WO2016175137A1 - Laser oscillator - Google Patents

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Abstract

A correction unit (98) receives a control signal from a control circuit (14), corrects the timing at which the control signal rises and falls, and outputs the corrected control signal to a gate driving unit (97). The gate driving unit (97) receives the control signal from the correction unit (98), and generates a gate driving signal for switching a switching element on or off on the basis of the timing at which the control signal rises or falls. The correction unit (98) includes one or more stages of a delay circuit having a variable delay amount, and the delay amount can be adjusted so that the timings at which a plurality of the switching elements are turned on or off can be brought close enough to each other to prevent any effect on the machining characteristics of a laser machining device connected to a laser oscillator.

Description

レーザ発振器Laser oscillator
 本発明は、レーザ発振器に関する。 The present invention relates to a laser oscillator.
 レーザ発振器電源の負荷である放電管を所望の電流で駆動する方法として、レーザ発振器を構成するインバータの出力電流とその後段のトランスによる放電電流を検出し、検出結果をフィードバックしてインバータ駆動信号のパルス幅を制御する方法が用いられている(例えば、特許文献1)。また、高エネルギー化の手段として、インバータを、トランスを介して並列化し放電負荷への出力電流を大電流化する方法が用いられる。 As a method of driving the discharge tube that is the load of the laser oscillator power supply with a desired current, the output current of the inverter that constitutes the laser oscillator and the discharge current by the transformer in the subsequent stage are detected, the detection result is fed back, and the inverter drive signal A method for controlling the pulse width is used (for example, Patent Document 1). Further, as a means for increasing energy, a method is used in which inverters are paralleled via a transformer to increase the output current to the discharge load.
 インバータのスイッチングを制御する回路内では、様々な信号のタイミング調整が行われている。例えば、特許文献2では、2個のインバータ間に積分回路を接続した1段の位相遅れ回路を、位相遅れ回路の出力側インバータと次段の位相遅れ回路の入力側インバータとを兼用するようにして偶数段縦続接続してなる位相遅延縦続回路を少なくとも1つ含むパルス遅延回路が開示されている。 In the circuit that controls inverter switching, various signal timing adjustments are made. For example, in Patent Document 2, a one-stage phase delay circuit in which an integrating circuit is connected between two inverters is used as both an output side inverter of the phase delay circuit and an input side inverter of the next phase delay circuit. And a pulse delay circuit including at least one phase delay cascade circuit in which even stages are cascaded.
特開2009-194954号公報JP 2009-194554 A 特開平5-243926号公報JP-A-5-243926
 複数の並列接続されたインバータによって構成されるレーザ発振器において、複数のインバータ間で出力電圧または出力電流の立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングにずれが生じると、放電管への出力電流波形に歪みが発生する。その結果、放電管におけるレーザの出力特性が変化し、レーザ発振器をレーザ加工機に接続したときに、レーザ加工機の加工特性に影響を及ぼす恐れがある。 In a laser oscillator composed of multiple inverters connected in parallel, if the output voltage or output current rises at the start of rising or falling timing between the multiple inverters, the output current waveform to the discharge tube Distortion occurs. As a result, the output characteristics of the laser in the discharge tube change, and when the laser oscillator is connected to the laser processing machine, the processing characteristics of the laser processing machine may be affected.
 レーザ発振器を構成する各インバータの出力電圧または出力電流において、立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを揃えるために、特許文献1に示す回路構成のように、各インバータの出力電圧または出力電流を検出し、検出された各出力電圧または各出力電流が等しくなるよう、インバータの駆動タイミングを決めている制御信号を生成する制御回路へとフィードバックして、インバータごとに制御信号の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを調整することができる。しかしながら、この場合、インバータごとの検出および制御が必要となり、複雑になる。その結果、制御回路の大型化、配線の増加、および高コスト化といった問題が生じる。 In the output voltage or output current of each inverter constituting the laser oscillator, the output voltage or output current of each inverter is set as in the circuit configuration shown in Patent Document 1 in order to align the timing at the start of rise and the start of fall. This is fed back to a control circuit that generates a control signal that determines the drive timing of the inverter so that each detected output voltage or each output current is equal, and each inverter starts and rises at the start of control signal rise. The timing at the start of descent can be adjusted. However, this requires complicated detection and control for each inverter. As a result, problems such as an increase in the size of the control circuit, an increase in wiring, and an increase in cost arise.
 それゆえに、本発明の目的は、簡易な構成で、複数のインバータ間で出力電圧または出力電流の立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングを揃えることができるレーザ発振器を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide a laser oscillator capable of aligning the output voltage or output current rising start timing or falling start timing among a plurality of inverters with a simple configuration.
 本発明のレーザ発振器は、交流電源から入力された交流電圧を整流して直流電圧に変換する整流回路と、交互にオン/オフされる複数のスイッチング素子を含み、整流回路が出力する直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部と、インバータ部が出力する交流電圧を昇圧するトランス部と、各々が、複数のスイッチング素子のうちの1つと1対1で接続される複数のゲート駆動回路と、複数のゲート駆動回路を制御する制御信号を出力する制御回路と、各々が、複数のゲート駆動回路のうちの1つと1対1で接続される複数の補正回路とを備える。補正回路は、制御回路から制御信号を受けて、制御信号の立ち上りのタイミングと立ち下りのタイミングを補正して、ゲート駆動回路へ出力する。ゲート駆動回路が、補正回路から制御信号を受けて、制御信号の立ち上りのタイミングおよび立ち下りのタイミングに基づいて、スイッチング素子のオン/オフを切り替えるためのゲート駆動信号を生成する。補正回路は、可変の遅延量を有する1段以上の遅延回路を含み、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲に複数のスイッチング素子のオン/オフのタイミングが近づけるように遅延量が調整可能である。 The laser oscillator according to the present invention includes a rectifier circuit that rectifies an AC voltage input from an AC power source and converts the AC voltage into a DC voltage, and a plurality of switching elements that are alternately turned on / off. An inverter unit for converting into an AC voltage, a transformer unit for boosting an AC voltage output from the inverter unit, a plurality of gate drive circuits each connected to one of a plurality of switching elements, and a plurality of gate drive circuits A control circuit that outputs a control signal for controlling the gate driving circuit, and a plurality of correction circuits each connected to one of the plurality of gate driving circuits in a one-to-one relationship. The correction circuit receives a control signal from the control circuit, corrects the rising timing and the falling timing of the control signal, and outputs the correction timing to the gate driving circuit. The gate drive circuit receives the control signal from the correction circuit and generates a gate drive signal for switching on / off of the switching element based on the rising timing and falling timing of the control signal. The correction circuit includes one or more stages of delay circuits having variable delay amounts, and the ON / OFF timings of the plurality of switching elements are brought close to a range that does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. Thus, the delay amount can be adjusted.
 本発明によれば、補正回路が、可変の遅延量を有する1段以上の遅延回路を含み、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲に複数のスイッチング素子のオン/オフのタイミングが近づけるように遅延量の調整が可能である。これによって、簡易な構成で、複数のインバータ間で出力電圧または出力電流の立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングの差をレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲にすることができる。 According to the present invention, the correction circuit includes one or more stages of delay circuits having variable delay amounts, and a plurality of switching elements are turned on within a range that does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. / The delay amount can be adjusted so that the OFF timing approaches. Thus, with a simple configuration, the difference in timing at the start of rising or the start of falling of the output voltage or output current among a plurality of inverters can be set within a range that does not affect the processing characteristics of the laser processing machine.
実施の形態1における、レーザ発振器と、レーザ発振器の負荷としてレーザを出力する放電管を表わす回路構成図である。FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing a laser oscillator and a discharge tube that outputs a laser as a load of the laser oscillator in the first embodiment. 半導体スイッチの構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of a semiconductor switch. 半導体スイッチの構成の別の例を示す図である。It is a figure which shows another example of a structure of a semiconductor switch. フルブリッジ・インバータの駆動信号と出力信号の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the drive signal and output signal of a full bridge inverter. (a)は、インバータ9Aとインバータ9Bにおける出力電流の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングにずれが生じない場合の波形の一例を示す図である。(b)は、インバータ9Aとインバータ9Bの間で、出力電圧または出力電流の立ち上りもしくは立ち下りのタイミングにずれが生じた場合の波形の一例を示す図である。(A) is a figure which shows an example of a waveform when a shift | offset | difference does not arise in the timing at the time of the rise start of output current and the fall start of the inverter 9A. (B) is a figure which shows an example of a waveform when the shift | offset | difference arises in the rise or fall timing of output voltage or output current between the inverter 9A and the inverter 9B. 実施の形態1の補正回路の例を示す図である。3 is a diagram illustrating an example of a correction circuit according to the first embodiment. FIG. 実施の形態1の補正回路に入力される電圧、補正回路の内部で生成される電圧、補正回路から出力される電圧の例を表わす図である。3 is a diagram illustrating an example of a voltage input to the correction circuit according to the first embodiment, a voltage generated inside the correction circuit, and a voltage output from the correction circuit. FIG. 変形例のトランス部の構成を表わす図である。It is a figure showing the structure of the trans | transformer part of a modification. 実施の形態1の補正回路に入力される周期に対してパルス幅の細い電圧、補正回路の内部で生成される電圧、補正回路から出力される電圧の例を表わす図である。It is a figure showing the example of the voltage with a narrow pulse width with respect to the period input into the correction circuit of Embodiment 1, the voltage produced | generated inside a correction circuit, and the voltage output from a correction circuit. 実施の形態1の補正回路に入力される周期に対してパルス幅の細い電圧、補正回路の内部で生成される電圧、補正回路から出力される電圧の別の例を表わす図である。It is a figure showing another example of the voltage with a narrow pulse width with respect to the period input into the correction circuit of Embodiment 1, the voltage produced | generated inside a correction circuit, and the voltage output from a correction circuit. 実施の形態2の補正回路の構成を表わす図である。6 is a diagram illustrating a configuration of a correction circuit according to a second embodiment. FIG. 実施の形態2の補正回路に入力される電圧、補正回路の内部で生成される電圧、補正回路から出力される電圧の例を表わす図である。It is a figure showing the example of the voltage input into the correction circuit of Embodiment 2, the voltage produced | generated inside a correction circuit, and the voltage output from a correction circuit. 実施の形態1の補正回路に入力される周期に対してパルス幅の太い電圧、補正回路の内部で生成される電圧、補正回路から出力される電圧の例を表わす図である。It is a figure showing the example of the voltage with a large pulse width with respect to the period input into the correction circuit of Embodiment 1, the voltage produced | generated inside a correction circuit, and the voltage output from a correction circuit. 実施の形態1の補正回路に入力される周期に対してパルス幅の太い電圧、補正回路の内部で生成される電圧、補正回路から出力される電圧の別の例を表わす図である。It is a figure showing another example of the voltage with a large pulse width with respect to the period input into the correction circuit of Embodiment 1, the voltage produced | generated inside a correction circuit, and the voltage output from a correction circuit. 実施の形態3の補正回路の構成を表わす図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of a correction circuit according to a third embodiment. 実施の形態3の補正回路に入力される電圧、補正回路の内部で生成される電圧、補正回路から出力される電圧の例を表わす図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a voltage input to the correction circuit according to the third embodiment, a voltage generated inside the correction circuit, and a voltage output from the correction circuit.
 以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
 [実施の形態1]
 図1は、実施の形態1における、レーザ発振器1と、レーザ発振器1の負荷としてレーザを出力する放電管2を表わす回路構成図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing a laser oscillator 1 and a discharge tube 2 that outputs a laser as a load of the laser oscillator 1 in the first embodiment.
 図1を参照して、負荷の放電管2は、誘電体コンデンサ3と、放電抵抗4によって構成される。 Referring to FIG. 1, a load discharge tube 2 is constituted by a dielectric capacitor 3 and a discharge resistor 4.
 レーザ発振器1は、交流電源5と、整流回路6と、平滑コンデンサ7と、インバータ部8と、トランス部10と、出力電流検出装置12と、出力電流監視部13と、制御回路14と、補正部98A1~98A4,98B1~98B4と、ゲート駆動部97A1~97A4,97B1~97B4とを備える。 The laser oscillator 1 includes an AC power source 5, a rectifier circuit 6, a smoothing capacitor 7, an inverter unit 8, a transformer unit 10, an output current detection device 12, an output current monitoring unit 13, a control circuit 14, and a correction. Parts 98A1 to 98A4, 98B1 to 98B4, and gate driving parts 97A1 to 97A4 and 97B1 to 97B4.
 交流電源5から入力された交流電圧は、整流回路6によって整流されて直流電圧へと変換され、平滑コンデンサ7で平滑化されたのち、インバータ部8へ送られる。 The AC voltage input from the AC power supply 5 is rectified by the rectifier circuit 6 and converted into a DC voltage, smoothed by the smoothing capacitor 7, and then sent to the inverter unit 8.
 インバータ部8は、送られた直流電圧を交流電圧に変換する。インバータ部8は、交互にオン/オフする複数のスイッチング素子(半導体素子)を備える。 The inverter unit 8 converts the sent DC voltage into an AC voltage. The inverter unit 8 includes a plurality of switching elements (semiconductor elements) that are alternately turned on / off.
 インバータ部8は、少なくとも2つ以上のインバータを含む。図1では、インバータ部が、インバータ9Aとインバータ9Bとを備える。インバータ9Aとインバータ9Bは、共通の入力ノードN1P,N1Nに接続される。 The inverter unit 8 includes at least two or more inverters. In FIG. 1, the inverter unit includes an inverter 9A and an inverter 9B. Inverter 9A and inverter 9B are connected to common input nodes N1P and N1N.
 インバータ9Aの出力ノードN2P,N2Nおよびインバータ9Bの出力ノードN3P,N3Nがトランス部10と接続されている。 The output nodes N2P and N2N of the inverter 9A and the output nodes N3P and N3N of the inverter 9B are connected to the transformer unit 10.
