WO2017025554A1 - Verfahren und vorrichtung zur abscheidung dünner schichten - Google Patents

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Jochen Rentsch
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

Definitions

  • the invention relates to a method for depositing thin layers, which contain or consist of TCO, on at least one substrate, wherein at least one starting material present in a vessel is vaporized in a vacuum chamber and deposited on the substrate.
  • Such methods can be used, for example, for coating photovoltaic cells or OLED displays.
  • the invention relates to a device for
  • the object of the invention is thus to specify a method for depositing thin layers which contain or consist of TCO and which can provide improved layer quality.
  • the object is achieved by a method according to claim 1.
  • it is proposed to deposit a layer of TCO by means of ion plating.
  • the starting material or the precursor for depositing the layer is introduced as a solid in a vacuum chamber.
  • the precursor may be located in a vessel which is designed to be open at least on one side and which consists of a
  • the vessel can be heated in a conventional manner, for example by resistance heating, by
  • Electron impact heating by induction heating and / or by the action of an infrared radiation source.
  • the supply of thermal energy leads to evaporation of the precursor.
  • the substrate provided for the deposition is arranged, so that the vapor rising from the vessel is deposited on the substrate. This leads to condensation of the gaseous precursor, forming the desired thin layer.
  • Plasmazone which contains or consists of an inert gas.
  • the particles rising from the vessel are partially ionized, whereby positive and / or negative ions can form.
  • These electrically charged particles can impinge at least partially with higher energy on the substrate, whereby the growing layer is modified.
  • weakly adhering impurities can be desorbed by the charged particle stream, so that the layer grows up with greater purity.
  • Desolate molecules that are located on lattice defects so that the growing thin layer due to the particle bombardment has an improved morphology or crystal structure. This can lead to improved optical and / or electronic properties.
  • the precursors ie the constituents of the thin layer
  • the vessel thus substantially contains the identical material, which later appears as a thin layer on the substrate. This avoids the use of reactive gases, which can contaminate both the substrate and the precursors in the vessel, so that a
  • Layer with degraded properties is generated or the layer growth comes to a complete halt.
  • the precursors evaporated from the vessel are only transferred to low charge states in the plasma.
  • the degree of ionization in the plasma is lower than in known sputtering or CVD processes, so that less charged particles strike the surface of the substrate. Damage to the substrate is thereby avoided.
  • the method according to the invention has the advantage that during the thermal evaporation of the precursors in the vessel no high-energy X-ray radiation is produced, which would lead to the desorption of adhering adsorbates from the substrate by electronic excitation. As a result, the layer quality of the deposited on the substrate TCO material can be improved.
  • the substrate used in the invention may be, for example, a photovoltaic cell or contain such.
  • the method can be used for full-surface deposition of the thin layer on the substrate.
  • only a partial area of the substrate may be coated.
  • the substrate may be or include an OLED.
  • the inventive method can be used for full-surface deposition of the thin layer on the substrate.
  • only a partial area of the substrate may be coated.
  • the substrate may be or include an OLED.
  • Layer of a TCO material are always used advantageously there, where the substrate, an electric current to be supplied or an electric current to be removed from the substrate. Due to the transparency of the Layer material remains a light access or a light exit from the substrate still possible.
  • the plasma in the plasma zone may contain or include an inert gas
  • the plasma in the plasma zone may contain or consist of argon.
  • This noble gas is chemically inert and readily available, which is the implementation of the method according to the invention
  • inert gas argon and / or xenon may be used in some embodiments of the invention.
  • the plasma in the plasma zone may be an inductively coupled plasma.
  • High-frequency field which surrounds the plasma zone in an approximately annular.
  • the high frequency field of the coil may have a frequency between about 20 MHz and about 50 MHz
  • the plasma in the plasma zone may be a microwave plasma.
  • the plasma in the plasma zone may be an ECR plasma.
  • the plasma zone is within the influence of a magnet.
  • a microwave radiation is radiated into the plasma zone by means of a waveguide, for example in the frequency range between about 2 GHz and about 10 GHz.
  • the ECR plasma selectively heats the electron gas, leaving the ion stumps comparatively cold.
  • a bias may be applied to the substrate.
  • the bias voltage may be a DC voltage in some embodiments of the invention.
  • Charge state of the impinging particles are controlled. As a result, the properties of the growing layers can be adjusted within wide limits.
  • the plasma zone of at least one sacrificial element may be at least partially confined.
  • the sacrificial element prevents electrodes or coils of the plasma generating device from being coated with the TCO material from the vessel. Since this is electrically conductive, such a parasitic
  • the sacrificial elements provided according to the invention may in some embodiments of the invention be designed such that they only cover comparatively small areas in each case, so that no eddy currents develop in the sacrificial elements.
  • the sacrificial elements can be easily replaced if they are too contaminated by parasitic coatings. Since the sacrificial elements are easier and cheaper to exchange than the active components of the plasma generating device, downtime and coating costs can be minimized.
  • the sacrificial element may include or consist of a dielectric.
  • Plasmas would come to kill.
  • a plurality of sacrificial elements may be arranged one behind the other, so that the parasitic coating of components of the plasma generating device is prevented with greater certainty.
