WO2016194034A1

WO2016194034A1 - 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体

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Publication number: WO2016194034A1
Application number: PCT/JP2015/065523
Authority: WO
Inventors: 顕二吉田
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2015-05-29
Filing date: 2015-05-29
Publication date: 2016-12-08
Anticipated expiration: 2017-11-29
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Abstract

封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、を含み、上記化合物（Ｃ）は、下記式（１）により示される化合物を含む。

Description

封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体

　本発明は、封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体に関する。

　半導体装置は、たとえば基板上に搭載された半導体素子を、封止用樹脂組成物を用いて封止成形することにより形成される。このような封止用樹脂組成物として、たとえばエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物が用いられる場合がある。

　特許文献１には、エポキシ樹脂用硬化剤として用いられるフェノールノボラック縮合体に関する技術が記載されている。

特開平８－１４３６４８号公報

　半導体素子の封止を安定的に行うため、封止用樹脂組成物の成形性を向上させることが求められる。本発明者は、封止用樹脂組成物の成形性を評価するための指標の一つとして、封止成形時におけるカルトラレの抑制を検討した。カルトラレとは、封止成形工程において型開きを行う際にカルがプランジャまたは金型上に付着し、成形機の自動除去処理によっても除去することができず、カルが残存してしまう現象を指す。この場合、封止成形を止めて手動にてカルの除去を行う必要が生じる。このため、より安定的な封止成形を行うことが可能な、封止用樹脂組成物を実現することが求められていた。

　本発明によれば、
　エポキシ樹脂（Ａ）と、
　ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、
　フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、
　を含み、
　上記化合物（Ｃ）は、下記式（１）により示される化合物を含む封止用樹脂組成物が提供される。

　また、本発明によれば、基材と、上記基材上に搭載された半導体素子と、上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ上記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備える半導体装置が提供される。

　また、本発明によれば、基材と、上記基材上に搭載された複数の半導体素子と、上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ上記複数の半導体素子を封止する封止樹脂と、を備える構造体が提供される。

　本発明によれば、半導体素子の封止を安定的に行うことが可能となる。

　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。本実施形態に係る構造体の一例を示す断面図である。

　以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

　本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、を含む。また、化合物（Ｃ）は、下記式（１）により示される化合物を含む。

　本発明者は、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）として上記式（１）により示される化合物を含む場合に、カルトラレを抑制できることを新たに知見した。本実施形態は、このような新たな知見に基づいて、上記式（１）により示される化合物を含む封止用樹脂組成物を実現するものである。これにより、カルトラレを抑制して、封止用樹脂組成物の成形性を向上することができる。したがって、半導体素子の封止を安定的に行うことが可能となる。

　以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物、半導体装置１００、および構造体１０２について詳細に説明する。

　まず、封止用樹脂組成物について説明する。
　封止用樹脂組成物は、基材上に搭載された半導体素子を封止する封止樹脂を形成するために用いられる。封止用樹脂組成物を用いた封止成形は、とくに限定されないが、たとえばトランスファー成形法、または圧縮成形法により行うことができる。基材は、たとえばインターポーザ等の配線基板、またはリードフレームである。また、半導体素子は、ワイヤボンディングまたはフリップチップ接続等により、基材に電気的に接続される。

　封止用樹脂組成物を用いた封止成形により半導体素子を封止して得られる半導体装置としては、とくに限定されないが、たとえばＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＦ－ＢＧＡ（Ｌｅａｄ　Ｆｌａｍｅ　ＢＧＡ）が挙げられる。また、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、近年これらのパッケージの成形に多く適用されるＭＡＰ（Ｍｏｌｄ　Ａｒｒａｙ　Ｐａｃｋａｇｅ）成形により形成される構造体にも係るものである。この場合、基材上に搭載される複数の半導体素子を、封止用樹脂組成物を用いて一括して封止することにより上記構造体が得られる。

　封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、を含む。これにより、成形性に優れた封止用樹脂組成物を実現することができる。