 トランス部10は、インバータ部8が出力する交流電圧を昇圧する。トランス部10は、一次巻線と二次巻線を各一つずつ有するトランスを複数個含む。図1では、トランス部10は、トランス50Aとトランス50Bとを含む。トランス50Aの一次側が、インバータ9Aの出力ノードN2P,N2Nと接続される。トランス50Bの一次側が、インバータ9Bの出力ノードN3P,N3Nと接続される。トランス50Aの2次側およびトランス50Bの二次側が共通の出力ノードN4P,N4Nに接続される。 The transformer unit 10 boosts the AC voltage output from the inverter unit 8. The transformer unit 10 includes a plurality of transformers each having one primary winding and one secondary winding. In FIG. 1, the transformer unit 10 includes a transformer 50A and a transformer 50B. The primary side of transformer 50A is connected to output nodes N2P and N2N of inverter 9A. The primary side of transformer 50B is connected to output nodes N3P and N3N of inverter 9B. The secondary side of transformer 50A and the secondary side of transformer 50B are connected to common output nodes N4P and N4N.
 トランス50Aとトランス50Bの二次側電流を合成して生成された出力電流は、出力リアクトル11を介して、放電管2へ流れる。 The output current generated by synthesizing the secondary currents of the transformer 50A and the transformer 50B flows to the discharge tube 2 via the output reactor 11.
 出力電流検出装置12は、出力電流のピーク値を検出する。
 出力電流監視部13は、出力電流検出装置12が検出した出力電流のピーク値と、外部から入力された電流指令値との差分を算出し、制御回路14へフィードバックする。
The output current detection device 12 detects the peak value of the output current.
The output current monitoring unit 13 calculates the difference between the peak value of the output current detected by the output current detection device 12 and the current command value input from the outside, and feeds it back to the control circuit 14.
 制御回路14は、インバータ9Aおよびインバータ9Bのスイッチングのタイミングを決める制御信号を生成する。制御回路14は、出力電流監視部13において算出された、出力電流検出装置12が検出した放電管2への出力電流のピーク値と外部から入力された電流指令値との差分のフィードバックを受け、出力電流のピーク値と外部から入力された電流指令値との差分をなくすように、制御信号のパルス幅を調整する。 The control circuit 14 generates a control signal that determines the switching timing of the inverter 9A and the inverter 9B. The control circuit 14 receives feedback of the difference between the peak value of the output current to the discharge tube 2 detected by the output current detection device 12 and the current command value input from the outside, which is calculated by the output current monitoring unit 13. The pulse width of the control signal is adjusted so as to eliminate the difference between the peak value of the output current and the current command value input from the outside.
 インバータ9Aは、アームA1~A4によって構成されるフルブリッジ・インバータである。インバータ9Bは、アームB1~B4によって構成されるフルブリッジ・インバータである。 The inverter 9A is a full bridge inverter constituted by arms A1 to A4. The inverter 9B is a full bridge inverter constituted by arms B1 to B4.
 アームA1~A4、B1~B4のそれぞれは、半導体スイッチ15A1~15A4、15B1~15B4によって構成される。半導体スイッチ15A1~15A4,15B1~15B4は、例えば、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)やIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などの半導体素子を少なくとも一つ以上含む。 Each of the arms A1 to A4 and B1 to B4 includes semiconductor switches 15A1 to 15A4 and 15B1 to 15B4. The semiconductor switches 15A1 to 15A4 and 15B1 to 15B4 include at least one semiconductor element such as a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) and an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
 半導体スイッチ15A1~15A4,15B1~15B4の定格電流または定格電圧に応じて、半導体スイッチ15A1~15A4,15B1~15B4は、単体または、直列若しくは並列に接続された複数の半導体素子を含む。 Depending on the rated current or rated voltage of the semiconductor switches 15A1 to 15A4 and 15B1 to 15B4, the semiconductor switches 15A1 to 15A4 and 15B1 to 15B4 include a single semiconductor device or a plurality of semiconductor elements connected in series or in parallel.
 図2は、半導体スイッチ15Xの構成の一例を示す図である。ただし、X=A1~A4、B1~B4である。以下の説明でも同様である。 FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the semiconductor switch 15X. However, X = A1 to A4 and B1 to B4. The same applies to the following description.
 図2に示すように、この半導体スイッチ15Xは、直列接続された複数の半導体素子16Xa~16Xdを備える。 As shown in FIG. 2, the semiconductor switch 15X includes a plurality of semiconductor elements 16Xa to 16Xd connected in series.
 図3は、半導体スイッチ15Xの構成の別の例を示す図である。
 図3に示すように、この半導体スイッチ15Xは、並列接続された複数の半導体素子16Xa~16Xdを備える。
FIG. 3 is a diagram illustrating another example of the configuration of the semiconductor switch 15X.
As shown in FIG. 3, the semiconductor switch 15X includes a plurality of semiconductor elements 16Xa to 16Xd connected in parallel.
 図2または図3に示すように、複数の半導体素子16Xa~16Xdによって、半導体スイッチ15Xが構成される場合、半導体素子16Xa~16Xdに対して一対一の割合でゲート駆動回路17Xa~17Xdが接続される。ゲート駆動回路17Xa~17Xdによって、図1のゲート駆動部97Xが構成される。ゲート駆動回路17Xa~17Xdに対して一対一の割合で補正回路18Xa~18Xdが接続される。補正回路18Xa~18Xdによって、図1の補正部98Xが構成される。 As shown in FIG. 2 or FIG. 3, when the semiconductor switch 15X is configured by a plurality of semiconductor elements 16Xa to 16Xd, the gate drive circuits 17Xa to 17Xd are connected to the semiconductor elements 16Xa to 16Xd at a one-to-one ratio. The The gate drive circuit 97X of FIG. 1 is configured by the gate drive circuits 17Xa to 17Xd. Correction circuits 18Xa to 18Xd are connected to gate driving circuits 17Xa to 17Xd at a one-to-one ratio. The correction circuit 18Xa to 18Xd constitutes the correction unit 98X in FIG.
 ゲート駆動回路17Yは、補正回路18Yから出力された信号を半導体素子16Yのオン/オフを切換えるのに十分な電圧または電流を持ったゲート信号へと変換する。ゲート駆動回路17Yは、補正回路18Yから出力される信号が立ち上がるタイミングで、ゲート信号を立ち上げて、半導体素子16Yをオンにする。ゲート駆動回路17Yは、補正回路18Yから出力される信号が立ち下がるタイミングで、ゲート信号を立ち下げて、半導体素子16Yをオフにする。ただし、Yは、A1a~A1d、A2a~A2d、A3a~A3d、A4a~A4d、B1a~B1d、B2a~B2d、B3a~B3d、B4a~B4dである。以下の説明でも同様である。 The gate drive circuit 17Y converts the signal output from the correction circuit 18Y into a gate signal having a voltage or current sufficient to switch on / off the semiconductor element 16Y. The gate drive circuit 17Y raises the gate signal and turns on the semiconductor element 16Y at the timing when the signal output from the correction circuit 18Y rises. The gate drive circuit 17Y turns off the semiconductor element 16Y by lowering the gate signal at the timing when the signal output from the correction circuit 18Y falls. Y is A1a to A1d, A2a to A2d, A3a to A3d, A4a to A4d, B1a to B1d, B2a to B2d, B3a to B3d, B4a to B4d. The same applies to the following description.
 半導体素子16Yが一瞬でオン/オフが切替る理想スイッチであると仮定する。インバータ部8を構成するアームA1~A4、B1~B4において、あるアームXのオン/オフが切替るとき、アームXを構成するすべての半導体素子16Xa~16Xdが同時にオン/オフを切替える。 Suppose that the semiconductor element 16Y is an ideal switch that switches on / off in an instant. In the arms A1 to A4 and B1 to B4 constituting the inverter unit 8, when the on / off of a certain arm X is switched, all the semiconductor elements 16Xa to 16Xd constituting the arm X are simultaneously switched on / off.
 例えば、アームA1がオンとなるとき、アームA1を構成するすべての半導体素子16A1a~16A1dは同時にオンに切替り、アームA1がオフとなるときは、アームA1を構成するすべての半導体素子16A1a~16A1dが同時にオフに切替る。 For example, when the arm A1 is turned on, all the semiconductor elements 16A1a to 16A1d constituting the arm A1 are simultaneously switched on. When the arm A1 is turned off, all the semiconductor elements 16A1a to 16A1d constituting the arm A1 are switched on. Switches off at the same time.
 図4は、フルブリッジ・インバータの駆動信号と出力信号の関係を示す図である。
 アームA1~A4のオン/オフが交互に切り換わることで、整流回路6からインバータ9Aに入力される直流電圧が交流電圧へと変換され、変換された交流電圧はトランス50Aの一次側へと入力される。同様に、アームB1~B4のオン/オフが交互に切り換わることで、整流回路6からインバータ9Bに入力される直流電圧が交流電圧へと変換され、変換された交流電圧はトランス50Bの一次側へと入力される。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the drive signal and the output signal of the full bridge inverter.
As the arms A1 to A4 are alternately turned on / off, the DC voltage input from the rectifier circuit 6 to the inverter 9A is converted into an AC voltage, and the converted AC voltage is input to the primary side of the transformer 50A. Is done. Similarly, by alternately switching on / off the arms B1 to B4, a DC voltage input from the rectifier circuit 6 to the inverter 9B is converted into an AC voltage, and the converted AC voltage is converted into the primary side of the transformer 50B. Is input.
 たとえば、図4に示すように、アームA1,A3,B1,B3が同時にオン/オフし、アームA1,A3,B1,B3と位相が180度ずれたタイミングで、アームA2,A4,B2,B4が同時にオン/オフすることによって、整流回路6からインバータ9A,9Bに入力された直流電圧を交流電圧へと変換できる。 For example, as shown in FIG. 4, arms A1, A3, B1, and B3 are simultaneously turned on / off, and arms A2, A4, B2, and B4 are at a timing that is 180 degrees out of phase with arms A1, A3, B1, and B3. Are simultaneously turned on / off, the DC voltage input from the rectifier circuit 6 to the inverters 9A and 9B can be converted into an AC voltage.
 制御回路14の出力部には、補正回路18Yの入力部が接続されている。補正回路18Yは、制御回路14から入力される制御信号の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを遅らせ、立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを補正した制御信号をゲート駆動回路17Yへと出力する。 The input part of the correction circuit 18Y is connected to the output part of the control circuit 14. The correction circuit 18Y delays the timing of the rising start and the falling start of the control signal input from the control circuit 14, and sends the control signal corrected for the timing of the rising start and the falling start to the gate drive circuit 17Y. Output.
 インバータ9A,9Bにおいて、出力電圧または出力電流の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングは、インバータ9A,9Bを構成する半導体スイッチ15Xに使用される半導体素子16Yのスイッチング特性、または半導体素子16Yを駆動するゲート駆動回路17Yの入出力特性、または半導体素子16Yまたはゲート駆動回路17Yにおける製造上のばらつきによって生じるスイッチング特性差または入出力特性差に応じて変化する。 In the inverters 9A and 9B, the timing at which the output voltage or output current starts to rise and when it starts to fall depends on the switching characteristics of the semiconductor element 16Y used in the semiconductor switch 15X constituting the inverters 9A and 9B, or the semiconductor element 16Y. It changes in accordance with the input / output characteristics of the gate drive circuit 17Y to be driven or the switching characteristic difference or input / output characteristic difference caused by manufacturing variations in the semiconductor element 16Y or the gate drive circuit 17Y.
 図5(a)は、インバータ9Aとインバータ9Bにおける出力電流の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングにずれが生じない場合の波形の一例を示す図である。 FIG. 5 (a) is a diagram showing an example of a waveform when there is no difference between the timing of the output current rising start and the falling start timing of the inverter 9A and the inverter 9B.
 図5(b)は、インバータ9Aとインバータ9Bの間で、出力電圧または出力電流の立ち上りもしくは立ち下りのタイミングにずれが生じた場合の波形の一例を示す図である。 FIG. 5B is a diagram illustrating an example of a waveform when a shift occurs in the rise or fall timing of the output voltage or output current between the inverter 9A and the inverter 9B.
 図5(b)では、インバータ9Aの出力電流に対して、インバータ9Bの出力電流の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングに遅れが生じている。 In FIG. 5B, the output current of the inverter 9A is delayed from the output current of the inverter 9B at the start of the rise and the start of the fall.
 インバータ9Aとインバータ9Bとの間で、出力電圧または出力電流の立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングにずれが生じると、インバータ9Aに接続されたトランス50Aと、インバータ9Bに接続されるトランス50Bの二次側電流のタイミングがずれる。タイミングがずれた2つの2次側電流が合成されて、放電管2へ流れるので、放電管2への出力電流の波形に歪みが生じ、出力電流のピーク値が増加または減少する。 If the output voltage or output current starts to rise or starts to fall between the inverter 9A and the inverter 9B, a difference occurs between the transformer 50A connected to the inverter 9A and the transformer 50B connected to the inverter 9B. The secondary side current timing is shifted. Since the two secondary currents with different timings are combined and flow to the discharge tube 2, the waveform of the output current to the discharge tube 2 is distorted, and the peak value of the output current increases or decreases.
 放電管2へ流れ込む出力電流波形に歪みが生じると、放電管2におけるレーザの出力特性が変化する。放電管2におけるレーザの出力特性が変化すると、レーザ発振器1をレーザ加工機に接続して使用する際、レーザ加工機の加工特性に悪影響を及ぼす恐れがある。 When distortion occurs in the waveform of the output current flowing into the discharge tube 2, the output characteristics of the laser in the discharge tube 2 change. If the output characteristics of the laser in the discharge tube 2 change, when the laser oscillator 1 is connected to the laser processing machine, the processing characteristics of the laser processing machine may be adversely affected.
 レーザ発振器1の負荷である、放電管2を構成する誘電体コンデンサ3と放電抵抗4の値が一定で、なおかつ、インバータ9A,9Bを構成する半導体スイッチ15Xに流れ込む電流を一定と仮定すると、レーザ発振器1を構成するインバータ9Aとインバータ9Bの間で、出力電圧または出力電流の立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時にタイミングのずれが生じる場合、タイミングのずれが生じない場合と比べて、放電管2へ流れ込む出力電流のピーク値が低下する。 Assuming that the values of the dielectric capacitor 3 and the discharge resistor 4 constituting the discharge tube 2 as the load of the laser oscillator 1 are constant and the current flowing into the semiconductor switch 15X constituting the inverters 9A and 9B is constant, the laser When a timing shift occurs between the inverter 9A and the inverter 9B constituting the oscillator 1 when the output voltage or the output current starts to rise or when the output starts falling, the timing is shifted to the discharge tube 2 as compared with the case where no timing shift occurs. The peak value of the output current that flows in decreases.
