WO2015052087A1 - Method for producing an organic light-emitting diode - Google Patents

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WO2015052087A1
WO2015052087A1 PCT/EP2014/071232 EP2014071232W WO2015052087A1 WO 2015052087 A1 WO2015052087 A1 WO 2015052087A1 EP 2014071232 W EP2014071232 W EP 2014071232W WO 2015052087 A1 WO2015052087 A1 WO 2015052087A1
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WO
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hole
lower layer
substrate
organic
Prior art date
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PCT/EP2014/071232
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French (fr)
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Mohamed Khalifa
Bruno Dussert-Vidalet
Cédric GUERARD
Guilhem DUBOIS
Steffen SCHMITZ
Thierry TOUZE
Hélène CLOAREC
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Astron Fiamm Safety
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Publication date
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    • H10K71/162—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using laser ablation

Definitions

  • the present invention generally relates to organic light emitting diodes. It receives for advantageous application a method of producing a through hole obtained by etching, within a light emitting device.
  • the light-emitting diode is a semiconductor with physical properties such that the light-emitting diode has the ability to directly convert electricity into light, while being unrivaled efficiency in terms of energy consumption.
  • Light-emitting diode illumination allows a homogeneous distribution of the light beam; this lighting is particularly close to the light of day. It is these advantageous characteristics that have attracted designers to take an increasing interest in light-emitting diodes for automotive applications, for example, or in the field of lighting. These light sources also represent excellent opportunities for designers.
  • the present invention solves all or at least some of the disadvantages of current techniques.
  • the present invention provides a simple method for using, on the same support, different light sources that can operate simultaneously or alternately and use the same support as a fixing means.
  • the present invention relates to a method for producing an organic light-emitting diode comprising the following steps: the formation of a lower layer, representing a first electrode, on a first face of a substrate, the formation of an organic layer above at least a portion of the lower layer, and forming an upper layer, representing a second electrode, over at least a portion of the organic layer.
  • the method is characterized by comprising forming a hole opening through both the substrate, the bottom layer, the organic layer and the top layer.
  • the method according to the invention comprises forming an isolated zone of the lower layer relative to remaining zones of the lower layer; the through hole passes through said insulated area and does not intercept the contour of the insulated layer insulated area.
  • the present invention also relates to an organic electroluminescent diode comprising, on a substrate, a lower layer representing a first electrode, an organic layer above the lower layer and an upper layer representing a second electrode above the organic layer.
  • the diode is characterized in that it comprises a hole opening through both the substrate, the bottom layer, the organic layer and the top layer.
  • the invention advantageously relates to a light emission assembly comprising an organic light-emitting diode and an additional light source configured to emit a light beam through the through hole.
  • the invention also relates to a light emission assembly comprising an organic light-emitting diode and a fixing member configured so that the fastener cooperates with the wall of the opening hole.
  • the present invention provides a method for producing through holes through organic light emitting diodes; a simple and inexpensive process which, advantageously thanks to a laser irradiation etching, avoids the problems inherent in organic light-emitting diode manufacturing processes (organic layer sealing problems during wet etching, short-circuit problems, etc.) .
  • FIG. 1 shows a schematic longitudinal sectional view of a lower layer deposited on a substrate; said lower layer being exposed to a laser beam.
  • Figure 2a shows a schematic longitudinal sectional view of the lower layer after etching of said layer by laser irradiation.
  • Figure 2b is a top view of the lower layer after laser irradiation. The etching of the lower layer forms a trench separating an isolated area from the remaining areas of the lower layer.
  • FIG. 3 shows a schematic longitudinal sectional view of the formation of an organic layer and an upper layer above the previously etched lower layer.
  • Figure 4a shows a schematic longitudinal sectional view of a step of placing a cover over at least the upper layer; said cover being previously coated with a layer of adhesive and comprising at least one through opening.
  • Figure 4b is a top view illustrating the through opening of the cover giving direct access to the upper layer.
  • FIG. 5 illustrates a laser irradiation step through the through opening of the cover so as to etch the stack of layers comprising the upper layer, the organic layer, the lower layer and the substrate.
  • FIG. 6 illustrates the result of the laser irradiation step forming a hole opening through the substrate, the stack of layers and the cover.
  • FIG. 7 illustrates another embodiment where the lower layer, in which a trench has previously been formed, is exposed to a laser in order to etch said lower layer and the substrate.
  • FIG. 8a illustrates the result of the laser irradiation etching forming a hole opening through said lower layer and the substrate.
  • Figure 8b is a top view illustrating an isolated portion of the lower layer between the trench and the through hole.
  • FIG. 9 illustrates a view of the stack of layers after formation of through holes in said stack.
  • FIG. 10 illustrates a sectional view of the stack of layers after forming a through hole.
  • the hole allows a luminous flux coming from a light source to pass through.
  • the terms "on” or “above” do not necessarily mean “in contact with”.
  • the deposition of a layer on another layer does not necessarily mean that the two layers are directly in contact with each other but that means that one of the layers at least partially covers the other being either directly in contact with it, or being separated from it by a film, another layer or another element.
  • a numerical value includes a measurement uncertainty being estimated at a deviation, for example, of plus or minus 2% of the value.
  • the method comprises forming an isolated zone of the lower layer relative to remaining zones of the lower layer.
  • the formation of the isolated zone is preferably carried out by etching the lower layer so as to form a trench separating said isolated zone from the remaining zones of the lower layer.
  • the formation of the through-hole is configured so that the through-hole does not intercept the contour of the insulated layer's insulated area.
  • the formation of the through hole is preferably configured so that the minimum distance between the edge of the through hole and the edge of the insulated area of the lower layer is greater than 0.5 millimeter.
  • the formation of the through hole is preferably performed by etching the substrate.
  • a step of etching the lower layer is performed prior to the step of forming the organic layer, so as to form a trench in the lower layer; said trench having a depth equal to the thickness of said lower layer.
  • the formation of a portion of the hole opening into the substrate and the lower layer is performed prior to the step of forming the organic layer.
  • the formation of the through hole is made integrally after the step of forming the organic layer.
  • the formation of the through hole is preferably made from the first face of the substrate.
  • the formation of the opening hole is made according to an embodiment from a second face of the substrate, opposite to the first face.
  • a step of placing a cover over at least the upper layer said cover being previously coated with a layer of adhesive and comprising at least one through opening; said opening being configured to be of greater width dimension than the through hole.
  • the etching step of the substrate is preferably carried out through the cover so as to form the hole opening into the substrate.
  • the lower layer preferably has an isolated zone separated from remaining areas of the lower layer by a trench; the opening hole crosses said insulated area and does not intercept the contour of the isolated area of the insulating layer.
  • the trench follows homothetically the shape of the opening hole.
  • the width of the trench separating the isolated zone from the remaining zones of the lower layer is advantageously less than 1 millimeter.
  • the trench has an annular section transversely to the thickness.
  • the minimum distance between the edge of the opening hole and the edge of the insulated area is preferably greater than 0.5 millimeter.
  • a cover provided with at least one through opening is preferably deposited above at least the upper layer.
  • the through opening of the cover and the through hole are configured so that the hole is opening through the through opening of the cover.
  • the substrate and / or the cover preferably are / is chosen (s) in a transparent material.
  • the lower layer is preferably selected in a transparent and conductive material.
  • the following process aims to achieve one or more hole (s) opening (s) in an organic light emitting device so as to allow, for example, the passage of a luminous flux or d a fastener through said holes.
  • a lower layer 20 is formed on a substrate 10.
  • the substrate 10 is a flat plate made of a transparent material.
  • the substrate 10 is made of glass.
  • the lower layer 20 represents a first electrode, called anode.
  • the lower layer 20 is composed of an inorganic material.
  • the lower layer 20 is chosen from a material transparent or semi-transparent.
  • a material is considered transparent (respectively semi-transparent) if it lets the light waves pass through a certain wavelength range, ie it does not attenuate (respectively partially) the intensity light waves passing through it.
  • the lower layer 20 is preferably formed of a transparent conductive oxide (In English, acronym: TCO for "Transparent Conducting Oxide”).
  • TCO Transparent Conducting Oxide
  • the lower layer 20 may be composed of a stack of TCO / Ag / TCO / Ag type layers, where Ag represents silver.
  • the lower layer 20 is chosen from a material of the type of indium tin oxide (ITO: Indium Tin Oxide). This material has electrical conductivity properties and optical transparency of interest for the manufacture of organic light emitting device.
  • the lower layer 20 is transparent at least 50%, to allow the transmission of light.
  • a step is taken to etch said bottom layer 20, made in this example by means of a laser 201.
  • Figures 2a and 2b illustrate the formation of a trench 22 in the lower layer 20, following an etching, for example, performed by laser irradiation 201.
  • the trench follows a closed line.
  • the trench 22 has a depth preferably equal to the thickness of the lower layer 20.
  • the trench 22 preferably has a width of at least 1 micron.
  • the trench 22 thus formed allows access to the substrate 10.
  • the use of a laser 201 has the advantage of forming patterns of different shapes in the lower layer 20. The pattern can be chosen from a round, oblong, square shape , or rectangular.
  • the trench 22 has an annular section transverse to the thickness.
  • the laser irradiation etching step creates zones 20a, 20b of the lower layer 20 which are electrically insulated from each other.
  • isolated area 20b lying inside the trench 22 formed by the laser 201 is isolated from the remaining zones 20a of the lower layer 20 located outside the trench 22.
  • the laser 201 used to form this trench 22 in the lower layer 20 is, for example, of the type ytterbium fiber laser, wavelength 1064 nanometers, with a maximum power of 30W.
  • the laser irradiation 201 does not require a step of protecting the areas not exposed to the laser 201. This has the advantage of avoiding the use of a complex process that is potentially incompatible with the manufacture of light-emitting diodes.
