means of screws, rivets or bolts.
  • connection carrier described here is characterized in that side surfaces of the connection carrier, in particular the substrate side surfaces, without recesses can be formed as straight as possible and / or smooth. In this way, the side surfaces are available for the mechanical adjustment of the orientation of the connection carrier at the destination.
  • strip-shaped that is, for example, rectangular
  • connection carrier Components to be attached to the connection carrier and to be contacted, to be adjusted.
  • a contact surface on the contact element cover surface in shape and size for a wire contact (English: wire bond) - contacting can be optimized.
  • Isolation element may then in particular a prestructured insulation film, which is adhered to exposed areas of the contact element, which are not intended for contacting a component.
  • connection carrier it is possible to place two contact elements of the connection carrier in a lateral direction so close to each other that, for example, an ESD (Electro-Static Discharge) protective element can be mounted on a contact element and the ESD (Electro-Static Discharge) protective element.
  • ESD Electro-Static Discharge
  • connection carrier described here, to apply the contact elements such that between the contact element and the outer edge of
  • Connection support is sufficient space available to electrically isolate the outer edge facing portion of the contact element by means of the insulating element. In this way, elaborate methods for insulating the contact element, such as folding over an end piece of the contact element, can be dispensed with.
  • connection carrier described here is characterized in addition to the cost-effective manufacturability also by the fact that it can be safely operated in a particularly simple manner, that is, for example, creepage distances can be prevented at the outer edges of the connection carrier in a particularly simple manner.
  • connection carrier projects beyond the contact element laterally, that is to say in at least one lateral direction.
  • the connecting element the
  • the connecting member extends slightly beyond the dimensions of the contact member in the lateral directions, for example, thus enabling one
  • the insulation element covers the connection element on a connection element cover surface facing away from the substrate. That is, the isolation element is, for example, of the
  • connection carrier facing contact element side surfaces completely in electrically insulating material.
  • the contact element is covered in this case by the insulating element, on the underside of the electrically insulating connecting element. In the area of the contact element side surface, for example, the insulation element and the connection element then directly adjoin
  • the insulation element covers the connection element on a connection element side surface facing the substrate side surface. That is, in this embodiment, the insulating member is, for example, from the contact element cover surface via the contact element side surface to
  • the insulation element may in particular extend without interruption over the said route. Due to the fact that the insulating element also covers the connecting element on its side surface and there, for example, firmly bonded to it
  • connection element there is a further improved encapsulation of the contact element with electrically insulating material, at least in the region of the outer edges of the connection carrier.
  • the insulation element is locally in direct contact with the substrate. That is, in this case, that can
  • Isolation element for example, from the contact element cover surface, on the contact element side surface to
  • connection carrier is covered, for example along all its outer edges of the insulating element and creepage distances from and to the contact element are completely prevented from the outer edges of the connection carrier ago.
  • the central region of the substrate cover surface is completely offset laterally, that is to say in the lateral directions
  • the insulating member which may, for example, be in direct contact with the substrate, completely surrounds the central region and, for example, covers the substrate at its outer edges without interruption.
  • connection carrier the connecting element and the contact element are curved in places in plan view. This means in particular that the connecting element and the
  • Contact element are not formed as strips, which are for example rectangular in plan view, but said elements have in plan view curved outer edges. With these curved outer edges, a particularly accurate adaptation of the shape of the
  • connection carrier to the needs of the components to be attached to the connection carrier and to be electrically connected, adapted.
  • the substrate has at least in the central region on the connection carrier
  • Substrate cover surface has a reflectivity of at least 80%, in particular of at least 85%, for light.
  • the substrate preferably has the said reflectivity at a wavelength of at least 430 nm and at most 700 nm, in particular at a wavelength of 450 nm.
  • Reflectivity may be particularly preferably at least 90%. In other words, perpendicular to the
  • Main extension plane on the substrate top surface of the Substrate for example in the central region, incident visible light is reflected with a probability of at least 80%, preferably at least 85% and particularly preferably at least 90%.
  • the substrate is therefore visible, in particular blue,
  • Such a highly reflective, in particular multi-layered, formed substrate can be produced inexpensively and allows in particular the use of the connection carrier to form a
  • connection carrier described here for
  • connection carrier is also disclosed for the optoelectronic component and vice versa.
  • the optoelectronic component is, for example, a so-called chip-on-board LED module or a so-called "light
  • light-emitting diode chips are used. Furthermore, it is possible that alternatively or additionally in
  • Photo detector chips are used.
  • the optoelectronic component comprises a connection carrier described here.
  • the optoelectronic component described here comprises one, in particular at least two, optoelectronic semiconductor chips, which may, for example, be similar semiconductor chips. That means it can be, for example, around
  • it may be the optoelectronic
  • semiconductor chips act around so-called sapphire chips. These chips may, for example, comprise a support formed of sapphire and forming part of a growth substrate to which a semiconductor layer sequence comprising an active radiation generation region has been epitaxially deposited.
  • Optoelectronic semiconductor chips mounted in the central region on the substrate cover surface on the substrate. That is, the optoelectronic semiconductor chips are deposited on the substrate in a region which is free from the substrate
  • the semiconductor chips can, for example, in the central region by gluing or soldering to the substrate
  • Central area is electrically insulating and / or the optoelectronic semiconductor chips with their electrically insulating side, in particular a support made of sapphire, are attached to the top surface.
  • Optoelectronic semiconductor chips electrically connected to the contact element.
  • the optoelectronic semiconductor chips having at least two
  • the optoelectronic component includes a plurality of optoelectronic semiconductor chips, the
  • a contacting of the series circuit of optoelectronic semiconductor chips is then effected by two contact elements of the connection carrier.
  • connection carrier according to one of the preceding claims
  • the optoelectronic semiconductor chips are electrically connected to the contact element.
  • the optoelectronic semiconductor chips are surrounded by a light-permeable, electrically insulating sheath, wherein the sheath is connected to the substrate at its end
  • Substrate cover surface is in direct contact.
  • the cladding is in direct contact with the substrate in the central region of the substrate cover surface.
  • the cladding is, in particular, a potting body which is applied to the optoelectronic semiconductor chips.
  • the potting body may comprise a matrix material into which
  • Particles of one or more materials are introduced.
  • the matrix material are particles of a
  • Wavelength range for example with larger ones
  • Example white light, to be radiated.
  • Matrix material may be, for example, a silicone material, an epoxy material or a silicone-epoxy hybrid material.
  • the cladding serves, in addition to its optical properties, also for the mechanical protection of the optoelectronic
  • the sheath is an electrically insulating component of the optoelectronic component, which can help to prevent creepage distances to the contact element of the connection carrier.
  • the sheath is in direct contact with the insulation element.
  • the insulation element is formed, for example, with a lacquer, for example a solder resist, which then completely surrounds the optoelectronic semiconductor chips. Furthermore, it is possible that the sheath is in direct contact with the substrate, the connecting element, the contact element and the insulating element.
  • Cladding can then adhere particularly well to the connection carrier, since the adhesion surface to the connection carrier in this case is particularly large.
  • an insulation element outer edge facing the optoelectronic semiconductor chip forms a stop edge for the enclosure.
  • the insulating element is arranged, for example, on the contact element cover surface and does not extend to the optoelectronic semiconductor chip facing side of the connection layer
  • the insulation element then ends at the contact element cover surface.
  • the insulation element then has an outer edge facing the semiconductor chips.
  • the wrapping material can then be selected with regard to, for example, its viscosity when applied to the optoelectronic semiconductor chips such that it is attached to the
  • Optoelectronic semiconductor chips are arranged fixed.
  • the contact element is not freely accessible at any point except for contact points provided for contacting the component from the outside.
  • the contact element is completely covered by the insulating element and the sheath. It is possible, for example, that the insulating element is in direct contact with the enclosure and the enclosure in lateral directions, ie
  • the contact points are preferably at least 1 mm away from an outer edge of the connection carrier, which results in the possibility of the area between a
  • connection carrier and optoelectronic described here are specified.
  • an arrangement comprising a multiplicity of
  • Substrates attached to each other provided.
  • the arrangement may be, for example, a panel or an endless roll which later becomes individual
  • Substrates or individual connection carriers can be separated. In a next step in the
  • the separating openings extend in a trench-like manner between adjoining substrates without extending along the entire outer edge of a substrate.
  • the separation openings serve in a later processing step, for example, as predetermined breaking points.
  • Isolation element can be compared to known ones
  • connection carriers increase the manufacturing costs, but this is due to the reduction of the cost
  • connection carrier Dicing the connection carrier from the arrangement of
  • Substrate cover surface is formed.
  • the light-emitting surface may have a diameter of at least 1.5 mm and at most 45 mm, in particular between at least 5 mm and not more than 33 mm.
  • the light-emitting surface has a diameter of approximately 9 mm, approximately 13 mm, approximately 19 mm or approximately 24 mm, the tolerance in each case being 1 mm.
  • connection carriers described here, the optoelectronic components described here and the methods described here are explained in greater detail on the basis of exemplary embodiments and the associated figures.
  • Figures 1A, 1B and IC show a first one
  • FIGS. 2 and 3 show, by way of schematic illustrations, further exemplary embodiments of connection carriers described here.
  • FIGS. 4A, 4B show an exemplary embodiment of an optoelectronic component described here by way of schematic illustrations.
  • FIGS. 5A, 5B, 5C An exemplary embodiment of one here is based on the schematic representations of FIGS. 5A, 5B, 5C
  • FIG. 1A shows a first exemplary embodiment of a connection carrier described here on the basis of a schematic sectional representation.
  • FIG. 1B shows the associated one
  • the figure IC shows a schematic plan view.
  • the connection carrier 1 comprises a substrate 10.
  • the connection carrier 1 comprises a substrate 10.
  • Substrate 10 is, for example, a multilayer carrier sheet described here.
  • the substrate 10 includes a top surface 10a, a bottom surface 10b, and
  • the connecting element 11 is arranged, which has a
  • Central region 18 annular or frame-shaped encloses (see, for example, Figures 1B and IC).
  • Connecting element 11 is connected to the substrate 10 cohesively.
  • Connecting element 11 are connected cohesively.
  • the connecting element 11 projects beyond the contact elements 12 in each case in lateral directions, parallel to the
  • the insulating element 13 can also surround the central region 18 of the substrate cover surface 10a in an annular or frame-shaped manner.
  • the insulation element 13 is along the
  • Contact element cover surface 12a led to the contact element side surface 12c. It completely covers the contact element side surface 12c and is in direct contact with the connection element 11 on the connection element cover surface IIa on the side facing the substrate side surface 10c. In the present case, the connecting element 11 also extends beyond the insulation element 13 at any point laterally completely or flush with it.
