WO2017110673A1 - Biprism device and charged particle beam device - Google Patents
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Abstract
In the present invention, when contaminants adhere, a localized charge-up is produced in a portion of the adhering contaminant, and the use of a biprism device is avoided. A rotary biprism device wherein a filament holder on which a filament electrode (91) is installed is configured to comprise two seat electrodes (83), (84) a protrusion (86) being provided on one of the seat electrodes (84). When said device is to be used as a biprism device, it is thereby possible to assume: a state in which a potential is applied to a filament electrode (91) via a contact electrode (81) connected to a power source (95); and a state in which, when the filament electrode is to be cleaned by electrical heating, the seat electrode (84) provided with the protrusion contacts a contact electrode (82) directly connected to the device, whereby a closed circuit including the filament electrode is formed, the filament electrode is heated by being energized, and adhering contaminants are removed.
Description
本発明は荷電粒子線技術に係り、特に荷電粒子線装置を用いた干渉技術に関する。
The present invention relates to charged particle beam technology, and more particularly to interference technology using a charged particle beam device.
荷電粒子線は、電磁場を用いて収束・発散・偏向などの制御が容易であるだけでなく、物質との相互作用が大きく、物質を透過、あるいは反射させた際に受ける散乱の具合を用いて、物質の内部や表面の情報を知る計測装置として実用化されている。例えば、電子線では電子顕微鏡やその付属装置に代表される観察装置や分析装置であり、イオンビームでは収束イオンビーム装置に代表される加工装置である。さらに、近年では荷電粒子の波動性を用いた干渉計測法も一般化している。イオンビームによる干渉計測については、電子線と比較するとまだ一般化の程度は低いが、ヘリウムイオン顕微鏡では観察像に干渉効果が明瞭に記録されており、干渉計測が可能な技術レベルに達している（非特許文献１参照）。
Charged particle beams are not only easy to control convergence, divergence, and deflection using an electromagnetic field, but also have a large interaction with the material and use the degree of scattering that occurs when the material is transmitted or reflected. It has been put into practical use as a measuring device that knows information on the inside and surface of a substance. For example, an electron beam is an observation device or an analysis device typified by an electron microscope or an accessory device thereof, and an ion beam is a processing device typified by a focused ion beam device. Furthermore, in recent years, interference measurement methods using the wave nature of charged particles have also become common. Interferometry using an ion beam is still less common than electron beams, but the helium ion microscope clearly records the interference effect in the observed image, and has reached a technical level that enables interference measurement. (Refer nonpatent literature 1).
その中で、バイプリズム装置は荷電粒子線を分割・分離させる、あるいは重畳させる目的に用いられる偏向装置である。光学における偏向・干渉装置の一つであるフレネルの複プリズム（プリズムを二つ合わせた形状のプリズム）と同じ作用を持つことから、バイプリズムの名称が与えられている。バイプリズム装置は、電子線干渉の分野では必須の干渉装置となっており、干渉型電子顕微鏡では、結像光学系に複数のバイプリズム装置を備えたり、さらに、照射光学系にもバイプリズム装置を備える装置が実用化され始めている。バイプリズム装置に関連する先行技術文献として下記のものがある。
Among them, the biprism device is a deflecting device used for the purpose of dividing / separating or superimposing charged particle beams. The biprism name is given because it has the same action as a Fresnel biprism (a prism having two prisms), which is one of the deflection / interference devices in optics. The biprism device is an indispensable interference device in the field of electron beam interference. In the interference electron microscope, the imaging optical system includes a plurality of biprism devices, and the irradiation optical system also includes a biprism device. An apparatus equipped with a device has begun to be put into practical use. Prior art documents related to the biprism device include the following.
上述のように、バイプリズム装置は光学におけるフレネルの複プリズムと同じ作用をする荷電粒子線における光学装置で、電界型と磁界型の二種類がある。本願発明が対象とするのは、広く普及している電界型バイプリズムで、中央部のフィラメント電極とその電極を挟む形で保持される平行平板接地電極から構成される。
フィラメント電極には、主にガラス線フィラメントが用いられ表面を金属コーティング（主に金、白金、あるいは白金パラジウム合金など）することによって導電性を与えている。このフィラメント電極は干渉光学系で使用する場合には、干渉性の要請により細いほど都合が良く、現状は線径0.5 μm 程度のものが用いられている。このフィラメント電極は、肉眼での目視ではほとんど見えないほど細いため、機械的な破損とホコリの付着などが無き様、取扱いには細心の注意を要する。 As described above, the biprism device is an optical device for a charged particle beam that has the same effect as a Fresnel biprism in optics, and there are two types, an electric field type and a magnetic type. The subject of the present invention is a widely used electric field type biprism, which is composed of a filament electrode at the center and a parallel plate ground electrode held in such a manner as to sandwich the electrode.
A glass wire filament is mainly used for the filament electrode, and the surface is metal-coated (mainly gold, platinum, platinum-palladium alloy or the like) to provide conductivity. When this filament electrode is used in an interference optical system, it is more convenient as it is thinner due to the demand for coherence. Currently, a filament electrode having a wire diameter of about 0.5 μm is used. Since this filament electrode is so thin that it cannot be seen with the naked eye, it must be handled with great care so that it is free from mechanical damage and dust adhesion.
フィラメント電極には、主にガラス線フィラメントが用いられ表面を金属コーティング（主に金、白金、あるいは白金パラジウム合金など）することによって導電性を与えている。このフィラメント電極は干渉光学系で使用する場合には、干渉性の要請により細いほど都合が良く、現状は線径0.5 μm 程度のものが用いられている。このフィラメント電極は、肉眼での目視ではほとんど見えないほど細いため、機械的な破損とホコリの付着などが無き様、取扱いには細心の注意を要する。 As described above, the biprism device is an optical device for a charged particle beam that has the same effect as a Fresnel biprism in optics, and there are two types, an electric field type and a magnetic type. The subject of the present invention is a widely used electric field type biprism, which is composed of a filament electrode at the center and a parallel plate ground electrode held in such a manner as to sandwich the electrode.
A glass wire filament is mainly used for the filament electrode, and the surface is metal-coated (mainly gold, platinum, platinum-palladium alloy or the like) to provide conductivity. When this filament electrode is used in an interference optical system, it is more convenient as it is thinner due to the demand for coherence. Currently, a filament electrode having a wire diameter of about 0.5 μm is used. Since this filament electrode is so thin that it cannot be seen with the naked eye, it must be handled with great care so that it is free from mechanical damage and dust adhesion.
フィラメント電極は荷電粒子線装置の光軸をまたぐように配置されるため、まさに荷電粒子線に照射される。そのため、荷電粒子線装置の真空中に残存する不純物（主にカーボン系、または有機物系のコンタミネーション）が付着しやすく、それが付着したときにはその付着物により局所チャージアップが発生し、干渉現象を乱す要因となっている。
Since the filament electrode is arranged so as to straddle the optical axis of the charged particle beam device, it is exactly irradiated to the charged particle beam. For this reason, impurities (mainly carbon-based or organic-based contamination) remaining in the vacuum of the charged particle beam device are likely to adhere, and when it adheres, local charge-up occurs due to the adhered matter, causing an interference phenomenon. It is a disturbing factor.
また、照射光学系に配置した場合には、多大なドーズ量の荷電粒子線に曝されることになり、金属コーティングのはがれなど損傷が発生する。これは、荷電粒子線の加速電圧が高いほど、また用いる荷電粒子が質量の大きな粒子であるほど発生頻度が高くなる傾向があるが、この金属コーティングのはがれなども、ガラス製フィラメント電極の局所チャージアップの発生の原因となっている。
Also, when placed in the irradiation optical system, it is exposed to a large amount of charged particle beam, and damage such as peeling of the metal coating occurs. This is because the higher the acceleration voltage of the charged particle beam and the larger the charged particle used, the higher the frequency of occurrence. However, this metal coating delamination is also a local charge of the glass filament electrode. Cause the occurrence of up.
上記課題に対する具体的な対策としては、チャージアップが発生した後にフィラメント電極を金属コーティングし直すか、新しいフィラメント電極に交換することで対応しているのが現状である。しかし、上述のごとく、フィラメント電極はその作製にも細心の注意を要するため、熟練者による対応を必要とする難しい作業である。また、過去にはフィラメント電極を通電加熱し、付着したコンタミネーションを除去する、あるいは使用中に加熱を継続しコンタミネーションを付着させない工夫がされた例はあるが、普及には至っていない。
As a concrete measure against the above problem, the current situation is that the filament electrode is re-coated with metal after the charge-up occurs or is replaced with a new filament electrode. However, as described above, since the filament electrode requires careful attention for its production, it is a difficult task that requires a response by an expert. In the past, there has been an example in which the filament electrode is energized and heated to remove the attached contamination, or the heating is continued during use so that the contamination is not attached, but it has not been widely used.
本発明の目的は、上記の課題を解決し、コンタミネーションが付着した部分での局所チャーアップを防止することが可能なバイプリズム装置、及び荷電粒子線装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a biprism device and a charged particle beam device capable of solving the above-described problems and preventing local char-up at a portion where contamination has adhered.
