WO2017078201A1 - 평판형 이미지 센서 - Google Patents

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WO2017078201A1
WO2017078201A1 PCT/KR2015/011877 KR2015011877W WO2017078201A1 WO 2017078201 A1 WO2017078201 A1 WO 2017078201A1 KR 2015011877 W KR2015011877 W KR 2015011877W WO 2017078201 A1 WO2017078201 A1 WO 2017078201A1
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WO
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image sensor
visible light
electrode
unit
protective layer
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/011877
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English (en)
French (fr)
Inventor
김재민
김기중
허지호
Original Assignee
실리콘디스플레이 (주)
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Publication date
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Priority to PCT/KR2015/011877 priority patent/WO2017078201A1/ko
Priority to US15/767,417 priority patent/US20180294294A1/en
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    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to a planar image sensor.
  • An image sensor refers to a device that acquires an image by using a property of a semiconductor in response to light.
  • the image sensor detects the brightness and the wavelength of the different light emitted from each subject, and reads it as an electric value. It is the role of the image sensor to make the electrical values (code values) read as such into the signal processing level possible.
  • an image sensor is configured using a thin film transistor and an optical sensor.
  • the image sensor according to the prior art uses a backlight unit for irradiating visible light
  • the visible light from the backlight unit is visible to the user's eyes, and there is a disadvantage in that an image sensor for recognizing a wider wavelength range cannot be constructed. .
  • the present invention has been made to solve the above-described problem, to provide a flat image sensor that detects a wider range of wavelengths using a backlight unit for irradiating visible, infrared or ultraviolet light.
  • the present invention is to further improve the security of documents, such as by sensing the image of the ultraviolet and infrared reflecting the infrared ray that is not detected by the user's eyes using the ultraviolet or infrared backlight.
  • a flat panel image sensor includes: a backlight unit for irradiating at least one of visible light, infrared light, and ultraviolet light to an object; A visible light converting unit converting the ultraviolet light reflected by the object into visible light; And a photo sensor unit configured to sense at least one of visible light, infrared light, and the visible light converted by the visible light converting part irradiated from the backlight unit.
  • the visible light conversion unit may include UV ink or a quantum dot (Quantum dot).
  • the photo sensor unit may be composed of any one of an amorphous silicon photo diode, an organic light sensor, and a quantum dot optical sensor.
  • the switching thin film transistor for transmitting a signal of the photo sensor unit may further include.
  • the switching thin film transistor may be composed of any one of coplanar, staggered, inverted coplanar, and inverted staggered thin film transistor.
  • the switching thin film transistor includes an insulating substrate; A semiconductor active layer formed on the insulating substrate; A gate insulating film formed on the semiconductor active layer; A gate electrode formed on the gate insulating film; An interlayer insulating layer formed on the gate electrode; A source electrode and a drain electrode formed in the via hole formed in the gate insulating film and the interlayer insulating film; And a first passivation layer formed on the switching thin film transistor.
  • the photo sensor unit includes an electrode extending from the drain electrode or the source electrode of the thin film transistor; A semiconductor layer formed on the extended electrode; A transparent electrode formed on the semiconductor layer; A second protective layer formed on the semiconductor layer and the transparent electrode to protect the photo sensor; And a bias electrode formed in the via hole formed in the second protective layer and connected to the transparent electrode.
  • the second protective layer and the sensor protective layer formed on the bias electrode may further include a.
  • the semiconductor active layer may be any one of a low temperature polycrystalline silicon semiconductor, an amorphous silicon semiconductor, and an oxide semiconductor.
  • the visible light conversion unit may be disposed between the object and the photo sensor unit.
  • the second protective layer or sensor protective layer may be formed of an organic material or an inorganic material.
  • a flat panel type image sensor that detects a wider range of wavelengths by using a backlight unit that emits visible light, infrared light, or ultraviolet light.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a flat plate type image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a flat plate type image sensor according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a flat plate type image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a flat panel image sensor includes a backlight unit 110, a photo sensor unit 120, and a visible light conversion unit 130, and a switching thin film transistor 150. It may be configured to include more.