 タイミングのずれによって生じる、放電管2へ流れ込む出力電流のピーク値の低下は、出力電流検出装置12で検出され、検出された結果が出力電流監視部13を介して、制御回路14へフィードバックされる。制御回路14は、放電管2により大きな出力電流が流れるよう、制御信号のパルス幅を調整する。このとき、インバータ9A,9Bを構成する半導体スイッチ15Xに含まれる半導体素子16Yに、想定よりも大きい電流が流れ、半導体スイッチ15Xが急激に発熱し、最悪の場合、破損する恐れがある。このような事態を防ぐため、インバータ9A,9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングの差を小さくすることが必要であり、たとえばタイミングを揃えるものとしてもよい。 A decrease in the peak value of the output current flowing into the discharge tube 2 caused by the timing shift is detected by the output current detection device 12, and the detected result is fed back to the control circuit 14 via the output current monitoring unit 13. . The control circuit 14 adjusts the pulse width of the control signal so that a large output current flows through the discharge tube 2. At this time, a current larger than expected flows through the semiconductor element 16Y included in the semiconductor switch 15X constituting the inverters 9A and 9B, the semiconductor switch 15X generates heat suddenly, and in the worst case, it may be damaged. In order to prevent such a situation, it is necessary to reduce the timing difference at the start of rising or at the start of falling in the output voltages or output currents of the inverters 9A and 9B. For example, the timings may be aligned.
 インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流において、立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを揃えるには、例えば、特許文献1に示す回路構成では、以下の方法を用いる。インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流を検出装置で検出し、インバータ9Aとインバータ9Bの駆動タイミングを決めている制御信号を生成する制御回路14へとフィードバックする。制御回路14は、制御信号の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを調整する。しかしながら、この方法では、インバータ9A用の検出装置とインバータ9B用の検出装置が必要となる。また、制御系が複雑になるため、制御回路14が大型化、配線が増加、高コスト化といった問題が生じる。 For example, in the circuit configuration shown in Patent Document 1, the following method is used to align the timings of the start of rise and the start of fall in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B. The output voltage or output current of the inverters 9A and 9B is detected by a detection device, and fed back to the control circuit 14 that generates a control signal that determines the drive timing of the inverters 9A and 9B. The control circuit 14 adjusts the timings of the control signal rising start and falling start. However, this method requires a detection device for the inverter 9A and a detection device for the inverter 9B. Further, since the control system becomes complicated, problems such as an increase in the size of the control circuit 14, an increase in wiring, and an increase in cost arise.
 そこで、本実施の形態では、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングのずれを予め測定しておき、インバータ9Aとインバータ9Bの駆動タイミングを決める制御信号の立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを測定したタイミングのずれに応じて、補正回路18Yで補正する。これによって、レーザ発振器1に含まれるインバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを揃える。 Therefore, in the present embodiment, a control for determining the drive timing of the inverter 9A and the inverter 9B by measuring in advance the timing difference between the start of the rise and the start of the fall in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B. The correction circuit 18Y corrects the signal at the start of signal rise and at the start of fall according to the measured timing difference. As a result, the timings of the rising start and the falling start in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B included in the laser oscillator 1 are made uniform.
 本実施の形態では、補正回路18Yが、それぞれゲート駆動回路17Yの駆動タイミングを個別に補正する。 In the present embodiment, the correction circuit 18Y individually corrects the drive timing of the gate drive circuit 17Y.
 以下の説明では、補正回路18Yを代表して補正回路18と記す。
 補正回路18は、2個のロジックインバータの間に抵抗とコンデンサで構成される積分回路を接続した一段の遅延回路が偶数段直列に接続した遅延回路を少なくとも一つ含む。
In the following description, the correction circuit 18Y is represented as a correction circuit 18 as a representative.
The correction circuit 18 includes at least one delay circuit in which a one-stage delay circuit in which an integrating circuit composed of a resistor and a capacitor is connected between two logic inverters is connected in an even number of stages.
 図6は、実施の形態1の補正回路18の例を示す図である。
 図6に示すように、補正回路18は、ロジックインバータ19,20,23,26と、積分回路101,102とを備える。積分回路101は、抵抗21とコンデンサ22によって構成される。積分回路102は、抵抗24とコンデンサ25によって構成される。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the correction circuit 18 according to the first embodiment.
As shown in FIG. 6, the correction circuit 18 includes logic inverters 19, 20, 23, and 26 and integration circuits 101 and 102. The integration circuit 101 includes a resistor 21 and a capacitor 22. The integration circuit 102 includes a resistor 24 and a capacitor 25.
 ロジックインバータ20とロジックインバータ23の間に積分回路101が配置される。ロジックインバータ23とロジックインバータ26の間に積分回路102が配置される。ロジックインバータ19は、入出力の論理を合わせるためのものである。 Integrating circuit 101 is arranged between logic inverter 20 and logic inverter 23. An integration circuit 102 is disposed between the logic inverter 23 and the logic inverter 26. The logic inverter 19 is for matching the input and output logic.
 本実施の形態では、ロジックインバータ19,20,23,26は、理想素子として扱い、これらの素子による信号の遅延は考慮しない。他の実施形態でも同様である。 In this embodiment, the logic inverters 19, 20, 23, and 26 are treated as ideal elements, and signal delays due to these elements are not considered. The same applies to other embodiments.
 ロジックインバータ20と、積分回路101と、ロジックインバータ23が、1段目の遅延回路DL1を構成する。ロジックインバータ23と、積分回路102と、ロジックインバータ26が、2段目の遅延回路DL2を構成する。 The logic inverter 20, the integration circuit 101, and the logic inverter 23 constitute a first-stage delay circuit DL1. The logic inverter 23, the integrating circuit 102, and the logic inverter 26 constitute a second stage delay circuit DL2.
 抵抗21、24は、可変抵抗であり、抵抗値RaおよびRbは可変である。コンデンサ22、25は、可変コンデンサであり、容量値CaおよびCbは可変である。 The resistors 21 and 24 are variable resistors, and the resistance values Ra and Rb are variable. The capacitors 22 and 25 are variable capacitors, and the capacitance values Ca and Cb are variable.
 図7は、実施の形態1の補正回路18に入力される電圧、補正回路18の内部で生成される電圧、補正回路18から出力される電圧の例を表わす図である。 FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a voltage input to the correction circuit 18 according to the first embodiment, a voltage generated inside the correction circuit 18, and a voltage output from the correction circuit 18.
 図7において、電圧V1は、ロジックインバータ19への入力電圧を表わす。電圧V2は、遅延回路DL1および遅延回路DL2に含まれるロジックインバータ23に入力される電圧を表わす。電圧V3は、ロジックインバータ23から出力され、積分回路102へ入力される電圧を表わす。電圧V4は、遅延回路DL2に含まれるロジックインバータ26への入力電圧を表わす。電圧V5は、ロジックインバータ26から出力される電圧を表わす。Vccはロジックインバータ19、20、23及び26の電源電圧を表わす。Vthはロジックインバータ19、20、23及び26の閾値電圧を表わす。ロジックインバータ19、20、23及び26は同じ特性の素子を使用するものと仮定する。 In FIG. 7, the voltage V <b> 1 represents the input voltage to the logic inverter 19. Voltage V2 represents a voltage input to logic inverter 23 included in delay circuit DL1 and delay circuit DL2. Voltage V3 represents a voltage output from logic inverter 23 and input to integrating circuit 102. Voltage V4 represents an input voltage to logic inverter 26 included in delay circuit DL2. Voltage V5 represents a voltage output from logic inverter 26. Vcc represents the power supply voltage of the logic inverters 19, 20, 23 and 26. Vth represents the threshold voltage of the logic inverters 19, 20, 23 and 26. It is assumed that the logic inverters 19, 20, 23 and 26 use elements having the same characteristics.
 時間t1は、電圧V1の立ち上りのタイミングに対する電圧V2の立ち上りのタイミングの遅延時間を表わす。時間t2は、電圧V1の立ち下りのタイミングに対する電圧V2の立ち下りのタイミングの遅延時間を表わす。時間t3は、電圧V3の立ち上りのタイミングに対する電圧V4の立ち上りのタイミングの遅延時間を表わす。時間t4は、電圧V3の立ち下りのタイミングに対する電圧V4の立ち下りのタイミングの遅延時間を表わす。 The time t1 represents a delay time of the rising timing of the voltage V2 with respect to the rising timing of the voltage V1. Time t2 represents a delay time of the falling timing of the voltage V2 with respect to the falling timing of the voltage V1. Time t3 represents a delay time of the rising timing of the voltage V4 with respect to the rising timing of the voltage V3. Time t4 represents a delay time of the falling timing of the voltage V4 with respect to the falling timing of the voltage V3.
 ロジックインバータ19に電圧V1が入力されると、電圧V1の立ち上り時は、抵抗21を通じてコンデンサ22が充電されるので、電圧V2の立ち上りは、電圧V1の立ち上りよりも遅延時間t1だけ遅れる。電圧V1の立ち下り時は、抵抗21を介してコンデンサ22に蓄えられた電荷が放電されるので、電圧V2の立ち下りは、電圧V1の立ち下りよりも遅延時間t2だけ遅れる。 When the voltage V1 is input to the logic inverter 19, the capacitor 22 is charged through the resistor 21 when the voltage V1 rises. Therefore, the rise of the voltage V2 is delayed by a delay time t1 from the rise of the voltage V1. When the voltage V1 falls, the charge stored in the capacitor 22 is discharged through the resistor 21, so that the fall of the voltage V2 is delayed by a delay time t2 from the fall of the voltage V1.
 電圧V1を、0Vとロジックインバータ19、20、23及び26の電源電圧Vccの間で変動するパルス信号としたとき、時刻tに対する電圧V2の立ち上り時の変化V2_Uは、以下の式で表される。 When the voltage V1 is a pulse signal that varies between 0 V and the power supply voltage Vcc of the logic inverters 19, 20, 23, and 26, the change V2_U at the rise of the voltage V2 with respect to time t is expressed by the following equation: .
 V2_U=Vcc{1-EXP(-t/(Ra×Ca))}…(1)
 ただし、t=0は、電圧V1の立ち上りの時刻および電圧V2の立ち上り開始時刻を表わす。
V2_U = Vcc {1-EXP (−t / (Ra × Ca))} (1)
However, t = 0 represents the rising time of the voltage V1 and the rising start time of the voltage V2.
 時刻tに対する電圧V2の立ち下り時の変化V2_Dは、以下の式で表される。
 V2_D=Vcc{EXP(-t/(Ra×Ca))}…(2)
 ただし、t=0は、電圧V1の立ち下りの時刻および電圧V2の立ち下り開始時刻を表す。
A change V2_D when the voltage V2 falls with respect to time t is expressed by the following equation.
V2_D = Vcc {EXP (-t / (Ra × Ca))} (2)
However, t = 0 represents the falling time of the voltage V1 and the falling start time of the voltage V2.
 遅延時間t1は、式(1)から以下のように表される。
 t1=-Ra×Ca×ln(1-Vth/Vcc)…(3)
 遅延時間t2は、式(2)から以下のように表される。
The delay time t1 is expressed as follows from the equation (1).
t1 = −Ra × Ca × ln (1-Vth / Vcc) (3)
The delay time t2 is expressed as follows from the equation (2).
 t2=-Ra×Ca×ln(Vth/Vcc)…(4)
 ロジックインバータとしてCMOSロジックインバータを使用する場合、ロジックインバータの閾値電圧Vth=Vcc/2と仮定すると、遅延時間t1と遅延時間t2は、式(3)、(4)から、以下のように表される。
t2 = −Ra × Ca × ln (Vth / Vcc) (4)
When a CMOS logic inverter is used as the logic inverter, assuming that the threshold voltage Vth of the logic inverter is Vth = Vcc / 2, the delay time t1 and the delay time t2 are expressed as follows from equations (3) and (4). The
 t1=t2≒0.693×Ra×Ca…(5)
 電圧V2がロジックインバータ23に入力されると、閾値電圧Vthを境界として、ロジックインバータ23から電圧V2を論理反転した電圧V3が出力される。
t1 = t2≈0.693 × Ra × Ca (5)
When the voltage V2 is input to the logic inverter 23, a voltage V3 obtained by logically inverting the voltage V2 is output from the logic inverter 23 with the threshold voltage Vth as a boundary.
 積分回路102に電圧V3が入力されると、電圧V3の立ち上り時は、抵抗24を通じてコンデンサ25が充電されるので、電圧V4の立ち上りは、電圧V3の立ち上りよりも遅延時間t3だけ遅れる。電圧V3の立ち下り時は、抵抗24を介してコンデンサ25に蓄えられた電荷が放電されるので、電圧V4の立ち下りは、電圧V3の立ち下りよりも遅延時間t4だけ遅れる。 When the voltage V3 is input to the integration circuit 102, the capacitor 25 is charged through the resistor 24 when the voltage V3 rises, so that the rise of the voltage V4 is delayed by a delay time t3 from the rise of the voltage V3. When the voltage V3 falls, the charge stored in the capacitor 25 is discharged via the resistor 24, so that the fall of the voltage V4 is delayed by a delay time t4 from the fall of the voltage V3.
 電圧V3を、0Vとロジックインバータ19、20、23及び26の電源電圧Vccの間で変動するパルス信号としたとき、時刻tに対する電圧V4の立ち上り時の変化V4_Uは、以下の式で表される。 When the voltage V3 is a pulse signal that varies between 0 V and the power supply voltage Vcc of the logic inverters 19, 20, 23, and 26, the change V4_U at the rise of the voltage V4 with respect to time t is expressed by the following equation: .
 V4_U=Vcc{1-EXP(-t/(Rb×Cb))}…(6)
 ただし、t=0は、電圧V3の立ち上りの時刻および電圧V4の立ち上り開始時刻を表わす。
V4_U = Vcc {1-EXP (−t / (Rb × Cb))} (6)
However, t = 0 represents the rise time of the voltage V3 and the rise start time of the voltage V4.
 時刻tに対する電圧V4の立ち下り時の変化V4_Dは、以下の式で表される。
 V4_D=Vcc{EXP(-t/(Rb×Cb))}…(7)
 ただし、t=0は、電圧V3の立ち下りの時刻および電圧V4の立ち下り開始時刻を表わす。
A change V4_D at the fall of the voltage V4 with respect to time t is expressed by the following equation.