  • Connection carrier 1 side facing completely with
  • connection carrier further comprises attachment openings 14, which are arranged in mutually opposite quadrants of the substrate 10.
  • attachment openings 14 are arranged in mutually opposite quadrants of the substrate 10.
  • Insulation element 13 is guided to the outer edge of the substrate 10 and also the attachment openings
  • connection carrier 1 completely encloses in lateral directions.
  • the connection carrier 1 further comprises contact points 15 which are not occupied by the fastening openings 14
  • Quadrants are arranged. At these contact elements, the insulating element 13 is not applied and the
  • Contact element 12 is there freely accessible and contactable.
  • the connecting element 11 the contact element 12 and
  • the insulating element 13 can by
  • the diameter D1 between opposite edges of the connecting element 11 in the present case can be, for example, 17.9 mm.
  • Contact element 12 may for example be 18.7 mm and the diameter D3 between opposite edges of the insulation element 13 may be 19.8 mm.
  • the tolerance is, for example, in each case 1 mm.
  • Insulation element 13 is guided at the central region 18 facing side of the contact element 12 and the connecting element 11 to the substrate 10. This is indicated in the right-hand area of FIG. 1A by dashed lines.
  • the insulation element 13 is not designed as a foil, but as a coating, for example by means of a solder resist, this is a possible
  • Isolation element 13 is formed in this case, for example, white and can thus be a visual impairment prevent by the contact element 12 or the connecting element 11.
  • connection carrier In conjunction with the schematic sectional view of Figure 2, a further embodiment of a connection carrier described here is explained in more detail.
  • FIG. 2 shows a connection carrier which comprises the substrate 10, which forms the substrate cover surface 10a, that of FIG
  • Substrate cover surface 10a opposite substrate bottom surface 10b and the substrate side surface 10c includes comprises. Furthermore, the connection carrier 1 comprises the
  • the connecting element 11 is arranged on the substrate cover surface 10a
  • the contact element 12 is arranged on the side facing away from the substrate 10 of the connecting element 11
  • the insulating element 13 is arranged on the side facing away from the connecting element 11 of the contact element 12. The connecting element 11 projects beyond the contact element 12
  • the substrate side surface 10c connects the
  • the insulating member 13 covers the
  • Substrate side surface 10c facing contact element side surface 12c.
  • the substrate top surface 10a is in
  • Central area 18 is freely accessible, and the central region 18 is laterally surrounded by the insulating element 13.
  • the insulation element 13 is guided along the contact element cover surface 12a via the contact element side surface 12c of the Vietnameseselement- cover surface IIa to the substrate cover surface 10a. It is possible that the insulation element 13 with the
  • connection carrier is illustrated with the substrate 10, which comprises the substrate cover surface 10a, the substrate base surface 10b opposite the substrate cover surface 10a, and the substrate side surface 10c. Furthermore, the connection carrier comprises the connection element 11, which is electrically insulating, the contact element 12, which is electrically conductive, and the insulation element 13, which is electrically insulating.
  • the connecting element 11 is arranged on the substrate cover surface 10a
  • the contact element 12 is arranged on the side facing away from the substrate 10 of the connecting element 11
  • the insulating element 13 is arranged on the side facing away from the connecting element 11 of the contact element 12. The connecting element 11 projects beyond the contact element 12
  • the substrate side surface 10c connects the
  • the insulating member 13 covers the
  • Substrate side surface 10c facing contact element side surface 12c.
  • the substrate top surface 10a is in
  • Central area 18 is freely accessible, and the central region 18 is laterally surrounded by the insulating element 13.
  • a dam 16 is formed in this embodiment, which surrounds the central region 18 annular or frame-shaped.
  • the dam 16 may be formed with an electrically insulating material having, for example, a color.
  • the dam 16 may, for example, with a
  • Be formed silicone material which is filled with pigments, so that the dam 16 appears colored, radiation-absorbing or white.
  • the dam is formed with a titanium dioxide filled silicone and therefore appears white.
  • the dam 16 is formed with material of the insulating element 13.
  • the central region 18 facing side of the contact elements 12 is surrounded by electrically insulating material in this embodiment. Only to allow a connection of semiconductor chips are
  • the dam 16 can also be used to include a
  • Enclosure material 22 serve, see for example Figure 4A.
  • an optoelectronic is described here
  • each connection carrier 1 described here can be used.
  • connection carrier 1 comprises the substrate 10, which is the
  • connection carrier has the connection element 11, which is electrically insulating, the contact element 12, which is electrically conductive, and the insulation element 13, which is electrically insulating.
  • the connecting element 11 is arranged on the substrate cover surface 10a
  • the contact element 12 is arranged on the side facing away from the substrate 10 of the connecting element 11, and the insulating element 13 is at the
  • Connecting element 11 facing away from the contact element 12 is arranged.
  • the connecting element 11 projects beyond
  • the substrate side surface 10c connects the substrate cover surface 10a and the substrate bottom surface 10b with each other.
  • the insulation element 13 covers the contact element 12 on the contact element cover surface 12a facing away from the connection element 11 and that of the substrate side surface 10c
  • connection carrier use in which the
  • the optoelectronic component further comprises a plurality of optoelectronic semiconductor chips 20, for example
  • the semiconductor chips 20 are over
  • Wire contacts 11, with the contact elements 12 electrically are conductively connected, at least partially in series
  • the optoelectronic semiconductor chips 20 are surrounded by a cladding 22, which is, for example, a converter-filled one
  • Casting material can act.
  • the semiconductor chip 22 facing outer edge 13d of the insulating member 13 serves as a stop edge for the
  • the optoelectronic component can further comprise an ESD protection element 23, which is, for example, an ESD protection diode, which is connected in antiparallel to the series-connected optoelectronic semiconductor chips 20.
  • ESD protection element 23 For connecting the ESD protection element 23, a further contact element 12 is provided, which is connected via another
  • Connecting element 11 is attached to the substrate 10.
  • the contact elements 12 may be formed so that no further connection element 11 is required to place the ESD protection element 23 and to
  • connection carrier of Figures 1A to IC, in which the two
  • Contact elements 12 have in two places a very small distance from each other, so that for example a
  • an assembly comprising a plurality of substrates 10 is provided.
  • the arrangement is, for example, a panel or an endless roll. Become in the substrates
  • Attachment openings 14 and singulation openings 17 produced by punching are identical to Attachment openings 14 and singulation openings 17 produced by punching.
  • the first and singulation openings 17 produced by punching.
  • Mounting holes 14 are used for example for receiving fasteners such as screws, rivets or bolts.
  • the singulation openings extend over one
  • each substrate 10 Much of the outer edge of each substrate 10 without extending completely along the outer edge. In this way, the substrates 10 hang together at the corners.
  • connection carrier or the optoelectronic
  • the substrates can be separated from each other by the arrangement along the
  • connection carriers described here and components described here are characterized by a particularly cost-effective manufacturability. Another advantage of connection carriers described here and here

Abstract

Es wird ein Anschlussträger angegeben, bei dem -ein Isolationselement (13) an der einem Verbindungselement (11) abgewandten Seite eines Kontaktelements (12) angeordnet ist, -das Verbindungselement (11) das Kontaktelement (12) seitlich überragt, -das Isolationselement (13) das Kontaktelement (12) an einer dem Verbindungselement (11) abgewandten Kontaktelement- Deckfläche (12a) und einer der Substrat-Seitenfläche (10c) eines Substrats (10) zugewandten Kontaktelement-Seitenfläche (12c) bedeckt, -eine Substrat-Deckfläche (10a) des Substrats (10) in einem Zentralbereich (18) frei zugänglich ist, und -der Zentralbereich (18) seitlich vom Isolationselement (13) umgeben ist.

Description

Beschreibung
Anschlussträger, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers oder eines
optoelektronischen Bauteils
Die Druckschriften US 8,975,532 B2 und DE 102008044847 AI beschreiben jeweils einen Anschlussträger, ein
optoelektronisches Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen Anschlussträger sowie ein optoelektronisches Bauteil anzugeben, die besonders kostengünstig herstellbar sind. Eine weitere zu lösende
Aufgabe besteht darin, einen Anschlussträger und ein
optoelektronisches Bauteil anzugeben, die besonders sicher verwendet werden können.
Es wird ein Anschlussträger angegeben. Bei dem
Anschlussträger handelt es sich beispielsweise um eine
Leiterplatte, welche Kontaktelemente und Kontaktstellen zum elektrischen Verbinden und elektrischen Kontaktieren
aufweist. Der Anschlussträger dient ferner als mechanisch stützender Träger, auf dem elektronische Komponenten, wie beispielsweise Halbleiterchips, angeordnet und befestigt sind .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Anschlussträger ein Substrat. Das Substrat weist eine
Substrat-Deckfläche auf, welche durch eine Hauptfläche des Substrats an der Oberseite des Substrats gebildet ist. Das Substrat weist ferner eine der Substrat-Deckfläche
gegenüberliegende Substrat-Bodenfläche sowie zumindest eine Substrat-Seitenfläche auf, welche die Substrat-Deckfläche mit der Substrat-Bodenfläche verbindet.
Die Substrat-Deckfläche und die Substrat-Bodenfläche können beispielsweise kreisförmig oder n-eckig ausgebildet sein. In einer Ausführungsform kann das Substrat quaderförmig sein und die Substrat-Deckfläche sowie die Substrat-Bodenfläche sind rechteckig, insbesondere quadratisch, ausgebildet. Die
Kantenlänge des Substrats kann dann zum Beispiel zwischen wenigstens 2 mm und höchstens 50 mm, insbesondere zwischen wenigstens 6 mm und höchstens 35 mm, betragen.
Bei dem Substrat handelt es sich um die mechanisch tragende Komponente des Anschlussträgers. Das heißt, das Substrat ist dazu vorgesehen, die weiteren Komponenten des
Anschlussträgers mechanisch zu stützen und zu tragen. Das Substrat ist dabei mechanisch selbsttragend ausgebildet. Das Substrat kann dazu starr oder flexibel ausgebildet sein. Neben den mechanisch tragenden Eigenschaften kann das
Substrat im Anschlussträger weitere Eigenschaften übernehmen. So kann das Substrat beispielsweise an der Substrat- Deckfläche für Licht absorbierend oder für Licht
reflektierend ausgebildet sein. Das Substrat kann in diesem Fall optische Eigenschaften im Anschlussträger übernehmen.
