WO2017051689A1 - 発光装置 - Google Patents

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直久 新美
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株式会社デンソー
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    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30

Definitions

  • the present disclosure relates to a light emitting device that emits light.
  • Patent Document 1 a display device provided with a plurality of light emitting elements and a plurality of collimating lenses has been proposed in Patent Document 1, for example.
  • Each light emitting element emits red, green, and blue light.
  • Each collimating lens adjusts the beam diameter of light and converts the light into parallel light.
  • the display device also includes a lens and a mirror for synthesizing the light emitted from each collimating lens and irradiating the screen.
  • optical axis misalignment and beam diameter misalignment may occur due to temperature characteristics of components such as collimating lenses and deterioration with time of fixing materials. End up. For this reason, the problem that the image quality of the image displayed on a screen falls has arisen.
  • This disclosure aims to provide a light-emitting device capable of suppressing deterioration in image quality.
  • a light-emitting device includes a semiconductor substrate having one surface, a plurality of light-emitting portions that emit light of different colors, and a plurality of light-emitting portions provided on one surface of the semiconductor substrate corresponding to the plurality of light-emitting portions.
  • An optical waveguide having an optical waveguide and introducing the light from one end of the plurality of optical waveguides.
  • the optical waveguide part has an emission part that synthesizes the light guided to the other end side of the plurality of optical waveguides and emits combined light.
  • a plurality of lights pass through each optical waveguide and are guided to the emitting portion, so that the light emission points of the plurality of lights are at the same position. That is, since it is not necessary to align the optical axes of the light emitting units, it is possible to suppress the occurrence of optical axis deviation and beam diameter deviation. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the image quality of the image displayed on the screen.
  • FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a head-up display to which the light emitting device shown in FIG. 1 is applied.
  • FIG. 4 is a perspective view of a light emitting device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a perspective view of a light emitting device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a perspective view of a light emitting device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a sixth embodiment of the present disclosure.
  • the light emitting device according to the present embodiment is applied as a light source that emits laser light in any of a head-up display, a projector, a pico projector, and a laser radar, for example.
  • the light emitting device 10 includes a semiconductor substrate 20, first to third light emitting units 30 to 32, and an optical waveguide unit 40.
  • the semiconductor substrate 20 is a Si substrate having one surface 21 and side surfaces 22.
  • the semiconductor substrate 20 may be configured based on a substrate such as GaN, sapphire, GaAs, or GaP.
  • the semiconductor substrate 20 also includes electrical elements such as a wiring pattern (not shown).
  • the light emitting units 30 to 32 are configured as light emitting elements that emit laser beams of different colors.
  • the first light emitting unit 30 emits red laser light
  • the second light emitting unit 31 emits green laser light
  • the third light emitting unit 32 emits blue laser light.
  • Each light emitting unit 30 to 32 is formed on the semiconductor substrate 20 by a semiconductor process. Further, each of the light emitting units 30 to 32 emits light according to the light emission command of the control device.
  • the optical waveguide section 40 introduces the laser beams from the light emitting sections 30 to 32, synthesizes the laser beams, and emits synthesized light. As shown in FIG. 1, the optical waveguide section 40 has first to third optical waveguides 41 to 43 and an emission section 44.
  • the optical waveguides 41 to 43 are provided corresponding to the light emitting units 30 to 32, respectively. As shown in FIG. 2, each of the optical waveguides 41 to 43 is formed on one surface 21 of the semiconductor substrate 20. Specifically, each of the optical waveguides 41 to 43 is composed of a first thin film 45, a second thin film 46, and a third thin film 47. The first thin film 45 is formed on the one surface 21 of the semiconductor substrate 20.
  • the second thin film 46 is laid out in three lines on the first thin film 45.
  • the third thin film 47 is formed on the first thin film 45 so as to cover the second thin film 46.
  • the first thin film 45 and the third thin film 47 are, for example, SiO 2 films.
  • the second thin film 46 is, for example, a SiN film having a refractive index higher than that of the SiO 2 film.
  • the second thin film 46 functions as a core. Further, the first thin film 45 and the third thin film 47 function as a clad. Therefore, one second thin film 46 surrounded by the first thin film 45 and the third thin film 47 functions as one optical waveguide.
  • one end portions 48 to 50 of the optical waveguides 41 to 43 are connected to the light emitting portions 30 to 32, respectively.
