WO2016180815A1 - Verfahren zur herstellung einer ladungsträgererzeugungsschicht, verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements mit einer ladungsträgererzeugungsschicht und organisches licht emittierendes bauelement mit einer ladungsträgererzeugungsschicht - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer ladungsträgererzeugungsschicht, verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements mit einer ladungsträgererzeugungsschicht und organisches licht emittierendes bauelement mit einer ladungsträgererzeugungsschicht Download PDF

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Dominik Pentlehner
Andreas Rausch
Arndt Jaeger
Richard Baisl
Daniel Riedel
Carola Diez
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs

Definitions

  • Charge generating layer A method for producing a
  • OLED organic light emitting diode
  • Charge pairs which are each formed of an electron and a hole and in an organic
  • Emitter layer can be injected, convert into photons.
  • Emitter layer can be injected, convert into photons.
  • CGL charge generation layer
  • a CGL usually has a hole-conducting and an electron-conducting region, usually realized by a p-doped and an n-doped region, which may be interconnected via an intermediate layer.
  • the individual CGL layers are usually by
  • Vacuum evaporation, liquid processing or sputtering applied.
  • interlayer a variety of materials are known, from organic compounds such as phthalocyanines to metal oxides to metals which are applied by such methods.
  • the application of metal oxides is in this case possible in particular by means of sputtering, it being possible to damage already applied organic layers by the hard ion bombardment.
  • At least another object of certain embodiments is to provide an organic light emitting device with a
  • Carrier generation layer a first Carrier conductor layer formed, which is predominantly conductive for a first type of charge carrier. Then a second carrier layer is applied, the
  • a carrier layer is predominantly conductive for a particular type of charge carrier may mean that this carrier layer does not conduct electrons and holes equally well, but rather is p-type or n-type and thus has higher conductivity for holes than for electrons or vice versa ,
  • a charge carrier conduction layer which conducts predominantly for a particular charge carrier type can also be simplified as a charge conducting for this charge carrier type
  • Carrier conductor layer are called. It may also be that this charge carrier line layer
  • Carrier conductor layer is formed, the
  • Electrode is applied. About it becomes a first
  • a carrier generation layer is formed on the first organic functional layer stack.
  • a second organic functional layer stack and on this a second electrode are arranged.
  • Layer stack comprises a carrier generation layer, which is prepared according to the method previously described.
  • Layer stack and adjacent to the second organic functional layer stack may also be possible to produce an organic electronic component having more than two organic functional layer stacks, wherein in each case between two adjacent organic functional layer stacks
  • Organic functional layer stack one Charge generating layer is prepared, which is prepared by a method which may have features described herein. The features described above and below and
  • Embodiments apply equally to the method for producing the charge carrier generation layer and also to the method for producing the organic electronic component with the charge carrier generation layer, that is to say also for the organic electronic component.
  • the organic electronic component may in particular be, for example, an organic light-emitting component.
  • a “carrier generation layer” is described here and below as a layer sequence, which is generally formed by a backward-driven pn junction
  • the charge carrier generation layer which can also be referred to as charge generation layer (CGL)
  • CGL charge generation layer
  • Electron transport layer can be.
  • the second charge carrier line layer applied thereon is then made correspondingly p-conductive, for example p-doped, such that the second charge carrier line layer conducts holes is and may be, for example, a hole transport layer.
  • Carrier conductor layer n-conducting produce The choice of load carrier types for the first and second
  • the carrier generation layer depend on the polarity of the organic electronic device into which the
  • Charge generating layer is integrated. Is the charge carrier generation layer on an organic
  • the first carrier layer is made n-type, while the second carrier layer is formed p-type.
  • the carrier generation layer is applied to a first electrode formed as a cathode, the first and second carrier layer layers become
  • organic carrier generation layer are formed in accordance with reverse charge carrier conductivity and doped, for example, with reverse charge carrier types.
  • At least one layer of the charge carrier generation layer is produced by means of an atomic layer deposition method (ALD) or by means of a molecule layer deposition method (MLD:
  • At least one of the first carrier layer, the intermediate layer and the second carrier layer is produced by means of an ALD or MLD method.
  • ALD and MLD methods are known in principle, such methods are known in the art Connection with organic compounds
  • the intermediate layer is produced by means of the ALD method or the MLD method
  • Standard methods such as vacuum evaporation, sputtering or liquid processing are deposited.
  • Carrier generation layer a same material
  • the same material may form a matrix material for a simultaneously applied dopant, at least in the carrier layer layers.
  • an electrically conductive or an electrically insulating material in the context of the production of the charge carrier generating layer, depending on the layer to be produced, by means of ALD or MLD an electrically conductive or an electrically insulating material
  • This may be, for example, an electrically conductive or electrically insulating oxide, in particular a metal oxide.
  • an electrically conductive or electrically insulating oxide in particular a metal oxide.
  • Zirconium oxide (ZrO x ), hafnium oxide (HfO x ) and tantalum oxide, in particular tantalum pentoxide (T a20s) can be applied.
  • a nitride such as silicon nitride (Si x N y ) may be possible.
  • Si x N y silicon nitride
  • Preparation of the carrier generation layer by means of ALD or MLD produced a doped layer. It may be possible that a single layer of the
  • all layers of the charge carrier generation layer ie the
  • Matrix materials For example, a dopant in the context of the ALD or MLD method together with at least one starting material for producing the corresponding layer of the charge carrier generating layer of a
  • Coating chamber are fed in the Charge generating layer is produced.
  • this can be done in a simple manner, since the different starting materials are alternately supplied to the coating chamber.
  • the dopant may be admixed with at least one of the starting materials and so during the
  • the layer can be embedded in the growing layer.
  • the dopant may also be provided separately and supplied together with at least one starting material. Furthermore, it may also be possible, for example, with the aid of a direct liquid injection method (DLI)
  • the liquid can be used together with the
  • Molecular deposition method performed at a temperature of less than or equal to 100 ° C.
  • the maximum possible deposition temperature can in this case in particular by the
  • Trimethylaluminum H 2 O, 33 ° C, 42 ° C, A1 2 0 3 .
  • Trimethylaluminum (O 3 , room temperature, Al 2 O 3 )
  • Trimethylaluminum (0 2 plasma, room temperature, Al 2 O 3 )
  • Tetrakis (dimethylamino) tin H 2 O 2 ; 50 ° C; SnC> 2)
  • TaCl 5 H 2 O; 80 ° C; Ta 2 0 5 )
  • Ta [N (CH 3 ) 2 ] 5 (O 2 plasma; 100 ° C; Ta 2 0 5 )
  • Charge generating layer has a total thickness that is greater than or equal to a few atomic layers or greater than or equal to 2 nm or greater than or equal to 5 nm or greater than or equal to 10 nm or greater than or equal to 50 nm or greater than or equal to 100 nm.
  • Charge generating layer is less than or equal to 240 nm or less than or equal to 120 nm or less than or equal to 60 nm.
  • the total thickness of the carrier generation layer is given by the sum of the thicknesses of the layers
  • Charge generating layer that is approximately from the sum of the thicknesses of the first carrier layer, the
  • closed layers produced by ALD or MLD processes may be able to produce a higher
  • Carrier generation layer can be made so that the optical design of a stacked OLED can be improved.
  • a red-emitting and a green-emitting organic light-emitting layer which are both located in the first cavity maximum, can be connected to one another via a charge carrier generation layer described here. This can be for the efficiency and
  • fluorescence or phosphorescence for example, polyfluorene, polythiophene or polyphenylene or derivatives, compounds, mixtures or copolymers thereof.
  • the organic functional layer stacks can be any organic functional layer stacks.
  • tertiary amines for example, tertiary amines, carbazole derivatives, with
  • Layer stacks may each further comprise a functional layer serving as an electron transport layer
  • the layer stacks can also in each case, for example, electron and / or
  • the substrate may, for example, one or more
  • Materials in the form of a layer, a plate, a foil or a laminate which are selected from glass, quartz, plastic, metal, silicon wafers.
  • the substrate glass for example in the form of a
  • Glass layer glass foil or glass plate, on or is from.
  • organic functional layer stacks between the two electrodes generated light in both directions, that can be radiated through the substrate as well as in the direction away from the substrate direction.
  • all layers of the organic light-emitting component may be transparent, so that the organic light-emitting component may form a transparent OLED.
  • one of the two electrodes, between which the organic functional layer stacks and the Charge carrier generating layer are arranged not ⁇ transparent and preferably reflective, so that in the light emitting layers of the
  • organic functional layer stack between the two electrodes during operation of the organic light-emitting device generated light can be emitted only in one direction through the transparent electrode. If the first electrode arranged on the substrate is transparent and the substrate is also transparent, then this is referred to as a so-called “bottom emitter”, whereas in the case where the second electrode arranged facing away from the substrate is transparent, then so called “top emitter” speaks. In all these cases can
  • transparent is here and hereinafter referred to a layer that is transparent to visible light, wherein the transparent layer may be clear translucent or at least partially light-scattering and / or partially light-absorbing, so that the transparent layer
  • a layer designated here as transparent is as permeable as possible, in particular for that produced in the organic functional layer stacks
  • FIGS 1A to 1D are schematic representations of
  • Charge carrier generation layer 10 in particular a
  • Carrier generation layer for an organic light emitting component shown according to an embodiment.
  • a first charge carrier line layer 1 is formed, which is predominantly conducting with respect to a first charge carrier type.
  • charge carrier line layer 1 may be applied to an organic functional layer stack, as described below in connection with FIGS. 2A to 2D.
  • charge carrier line layer 1 may be applied to an organic functional layer stack, as described below in connection with FIGS. 2A to 2D.
  • Carrier conductor layer 1 An intermediate layer. 2
  • a second carrier layer 3 is applied, which is predominantly conducting with respect to a second type of charge carrier, which is different from the first type of charge carrier.
  • At least one of the layers 1, 2, 3 of the carrier generation layer 10 is applied by an atomic layer deposition method or a molecular layer deposition method.
  • Carrier conductor layers 1, 3 and the intermediate layer 2 form the carrier generation layer 10.
  • the intermediate layer 2 is deposited by ALD or MLD.
  • materials for this can a
  • electrically conductive or electrically insulating material for example an electrically conductive or electrically insulating oxide or nitride, in particular a metal oxide, such as one or more selected from among aluminum oxide, titanium oxide, aluminum zinc oxide, zinc oxide,
  • Indium tin oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide Indium tin oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide.