  • the backlight unit 110 is configured to emit at least one of visible light, infrared light, and ultraviolet light, and the backlight unit 110 emits light to the object 132.
  • the visible light converter 130 may convert the ultraviolet light reflected by the object 132 into the visible light.
  • the visible light converter 130 may receive the ultraviolet light reflected by the object 132 and convert the ultraviolet light into visible light. .
  • the photo sensor unit 120 detects light reflected from the backlight unit 110 and reflected on the object 132.
  • the photo sensor unit 120 may detect at least one of visible light, infrared light, and the visible light converted by the visible light converter 130 irradiated from the backlight unit 110 and reflected on the object 132. Can be.
  • the visible light converter 130 may include UV ink or a quantum dot, and the visible light converter 130 may include the object 132 and the photo sensor 120. It can be placed in between.
  • the photo sensor unit 120 may be formed of any one of an amorphous silicon photo diode, an organic light sensor, and a quantum dot optical sensor.
  • the switching thin film transistor 150 serves to transmit a signal of the photo sensor unit 120 and may be configured of any one of coplanar, staggered, inverted coplanar, and inverted staggered thin film transistor. Can be.
  • the switching thin film transistor 150 includes an insulating substrate 151, a semiconductor active layer 152 formed on the insulating substrate 151, and a gate insulating layer 153 formed on the semiconductor active layer 152. ), A gate electrode 154 formed on the gate insulating film 153, an interlayer insulating film 155 formed on the gate electrode 154, and an interlayer insulating film 155 and the gate insulating film 153. And a source electrode 156 and a drain electrode 157 (or source electrode 157 and drain electrode 156) formed in the via hole, and a first passivation layer 124 is formed thereon. In this case, the first protective layer 124 serves to protect the switching thin film transistor 150.
  • the photo sensor unit 120 is formed on the semiconductor layer 122 and the semiconductor layer 122 formed on the electrode 121 extending from the drain electrode or the source electrode 157 of the switching thin film transistor 150.
  • the transparent electrode 123 formed in the semiconductor layer 122 Formed in the transparent electrode 123 formed in the semiconductor layer 122, the second protective layer 126 formed on the transparent electrode 123, and the via hole formed in the second protective layer 126. It may be configured to include a bias electrode 125 is connected to the transparent electrode 123. In this case, the second protective layer 126 serves to protect the photosensor unit 120.
  • a sensor protective layer 140 may be formed on the second protective layer 126 and the bias electrode 125, and the second protective layer 126 or the sensor protective layer 140 may be formed of an organic material or an inorganic material. Can be configured.
  • a flat panel type image sensor that detects a wider range of wavelengths by using a backlight unit that emits visible light, infrared light, or ultraviolet light.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a flat plate type image sensor according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • the flat panel image sensor according to the embodiment of FIG. 2 includes a backlight unit 110, a photo sensor unit 120, and a visible light conversion unit 130, and the switching thin film transistor 150. It may be configured to include more.
  • the backlight unit 110 is configured to irradiate ultraviolet light to irradiate the ultraviolet light to the object 132.
  • the visible light converter 130 may convert the ultraviolet light reflected by the object 132 into the visible light.
  • the visible light converter 130 may receive the ultraviolet light reflected by the object 132 and convert the ultraviolet light into visible light.
  • the photo sensor unit 120 may detect visible light that is irradiated from the backlight unit 110 and reflected by the object 132 and converted by the visible light conversion unit 130.
  • the visible light converting unit 130 may include UV ink or a quantum dot, and the visible light converting unit 130 may include the object 132 and the photo sensor 120. It can be placed in between.
  • the photo sensor unit 120 may be composed of any one of an amorphous silicon photodiode, an organic optical sensor and a quantum dot optical sensor.
  • the switching thin film transistor 150 serves to transmit a signal of the photo sensor unit 120 and may be configured of any one of coplanar, staggered, inverted coplanar, and inverted staggered thin film transistor. Can be.
