WO2016188924A1 - Method for manufacturing an organic light-emitting diode - Google Patents

Method for manufacturing an organic light-emitting diode Download PDF

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WO2016188924A1
WO2016188924A1 PCT/EP2016/061492 EP2016061492W WO2016188924A1 WO 2016188924 A1 WO2016188924 A1 WO 2016188924A1 EP 2016061492 W EP2016061492 W EP 2016061492W WO 2016188924 A1 WO2016188924 A1 WO 2016188924A1
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WO
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electrode
protective layer
layer
forming
access
Prior art date
Application number
PCT/EP2016/061492
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French (fr)
Inventor
Bruno Dussert-Vidalet
Mohamed Khalifa
Original Assignee
Astron Fiamm Safety
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations

Definitions

  • the present invention relates to the field of lighting and in particular the use of organic light-emitting diodes which, when powered by an electric current, emit their own light.
  • the present invention receives for advantageous application a method of producing such an organic light-emitting diode.
  • the light-emitting diode is a semiconductor with physical properties such that the light-emitting diode has the ability to directly convert electricity into light, while being 'unrivaled efficiency in terms of energy consumption.
  • Light-emitting diode illumination allows a homogeneous distribution of the light beam; this lighting is particularly close to the light of day.
  • Organic light-emitting diodes in particular have a constraining manufacturing process because of the high sensitivity to water and air of the organic layer, thereby requiring protection by encapsulation of this layer.
  • arrangements must be made to avoid short circuits; the production of organic light-emitting diode-type light sources in large size requires, for example, a separation of two electrodes.
  • the organic layers are thermally deposited through a common stencil and serve in other words to separate the anode and the cathode.
  • one of the disadvantages is that the organic layer is not fully protected by the cathode and, therefore, is therefore particularly sensitive to degradation as well as oxidation.
  • the positioning of the various layers forming the diode requires a particular machining of the stencils used during masking steps.
  • a solution for protecting the organic layers in particular is to deposit a protective layer so as to encapsulate the stack of layers (anode, organic layer, cathode) forming the organic light-emitting diode.
  • ALD in English for "Atomic Layer Deposition”
  • a protective layer preferably formed of a material chosen from aluminum oxide.
  • Al 2 0 3 silicon dioxide
  • SiO 2 silicon dioxide
  • TiO 2 titanium dioxide
  • one of the drawbacks of the ALD deposition technique is the difficulty of performing a masking step making it possible to save the electrical contacts (typically electrode contact pickups: anode and cathode) of the organic light-emitting diodes.
  • the contacts are not illuminated and are used for the external electrical connection to the organic light emitting diode; they should not therefore be covered by a protective layer; said protective layer being electrically insulating.
  • the present invention provides a simplified and less expensive method, allowing the realization of contact resumption for an organic light-emitting diode preserving good encapsulation of the organic layer in particular, while promoting a better luminous homogeneity of said organic light-emitting diode.
  • the present invention relates to a method for producing an organic light-emitting diode comprising a step of forming a stack of layers on a substrate; said stack comprising, successively and in order, a first electrode deposited on the substrate, an organic layer deposited in contact with at least a part of the first electrode, a second electrode deposited in contact with at least a part of the organic layer; the at least one of the first electrode and the second electrode comprising an overflowing portion not covered either by the organic layer or by the other of the first electrode and the second electrode.
  • the method comprises a step of forming a protective layer, said step being configured so that the protective layer covers at least part of the protruding portion, a forming step, through the protective layer , an access to the projecting portion of the at least one of the first electrode and the second electrode, a step of forming a metal layer at least partially filling the access to the projecting portion so that the metal layer is in electrical continuity with the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
  • the present invention also relates to an organic electroluminescent diode comprising a stack of layers on a substrate; said stack comprising, successively and in order, a first electrode deposited on the substrate, an organic layer deposited in contact with at least a part of the first electrode, a second electrode deposited in contact with at least a part of the organic layer; the at least one of the first electrode and the second electrode comprising an overflowing portion not covered either by the organic layer or by the other of the first electrode and the second electrode.
  • the diode comprises a protective layer, said protective layer covering at least partly the projecting portion.
  • the diode includes, through the protective layer, access to the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
  • the diode also comprises a metal layer at least partially filling the access to the protruding portion so that the metal layer is in electrical continuity with the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
  • the technical effect of the present invention is to provide a solution for encapsulating thin layers of the organic light-emitting diode, a guarantee of reliability concerning the electrical conductivity from the electrodes of the diode, and a luminous homogeneity of said diode, while ensuring the protection of the organic layer especially during the formation of contact resumption.
  • FIG. 1 illustrates a schematic view in longitudinal section of a stack on a substrate of different layers forming an organic light-emitting diode; said stack being covered with a protective layer.
  • FIG. 2 illustrates a schematic view in longitudinal section of a stack on a substrate of different layers forming an organic light-emitting diode, after the formation of an access, by laser ablation, to at least one of the electrodes at through the protective layer.
  • FIG. 3A illustrates a schematic view in longitudinal section of said stack following total ablation; metal contacts being made at each of the electrodes forming the diode.
  • FIG. 3B illustrates a schematic view in longitudinal section of said stack, following a partial ablation.
  • the elements in the figures are not represented to scale.
  • the term "on” does not necessarily mean “in contact with”.
  • the deposition of a layer on another layer does not necessarily mean that the two layers are directly in contact with each other but that means that one of the layers at least partially covers the other being either directly in contact with it, or being separated from it by a film, another layer or another element.
  • a layer may comprise a plurality of layers.
  • the term "layer” does not necessarily mean a full plate distribution on the substrate.
  • the formation of the access to the projecting portion comprises a localized fusion of the material of the protective layer and the material of at least a portion of the projecting portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
  • the melting is carried out over the entire thickness of the projecting portion of the at least one of the first electrode and the second electrode, so as to reach the substrate.
  • the melting is performed to form an electrically conductive portion, at least on the edges of the access to the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
  • the formation of the metal layer is formed so that the metal layer covers at least partly the electrically conductive portion.
  • the formation of the access to the overflow part comprises an etching of at least the protective layer by laser ablation.
  • the step of forming the stack of layers is carried out so that the other one of the first electrode and the second electrode comprises an overflowing portion covering neither the first electrode nor the organic layer.
  • the formation of the protective layer is carried out so that the protective layer is electrically insulating.
  • the formation of the protective layer comprises an atomic layer deposition.
  • the formation of the metal layer comprises thermal evaporation or cathodic sputtering.
  • a portion, preferably electrically conductive, is formed, at least on the edges of the access to the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
  • the electrically conductive portion comprises an alloy of the material forming the protective layer and the material forming the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
  • the concentration of the material of the protective layer in the electrically conductive portion is less than 50%.
  • the metal layer covers at least partly the electrically conductive portion.
  • the other one of the first electrode and the second electrode comprises an overflowing portion covering neither the first electrode nor the organic layer.
  • the protective layer is made of an electrically insulating material.
  • the protective layer comprises a material selected from aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide.
  • the at least one portion protruding from the at least one of the first electrode and the second electrode comprises a bilayer stack.
  • At least one of the first metal layer and the second metal layer comprises a thickness greater than 100 nanometers.
  • the protective layer comprises a thickness greater than 25 nanometers, preferably of the order of 50 nanometers.
  • the following method aims to provide at least one organic light-emitting diode comprising a protective layer; said protective layer serving as a layer for encapsulating and protecting sensitive layers such as the organic layer.
  • a stack of layers is formed on a substrate 50.
  • the substrate 50 is a flat plate made of a transparent material.
  • the substrate 50 is made of glass.
  • a first electrode 100 is preferably deposited on the substrate 50.
  • An organic layer 300 is advantageously deposited so as to cover part of the first electrode 100.
  • the first electrode 100 protrudes laterally from the organic layer 300.
  • the first electrode 100 has an overflowing portion 150 not covered by the organic layer 300.
  • a second electrode 200 is deposited so as to at least partially cover the organic layer 300.
  • the second electrode 200 extends to the organic layer 300 as illustrated in FIG. 1.
  • the second electrode 200 protrudes laterally from the stack of layers.
  • the protruding portion 150 of the first electrode 100 and the protruding portion 250 of the second electrode 200 are neither superimposed nor in contact. They may be located on opposite edges of the stack of layers.
  • the first electrode 100 constitutes the anode.
  • the first electrode 100 is typically made of a metallic material.
  • the first electrode 100 is selected from a reflective material (or even semi-reflective).
  • the first electrode 100 may be, for example, aluminum.
  • the first electrode 100 is chosen from a transparent material.