  • each of the optical waveguides 41 to 43 introduces laser light from the one end portion 48 to 50 side.
  • the emitting portion 44 is a portion that synthesizes the laser light guided to the other end portions 51 to 53 of the optical waveguides 41 to 43 and emits the combined light. Therefore, the emitting unit 44 emits the combined light above the one surface 21 of the semiconductor substrate 20.
  • the other end portions 51 to 53 of the respective optical waveguides 41 to 43 are laid out so as to be close to one place within the range of the one surface 21 of the semiconductor substrate 20. That is, in the present embodiment, the other end portions 51 to 53 of the respective optical waveguides 41 to 43 are separated from each other and are not laid out so as to be merged into one. The other end portions 51 to 53 of the respective optical waveguides 41 to 43 may be laid out so as to merge into one.
  • the laser light emitted from the other end portions 51 to 53 of the optical waveguides 41 to 43 has the same emission point. Therefore, the light emitted from the emitting portion 44 can be regarded as one-point light emission. For this reason, color separation can be suppressed more than the case where each laser beam is combined by a lens, a mirror, or the like.
  • the light emitting device 10 manufactured as described above can be applied to the head-up display 100, for example.
  • the head-up display 100 includes a light emitting device 10, a collimating lens 110, an optical scanning element 120, and a control device (not shown).
  • the collimating lens 110 is disposed to face the emitting portion 44.
  • the collimating lens 110 converts the combined light emitted from the emitting unit 44 into parallel light and emits it to the optical scanning element 120.
  • the optical scanning element 120 includes a MEMS mirror that is driven by a control device.
  • the optical scanning element 120 reflects the combined light that has passed through the collimating lens 110 to draw an image on the screen 130.
  • each light-emitting device 10 can be used as a light source for combined light.
  • each laser beam passes through each optical waveguide 41 to 43 and is guided to the emitting portion 44, the emission point of each laser beam is at the same position. That is, it is not necessary to align the optical axes of the laser beams in active mounting. For this reason, generation
  • the optical axis is not affected by the temperature characteristics of the light emitting units 30 to 32 and the optical axis misalignment due to durability deterioration, high image quality can be supplied to the screen 130 in principle.
  • the influence of the positional deviation on the light source side is reduced, stable combined light can be supplied from the light emitting device 10. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the image quality of the image displayed on the screen 130 by the combined light.
  • the emitting unit 44 emits the combined light above the side surface 22 of the semiconductor substrate 20.
  • the side surface 22 of the semiconductor substrate 20 is a surface on which the optical waveguides 41 to 43 out of the four surfaces are extended.
  • the emitting portion 44 is configured such that the other end portions 51 to 53 of the respective optical waveguides 41 to 43 are joined together and extend to the side surface 22 of the semiconductor substrate 20. As described above, the synthesized light can be emitted from the side surface 22 of the semiconductor substrate 20.
  • the light emitting portion 44 is configured such that the other end portions 51 to 53 of the respective optical waveguides 41 to 43 are extended without joining up to the side surface 22 of the semiconductor substrate 20 as in the first embodiment. Also good.
  • each of the light emitting units 30 to 32 is configured as a light emitting chip separate from the semiconductor substrate 20.
  • the light emitting chip is a so-called laser chip.
  • the light emitting units 30 to 32 are flip-chip mounted on the semiconductor substrate 20.
  • the light emitting units 30 to 32 perform surface light emission that emits laser light from one end surface mounted on the semiconductor substrate 20. As a result, the light emitting units 30 to 32 introduce the laser beams into the optical waveguides 41 to 43, respectively.
  • the semiconductor substrate 20 and the light emitting units 30 to 32 are separate bodies, the light emitting units 30 to 32 need not be formed in the semiconductor substrate 20. That is, the light emitting device 10 can be easily manufactured.
  • the light emitting units 30 to 32 described above are arranged apart from the semiconductor substrate 20. Each light emitting unit 30 to 32 is mounted on a substrate (not shown).
  • the light emitting units 30 to 32 emit side light that emits laser light from one side surface facing the end surfaces of the one end portions 48 to 50 of the optical waveguides 41 to 43, respectively. As a result, the light emitting units 30 to 32 introduce the laser beams into the optical waveguides 41 to 43, respectively.
  • the light emitting units 30 to 32 are preferably closer to the end surfaces of the one end portions 48 to 50 of the respective optical waveguides 41 to 43. As described above, the semiconductor substrate 20 and the light emitting units 30 to 32 may be separated.