  • silicon nitride is possible.
  • the intermediate layer 2 can be made with a very small thickness, which can be greater than or equal to an atomic layer.
  • the intermediate layer 2 may in particular have a thickness of less than or equal to 20 nm or less than or equal to 10 nm or less than or equal to 7 nm or less than or equal to 6 nm. Such a small thickness can advantageously allow a small voltage drop across the intermediate layer 2, which in the use of the
  • Charge generating layer 10 in an organic electronic device such as a
  • organic light-emitting device can lead to high efficiency.
  • the organic light-emitting device can lead to high efficiency.
  • the organic light-emitting device can lead to high efficiency.
  • Intermediate layer 2 has a thickness of greater than or equal to 1 nm or greater than or equal to 2 nm and less than or equal to 6 nm
  • the carrier wire layers 1, 3 can on
  • the first carrier layer 1 may be doped with the first type of carrier.
  • the first carrier layer 1 may be a
  • HAT-CN hexaazatriphenylenehexacarbonitrile
  • F16CuPc copper hexadecafluorophthalocyanine
  • ⁇ -NPD NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalene-1-yl) -N, ' bis (phenyl) benzidine)
  • beta-NPB N, '- bis (naphthalen-2-yl) -N,' - bis (phenyl) benzidine
  • TPD TPD
  • one or more materials can be considered, which are selected from a group which MoO x , WO x , VO x , Cu (I) pFBz (pFBz: pentafluorobenzoate), Bi (III) pFBz, F4- TCNQ (2, 3, 5, 6-tetrafluoro-7, 7,8,8-tetracyanoquinodimethane), NDP-2 and NDP-9.
  • Carrier wire layer 1 may be the first
  • Carrier conductor layer 1 also n-type and thus
  • Charge carrier layer 1 in this case n-doped.
  • An electron-conducting layer may be one or more materials selected from the group consisting of 2, 2 ', 2 "- (1, 3, 5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole). , 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazole, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthroline
  • first carrier layer 1 is p-type and p-doped, for example, then the second
  • Charge carrier layer 3 formed n-type, so for example n-doped, and vice versa.
  • Carrier wire layer 3 come in accordance with the above materials in question.
  • the intermediate layer 2 at least one or both of the carrier conductor layers 1, 3 are produced by means of ALD or MLD.
  • the carrier wiring layers 1, 3 can be manufactured by ALD or MLD, while the intermediate layer 2 and the other of the carrier wiring layers 1, 3 are manufactured by conventional methods.
  • both of the carrier wiring layers 1, 3 can be manufactured by ALD or MLD, while the intermediate layer 2 is manufactured by a conventional method.
  • all layers of the carrier wiring layers 1, 3 are manufactured by means of ALD or MLD.
  • the charge carrier generation layer 10 may comprise an electrically conductive material or an electrically insulating material, which may be used for
  • Charge generating layer 10 so for example a charge carrier line layer 1, 3, by means of ALD or MLD, a dopant is embedded in this during the layer formation. As shown in Figure 1D, this can be done
  • Starting materials 21, 22, 23 are provided, which are alternately supplied to a coating chamber 20. If, for example, material AI 2 O 3 is to be produced by means of ALD as the starting material 21
  • Trimethylaluminum (TMA) and used as a further starting material 22 H 2 O or ethylene glycol.
  • TMA Trimethylaluminum
  • ethylene glycol is provided, in which the desired dopant is dissolved.
  • a water-soluble dopant can as
  • the sequence of the starting materials 21, 22, 23 used can be used to control in a targeted manner how the dopant is embedded in the layer to be produced. Become only the
  • Dotierstoff staggered starting material 23 is embedded during the growth of the dopant in the growing layer. It may be advantageous, for example, depositing a sub-layer with dopant in one cycle and then a sub-layer without dopant to embed this in the forming layer. Under certain circumstances, it may be advantageous to carry out a cleaning of the coating chamber 20 after the use of the starting material 23 with the dopant, in order to remove any possible "loose" particles.
  • Coating chamber 20 also a
  • Direct liquid injection experienced (DLI method) can be used. This may be advantageous, for example, in the case when the starting materials are gaseous. However, it is not necessary that at the
  • a gas stream with a carrier gas and the dopant are passed into the coating chamber 20.
  • a carrier gas for example, helium can be used as the carrier gas.
  • Carrier gas stream can be transported into the coating chamber 20.
  • Many dopants are vaporizable or atomized by a spray process and can thus be converted into the gas phase.
  • Carrier generation layer 10 are produced by ALD or MLD, these may preferably comprise a same electrically insulating material, the
  • Achieve a desired conductivity may contain a dopant.
  • a carrier layer 1, 3 prepared by the method described herein may have a thickness of greater than or equal to an atomic layer, or greater than or equal to 1 nm, or greater than or equal to 10 nm. Furthermore, such a carrier layer 1, 3 may have a thickness of less than or equal to 100 nm or less than or equal to 50 nm or less than or equal to 20 nm.
  • carrier generation layer 10 having a total thickness greater than or equal to several atomic layers or greater than or equal to 2 nm or greater than or equal to 5 nm or greater than or equal to 10 nm.
  • the total thickness greater than or equal to several atomic layers or greater than or equal to 2 nm or greater than or equal to 5 nm or greater than or equal to 10 nm.
  • the total thickness of the carrier generation layer 10 is less than or equal to 240 nm, or less than or equal to 120 nm, or less than or equal to 60 nm.
  • Charge carrier generation layer 10 has no intermediate layer 2, but only from the carrier layer layers 1, 3 is formed. In this case the previous one applies
  • FIGS. 2A to 2D a method for producing an organic electronic component having a charge carrier generation layer 10 is shown that is embodied purely by way of example as an organic light emitting component 100. This is done in a first
  • a substrate 11 is provided, on which a first electrode 12 and a first organic functional layer stack 13th
  • the Substrate 11 and the first electrode 12 in particular
  • the substrate 11 can serve as a carrier element for the layers applied thereto and be formed, for example, from glass, quartz and / or a semiconductor material.
  • the substrate 11 can also be replaced by a
  • Plastic films and / or glass films may be formed.
  • the first electrode 12 may comprise or consist of a transparent conductive oxide.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, usually metal oxides, such as
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, Sn0 2 or ⁇ 2 ⁇ 3 include ternary
  • Metal oxygen compounds such as Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 0 5 or In 4 Sn 3 0i 2 or
  • TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
  • the first electrode 12 can comprise a metal layer with a metal or an alloy, for example with one or more of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Ag: Mg, Al. Furthermore, other metals are possible.
  • the metal layer has to form a transparent electrode in such a small thickness that it is at least partially transparent to light, for example, a thickness of less than or equal to 50 nm.
  • the transparent first electrode 12 may also be a
  • the first organic functional layer stack 13 has an organic light-emitting layer which is designed to operate during the operation of the organic light
  • the first organic functional layer stack 13 may in particular be formed as described above in the general part and in addition to the organic light-emitting layer further
  • organic functional layers for example hole transport layers, electron transport layers,
  • Hole blocking layers and / or electron blocking layers are Hole blocking layers and / or electron blocking layers.
  • Charge carrier layer 1 which is formed predominantly conductive for a first charge carrier type, and a second carrier layer 2, the predominantly conductive for a different second
  • Charge carrier type is formed, an intermediate layer 2, wherein at least one or more of the layers 1, 2, 3 is made by ALD or MLD. As shown in Figure 2C, in another
  • Layer stack 13 may be formed and in particular also has an organic light-emitting layer.
  • the second organic functional layer stack 14 may be, for example, by means of the organic light-emitting layer or else a previously applied layer
  • the organic functional layer stacks 13, 14 may be configured to emit differently colored light, so that the organic light emitting device 100 can emit mixed-colored light.
  • the second electrode 15 may be designed to be particularly reflective and comprise a metal selected from aluminum, barium, indium, silver, gold, magnesium, calcium and lithium, as well as
  • the reflective second electrode 15 may comprise Ag, Al or alloys therewith, for example Ag: Mg, Ag: Ca, Mg: Al.
  • reflective second electrode 15 is the one shown organic light emitting device 100 in particular designed as a bottom emitter.
  • both electrodes 12, 15 may be transparent, so that the
  • organic light-emitting device 100 may be formed as a transparent organic light-emitting diode. Furthermore, it is also possible for the first electrode 12 to be reflective and the second electrode 15 to be transparent
  • the organic light emitting device 100 may be formed in this case as a top emitter.
  • the carrier generation layer 10 is N-type, while the second carrier line layer 3 is P-type.
  • the polarity of the organic light emitting device 100 may also be
  • the electrodes 12, 15 may each be formed over a large area. As a result, a large-area radiation of the light generated in the organic functional layer stacks 13, 14 can be made possible.
  • Large area may mean that the organic light-emitting component 100 has an area of greater than or equal to a few square millimeters, preferably greater than or equal to one square centimeter, and particularly preferably greater than or equal to one square decimeter.
  • the organic light emitting device 100 may be further organic
  • each functional layer stack each having an organic light-emitting layer. Between each adjacent organic functional layer stack then a respective charge carrier generating layer is arranged, which can be produced by the method described here.
  • the encapsulation arrangement can have one or more thin layers which are applied, for example, by means of an atomic layer deposition method and which comprise, for example, one or more of the materials aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide,
  • Titanium oxide, hafnium oxide, lanthanum oxide and tantalum oxide have.
  • the encapsulation arrangement can furthermore, for example on a thin-layer encapsulation, have a mechanical protection in the form of a plastic layer and / or a laminated glass layer, as a result of which, for example, a scratch protection can be achieved.
