WO2016204378A1 - 방사선 검출기 및 그 제조 방법 - Google Patents

방사선 검출기 및 그 제조 방법 Download PDF

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WO2016204378A1
WO2016204378A1 PCT/KR2016/002080 KR2016002080W WO2016204378A1 WO 2016204378 A1 WO2016204378 A1 WO 2016204378A1 KR 2016002080 W KR2016002080 W KR 2016002080W WO 2016204378 A1 WO2016204378 A1 WO 2016204378A1
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WO
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photodetector
active layer
scintillator
radiation
radiation detector
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PCT/KR2016/002080
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French (fr)
Inventor
강창구
하장호
오준호
김한수
김영수
정만희
Original Assignee
한국원자력연구원
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors

Definitions

  • the present invention relates to a radiation detector and a method of manufacturing the same.
  • scintillation type radiation detectors have a structure in which a scintillator for generating light when radiation is incident and a photodetector for detecting the generated light are combined.
  • the radiation detector includes a photodetector, and the photodetector is generally manufactured based on a thick and rigid semiconductor wafer made of silicon (Si) or germanium (Ge), and is combined with a separately produced scintillator to produce radiation. Configure the detector. Since the photodetector is manufactured based on a hard silicon semiconductor wafer, it cannot be bent or bent, and thus has a disadvantage in that the photodetector is restricted in the attachment surface shape of the scintillator when combined with the scintillator. In addition, since the thickness of the wafer itself is thick, there is a problem that the thickness of the radiation detector is increased by the thickness after attachment to the scintillator.
  • One object of the present invention is to propose a structure of a radiation detector in which the photodetector is not limited to the attachment surface shape of the scintillator and can have various shapes.
  • Another object of the present invention is to propose a method of manufacturing the radiation detector according to the present invention.
  • a radiation detector for realizing the above object, the scintillator for absorbing radiation; And a photodetector formed on the scintillator, wherein the photodetector comprises: a first contact electrode and a second contact electrode disposed at positions spaced apart from each other; And an active layer connecting between the first contact electrode and the second contact electrode and absorbing light to form an electron-hole pair, wherein the active layer can be coupled in a shape corresponding to the scintillator. It is formed of two-dimensional nanomaterials.
  • the two-dimensional nanomaterial includes at least one of graphene, graphene oxide, reduced graphene oxide and graphene quantum dots.
  • the two-dimensional nanomaterial has a chemical formula of MX 2 , M is one of the elements belonging to Groups 4 to 6 of the periodic table, X is sulfur (S), selenium ( Se) and tellurium (Te).
  • the photodetector further includes a passivation layer adhered to the active layer, supported by the contact electrodes, and limiting exposure of the active layer to the outside.
  • the light emitting device may further include an insulating layer interposed between the scintillator and the photodetector to block transmission of an electrical signal generated from the scintillator to the photodetector.
  • a method of manufacturing a radiation detector comprising: forming an active layer by transferring a two-dimensional nanomaterial on a scintillator; Forming two contact electrodes spaced apart from each other on a surface of the active layer; And patterning the active layer so that the active layer is positioned between the contact electrodes.
  • a method of manufacturing a radiation detector comprising: forming a photodetector including a two-dimensional nanomaterial on a silicon oxide substrate; A device transfer temporary substrate is formed on the photodetector, and the silicon oxide substrate is formed of SiO 2. Precipitating and removing the etching solution; And attaching the device transfer temporary substrate supporting the photodetector to a surface of a scintillator.
  • the forming of the photodetector on the silicon oxide substrate may include forming an active layer by transferring a two-dimensional nanomaterial on the silicon oxide substrate; Forming two contact electrodes spaced apart from each other on a surface of the active layer; And patterning the active layer so that the active layer is positioned between the contact electrodes.
  • a method of manufacturing a radiation detector includes: a drying step of removing moisture for removing the device transfer temporary substrate attached to a surface of the scintillator; And it may further comprise the step of chemical reaction by precipitation in acetone solution.
  • the photodetector can be formed using a two-dimensional nanomaterial including graphene can be thinner. Since the photodetector may have flexibility according to the characteristics of the two-dimensional nanomaterial including graphene, the photodetector is not limited by the shape of the scintillator when combined with the scintillator. Therefore, radiation detectors having various shapes can be manufactured.
  • the present invention attaches the photodetector to the scintillator using an element transfer temporary substrate, or by using a method of transferring the photodetector directly to the surface of the scintillator, a radiation detector can be manufactured without going through the process of using expensive semiconductor equipment. This can reduce manufacturing costs and time.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram schematically showing the structure of a radiation detector of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the structure of a radiation detector of the present invention
  • FIG. 3 is a perspective view showing a photodetector.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the photodetector cut in the line shown in FIG. 3 and viewed from the A direction.
  • FIG. 5 is a perspective view of a photodetector with a passivation layer bonded thereto;
  • FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating a process of manufacturing a photodetector.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram illustrating a process of forming a photodetector on a scintillator using an element transfer temporary substrate.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a process of forming a photodetector on a scintillator using an element transfer temporary substrate.
  • FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating a process of forming a photodetector on a scintillator.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating a process of forming a photodetector on a scintillator.
  • 11A and 11B are conceptual views illustrating examples of radiation detectors.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of a radiation measurement procedure incorporating the present invention.
  • FIG 1 and 2 show the structure of the radiation detector 100 of the present invention.
  • the radiation detector 100 refers to a device for measuring the type or intensity of radiation, energy, or exposure dose of a human body.
  • the radiation detector 100 is classified into a gaseous form, a liquid form, and a solid form according to the substance, and the solid form is again classified into a scintillator form and a semiconductor form.
  • the radiation detector 100 according to the present invention is classified as a scintillator type as a solid type.
  • the radiation detector 100 includes a scintillator 110 and a photodetector 120, and has a structure in which the scintillator 110 and the photodetector 120 are tightly coupled to each other.
  • the scintillator 110 refers to a material that emits light when the radiation hits, wherein scintillation refers to a phenomenon in which the material is excited to generate light.
  • the scintillator 110 absorbs the radiation energy and emits visible light while the electrons in the valence electron band are excited by the conduction band and then transition again.
  • the radiation absorbed by the scintillator 110 is a material that moves in a high energy state.
  • the radiation includes x-rays, ⁇ -rays, ⁇ -rays, and ⁇ -rays.
  • ⁇ -rays are produced in the nucleus structure, and ⁇ -rays are mass particles and have a high energy of more than a few tens of kilo electron volts (KeV).
  • the scintillator 110 is based on crystalline compounds such as LaBr 3 , LYSO, Gd 2 SiO 5 (GSO), Bi 4 Ge 3 O 12 (BGO), NaI, CsI, TlBr, HgI 2, and the like.
  • the scintillator 110 in the present invention may be configured by arbitrarily selecting one of them, and the shape of the scintillator 110 shown in the drawings is only one example, and is not limited thereto.
  • the scintillator 110 of the radiation detector 100 generates light when it absorbs radiation.
  • light means visible light.
  • the photodetector 120 absorbs light and converts the light into an electrical signal.
  • the amplifier then amplifies the electrical signal generated by the photodetector 120, and the current / voltage meter measures the amount of incident radiation using the amplified signal.