  • at least one first sacrificial element and at least one second sacrificial element may be present.
  • the TCO material may include oxygen and at least one metal.
  • the metal may be selected from indium and / or tin and / or zinc and / or aluminum and / or cadmium and / or copper and / or gallium.
  • the TCO material since TCO material may contain two different metals and oxygen.
  • the TCO material can be provided with a dopant in order to achieve predefinable values for the electrical conductivity and / or predefinable optical properties.
  • the dopant may be in the vessel along with the TCO material so that all of the constituents of the doped TCO layer evaporate out of the vessel and toward the
  • Substrate are emitted.
  • Dopant may be selected from phosphorus, antimony, arsenic, Boron, gallium, aluminum and / or indium. In some embodiments of the invention, the dopant may include
  • Element of the III. or V. main group or consist thereof Element of the III. or V. main group or consist thereof.
  • elements of the V. main group for example phosphorus, antimony or arsenic, can bring about an n conductivity of the TCO material.
  • Elements of the III. Main group for example boron, gallium, aluminum or indium, can cause a p-conductivity of the TCO material.
  • FIG. 1 shows the cross section through a photovoltaic cell.
  • Figure 2 shows the cross section through a device with which the inventive method can be performed.
  • FIG. 3 shows by way of example a plasma generation device in longitudinal section.
  • FIG. 4 shows the plasma generating device according to FIG. 3 in cross section.
  • FIG. 1 shows a substrate 1, which may be part of a photovoltaic cell.
  • n- and p-type regions are generated in a manner known per se, for example by ion implantation or by diffusion, so that a pn junction is formed.
  • Incoming electromagnetic radiation can be absorbed in the substrate 1, forming electron-hole pairs. These can via at least one front side contact 11 and at least one rear side contact 12 as electrical
  • the photovoltaic cell shown by way of example in FIG. 1 is provided with a layer 10 which contains or consists of at least one TCO.
  • the layer 10 is thus on the one hand optically transparent in order to allow the penetration of light into the substrate 1.
  • Layer 10 also electrically conductive, so that the current from the substrate 1 to the front side contact 11 can be passed.
  • the rear side contact 12 can be made over the entire surface and contain a metal or an alloy.
  • an intermediate layer may also be present between the substrate 1 and the rear-side contact 12.
  • the intermediate layer may also contain or consist of a TCO material.
  • FIG. 2 shows a device for carrying out the
  • the device 2 includes a vacuum chamber 20 which can be evacuated with a plurality of cascaded vacuum pumps 21 and 22.
  • a high vacuum may be created in the vacuum chamber 20.
  • the residual gas pressure may be 8 mbar in the vacuum chamber 20 is less than 1 x 10 "6 mbar or less than 1-10- 7 mbar or less than 5 x 10 ⁇ .
  • a substrate holder 25 which is adapted to receive at least one substrate 1.
  • a plurality of substrate holders 25 may also be present, or the substrate holder 25 may be configured to receive a plurality of substrates 1.
  • the substrate 1 can be, for example, the photovoltaic cell shown in FIG. 1 or an OLED which is to be provided with a transparent, electrically conductive contact.
  • a coil 3 inside the vacuum chamber 20.
  • the coil 3 may be connected to an AC voltage source V RF .
  • the AC voltage source in some embodiments of the invention, may provide an AC current having a frequency between about 20 MHz and about 60 MHz.
  • an alternating magnetic field is generated in the coil, which inductively couples to the gas volume inside the coil.
  • an inert gas such as argon, may be added to operate the device in the space bounded by the coil 3. This forms during operation of the power source V RF, a plasma which fills the plasma zone 35. If the layer 10 is to contain a dopant, in some embodiments of the invention it may also be contained in the plasma and react there with the surface of the growing layer 35.
  • a vessel 4 which contains the material of the deposited layer 10 in stoichiometric ratio. If the layer 10, for example, indium tin oxide with the empirical formula
  • the vessel 4 is heated with a heater, not shown in Figure 2.
  • the heating device may comprise, for example, an electron impact heater located below the vessel 4 or a resistance heater or an induction heater.
  • an intensive heater located below the vessel 4 or a resistance heater or an induction heater.
  • an intensive heater located below the vessel 4 or a resistance heater or an induction heater.
  • Infrared radiation source such as a C0 2 laser, are used for thermal evaporation of the precursor 40.
  • the evaporating precursor 40 forms a mist or a cloud of particles 45, which in the direction of the substrate. 1
  • the particles pass through the plasma zone 35, so that they are at least partially reloaded.
  • V DC bias voltage
  • Substrate 1 the desired layer 10 deposited by ion plating.
  • the power source V RF is switched off, so that the plasma in the
  • Plasma zone 35 goes out. Finally, the substrate 1 either via a lock or by venting the
  • Vacuum chamber 20 are removed.
  • the TCO layer can also be deposited as a parasitic layer on the coil, this conductive coating on the coil 3 can lead to the formation of eddy currents on the surface of the coil, so that either no more plasma can be generated or at least the Energy use to maintain the plasma increases.