上記目的を達成するために、本発明においては、バイプリズム装置であって、荷電粒子線装置の光軸に直交するフィラメントと、光軸とフィラメントの両方に直交する軸を法線とする平面を持ち、フィラメントを挟んで配置される一対の平行平板電極と、フィラメントの両端がそれぞれ固定され、互いに絶縁部で絶縁された第１の座電極と第２の座電極を有し、光軸と平行な軸を回転軸として回転するフィラメントホルダーと、電源に接続される第１の接触電極と、第２の接触電極と、を備え、フィラメントホルダーの回転により、第１の座電極と第２の座電極の少なくともどちらか１つが第１の接触電極と接触する状態、或いは第１の座電極が第１の接触電極と接触し、第２の座電極が第２の接触電極と接触する状態を取りうるバイプリズム装置、及びそれを用いた荷電粒子線装置を提供する。
In order to achieve the above object, in the present invention, a biprism device includes a filament perpendicular to the optical axis of the charged particle beam device, and a plane normal to the optical axis and an axis perpendicular to both of the filaments. A pair of parallel plate electrodes disposed between the filaments, and a first seat electrode and a second seat electrode that are fixed at both ends of the filament and insulated from each other by an insulating portion, and are parallel to the optical axis. And a first contact electrode connected to a power source, and a second contact electrode. By rotating the filament holder, the first seat electrode and the second seat are provided. A state in which at least one of the electrodes is in contact with the first contact electrode, or a state in which the first seat electrode is in contact with the first contact electrode and the second seat electrode is in contact with the second contact electrode. Uru Vipri Beam device, and to provide a charged particle beam apparatus using the same.
本発明によれば、コンタミネーションの付着による局所チャージアップを消失することができる。また、局所チャージアップにより使用が不可となったフィラメントの再利用が可能となる。さらに、金属性フィラメントを用いた場合には、荷電粒子線の照射によるはがれなどの損傷もないため、バイプリズム装置の稼働期間を著しく延長することが可能となる。
According to the present invention, the local charge-up due to the adhesion of contamination can be eliminated. Further, it becomes possible to reuse the filament that has become unusable due to local charge-up. Furthermore, when a metallic filament is used, the operation period of the biprism device can be significantly extended because there is no damage such as peeling due to irradiation with a charged particle beam.
以下、本発明を実施するための形態を説明するが、それに先立ちバイプリズム装置、及びこれを用いた荷電粒子線装置を図面に従い概説する。なお、本明細書において、フィラメント電極を単にフィラメントと呼ぶ場合がある。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described. Prior to that, a biprism apparatus and a charged particle beam apparatus using the same will be outlined according to the drawings. In this specification, the filament electrode may be simply referred to as a filament.
＜バイプリズム装置＞
広く普及している電界型バイプリズム装置による偏向の作用は、電子線に限るものではなく、荷電粒子線には共通のものである。電荷の正負はフィラメント電極への印加電位の正負で簡単に制御できるが、以後の説明では主に電子線バイプリズム、あるいはそれを備えた電子顕微鏡を用いて説明する。しかし、本発明は電子線バイプリズム、あるいは電子顕微鏡に限定するものではない。 <Bi-Prism Device>
The action of deflection by a widely used electric field type biprism device is not limited to an electron beam, but is common to charged particle beams. The positive / negative of the charge can be easily controlled by the positive / negative of the potential applied to the filament electrode, but in the following description, the description will be mainly made using an electron beam biprism or an electron microscope equipped with the same. However, the present invention is not limited to an electron biprism or an electron microscope.
広く普及している電界型バイプリズム装置による偏向の作用は、電子線に限るものではなく、荷電粒子線には共通のものである。電荷の正負はフィラメント電極への印加電位の正負で簡単に制御できるが、以後の説明では主に電子線バイプリズム、あるいはそれを備えた電子顕微鏡を用いて説明する。しかし、本発明は電子線バイプリズム、あるいは電子顕微鏡に限定するものではない。 <Bi-Prism Device>
The action of deflection by a widely used electric field type biprism device is not limited to an electron beam, but is common to charged particle beams. The positive / negative of the charge can be easily controlled by the positive / negative of the potential applied to the filament electrode, but in the following description, the description will be mainly made using an electron beam biprism or an electron microscope equipped with the same. However, the present invention is not limited to an electron biprism or an electron microscope.
図１の点線枠で示したように、電界型バイプリズム９は、中央部のフィラメント電極９１とその電極を挟む形で保持される平行平板接地電極９９から構成される。例えば電子線装置においては、フィラメント電極９１に正電位を印加すると、図１中に示したごとく、フィラメント電極９１の近傍を通過する電子線２７は、フィラメント電極９１の電位により互いに向き合う方向に偏向される。図１中の電子軌道２７に垂直に平面２２が描かれているが、これは電子線を波として表現するときの等位相面であり、通常は電子軌道と垂直を成す面で、一般的には波面と呼ばれる。互いに向き合う方向に偏向を受けた２枚の波面２２は、フィラメント電極９１の後方で重なり合い、干渉縞８を形成する。
As shown by the dotted frame in FIG. 1, the electric field type biprism 9 is composed of a filament electrode 91 at the center and a parallel plate ground electrode 99 held so as to sandwich the electrode. For example, in the electron beam apparatus, when a positive potential is applied to the filament electrode 91, the electron beams 27 that pass in the vicinity of the filament electrode 91 are deflected to face each other by the potential of the filament electrode 91 as shown in FIG. The A plane 22 is drawn perpendicularly to the electron trajectory 27 in FIG. 1. This is an equiphase surface when expressing an electron beam as a wave, and is generally a plane perpendicular to the electron orbit. Is called the wavefront. The two wavefronts 22 deflected in the directions facing each other overlap behind the filament electrode 91 to form the interference fringes 8.
フィラメント電極９１から離れるほど電子線に作用する電位は小さくなるが作用している空間範囲が長くなるため、結果的に電子線の偏向角度は入射位置に依らずフィラメント電極９１への印加電位に比例する。すなわち、αをバイプリズム装置による電子線の偏向角度とすると、フィラメント電極への印加電圧Ｖｆと偏向係数ｋを用いてα＝ｋＶｆで表わされる簡単な関係を持つ。電子線の偏向角度αが入射位置に依らないことは電子光学装置としては重要な特徴で、平面波は平面波のまま伝播方向のみが偏向されて、バイプリズム装置を射出することになる。これは光学ではちょうど２つのプリズムを合わせた複プリズムの効果に対応することから、バイプリズム、特に電子線装置で用いられる場合には電子線バイプリズムと呼ばれている。
＜干渉顕微鏡像の作成＞
図２に、バイプリズム装置を用いた応用例として、電子線ホログラフィーよる干渉顕微鏡像を作成する最も一般的な光学系を示す（非特許文献２参照）。図２では、バイプリズム装置９を対物レンズ５と試料の像面７１との間に配置し、フィラメント電極９１に正の電位を印加することによって、試料３を透過した電子線である物体波２１（図２ではフィラメント電極の左側を通過する電子線でハッチングを付けて示した）と、試料の無い側を透過した電子線である参照波２３（図２ではフィラメント電極の右側を通過する電子線）を重畳させて干渉顕微鏡像である、試料像３１に干渉縞８の重畳された画像を得ている。すなわち、試料３が物体波２１の波面に与える位相変化が、重畳された干渉縞８の変調として記録される。 As the distance from thefilament electrode 91 increases, the potential acting on the electron beam becomes smaller, but the working spatial range becomes longer. As a result, the deflection angle of the electron beam is proportional to the potential applied to the filament electrode 91 regardless of the incident position. To do. That is, when α is the deflection angle of the electron beam by the biprism device, there is a simple relationship represented by α = kV f using the voltage V f applied to the filament electrode and the deflection coefficient k. The fact that the deflection angle α of the electron beam does not depend on the incident position is an important feature for an electron optical device, and the plane wave is a plane wave and only the propagation direction is deflected and exits the biprism device. Since this corresponds to the effect of a double prism in which two prisms are combined in optics, it is called a biprism, particularly an electron biprism when used in an electron beam apparatus.
<Creation of interference microscope image>
FIG. 2 shows, as an application example using a biprism device, the most common optical system for creating an interference microscope image by electron beam holography (see Non-Patent Document 2). In FIG. 2, the biprism device 9 is disposed between theobjective lens 5 and the image plane 71 of the sample, and a positive potential is applied to the filament electrode 91, whereby the object wave 21 that is an electron beam transmitted through the sample 3. (In FIG. 2, an electron beam that passes through the left side of the filament electrode is hatched) and a reference wave 23 (an electron beam that passes through the right side of the filament electrode in FIG. 2) is an electron beam that has passed through the side without the sample. ) Is superimposed to obtain an image in which interference fringes 8 are superimposed on the sample image 31 which is an interference microscope image. That is, the phase change that the sample 3 gives to the wavefront of the object wave 21 is recorded as the modulation of the superimposed interference fringe 8.