  • the photodetector 120 is based on a solid semiconductor wafer containing silicon (Si), and the process using expensive semiconductor equipment is repeated.
  • the process of attaching the separately prepared scintillator 110 to the photodetector 120 should be further performed.
  • the photodetector 120 has a relatively thick thickness of about 300 ⁇ 600 ⁇ m in the nature of the semiconductor wafer, has a disadvantage in that it is limited to the attachment surface shape of the scintillator 110 because it is manufactured based on the wafer has a solid characteristic.
  • the radiation detector 100 has a structure in which the insulating layer 111 is formed on the scintillator 110, and the photodetector 120 is formed thereon. That is, the insulating layer 111 is interposed between the scintillator 110 and the photodetector 120 to block the electrical signal generated directly from the scintillator 110 from being transmitted to the photodetector 120.
  • the photodetector 120 absorbs the light to generate an electrical signal, and measures radiation based on the electrical signal. If an electrical signal is generated directly from the scintillator 110, it is impossible to measure an accurate radiation dose. Therefore, the insulating layer 111 for blocking the electrical signal is positioned between the scintillator 110 and the photodetector 120 to accurately measure the radiation dose.
  • the insulating layer 111 may be formed to a thickness of about 30-50 nm.
  • the insulating layer 111 is formed of SiO 2 , Al 2 O 3 , HfO 2 Such as Oxide, SiN x , AlN x Or nitrides such as the like.
  • the insulating layer 111 will not be limited to the above materials as long as it blocks only an electrical signal.
  • the photodetector 120 using the two-dimensional nanomaterial as the material of the active layer 123 has flexibility by the characteristics of the material and can be modified to correspond to the shape of the scintillator 110, the shape of the surface of the scintillator 110 is attached. May not be restricted.
  • Two-dimensional nanomaterials are materials having a thickness of one or two atoms, or a combination thereof, and have a two-dimensional planar structure with little thickness.
  • Two-dimensional nanomaterials include those having the formula of graphene, graphene oxide, reduced graphene oxide, graphene quantum dot, and MX 2 .
  • the two-dimensional nanomaterial means at least one of them, and includes each individual material or a bond between them.
  • Graphite has a structure in which carbon layers are stacked in a hexagonal honeycomb structure, and graphene is a thin film in which carbon atoms are separated from graphite in a planar form.
  • graphene is a two-dimensional material composed of carbon atoms, has a honeycomb structure, is very stable physically and chemically, and has a charge mobility of 100 times higher than that of silicon (Si).
  • Graphene has a thickness of about one carbon atom (about 0.35 nm), high transparency, and excellent thermal and mechanical properties. Graphene has advantages such as high charge mobility, current density, excellent thermal conductivity and low calorific value, simple patterning process, flexibility, and elasticity, and thus, it is composed of the active layer 123 of the photodetector 120. It is possible to obtain the photodetector 120 is not limited to the shape of the).
  • Graphene oxide, reduced graphene oxide and graphene quantum dots have a thin film with carbon atoms spread out in a planar form and have a structure similar to graphene. When they receive light, they form electron-hole pairs to generate electrical signals. Due to the high charge mobility and flexibility, the active layer 123 of the photodetector 120 may be configured.
  • Graphene oxide (graphene oxide) is not an exact chemical structure, but the graphene is an oxidized form of oxygen in the graphene structure is bonded through the covalent bond at the top and the edge (edge) of the nano graphene Has a structure.
  • Graphene oxide is formed of an oxide oxidized graphite, and unlike graphite, it is possible to prepare a dispersion solution, so that a film may be formed through thinning.
  • Reduced graphene oxide means a reduced product obtained by reducing graphene oxide.
  • the reduced graphene oxide has a similar form and properties to graphene.
  • Graphene quantum dots refers to a material made in the form of dots of about 10nm or less in size in order to make the graphene conductor material into a semiconductor form. When the particles are tens of nm or less, electrons are trapped in the space wall, and the conductor material specifically uses semiconductor characteristics.
  • Two-dimensional nanomaterials include materials having the chemical formula MX 2 .
  • Transition metal dichalcogenide compounds which are layered compounds, have a chemical formula such as MX 2 , where M is one of the elements belonging to groups 4 to 6 of the periodic table, and X is sulfur as a chalcogen element. It is one of the elements consisting of (S), selenium (Se) and tellurium (Te).
  • MX 2 forms covalent bonds between M and X inside each layer, while bonds are formed between layers by van der Waals forces. Since the layered structure is flexible, the active layer 123 of the photodetector 120 may be configured.
  • the active layer 123 of the photodetector 120 may be formed of a material such as molybdenum disulfide (MoS 2 ), molybdenum disulphide (MoSe 2 ), tungsten disulfide (WS 2 ), or tungsten selenide (WSe 2 ). Can be.
  • MoS 2 molybdenum disulfide
  • MoSe 2 molybdenum disulphide
  • WS 2 tungsten disulfide
  • WSe 2 tungsten selenide
  • Molybdenum disulfide (MoS 2 ) is used in field effect transistors, phototransistors, double layer chemical sensors, logic circuits, memories, amplifiers, and the like. Molybdenum disulfide (MoS 2 ) is a material having a band gap of about 1.1 eV in bulk and about 1.55 eV as thin as a single layer, and has a layered structure. ⁇ 3 ⁇ m, with a thickness of about 3 to 80 nm.
  • 3 to 5 show a photodetector 120 included in the radiation detector 100.
  • a first contact electrode 121 and a second contact electrode 122 are formed at positions spaced apart from each other on the silicon oxide substrate 125, and the first contact electrode 121 and the second contact are formed.
  • the active layer 123 is connected between the electrodes 122.
  • the silicon oxide substrate 125 is formed by oxidizing a silicon (Si) substrate and is made of SiO 2 .
  • the configuration and shape of the first contact electrode 121 and the second contact electrode 122 may or may not be identical to each other.
  • the contact electrodes 121 and 122 may have various shapes, and are not limited to the shapes shown in the drawings.
  • the materials of the contact electrodes 121 and 122 are generally formed of palladium (Pd) and platinum (Pt) having good conductivity, but will not be limited only to the material.
  • the contact electrode has a structure in which the first contact electrode 121 and the second contact electrode 122 are disposed at different positions on the silicon oxide substrate 125.
  • the active layer 123 of the photodetector 120 is formed of a two-dimensional nanomaterial, and absorbs light generated from the scintillator 110 to form a movement path of electrons through the electron-hole pair.
  • the active layer 123 is made of a 2D nanomaterial and has a ductility or elasticity according to the characteristics of the 2D nanomaterial. Therefore, the photodetector 120 may be deformed to correspond to the attachment surface shape of the scintillator 110 and then coupled to the scintillator 110 to configure the radiation detector 100.
  • the photodetector 120 may include a passivation layer 124 to prevent the active layer 123 from being exposed to the outside.
  • the passivation layer 124 serves to prevent and protect the external exposure of the device.
  • the passivation layer 124 is in contact with the protruding first contact electrode 121, the second contact electrode 122, and the silicon oxide substrate 125, and is connected to the first contact electrode 121 and the second contact electrode 122. Supported by the active layer 123.