  • Precursor 45 comes out of the vessel 4 into contact, there is a first sacrificial element 31 inside the coil 3.
  • Sacrificial element 31 may contain or consist of a dielectric.
  • the sacrificial element 31 a may contain or consist of a dielectric.
  • the sacrificial element 31 a may contain or consist of a dielectric.
  • the sacrificial element 31 may e.g. Contain or consist of polyimide, polytetrafluoroethylene or alumina.
  • the first sacrificial element 31 is tubular in shape with a round cross section and arranged approximately concentrically with the coil 3.
  • At least one second sacrificial element 32 is arranged concentrically to the coil 3 arranged first sacrificial element 32.
  • 6 second sacrificial elements 32 are present, which are each separated by a gap 33 from each other.
  • the number of second sacrificial elements 32 may be larger or smaller and, for example, between about 3 and about 20.
  • the smaller sacrificial elements 32 prevent the formation of a large-area TCO coating in which, during operation of the alternating magnetic field, eddy currents form, which shield the field 3 generated by the coil.
  • the second sacrificial elements 32 are designed as comparatively narrow, but long strips, so that no circularly running eddy currents can form in them, which counteract the magnetic field of the coil 3.
  • the gaps 33 between the second sacrificial elements 32 are chosen so that the diffusion of the gaseous precursor the back of the second sacrificial elements 32 and thus strongly suppressed in the direction of the first sacrificial element 31. Thus, even on the first sacrificial element 31 no full-surface, conductive coating is formed.
  • the operating time of the device can be increased, so that a plurality of substrates.
  • the layer 10 may contain, for example, the following TCO materials:
  • Sn0 2 with the optional dopants Sb, F, As, Nb and / or Ta
  • ZnO with the optional dopants Al, Ga, B, In, Y, Sc, F, V, S, Ge, Ti, Zr and / or Hf
  • ZnO-SnO 2 as compounds: Zn 2 SnO 4 and / or ZnSnO 3
  • ZnO-In 2 0 3 as compounds: Zn 2 In 2 0 5 and / or Zn 3 In 2 0 6
  • CdO-SnO 2 as compounds: Cd 2 SnO 4 and / or CdSnO 3
  • CuO 2 with the optional dopants Al, Sc, Y, In, Ga, Cr and / or Mg

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten (10), welche TCO enthalten oder daraus bestehen, auf zumindest einem Substrat (1), wobei zumindest ein sich in einem Gefäß (4) befindliches Ausgangsmaterial (40) in einer Vakuumkammer (20) verdampft wird, wobei in dem Gefäß die Bestandteile der Schicht (10) in stöchiometrischem Verhältnis vorliegen und die vom Gefäß (4) aufsteigenden Partikel (45) vor dem Abscheiden auf dem Substrat (1) eine Plasmazone (35) durchdringen.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten, welche TCO enthalten oder daraus bestehen, auf zumindest einem Substrat, wobei zumindest ein sich in einem Gefäß befindliches Ausgangsmaterial in einer Vakuumkammer verdampft und auf dem Substrat niedergeschlagen wird. Solche Verfahren können beispielsweise zur Beschichtung von photo- voltaischen Zellen oder OLED-Displays verwendet werden.
Weiterhin betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur
Durchführung des Verfahrens .
Aus K. Ellmer und T. Welzel: Reactive magnetron sputtering of transparent conductive oxide thin film: rule of energetic particle bombardment, J. Mater. Res., Vol. 27, No. 5, 14. Mai 2012 ist bekannt, dünne Schichten, welche TCO enthalten oder daraus bestehen, durch CVD-Verfahren aus einem Plasma abzuscheiden. Diese Verfahren haben jedoch den Nachteil, dass bei der Abscheidung der Schicht Röntgenstrahlung und/oder hochenergetische Ionen auf das Substrat treffen, welche das Substrat oder die aufwachsende Schicht schädigen. Dies kann nachteilige Auswirkungen auf die optischen
und/oder elektronischen Eigenschaften der Schicht haben.
Ausgehend vom Stand der Technik liegt der Erfindung somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten anzugeben, welche TCO enthalten oder daraus bestehen und welches eine verbesserte Schichtqualität bereitstellen kann.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst . Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, eine Schicht aus TCO mittels Ionenplattieren abzuscheiden. Hierzu wird das Ausgangsmaterial bzw. der Precursor zur Abscheidung der Schicht als Feststoff in eine Vakuumkammer eingebracht. Der Precursor kann sich in einem Gefäß befinden, welches zumindest einseitig offen ausgeführt ist und welches aus einem
wärmebeständigen Material besteht, beispielsweise einer Keramik. Das Gefäß kann in an sich bekannter Weise beheizt werden, beispielsweise durch Widerstandsheizung, durch
Elektronenstoßheizung, durch eine Induktionsheizung und/oder durch Einwirken einer Infrarotstrahlungsquelle. Die Zufuhr thermischer Energie führt zum Verdampfen des Precursors .
