WO2017005829A1 - Optoelektronischer halbleiterchip - Google Patents

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WO2017005829A1
WO2017005829A1 PCT/EP2016/066060 EP2016066060W WO2017005829A1 WO 2017005829 A1 WO2017005829 A1 WO 2017005829A1 EP 2016066060 W EP2016066060 W EP 2016066060W WO 2017005829 A1 WO2017005829 A1 WO 2017005829A1
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WO
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semiconductor chip
contact
optoelectronic semiconductor
previous
flank angle
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PCT/EP2016/066060
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English (en)
French (fr)
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Philipp Kreuter
Markus BRÖLL
Jens Müller
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • Optoelectronic Semiconductor Chip An optoelectronic semiconductor chip is specified.
  • This task is among others by a
  • Optoelectronic semiconductor chip set up to generate radiation In particular, it is in the
  • LED chip Semiconductor chip to a LED chip, also referred to as LED chip.
  • visible light, ultraviolet radiation or infrared radiation is emitted by the optoelectronic semiconductor chip during operation.
  • the optoelectronic semiconductor chip for example, visible light, ultraviolet radiation or infrared radiation is emitted by the optoelectronic semiconductor chip during operation.
  • Semiconductor layer sequence for example, grown epitaxially.
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V compound semiconductor material.
  • Semiconductor material is, for example, a
  • Nitride compound semiconductor material such as Al n In ] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as
  • the semiconductor layer sequence may have dopants and additional constituents.
  • the essential constituents of the crystal lattice of the semiconductor layer sequence ie Al, As, Ga, In, N or P, are given, even if these can be partially replaced and / or supplemented by small amounts of further substances.
  • Semiconductor layer sequence a first side and a second side and an intermediate active zone.
  • the active zone is set up for generating radiation.
  • the first side and the second side may each comprise one or more sub-layers of the semiconductor layer sequence. In this case, the first and the second side different, different types of conductivity on.
  • the first side is an entire p-doped region of the semiconductor layer sequence and the second side is an entire n-doped region or vice versa.
  • the first side, the active zone and the second side follow one another along a growth direction of the semiconductor layer sequence, preferably directly on one another.
  • Semiconductor chip one or, preferably, several
  • the at least one plated-through hole is designed to energize the second side. From the first side, the through-hole passes through the active zone and extends into the second side, so that the second side is contacted electrically by means of the through-connection. That the via through the active Passing through zone, may mean that seen in plan view, the through-hole around of a
  • the base region may taper toward the second side.
  • the base region is shaped in particular as a cylinder, truncated cone or as a truncated pyramid.
  • the terms cylinder and truncated cone include that the cone or
  • Cylinder seen in plan view, as a basic shape may also have an ellipse. Due to the production, it is possible that the shape of the via can deviate slightly from the ideal shape of a truncated cone or a truncated pyramid.
  • the base region of the plated-through hole is surrounded by an electric circuit
  • insulation layer Surrounding insulation layer, preferably surrounded immediately. That is, around along a lateral direction, an electrical insulation layer then follows outwardly of the via in the base region. There is then preferably no direct electrical contact between the base region and the semiconductor layer sequence.
  • the lateral direction is perpendicular to the growth direction of
  • Contact area follows, heading away from the first page, the base area immediately after.
  • the base region and the contact region are integrally formed.
  • the contact region is a survey over the base area, in the direction parallel to the growth direction.
  • the contact region preferably has the shape of a truncated cone or a truncated pyramid.
  • the contact area is designed as a hemisphere or hemi-ellipsoid or dome-shaped, spherical or also aspherical body.
  • the contact region has a flat or approximately flat boundary surface towards the semiconductor layer sequence, in the direction away from the semiconductor layer
  • the base region has a first flank angle and the contact region has a second flank angle.
  • the flank angles are the
  • the angles are preferably measured in a plane in which both the lateral direction and the growth direction lie.
  • the first flank angle is particularly preferably different from the second flank angle.
  • the base region and the contact region then merge into one another by a kink or by a curvature of the lateral surfaces.
  • Optoelectronic semiconductor chip which is preferably an LED chip, a semiconductor layer sequence.
  • Semiconductor layer sequence has a first side and a second side and an intermediate active zone.
  • the two sides show different types of conductivity.
  • the second side is electrically contacted with at least one via.
  • the via includes a base region, which is preferably shaped as a cylinder, truncated cone or as a truncated pyramid and which in the lateral direction, perpendicular to a growth direction of
  • the plated-through hole furthermore has a contact region which is shaped as a spherical or aspherical or, preferably, also as a truncated cone or as a truncated pyramid and which immediately follows the base region in the direction parallel to the growth direction and is in direct contact with the second side.
  • a first flank angle of the base region is different than a second flank angle of the contact region, in each case with respect to the lateral direction.
  • lateral waveguiding in an active zone can occur if the active zone has a higher refractive index than surrounding
  • a waveguide in the active zone usually results in a reduction of a
  • plated-through holes can be used to improve a
  • Subdivision of the plated-through hole into a contact region and into a base region can simultaneously optimize the electrical properties.
  • process parameters may limit the second flank angle.
  • the second flank angle is included
  • the optical properties can be optimized independently of the first flank angle, so that the optical properties are preferably not affected or not significantly affected by the contact region.
  • the lateral surfaces of the plated-through holes can be used for scattering the light generated in the active zone, it is possible to dispense with additional microprism etching, which severely constricts a current flow in the lateral direction through the active zone and has a negative effect on the reliability of the semiconductor chip.
  • the first flank angle and the second flank angle differ in particular by at least 3 ° or 10 ° or 15 ° from each other in terms of magnitude. Alternatively or additionally, this difference is included at most 90 ° or 35 ° or 25 ° or 20 °. In this case, the first flank angle is preferably greater than the second flank angle.