  • the first electrode 100 is composed of a layer 101 for example based on indium oxide doped with tin (Indium Tin Oxide, ITO).
  • the first electrode 100 comprises at least on the projecting portion 150 an additional layer 102 deposited on the layer 101 previously formed.
  • the additional layer 102 comprises for example a metallic material such as aluminum or silver or a magnesium / silver alloy.
  • the first electrode 100 is at least 85% transparent, to allow the transmission of light.
  • the organic layer 300 is advantageously arranged so as to be inserted between the first electrode 100 and the second electrode 200.
  • the organic layer 300 is advantageously composed of one or more sub-layers. These sub-layers preferably comprise specific materials, making it possible to improve the injection of electrons and holes, and consequently to improve the efficiency of the light emission device.
  • the organic layer 300 may especially comprise a hole injection layer, a hole transport layer, a light emission layer produced by the recombination of the holes and electrons, a transport layer. electrons and an electron injection layer.
  • the second electrode 200 generally constitutes the cathode.
  • the second electrode 200 is transparent.
  • it is semi-transparent.
  • the second electrode 200 is typically made of a metallic material.
  • the second electrode 200 may, for example, be of a material such as aluminum or silver or a magnesium / silver alloy. It is preferably deposited by thermal evaporation.
  • the thicknesses of the first electrode 100, the organic layer 300 and the second electrode 200 are advantageously between 10 nanometers and 200 nanometers.
  • the deposition conditions of the different layers are under a controlled atmosphere.
  • the presence, in fact, of impurities depends on the atmosphere in which the structures are manufactured.
  • a step of formation of a protective layer 400 takes place above said stack of layers.
  • the protective layer 400 is preferably arranged so as to cover the entire stack of layers.
  • the protective layer 400 has the advantage of being deposited by atomic layer deposition (ALD in English for "Atomic Layer Deposition”).
  • the protective layer 400 is formed so as to have a water vapor transmission rate (WVTR) of the order of 10 -4 g / m 2 / d.
  • the protective layer 400 is advantageously formed of an electrically insulating material and preferably comprises an inorganic material chosen, for example, from Alumina (Al 2 O 3 ), Aluminum Oxide (AlO x ), silicon (Si0 2), titanium oxide (Ti0 2) or the silicon nitrate (SiN), zirconium oxide (Zr0 2), hafnium oxide (Hf0 2), oxide Tantalum (Ta 2 O 5 ), or also Nobium oxide (Nb 2 O 5 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), cerium oxide ( Ce0 2 ), Lanthanum oxide (La 2 0 3 ), Strontium titanate (SrTi0 3 ), Barium titanate (BaTiO 3 ), Zinc sulphide (ZnS), Selenium sulphide (ZnSe), Telluride zinc (ZnTe), Indium oxide (In 2 0 3 ), Tin dioxide (SnO 2 ) , Gallium oxide (
  • the protective layer 400 has a thickness for forming a uniform and homogeneous coating on the stack of layers. According to a preferred embodiment, the protective layer 400 has a thickness of less than 100 nanometers and preferably of the order of 50 nanometers.
  • the protective layer 400 has the advantage of being formed in such a way as to perfectly follow the surface roughness of the stack of layers.
  • the protective layer 400 further has the particularity of forming a coating on the stack of layers, and thereby isolating it electrically.
  • the protective layer 400 acts particularly advantageously as a sealed protective barrier for the sensitive layers such as the first electrode 100, the organic layer 300 and the second electrode 200. encapsulation (in particular of the organic layer 300) obtained is thus perfectly achieved.
  • FIG. 2 illustrates the formation step, through the protective layer
  • the formation of the access 501, 502 to the protruding part 150, 250 of the at least one of the first electrode 100 and the second electrode 200 comprises an etching of at least the protective layer 400 by laser ablation or laser irradiation.
  • an Nd: YAG type laser is used, with a wavelength of 1064 nanometers, a maximum pulse energy of 1 millijoule, a pulse duration of 100 ns, and a maximum repetition rate of 80 kHz.
  • the openings 501, 502 in the form of openings, have a preferred depth at least equal to the thickness of the protective layer 400.
  • the accesses 501, 502 preferably have a width of at least 10 microns.
  • the accesses 501, 502 have the distinction of being separated by a distance of at least 100 microns.
  • the accesses 501, 502 thus formed allow access to the first electrode 100 and / or the second electrode 200.
  • the use of a laser has the advantage of forming patterns of different shapes in the protective layer 400. The pattern can be chosen from a round, oblong, square or rectangular shape. Particularly advantageously, laser ablation does not require a step of protection of the areas not exposed to the laser, and therefore avoids the use of a complex process and potentially incompatible with the manufacture of light-emitting diodes.
  • Laser ablation removes locally the protective layer 400 to access the electrodes 100, 200 through the ports 501, 502.
  • the laser ablation introduces a local heating on the protective layer 400 and on the one of the first electrode 100 and the second electrode 200.
  • the laser ablation through at least the protective layer 400 causes a local melting of said protective layer 400 with one of the first electrode 100 and the second electrode 200. This fusion is at the origin of a deposit of a portion 601, 602, advantageously electrically conductive, bordering the accesses 501, 502 to the first and second electrodes 100, 200, on the surface of the protective layer 400.
  • the set of portions 601, 602 created on the surface of the protective layer 400 corresponds to an area altered by melting of the protective layer 400 located at the edges of the accesses 501, 502, spreading in a plane parallel to the substrate 10.
  • a border is understood to mean a certain width on the contour of an access 501, 502.
  • portions 601, 602 come from the localized fusion generating a mixture, in the form of an alloy, of the material of the protective layer 400 and the material of at least a portion of the projecting portion 150, 250 of the first electrode 100 and or the second electrode 200.
  • the melting is performed so as to form a portion 601, 602 advantageously electrically conductive.
  • the electrically conductive portion 601, 602 comprises an alloy between the material forming the protective layer 400 and the material forming the protruding part 150, 250 of the at least one of the first electrode 100 and the second electrode 200.
  • the concentration the material of the protective layer 400 in the electrically conductive portion 601, 602 is less than 50%.
  • the surface roughness of the weathered zone ie the thickness of the electrically conductive portions 601, 602, depends mainly on the thickness of the protective layer 400.
  • the portions 601, 602 observed in the weathered zone have a height of between 50 nm and 200 nm for a thickness of the protective layer of 50 nm and a thickness of ⁇ 150 nm, and a minimum width of 10 micron. These portions 601, 602, due to the melting of the protective layer 400 and the at least one among the first electrode 100 and the second electrode 200, by laser, appear on the edge of the etching.
  • electrically conductive portion a layer portion comprising a resistivity threshold of less than 10 "3 Ohm.m.
  • FIGS. 3A and 3B illustrate the step of forming a metal layer 701, 702.
  • FIG. 3A illustrates an embodiment where the laser ablation is carried out, in a total way, so as to consume the entire thickness of the flanking portion 150, 250 of the first electrode 100 and / or the second electrode 200.
  • the projecting portion 150 of the first electrode 100 comprises a stack of ITO / Aluminum type
  • the fusion resulting from the irradiation laser is performed over the entire thickness of the projecting portion 150, so as to reach the substrate 50.
  • 3B illustrates a preferred embodiment where the laser ablation is carried out, in a partial manner, so as not to consume any the thickness of the projecting portion 150, 250 of the projecting portion 150, 250 of the first electrode 100 and / or the second electrode 200.
  • the engraved area i.e. to say the acc s 501, 502
  • Partial ablation is thus preferred without being however limiting of the present invention.
  • the metal layer 701, 702 is made so as to fill at least part of the access 501, 502 to the projecting portion 150, 250 of at least one of the first electrode 100 and the second electrode 200 so that the metal layer 701, 702 is in electrical continuity with said overflowing portion 150, 250.
  • the first metal layer 701 is in direct contact with the protruding portion 150 of the first electrode 100, and the second metal layer 702 is in contact with the protruding portion 250 of the second electrode 200; so that the first metal layer 701 and the second metal layer 702 are in electrical continuity, respectively, with the first electrode 100 and the second electrode 200.
  • the metal layer 701, 702 covers at least part of the portion 601, 602 electrically conductive.
  • the metal layer 701, 702 comprises a material chosen from aluminum, titanium, copper, chromium, silver, zinc, nickel, gold, platinum and magnesium.
  • the metal layer 700 is advantageously carried out by cathodic sputtering or by thermal evaporation.
  • Vacuum deposition advantageously makes it possible to obtain a metal layer 701, 702 whose thickness is between a few nanometers and a few microns (for example, between 50 nanometers and 5 microns).