Auf der Sichtlinie der Öffnung des Gefäßes ist das für die Abscheidung vorgesehene Substrat angeordnet, sodass der aus dem Gefäß aufsteigende Dampf auf dem Substrat niedergeschlagen wird. Dies führt zum Kondensieren des gasförmigen Precursors, wobei sich die gewünschte dünne Schicht bildet.
Zwischen dem Gefäß und dem Substrat befindet sich eine
Plasmazone, welche ein Inertgas enthält oder daraus besteht. Beim Durchdringen dieser Plasmazone werden die vom Gefäß aufsteigenden Partikel teilweise ionisiert, wodurch sich positive und/oder negative Ionen bilden können. Diese elektrisch geladenen Partikel können zumindest teilweise mit höherer Energie auf das Substrat auftreffen, wodurch die aufwachsende Schicht modifiziert wird. Beispielweise können schwach anhaftende Verunreinigungen durch den geladenen Partikelstrom desorbiert werden, sodass die Schicht mit größerer Reinheit aufwächst. Ebenso können Atome bzw.
Moleküle, welche sich auf Gitterfehlstellen befinden, desorbiert werden, sodass die aufwachsende dünne Schicht aufgrund des Teilchenbeschusses eine verbesserte Morphologie oder Kristallstruktur aufweist. Dies kann zu verbesserten optischen und/oder elektronischen Eigenschaften führen. Erfindungsgemäß wird nun vorgeschlagen, die Precursoren, d.h. die Bestandteile der dünnen Schicht, in stöchio- metrischem Verhältnis in das Gefäß einzubringen. Zu Beginn des Verfahrens enthält das Gefäß somit im Wesentlichen das identische Material, welches sich später als dünne Schicht auf dem Substrat wiederfindet. Dies vermeidet die Verwendung von Reaktivgasen, welche sowohl das Substrat als auch die Precursoren im Gefäß kontaminieren können, sodass eine
Schicht mit verschlechterten Eigenschaften erzeugt wird oder das Schichtwachstum vollständig zum Erliegen kommt.
Weiterhin werden die aus dem Gefäß verdampften Precursoren im Plasma nur in niedrige Ladungszustände umgeladen. Darüber hinaus ist der Ionisierungsgrad im Plasma geringer als bei bekannten Sputterverfahren oder CVD-Verfahren, sodass weniger geladene Teilchen auf die Oberfläche des Substrats auftreffen. Eine Schädigung des Substrats wird dadurch vermieden. Schließlich weist das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil auf, dass bei der thermischen Verdampfung der Precursoren im Gefäß keine hochenergetische Röntgenstrahlung entsteht, welche durch elektronische Anregung zur Desorption anhaftender Adsorbate vom Substrat führen würde. Hierdurch kann die Schichtqualität des auf dem Substrat abgeschiedenen TCO-Materials verbessert werden.
Das erfindungsgemäß verwendete Substrat kann beispielsweise eine photovoltaische Zelle sein oder eine solche enthalten. Das Verfahren kann zur vollflächigen Abscheidung der dünnen Schicht auf dem Substrat eingesetzt werden. In anderen Ausführungsformen der Erfindung kann lediglich eine Teilfläche des Substrats beschichtet werden. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Substrat eine OLED sein oder solche enthalten. Allgemein kann die erfindungsgemäße
Schicht aus einem TCO-Material stets dort vorteilhaft eingesetzt werden, wo dem Substrat ein elektrischer Strom zugeführt werden soll oder ein elektrischer Strom aus dem Substrat abgeführt werden soll. Aufgrund der Transparenz des Schichtmaterials bleibt ein Lichtzutritt bzw. ein Lichtaustritt aus dem Substrat weiterhin möglich.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Plasma in der Plasmazone ein Inertgas enthalten oder daraus
bestehen. Dieses reagiert nicht mit dem Precursor im Gefäß und nicht mit der auf dem Substrat entstehenden dünnen
Schicht, sodass die Prozesskontrolle vereinfacht sein kann. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Plasma in der Plasmazone Argon enthalten oder daraus bestehen.
Dieses Edelgas ist chemisch inert und leicht verfügbar, was die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
erleichtert. Als Inertgas kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung Argon und/oder Xenon verwendet werden.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Plasma in der Plasmazone ein induktiv gekoppeltes Plasma sein.
Dieses entsteht durch ein an einer Spule anliegendes
Hochfrequenzfeld, welches die Plasmazone in etwa ringförmig umgibt. Das Hochfrequenzfeld der Spule kann beispielweise eine Frequenz zwischen etwa 20 MHz und etwa 50 MHz
aufweisen .
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Plasma in der Plasmazone ein Mikrowellenplasma sein. Dieses
entsteht, wenn eine Spannung von etwa 2 GHz bis etwa 10 GHz an eine Elektrode in der Vakuumkammer angelegt wird.