  • the switching thin film transistor 150 may include an insulating substrate 151, a semiconductor active layer 152 formed on the insulating substrate 151, a gate insulating layer 153 formed on the semiconductor active layer 152, and the gate insulating layer ( A gate electrode 154 formed on the gate electrode 154, an interlayer insulating layer 155 formed on the gate electrode 154, and a source electrode formed in the via hole formed in the interlayer insulating layer 155 and the gate insulating layer 153. 156 and the drain electrode 157 (or the source electrode 157 and the drain electrode 156). In addition, a first passivation layer 124 is formed on the switching thin film transistor 150 to protect the switching thin film transistor 150.
  • the photo sensor unit 120 is formed on the semiconductor layer 122 and the semiconductor layer 122 formed on the electrode 121 extending from the drain electrode or the source electrode 157 of the switching thin film transistor 150. Formed in the transparent electrode 123 formed in the semiconductor layer 122, the second protective layer 126 formed on the transparent electrode 123, and the via hole formed in the second protective layer 126. It may be configured to include a bias electrode 125 is connected to the transparent electrode 123.
  • the second protective layer 126 serves to protect the photo sensor unit 120.
  • a sensor protective layer 140 may be formed on the second protective layer 126 and the bias electrode 125, and the second protective layer 126 or the sensor protective layer 140 may be formed of an organic material or an inorganic material. Can be configured.
  • an image of reflecting ultraviolet rays and infrared rays that are not detected by the user's eyes may be sensed using an ultraviolet or infrared backlight to further improve security of documents.

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Abstract

본 발명은 평판형 이미지 센서에 관한 것으로, 가시광선, 적외선 및 자외선 중에서 적어도 어느 하나의 빛을 오브젝트(object)로 조사하는 백라이트 유닛; 상기 오브젝트에 반사되는 자외선을 가시광선으로 변환하는 가시광선 변환부; 및 상기 백라이트 유닛으로부터 조사되어 오브젝트에 반사되는 가시광선, 적외선 및 상기 가시광선 변환부에서 변환된 가시광선 중에서 적어도 어느 하나를 감지하는 포토 센서부;를 포함한다.

Description

평판형 이미지 센서
본 발명의 실시예는 평판형 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 반도체가 빛에 반응하는 성질을 이용하여 이미지를 획득하는 장치를 말한다.
이미지 센서는 각각의 피사체에서 나오는 각기 다른 빛의 밝기 및 파장을 화소(pixel)가 감지하여 전기적인 값으로 읽어낸다. 이와 같이 읽어낸 전기적인 값(코드값)을 신호처리가 가능한 레벨로 만들어 주는 것이 이미지 센서의 역할이다.
일반적으로 종래 기술에 따른 이미지 센서는 박막 트랜지스터와 광 센서를 이용하여 구성한다. 보다 상세하게 살펴보면, 종래 기술에서는 반도체, 게이트 전극, 절연막, 데이터 전극 등을 증착하여 구성되는 박막 트랜지스터와, 제1 전극, 광 센서부, 제2 전극 등을 증착하여 구성되는 광 센서를 이용하여 이미지 센서를 구성하였다.
그러나, 종래 기술에 따른 이미지 센서는 가시광선을 조사하는 백라이트 유닛을 사용하므로, 백라이트 유닛으로부터의 가시광선이 사용자의 눈에 시인되며, 보다 다양한 파장영역을 인지하는 이미지 센서를 구성하지 못하는 단점이 있었다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 가시광선, 적외선 또는 자외선 빛을 조사하는 백라이트 유닛을 사용하여 보다 다양한 파장영역을 감지하는 평판형 이미지 센서를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 사용자의 눈에 감지되지 않도록 만든 자외선과 적외선을 반사시키는 이미지를 자외선 또는 적외선 백라이트를 사용해 이미지 센싱하여 문서 등의 보안을 보다 향상시키고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 평판형 이미지 센서는, 가시광선, 적외선 및 자외선 