  • the method according to the invention makes it possible to form a metal layer 701, 702 acting as a contact recovery for the first and second electrodes 100, 200, ie the anode and the cathode, without resorting to steps of masking electrodes 100, 200.
  • Said metal layers 701, 702 are advantageously in electrical continuity with each of the electrodes 100, 200 of the diode.
  • the protective layer 400 makes it possible to serve as a layer for encapsulating sensitive layers such as the organic layer 300.
  • the present invention thus proposes a particularly simple and inexpensive method for obtaining an organic light emission device having increased reliability and luminous homogeneity; the sensitive layers of the diode being protected from any damage that may occur during a conventional method of producing organic light emitting diodes.
  • the encapsulated device is advantageously compatible with industrial requirements, also for large areas.

Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing an organic light-emitting diode including: a step of forming a stack of layers on a substrate (50); a step of forming a protective layer (400), said step being configured such that the protective layer (400) at least partially covers the projecting portion (150, 250); a step of forming, through the protective layer (400), an access (501, 502) to the projecting portion (150, 250) of at least one of the first electrode (100) or the second electrode (200), a step of forming a metal layer (701, 702) which at least partially fills the access (501, 502) to the projecting portion (150, 250) such that the metal layer (701, 702) is electrically continuous with the projecting portion (150, 250) of at least one of the first electrode (100) or the second electrode (200).

Description

"Procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique "  "Method of producing an organic light-emitting diode"
DOMAINE DE L'INVENTION FIELD OF THE INVENTION
La présente invention concerne le domaine de l'éclairage et en particulier l'utilisation de diodes électroluminescentes organiques qui, une fois alimentées par un courant électrique, émettent leur propre lumière. La présente invention reçoit pour application avantageuse un procédé de réalisation d'une telle diode électroluminescente organique.  The present invention relates to the field of lighting and in particular the use of organic light-emitting diodes which, when powered by an electric current, emit their own light. The present invention receives for advantageous application a method of producing such an organic light-emitting diode.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE BACKGROUND
La diode électroluminescente, plus connue sous l'acronyme LED en anglais pour « Light Emitting Diode », est un semi-conducteur aux propriétés physiques telles, que la diode électroluminescente possède la faculté de convertir directement l'électricité en lumière, tout en étant d'une efficacité inégalée en termes de consommation énergétique. L'éclairage par diode électroluminescente permet une diffusion homogène du faisceau lumineux ; cet éclairage est notamment très proche de la lumière du jour.  The light-emitting diode, better known by the acronym LED in English for "Light Emitting Diode", is a semiconductor with physical properties such that the light-emitting diode has the ability to directly convert electricity into light, while being 'unrivaled efficiency in terms of energy consumption. Light-emitting diode illumination allows a homogeneous distribution of the light beam; this lighting is particularly close to the light of day.
Ce sont ces caractéristiques avantageuses qui ont attiré les concepteurs à s'intéresser de plus en plus aux diodes électroluminescentes pour des applications automobiles, par exemple, ou encore dans le domaine de l'éclairage. Ces sources lumineuses représentent en outre d'excellentes opportunités pour les « designers ». Il est, par exemple, possible de combiner plusieurs diodes afin de créer des formes différentes, des jeux de luminance (les diodes électroluminescentes de type organique ayant par exemple un rayonnement lumineux plus faible que celui des autres diodes) et obtenir ainsi des effets visuels originaux. It is these advantageous characteristics that have attracted designers to take an increasing interest in light-emitting diodes for automotive applications, for example, or in the field of lighting. These sources In addition, bright lights represent excellent opportunities for "designers". For example, it is possible to combine several diodes in order to create different shapes, luminance sets (the organic-type light-emitting diodes having, for example, a lower luminous radiation than that of the other diodes) and thus to obtain original visual effects. .
Néanmoins, les technologies actuelles connaissent des limites. Les diodes électroluminescentes organiques ont notamment un procédé de fabrication contraignant du fait de la forte sensibilité à l'eau et à l'air de la couche organique, nécessitant de ce fait une protection par encapsulation de cette couche. D'autre part, des dispositions doivent être prises pour éviter les court-circuits ; la réalisation de sources lumineuses de type diode électroluminescente organique en grande dimension nécessite, par exemple, une séparation de deux électrodes.  Nevertheless, current technologies have limitations. Organic light-emitting diodes in particular have a constraining manufacturing process because of the high sensitivity to water and air of the organic layer, thereby requiring protection by encapsulation of this layer. On the other hand, arrangements must be made to avoid short circuits; the production of organic light-emitting diode-type light sources in large size requires, for example, a separation of two electrodes.
Actuellement, les couches organiques sont déposées thermiquement à travers un pochoir commun et servent en d'autres termes à séparer l'anode et la cathode. Cependant, un des inconvénients est que la couche organique n'est pas entièrement protégée par la cathode et, est donc, de ce fait, particulièrement sensible à la dégradation ainsi qu'à l'oxydation. En termes de procédé de fabrication, le positionnement des différentes couches formant la diode requiert un usinage particulier des pochoirs utilisés lors d'étapes de masquage.  Currently, the organic layers are thermally deposited through a common stencil and serve in other words to separate the anode and the cathode. However, one of the disadvantages is that the organic layer is not fully protected by the cathode and, therefore, is therefore particularly sensitive to degradation as well as oxidation. In terms of manufacturing method, the positioning of the various layers forming the diode requires a particular machining of the stencils used during masking steps.
Une solution pour protéger notamment les couches organiques est de déposer une couche de protection de sorte à encapsuler l'empilement de couches (anode, couche organique, cathode) formant la diode électroluminescente organique. Pour ce faire, il a été démontré que la technique de dépôt de monocouches atomiques (acronyme ALD en anglais pour « Atomic Layer Déposition ») permet de réaliser une couche de protection, de préférence formée en un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium (Al203), le dioxyde de silicium (Si02) ou encore le dioxyde de titane (Ti02), d'excellente qualité, d'une épaisseur comprise entre 10 et 100 nanomètres typiquement. Néanmoins, un des inconvénients de la technique de dépôt ALD est la difficulté à réaliser une étape de masquage permettant d'épargner les contacts électriques (typiquement les reprises de contact des électrodes : anode et cathode) des diodes électroluminescentes organiques. En effet, les reprises de contact ne sont pas lumineuses et servent au raccordement électrique extérieur à la diode électroluminescente organique ; elles ne doivent par conséquent pas être couvertes par une couche de protection ; ladite couche de protection étant isolante électriquement. Compte tenu des contraintes liées au procédé de fabrication des diodes électroluminescentes, la présente invention propose un procédé simplifié et moins coûteux, permettant la réalisation de reprises de contact pour une diode électroluminescente organique préservant une bonne encapsulation de la couche organique notamment, tout en favorisant une meilleure homogénéité lumineuse de ladite diode électroluminescente organique. A solution for protecting the organic layers in particular is to deposit a protective layer so as to encapsulate the stack of layers (anode, organic layer, cathode) forming the organic light-emitting diode. To do this, it has been demonstrated that the technique of deposition of atomic monolayers (ALD in English for "Atomic Layer Deposition") makes it possible to produce a protective layer, preferably formed of a material chosen from aluminum oxide. (Al 2 0 3 ), silicon dioxide (SiO 2 ) or titanium dioxide (TiO 2 ), of excellent quality, typically between 10 and 100 nanometers thick. Nevertheless, one of the drawbacks of the ALD deposition technique is the difficulty of performing a masking step making it possible to save the electrical contacts (typically electrode contact pickups: anode and cathode) of the organic light-emitting diodes. In fact, the contacts are not illuminated and are used for the external electrical connection to the organic light emitting diode; they should not therefore be covered by a protective layer; said protective layer being electrically insulating. Given the constraints related to the manufacturing process of light emitting diodes, the present invention provides a simplified and less expensive method, allowing the realization of contact resumption for an organic light-emitting diode preserving good encapsulation of the organic layer in particular, while promoting a better luminous homogeneity of said organic light-emitting diode.
RESUME DE L'INVENTION SUMMARY OF THE INVENTION
La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant une étape de formation d'un empilement de couches sur un substrat ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode déposée sur le substrat, une couche organique déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode, une deuxième électrode déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique ; la au moins l'une parmi la première électrode et la deuxième électrode comprenant une partie débordante non recouverte ni par la couche organique, ni par l'autre parmi la première électrode et la deuxième électrode.  The present invention relates to a method for producing an organic light-emitting diode comprising a step of forming a stack of layers on a substrate; said stack comprising, successively and in order, a first electrode deposited on the substrate, an organic layer deposited in contact with at least a part of the first electrode, a second electrode deposited in contact with at least a part of the organic layer; the at least one of the first electrode and the second electrode comprising an overflowing portion not covered either by the organic layer or by the other of the first electrode and the second electrode.