＜干渉顕微鏡像の作成＞
図２に、バイプリズム装置を用いた応用例として、電子線ホログラフィーよる干渉顕微鏡像を作成する最も一般的な光学系を示す（非特許文献２参照）。図２では、バイプリズム装置９を対物レンズ５と試料の像面７１との間に配置し、フィラメント電極９１に正の電位を印加することによって、試料３を透過した電子線である物体波２１（図２ではフィラメント電極の左側を通過する電子線でハッチングを付けて示した）と、試料の無い側を透過した電子線である参照波２３（図２ではフィラメント電極の右側を通過する電子線）を重畳させて干渉顕微鏡像である、試料像３１に干渉縞８の重畳された画像を得ている。すなわち、試料３が物体波２１の波面に与える位相変化が、重畳された干渉縞８の変調として記録される。 As the distance from the
<Creation of interference microscope image>
FIG. 2 shows, as an application example using a biprism device, the most common optical system for creating an interference microscope image by electron beam holography (see Non-Patent Document 2). In FIG. 2, the biprism device 9 is disposed between the
＜バイプリズムの方位回転＞
荷電粒子線装置はほとんどの場合、装置の光軸を中心に軸対称の構造に構成されている。しかし、バイプリズム装置は光軸に直交する方向に挿入され、かつバイプリズム装置による荷電粒子線の偏向方向は、光軸とフィラメント電極の両方に垂直な方向である。従って、バイプリズム装置を備える光学系には光軸を回転中心とした方位依存性が生じることになる。このため、実験における実用性を高めるためには、試料とフィラメント電極の位置関係に光軸を回転中心とした方位回転の自由度のあることが望ましい。そこで、現在実用化されているバイプリズム装置は、ほとんどの場合、フィラメント電極を含む平面内での方位の回転機構を備える構造となっている（非特許文献２参照）。 <Direction rotation of biprism>
In most cases, the charged particle beam apparatus has an axisymmetric structure around the optical axis of the apparatus. However, the biprism device is inserted in a direction perpendicular to the optical axis, and the deflection direction of the charged particle beam by the biprism device is a direction perpendicular to both the optical axis and the filament electrode. Therefore, an azimuth dependency with the optical axis as the center of rotation occurs in the optical system including the biprism device. For this reason, in order to increase the practicality in the experiment, it is desirable that the positional relationship between the sample and the filament electrode has a degree of freedom of azimuth rotation about the optical axis as the rotation center. Therefore, in most cases, the biprism devices that are currently in practical use have a structure that includes a rotation mechanism for the orientation in a plane including the filament electrode (see Non-Patent Document 2).
荷電粒子線装置はほとんどの場合、装置の光軸を中心に軸対称の構造に構成されている。しかし、バイプリズム装置は光軸に直交する方向に挿入され、かつバイプリズム装置による荷電粒子線の偏向方向は、光軸とフィラメント電極の両方に垂直な方向である。従って、バイプリズム装置を備える光学系には光軸を回転中心とした方位依存性が生じることになる。このため、実験における実用性を高めるためには、試料とフィラメント電極の位置関係に光軸を回転中心とした方位回転の自由度のあることが望ましい。そこで、現在実用化されているバイプリズム装置は、ほとんどの場合、フィラメント電極を含む平面内での方位の回転機構を備える構造となっている（非特許文献２参照）。 <Direction rotation of biprism>
In most cases, the charged particle beam apparatus has an axisymmetric structure around the optical axis of the apparatus. However, the biprism device is inserted in a direction perpendicular to the optical axis, and the deflection direction of the charged particle beam by the biprism device is a direction perpendicular to both the optical axis and the filament electrode. Therefore, an azimuth dependency with the optical axis as the center of rotation occurs in the optical system including the biprism device. For this reason, in order to increase the practicality in the experiment, it is desirable that the positional relationship between the sample and the filament electrode has a degree of freedom of azimuth rotation about the optical axis as the rotation center. Therefore, in most cases, the biprism devices that are currently in practical use have a structure that includes a rotation mechanism for the orientation in a plane including the filament electrode (see Non-Patent Document 2).
＜１電極回転型バイプリズム装置＞
図３は１電極の回転型バイプリズム装置本体８０である（非特許文献２）。同図の(a)は鳥瞰模式図、(b)は実用されている装置の外観模式図である。フィラメント電極９１が固定されるフィラメントホルダー９３は環状になっており、ホルダー外周と接触電極８１が接触し電気的に接続されている。接触電極８１は電源９５と接続されており、その電源を通じてフィラメント電極９１に電位が印加される。フィラメント電極９１と環状のフィラメントホルダー９３は、フィラメント固定後に全体が金属コートされる場合には、真空に耐える接着剤９２であれば、非導電性の接着剤、例えばエポキシ系樹脂などでも構わない。環状フィラメントホルダー９３の場合にはフィラメント電極９１と環状フィラメントホルダー９３の間に平行平板接地電極９９が配置される。そのため、フィラメント電極９１の方位回転は、平行平板接地電極９９とともに回転する。この平行平板接地電極が無い場合には、フィラメント電極９１と環状フィラメントホルダー９３の間の空間にも電位が存在するため、荷電粒子線の偏向角度は小さくなる。 <One-electrode rotating biprism device>
FIG. 3 shows a one-electrode rotary biprism device body 80 (Non-patent Document 2). (A) of the figure is a bird's-eye schematic diagram, and (b) is an external schematic diagram of a practical device. Thefilament holder 93 to which the filament electrode 91 is fixed has an annular shape, and the outer periphery of the holder and the contact electrode 81 are in contact and electrically connected. The contact electrode 81 is connected to a power source 95, and a potential is applied to the filament electrode 91 through the power source. The filament electrode 91 and the annular filament holder 93 may be made of a non-conductive adhesive, such as an epoxy resin, as long as it is an adhesive 92 that can withstand vacuum when the whole is metal-coated after fixing the filament. In the case of the annular filament holder 93, a parallel plate ground electrode 99 is disposed between the filament electrode 91 and the annular filament holder 93. Therefore, the azimuth rotation of the filament electrode 91 rotates together with the parallel plate ground electrode 99. In the absence of the parallel plate ground electrode, a potential exists also in the space between the filament electrode 91 and the annular filament holder 93, so that the deflection angle of the charged particle beam becomes small.
図３は１電極の回転型バイプリズム装置本体８０である（非特許文献２）。同図の(a)は鳥瞰模式図、(b)は実用されている装置の外観模式図である。フィラメント電極９１が固定されるフィラメントホルダー９３は環状になっており、ホルダー外周と接触電極８１が接触し電気的に接続されている。接触電極８１は電源９５と接続されており、その電源を通じてフィラメント電極９１に電位が印加される。フィラメント電極９１と環状のフィラメントホルダー９３は、フィラメント固定後に全体が金属コートされる場合には、真空に耐える接着剤９２であれば、非導電性の接着剤、例えばエポキシ系樹脂などでも構わない。環状フィラメントホルダー９３の場合にはフィラメント電極９１と環状フィラメントホルダー９３の間に平行平板接地電極９９が配置される。そのため、フィラメント電極９１の方位回転は、平行平板接地電極９９とともに回転する。この平行平板接地電極が無い場合には、フィラメント電極９１と環状フィラメントホルダー９３の間の空間にも電位が存在するため、荷電粒子線の偏向角度は小さくなる。 <One-electrode rotating biprism device>
FIG. 3 shows a one-electrode rotary biprism device body 80 (Non-patent Document 2). (A) of the figure is a bird's-eye schematic diagram, and (b) is an external schematic diagram of a practical device. The
図３の(b)において、装置全体が図中Ｘ方向（装置の軸垂直方向）とＹ方向（軸方向）に微動して、フィラメント電極９１の位置を調整できる。また、バイプリズム装置を使用しない場合は、Ｙ軸方向に大きく移動しバイプリズムの機構部が荷電粒子線から外れる構造となっている。この時の荷電粒子線装置の光軸を符号２０で示した。接触電極８１は片持ち梁の構造としてバネ性を持たせ、フィラメントホルダー９３の方位回転に依らず接点の確保が図られている。
3B, the entire apparatus can be finely moved in the X direction (axial direction perpendicular to the apparatus) and the Y direction (axial direction) in the figure to adjust the position of the filament electrode 91. When the biprism device is not used, the biprism mechanism moves greatly in the Y-axis direction so that the biprism mechanism is separated from the charged particle beam. The optical axis of the charged particle beam apparatus at this time is indicated by reference numeral 20. The contact electrode 81 has a spring property as a cantilever structure, and secures a contact regardless of the azimuth rotation of the filament holder 93.
なお、図３の(b)に記載のバイプリズム装置は、装置全体として軸構造をしているため、装置に固有の振動モードが軸方向と軸垂直方向とでは異なっている。軸方向の振動振幅は小さく、軸垂直方向の振動振幅は大きい。さらにフィラメント電極９１も、フィラメントの軸方向には振動の影響は小さく、フィラメントに垂直方向には振動の影響が大きい。そのため、結果としてフィラメント電極の方位角に応じて振動の影響の現れ方が異なる。すなわち、フィラメント電極の軸がバイプリズム装置の軸に垂直の場合が振動の影響が最も小さく、振動に対して最も安定になる。図３の(a)は、この安定な方位角で描かれている。このフィラメント電極９１の方位角による安定性の違いは重要な実施要件であり、フィラメント電極がバイプリズム装置の軸に垂直となる方位角で操作できれば、バイプリズム装置の利便性は高い。
In addition, since the biprism device shown in FIG. 3B has a shaft structure as a whole device, vibration modes unique to the device are different between the axial direction and the axial vertical direction. The vibration amplitude in the axial direction is small, and the vibration amplitude in the vertical direction is large. Further, the filament electrode 91 is less affected by vibration in the axial direction of the filament, and more affected by vibration in the direction perpendicular to the filament. Therefore, as a result, the appearance of the influence of vibration differs depending on the azimuth angle of the filament electrode. That is, when the axis of the filament electrode is perpendicular to the axis of the biprism device, the influence of vibration is the smallest and the most stable against vibration. FIG. 3A is drawn with this stable azimuth. The difference in stability depending on the azimuth angle of the filament electrode 91 is an important implementation requirement. If the filament electrode can be operated at an azimuth angle perpendicular to the axis of the biprism device, the convenience of the biprism device is high.