  • a mechanical protection in the form of a plastic layer and / or a laminated glass layer
  • Embodiments may additionally or alternatively have further features described above in the general part.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Ladungsträgererzeugungsschicht (10) für ein organisches Licht emittierendes Bauelement angegeben mit den Schritten: A) Ausbilden einer ersten Ladungsträgerleitungsschicht (1), die überwiegend leitend ist für einen ersten Ladungsträgertyp, B) Aufbringen einer Zwischenschicht (2) auf der ersten Ladungsträgerleitungsschicht (1) und C) Aufbringen einer zweiten Ladungsträgerleitungsschicht (3), die überwiegend leitend ist für einen vom ersten Ladungsträgertyp verschiedenen zweiten Ladungsträgertyp, auf der Zwischenschicht (2), wobei zumindest eine der ersten Ladungsträgerleitungsschicht (1), der Zwischenschicht (2) und der zweiten Ladungsträgerleitungsschicht (3) mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens oder eines Moleküllagenabscheideverfahrens aufgebracht wird. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements mit einer Ladungsträgererzeugungsschicht und ein organisches Licht emittierendes Bauelement mit einer Ladungsträgererzeugungsschicht angegeben.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung einer
Ladungsträgererzeugungsschicht, Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements mit einer Ladungsträgererzeugungsschicht und organisches Licht
emittierendes Bauelement mit einer
LadungsträgererzeugungsSchicht Es werden ein Verfahren zur Herstellung einer
Ladungsträgererzeugungsschicht, ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements mit einer
Ladungsträgererzeugungsschicht und ein organisches Licht emittierendes Bauelement mit einer
Ladungsträgererzeugungsschicht angegeben.
Eine organische Licht emittierende Diode (OLED) kann
Ladungsträgerpaare, die jeweils aus einem Elektron und einem Loch gebildet werden und die in eine organische
Emitterschicht injiziert werden, in Photonen konvertieren. Bei einer OLED mit nur einer Emitterschicht kann pro
injiziertem Ladungsträgerpaar maximal ein Photon erzeugt werden. Um eine höhere Effizienz zu erreichen, ist es bekannt, mehrere Emitterschichten übereinander zu stapeln, wobei zwischen benachbarten Emitterschichten jeweils eine Ladungsträgererzeugungsschicht (CGL: „Charge generation layer") angeordnet ist. Dadurch kann es möglich sein, pro Ladungsträgerpaar, das in einen solchen Stapel injiziert wird, mehrere Photonen zu erzeugen, da CGLs wie interne
Anoden und Kathoden wirken.
Eine CGL weist üblicherweise einen Löcher leitenden und einen Elektronen leitenden Bereich, in der Regel realisiert durch einen p-dotierten und einen n-dotierten Bereich, auf, die über eine Zwischenschicht miteinander verbunden sein können. Die einzelnen CGL-Schichten werden üblicherweise durch
Vakuumverdampfung, Flüssigprozessierung oder Sputterprozesse aufgebracht. Für die Zwischenschicht ist eine Reihe von Materialien von organischen Verbindungen wie Phthalocyaninen über Metalloxide bis hin zu Metallen bekannt, die mittels solcher Verfahren aufgebracht werden. Das Aufbringen von Metalloxiden ist hierbei insbesondere mittels Sputtern möglich, wobei durch den harten Ionenbeschuss bereits aufgebrachte organische Schichten geschädigt werden können.
Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer
Ladungsträgererzeugungsschicht anzugeben. Zumindest eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht
emittierenden Bauelements mit einer
Ladungsträgererzeugungsschicht anzugeben. Zumindest eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein organisches Licht emittierendes Bauelement mit einer
Ladungsträgererzeugungsschicht anzugeben .
Diese Aufgaben werden durch Verfahren und einen Gegenstand gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Verfahren und des Gegenstands sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird bei einem
Verfahren zur Herstellung einer
Ladungsträgererzeugungsschicht eine erste Ladungsträgerleitungsschicht ausgebildet, die überwiegend für einen ersten Ladungsträgertyp leitend ist. Darauf wird eine zweite Ladungsträgerleitungsschicht aufgebracht, die
überwiegend für einen vom ersten Ladungsträgertyp
verschiedenen zweiten Ladungsträgertyp leitend ist. Dass eine Ladungsträgerleitungsschicht überwiegend für einen bestimmten Ladungsträgertyp leitend ist, kann insbesondere bedeuten, dass diese Ladungsträgerleitungsschicht Elektronen und Löcher nicht gleich gut leitet, sondern eher p-leitend oder eher n- leitend ist und somit eine höhere Leitfähigkeit für Löcher als für Elektronen oder umgekehrt aufweist. Insbesondere kann eine überwiegend für einen bestimmten Ladungsträgertyp leitende Ladungsträgerleitungsschicht auch vereinfacht als eine für diesen Ladungsträgertyp leitende
Ladungsträgerleitungsschicht bezeichnet werden. Hierbei kann es auch sein, dass diese Ladungsträgerleitungsschicht
ausschließlich für den bestimmten Ladungsträgertyp leitend ist . Weiterhin ist es auch möglich, dass eine erste
Ladungsträgerleitungsschicht ausgebildet wird, die
überwiegend für einen ersten Ladungsträgertyp leitend ist, darüber eine Zwischenschicht aufgebracht wird und auf dieser eine zweite Ladungsträgerleitungsschicht aufgebracht wird, die überwiegend für einen vom ersten Ladungsträgertyp
verschiedenen zweiten Ladungsträgertyp leitend ist.
Insbesondere kann mit dem hier beschriebenen Verfahren eine Ladungsträgererzeugungsschicht für ein organisches
elektronisches Bauelement wie etwa ein organisches Licht emittierendes Bauelement hergestellt werden. Darüber hinaus kann die Ladungsträgererzeugungsschicht auch in Verbindung mit anderen organischen elektronischen Bauelementen verwendet werden . Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements, etwa einem organischen Licht emittierenden
Bauelement, mit einer Ladungsträgererzeugungsschicht ein erster organischer funktioneller Schichtenstapel
bereitgestellt. Auf dem ersten organischen funktionellen Schichtenstapel wird eine Ladungsträgererzeugungsschicht ausgebildet. Darüber wird ein zweiter organischer
funktioneller Schichtenstapel aufgebracht. Weiterhin kann es auch möglich sein, dass auf einem Substrat eine erste
Elektrode aufgebracht wird. Darüber wird ein erster
organischer funktioneller Schichtenstapel aufgebracht. Auf dem ersten organischen funktionellen Schichtenstapel wird eine Ladungsträgererzeugungsschicht ausgebildet. Darüber werden ein zweiter organischer funktioneller Schichtenstapel und auf diesem eine zweite Elektrode angeordnet.
Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform weist ein organisches elektronisches Bauelement wie etwa ein
organisches Licht emittierendes Bauelement zwischen einem ersten und einem zweiten organischen funktionellen
Schichtenstapel eine Ladungsträgererzeugungsschicht auf, die gemäß dem vorher beschriebenen Verfahren hergestellt wird.
Die Ladungsträgererzeugungsschicht kann insbesondere jeweils unmittelbar an den ersten organischen funktionellen
Schichtenstapel und an den zweiten organischen funktionellen Schichtenstapel angrenzen. Weiterhin kann es auch möglich sein, ein organisches elektronisches Bauelement herzustellen, das mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstapel aufweist, wobei jeweils zwischen zwei benachbarten
organischen funktionellen Schichtenstapel eine Ladungsträgererzeugungsschicht angeordnet wird, die mit einem Verfahren hergestellt wird, das hier beschriebene Merkmale aufweisen kann. Die vorab und im Folgenden beschriebenen Merkmale und
Ausführungsformen gelten gleichermaßen für das Verfahren zur Herstellung der Ladungsträgererzeugungsschicht als auch für das Verfahren zur Herstellung des organischen elektronischen Bauelements mit der Ladungsträgererzeugungsschicht also auch für das organische elektronische Bauelement. Das organische elektronische Bauelement kann insbesondere beispielsweise ein organisches Licht emittierendes Bauelement sein.
Mit einer „Ladungsträgererzeugungsschicht" wird hier und im Folgenden eine Schichtenfolge beschrieben, die im Allgemeinen durch einen rückwärts betriebenen pn-Übergang gebildet wird. Die Ladungsträgererzeugungsschicht, die auch als „Charge generation layer" (CGL) bezeichnet werden kann, ist
insbesondere als Tunnelübergang ausgebildet, der zu einer effektiven Ladungstrennung und damit zur „Erzeugung" von Ladungsträgern für an die Ladungsträgererzeugungsschicht angrenzende Schichten eingesetzt werden kann.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die erste
Ladungsträgerleitungsschicht der
Ladungsträgererzeugungsschicht n-leitend ausgebildet, beispielsweise n-leitend dotiert. Das bedeutet mit anderen Worten, dass die erste Ladungsträgerleitungsschicht
Elektronen leitend ist und beispielsweise eine
Elektronentransportschicht sein kann. Die darauf aufgebrachte zweite Ladungsträgerleitungsschicht wird dann entsprechend p- leitend hergestellt, beispielsweise p-leitend dotiert, so dass die zweite Ladungsträgerleitungsschicht Löcher leitend ist und beispielsweise eine Lochtransportschicht sein kann. Alternativ hierzu ist es auch möglich, die erste
Ladungsträgerleitungsschicht p-leitend und die zweite
Ladungsträgerleitungsschicht n-leitend herzustellen. Die Wahl der Ladungsträgertypen für die erste und zweite
Ladungsträgerleitungsschicht der
Ladungsträgererzeugungsschicht hängen von der Polarität des organischen elektronischen Bauelements ab, in das die
Ladungsträgererzeugungsschicht integriert wird. Wird die Ladungsträgererzeugungsschicht auf einem organischen
funktionellen Schichtenstapel über einer ersten Elektrode aufgebracht, die als Anode ausgebildet ist, wird die erste Ladungsträgerleitungsschicht n-leitend hergestellt, während die zweite Ladungsträgerleitungsschicht p-leitend ausgebildet wird. Wird die Ladungsträgererzeugungsschicht auf einer als Kathode ausgebildeten ersten Elektrode aufgebracht, werden die erste und zweite Ladungsträgerleitungsschicht der
organischen Ladungsträgererzeugungsschicht entsprechend mit umgekehrten Ladungsträgertypenleitfähigkeiten ausgebildet und beispielsweise mit umgekehrten Ladungsträgertypen dotiert.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird zumindest eine Schicht der Ladungsträgererzeugungsschicht mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD: „atomic layer deposition") oder mittels eines Moleküllagenabscheideverfahrens (MLD:
„molecular layer deposition") aufgebracht. Es wird somit zumindest eine der ersten Ladungsträgerleitungsschicht, der Zwischenschicht und der zweiten Ladungsträgerleitungsschicht mittels eines ALD- oder eines MLD-Verfahrens hergestellt. ALD- und MLD-Verfahren sind zwar prinzipiell bekannt, jedoch werden solche Verfahren in Verbindung mit organischen
elektronischen Bauelementen üblicherweise zur Herstellung von Verkapselungsanordnungen über organischen funktionellen Schichtenstapeln und nicht zur Herstellung von Schichten zwischen organischen funktionellen Schichtenstapeln und damit innerhalb von organischen Schichtaufbauten verwendet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die Zwischenschicht mittels des ALD-Verfahrens oder des MLD-Verfahrens
aufgebracht. Das kann insbesondere bedeuten, dass nur die Zwischenschicht mit einem dieser Verfahren aufgebracht wird, während die Ladungsträgerleitungsschichten mit
Standardverfahren wie beispielsweise Vakuumverdampfung, Sputtern oder Flüssigprozessierung abgeschieden werden.