Avantageusement, le procédé comprend une étape de formation d'une couche de protection, ladite étape étant configurée de sorte à ce que la couche de protection recouvre au moins en partie la partie débordante, une étape de formation, au travers de la couche de protection, d'un accès à la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode, une étape de formation d'une couche métallique remplissant au moins en partie l'accès à la partie débordante de sorte à ce que la couche métallique soit en continuité électrique avec la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode.  Advantageously, the method comprises a step of forming a protective layer, said step being configured so that the protective layer covers at least part of the protruding portion, a forming step, through the protective layer , an access to the projecting portion of the at least one of the first electrode and the second electrode, a step of forming a metal layer at least partially filling the access to the projecting portion so that the metal layer is in electrical continuity with the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
La présente invention concerne également une diode électroluminescente organique comprenant un empilement de couches sur un substrat ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode déposée sur le substrat, une couche organique déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode, une deuxième électrode déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique; la au moins l'une parmi la première électrode et la deuxième électrode comprenant une partie débordante non recouverte ni par la couche organique, ni par l'autre parmi la première électrode et la deuxième électrode. Avantageusement, la diode comprend une couche de protection, ladite couche de protection recouvrant au moins en partie la partie débordante. La diode comprend, au travers de la couche de protection, un accès à la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. La diode comprend également une couche métallique remplissant au moins en partie l'accès à la partie débordante de sorte à ce que la couche métallique soit en continuité électrique avec la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. The present invention also relates to an organic electroluminescent diode comprising a stack of layers on a substrate; said stack comprising, successively and in order, a first electrode deposited on the substrate, an organic layer deposited in contact with at least a part of the first electrode, a second electrode deposited in contact with at least a part of the organic layer; the at least one of the first electrode and the second electrode comprising an overflowing portion not covered either by the organic layer or by the other of the first electrode and the second electrode. Advantageously, the diode comprises a protective layer, said protective layer covering at least partly the projecting portion. The diode includes, through the protective layer, access to the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode. The diode also comprises a metal layer at least partially filling the access to the protruding portion so that the metal layer is in electrical continuity with the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
Ainsi, l'effet technique de la présente invention est de proposer une solution d'encapsulation de couches minces de la diode électroluminescente organique, une garantie de fiabilité concernant la conductivité électrique à partir des électrodes de la diode, ainsi qu'une homogénéité lumineuse de ladite diode, tout en garantissant la protection de la couche organique notamment lors de la formation des reprises de contact. Thus, the technical effect of the present invention is to provide a solution for encapsulating thin layers of the organic light-emitting diode, a guarantee of reliability concerning the electrical conductivity from the electrodes of the diode, and a luminous homogeneity of said diode, while ensuring the protection of the organic layer especially during the formation of contact resumption.
De cette manière, les couches présentes dans le dispositif d'émission lumineuse organique, connues pour être particulièrement sensibles au l'eau et à l'oxygène, sont protégées par les moyens mis en œuvre. BREVE INTRODUCTION DES FIGURES In this way, the layers present in the organic light emission device, known to be particularly sensitive to water and oxygen, are protected by the means used. BRIEF INTRODUCTION OF FIGURES
D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels :  Other features, objects and advantages of the present invention will appear on reading the detailed description which follows, with reference to the appended drawings, given by way of nonlimiting examples, and in which:
- La FIGURE 1 illustre une vue schématique en coupe longitudinale d'un l'empilement sur un substrat de différentes couches formant une diode électroluminescente organique ; ledit empilement étant recouvert d'une couche de protection.  FIG. 1 illustrates a schematic view in longitudinal section of a stack on a substrate of different layers forming an organic light-emitting diode; said stack being covered with a protective layer.
- La FIGURE 2 illustre une vue schématique en coupe longitudinale d'un l'empilement sur un substrat de différentes couches formant une diode électroluminescente organique, après la formation d'un accès, par ablation laser, à l'une au moins des électrodes au travers de la couche de protection.  FIG. 2 illustrates a schematic view in longitudinal section of a stack on a substrate of different layers forming an organic light-emitting diode, after the formation of an access, by laser ablation, to at least one of the electrodes at through the protective layer.
- La FIGURE 3A illustre une vue schématique en coupe longitudinale dudit empilement suite à une ablation totale ; des contacts métalliques étant réalisés au niveau de chacune des électrodes formant la diode.  FIG. 3A illustrates a schematic view in longitudinal section of said stack following total ablation; metal contacts being made at each of the electrodes forming the diode.
- La FIGURE 3B illustre une vue schématique en coupe longitudinale dudit empilement, suite à une ablation partielle. Par souci de clarté, les éléments sur les figures ne sont pas représentés à l'échelle. FIG. 3B illustrates a schematic view in longitudinal section of said stack, following a partial ablation. For the sake of clarity, the elements in the figures are not represented to scale.
DESCRIPTION DETAILLEE II est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur » ne signifie pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément. DETAILED DESCRIPTION It is stated that in the context of the present invention, the term "on" does not necessarily mean "in contact with". Thus, for example, the deposition of a layer on another layer does not necessarily mean that the two layers are directly in contact with each other but that means that one of the layers at least partially covers the other being either directly in contact with it, or being separated from it by a film, another layer or another element.
Il est également précisé qu'une couche peut comprendre une pluralité de couches. D'autre part, le terme « couche » ne veut pas forcément dire une répartition pleine plaque sur le substrat.  It is also specified that a layer may comprise a plurality of layers. On the other hand, the term "layer" does not necessarily mean a full plate distribution on the substrate.
Avant d'entrer dans le détail de formes préférées de réalisation de l'invention en référence aux dessins notamment, d'autres caractéristiques optionnelles de l'invention, qui peuvent être mises en œuvre de façon combinée selon toutes combinaisons ou de manière alternative, sont indiquées ci-après :  Before going into detail of preferred embodiments of the invention with reference to the drawings in particular, other optional features of the invention, which can be implemented in combination in any combination or alternatively, are indicated below:
- La formation de l'accès à la partie débordante comprend une fusion localisée du matériau de la couche de protection et du matériau d'au moins une partie de la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. The formation of the access to the projecting portion comprises a localized fusion of the material of the protective layer and the material of at least a portion of the projecting portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
- Selon un mode de réalisation, la fusion est réalisée sur toute l'épaisseur de la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode, de sorte à atteindre le substrat.  According to one embodiment, the melting is carried out over the entire thickness of the projecting portion of the at least one of the first electrode and the second electrode, so as to reach the substrate.
- La fusion est réalisée de manière à former une portion électriquement conductrice, au moins sur les bords de l'accès à la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode.  - The melting is performed to form an electrically conductive portion, at least on the edges of the access to the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
- La formation de la couche métallique est réalisée de sorte à ce que la couche métallique recouvre au moins en partie la portion électriquement conductrice. - The formation of the metal layer is formed so that the metal layer covers at least partly the electrically conductive portion.
- La formation de l'accès à la partie débordante comprend une gravure d'au moins la couche de protection par ablation laser. The formation of the access to the overflow part comprises an etching of at least the protective layer by laser ablation.
- L'étape de formation de l'empilement de couches est réalisée de sorte à ce que l'autre parmi la première électrode et la deuxième électrode comprend une partie débordante ne recouvrant ni la première électrode, ni la couche organique. - La formation de la couche de protection est réalisée de sorte à ce que la couche de protection soit électriquement isolante. The step of forming the stack of layers is carried out so that the other one of the first electrode and the second electrode comprises an overflowing portion covering neither the first electrode nor the organic layer. - The formation of the protective layer is carried out so that the protective layer is electrically insulating.
- La formation de la couche de protection comprend un dépôt par couche atomique.  The formation of the protective layer comprises an atomic layer deposition.
- La formation de la couche métallique comprend une évaporation thermique ou une pulvérisation cathodique.  The formation of the metal layer comprises thermal evaporation or cathodic sputtering.
- Une portion, avantageusement électriquement conductrice, est formée, au moins sur les bords de l'accès à la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode.  - A portion, preferably electrically conductive, is formed, at least on the edges of the access to the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
- La portion électriquement conductrice comprend un alliage du matériau formant la couche de protection et du matériau formant la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode.  - The electrically conductive portion comprises an alloy of the material forming the protective layer and the material forming the protruding portion of the at least one of the first electrode and the second electrode.