そこで、本発明のバイプリズム装置の好適な態様においては、荷電粒子線装置の光軸に直交するフィラメントと、光軸とフィラメントの両方に直交する軸を法線とする平面を持ち、フィラメントを挟んで配置される一対の平行平板電極とから構成され、フィラメントが設置されるフィラメントホルダーは絶縁部を挟んで第１の座電極と第２の座電極とを備えるとともに、荷電粒子線装置の光軸と平行な軸を回転軸として回転し、フィラメントの両端はフィラメントホルダーの第１と第２の座電極にそれぞれ固定され、フィラメントホルダーと接触する第１の接触電極と第２の接触電極が備えられ、第１の接触電極は電源に接続され、第２の接触電極はバイプリズム装置に接続され、フィラメントホルダーの回転角度により、第１の座電極と第２の座電極の少なくともどちらか１つが第１の接触電極と接触する状態、或いは、第１の座電極が第１の接触電極と接触し、且つ、第２の座電極が第２の接触電極と接触する状態を取りうる構成を備える。
Therefore, in a preferred embodiment of the biprism device of the present invention, the biprism device has a filament perpendicular to the optical axis of the charged particle beam device, and a plane whose normal is the axis perpendicular to both the optical axis and the filament, and sandwiches the filament. The filament holder in which the filament is installed includes a first seat electrode and a second seat electrode with an insulating portion interposed therebetween, and an optical axis of the charged particle beam apparatus. The filaments are respectively fixed to the first and second seat electrodes of the filament holder, and provided with a first contact electrode and a second contact electrode that contact the filament holder. The first contact electrode is connected to the power source, the second contact electrode is connected to the biprism device, and the first seat electrode is connected to the biprism device according to the rotation angle of the filament holder. A state in which at least one of the two seat electrodes is in contact with the first contact electrode, or the first seat electrode is in contact with the first contact electrode, and the second seat electrode is the second contact electrode. The structure which can take the state which contacts with is provided.
この好適な態様によって、フィラメント電極の回転機構を持つ１電極のバイプリズム装置であって、１電極のままの構成で、フィラメント電極に電流を流すことが可能となる。その結果、フィラメント電極の通電による加熱が可能となり、フィラメント電極に付着したコンタミネーションが除去される。これにより、コンタミネーションの付着による局所チャージアップが消失する。すなわち、現在普及している１電極の回転型バイプリズム装置に、通電によるフィラメント電極の加熱清浄化機能を併設付加することが可能となり、局所チャージアップにより使用が不可となったフィラメント電極の再利用が可能となる。さらに、金属性フィラメント電極を用いた場合には、荷電粒子線の照射によるはがれなどの損傷もないため、バイプリズム装置の稼働期間を著しく延長することが可能となる。
This preferred embodiment is a one-electrode biprism device having a filament electrode rotation mechanism, and allows a current to flow through the filament electrode with the configuration of one electrode. As a result, heating by energization of the filament electrode becomes possible, and contamination adhered to the filament electrode is removed. Thereby, the local charge-up due to the adhesion of contamination disappears. In other words, it is possible to add a heating and cleaning function of the filament electrode by energization to the currently popular one-electrode rotary biprism device, and reuse of the filament electrode that cannot be used due to local charge-up. Is possible. Furthermore, when a metallic filament electrode is used, the operation period of the biprism device can be significantly extended because there is no damage such as peeling due to irradiation with a charged particle beam.
実施例１は、フィラメント電極の方位回転可能の利点を失うことなく、更にフィラメント電極への通電を可能としてフィラメント電極に付着したコンタミネーションを除去することを可能とする状態を取りうる１電極の方位回転型バイプリズム装置の実施例である。すなわち、バイプリズム装置であって、荷電粒子線装置の光軸に直交するフィラメントと、光軸とフィラメントの両方に直交する軸を法線とする平面を持ち、フィラメントを挟んで配置される一対の平行平板電極と、フィラメントの両端がそれぞれ固定され、互いに絶縁部で絶縁された第１の座電極と第２の座電極を有し、光軸と平行な軸を回転軸として回転するフィラメントホルダーと、電源に接続される第１の接触電極と、第２の接触電極と、を備え、フィラメントホルダーの回転により、第１の座電極と第２の座電極の少なくともどちらか１つが第１の接触電極と接触する状態、或いは第１の座電極が第１の接触電極と接触し、第２の座電極が第２の接触電極と接触する状態を取りうるバイプリズム装置の実施例である。
In the first embodiment, the orientation of one electrode that can take a state in which the filament electrode can be energized and the contamination attached to the filament electrode can be removed without losing the advantage that the orientation of the filament electrode can be rotated. It is an Example of a rotation-type biprism apparatus. That is, the biprism device has a filament orthogonal to the optical axis of the charged particle beam device and a pair of planes that are normal to an axis orthogonal to both the optical axis and the filament, and are disposed across the filament. A parallel plate electrode, a filament holder that has a first seat electrode and a second seat electrode, both ends of which are fixed to each other and insulated from each other by an insulating portion, and rotates about an axis parallel to the optical axis; A first contact electrode connected to the power source and a second contact electrode, and at least one of the first seat electrode and the second seat electrode is brought into the first contact by rotation of the filament holder This is an embodiment of a biprism device that can take a state of being in contact with an electrode, or a state in which a first seating electrode is in contact with a first contact electrode and a second seating electrode is in contact with a second contact electrode.
図４に実施例１のバイプリズム装置の一構成例の鳥瞰模式図を示す。本実施例のバイプリズム装置は、図３に示した１電極回転型バイプリズム装置の基本的な構造に加え、新たに以下の４つの特有の構成を備える。
FIG. 4 shows a schematic bird's-eye view of a configuration example of the biprism device of the first embodiment. In addition to the basic structure of the one-electrode rotating biprism device shown in FIG. 3, the biprism device of the present embodiment is newly provided with the following four unique configurations.
（１）フィラメント電極９１が固定されるフィラメントホルダーが絶縁体を挟んだ２つの座電極８３、８４から構成される。
(1) The filament holder to which the filament electrode 91 is fixed is composed of two seat electrodes 83 and 84 sandwiching an insulator.
（２）第２の座電極８４には突起部８６が設けられる。
(2) The second seat electrode 84 is provided with a protrusion 86.
（３）フィラメントホルダーが方位回転した際に、突起部８６と接触する第２の接触電極８２が備えられる。
(3) A second contact electrode 82 that contacts the protrusion 86 when the filament holder rotates is provided.
（４）フィラメント９１の２つの座電極８３、８４への固定は導電性接着剤９２が用いられる。
(4) A conductive adhesive 92 is used to fix the filament 91 to the two seat electrodes 83 and 84.
図４において、フィラメントホルダーは、２つの座電極８３、８４を絶縁体からなる絶縁部８５で接続した構造で、ホルダー全体で環状の形状を持ち、バネ性を持った２つの第１、第２の接触電極８１、８２と接触しても変形しないだけの十分な剛性を持っている。第２の座電極８４の突起部８６は、第１、第２の接触電極８１、８２の何れかに接触可能な構造を備える。
In FIG. 4, the filament holder has a structure in which two seat electrodes 83 and 84 are connected by an insulating portion 85 made of an insulator. The entire holder has an annular shape and has two first and second springs. It has sufficient rigidity not to be deformed even if it contacts with the contact electrodes 81, 82. The protrusion 86 of the second seat electrode 84 has a structure that can contact either the first contact electrode 81 or the second contact electrode 82.
荷電粒子線の軌道経路中に存在する絶縁体は荷電粒子線装置にとってはチャージアップの原因となるため、フィラメントホルダーの座電極８３、８４を接続する２つの絶縁部８５は、平行平板接地電極９９の裏側に位置し、荷電粒子線から直接見込むことが無い構造となっている。すなわち、絶縁部が平行平板電極の光軸から見た裏側に位置することとなる。
Since the insulator present in the orbital path of the charged particle beam causes a charge-up for the charged particle beam apparatus, the two insulating portions 85 connecting the seat electrodes 83 and 84 of the filament holder are connected to the parallel plate ground electrode 99. It is located on the back side of the structure, so that it cannot be seen directly from the charged particle beam. That is, the insulating part is positioned on the back side as viewed from the optical axis of the parallel plate electrode.
さらにこの構造を維持するため、フィラメントホルダーと平行平板接地電極９９は一体となって方位回転する構造となっている。なお、平行平板電極を接地させず、片側の電極だけ、または両電極共に別電源等に接続し、荷電粒子線への片偏向を加える機能を有していても構わない。
Furthermore, in order to maintain this structure, the filament holder and the parallel plate ground electrode 99 are integrally rotated in the direction. Note that the parallel plate electrode may be connected to only one electrode or both electrodes to a separate power source or the like without grounding the parallel plate electrode, and may have a function of applying a single deflection to the charged particle beam.