In wiederum einer anderen Ausführungsform kann das Plasma in der Plasmazone ein ECR-Plasma sein. Hierzu liegt die Plasmazone im Einflussbereich eines Magneten. Sodann wird in die Plasmazone mittels eines Wellenleiters eine Mikrowellenstrahlung eingestrahlt, beispielsweise im Frequenzbereich zwischen etwa 2 GHz und etwa etwa 10 GHz. Das ECR-Plasma heizt selektiv das Elektronengas, sodass die Ionenrümpfe vergleichsweise kalt bleiben. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Substrat mit einer Vorspannung beaufschlagt werden. Die Vorspannung kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung eine Gleichspannung sein. Hierdurch werden Ionen eines vorgebbaren Ladungszustands auf das Substrat beschleunigt. Ionen des jeweils anderen Ladungszustands werden vom Substrat ferngehalten. Durch Einstellen der Vorspannung zwischen etwa 2 V und etwa 100 V kann die kinetische Energie und der
Ladungszustand der auftreffenden Partikel kontrolliert werden. Hierdurch können die Eigenschaften der aufwachsenden Schichten in weiten Grenzen eingestellt werden.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann die Plasmazone von zumindest einem Opferelement zumindest teilweise begrenzt sein. Das Opferelement verhindert, dass Elektroden oder Spulen der Plasmaerzeugungseinrichtung mit dem TCO- Material aus dem Gefäß beschichtet werden. Da dieses elektrisch leitfähig ist, könnte eine solche parasitäre
Beschichtung auf den Komponenten der Plasmaerzeugungseinrichtung deren Effizienz vermindern oder den Betrieb unmöglich machen. Die erfindungsgemäß vorgesehenen Opferelemente können in einigen Ausführungsformen der Erfindung so ausgestalten sein, dass diese nur jeweils vergleichsweise kleine Flächen bedecken, sodass sich keine Wirbelströme in den Opferelementen ausbilden. Alternativ oder zusätzlich können die Opferelemente leicht ausgetauscht werden, wenn diese durch parasitäre Beschichtungen zu stark verunreinigt sind. Da die Opferelemente einfacher und kostengünstiger auszutauschen sind als die aktiven Komponenten der Plasmaerzeugungseinrichtung, können die Stillstandszeiten und die Beschichtungskosten minimiert sein.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Opferelement ein Dielektrikum enthalten oder daraus bestehen. Dies führt dazu, dass sich in dem Opferelement keine Wirbelströme ausbilden, welche elektrische oder magnetische Felder von der Plasmazone abschirmen, sodass der Betrieb des
Plasmas zum Erlegen kommen würde.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung können mehrere Opferelemente hintereinander angeordnet sein, sodass die parasitäre Beschichtung von Komponenten der Plasmaerzeugungseinrichtung mit größerer Sicherheit verhindert wird. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann zumindest ein ersten Opferelement und zumindest ein zweites Opferelement vorhanden sein.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das TCO- Material Sauerstoff und zumindest ein Metall enthalten. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das Metall ausgewählt sein aus Indium und/oder Zinn und/oder Zink und/oder Aluminium und/oder Kadmium und/oder Kupfer und/ode Gallium. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann da TCO-Material zwei verschiedene Metalle und Sauerstoff enthalten. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann das TCO-Material mit einem Dotierstoff versehen sein, um vorgebbare Werte für die elektrische Leitfähigkeit und/oder vorgebbare optische Eigenschaften zu erzielen.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann ein
Dotierstoff gasförmig oder als Dampf in die Plasmazone eingebracht werden und zusammen mit dem aus dem Gefäß verdampften TCO-Material auf dem Substrat niedergeschlagen werden, um dort eine dotierte TCO-Schicht zu erzeugen.
In anderen Ausführungsformen der Erfindung kann sich der Dotierstoff zusammen mit dem TCO-Material in dem Gefäß befinden, sodass aus dem Gefäß sämtliche Konstituenten der dotierten TCO-Schicht verdampfen und in Richtung des
Substrats emittiert werden.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann der
Dotierstoff ausgewählt sein aus Phosphor, Antimon, Arsen, Bor, Gallium, Aluminium und/oder Indium. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann der Dotierstoff ein
Element der III. oder V. Hauptgruppe enthalten oder daraus bestehen. Hierbei können Elemente der V. Hauptgruppe, beispielsweise Phosphor, Antimon oder Arsen, eine n- Leitfähigkeit des TCO-Materials bewirken. Elemente der III. Hauptgruppe, beispielsweise Bor, Gallium, Aluminium oder Indium, können eine p-Leitfähigkeit des TCO-Materials bewirken .
Nachfolgend soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren ohne Beschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens näher erläutert werden. Dabei zeigt
Figur 1 den Querschnitt durch eine photovoltaische Zelle.
Figur 2 zeigt den Querschnitt durch eine Vorrichtung, mit welcher das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt werden kann .
Figur 3 zeigt beispielhaft eine Plasmaerzeugungseinrichtung im Längsschnitt.
Figur 4 zeigt die Plasmaerzeugungseinrichtung gemäß Figur 3 im Querschnitt.
Figur 1 zeigt ein Substrat 1, welches Teil einer photo- voltaischen Zelle sein kann. Im Substrat 1 sind in an sich bekannter Weise, beispielsweise durch Ionenimplantation oder durch Diffusion, n- und p-leitende Bereiche erzeugt, sodass sich ein pn-Übergang ausbildet.