  • Flank angle at least 40 ° or 50 ° and / or not more than 90 ° or 70 ° or 60 °.
  • the second flank angle is at least 20 ° or 25 ° or 35 ° and / or at most 120 ° or 90 ° or 65 ° or 55 ° or 45 °.
  • Growth direction which is at least 0.05 ym or 0.2 ym or 0.4 ym. Alternatively or additionally, this height is at most 4 ym or 2 ym or 1.5 ym.
  • d1 is the average diameter of the via at the boundary between the contact region and the base region, along the lateral direction.
  • the mean diameter d 1 is at least 1 ⁇ m or 2 ⁇ m or 4 ⁇ m.
  • the average diameter dl is at most 50 ym or 40 ym or 30 ym.
  • the base region has a base height, in the direction parallel to
  • the base height is at least 200 nm or 1 ym or 2 ym and / or at most 30 ym or 15 ym or 5 ym. It is alternatively or additionally that the base height is at least as large as a sum of the thicknesses of the active zone and the first side + 100 nm of these thicknesses. According to at least one embodiment, for the base height H and for the h of the contact region at least one of the following relationships applies: 0.2 ⁇ H / h or 3 ⁇ H / h or 6 ⁇ H / h and / or H / h ⁇ 15 or H / h ⁇ 30 or H / h ⁇ 40. According to at least one embodiment, the
  • Base area predominantly from one or more of the
  • Material is at least 50% or 75%.
  • the via is a metallic via. That is, the via is then formed of one or more metals.
  • the metallic components at the via then preferably make up at least 90 mass% or 95 mass% or 99 mass%.
  • a radiation having a main wavelength is generated in the active zone.
  • the Main wavelength is the wavelength at which there is a maximum intensity, measured in W or W / nm.
  • Insulation layer which is the base of the
  • Through hole surrounds, an average thickness.
  • the average thickness is determined in a direction perpendicular to a lateral surface of the base region. According to at least one embodiment, with respect to the main wavelength ⁇ and the average thickness D of
  • Insulation layer the following relationship: D> ⁇ / 4 ⁇ or D> 3 ⁇ / 8 ⁇ or D> 5 ⁇ / 8 ⁇ and / or D ⁇ 2 ⁇ / ⁇ or D ⁇ 3 ⁇ / 2 ⁇ or D ⁇ 3 ⁇ / 4 ⁇ .
  • N is the refractive index of the
  • Insulation layer at the main wavelength Insulation layer at the main wavelength.
  • Insulation layer in the direction of the contact area.
  • a thickness of the insulation layer in the direction of the contact region can decrease continuously.
  • the thickness decrease can be linear or approximately linear.
  • the density of the contacts is at most 500 / mm 2 or 300 / mm 2 or 150 / mm 2 .
  • the plated-through holes are preferably arranged in a regular pattern, seen in plan view. For example, the
  • the second side is p-doped and the first side is n-doped. It is possible that the second side has a doping layer and a
  • Contact layer comprises or consists of.
  • the contact layer is doped higher than the doping layer
  • doped by at least a factor of 2 or 5 or 10 higher.
  • the doping layer directly adjoins the active zone, but is preferably spaced from the active zone. Due to the lower
  • Doping layer has a higher crystal quality than the contact layer, whereby a quality of the active zone is improved.
  • Figure 2 is a schematic sectional view of a
  • FIG. 3 is schematic sectional views of FIG
  • Figure 1 is an embodiment of a
  • FIGS. 1B and 1C show detail enlargements from FIG. 1A.
  • the semiconductor chip 1 comprises a semiconductor layer sequence 2.
  • the semiconductor layer sequence 2 includes a first side 21 and a second side 23.
  • the first side 21 is n-type and the second side 23 is p-type.
  • the active zone 22 for generating radiation.
  • Through holes 3 and the semiconductor layer sequence 2 is located in a lateral direction L, perpendicular to a growth direction G of the semiconductor layer sequence 2, an electrical insulation layer 32.
  • the first side 21 can be contacted directly electrically. Alternatively, it is possible that between the carrier 4 and the first side 21 a not shown
  • Current spreading layer is located, for example in the form of a metallic mirror.
  • the base region 31 is all around
  • Insulation layer 32 surrounded, along the lateral direction L. Thus there is no direct current flow from the
  • Contact area 33 follows along the growth direction G immediately after the base area 31 and is integrally formed therewith. In the contact area 33 is the
  • Both the contact region 33, characterized in FIG. 1B by a rectangle drawn with a dashed line, and the base region 31 are frustoconical in shape. Relative to the lateral direction L, a lateral surface of the base region 31 has a flank angle a and the
  • Flank angle a of the base region 31 is greater than the second flank angle b of the contact region.
  • Base portion 31 facing away from the top of the contact portion 33 may be flat or approximately flat. Notwithstanding the illustration in Figure 1, it is alternatively
  • the first flank angle a of the base region 31 is less than or equal to the second flank angle b of the
  • the contact region 33 is formed. This is a
  • the height H of the base region 31 is 4 ym, for example.
  • a height h of the contact region 33 is, for example, 0.5 .mu.m.
  • Example 65 ° and the second flank angle b for example, 55 °.
  • the values mentioned apply, for example, to a
  • Contact region 33 results trigonometrically from the height h of the contact region 33 and the first diameter dl.
  • the second flank angle b is preferably chosen to be as large as possible, as is the height h of the contact region 33.
  • the base region 31 preferably consists predominantly of silver and / or gold.
  • In the contact region 33 is located toward the second side 23, 24 preferably a thin metallic
  • Contact layer not drawn, about platinum.