  • Figures 3 to 5 illustrate an exemplary embodiment for producing a hole opening into a light emitting diode.
  • FIG 3 illustrates the step of forming the organic layer 30.
  • the organic layer 30 is advantageously composed of one or more sublayers. These sub-layers preferably comprise specific materials, making it possible to improve the injection of electrons and holes, and consequently to improve the efficiency of the light emission device.
  • the organic layer 30 may especially comprise a hole injection layer, a hole transport layer, a light emission layer produced by the recombination of the holes and electrons, a transport layer. electrons and an electron injection layer.
  • the thickness of the organic layer 30 is advantageously between 10 nm and 200 nm. According to a preferred embodiment, the conditions of formation of the different sub-layers of the organic layer 30 are under a controlled atmosphere. The presence, in fact, of impurities depends on the atmosphere in which the structures are manufactured.
  • the organic layer 30 may be deposited according to various techniques such as thermal evaporation, spin coating, thin film deposition (dip coating), spraying. cathodic, the atomic deposition monolayer (in English "atomic layer deposition"), or the chemical deposition monolayer (in English “chemical layer deposition”).
  • the organic layer 30 is deposited on top of the lower layer 20.
  • the organic layer 30 is formed so as to extend, uniformly and continuously, on either side of the wafer 22 made in the lower layer 20.
  • the step of forming the upper layer 40 is carried out.
  • the upper layer 40 is transparent.
  • it is semi-transparent.
  • the upper layer 40 is typically made of a metallic material. It may, for example, be of a material such as aluminum or calcium. It is preferably deposited by thermal evaporation or sputtering.
  • the upper layer 40 is advantageously deposited on top of the organic layer 30. In a particularly advantageous manner, the upper layer 40 covers a portion of the substrate 10.
  • the cover 60 As illustrated in FIG. 4, it follows a step of placing a cover 60 on the stack of layers comprising the lower layer 20, the organic layer 30 and the upper layer 40.
  • the cover 60 is of preferably, coated on a first face with a layer of adhesive 50, before being deposited on the stack of layers.
  • the adhesive layer 50 is preferably spread over the entire surface of the cover 60.
  • the cover 60 firstly receives a cleaning by chemical treatment, so as not to introduce impurities into the system when it is put into operation. square.
  • the cover 60 is made of a transparent material, configured so as to allow the light to pass.
  • the cover 60 is made of glass.
  • the hood 60 may be plastic or metal.
  • the thickness of the cover 60 is about 1 millimeter.
  • the cover 60 may be of various shapes.
  • the cover 400 may be prismatic, cylindrical or cubic.
  • the cover 60 has at least one opening 62 configured to be through.
  • the hood 60 initially does not include a through aperture 62; the opening 62 can be achieved by laser ablation or water jet in the process according to the invention.
  • the section of the opening 62 in the plane of the organic light-emitting diode, perpendicular to the thickness of said organic light-emitting diode may take the form of a polygon, or a circular or oblong hole, for example.
  • the cover 60 and the adhesive layer 50 cover the stack of layers.
  • the adhesive layer 50 covers the entire organic layer 30.
  • the adhesive layer 50 is preferably composed of epoxy resin and has a viscosity of between 10 and 50,000 mPa.s.
  • the quantity of the adhesive layer 50 required is determined as a function of the viscosity of the adhesive 50, and as a function of the desired thickness of the adhesive layer 50, after the step of placing the cover 60.
  • an adhesive thickness 50 comprised between 10 and 500 microns, makes it possible to obtain a layer of adhesive 50 with a thickness preferably less than 20 microns.
  • the adhesive layer 50 has the advantage, once dry, no longer react with water or with oxygen (first degradation factors of organic materials).
  • the adhesive layer 50 thus arranged, acts particularly advantageously as a sealed protective barrier for the sensitive layers such as the lower layer, ie the first electrode, the organic layer and the layer. upper 40 is the second electrode.
  • At least one opening 62 in the cover 60 is configured so as to be positioned above an area 20b, a zone isolated from the lower layer 20 at the end of the laser irradiation of said lower layer. 20.
  • the smallest dimension of an opening 62 in the cover 60 is at least 100 times greater than the thickness of the stack comprising the lower layer 20, the organic layer 30, the upper layer 40 and the adhesive layer 50.
  • the aspect ratio is at least 1000.
  • such a stack has a thickness of the order of 300 to 400 nm, while an opening has a width minimum of 0.4 millimeters (mm).
  • FIG. 5 illustrates a second laser irradiation step 202.
  • the laser irradiation 202 is advantageously through the opening 62 of the cover 60.
  • the power of the laser irradiation 202 of 20 Watts ( W) and the laser, for example, Nd: YAG 532 nanometer wavelength, are chosen so as to burn the substrate 10 to the hole.
  • the cover 60 acts as a mask; the laser irradiation being effected only through the opening 62 of the cover 60.
  • the pattern of the opening 62 of the cover 60 is reproduced through the substrate 10.
  • FIG. 6 illustrates the formation of the through-hole 100 through the substrate 10 at the end of a second laser irradiation step 202.
  • the opening 62 of the cover 60 is configured to be smaller in size than the trench 22 of the lower layer 20.
  • the insulated zone 20b of the lower layer 20 there are advantageously still parts of the insulated zone 20b of the lower layer 20, not removed during etching; the portions continuously surrounding the irradiated area so as to act as an isolation zone around the hole 100.
  • the remaining portions of the insulated area 20b act as an insulator preventing the entry of molecules and other atoms that can lead to the deterioration or the dysfunction of the organic light emitting diode.
  • the remaining portions of the isolated zone 20b are electrically inert.
  • the portions of the organic layer 30 and the upper layer 40 located in line with the remaining portions of the insulated zone 20b are also electrically inert.
  • FIG. 7 illustrates another embodiment for producing a through hole 100 in an organic light emitting diode. According to this embodiment, prior to the formations of the organic layer 30 and the upper layer 40, a second laser irradiation step 202 is carried out directly on the lower layer 20, as illustrated in FIG. 7.
  • the laser irradiation 202 can advantageously be made either from the first face of the substrate 10; face on which has previously been formed the lower layer 20, or from the second face of the substrate 10, opposite the first face.
  • the laser irradiation 202 is made so as to be positioned above the isolated zone 20b of the lower layer 20.
  • FIGS. 8a and 8b illustrate the electroluminescent device comprising the substrate 10 and the lower layer 20 at the end of the second laser irradiation step 202.
  • the laser 202 forms a through hole 100 through the lower layer 20 of the substrate 10
  • a portion of the isolated area 20b remains.
  • the remaining portion advantageously surrounds the hole 100 continuously.
  • the internal profile of the trench 22 is a homothety of the shape of the through-hole 100.
  • the distance between the edge of the through-hole 100 and the edge of the isolated zone 20b of the lower layer 20 is preferably greater than 0.5 millimeter.
  • FIG. 9 illustrates an electroluminescent device comprising at least one through-hole 100 formed according to the method of the invention.
  • the through-hole 100 is made so as to pass through the entire stack of layers of the device, namely the substrate 10, the lower layer 20, the organic layer 30, the upper layer 40, the adhesive layer 50 and the cap 60
  • the use of a laser to form the through hole 100 allows advantageously to create various shapes (round, oblong, parallelepiped, etc.) for the light emitting diode.
  • FIG. 10 illustrates a sectional view of the stack of layers 10, 20, 30, 40, 50, 60 after formation of a through-hole 100.
  • the through hole 100 makes it possible to let a luminous flux pass from a light source or luminous means 500 through the pattern formed in the electroluminescent device.
  • the light means 500 is, for example, a light-emitting diode (LED), an organic light-emitting diode (OLED) or a light flux.
  • the method according to the invention produces a light-emitting device having the advantage of being able to combine several kinds of light sources (light-emitting diode, organic light-emitting diode).
  • the light means 500 can be held on the light-emitting device by a mechanical support 600.
  • the support 600 is preferably made of a metallic or plastic material or may be of wood, paper or glass.
  • the through-hole 100 may, for example, directly house a light-emitting diode therein. According to another embodiment, the through hole 100 may advantageously act as a contact for one of the two electrodes.
  • the through hole 100 may be traversed by a fixing member so that the electroluminescent device can be held by said fixing member.
  • the fastener is inserted through the hole opening
  • the fastener may be a cylindrical element.
  • the electroluminescent device does not require the use of additional fastening means to be potentially attached to said electroluminescent device, in particular at its periphery.
  • the method according to the invention has the advantage of forming through holes in a device comprising a set of organic light-emitting diodes. These structures can be made on a "full plate” panel to form a plurality of OLEDs; the "full plate” panel can advantageously serve not only as a support for light emitting diodes but also fixing means or support offering the choice among a variety of light sources; option proving to be particularly attractive especially in the automotive field.
  • the formation of through holes through the OLED surface provides the possibility of having a transparent zone in the middle of the active zone, while maintaining a relatively simple production process via a full plate organic and metal deposit. .
  • the method according to the invention through the formation of through holes, allows a better air flow in the pixels; important advantage especially for automotive applications.
  • the method according to the invention eliminates short-circuit problems originating from contact areas between the lower layer 20, representing a first electrode, and the upper layer 40, representing a second electrode, notably thanks to the etching performed in the lower layer 20.

Abstract

The invention relates to a method for producing an organic light-emitting diode, comprising the following steps: formation of a lower layer (20) representing a first electrode on a first face of a substrate (10); formation of an organic layer (30) above at least part of the lower layer (20); and formation of an upper layer (40) representing a second electrode, above at least part of the organic layer (30); characterised in that the method comprises the formation of a hole (100) that passes through the substrate (10), the lower layer (20), the organic layer (30) and the upper layer (40).