  • the light emitting device 10 includes a first lens unit 60.
  • the first lens unit 60 has a lens 61 and a joint 62.
  • the structure of the first thin film 45 and the like is omitted. The same applies to FIG. 8 below.
  • the lens 61 is a part that functions as a collimating lens 110 that is disposed opposite to the emitting part 44 and that converts the combined light into parallel light and passes it.
  • the joint portion 62 is provided on the outer periphery of the lens 61 and is a portion joined to the first thin film 45 of the semiconductor substrate 20, for example.
  • the lens 61 and the joint portion 62 are integrally formed of, for example, a glass material.
  • the collimating lens 110 separate from the light emitting device 10 is provided by including the first lens unit 60. It becomes unnecessary. Therefore, it is possible to further suppress the occurrence of optical axis deviation and beam diameter deviation between the light emitting device 10 and the collimating lens 110.
  • the first lens unit 60 corresponds to the “lens unit”. Further, the lens 61 may be configured to collect or diffuse the combined light according to needs.
  • the light emitting device 10 includes a second lens unit 70.
  • the second lens unit 70 includes a plate glass unit 71, a support unit 72, and a lens 73.
  • the support part 72 is bonded to the first thin film 45 of the semiconductor substrate 20, for example.
  • the support part 72 supports the plate glass part 71.
  • the support part 72 is made of, for example, glass.
  • the support part 72 may be a glass frit.
  • the lens 73 is imprint-molded on the plate glass portion 71.
  • the lens 73 has the same function as the lens 61 described above.
  • the second lens unit 70 can be formed at a lower cost than the irregularly shaped first lens unit 60.
  • the second lens unit 70 corresponds to a “lens unit”.
  • the configuration of the light-emitting device 10 described in each of the above embodiments is an example, and the present disclosure is not limited to the configuration described above, and other configurations that can realize the present disclosure may be employed.
  • the composition of light is not limited to three colors, and may be two colors or four or more colors.
  • each of the light emitting units 30 to 32 may be configured as an LED element that emits LED light.