また図４では、２つの接触電極８１、８２は、図３の回転型バイプリズム装置の接触電極８１と同様に、片持ち梁型の板バネ形状を想定して描いているが、この形状に限るものではなく、電極の裏側からコイル型バネで押し付ける形状でも、その他の形状でも構わない。第１の接触電極８１と第２の接触電極８２は、第２の座電極８４に備えられた突起部８６と接触しても塑性変形しないだけのバネ性を保持していれば良い。この条件を満たすバネ性は、第２の座電極の突起部８６の大きさである突起量にも依存するので、接触電極の形状、サイズ、素材とともに第２の座電極の突起部８６の大きさなどを考慮して定めればよい。
In FIG. 4, the two contact electrodes 81 and 82 are drawn assuming a cantilever-type leaf spring shape, similar to the contact electrode 81 of the rotary biprism device of FIG. 3. The shape is not limited, and may be a shape pressed by a coil spring from the back side of the electrode, or other shapes. The first contact electrode 81 and the second contact electrode 82 only have to have a spring property that does not cause plastic deformation even if they contact the protrusion 86 provided on the second seat electrode 84. The spring property that satisfies this condition also depends on the amount of protrusion, which is the size of the protrusion 86 of the second seat electrode, and therefore the size of the protrusion 86 of the second seat electrode together with the shape, size, and material of the contact electrode. It may be determined in consideration of such factors.
フィラメント電極９１に電位を印加する電源９５に接続された第１の接触電極８１と、バイプリズム装置に直接接続されて接地される第２の接触電極８２が、フィラメント電極９１の中点（理想的な配置では荷電粒子線の光軸が通る点）となす方位角βは、フィラメントホルダーの第１の座電極８３と第２の座電極８４の間の２つの絶縁部８５がフィラメント電極９１の中点となす方位角γよりも大きくなければならない（β＞γ）。この条件は、第２の座電極８４が単独で第１の接触電極８１と第２の接触電極８２とに接続しないという構成要件から導かれる。すなわち、突起部８６を備えた第２の座電極８４が単独で両方の接触電極に接続して電源をショートさせないための条件である。但し、ここで述べた角度βも角度γも、図４に示す通り、それぞれ小さい方の方位角である。すなわち、第１の接触電極と第２の接触電極がフィラメントの中点となす小なる側の角度は、第１の座電極と第２の座電極の間の２つの絶縁部がフィラメント電極の中点となす小なる側の角度よりも大きいことになる。
A first contact electrode 81 connected to a power source 95 for applying a potential to the filament electrode 91 and a second contact electrode 82 connected directly to the biprism device and grounded are the midpoint of the filament electrode 91 (ideal The azimuth angle β between the first seat electrode 83 and the second seat electrode 84 of the filament holder is set in the filament electrode 91. It must be larger than the azimuth angle γ formed by the point (β> γ). This condition is derived from a configuration requirement that the second seat electrode 84 is not connected to the first contact electrode 81 and the second contact electrode 82 alone. That is, this is a condition for preventing the power source from being short-circuited by the second seat electrode 84 having the protrusion 86 being independently connected to both contact electrodes. However, both the angle β and the angle γ described here are smaller azimuth angles as shown in FIG. That is, the angle on the smaller side between the first contact electrode and the second contact electrode and the middle point of the filament is that the two insulating portions between the first seat electrode and the second seat electrode are in the filament electrode. It is larger than the angle on the smaller side formed by the point.
図５に本実施例のバイプリズム装置のフィラメントホルダーを方位回転させて、第２の座電極８４を第２の接触電極８２に接続可能の範囲を示す。すなわち、図５の(a)と(b)に示す方位角の範囲において、フィラメント電極９１への通電が可能である。なお、作図の都合上、図５とそれ以降の図においては、第１の接触電極８１と第２の接触電極８２がフィラメント電極９１の中点となす方位角β、および第１の座電極８３と第２の座電極８４の間の２つの絶縁部８５がフィラメント電極９１の中点となす方位角γのいずれもが直角を成すように描いているが、この角度に限定するものではない。
FIG. 5 shows a range in which the second seat electrode 84 can be connected to the second contact electrode 82 by rotating the filament holder of the biprism device of this embodiment. In other words, the filament electrode 91 can be energized within the azimuth angle range shown in FIGS. For the convenience of drawing, in FIG. 5 and subsequent drawings, the azimuth angle β between the first contact electrode 81 and the second contact electrode 82 and the midpoint of the filament electrode 91 and the first seat electrode 83 are shown. The two azimuth angles γ formed by the two insulating portions 85 between the second seat electrode 84 and the middle point of the filament electrode 91 are drawn at right angles, but the angle is not limited to this.
フィラメント電極９１は、導電体もしくは導電体をコートされることによって導電性が保持されているため、第１の座電極８３が第１の接触電極８１に接触し、かつ、第２の座電極８４が第２の接触電極８２に接触する回転の回転角度範囲、すなわち方位角の角度範囲において、電源９５を用いて通電することによりフィラメント電極９１を加熱できる。この時の加熱の程度は流す電流量や通電時間だけでなく、フィラメント電極の素材、断面積、長さにも依存する。例えば、非特許文献３によると、フィラメント線径が約0.6 μｍの白金線の時、約300 μＡの通電量で600℃、4分間の加熱が基準とされている。今までに開発された荷電粒子線のバイプリズム装置では、フィラメント電極の大きさに大差はないので、上記の数値は今後も一つの操作指標になる。
Since the filament electrode 91 is kept conductive by being coated with a conductor or a conductor, the first seat electrode 83 is in contact with the first contact electrode 81 and the second seat electrode 84. The filament electrode 91 can be heated by energizing with the power source 95 in the rotation angle range of rotation in contact with the second contact electrode 82, that is, the azimuth angle range. The degree of heating at this time depends not only on the amount of current to flow and the energization time, but also on the material, cross-sectional area, and length of the filament electrode. For example, according to Non-Patent Document 3, when a filament wire diameter is about 0.6 μm, heating is performed at 600 ° C. for 4 minutes with an energization amount of about 300 μA. In the charged particle beam biprism devices developed so far, there is no great difference in the size of the filament electrode, so the above numerical value will be one operation index in the future.
また、ガラス線に金属コーティングを施すフィラメント電極の場合であっても、フィラメント電極のコーティング厚さはフィラメント線径の1/10の程度であり、その結果、金属コーティングの断面積は、ガラス線断面積の５％程度となる。すなわち、金属製フィラメントへの通電加熱が制御可能な電源システムであれば、十分に制御可能なレベルであり、本願におけるフィラメント電極は金属線に限らず、従来のフィラメント電極と同様のガラス線に金属コーティングを施したものであっても実施可能である。
In addition, even in the case of a filament electrode in which a metal coating is applied to a glass wire, the coating thickness of the filament electrode is about 1/10 of the filament wire diameter. It is about 5% of the area. In other words, if the power supply system can control the electric heating to the metal filament, it is at a sufficiently controllable level, and the filament electrode in the present application is not limited to the metal wire, and the glass wire is the same as the conventional filament electrode. Even a coated one can be implemented.
本実施例のバイプリズム装置においてはフィラメント電極９１の線径が小さいため、通電時に電源から印加される電圧も１V以下と推定されており、通常の電子線ホログラフィーにおけるバイプリズム装置への印加電位が数10Vから100V程度であることと比較するとかなり小さい。すなわち、本実施例のバイプリズム装置では通電状態のままで、バイプリズムとして使用する可能性は小さい。
In the biprism apparatus of the present embodiment, since the filament electrode 91 has a small wire diameter, the voltage applied from the power source when energized is estimated to be 1 V or less, and the applied potential to the biprism apparatus in normal electron holography is Compared with several tens of volts to 100 volts, it is quite small. That is, in the biprism device of the present embodiment, the possibility of using it as a biprism is low while being energized.
フィラメント電極９１に通電できる回転の角度範囲、すなわち、図５の(a)と(b)の方位角の範囲は、第２の接触電極８２の大きさと形状に依存する。この範囲では、バイプリズムとして利用するための電位（数10Vから100V程度）を印加すると、フィラメントが焼損する。しかし、600℃程度に加熱する電流量の場合には、上述のとおり、所定の電位を印加できずバイプリズムとして利用することは不可能である。そのため、フィラメント電極９１に通電できる角度範囲が大きい場合には、本来のバイプリズムとして機能しない角度範囲が大きくなる。そのため、フィラメント電極９１に通電できる回転の回転角度範囲、すなわち方位角の角度範囲は、90°以下とするのが妥当である。
The rotation angle range in which the filament electrode 91 can be energized, that is, the azimuth range shown in FIGS. 5A and 5B depends on the size and shape of the second contact electrode 82. In this range, when a potential for use as a biprism (approx. 10V to 100V) is applied, the filament burns out. However, in the case of the amount of current heated to about 600 ° C., as described above, a predetermined potential cannot be applied and it is impossible to use as a biprism. Therefore, when the angle range in which the filament electrode 91 can be energized is large, the angle range that does not function as the original biprism becomes large. Therefore, it is appropriate that the rotation angle range of rotation capable of energizing the filament electrode 91, that is, the azimuth angle range is 90 ° or less.
以上の様に、本実施例に示した構成によれば、フィラメント電極の回転機構を持つ１電極のバイプリズム装置であっても、１電極のままの構成で、フィラメント電極に電流を流すことが可能となる。その結果、フィラメント電極の通電による加熱が可能となり、フィラメント電極に付着したコンタミネーションが除去される。これにより、コンタミネーションの付着による局所チャージアップが消失する。すなわち、フィラメント電極の再利用が可能となり、バイプリズム装置の稼働寿命を延長することが可能となる。
As described above, according to the configuration shown in the present embodiment, even in a one-electrode biprism device having a filament electrode rotation mechanism, a current can be passed through the filament electrode with the configuration of one electrode. It becomes possible. As a result, heating by energization of the filament electrode becomes possible, and contamination adhered to the filament electrode is removed. Thereby, the local charge-up due to the adhesion of contamination disappears. That is, the filament electrode can be reused, and the operating life of the biprism device can be extended.