  • Thin means, for example, a thickness of at most 500 nm or 100 nm or 30 nm.
  • FIG. 2 shows a modification of a semiconductor chip
  • the through-connection 3 has a flat upper side, without the stepped contact region from FIG. 1. In this way, an electrical contact surface between the
  • the layer 23 is, for example, a doping layer with a comparatively low doping in order to achieve a high crystal quality.
  • the contact layer 24 is preferably highly doped to a
  • the first side 21 can also be composed of several partial layers.
  • FIG. 3 shows a production method for the
  • a hole 6 is etched into the semiconductor layer sequence 2.
  • the stepped hole 6 is, for example, by means of variation of a chemical ⁇ tzanteils and / or by layers in the semiconductor layer sequence 2 with different
  • the etching may be an isotropic or anisotropic wet etching or a directional dry etching.
  • FIG. 3B shows that a material for the insulation layer 22 is subsequently applied. This material is applied, for example, on all exposed surfaces with a comparatively large thickness.
  • the hole 6 is filled with one or more metals.
  • the layer 20 may be a current spreading layer.

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine erste Seite (21) und eine zweite Seite (23, 24) sowie eine dazwischen liegende aktive Zone (22) auf. Die beiden Seiten zeigen unterschiedliche Leitfähigkeitstypen auf. Von der ersten Seite (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch ist die zweite Seite (23, 24) mit einer elektrischen Durchkontaktierung (3) kontaktiert. Die Durchkontaktierung (3) beinhaltet einen Basisbereich (31), der als Zylinder, Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf geformt ist und der in lateraler Richtung, senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2), ringsum von einer elektrischen Isolationsschicht (32) umgeben ist. Die Durchkontaktierung (3) weist einen Kontaktbereich (33) auf, der als Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf oder sphärischer oder asphärischer Körper geformt ist und der entlang der Wachstumsrichtung (G) dem Basisbereich (31) unmittelbar nachfolgt sowie in direktem Kontakt mit der zweiten Seite (23, 24) steht. Ein erster Flankenwinkel (a) des Basisbereichs (31) ist anders als ein zweiter Flankenwinkel (b) des Kontaktbereichs (33).

Description

Beschreibung
Optoelektronischer Halbleiterchip Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen
optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, der effizient elektrisch kontaktierbar ist und der eine hohe
Strahlungsauskoppeleffizienz aufweist.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch einen
optoelektronischen Halbleiterchip mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Bevorzugte
Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der
optoelektronische Halbleiterchip zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet. Insbesondere handelt es sich bei dem
Halbleiterchip um einen Leuchtdiodenchip, auch als LED-Chip bezeichnet. Beispielsweise wird von dem optoelektronischen Halbleiterchip im Betrieb sichtbares Licht, ultraviolette Strahlung oder infrarote Strahlung emittiert. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterchip eine Halbleiterschichtenfolge. Die
Halbleiterschichtenfolge ist beispielsweise epitaktisch gewachsen. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem
Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein
Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie
AlnIn]__n_mGamP oder auch um ein Arsenid- Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamAs oder auch AlInGaAsP, wobei jeweils 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n + m < 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Halbleiterschichtenfolge eine erste Seite und eine zweite Seite sowie eine dazwischen liegende aktive Zone. Die aktive Zone ist zur Strahlungserzeugung eingerichtet. Die erste Seite und die zweite Seite können jeweils eine oder mehrere Teilschichten der Halbleiterschichtenfolge umfassen. Dabei weisen die erste und die zweite Seite unterschiedliche, voneinander verschiedene Leitfähigkeitstypen auf.
Beispielsweise ist die erste Seite ein gesamtes p-dotiertes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge und die zweite Seite ein gesamtes n-dotiertes Gebiet oder umgekehrt. Die erste Seite, die aktive Zone und die zweite Seite folgen entlang einer Wachstumsrichtung der Halbleiterschichtenfolge aufeinander, bevorzugt unmittelbar aufeinander.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterchip eine oder, bevorzugt, mehrere
Durchkontaktierungen . Die mindestens eine Durchkontaktierung ist zur Bestromung der zweiten Seite eingerichtet. Von der ersten Seite her durchläuft die Durchkontaktierung die aktive Zone und reicht bis in die zweite Seite hinein, so dass die zweite Seite elektrisch mittels der Durchkontaktierung kontaktiert ist. Dass die Durchkontaktierung durch die aktive Zone hindurch verläuft, kann bedeuten, dass in Draufsicht gesehen die Durchkontaktierung ringsum von einer
geschlossenen Bahn der aktiven Zone umgeben ist. Dabei befindet sich zwischen der Durchkontaktierung und der aktiven Zone bevorzugt kein evakuierter oder gasgefüllter Spalt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die
Durchkontaktierung einen Basisbereich auf. Der Basisbereich kann sich hin in Richtung zur zweiten Seite verjüngen. Der Basisbereich ist insbesondere als Zylinder, Kegelstumpf oder als Pyramidenstumpf geformt. Dabei schließen die Begriffe Zylinder und Kegelstumpf mit ein, dass der Kegel oder