- La concentration du matériau de la couche de protection dans la portion électriquement conductrice est inférieure à 50%.  - The concentration of the material of the protective layer in the electrically conductive portion is less than 50%.
- La couche métallique recouvre au moins en partie la portion électriquement conductrice.  - The metal layer covers at least partly the electrically conductive portion.
- L'autre parmi la première électrode et la deuxième électrode comprend une partie débordante ne recouvrant ni la première électrode, ni la couche organique.  The other one of the first electrode and the second electrode comprises an overflowing portion covering neither the first electrode nor the organic layer.
- La couche de protection est réalisée en un matériau électriquement isolant. - The protective layer is made of an electrically insulating material.
- La couche de protection comprend un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium, l'oxyde de silicium, l'oxyde de titane. - The protective layer comprises a material selected from aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide.
- L'au moins une partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode comprend un empilement bicouche.  The at least one portion protruding from the at least one of the first electrode and the second electrode comprises a bilayer stack.
- Au moins l'une parmi la première couche métallique et la deuxième couche métallique comprend une épaisseur supérieure à 100 nanomètres.  At least one of the first metal layer and the second metal layer comprises a thickness greater than 100 nanometers.
- La couche de protection comprend une épaisseur supérieure à 25 nanomètres, de préférence de l'ordre de 50 nanomètres. Comme indiqué précédemment, le procédé qui suit a pour but de réaliser au moins une diode électroluminescente organique comprenant une couche de protection ; ladite couche de protection servant de couche d'encapsulation et de protection des couches sensibles telles que la couche organique. Dans une première étape, illustrée en figure 1 , on forme un empilement de couches sur un substrat 50. De manière avantageuse, le substrat 50 est une plaque plane réalisée en un matériau transparent. Optionnellement, le substrat 50 est en verre. The protective layer comprises a thickness greater than 25 nanometers, preferably of the order of 50 nanometers. As indicated above, the following method aims to provide at least one organic light-emitting diode comprising a protective layer; said protective layer serving as a layer for encapsulating and protecting sensitive layers such as the organic layer. In a first step, illustrated in FIG. 1, a stack of layers is formed on a substrate 50. Advantageously, the substrate 50 is a flat plate made of a transparent material. Optionally, the substrate 50 is made of glass.
Une première électrode 100 est, de préférence, déposée sur le substrat 50. Une couche organique 300 est avantageusement déposée de sorte à recouvrir une partie de la première électrode 100. Préférentiellement, la première électrode 100 dépasse latéralement de la couche organique 300. Avantageusement, la première électrode 100 présente une partie débordante 150 non recouverte par la couche organique 300. Une deuxième électrode 200 est déposée de sorte à recouvrir au moins partiellement la couche organique 300. Selon un mode de réalisation préférentiel, la deuxième électrode 200 s'étend au-delà de la couche organique 300 tel qu'illustré en figure 1. La deuxième électrode 200 dépasse latéralement de l'empilement de couches. La partie débordante 150 de la première électrode 100 et la partie débordante 250 de la deuxième électrode 200 ne sont ni superposées, ni en contact. Elles peuvent être situées sur des bordures opposées de l'empilement de couches.  A first electrode 100 is preferably deposited on the substrate 50. An organic layer 300 is advantageously deposited so as to cover part of the first electrode 100. Preferably, the first electrode 100 protrudes laterally from the organic layer 300. Advantageously, the first electrode 100 has an overflowing portion 150 not covered by the organic layer 300. A second electrode 200 is deposited so as to at least partially cover the organic layer 300. According to a preferred embodiment, the second electrode 200 extends to the organic layer 300 as illustrated in FIG. 1. The second electrode 200 protrudes laterally from the stack of layers. The protruding portion 150 of the first electrode 100 and the protruding portion 250 of the second electrode 200 are neither superimposed nor in contact. They may be located on opposite edges of the stack of layers.
Préférentiellement, la première électrode 100 constitue l'anode. La première électrode 100 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique.  Preferably, the first electrode 100 constitutes the anode. The first electrode 100 is typically made of a metallic material.
Selon un mode de réalisation où l'émission de la lumière se fait dans la direction opposée au substrat 50, la première électrode 100 est choisie en un matériau réfléchissant (voire semi-réfléchissant). La première électrode 100 peut être, par exemple, en aluminium.  According to an embodiment where the emission of light is in the opposite direction to the substrate 50, the first electrode 100 is selected from a reflective material (or even semi-reflective). The first electrode 100 may be, for example, aluminum.
Selon un mode de réalisation préférentiel où l'émission de la lumière se fait au travers du substrat 50, alors la première électrode 100 est choisie en un matériau transparent. De préférence, la première électrode 100 est composée d'une couche 101 par exemple à base d'oxyde d'indium dopé à l'étain (Indium Tin Oxide, ITO). De manière particulièrement avantageuse, la première électrode 100 comprend au moins sur la partie débordante 150 une couche additionnelle 102 déposée sur la couche 101 préalablement formée. La couche additionnelle 102 comprend par exemple un matériau métallique tel que l'aluminium ou encore l'argent ou un alliage magnésium/argent.  According to a preferred embodiment where the emission of light is through the substrate 50, then the first electrode 100 is chosen from a transparent material. Preferably, the first electrode 100 is composed of a layer 101 for example based on indium oxide doped with tin (Indium Tin Oxide, ITO). Particularly advantageously, the first electrode 100 comprises at least on the projecting portion 150 an additional layer 102 deposited on the layer 101 previously formed. The additional layer 102 comprises for example a metallic material such as aluminum or silver or a magnesium / silver alloy.
Optionnellement, la première électrode 100 est transparente à au moins 85%, afin de permettre la transmission de la lumière.  Optionally, the first electrode 100 is at least 85% transparent, to allow the transmission of light.
Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche organique 300 est avantageusement disposée de sorte à être insérée entre la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. La couche organique 300 est avantageusement composée d'une ou de plusieurs sous-couches. Ces sous-couches comprennent, de préférence, des matériaux spécifiques, permettant d'améliorer l'injection d'électrons et de trous, et par conséquent, d'améliorer l'efficacité du dispositif d'émission lumineuse. A titre d'exemple, la couche organique 300 peut notamment comprendre une couche d'injection des trous, une couche de transport des trous, une couche d'émission de la lumière produite par la recombinaison des trous et des électrons, une couche de transport des électrons et une couche d'injection des électrons. According to a preferred embodiment, the organic layer 300 is advantageously arranged so as to be inserted between the first electrode 100 and the second electrode 200. The organic layer 300 is advantageously composed of one or more sub-layers. These sub-layers preferably comprise specific materials, making it possible to improve the injection of electrons and holes, and consequently to improve the efficiency of the light emission device. By way of example, the organic layer 300 may especially comprise a hole injection layer, a hole transport layer, a light emission layer produced by the recombination of the holes and electrons, a transport layer. electrons and an electron injection layer.
La deuxième électrode 200 constitue généralement la cathode. Avantageusement, la deuxième électrode 200 est transparente. Optionnellement, elle est semi-transparente. La deuxième électrode 200 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. La deuxième électrode 200 peut, par exemple, être en un matériau tel que l'aluminium ou encore l'argent ou un alliage magnésium/argent. Elle est, de préférence, déposée par évaporation thermique.  The second electrode 200 generally constitutes the cathode. Advantageously, the second electrode 200 is transparent. Optionally, it is semi-transparent. The second electrode 200 is typically made of a metallic material. The second electrode 200 may, for example, be of a material such as aluminum or silver or a magnesium / silver alloy. It is preferably deposited by thermal evaporation.
Les épaisseurs de la première électrode 100, de la couche organique 300 et de la deuxième électrode 200, sont, avantageusement, comprises entre 10 nanomètres et 200 nanomètres.  The thicknesses of the first electrode 100, the organic layer 300 and the second electrode 200, are advantageously between 10 nanometers and 200 nanometers.
Selon un mode de réalisation préférentiel, les conditions de dépôt des différentes couches se font sous une atmosphère contrôlée. La présence, en effet, d'impuretés dépend de l'atmosphère dans laquelle les structures sont fabriquées.  According to a preferred embodiment, the deposition conditions of the different layers are under a controlled atmosphere. The presence, in fact, of impurities depends on the atmosphere in which the structures are manufactured.
Tel qu'illustré figure 1 , après l'étape dé formation d'un empilement de couches, il s'ensuit une étape de formation d'une couche de protection 400 au-dessus dudit empilement de couches. La couche de protection 400 est de préférence disposée de sorte à recouvrir tout l'empilement de couches. As illustrated in FIG. 1, after the step of forming a stack of layers, a step of formation of a protective layer 400 takes place above said stack of layers. The protective layer 400 is preferably arranged so as to cover the entire stack of layers.