  • the passivation layer 124 is configured to have a predetermined shape in the drawing, this is only one example and may be formed in various shapes.
  • the passivation layer 124 is not an essential component of the photodetector 120, and even if the structure is removed, the passivation layer 124 may function as the photodetector 120.
  • the passivation layer 124 may be made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), but the material is not limited thereto.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the photodetector 120 cut in the line shown in FIG. 3 and viewed in the A direction.
  • the photodetector 120 is the first contact electrode 121 and the second contact electrode 122 on the silicon oxide (Si0 2 ) substrate, respectively It protrudes and has a structure in which an active layer 123 made of a two-dimensional nanomaterial is connected between two contact electrodes 121 and 122.
  • the active layer 123 may perform its function.
  • the active layer 123 may or may not be in contact with the silicon oxide substrate 125.
  • the active layer 123 may be configured in plural and may have different configurations.
  • the photodetector 120 may have a structure in which the active layers 123 formed of two or more two-dimensional nanomaterials are connected between the contact electrodes 121 and 122.
  • the structure of the radiation detector 100 including the photodetector 120 has been described.
  • a method of manufacturing the radiation detector 100 will be described.
  • FIG. 6 shows a conceptual diagram illustrating a process of manufacturing the photodetector 120.
  • the active layer 123 of the photodetector 120 is formed by forming a two-dimensional nanomaterial including graphene to a thickness of about one atom on a silicon oxide (Si0 2 ) substrate.
  • the two-dimensional nanomaterial including graphene is composed of the monolayer-thick active layer 123, the light transmittance is high, so that only 2 to 3% of light is absorbed. Therefore, in order to increase the light absorption of the active layer 123, the active layer 123 may be formed by stacking two-dimensional nanomaterials at least once.
  • the two protruding contact electrodes 121 and 122 are positioned at different positions, as shown in FIG. To form.
  • the contact electrodes 121 and 122 serve to receive an electrical signal emitted from the active layer 123 by absorbing light, and are typically copper (Cu), gold (Au), or platinum, which have good electrical conductivity. (Pt), palladium (Pt), etc. may be used, but if the metal is electrically conductive, it may be used as the material of the contact electrodes 121, 122.
  • the contact electrodes 121 and 122 are formed, as shown in FIG. 6C, except for two-dimensional nanomaterials including graphene interposed between the two contact electrodes 121 and 122, they are removed through a patterning process. Will be. Patterning means to form a desired one through the repeated etching process, the operator can form the active layer 123 to the desired shape through the patterning process. That is, the photodetector 120 including the contact electrodes 121 and 122 and the active layer 123 connecting thereto is positioned on the silicon oxide substrate 125 through the patterning process.
  • the photodetector 120 has a structure supported by the contact electrodes 121 and 122 while being in close contact with the active layer 123 as shown in FIG. 6D, and passivation to prevent the active layer 123 from being exposed to the outside.
  • Layer 124 may be further included.
  • the passivation layer 124 serves to protect the device by preventing exposure of the device in a manner that covers the device.
  • the passivation layer 124 is formed to a thickness of about 30 nm.
  • the passivation layer 124 is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), but will not be limited only to the material.
  • the photodetector 120 includes (a) transfer of two-dimensional nanomaterials including graphene, (b) formation of contact electrodes 121 and 122, and (c) patterning of the active layer 123. Produced through the step of (d) may optionally further include a passivation layer (124).
  • FIG. 7 illustrates a process of forming the photodetector 120 on the scintillator 110 using the device transfer temporary substrate 130.
  • the photodetector 120 When the photodetector 120 is formed on the silicon oxide substrate 125 through the steps of transferring a two-dimensional nanomaterial including graphene, forming contact electrodes 121 and 122, and patterning the active layer 123, device transfer.
  • the temporary substrate 130 is formed thereon.
  • the element transfer temporary substrate 130 is formed on the photodetector 120 in a structure that coats or covers the photodetector 120.
  • the device transfer temporary substrate 130 is formed in a thin plate within about 1 ⁇ m, and may support or hold the device, and may be flexible to bend.
  • the element transfer temporary substrate 130 serves to form the other member after attaching the element.
  • the device transfer temporary substrate 130 polymethylmethacrylate (PMMA) is generally used.
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • the photodetector 120 is formed using PMMA.
  • the device transfer temporary substrate 130 has no effect on the reaction between devices, and can be easily removed through a simple process after the transfer.
  • the silicon oxide substrate 125 supporting the photodetector 120 may be SiO 2. It is precipitated in an etching solution and chemically removed. Then, as shown in FIG. 7C, the photodetector 120 is attached to the device transfer temporary substrate 130. That is, the device transfer temporary substrate 130 has a structure in which the contact electrodes 121 and 122 and the active layer 123 of the photodetector 120 are held together.
  • the radiation detector 100 is completed.
  • the device transfer temporary substrate 130 may dry moisture. After the process is precipitated in acetone solution, a chemical reaction can be made in the acetone solution to be removed. Even when the device transfer temporary substrate 130 is removed, the photodetectors including the contact electrodes 121 and 122 and the active layer 123 may be coupled onto the scintillator 110 without any separate work.
  • the radiation detector 100 includes (a) forming a photodetector 120 including a two-dimensional nanomaterial on the silicon oxide substrate 125 (S100) and (b). Forming the photodetector 120 on the device transfer temporary substrate 130 (S110), (c) removing the silicon oxide substrate 125 (S120) (d) device transfer with the photodetector 120 attached
  • the temporary substrate 130 may be manufactured by attaching the temporary substrate 130 to the surface of the scintillator 110 (S130), and removing the device transfer temporary substrate (S140).
  • FIG 9 illustrates a process of forming the photodetector 120 directly on the scintillator 110.
  • each device of the photodetector 120 is directly formed on the scintillator 110 without separately manufacturing the photodetector 120, a separate photodetector attachment process is unnecessary, and thus the semiconductor process is not required. Since it is not necessary, the manufacturing process and manufacturing time can be shortened.
  • the radiation detector 100 may be manufactured by directly performing the process of FIG. 6 on the scintillator 110.
  • a two-dimensional nanomaterial including graphene is formed thereon.
  • contact electrodes 121 and 122 are formed thereon. If the contact electrodes 121 and 122 are formed, the radiation detector 100 is completed by patterning the active layer 123 to remove the two-dimensional nanomaterials including graphene. Thereafter, a passivation layer 124 may be formed to selectively protect the active layer 123.
  • the radiation detector 100 includes (a) forming an active layer 123 made of a two-dimensional nanomaterial on the scintillator 110 (S200), and (b) the active layer 123. Forming two contact electrodes 121 and 122 spaced apart from each other on the surface (S210) and (c) patterning the active layer 123 so that the active layer 123 is positioned between the contact electrodes 121 and 122. Step (S220) and (d) optionally can be manufactured through the step of forming the passivation layer 124.
  • the radiation detector 100 having the photodetectors 120 including the contact electrodes 121 and 122 and the active layer 123 on the scintillator 110 may be manufactured. Even when the photodetector 120 is directly formed on the scintillator 110, the active layer 123 of the photodetector 120 is composed of two-dimensional nanomaterials including graphene, and thus has flexible properties. The shape of the attachment surface is not restricted.