Eintreffende elektromagnetische Strahlung kann im Substrat 1 absorbiert werden, sodass sich Elektron-Loch-Paare bilden. Diese können über zumindest einen Vorderseitenkontakt 11 und zumindest einen Rückseitenkontakt 12 als elektrische
Spannung bzw. elektrischer Strom abgegriffen werden. Die in Figur 1 beispielhaft gezeigte photovoltaische Zelle ist mit einer Schicht 10 versehen, welche zumindest ein TCO enthält oder daraus besteht. Die Schicht 10 ist somit einerseits optisch transparent, um das Eindringen von Licht in das Substrat 1 zu ermöglichen. Andererseits ist die
Schicht 10 auch elektrisch leitfähig, sodass der Strom aus dem Substrat 1 zum Vorderseitenkontakt 11 geleitet werden kann .
Der Rückseitenkontakt 12 kann vollflächig hergestellt sein und ein Metall oder eine Legierung enthalten. Optional kann auch zwischen dem Substrat 1 und dem Rückseitenkontakt 12 eine in Figur 1 nicht dargestellte Zwischenschicht vorhanden sein. Die Zwischenschicht kann ebenfalls ein TCO-Material enthalten oder daraus bestehen.
Figur 2 zeigt eine Vorrichtung zur Durchführung des
erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung der Schicht 10.
Die Vorrichtung 2 enthält eine Vakuumkammer 20, welche mit einer Mehrzahl kaskadierter Vakuumpumpen 21 und 22 evakuiert werden kann. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann in der Vakuumkammer 20 ein Hochvakuum erzeugt werden. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann der Restgasdruck in der Vakuumkammer 20 weniger als 1·10"6 mbar oder weniger als 1-10-7 mbar oder weniger als 5·10~8 mbar betragen.
In der Vakuumkammer 20 befindet sich ein Substrathalter 25, welcher dazu eingerichtet ist, zumindest ein Substrat 1 aufzunehmen. In anderen Ausführungsformen der Erfindung kann auch eine Mehrzahl von Substrathaltern 25 vorhanden sein oder der Substrathalter 25 kann dazu eingerichtet sein, eine Mehrzahl von Substraten 1 aufzunehmen. Das Substrat 1 kann beispielsweise die in Figur 1 dargestellte photovoltaische Zelle sein oder eine OLED, welche mit einem transparenten, elektrisch leitfähigen Kontakt versehen werden soll. Weiterhin befindet sich im Inneren der Vakuumkammer 20 eine Spule 3. Die Spule 3 kann mit einer Wechselspannungsquelle VRF verbunden sein. Die Wechselspannungsquelle kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung einen Wechselstrom mit einer Frequenz zwischen etwa 20 MHz und etwa 60 MHz bereitstellen. Bei Betrieb der Spannungs- bzw. Stromquelle VRF wird in der Spule ein magnetisches Wechselfeld erzeugt, welches induktiv an das im Inneren der Spule befindliche Gasvolumen koppelt.
In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann zum Betrieb der Vorrichtung in den von der Spule 3 umgrenzten Raum ein Inertgas zugeführt werden, beispielsweise Argon. Dieses bildet bei Betrieb der Stromquelle VRF ein Plasma, welches die Plasmazone 35 ausfüllt. Sofern die Schicht 10 einen Dotierstoff enthalten soll, kann dieser in einigen Ausführungsformen der Erfindung ebenfalls im Plasma enthalten sein und dort mit der Oberfläche der aufwachsenden Schicht 35 reagieren.
Weiterhin befindet sich in der Vakuumkammer 20 ein Gefäß 4, welches das Material der abzuscheidenden Schicht 10 in stöchiometrischem Verhältnis enthält. Sofern die Schicht 10 beispielsweise Indium-Zinn-Oxid mit der Summenformel
(In203) 0,9 (Sn02)o,i enthält, so wird auch diese Verbindung als Ausgangsmaterial bzw. Precursor 40 in das Gefäß 4
eingebracht .
Zur Schichtabscheidung wird das Gefäß 4 mit einer in Figur 2 nicht dargestellten Heizvorrichtung erwärmt. Die Heizvorrichtung kann beispielsweise eine unterhalb des Gefäßes 4 befindliche Elektronstoßheizung oder eine Widerstandsheizung oder eine Induktionsheizung umfassen. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann auch eine intensive
Infrarotstrahlungsquelle, beispielsweise ein C02-Laser, zur thermischen Verdampfung des Precursors 40 verwendet werden. Der verdampfende Precursor 40 bildet einen Nebel bzw. eine Partikelwolke 45, welche in Richtung des Substrats 1
driftet. Hierbei durchqueren die Partikel die Plasmazone 35, sodass diese zumindest teilweise umgeladen werden.
Am Substrathalter 25 befindet sich eine Vorspannung VDC, welche geladene Partikel aus der Plasmazone 35 in Richtung des Substrats 1 beschleunigt. Hierdurch wird auf dem
Substrat 1 die gewünschte Schicht 10 durch lonenplattieren abgeschieden .