중에서 적어도 어느 하나의 빛을 오브젝트(object)로 조사하는 백라이트 유닛; 상기 오브젝트에 반사되는 자외선을 가시광선으로 변환하는 가시광선 변환부; 및 상기 백라이트 유닛으로부터 조사되어 오브젝트에 반사되는 가시광선, 적외선 및 상기 가시광선 변환부에서 변환된 가시광선 중에서 적어도 어느 하나를 감지하는 포토 센서부;를 포함한다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 가시광선 변환부는 UV 잉크 또는 양자점(Quantum dot)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 포토 센서부는 비정질 실리콘 포토 다이오드, 유기물 광센서 및 양자점 광센서 중에서 어느 하나로 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 포토 센서부의 신호를 전달하는 스위칭 박막 트랜지스터;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 코플라나, 스태거드, 인버티드 코플라나 및 인버티드 스태거드 박막 트랜지스터 중에서 어느 하나로 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 절연 기판; 상기 절연 기판 상에 형성되는 반도체 활성층; 상기 반도체 활성층 상에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막; 및 상기 게이트 절연막과 상기 층간 절연막에 형성되는 비아홀에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 스위칭 박막 트랜지스터 상에 형성되는 제1 보호층;을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 포토 센서부는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 또는 소스 전극으로부터 연장된 전극; 상기 연장된 전극 상에 형성되는 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성되는 투명 전극; 상기 반도체층과 상기 투명 전극 상에 형성되어 상기 포토 센서부를 보호하는 제2 보호층; 상기 제2 보호층에 형성되는 비아홀에 형성되어 상기 투명 전극과 연결되는 바이어스 전극;을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 제2 보호층 및 바이어스 전극 상에 형성되는 센서 보호층;을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 반도체 활성층은 저온 다결정질 실리콘 반도체, 비정질 실리콘 반도체 및 산화물 반도체 중에서 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 가시광선 변환부는 상기 오브젝트와 상기 포토 센서부의 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 제2 보호층 또는 센서 보호층은 유기물 또는 무기물로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 가시광선, 적외선 또는 자외선 빛을 조사하는 백라이트 유닛을 사용하여 보다 다양한 파장영역을 감지하는 평판형 이미지 센서를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면 사용자의 눈에 감지되지 않도록 만든 자외선과 적외선을 반사시키는 이미지를 자외선 또는 적외선 백라이트를 사용해 이미지 센싱하여 문서 등의 보안을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 평판형 이미지 센서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 평판형 이미지 센서의 단면도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 본 발명의 일실시예에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 실시형태를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 평판형 이미지 센서의 단면도이다.
도 1을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 평판형 이미지 센서를 설명하기로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 평판형 이미지 센서는 백라이트 유닛(110), 포토 센서부(120) 및 가시광선 변환부(130)를 포함하고, 스위칭 박막 트랜지스터(150)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
백라이트 유닛(110)은 가시광선, 적외선 및 자외선 중에서 적어도 어느 하나의 빛을 조사하도록 구성되며, 상기 백라이트 유닛(110)은 빛을 오브젝트(132)로 조사한다.
가시광선 변환부(130)는 상기 오브젝트(132)에 반사되는 자외선을 가시광선으로 변환할 수 있다.
즉, 상기 백라이트 유닛(110)으로부터 자외선이 출사되어 상기 오브젝트(132)에 반사되는 경우에는 가시광선 변환부(130)가 상기 오브젝트(132)에 반사된 자외선을 받아들여 가시광선으로 변환할 수 있다.
포토 센서부(120)는 상기 백라이트 유닛(110)으로부터 조사되어 오브젝트(132)에 반사되는 빛을 감지한다.
즉, 포토 센서부(120)는 상기 백라이트 유닛(110)으로부터 조사되어 오브젝트(132)에 반사되는 가시광선, 적외선 및 상기 가시광선 변환부(130)에서 변환된 가시광선 중에서 적어도 어느 하나를 감지할 수 있다.
한편, 상기 가시광선 변환부(130)는 UV 잉크 또는 양자점(Quantum dot)을 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 가시광선 변환부(130)는 상기 오브젝트(132)와 상기 포토 센서부(120)의 사이에 배치될 수 있다.
상기 포토 센서부(120)는 비정질 실리콘 포토 다이오드, 유기물 광센서 및 양자점 광센서 중에서 어느 하나로 구성될 수 있다.