Weiterhin ist es auch möglich, dass nur die erste
Ladungsträgerleitungsschicht oder nur die zweite
Ladungsträgerleitungsschicht oder nur beide
Ladungsträgerleitungsschichten mittels ALD oder MLD
aufgebracht werden, während die jeweils andere Schicht oder anderen Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht mittels üblicher Verfahren aufgebracht werden. Weiterhin kann es auch möglich sein, dass alle Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht mittels ALD oder MLD
aufgebracht werden. Beispielsweise kann somit jede der ersten Ladungsträgerleitungsschicht, der Zwischenschicht und der zweiten Ladungsträgerleitungsschicht mittels ALD oder MLD aufgebracht werden. Dadurch kann es möglich sein, die
Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht in einem
gleichen Prozess aufzubringen. In diesem Fall kann es außerdem möglich sein, dass die Schichten der
Ladungsträgererzeugungsschicht ein gleiches Material
aufweisen. Das gleiche Material kann beispielsweise zumindest in den Ladungsträgerleitungsschichten ein Matrixmaterial für einen gleichzeitig aufgebrachten Dotierstoff bilden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird im Rahmen der Herstellung der Ladungsträgererzeugungsschicht je nach herzustellender Schicht mittels ALD oder MLD ein elektrisch leitendes oder ein elektrisch isolierendes Material
aufgebracht. Hierbei kann es sich beispielsweise um ein elektrisch leitendes oder elektrisch isolierendes Oxid, insbesondere ein Metalloxid, handeln. Beispielsweise kann eines oder mehrere Materialien ausgewählt aus Aluminiumoxid ( AI 2O3 ) , Titanoxid, insbesondere Titandioxid ( T 1 O2 ) ,
Aluminiumzinkoxid, Zinkoxid (ZnOx) , Indiumzinnoxid,
Zirkoniumoxid (ZrOx) , Hafniumoxid (HfOx) und Tantaloxid, insbesondere Tantalpentoxid ( T a20s ) aufgebracht werden.
Darüber hinaus kann beispielsweise auch ein Nitrid wie etwa Siliziumnitrid (SixNy) möglich sein. Bei derartigen
Materialien kann es möglich sein, dass diese mittels
Standardverfahren wie Vakuumverdampfung oder
Flüssigprozessierung nicht oder nicht in ausreichender
Qualität abgeschieden werden können. Es ist zwar prinzipiell möglich, derartige Materialien durch Sputtern aufzubringen, jedoch ist dieses Verfahren für die Herstellung einer CGL unmittelbar auf organischen Schichten nachteilig, da der harte Ionenbeschuss beim Sputtern die vorher aufgebrachte Organik üblicherweise schädigen würde. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird im Rahmen der
Herstellung der Ladungsträgererzeugungsschicht mittels ALD oder MLD eine dotierte Schicht hergestellt. Es kann hierbei möglich sein, dass eine einzelne Schicht der
Ladungsträgererzeugungsschicht, beispielsweise eine der Ladungsträgerleitungsschichten, als dotierte Schicht mittels ALD oder MLD hergestellt wird. Weiterhin kann es auch möglich sein, das beispielsweise beide Ladungsträgerleitungsschichten als unterschiedlich dotierte Schichten hergestellt werden. Zur Herstellung einer dotierten Schicht kann insbesondere ein Matrixmaterial mit einem Dotierstoff aufgebracht werden, der in der fertiggestellten dotierten Schicht im Matrixmaterial eingebettet ist. Das Matrixmaterial selbst kann elektrisch leitend oder auch elektrisch isolierend sein. Letzterer Fall kann insbesondere in Verbindung mit dünnen p- und n-dotierten Schichten vorliegen, bei denen das Matrixmaterial lediglich eine Art Trägerfunktion übernimmt, nicht aber an der
elektrochemischen Reaktion selbst in der
Ladungsträgererzeugungsschicht teilnimmt. Mit anderen Worten sind in diesem Fall lediglich die Dotierstoffe am pn-Übergang beteiligt, nicht aber das Matrixmaterial. Alternativ hierzu kann es auch möglich sein, ein leitfähiges Matrixmaterial oder ein intrinsisch p- oder n-leitendes Material ohne einen Dotierstoff zu verwenden, beispielsweise Aluminiumzinkoxid oder Indiumzinnoxid.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weisen alle Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht, also die
Ladungsträgerleitungsschichten und gegebenenfalls die
dazwischen angeordnete Zwischenschicht, ein gleiches Material auf, das zumindest in den Ladungsträgerleitungsschichten als Matrixmaterial für einen Dotierstoff dient. Dadurch können alle Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht in einem gleichen Prozess aufgebracht werden, wobei zur Bildung von dotierten Schichten lediglich der entsprechende Dotierstoff zugegeben werden muss. Für eine derartige Ausführungsform eignen sich insbesondere elektrisch isolierende
Matrixmaterialien. Beispielsweise kann ein Dotierstoff im Rahmen des ALD- oder MLD-Verfahrens zusammen mit zumindest einem Ausgangsmaterial zur Herstellung der entsprechenden Schicht der Ladungsträgererzeugungsschicht einer
Beschichtungskammer zugeführt werden, in der die Ladungsträgererzeugungsschicht hergestellt wird. Im Falle eines ALD-Verfahrens oder MLD-Verfahrens kann dies auf einfache Art und Weise erfolgen, da die unterschiedlichen Ausgangsmaterialien wechselweise der Beschichtungskammer zugeführt werden. Der Dotierstoff kann zumindest einem der Ausgangsmaterialien beigemischt sein und so während des
Aufwachsens der Schicht in die wachsende Schicht eingebettet werden. Der Dotierstoff kann auch separat bereitgestellt werden und zusammen mit zumindest einem Ausgangsmaterial zugeführt werden. Weiterhin kann es auch möglich sein, unter Zuhilfenahme eines Direktflüssigkeitseinspritzungsverfahrens („direct liquid injection", DLI) beispielsweise einen
partikelförmigen Dotierstoff in einer Flüssigkeit
bereitzustellen. Durch eine gepulste Zuleitung eines
geeigneten Trägergases wie beispielsweise Helium mit einem geeigneten Druck kann die Flüssigkeit zusammen mit den
DotierstoffPartikeln in kleine Tröpfchen überführt werden, die dann der Beschichtungskammer zugeführt werden. Das DLI- Verfahren kann in Kombination mit dem ALD- oder MLD- Verfahren, im Prinzip aber auch in Kombination mit einem anderen Verfahren wie etwa einem CVD-Verfahren, durchgeführt werden, das geeignet ist, eine dotierte Schicht herzustellen. Die beschriebenen Verfahren können insbesondere geeignet sein, einen Dotierstoff homogen in der herzustellenden dotierten Schicht der Ladungsträgererzeugungsschicht
einzubetten .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das
Atomlagenabscheideverfahrens oder das
Moleküllagenabscheideverfahren bei einer Temperatur von kleiner oder gleich 100 °C durchgeführt. Die maximal mögliche Abscheidetemperatur kann hierbei insbesondere durch die
Stabilität der organischen Schichten limitiert sein, auf denen die Ladungsträgererzeugungsschicht aufgebracht wird. Bevorzugt können somit insbesondere Materialien verwendet werden, die mittels einer so genannten Niedrigtemperatur-ALD oder -MLD aufgebracht werden können. Im Folgenden sind beispielhafte Ausgangsmaterialien angegeben, wobei zu den angegebenen Materialien in Klammern jeweils beispielhafte Verfahrenstemperaturen zusammen mit weiteren
Ausgangsmaterialien zu Bildung der jeweils danach angegebenen Schichtmaterialien angegeben sind:
- Trimethylaluminium (H20; 33°C, 42°C; A1203)
- Trimethylaluminium (O3; Raumtemperatur; AI2O3)
- Trimethylaluminium (02-Plasma; Raumtemperatur; AI2O3)
- Hf[N(Me2)]4 (H20; 90°C; Hf02)
- Tetrakis (dimethylamino) zinn (H2O2; 50°C; SnC>2)
- C12H26N2Sn (H202; 50°C; SnOx)
- TaCl5 (H20; 80°C; Ta205)
- Ta[N(CH3)2]5 (02-Plasma; 100°C; Ta205)
- Ti [OCH(CH3) ]4 (H20; 35°C; Ti02)
- TiCl4 (H20; 100°C; Ti02)
- Zn(CH2CH3)2 (H20; 60°C; ZnO)
- Zn(CH2CH3)2 (H202; Raumtemperatur; ZnO)
- (Zr (N(CH3)2)4)2 (H20; 80°C; Zr02)
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die erste und/oder zweite Ladungsträgerleitungsschicht eine Dicke von größer oder gleich einer Atomlage oder von größer oder gleich 1 nm oder von größer oder gleich 10 nm auf. Weiterhin kann die erste und/oder zweite Ladungsträgerleitungsschicht eine Dicke von kleiner oder gleich 100 nm oder von kleiner oder gleich 50 nm oder von kleiner oder gleich 20 nm aufweisen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die
Zwischenschicht eine Dicke auf, die größer oder gleich einer Atomlage oder größer oder gleich 1 nm oder größer oder gleich 2 nm oder größer oder gleich 5 nm ist. Weiterhin kann die Zwischenschicht eine Dicke aufweisen, die kleiner oder gleich 20 nm oder kleiner oder gleich 10 nm oder kleiner oder gleich 7 nm oder kleiner oder gleich 6 nm ist. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform kann die Zwischenschicht
beispielsweise eine Dicke von größer oder gleich 2 nm und kleiner oder gleich 6 nm aufweisen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die
Ladungsträgererzeugungsschicht eine Gesamtdicke auf, die größer oder gleich einige Atomlagen oder größer oder gleich 2 nm oder größer oder gleich 5 nm oder größer oder gleich 10 nm oder größer oder gleich 50 nm oder größer oder gleich 100 nm ist. Insbesondere kann die Gesamtdicke der
Ladungsträgererzeugungsschicht kleiner oder gleich 240 nm oder kleiner oder gleich 120 nm oder kleiner oder gleich 60 nm sein. Die Gesamtdicke der Ladungsträgererzeugungsschicht ergibt sich aus der Summe der Dicken der Schichten der
Ladungsträgererzeugungsschicht, also etwa aus der Summe der Dicken der ersten Ladungsträgerleitungsschicht, der
Zwischenschicht und der zweiten Ladungsträgerleitungsschicht.