V4_D = Vcc {EXP (-t / (Rb × Cb))} (7)
However, t = 0 represents the falling time of the voltage V3 and the falling start time of the voltage V4.
 遅延時間t3は、式(6)から以下のように表される。
 t3=-Rb×Cb×ln(1-Vth/Vcc)…(8)
 遅延時間t4は、式(7)から以下のように表される。
The delay time t3 is expressed as follows from the equation (6).
t3 = −Rb × Cb × ln (1-Vth / Vcc) (8)
The delay time t4 is expressed as follows from the equation (7).
 t4=-Rb×Cb×ln(Vth/Vcc)…(9)
 ロジックインバータとして、CMOSロジックインバータを使用する場合、ロジックインバータの閾値電圧Vth=Vcc/2と仮定すると、遅延時間t3と遅延時間t4は、式(8)、(9)から、以下のように表される。
t4 = −Rb × Cb × ln (Vth / Vcc) (9)
When a CMOS logic inverter is used as the logic inverter, assuming that the threshold voltage Vth of the logic inverter is Vth = Vcc / 2, the delay time t3 and the delay time t4 can be expressed as follows from equations (8) and (9). Is done.
 t3=t4≒0.693×Rb×Cb…(10)
 電圧V4をロジックインバータ26に入力すると、閾値電圧Vthを境界として入力電圧V4を論理反転した電圧V5が出力される。
t3 = t4≈0.693 × Rb × Cb (10)
When the voltage V4 is input to the logic inverter 26, a voltage V5 obtained by logically inverting the input voltage V4 with the threshold voltage Vth as a boundary is output.
 図7の波形図に示すように、補正回路18に入力される信号の立ち上りのタイミングに対して補正回路18から出力される信号の立ち上りのタイミングの遅延時間はt1+t4となる。補正回路18に入力される信号の立ち下りのタイミングに対して補正回路18から出力される信号の立ち下りのタイミングの遅延時間はt2+t3となる。 As shown in the waveform diagram of FIG. 7, the delay time of the rise timing of the signal output from the correction circuit 18 is t1 + t4 with respect to the rise timing of the signal input to the correction circuit 18. The delay time of the falling timing of the signal output from the correction circuit 18 with respect to the falling timing of the signal input to the correction circuit 18 is t2 + t3.
 ロジックインバータにCMOSロジックインバータを用いる場合、ロジックインバータの閾値電圧Vth=Vcc/2を仮定すると、t1=t2、t3=t4となるので、遅延時間t1+t4と、遅延時間t2+t3が等しくなる。 When a CMOS logic inverter is used as the logic inverter, assuming that the threshold voltage Vth = Vcc / 2 of the logic inverter, t1 = t2 and t3 = t4. Therefore, the delay time t1 + t4 is equal to the delay time t2 + t3.
 インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングのずれΔtがゼロとなるように、いずれか1つまたは複数の補正回路18Yに含まれる抵抗21、24の抵抗値RaおよびRb、コンデンサ22、25の容量値CaおよびCbを調整する。これによって、レーザ発振器1に含まれるインバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを揃える。 The resistors 21 and 24 included in any one or more of the correction circuits 18Y are set so that the timing difference Δt between the start of rising and the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B becomes zero. The resistance values Ra and Rb and the capacitance values Ca and Cb of the capacitors 22 and 25 are adjusted. As a result, the timings of the rising start and the falling start in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B included in the laser oscillator 1 are made uniform.
 あるいは、アームXがオン/オフを切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、アームXのオン/オフの切替えタイミングと基準タイミングとの差ΔtXを算出する。補正回路18Xa~18Xdが、半導体素子16Xa~16Xdに対応するゲート駆動回路17Xa~17Xdへの制御信号の立ち上りをΔtXだけ遅らせる。ΔtXの遅延は、補正回路18Xa~18Xdに含まれる抵抗21、24の抵抗値RaおよびRb、コンデンサ22、25の容量値CaおよびCbを調整することによって得られる。 Or, measure the timing when arm X switches on / off. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and the difference ΔtX between the on / off switching timing of the arm X and the reference timing is calculated. The correction circuits 18Xa to 18Xd delay the rising of the control signal to the gate drive circuits 17Xa to 17Xd corresponding to the semiconductor elements 16Xa to 16Xd by ΔtX. The delay of ΔtX is obtained by adjusting the resistance values Ra and Rb of the resistors 21 and 24 and the capacitance values Ca and Cb of the capacitors 22 and 25 included in the correction circuits 18Xa to 18Xd.
 あるいは、半導体素子16Yがオン/オフを切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、半導体スイッチ16Yのオン/オフの切替えタイミングと基準タイミングとの差ΔtYを算出する。補正回路18Yが、半導体素子16Yに対応するゲート駆動回路17Yへの制御信号の立ち上りをΔtYだけ遅らせる。ΔtYの遅延は、補正回路18Yに含まれる抵抗21、24の抵抗値RaおよびRb、コンデンサ22、25の容量値CaおよびCbを調整することによって得られる。 Alternatively, the timing at which the semiconductor element 16Y is switched on / off is measured. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference ΔtY between the on / off switching timing of the semiconductor switch 16Y and the reference timing is calculated. The correction circuit 18Y delays the rise of the control signal to the gate drive circuit 17Y corresponding to the semiconductor element 16Y by ΔtY. The delay of ΔtY is obtained by adjusting the resistance values Ra and Rb of the resistors 21 and 24 and the capacitance values Ca and Cb of the capacitors 22 and 25 included in the correction circuit 18Y.
 上記補正によって、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングを揃えることができる。 By the above correction, it is possible to align the timings at the start of rising or the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B.
 また、本実施の形態の補正回路18は、抵抗やコンデンサ、及びロジックインバータICなどの、小形で安価な汎用部品で構成されるため、低コスト化も実現できる。 Further, since the correction circuit 18 of the present embodiment is composed of small and inexpensive general-purpose parts such as a resistor, a capacitor, and a logic inverter IC, the cost can be reduced.
 [実施の形態1の変形例]
 実施の形態1では、トランス部10として、一次巻線と二次巻線を各一つずつ有するトランスを複数個使用し、各トランスの一次側がインバータ9A,9Bの各出力部と一対一で接続され、トランス二次側が並列接続される場合について説明した。
[Modification of Embodiment 1]
In the first embodiment, a plurality of transformers each having one primary winding and one secondary winding are used as the transformer unit 10, and the primary side of each transformer is connected to each output unit of the inverters 9A and 9B on a one-to-one basis. The case where the transformer secondary side is connected in parallel has been described.
 図8は、変形例のトランス部501の構成を表わす図である。
 本変形例では、トランス部501において、複数の一次巻線31,32と一つの二次巻線33を有するトランスを一つ使用し、トランス一次側の各接続端がインバータ9A,9Bの各出力部と一対一で接続され、トランス二次側が共通の巻線となっている場合でも、実施の形態1と同様の効果が得られることは、言うまでもない。
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a transformer unit 501 according to a modification.
In the present modification, the transformer unit 501 uses one transformer having a plurality of primary windings 31 and 32 and one secondary winding 33, and each connection end on the transformer primary side is each output of the inverters 9A and 9B. Needless to say, the same effects as those of the first embodiment can be obtained even when the transformer secondary side is a common winding, which is connected one-to-one with each other.
 [実施の形態2]
 実施の形態2の補正回路28が実施の形態1の補正回路18と相違する。実施の形態2の他の構成要素は、実施の形態1のものと同じである。
[Embodiment 2]
The correction circuit 28 according to the second embodiment is different from the correction circuit 18 according to the first embodiment. Other components of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.
 実施の形態1の補正回路18では、補正回路18に入力される制御信号の立ち上りのタイミングに対して補正回路18から出力される制御信号の立ち上りのタイミングの遅延時間(t1+t4)と、補正回路18に入力される制御信号の立ち下りのタイミングに対して補正回路18から出力される制御信号の立ち下りのタイミングの遅延時間(t2+t3)とが等しくなった。そのため、インバータ9Aの出力電圧または出力電流の立ち上りとインバータ9Bの出力電圧または出力電流の立ち上りのタイミングの差と、インバータ9Aの出力電圧または出力電流の立ち下りとインバータ9Bの出力電圧または出力電流の立ち下りのタイミングの差が相違する場合に、両方を同時に補正することができない(問題点1)。 In the correction circuit 18 according to the first embodiment, the delay time (t1 + t4) of the rise timing of the control signal output from the correction circuit 18 with respect to the rise timing of the control signal input to the correction circuit 18, and the correction circuit 18 The delay time (t2 + t3) of the falling timing of the control signal output from the correction circuit 18 is equal to the falling timing of the control signal input to. Therefore, the difference between the rise of the output voltage or output current of the inverter 9A and the rise of the output voltage or output current of the inverter 9B, the fall of the output voltage or output current of the inverter 9A, and the output voltage or output current of the inverter 9B. When the difference in falling timing is different, both cannot be corrected simultaneously (Problem 1).
 次に、問題点2について説明する。
 図9は、実施の形態1の補正回路18に入力される周期に対してパルス幅の細い電圧、補正回路18の内部で生成される電圧、補正回路18から出力される電圧の例を表わす図である。
Next, problem 2 will be described.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a voltage having a narrow pulse width with respect to a period input to the correction circuit 18 according to the first embodiment, a voltage generated inside the correction circuit 18, and a voltage output from the correction circuit 18. It is.
 図9に示す波形図の例のように、補正回路18へ入力される制御信号の周期Tsに対して、制御信号のパルス幅Tiが0<Ti<<Ts/2と細いとき、遅延回路DL1におけるコンデンサ22の端子間電圧がロジックインバータ20、23の電源電圧Vccまで上昇しきる前に放電を始めた場合、電圧V1の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t2が、設定した遅延時間に比べて短くなるという問題がある。 When the pulse width Ti of the control signal is as narrow as 0 <Ti << Ts / 2 with respect to the cycle Ts of the control signal input to the correction circuit 18 as in the example of the waveform diagram shown in FIG. 9, the delay circuit DL1 When the discharge starts before the voltage between the terminals of the capacitor 22 rises to the power supply voltage Vcc of the logic inverters 20 and 23, the delay time t2 provided with respect to the timing at the start of the fall of the voltage V1 is the set delay. There is a problem that it becomes shorter than time.
 遅延時間t2の短縮を防ぐには、コンデンサ22の端子間電圧がロジックインバータ20、23の電源電圧Vccになるまで十分に充電された状態から放電を始めるように遅延時間txを設定する必要がある。 In order to prevent the delay time t2 from being shortened, it is necessary to set the delay time tx so as to start discharging from a sufficiently charged state until the voltage between the terminals of the capacitor 22 reaches the power supply voltage Vcc of the logic inverters 20 and 23. .
 たとえば、コンデンサ22の端子間電圧がロジックインバータ20、23の電源電圧Vccの99%になるまで充電された状態を、コンデンサ22の端子間電圧がロジックインバータの電源電圧Vccになるまで十分に充電された状態と同等であると仮定すると、コンデンサ22の端子間電圧が、十分に放電されてほぼゼロの状態から、ロジックインバータ20、23の電源電圧Vccの99%になるまで充電するのに要する時間tx(99%)は、以下の式で表される。 For example, the state in which the voltage between the terminals of the capacitor 22 is charged until it reaches 99% of the power supply voltage Vcc of the logic inverters 20 and 23 is sufficiently charged until the voltage between the terminals of the capacitor 22 reaches the power supply voltage Vcc of the logic inverter. Assuming that the voltage between the terminals of the capacitor 22 is sufficiently discharged and almost zero, the time required for charging until reaching 99% of the power supply voltage Vcc of the logic inverters 20 and 23 is assumed. tx (99%) is expressed by the following equation.
 tx(99%)=-Ra×Ca×ln(1-0.99×Vcc/Vcc)…(11)
 図9に示すような、遅延時間t2の短縮を防ぐには、以下の条件を満たす必要がある。
tx (99%) = − Ra × Ca × ln (1−0.99 × Vcc / Vcc) (11)
In order to prevent the delay time t2 from being shortened as shown in FIG. 9, the following conditions must be satisfied.
 tx(99%)<Ti…(12)
 式(3)から、遅延時間t1は、以下の式で表される。
tx (99%) <Ti (12)
From the equation (3), the delay time t1 is expressed by the following equation.
 t1=-Ra×Ca×ln(1-Vth/Vcc)…(13)
 式(11)、(12)、(13)から、実施の形態1の補正回路18において、設けられる遅延時間t2が、設定した遅延時間に比べて短くならないようにするには、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち上り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t1が、以下の条件を満たす必要がある。
t1 = −Ra × Ca × ln (1-Vth / Vcc) (13)
From Equations (11), (12), and (13), in order to prevent the provided delay time t2 from becoming shorter than the set delay time in the correction circuit 18 of the first embodiment, the delay circuit DL1 is referred to. The delay time t1 provided with respect to the timing at which the input voltage V1 starts to rise needs to satisfy the following conditions.
 t1<ln(1-Vth/Vcc)/ln(1-0.99×Vcc/Vcc)×Ti…(14)
 また、図9に示す波形図の例のように、遅延回路DL1におけるコンデンサ25の端子間電圧がほぼゼロになるまで放電しきる前に充電を開始する場合、電圧V3の立ち上り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t3が、設定した遅延時間に比べて短くなるという問題がある。
t1 <ln (1-Vth / Vcc) / ln (1-0.99 × Vcc / Vcc) × Ti (14)
Further, as in the example of the waveform diagram shown in FIG. 9, when charging is started before discharging until the voltage across the terminals of the capacitor 25 in the delay circuit DL1 becomes almost zero, the timing at the start of rising of the voltage V3 There is a problem that the delay time t <b> 3 provided is shorter than the set delay time.
 遅延時間t3の短縮を防ぐには、コンデンサ25の端子間電圧がほぼゼロになるまで放電しきった状態から充電を始める必要がある。 In order to prevent the delay time t3 from being shortened, it is necessary to start charging from a state where the capacitor 25 is completely discharged until the voltage between the terminals of the capacitor 25 becomes almost zero.