  • the configuration including the first lens unit 60 and the second lens unit 70 it is possible to convert LED light having a wide diffusion into light having high directivity and supply the light from the light emitting device 10.

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Abstract

発光装置は、一面（２１）を有する半導体基板（２０）と、互いに異なる色の光を発する複数の発光部（３０～３２）と、前記半導体基板の一面に前記複数の発光部に対応して設けられた複数の光導波路（４１～４３）を有し、前記複数の光導波路の一端部（４８～５０）側から前記光を導入する光導波路部（４０）と、を備える。前記光導波路部は、前記複数の光導波路の他端部（５１～５３）側に導かれる前記光を合成して合成光を出射する出射部（４４）を有している。上記の発光装置によると、各発光部の光軸を合わせる必要がないので、光軸ズレやビーム径ズレの発生を抑制することができる。したがって、スクリーン（１３０）に表示される画像の画質の低下を抑制することができる。

Description

発光装置 関連出願の相互参照
　本出願は、２０１５年９月２４日に出願された日本特許出願番号２０１５－１８６４２６号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
　本開示は、光を発する発光装置に関するものである。
　従来より、複数の発光素子及び複数のコリメートレンズを備えたディスプレイ装置が、例えば特許文献１で提案されている。各発光素子は、赤、緑、青の光をそれぞれ発する。各コリメートレンズは、光のビーム径を調整すると共に、光を平行光に変換する。また、ディスプレイ装置は、各コリメートレンズから出射された光を合成してスクリーンに照射するためのレンズ及びミラーを備えている。
　しかしながら、上記従来の技術では、各発光素子からスクリーンまでの光軸を合わせるために、各発光素子から光が照射された状態でコリメートレンズ等の部品をアクティブ実装しなければならない。また、ディスプレイ装置がＲＧＢの３色の光を合成するように構成されているので、１色の光をスクリーンに照射する構成よりも各光の光路長が長くなる。このため、光軸合わせが難しくなる。
　さらに、アクティブ実装が行われた初期状態では各光の光軸が合っていても、コリメートレンズ等の構成部品の温度特性や固定材等の経時劣化により光軸ズレやビーム径ズレが発生してしまう。このため、スクリーンに表示される画像の画質が低下してしまうという問題が生じている。
特開２０１４－１９４５００号公報
　本開示は、画質の低下を抑制することができる発光装置を提供することを目的とする。
　本開示の態様において、発光装置は、一面を有する半導体基板と、互いに異なる色の光を発する複数の発光部と、前記半導体基板の一面に前記複数の発光部に対応して設けられた複数の光導波路を有し、前記複数の光導波路の一端部側から前記光を導入する光導波路部と、を備える。前記光導波路部は、前記複数の光導波路の他端部側に導かれる前記光を合成して合成光を出射する出射部を有している。
　上記の発光装置によると、複数の光は各光導波路を通過して出射部に導かれるので、複数の光の発光点が同じ位置になる。すなわち、各発光部の光軸を合わせる必要がないので、光軸ズレやビーム径ズレの発生を抑制することができる。したがって、スクリーンに表示される画像の画質の低下を抑制することができる。
　本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。その図面は、
図１は、本開示の第１実施形態に係る発光装置の斜視図であり、 図２は、図１のII－II断面図であり、 図３は、図１に示された発光装置が適用されたヘッドアップディスプレイの構成を示した図であり、 図４は、本開示の第２実施形態に係る発光装置の斜視図であり、 図５は、本開示の第３実施形態に係る発光装置の斜視図であり、 図６は、本開示の第４実施形態に係る発光装置の斜視図であり、 図７は、本開示の第５実施形態に係る発光装置の断面図であり、 図８は、本開示の第６実施形態に係る発光装置の断面図である。
　（第１実施形態）
　以下、本開示の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る発光装置は、例えばヘッドアップディスプレイ、プロジェクタ、ピコプロジェクタ、及びレーザレーダのいずれかにおいて、レーザ光を発する光源として適用されるものである。図１に示されるように、発光装置１０は、半導体基板２０、第１～第３発光部３０～３２、及び光導波路部４０を備えて構成されている。
　図１及び図２に示されるように、半導体基板２０は、一面２１及び側面２２を有するＳｉ基板である。なお、半導体基板２０は、ＧａＮ、サファイア、ＧａＡｓ、ＧａＰ等の基板を元に構成されていても良い。また、半導体基板２０は、図示しない配線パターン等の電気的要素も備えている。
　各発光部３０～３２は、互いに異なる色のレーザ光を発する発光素子として構成されている。第１発光部３０は赤色のレーザ光を照射し、第２発光部３１は緑色のレーザ光を照射し、第３発光部３２は青色のレーザ光を照射する。各発光部３０～３２は、半導体プロセスによって半導体基板２０に形成されている。また、各発光部３０～３２は、制御装置の発光指令に従ってそれぞれ発光する。
　光導波路部４０は、各発光部３０～３２のレーザ光を導入し、各レーザ光を合成して合成光を出射するものである。図１に示されるように、光導波路部４０は、第１～第３光導波路４１～４３及び出射部４４を有している。