  • 11A and 11B show examples of the radiation detector 100 in which the photodetector 120 is coupled to various scintillators 110.
  • the photodetector 120 By configuring the two-dimensional nanomaterial including graphene as the active layer 123 of the photodetector 120, the photodetector 120 has a flexible flexibility. Accordingly, the photodetector 120 may be manufactured without being limited to the attachment surface shape of the scintillator 110, and thus, the radiation detector 100 having various shapes may be manufactured as shown in FIG. 11, and thus may be applied in various industrial fields. .
  • the scintillator 110 When radiation such as X-rays, ⁇ , ⁇ , and ⁇ rays are absorbed on the scintillator 110, the scintillator 110 generates visible light, and the photodetector 120 emits light generated from the scintillator 110 by two-dimensional nanomaterials. Absorbed through the active layer 123 formed to generate an electrical signal. The current generated by the photodetector 120 is amplified through an amplifier and then transferred to the current / voltage meter. The current / voltage meter then measures the current or voltage received to detect the radiation and measure the radiation dose.
  • radiation such as X-rays, ⁇ , ⁇ , and ⁇ rays
  • the invention can be used in the field of radiation detectors for detecting radiation.

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Abstract

본 발명은 방사선을 흡수하는 섬광체와 상기 섬광체에 형성되는 광검출기를 포함하고, 상기 광검출기는 서로 이격된 위치에 배치되는 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극 및 상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극의 사이에 연결되어 전자의 이동경로를 형성하는 활성층을 포함하며, 상기 활성층은 상기 섬광체의 형상에 대응하여 변형될 수 있도록, 연성을 부여하는 2차원 나노 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기를 제공한다.

Description

방사선 검출기 및 그 제조 방법
본 발명은 방사선 검출기와 그 제조 방법에 관한 것이다.
방사선을 측정하는 방사선 검출기에는 여러 종류가 있으나, 섬광체형 방사선 검출기는 방사선이 입사하면 빛을 발생시키는 섬광체와 그 발생된 빛을 검출하는 광검출기가 결합된 구조를 가지고 있다.
방사선 검출기는 광검출기를 포함하고, 광검출기는 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge) 등의 두께가 두꺼우면서 견고한 반도체 웨이퍼(wafer)를 기반으로 제작되는 것이 일반적이고, 별도로 제작한 섬광체와 결합시켜 방사선 검출기를 구성하게 된다. 통상적으로 광검출기는 딱딱한 실리콘 반도체 웨이퍼를 기반으로 제작되므로 휘어지거나 구부러질 수 없어, 섬광체와 결합할 때 섬광체의 부착면 형상에 제한을 받는다는 단점이 있다. 또한, 웨이퍼 자체의 두께가 두꺼우므로 섬광체에 부착 후에는 그 두께만큼 방사선 검출기의 두께가 증가되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 목적은, 광검출기가 섬광체의 부착면 형상에 제한을 받지 않아 다양한 형상을 가질 수 있는 방사선 검출기의 구조를 제안하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 본 발명에 따르는 방사선 검출기를 제조하는 방법을 제안하기 위한 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 실시예와 관련된 방사선 검출기는,방사선을 흡수하는 섬광체; 및 상기 섬광체에 형성되는 광검출기를 포함하고, 상기 광검출기는, 서로 이격된 위치에 배치되는 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극; 및 상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극의 사이를 연결하고 빛을 흡수하면 전자-정공 쌍을 형성하는 활성층을 포함하며, 상기 활성층은 상기 섬광체에 대응된 형상으로 결합될 수 있도록, 연성을 부여하는 2차원 나노 물질로 형성된다.
본 발명과 관련한 일 예에 따르면, 상기 2차원 나노 물질은 그래핀, 그래핀 옥사이드, 환원된 그래핀 옥사이드 및 그래핀 양자점 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 2차원 나노 물질은 MX2의 화학식을 가지고, 상기 M은 주기율표상 4 내지 6족에 속하는 원소들 중 하나이고, 상기 X는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루늄(Te) 중 하나이다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 광검출기는, 상기 활성층에 밀착되고, 상기 접촉 전극들에 의해 지지되며, 상기 활성층의 외부로의 노출을 제한하는 패시베이션층을 더 포함한다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 섬광체와 상기 광검출기 사이에 개재되어 상기 섬광체에서 발생한 전기적 신호가 상기 광검출기로 전달되는 것을 차단하는 절연층을 더 포함한다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따르는 방사선 검출기의 제조 방법은, 섬광체 상에 2차원 나노 물질을 전사하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 표면에 서로 이격된 두 개의 접촉 전극을 형성하는 단계; 및 상기 활성층을 패터닝하여 상기 접촉 전극들의 사이에 상기 활성층이 위치하도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르는 방사선 검출기의 제조 방법은, 2차원 나노 물질을 포함하는 광검출기를 실리콘옥사이드 기판 위에 형성하는 단계; 소자 전사 임시기판을 상기 광검출기 상에 형성시키고, 상기 실리콘옥사이드 기판을 SiO2 에칭용액에 침전시켜 제거하는 단계; 및 상기 광검출기를 지지하는 상기 소자 전사 임시기판을 섬광체의 표면에 부착하는 단계를 포함한다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르는 방사선 검출기의 제조 방법에서, 상기 광검출기를 실리콘옥사이드 기판 상에 형성하는 단계는, 실리콘옥사이드 기판 상에 2차원 나노 물질을 전사하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 표면에 서로 이격된 두 개의 접촉 전극을 형성하는 단계; 및 상기 활성층을 패터닝하여 상기 접촉 전극들의 사이에 상기 활성층이 위치하도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명에 관련한 다른 일 예에 따르는 방사선 검출기를 제조하는 방법은, 상기 섬광체의 표면에 부착된 상기 소자 전사 임시기판의 제거를 위하여 수분을 제거하는 건조 단계; 및 아세톤용액에 침전시켜 화학반응 시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 구성의 발명에 의하면, 광검출기는 그래핀을 포함한 2차원 나노 물질을 이용하여 형성될 수 있으므로 두께가 얇아질 수 있다. 그래핀을 포함한 2차원 나노 물질의 특성에 따라 광검출기는 유연성을 가질 수 있으므로, 광검출기는 섬광체와 결합할 때 섬광체의 형상에 제약을 받지 않게 된다. 따라서 다양한 형상을 가지는 방사선 검출기를 제작할 수 있다.
또한, 본 발명은 광검출기를 소자 전사 임시기판을 이용하여 섬광체에 부착하거나, 섬광체의 표면에 직접 광검출기를 전사하는 방식을 사용하여, 고가의 반도체 장비를 사용하는 공정을 거치지 않고 방사선 검출기를 제작할 수 있으므로 제조 비용과 시간을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명인 방사선 검출기의 구조를 개략적으로 나타내는 개념도.
도 2는 본 발명인 방사선 검출기의 구조를 나타내는 사시도.
도 3은 광검출기를 나타내는 사시도.
도 4는 광검출기를 도 3에 표시된 선으로 자르고, A 방향에서 바라본 단면도.