Description

"Procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique"  "Method of producing an organic light-emitting diode"
DOMAINE DE L'INVENTION FIELD OF THE INVENTION
La présente invention concerne en général les diodes électroluminescentes organiques. Elle reçoit pour application avantageuse un procédé de réalisation d'un trou débouchant obtenu par gravure, au sein d'un dispositif d'émission lumineuse.  The present invention generally relates to organic light emitting diodes. It receives for advantageous application a method of producing a through hole obtained by etching, within a light emitting device.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE BACKGROUND
La diode électroluminescente, plus connue en anglais sous l'acronyme LED pour « Light Emitting Diode », est un semi-conducteur aux propriétés physiques telles que la diode électroluminescente possède la faculté de convertir directement l'électricité en lumière, tout en étant d'une efficacité inégalée en termes de consommation énergétique. L'éclairage par diode électroluminescente permet une diffusion homogène du faisceau lumineux ; cet éclairage est notamment très proche de la lumière du jour. Ce sont ces caractéristiques avantageuses qui ont attiré les concepteurs à s'intéresser de plus en plus aux diodes électroluminescentes pour des applications automobiles, par exemple, ou encore dans le domaine de l'éclairage. Ces sources lumineuses représentent en outre d'excellentes opportunités pour les designers. Il est, par exemple, possible de combiner plusieurs diodes afin de créer des formes différentes, des jeux de luminance (les diodes électroluminescentes de type organique ayant par exemple un rayonnement lumineux plus faible que celui des autres diodes) et obtenir ainsi des effets visuels originaux. Néanmoins, les technologies actuelles connaissent des limites. Il est en effet difficile de mettre en coopération des sources lumineuses (par exemple, des diodes électroluminescentes et des diodes électroluminescentes organiques, DELO) de différents types sur un même panneau. Les diodes électroluminescentes organiques, notamment, ont un procédé contraignant du fait de la forte sensibilité à l'eau et à l'air de la couche organique, nécessitant de ce fait une protection par encapsulation de cette couche. D'autre part, des dispositions doivent être prises pour éviter les court-circuits ; la réalisation de pixels DELO en grande dimension nécessite par exemple une séparation de deux électrodes. Par ailleurs, les surfaces actives DELO possèdent toujours une lumière en pleine surface. The light-emitting diode, better known in English under the acronym LED for "Light Emitting Diode", is a semiconductor with physical properties such that the light-emitting diode has the ability to directly convert electricity into light, while being unrivaled efficiency in terms of energy consumption. Light-emitting diode illumination allows a homogeneous distribution of the light beam; this lighting is particularly close to the light of day. It is these advantageous characteristics that have attracted designers to take an increasing interest in light-emitting diodes for automotive applications, for example, or in the field of lighting. These light sources also represent excellent opportunities for designers. For example, it is possible to combine several diodes in order to create different shapes, luminance sets (the organic-type light-emitting diodes having, for example, a lower luminous radiation than that of the other diodes) and thus to obtain original visual effects. . Nevertheless, current technologies have limitations. It is indeed difficult to put in cooperation light sources (for example, light-emitting diodes and organic light-emitting diodes, OLED) of different types on the same panel. Organic light-emitting diodes, in particular, have a constraining process because of the high sensitivity to water and air of the organic layer, thereby requiring protection by encapsulation of this layer. On the other hand, arrangements must be made to avoid short circuits; the realization of large size DELO pixels requires for example a separation of two electrodes. On the other hand, DELO active surfaces always have a full surface light.
Compte tenu des contraintes liées au procédé de fabrication des diodes électroluminescentes, le moyen le plus simple, pour combiner des sources différentes, est de les faire coopérer en juxtaposition. Cela implique donc une limitation, imposant notamment un fonctionnement alternatif des différentes sources. L'empilement de ces différentes sources lumineux nécessite également le recours à des moyens de fixations adéquats.  Given the constraints related to the manufacturing process of light emitting diodes, the simplest way to combine different sources is to cooperate in juxtaposition. This implies a limitation, imposing in particular an alternative operation of the different sources. The stacking of these different light sources also requires the use of adequate fastening means.
La présente invention permet de résoudre tout ou, du moins, une partie des inconvénients des techniques actuelles. En outre, la présente invention propose un procédé simple permettant d'utiliser, sur un même support, différentes sources lumineuses pouvant fonctionner simultanément ou alternativement et d'utiliser ce même support comme moyen de fixation. RESUME DE L'INVENTION The present invention solves all or at least some of the disadvantages of current techniques. In addition, the present invention provides a simple method for using, on the same support, different light sources that can operate simultaneously or alternately and use the same support as a fixing means. SUMMARY OF THE INVENTION
La présente invention a pour objet un procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant les étapes suivantes: la formation d'une couche inférieure, représentant une première électrode, sur une première face d'un substrat, la formation d'une couche organique au-dessus d'au moins une partie de la couche inférieure, et la formation d'une couche supérieure, représentant une deuxième électrode, au-dessus d'au moins une partie de la couche organique. Le procédé est caractérisé en ce qu'il comprend la formation d'un trou débouchant au travers à la fois du substrat, de la couche inférieure, de la couche organique et de la couche supérieure.  The present invention relates to a method for producing an organic light-emitting diode comprising the following steps: the formation of a lower layer, representing a first electrode, on a first face of a substrate, the formation of an organic layer above at least a portion of the lower layer, and forming an upper layer, representing a second electrode, over at least a portion of the organic layer. The method is characterized by comprising forming a hole opening through both the substrate, the bottom layer, the organic layer and the top layer.
De manière particulièrement avantageuse, des dispositions sont prises pour éviter les risques éventuels de court-circuits. En particulier, le procédé selon l'invention comprend la formation d'une zone isolée de la couche inférieure relativement à des zones restantes de la couche inférieure ; le trou débouchant traverse ladite zone isolée et n'intercepte pas le contour de la zone isolée de la couche isolante. Particularly advantageously, arrangements are made to avoid possible risks of short circuits. In particular, the method according to the invention comprises forming an isolated zone of the lower layer relative to remaining zones of the lower layer; the through hole passes through said insulated area and does not intercept the contour of the insulated layer insulated area.
La présente invention concerne également une diode électroluminescente organique comprenant, sur un substrat, une couche inférieure représentant une première électrode, une couche organique au-dessus de la couche inférieure et une couche supérieure représentant une deuxième électrode au-dessus de la couche organique. La diode est caractérisée en ce qu'elle comprend un trou débouchant au travers à la fois du substrat, de la couche inférieure, de la couche organique et de la couche supérieure. The present invention also relates to an organic electroluminescent diode comprising, on a substrate, a lower layer representing a first electrode, an organic layer above the lower layer and an upper layer representing a second electrode above the organic layer. The diode is characterized in that it comprises a hole opening through both the substrate, the bottom layer, the organic layer and the top layer.
L'invention a avantageusement pour objet un ensemble d'émission lumineuse comprenant une diode électroluminescente organique et une source lumineuse additionnelle configurées de sorte à émettre un faisceau lumineux au travers du trou traversant. L'invention concerne également un ensemble d'émission lumineuse comprenant une diode électroluminescente organique et un organe de fixation configurés de sorte à ce que l'organe de fixation coopère avec la paroi du trou débouchant. Ainsi, la présente invention propose un procédé en vue de la réalisation de trous débouchants au travers de diodes électroluminescentes organiques ; procédé simple et peu onéreux qui, avantageusement grâce à une gravure par irradiation laser, évite les problèmes inhérents aux procédés de fabrication de diodes électroluminescentes organiques (problèmes d'étanchéité des couches organiques lors de gravures humides, problèmes de court-circuits, etc.). The invention advantageously relates to a light emission assembly comprising an organic light-emitting diode and an additional light source configured to emit a light beam through the through hole. The invention also relates to a light emission assembly comprising an organic light-emitting diode and a fixing member configured so that the fastener cooperates with the wall of the opening hole. Thus, the present invention provides a method for producing through holes through organic light emitting diodes; a simple and inexpensive process which, advantageously thanks to a laser irradiation etching, avoids the problems inherent in organic light-emitting diode manufacturing processes (organic layer sealing problems during wet etching, short-circuit problems, etc.) .
BREVE INTRODUCTION DES FIGURES BRIEF INTRODUCTION OF FIGURES
D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels :  Other features, objects and advantages of the present invention will appear on reading the detailed description which follows, with reference to the appended drawings, given by way of nonlimiting examples, and in which:
- La figure 1 représente une vue schématique en coupe longitudinale d'une couche inférieure déposée sur un substrat ; ladite couche inférieure étant exposée à un faisceau laser.  - Figure 1 shows a schematic longitudinal sectional view of a lower layer deposited on a substrate; said lower layer being exposed to a laser beam.
- La figure 2a représente une vue schématique en coupe longitudinale de la couche inférieure après gravure de ladite couche par irradiation laser. La figure 2b est une vue de dessus de la couche inférieure après irradiation laser. La gravure de la couche inférieure forme une tranchée séparant une zone isolée de zones restantes de la couche inférieure.  - Figure 2a shows a schematic longitudinal sectional view of the lower layer after etching of said layer by laser irradiation. Figure 2b is a top view of the lower layer after laser irradiation. The etching of the lower layer forms a trench separating an isolated area from the remaining areas of the lower layer.
- La figure 3 représente une vue schématique en coupe longitudinale de la formation d'une couche organique et d'une couche supérieure au-dessus de la couche inférieure préalablement gravée.  - Figure 3 shows a schematic longitudinal sectional view of the formation of an organic layer and an upper layer above the previously etched lower layer.