Zylinder, in Draufsicht gesehen, als Grundform auch eine Ellipse aufweisen kann. Herstellungsbedingt ist es möglich, dass die Form der Durchkontaktierung von der Idealform eines Kegelstumpfes oder eines Pyramidenstumpfes geringfügig abweichen kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Basisbereich der Durchkontaktierung ringsum von einer elektrischen
Isolationsschicht umgeben, bevorzugt unmittelbar umgeben. Das heißt, ringsum entlang einer lateralen Richtung folgt dann auf die Durchkontaktierung in dem Basisbereich nach außen hin eine elektrische Isolationsschicht. Zwischen dem Basisbereich und der Halbleiterschichtenfolge besteht dann bevorzugt kein unmittelbarer elektrischer Kontakt. Die laterale Richtung ist dabei senkrecht zur Wachstumsrichtung der
Halbleiterschichtenfolge orientiert . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die
Durchkontaktierung einen Kontaktbereich auf. Der
Kontaktbereich folgt, in Richtung weg von der ersten Seite, dem Basisbereich unmittelbar nach. Insbesondere sind der Basisbereich und der Kontaktbereich einstückig ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform stellt der
Kontaktbereich eine Erhebung über den Basisbereich hinweg dar, in Richtung parallel zur Wachstumsrichtung. Dabei weist der Kontaktbereich bevorzugt die Form eines Kegelstumpfes oder eines Pyramidenstumpfes auf. Alternativ ist es möglich, dass der Kontaktbereich als Halbkugel oder Halbellipsoid oder domförmiger, sphärischer oder auch asphärischer Körper gestaltet ist. Bevorzugt jedoch weist der Kontaktbereich eine ebene oder näherungsweise ebene Begrenzungsfläche hin zur Halbleiterschichtenfolge auf, in Richtung weg von dem
Basisbereich .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform steht der
Kontaktbereich in direktem Kontakt mit der zweiten Seite der Halbleiterschichtenfolge, insbesondere nur mit der zweiten Seite. Hierdurch ist es möglich, dass über den Kontaktbereich ein Strom in die zweite Seite eingeprägt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Basisbereich einen ersten Flankenwinkel auf und der Kontaktbereich einen zweiten Flankenwinkel. Die Flankenwinkel sind dabei die
Winkel zwischen der lateralen Richtung und den Seitenflächen des Basisbereichs und des Kontaktbereichs. Die Winkel werden dabei bevorzugt gemessen in einer Ebene, in der sowohl die laterale Richtung als auch die Wachstumsrichtung liegen. Der erste Flankenwinkel ist besonders bevorzugt von dem zweiten Flankenwinkel verschieden. Mit anderen Worten gehen dann der Basisbereich und der Kontaktbereich durch einen Knick oder durch eine Krümmung der Mantelflächen ineinander über. In mindestens einer Ausführungsform umfasst der
optoelektronische Halbleiterchip, der bevorzugt ein LED-Chip ist, eine Halbleiterschichtenfolge. Die
Halbleiterschichtenfolge weist eine erste Seite und eine zweite Seite sowie eine dazwischen liegende aktive Zone auf. Die beiden Seiten zeigen unterschiedliche Leitfähigkeitstypen auf. Von der ersten Seite her durch die aktive Zone hindurch ist die zweite Seite mit mindestens einer Durchkontaktierung elektrisch kontaktiert. Die Durchkontaktierung beinhaltet einen Basisbereich, der bevorzugt als Zylinder, Kegelstumpf oder als Pyramidenstumpf geformt ist und der in lateraler Richtung, senkrecht zu einer Wachstumsrichtung der
Halbleiterschichtenfolge, ringsum von einer elektrischen Isolationsschicht umgeben ist. Die Durchkontaktierung weist ferner einen Kontaktbereich auf, der als sphärischer oder asphärischer oder, bevorzugt, ebenfalls als Kegelstumpf oder als Pyramidenstumpf geformt ist und der in Richtung parallel zur Wachstumsrichtung dem Basisbereich unmittelbar nachfolgt sowie in direktem Kontakt mit der zweiten Seite steht. Ein erster Flankenwinkel des Basisbereichs ist anders als ein zweiter Flankenwinkel des Kontaktbereichs, jeweils bezogen auf die laterale Richtung.
In Leuchtdiodenchips kann es zu einer lateralen Wellenleitung in einer aktiven Zone kommen, wenn die aktive Zone einen höheren Brechungsindex aufweist als umgebendes
Halbleitermaterial. Eine Wellenleitung in der aktiven Zone resultiert im Regelfall in einer Reduktion einer
Auskoppelwahrscheinlichkeit und führt zu erhöhten optischen Verlusten durch Reabsorption in der aktiven Zone. Ferner ist ein Durchmesser von Vias, auch als Durchkontaktierungen bezeichnet, die durch die aktive Zone hindurchgeführt werden, aufgrund von an dieser Grenzfläche entstehenden nichtstrahlenden Rekombinationszentren klein zu halten. Dies führt jedoch zu einer Begrenzung einer Via-Kontaktflache mit der Halbleiterschichtenfolge und damit zu einer Begrenzung für eine Reduzierung eines Serienwiderstandsbeitrags durch die Vias. Bei solchen Vias ist typischerweise die
Kontaktfläche gleich einer Kopffläche der Vias. Somit ist ein Serienwiderstandsbeitrag der Vias durch deren Durchmesser beschränkt . Im Fall von schrägen Seitenflächen von Vias kann in der aktiven Zone geführtes Licht an den Vias streuen. Eine weitere Möglichkeit, um eine laterale Wellenleitung zu verhindern oder abzuschwächen, sind geätzte Mikroprismen, die sehr nah an die aktive Zone herangeführt werden, um Licht zu streuen.
Bei dem hier beschriebenen Halbleiterchip können einerseits Durchkontaktierungen zur Verbesserung einer
Lichtauskoppeleffizienz verwendet werden. Durch die
Unterteilung der Durchkontaktierung in einen Kontaktbereich und in einen Basisbereich sind gleichzeitig die elektrischen Eigenschaften optimierbar.