 たとえば、コンデンサ25の端子間電圧がロジックインバータ23、26の電源電圧Vccの1%になった状態を、コンデンサ25の端子間電圧がほぼゼロになるまで十分に放電した状態と同等であると仮定すると、コンデンサ25の端子間電圧が、ロジックインバータ23、26の電源電圧Vccになるまで十分に充電された状態からほぼゼロになるまで放電しきるのに要する時間ty(1%)は、以下の式で表される。 For example, it is assumed that the state in which the inter-terminal voltage of the capacitor 25 is 1% of the power supply voltage Vcc of the logic inverters 23 and 26 is equivalent to the state in which the capacitor 25 is sufficiently discharged until the inter-terminal voltage of the capacitor 25 becomes almost zero. Then, the time ty (1%) required to discharge the capacitor 25 from the fully charged state until it reaches the power supply voltage Vcc of the logic inverters 23 and 26 until it becomes almost zero is expressed by the following equation: It is represented by
 ty(1%)=-Rb×Cb×ln(0.01×Vcc/Vcc)…(15)
 図9に示すような、遅延時間t3の短縮を防ぐには、以下の条件を満たす必要がある。
ty (1%) = − Rb × Cb × ln (0.01 × Vcc / Vcc) (15)
In order to prevent the delay time t3 from being shortened as shown in FIG. 9, the following conditions must be satisfied.
 ty(1%)<Ti-t1+t2…(16)
 式(9)から、遅延時間t4は、以下の式で表される。
ty (1%) <Ti−t1 + t2 (16)
From the equation (9), the delay time t4 is expressed by the following equation.
 t4=-Rb×Cb×ln(Vth/Vcc)…(17)
 式(15)、(16)、(17)から、実施の形態1の補正回路18において、設けられる遅延時間t3が、設定した遅延時間に比べて短くならないようにするには、遅延回路DL2へ入力される電圧V3の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t4が、以下の条件を満たす必要がある。
t4 = −Rb × Cb × ln (Vth / Vcc) (17)
From Equations (15), (16), and (17), in order to prevent the delay time t3 provided in the correction circuit 18 of the first embodiment from becoming shorter than the set delay time, the delay circuit DL2 is entered. The delay time t4 provided with respect to the timing when the input voltage V3 starts to fall needs to satisfy the following conditions.
 t4<ln(Vth/Vcc)/ln(0.01×Vcc/Vcc)×(Ti-t1+t2)…(18)
 以上のように、実施の形態1では、補正回路18に周期に対してパルス幅の細い電圧が入力された場合に、式(14)と式(18)を満たすように設計されないと、実際に設けられる遅延量が設定した遅延量よりも短くなり、インバータ9A,9Bのタイミングのずれを正確に補正することができなくなる。理論的には、式(14)と式(18)を満たす遅延量が生じるように、遅延回路を複数段縦列接続すればよいが、素子数が増加するなどの問題が生じる(問題点2)。
t4 <ln (Vth / Vcc) / ln (0.01 × Vcc / Vcc) × (Ti−t1 + t2) (18)
As described above, in the first embodiment, when a voltage having a narrow pulse width with respect to the period is input to the correction circuit 18, if it is not designed to satisfy the expressions (14) and (18), it is actually The provided delay amount becomes shorter than the set delay amount, and the timing shift of the inverters 9A and 9B cannot be accurately corrected. Theoretically, a plurality of delay circuits may be connected in cascade so that a delay amount satisfying Expressions (14) and (18) is generated, but problems such as an increase in the number of elements arise (Problem 2). .
 次に、問題点3について説明する。
 実施の形態1において、補正回路18へ入力される制御信号のパルス幅が細いとき、例えば、遅延回路への入力信号の周期Tsに対して、入力信号のパルス幅Tiが0<Ti<<Ts/2となるとき、補正回路18へ入力される電圧V1の立ち上り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t1が、補正回路18へ入力される制御信号におけるパルス幅Tiよりも長い場合、すなわち、t1>Tiとなる場合に、以下のような問題が生じる。
Next, problem 3 will be described.
In the first embodiment, when the pulse width of the control signal input to the correction circuit 18 is narrow, for example, the pulse width Ti of the input signal is 0 <Ti << Ts with respect to the cycle Ts of the input signal to the delay circuit. When the delay time t1 set with respect to the timing at the start of rising of the voltage V1 input to the correction circuit 18 is longer than the pulse width Ti in the control signal input to the correction circuit 18, When t1> Ti, the following problem occurs.
 図10は、実施の形態1の補正回路18に入力される周期に対してパルス幅の細い電圧、補正回路18の内部で生成される電圧、補正回路18から出力される電圧の別の例を表わす図である。 FIG. 10 shows another example of a voltage having a narrow pulse width with respect to the period input to the correction circuit 18 of the first embodiment, a voltage generated inside the correction circuit 18, and a voltage output from the correction circuit 18. FIG.
 補正回路18へ入力される電圧V1の立ち上り時、遅延回路DL1におけるコンデンサ22の端子間電圧が、ロジックインバータの閾値電圧Vthまで上昇しきる前に、コンデンサ22が放電を始めることによって、図10に示すように、遅延回路DL1の出力電圧V3でパルスが消失し、常に一定電圧となり、インバータ9A,9Bを駆動できなくなる(問題点3)。 When the voltage V1 input to the correction circuit 18 rises, the capacitor 22 starts discharging before the voltage across the capacitor 22 in the delay circuit DL1 reaches the threshold voltage Vth of the logic inverter. Thus, the pulse disappears at the output voltage V3 of the delay circuit DL1, and always becomes a constant voltage, and the inverters 9A and 9B cannot be driven (Problem 3).
 実施の形態2では、実施の形態1における遅延回路における上記の問題点1~3を解決するため、実施の形態1の補正回路と同じ段数の遅延回路を用いた補正回路28を用いる。 In the second embodiment, in order to solve the problems 1 to 3 in the delay circuit in the first embodiment, a correction circuit 28 using a delay circuit having the same number of stages as the correction circuit in the first embodiment is used.
 図11は、実施の形態2の補正回路28の構成を表わす図である。
 補正回路28は、直列に接続された1段目の遅延回路DL1と、2段目の遅延回路DL2とから構成される。
FIG. 11 is a diagram illustrating the configuration of the correction circuit 28 according to the second embodiment.
The correction circuit 28 includes a first-stage delay circuit DL1 and a second-stage delay circuit DL2 connected in series.
 遅延回路DL1は、抵抗37とコンデンサ29とで構成される積分回路201と、ダイオード27と、ロジックインバータ30とを備える。ダイオード27は、抵抗37と並列に接続される。ロジックインバータ30は、積分回路201の出力を受ける。ダイオード27は、積分回路201の入力部から積分回路201のコンデンサ29へと充電電流が流れる向きに接続される。 The delay circuit DL1 includes an integration circuit 201 including a resistor 37 and a capacitor 29, a diode 27, and a logic inverter 30. The diode 27 is connected in parallel with the resistor 37. The logic inverter 30 receives the output of the integration circuit 201. The diode 27 is connected in a direction in which a charging current flows from the input unit of the integration circuit 201 to the capacitor 29 of the integration circuit 201.
 遅延回路DL2は、抵抗32とコンデンサ33とで構成される積分回路202と、ダイオード31と、ロジックインバータ34とを備える。ダイオード31は、抵抗32と並列に接続される。ロジックインバータ34は、積分回路202の出力を受ける。ダイオード31は、積分回路202の入力部から積分回路202のコンデンサ33へと充電電流が流れる向きに接続される。 The delay circuit DL2 includes an integration circuit 202 composed of a resistor 32 and a capacitor 33, a diode 31, and a logic inverter 34. The diode 31 is connected in parallel with the resistor 32. Logic inverter 34 receives the output of integration circuit 202. The diode 31 is connected in a direction in which a charging current flows from the input unit of the integration circuit 202 to the capacitor 33 of the integration circuit 202.
 抵抗37、32は、可変抵抗であり、抵抗値RaおよびRbは可変である。コンデンサ29、33は、可変コンデンサであり、容量値CaおよびCbは可変である。 The resistors 37 and 32 are variable resistors, and the resistance values Ra and Rb are variable. The capacitors 29 and 33 are variable capacitors, and the capacitance values Ca and Cb are variable.
 補正回路28において、コンデンサ29及び33では高速な充放電が求められるので、フィルムコンデンサまたはセラミックコンデンサの使用が望ましい。また、コンデンサ29及び33において高速な充放電を実現するため、ダイオード27及び31には、高速スイッチングが可能なファスト・リカバリ・ダイオード(FRD)、またはショットキー・バリア・ダイオード(SBD)の使用が望ましい。 In the correction circuit 28, since the capacitors 29 and 33 are required to be charged and discharged at high speed, it is desirable to use a film capacitor or a ceramic capacitor. Further, in order to realize high-speed charging / discharging in the capacitors 29 and 33, a fast recovery diode (FRD) or a Schottky barrier diode (SBD) capable of high-speed switching is used for the diodes 27 and 31. desirable.
 図12は、実施の形態2の補正回路28に入力される電圧、補正回路28の内部で生成される電圧、補正回路28から出力される電圧の例を表わす図である。 FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a voltage input to the correction circuit 28, a voltage generated inside the correction circuit 28, and a voltage output from the correction circuit 28 according to the second embodiment.
 図12において、電圧e1は遅延回路DL1への入力電圧、電圧e2はロジックインバータ30に入力される電圧、電圧e3はロジックインバータ30から出力され、遅延回路DL2へと入力される電圧、電圧e4はロジックインバータ34に入力される電圧、電圧e5はロジックインバータ34から出力される電圧、Vccはロジックインバータの電源電圧、Vthはロジックインバータの閾値電圧を表す。ロジックインバータ30及び34は同じ特性の素子を使用し、なおかつ、ダイオード27及び31は理想スイッチとして動作し、一瞬でスイッチングするものと仮定する。 In FIG. 12, a voltage e1 is an input voltage to the delay circuit DL1, a voltage e2 is a voltage input to the logic inverter 30, a voltage e3 is output from the logic inverter 30 and is input to the delay circuit DL2, and a voltage e4 is The voltage input to the logic inverter 34, the voltage e5 is the voltage output from the logic inverter 34, Vcc represents the power supply voltage of the logic inverter, and Vth represents the threshold voltage of the logic inverter. It is assumed that the logic inverters 30 and 34 use elements having the same characteristics, and that the diodes 27 and 31 operate as ideal switches and switch instantaneously.
 時間td1は、遅延回路DL1で生じる電圧の立ち下りの遅延時間、時間td2は、遅延回路DL2で生じる電圧の立ち下りの遅延時間、Tsは、補正回路28に入力される信号の周期、Tiは、補正回路28に入力される信号のパルス幅、Toは、補正回路28から出力される信号のパルス幅を表わす。 Time td1 is the delay time of the fall of the voltage generated in the delay circuit DL1, time td2 is the delay time of the fall of the voltage generated in the delay circuit DL2, Ts is the period of the signal input to the correction circuit 28, and Ti is The pulse width To of the signal input to the correction circuit 28 and To represent the pulse width of the signal output from the correction circuit 28.
 遅延回路DL1に電圧e1が入力されると、電圧e1の立ち上り時は、ダイオード27を通じてコンデンサ29に電荷を急速に充電する。よって、電圧e2の立ち上りは、電圧e1の立ち上りに対して遅延時間は生じない。電圧e1の立ち下り時は、抵抗37を介してコンデンサ29に蓄えられた電荷を放電する。よって、電圧e2の立ち下りは電圧e1の立ち下りに対して遅延時間td1だけ遅れる。 When the voltage e1 is input to the delay circuit DL1, the capacitor 29 is charged rapidly through the diode 27 when the voltage e1 rises. Therefore, the rise of the voltage e2 does not cause a delay time with respect to the rise of the voltage e1. When the voltage e1 falls, the charge stored in the capacitor 29 is discharged through the resistor 37. Therefore, the fall of the voltage e2 is delayed by the delay time td1 with respect to the fall of the voltage e1.
 電圧e1を0Vからロジックインバータ30,34の電源電圧Vccの間で変動するパルス信号とする。 The voltage e1 is a pulse signal that varies between 0V and the power supply voltage Vcc of the logic inverters 30 and 34.
 時刻tに対する電圧e2の立ち下り時の変化e2_Dは、以下の式で表される。
 e2_D=Vcc{EXP(-t/(Ra×Ca))}…(19)
 ただし、t=0は、電圧e1の立ち下りの時刻および電圧e2の立ち下りの開始時刻を表わす。
A change e2_D when the voltage e2 falls with respect to time t is expressed by the following equation.
e2_D = Vcc {EXP (−t / (Ra × Ca))} (19)
However, t = 0 represents the falling time of voltage e1 and the start time of falling of voltage e2.
 式(19)から、遅延時間td1は、以下の式で表される。
 td1=-Ra×Ca×ln(Vth/Vcc)…(20)
 ロジックインバータ30,34としてCMOSロジックインバータを使用する場合、ロジックインバータ30,34の閾値電圧Vth=Vcc/2と仮定すると、遅延時間td1は、式(20)から、以下のように表される。
From the equation (19), the delay time td1 is expressed by the following equation.
td1 = −Ra × Ca × ln (Vth / Vcc) (20)
When a CMOS logic inverter is used as the logic inverters 30 and 34, assuming that the threshold voltage Vth of the logic inverters 30 and 34 is Vcc / 2, the delay time td1 is expressed as follows from the equation (20).
 td1≒0.693×Ra×Ca…(21)
 電圧e2をロジックインバータ30に入力すると、閾値電圧Vthを境界として入力電圧e2を論理反転した電圧e3が出力される。
td1≈0.693 × Ra × Ca (21)
When the voltage e2 is input to the logic inverter 30, a voltage e3 obtained by logically inverting the input voltage e2 with the threshold voltage Vth as a boundary is output.
 遅延回路DL2に電圧e3が入力されると、電圧e3の立ち上り時は、ダイオード31を通じてコンデンサ33に電荷を急速に充電する。よって、電圧e4の立ち上りは、電圧e3の立ち上りに対して遅延時間は生じない。電圧e4の立ち下り時は、抵抗32を介してコンデンサ33に蓄えられた電荷を放電する。よって、電圧e4の立ち下りは電圧e3の立ち下りに対して遅延時間td2だけ遅れる。 When the voltage e3 is input to the delay circuit DL2, the capacitor 33 is charged rapidly through the diode 31 when the voltage e3 rises. Therefore, the rise of the voltage e4 does not cause a delay time with respect to the rise of the voltage e3. When the voltage e4 falls, the charge stored in the capacitor 33 is discharged via the resistor 32. Therefore, the fall of the voltage e4 is delayed by the delay time td2 with respect to the fall of the voltage e3.