- La figure 4a représente une vue schématique en coupe longitudinale d'une étape de mise en place d'un capot au-dessus d'au moins la couche supérieure; ledit capot étant préalablement enduit d'une couche de colle et comprenant au moins une ouverture traversante. La figure 4b est une vue de dessus illustrant l'ouverture traversante du capot donnant un accès direct à la couche supérieure.  - Figure 4a shows a schematic longitudinal sectional view of a step of placing a cover over at least the upper layer; said cover being previously coated with a layer of adhesive and comprising at least one through opening. Figure 4b is a top view illustrating the through opening of the cover giving direct access to the upper layer.
- La figure 5 illustre une étape d'irradiation laser au travers de l'ouverture traversante du capot de sorte à venir graver l'empilement de couches comprenant la couche supérieure, la couche organique, la couche inférieure et le substrat. - La figure 6 illustre le résultat de l'étape d'irradiation laser formant un trou débouchant au travers du substrat, de l'empilement de couches et du capot. - Figure 5 illustrates a laser irradiation step through the through opening of the cover so as to etch the stack of layers comprising the upper layer, the organic layer, the lower layer and the substrate. FIG. 6 illustrates the result of the laser irradiation step forming a hole opening through the substrate, the stack of layers and the cover.
- La figure 7 illustre un autre mode de réalisation où la couche inférieure, dans laquelle a préalablement été formée une tranchée, est exposée à un laser en vue d'une gravure de ladite couche inférieure et du substrat.  FIG. 7 illustrates another embodiment where the lower layer, in which a trench has previously been formed, is exposed to a laser in order to etch said lower layer and the substrate.
- La figure 8a illustre le résultat de la gravure par irradiation laser formant un trou débouchant au travers de ladite couche inférieure et du substrat. La figure 8b est une vue de dessus qui illustre une partie isolée de la couche inférieure située entre la tranchée et le trou débouchant.  FIG. 8a illustrates the result of the laser irradiation etching forming a hole opening through said lower layer and the substrate. Figure 8b is a top view illustrating an isolated portion of the lower layer between the trench and the through hole.
- La figure 9 illustre une vue de l'empilement de couches après formation de trous débouchants dans ledit empilement.  FIG. 9 illustrates a view of the stack of layers after formation of through holes in said stack.
- La figure 10 illustre une vue en coupe de l'empilement de couches après formation d'un trou débouchant. Le trou permet de laisser passer un flux lumineux provenant d'une source lumineuse.  - Figure 10 illustrates a sectional view of the stack of layers after forming a through hole. The hole allows a luminous flux coming from a light source to pass through.
Par souci de clarté, les éléments sur les figures ne sont pas représentés à l'échelle.  For the sake of clarity, the elements in the figures are not represented to scale.
DESCRIPTION DETAILLEE DETAILED DESCRIPTION
Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, les termes « sur » ou « au dessus de » ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément.  It is specified that in the context of the present invention, the terms "on" or "above" do not necessarily mean "in contact with". Thus, for example, the deposition of a layer on another layer does not necessarily mean that the two layers are directly in contact with each other but that means that one of the layers at least partially covers the other being either directly in contact with it, or being separated from it by a film, another layer or another element.
Il est également précisé qu'une valeur chiffrée comprend une incertitude de mesures étant estimée à un écart, par exemple, de plus ou moins 2% de la valeur.  It is also specified that a numerical value includes a measurement uncertainty being estimated at a deviation, for example, of plus or minus 2% of the value.
Avant d'entrer dans le détail de formes préférées de réalisation de l'invention en référence aux dessins notamment, d'autres caractéristiques optionnelles de l'invention, qui peuvent être mises en œuvre de façon combinée selon toutes combinaisons ou de manière alternative, sont indiquées ci-après :  Before going into detail of preferred embodiments of the invention with reference to the drawings in particular, other optional features of the invention, which can be implemented in combination in any combination or alternatively, are indicated below:
- Avantageusement, le procédé comprend la formation d'une zone isolée de la couche inférieure relativement à des zones restantes de la couche inférieure. - La formation de la zone isolée est de préférence opérée par gravure de la couche inférieure de sorte à former une tranchée séparant ladite zone isolée des zones restantes de la couche inférieure. Advantageously, the method comprises forming an isolated zone of the lower layer relative to remaining zones of the lower layer. The formation of the isolated zone is preferably carried out by etching the lower layer so as to form a trench separating said isolated zone from the remaining zones of the lower layer.
- De manière avantageuse, la formation du trou débouchant est configurée de sorte à ce que le trou débouchant n'intercepte pas le contour de la zone isolée de la couche isolante.  Advantageously, the formation of the through-hole is configured so that the through-hole does not intercept the contour of the insulated layer's insulated area.
- La formation du trou débouchant est préférentiellement configurée de sorte à ce que la distance minimale entre le bord du trou débouchant et le bord de la zone isolée de la couche inférieure soit supérieure à 0.5 millimètre.  - The formation of the through hole is preferably configured so that the minimum distance between the edge of the through hole and the edge of the insulated area of the lower layer is greater than 0.5 millimeter.
- La formation du trou traversant est de préférence opérée par gravure du substrat.  - The formation of the through hole is preferably performed by etching the substrate.
- Avantageusement, une étape de gravure de la couche inférieure est réalisée préalablement à l'étape de formation de la couche organique, de sorte à former une tranchée dans la couche inférieure; ladite tranchée ayant une profondeur égale à l'épaisseur de ladite couche inférieure.  - Advantageously, a step of etching the lower layer is performed prior to the step of forming the organic layer, so as to form a trench in the lower layer; said trench having a depth equal to the thickness of said lower layer.
- Selon un mode de configuration, la formation d'une partie du trou débouchant dans le substrat et la couche inférieure est réalisée préalablement à l'étape de formation de la couche organique.  - According to a configuration mode, the formation of a portion of the hole opening into the substrate and the lower layer is performed prior to the step of forming the organic layer.
- Selon un autre mode de réalisation, la formation du trou débouchant est réalisée intégralement après l'étape de formation de la couche organique.  According to another embodiment, the formation of the through hole is made integrally after the step of forming the organic layer.
- La formation du trou débouchant est de préférence réalisée à partir de la première face du substrat.  The formation of the through hole is preferably made from the first face of the substrate.
- La formation du trou débouchant est réalisée selon un mode de réalisation à partir d'une deuxième face du substrat, opposée à la première face.  - The formation of the opening hole is made according to an embodiment from a second face of the substrate, opposite to the first face.
- De manière avantageuse, après la formation de la couche supérieure, une étape de mise en place d'un capot au-dessus d'au moins la couche supérieure; ledit capot étant préalablement enduit d'une couche de colle et comprenant au moins une ouverture traversante ; ladite ouverture étant configurée de sorte à être de dimension de largeur supérieure à celle du trou débouchant.  - Advantageously, after the formation of the upper layer, a step of placing a cover over at least the upper layer; said cover being previously coated with a layer of adhesive and comprising at least one through opening; said opening being configured to be of greater width dimension than the through hole.
- L'étape de gravure du substrat est de préférence réalisée au travers du capot de sorte à former le trou débouchant dans le substrat.  - The etching step of the substrate is preferably carried out through the cover so as to form the hole opening into the substrate.
- La couche inférieure présente préférentiellement une zone isolée séparée de zones restantes de la couche inférieure par une tranchée ; le trou débouchant traverse ladite zone isolée et n'intercepte pas le contour de la zone isolée de la couche isolante. - The lower layer preferably has an isolated zone separated from remaining areas of the lower layer by a trench; the opening hole crosses said insulated area and does not intercept the contour of the isolated area of the insulating layer.
- La tranchée suit de façon homothétique la forme du trou débouchant.  - The trench follows homothetically the shape of the opening hole.
- La largeur de la tranchée séparant la zone isolée des zones restantes de la couche inférieure est avantageusement est inférieure à 1 millimètre..  The width of the trench separating the isolated zone from the remaining zones of the lower layer is advantageously less than 1 millimeter.
- La tranchée a une section annulaire transversalement à l'épaisseur.  - The trench has an annular section transversely to the thickness.
- La distance minimale entre le bord du trou débouchant et le bord de la zone isolée est préférentiellement supérieure à 0.5 millimètre.  - The minimum distance between the edge of the opening hole and the edge of the insulated area is preferably greater than 0.5 millimeter.
- Un capot pourvu d'au moins une ouverture traversante est avantageusement déposé au-dessus d'au moins la couche supérieure.  - A cover provided with at least one through opening is preferably deposited above at least the upper layer.
- Avantageusement, l'ouverture traversante du capot et le trou débouchant sont configurés de sorte à ce que le trou soit débouchant au travers de l'ouverture traversante du capot.  - Advantageously, the through opening of the cover and the through hole are configured so that the hole is opening through the through opening of the cover.
- Le substrat et/ou le capot de préférence sont/est choisi(s) en un matériau transparent.  - The substrate and / or the cover preferably are / is chosen (s) in a transparent material.
- La couche inférieure est préférentiellement choisie en un matériau transparent et conducteur.  - The lower layer is preferably selected in a transparent and conductive material.
Comme indiqué précédemment, le procédé qui suit a pour but de réaliser un ou plusieurs trou(s) débouchant(s) dans un dispositif d'émission lumineuse organique de sorte à permettre, par exemple, le passage d'un flux lumineux ou encore d'un organe de fixation au travers desdits trous. As indicated above, the following process aims to achieve one or more hole (s) opening (s) in an organic light emitting device so as to allow, for example, the passage of a luminous flux or d a fastener through said holes.
Dans une première étape de réalisation d'une diode électroluminescente organique, illustrée en figure 1 , une couche inférieure 20 est formée sur un substrat 10. In a first step of producing an organic light-emitting diode, illustrated in FIG. 1, a lower layer 20 is formed on a substrate 10.