Ferner ist es möglich, dass das Substrat im Anschlussträger elektrische Eigenschaften übernimmt. Dafür kann das Substrat beispielsweise an der Substrat-Deckfläche elektrisch leitend oder elektrisch isolierend ausgebildet sein.
Das Substrat weist eine Haupterstreckungsebene auf, entlang derer es sich entlang zweier lateraler Richtungen erstreckt. Die Haupterstreckungsebene des Substrats kann im Rahmen der Herstellungstoleranz beispielsweise parallel zu oder entlang der Deckfläche und/oder der Bodenfläche des Substrats
verlaufen. Senkrecht zur Haupterstreckungsebene, in einer vertikalen Richtung, verläuft dann beispielsweise die
zumindest eine Substrat-Seitenfläche. Entlang dieser Richtung weist das Substrat dann eine Dicke auf, die insbesondere klein gegen die Ausdehnung des Substrats in den lateralen Richtungen sein kann.
Bei dem Substrat kann es sich insbesondere um eine dünne Platte, beispielsweise um ein dünnes Trägerblech, handeln. Das Substrat kann dabei zum Beispiel eine Dicke zwischen wenigstens 0,3 mm und höchsten 2,2 mm, insbesondere höchstens 1,5 mm, aufweisen. Insbesondere ist es möglich, dass das
Substrat eine Dicke von wenigstens 0,5 mm und höchstens 1,0 mm aufweist.
Das Substrat kann insbesondere Metalle enthalten oder aus Metallen bestehen. Beispielsweise ist das Substrat
mehrschichtig ausgebildet. Das Substrat kann dann einen
Grundkörper, ein dielektrisches Schichtsystem und optional eine metallische Reflexionsschicht aufweisen. Dabei kann beispielsweise eine freiliegende Außenfläche des Grundkörpers die Substrat-Bodenfläche bilden. Ferner kann eine
freiliegende Außenfläche des dielektrischen Schichtsystems oder der metallischen Reflexionsschicht zumindest
stellenweise die Substrat-Deckfläche bilden. Der Grundkörper des Substrats kann zum Beispiel mit einem Metall wie
beispielsweise Aluminium gebildet sein oder aus einem Metall bestehen. Eine der Substrat-Bodenfläche abgewandte Seite des Grundkörpers des Substrats kann bandeloxiert und/oder
anodisiert sein. Optional kann dort die metallische Reflexionsschicht vorhanden sein, die beispielsweise mit Aluminium oder Silber gebildet ist oder aus einem dieser Materialien besteht. Zwischen dem Grundkörper und der
metallischen Reflexionsschicht kann eine Schichtenfolge vorgesehen sein, die eine Elox-Schicht enthalten kann. Die Elox-Schicht kann ein Oxid, insbesondere Aluminiumoxid oder Silberoxid, enthalten.
Das dielektrische Schichtsystem kann mehrere Schichten aufweisen, wobei zumindest eine der Schichten des
Schichtsystems ein Oxid enthalten oder aus einem Oxid
bestehen kann. Beispielsweise enthält das Schichtsystem Ti02, S1O2, AI2O3, b205 oder a205. Das Schichtsystem kann
insbesondere als dielektrischer Spiegel, wie beispielsweise ein Bragg-Spiegel , ausgebildet sein.
Ein entsprechend ausgebildeter Anschlussträger ist
beispielsweise in der deutschen Patentanmeldung
DE 102015107675.8 in einem anderen Zusammenhang beschrieben. Der Offenbarungsgehalt dieser Patentanmeldung wird hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Anschlussträger ein Verbindungselement. Das
Verbindungselement ist elektrisch isolierend ausgebildet. Bei dem Verbindungselement handelt es sich um ein Element, über das Komponenten des Anschlussträgers insbesondere
Stoffschlüssig miteinander verbunden sind. Eine
„Stoffschlüssige" Verbindung ist hierbei und im Folgenden zum Beispiel eine Verbindung, bei der die Verbindungspartner durch atomare und/oder molekulare Kräfte zusammengehalten werden. Eine Stoffschlüssige Verbindung zeichnet sich zum Beispiel dadurch aus, dass sie mechanisch nicht zerstörungsfrei lösbar ist. Das heißt, beim Versuch, die Stoffschlüssige Verbindung durch mechanische Krafteinwirkung zu lösen, wird zumindest einer der Verbindungspartner
und/oder das Verbindungselement zerstört und/oder beschädigt. Insbesondere wird beim Versuch des Lösens das
Verbindungselement zerstört und/oder beschädigt.
Beispielsweise handelt es sich bei der stoffschlüssigen
Verbindung um eine Klebeverbindung, eine Schweißverbindung und/oder eine Schmelzverbindung. Ferner kann die
stoffschlüssige Verbindung durch ein Aufsprühen und/oder Aufdampfen des Materials des Verbindungselements auf
zumindest einen der Verbindungspartner erzeugt werden. Bei dem Verbindungselement kann es sich also beispielsweise um einen Klebstoff oder ein Klebeband handeln.
Das Verbindungselement kann insbesondere mit einem Oxid, einen Nitrid, einem Polymer und/oder einem Kunststoffmaterial gebildet sein oder aus einem dieser Materialien bestehen. Beispielsweise handelt es sich bei dem Verbindungselement um ein Klebeband, wobei der Begriff „Band" keine Form des
Verbindungselement beschreiben soll, sondern das
Verbindungselement beispielsweise in der Draufsicht auch gekrümmt verlaufende Außenkanten aufweisen kann.
Das Verbindungselement kann beispielsweise eine Trägerschicht aufweisen, die aus PET oder Fluorpolymeren besteht oder diese Materialien enthält. Die Trägerschicht kann beidseitig mit einer Klebeschicht beschichtet sein. Die Klebeschicht kann dabei so ausgeprägt sein, dass sie nur ab einem bestimmten Anpressdruck eine signifikante Klebekraft entwickelt. Sie kann auch so ausgeprägt sein, dass sie aushärtbar ist oder dass sie ihre Klebekraft in offenliegenden Bereichen beispielsweise durch eine Plasmabehandlung verliert, sodass auf den im fertigen Zustand des Substrats offenliegenden Bereichen des Klebebands keine Partikel unabsichtlich
anhaften .
Das Verbindungselement kann beispielsweise als Schicht ausgebildet sein, die im Rahmen der Herstellungstoleranz eine gleichmäßige Dicke aufweist. Die Dicke des
Verbindungselements kann dann beispielsweise zwischen
wenigstens 5 ym und höchstens 200 ym, insbesondere zwischen wenigstens 15 ym und höchstens 100 ym, betragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers umfasst der Anschlussträger ein Kontaktelement, das
elektrisch leitend ist. Das Kontaktelement kann zumindest ein Metall enthalten oder aus zumindest einem Metall bestehen. Beispielsweise kann das Kontaktelement ein Basismaterial enthalten, das mit einer Beschichtung versehen ist. Das Kontaktelement kann beispielsweise ein Basismaterial
enthalten, das Edelstahl oder Kupfer enthält oder aus einem dieser Materialien besteht. Die Beschichtung des
Basismaterials kann zumindest an einer Hauptfläche des
Kontaktelements ausgebildet sein und an ihrer dem
Basismaterial abgewandten Oberseite aus einem Metall wie Silber oder Gold bestehen oder eines dieser Metalle
enthalten. Zwischen der Beschichtung und dem Basismaterial können weitere Materialien als Haftvermittler und/oder
Diffusionssperre eingebracht sein, die beispielsweise Titan, Platin, Palladium und/oder Nickel enthalten oder aus einem dieser Materialien bestehen können.
Das Kontaktelement kann im Rahmen der Herstellungstoleranz eine konstante Dicke aufweisen. Das Kontaktelement weist dabei beispielsweise eine Dicke zwischen wenigstens 5 ym und höchstens 200 ym, insbesondere zwischen wenigstens 20 ym und höchstens 80 ym, auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers umfasst der Anschlussträger ein Isolationselement, das elektrisch isolierend ausgebildet ist. Bei dem
Isolationselement kann es sich beispielsweise um eine
Komponente handeln, die ähnlich dem Verbindungselement aufgebaut ist, wobei das Isolationselement lediglich an einer Hauptfläche klebende oder haftende Eigenschaften aufweisen muss und eine zweite Hauptfläche nicht klebend oder nicht haftend ausgebildet sein kann. Ferner kann es sich bei dem Isolationselement um ein Material handeln, das durch ein Aufsprühen und/oder Aufdampfen und/oder einen Druckprozess aufgebracht wird. Bei dem Isolationselement kann es sich dann insbesondere um eine Lackschicht, insbesondere eine Lötstopp- Lackschicht, handeln. Das Isolationselement kann neben seinen elektrischen Eigenschaften, als elektrisch isolierende
Komponente des Anschlussträgers, auch optische Aufgaben im Anschlussträger übernehmen. Das Isolationselement kann dazu beispielsweise schwarz, farbig oder weiß ausgebildet sein.
Die Verwendung eines Lacks für das Isolationselement erweist sich weiter als vorteilhaft, da auf diese Weise das
Isolationselement auch die dem Zentralbereich zugewandte Seite des Verbindungselements bedecken kann, was die
Belastung des Verbindungselements mit insbesondere blauem Licht oder UV-Strahlung erheblich reduziert und damit die Alterungsstabilität des Verbindungselements verbessert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist das Verbindungselement an der Substrat-Deckfläche angeordnet, das Kontaktelement an der dem Substrat abgewandten Seite des Verbindungselements angeordnet und das Isolationselement an der dem Verbindungselement abgewandten Seite des Kontaktelements angeordnet. Die Komponenten des Anschlussträgers, also das Substrat, das Verbindungselement, das Kontaktelement und das Isolationselement, können dabei jeweils Stoffschlüssig miteinander verbunden sein. Dabei vermittelt das Verbindungselement insbesondere eine
Stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Substrat und dem Kontaktelement.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers bedeckt das Isolationselement das Kontaktelement an einer dem Verbindungselement abgewandten Kontaktelement-Deckfläche und einer der Substrat-Seitenfläche zugewandten Kontakt- Seitenfläche. Dabei ist es insbesondere möglich, dass sich das Isolationselement von der Kontaktelement-Deckfläche ohne Unterbrechung zur Kontaktelement-Seitenfläche erstreckt.