 電圧e3を、0Vからロジックインバータ30,34の電源電圧Vccの間で変動するパルス信号としたとき、時刻tに対する電圧e4の立ち下り時の変化e4_Dは、以下の式で表される。 When the voltage e3 is a pulse signal that fluctuates between 0 V and the power supply voltage Vcc of the logic inverters 30 and 34, the change e4_D at the time of falling of the voltage e4 with respect to time t is expressed by the following equation.
 e4_D=Vcc{EXP(-t/(Rb×Cb))}…(22)
 ただし、t=0は、電圧e3の立ち下りの時刻および電圧e4の立ち下りの開始時刻を表わす。
e4_D = Vcc {EXP (−t / (Rb × Cb))} (22)
However, t = 0 represents the falling time of the voltage e3 and the starting time of the falling of the voltage e4.
 式(22)から、遅延時間td2は、以下の式で表される。
 td2=-Rb×Cb×ln(Vth/Vcc)…(23)
 ロジックインバータ30,34としてCMOSロジックインバータを使用する場合、ロジックインバータ30,34の閾値電圧Vth=Vcc/2と仮定すると、遅延時間td2は、式(23)から、以下のように表される。
From the equation (22), the delay time td2 is expressed by the following equation.
td2 = −Rb × Cb × ln (Vth / Vcc) (23)
When a CMOS logic inverter is used as the logic inverters 30 and 34, assuming that the threshold voltage Vth of the logic inverters 30 and 34 is Vcc / 2, the delay time td2 is expressed as follows from the equation (23).
 td2≒0.693×Rb×Cb…(24)
 電圧e4をロジックインバータ34に入力すると、閾値電圧Vthを境界として入力電圧e4を論理反転した電圧e5が出力される。
td2≈0.693 × Rb × Cb (24)
When the voltage e4 is input to the logic inverter 34, a voltage e5 obtained by logically inverting the input voltage e4 with the threshold voltage Vth as a boundary is output.
 図12の波形図に示すように、補正回路28に入力される信号の立ち上りのタイミングに対して補正回路28から出力される信号の立ち上りのタイミングの遅延時間はtd2となる。補正回路28に入力される信号の立ち下りのタイミングに対して補正回路28から出力される信号の立ち下りのタイミングの遅延時間はtd1となる。 As shown in the waveform diagram of FIG. 12, the delay time of the rising timing of the signal output from the correction circuit 28 with respect to the rising timing of the signal input to the correction circuit 28 is td2. The delay time of the falling timing of the signal output from the correction circuit 28 with respect to the falling timing of the signal input to the correction circuit 28 is td1.
 ロジックインバータに閾値電圧Vth=Vcc/2のCMOSロジックインバータを用いる場合、式(21)および式(24)に示すように、遅延時間td1と遅延時間td2とは異なる値に設定することができる。よって、本実施の形態の補正回路28は、問題点1を解決することができる。 When a CMOS logic inverter having a threshold voltage Vth = Vcc / 2 is used for the logic inverter, the delay time td1 and the delay time td2 can be set to different values as shown in the equations (21) and (24). Therefore, the correction circuit 28 of the present embodiment can solve the problem 1.
 また、本実施の形態の補正回路28では、図12に示す波形図の例のように、コンデンサ29及び33はダイオード27及び31を介して急速に充電され、コンデンサ29及び33の端子間電圧が一瞬のうちにロジックインバータの電源電圧Vccまで上昇する。これによって、実施の形態1と異なり、補正回路28への入力信号のパルス幅Tiが、入力信号の周期Tsに対して、0<Ti<<Ts/2と細いときでも、補正回路28へ入力される電圧e1の立ち下り開始時のタイミングに対して生じる遅延時間td1が、設定した遅延時間に比べて短くならない。したがって、本実施の形態の補正回路28は、問題点2を解決することができる。 Further, in the correction circuit 28 of the present embodiment, the capacitors 29 and 33 are rapidly charged via the diodes 27 and 31 as in the example of the waveform diagram shown in FIG. The power supply voltage Vcc of the logic inverter rises instantly. Thus, unlike the first embodiment, even when the pulse width Ti of the input signal to the correction circuit 28 is as narrow as 0 <Ti << Ts / 2 with respect to the cycle Ts of the input signal, the input to the correction circuit 28 is performed. The delay time td1 generated with respect to the timing at which the voltage e1 starts falling does not become shorter than the set delay time. Therefore, the correction circuit 28 of the present embodiment can solve the problem 2.
 また、本実施の形態の補正回路28へ入力される信号のパルス幅が細いとき、例えば、入力信号のパルス幅Tiが、信号周期Tsに対して0<Ti<<Ts/2となるとき、補正回路28を使用すると、遅延回路DL1において、電圧e1の立ち上り時、コンデンサ29の端子間電圧は一瞬のうちにロジックインバータの電源電圧Vccまで上昇するため、遅延回路DL1の出力電圧e3でパルスが消失しない。しかしながら、遅延回路DL2において、コンデンサ33の端子間電圧が、ロジックインバータの閾値電圧Vthまで低下する前に充電を始めた場合、補正回路28の遅延回路DL2における出力電圧e5でパルスが消失し、常に一定電圧となり、インバータ9A,9Bを駆動できなくなる。 Further, when the pulse width of the signal input to the correction circuit 28 of the present embodiment is narrow, for example, when the pulse width Ti of the input signal is 0 <Ti << Ts / 2 with respect to the signal period Ts, When the correction circuit 28 is used, in the delay circuit DL1, when the voltage e1 rises, the voltage between the terminals of the capacitor 29 rises instantaneously to the power supply voltage Vcc of the logic inverter, so that a pulse is generated at the output voltage e3 of the delay circuit DL1. Does not disappear. However, in the delay circuit DL2, when charging starts before the voltage across the capacitor 33 decreases to the threshold voltage Vth of the logic inverter, the pulse disappears at the output voltage e5 in the delay circuit DL2 of the correction circuit 28, and always. The voltage becomes constant and the inverters 9A and 9B cannot be driven.
 この問題を回避するために、図12の波形図を参照すると、補正回路28の遅延回路DL2において、遅延時間td2を以下の範囲で設定する。 In order to avoid this problem, referring to the waveform diagram of FIG. 12, in the delay circuit DL2 of the correction circuit 28, the delay time td2 is set in the following range.
 td2<Ti+td1…(25)
 これによって、補正回路28における遅延回路DL2の出力電圧e5でパルスが消失することなく、電圧e3の立ち下り開始時のタイミングを遅延できる。よって、本実施の形態の補正回路28は、問題点3を解決することができる。
td2 <Ti + td1 (25)
Accordingly, the timing at the start of the fall of the voltage e3 can be delayed without the pulse disappearing in the output voltage e5 of the delay circuit DL2 in the correction circuit 28. Therefore, the correction circuit 28 of the present embodiment can solve the problem 3.
 したがって、図1の回路構成で、レーザ発振器1を構成するインバータ9A,9Bの出力電圧波形または出力電流波形が細いパルスの場合においても、式(25)に示す範囲で補正回路28の遅延時間を設定して使用することで、インバータ9A,9Bの出力電圧または出力電流の立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングを揃えることができる。 Therefore, even in the case where the output voltage waveform or output current waveform of the inverters 9A and 9B constituting the laser oscillator 1 is a narrow pulse with the circuit configuration of FIG. 1, the delay time of the correction circuit 28 is within the range shown in the equation (25). By setting and using the output voltage or output current of the inverters 9A and 9B, the timing at the start of rising or the start of falling can be made uniform.
 インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時のタイミングのずれΔt1がゼロとなるように、いずれか1つまたは複数の補正回路28Yに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整する。また、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち下り開始時のタイミングのずれΔt2がゼロとなるように、いずれか1つまたは複数の補正回路28Yに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整する。これによって、レーザ発振器1に含まれるインバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを揃える。ただし、式(25)の条件を満たすものとする。 The resistance value Rb of the resistor 32 included in any one or more of the correction circuits 28Y and the capacitance of the capacitor 33 so that the timing difference Δt1 at the start of rising in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B becomes zero. The capacitance value Cb is adjusted. In addition, the resistance value Ra of the resistor 37 included in any one or the plurality of correction circuits 28Y is set so that the timing shift Δt2 at the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B becomes zero. The capacitance value Ca of the capacitor 29 is adjusted. As a result, the timings of the rising start and the falling start in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B included in the laser oscillator 1 are made uniform. However, it shall satisfy | fill the conditions of Formula (25).
 あるいは、アームXがオンに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、アームXのオンの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt1Xを算出する。補正回路28Xa~28Xdが、半導体素子16Xa~16Xdに対応するゲート駆動回路17Xa~17Xdへの制御信号の立ち上りをΔt1Xだけ遅らせる。Δt1Xの遅延は、補正回路28Xa~28Xdに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整することによって得られる。また、アームXがオフに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、アームXのオフの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt2Xを算出する。補正回路28Xa~28Xdが、半導体素子16Xa~16Xdに対応するゲート駆動回路17Xa~17Xdへの制御信号の立ち下りをΔt2Xだけ遅らせる。Δt2Xの遅延は、補正回路28Xa~28Xdに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整することによって得られる。ただし、td2=Δt1X、td1=Δt2Xとし、式(25)の条件を満たすものとする。 Or, measure the timing when arm X switches on. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt1X between the arm X ON switching timing and the reference timing is calculated. The correction circuits 28Xa to 28Xd delay the rise of the control signal to the gate drive circuits 17Xa to 17Xd corresponding to the semiconductor elements 16Xa to 16Xd by Δt1X. The delay of Δt1X is obtained by adjusting the resistance value Rb of the resistor 32 and the capacitance value Cb of the capacitor 33 included in the correction circuits 28Xa to 28Xd. Also, the timing at which the arm X switches off is measured. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt2X between the arm X OFF switching timing and the reference timing is calculated. The correction circuits 28Xa to 28Xd delay the fall of the control signal to the gate drive circuits 17Xa to 17Xd corresponding to the semiconductor elements 16Xa to 16Xd by Δt2X. The delay of Δt2X is obtained by adjusting the resistance value Ra of the resistor 37 and the capacitance value Ca of the capacitor 29 included in the correction circuits 28Xa to 28Xd. However, td2 = Δt1X, td1 = Δt2X, and the condition of Expression (25) is satisfied.
 あるいは、半導体素子16Yがオンに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、半導体スイッチ16Yのオンの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt1Yを算出する。補正回路28Yが、半導体素子16Yに対応するゲート駆動回路17Yへの制御信号の立ち上りをΔt1Yだけ遅らせる。Δt1Yの遅延は、補正回路28Yに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整することによって得られる。また、半導体素子16Yがオフに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、半導体スイッチ16Yのオフの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt2Yを算出する。補正回路28Yが、半導体素子16Yに対応するゲート駆動回路17Yへの制御信号の立ち下りをΔt2Yだけ遅らせる。Δt2Yの遅延は、補正回路28Yに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整することによって得られる。ただし、td2=Δt1Y、td1=Δt2Yとし、式(25)の条件を満たすものとする。 Alternatively, the timing at which the semiconductor element 16Y is turned on is measured. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt1Y between the ON switching timing of the semiconductor switch 16Y and the reference timing is calculated. The correction circuit 28Y delays the rise of the control signal to the gate drive circuit 17Y corresponding to the semiconductor element 16Y by Δt1Y. The delay of Δt1Y is obtained by adjusting the resistance value Rb of the resistor 32 and the capacitance value Cb of the capacitor 33 included in the correction circuit 28Y. In addition, the timing at which the semiconductor element 16Y is switched off is measured. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt2Y between the switching timing of turning off the semiconductor switch 16Y and the reference timing is calculated. The correction circuit 28Y delays the fall of the control signal to the gate drive circuit 17Y corresponding to the semiconductor element 16Y by Δt2Y. The delay of Δt2Y is obtained by adjusting the resistance value Ra of the resistor 37 and the capacitance value Ca of the capacitor 29 included in the correction circuit 28Y. However, it is assumed that td2 = Δt1Y, td1 = Δt2Y, and the condition of Expression (25) is satisfied.
 上記補正によって、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングを揃えることができる。 By the above correction, it is possible to align the timings at the start of rising or the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B.
 (実施の形態1の遅延量の幅との比較)
 式(14)、(18)から、実施の形態1の補正回路18において、遅延時間を設ける過程で遅延時間が短縮せず、なおかつ、遅延回路の出力信号でパルスが消失しないよう動作させるには、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち上り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t1と、遅延回路DL2へ入力される電圧V3の立ち下り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t4を、以下の範囲で設定する必要がある。
(Comparison with the width of delay amount in the first embodiment)
From the equations (14) and (18), in the correction circuit 18 of the first embodiment, the delay time is not shortened in the process of providing the delay time, and the pulse is not lost by the output signal of the delay circuit. The delay time t1 set with respect to the timing at the start of rising of the voltage V1 input to the delay circuit DL1, and the delay time t4 set with respect to the timing at the start of falling of the voltage V3 input to the delay circuit DL2. Must be set within the following range.
 t1<ln(1-Vth/Vcc)/ln(1-0.99×Vcc/Vcc)×Ti…(26)
 t4<ln(Vth/Vcc)/ln(0.01×Vcc/Vcc)×(Ti-t1+t2)…(27)
 例えば、実施の形態1の補正回路18において、ロジックインバータとして、CMOSロジックインバータを使用する場合、Vth=Vcc/2と仮定すると、式(3)、(4)から、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち上り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t1と、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち下り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t2はt1=t2と表されるので、式(26)、(27)から、条件式は以下のように表せる。
t1 <ln (1-Vth / Vcc) / ln (1-0.99 × Vcc / Vcc) × Ti (26)
t4 <ln (Vth / Vcc) / ln (0.01 × Vcc / Vcc) × (Ti−t1 + t2) (27)
For example, in the correction circuit 18 of the first embodiment, when a CMOS logic inverter is used as the logic inverter, assuming that Vth = Vcc / 2, it is input to the delay circuit DL1 from the equations (3) and (4). The delay time t1 set with respect to the timing when the voltage V1 starts to rise and the delay time t2 set with respect to the timing when the voltage V1 input to the delay circuit DL1 starts to fall are expressed as t1 = t2. Therefore, from the equations (26) and (27), the conditional expression can be expressed as follows.
 t1=t4<0.15×Ti…(28)
 なお、上式において、ln(0.5)/ln(0.01)=0.15を用いて計算した。
t1 = t4 <0.15 × Ti (28)
In the above equation, calculation was performed using ln (0.5) / ln (0.01) = 0.15.