De manière avantageuse, le substrat 10 est une plaque plane réalisée en un matériau transparent. Optionnellement, le substrat 10 est en verre.  Advantageously, the substrate 10 is a flat plate made of a transparent material. Optionally, the substrate 10 is made of glass.
De préférence, la couche inférieure 20 représente une première électrode, dite anode. De manière avantageuse, la couche inférieure 20 est composée d'un matériau inorganique.  Preferably, the lower layer 20 represents a first electrode, called anode. Advantageously, the lower layer 20 is composed of an inorganic material.
Selon un mode de réalisation préférentiel où l'émission de la lumière se fait au travers du substrat 10, alors la couche inférieure 20 est choisie en un matériau transparent ou semi-transparent. Un matériau est considéré comme transparent (respectivement semi-transparent) s'il laisse passer les ondes lumineuses d'une certaine gamme de longueurs d'onde, c'est à dire qu'il n'atténue pas (respectivement partiellement) l'intensité des ondes lumineuses le traversant. According to a preferred embodiment where the emission of light is through the substrate 10, then the lower layer 20 is chosen from a material transparent or semi-transparent. A material is considered transparent (respectively semi-transparent) if it lets the light waves pass through a certain wavelength range, ie it does not attenuate (respectively partially) the intensity light waves passing through it.
La couche inférieure 20 est, préférentiellement, formée d'un oxyde transparent conducteur (En anglais, acronyme : TCO pour « Transparent Conducting Oxide »). Optionnellement, la couche inférieure 20 peut être composée d'un empilement de couches de type TCO/Ag/TCO/Ag, où Ag représente de l'argent. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, la couche inférieure 20 est choisie en un matériau de type oxyde d'Indium et d'Etain (En anglais ITO : Indium Tin Oxide). Ce matériau possède des propriétés de conductivité électrique et une transparence optique intéressante pour la fabrication de dispositif d'émission lumineuse organique. Optionnellement, la couche inférieure 20 est transparente à au moins 50%, afin de permettre la transmission de la lumière. De préférence, la couche inférieure 20 possède une épaisseur de l'ordre de quelques centaines de nanomètres (nm ou nanomètre = 10"9 mètre). The lower layer 20 is preferably formed of a transparent conductive oxide (In English, acronym: TCO for "Transparent Conducting Oxide"). Optionally, the lower layer 20 may be composed of a stack of TCO / Ag / TCO / Ag type layers, where Ag represents silver. According to a particularly advantageous embodiment, the lower layer 20 is chosen from a material of the type of indium tin oxide (ITO: Indium Tin Oxide). This material has electrical conductivity properties and optical transparency of interest for the manufacture of organic light emitting device. Optionally, the lower layer 20 is transparent at least 50%, to allow the transmission of light. Preferably, the lower layer 20 has a thickness of the order of several hundred nanometers (nm = nanometer or 10 "9 meters).
A l'issue de l'étape de formation de la couche inférieure 20 sur le substrat 10, on procède à une étape de gravure de ladite couche inférieure 20, réalisée, dans cet exemple, au moyen d'un laser 201 .  At the end of the step of forming the lower layer 20 on the substrate 10, a step is taken to etch said bottom layer 20, made in this example by means of a laser 201.
Les figures 2a et 2b illustrent la formation d'une tranchée 22 dans la couche inférieure 20, à la suite d'une gravure, par exemple, réalisée par irradiation laser 201 . La tranchée suit une ligne fermée. La tranchée 22 a une profondeur préférentiellement égale à l'épaisseur de la couche inférieure 20. La tranchée 22 a, de préférence, une largeur d'au moins 1 micron. La tranchée 22 ainsi formée, permet un accès au substrat 10. L'utilisation d'un laser 201 a pour avantage de former des motifs de différentes formes dans la couche inférieure 20. Le motif peut être choisi parmi une forme ronde, oblongue, carrée, ou encore rectangulaire. Selon un mode de réalisation préféré, la tranchée 22 a une section annulaire transversalement à l'épaisseur. L'étape de gravure par irradiation laser crée des zones 20a, 20b de la couche inférieure 20 qui sont isolées électriquement les unes des autres. En particulier, la zone isolée 20b se trouvant à l'intérieur de la tranchée 22 formée par le laser 201 est isolée des zones restantes 20a de la couche inférieure 20 se trouvant à l'extérieur de la tranchée 22. Le laser 201 utilisé pour former cette tranchée 22 dans la couche inférieure 20 est, par exemple, de type laser à fibre d'ytterbium, de longueur d'onde 1064 nanomètres, d'une puissance maximale de 30W. Figures 2a and 2b illustrate the formation of a trench 22 in the lower layer 20, following an etching, for example, performed by laser irradiation 201. The trench follows a closed line. The trench 22 has a depth preferably equal to the thickness of the lower layer 20. The trench 22 preferably has a width of at least 1 micron. The trench 22 thus formed allows access to the substrate 10. The use of a laser 201 has the advantage of forming patterns of different shapes in the lower layer 20. The pattern can be chosen from a round, oblong, square shape , or rectangular. According to a preferred embodiment, the trench 22 has an annular section transverse to the thickness. The laser irradiation etching step creates zones 20a, 20b of the lower layer 20 which are electrically insulated from each other. In particular, isolated area 20b lying inside the trench 22 formed by the laser 201 is isolated from the remaining zones 20a of the lower layer 20 located outside the trench 22. The laser 201 used to form this trench 22 in the lower layer 20 is, for example, of the type ytterbium fiber laser, wavelength 1064 nanometers, with a maximum power of 30W.
De manière particulièrement avantageuse, l'irradiation laser 201 ne nécessite pas d'étape de protection des zones non exposées au laser 201 . Cela a l'avantage d'éviter le recours à un procédé complexe et potentiellement incompatible avec la fabrication de diodes électroluminescentes.  Particularly advantageously, the laser irradiation 201 does not require a step of protecting the areas not exposed to the laser 201. This has the advantage of avoiding the use of a complex process that is potentially incompatible with the manufacture of light-emitting diodes.
Les figures 3 à 5 illustrent un exemple de réalisation en vue de la réalisation d'un trou débouchant dans une diode électroluminescente. Figures 3 to 5 illustrate an exemplary embodiment for producing a hole opening into a light emitting diode.
La figure 3 illustre l'étape de formation de la couche organique 30. La couche organique 30 est avantageusement composée d'une ou de plusieurs sous- couches. Ces sous-couches comprennent, de préférence, des matériaux spécifiques, permettant d'améliorer l'injection d'électrons et de trous, et par conséquent, améliorer l'efficacité du dispositif d'émission lumineuse. A titre d'exemple, la couche organique 30 peut notamment comprendre une couche d'injection des trous, une couche de transport des trous, une couche d'émission de la lumière produite par la recombinaison des trous et des électrons, une couche de transport des électrons et une couche d'injection des électrons.  Figure 3 illustrates the step of forming the organic layer 30. The organic layer 30 is advantageously composed of one or more sublayers. These sub-layers preferably comprise specific materials, making it possible to improve the injection of electrons and holes, and consequently to improve the efficiency of the light emission device. By way of example, the organic layer 30 may especially comprise a hole injection layer, a hole transport layer, a light emission layer produced by the recombination of the holes and electrons, a transport layer. electrons and an electron injection layer.
L'épaisseur de la couche organique 30 est, avantageusement, comprise entre 10nm et 200nm. Selon un mode de réalisation préférentiel, les conditions de formation des différentes sous-couches de la couche organique 30 se font sous une atmosphère contrôlée. La présence, en effet, d'impuretés dépend de l'atmosphère dans laquelle les structures sont fabriquées.  The thickness of the organic layer 30 is advantageously between 10 nm and 200 nm. According to a preferred embodiment, the conditions of formation of the different sub-layers of the organic layer 30 are under a controlled atmosphere. The presence, in fact, of impurities depends on the atmosphere in which the structures are manufactured.
De manière particulièrement avantageuse, la couche organique 30 peut être déposée selon diverses techniques telles que l'évaporation thermique, le dépôt centrifuge (en anglais « spin coating »), le dépôt de films minces (en anglais « dip coating »), la pulvérisation cathodique, le dépôt atomique monocouche (en anglais « atomic layer déposition »), ou encore le dépôt chimique monocouche (en anglais « chemical layer déposition »). Avantageusement, la couche organique 30 est déposée au-dessus de la couche inférieure 20. Particularly advantageously, the organic layer 30 may be deposited according to various techniques such as thermal evaporation, spin coating, thin film deposition (dip coating), spraying. cathodic, the atomic deposition monolayer (in English "atomic layer deposition"), or the chemical deposition monolayer (in English "chemical layer deposition"). Advantageously, the organic layer 30 is deposited on top of the lower layer 20.
Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche organique 30 est formée de sorte à s'étendre, de manière uniforme et continue, de part et d'autre de la tranche 22 réalisée dans la couche inférieure 20.  According to a preferred embodiment, the organic layer 30 is formed so as to extend, uniformly and continuously, on either side of the wafer 22 made in the lower layer 20.
A l'issue de l'étape de formation de la couche organique 30, on procède à l'étape de formation de la couche supérieure 40, constituant généralement une deuxième électrode, soit la cathode. Avantageusement, la couche supérieure 40 est transparente. Optionnellement, elle est semi-transparente. La couche supérieure 40 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. Elle peut, par exemple, être en un matériau tel que l'aluminium ou encore en calcium. Elle est, de préférence, déposée par évaporation thermique ou par pulvérisation cathodique.  At the end of the step of forming the organic layer 30, the step of forming the upper layer 40, generally constituting a second electrode, ie the cathode, is carried out. Advantageously, the upper layer 40 is transparent. Optionally, it is semi-transparent. The upper layer 40 is typically made of a metallic material. It may, for example, be of a material such as aluminum or calcium. It is preferably deposited by thermal evaporation or sputtering.