La couche de protection 400 a pour avantage de pouvoir être déposée par dépôt de couches atomiques (acronyme ALD en anglais pour « Atomic Layer Déposition »). Préférentiellement, la couche de protection 400 est formée de sorte à posséder un taux de transmission de vapeur d'eau (acronyme WVTR en anglais pour « Water Vapor Transmission Rate ») de l'ordre de 10"4 g/m2/j. La couche de protection 400 est avantageusement formée en un matériau électriquement isolant. Elle comprend, préférentiellement, un matériau inorganique choisi par exemple parmi l'Alumine (Al203), l'oxyde d'Aluminium (AIOx), le dioxyde de Silicium (Si02), l'oxyde de Titane (Ti02) ou encore le nitrate de Silicium (SiN), l'oxyde de Zirconium (Zr02), l'oxyde d'Hafnium (Hf02), l'oxyde de Tantale (Ta205), ou encore l'oxyde de Nobium (Nb205), l'oxyde d'Yttrium (Y203), l'oxyde de Magnésium (MgO), l'oxyde de Cérium (Ce02), l'oxyde de Lanthane (La203), le titanate de Strontium (SrTi03), le titanate de Barium (BaTi03), le sulfure de Zinc (ZnS), le sulfure de Sélénium (ZnSe), le zinc Telluride (ZnTe), l'oxyde d'Indium (ln203), le dioxyde d'Etain (Sn02), l'oxyde de Gallium (Ga203), l'oxyde de Nickel (NiO). De manière particulièrement avantageuse, la couche de protection 400 possède une épaisseur permettant de former un revêtement uniforme et homogène sur l'empilement de couches. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche de protection 400 possède une épaisseur inférieure à 100 nanomètres et de préférence de l'ordre de 50 nanomètres. The protective layer 400 has the advantage of being deposited by atomic layer deposition (ALD in English for "Atomic Layer Deposition"). Preferably, the protective layer 400 is formed so as to have a water vapor transmission rate (WVTR) of the order of 10 -4 g / m 2 / d. The protective layer 400 is advantageously formed of an electrically insulating material and preferably comprises an inorganic material chosen, for example, from Alumina (Al 2 O 3 ), Aluminum Oxide (AlO x ), silicon (Si0 2), titanium oxide (Ti0 2) or the silicon nitrate (SiN), zirconium oxide (Zr0 2), hafnium oxide (Hf0 2), oxide Tantalum (Ta 2 O 5 ), or also Nobium oxide (Nb 2 O 5 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), cerium oxide ( Ce0 2 ), Lanthanum oxide (La 2 0 3 ), Strontium titanate (SrTi0 3 ), Barium titanate (BaTiO 3 ), Zinc sulphide (ZnS), Selenium sulphide (ZnSe), Telluride zinc (ZnTe), Indium oxide (In 2 0 3 ), Tin dioxide (SnO 2 ) , Gallium oxide (Ga 2 O 3 ), Nickel oxide (NiO). Particularly advantageously, the protective layer 400 has a thickness for forming a uniform and homogeneous coating on the stack of layers. According to a preferred embodiment, the protective layer 400 has a thickness of less than 100 nanometers and preferably of the order of 50 nanometers.
La couche de protection 400 a l'avantage d'être formée de telle sorte à parfaitement suivre la rugosité de surface de l'empilement de couches. La couche de protection 400 a, en outre, la particularité de former un revêtement sur l'empilement de couches, et de ce fait, à l'isoler électriquement.  The protective layer 400 has the advantage of being formed in such a way as to perfectly follow the surface roughness of the stack of layers. The protective layer 400 further has the particularity of forming a coating on the stack of layers, and thereby isolating it electrically.
D'autre part, la couche de protection 400, ainsi disposée, agit, de manière particulièrement avantageuse, comme une barrière de protection étanche pour les couches sensibles telles que la première électrode 100, la couche organique 300 et la deuxième électrode 200. L'encapsulation (notamment de la couche organique 300) obtenue est ainsi parfaitement réalisée. La figure 2 illustre l'étape de formation, au travers de la couche de protection On the other hand, the protective layer 400, thus arranged, acts particularly advantageously as a sealed protective barrier for the sensitive layers such as the first electrode 100, the organic layer 300 and the second electrode 200. encapsulation (in particular of the organic layer 300) obtained is thus perfectly achieved. FIG. 2 illustrates the formation step, through the protective layer
400, d'un accès 501 , 502 à la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. 400, an access 501, 502 to the protruding portion 150, 250 of the first electrode 100 and / or the second electrode 200.
De manière particulièrement avantageuse, la formation de l'accès 501 , 502 à la partie débordante 150, 250 de l'au moins une parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200 comprend une gravure d'au moins la couche de protection 400 par ablation laser ou irradiation laser. Selon un exemple de réalisation non limitatif de l'invention, on utilise un laser de type Nd:YAG, avec une longueur d'onde de 1064 nanomètres, une énergie d'impulsion maximale de 1 millijoule, une durée d'impulsion 100 ns et un taux de répétition maximal de 80 kHz.  Particularly advantageously, the formation of the access 501, 502 to the protruding part 150, 250 of the at least one of the first electrode 100 and the second electrode 200 comprises an etching of at least the protective layer 400 by laser ablation or laser irradiation. According to a non-limiting exemplary embodiment of the invention, an Nd: YAG type laser is used, with a wavelength of 1064 nanometers, a maximum pulse energy of 1 millijoule, a pulse duration of 100 ns, and a maximum repetition rate of 80 kHz.
Les accès 501 , 502, sous forme d'ouvertures, ont une profondeur préférentielle au moins égale à l'épaisseur de la couche de protection 400. Les accès 501 , 502 ont, de préférence, une largeur d'au moins 10 microns. Les accès 501 , 502 ont la particularité d'être séparés d'une distance au moins égale à 100 microns. Les accès 501 , 502 ainsi formés, permettent un accès à la première électrode 100 et/ou à la deuxième électrode 200. L'utilisation d'un laser a pour avantage de former des motifs de différentes formes dans la couche de protection 400. Le motif peut être choisi parmi une forme ronde, oblongue, carrée, ou encore rectangulaire. De manière particulièrement avantageuse, l'ablation laser ne nécessite pas d'étape de protection des zones non exposées au laser, et évite donc le recours à un procédé complexe et potentiellement incompatible avec la fabrication de diodes électroluminescentes. The openings 501, 502, in the form of openings, have a preferred depth at least equal to the thickness of the protective layer 400. The accesses 501, 502 preferably have a width of at least 10 microns. The accesses 501, 502 have the distinction of being separated by a distance of at least 100 microns. The accesses 501, 502 thus formed allow access to the first electrode 100 and / or the second electrode 200. The use of a laser has the advantage of forming patterns of different shapes in the protective layer 400. The pattern can be chosen from a round, oblong, square or rectangular shape. Particularly advantageously, laser ablation does not require a step of protection of the areas not exposed to the laser, and therefore avoids the use of a complex process and potentially incompatible with the manufacture of light-emitting diodes.
L'ablation laser permet de supprimer localement la couche de protection 400 afin d'accéder aux électrodes 100, 200 au travers des accès 501 , 502. Avantageusement, l'ablation laser introduit un chauffage local sur la couche de protection 400 et sur l'une parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. Comme évoqué précédemment, l'ablation laser au travers d'au moins la couche de protection 400 provoque une fusion locale de ladite couche de protection 400 avec l'une parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. Cette fusion est à l'origine d'un dépôt d'une portion 601 , 602, avantageusement électriquement conductrice, en bordure des accès 501 , 502 aux première et deuxième électrodes 100, 200, à la surface de la couche de protection 400. L'ensemble des portions 601 , 602 créées à la surface de la couche de protection 400 correspond à une zone altérée par fusion de la couche de protection 400 située en bordure des accès 501 , 502, s'étalant dans un plan parallèle au substrat 10. On entend par bordure une certaine largeur sur le contour d'un accès 501 , 502.  Laser ablation removes locally the protective layer 400 to access the electrodes 100, 200 through the ports 501, 502. Advantageously, the laser ablation introduces a local heating on the protective layer 400 and on the one of the first electrode 100 and the second electrode 200. As mentioned above, the laser ablation through at least the protective layer 400 causes a local melting of said protective layer 400 with one of the first electrode 100 and the second electrode 200. This fusion is at the origin of a deposit of a portion 601, 602, advantageously electrically conductive, bordering the accesses 501, 502 to the first and second electrodes 100, 200, on the surface of the protective layer 400. The set of portions 601, 602 created on the surface of the protective layer 400 corresponds to an area altered by melting of the protective layer 400 located at the edges of the accesses 501, 502, spreading in a plane parallel to the substrate 10. A border is understood to mean a certain width on the contour of an access 501, 502.