도 5는 패시베이션층이 결합된 광검출기의 사시도.
도 6은 광검출기를 제작하는 과정을 나타내는 개념도.
도 7은 소자 전사 임시기판을 사용하여 섬광체 상에 광검출기를 형성시키는 과정을 나타내는 개념도.
도 8은 소자 전사 임시기판을 사용하여 섬광체 상에 광검출기를 형성시키는 과정을 나타내는 흐름도.
도 9은 섬광체 상에 광검출기를 형성시키는 과정을 나타내는 개념도.
도 10은 섬광체 상에 광검출기를 형성시키는 과정을 나타내는 흐름도.
도 11a, 도 11b는 방사선 검출기의 예를 나타내는 개념도.
도 12은 본 발명을 포함하는 방사선 측정 과정의 개략도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 대해서 상세하게 설명한다.
본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일 ·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다. 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르지않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
도 1 및 도 2는 본 발명인 방사선 검출기(100)의 구조를 나타낸다.
일반적으로 방사선 검출기(100)는 방사선의 종류나 세기, 에너지나 인체의 피폭선량을 측정하는 장치를 의미한다. 방사선 검출기(100)는 물질에 따라 기체형, 액체형, 고체형으로 분류되며, 고체형은 다시 섬광체형, 반도체형으로 구분된다. 본 발명에 따르는 방사선 검출기(100)는 고체형으로서 섬광체형으로 분류된다. 방사선 검출기(100)는 섬광체(110)와 광검출기(120)를 포함하며, 섬광체(110)와 광검출기(120)가 밀착하여 결합된 구조를 가진다.
섬광체(110)는 방사선이 부딪힘으로써 섬광을 발하는 물질을 의미하는데, 여기서 섬광(scintillation)이란 물질이 여기(excite)되어 빛을 발생시키는 현상을 의미한다. 섬광체(110)는 방사선 에너지를 흡수하여 원자가 전자대에 있는 전자가 전도대로 여기(excite)되었다가 다시 천이하면서 가시광선을 방출하는 과정을 수행하게 된다.
섬광체(110)가 흡수하는 방사선은 높은 에너지 상태로 운동하는 물질이다. 방사선은 x선, α선, β선, γ선을 포함한다. γ선은 핵 구조에서 생성되고, α선은 질량이 있는 입자로 수십 킬로 전자볼트(KeV) 이상의 높은 에너지를 가진다.
일반적으로 섬광체(110)는 LaBr3, LYSO, Gd2SiO5(GSO), Bi4Ge3O12(BGO), NaI, CsI, TlBr, HgI2등 결정성 화합물을 기반으로 하는 것들이 이용된다. 본 발명에서의 섬광체(110)는 이들 중 하나를 임의로 선택하여 구성이 가능하며, 도면에서 나타난 섬광체(110)의 형상은 하나의 예일 뿐이고, 그 형상에 제한되지 않는다.
방사선 검출기(100)의 섬광체(110)는 방사선을 흡수하면 빛을 발생한다. 여기서 빛이란 가시광선을 의미한다. 광검출기(120)는 빛을 흡수하여 전기적인 신호로 바꾸는 역할을 한다. 그 후 증폭기는 광검출기(120)에서 발생한 전기적인 신호를 증폭하고, 전류/전압 측정기는 증폭된 신호를 이용하여 입사되는 방사선량을 측정하게 된다.
일반적으로 광검출기(120)는 실리콘(Si)를 포함하는 견고한 반도체 웨이퍼(wafer)를 기반으로 하고, 고가의 반도체 장비를 사용한 공정이 반복되어 제작된다. 그리고 방사선 검출기(100)를 제작하기 위해서는 별도로 제작된 섬광체(110)를 광검출기(120)에 부착하는 공정을 더 수행하여야 한다. 이러한 광검출기(120)는 반도체 웨이퍼 특성상 약 300~600㎛의 비교적 두꺼운 두께를 가지며, 웨이퍼를 기반으로 제작되어 견고한 특성을 가지므로 섬광체(110)의 부착 면 형상에 제약을 받는 다는 단점이 있다.
본 발명에 따르는 방사선 검출기(100)는 섬광체(110) 상에 절연층(111)이 형성되고, 그 위에 광검출기(120)가 형성되는 구조를 가진다. 즉, 절연층(111)은 섬광체(110)와 광검출기(120)의 사이에 개재되어 섬광체(110)에서 직접 발생한 전기적인 신호가 광검출기(120)로 전달되는 것을 차단하는 역할을 한다.
섬광체(110)가 방사선을 흡수하여 빛을 발생시키면, 광검출기(120)는 그 빛을 흡수하여 전기적인 신호를 발생시키고, 이 전기적인 신호를 근거로 방사선을 측정하게 된다. 만일 섬광체(110)에서 직접 전기적인 신호가 발생하게 된다면 정확한 방사선량을 측정할 수 없게 된다. 따라서 정확한 방사선량의 측정을 위해 섬광체(110)와 광검출기(120) 사이에는 전기적인 신호의 차단을 위한 절연층(111)이 위치하게 된다.
절연층(111)은 약 30~50nm의 두께로 형성될 수 있다. 절연층(111)은 SiO2, Al2O3, HfO2 등과 같은 산화물이나, SiNx , AlNx 등과 같은 질화물로 구성될 수 있다. 다만, 절연층(111)은 전기 신호만 차단한다면, 상기와 같은 물질에 한정되지는 않을 것이다.
2차원 나노 물질을 활성층(123)의 재료로 사용한 광검출기(120)는 그 재료의 특성에 의해 유연성을 가지게 되고, 섬광체(110)의 형상에 대응하여 변형 가능하므로 섬광체(110)의 부착면 형상에 제약을 받지 않을 수 있다.
2차원 나노 물질이란, 원자 하나 혹은 두 개의 두께를 가지는 물질 또는 그의 조합으로서 두께가 거의 없어 2차원 평면 구조를 가지는 것을 말한다. 2차원 나노 물질은 그래핀(graphene), 그래핀 옥사이드(graphene oxide), 환원된 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide), 그래핀 양자점(graphene quantum dot) 및 MX2의 화학식을 가지는 것을 포함한다. 본 발명에서 2차원 나노 물질은 이들 중 적어도 하나를 의미하며, 개별 물질 각각 혹은 그들 상호간의 결합을 포함한다.
흑연(graphite)은 탄소가 육각형의 벌집 모양으로 층층이 쌓여 있는 구조를 가지는데, 그래핀은 흑연에서 탄소층 하나를 박리해낸 것으로 탄소 원자들이 평면 형태로 펼쳐져 있는 얇은 막의 형태를 가진다. 즉, 그래핀은 탄소 원자로 구성된 2차원 물질로 벌집 모양의 구조를 가지고, 물리·화학적으로 매우 안정하며 실리콘(Si)보다 100배 이상 높은 전하 이동도를 가지는 물질을 말한다.
그래핀은 탄소 원자 하나의 두께(약 0.35nm)를 가지고, 높은 투명도를 가지며, 열·기계적 특성도 우수하다. 그래핀은 높은 전하 이동도, 전류 밀도, 뛰어난 열 전도도 및 낮은 발열량, 간단한 패터닝 공정 가능, 유연성, 신축성 등의 장점을 가지므로, 이를 광검출기(120)의 활성층(123)으로 구성하면 섬광체(110)의 형상에 제한을 받지 않는 광검출기(120)를 얻을 수 있게 된다.