（エポキシ樹脂（Ａ））
　エポキシ樹脂（Ａ）としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
　本実施形態において、エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂から選択される１種類または２種類以上を含むものである。これらのうち、耐湿信頼性と成形性のバランスを向上させる観点からは、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことがより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがとくに好ましい。

　エポキシ樹脂（Ａ）としては、下記式（４）で表されるエポキシ樹脂、下記式（５）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（６）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含有するものを用いることがとくに好ましい。

（式（４）中、Ａｒ^１はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ^１がナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ^２はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。Ｒ_ａおよびＲ_ｂは、それぞれ独立に炭素数１～１０の炭化水素基を表す。ｇは０～５の整数であり、ｈは０～８の整数である。ｎ^３は重合度を表し、その平均値は１～３である）

（式（５）中、複数存在するＲ_ｃは、それぞれ独立に水素原子または炭素数１～４の炭化水素基を表す。ｎ^５は重合度を表し、その平均値は０～４である）

（式（６）中、複数存在するＲ_ｄおよびＲ_ｅは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～４の炭化水素基を表す。ｎ^６は重合度を表し、その平均値は０～４である）

　本実施形態において、封止用樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して２質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、成形性のさらなる向上を図ることができる。
　一方で、封止用樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して４０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。

（ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ））
　ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）は、エポキシ樹脂と反応して硬化させる硬化剤として機能する。本実施形態においては、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）としては、下記式（７）により示されるものを用いることがより好ましく、下記式（８）により示されるものを用いることがとくに好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の成形性をより効果的に向上させることができる。

（式（７）中、Ｒ_ｆおよびＲ_ｇは、水素、炭素数１～４のアルキル基、またはアリール基である。各Ｒ_ｆは互いに同一であっても異なっていてもよく、各Ｒ_ｇは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ^７は重合度を示し、その平均値は１～５の整数である）

（式（８）中、ｎ^８は重合度を示し、その平均値は１～５の整数である）

　本実施形態において、封止用樹脂組成物中におけるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましい。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、成形性のさらなる向上を図ることができる。
　一方で、封止用樹脂組成物中におけるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して２０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましい。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。

　本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、硬化剤として、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）以外の他の成分をさらに含んでいてもよい。他の成分としては、たとえばエチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２～２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、４，４'－ジアミノジフェニルメタン、４，４'－ジアミノジフェニルプロパン、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、４，４'－ジアミノジフェニルスルホン、４，４'－ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４－アミノフェニル）フェニルメタン、１，５－ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１－ビス（４－アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミン類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類が挙げられる。
　硬化剤として上記ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）以外の他の成分を含む場合、硬化剤全体に対し、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）が２０質量％以上含まれることが好ましく、３０質量％以上含まれることがより好ましく、５０質量％以上含まれることがさらに好ましい。

（フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ））
　封止用樹脂組成物は、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）を含む。これにより、封止用樹脂組成物の硬化特性を調製して、成形性や耐湿信頼性のバランスをより効果的に向上させることが可能となる。なお、本明細書において、封止用樹脂組成物中にフェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）を含むとは、封止用樹脂組成物全体に対して１ｐｐｍ以上含む場合を指す。

　本実施形態において、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１ｐｐｍ以上であることが好ましく、５ｐｐｍ以上であることがより好ましい。また、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して３０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、２５００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。化合物（Ｃ）の含有量をこのような範囲とすることにより、プランジャまたは金型に接触している樹脂硬化物の架橋状態を適切な状態に保つことが可能となり、カルトラレの現象を効率的に低減することができる。
　なお、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）の含有量は、たとえばガスクロマトグラフィーにより分析することが可能である。以下、下記式（１）により示される化合物、下記式（２）により示される化合物（Ｄ）、および下記式（３）により示される化合物（Ｅ）それぞれの含有量について同様である。

　フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）は、下記式（１）により示される化合物を含む。これにより、封止成形時におけるカルトラレを抑制することができ、成形性に優れた封止用樹脂組成物を実現することができる。なお、本明細書中において、化合物（Ｃ）中に下記式（１）により示される化合物を含むとは、化合物（Ｃ）全体に対して１ｐｐｍ以上含む場合を指す。

　本実施形態において、上記式（１）により示される化合物の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１０ｐｐｍ以上であることが好ましく、１５ｐｐｍ以上であることがより好ましく、２５ｐｐｍ以上であることがさらに好ましい。上記式（１）により示される化合物の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止成形時におけるカルトラレを効果的に抑制し、封止用樹脂組成物の成形性のさらなる向上を図ることができる。このように、カルトラレをさらに効果的に抑制するためには、一定量以上の上記式（１）により示される化合物を、封止用樹脂組成物中に含むことが好ましい。これは、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）の合成を、後述する本実施形態に係る方法により行うことにより実現することが可能である。
　一方で、上記式（１）により示される化合物の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して３００ｐｐｍ以下であることが好ましく、２００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｍ以下であることがとくに好ましい。上記式（１）により示される化合物の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物について、成形性と硬化性の間におけるバランスを向上させることが可能となる。

　本実施形態において、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）は、上記式（１）により示される化合物以外の他の化合物をさらに含んでいてもよい。このような他の成分としては、たとえば下記式（９）により示される化合物や、下記式（１０）により示される化合物が挙げられる。このような他の成分をさらに含むことにより、封止用樹脂組成物の硬化特性を調整することをさらに容易とすることができる。

（式（２）により示される化合物（Ｄ））
　本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえば下記式（２）により示される化合物（Ｄ）をさらに含んでいてもよい。これにより、封止成形時におけるカルトラレをより効果的に抑制し、成形性のさらなる向上を図ることができる。また、硬化特性の調整をさらに容易として、成形性と耐湿信頼性のバランスに寄与することもできる。なお、本明細書中において、封止用樹脂組成物中に化合物（Ｄ）を含むとは、封止用樹脂組成物全体に対して１ｐｐｍ以上含む場合を指す。

　本実施形態において、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して３０ｐｐｍ以上であることが好ましく、４０ｐｐｍ以上であることがより好ましい。また、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して８００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。上記式（２）により示される化合物（Ｄ）の含有量を上記範囲内とすることにより、封止成形時におけるカルトラレをより効果的に抑制し、封止用樹脂組成物の成形性のさらなる向上を図ることができる。また、封止用樹脂組成物について、成形性と硬化性の間におけるバランスを向上させることが可能となる。

（式（３）により示される化合物（Ｅ））
　本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえば下記式（３）により示される化合物（Ｅ）をさらに含んでいてもよい。これにより、封止成形時におけるカルトラレをより効果的に抑制し、成形性のさらなる向上を図ることができる。なお、本明細書中において、封止用樹脂組成物中に化合物（Ｅ）を含むとは、封止用樹脂組成物全体に対して１ｐｐｍ以上含む場合を指す。

　本実施形態において、上記式（３）により示される化合物（Ｅ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１ｐｐｍ以上であることが好ましく、３ｐｐｍ以上であることがより好ましい。また、上記式（３）により示される化合物（Ｅ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して５０ｐｐｍ以下であることが好ましく、３０ｐｐｍ以下であることがより好ましい。上記式（３）により示される化合物（Ｅ）の含有量を上記範囲内とすることにより、封止成形時におけるカルトラレをより効果的に抑制しつつ、封止用樹脂組成物の硬化特性のさらなる向上を図ることが可能となる。

　本実施形態においては、とくに上記式（１）、上記式（２）および上記式（３）に示すような、芳香環を４つ以上有するビフェニル化合物であって、フェノール性水酸基が２以下と少ないものであり、かつ少なくとも一方の末端に位置する芳香環がフェノール性水酸基を有していないものを封止用樹脂組成物中に含むことができる。このような化合物は、型開き時におけるプランジャや金型に対する離型性を向上させる機能を有するものと推測される。本発明者は、このような知見に基づいて封止用樹脂組成物の型開き時における離型性を向上させることにより、封止成形時におけるカルトラレの抑制を実現するに至った。
　このような観点から、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）である上記式（１）により示される化合物に加え、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）および上記式（３）により示される化合物（Ｅ）のうちの少なくとも一方をさらに含むことが、カルトラレをより効果的に抑制するためにはとくに好ましい。これにより、封止成形をより安定的に行うことが可能な封止用樹脂組成物を実現することが可能となる。