Nicht der Substrat-Seitenfläche zugewandte Kontaktelement- Seitenflächen können dabei frei vom Isolationselement
bleiben. Es ist jedoch auch möglich, dass nicht der Substrat- Seitenfläche zugewandte Kontaktelement-Seitenflächen
zumindest teilweise auch vom Isolationselement bedeckt sind. Insbesondere sind jedoch sämtliche der Substrat-Seitenfläche zugewandten Kontaktelement-Seitenflächen vollständig vom
Isolationselement bedeckt. Dahingegen ist die Kontaktelement- Deckfläche stellenweise frei vom Isolationselement und nur bereichsweise vom Isolationselement bedeckt. Mittels des Isolationselements ist es möglich, das Kontaktelement
insbesondere an den Außenkanten des Anschlussträgers
elektrisch zu isolieren, wodurch Kriechstrecken an den
Außenkanten des Anschlussträgers vermieden werden können. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist die Substrat-Deckfläche in einem Zentralbereich frei zugänglich. Das heißt, zumindest im Zentralbereich der
Substrat-Deckfläche ist keine weitere Komponente des
Anschlussträgers, wie beispielsweise das Verbindungselement, das Kontaktelement, das Isolationselement angeordnet und die Substrat-Deckfläche ist dort von diesen Komponenten
unbedeckt. Auf diese Weise ist die Substrat-Deckfläche frei zugänglich und kann beispielsweise als Montagefläche für Halbleiterbauelemente dienen, die auf dem Anschlussträger befestigt und elektrisch angeschlossen werden sollen. Die Halbleiterbauelemente können sich mit dem Substrat dann zum Beispiel in direktem Kontakt befinden oder es ist lediglich ein Verbindungsmittel zwischen dem Substrat und dem
Halbleiterbauelement angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist der Zentralbereich seitlich vom Isolationselement
umgeben. Das heißt, in zumindest einer Richtung lateral beabstandet zum Zentralbereich ist das Isolationselement angeordnet. Insbesondere ist es möglich, dass das
Isolationselement den Zentralbereich teilweise oder
vollständig seitlich umgibt. Das Isolationselement kann dabei vom Zentralbereich beabstandet sein, so dass andere
Komponenten des Anschlussträgers zumindest teilweise zwischen dem Zentralbereich und dem Insolationselement angeordnet sind. Das Isolationselement dient dazu, Kriechstrecken an den Außenkanten des Anschlussträgers zu vermeiden. Dadurch, dass der Zentralbereich seitlich vom Isolationselement umgeben ist, kann dies besonders effizient erreicht werden.
Mit anderen Worten ist die vom Zentralbereich abgewandte Seitenfläche des Kontaktelements und/oder des Verbindungselements vom Isolationselement bedeckt. Mittels des Isolationselements sind daher insbesondere die
Außenkanten des Anschlussträgers elektrisch isolierbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers wird ein Anschlussträger angegeben mit
- einem Substrat, das eine Substrat-Deckfläche, eine der Substrat-Deckfläche gegenüberliegende Substrat-Bodenfläche und eine Substrat-Seitenfläche umfasst,
- einem Verbindungselement, das elektrisch isolierend ist,
- einem Kontaktelement, das elektrisch leitend ist, und
- einem Isolationselement, das elektrisch isolierend ist, wobei
- das Verbindungselement an der Substrat-Deckfläche
angeordnet ist,
- das Kontaktelement an der dem Substrat abgewandten Seite des Verbindungselements angeordnet ist,
- das Isolationselement an der dem Verbindungselement abgewandten Seite des Kontaktelements angeordnet ist,
- die Substrat-Seitenfläche die Substrat-Deckfläche und die Substrat-Bodenfläche verbindet,
- das Isolationselement das Kontaktelement an einer dem Verbindungselement abgewandten Kontaktelement-Deckfläche und einer der Substrat-Seitenfläche zugewandten Kontaktelement- Seitenfläche bedeckt,
- die Substrat-Deckfläche in einem Zentralbereich frei zugänglich ist, und
- der Zentralbereich seitlich vom Isolationselement umgeben ist .
Dabei kann der Anschlussträger genau ein Verbindungselement umfassen, auf welchem das Kontaktelement angeordnet ist oder der Anschlussträger umfasst zwei oder mehr Verbindungselemente, auf denen zwei oder mehr Kontaktelemente angeordnet sind.
Insbesondere ist es möglich, dass die beschriebenen
Komponenten des Anschlussträgers jeweils direkt
aneinandergrenzen, das heißt das Verbindungselement grenzt direkt an das Substrat, das Kontaktelement grenzt direkt an das Verbindungselement und das Isolationselement grenzt direkt zumindest an das Kontaktelement, gegebenenfalls auch direkt an das Verbindungselement und/oder das Substrat. Die Verbindung zwischen diesen Komponenten kann dabei jeweils eine Stoffschlüssige Verbindung sein. Auf diese Weise ist eine besonders sichere elektrische Isolation des
Kontaktelements zumindest an den Außenkanten des
Anschlussträgers ermöglicht. Der Anschlussträger kann dann aus den genannten Komponenten bestehen. Das heißt, der
Anschlussträger besteht dann aus dem Substrat, dem
Verbindungselement, dem Kontaktelement und dem
Isolationselement, wobei Verbindungselement, Kontaktelement und Isolationselement jeweils in der Einzahl oder in der Mehrzahl vorliegen können.
Ferner ist es möglich, dass zwei oder mehr Kontaktelemente auf genau einem Verbindungselement angeordnet sind, wobei Bereiche zwischen den Kontaktelementen vorhanden sein können, an denen die dem Substrat abgewandte Verbindungselement- Deckfläche frei von Kontaktelementen ist. Der Anschlussträger umfasst dabei vorzugsweise zumindest zwei elektrisch
voneinander isolierte Kontaktelemente, welche durch das
Verbindungselement und gegebenenfalls das Isolationselement elektrisch voneinander isoliert sind. An den zwei oder mehr Kontaktelementen können Bauelemente, die am Anschlussträger befestigt und kontaktiert werden sollen, elektrisch leitend angeschlossen werden.
Einem hier beschriebenen Anschlussträger liegen dabei unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde:
Eine Möglichkeit zur Bildung eines Anschlussträgers besteht darin, eine bedruckte Leiterplatte (Printed Circuit Board - PCB) auf ein hochreflektierendes Substrat, beispielsweise umfassend ein Aluminium-Trägerblech mit einem reflektierenden Silberspiegel, an der Oberseite aufzubringen, bei dem
Bereiche zur Montage beispielsweise Licht emittierender
Bauelemente ausgespart sind. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, als Substrat ein insbesondere weißes Keramikmaterial zu verwenden, auf das Metallisierungen aufgebracht sind, welche als Leiterbahnen zum Anschließen von Bauelementen dienen. Die genannten Anschlussträger sind jedoch in ihrer Herstellung relativ teuer. Gegenüber solchen Anschlussträgern zeichnet sich ein hier beschriebener Anschlussträger daher durch besonders niedrige Herstellungskosten aus.
Ferner kann ein hier beschriebener Anschlussträger weitere Eigenschaften aufweisen, die ihn gegenüber den genannten Anschlussträgern auszeichnen. So ist es beispielsweise möglich, dass sich an zwei gegenüberliegenden Quadranten des Anschlussträgers, auf denen beispielsweise keine
Kontaktstelle zur Kontaktierung des Anschlussträgers
ausgebildet ist, Bereiche befinden, die elektrisch isoliert sind, weil sie beispielsweise vom Isolationselement bedeckt sind. Diese Bereiche können zum Beispiel für Niederhalter, die bei der Montage des Anschlussträgers am Bestimmungsort eingesetzt werden, vorgesehen sein. Diese Niederhalter können auf diese Weise zum Beispiel mit elektrisch leitenden Strukturen, wie etwa metallischen Haltefedern, ausgebildet werden. Ferner ist es möglich, in diesen Bereichen
Befestigungsöffnungen, zum Beispiel Bohrlöcher, vorzusehen, mit denen eine Befestigung des Anschlussträgers am
Bestimmungsort mittels Schrauben, Nieten oder Bolzen erfolgen kann .
Ferner zeichnet sich ein hier beschriebener Anschlussträger dadurch aus, dass Seitenflächen des Anschlussträgers, insbesondere die Substrat-Seitenflächen, ohne Aussparungen möglichst geradlinig und/oder glatt ausgebildet werden können. Auf diese Weise stehen die Seitenflächen für die mechanische Justage der Orientierung des Anschlussträgers am Bestimmungsort zur Verfügung.
Darüber hinaus ist es bei einem hier beschriebenen
Anschlussträger nicht notwendig, die Kontaktelemente
streifenförmig, das heißt beispielsweise rechteckig,
auszubilden. Vielmehr kann die Form die Kontaktelemente in der Draufsicht an die Anforderungen beispielsweise der
Bauelemente, die am Anschlussträger befestigt und kontaktiert werden sollen, angepasst werden. So kann beispielsweise eine Kontaktfläche an der Kontaktelement-Deckfläche in Form und Größe für eine Drahtkontakt (englisch: wire bond) - Kontaktierung optimiert werden.
Beispielsweise ist es möglich, das Verbindungselement
und/oder das Kontaktelement und/oder das Isolationselement vor dem Aufbringen auf das Substrat durch einen Stanz- oder Laserprozess zu strukturieren. Auf diese Weise können
flexibel beliebige Kontakt- beziehungsweise
Leiterbahngeometrien realisiert werden. Bei dem
Isolationselement kann es sich dann insbesondere um eine vorstrukturierte Isolationsfolie handeln, die auf freiliegende Bereiche des Kontaktelements, die nicht zur Kontaktierung eines Bauelements vorgesehen sind, aufgeklebt wird .
Darüber hinaus ist es möglich, zwei Kontaktelemente des Anschlussträgers in einer lateralen Richtung so nahe einander zu platzieren, dass beispielsweise ein ESD (Electro-Static Discharge, elektrostatische Entladung) -Schutzelement auf einem Kontaktelement befestigt werden kann und zum
beabstandeten Kontaktelement eine Drahtkontaktierung
hergestellt werden kann, ohne dass eine für die
Drahtkontaktierung zu lange Strecke zwischen den
Kontaktelementen überbrückt werden muss.
Ferner ist es bei einem hier beschriebenen Anschlussträger möglich, die Kontaktelemente derart aufzubringen, dass zwischen dem Kontaktelement und der Außenkante des
Anschlussträgers ausreichend Platz zur Verfügung steht, um den der Außenkante zugewandten Bereich des Kontaktelements mittels des Isolationselements elektrisch zu isolieren. Auf diese Weise kann auf aufwändige Verfahren zur Isolierung des Kontaktelements, wie beispielsweise einem Umklappen eines Endstücks des Kontaktelements, verzichtet werden.