Da sich mittels ALD und MLD bereits innerhalb einiger
Atomlagen geschlossene Filme und damit durchgängige Schichten bilden, kann es mittels des hier beschriebenen Verfahrens und insbesondere durch die Verwendung eines ALD- oder MLD- Verfahrens zur Herstellung von zumindest einer oder mehreren oder allen Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht möglich sein, eine sehr dünne CGL mit einer Dicke von
beispielsweise nur einigen Nanometern herzustellen. Bei dem hier beschriebenen Verfahren kann durch die Verwendung eines ALD- oder MLD-Verfahrens im Zusammenhang mit der Herstellung zumindest einer oder mehrerer oder sogar aller Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht weiterhin die Auswahl an
Materialien, die für eine CGL verwendet werden können, erhöht werden. Aufgrund der üblicherweise sehr homogenen und
geschlossenen mittels ALD- oder MLD-Verfahren hergestellten Schichten kann es möglich sein, eine höhere
Langzeitstabilität im Vergleich zu CGLs zu erreichen, die mittels herkömmlicher Verfahren und Materialien hergestellt werden. Darüber hinaus kann es aufgrund der Tatsache, dass mittels ALD und MLD äußerst dünne geschlossene Filme
abgeschieden werden können, möglich sein, einen geringen Spannungsabfall über die Zwischenschicht und damit eine erhöhte Effizienz zu erreichen. Weiterhin kann mit dem hier beschriebenen Verfahren eine sehr dünne
Ladungsträgererzeugungsschicht hergestellt werden, so dass die optische Auslegung einer gestapelten OLED verbessert werden kann. Beispielsweise können eine rot emittierende und eine grün emittierende organische Licht emittierende Schicht, die sich beide im ersten Kavitätsmaximum befinden, über eine hier beschriebene Ladungsträgererzeugungsschicht miteinander verbunden werden. Dies kann für die Effizienz und
Blickwinkelunabhängigkeit eines organischen Licht
emittierenden Bauelements von Vorteil sein. Für den Fall, dass die Schichten der Ladungsträgererzeugungsschicht auf demselben Materialsystem beruhen, können eine einfache
Prozessführung und eine verkürzte Taktzeit möglich sein.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weisen der erste und zweite organische funktionelle Schichtstapel jeweils
Schichten mit organischen Polymeren, organischen Oligomeren, organischen Monomeren, organischen kleinen, nicht-polymeren Molekülen („small molecules") oder Kombinationen daraus auf. Der erste und zweite organische funktionelle Schichtenstapel können gleich oder verschieden ausgebildet sein, also gleiche oder unterschiedliche Materialien und/oder
Schichtkombinationen aufweisen. Insbesondere kann jeder der organischen funktionellen Schichtenstapel zumindest eine organische Licht emittierende Schicht aufweisen, die dazu eingerichtet ist, bei Ladungsträgerinjektion aufgrund von Elektrolumineszenz Licht zu erzeugen. Als Materialien für die organischen Licht emittierenden Schichten eignen sich somit Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von
Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon. Die
organischen Licht emittierenden Schichten der organischen funktionellen Schichtenstapel können dazu eingerichtet sein, gleiches oder unterschiedlich farbiges Licht zu erzeugen. Das organische elektronische Bauelement kann somit bevorzugt als organisches Licht emittierendes Bauelement und insbesondere als gestapelte organische Licht emittierende Diode (OLED) ausgebildet sein.
Die organischen funktionellen Schichtenstapel können
weiterhin jeweils zumindest eine funktionelle Schicht
aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist, um eine effektive Löcherinjektion in die jeweilige zumindest eine Licht emittierende Schicht zu ermöglichen. Als
Materialien für eine Lochtransportschicht können sich
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, mit
Camphersulfonsäure dotiertes Polyanilin oder mit
Polystyrolsulfonsäure dotiertes Polyethylendioxythiophen als vorteilhaft erweisen. Die organischen funktionellen
Schichtenstapel können weiterhin jeweils eine funktionelle Schicht aufweisen, die als Elektronentransportschicht
ausgebildet ist. Darüber hinaus können die Schichtenstapel auch jeweils beispielsweise auch Elektronen- und/oder
Löcherblockierschichten aufweisen .
Das Substrat kann beispielsweise eines oder mehrere
Materialien in Form einer Schicht, einer Platte, einer Folie oder einem Laminat aufweisen, die ausgewählt sind aus Glas, Quarz, Kunststoff, Metall, Siliziumwafer . Besonders bevorzugt weist das Substrat Glas, beispielsweise in Form einer
Glasschicht, Glasfolie oder Glasplatte, auf oder ist daraus.
Im Hinblick auf den prinzipiellen Aufbau eines organischen Licht emittierenden Bauelements, dabei insbesondere im
Hinblick auf den Aufbau, die SchichtZusammensetzung und die Materialien der organischen funktionellen Schichtenstapel, wird auf die Druckschrift WO 2010/066245 AI verwiesen, die diesbezüglich hiermit ausdrücklich durch Rückbezug
aufgenommen wird.
Die zwei Elektroden, zwischen denen die organischen
funktionellen Schichtenstapel und die
Ladungsträgererzeugungsschicht angeordnet sind, können beispielsweise beide transparent ausgebildet sein, sodass das in den organischen Licht emittierenden Schichten der
organischen funktionellen Schichtenstapeln zwischen den beiden Elektroden erzeugte Licht in beide Richtungen, also durch das Substrat hindurch als auch in die vom Substrat abgewandte Richtung, abgestrahlt werden kann. Weiterhin können beispielsweise alle Schichten des organischen Licht emittierenden Bauelements transparent ausgebildet sein, sodass das organische Licht emittierende Bauelement eine transparente OLED bilden kann. Darüber hinaus kann es auch möglich sein, dass eine der beiden Elektroden, zwischen denen die organischen funktionellen Schichtenstapel und die Ladungsträgererzeugungsschicht angeordnet sind, nicht¬ transparent und vorzugsweise reflektierend ausgebildet ist, sodass das in den Licht emittierenden Schichten der
organischen funktionellen Schichtenstapel zwischen den beiden Elektroden im Betrieb des organischen Licht emittierenden Bauelements erzeugte Licht nur in eine Richtung durch die transparente Elektrode abgestrahlt werden kann. Ist die auf dem Substrat angeordnete erste Elektrode transparent und ist auch das Substrat transparent ausgebildet, so spricht man auch von einem so genannten „bottom emitter", während man im Fall, dass die dem Substrat abgewandt angeordnete zweite Elektrode transparent ausgebildet ist, von einem so genannten „top emitter" spricht. In allen genannten Fällen kann
insbesondere die Ladungsträgererzeugungsschicht transparent ausgebildet sein.
Mit „transparent" wird hier und im Folgenden eine Schicht bezeichnet, die durchlässig für sichtbares Licht ist. Dabei kann die transparente Schicht klar durchscheinend oder zumindest teilweise Licht streuend und/oder teilweise Licht absorbierend sein, so dass die transparente Schicht
beispielsweise auch diffus oder milchig durchscheinend sein kann. Besonders bevorzugt ist eine hier als transparent bezeichnete Schicht möglichst durchlässig insbesondere für in den organischen funktionellen Schichtenstapeln erzeugtes
Licht ausgebildet, so dass insbesondere die Absorption von abzustrahlendem Licht so gering wie möglich ist.
Über den organischen funktionellen Schichtenstapeln und insbesondere auch über den Elektroden kann eine
Verkapselungsanordnung zum Schutz dieser aufgebracht sein. Die Verkapselungsanordnung kann beispielsweise eine
Abdeckung, etwa in Form eines Glasdeckels, oder eine Dünnschichtverkapselung mit einer oder mehreren dünnen
Schichten, aufweisen.
Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und
Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in
Verbindung mit den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispielen .
Es zeigen:
Figuren 1A bis 1D schematische Darstellungen von
Verfahrensschritten eines Verfahrens zur Herstellung einer Ladungsträgererzeugungsschicht und Figuren 2A bis 2D schematische Darstellungen von
Verfahrensschritten eines Verfahrens zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements mit einer Ladungsträgererzeugungsschicht . In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
In den Figuren 1A bis 1D sind Verfahrensschritte eines
Verfahrens zur Herstellung einer
Ladungsträgererzeugungsschicht 10, insbesondere einer
Ladungsträgererzeugungsschicht für ein organisches Licht emittierendes Bauelement, gemäß einem Ausführungsbeispiel dargestellt .
In einem ersten Verfahrensschritt wird, wie in Figur 1A gezeigt ist, eine erste Ladungsträgerleitungsschicht 1 ausgebildet, die überwiegend leitend in Bezug auf einen ersten Ladungsträgertyp ist. Die erste
Ladungsträgerleitungsschicht 1 kann beispielsweise auf einem organischen funktionellen Schichtenstapel aufgebracht werden, wie weiter unten in Verbindung mit den Figuren 2A bis 2D beschrieben ist. In einem weiteren Verfahrensschritt, der in Figur 1B gezeigt ist, wird auf der ersten
Ladungsträgerleitungsschicht 1 eine Zwischenschicht 2
aufgebracht. Darüber wird in einem weiteren
Verfahrensschritt, wie in Figur IC gezeigt ist, eine zweite Ladungsträgerleitungsschicht 3 aufgebracht, die überwiegend leitend in Bezug auf einen zweiten Ladungsträgertyp ist, der verschieden vom ersten Ladungsträgertyp ist. Zumindest eine der Schichten 1, 2, 3 der Ladungsträgererzeugungsschicht 10 wird mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens oder eines Moleküllagenabscheideverfahrens aufgebracht. Die
Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 und die Zwischenschicht 2 bilden die Ladungsträgererzeugungsschicht 10. Beispielsweise wird nur die Zwischenschicht 2 mittels ALD oder MLD aufgebracht. Als Materialien hierzu kann ein
elektrisch leitendes oder elektrisch isolierendes Material aufgebracht werden, beispielsweise ein elektrisch leitendes oder elektrisch isolierendes Oxid oder Nitrid, insbesondere ein Metalloxid, wie etwa eines oder mehrere ausgewählt aus Aluminiumoxid, Titanoxid, Aluminiumzinkoxid, Zinkoxid,
Indiumzinnoxid, Zirkonoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid.