図６に実施例２のバイプリズム装置の一構成例を示す。図６は図５と対を成す図で、図６の(a)、(b)ともに、フィラメント電極９１の方位角は図５の(a)、(b)と一致させて描画している。図６は実施例１でフィラメント電極９１への通電のため、バイプリズム装置として使用不可と判断されたフィラメント電極の方位角で、バイプリズム装置を使用する方法、及び構成を例示したものである。すなわち、通電のための方位角については、フィラメント電極９１を180°回転させた方位角（回転対称位置）を用いることによってバイプリズムとしての使用が可能である。
FIG. 6 shows a configuration example of the biprism device of the second embodiment. FIG. 6 is a diagram that forms a pair with FIG. 5. In both (a) and (b) of FIG. 6, the azimuth angle of the filament electrode 91 is drawn so as to match those of (a) and (b) of FIG. FIG. 6 illustrates a method and a configuration in which the biprism device is used at the azimuth angle of the filament electrode that is determined to be unusable as a biprism device due to energization of the filament electrode 91 in the first embodiment. In other words, the azimuth angle for energization can be used as a biprism by using the azimuth angle (rotational symmetry position) obtained by rotating the filament electrode 91 by 180 °.
これにより、本実施例２に示した方法、構成によれば、通電機能を持たせた場合においても、フィラメント電極は全方位に渡ってバイプリズム装置として操作が可能となる。
Thus, according to the method and configuration shown in the second embodiment, the filament electrode can be operated as a biprism device in all directions even when the energization function is provided.
図７に実施例３のバイプリズム装置の一構成例を示す。本実施例は、第１の接触電極が枝状構造を有し、第１の座電極と第２の座電極の両方が、枝状構造を有する第１の接触電極に接触する回転角度、すなわち方位角の角度範囲を有する構造のバイプリズム装置の実施例である。図７の(a)に電気的に浮いた課題の状態、同図の(b)に枝状電極から電位を印加する状態、及び同図の(c)に両座電極が接触電極に接続された状態を示す。
FIG. 7 shows a configuration example of the bi-prism device according to the third embodiment. In this embodiment, the first contact electrode has a branch structure, and the rotation angle at which both the first seat electrode and the second seat electrode contact the first contact electrode having the branch structure, that is, It is an Example of the biprism apparatus of the structure which has an angle range of an azimuth. Fig. 7 (a) shows the state of the electrically floating problem, Fig. 7 (b) shows a state where a potential is applied from the branch electrode, and Fig. 7 (c) shows that both seat electrodes are connected to the contact electrode. Indicates the state.
図７の(a)はフィラメントホルダーの絶縁部８５が第１の接触電極８１と接触する方位角の場合を示している。フィラメントホルダーの絶縁部８５が第１の接触電極８１に接触する場合には、フィラメント電極９１は電気的に浮いた状態となり、フィラメント電極９１への通電ができないだけでなくバイプリズム装置９として電位を印加することもできなくなる。このフィラメント電極９１が電気的に浮いてしまう状況は、フィラメントホルダーに絶縁部８５が設けられているために、その方位角で特異的に発生する。この課題に対しては、図７に示したごとく、第２の接触電極８２に備えられる突起部８６を絶縁部８５の近傍に備えることで、一方については回避できる。これまでに示した図４、図５、図６もすべてこの状況を考慮して描画されている。残った他方の絶縁部８５が第１の接触電極８１に接触してフィラメント電極９１が電気的に浮いた状態となる状況を示した図が、図７の(a)である。
7A shows the case where the filament holder insulating portion 85 has an azimuth angle at which the first contact electrode 81 is in contact. When the insulating portion 85 of the filament holder is in contact with the first contact electrode 81, the filament electrode 91 is in an electrically floating state, and not only the filament electrode 91 cannot be energized but also has a potential as the biprism device 9. It cannot be applied. The situation in which the filament electrode 91 is electrically floated occurs specifically at the azimuth angle because the filament holder is provided with the insulating portion 85. As shown in FIG. 7, this problem can be avoided by providing the protrusion 86 provided in the second contact electrode 82 in the vicinity of the insulating portion 85 as shown in FIG. 7. The drawings shown in FIGS. 4, 5 and 6 are all drawn in consideration of this situation. FIG. 7A shows a state in which the remaining insulating portion 85 is in contact with the first contact electrode 81 and the filament electrode 91 is in an electrically floating state.
上記残存する課題については、本実施例においては、図７の(b)に示すように第１の接触電極８１に枝状構造を設けることにより回避できる。すなわち、絶縁部８５が第１の接触電極８１に接触する状況の前後の方位角において、第２の座電極８４に備えられた突起部８６が枝状電極８８に接続する構造である。枝状電極８８の幅をある程度広く構成しておけば、絶縁部８５の環状フィラメントホルダーの外周幅よりも、枝状電極８８と突起部８６が接触している外周幅の方を大きくすることが可能で、本課題は完全に解決される。
In the present embodiment, the remaining problem can be avoided by providing a branch structure on the first contact electrode 81 as shown in FIG. That is, the protrusion 86 provided on the second seat electrode 84 is connected to the branch electrode 88 at azimuth angles before and after the situation where the insulating portion 85 contacts the first contact electrode 81. If the width of the branch electrode 88 is configured to be somewhat large, the outer peripheral width where the branch electrode 88 and the protrusion 86 are in contact with each other can be made larger than the outer peripheral width of the annular filament holder of the insulating portion 85. Yes, this problem is completely solved.
さらに、図７の(c)は第２の座電極８４に備えられて突起部８６が第１の接触電極８１に接触する場合を描画したものである。この時、第１の接触電極８１は突起部８６の大きさだけ弾性変形するが図７の(c)に示したごとく第１の接触電極８１と枝状電極８８との接続部を支点８７として角度の変形が可能な様に構成しておけば、枝状電極８８が第１の接触電極８１にも接続でき、より安定にフィラメント電極９１に電位を印加できる。
Further, (c) of FIG. 7 depicts a case where the second seat electrode 84 is provided and the projection 86 contacts the first contact electrode 81. At this time, the first contact electrode 81 is elastically deformed by the size of the protrusion 86, but the connection portion between the first contact electrode 81 and the branch electrode 88 is used as a fulcrum 87 as shown in FIG. If the configuration is such that the angle can be changed, the branch electrode 88 can be connected to the first contact electrode 81, and a potential can be applied to the filament electrode 91 more stably.
なお、図示は省略するが、第２の座電極をフィラメント電極の端部近傍にだけに小さく作りその部分に突起部を設ければ、１つの突起部のみで両方の絶縁部が第１の接触電極と接触することを回避できる。ただし、この場合には絶縁部を平行平板接地電極の裏側に位置させることが困難となり、絶縁部のチャージアップ防止策が別途に必要となる。先述のとおりフィラメント電極は大変に細く機械的強度が小さいため、チャージアップ防止策にはより繊細な設計・取り扱い作業が求められる。
Although illustration is omitted, if the second seat electrode is made small only in the vicinity of the end of the filament electrode and a protruding portion is provided in that portion, both insulating portions are in contact with each other by only one protruding portion. Contact with the electrode can be avoided. However, in this case, it is difficult to position the insulating portion on the back side of the parallel plate ground electrode, and a separate charge-up prevention measure is required for the insulating portion. As described above, since the filament electrode is very thin and has a low mechanical strength, a more delicate design and handling work is required to prevent charge-up.
以上により、実施例３に示した方法によれば、フィラメントホルダーの絶縁部が発生させるフィラメント電極が電気的に浮いた状況を回避できるだけでなく、より安定的にフィラメント電極への電位の印加が可能となる。これにより、完全に全方位角に渡ってフィラメント電極への電位印加が可能となり、１電極の回転型バイプリズム装置であっても、１電極のままの構成で、フィラメント電極への通電が可能で、かつ、バイプリズム装置として支障なく全方位での使用が可能となる。
As described above, according to the method shown in the third embodiment, not only can the situation in which the filament electrode generated by the insulating portion of the filament holder floats electrically is avoided, but also the potential can be more stably applied to the filament electrode. It becomes. As a result, it is possible to apply a potential to the filament electrode over all azimuth angles, and even with a single-electrode rotary biprism device, it is possible to energize the filament electrode with a single electrode configuration. In addition, the biprism device can be used in all directions without hindrance.
図８に、実施例４に係る電子線干渉装置のシステム全体の一構成例の模式図を示す。図８は300kV程度の加速電圧を持つ汎用型の電子顕微鏡を想定し、電子線干渉光学系の場合のシステム全体を模式的に描いているが、この構成を持つ電子顕微鏡に限定するものではない。
FIG. 8 is a schematic diagram of a configuration example of the entire system of the electron beam interference apparatus according to the fourth embodiment. FIG. 8 schematically illustrates the entire system in the case of an electron beam interference optical system assuming a general-purpose electron microscope having an acceleration voltage of about 300 kV, but is not limited to an electron microscope having this configuration. .