Ein hier beschriebener Anschlussträger zeichnet sich daher insgesamt neben der kostengünstigen Herstellbarkeit auch dadurch aus, dass er auf besonders einfache Weise sicher betrieben werden kann, das heißt dass zum Beispiel auf besonders einfache Weise Kriechstrecken an den Außenkanten des Anschlussträgers verhindert werden können.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers überragt das Verbindungselement das Kontaktelement seitlich, das heißt in zumindest einer lateralen Richtung. Insbesondere ist es möglich, dass das Verbindungselement das
Kontaktelement in allen lateralen Richtungen überragt. Das heißt, das Verbindungselement erstreckt sich beispielsweise geringfügig über die Abmessungen des Kontaktelements in den lateralen Richtungen hinaus und ermöglicht damit eine
Montagetoleranz bei der Platzierung des Kontaktelements auf dem Verbindungselement. Der Überstand kann dabei vorteilhaft besonders klein ausgebildet sein, da er nicht der Erzeugung von Kriechstrecken dienen muss. Der Überstand beträgt dann zum Beispiel zwischen wenigstens 50 ym und höchstens 300 ym. Im Extremfall kann auf den Überstand ganz verzichtet werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers bedeckt das Isolationselement das Verbindungselement an einer dem Substrat abgewandten Verbindungselement-Deckfläche. Das heißt, das Isolationselement ist beispielsweise von der
Kontaktelement-Deckfläche über die Kontaktelement- Seitenfläche auf die Verbindungselement-Deckfläche gezogen.
Auf diese Weise ist es möglich, zumindest die den Außenkanten des Anschlussträgers zugewandten Kontaktelement-Seitenflächen vollständig in elektrisch isolierendes Material einzuhüllen. An der Oberseite und den Seiten wird das Kontaktelement in diesem Fall vom Isolationselement bedeckt, an der Unterseite vom elektrisch isolierenden Verbindungselement. Im Bereich der Kontaktelement-Seitenfläche grenzen das Isolationselement und das Verbindungselement dann zum Beispiel direkt
aneinander und sind dort Stoffschlüssig miteinander
verbunden. Dies führt zu einem vollständigen Einhüllen des Kontaktelements in diesem Bereich. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers bedeckt das Isolationselement das Verbindungselement an einer der Substrat-Seitenfläche zugewandten Verbindungselement- Seitenfläche. Das heißt, in dieser Ausführungsform ist das Isolationselement beispielsweise von der Kontaktelement- Deckfläche über die Kontaktelement-Seitenfläche zur
Verbindungselement-Deckfläche geführt und von dort zur
Verbindungselement-Seitenfläche. Das Isolationselement kann sich dabei insbesondere unterbrechungsfrei über die genannte Strecke erstrecken. Dadurch, dass das Isolationselement das Verbindungselement an dessen Seitenfläche ebenfalls bedeckt und dort beispielsweise stoffschlüssig mit dem
Verbindungselement verbunden ist, ergibt sich eine weiter verbesserte Kapselung des Kontaktelements mit elektrisch isolierendem Material zumindest im Bereich der Außenkanten des Anschlussträgers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers steht das Isolationselement stellenweise in direktem Kontakt mit dem Substrat. Das heißt, in diesem Fall kann das
Isolationselement beispielsweise von der Kontaktelement- Deckfläche, über die Kontaktelement-Seitenfläche zur
Verbindungselement-Deckfläche und über die
Verbindungselement-Deckfläche zur Substrat-Deckfläche
und/oder zur Substrat-Seitenfläche gezogen werden und dort in direktem Kontakt mit dem Substrat stehen. In dieser
Ausführungsform ist der Anschlussträger beispielsweise entlang aller seiner Außenkanten vom Isolationselement bedeckt und Kriechstrecken vom und zum Kontaktelement sind von den Außenkanten des Anschlussträgers her vollständig unterbunden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist der Zentralbereich der Substrat-Deckfläche seitlich, das heißt in den lateralen Richtungen, vollständig vom
Isolationselement umgeben. Das heißt, das Isolationselement, das beispielsweise mit dem Substrat in direktem Kontakt stehen kann, umgibt den Zentralbereich vollständig und bedeckt beispielsweise das Substrat an seinen Außenkanten ohne Unterbrechung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers sind das Verbindungselement und das Kontaktelement in der Draufsicht stellenweise gekrümmt ausgebildet. Das heißt insbesondere, dass das Verbindungselement und das
Kontaktelement nicht als Streifen ausgebildet sind, die in Draufsicht beispielsweise rechteckig ausgebildet sind, sondern die genannten Elemente weisen in der Draufsicht gekrümmte Außenkanten auf. Mit diesen gekrümmten Außenkanten kann eine besonders genaue Anpassung der Form des
Kontaktelements beziehungsweise der Kontaktelemente des Anschlussträgers an die Bedürfnisse der Bauelemente, die am Anschlussträger befestigt und elektrisch angeschlossen werden sollen, angepasst werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers weist das Substrat zumindest im Zentralbereich an der
Substrat-Deckfläche eine Reflektivität von wenigstens 80 %, insbesondere von wenigstens 85 %, für Licht auf. Das Substrat weist die genannte Reflektivität dabei vorzugsweise bei einer Wellenlänge von wenigstens 430 nm und höchstens 700 nm, insbesondere bei einer Wellenlänge von 450 nm auf. Die
Reflektivität kann dabei besonders bevorzugt wenigstens 90 % betragen. Mit anderen Worten, senkrecht zur
Haupterstreckungsebene auf die Substrat-Deckfläche des Substrats, zum Beispiel im Zentralbereich, auftreffendes sichtbares Licht wird mit einer Wahrscheinlichkeit von wenigstens 80 %, bevorzugt wenigstens 85 % und besonders bevorzugt wenigstens 90 % reflektiert. Das Substrat ist damit für sichtbares, insbesondere für blaues Licht,
hochreflektierend ausgebildet. Ein solches hochreflektives , insbesondere mehrschichtig ausgebildetes, Substrat kann kostengünstig hergestellt werden und erlaubt insbesondere die Verwendung des Anschlussträgers zur Bildung eines
optoelektronischen Bauteils.
Es wird weiter ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Beim hier beschriebenen optoelektronischen Bauteil kann
insbesondere ein hier beschriebener Anschlussträger zum
Einsatz kommen. Das heißt, sämtliche für den Anschlussträger offenbarten Merkmale sind auch für das optoelektronische Bauteil offenbart und umgekehrt. Bei dem optoelektronischen Bauteil handelt es sich beispielsweise um ein so genanntes Chip-on-board LED-Modul oder einen so genannten „Light
Kernel". Im optoelektronischen Bauteil können dann
beispielsweise Leuchtdiodenchips zum Einsatz kommen. Ferner ist es möglich, dass alternativ oder zusätzlich im
optoelektronischen Bauteil Laserdiodenchips und/oder
Fotodetektorchips zum Einsatz kommen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das optoelektronische Bauteil einen hier beschriebenen Anschlussträger. Weiter umfasst das hier beschriebene optoelektronische Bauteil einen, insbesondere zumindest zwei optoelektronische Halbleiterchips, bei denen es sich beispielsweise um gleichartige Halbleiterchips handeln kann. Das heißt, es kann sich beispielsweise um
Halbleiterchips handeln, die im Rahmen der Herstellungstoleranz gleich aufgebaut sind. Dabei ist es möglich, dass es sich bei den optoelektronischen
Halbleiterchips um Leuchtdiodenchips und/oder Fotodiodenchips und/oder Laserdiodenchips handelt.
Insbesondere kann es sich bei den optoelektronischen
Halbleiterchips um so genannte Saphir-Chips handeln. Diese Chips können beispielsweise einen Träger umfassen, der aus Saphir gebildet ist und Teil eines Aufwachssubstrats ist, auf das eine Halbleiterschichtenfolge, umfassend einen aktiven, zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Bereich, epitaktisch abgeschieden wurde.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
optoelektronischen Halbleiterchips im Zentralbereich auf der Substrat-Deckfläche am Substrat befestigt. Das heißt, die optoelektronischen Halbleiterchips sind in einem Bereich auf das Substrat aufgebracht, der frei ist von dem
Verbindungselement, dem Kontaktelement und dem
Isolationselement. Die Halbleiterchips können beispielsweise im Zentralbereich durch Kleben oder Löten am Substrat
befestigt sein, wobei zwischen dem Substrat und den
optoelektronischen Halbleiterchips insbesondere keine
elektrische Verbindung besteht. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht sein, dass die Substrat-Deckfläche im
Zentralbereich elektrisch isolierend ausgebildet ist und/oder die optoelektronischen Halbleiterchips mit ihrer elektrisch isolierenden Seite, insbesondere einem Träger aus Saphir, an der Deckfläche befestigt sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
optoelektronischen Halbleiterchips elektrisch leitend mit dem Kontaktelement verbunden. Insbesondere sind die optoelektronischen Halbleiterchips mit wenigstens zwei
Kontaktelementen des Anschlussträgers elektrisch leitend verbunden. Zum Beispiel umfasst das optoelektronische Bauteil eine Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips, die
zumindest teilweise in Reihe zueinander geschaltet sind. Eine Kontaktierung der Reihenschaltung von optoelektronischen Halbleiterchips erfolgt dann durch zwei Kontaktelemente des Anschlussträgers . Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein
optoelektronisches Bauteil angegeben mit
- einem Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, und
- zumindest zwei optoelektronischen Halbleiterchips, wobei, - die optoelektronischen Halbleiterchips im Zentralbereich auf der Substrat-Deckfläche am Substrat befestigt sind, und
- die optoelektronischen Halbleiterchips elektrisch leitend mit dem Kontaktelement verbunden sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die optoelektronischen Halbleiterchips von einer lichtdurchlässigen, elektrisch isolierenden Umhüllung umgeben, wobei die Umhüllung mit dem Substrat an dessen
Substrat-Deckfläche in direktem Kontakt steht. Beispielsweise steht die Umhüllung im Zentralbereich der Substrat-Deckfläche mit dem Substrat in direktem Kontakt. Bei der Umhüllung handelt es sich insbesondere um einen Vergusskörper, der auf die optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht wird. Der Vergusskörper kann ein Matrixmaterial umfassen, in das
Partikel eines oder mehrerer Materialien eingebracht sind.
Zum Beispiel sind in das Matrixmaterial Partikel eines
Leuchtstoffs eingebracht, der dazu ausgebildet ist, einen Teil der von den optoelektronischen Halbleiterchips im
Betrieb emittierten Primärstrahlung zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung aus einem anderen
Wellenlängenbereich, beispielsweise mit größeren
Wellenlängen, zu emittieren. Auf diese Weise kann vom
optoelektronischen Bauteil im Betrieb Mischlicht, zum
Beispiel weißes Licht, abgestrahlt werden. Bei dem
Matrixmaterial kann es sich beispielsweise um ein Silikon- Material, ein Epoxid-Material oder ein Silikon-Epoxid- Hybridmaterial handeln.