Nachdem die Schicht 10 in der gewünschten Schichtdicke abgeschieden wurde, wird die Heizung des Gefäßes 4
abgeschaltet, sodass der Partikelstrom 45 zum Erliegen kommt. Zeitgleich, früher oder später wird dann auch die Stromquelle VRF abgeschaltet, sodass das Plasma in der
Plasmazone 35 erlischt. Schließlich kann das Substrat 1 entweder über eine Schleuse oder durch Belüften der
Vakuumkammer 20 entnommen werden.
Anhand der Figuren 3 und 4 wird eine Plasmaerzeugungseinrichtung erläutert, welche in Zusammenhang mit der
vorliegenden Erfindung einsetzbar ist.
Diese enthält eine Spule 3 wie vorstehend bereits
beschrieben. Diese dient der Erzeugung eines magnetischen Wechselfelds, welches ein im Spuleninneren befindliches Gas ionisiert. Hierdurch kommt es zur Ausbildung einer Plasmazone 35, wie in Figur 4 dargestellt.
Da die TCO-Schicht auch als parasitäre Schicht auf der Spule abgeschieden werden kann, kann es durch diese leitfähige Beschichtung auf der Spule 3 zur Ausbildung von Wirbel - strömen auf der Oberfläche der Spule kommen, sodass entweder kein Plasma mehr erzeugt werden kann oder zumindest der Energieeinsatz zur Aufrechterhaltung des Plasmas ansteigt. Um zu verhindern, dass die Spule 3 mit dem verdampften
Precursor 45 aus dem Gefäß 4 in Kontakt kommt, befindet sich ein erstes Opferelement 31 im Inneren der Spule 3. Das
Opferelement 31 kann ein Dielektrikum enthalten oder daraus bestehen. Beispielsweise kann das Opferelement 31 eine
Keramik oder ein Kunststoff sein. Um den bei Betrieb der Vorrichtung auftretenden Temperaturen Stand zu halten, kann das Opferelement 31 z.B. Polyimid, Polytetrafluoräthylen oder Aluminiumoxid enthalten oder daraus bestehen. Das erste Opferelement 31 ist im dargestellten Beispiel rohrförmig mit einem runden Querschnitt ausgeführt und in etwa konzentrisch zur Spule 3 angeordnet .
Um zu verhindern, dass nun auf dem ersten Opferelement 31 seinerseits wieder eine elektrisch leitfähige TCO-Beschich- tung abgeschieden wird, befindet sich im Inneren des
konzentrisch zur Spule 3 angeordneten ersten Opferelements 31 zumindest ein zweites Opferelement 32. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind 6 zweite Opferelemente 32 vorhanden, welche jeweils durch einen Spalt 33 von einander beabstandet sind. In anderen Ausführungsformen der Erfindung kann die Anzahl der zweiten Opferelemente 32 größer oder geringer sein und beispielsweise zwischen etwa 3 und etwa 20 betragen .
Die kleineren Opferelemente 32 verhindern, dass sich eine großflächige TCO-Beschichtung ausbildet, in welcher sich bei Betrieb des magnetischen Wechselfelds Wirbelströme bilden, welche das von der Spule erzeugte Feld 3 abschirmen. Wie in Figur 3 ersichtlich, sind die zweiten Opferelemente 32 als vergleichsweise schmale, jedoch lange Streifen ausgebildet, sodass sich in diesen keine zirkulär verlaufenden Wirbelströme ausbilden können, welche dem Magnetfeld der Spule 3 entgegenwirken .
Die Spalte 33 zwischen den zweiten Opferelementen 32 sind so gewählt, dass die Diffusion des gasförmigen Precursors auf die Rückseite der zweiten Opferelemente 32 und damit in Richtung auf das erste Opferelement 31 stark unterdrückt ist. Somit bildet sich auch auf dem ersten Opferelement 31 keine vollflächige, leitfähige Beschichtung .
Auf diese Weise kann die Betriebsdauer der Vorrichtung vergrößert werden, so dass mehrere Substrate 1
hintereinander in der gewünschten Weise beschichtet werden können, ohne dass eine zeitaufwändige Wartung der
Beschichtungsanlage erforderlich ist.