Mit anderen Worten werden die Kontaktflächen der
Durchkontaktierung bei gleicher lateraler Größe bei dem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip vergrößert. Dies wird dadurch erreicht, dass die Durchkontaktierungen als Kegelstümpfe mit gestuftem Flankenwinkel ausgeführt werden. Somit ist ein oberer Teil der Durchkontaktierungen, der
Kontaktbereich, an den Mantelflächen nicht passiviert und schließt elektrisch an die Halbleiterschichtenfolge an. In dem Kontaktbereich, in dem die Durchkontaktierung elektrisch an die Halbleiterschichtenfolge angekoppelt ist, ist der zweite Flankenwinkel zwischen einer Mantellinie und einer Kegelachse vom entsprechenden Winkel der verbleibenden
Durchkontaktierung, also des Basisbereichs, verschieden. Dabei sind möglichst große zweite Flankenwinkel, also
möglichst parallel zur Wachstumsrichtung, für den
Kontaktbereich bevorzugt, um eine besonders große
Kontaktfläche zu erzielen. Hierbei sind allerdings durch Prozessparameter dem zweiten Flankenwinkel unter Umständen Grenzen gesetzt. Der zweite Flankenwinkel ist dabei
unabhängig vom ersten Flankenwinkel optimierbar, so dass die optischen Eigenschaften durch den Kontaktbereich bevorzugt nicht oder nicht signifikant beeinträchtigt werden. Somit ist durch die Aufteilung in den Kontaktbereich und den
Basisbereich eine unabhängige Optimierung der optischen und der elektrischen Eigenschaften möglich.
Da die Mantelflächen der Durchkontaktierungen zur Streuung des in der aktiven Zone erzeugten Lichts verwendet werden können, kann auf eine zusätzliche Mikroprismenätzung, die einen Stromfluss in lateraler Richtung durch die aktive Zone stark einschnüren und sich negativ auf die Verlässlichkeit des Halbleiterchips auswirken, verzichtet werden. Die für den elektrischen Anschluss des Bauteils benötigten
Durchkontaktierungen können gleichzeitig hinsichtlich ihres Kontaktwiderstands optimiert als auch zur Optimierung der optischen Eigenschaften, insbesondere der Lichtauskopplung, genutzt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform unterscheiden sich der erste Flankenwinkel und der zweite Flankenwinkel insbesondere betragsmäßig um mindestens 3° oder 10° oder 15° voneinander. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Unterschied bei höchstens 90° oder 35° oder 25° oder 20°. Dabei ist der erste Flankenwinkel bevorzugt größer als der zweite Flankenwinkel.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt der erste
Flankenwinkel mindestens 40° oder 50° und/oder liegt bei höchstens 90° oder 70° oder 60°. Alternativ oder zusätzlich liegt der zweite Flankenwinkel bei mindestens 20° oder 25° oder 35° und/oder bei höchstens 120° oder 90° oder 65° oder 55 ° oder 45 ° .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Kontaktbereich eine Höhe, in Richtung parallel zur
Wachstumsrichtung, auf, die bei mindestens 0,05 ym oder 0,2 ym oder 0,4 ym liegt. Alternativ oder zusätzlich beträgt diese Höhe höchstens 4 ym oder 2 ym oder 1,5 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt für die Höhe h des Kontaktbereichs und für einen mittleren Durchmesser dl der Durchkontaktierung : 1 < dl/h oder 3 -S dl/h oder 7 < dl/h und/oder dl/h < 10 oder dl/h < 20 oder dl/h < 30. Dabei ist dl der mittlere Durchmesser der Durchkontaktierung an der Grenze zwischen dem Kontaktbereich und dem Basisbereich, entlang der lateralen Richtung. Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt der mittlere Durchmesser dl bei mindestens 1 ym oder 2 ym oder 4 ym.
Alternativ oder zusätzlich liegt der mittlere Durchmesser dl bei höchstens 50 ym oder 40 ym oder 30 ym. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Basisbereich eine Basishöhe auf, in Richtung parallel zur
Wachstumsrichtung. Die Basishöhe beträgt mindestens 200 nm oder 1 ym oder 2 ym und/oder höchstens 30 ym oder 15 ym oder 5 ym. Es gilt alternativ oder zusätzlich, dass die Basishöhe mindestens so groß ist wie eine Summe der Dicken der aktiven Zone und der ersten Seite + 100 nm dieser Dicken. Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt für die Basishöhe H und für die h des Kontaktbereichs zumindest einer der folgenden Zusammenhänge: 0,2 < H/h oder 3 ^ H/h oder 6 ^ H/h und/oder H/h < 15 oder H/h < 30 oder H/h < 40. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Kontaktbereich an einer Grenzfläche zur
Halbleiterschichtenfolge hin eines oder mehrerer der
folgenden Materialien auf oder besteht dort aus einem oder mehrerer dieser Materialien: Au, Ag, Indium-Zinn-Oxid oder kurz ITO, ZnO, Ni, Ge, Zn, Rh, Pd, Pt, Ti.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform besteht der
Basisbereich überwiegend aus einem oder mehrerer der
folgenden Materialien: Ag, Au, ITO, ZnO, Ni, Ge, Zn, Rh, Pd, Pt, Ti, Sn, W. Überwiegend bedeutet dabei, dass ein Masse- Anteil und/oder ein Volumenanteil des entsprechenden
Materials bei mindestens 50 % oder 75 % liegt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei der Durchkontaktierung um eine metallische Durchkontaktierung. Das heißt, die Durchkontaktierung ist dann aus einem oder mehreren Metallen gebildet. Die metallischen Bestandteile an der Durchkontaktierung machen dann bevorzugt mindestens 90 Masse-% oder 95 Masse-% oder 99 Masse-% aus.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in der aktiven Zone eine Strahlung mit einer Hauptwellenlänge erzeugt. Die Hauptwellenlänge ist dabei diejenige Wellenlänge, bei der eine maximale Intensität liegt, gemessen in W oder W/nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die
Isolationsschicht, die den Basisbereich der
Durchkontaktierung umgibt, eine mittlere Dicke auf. Die mittlere Dicke wird dabei in eine Richtung senkrecht zu einer Mantelfläche des Basisbereichs bestimmt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt hinsichtlich der Hauptwellenlänge λ und der mittleren Dicke D der
Isolationsschicht der folgende Zusammenhang: D > λ/4η oder D > 3λ/8η oder D > 5λ/8η und/oder D < 2λ/η oder D < 3λ/2η oder D < 3λ/4η. Dabei ist n der Brechungsindex der
Isolationsschicht bei der Hauptwellenlänge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verjüngt sich die
Isolationsschicht in Richtung hin zu dem Kontaktbereich.
