WO2017148492A1 - Fonction physique non-clonable dans une mémoire non-volatile ayant des niveaux d'écriture multiples - Google Patents

Fonction physique non-clonable dans une mémoire non-volatile ayant des niveaux d'écriture multiples Download PDF

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Giesecke & Devrient Gmbh
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Abstract

L'invention concerne un système intégré comprenant un microcontrôleur, une mémoire non-volatile (NVM) accessible au microcontrôleur et un micrologiciel conçu pour commander le microcontrôleur; la mémoire non-volatile ayant une pluralité de cellules de mémoire, chaque cellule de mémoire étant conçue pour pouvoir prendre au moins deux ou précisément deux niveaux de logiques différents (202, 205), de manière à représenter différents contenus de mémoire de la cellule de mémoire; la mémoire non-volatile étant une mémoire à niveaux multiples, une partie ou la totalité des niveaux de logique (202, 205) étant attribuée à au moins deux niveaux d'écriture physique (201, 203; 204, 206), correspondant au même niveau de logique (202; 205); le microcontrôleur ou le micrologiciel comprenant en outre une logique de génération de PUF conçue pour générer une PUF sur la base d'une quantité unique du microcontrôleur et stocker une PUF générée dans une mémoire interne de la mémoire non-volatile (NVM) accessible au microcontrôleur; la logique de génération de PUF est en outre construite pour : générer la PUF sur la base d'un ou de plusieurs niveaux d'écriture physique (201, 203, 204, 206) d'une ou de plusieurs cellules de la mémoire non-volatile comme quantité unique du microcontrôleur; et/ou stocker, sous le contrôle du micrologiciel, une PUF générée dans la mémoire non-volatile sur la base de niveaux d'écriture physique (201, 203, 204, 206) de la mémoire non-volatile.
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