　本実施形態においては、たとえばフェノール類と、４，４'－ビスクロロメチルビフェニル等のビスハロゲノメチルビフェニルと、を縮重合させて得られる反応生成物に対して未反応分の留去処理、および水洗処理を行うことにより、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とフェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）を含む混合物を得ることができる。このとき、未反応分の留去処理、および水洗処理の条件を適切に調整することにより、上記式（１）により示される化合物を含む上記混合物を得ることが可能となる。また、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）や上記式（１）により示される化合物それぞれの含有量を制御することも可能となる。本実施形態において、未反応分の留去処理は、たとえば低分子量分を除去する手法により行うことができる。低分子量分を除去する手法としては、たとえば汎用の減圧蒸留の手法において温度や減圧度を適切に設定することにより行ってもよく、水蒸気蒸留、分子蒸留、またはＧＰＣカラム等による分取、分画等の手法を適用してもよい。特に上記式（１）により示される化合物等を適切な量含有させるためには、上記通常の低分子量分除去する手法で低分子量分を一旦除去した後、除去した低分子量分を蒸留して分留し、再度母体に添加する手法を採用することも好ましい。また、水洗処理においては、たとえば反応生成物中に蒸留水を加えて振とうした後に水層を棄却する操作（水洗）を数回行えばよい。なお、フェノール類としては、たとえばフェノール、クレゾール、メチルフェノール、ｎ－プロピルフェノール、キシレノール、メチルブチルフェノール、シクロペンチルフェノール、およびシクロヘキシルフェノールから選択される１種類または２種類以上を用いることができる。
　また、未反応分の留去処理、および水洗処理の条件を、さらに高度に制御することにより、上記式（１）により示される化合物に加えて、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）と、上記式（３）により示される化合物（Ｅ）と、をさらに含む上記混合物を得ることも可能となる。また、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）と上記式（３）により示される化合物（Ｅ）それぞれの含有量を制御することも可能となる。

（充填剤（Ｆ））
　封止用樹脂組成物は、たとえば充填剤（Ｆ）をさらに含むことができる。充填材（Ｆ）としては、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができ、たとえば溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素等の無機充填材、オルガノシリコーンパウダー、ポリエチレンパウダー等の有機充填材が挙げられる。これらのうち、溶融球状シリカを用いることがとくに好ましい。これらの充填材は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　また、充填材（Ｆ）の形状としては、とくに限定されないが、封止用樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えつつ、充填材の含有量を高める観点から、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。

　本実施形態において、充填剤（Ｆ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して３５質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、６５質量％以上であることがとくに好ましい。充填剤（Ｆ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂の低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、耐湿信頼性や耐リフロー性をより効果的に向上させることができる。
　一方で、充填剤（Ｆ）の含有量は、９５質量％以下であることが好ましく、９３質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以下であることがとくに好ましい。充填剤（Ｆ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性の低下にともなう成形性の低下や、高粘度化に起因したボンディングワイヤ流れ等を抑制することが可能となる。

（硬化促進剤（Ｇ））
　封止用樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤（Ｇ）をさらに含むことができる。硬化促進剤（Ｇ）は、エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ基と、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）のフェノール性水酸基と、の架橋反応を促進させるものであればよく、たとえば一般の封止用エポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。
　本実施形態において、硬化促進剤（Ｇ）は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン－７、ベンジルジメチルアミン、２－メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、上記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、成形性と硬化性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。

　封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。

　封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（１３）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（１３）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１～３の数、ｚは０～３の数であり、かつｘ＝ｙである。）