Weiterhin ist beispielsweise auch Siliziumnitrid möglich. Bevorzugt können diesbezüglich Materialien aufgebracht werden, die mittels einer so genannten Niedrigtemperatur-ALD oder -MLD aufgebracht werden können und damit bei
Prozesstemperaturen von kleiner oder gleich 100°C. Beispiele hierfür sind oben im allgemeinen Teil genannt.
Durch die Verwendung eines ALD- oder MLD-Verfahrens kann die Zwischenschicht 2 mit einer sehr geringen Dicke hergestellt werden, die größer oder gleich eine Atomlage sein kann.
Insbesondere einige Atomlagen können bereits ausreichen, eine geschlossene zusammenhängende Zwischenschicht 2 herzustellen. Die Zwischenschicht 2 kann insbesondere eine Dicke von kleiner oder gleich 20 nm oder von kleiner oder gleich 10 nm oder von kleiner oder gleich 7 nm oder kleiner oder gleich 6 nm aufweisen. Eine derartige geringe Dicke kann mit Vorteil einen geringen Spannungsabfall über der Zwischenschicht 2 ermöglichen, was bei der Verwendung der
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 in einem organischen elektronischen Bauelement wie beispielsweise einem
organischen Licht emittierenden Bauelement zu einer hohen Effizienz führen kann. Beispielsweise kann die
Zwischenschicht 2 eine Dicke von größer oder gleich 1 nm oder größer oder gleich 2 nm und kleiner oder gleich 6 nm
aufweisen .
Die Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 können auf
herkömmliche Weise hergestellt sein, beispielsweise also mittels Vakuumverdampfung oder Flüssigprozessierung. Beispielsweise kann die erste Ladungsträgerleitungsschicht 1 mit dem ersten Ladungsträgertyp dotiert sein. Insbesondere kann die erste Ladungsträgerleitungsschicht 1 ein
Matrixmaterial aufweisen, das einen Dotierstoff für den ersten Ladungsträgertyp enthält. Beispielsweise kann die erste Ladungsträgerleitungsschicht 1 p-leitend dotiert und damit Löcher leitend sein. Für eine Löcher leitende Schicht kann eines oder mehrere
Materialien in Frage kommen, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die HAT-CN (Hexaazatriphenylenhexacarbonitril ) , F16CuPc (Kupfer-Hexadecafluorophthalocyanin) , α-NPD, NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) , beta-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-2-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) , TPD
(N, ' -Bis ( 3-methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) , Spiro- TPD (N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) , Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) , DMFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) , DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) , DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) , DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) , Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (N, N-diphenylamino) - 9, 9 ' -spirobifluoren) , 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren, 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl ]-9H-fluoren, 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2- yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl ]-9H-fluor, N, N ' - bis (phenanthren- 9-yl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin, 2, 7-Bis [N, N- bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro-bifluoren, 2,2'-Bis[N,N-bis (biphenyl-4-yl ) amino ] 9, 9-spiro-bifluoren, 2 , 2 ' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren, Di- [4- (N, N- ditolyl-amino) -phenyl ] cyclohexan, 2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren, N, , ' , ' -tetra-naphthalen-2-yl- benzidin sowie Gemische dieser Verbindungen umfasst. Als p- Dotierstoff kann eines oder mehrere Materialien in Frage kommen, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die MoOx, WOx, VOx, Cu(I)pFBz (pFBz: Pentafluorobenzoat ) , Bi(III)pFBz, F4- TCNQ (2, 3, 5, 6-Tetrafluoro-7 , 7,8, 8-tetracyanoquinodimethan) , NDP-2 und NDP-9 umfasst.
Alternativ zu einer p-dotierten ersten
Ladungsträgerleitungsschicht 1 kann die erste
Ladungsträgerleitungsschicht 1 auch n-leitend und damit
Elektronen leitend sein. Beispielsweise kann die erste
Ladungsträgerleitungsschicht 1 in diesem Fall n-dotiert sein. Für eine Elektronen leitende Schicht kann eines oder mehrere Materialien in Frage kommen, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die 2, 2 ' , 2"- (1, 3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazol ) , 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3, 4- oxadiazol, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10-phenanthrolin
(BCP) , 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) - 3, 5-diphenyl-4H-l , 2, 4-triazol, 1, 3-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridin- 6- yl) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzen, 4, 7-Diphenyl-l , 10- phenanthrolin (BPhen) , 3- (4-Biphenylyl) -4-phenyl-5-tert- butylphenyl-1 , 2, 4-triazol, Bis (2-methyl-8-quinolinolat ) -4- (phenylphenolato) aluminium, 6, 6 ' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4- oxadiazo-2-yl ] -2,2' -bipyridyl, 2-phenyl-9, 10-di (naphthalen-2- yl) -anthracen, 2, 7-Bis [2 - (2, 2 ' -bipyridin-6-yl) -1, 3, 4- oxadiazo-5-yl ] -9, 9-dimethylfluoren, 1, 3-Bis [2- (4-tert- butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzen, 2- (naphthalen-2-yl) - 4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthrolin, 2, 9-Bis (naphthalen-2-yl) - 4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthrolin, Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl ) boran, l-methyl-2- (4- (naphthalen-2- yl) phenyl) -IH-imidazo [4, 5-f ] [ 1 , 10 ] phenanthrolin, Phenyl- dipyrenylphosphinoxid, Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid und dessen Imide, Perylentetracarbonsäuredianhydrid und dessen Imide, Materialien basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit sowie Gemische der vorgenannten Stoffe umfasst. Als n-Dotierstoff kann eines oder mehrere Materialien in Frage kommen, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die NDN-1, NDN-26, Na, Ca, MgAg, Cs, Li, Mg, Yb,
C S 2CO3 , und C S 3 PO4 umfasst. Ist die erste Ladungsträgerleitungsschicht 1 p-leitend und dabei beispielsweise p-dotiert, so wird die zweite
Ladungsträgerleitungsschicht 3 n-leitend ausgebildet, also beispielsweise n-dotiert, und umgekehrt. Für die zweite
Ladungsträgerleitungsschicht 3 kommen entsprechend die oben genannten Materialien in Frage.
Weiterhin kann es auch möglich sein, dass zusätzlich oder alternativ zur Zwischenschicht 2 zumindest eine oder beide der Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 mittels ALD oder MLD hergestellt werden. Mit anderen Worten kann beispielsweise genau eine der Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 mittels ALD oder MLD hergestellt werden, während die Zwischenschicht 2 und die andere der Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 mittels herkömmlicher Verfahren hergestellt werden. Ferner können auch beide Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 mittels ALD oder MLD hergestellt werden, während die Zwischenschicht 2 mittels eines herkömmlichen Verfahrens hergestellt wird. Besonders bevorzugt können alle Schichten der
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 mittels ALD oder MLD hergestellt werden. Die je nach Ausbildung der
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 mittels ALD oder MLD hergestellte eine oder beide Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 kann bzw. können ein elektrisch leitendes Material oder elektrisch isolierendes Material aufweisen, das zur
Erreichung der beabsichtigten Leitfähigkeit als
Matrixmaterial ausgebildet sein kann, das einen Dotierstoff enthält, wobei hierfür die vorab genannten Dotierstoffe verwendet werden können. Das elektrisch leitende oder elektrisch isolierende Material kann eines oder mehrere der oben in Verbindung mit der mittels ALD oder MLD hergestellten Zwischenschicht 2 beschriebenen Materialien aufweisen, also beispielsweise eines oder mehrere der oben genannten
Metalloxide.
Zur Herstellung einer dotierten Schicht der
Ladungsträgererzeugungsschicht 10, also beispielsweise einer Ladungsträgerleitungsschicht 1, 3, mittels ALD oder MLD wird in diese während der Schichtausbildung ein Dotierstoff eingebettet. Wie in Figur 1D gezeigt ist, können hierzu
Ausgangsmaterialien 21, 22, 23 („precursor" ) bereitgestellt, die wechselweise einer Beschichtungskammer 20 zugeführt werden. Soll beispielsweise als Material AI2O3 mittels ALD hergestellt werden, können als Ausgangsmaterial 21
Trimethylaluminium (TMA) und als weiteres Ausgangsmaterial 22 H2O oder Ethylenglykol verwendet werden. Zusätzlich wird als weiteres Ausgangsmaterial 23 beispielsweise Ethylenglykol bereitgestellt, in dem der gewünschte Dotierstoff gelöst ist. Im Falle eines wasserlöslichen Dotierstoffes kann als
weiteres Ausgangsmaterial 23 auch H2O mit dem gewünschten gelösten Dotierstoff bereitgestellt werden
Über die Abfolge der verwendeten Ausgangsmaterialien 21, 22, 23 kann gezielt gesteuert werden, wie der Dotierstoff in die herzustellende Schicht eingebettet wird. Werden nur die
Ausgangsmaterialien 21 und 22 wechselweise verwendet, bildet sich ein dotierstofffreier Bereich des Matrixmaterials.
Werden hingegen die Ausgangsmaterialien 21 und 23 verwendet, also anstelle des Ausgangsmaterials 22 das mit dem
Dotierstoff versetzte Ausgangsmaterial 23, wird während des Aufwachsens der Dotierstoff in die aufwachsende Schicht eingebettet. Es kann hierbei beispielsweise vorteilhaft sein, in einem Zyklus eine Teilschicht mit Dotierstoff abzuscheiden und anschließend eine Teilschicht ohne Dotierstoff, um diesen in der sich bildenden Schicht einzubetten. Es kann hierbei unter Umständen vorteilhaft sein, nach der Verwendung des Ausgangsmaterials 23 mit dem Dotierstoff eine Reinigung der Beschichtungskammer 20 durchzuführen, um gegebenenfalls mögliche „lose" Partikel zu entfernen.