또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)는 상기 포토 센서부(120)의 신호를 전달하는 역할을 하며, 코플라나, 스태거드, 인버티드 코플라나 및 인버티드 스태거드 박막 트랜지스터 중에서 어느 하나로 구성될 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)는 절연 기판(151), 상기 절연 기판(151) 상에 형성되는 반도체 활성층(152), 상기 반도체 활성층(152) 상에 형성되는 게이트 절연막(153), 상기 게이트 절연막(153) 상에 형성되는 게이트 전극(154), 상기 게이트 전극(154) 상에 형성되는 층간 절연막(155), 상기 층간 절연막(155)과 상기 게이트 절연막(153)에 형성되는 비아홀에 형성되는 소스 전극(156)과 드레인 전극(157)(또는 소스 전극(157)과 드레인 전극(156))을 포함하여 구성되며, 그 상부에는 제1 보호층(124)이 형성된다. 이때, 상기 제1 보호층(124)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)를 보호하는 역할을 한다.
또한, 상기 포토 센서부(120)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)의 드레인 전극 또는 소스 전극(157)으로부터 연장된 전극(121) 상에 형성되는 반도체층(122), 상기 반도체층(122) 상에 형성되는 투명 전극(123), 상기 반도체층(122)과 상기 투명 전극(123) 상에 형성되는 제2 보호층(126), 상기 제2 보호층(126)에 형성되는 비아홀에 형성되어 상기 투명 전극(123)과 연결되는 바이어스 전극(125)을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 제2 보호층(126)은 상기 포토센서부(120)를 보호하는 역할을 한다.
또한, 상기 제2 보호층(126) 및 바이어스 전극(125) 상에는 센서 보호층(140)이 형성될 수 있으며, 상기 제2 보호층(126) 또는 상기 센서 보호층(140)은 유기물 또는 무기물로 구성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면 가시광선, 적외선 또는 자외선 빛을 조사하는 백라이트 유닛을 사용하여 보다 다양한 파장영역을 감지하는 평판형 이미지 센서를 제공할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 평판형 이미지 센서의 단면도이다.
도 2를 참조하여 본 발명의 다른 일실시예에 따른 평판형 이미지 센서를 설명하기로 한다.
도 1의 실시예와 마찬가지로, 도 2의 실시예에 따른 평판형 이미지 센서는 백라이트 유닛(110), 포토 센서부(120) 및 가시광선 변환부(130)를 포함하고, 스위칭 박막 트랜지스터(150)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 도 2의 실시예에 따른 백라이트 유닛(110)은 자외선 빛을 조사하도록 구성되어 상기 자외선 빛을 상부의 오브젝트(132)로 조사한다.
가시광선 변환부(130)는 상기 오브젝트(132)에 반사되는 자외선을 가시광선으로 변환할 수 있다.
즉, 상기 백라이트 유닛(110)으로부터 자외선이 출사되어 상기 오브젝트(132)에 반사되면, 가시광선 변환부(130)가 상기 오브젝트(132)에 반사된 자외선을 받아들여 가시광선으로 변환할 수 있다.
포토 센서부(120)는 상기 백라이트 유닛(110)으로부터 조사되어 오브젝트(132)에 반사되어 가시광선 변환부(130)에서 변환된 가시광선을 감지할 수 있다.
이때, 상기 가시광선 변환부(130)는 UV 잉크 또는 양자점(Quantum dot)을 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 가시광선 변환부(130)는 상기 오브젝트(132)와 상기 포토 센서부(120)의 사이에 배치될 수 있다.
한편, 상기 포토 센서부(120)는 비정질 실리콘 포토 다이오드, 유기물 광센서 및 양자점 광센서 중에서 어느 하나로 구성될 수 있다.
또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)는 상기 포토 센서부(120)의 신호를 전달하는 역할을 하며, 코플라나, 스태거드, 인버티드 코플라나 및 인버티드 스태거드 박막 트랜지스터 중에서 어느 하나로 구성될 수 있다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)는 절연 기판(151), 상기 절연 기판(151) 상에 형성되는 반도체 활성층(152), 상기 반도체 활성층(152) 상에 형성되는 게이트 절연막(153), 상기 게이트 절연막(153) 상에 형성되는 게이트 전극(154), 상기 게이트 전극(154) 상에 형성되는 층간 절연막(155), 상기 층간 절연막(155)과 상기 게이트 절연막(153)에 형성되는 비아홀에 형성되는 소스 전극(156)과 드레인 전극(157)(또는 소스 전극(157)과 드레인 전극(156))을 포함하여 구성된다. 또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150) 상에는 제1 보호층(124)이 형성되어 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)를 보호하는 역할을 한다.