그래핀 옥사이드, 환원된 그래핀 옥사이드 및 그래핀 양자점은 탄소 원자들이 평면 형태로 펼쳐져 있는 얇은 막의 형태를 가지며 그래핀과 유사한 구조를 가진다. 이들은 빛을 받으면, 전자-정공 쌍을 형성하여 전기적인 신호를 발생하는 역할을 하게 된다. 높은 전하 이동도 및 유연성으로 인해 광검출기(120)의 활성층(123)으로 구성될 수 있다.
그래핀 옥사이드(graphene oxide)는 그 화학 구조가 정확하게 규명되어 있지는 않지만, 그래핀이 산화된 형태로서 그래핀 구조에서 산소 작용기들이 나노 그래핀의 윗면과 끝(edge) 부분에서 공유 결합을 통해 결합된 구조를 가진다. 그래핀 옥사이드는 흑연을 산화시킨 산화물로 형성된 것으로 흑연과는 달리 분산 용액을 제조하는 것이 가능하므로 박막화를 통해 막이 형성될 수 있다.
그래핀 옥사이드의 분산 용액을 이용하여 그래핀 옥사이드의 박막화 후, 이를 환원시키면 얇은 층 형태의 그래핀을 형성하는 것이 가능하다. 이를 환원된 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide)라고 한다. 환원된 그래핀 옥사이드는 그래핀 옥사이드를 환원시켜 얻어진 환원물을 의미한다. 환원된 그래핀 옥사이드는 그래핀과 유사한 형태 및 물성을 가진다.
그래핀 양자점(graphene quantum dot)은 도체 물질인 그래핀을 반도체 형태로 만들기 위해서 크기를 약 10nm 이하의 점의 형태로 만든 물질을 말한다. 입자가 수십 nm 이하인 경우, 전자가 공간 벽에 갇혀 특이적으로 도체 물질이 반도체 적인 특성을 가지는 것을 이용한 것이다.
2차원 나노 물질은 MX2의 화학식을 가지는 물질을 포함한다. 층상 화합물인 전이금속 디찰코게나이드계 화합물(TMDs)은 MX2와 같은 화학식을 가지는데, 여기서 M은 주기율표상 4 내지 6족에 속하는 원소들 중 하나이고, X는 칼코겐(chalcogen)원소로서 황(S), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)으로 이루어지는 원소들 중 하나이다. MX2는 각층 내부의 M과 X 사이에서는 공유결합을 형성하는 반면, 층 간에는 반데르발스힘을 통해 결합이 이루어진다. 층상 구조를 가지기 때문에 유연성이 있으며, 광검출기(120)의 활성층(123)으로 구성이 가능한 것이다.
즉, 광검출기(120)의 활성층(123)은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 이황화텅스텐(WS2), 이셀레늄화텅스텐(WSe2) 등의 물질로 형성될 수 있다.
이황화몰리브덴(MoS2)의 경우, 전계효과 트랜지스터, 광 트랜지스터, 이중 층 화학 센서, 논리 회로, 메모리, 증폭기 등에 사용된다. 이황화몰리브덴(MoS2)은 벌크 상태에서 약 1.1 eV, 단일층으로 얇아짐에 따라 약 1.55 eV 수준의 밴드갭(band gap)을 갖는 물질로서 층상 구조를 이루고 있으며, 통상적으로 조각의 크기는 약 1~3㎛, 두께는 약 3~80nm를 가진다.
도 3 내지 도 5는 방사선 검출기(100)에 포함되는 광검출기(120)에 대하여 나타낸다.
광검출기(120)는 실리콘옥사이드 기판(125) 위의 서로 이격된 위치에 제1 접촉 전극(121)과 제2 접촉 전극(122)이 형성되어 있고, 제1 접촉 전극(121)과 제2 접촉 전극(122)의 사이에 활성층(123)이 연결되어 있는 구조를 가진다. 실리콘옥사이드 기판(125)은 실리콘(Si)기판을 산화시켜 형성하는 것으로 SiO2 로 이루어진다.
제1 접촉 전극(121)과 제2 접촉 전극(122)의 구성 및 형상은 서로 동일할 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다. 접촉 전극(121, 122)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 도면에 나타난 형상만으로 제한되지 않는다.
접촉 전극(121, 122)의 재료로는 주로 전도성이 좋은 팔라듐(Pd), 백금(Pt)으로 형성되는 것이 일반적이나, 그 재료에만 한정되지 않을 것이다. 접촉 전극은 실리콘옥사이드 기판(125) 상의 서로 다른 위치에 제1 접촉 전극(121)과 제2 접촉 전극(122)이 배치되는 구조를 가진다.
광검출기(120)의 활성층(123)은 2차원 나노 물질로 형성되는데, 섬광체(110)에서 발생한 빛을 흡수하여, 전자-정공 쌍을 통해서 전자의 이동 경로가 형성된다. 활성층(123)은 2차원 나노 물질로 이루어지고 2차원 나노 물질의 특성에 따라 휘어지는 연성 혹은 탄성을 가지게 된다. 따라서 광검출기(120)는 섬광체(110)의 부착면 형상에 대응하여 변형된 후 섬광체(110)에 결합하여 방사선 검출기(100)를 구성할 수 있게 된다.
도 5에서 나타나듯이, 광검출기(120)는 활성층(123)이 외부로 노출되지 않도록 하는 패시베이션층(124)을 포함할 수 있다.
패시베이션층(124)은 소자의 외부노출을 막아 보호하는 역할을 하는 것이다. 패시베이션층(124)은 돌출된 제1 접촉 전극(121) 및 제2 접촉 전극(122), 실리콘옥사이드 기판(125)에 접하면서, 제1 접촉 전극(121)과 제2 접촉 전극(122)에 의해 지지되고, 활성층(123)에 밀착되는 구조를 가진다.
도면에서 패시베이션층(124)을 일정한 형상이 있는 것으로 구성하였으나, 이는 하나의 예에 불과하며, 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. 패시베이션층(124)은 광검출기(120)에 있어서 필수적인 구성요소는 아니며, 이를 제거한 구조라도 광검출기(120)로서의 기능 수행이 가능하다. 패시베이션층(124)은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 이루어질 수 있으나, 그 재료에 한정되지는 않을 것이다.
도 3에 나타난 선으로 자르고, A 방향으로 바라본 광검출기(120)의 단면도는 도 4에 나타내었다. 도 4에 나타난 본 발명에 포함되는 광검출기(120)의 단면도를 살펴보면, 광검출기(120)는 실리콘옥사이드(Si02) 기판 위에서 제1 접촉 전극(121)과 제2 접촉 전극(122)이 각각 돌출되어 위치하고, 두 개의 접촉 전극(121, 122) 사이에 2차원 나노 물질로 이루어진 활성층(123)이 연결되어 있는 구조를 가진다.