Die Umhüllung dient neben ihren optischen Eigenschaften auch zum mechanischen Schutz der optoelektronischen
Halbleiterchips vor äußeren Einflüssen. Darüber hinaus stellt die Umhüllung eine elektrisch isolierende Komponente des optoelektronischen Bauteils dar, welche dazu beitragen kann, Kriechstrecken zum Kontaktelement des Anschlussträgers zu unterbinden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils steht die Umhüllung in direktem Kontakt mit dem Isolationselement. Beispielsweise ist das Isolationselement an der den Halbleiterchips zugewandten Seite des
Kontaktelements und des Verbindungselements über diese beiden Komponenten geführt und bedeckt dort die Substrat-Deckfläche. In diesem Fall ist das Isolationselement beispielsweise mit einem Lack, zum Beispiel einem Lötstopplack, gebildet, der dann die optoelektronischen Halbleiterchips vollständig umgibt. Ferner ist es möglich, dass die Umhüllung sich mit dem Substrat, dem Verbindungselement, dem Kontaktelement und dem Isolationselement in direktem Kontakt befindet. Die
Umhüllung kann dann besonders gut am Anschlussträger haften, da die Anhaftfläche zum Anschlussträger in diesem Fall besonders groß ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils bildet eine den optoelektronischen Halbleiterchips zugewandte Isolationselement-Außenkante eine Stoppkante für die Umhüllung. In diesem Fall ist das Isolationselement beispielsweise an der Kontaktelement-Deckfläche angeordnet und erstreckt sich an den optoelektronischen Halbleiterchips zugewandten Seite der Verbindungsschicht nicht zur
Verbindungsschicht, sondern endet an der Kontaktelement- Deckfläche. In diesem Bereich weist das Isolationselement dann eine den Halbleiterchips zugewandte Außenkante auf. Das Umhüllungsmaterial kann dann hinsichtlich beispielsweise seiner Viskosität beim Aufbringen auf die optoelektronischen Halbleiterchips derart gewählt werden, dass es an der
Außenkante des Isolationselements stoppt. Mit Vorteil ist in diesem Fall kein weiteres Element, zum Beispiel kein
umlaufender Damm, notwendig, der das Umhüllungsmaterial im Zentralbereich der Substrat-Deckfläche, dort, wo die
optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sind, fixiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Kontaktelement bis auf zur Kontaktierung des Bauelements von außen vorgesehene Kontaktstellen an keiner Stelle frei zugänglich. Insbesondere ist es in diesem Fall möglich, dass kein Kontaktelement des Anschlussträgers frei zugänglich ist. Das oder die Kontaktelemente des
Anschlussträgers sind in diesem Fall weitgehend vollständig von weiteren Komponenten des Anschlussträgers und des
optoelektronischen Bauteils bedeckt. Zum Beispiel ist das Kontaktelement vollständig vom Isolationselement und der Umhüllung bedeckt. Dabei ist es zum Beispiel möglich, dass das Isolationselement in direktem Kontakt mit der Umhüllung steht und die Umhüllung in lateralen Richtungen, also
seitlich, vollständig umgibt. Auf diese Weise sind
Kriechstrecken zum Kontaktelement des optoelektronischen Bauteils vollständig unterbunden. Lediglich im Bereich der Kontaktstellen ist das Isolationselement dann geöffnet. Die Kontaktstellen sind dabei vorzugsweise wenigstens 1 mm von einer Außenkante des Anschlussträgers entfernt, wodurch sich die Möglichkeit ergibt, den Bereich zwischen einer
Kontaktstelle und der Außenkante mit Material des
Isolationselements zu bedecken.
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers oder eines optoelektronischen Bauteils angegeben. Mittels des Verfahrens können hier beschriebene Anschlussträger und hier beschriebene optoelektronische
Bauteile hergestellt werden, das heißt sämtliche für hier beschriebene Anschlussträger und hier beschriebene
optoelektronische Bauteile offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst eine Anordnung, umfassend eine Vielzahl von
Substraten, die aneinander befestigt sind, bereitgestellt. Bei der Anordnung kann es sich beispielsweise um ein Panel oder eine Endlosrolle handeln, die später zu einzelnen
Substraten oder einzelnen Anschlussträgern vereinzelt werden kann. In einem nächsten Verfahrensschritt werden in den
Substraten der Anordnung Befestigungsöffnungen und
Vereinzelungsöffnungen mittels Stanzens erzeugt. Das Stanzen der Befestigungsöffnungen und der Vereinzelungsöffnungen kann dabei vorteilhaft in einem gemeinsamen Verfahrensschritt erfolgen, sodass diese Öffnungen in den Substraten besonders effizient erzeugt werden können.
Die Vereinzelungsöffnungen erstrecken sich dabei zum Beispiel zwischen aneinandergrenzenden Substraten grabenförmig, ohne dass sie sich entlang der gesamten Außenkante eines Substrats erstrecken. Auf diese Weise dienen die Vereinzelungsöffnungen in einem späteren Verarbeitungsschritt beispielsweise als Sollbruchstellen.
In einem abschließenden Verarbeitungsschritt wird die
Anordnung entlang der Vereinzelungsöffnungen zu einer
Vielzahl von Substraten vereinzelt. Dies kann beispielsweise nach dem Fertigstellen des Anschlussträgers oder nach dem Fertigstellen des optoelektronischen Bauteils erfolgen, so dass eine Vereinzelung zu Anschlussträgern oder zu Bauteilen erfolgt .
Die Strukturierung der genannten Elemente sowie das
Isolationselement können im Vergleich zu bekannten
Anschlussträgern zwar die Herstellungskosten erhöhen, dies wird jedoch durch die Reduzierung des Aufwands beim
Vereinzeln der Anschlussträger aus der Anordnung von
Substraten, bei der keine besonderen Maßnahmen zur Vermeidung von Nebenschlüssen zwischen den Kontaktelementen und dem Substrat vorgenommen werden müssen, mehr als kompensiert.
Das hier beschriebene optoelektronische Bauteil kann sich durch eine besonders große Licht emittierende Fläche
auszeichnen, die durch die Fläche des Zentralbereichs der
Substrat-Deckfläche gebildet ist. Zum Beispiel kann die Licht emittierende Fläche einen Durchmesser von wenigstens 1,5 mm und höchstens 45 mm, insbesondere zwischen wenigstens 5 mm und höchstens 33 mm, aufweisen. Insbesondere weist die Licht emittierende Fläche einen Durchmesser von zirka 9 mm, zirka 13 mm, zirka 19 mm oder zirka 24 mm auf, wobei die Toleranz jeweils 1 mm betragen kann.
Im Folgenden werden die hier beschriebenen Anschlussträger, die hier beschriebenen optoelektronischen Bauteile sowie die hier beschriebenen Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Die Figuren 1A, 1B und IC zeigen ein erstes
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen
Anschlussträgers anhand schematischer
Darstellungen .
Die Figuren 2 und 3 zeigen anhand schematischer Darstellungen weitere Ausführungsbeispiel von hier beschriebenen Anschlussträgern . Die Figuren 4A, 4B zeigen anhand schematischer Darstellungen ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils.
Anhand der schematischen Darstellungen der Figuren 5A, 5B, 5C ist ein Ausführungsbeispiel eines hier
beschriebenen Verfahren näher erläutert.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Die Figur 1A zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Anschlussträgers anhand einer schematischen Schnittdarstellung. Die Figur 1B zeigt die zugehörige
Explosionsdarstellung. Die Figur IC zeigt eine schematische Aufsicht . Der Anschlussträger 1 umfasst ein Substrat 10. Bei dem
Substrat 10 handelt es sich beispielsweise um ein hier beschriebenes mehrlagiges Trägerblech. Das Substrat 10 umfasst eine Deckfläche 10a, eine Bodenfläche 10b sowie
Seitenflächen 10c, welche die Deckfläche 10a mit der
Bodenfläche 10b verbinden. An der Substrat-Deckfläche 10a ist das Verbindungselement 11 angeordnet, welches einen
Zentralbereich 18 ringförmig oder rahmenförmig umschließt (siehe dazu beispielsweise die Figuren 1B und IC) . Das
Verbindungselement 11 ist mit dem Substrat 10 Stoffschlüssig verbunden.
Auf das Verbindungselement 11 sind auf der dem Substrat abgewandten Verbindungselement-Deckfläche IIa zwei
Kontaktelemente 12 aufgebracht, die mit dem
Verbindungselement 11 Stoffschlüssig verbunden sind. Dabei überragt das Verbindungselement 11 die Kontaktelemente 12 jeweils in lateralen Richtungen, parallel zur
Haupterstreckungsrichtung der Substrat-Deckfläche 10a des Substrats 10.
An der dem Verbindungselement abgewandten Seite ist die
Kontaktelement-Deckfläche 12a ausgebildet, die stellenweise vom Isolationselement 13 bedeckt ist. Beispielsweise sind das Isolationselement 13 und das Kontaktelement 12 stoffschlüssig miteinander verbunden. Auch das Isolationselement 13 kann den Zentralbereich 18 der Substrat-Deckfläche 10a ringförmig oder rahmenförmig umschließen.
Das Isolationselement 13 ist dabei entlang der
Kontaktelement-Deckfläche 12a zur Kontaktelement-Seitenfläche 12c geführt. Es bedeckt die Kontaktelement-Seitenfläche 12c vollständig und befindet sich mit dem Verbindungselement 11 an der Verbindungselement-Deckfläche IIa an der der Substrat- Seitenfläche 10c zugewandten Seite in direktem Kontakt. Im vorliegenden Fall überragt das Verbindungselement 11 auch das Isolationselement 13 an jeder Stelle seitlich vollständig oder schließt bündig mit diesem ab.
Mittels des Verbindungselements 11 und des Isolationselements
13 ist das Kontaktelement 12 an der der Außenkante des
Anschlussträgers 1 zugewandten Seite vollständig mit
elektrisch isolierendem Material des Verbindungselements 11 und des Isolationselements 13 bedeckt.