또한, 상기 포토 센서부(120)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(150)의 드레인 전극 또는 소스 전극(157)으로부터 연장된 전극(121) 상에 형성되는 반도체층(122), 상기 반도체층(122) 상에 형성되는 투명 전극(123), 상기 반도체층(122)과 상기 투명 전극(123) 상에 형성되는 제2 보호층(126), 상기 제2 보호층(126)에 형성되는 비아홀에 형성되어 상기 투명 전극(123)과 연결되는 바이어스 전극(125)을 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 제2 보호층(126)은 상기 포토 센서부(120)를 보호하는 역할을 한다.
또한, 상기 제2 보호층(126) 및 바이어스 전극(125) 상에는 센서 보호층(140)이 형성될 수 있으며, 상기 제2 보호층(126) 또는 상기 센서 보호층(140)은 유기물 또는 무기물로 구성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면 사용자의 눈에 감지되지 않도록 만든 자외선과 적외선을 반사시키는 이미지를 자외선 또는 적외선 백라이트를 사용해 이미지 센싱하여 문서 등의 보안을 보다 향상 시킬 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (11)

  1. 가시광선, 적외선 및 자외선 중에서 적어도 어느 하나의 빛을 오브젝트(object)로 조사하는 백라이트 유닛;
    상기 오브젝트에 반사되는 자외선을 가시광선으로 변환하는 가시광선 변환부; 및
    상기 백라이트 유닛으로부터 조사되어 오브젝트에 반사되는 가시광선, 적외선 및 상기 가시광선 변환부에서 변환된 가시광선 중에서 적어도 어느 하나를 감지하는 포토 센서부;
    를 포함하는 평판형 이미지 센서.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가시광선 변환부는,
    UV 잉크 또는 양자점(Quantum dot)을 포함하는 평판형 이미지 센서.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 포토 센서부는,
    비정질 실리콘 포토 다이오드, 유기물 광센서 및 양자점 광센서 중에서 어느 하나로 구성되는 평판형 이미지 센서.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 포토 센서부의 신호를 전달하는 스위칭 박막 트랜지스터;
    를 더 포함하는 평판형 이미지 센서.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는,
    코플라나, 스태거드, 인버티드 코플라나 및 인버티드 스태거드 박막 트랜지스터 중에서 어느 하나로 구성되는 평판형 이미지 센서.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는,
    절연 기판;
    상기 절연 기판 상에 형성되는 반도체 활성층;
    상기 반도체 활성층 상에 형성되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막;
    상기 게이트 절연막과 상기 층간 절연막에 형성되는 비아홀에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;
    상기 스위칭 박막 트랜지스터 상에 형성되는 제1 보호층;
    을 포함하는 평판형 이미지 센서.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 포토 센서부는,
    상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 또는 소스 전극으로부터 연장된 전극;
    상기 연장된 전극 상에 형성되는 반도체층;
    상기 반도체층 상에 형성되는 투명 전극;
    상기 반도체층과 상기 투명 전극 상에 형성되어 상기 포토 센서부를 보호하는 제2 보호층;
    상기 제2 보호층에 형성되는 비아홀에 형성되어 상기 투명 전극과 연결되는 바이어스 전극;
    을 포함하는 평판형 이미지 센서.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2 보호층 및 바이어스 전극 상에 형성되는 센서 보호층;
    을 더 포함하는 평판형 이미지 센서.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 반도체 활성층은,
    저온 다결정질 실리콘 반도체, 비정질 실리콘 반도체 및 산화물 반도체 중에서 어느 하나인 평판형 이미지 센서.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 가시광선 변환부는,
    상기 오브젝트와 상기 포토 센서부의 사이에 배치되는 평판형 이미지 센서.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 제2 보호층 또는 센서 보호층은,
    유기물 또는 무기물로 형성되는 평판형 이미지 센서.
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