In unterschiedlichen Ausführungsformen der Erfindung kann die Schicht 10 beispielsweise folgende TCO-Materialen enthalten :
1. Sn02 mit den optionalen Dotierstoffen: Sb, F, As, Nb und/oder Ta
2. In203 mit den optionalen Dotierstoffen: Sn, Ge, Mo, F, Ti, Zr, Mo, Hf, Nb, Ta, W, Te, H und/oder Ce
3. ZnO mit den optionalen Dotierstoffen: AI, Ga, B, In, Y, Sc, F, V, S, Ge, Ti, Zr und/oder Hf
4. CdO mit den optionalen Dotierstoffen: In und/oder Sn
5. Ga203
6. ZnO-Sn02 als Verbindungen: Zn2Sn04 und/oder ZnSn03
7. ZnO-In203 als Verbindungen: Zn2In205 und/oder Zn3In206
8. In203-Sn02 als Verbindung: In4Sn3Oi2
9. CdO-Sn02 als Verbindungen: Cd2Sn04 und/oder CdSn03
10. CdO-In203 als Verbindung: Cdln204 11. Mgln204
12. Galn03, (Ga, In) 203 mit den optionalen Dotierstoffen:
Sn und/oder Ge
13. CdSb206 mit dem optionalen Dotierstoff: Y
14. Zn-In203-Sn02 als Verbindung: Zn2In205- In4Sn30i2
15. CdO-In203-Sn02 als Verbindung: Cdln204 -Cd2Sn04
16. ZnO-CdO-In203-Sn02
17. Cu02 mit den optionalen Dotierstoffen: AI, Sc, Y, In, Ga, Cr und/oder Mg
Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die dargestellten Ausführungsformen beschränkt. Die vorstehende Beschreibung ist daher nicht als beschränkend, sondern als erläuternd anzusehen. Die nachfolgenden Ansprüche sind so zu verstehen, dass ein genanntes Merkmal in zumindest einer Ausführungsform der Erfindung vorhanden ist. Dies schließt die Anwesenheit weiterer Merkmale nicht aus. Sofern die Ansprüche und die vorstehende Beschreibung „erste" und „zweite" Ausführungsformen definieren, so dient diese
Bezeichnung der Unterscheidung zweier gleichartiger Ausführungsformen, ohne eine Rangfolge festzulegen.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten (10), welche TCO enthalten oder daraus bestehen, auf zumindest einem Substrat (1), wobei zumindest ein sich in einem Gefäß (4) befindliches Ausgangsmaterial (40) in einer Vakuumkammer (20) verdampft wird, dadurch gekennzeichnet, dass
in dem Gefäß die Bestandteile der Schicht (10) in
stöchiometrischem Verhältnis vorliegen und
die vom Gefäß (4) aufsteigenden Partikel (45) vor dem Abscheiden auf dem Substrat (1) eine Plasmazone (35) durchdringen, wobei das Plasma in der Plasmazone (35) ein Inertgas enthält oder daraus besteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma in der Plasmazone (35) Argon und/oder Xenon enthält oder daraus besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma in der Plasmazone (35) ausgewählt ist aus einem induktiv gekoppelten Plasma und/oder einem
Mikrowellenplasma und/oder einem ECR-Plasma.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat mit einer Vorspannung (VDC) beaufschlagt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorspannung (VDC) eine Gleichspannung ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmazone (35) von zumindest einem Opferelement zumindest teilweise begrenzt ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Opferelement (32) ein Dilektrikum enthält oder daraus besteht .
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das das TCO-Material Sauerstoff und zumindest ein Metall enthält, welches ausgewählt sind aus Indium und/oder Zinn und/oder Zink und/oder Aluminium und/oder Cadmium und/oder Kupfer und/oder Gallium
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das das TCO einen Dotierstoff enthält, welcher zumindest ein Element der III. oder V.
Hauptgruppe enthält oder
dass das das TCO einen Dotierstoff enthält, welcher ausgewählt ist aus Phosphor, Antimon, Arsen, Bor,
Gallium, Aluminium und/oder Indium.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) eine photovoltaische Zelle enthält oder daraus besteht.
11. Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten (10) auf
zumindest einem Substrat (1) , mit zumindest
einer Vakuumkammer (20) ,
einem zur Aufnahme eines Ausgangsmaterials (40)
vorgesehenem Gefäß (4), welches mittels einer
Heizeinrichtung beheizbar und innerhalb der Vakuumkammer (20) angeordnet ist,
einem Substrathalter (25) , welcher zur Aufnahme eines Substrates (1) vorgesehen und innerhalb der Vakuumkammer (20) so angeordnet ist, dass das Substrat (1) zumindest zeitweise gegenüber des Gefäßes (4) plazierbar ist, einer Spule (3), mit welcher zumindest in einer Plasmazone (35) ein magnetisches Wechselfeld erzeugbar ist, und einer Gaszufuhreinrichtung, mit welcher der Vakuumkammer (20) ein Inertgas zuführbar ist.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0501694A2 (de) * 1991-02-26 1992-09-02 Seiko Instruments Inc. Verfahren zur Herstellung eines Farbfilters und farbelektrooptische Vorrichtung
JPH0784652B2 (ja) * 1986-04-18 1995-09-13 株式会社日本自動車部品総合研究所 イオンプレ−テイング装置
JP2003105533A (ja) * 2001-10-01 2003-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1289025A1 (de) * 2001-08-30 2003-03-05 Universite De Neuchatel Abscheidungsverfahren von einer Oxydschicht auf einem Substrat und dieses verwendende photovoltaische Zelle
US7608308B2 (en) * 2006-04-17 2009-10-27 Imra America, Inc. P-type semiconductor zinc oxide films process for preparation thereof, and pulsed laser deposition method using transparent substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0784652B2 (ja) * 1986-04-18 1995-09-13 株式会社日本自動車部品総合研究所 イオンプレ−テイング装置
EP0501694A2 (de) * 1991-02-26 1992-09-02 Seiko Instruments Inc. Verfahren zur Herstellung eines Farbfilters und farbelektrooptische Vorrichtung
JP2003105533A (ja) * 2001-10-01 2003-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜

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