Wie beispielsweise aus den Figuren 1B und IC ersichtlich ist, umfasst der Anschlussträger weiter Befestigungsöffnungen 14, die in einander gegenüberliegenden Quadranten des Substrats 10 angeordnet sind. Hierbei ist die Umgebung der
Befestigungsöffnungen 14 jeweils frei von dem
Verbindungselement 11, dem Kontaktelement 12 und dem
Isolationselement 13. Es ist jedoch auch möglich, dass insbesondere das Isolationselement 13 bis zur Außenkante des Substrats 10 geführt ist und auch die Befestigungsöffnungen
14 in lateralen Richtungen vollständig umschließt. Der Anschlussträger 1 umfasst weiter Kontaktstellen 15, die in den nicht mit den Befestigungsöffnungen 14 belegten
Quadranten angeordnet sind. An diesen Kontaktelementen ist das Isolationselement 13 nicht aufgebracht und das
Kontaktelement 12 ist dort jeweils frei zugänglich und kontaktierbar .
Das Verbindungselement 11, das Kontaktelement 12 und
gegebenenfalls das Isolationselement 13 können durch
Verfahren wie Stanzen oder einen Lasertrennprozess
strukturiert sein, sodass sie insbesondere gekrümmte
Außenflächen aufweisen können. Im Zentralbereich 18 der Substrat-Deckfläche 10a kann der Durchmesser Dl zwischen gegenüberliegenden Kanten des Verbindungselements 11 im vorliegenden Fall beispielsweise 17,9 mm betragen. Der
Durchmesser D2 zwischen gegenüberliegenden Kanten des
Kontaktelements 12 kann beispielsweise 18,7 mm betragen und der Durchmesser D3 zwischen gegenüberliegenden Kanten des Isolationselements 13 kann 19,8 mm betragen. Die Toleranz beträgt dabei beispielsweise jeweils 1 mm.
Abweichend vom in der Figur 1A dargestellten
Ausführungsbeispiel ist es auch möglich, dass das
Isolationselement 13 an der dem Zentralbereich 18 zugewandten Seite des Kontaktelements 12 und des Verbindungselements 11 zum Substrat 10 geführt ist. Dies ist im rechten Bereich der Figur 1A durch gestrichelte Linien angedeutet.
Beispielsweise, wenn das Isolationselement 13 nicht als Folie, sondern als Beschichtung, zum Beispiel mittels eines Lötstopplacks, ausgeführt ist, ist dies eine mögliche
Variante des Verlaufs des Isolationselements 13. Das
Isolationselement 13 ist in diesem Fall beispielsweise weiß ausgebildet und kann damit eine optische Beeinträchtigung durch das Kontaktelement 12 oder das Verbindungselement 11 unterbinden .
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Anschlussträgers näher erläutert.
In der Figur 2 ist ein Anschlussträger dargestellt, der das Substrat 10, das die Substrat-Deckfläche 10a, die der
Substrat-Deckfläche 10a gegenüberliegende Substrat- Bodenfläche 10b und die Substrat-Seitenfläche 10c umfasst, aufweist. Ferner umfasst der Anschlussträger 1 das
Verbindungselement 11, das elektrisch isolierend ist, das Kontaktelement 12, das elektrisch leitend ist, sowie das Isolationselement 13, das elektrisch isolierend ist. Dabei ist das Verbindungselement 11 an der Substrat-Deckfläche 10a angeordnet, das Kontaktelement 12 ist an der dem Substrat 10 abgewandten Seite des Verbindungselements 11 angeordnet, und das Isolationselement 13 ist an der dem Verbindungselement 11 abgewandten Seite des Kontaktelements 12 angeordnet. Das Verbindungselement 11 überragt das Kontaktelement 12
seitlich. Die Substrat-Seitenfläche 10c verbindet die
Substrat-Deckfläche 10a und die Substrat-Bodenfläche 10b miteinander. Das Isolationselement 13 bedeckt das
Kontaktelement 12 an der dem Verbindungselement 11
abgewandten Kontaktelement-Deckfläche 12a und der der
Substrat-Seitenfläche 10c zugewandten Kontaktelement- Seitenfläche 12c. Die Substrat-Deckfläche 10a ist im
Zentralbereich 18 frei zugänglich ist, und der Zentralbereich 18 ist seitlich vom Isolationselement 13 umgeben.
Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 1A ist im Ausführungsbeispiel der Figur 2 das Isolationselement 13 entlang der Kontaktelement-Deckfläche 12a über die Kontaktelement-Seitenfläche 12c von der Verbindungselement- Deckfläche IIa zur Substrat-Deckfläche 10a geführt. Es ist dabei möglich, dass das Isolationselement 13 mit der
Außenkante des Substrats 10 bündig abschließt oder das
Substrat 10 das Isolationselement 13 seitlich überragt.
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Anschlussträgers näher erläutert. Es ist ein Anschlussträger dargestellt mit dem Substrat 10, das die Substrat-Deckfläche 10a, die der Substrat-Deckfläche 10a gegenüberliegende Substrat-Bodenfläche 10b und die Substrat- Seitenfläche 10c umfasst. Ferner umfasst der Anschlussträger das Verbindungselement 11, das elektrisch isolierend ist, das Kontaktelement 12, das elektrisch leitend ist, sowie das Isolationselement 13, das elektrisch isolierend ist. Dabei ist das Verbindungselement 11 an der Substrat-Deckfläche 10a angeordnet, das Kontaktelement 12 ist an der dem Substrat 10 abgewandten Seite des Verbindungselements 11 angeordnet, und das Isolationselement 13 ist an der dem Verbindungselement 11 abgewandten Seite des Kontaktelements 12 angeordnet. Das Verbindungselement 11 überragt das Kontaktelement 12
seitlich. Die Substrat-Seitenfläche 10c verbindet die
Substrat-Deckfläche 10a und die Substrat-Bodenfläche 10b miteinander. Das Isolationselement 13 bedeckt das
Kontaktelement 12 an der dem Verbindungselement 11
abgewandten Kontaktelement-Deckfläche 12a und der der
Substrat-Seitenfläche 10c zugewandten Kontaktelement- Seitenfläche 12c. Die Substrat-Deckfläche 10a ist im
Zentralbereich 18 frei zugänglich ist, und der Zentralbereich 18 ist seitlich vom Isolationselement 13 umgeben. In Ergänzung zum Ausführungsbeispiel der Figur 2 ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Damm 16 ausgebildet, der den Zentralbereich 18 ringförmig oder rahmenförmig umschließt. Der Damm 16 kann dabei mit einem elektrisch isolierenden Material ausgebildet sein, das beispielsweise eine Farbe aufweist. Der Damm 16 kann beispielsweise mit einem
Silikonmaterial gebildet sein, das mit Pigmenten gefüllt ist, sodass der Damm 16 farbig, strahlungsabsorbierend oder weiß erscheint. Beispielsweise ist der Damm mit einem Titandioxid gefülltem Silikon gebildet und erscheint daher weiß.
Alternativ ist es möglich, dass der Damm 16 mit Material des Isolationselements 13 gebildet ist.
In jedem Fall ist in diesem Ausführungsbeispiel auch die dem Zentralbereich 18 zugewandte Seite der Kontaktelemente 12 von elektrisch isolierendem Material umgeben. Lediglich um einen Anschluss von Halbleiterchips zu ermöglichen, sind
Aussparungen im Damm oder im Isolationselement vorhanden, die in Figur 3 nicht dargestellt sind.
Der Damm 16 kann dabei auch zum Einschluss eines
Umhüllungsmaterials 22 dienen, siehe dazu zum Beispiel Figur 4A. In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der Figuren 4A und 4B ist ein hier beschriebenes optoelektronisches
Bauteil gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels näher
erläutert. Für das optoelektronische Bauteil kann jeder hier beschriebene Anschlussträger 1 Verwendung finden.
Der Anschlussträger 1 umfasst das Substrat 10, das die
Substrat-Deckfläche 10a, die der Substrat-Deckfläche 10a gegenüberliegende Substrat-Bodenfläche 10b und die Substrat- Seitenfläche 10c umfasst. Weiter weist der Anschlussträger das Verbindungselement 11, das elektrisch isolierend ist, das Kontaktelement 12, das elektrisch leitend ist, sowie das Isolationselement 13 auf, das elektrisch isolierend ist. Wie in den Ausführungsbeispielen der Figuren 1, 2 und 3
dargestellt, ist das Verbindungselement 11 an der Substrat- Deckfläche 10a angeordnet, das Kontaktelement 12 ist an der dem Substrat 10 abgewandten Seite des Verbindungselements 11 angeordnet, und das Isolationselement 13 ist an der dem
Verbindungselement 11 abgewandten Seite des Kontaktelements 12 angeordnet. Das Verbindungselement 11 überragt das
Kontaktelement 12 dabei seitlich. Die Substrat-Seitenfläche 10c verbindet die Substrat-Deckfläche 10a und die Substrat- Bodenfläche 10b miteinander.
Das Isolationselement 13 bedeckt das Kontaktelement 12 an der dem Verbindungselement 11 abgewandten Kontaktelement- Deckfläche 12a und der der Substrat-Seitenfläche 10c
zugewandten Kontaktelement-Seitenfläche 12c. Die Substrat- Deckfläche 10a ist im Zentralbereich 18 frei zugänglich und der Zentralbereich 18 ist seitlich vom Isolationselement 13 umgeben. Im Ausführungsbeispiel der Figuren 4A und 4B findet ein Anschlussträger Verwendung, bei dem sich das
Verbindungselement 11 und das Isolationselement 13 jeweils bis zur Außenkante des Substrats 10 erstrecken, sodass die der Außenkante des Anschlussträgers zugewandten Seitenflächen des Isolationselements 13, des Verbindungselements 11 und des Substrats 10 bündig miteinander abschließen. Das optoelektronische Bauteil umfasst weiter eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 20, zum Beispiel
Leuchtdiodenchips. Die Halbleiterchips 20 sind über
Drahtkontakte 11, die mit den Kontaktelementen 12 elektrisch leitend verbunden sind, zumindest teilweise in Reihe
zueinander verschaltet. Weiter sind die optoelektronischen Halbleiterchips 20 von einer Umhüllung 22 umgeben, bei der es sich beispielsweise um ein mit Konverter gefülltes
Vergussmaterial handeln kann.
Die den Halbleiterchips 22 zugewandte Außenkante 13d des Isolationselements 13 dient als Stoppkante für das
Umhüllungsmaterial 22.
Wie aus der Draufsicht der Figur 4B ersichtlich, kann das optoelektronische Bauteil weiter ein ESD-Schutzelement 23 umfassen, bei dem es sich beispielsweise um eine ESD- Schutzdiode handelt, die zu den in Reihe verschalteten optoelektronischen Halbleiterchips 20 antiparallel geschaltet ist. Zum Anschluss des ESD-Schutzelements 23 ist ein weiteres Kontaktelement 12 vorgesehen, das über ein weiteres
Verbindungselement 11 am Substrat 10 befestigt ist.