　各光導波路４１～４３は、各発光部３０～３２に対応して設けられている。図２に示されるように、各光導波路４１～４３は半導体基板２０の一面２１に形成されている。具体的には、各光導波路４１～４３は、第１薄膜４５、第２薄膜４６、及び第３薄膜４７によって構成されている。第１薄膜４５は半導体基板２０の一面２１に形成されている。
　第２薄膜４６は、第１薄膜４５の上に３本のライン状にレイアウトされている。第３薄膜４７は第２薄膜４６を覆うように第１薄膜４５の上に形成されている。第１薄膜４５及び第３薄膜４７は、例えばＳｉＯ２膜である。第２薄膜４６は、例えば、ＳｉＯ２膜よりも屈折率が高いＳｉＮ膜である。
　このような構成により、第２薄膜４６がコアとして機能する。また、第１薄膜４５及び第３薄膜４７がクラッドとして機能する。したがって、第１薄膜４５及び第３薄膜４７に囲まれた１本の第２薄膜４６が１本の光導波路として機能する。
　そして、図１に示されるように、各光導波路４１～４３の一端部４８～５０は、それぞれ各発光部３０～３２に接続されている。これにより、各光導波路４１～４３は一端部４８～５０側からレーザ光をそれぞれ導入する。
　出射部４４は、各光導波路４１～４３の他端部５１～５３側に導かれるレーザ光を合成して合成光を出射する部分である。したがって、出射部４４は、半導体基板２０の一面２１の上方に合成光を出射する。
　各光導波路４１～４３の他端部５１～５３は、半導体基板２０の一面２１の範囲内で一カ所に近接するようにレイアウトされている。すなわち、本実施形態では、各光導波路４１～４３の他端部５１～５３は互いに離間しており、１本に合流するようにレイアウトされていない。なお、各光導波路４１～４３の他端部５１～５３は１本に合流するようにレイアウトされていても良い。
　また、各光導波路４１～４３の他端部５１～５３から出射された各レーザ光は、発光点が同じ位置になる。したがって、出射部４４の発光は１点発光とみなすことができる。このため、各レーザ光がレンズやミラー等で合成される場合よりも色分離を抑制することができる。
　上記のように製造された発光装置１０を、例えばヘッドアップディスプレイ１００に適用することができる。図３に示されるように、ヘッドアップディスプレイ１００は、発光装置１０、コリメートレンズ１１０、光走査素子１２０、及び図示しない制御装置を備えている。
　コリメートレンズ１１０は、出射部４４に対向配置されている。コリメートレンズ１１０は出射部４４から照射された合成光を平行光に変換して光走査素子１２０に出射する。
　光走査素子１２０は、制御装置によって駆動されるＭＥＭＳミラーが配置されて構成されている。光走査素子１２０は、コリメートレンズ１１０を通過した合成光を反射させてスクリーン１３０に画像を描画する。このように、各発光装置１０を合成光の光源として用いることができる。
　以上説明したように、各レーザ光は各光導波路４１～４３を通過して出射部４４に導かれるので、各レーザ光の発光点が同じ位置になる。すなわち、アクティブ実装において各レーザ光の光軸合わせが不要になる。このため、各レーザ光の光軸ズレやビーム径ズレの発生が抑制される。また、各レーザ光がレンズやミラー等で合成される構成よりも出射部４４とコリメートレンズ１１０との距離が短くなるので、高画質に必要な細いビーム径のレーザ光を実現させることができる。
　そして、各発光部３０～３２の温度特性や耐久劣化による光軸の微小ズレが影響しないので、原理的にも高画質をスクリーン１３０に長期間供給することができる。また、光源側の位置ズレの影響度が小さくなるので、発光装置１０から安定した合成光を供給することができる。したがって、合成光によってスクリーン１３０に表示される画像の画質の低下を抑制することができる。
　（第２実施形態）
　本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図４に示されるように、出射部４４は、半導体基板２０の側面２２の上方に合成光を出射する。半導体基板２０の側面２２は、４面のうちの光導波路４１～４３が引き延ばされた面である。
　そして、出射部４４は、各光導波路４１～４３の他端部５１～５３が１本に合流していると共に、半導体基板２０の側面２２まで延設されて構成されている。このように、半導体基板２０の側面２２から合成光を出射することもできる。
　なお、出射部４４は、各光導波路４１～４３の他端部５１～５３は、第１実施形態と同様に、半導体基板２０の側面２２まで合流せずに引き延ばされて構成されていても良い。
　（第３実施形態）
　本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図５に示されるように、上述の各発光部３０～３２は、半導体基板２０とは別体の発光チップとして構成されている。発光チップは、いわゆるレーザチップである。そして、各発光部３０～３２は、半導体基板２０にフリップチップ実装されている。
　各発光部３０～３２は、半導体基板２０に実装される一端面からレーザ光を発する面発光を行う。これにより、各発光部３０～３２は各レーザ光を各光導波路４１～４３に導入する。
　以上のように、半導体基板２０と各発光部３０～３２とが別体になっているので、半導体基板２０に各発光部３０～３２を作り込まなくても良い。つまり、発光装置１０を製造しやすくすることができる。
　（第４実施形態）
　本実施形態では、第１～第３実施形態と異なる部分について説明する。図６に示されるように、上述の各発光部３０～３２は、半導体基板２０から離間して配置されている。なお、各発光部３０～３２は図示しない基板等に実装されている。