　一般式（１３）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（１３）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（１３）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。

　封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式（１４）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（１４）において、Ｒ^８は炭素数１～３のアルキル基、Ｒ^９はヒドロキシル基を表す。ｆは０～５の数であり、ｇは０～３の数である。）

　一般式（１４）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。

　封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式（１５）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（１５）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ^１０、Ｒ^１１およびＲ^１２は炭素数１～１２のアルキル基または炭素数６～１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５は水素原子または炭素数１～１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^１４とＲ^１５が結合して環状構造となっていてもよい。）

　ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１～６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。

　また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ－ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。

　ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。

　一般式（１５）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ^１０、Ｒ^１１およびＲ^１２がフェニル基であり、かつＲ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５が水素原子である化合物、すなわち１，４－ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。

　封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（１６）で表される化合物等が挙げられる。

（上記一般式（１６）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８およびＲ^１９は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｒ^２０は、基Ｙ^２およびＹ^３と結合する有機基である。式中Ｒ^２１は、基Ｙ^４およびＹ^５と結合する有機基である。Ｙ^２およびＹ^３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ^２およびＹ^３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ^４およびＹ^５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ^４およびＹ^５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ^２０、およびＲ^２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４およびＹ^５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ^１は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）

　一般式（１６）において、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８およびＲ^１９としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、ｎ－オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。

　また、一般式（１６）において、Ｒ^２０は、Ｙ^２およびＹ^３と結合する有機基である。同様に、Ｒ^２１は、基Ｙ^４およびＹ^５と結合する有機基である。Ｙ^２およびＹ^３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ^２およびＹ^３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ^４およびＹ^５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ^４およびＹ^５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｒ^２０およびＲ^２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、およびＹ^５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（１６）中の－Ｙ^２－Ｒ^２０－Ｙ^３－、およびＹ^４－Ｒ^２１－Ｙ^５－で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも２個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２－ジヒドロキシナフタレン、２，３－ジヒドロキシナフタレン、２，２'－ビフェノール、１，１'－ビ－２－ナフトール、サリチル酸、１－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２－ヒドロキシベンジルアルコール、１，２－シクロヘキサンジオール、１，２－プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２－ジヒドロキシナフタレン、２，３－ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。

　また、一般式（１６）中のＺ^１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。

　ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３－ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド－メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。

　本実施形態において、硬化促進剤（Ｇ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．１５質量％以上であることがとくに好ましい。硬化促進剤（Ｇ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止成形時における硬化性を効果的に向上させることができる。
　一方で、硬化促進剤（Ｇ）の含有量は、封止用樹脂組成物全体に対して１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｇ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止成形時における流動性の向上を図ることができる。

（その他の成分（Ｈ））
　封止用樹脂組成物には、必要に応じて、たとえばカップリング剤、離型剤、イオン捕捉剤、低応力成分、難燃剤、着色剤、および酸化防止剤等の各種添加剤のうち１種以上を適宜配合することができる。
　カップリング剤は、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、本願発明の効果をより効果的に発現するものとして、エポキシシランまたはアミノシランを含むことがより好ましく、２級アミノシランを含むことが流動性等の観点からとくに好ましい。離型剤は、たとえばカルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類、ならびにパラフィンから選択される１種類または２種類以上を含むことができる。イオン捕捉剤は、たとえばハイドロタルサイトを含む。低応力成分は、たとえばシリコーンゴムを含む。難燃剤は、たとえば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼンから選択される１種類または２種類以上を含むことができる。着色剤は、たとえばカーボンブラックを含む。

　封止用樹脂組成物としては、たとえば前述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕したもの、粉砕後にタブレット状に打錠成型したもの、また必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したもの等を用いることができる。