La couche supérieure 40 est, avantageusement, déposée au-dessus de la couche organique 30. De manière particulièrement avantageuse, la couche supérieure 40 couvre une partie du substrat 10.  The upper layer 40 is advantageously deposited on top of the organic layer 30. In a particularly advantageous manner, the upper layer 40 covers a portion of the substrate 10.
Tel qu'illustré figure 4, il s'ensuit une étape de mise en place d'un capot 60 sur l'empilement de couches comprenant la couche inférieure 20, la couche organique 30 et la couche supérieure 40. Le capot 60 est, de préférence, enduit sur une première face d'une couche de colle 50, avant d'être déposé sur l'empilement de couches. La couche de colle 50 est, de préférence, étalée sur toute la surface du capot 60. Avantageusement, le capot 60 reçoit au préalable un nettoyage par traitement chimique, de sorte à ne pas introduire d'impuretés dans le système lors de sa mise en place. De préférence, le capot 60 est en un matériau transparent, configuré de sorte à laisser passer la lumière. Préférentiellement, le capot 60 est en verre. Optionnellement, le capot 60 peut être en matière plastique ou en métal. Selon un mode préférentiel, l'épaisseur du capot 60 est d'environ 1 millimètre. De manière particulièrement avantageuse, le capot 60 peut être de formes diverses. A titre d'exemple, le capot 400 peut être prismatique, cylindrique ou cubique. As illustrated in FIG. 4, it follows a step of placing a cover 60 on the stack of layers comprising the lower layer 20, the organic layer 30 and the upper layer 40. The cover 60 is of preferably, coated on a first face with a layer of adhesive 50, before being deposited on the stack of layers. The adhesive layer 50 is preferably spread over the entire surface of the cover 60. Advantageously, the cover 60 firstly receives a cleaning by chemical treatment, so as not to introduce impurities into the system when it is put into operation. square. Preferably, the cover 60 is made of a transparent material, configured so as to allow the light to pass. Preferably, the cover 60 is made of glass. Optionally, the hood 60 may be plastic or metal. According to a preferred embodiment, the thickness of the cover 60 is about 1 millimeter. In a particularly advantageous manner, the cover 60 may be of various shapes. For example, the cover 400 may be prismatic, cylindrical or cubic.
Avantageusement, le capot 60 présente au moins une ouverture 62 configurée de sorte à être traversante. Selon un mode de réalisation, le capot 60 ne comprend pas initialement d'ouverture 62 traversante ; l'ouverture 62 pouvant être réalisée par ablation laser ou par jet d'eau lors du procédé selon l'invention. Advantageously, the cover 60 has at least one opening 62 configured to be through. According to one embodiment, the hood 60 initially does not include a through aperture 62; the opening 62 can be achieved by laser ablation or water jet in the process according to the invention.
De manière particulièrement avantageuse, la section de l'ouverture 62 dans le plan de la diode électroluminescente organique, perpendiculaire à l'épaisseur de ladite diode électroluminescente organique, peut prendre la forme d'un polygone, ou d'un trou circulaire ou oblong, par exemple.  Particularly advantageously, the section of the opening 62 in the plane of the organic light-emitting diode, perpendicular to the thickness of said organic light-emitting diode, may take the form of a polygon, or a circular or oblong hole, for example.
A l'issue de l'étape de mise en place du capot 60, tel qu'illustré sur les figures 4a et 4b, le capot 60 et la couche de colle 50 recouvrent l'empilement de couches.  At the end of the step of placing the cover 60, as illustrated in FIGS. 4a and 4b, the cover 60 and the adhesive layer 50 cover the stack of layers.
De manière avantageuse, la couche de colle 50 recouvre la totalité de la couche organique 30. La couche de colle 50 est, de préférence, composée de résine époxy et présente une viscosité comprise entre 10 et 50000 mPa.s. La quantité de la couche de colle 50 nécessaire, est déterminée en fonction de la viscosité de la colle 50, et en fonction de l'épaisseur souhaitée de la couche de colle 50, après l'étape de mise en place du capot 60. Selon un mode de réalisation, une épaisseur de colle 50, comprise en 10 et 500 microns, permet d'obtenir une couche de colle 50 d'une épaisseur préférentiellement inférieure à 20 microns.  Advantageously, the adhesive layer 50 covers the entire organic layer 30. The adhesive layer 50 is preferably composed of epoxy resin and has a viscosity of between 10 and 50,000 mPa.s. The quantity of the adhesive layer 50 required is determined as a function of the viscosity of the adhesive 50, and as a function of the desired thickness of the adhesive layer 50, after the step of placing the cover 60. an embodiment, an adhesive thickness 50, comprised between 10 and 500 microns, makes it possible to obtain a layer of adhesive 50 with a thickness preferably less than 20 microns.
La couche de colle 50 possède l'avantage, une fois sèche, de ne plus réagir avec l'eau, ni avec l'oxygène (premiers facteurs de dégradation des matériaux organiques). La couche de colle 50, ainsi disposée, agit, de manière particulièrement avantageuse, comme une barrière de protection étanche pour les couches sensibles telles que la couche inférieure 20 c'est-à-dire la première électrode, la couche organique 30 et la couche supérieure 40 soit la deuxième électrode.  The adhesive layer 50 has the advantage, once dry, no longer react with water or with oxygen (first degradation factors of organic materials). The adhesive layer 50, thus arranged, acts particularly advantageously as a sealed protective barrier for the sensitive layers such as the lower layer, ie the first electrode, the organic layer and the layer. upper 40 is the second electrode.
De manière particulièrement avantageuse, au moins une ouverture 62 dans le capot 60 est configurée de sorte à se positionner au-dessus d'une zone 20b, zone isolée de la couche inférieure 20 à l'issue de l'irradiation laser de ladite couche inférieure 20. Particularly advantageously, at least one opening 62 in the cover 60 is configured so as to be positioned above an area 20b, a zone isolated from the lower layer 20 at the end of the laser irradiation of said lower layer. 20.
A titre préféré, la plus petite dimension d'une ouverture 62 dans le capot 60, et plus précisément sa largeur, est au moins 100 fois plus grande que l'épaisseur de l'empilement comprenant la couche inférieure 20, la couche organique 30, la couche supérieure 40 et la couche de colle 50. Préférentiellement, le rapport des dimensions est d'au moins 1000. Par exemple, un tel empilement possède une épaisseur de l'ordre de 300 à 400 nm, alors qu'une ouverture possède une largeur minimale de 0.4 millimètre (mm). By way of preference, the smallest dimension of an opening 62 in the cover 60, and more precisely its width, is at least 100 times greater than the thickness of the stack comprising the lower layer 20, the organic layer 30, the upper layer 40 and the adhesive layer 50. Preferably, the aspect ratio is at least 1000. For example, such a stack has a thickness of the order of 300 to 400 nm, while an opening has a width minimum of 0.4 millimeters (mm).
La figure 5 illustre une deuxième étape d'irradiation laser 202. Selon un mode de réalisation, l'irradiation laser 202 se fait avantageusement au travers de l'ouverture 62 du capot 60. La puissance de l'irradiation laser 202 de 20 Watts (W) maximum et le laser, par exemple, de type Nd :YAG de longueur d'onde 532 nanomètres, sont choisis de sorte à permettre de graver le substrat 10 jusqu'à le trouer. FIG. 5 illustrates a second laser irradiation step 202. According to one embodiment, the laser irradiation 202 is advantageously through the opening 62 of the cover 60. The power of the laser irradiation 202 of 20 Watts ( W) and the laser, for example, Nd: YAG 532 nanometer wavelength, are chosen so as to burn the substrate 10 to the hole.
Avantageusement, dans ce mode de réalisation, le capot 60 joue le rôle de masque ; l'irradiation laser ne s'effectuant qu'au travers de l'ouverture 62 du capot 60. A titre avantageux, le motif de l'ouverture 62 du capot 60 est reproduit au travers du substrat 10.  Advantageously, in this embodiment, the cover 60 acts as a mask; the laser irradiation being effected only through the opening 62 of the cover 60. Advantageously, the pattern of the opening 62 of the cover 60 is reproduced through the substrate 10.
La figure 6 illustre la formation du trou débouchant 100 au travers du substrat 10 à l'issue d'une deuxième étape d'irradiation laser 202. FIG. 6 illustrates the formation of the through-hole 100 through the substrate 10 at the end of a second laser irradiation step 202.
De manière particulièrement avantageuse, l'ouverture 62 du capot 60 est configurée de sorte à être de dimension inférieure à la tranchée 22 de la couche inférieure 20.  Particularly advantageously, the opening 62 of the cover 60 is configured to be smaller in size than the trench 22 of the lower layer 20.