電子源としての電子銃１が電子線の流れる方向の最上流部に位置し、電子線は加速管４０にて所定の速度にされた後、照射光学系であるコンデンサーレンズ４１、４２を経て所定の強度、照射領域に調整されて試料３に照射される。試料３を透過した電子線は、対物レンズ５にて結像される。この結像作用は、対物レンズ５よりも後段の結像レンズ系６１、６２、６３、６４に引き継がれ、最終的に電子線装置の観察記録面７５に結像される。その像はＣＣＤカメラなど記録媒体７９とコントローラ７８を経て、例えば画像データモニタ７６画面上で観察したり、記録装置７７に画像データとして格納される。
The electron gun 1 as an electron source is positioned at the most upstream part in the direction in which the electron beam flows. The electron beam is brought to a predetermined speed by the acceleration tube 40 and then passed through the condenser lenses 41 and 42 which are irradiation optical systems. The sample 3 is irradiated with the intensity adjusted to the irradiation area. The electron beam that has passed through the sample 3 is imaged by the objective lens 5. This imaging action is taken over by the imaging lens systems 61, 62, 63, 64 downstream of the objective lens 5 and finally imaged on the observation recording surface 75 of the electron beam apparatus. The image passes through a recording medium 79 such as a CCD camera and a controller 78, and is observed on, for example, an image data monitor 76 screen or stored as image data in a recording device 77.
バイプリズム装置９は、対物レンズ５による光源１の像面と対物レンズ５による試料３の像面の間に配置され、電子線をフィラメント９１の下側で重畳するように操作される。このバイプリズムによる電子線の重畳部は、試料の像とともに対物レンズ後段の結像レンズ系６１、６２、６３、６４で拡大され、観察記録面７５に結像される。
The biprism device 9 is disposed between the image plane of the light source 1 by the objective lens 5 and the image plane of the sample 3 by the objective lens 5 and is operated so as to superimpose an electron beam below the filament 91. The superimposed portion of the electron beam by the biprism is magnified by the imaging lens systems 61, 62, 63, and 64 at the latter stage of the objective lens together with the sample image, and is imaged on the observation recording surface 75.
これら装置は、全体としてシステム化されており、オペレータはモニタ５２画面上で装置の制御状態を確認するとともに、インターフェース５３を介して、各種プログラムが実行されるシステム制御コンピュータ５１を用いて、試料の制御ユニット３９、第２照射レンズの制御ユニット４７、第１照射レンズの制御ユニット４８、加速管の制御ユニット４９、対物レンズの制御ユニット５９、第４結像レンズの制御ユニット６６、第３結像レンズの制御ユニット６７、第２結像レンズの制御ユニット６８、第１結像レンズの制御ユニット６９、画像記録媒体の制御ユニット７８、バイプリズム装置の制御ユニット９８等の制御ユニットを制御することにより、電子源１、加速管４０、各レンズ４１、４２、５、６１、６２、６３、６４、試料３、バイプリズム装置９、検出器７９等などを制御できる。
These apparatuses are systematized as a whole, and the operator confirms the control state of the apparatus on the monitor 52 screen, and uses the system control computer 51 in which various programs are executed via the interface 53, and the sample is sampled. Control unit 39, second irradiation lens control unit 47, first irradiation lens control unit 48, acceleration tube control unit 49, objective lens control unit 59, fourth imaging lens control unit 66, third imaging By controlling control units such as a lens control unit 67, a second imaging lens control unit 68, a first imaging lens control unit 69, an image recording medium control unit 78, and a biprism device control unit 98. , Electron source 1, acceleration tube 40, lenses 41, 42, 5, 61, 62, 63, 64, test 3, biprism device 9 can be controlled and the detector 79 or the like.
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、第２の接触電極は、バイプリズム装置本体に接続する場合を示したが、第２の接触電極を接地させることができれば良く、荷電粒子線装置本体であっても良い。また、上記の実施例は、透過型の電子顕微鏡に基づいて説明したが、本発明は走査型の電子顕微鏡に用いてもよいし、イオン顕微鏡に用いてもよい。その際に、それぞれの装置に基づいて光学系の構成が変更されるのは、言うまでもない。なお、想定される荷電粒子線装置は、どのような装置であっても、荷電粒子線の偏向系や真空排気系などを備えているが、本願と直接の関係が無いため、図示、および説明は省略した。
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned Example, Various modifications are included. For example, the case where the second contact electrode is connected to the biprism device main body has been shown, but it is sufficient that the second contact electrode can be grounded, and the charged particle beam device main body may be used. Moreover, although the said Example was demonstrated based on the transmission electron microscope, this invention may be used for a scanning electron microscope and may be used for an ion microscope. At that time, it goes without saying that the configuration of the optical system is changed based on each device. The assumed charged particle beam apparatus is equipped with a charged particle beam deflection system, an evacuation system, etc., which are not directly related to the present application. Omitted.
また、上記した各実施例は本発明のより良い理解のために詳細に説明したのであり、必ずしも説明の全ての構成を備えるものに限定されものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることが可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
Further, each of the above-described embodiments has been described in detail for better understanding of the present invention, and is not necessarily limited to one having all the configurations described. Further, a part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. Further, it is possible to add, delete, and replace other configurations for a part of the configuration of each embodiment.
更に、上述した各構成、機能、制御部等は、それらの一部又は全部を実現するプログラムが作動作する制御ユニット、制御系コンピュータの使用する例を説明したが、それらの一部又は全部を例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現しても良いことは言うまでもない。すなわち、制御部の全部または一部の機能は、プログラムに代え、例えば、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）などの集積回路などにより実現してもよい。
Furthermore, although each of the above-described configurations, functions, control units, etc. has been described with reference to an example used by a control unit or control system computer that operates a program that realizes part or all of them, part or all of them are used. Needless to say, it may be realized by hardware, for example, by designing with an integrated circuit. That is, all or part of the functions of the control unit may be realized by an integrated circuit such as ASIC (Application Specific Integrated Circuit) or FPGA (Field Programmable Gate Array) instead of the program.
１ 電子源もしくは電子銃
１１ 対物レンズにより結像された光源の像（クロスオーバー）
１８ 真空容器
１９ 電子源の制御ユニット
２ 光軸
２０ バイプリズム装置を使用しない場合の光軸
２１ 物体波
２２ 電子線の波面
２３ 参照波
２７ 電子線の軌道
３ 試料
３１ 対物レンズにより結像された試料の像
３９ 試料の制御ユニット
４ 照射光学系
４０ 加速管
４１ 第１照射（コンデンサ）レンズ
４２ 第２照射（コンデンサ）レンズ
４７ 第２照射レンズの制御ユニット
４８ 第１照射レンズの制御ユニット
４９ 加速管の制御ユニット
５ 対物レンズ
５１ 制御系コンピュータ
５２ 制御系コンピュータのモニタ
５３ 制御系コンピュータのインターフェース
５９ 対物レンズの制御ユニット
６１ 第１結像レンズ
６２ 第２結像レンズ
６３ 第３結像レンズ
６４ 第４結像レンズ
６６ 第４結像レンズの制御ユニット
６７ 第３結像レンズの制御ユニット
６８ 第２結像レンズの制御ユニット
６９ 第１結像レンズの制御ユニット
７１ 対物レンズによる試料の像面
７５ 観察記録面
７６ 画像データ用モニタ
７７ 画像記録装置
７８ 画像記録媒体の制御ユニット
７９ 画像観察・記録媒体
８ 干渉縞
８０ バイプリズム装置本体
８１ 接触電極もしくは第１の接触電極
８２ 第２の接触電極
８３ 第１の座電極
８４ 第２の座電極
８５ 絶縁部
８６ 突起部
８７ 第１の接触電極と枝状電極の支点
８８ 枝状電極
９ バイプリズム装置
９１ フィラメント電極
９２ 接着剤
９３ フィラメントホルダー
９５ フィラメント電極への電位印加電源
９８ バイプリズム装置の制御ユニット
９９ 平行平板接地電極 1 Electron source orelectron gun 11 Light source image formed by objective lens (crossover)
18Vacuum container 19 Electron source control unit 2 Optical axis 20 Optical axis when biprism device is not used 21 Object wave 22 Electron wavefront 23 Reference wave 27 Electron trajectory 3 Sample 31 Sample imaged by objective lens Image 39 Sample control unit 4 Irradiation optical system 40 Acceleration tube 41 First irradiation (condenser) lens 42 Second irradiation (condenser) lens 47 Second irradiation lens control unit 48 First irradiation lens control unit 49 Acceleration tube Control unit 5 Objective lens 51 Control system computer 52 Control system computer monitor 53 Control system computer interface 59 Objective lens control unit 61 First imaging lens 62 Second imaging lens 63 Third imaging lens 64 Fourth imaging Lens 66 Fourth imaging lens control unit 67 Third imaging lens control unit 6 Second imaging lens control unit 69 First imaging lens control unit 71 Sample image plane 75 by objective lens Observation recording surface 76 Image data monitor 77 Image recording device 78 Image recording medium control unit 79 Image observation / recording Medium 8 Interference fringe 80 Biprism device main body 81 Contact electrode or first contact electrode 82 Second contact electrode 83 First seat electrode 84 Second seat electrode 85 Insulating portion 86 Projection portion 87 First contact electrode and branch Branch electrode 88 Branch electrode 9 Biprism device 91 Filament electrode 92 Adhesive 93 Filament holder 95 Potential application power source 98 for filament electrode Biprism device control unit 99 Parallel plate ground electrode