Dabei kann eine Dicke der Isolationsschicht in Richtung hin zum Kontaktbereich kontinuierlich abnehmen. Die Dickenabnahme kann linear oder näherungsweise linear erfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterchip eine Vielzahl der Durchkontaktierungen auf. In Draufsicht gesehen liegt dabei eine Flächendichte der
Durchkontaktierungen bevorzugt bei mindestens 20/mm2 oder 30/mm2 oder 20/mm2 oder 50/mm2. Alternativ oder zusätzlich liegt die Dichte der Kontaktierungen bei höchstens 500/mm2 oder 300/mm2 oder 150/mm2. Die Durchkontaktierungen sind dabei bevorzugt in einem regelmäßigen Muster angeordnet, in Draufsicht gesehen. Beispielsweise sind die
Durchkontaktierungen in einem quadratischen oder rechteckigen oder hexagonalen Raster angebracht. Entsprechende mittlere Abstände zwischen benachbarten Durchkontaktierungen ergeben sich aus der Flächendichte der Durchkontaktierungen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform basiert die
Halbleiterschichtenfolge auf dem Materialsystem AlInAsGaP oder AlInGaP. Der Halbleiterchip ist dann bevorzugt zur
Emission von gelbem, orangem oder rotem Licht oder von nahinfraroter Strahlung eingerichtet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die zweite Seite p- dotiert und die erste Seite ist n-dotiert. Es ist möglich, dass die zweite Seite eine Dotierschicht sowie eine
Kontaktschicht umfasst oder hieraus besteht. Dabei ist die Kontaktschicht höher dotiert als die Dotierschicht,
beispielsweise um mindestens einen Faktor 2 oder 5 oder 10 höher dotiert. Die Dotierschicht grenzt beispielsweise unmittelbar an die aktive Zone, ist bevorzugt jedoch von der aktiven Zone beabstandet. Aufgrund der geringeren
Dotierstoffkonzentration ist es möglich, dass die
Dotierschicht eine höhere Kristallqualität aufweist als die Kontaktschicht, wodurch auch eine Qualität der aktiven Zone verbesserbar ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform reicht die
Durchkontaktierung bis in die Kontaktschicht hinein.
Mit anderen Worten endet dann der Kontaktbereich der
Durchkontaktierung in der Kontaktschicht. Insbesondere befindet sich der Kontaktbereich der Durchkontaktierung vollständig in der Kontaktschicht. Eine entsprechende
Aufteilung in eine Dotierschicht und in eine Kontaktschicht kann auch an der ersten Seite vorliegen. Nachfolgend wird ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen: schematische Schnittdarstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips , Figur 2 eine schematische Schnittdarstellung einer
Abwandlung eines Halbleiterchips, und
Figur 3 schematische Schnittdarstellungen von
Verfahrensschritten zur Herstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips.
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Halbleiterchips 1 gezeigt. Dabei stellen die Figuren 1B und IC Ausschnittsvergrößerungen aus der Figur 1A dar.
Der Halbleiterchip 1 umfasst eine Halbleiterschichtenfolge 2. Die Halbleiterschichtenfolge 2 beinhaltet eine erste Seite 21 und eine zweite Seite 23. Beispielsweise ist die erste Seite 21 n-leitend und die zweite Seite 23 p-leitend. Zwischen den beiden Seiten 21, 23 befindet sich eine aktive Zone 22 zur Erzeugung von Strahlung. Beispielsweise basiert die
Halbleiterschichtenfolge 2 auf dem Materialsystem AlInGaP. Ausgehend von einem Träger 4 erstrecken sich mehrere
Durchkontaktierungen 3 durch die erste Seite 21 und durch die aktive Zone 22 hindurch bis in die zweite Seite 23. Durch die elektrischen Durchkontaktierungen 3 ist die zweite Seite 23 somit elektrisch kontaktiert. Zwischen den
Durchkontaktierungen 3 und der Halbleiterschichtenfolge 2 befindet sich in einer lateralen Richtung L, senkrecht zu einer Wachstumsrichtung G der Halbleiterschichtenfolge 2, eine elektrische Isolationsschicht 32. An Seitenflächen der Durchkontaktierungen 3 und an einer Grenzfläche hin zu dem Träger 4 erfolgt eine Reflexion der Strahlung R hin zu
Lichtauskoppelstrukturen 5 an einer dem Träger 4 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 2.
Die erste Seite 21 kann direkt elektrisch kontaktiert sein. Alternativ ist es möglich, dass sich zwischen dem Träger 4 und der ersten Seite 21 eine nicht dargestellte
Stromaufweitungsschicht befindet, beispielsweise in Form eines metallischen Spiegels.