 式(28)から、実施の形態1の補正回路18において、遅延時間を設ける過程で遅延時間が短縮せず、なおかつ、遅延回路の出力信号でパルスが消失しないように動作させるには、実施の形態1の補正回路18に入力される信号の立ち上り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t1+t4を以下の範囲で設定すればよい。 From equation (28), the correction circuit 18 according to the first embodiment can be operated so that the delay time is not shortened in the process of providing the delay time and the pulse is not lost by the output signal of the delay circuit. What is necessary is just to set delay time t1 + t4 provided with respect to the timing at the time of the start of the rise of the signal input to the correction circuit 18 of the form 1 in the following range.
 t1+t4<0.3×Ti…(29)
 ただし、式(28)も同時に満たす必要がある。
t1 + t4 <0.3 × Ti (29)
However, equation (28) must be satisfied at the same time.
 一方、本実施の形態の補正回路28において、補正回路28の出力信号でパルスが消失しないよう動作させるには、図12に示す波形図と式(25)から各遅延時間を以下の通りに設定する必要がある。 On the other hand, in the correction circuit 28 of the present embodiment, in order to operate the pulses so as not to disappear with the output signal of the correction circuit 28, each delay time is set as follows from the waveform diagram shown in FIG. There is a need to.
 td1<Ts-Ti…(30)
 td2<Ti+td1…(31)
 補正回路28の遅延時間の設定範囲と、補正回路18の遅延時間の設定範囲を比較するため、式(31)の右辺を式(29)の右辺で割ると、以下の式が成り立つ。
td1 <Ts-Ti (30)
td2 <Ti + td1 (31)
In order to compare the setting range of the delay time of the correction circuit 28 with the setting range of the delay time of the correction circuit 18, dividing the right side of the equation (31) by the right side of the equation (29) yields the following equation.
[規則91に基づく訂正 10.08.2016] 
 (Ti+td1)/(0.3)×Ti=3.3×(1+td1/Ti)…(32)
 式(32)より、遅延時間td1>0とすると、本実施の形態の補正回路28における遅延時間td2の設定範囲は、実施の形態1の遅延時間t1+t4の設定範囲に比べて3倍以上広い。
[Correction based on Rule 91 10.08.2016]
(Ti + td1) / (0.3) × Ti = 3.3 × (1 + td1 / Ti) (32)
From the equation (32), when the delay time td1> 0, the setting range of the delay time td2 in the correction circuit 28 of the present embodiment is three times or more wider than the setting range of the delay time t1 + t4 of the first embodiment.
 以上から、図1に示す回路構成で、補正回路にパルス幅の細い信号が入力されるとき、補正回路において遅延時間を設ける過程で遅延時間が短縮せず、なおかつ、遅延回路の出力でパルスが消失しないよう動作させる場合、実施の形態2の補正回路28は、実施の形態1の補正回路18に比べて、3倍以上大きな遅延時間を設けることができる。 From the above, in the circuit configuration shown in FIG. 1, when a signal with a narrow pulse width is input to the correction circuit, the delay time is not shortened in the process of providing the delay time in the correction circuit, and the pulse is not generated at the output of the delay circuit. When operating so as not to disappear, the correction circuit 28 of the second embodiment can be provided with a delay time that is three or more times larger than that of the correction circuit 18 of the first embodiment.
 なお、図1に示す回路構成において、実施の形態2の補正回路28を使用した場合も、実施の形態1と同様の効果が得られることは、言うまでもない。 Needless to say, in the circuit configuration shown in FIG. 1, even when the correction circuit 28 of the second embodiment is used, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
 [実施の形態3]
 実施の形態3の補正回路38が実施の形態1の補正回路18と相違する。実施の形態3の他の構成要素は、実施の形態1のものと同じである。
[Embodiment 3]
The correction circuit 38 according to the third embodiment is different from the correction circuit 18 according to the first embodiment. Other components of the third embodiment are the same as those of the first embodiment.
 まず、実施の形態1の補正回路18の問題について詳細を説明する。
 図13は、実施の形態1の補正回路18に入力される周期に対してパルス幅の太い電圧、補正回路18の内部で生成される電圧、補正回路18から出力される電圧の例を表わす図である。
First, the problem of the correction circuit 18 according to the first embodiment will be described in detail.
FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a voltage having a large pulse width with respect to a cycle input to the correction circuit 18 according to the first embodiment, a voltage generated inside the correction circuit 18, and a voltage output from the correction circuit 18. It is.
 図13に示す波形図の例のように、補正回路18への入力信号の周期Tsに対して、入力信号のパルス幅TiがTs/2<<Ti<Tsと太いとき、遅延回路DL1におけるコンデンサ22の端子間電圧がほぼゼロになるまで放電しきる前に充電を開始する場合に、電圧V1の立ち上り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t1が、設定した遅延時間に比べて短くなるという問題がある。 When the pulse width Ti of the input signal is as thick as Ts / 2 << Ti <Ts with respect to the period Ts of the input signal to the correction circuit 18 as in the example of the waveform diagram shown in FIG. 13, the capacitor in the delay circuit DL1 The delay time t1 provided for the timing at the start of the rise of the voltage V1 is shorter than the set delay time when charging is started before the terminal 22 has been discharged until the voltage between the terminals becomes almost zero. There's a problem.
 補正回路18において、遅延時間t1の短縮を防ぐには、コンデンサ22の端子間電圧がほぼゼロになるまで十分に放電された状態から充電を始めるように遅延時間t2を設定する必要がある。 In the correction circuit 18, in order to prevent the delay time t1 from being shortened, it is necessary to set the delay time t2 so that charging is started from a sufficiently discharged state until the voltage between the terminals of the capacitor 22 becomes almost zero.
 例えば、コンデンサ22の端子間電圧がロジックインバータの電源電圧Vccの1%になった状態を、コンデンサ22の端子間電圧がほぼゼロになるまで十分に放電した状態と同等であると仮定すると、コンデンサ22の端子間電圧が、ロジックインバータの電源電圧Vccになるまで十分に充電された状態から、ほぼゼロになるまで放電しきるのに要する時間ty(1%)は、以下の式で表される。 For example, assuming that the state in which the inter-terminal voltage of the capacitor 22 is 1% of the power supply voltage Vcc of the logic inverter is equivalent to the state in which the capacitor 22 is sufficiently discharged until the inter-terminal voltage of the capacitor 22 becomes almost zero. The time ty (1%) required to discharge from the fully charged state until the terminal voltage of 22 reaches the power supply voltage Vcc of the logic inverter to almost zero is expressed by the following equation.
 ty(1%)=-Ra×Ca×ln(0.01×Vcc/Vcc)…(33)
 補正回路18において、図13に示すような、遅延時間t1の短縮を防ぐには、以下の式を満たす必要がある。
ty (1%) = − Ra × Ca × ln (0.01 × Vcc / Vcc) (33)
In the correction circuit 18, in order to prevent the delay time t1 from being shortened as shown in FIG.
 ty(1%)<Ts-Ti…(34)
 式(4)から、電圧V1の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t2は、以下の式で表される。
ty (1%) <Ts-Ti (34)
From the equation (4), the delay time t2 provided with respect to the timing at the start of the fall of the voltage V1 is expressed by the following equation.
 t2=-Ra×Ca×ln(Vth/Vcc)…(35)
 式(33)、(34)、(35)から、実施の形態1の補正回路18において、設けられる遅延時間t1が、設定した遅延時間に比べて短くならないようにするには、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち下り時のタイミングに対して設けられる遅延時間t2が、以下の式を満たす必要がある。
t2 = −Ra × Ca × ln (Vth / Vcc) (35)
From Equations (33), (34), and (35), in order to prevent the delay time t1 provided in the correction circuit 18 of the first embodiment from being shorter than the set delay time, the delay circuit DL1 is entered. The delay time t2 provided with respect to the falling timing of the input voltage V1 needs to satisfy the following expression.
 t2<ln(Vth/Vcc)/ln(0.01×Vcc/Vcc)×(Ts-Ti)…(36)
 補正回路18において、図13に示す波形図の例のように、遅延回路DL2におけるコンデンサ25の端子間電圧がロジックインバータの電源電圧Vccにまで上昇しきる前に放電を始めた場合に、電圧V3の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t4が、設定した遅延時間に比べて短くなるという問題がある。
t2 <ln (Vth / Vcc) / ln (0.01 × Vcc / Vcc) × (Ts−Ti) (36)
When the correction circuit 18 starts discharging before the voltage across the capacitor 25 in the delay circuit DL2 reaches the power supply voltage Vcc of the logic inverter as shown in the example of the waveform diagram of FIG. There is a problem that the delay time t4 provided for the timing at the start of falling is shorter than the set delay time.
 補正回路18において、遅延時間t4の短縮を防ぐには、コンデンサ25の端子間電圧がロジックインバータの電源電圧Vccになるまで十分に充電された状態から放電を始めるように遅延時間t3を設定する必要がある。 In the correction circuit 18, in order to prevent the delay time t4 from being shortened, it is necessary to set the delay time t3 so as to start discharging from a sufficiently charged state until the voltage between the terminals of the capacitor 25 reaches the power supply voltage Vcc of the logic inverter. There is.
 例えば、補正回路18において、コンデンサ25の端子間電圧がロジックインバータの電源電圧Vccの99%になるまで充電された状態をコンデンサ25の端子間電圧がロジックインバータの電源電圧Vccになるまで十分に充電された状態と同等であると仮定すると、コンデンサ25の端子間電圧が、十分に放電されてほぼゼロの状態から、ロジックインバータの電源電圧Vccの99%になるまで充電するのに要する時間tx(99%)は、以下の式で表される。 For example, in the correction circuit 18, the state in which the voltage between the terminals of the capacitor 25 is charged until it reaches 99% of the power supply voltage Vcc of the logic inverter is sufficiently charged until the voltage between the terminals of the capacitor 25 reaches the power supply voltage Vcc of the logic inverter. Assuming that the voltage between the terminals of the capacitor 25 is sufficiently discharged and almost zero, the time tx () required for charging until reaching 99% of the power supply voltage Vcc of the logic inverter is assumed. 99%) is represented by the following formula.
 tx(99%)=-Rb×Cb×ln(1-0.99×Vcc/Vcc)…(37)
 補正回路18において、図13に示すような、遅延時間t4の短縮を防ぐには、以下の式を満たす必要がある。
tx (99%) = − Rb × Cb × ln (1−0.99 × Vcc / Vcc) (37)
In the correction circuit 18, in order to prevent the delay time t4 from being shortened as shown in FIG.
 tx(99%)<Ts-Ti+t1-t2…(38)
 補正回路18において、設けられる遅延時間t4が、設定した遅延時間に比べて短くならないようにするには、遅延回路DL2へ入力される電圧V3の立ち上り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t3が、以下の式を満たす必要がある。
tx (99%) <Ts−Ti + t1−t2 (38)
In the correction circuit 18, in order to prevent the provided delay time t4 from becoming shorter than the set delay time, the delay time t3 provided with respect to the timing at which the voltage V3 input to the delay circuit DL2 starts to rise. However, it is necessary to satisfy the following formula.
 t3<ln(1-Vth/Vcc)/ln(1-0.99×Vcc/Vcc)×(Ts-Ti+t1-t2)…(39)
 以上のように、実施の形態1では、補正回路18に周期に対してパルス幅の太い電圧が入力された場合に、式(36)と式(39)を満たすように設計されないと、実際に設けられる遅延量が設定した遅延量よりも短くなり、インバータ9A,9Bのタイミングのずれを正確に補正することができなくなる。理論的には、式(36)と式(39)を満たす遅延量が生じるように、遅延回路を複数段縦列接続すればよいが、素子数が増加するなどの問題が生じる(問題点4)。
t3 <ln (1-Vth / Vcc) / ln (1-0.99 × Vcc / Vcc) × (Ts−Ti + t1−t2) (39)
As described above, in the first embodiment, when a voltage having a large pulse width with respect to the period is input to the correction circuit 18, it is actually not designed so as to satisfy the expressions (36) and (39). The provided delay amount becomes shorter than the set delay amount, and the timing shift of the inverters 9A and 9B cannot be accurately corrected. Theoretically, the delay circuits may be cascaded in a plurality of stages so that a delay amount satisfying Expressions (36) and (39) is generated, but problems such as an increase in the number of elements arise (Problem 4). .
 次に、問題点5について説明する。
 図14は、実施の形態1の補正回路18に入力される周期に対してパルス幅の太い電圧、補正回路18の内部で生成される電圧、補正回路18から出力される電圧の別の例を表わす図である。
Next, problem 5 will be described.
FIG. 14 shows another example of a voltage having a large pulse width with respect to the period input to the correction circuit 18 of the first embodiment, a voltage generated inside the correction circuit 18, and a voltage output from the correction circuit 18. FIG.
 実施の形態1の補正回路18への入力信号のパルス幅が太いとき、例えば、補正回路18へ入力される制御信号の周期Tsに対して制御信号のパルス幅TiがTs/2<<Ti<Tsとなるとき、補正回路18へ入力される制御信号の立ち下り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t2が、補正回路18への制御信号における信号周期Tsとパルス幅Tiの差分Ts-Tiよりも長い場合、すなわち、t2>Ts-Tiとなる場合に、以下の問題がある。 When the pulse width of the input signal to the correction circuit 18 of the first embodiment is large, for example, the pulse width Ti of the control signal is Ts / 2 << Ti << with respect to the cycle Ts of the control signal input to the correction circuit 18. When Ts, the delay time t2 set with respect to the timing at which the control signal input to the correction circuit 18 starts to fall is the difference Ts− between the signal period Ts and the pulse width Ti in the control signal to the correction circuit 18. When longer than Ti, that is, when t2> Ts-Ti, there are the following problems.