１１ 対物レンズにより結像された光源の像（クロスオーバー）
１８ 真空容器
１９ 電子源の制御ユニット
２ 光軸
２０ バイプリズム装置を使用しない場合の光軸
２１ 物体波
２２ 電子線の波面
２３ 参照波
２７ 電子線の軌道
３ 試料
３１ 対物レンズにより結像された試料の像
３９ 試料の制御ユニット
４ 照射光学系
４０ 加速管
４１ 第１照射（コンデンサ）レンズ
４２ 第２照射（コンデンサ）レンズ
４７ 第２照射レンズの制御ユニット
４８ 第１照射レンズの制御ユニット
４９ 加速管の制御ユニット
５ 対物レンズ
５１ 制御系コンピュータ
５２ 制御系コンピュータのモニタ
５３ 制御系コンピュータのインターフェース
５９ 対物レンズの制御ユニット
６１ 第１結像レンズ
６２ 第２結像レンズ
６３ 第３結像レンズ
６４ 第４結像レンズ
６６ 第４結像レンズの制御ユニット
６７ 第３結像レンズの制御ユニット
６８ 第２結像レンズの制御ユニット
６９ 第１結像レンズの制御ユニット
７１ 対物レンズによる試料の像面
７５ 観察記録面
７６ 画像データ用モニタ
７７ 画像記録装置
７８ 画像記録媒体の制御ユニット
７９ 画像観察・記録媒体
８ 干渉縞
８０ バイプリズム装置本体
８１ 接触電極もしくは第１の接触電極
８２ 第２の接触電極
８３ 第１の座電極
８４ 第２の座電極
８５ 絶縁部
８６ 突起部
８７ 第１の接触電極と枝状電極の支点
８８ 枝状電極
９ バイプリズム装置
９１ フィラメント電極
９２ 接着剤
９３ フィラメントホルダー
９５ フィラメント電極への電位印加電源
９８ バイプリズム装置の制御ユニット
９９ 平行平板接地電極 1 Electron source or
18
Claims (11)
- バイプリズム装置であって、
荷電粒子線装置の光軸に直交するフィラメントと、
前記光軸と前記フィラメントの両方に直交する軸を法線とする平面を持ち、前記フィラメントを挟んで配置される一対の平行平板電極と、
前記フィラメントの両端がそれぞれ固定され、互いに絶縁部で絶縁された第１の座電極と第２の座電極を有し、前記光軸と平行な軸を回転軸として回転するフィラメントホルダーと、
電源に接続される第１の接触電極と、
第２の接触電極と、を備え、
前記フィラメントホルダーの前記回転により、前記第１の座電極と前記第２の座電極の少なくともどちらか１つが前記第１の接触電極と接触する状態、或いは前記第１の座電極が前記第１の接触電極と接触し、前記第２の座電極が前記第２の接触電極と接触する状態を取りうる、
ことを特徴とするバイプリズム装置。 A biprism device,
A filament perpendicular to the optical axis of the charged particle beam device;
A pair of parallel plate electrodes having a plane normal to an axis orthogonal to both the optical axis and the filament, and disposed between the filaments;
A filament holder that has a first seat electrode and a second seat electrode that are fixed at both ends of the filament and insulated from each other by an insulating portion, and rotates about an axis parallel to the optical axis;
A first contact electrode connected to a power source;
A second contact electrode,
When the filament holder rotates, at least one of the first seat electrode and the second seat electrode is in contact with the first contact electrode, or the first seat electrode is in the first seat electrode. Contact with a contact electrode, and the second seat electrode can be in contact with the second contact electrode;
A biprism device characterized by that. - 前記第１の接触電極と前記第２の接触電極が前記フィラメントの中点となす小なる側の角度は、前記第１の座電極と前記第２の座電極の間の２つの前記絶縁部が前記フィラメントの中点となす小なる側の角度よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載のバイプリズム装置。 The angle on the smaller side between the first contact electrode and the second contact electrode and the middle point of the filament is determined by the two insulating portions between the first seat electrode and the second seat electrode. It is larger than the angle on the small side formed with the midpoint of the filament,
The biprism device according to claim 1. - 前記絶縁部が前記平行平板電極の前記光軸から見た裏側に位置する、
ことを特徴とする請求項１もしくは２に記載のバイプリズム装置。 The insulating portion is located on the back side of the parallel plate electrode as viewed from the optical axis;
The biprism device according to claim 1 or 2, characterized in that - 前記フィラメントホルダーと前記平行平板電極が一体として前記回転を行う、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のバイプリズム装置。 The filament holder and the parallel plate electrode are rotated as a unit,
The biprism device according to any one of claims 1 to 3, wherein - 前記第１の接触電極が枝状構造を有し、前記第１の座電極と前記第２の座電極の両方が、枝状構造を有する前記第１の接触電極に接触する前記回転の回転角度を有する、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のバイプリズム装置。 The rotation angle of the rotation in which the first contact electrode has a branch structure, and both the first seat electrode and the second seat electrode are in contact with the first contact electrode having a branch structure. Having
The biprism device according to any one of claims 1 to 4, wherein the biprism device is provided. - 前記第２の座電極は、前記第１、第２の接触電極の何れかに接触可能な突起部を有する、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のバイプリズム装置。 The second seat electrode has a protrusion that can contact either the first or second contact electrode.
The biprism device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that: - 前記第１の座電極が前記第１の接触電極に接触し、かつ、前記第２の座電極が前記第２の接触電極に接触する前記回転の回転角度範囲が９０度以下である、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のバイプリズム装置。 The rotation angle range of the rotation in which the first seat electrode is in contact with the first contact electrode and the second seat electrode is in contact with the second contact electrode is 90 degrees or less.
The biprism device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that: - 前記フィラメントが、導電体もしくは導電体をコートされることによって導電性が保持される、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のバイプリズム装置。 Conductivity is maintained by the filament being coated with a conductor or a conductor.
The biprism device according to claim 1, wherein: - 前記第１の座電極が前記第１の接触電極に接触し、かつ、前記第２の座電極が前記第２の接触電極に接触する前記回転の回転角度範囲において、前記フィラメントに前記電源を用いて電流を流す、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のバイプリズム装置。 The power source is used for the filament in the rotation angle range of the rotation in which the first seat electrode is in contact with the first contact electrode and the second seat electrode is in contact with the second contact electrode. Current
The biprism device according to any one of claims 1 to 8, characterized in that: - 前記電源を用いて流された電流により前記フィラメントが熱せられる
ことを特徴とする請求項９に記載のバイプリズム装置。 The biprism device according to claim 9, wherein the filament is heated by a current flowed using the power source. - 荷電粒子線装置であって、
前記荷電粒子線装置の光軸に直交するフィラメントと、
前記光軸と前記フィラメントの両方に直交する軸を法線とする平面を持ち、前記フィラメントを挟んで配置される一対の平行平板電極と、
前記フィラメントの両端がそれぞれ固定され、互いに絶縁部で絶縁された第１の座電極と第２の座電極を有し、前記光軸と平行な軸を回転軸として回転するフィラメントホルダーと、
電源に接続される第１の接触電極と、
第２の接触電極と、を備え、
前記フィラメントホルダーの前記回転により、前記第１の座電極と前記第２の座電極の少なくともどちらか１つが前記第１の接触電極と接触する、或いは前記第１の座電極が前記第１の接触電極と接触し、前記第２の座電極が前記第２の接触電極と接触するバイプリズム装置、を備える、
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 A charged particle beam device,
A filament perpendicular to the optical axis of the charged particle beam device;
A pair of parallel plate electrodes having a plane normal to an axis orthogonal to both the optical axis and the filament, and disposed between the filaments;
A filament holder that has a first seat electrode and a second seat electrode that are fixed at both ends of the filament and insulated from each other by an insulating portion, and rotates about an axis parallel to the optical axis;
A first contact electrode connected to a power source;
A second contact electrode,
Due to the rotation of the filament holder, at least one of the first seat electrode and the second seat electrode contacts the first contact electrode, or the first seat electrode contacts the first contact electrode. A biprism device in contact with an electrode, wherein the second seat electrode is in contact with the second contact electrode,
A charged particle beam apparatus characterized by that.
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| JP2015251027A JP6614492B2 (en) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | Biprism device and charged particle beam device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=59090272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2016/087541 WO2017110673A1 (en) | 2015-12-24 | 2016-12-16 | Biprism device and charged particle beam device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6614492B2 (en) |
| WO (1) | WO2017110673A1 (en) |
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|---|---|---|---|---|
| WO2021256212A1 (en) * | 2020-06-18 | 2021-12-23 | 国立研究開発法人理化学研究所 | Electron microscope analysis system |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0414744A (en) * | 1990-05-09 | 1992-01-20 | Hitachi Ltd | Electron beam holography device |
| US5811806A (en) * | 1995-09-12 | 1998-09-22 | Jeol Ltd. | Electron-beam biprism |
| JPH1140097A (en) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Hitachi Ltd | Electron beam interference device |
| JP2001325913A (en) * | 2000-05-19 | 2001-11-22 | Jeol Ltd | Electron beam biprism device |
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2015
- 2015-12-24 JP JP2015251027A patent/JP6614492B2/en active Active
-
2016
- 2016-12-16 WO PCT/JP2016/087541 patent/WO2017110673A1/en active Application Filing
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