Anstelle der Bereitstellung eines Ausgangsmaterials, das den Dotierstoff enthält, kann zur Zuführung dieses in die
Beschichtungskammer 20 auch ein
Direktflüssigkeitseinspritzungs erfahren ( DLI -Verfahren) verwendet werden. Dies kann beispielsweise für den Fall vorteilhaft sein, wenn die Ausgangsmaterialien gasförmig sind. Jedoch ist es nicht erforderlich, dass bei der
Verwendung eines DLI-Verfahrens zur Zuführung des
Dotierstoffs die Ausgangsmaterialien gasförmig bereitgestellt werden. Um beispielsweise eine Schicht mit Siliziumnitrid als Matrixmaterial herzustellen, können als Ausgangsmaterial 21 SiH4 und als weiteres Ausgangsmaterial 22 NH3 bereitgestellt werden. Diese können mittels eines ALD-Verfahrens , mittels eines MLD-Verfahrens oder mittels eines CVD-Verfahrens aufgewachsen werden. Neben den Prozessgasen, also den
Ausgangsmaterialien 21, 22 sowie gegebenenfalls weiteren Gasen, die für den Abscheideprozess notwendig sind, kann als weiteres Ausgangsmaterial 23 über eine zusätzliche Leitung mithilfe eines DLI-Systems ein Gasstrom mit einem Trägergas und dem Dotierstoff in die Beschichtungskammer 20 geleitet werden. Als Trägergas kann beispielsweise Helium verwendet werden. Dadurch kann eine Schicht mit Siliziumnitrid als Matrixmaterial und darin eingebettetem Dotierstoff
hergestellt werden. Für das DLI-Verfahren ist es notwendig, den Dotierstoff in eine Gasphase zu überführen, damit dieser mit dem
Trägergasstrom in die Beschichtungskammer 20 transportiert werden kann. Viele Dotierstoffe sind hierzu verdampfbar oder durch ein Sprühverfahren zerstäubbar und können somit in die Gasphase überführt werden können.
Wie bereits vorab beschrieben ist, kann es vorteilhaft sein, eine Teilschicht mit dem Dotierstoff und darauf eine
Teilschicht ohne Dotierstoff abzuscheiden, um den Dotierstoff in dem aufwachsenden Matrixmaterial einzubetten. Weiterhin kann es unter Umständen vorteilhaft sein, nach der
Abscheidung des Dotierstoff eine Reinigung der
Beschichtungskammer 20 durchzuführen, um gegebenenfalls mögliche „lose" Partikel des Dotierstoffs aus der
Beschichtungskammer 20 zu entfernen.
Für den Fall, dass mehrere Schichten der
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 mittels ALD oder MLD hergestellt werden, können diese bevorzugt ein gleiches elektrisch isolierendes Material aufweisen, das zur
Erreichung einer gewünschten Leitfähigkeit ein Dotierstoff enthalten kann. Im Hinblick auf die im Verbindung mit Figur 1D beschriebenen Verfahren kann es hierbei vorteilhaft sein, mehrere Ausgangsmaterialien mit den gewünschten Dotierstoff von bereitzustellen. Über eine definierte Zuführung von
Ausgangsmaterialien mit oder ohne Dotierstoffen im Rahmen der beschriebenen Verfahren kann es dadurch möglich sein, innerhalb eines Prozesses die Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 und die dazwischen angeordnete Zwischenschicht 2
aufzubringen . Eine mittels des hier beschriebenen Verfahrens hergestellte Ladungsträgerleitungsschicht 1, 3 kann eine Dicke von größer oder gleich einer Atomlage oder von größer oder gleich 1 nm oder von größer oder gleich 10 nm aufweisen. Weiterhin kann eine solche Ladungsträgerleitungsschicht 1, 3 eine Dicke von kleiner oder gleich 100 nm oder von kleiner oder gleich 50 nm oder von kleiner oder gleich 20 nm aufweisen.
Insbesondere kann es möglich sein, die
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 mit einer Gesamtdicke herzustellen, die größer oder gleich einige Atomlagen oder größer oder gleich 2 nm oder größer oder gleich 5 nm oder größer oder gleich 10 nm ist. Insbesondere kann die
Gesamtdicke der Ladungsträgererzeugungsschicht 10 kleiner oder gleich 240 nm oder kleiner oder gleich 120 nm oder kleiner oder gleich 60 nm sein.
Alternativ zum gezeigten Ausführungsbeispiel der Figuren 1A bis 1D kann es auch möglich sein, dass die
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 keine Zwischenschicht 2 aufweist, sondern nur aus den Ladungsträgerleitungsschichten 1, 3 gebildet wird. Für diesen Fall gilt die vorherige
Beschreibung entsprechend. In Verbindung mit den Figuren 2A bis 2D ist ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements mit einer Ladungsträgererzeugungsschicht 10 gezeigt, das rein beispielhaft als organisches Licht emittierendes Bauelement 100 ausgebildet ist. Hierzu wird in einem ersten
Verfahrensschritt, wie in Figur 2A gezeigt ist, ein Substrat 11 bereitgestellt, auf dem eine erste Elektrode 12 und ein erster organischer funktioneller Schichtenstapel 13
aufgebracht werden. Im gezeigten Ausführungsbeispiel sind das Substrat 11 und die erste Elektrode 12 insbesondere
transparent ausgebildet
Das Substrat 11 kann als Trägerelement für die darauf aufgebrachten Schichten dienen und beispielsweise aus Glas, Quarz und/oder einem Halbleitermaterial gebildet sein.
Alternativ kann das Substrat 11 auch durch eine
Kunststofffolie oder durch ein Laminat aus mehreren
Kunststofffolien und/oder Glasfolien gebildet sein.
Die erste Elektrode 12 kann ein transparentes leitendes Oxid aufweisen oder daraus bestehen. Transparente leitende Oxide (TCO: „transparent conductive oxide") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, Indiumzinnoxid (ITO) oder Aluminiumzinkoxid (AZO) . Neben binären Metallsauerstoff erbindungen wie beispielsweise ZnO, Sn02 oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre
MetallsauerstoffVerbindungen wie beispielsweise Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2In205 oder In4Sn30i2 oder
Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.
Weiterhin kann die erste Elektrode 12 eine Metallschicht mit einem Metall oder einer Legierung aufweisen, beispielsweise mit einem oder mehreren der folgenden Materialien: Ag, Pt, Au, Mg, Ag:Mg, AI. Weiterhin sind auch andere Metalle möglich. Die Metallschicht weist zur Ausbildung einer transparenten Elektrode dabei eine derart geringe Dicke auf, dass sie zumindest teilweise durchlässig für Licht ist, beispielsweise eine Dicke von kleiner oder gleich 50 nm. Die transparente erste Elektrode 12 kann auch eine
Kombination aus zumindest einer oder mehreren TCO-Schichten und zumindest einer transparenten Metallschicht aufweisen.
Der erste organische funktionelle Schichtenstapel 13 weist eine organische Licht emittierende Schicht auf, die dazu ausgebildet ist, im Betrieb des organischen Licht
emittierenden Bauelements 100 Licht abzustrahlen. Der erste organische funktionelle Schichtenstapel 13 kann insbesondere wie oben im allgemeinen Teil ausgebildet sein und zusätzlich zur organischen Licht emittierenden Schicht weitere
organische funktionelle Schichten aufweisen, beispielsweise Lochtransportschichten, Elektronentransportschichten,
Lochblockierschichten und/oder Elektronenblockierschichten. Beispielsweise kann der erste organische funktionelle
Schichtenstapel 13 mit der organischen Licht emittierenden Schicht oder mit einer Ladungsträgerblockierschicht
abschließen .
In einem weiteren Verfahrensschritt wird, wie in Figur 2B gezeigt ist, auf dem ersten organischen funktionellen
Schichtenstapel 13 eine organische
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 gemäß dem vorab in
Verbindung mit den Figuren 1A bis 1D beschriebenen Verfahren ausgebildet, die zwischen einer ersten
Ladungsträgerleitungsschicht 1, die überwiegend leitend für einen ersten Ladungsträgertyp ausgebildet ist, und einer zweiten Ladungsträgerleitungsschicht 2, die überwiegend leitend für einen davon verschiedenen zweiten
Ladungsträgertyp ausgebildet ist, eine Zwischenschicht 2 aufweist, wobei zumindest eine oder mehrere der Schichten 1, 2, 3 mittels ALD oder MLD hergestellt ist. Wie in Figur 2C gezeigt ist, wird in einem weiteren
Verfahrensschritt ein zweiter organischer funktioneller
Schichtenstapel 14 auf der organischen
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 aufgebracht. Der zweite organische funktionelle Schichtenstapel 14 kann dabei ähnlich oder gleich dem ersten organischen funktionellen
Schichtenstapel 13 ausgebildet sein und weist insbesondere ebenfalls eine organische Licht emittierende Schicht auf. Der zweite organische funktionelle Schichtenstapel 14 kann beispielsweise mittels der organischen Licht emittierenden Schicht oder auch einer zuvor aufgebrachten
Ladungsträgerblockierschichten an die Ladungsträger erzeugen Schicht 10 anschließen. Insbesondere können die organischen funktionellen Schichtenstapel 13, 14 dazu ausgebildet sein, unterschiedlich farbiges Licht zu emittieren, so dass das organische Licht emittierende Bauelement 100 mischfarbiges Licht abstrahlen kann. In einem weiteren Verfahrensschritt wird, wie in Figur 2D gezeigt wird, auf dem zweiten organischen funktionellen
Schichtenstapel 14 eine zweite Elektrode 15 aufgebracht. Die zweite Elektrode 15 kann im gezeigten Ausführungsbeispiel insbesondere reflektierend ausgebildet sein und ein Metall aufweisen, das ausgewählt ist aus Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Calcium und Lithium sowie
Verbindungen, Kombinationen und Legierungen daraus.
Insbesondere kann die reflektierende zweite Elektrode 15 Ag, AI oder Legierungen mit diesen aufweisen, beispielsweise Ag:Mg, Ag:Ca, Mg : AI .