A l'issue de l'étape d'irradiation laser 202, il subsiste avantageusement des parties de la zone isolée 20b de la couche inférieure 20, non retirées lors de la gravure ; les parties entourant de façon continue la zone irradiée de sorte à agir comme zone d'isolation tout autour du trou 100. De manière particulièrement avantageuse, les parties restantes de la zone isolée 20b jouent le rôle d'isolant empêchant l'entrée de molécules et autres atomes pouvant entraîner la détérioration voire le dysfonctionnement de la diode électroluminescente organique. Avantageusement, les parties restantes de la zone isolée 20b sont inertes électriquement. Ainsi, les portions notamment de la couche organique 30 et de la couche supérieure 40 situées au droit des parties restantes de la zone isolée 20b sont également inertes électriquement. Les défauts (par exemple générés suite à l'irradiation laser 202 ou à une exposition prolongée à l'air ou/et à l'eau) potentiellement présents dans ces couches 30, 40 en bordure du trou débouchant 100 sont donc, à titre exceptionnel, inactifs ne pouvant causer de dommage à la structure DELO. Les figures 7, 8a et 8b illustrent un autre mode de réalisation en vue de la réalisation d'un trou débouchant 100 dans une diode électroluminescente organique. Selon ce mode de réalisation, préalablement aux formations de la couche organique 30 et de la couche supérieure 40, on procède à une deuxième étape d'irradiation laser 202 directement sur la couche inférieure 20, comme illustré sur la figure 7. At the end of the laser irradiation step 202, there are advantageously still parts of the insulated zone 20b of the lower layer 20, not removed during etching; the portions continuously surrounding the irradiated area so as to act as an isolation zone around the hole 100. Particularly advantageously, the remaining portions of the insulated area 20b act as an insulator preventing the entry of molecules and other atoms that can lead to the deterioration or the dysfunction of the organic light emitting diode. Advantageously, the remaining portions of the isolated zone 20b are electrically inert. Thus, the portions of the organic layer 30 and the upper layer 40 located in line with the remaining portions of the insulated zone 20b are also electrically inert. Defects (eg generated following laser irradiation 202 or prolonged exposure to air and / or water) potentially present in these layers 30, 40 at the edge of the through hole 100 are therefore, exceptionally, inactive that can not cause damage to the OLED structure. Figures 7, 8a and 8b illustrate another embodiment for producing a through hole 100 in an organic light emitting diode. According to this embodiment, prior to the formations of the organic layer 30 and the upper layer 40, a second laser irradiation step 202 is carried out directly on the lower layer 20, as illustrated in FIG. 7.
L'irradiation laser 202 peut avantageusement se faire soit à partir de la première face du substrat 10 ; face sur laquelle a préalablement été formée la couche inférieure 20, soit à partir de la deuxième face du substrat 10, opposée à la première face.  The laser irradiation 202 can advantageously be made either from the first face of the substrate 10; face on which has previously been formed the lower layer 20, or from the second face of the substrate 10, opposite the first face.
De manière particulièrement avantageuse, l'irradiation laser 202 est réalisée de sorte à se positionner au-dessus de la zone isolée 20b de la couche inférieure 20.  Particularly advantageously, the laser irradiation 202 is made so as to be positioned above the isolated zone 20b of the lower layer 20.
Les figures 8a et 8b illustrent le dispositif électroluminescent comprenant le substrat 10 et la couche inférieure 20 à l'issue de la deuxième étape d'irradiation laser 202. Le laser 202 forme un trou débouchant 100 au travers de la couche inférieure 20 du substrat 10. Avantageusement, il subsiste une partie de la zone isolée 20b. Comme précédemment, la partie restante entoure avantageusement continûment le trou 100. De manière particulièrement avantageuse, le profil interne de la tranchée 22 est une homothétie de la forme du trou débouchant 100. La distance entre le bord du trou débouchant 100 et le bord de la zone isolée 20b de la couche inférieure 20 est de préférence supérieure à 0.5 millimètre.  FIGS. 8a and 8b illustrate the electroluminescent device comprising the substrate 10 and the lower layer 20 at the end of the second laser irradiation step 202. The laser 202 forms a through hole 100 through the lower layer 20 of the substrate 10 Advantageously, a portion of the isolated area 20b remains. As previously, the remaining portion advantageously surrounds the hole 100 continuously. In a particularly advantageous manner, the internal profile of the trench 22 is a homothety of the shape of the through-hole 100. The distance between the edge of the through-hole 100 and the edge of the isolated zone 20b of the lower layer 20 is preferably greater than 0.5 millimeter.
La figure 9 illustre un dispositif électroluminescent comprenant au moins un trou débouchant 100 formé selon le procédé de l'invention. Le trou débouchant 100 est réalisé de sorte à traverser l'ensemble de l'empilement de couches du dispositif soit le substrat 10, la couche inférieure 20, la couche organique 30, la couche supérieure 40, la couche de colle 50 et le capot 60. Comme décrit précédemment, l'utilisation d'un laser pour former le trou débouchant 100 permet avantageusement de créer des formes diverses (rondes, oblongues, parallélépipédiques, etc.) pour la diode électroluminescente. FIG. 9 illustrates an electroluminescent device comprising at least one through-hole 100 formed according to the method of the invention. The through-hole 100 is made so as to pass through the entire stack of layers of the device, namely the substrate 10, the lower layer 20, the organic layer 30, the upper layer 40, the adhesive layer 50 and the cap 60 As previously described, the use of a laser to form the through hole 100 allows advantageously to create various shapes (round, oblong, parallelepiped, etc.) for the light emitting diode.
La figure 10 illustre une vue en coupe de l'empilement de couches 10, 20, 30, 40, 50, 60 après formation d'un trou débouchant 100. FIG. 10 illustrates a sectional view of the stack of layers 10, 20, 30, 40, 50, 60 after formation of a through-hole 100.
Avantageusement, le trou débouchant 100 permet de laisser passer un flux lumineux à partir d'une source lumineuse ou moyen lumineux 500 au travers du motif formé dans le dispositif électroluminescent. Le moyen lumineux 500 est, par exemple, une diode électroluminescente (DEL), une diode électroluminescente organique (DELO) ou encore un flux lumineux.  Advantageously, the through hole 100 makes it possible to let a luminous flux pass from a light source or luminous means 500 through the pattern formed in the electroluminescent device. The light means 500 is, for example, a light-emitting diode (LED), an organic light-emitting diode (OLED) or a light flux.
De manière particulièrement avantageuse, le procédé selon l'invention réalise un dispositif électroluminescent ayant pour avantage de pouvoir combiner plusieurs sortes de sources lumineuses (diode électroluminescente, diode électroluminescente organique).  In a particularly advantageous manner, the method according to the invention produces a light-emitting device having the advantage of being able to combine several kinds of light sources (light-emitting diode, organic light-emitting diode).
Le moyen lumineux 500 peut être maintenu sur le dispositif électroluminescent par un support 600 mécanique. Le support 600 est préférentiel lement en un matériau métallique ou plastique ou peut être en bois, en papier ou en verre.  The light means 500 can be held on the light-emitting device by a mechanical support 600. The support 600 is preferably made of a metallic or plastic material or may be of wood, paper or glass.
Selon un mode de configuration, le trou débouchant 100 peut, par exemple, directement logé une diode électroluminescente en son sein. Selon un autre mode de réalisation, le trou débouchant 100 peut avantageusement faire office de prise de contact pour l'une des deux électrodes.  According to a configuration mode, the through-hole 100 may, for example, directly house a light-emitting diode therein. According to another embodiment, the through hole 100 may advantageously act as a contact for one of the two electrodes.
Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, le trou débouchant 100 peut être traversé par un organe de fixation de sorte à ce que le dispositif électroluminescent puisse être maintenu par ledit organe de fixation. According to a particularly advantageous embodiment, the through hole 100 may be traversed by a fixing member so that the electroluminescent device can be held by said fixing member.
Avantageusement, l'organe de fixation est inséré au travers du trou débouchantAdvantageously, the fastener is inserted through the hole opening
100 dans le substrat 10 en ajustement serré. Selon un mode de réalisation où le trou débouchant 100 est de forme ronde ou oblongue, l'organe de fixation peut être un élément cylindrique. 100 in the substrate 10 in close fit. According to an embodiment where the opening hole 100 is of round or oblong shape, the fastener may be a cylindrical element.
Ainsi, le dispositif électroluminescent ne nécessite pas le recours à des moyens de fixations additionnels devant être potentiellement fixés audit dispositif électroluminescent, en particulier à sa périphérie. Le procédé selon l'invention a pour avantage de former des trous débouchants dans un dispositif comprenant un ensemble de diodes électroluminescentes organiques. Ces structures peuvent être réalisées sur un panneau « pleine plaque » afin de former une pluralité d'OLED ; le panneau « pleine plaque » pouvant avantageusement servir non seulement de support pour les diodes électroluminescentes mais également de moyens de fixation ou encore de support offrant le choix parmi une diversité de sources lumineuses ; option s'avérant être particulièrement attrayante notamment dans le domaine de l'automobile. Thus, the electroluminescent device does not require the use of additional fastening means to be potentially attached to said electroluminescent device, in particular at its periphery. The method according to the invention has the advantage of forming through holes in a device comprising a set of organic light-emitting diodes. These structures can be made on a "full plate" panel to form a plurality of OLEDs; the "full plate" panel can advantageously serve not only as a support for light emitting diodes but also fixing means or support offering the choice among a variety of light sources; option proving to be particularly attractive especially in the automotive field.
Avantageusement, selon un mode de réalisation, il est également possible de créer un contact électrique via le trou débouchant.  Advantageously, according to one embodiment, it is also possible to create an electrical contact via the through hole.
D'autre part, la formation de trous débouchants au travers de la surface DELO offre la possibilité d'avoir une zone transparente au milieu de la zone active, tout en conservant un procédé de réalisation relativement simple via un dépôt organique et métallique en pleine plaque.  On the other hand, the formation of through holes through the OLED surface provides the possibility of having a transparent zone in the middle of the active zone, while maintaining a relatively simple production process via a full plate organic and metal deposit. .
De manière particulièrement avantageuse, le procédé selon l'invention, grâce à la formation de trous débouchants, permet une meilleure circulation d'air dans les pixels ; avantage important notamment pour les applications automobiles.  Particularly advantageously, the method according to the invention, through the formation of through holes, allows a better air flow in the pixels; important advantage especially for automotive applications.
D'autre part, le procédé selon l'invention s'affranchit des problèmes de court- circuits provenant de zones de contact entre la couche inférieure 20, représentant une première électrode, et la couche supérieure 40, représentant une deuxième électrode, notamment grâce à la gravure effectuée dans la couche inférieure 20.  On the other hand, the method according to the invention eliminates short-circuit problems originating from contact areas between the lower layer 20, representing a first electrode, and the upper layer 40, representing a second electrode, notably thanks to the etching performed in the lower layer 20.