Die Durchkontaktierungen 3, siehe die Figuren 1B und IC, weisen jeweils einen Basisbereich 31 und einen Kontaktbereich 33 auf. Der Basisbereich 31 ist ringsum von der
Isolationsschicht 32 umgeben, entlang der lateralen Richtung L. Damit erfolgt kein direkter Stromfluss aus dem
Basisbereich 31 in die Halbleiterschichtenfolge 2. Der
Kontaktbereich 33 folgt entlang der Wachstumsrichtung G dem Basisbereich 31 unmittelbar nach und ist einstückig mit diesem ausgebildet. Im Kontaktbereich 33 steht die
Durchkontaktierung 3 in direktem Kontakt mit der
Halbleiterschichtenfolge 2. Sowohl der Kontaktbereich 33, in Figur 1B gekennzeichnet durch ein mit einer Strich-Linie gezeichnetes Rechteck, als auch der Basisbereich 31 sind kegelstumpfförmig gestaltet. Bezogen auf die laterale Richtung L weist eine Mantelfläche des Basisbereichs 31 einen Flankenwinkel a auf und der
Kontaktbereich 33 einen Flankenwinkel b. Der erste
Flankenwinkel a des Basisbereichs 31 ist dabei größer als der zweite Flankenwinkel b des Kontaktbereichs. Eine den
Basisbereich 31 abgewandte Oberseite des Kontaktbereichs 33 kann eben oder näherungsweise eben gestaltet sein. Abweichend von der Darstellung in Figur 1 ist es alternativ auch
möglich, dass der erste Flankenwinkel a des Basisbereichs 31 kleiner oder gleich dem zweiten Flankenwinkel b des
Kontaktbereichs ist.
Dadurch, dass die Isolationsschicht 32 teilweise nicht an den Seitenflächen der Durchkontaktierung 3 aufgebracht ist, ist der Kontaktbereich 33 gebildet. Hierdurch ist eine
Kontaktfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge 3 und der Durchkontaktierung 3 vergrößert, so dass ein Serienwiderstand senkbar ist. Zusätzlich erfolgt durch die
Durchkontaktierungen 3 eine Streuung oder Umlenkung von
Strahlung R, die in der aktiven Zone 22 geführt wird.
Hierdurch ist eine erhöhte Lichtauskoppeleffizienz erzielbar.
Die Höhe H des Basisbereichs 31 beträgt beispielsweise 4 ym. Eine Höhe h des Kontaktbereichs 33 liegt beispielsweise bei 0,5 ym. Ein erster Durchmesser dl, an den der Kontaktbereich 33 und der Basisbereich 31 aneinanderstoßen, liegt zum
Beispiel bei 4 ym. Der erste Flankenwinkel a beträgt zum
Beispiel 65° und der zweite Flankenwinkel b beispielsweise 55°. Die genannten Werte gelten zum Beispiel mit eine
Toleranz von höchstens 50 % oder 25 % oder 10 %. Ein zweiter Durchmesser d2 an der Oberseite des
Kontaktbereichs 33 ergibt sich trigonometrisch aus der Höhe h des Kontaktbereichs 33 und dem ersten Durchmesser dl.
Bevorzugt wird der zweite Flankenwinkel b möglichst groß gewählt, ebenso wie die Höhe h des Kontaktbereichs 33. Der Basisbereich 31 besteht bevorzugt überwiegend aus Silber und/oder Gold. Im Kontaktbereich 33 befindet sich hin zur zweiten Seite 23, 24 bevorzugt eine dünne metallische
Kontaktschicht, nicht gezeichnet, etwa aus Platin. Dünn meint zum Beispiel eine Dicke von höchstens 500 nm oder 100 nm oder 30 nm.
In Figur 2 ist eine Abwandlung eines Halbleiterchips
dargestellt. Gemäß Figur 2, siehe das strichlierte Rechteck, weist die Durchkontaktierung 3 eine flache Oberseite auf, ohne dem abgestuften Kontaktbereich aus Figur 1. Hierdurch ist eine elektrische Kontaktfläche zwischen der
Durchkontaktierung 3 und der Halbleiterschichtenfolge 2 reduziert.
Optional, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, kann die zweite Seite aus zwei Schichten 23, 24
zusammengesetzt sein. Bei der Schicht 23 handelt es sich etwa um eine Dotierschicht mit einer vergleichsweise niedrigen Dotierung, um eine hohe Kristallqualität zu erzielen. Die Kontaktschicht 24 ist bevorzugt hoch dotiert, um eine
effiziente laterale Stromaufweitung zu gewährleisten. Anders als in Figur 1 dargestellt kann auch die erste Seite 21 aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein.
In Figur 3 ist ein Herstellungsverfahren für die
Durchkontaktierungen 3 schematisch illustriert. Gemäß Figur 3A wird ein Loch 6 in die Halbleiterschichtenfolge 2 geätzt. Das gestufte Loch 6 wird beispielsweise mittels Variation eines chemischen Ätzanteils und/oder durch Schichten in der Halbleiterschichtenfolge 2 mit unterschiedlichen
Ätzisotropien erreicht. Bei dem Ätzen kann es sich um ein isotropes oder anisotropes Nassätzen oder um ein gerichtetes Trockenätzen handeln.
In Figur 3B ist gezeigt, dass nachfolgend ein Material für die Isolationsschicht 22 aufgebracht wird. Dieses Material wird beispielsweise an allen freiliegenden Flächen mit einer vergleichsweise großen Dicke aufgebracht.
Nachfolgend wird, siehe Figur 3C, über ein gerichtetes
Trockenätzen das Material für die Isolationsschicht 32 stellenweise wieder entfernt. Dabei wird dieses Material auf in Figur 3 waagrechten Flächen und im Bereich des zukünftigen Kontaktbereichs vollständig entfernt, während an den
steileren Mantelflächen des zukünftigen Basisbereichs eine Restpassivierung für die Isolationsschicht 32 verbleibt.
Anschließend wird, nicht dargestellt, das Loch 6 mit einem oder mit mehreren Metallen verfüllt.