Alternativ können die Kontaktelemente 12 so ausgeformt werden, dass kein weiteres Verbindungselement 11 erforderlich ist um das ESD-Schutzelement 23 zu platzieren und zu
kontaktieren. Dies ist beispielsweise bei dem Anschlussträger der Figuren 1A bis IC möglich, bei dem die beiden
Kontaktelemente 12 an zwei Stellen einen sehr kleinen Abstand zueinander aufweisen, so dass zum Beispiel eine
Drahtkontaktierung des ESD-Schutzelements 23 von einem
Kontaktelement zum benachbarten Kontaktelement möglich ist.
In Verbindung mit den Figuren 5A, 5B und 5C ist ein
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Bei dem Verfahren wird eine Anordnung, umfassend eine Vielzahl von Substraten 10, bereitgestellt. Bei der Anordnung handelt es sich beispielsweise um ein Panel oder eine Endlosrolle. In den Substraten werden
Befestigungsöffnungen 14 und Vereinzelungsöffnungen 17 mittels Stanzens erzeugt. Zum Beispiel können die
Befestigungsöffnungen 14 und die Vereinzelungsöffnungen 17 im gleichen Arbeitsschritt vorgestanzt werden. Die
Befestigungsöffnungen 14 dienen zum Beispiel zur Aufnahme von Befestigungselementen wie Schrauben, Nieten oder Bolzen.
Die Vereinzelungsöffnungen erstrecken sich über einen
Großteil der Außenkante eines jeden Substrats 10, ohne sich vollständig entlang der Außenkante zu erstrecken. Auf diese Weise hängen die Substrate 10 an den Ecken zusammen.
Nachdem der Anschlussträger oder das optoelektronische
Bauteil hergestellt ist, können die Substrate voneinander getrennt werden, indem die Anordnung entlang der
Vereinzelungsöffnungen zertrennt wird.
Insbesondere zeichnen sich hier beschriebene Anschlussträger sowie hier beschriebene Bauteile durch eine besonders kostengünstige Herstellbarkeit aus. Ein weiterer Vorteil von hier beschriebenen Anschlussträgern sowie von hier
beschriebenen Bauteilen besteht darin, dass sie aufgrund der Vermeidung von Kriechstrecken insbesondere an ihrer
Außenkante besonders sicher verwendet werden können.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Es wird die Priorität der deutschen Patentanmeldung
DE 102016103819.9 beansprucht, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen ist.
Bezugs zeichenliste
1 Anschlussträger
10 Substrat
10a Substrat-Deckfläche
10b Substrat-Bodenfläche
10c Substrat-Seitenfläche
11 Verbindungselement
IIa Verbindungselement-Deckfläche 11c Verbindungselement-Seitenfläche
12 Kontaktelement
12a Kontaktelement-Deckfläche
12c Kontaktelement-Seitenfläche
13 Isolationselement
14 Befestigungsöffnung
15 Kontaktstellen
16 Damm
17 Vereinzelungsöffnung
18 Zentralbereich
2 optoelektronisches Bauteil
20 optoelektronischer Halbleiterchip
21 Kontaktdraht
22 Umhüllung
23 ESD-Schutzelement
Dl Durchmesser
D2 Durchmesser
D3 Durchmesser

Claims

Patentansprüche
1. Anschlussträger (1) mit
- einem Substrat (10), das eine Substrat-Deckfläche (10a), eine der Substrat-Deckfläche (10a) gegenüberliegende
Substrat-Bodenfläche (10b) und eine Substrat-Seitenfläche (10c) umfasst,
- einem Verbindungselement (11), das elektrisch isolierend ist,
- einem Kontaktelement (12), das elektrisch leitend ist, und
- einem Isolationselement (13), das elektrisch isolierend ist, wobei
- das Verbindungselement (11) an der Substrat-Deckfläche (10a) angeordnet ist,
- das Kontaktelement (12) an der dem Substrat (10)
abgewandten Seite des Verbindungselements (11) angeordnet ist,
- das Isolationselement (13) an der dem Verbindungselement (11) abgewandten Seite des Kontaktelements (12) angeordnet ist,
- die Substrat-Seitenfläche (10c) die Substrat-Deckfläche (10a) und die Substrat-Bodenfläche (10b) verbindet,
- das Isolationselement (13) das Kontaktelement (12) an einer dem Verbindungselement (11) abgewandten Kontaktelement- Deckfläche (12a) und einer der Substrat-Seitenfläche (10c) zugewandten Kontaktelement-Seitenfläche (12c) bedeckt,
- die Substrat-Deckfläche (10a) in einem Zentralbereich (18) frei zugänglich ist, und
- der Zentralbereich (18) seitlich vom Isolationselement (13) umgeben ist.
2. Anschlussträger (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem das Verbindungselement (11) das Kontaktelement (12) seitlich überragt.
3. Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Isolationselement (13) das Verbindungselement
(11) an einer dem Substrat (10) abgewandten
Verbindungselement-Deckfläche (IIa) bedeckt.
4. Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Isolationselement (13) das Verbindungselement
(11) an einer der Substrat-Seitenfläche (10c) zugewandten Verbindungselement-Seitenfläche (11c) bedeckt.
5. Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Isolationselement (13) stellenweise in direktem
Kontakt mit dem Substrat (10) steht.
6. Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der Zentralbereich (18) seitlich vollständig vom Isolationselement (13) umgeben ist.
7. Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Verbindungselement (11) und das Kontaktelement
(12) in der Draufsicht stellenweise gekrümmt ausgebildet sind.
8. Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Substrat (10) zumindest im Zentralbereich (18) an der Substrat-Deckfläche (10a) eine Reflektivität von
wenigstens 80 %, insbesondere wenigstens 90 %, für Licht aufweist .
9. Optoelektronisches Bauteil (2) mit - einem Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen
Ansprüche, und
- zumindest zwei optoelektronischen Halbleiterchips (2), wobei ,
- die optoelektronischen Halbleiterchips (20) im
Zentralbereich (18) auf der Substrat-Deckfläche (10a) am Substrat (10) befestigt sind, und
- die optoelektronischen Halbleiterchips elektrisch leitend mit dem Kontaktelement (12) verbunden sind.
10. Optoelektronisches Bauteil (2) nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem die optoelektronischen Halbleiterchips (20) von einer lichtdurchlässigen, elektrisch isolierenden Umhüllung (22) umgeben sind, wobei die Umhüllung (22) mit dem Substrat (10) an dessen Substrat-Deckfläche (10a) in direktem Kontakt steht .
11. Optoelektronisches Bauteil (2) nach dem vorherigen
Anspruch,
bei dem die Umhüllung (22) in direktem Kontakt mit dem
Isolationselement (13) steht.
12. Optoelektronisches Bauteil (2) nach dem vorherigen
Anspruch,
bei dem eine den optoelektronischen Halbleiterchips (20) zugewandte Isolationselement-Außenkante (13d) als Stoppkante für die Umhüllung (22) dient.
13. Optoelektronisches Bauteil (2) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Kontaktelement (12) bis auf zur Kontaktierung von außen vorgesehene Kontaktstellen (15) an keiner Stelle frei zugänglich ist.
14. Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers (1) oder eines optoelektronischen Bauteils (2) nach einem der
vorherigen Ansprüche, wobei
- eine Anordnung umfassend eine Vielzahl von Substraten (10), die aneinander befestigt sind, bereitgestellt wird,
- in den Substraten (10) Befestigungsöffnungen (14) und Vereinzelungsöffnungen (17) mittels Stanzen erzeugt werden, und
die Anordnung entlang der Vereinzelungsöffnungen (17) zertrennt wird.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018105861B3 (de) * 2018-03-14 2019-07-04 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Leiterbahnabschnitts eines Anschlussträgers, Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers, und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP1627942S (de) * 2018-09-27 2019-04-01
USD895559S1 (en) * 2019-01-15 2020-09-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP1640278S (de) * 2019-01-15 2019-09-02

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008044847A1 (de) 2008-08-28 2010-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20130009183A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-10 Han Chang Reflective circuit board for led backlight
DE102012223039A1 (de) * 2012-02-13 2013-08-14 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Flächenverguß
US8975532B2 (en) 2004-02-26 2015-03-10 OSPAM Opto Semiconductor GmbH Light-emitting diode arrangement for a high-power light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode arrangement
US20150311403A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Led lighting apparatus and method for manufacturing the same
DE102015107675A1 (de) 2014-05-16 2015-11-19 GM Global Technology Operations LLC System und Verfahren zur Schätzung einer Fahrzeugdynamik unter Verwendung von Merkmalpunkten in Bildern von mehreren Kameras

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6047470A (en) * 1997-08-20 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Singulation methods
JP2002026187A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Sony Corp 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
DE102009019412A1 (de) * 2009-04-29 2010-11-04 Fa. Austria Technologie & Systemtechnik Ag Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit LEDs und gedruckter Reflektorfläche sowie Leiterplatte, hergestellt nach dem Verfahren
US8759664B2 (en) * 2009-12-28 2014-06-24 Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited Thin film solar cell strings
JP2013140823A (ja) * 2010-04-16 2013-07-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US8564000B2 (en) * 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
JP2012212824A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Hitachi Chem Co Ltd Ｌｅｄ搭載用基板
JP2013251321A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
JPWO2013179624A1 (ja) * 2012-05-31 2016-01-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール、照明器具及びランプ
WO2013183693A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 株式会社Ｓｔｅｑ Ｌｅｄ照明モジュールおよびｌｅｄ照明装置
JP6011083B2 (ja) * 2012-07-09 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 発光装置用リードフレームおよびその製造方法ならびに発光装置の製造方法
DE102013220674A1 (de) * 2013-10-14 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung
JP6314493B2 (ja) * 2014-01-20 2018-04-25 株式会社カネカ 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体、表面実装型発光装置、及び表面実装型発光装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8975532B2 (en) 2004-02-26 2015-03-10 OSPAM Opto Semiconductor GmbH Light-emitting diode arrangement for a high-power light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode arrangement
DE102008044847A1 (de) 2008-08-28 2010-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20130009183A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-10 Han Chang Reflective circuit board for led backlight
DE102012223039A1 (de) * 2012-02-13 2013-08-14 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Flächenverguß
US20150311403A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Led lighting apparatus and method for manufacturing the same
DE102015107675A1 (de) 2014-05-16 2015-11-19 GM Global Technology Operations LLC System und Verfahren zur Schätzung einer Fahrzeugdynamik unter Verwendung von Merkmalpunkten in Bildern von mehreren Kameras

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