　次に、半導体装置１００について説明する。
　図１は、本実施形態に係る半導体装置１００の一例を示す断面図である。半導体装置１００は、基材１０と、基材１０上に搭載された半導体素子２０と、半導体素子２０を封止する封止樹脂３０と、を備えた半導体パッケージである。図１においては、半導体装置１００がＢＧＡパッケージである場合が例示されている。この場合、基材１０のうち半導体素子２０を搭載する表面とは反対側の裏面には、複数の半田ボール５０が設けられる。
　半導体素子２０は、ボンディングワイヤ４０を介して基材１０へ電気的に接続される。一方で、半導体素子２０は、基材１０上にフリップチップ実装されていてもよい。

　本実施形態において、封止樹脂３０は、上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。これにより、半導体素子２０の封止に際して、カルトラレが生じることを抑制することができる。このため、より安定的な半導体装置１００の製造を実現することが可能となる。封止樹脂３０は、たとえば封止用樹脂組成物をトランスファー成形法または圧縮成形法等の公知の方法を用いて封止成形することにより形成される。

　次に、構造体１０２について説明する。
　図２は、本実施形態に係る構造体１０２の一例を示す断面図である。構造体１０２は、ＭＡＰ成形により形成された成形品である。このため、構造体１０２を半導体素子２０毎に個片化することにより、複数の半導体パッケージが得られることとなる。
　構造体１０２は、基材１０と、複数の半導体素子２０と、封止樹脂３０と、を備えている。複数の半導体素子２０は、基材１０上に配列されている。図２においては、各半導体素子２０が、ボンディングワイヤ４０を介して基材１０に電気的に接続される場合が例示されている。しかしながら、これに限られず、各半導体素子２０は、基材１０に対してフリップチップ実装されていてもよい。なお、基材１０および半導体素子２０は、半導体装置１００において例示したものと同様のものを用いることができる。

　封止樹脂３０は、複数の半導体素子２０を封止している。封止樹脂３０は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。これにより、封止成形に際して、カルトラレが生じることを抑制することができる。このため、構造体１０２およびこれを個片化して得られる半導体装置を、より安定的に製造することが可能となる。封止樹脂３０は、たとえば封止用樹脂組成物をトランスファー成形法または圧縮成形法等の公知の方法を用いて封止成形することにより形成される。

　次に、本発明の実施例について説明する。

（ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）およびフェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）の合成）
（合成例１）
　まず、セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、および窒素導入口を装着した。次いで、フェノール（関東化学（株）製特級試薬、「フェノール」、融点４１℃、分子量９４、純度９９．３％）５１７質量部、あらかじめ粒状に砕いた４，４'－ビスクロロメチルビフェニル（和光純薬工業（株）製、「４，４'－ビスクロロメチルビフェニル」、融点１２６℃、純度９５％、分子量２５１）２５１質量部を、上記セパラブルフラスコに秤量し、窒素置換しながら加熱し、フェノールの溶融の開始に併せて攪拌を開始した。次いで、系内温度を６５℃にして３時間反応させた後、９０ｋＰａに減圧しつつ８０℃１時間反応を行った。次いで、系内温度を７０℃に下げ、クエン酸三ナトリウムを６質量部添加し、３０分撹拌した。次いで、加温した蒸留水１００質量部を加えて１４０℃まで昇温した後、１ｋＰａで１時間、さらに１８０℃、０．２ｋＰａで１時間未反応分を留去した。なお、この未反応分の留去より得られた留分は保存した。さらに、一旦取りだした生成物をトルエン５００質量部に均一溶解させた。これを分液漏斗に移して蒸留水１５０質量部を加えて振とうした後に水層を棄却する操作（水洗）を２回行った。その後、トルエンを留去して得られた生成物のガスクロマトグラフィーによる分析を行い、別途上記未反応分を水洗し、分子蒸留することにより低分子量分等を除去して得られたものを当該生成物に添加した。このようにして、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、下記式（２）により示される化合物（Ｄ）と、下記式（３）により示される化合物（Ｅ）と、を含む混合物を得た。
　得られた上記混合物において、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｃ）の含有量は、１．０質量％であった。また、化合物（Ｃ）は、下記式（１）により示される化合物を含んでいた。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する下記式（１）により示される化合物の含有量は、７２０ｐｐｍであった。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｄ）の含有量は、１９００ｐｐｍであった。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｅ）の含有量は、１２０ｐｐｍであった。なお、化合物（Ｃ）、式（１）により示される化合物、化合物（Ｄ）、および化合物（Ｅ）それぞれの含有量は、ガスクロマトグラフィーにより分析した。以下、合成例２～４について同様である。