L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits, mais s'étend à tout mode de réalisation couvert par les revendications. The invention is not limited to the embodiments described above, but extends to any embodiment covered by the claims.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant les étapes suivantes: 1. A method of producing an organic light-emitting diode comprising the steps of:
- formation d'une couche inférieure (20), représentant une première électrode, sur une première face d'un substrat (10),  forming a lower layer (20), representing a first electrode, on a first face of a substrate (10),
- formation d'une couche organique (30) au-dessus d'au moins une partie de la couche inférieure (20),  forming an organic layer (30) over at least a portion of the lower layer (20),
- formation d'une couche supérieure (40), représentant une deuxième électrode, au-dessus d'au moins une partie de la couche organique (30),  forming an upper layer (40), representing a second electrode, over at least a portion of the organic layer (30),
caractérisé en ce qu'il comprend:  characterized in that it comprises:
- la formation d'un trou débouchant (100) au travers à la fois du substrat (10), de la couche inférieure (20), de la couche organique (30) et de la couche supérieure (40).  forming a through-hole (100) across both the substrate (10), the bottom layer (20), the organic layer (30) and the top layer (40).
- la formation d'une zone isolée (20b) de la couche inférieure (20) relativement à des zones restantes (20a) de la couche inférieure (20) ; le trou débouchant (100) traverse ladite zone isolée (20b) et n'intercepte pas le contour de la zone isolée (20b) de la couche isolante (20).  - forming an insulated area (20b) of the lower layer (20) relative to remaining areas (20a) of the lower layer (20); the through-hole (100) passes through said insulated area (20b) and does not intercept the contour of the insulated area (20b) of the insulating layer (20).
2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la zone isolée (20b) est opérée par gravure de la couche inférieure (20) de sorte à former une tranchée (22) séparant ladite zone isolée (20b) des zones restantes (20a) de la couche inférieure (20). 2. Method according to the preceding claim wherein the formation of the isolated zone (20b) is performed by etching the lower layer (20) so as to form a trench (22) separating said isolated zone (20b) from the remaining zones (20a). ) of the lower layer (20).
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation du trou débouchant (100) est configurée de sorte à ce que la distance minimale entre le bord du trou débouchant (100) et le bord de la zone isolée (20b) de la couche inférieure (20) soit supérieure à 0.5 millimètre. A method according to any one of the preceding claims wherein the formation of the through-hole (100) is configured such that the minimum distance between the edge of the through-hole (100) and the edge of the insulated area (20b) the lower layer (20) is greater than 0.5 millimeter.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation du trou traversant (100) est opérée par gravure du substrat (10). 4. Method according to any one of the preceding claims wherein the formation of the through hole (100) is performed by etching the substrate (10).
5. Procédé selon la revendication précédente comprenant une étape de gravure de la couche inférieure (20) préalablement à l'étape de formation de la couche organique (30), de sorte à former une tranchée (22) dans la couche inférieure (20) ; ladite tranchée ayant une profondeur égale à l'épaisseur de ladite couche inférieure (20). 5. Method according to the preceding claim comprising a step of etching the lower layer (20) prior to the step of forming the organic layer (30), so as to form a trench (22) in the lower layer (20) ; said trench having a depth equal to the thickness of said lower layer (20).
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation d'une partie du trou débouchant (100) dans le substrat (10) et la couche inférieure (20) est réalisée préalablement à l'étape de formation de la couche organique (30). 6. A method according to any one of the preceding claims wherein forming a portion of the through-hole (100) in the substrate (10) and the bottom layer (20) is performed prior to the layer-forming step. organic (30).
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 dans lequel la formation du trou débouchant (100) est réalisée intégralement après l'étape de formation de la couche organique (30). 7. A method according to any one of claims 1 to 5 wherein the formation of the through-hole (100) is performed integrally after the step of forming the organic layer (30).
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation du trou débouchant (100) est réalisée à partir de la première face du substrat (10). The method of any of the preceding claims wherein the formation of the through-hole (100) is made from the first face of the substrate (10).
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 dans lequel la formation du trou débouchant est réalisée à partir d'une deuxième face du substrat (10), opposée à la première face. 9. Method according to any one of claims 1 to 7 wherein the formation of the through hole is made from a second face of the substrate (10), opposite the first face.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant, après la formation de la couche supérieure (40), une étape de mise en place d'un capot (60) au-dessus d'au moins la couche supérieure (40) ; ledit capot étant préalablement enduit d'une couche de colle (50) et comprenant au moins une ouverture (62) traversante ; ladite ouverture (62) étant configurée de sorte à être de dimension de largeur supérieure à celle du trou débouchant (100). 10. A method according to any one of the preceding claims comprising, after the formation of the upper layer (40), a step of placing a cover (60) over at least the upper layer (40). ; said cover being previously coated with a glue layer (50) and comprising at least one opening (62) therethrough; said opening (62) being configured to be of greater width dimension than the through hole (100).
1 1 . Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de gravure du substrat (10) est réalisée au travers du capot (60) de sorte à former le trou débouchant (100). 1 1. Method according to the preceding claim wherein the step of etching the substrate (10) is performed through the cover (60) so as to form the opening hole (100).
12. Diode électroluminescente organique comprenant, sur un substrat (10), une couche inférieure (20) représentant une première électrode, une couche organique (30) au-dessus de la couche inférieure (20) et une couche supérieure (40) représentant une deuxième électrode au-dessus de la couche organique (30), An organic electroluminescent diode comprising, on a substrate (10), a lower layer (20) representing a first electrode, an organic layer (30) above the lower layer (20) and a top layer (40) representing a second electrode above the organic layer (30),
caractérisée en ce que la diode comprend :  characterized in that the diode comprises:
- un trou débouchant (100) au travers à la fois du substrat (10), de la couche inférieure (20), de la couche organique (30) et de la couche supérieure (40).  a through hole (100) through both the substrate (10), the bottom layer (20), the organic layer (30) and the top layer (40).
- la couche inférieure (20) présente une zone isolée (20b) séparée de zones restantes (20a) de la couche inférieure (20) par une tranchée (22) ; le trou débouchant (100) traverse ladite zone isolée (20b) et n'intercepte pas le contour de la zone isolée (20b) de la couche isolante (20).  the lower layer (20) has an isolated zone (20b) separated from the remaining zones (20a) of the lower layer (20) by a trench (22); the through-hole (100) passes through said insulated area (20b) and does not intercept the contour of the insulated area (20b) of the insulating layer (20).
13. Diode selon la revendication précédente dans laquelle la tranchée (22) suit de façon homothétique la forme du trou débouchant (100). 13. Diode according to the preceding claim wherein the trench (22) similarly follows the shape of the opening hole (100).
14. Diode selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle la largeur de la tranchée (22) séparant la zone isolée (20b) des zones restantes (20a) de la couche inférieure (20) est inférieure à 1 millimètre. 14. Diode according to any one of the two preceding claims wherein the width of the trench (22) separating the insulated area (20b) of the remaining areas (20a) of the lower layer (20) is less than 1 millimeter.
15. Diode selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel la tranchée (22) a une section annulaire transversalement à l'épaisseur. 15. Diode according to any one of the three preceding claims wherein the trench (22) has an annular section transverse to the thickness.
16. Diode selon la revendication précédente dans laquelle la distance minimale entre le bord du trou débouchant (100) et le bord de la zone isolée (20b) est supérieure à 0.5 millimètre. 16. Diode according to the preceding claim wherein the minimum distance between the edge of the through hole (100) and the edge of the insulated area (20b) is greater than 0.5 millimeter.
17. Diode selon l'une quelconque des cinq revendications précédentes comprenant un capot (60) pourvu d'au moins une ouverture (62) traversante et déposé au-dessus d'au moins la couche supérieure (40). 17. Diode according to any one of the five preceding claims comprising a cover (60) provided with at least one opening (62) through and deposited over at least the upper layer (40).
18. Diode selon la revendication précédente dans laquelle l'ouverture (62) traversante du capot (60) et le trou débouchant (100) sont configurés de sorte à ce que le trou (100) soit débouchant au travers de l'ouverture (62) traversante du capot. 18. Diode according to the preceding claim wherein the opening (62) through the cover (60) and the through hole (100) are configured so that the hole (100) is opening through the opening (62). ) through the hood.
19. Diode selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle le substrat (10) et/ou le capot (60) sont/est choisi(s) en un matériau transparent. 19. Diode according to any one of the two preceding claims wherein the substrate (10) and / or the cover (60) are / are chosen (s) in a transparent material.
20. Diode selon l'une quelconque des huit revendications précédentes dans laquelle la couche inférieure (20) est choisie en un matériau transparent et conducteur. 20. Diode according to any one of the preceding claims wherein the lower layer (20) is selected from a transparent and conductive material.
21 . Ensemble d'émission lumineuse comprenant une diode électroluminescente organique selon l'une quelconque des revendications précédentes et une source lumineuse additionnelle configurées de sorte à émettre un faisceau lumineux au travers du trou traversant (100). 21. A light emitting assembly comprising an organic electroluminescent diode according to any one of the preceding claims and an additional light source configured to emit a light beam through the through hole (100).
22. Ensemble d'émission lumineuse comprenant une diode électroluminescente organique selon l'une quelconque des revendications 1 à 20 et un organe de fixation configurés de sorte à ce que l'organe de fixation coopère avec la paroi du trou débouchant (100). 22. A light emitting assembly comprising an organic light-emitting diode according to any of claims 1 20 and a fastener configured so that the fastener cooperates with the wall of the through hole (100).
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