　各発光部３０～３２は、各光導波路４１～４３の一端部４８～５０の端面に対向する一側面からレーザ光を発する側面発光を行う。これにより、各発光部３０～３２は各レーザ光を各光導波路４１～４３に導入する。各発光部３０～３２は、各光導波路４１～４３の一端部４８～５０の端面に近いほど良い。以上のように半導体基板２０と各発光部３０～３２とが分離された構成でも良い。
　（第５実施形態）
　本実施形態では、第１、第３、第４実施形態と異なる部分について説明する。図７に示されるように、発光装置１０は、第１レンズ部６０を備えている。第１レンズ部６０は、レンズ６１及び接合部６２を有している。なお、図７では、第１薄膜４５等の構造を省略している。以下の図８も同様である。
　レンズ６１は、出射部４４に対向配置されていると共に、合成光を平行光に変換して通過させるコリメートレンズ１１０として機能する部分である。接合部６２は、レンズ６１の外周に設けられていると共に、例えば半導体基板２０の第１薄膜４５に接合された部分である。レンズ６１及び接合部６２は例えばガラス材料によって一体的に形成されている。
　以上のように、半導体基板２０の一面２１の上方に合成光を出射するように構成された発光装置１０において、第１レンズ部６０を備えることで発光装置１０とは別体のコリメートレンズ１１０が不要になる。したがって、発光装置１０とコリメートレンズ１１０との光軸ズレやビーム径ズレの発生をさらに抑制することができる。
　なお、第１レンズ部６０が「レンズ部」に対応する。また、レンズ６１は、ニーズに応じて合成光を集光したり拡散したりするように構成されていても良い。
　（第６実施形態）
　本実施形態では、第５実施形態と異なる部分について説明する。図８に示されるように、発光装置１０は、第２レンズ部７０を備えている。第２レンズ部７０は、板ガラス部７１、支持部７２、及びレンズ７３を有している。
　支持部７２は、例えば半導体基板２０の第１薄膜４５に接合されている。また、支持部７２は、板ガラス部７１を支持している。支持部７２は、例えばガラスによって形成されている。支持部７２はガラスフリットでも良い。レンズ７３は、板ガラス部７１にインプリント成形されている。レンズ７３は、上述のレンズ６１と同じ機能を有する。
　以上の構成により、異形の第１レンズ部６０よりも第２レンズ部７０を安価に形成することができる。なお、第２レンズ部７０が「レンズ部」に対応する。
　（他の実施形態）
　上記各実施形態で示された発光装置１０の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本開示を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、光の合成は３色に限られず、２色や４色以上でも良い。
　また、各発光部３０～３２はＬＥＤ光を発するＬＥＤ素子として構成されていても良い。特に、第１レンズ部６０や第２レンズ部７０を備えた構成においては、拡散が広いＬＥＤ光を指向性が高い光に変換して発光装置１０から供給することが可能となる。
　本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

Claims (9)

  1. 　一面（２１）を有する半導体基板（２０）と、
    　互いに異なる色の光を発する複数の発光部（３０～３２）と、
    　前記半導体基板の一面に前記複数の発光部に対応して設けられた複数の光導波路（４１～４３）を有し、前記複数の光導波路の一端部（４８～５０）側から前記光を導入する光導波路部（４０）と、
    　を備え、
    　前記光導波路部は、前記複数の光導波路の他端部（５１～５３）側に導かれる前記光を合成して合成光を出射する出射部（４４）を有している発光装置。
  2. 　前記半導体基板は、Ｓｉ基板である請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記複数の発光部は、発光チップとして構成されていると共に、前記半導体基板に実装されている請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 　前記複数の発光部は、発光チップとして構成されていると共に、前記半導体基板から離間して配置されている請求項１または２に記載の発光装置。
  5. 　前記出射部は、前記半導体基板の一面の上方に前記合成光を出射する請求項１ないし４のいずれか１つに記載の発光装置。
  6. 　前記出射部に対向配置されていると共に前記合成光を通過させるレンズ（６１）と、前記レンズの外周に設けられていると共に前記半導体基板に接合された接合部（６２）と、を有するレンズ部（６０）を備えている請求項５に記載の発光装置。
  7. 　板ガラス部（７１）と、前記板ガラス部を支持すると共に前記半導体基板に接合された支持部（７２）と、前記板ガラスにインプリント成形されていると共に前記合成光を通過させるレンズ（７３）と、を有するレンズ部（７０）を備えている請求項５に記載の発光装置。
  8. 　前記半導体基板は、前記一面に接する側面（２２）を有し、
    　前記出射部は、前記半導体基板の側面に前記合成光を出射する請求項１ないし４のいずれか１つに記載の発光装置。
  9. 　ヘッドアップディスプレイ、プロジェクタ、ピコプロジェクタ、及びレーザレーダのいずれかに適用される請求項１ないし８のいずれか１つに記載の発光装置。
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