활성층(123)은 두 개의 접촉 전극(121, 122)과 연결되어 있으면 그 기능을 수행할 수 있다. 활성층(123)은 실리콘옥사이드 기판(125)에는 접하고 있거나 접하지 않을 수 있다. 활성층(123)은 복수 개로 구성될 수 있으며, 서로 다른 구성을 가질 수 있다. 예를 들어 광검출기(120)는 접촉 전극(121, 122) 사이를 두 개 혹은 그 이상의 2차원 나노 물질로 형성되는 활성층(123)이 서로 연결하고 있는 구조를 가질 수 있다.
이상에서는 광검출기(120)를 포함하는 방사선 검출기(100)의 구조에 대해서 설명하였고, 이하에서는 방사선 검출기(100)의 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 6은 광검출기(120)를 제작하는 과정을 나타내는 개념도를 나타낸다.
도 6의 (a)를 보면, 실리콘옥사이드(Si02) 기판 위에 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질을 원자 하나 정도의 두께로 형성시켜 광검출기(120)의 활성층(123)을 구성하게 된다. 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질이 단원자 두께의 활성층(123)으로 구성되면, 빛 투과율이 높아 불과 2~3%의 빛만 흡수하게 된다. 따라서 활성층(123)의 빛 흡수율을 높이기 위해서 적어도 한번 이상 2차원 나노 물질을 적층시켜 활성층(123)을 형성할 수 있다.
실리콘옥사이드(Si02) 기판 위에 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질을 형성시킨 후에는 그 위에 도 6의 (b)에서 보는 바와 같이, 돌출된 2개의 접촉 전극(121, 122)을 서로 다른 위치에 형성시킨다.
접촉 전극(121, 122)은 활성층(123)이 빛을 흡수하고서 방출하는 전기적인 신호를 수용하는 역할을 하는 것으로, 통상적으로는 전기 전도성이 좋은 재료인 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pt) 등이 이용될 것이나, 전기 전도성이 있는 금속이라면 접촉 전극(121, 122)의 재료로 이용 가능할 것이다.
접촉 전극(121, 122)을 형성시킨 후에는 도 6의 (c)와 같이, 두 개의 접촉 전극(121, 122) 사이에 개재되는 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질 이외에는, 패터닝 과정을 통해 제거되게 된다. 패터닝이란 반복적으로 식각하는 과정을 통해 원하는 것을 형성하는 것을 의미하는 것으로서 운용자는 패터닝 과정을 통해서 활성층(123)을 원하는 형태로 형성시킬 수 있다. 즉, 패터닝 과정을 통해서 실리콘옥사이드 기판(125) 위에는 접촉 전극(121, 122)과 이를 연결하는 활성층(123)을 포함하는 광검출기(120)가 위치하게 된다.
광검출기(120)는 도 6의 (d)와 같이 활성층(123)에 밀착되면서 접촉 전극(121, 122)들에 의해 지지되는 구조를 가지며, 활성층(123)이 외부로 노출되는 것을 막기 위해 패시베이션층(124)을 더 포함할 수 있다.
패시베이션층(124)은 소자를 덮는 방식으로 소자의 노출을 방지하여 보호하는 역할을 한다. 패시베이션층(124)은 약 30nm의 두께로 형성된다. 본 발명에서 패시베이션층(124)은 산화알루미늄(Al2O3)으로 형성되었으나, 그 재료에만 한정되지는 않을 것이다.
즉, 광검출기(120)는 도 6에서와 같이 (a) 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질의 전사, (b) 접촉 전극(121, 122)의 형성, (c) 활성층(123)의 패터닝의 단계를 통해서 제작되고, (d) 선택적으로 패시베이션층(124)을 더 포함할 수 있다.
도 7은 소자 전사 임시기판(130)을 사용하여 섬광체(110) 상에 광검출기(120)를 형성시키는 과정을 나타낸다.
실리콘옥사이드 기판(125) 위에서 광검출기(120)가 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질의 전사, 접촉 전극(121, 122)의 형성, 활성층(123)의 패터닝의 단계를 거쳐 형성되면, 소자 전사 임시기판(130)을 그 위에 형성시킨다.
소자 전사 임시기판(130)은 광검출기(120)를 코팅하거나 위에서 덮는 구조로광검출기(120) 상에 형성되게 된다. 소자 전사 임시기판(130)은 약 1㎛ 이내의 얇은 판의 형태로 이루어졌고, 소자를 지지하거나 붙잡을 수 있으며, 연성이 있어 휘어질 수 있는 성질을 가진다. 소자 전사 임시기판(130)은 소자를 부착한 뒤, 다른 부재에 형성되도록 하는 역할을 한다.
소자 전사 임시기판(130)으로는 일반적으로 PMMA(polymethylmethacrylate)를 많이 사용한다. 본 발명에서 소자 전사 임시기판(130)을 이용해서 광검출기(120)를 섬광체(110)에 형성시킬 때에도 PMMA를 이용하여 형성하였다. 소자 전사 임시기판(130)은 소자들 간의 반응에는 아무런 영향을 미치지 않으며, 전사 후에 간단한 공정을 통해서 쉽게 제거될 수 있다.
소자 전사 임시기판(130)을 광검출기(120) 위에 형성시킨 후에는 광검출기(120)를 지지하고 있는 실리콘옥사이드 기판(125)을 SiO2 에칭 용액에 침전시켜 화학적으로 제거하는 공정을 거치게 된다. 그러면, 도 7의 (c)와 같이 소자 전사 임시기판(130)에 광검출기(120)가 부착된 상태가 된다. 즉, 소자 전사 임시기판(130)이 광검출기(120)의 접촉 전극(121, 122)과 활성층(123)을 붙잡고 있는 구조가 된다.
소자 전사 임시기판(130)을 도 7의 (d)와 같은 과정을 통해서 섬광체(110)의 절연체 상에 형성시키면 방사선 검출기(100)가 완성되는데, 소자 전사 임시기판(130)은 수분을 건조 시키는 과정을 거친 후 아세톤 용액에 침전시키면, 아세톤 용액 내에서 화학 반응이 이루어져 제거될 수 있다. 소자 전사 임시기판(130)이 제거되는 경우라도 접촉 전극(121, 122) 및 활성층(123)을 포함하는 광검출기는 별도의 작업이 없더라도 섬광체(110)상에 결합되어 있게 된다.
즉, 방사선 검출기(100)는 도 7과 도 8에서 보듯이, (a) 2차원 나노 물질을 포함하는 광검출기(120)를 실리콘옥사이드 기판(125) 위에 형성시키는 단계(S100), (b) 광검출기(120)를 소자 전사 임시기판(130) 위에 형성시키는 단계(S110), (c) 실리콘옥사이드 기판(125)을 제거하는 단계(S120) (d) 광검출기(120)가 부착된 소자 전사 임시기판(130)을 섬광체(110)의 표면에 부착하는 단계(S130), (e) 소자 전사 임시기판을 제거하는 단계(S140)를 통해서 제조될 수 있다.
도 9는 섬광체(110) 상에 직접 광검출기(120)를 형성시키는 과정을 나타낸다.
방사선 검출기(100)를 제작할 때, 광검출기(120)를 따로 제작하지 않고 섬광체(110) 상에 직접 광검출기(120)의 각 소자를 형성시킨다면 별도의 광검출기 부착과정이 불필요하여 반도체 공정을 거치지 않아도 되므로, 제조 공정과 제조 시간을 단축 시킬 수 있다.