（合成例２）
　分子蒸留した未反応分の添加量を変更した以外は、合成例１と同様にして、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）と、上記式（３）により示される化合物（Ｅ）と、を含む混合物を得た。得られた上記混合物において、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｃ）の含有量は、１．５質量％であった。また、化合物（Ｃ）は、上記式（１）により示される化合物を含んでいた。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する上記式（１）により示される化合物の含有量は、１０００ｐｐｍであった。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｄ）の含有量は、２６３０ｐｐｍであった。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｅ）の含有量は、１６０ｐｐｍであった。

（合成例３）
　分子蒸留した未反応分の添加量を変更した以外は、合成例１と同様にして、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）と、上記式（３）により示される化合物（Ｅ）と、を含む混合物を得た。得られた上記混合物において、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｃ）の含有量は、０．７質量％であった。また、化合物（Ｃ）は、上記式（１）により示される化合物を含んでいた。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する上記式（１）により示される化合物の含有量は、５００ｐｐｍであった。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｄ）の含有量は、１３１０ｐｐｍであった。ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｅ）の含有量は、８０ｐｐｍであった。

（合成例４）
　まず、攪拌機と冷却器の付いたフラスコに、フェノール５６４質量部、およびビス（メトキシメチル）ビフェニル４８４質量部を仕込み、これに硫酸ジエチル１５．４質量部を滴下した。次いで、系内温度を１６０℃に保ちながら３時間反応させた。その間、生成するアルコールを留去した。反応終了後冷却し、水洗を３回行った。油層を分離し、減圧蒸留により未反応フェノールを留去することにより、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、を含む混合物を得た。なお、本合成例では、分子蒸留した未反応分の添加は行わなかった。得られた上記混合物において、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）に対する化合物（Ｃ）の含有量は、０．６質量％であった。
　一方で、上記混合物中には、上記式（２）により示される化合物（Ｄ）と、上記式（３）により示される化合物（Ｅ）と、が含まれていなかった。ここで、混合物中に含まれていないとは、混合物全体に対する含有量が１ｐｐｍ未満である場合を指す。また、化合物（Ｃ）には、上記式（１）により示される化合物が含まれていなかった。

（封止用樹脂組成物）
　実施例１～４および比較例１～２のそれぞれについて、以下のように封止用樹脂組成物を調整した。まず、表１に示す配合に従い、各成分を、ミキサーを用いて１５～２８℃で混合した後、７０～１００℃でロール混練した。次いで、これを冷却し、粉砕して封止用樹脂組成物を得た。なお、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）、化合物（Ｃ）、化合物（Ｄ）および化合物（Ｅ）について、実施例１および実施例２では合成例１にて得られた上記混合物を、実施例３では合成例２にて得られた上記混合物を、実施例４では合成例３にて得られた上記混合物を、比較例１および比較例２では合成例４にて得られた上記混合物を、それぞれ使用した。
　表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。なお、表１に示す各成分の配合割合は、全て封止用樹脂組成物全体に対する配合割合（質量％またはｐｐｍ）を指す。

（エポキシ樹脂（Ａ））
エポキシ樹脂１：フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（ＮＣ－２０００、日本化薬（株）製）
エポキシ樹脂２：ビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ４０００Ｋ、三菱化学（株）製）

（ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ））
ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂１：上記合成例１により合成されたビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）
ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂２：上記合成例２により合成されたビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）
ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂３：上記合成例３により合成されたビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）
ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂４：上記合成例４により合成されたビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）

（フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ））
化合物（Ｃ１）：上記合成例１により合成された化合物（Ｃ）
化合物（Ｃ２）：上記合成例２により合成された化合物（Ｃ）
化合物（Ｃ３）：上記合成例３により合成された化合物（Ｃ）
化合物（Ｃ４）：上記合成例４により合成された化合物（Ｃ）

（充填剤（Ｆ））
充填剤１：球状溶融シリカ（電気化学工業製、ＦＢ５６０（平均粒径３０μｍ））
充填剤２：球状溶融シリカ（（株）アドマテックス製、ＳＯ－２５Ｒ（平均粒径０．５μｍ））

（硬化促進剤（Ｇ））
硬化促進剤１：下記式（１１）で示される化合物
硬化促進剤２：下記式（１２）で示される化合物
［硬化促進剤１の合成方法］
　冷却管及び攪拌装置付きのセパラブルフラスコにベンゾキノン６．４９ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１７．３ｇ（０．０６６ｍｏｌ）およびアセトン４０ｍｌを仕込み、攪拌下、室温で反応した。析出した結晶をアセトンで洗浄後、ろ過、乾燥し暗緑色結晶の硬化促進剤１を得た。
［硬化促進剤２の合成方法］
　冷却管及び攪拌装置付きのセパラブルフラスコに２,３‐ジヒドロキシナフタレン１２．８１ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、テトラフェニルホスホニウムブロミド１６．７７ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍｌを仕込み攪拌し、均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｌ）を１０ｍｌのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶をろ過、水洗、真空乾燥し、硬化促進剤２を得た。

（その他の成分（Ｈ））
カップリング剤１：Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ－５７３）
カップリング剤２：３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ－４０３）
イオン捕捉剤：ハイドロタルサイト（協和化学工業（株）製、ＤＨＴ－４Ｈ）
離型剤１：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ（株）製、ニッコウカルナバ）
離型剤２：ウレタン変性酸化ポリエチレンワックス（日本精蝋（株）製、ＮＳＰ－６０１０Ｐ）
着色剤：カーボンブラック（三菱化学（株）製、ＭＡ－６００）

（成形性評価）
　実施例１～４および比較例１～２のそれぞれについて、得られた封止用樹脂組成物により、低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力１００ｋｇ／ｃｍ^２、予熱３秒、注入時間７秒、硬化時間４５秒の条件で、８０ピン　Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ（８０ｐＱＦＰ、Ｃｕ製リードフレーム、パッケージ寸法１４ｍｍ×２０ｍｍ×２．０ｍｍｔ）を５００ショットまで封止成形した。ここで、５００ショット中において、型開き時にカル（封止用樹脂組成物の残存物）がプランジャまたは金型に付着残存したためにカルを手動で除去した回数を、カルトラレ個数として表１に示した。ここでは、カルトラレ個数が２以下であるものについて、成形性が良好であると評価することができる。

Claims

　エポキシ樹脂（Ａ）と、
　ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）と、
　フェノール性水酸基を一つのみ有する化合物（Ｃ）と、
　を含み、
　前記化合物（Ｃ）は、下記式（１）により示される化合物を含む封止用樹脂組成物。
　請求項１に記載の封止用樹脂組成物において、
　前記式（１）により示される化合物の含有量は、前記封止用樹脂組成物全体に対して１０ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下である封止用樹脂組成物。
　請求項１または２に記載の封止用樹脂組成物において、
　前記化合物（Ｃ）の含有量は、前記封止用樹脂組成物全体に対して１ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下である封止用樹脂組成物。
　請求項１～３いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
　下記式（２）により示される化合物（Ｄ）をさらに含む封止用樹脂組成物。
　請求項１～４いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
　下記式（３）により示される化合物（Ｅ）をさらに含む封止用樹脂組成物。
　基材と、
　前記基材上に搭載された半導体素子と、
　請求項１～５いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
　を備える半導体装置。
　基材と、
　前記基材上に搭載された複数の半導体素子と、
　請求項１～５いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記複数の半導体素子を封止する封止樹脂と、
　を備える構造体。