Durch eine transparente erste Elektrode 12 und eine
reflektierende zweite Elektrode 15 ist das gezeigte organische Licht emittierende Bauelement 100 insbesondere als Bottom-Emitter ausgebildet. Alternativ hierzu können auch beide Elektroden 12, 15 transparent sein, so dass das
organische Licht emittierende Bauelement 100 als transparente organische Licht emittierende Diode ausgebildet sein kann. Weiterhin ist es auch möglich, dass die erste Elektrode 12 reflektierend und die zweite Elektrode 15 transparent
ausgebildet sind, so dass das organische Licht emittierende Bauelement 100 in diesem Fall als Top-Emitter ausgebildet sein kann.
Beispielsweise kann die erste Elektrode 12 als Anode und die zweite Elektrode 15 als Kathode ausgeführt sein. In diesem Fall ist die erste Ladungsträgerleitungsschicht 1 der
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 n-leitend ausgebildet, während die zweite Ladungsträgerleitungsschicht 3 p-leitend ausgebildet ist. Alternativ hierzu kann die Polarität des organischen Licht emittierenden Bauelements 100 auch
umgekehrt sein, wobei sich in diesem Fall auch die
Leitungstypen der ersten und zweiten
Ladungsträgerleitungsschicht 1, 3 umkehren.
Die Elektroden 12, 15 können jeweils großflächig ausgebildet sein. Dadurch kann eine großflächige Abstrahlung des in den organischen funktionellen Schichtenstapeln 13, 14 erzeugten Lichts ermöglicht werden. „Großflächig" kann dabei bedeuten, dass das organische Licht emittierende Bauelement 100 eine Fläche von größer oder gleich einigen Quadratmillimetern, bevorzugt größer oder gleich einem QuadratZentimeter und besonders bevorzugt größer oder gleich einem Quadratdezimeter aufweist . Zusätzlich zu den zwei organischen funktionellen Schichtenstapeln 13, 14 mit der dazwischen angeordneten
Ladungsträgererzeugungsschicht 10 kann das organische Licht emittierende Bauelement 100 noch weitere organische
funktionelle Schichtenstapel mit jeweils einer organischen Licht emittierenden Schicht aufweisen. Zwischen jeweils benachbarten organischen funktionellen Schichtenstapel ist dann jeweils eine Ladungsträgerzeugungsschicht angeordnet, die mit dem hier beschriebenen Verfahren herstellbar sein kann.
Weiterhin kann über den Elektroden 12, 15 und den dazwischen angeordneten organischen Schichten eine
Verkapselungsanordnung, bevorzugt in Form einer
Dünnschichtverkapselung, aufgebracht sein (nicht gezeigt) , um das organische Licht emittierende Bauelement 100 und
insbesondere die Elektroden 12, 15 und die dazwischen
angeordneten Schichten vor schädigenden Materialien aus der Umgebung wie beispielsweise Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff und/oder anderen korrosiven Substanzen wie etwa
Schwefelwasserstoff zu schützen. Die Verkapselungsanordnung kann hierzu eine oder mehrere dünne Schichten aufweisen, die beispielsweise mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens aufgebracht sind und die beispielsweise eines oder mehrere der Materialien Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,
Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid und Tantaloxid aufweisen. Die Verkapselungsanordnung kann weiterhin beispielsweise auf einer Dünnschichtverkapselung einen mechanischen Schutz in Form einer KunststoffSchicht und/oder einer auflaminierten Glasschicht aufweisen, wodurch beispielsweise ein Kratzschutz erreicht werden kann. Alternativ sind auch andere
Verkapselungsanordnungen möglich, beispielsweise in Form eines aufgeklebten Glasdeckels. Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispiele können zusätzlich oder alternativ weitere oben im allgemeinen Teil beschriebene Merkmale aufweisen.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 107 466.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste erste LadungsträgerleitungsSchicht
Zwischenschicht
zweite LadungsträgerleitungsSchicht
Ladungsträgererzeugungschicht
Substrat
Elektrode
organischer funktioneller Schichtenstapel Beschichtungskämmer
23 Ausgangsmaterialien
organisches Licht emittierendes Bauelement

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer
Ladungsträgererzeugungsschicht (10) für ein organisches Licht emittierendes Bauelement mit den Schritten:
A) Ausbilden einer ersten Ladungsträgerleitungsschicht (1), die überwiegend leitend ist für einen ersten
Ladungsträgertyp,
B) Aufbringen einer Zwischenschicht (2) auf der ersten
Ladungsträgerleitungsschicht (1) und
C) Aufbringen einer zweiten Ladungsträgerleitungsschicht (3) , die überwiegend leitend ist für einen vom ersten
Ladungsträgertyp verschiedenen zweiten
Ladungsträgertyp, auf der Zwischenschicht (2),
wobei zumindest eine der ersten Ladungsträgerleitungsschicht
(1), der Zwischenschicht (2) und der zweiten
Ladungsträgerleitungsschicht (3) mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens oder eines
Moleküllagenabscheideverfahrens aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Zwischenschicht (2) mittels des Atomlagenabscheideverfahrens oder des Moleküllagenabscheideverfahrens aufgebracht wird.
3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die erste Ladungsträgerleitungsschicht (1) und/oder die zweite Ladungsträgerleitungsschicht (3) mittels des Atomlagenabscheideverfahrens oder des
Moleküllagenabscheideverfahrens aufgebracht wird.
4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem jede der ersten Ladungsträgerleitungsschicht (1), der Zwischenschicht (2) und der zweiten Ladungsträgerleitungsschicht (3) mittels des Atomlagenabscheideverfahrens oder des
Moleküllagenabscheideverfahrens aufgebracht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die erste
Ladungsträgerleitungsschicht (1), die Zwischenschicht (2) und die zweite Ladungsträgerleitungsschicht (3) ein gleiches Material aufweisen.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das gleiche Material in der ersten und zweiten Ladungsträgerleitungsschicht (1, 3) ein Matrixmaterial für einen gleichzeitig
aufgebrachten Dotierstoff bildet.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Dotierstoff
während des Atomlagenabscheideverfahrens oder des
Moleküllagenabscheideverfahrens mittels eines
DirektflüssigkeitseinspritzungsVerfahrens zugeführt wird .
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem während des Atomlagenabscheideverfahrens oder des
Moleküllagenabscheideverfahrens ein elektrisch leitendes Material aufgebracht wird.
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem während des Atomlagenabscheideverfahrens oder des
Moleküllagenabscheideverfahrens ein Matrixmaterial mit einem Dotierstoff aufgebracht wird.
10. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem während des Atomlagenabscheideverfahrens oder des
Moleküllagenabscheideverfahrens ein elektrisch isolierendes oder elektrisch leitendes Oxid aufgebracht wird .
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem eines oder mehrere Materialien ausgewählt aus Aluminiumoxid, Titanoxid,
Aluminiumzinkoxid, Zinkoxid, Indiumzinnoxid, Zirkonoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid aufgebracht wird.
12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Ladungsträgererzeugungsschicht (10) mit einer
Gesamtdicke von kleiner oder gleich 240 nm aufgebracht wird .
13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Atomlagenabscheideverfahren oder das
Moleküllagenabscheideverfahren bei einer Temperatur von kleiner oder gleich 100°C durchgeführt wird.
14. Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht
emittierenden Bauelements (100) mit einer
Ladungsträgererzeugungsschicht (10) mit den Schritten: A) Ausbilden eines ersten organischen funktionellen
Schichtenstapels (13) auf einer ersten auf einem
Substrat (11) angeordneten Elektrode (12),
B) Ausbilden einer Ladungsträgererzeugungsschicht (10) auf dem ersten organischen funktionellen Schichtenstapel (13) mit einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13,
C) Ausbilden eines zweiten organischen funktionellen
Schichtenstapels (14) auf der
Ladungsträgererzeugungsschicht (10) ,
D) Anordnen einer zweiten Elektrode (15) auf dem zweiten
organischen funktionellen Schichtenstapel (14), wobei der erste und zweite organische funktionelle
Schichtenstapel (13, 14) jeweils eine organische Licht emittierende Schicht aufweisen, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb des organischen Licht emittierenden Bauelements (100) Licht abzustrahlen.
15. Organisches Licht emittierendes Bauelement (100),
aufweisend
- ein Substrat (11) mit einer ersten Elektrode (12),
- ein erster organischer funktioneller Schichtenstapel (13) auf der ersten Elektrode (12),
- eine Ladungsträgererzeugungsschicht (10) mit einer ersten
Ladungsträgerleitungsschicht (1), einer zweiten
Ladungsträgerleitungsschicht (3) und dazwischen einer Zwischenschicht (2) auf dem ersten organischen
funktionellen Schichtenstapel (13), wobei die
Ladungsträgererzeugungsschicht (10) mit einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14 hergestellt ist,
- ein zweiter organischer funktioneller Schichtenstapel (14) auf der Ladungsträgererzeugungsschicht (10) und
- eine zweite Elektrode (15) auf dem zweiten organischen
funktionellen Schichtenstapel (14).
16. Bauelement nach Anspruch 15, wobei die
Ladungsträgererzeugungsschicht (10) eine Gesamtdicke von kleiner oder gleich 240 nm aufweist.
17. Bauelement nach Anspruch 15 oder 16, wobei die erste Ladungsträgerleitungsschicht (1), die Zwischenschicht (2) und die zweite Ladungsträgerleitungsschicht (3) ein gleiches Material aufweisen. Bauelement nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei das gleiche Material in der ersten und zweiten
Ladungsträgerleitungsschicht (1, 3) ein Matrixmaterial für einen darin angeordneten Dotierstoff bildet.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060188745A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having an organic intermediate connector
WO2010066245A1 (de) 2008-12-11 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel
EP2722413A1 (de) * 2012-10-18 2014-04-23 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements und als solches hergestelltes Halbleiterbauelement

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010062643A1 (en) * 2008-10-28 2010-06-03 The Regents Of The University Of Michigan Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements
EP2638579B1 (de) * 2010-11-09 2018-01-24 Koninklijke Philips N.V. Organisches elektrolumineszenzelement
DE102010062954A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verwendung eines Kupferkomplexes in einer Ladungserzeugungsschichtfolge
KR20130108536A (ko) * 2012-01-17 2013-10-04 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 라디칼 반응기를 이용한 그래핀 또는 공액 탄소 증착
DE102012211869A1 (de) * 2012-07-06 2014-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060188745A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having an organic intermediate connector
WO2010066245A1 (de) 2008-12-11 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel
EP2722413A1 (de) * 2012-10-18 2014-04-23 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements und als solches hergestelltes Halbleiterbauelement

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