방사선 검출기(100)는 도 6의 과정을 섬광체(110) 상에서 직접 수행하여 제작될 수 있다.
우선, 섬광체(110) 상에 절연층(111)이 형성되어 있다면, 그 위에 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질을 형성시킨다. 그리고 그 위에 접촉 전극(121, 122)을 형성시킨다. 접촉 전극(121, 122)이 형성되었다면, 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질을 제거하는 활성층(123) 패터닝 과정을 통해서 방사선 검출기(100)가 완성된다. 그 후, 선택적으로 활성층(123)을 보호하는 패시베이션층(124)을 형성시킬 수 있다.
도 9과 도 10을 참조하면, 방사선 검출기(100)는 (a) 섬광체(110) 상에 2차원 나노 물질로 이루어지는 활성층(123)을 형성시키는 단계(S200), (b) 활성층(123)의 표면에 서로 이격된 두 개의 접촉 전극(121, 122)을 형성하는 단계(S210), (c) 활성층(123)을 패터닝하여 접촉 전극(121, 122)들 사이에 활성층(123)이 위치하도록 하는 단계(S220) 및 (d) 선택적으로 패시베이션층(124)을 형성하는 단계를 통해서 제조될 수 있다.
위와 같은 과정을 통해서 섬광체(110) 상에 접촉 전극(121, 122)과 활성층(123)을 포함하는 광검출기(120)가 결합된 방사선 검출기(100)를 제조할 수 있다. 섬광체(110) 상에 직접 광검출기(120)를 형성시키는 경우에도 광검출기(120)의 활성층(123)은 그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질로 구성되어 유연한 성질을 가지므로 섬광체(110)의 부착면 형상에 제약을 받지 않게 된다.
도 11a 와 도 11b는 다양한 섬광체(110)에 광검출기(120)가 결합된 방사선 검출기(100)의 예를 나타낸다.
그래핀을 포함하는 2차원 나노 물질을 광검출기(120)의 활성층(123)으로 구성함으로써 광검출기(120)는 휘어질 수 있는 연성을 가진다. 이에 섬광체(110)의 부착면 형상에 제한을 받지 않는 광검출기(120)가 제작될 수 있고, 도 11과 같이 여러 형태를 가지는 방사선 검출기(100)를 제작 가능하므로 다양한 산업 분야에서 응용이 가능할 것이다.
방사선 검출기(100)를 다양한 형상으로 제작하면 방사선 검출기가 특정한 방향성을 가지지 않고 장비 운용자는 원하는 장소에 설치하여 방사선을 측정할 수 있으므로 방사선의 측정 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 생기게 된다. 구형의 섬광체(110) 상에 전하의 이동도가 빠른 다수의 광검출기(120)가 형성되면, 방사선에 의해 발생된 빛의 속도차를 감지해 낼 수 있을 정도의 시간 분해능을 가지므로, 장비 운용자는 방사선의 입사방향을 알아내고 방사선 이미징 작업을 수행할 수 있게 된다.
장비 운용자는 구형 또는 원기둥형의 방사선 검출기를 제작하여 이들을 네트워크형으로 배치시킨 후 빠른 속도로 방사선 맵핑(mapping) 작업을 할 수 있고, 국부적인 방사선량의 변화를 측정을 통해서 확인할 수 있게 될 것이다. 이러한 방사선 검출기는 동위원소 생산시설 안전관리, 방사선 폐기물 보안 모니터링, 군사용 방사선 3차원 지형도 작성 등에 효과적으로 활용 가능하다. 또한 대면적의 터널과 같은 장소에 방사선 검출기를 다수 부착하면, 차량이 지날 때 혹은 장비가 이동할 때 방사선을 빠르게 측정할 수 있다.
도 12는 방사선 검출기(100)를 포함하는 방사선 측정의 개략적인 순서를 나타내는 순서도이다.
X선, α, β, γ선과 같은 방사선이 섬광체(110) 상에 흡수되면, 섬광체(110)는 가시광선을 발생시키고, 광검출기(120)는 섬광체(110)에서 발생한 빛을 2차원 나노 물질로 형성된 활성층(123)을 통해서 흡수하여 전기적인 신호를 발생시키게 된다. 광검출기(120)가 발생시킨 전류는 증폭기를 통해서 증폭된 후 전류/전압 측정기 쪽으로 전달된다. 그 후 전류/전압 측정기는 전달받은 전류나 전압을 측정하여, 방사선을 탐지하고 방사선량을 측정하게 된다.
이상에서 설명된 방사선 검출기 및 방사선 검출기의 제조 방법은 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
본 발명은 방사선을 검출하기 위한 방사선 검출기 분야에서 사용될 수 있다.

Claims (9)

  1. 방사선을 흡수하는 섬광체; 및
    상기 섬광체에 형성되는 광검출기를 포함하고,
    상기 광검출기는,
    서로 이격된 위치에 배치되는 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극; 및
    상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극의 사이를 연결하고, 빛을 흡수하여 전자-정공 쌍을 형성하는 활성층을 포함하며,
    상기 활성층은 상기 섬광체에 대응된 형상으로 결합될 수 있도록, 연성을 부여하는 2차원 나노 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 2차원 나노 물질은 그래핀, 그래핀 옥사이드, 환원된 그래핀 옥사이드 및 그래핀 양자점 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 2차원 나노 물질은 MX2의 화학식을 가지고,
    상기 M은 주기율표상 4 내지 6족에 속하는 원소들 중 하나이며,
    상기 X는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루늄(Te) 중 하나인 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광검출기는,
    상기 활성층에 밀착되고, 상기 접촉 전극들에 의해 지지되며, 상기 활성층의 외부로의 노출을 제한하는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 섬광체와 상기 광검출기 사이에 개재되어 상기 섬광체에서 발생한 전기적 신호가 상기 광검출기로 전달되는 것을 차단하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  6. 섬광체 상에 2차원 나노 물질을 전사하여 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층의 표면에 서로 이격된 두 개의 접촉 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층을 패터닝하여 상기 접촉 전극들 사이에 상기 활성층이 위치하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기의 제조 방법.
  7. 2차원 나노 물질을 포함하는 광검출기를 실리콘옥사이드 기판 위에 형성하는 단계;
    소자 전사 임시기판을 상기 광검출기 상에 형성시키고, 상기 실리콘옥사이드 기판을 SiO2 에칭용액에 침전시켜 제거하는 단계; 및
    상기 광검출기를 지지하는 상기 소자 전사 임시기판을 섬광체의 표면에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 광검출기를 실리콘옥사이드 기판 상에 형성하는 단계는,
    실리콘옥사이드 기판 상에 2차원 나노 물질을 전사하여 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층의 표면에 서로 이격된 두 개의 접촉 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층을 패터닝하여 상기 접촉 전극들의 사이에 상기 활성층이 위치하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 섬광체의 표면에 부착된 상기 소자 전사 임시기판의 제거를 위하여,
    수분을 제거하는 건조 단계; 및
    아세톤용액에 침전시켜 화학반응이 이루어지도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기의 제조 방법.
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