Ces portions 601 , 602 proviennent de la fusion localisée générant un mélange, sous forme d'alliage, du matériau de la couche de protection 400 et du matériau d'au moins une partie de la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. La fusion est réalisée de manière à former une portion 601 , 602 avantageusement électriquement conductrice. La portion 601 , 602 électriquement conductrice comprend un alliage entre le matériau formant la couche de protection 400 et le matériau formant la partie débordante 150, 250 de l'au moins une parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. Avantageusement, la concentration du matériau de la couche de protection 400 dans la portion 601 , 602 électriquement conductrice est inférieure à 50%.  These portions 601, 602 come from the localized fusion generating a mixture, in the form of an alloy, of the material of the protective layer 400 and the material of at least a portion of the projecting portion 150, 250 of the first electrode 100 and or the second electrode 200. The melting is performed so as to form a portion 601, 602 advantageously electrically conductive. The electrically conductive portion 601, 602 comprises an alloy between the material forming the protective layer 400 and the material forming the protruding part 150, 250 of the at least one of the first electrode 100 and the second electrode 200. Advantageously, the concentration the material of the protective layer 400 in the electrically conductive portion 601, 602 is less than 50%.
La rugosité en surface de la zone altérée, soit l'épaisseur des portions 601 , 602 électriquement conductrices, dépend principalement de l'épaisseur de la couche de protection 400. Les portions 601 , 602 observées dans la zone altérée ont une hauteur comprise entre 50 nm et 200 nm pour une épaisseur de la couche de protection de 50 nm et une épaisseur de ΓΙΤΟ de 150 nm, et une largeur minimale de 10 micron. Ces portions 601 , 602, dues à la fusion de la couche de protection 400 et de l'au moins parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200, par laser, apparaissent sur le bord de la gravure. The surface roughness of the weathered zone, ie the thickness of the electrically conductive portions 601, 602, depends mainly on the thickness of the protective layer 400. The portions 601, 602 observed in the weathered zone have a height of between 50 nm and 200 nm for a thickness of the protective layer of 50 nm and a thickness of ΓΙΤΟ 150 nm, and a minimum width of 10 micron. These portions 601, 602, due to the melting of the protective layer 400 and the at least one among the first electrode 100 and the second electrode 200, by laser, appear on the edge of the etching.
On entend par portion électriquement conductrice, une portion de couche comprenant un seuil de résistivité inférieur à 10"3 Ohm.m. The term electrically conductive portion, a layer portion comprising a resistivity threshold of less than 10 "3 Ohm.m.
Les figures 3A et 3B illustrent l'étape de formation d'une couche métallique 701 , 702. La figure 3A illustre un mode de réalisation où l'ablation laser est réalisée, de manière totale, de sorte à consommer toute l'épaisseur de la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. Dans le cas préféré où la partie débordante 150 de la première électrode 100 comprend un empilement bicouche de type ITO/Aluminium, la fusion résultant de l'irradiation laser est réalisée sur toute l'épaisseur de la partie débordante 150, de sorte à atteindre le substrat 50. La figure 3B illustre un mode de réalisation préféré où l'ablation laser est réalisée, de manière partielle, de sorte à ne pas consommer toute l'épaisseur de la partie débordante 150, 250 de la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. Dans le cas d'une ablation totale, la zone gravée (c'est-à-dire l'accès 501 , 502) lors de l'irradiation sera visible à partir de la face du substrat 50, opposée à la face à partir de laquelle sont déposées les couches formant la diode électroluminescente organique. Cela peut nuire à l'esthétique de la diode. Une ablation partielle est ainsi préférée sans être toutefois limitative de la présente invention. FIGS. 3A and 3B illustrate the step of forming a metal layer 701, 702. FIG. 3A illustrates an embodiment where the laser ablation is carried out, in a total way, so as to consume the entire thickness of the flanking portion 150, 250 of the first electrode 100 and / or the second electrode 200. In the preferred case where the projecting portion 150 of the first electrode 100 comprises a stack of ITO / Aluminum type, the fusion resulting from the irradiation laser is performed over the entire thickness of the projecting portion 150, so as to reach the substrate 50. FIG. 3B illustrates a preferred embodiment where the laser ablation is carried out, in a partial manner, so as not to consume any the thickness of the projecting portion 150, 250 of the projecting portion 150, 250 of the first electrode 100 and / or the second electrode 200. In the case of total ablation, the engraved area (i.e. to say the acc s 501, 502) during irradiation will be visible from the side of the substrate 50, opposite the face from which the deposited layers forming the organic light emitting diode. This can affect the aesthetics of the diode. Partial ablation is thus preferred without being however limiting of the present invention.
La couche métallique 701 , 702 est réalisée de sorte à remplir au moins en partie l'accès 501 , 502 à la partie débordante 150, 250 de l'une au moins parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200 de sorte à ce que la couche métallique 701 , 702 soit en continuité électrique avec ladite partie débordante 150, 250. The metal layer 701, 702 is made so as to fill at least part of the access 501, 502 to the projecting portion 150, 250 of at least one of the first electrode 100 and the second electrode 200 so that the metal layer 701, 702 is in electrical continuity with said overflowing portion 150, 250.
Avantageusement, la première couche métallique 701 est en contact direct avec la partie débordante 150 de la première électrode 100, et la deuxième couche métallique 702 est en contact avec la partie débordante 250 de la deuxième électrode 200 ; de sorte à ce que la première couche métallique 701 et la deuxième couche métallique 702 soient en continuité électrique, respectivement, avec la première électrode 100 et la deuxième électrode 200.  Advantageously, the first metal layer 701 is in direct contact with the protruding portion 150 of the first electrode 100, and the second metal layer 702 is in contact with the protruding portion 250 of the second electrode 200; so that the first metal layer 701 and the second metal layer 702 are in electrical continuity, respectively, with the first electrode 100 and the second electrode 200.
Avantageusement, la couche métallique 701 , 702 recouvre au moins en partie la portion 601 , 602 électriquement conductrice. Préférentiellement, la couche métallique 701 , 702 comprend un matériau choisi parmi l'aluminium, le titane, le cuivre, le chrome, l'argent, le zinc, le nickel, l'or, le platine, le magnésium. Advantageously, the metal layer 701, 702 covers at least part of the portion 601, 602 electrically conductive. Preferably, the metal layer 701, 702 comprises a material chosen from aluminum, titanium, copper, chromium, silver, zinc, nickel, gold, platinum and magnesium.
La couche métallique 700 est avantageusement réalisée par pulvérisation cathodique ou par évaporation thermique. Le dépôt sous vide permet avantageusement d'obtenir une couche métallique 701 , 702 dont l'épaisseur est comprise entre quelques nanomètres et quelques microns (par exemple, entre 50 nanomètres et 5 microns). De manière particulièrement avantageuse, le procédé selon l'invention permet de former une couche métallique 701 , 702 faisant office de reprise de contact pour les première et deuxième électrodes 100, 200, soit l'anode et la cathode, sans recourir à des étapes de masquage des électrodes 100, 200. Lesdites couches métalliques 701 , 702 sont avantageusement en continuité électrique avec chacune des électrodes 100, 200 de la diode.  The metal layer 700 is advantageously carried out by cathodic sputtering or by thermal evaporation. Vacuum deposition advantageously makes it possible to obtain a metal layer 701, 702 whose thickness is between a few nanometers and a few microns (for example, between 50 nanometers and 5 microns). Particularly advantageously, the method according to the invention makes it possible to form a metal layer 701, 702 acting as a contact recovery for the first and second electrodes 100, 200, ie the anode and the cathode, without resorting to steps of masking electrodes 100, 200. Said metal layers 701, 702 are advantageously in electrical continuity with each of the electrodes 100, 200 of the diode.
De manière particulièrement avantageuse, la couche de protection 400 permet de servir de couche d'encapsulation de couches sensibles telles que la couche organique 300. La présente invention propose ainsi un procédé particulièrement simple et peu coûteux pour obtenir un dispositif d'émission lumineuse organique possédant une fiabilité et une homogénéité lumineuse accrues ; les couches sensibles de la diode étant protégées de toutes dégradations pouvant survenir lors d'un procédé habituel de réalisation de diodes électroluminescentes organiques.  Particularly advantageously, the protective layer 400 makes it possible to serve as a layer for encapsulating sensitive layers such as the organic layer 300. The present invention thus proposes a particularly simple and inexpensive method for obtaining an organic light emission device having increased reliability and luminous homogeneity; the sensitive layers of the diode being protected from any damage that may occur during a conventional method of producing organic light emitting diodes.