Gemäß Figur 3 ist auch die erste Seite 21 der
Halbleiterschichtenfolge aus zwei Schichten 21, 20
zusammengesetzt. Bei der Schicht 20 kann es sich um eine Stromaufweitungsschicht handeln.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 111 046.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
1 optoelektronischer Halbleiterchip
2 Halbleiterschichtenfolge
20 n-Kontaktschicht der Halbleiterschichtenfolge
21 n-leitende Seite der Halbleiterschichtenfolge
22 aktive Zone der Halbleiterschichtenfolge
23 p-leitende Seite der Halbleiterschichtenfolge
24 p-Kontaktschicht der Halbleiterschichtenfolge 3 Durchkontaktierung
31 Basisbereich
32 elektrische Isolationsschicht
33 Kontaktbereich
4 Träger
5 Lichtauskoppelstruktur
6 Loch a erster Flankenwinkel (Basisbereich)
b zweiter Flankenwinkel (Kontaktbereich) dl maximaler Durchmesser des Kontaktbereichs d2 minimaler Durchmesser des Kontaktbereichs
G Wachstumsrichtung
h Höhe des Kontaktbereichs
H Basishöhe
L laterale Richtung
R Strahlung

Claims

Patentansprüche
Optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit
- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Seite (21) und einer zweiten Seite (23, 24) sowie einer dazwischen liegenden aktiven Zone (22), wobei die beiden Seiten (21, 22, 23) unterschiedliche Leitfähigkeitstypen aufweisen, und
- mindestens einer Durchkontaktierung (3) , die von der ersten Seite (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch die zweite Seite (23, 24) elektrisch
kontaktiert,
wobei
- die Durchkontaktierung (3) einen Basisbereich (31) aufweist, der als Zylinder, Kegelstumpf oder als
Pyramidenstumpf geformt ist und der in lateraler
Richtung (L) , senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge
(2), ringsum von einer elektrischen Isolationsschicht (32) umgeben ist,
- die Durchkontaktierung (3) einen Kontaktbereich (33) aufweist, der als Kegelstumpf oder als Pyramidenstumpf oder als sphärischer oder asphärischer Körper geformt ist, der in Richtung parallel zur Wachstumsrichtung (G) dem Basisbereich (31) unmittelbar nachfolgt und der in direktem Kontakt mit der zweiten Seite (23, 24) steht, und
- ein erster Flankenwinkel (a) des Basisbereichs (31) anders ist als ein zweiter Flankenwinkel (b) des
Kontaktbereichs (33), jeweils bezogen auf die laterale Richtung (L) .
Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach dem
vorhergehenden Anspruch, bei dem der erste Flankenwinkel (a) um mindestens 3° und um höchstens 25° größer ist als der zweite Flankenwinkel (b) ,
wobei der Kontaktbereich (33) als Kegelstumpf oder als Pyramidenstumpf geformt ist.
3. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem der erste Flankenwinkel (a) zwischen
einschließlich 40° und 70° beträgt und der zweite
Flankenwinkel (b) zwischen einschließlich 25° und 55° liegt .
4. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem eine Höhe (h) des Kontaktbereichs (33) , in
Richtung parallel zur Wachstumsrichtung (G) , zwischen einschließlich 0,05 ym und 4 ym beträgt.
5. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem für die Höhe h des Kontaktbereichs (33) und für einen mittleren Durchmesser dl der Durchkontaktierung (3) an der Grenze zwischen dem Kontaktbereich (33) und dem Basisbereich (31) gilt: 1 -S dl/h < 30.
6. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach dem
vorhergehenden Anspruch,
bei dem der mittlere Durchmesser (dl) zwischen
einschließlich 1 ym und 50 ym beträgt.
7. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem eine Basishöhe (H) des Basisbereichs (31), in Richtung parallel zur Wachstumsrichtung (G) , zwischen einschließlich 200 nm und 30 ym liegt,
wobei für die Basishöhe H und die Höhe h des
Kontaktbereichs (33) gilt: 0,2 < H/h < 40.
8. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem der Kontaktbereich (33) an einer Grenzfläche zur Halbleiterschichtenfolge (2) eines oder mehrerer der folgenden Materialien aufweist oder aus einem oder mehreren dieser Materialien besteht: Au, Ag, ITO, ZnO, Ni, Ge, Zn, Rh, Pd, Pt, Ti,
wobei der Basisbereich (31) überwiegend aus einem oder mehreren der folgenden Materialien besteht: Ag, Au, ITO, ZnO, Ni, Ge, Zn, Rh, Pd, Pt, Ti, Sn, W.
9. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem in der aktiven Zone (22) eine Strahlung mit einer Hauptwellenlänge λ emittiert wird und hinsichtlich einer mittleren Dicke D der Isolationsschicht (32) gilt:
Figure imgf000023_0001
wobei n der Brechungsindex der Isolationsschicht (32) bei der Hauptwellenlänge (λ) ist.
10. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem sich die Isolationsschicht (32) in Richtung hin zum Kontaktbereich (33) verjüngt.
11. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
der eine Vielzahl der Durchkontaktierungen (3) umfasst, wobei in Draufsicht gesehen mindestens 20 und höchstens 500 der Durchkontaktierungen (3) pro mm^ vorhanden sind.
12. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem
Materialsystem AlInGaP oder AlInGaAsP basiert.
13. Optoelektronischer Halbleiterchip (1) nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die zweite Seite p-dotiert ist und eine
Dotierschicht (23) sowie eine höher dotierte
Kontaktschicht (24) aufweist und die Dotierschicht (23) zwischen der Kontaktschicht (24) und der aktiven Zone (22) liegt,
wobei die mindestens eine Durchkontaktierung (3) bis in die Kontaktschicht (24) reicht.
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