D'autre part, le dispositif encapsulé est avantageusement compatible avec les exigences industrielles, également pour de grandes surfaces.  On the other hand, the encapsulated device is advantageously compatible with industrial requirements, also for large areas.
L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits, mais s'étend à tous les modes de réalisation conformes à son esprit. The invention is not limited to the embodiments described above, but extends to all embodiments within its spirit.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant: 1. A method of producing an organic light-emitting diode comprising:
- une étape de formation d'un empilement de couches sur un substrat a step of forming a stack of layers on a substrate
(50) ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode (100) déposée sur le substrat (50), une couche organique (300) déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode (100), une deuxième électrode (200) déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique (300) ; la au moins l'une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprenant une partie débordante (150, 250) non recouverte ni par la couche organique (300), ni par l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200), (50); said stack comprising, successively and in order, a first electrode (100) deposited on the substrate (50), an organic layer (300) deposited in contact with at least a portion of the first electrode (100), a second electrode (200) deposited in contact with at least a portion of the organic layer (300); the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200) comprising an overflowing portion (150, 250) not covered either by the organic layer (300) or by the other of the first electrode ( 100) and the second electrode (200),
caractérisé en ce qu'il comprend : characterized in that it comprises:
- une étape de formation d'une couche de protection (400), ladite étape étant configurée de sorte à ce que la couche de protection (400) recouvre au moins en partie la partie débordante (150, 250), a step of forming a protective layer (400), said step being configured so that the protective layer (400) at least partly covers the projecting portion (150, 250),
- une étape de formation, au travers de la couche de protection (400), d'un accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200),a step of forming, through the protective layer (400), an access (501, 502) to the protruding portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200),
- une étape de formation d'une couche métallique (701 , 702) remplissant au moins en partie l'accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) de sorte à ce que la couche métallique (701 , 702) soit en continuité électrique avec la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). a step of forming a metal layer (701, 702) at least partially filling the access (501, 502) to the projecting portion (150, 250) so that the metal layer (701, 702) or in electrical continuity with the protruding portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200).
2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de l'accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) comprend une fusion localisée du matériau de la couche de protection (400) et du matériau d'au moins une partie de la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 2. Method according to the preceding claim wherein the formation of the access (501, 502) to the projecting portion (150, 250) comprises a localized melting of the material of the protective layer (400) and the material of at least a portion of the protruding portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200).
3. Procédé selon la revendication précédente comprenant une fusion sur toute l'épaisseur de la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200), de sorte à atteindre le substrat (50). 3. Method according to the preceding claim comprising a fusion over the entire thickness of the projecting portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200) so as to reach the substrate (50).
4. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la fusion est réalisée de manière à former une portion (601 , 602) électriquement conductrice, au moins sur les bords de l'accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 4. Method according to any one of the two preceding claims wherein the melting is performed so as to form a portion (601, 602) electrically conductive, at least on the edges of the access (501, 502) to the overflowing portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200).
5. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la couche métallique (701 , 702) est réalisée de sorte à ce que la couche métallique (701 , 702) recouvre au moins en partie la portion (601 , 602) électriquement conductrice. 5. Method according to the preceding claim wherein the formation of the metal layer (701, 702) is formed so that the metal layer (701, 702) covers at least partly the portion (601, 602) electrically conductive.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de l'accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) comprend une gravure d'au moins la couche de protection (400) par ablation laser. The method of any of the preceding claims wherein forming the port (501, 502) to the overflow portion (150, 250) comprises etching at least the laser ablation protection layer (400). .
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de l'empilement de couches est réalisée de sorte à ce que l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprend une partie débordante (150, 250) ne recouvrant ni la première électrode (100), ni la couche organique (300). The method according to any one of the preceding claims wherein the step of forming the stack of layers is performed so that the other one of the first electrode (100) and the second electrode (200) comprises a overflowing portion (150, 250) covering neither the first electrode (100) nor the organic layer (300).
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche de protection (400) est réalisée de sorte à ce que la couche de protection (400) soit électriquement isolante. 8. A method according to any one of the preceding claims wherein the formation of the protective layer (400) is performed so that the protective layer (400) is electrically insulating.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche de protection (400) comprend un dépôt par couche atomique. The method of any of the preceding claims wherein the formation of the protective layer (400) comprises atomic layer deposition.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche métallique (701 , 702) comprend une évaporation thermique ou une pulvérisation cathodique. The method of any of the preceding claims wherein the formation of the metal layer (701, 702) comprises thermal evaporation or sputtering.
1 1 . Diode électroluminescente organique comprenant : - un empilement de couches sur un substrat (50) ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode (100) déposée sur le substrat (50), une couche organique (300) déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode (100), une deuxième électrode (200) déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique (300) ; la au moins l'une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprenant une partie débordante (150, 250) non recouverte ni par la couche organique (300), ni par l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200), 1 1. Organic electroluminescent diode comprising: a stack of layers on a substrate (50); said stack comprising, successively and in order, a first electrode (100) deposited on the substrate (50), an organic layer (300) deposited in contact with at least a portion of the first electrode (100), a second electrode (200) deposited in contact with at least a portion of the organic layer (300); the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200) comprising an overflowing portion (150, 250) not covered either by the organic layer (300) or by the other of the first electrode ( 100) and the second electrode (200),
caractérisée en ce qu'elle comprend :  characterized in that it comprises:
- une couche de protection (400), ladite couche de protection (400) recouvrant au moins en partie la partie débordante (150, 250),  a protective layer (400), said protective layer (400) covering at least part of the projecting portion (150, 250),
- au travers de la couche de protection (400), un accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200),  through the protective layer (400), an access (501, 502) to the protruding portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200),
- une couche métallique (701 , 702) remplissant au moins en partie l'accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) de sorte à ce que la couche métallique (701 , 702) soit en continuité électrique avec la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200).  a metal layer (701, 702) at least partially filling the access (501, 502) to the projecting portion (150, 250) so that the metal layer (701, 702) is in electrical continuity with the an overflow portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200).
12. Diode selon la revendication précédente comprenant une portion (601 , 602) électriquement conductrice, au moins sur les bords de l'accès (501 , 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 12. Diode according to the preceding claim comprising a portion (601, 602) electrically conductive, at least on the edges of the access (501, 502) to the projecting portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200).
13. Diode selon la revendication précédente dans laquelle la portion (601 , 602) électriquement conductrice comprend un alliage du matériau formant la couche de protection (400) et du matériau formant la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 13. Diode according to the preceding claim wherein the portion (601, 602) electrically conductive comprises an alloy of the material forming the protective layer (400) and the material forming the protruding portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200).
14. Diode selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle la concentration du matériau de la couche de protection (400) dans la portion (601 , 602) électriquement conductrice est inférieure à 50%. 14. Diode according to any one of the two preceding claims wherein the concentration of the material of the protective layer (400) in the portion (601, 602) electrically conductive is less than 50%.
15. Diode selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans laquelle la couche métallique (701 , 702) recouvre au moins en partie la portion (601 , 602) électriquement conductrice. 15. Diode according to any one of the three preceding claims wherein the metal layer (701, 702) covers at least part of the portion (601, 602) electrically conductive.
16. Diode selon l'une quelconque des cinq revendications précédentes dans laquelle l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprend une partie débordante (150, 250) ne recouvrant ni la première électrode (100), ni la couche organique (300). 16. Diode according to any one of the five preceding claims wherein the other one of the first electrode (100) and the second electrode (200) comprises an overflowing portion (150, 250) not covering the first electrode (100), nor the organic layer (300).
17. Diode selon l'une quelconque des six revendications précédentes dans laquelle la couche de protection (400) est réalisée en un matériau électriquement isolant. 17. Diode according to any one of the six preceding claims wherein the protective layer (400) is made of an electrically insulating material.
18. Diode selon l'une quelconque des sept revendications précédentes dans laquelle la couche de protection (400) comprend un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium, l'oxyde de silicium, l'oxyde de titane. The diode of any one of the preceding claims wherein the protective layer (400) comprises a material selected from aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide.
19. Diode selon l'une quelconque des huit revendications précédentes dans laquelle l'au moins une partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprend un empilement bicouche. The diode of any one of the preceding claims wherein the at least one protruding portion (150, 250) of the at least one of the first electrode (100) and the second electrode (200) comprises a bilayer stack. .
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