 補正回路18に入力される信号の立ち下り時、遅延回路DL1におけるコンデンサ22の端子間電圧が、ロジックインバータの閾値電圧Vthまで低下しきる前に充電を始める。これによって、図14に示すように、遅延回路DL1の出力電圧V3でパルスが消失し、常に一定電圧となり、インバータ9A,9Bを駆動できなくなるという問題がある(問題点5)。 When the signal input to the correction circuit 18 falls, charging starts before the voltage across the terminals of the capacitor 22 in the delay circuit DL1 drops to the threshold voltage Vth of the logic inverter. As a result, as shown in FIG. 14, the pulse disappears at the output voltage V3 of the delay circuit DL1, always becomes a constant voltage, and the inverters 9A and 9B cannot be driven (problem 5).
 図15は、実施の形態3の補正回路38の構成を表わす図である。
 補正回路38は、直列に接続された1段目の遅延回路DL1と、2段目の遅延回路DL2とから構成される。
FIG. 15 is a diagram illustrating the configuration of the correction circuit 38 according to the third embodiment.
The correction circuit 38 includes a first-stage delay circuit DL1 and a second-stage delay circuit DL2 connected in series.
 遅延回路DL1は、抵抗37とコンデンサ29とで構成される積分回路201と、ダイオード27と、ロジックインバータ30とを備える。ダイオード27は、抵抗37と並列に接続される。ロジックインバータ30は、積分回路201の出力を受ける。ダイオード27は、積分回路201のコンデンサ29から積分回路201の入力部へと放電電流が流れる向きに接続される。 The delay circuit DL1 includes an integration circuit 201 including a resistor 37 and a capacitor 29, a diode 27, and a logic inverter 30. The diode 27 is connected in parallel with the resistor 37. The logic inverter 30 receives the output of the integration circuit 201. The diode 27 is connected in a direction in which a discharge current flows from the capacitor 29 of the integration circuit 201 to the input unit of the integration circuit 201.
 遅延回路DL2は、抵抗32とコンデンサ33とで構成される積分回路202と、ダイオード31と、ロジックインバータ34とを備える。ダイオード31は、抵抗32と並列に接続される。ロジックインバータ34は、積分回路202の出力を受ける。ダイオード31は、積分回路202のコンデンサ33から積分回路202の入力部へと放電電流が流れる向きに接続される。 The delay circuit DL2 includes an integration circuit 202 composed of a resistor 32 and a capacitor 33, a diode 31, and a logic inverter 34. The diode 31 is connected in parallel with the resistor 32. Logic inverter 34 receives the output of integration circuit 202. The diode 31 is connected in a direction in which a discharge current flows from the capacitor 33 of the integration circuit 202 to the input unit of the integration circuit 202.
 抵抗37、32は、可変抵抗であり、抵抗値RaおよびRbは可変である。コンデンサ29、33は、可変コンデンサであり、容量値CaおよびCbは可変である。 The resistors 37 and 32 are variable resistors, and the resistance values Ra and Rb are variable. The capacitors 29 and 33 are variable capacitors, and the capacitance values Ca and Cb are variable.
 補正回路38において、コンデンサ29及び33では高速な充放電が求められるので、フィルムコンデンサまたはセラミックコンデンサの使用が望ましい。また、コンデンサ29及び33において高速な充放電を実現するため、ダイオード27及び31には、高速スイッチングが可能なファスト・リカバリ・ダイオード(FRD)またはショットキー・バリア・ダイオード(SBD)の使用が望ましい。 In the correction circuit 38, since the capacitors 29 and 33 are required to be charged and discharged at high speed, it is desirable to use a film capacitor or a ceramic capacitor. Further, in order to realize high-speed charging / discharging in the capacitors 29 and 33, it is desirable to use fast recovery diodes (FRD) or Schottky barrier diodes (SBD) capable of high-speed switching for the diodes 27 and 31. .
 図16は、実施の形態3の補正回路38に入力される電圧、補正回路38の内部で生成される電圧、補正回路38から出力される電圧の例を表わす図である。 FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a voltage input to the correction circuit 38, a voltage generated inside the correction circuit 38, and a voltage output from the correction circuit 38 according to the third embodiment.
 図16において、電圧e6は、遅延回路DL1への入力電圧を表わす。電圧e7は、ロジックインバータ30に入力される電圧を表わす。電圧e8はロジックインバータ30から出力され、遅延回路DL2へと入力される電圧を表わす。電圧e9はロジックインバータ34に入力される電圧を表わす。電圧e10はロジックインバータ34から出力される電圧を表わす。Vccはロジックインバータの電源電圧を表わす。Vthはロジックインバータ30,34の閾値電圧を表わす。ロジックインバータ30及び34は同じ特性の素子を使用し、なおかつ、ダイオード27及び31は理想スイッチとして動作し、一瞬でスイッチングするものと仮定する。 In FIG. 16, a voltage e6 represents an input voltage to the delay circuit DL1. Voltage e7 represents a voltage input to logic inverter 30. Voltage e8 represents a voltage output from logic inverter 30 and input to delay circuit DL2. Voltage e9 represents a voltage input to logic inverter 34. Voltage e10 represents a voltage output from logic inverter 34. Vcc represents the power supply voltage of the logic inverter. Vth represents the threshold voltage of the logic inverters 30 and 34. It is assumed that the logic inverters 30 and 34 use elements having the same characteristics, and that the diodes 27 and 31 operate as ideal switches and switch instantaneously.
 時間td3は、遅延回路DL1で生じる電圧の立ち上りの遅延時間を表わす。時間td4は、遅延回路DL2で生じる電圧の立ち上りの遅延時間を表わす。Tsは補正回路38に入力される信号の周期、Tiは補正回路38に入力される信号のパルス幅、Toは補正回路38から出力される信号のパルス幅である。 The time td3 represents the delay time of the voltage rise generated in the delay circuit DL1. Time td4 represents the delay time of the rise of the voltage generated in the delay circuit DL2. Ts is the period of the signal input to the correction circuit 38, Ti is the pulse width of the signal input to the correction circuit 38, and To is the pulse width of the signal output from the correction circuit 38.
 遅延回路DL1に電圧e6が入力されると、電圧e6の立ち下り時は、ダイオード27を通じてコンデンサ29に蓄えられた電荷を急速に放電するため遅延時間は生じない。よって、電圧e7の立ち下りは、電圧e6の立ち下りに対して遅延時間は生じない。電圧e6の立ち上り時は、抵抗37を介してコンデンサ29に電荷を充電する。よって、電圧e7の立ち上りは、電圧e6の立ち上りに対して遅延時間td3だけ遅れる。 When the voltage e6 is input to the delay circuit DL1, when the voltage e6 falls, the charge stored in the capacitor 29 is rapidly discharged through the diode 27, so that no delay time occurs. Therefore, the fall of the voltage e7 does not cause a delay time with respect to the fall of the voltage e6. When the voltage e6 rises, the capacitor 29 is charged through the resistor 37. Therefore, the rise of the voltage e7 is delayed by the delay time td3 with respect to the rise of the voltage e6.
 電圧e6を、0Vからロジックインバータの電源電圧Vccの間で変動するパルス信号としたとき、時刻tに対する電圧e7の立ち上り時の変化e7_Uは、以下の式で表される。 When the voltage e6 is a pulse signal that varies between 0V and the power supply voltage Vcc of the logic inverter, the change e7_U at the rise of the voltage e7 with respect to time t is expressed by the following equation.
 e7_U=Vcc{1-EXP(-t/(Ra×Ca))}…(40)
 ただし、t=0は、電圧e6の立ち上りの時刻および電圧e7の立ち下りの開始時刻を表わす。
e7_U = Vcc {1-EXP (−t / (Ra × Ca))} (40)
However, t = 0 represents the rise time of the voltage e6 and the start time of the fall of the voltage e7.
 式(40)から遅延時間td3は、以下の式で表される。
 td3=-Ra×Ca×ln(1-Vth/Vcc)…(41)
 補正回路38において、ロジックインバータとしてCMOSロジックインバータを使用する場合、ロジックインバータの閾値電圧Vth=Vcc/2と仮定すると、遅延時間td3は、式(41)から、以下のように表される。
From the equation (40), the delay time td3 is expressed by the following equation.
td3 = −Ra × Ca × ln (1-Vth / Vcc) (41)
In the correction circuit 38, when a CMOS logic inverter is used as the logic inverter, assuming that the threshold voltage Vth of the logic inverter is Vth = Vcc / 2, the delay time td3 is expressed as follows from the equation (41).
 td3≒0.693×Ra×Ca…(42)
 電圧e7をロジックインバータ30に入力すると、閾値電圧Vthを境界として入力電圧e7を論理反転した電圧e8が出力される。
td3≈0.693 × Ra × Ca (42)
When the voltage e7 is input to the logic inverter 30, a voltage e8 obtained by logically inverting the input voltage e7 with the threshold voltage Vth as a boundary is output.
[規則91に基づく訂正 10.08.2016] 
 遅延回路DL2に電圧e8が入力されると、電圧e8の立ち下り時は、ダイオード31を通じてコンデンサ33に蓄えた電荷を急速に放電するため遅延時間は生じない。よって、電圧e9の立ち下りは、電圧e8の立ち下りに対して遅延時間は生じない。電圧e8の立ち上り時は、抵抗32を介してコンデンサ33に電荷を充電する。よって、電圧e9の立ち上りは、電圧e8の立ち上りに対して遅延時間td4だけ遅れる。
[Correction based on Rule 91 10.08.2016]
When the voltage e8 is input to the delay circuit DL2, the charge stored in the capacitor 33 is rapidly discharged through the diode 31 when the voltage e8 falls, so that no delay time occurs. Therefore, the fall of the voltage e9 does not cause a delay time with respect to the fall of the voltage e8. When the voltage e8 rises, the capacitor 33 is charged through the resistor 32. Therefore, the rise of the voltage e9 is delayed by the delay time td4 with respect to the rise of the voltage e8.
 電圧e8を、0Vからロジックインバータの電源電圧Vccの間で変動するパルス信号としたとき、時刻tに対する電圧e9の立ち上り時の変化e9_Uは、以下の式で表される。 When the voltage e8 is a pulse signal that varies between 0V and the power supply voltage Vcc of the logic inverter, the change e9_U at the rise of the voltage e9 with respect to time t is expressed by the following equation.
 e9_U=Vcc{1-EXP(-t/(Rb×Cb))}…(43)
 ただし、t=0は、電圧e8の立ち上りの時刻および電圧e9の立ち上りの開始時刻を表わす。
e9_U = Vcc {1-EXP (−t / (Rb × Cb))} (43)
However, t = 0 represents the rise time of the voltage e8 and the start time of the rise of the voltage e9.
 式(43)から遅延時間td4は、以下の式で表される。
 td4=-Rb×Cb×ln(1-Vth/Vcc)…(44)
 補正回路38において、ロジックインバータとしてCMOSロジックインバータを使用する場合、ロジックインバータの閾値電圧Vth=Vcc/2と仮定すると、遅延時間td4は、式(44)から、以下の式で表される。
From the equation (43), the delay time td4 is expressed by the following equation.
td4 = −Rb × Cb × ln (1-Vth / Vcc) (44)
In the correction circuit 38, when a CMOS logic inverter is used as the logic inverter, assuming that the threshold voltage Vth of the logic inverter is Vth = Vcc / 2, the delay time td4 is expressed by the following equation from the equation (44).
 td4≒0.693×Rb×Cb…(45)
 電圧e9をロジックインバータ34に入力すると、閾値電圧Vthを境界として入力電圧e9を論理反転した電圧e10が出力される。
td4≈0.693 × Rb × Cb (45)
When the voltage e9 is input to the logic inverter 34, a voltage e10 obtained by logically inverting the input voltage e9 with the threshold voltage Vth as a boundary is output.
 図16の波形図に示すように、補正回路38に入力される信号の立ち上りのタイミングに対して補正回路38から出力される信号の立ち上りのタイミングの遅延時間はtd3となる。補正回路38に入力される信号の立ち下りのタイミングに対して補正回路38から出力される信号の立ち下りのタイミングの遅延時間はtd4となる。 As shown in the waveform diagram of FIG. 16, the delay time of the rise timing of the signal output from the correction circuit 38 is td3 with respect to the rise timing of the signal input to the correction circuit 38. The delay time of the falling timing of the signal output from the correction circuit 38 is td4 with respect to the falling timing of the signal input to the correction circuit 38.
 ロジックインバータに閾値電圧Vth=Vcc/2のCMOSロジックインバータを用いる場合、式(42)および式(45)に示すように、遅延時間td3と遅延時間td4とは異なる値に設定することができる。よって、本実施の形態の補正回路38は、問題点1を解決することができる。 When a CMOS logic inverter having a threshold voltage Vth = Vcc / 2 is used for the logic inverter, the delay time td3 and the delay time td4 can be set to different values as shown in the equations (42) and (45). Therefore, the correction circuit 38 of the present embodiment can solve the problem 1.
 補正回路38では、図16に示す波形図の例のように、コンデンサ29及び33はダイオード27及び31を介して急速に放電し、コンデンサ29及び33の端子間電圧が一瞬のうちにほぼゼロまで低下する。それゆえ、実施の形態1の補正回路18を使用する場合と異なり、補正回路38への入力信号のパルス幅Tiが、入力信号の周期Tsに対してTs/2<<Ti<Tsと太いときでも、補正回路38へ入力される電圧e6の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間td4が設定した遅延時間に比べて短くならない。よって、実施の形態3の補正回路38は、問題点4を解決することができる。 In the correction circuit 38, as in the example of the waveform diagram shown in FIG. 16, the capacitors 29 and 33 are rapidly discharged through the diodes 27 and 31, and the voltage between the terminals of the capacitors 29 and 33 is instantaneously reduced to almost zero. descend. Therefore, unlike the case where the correction circuit 18 of the first embodiment is used, when the pulse width Ti of the input signal to the correction circuit 38 is as thick as Ts / 2 << Ti <Ts with respect to the cycle Ts of the input signal. However, the delay time td4 provided with respect to the timing at the start of falling of the voltage e6 input to the correction circuit 38 does not become shorter than the set delay time. Therefore, the correction circuit 38 according to the third embodiment can solve the problem 4.
 また、本実施の形態の補正回路38へ入力される信号のパルス幅が太いとき、例えば、入力信号のパルス幅Tiが、信号周期Tsに対してTs/2<<Ti<Tsとなるときに、本実施の形態の補正回路38を使用すると、遅延回路DL1において、電圧e6の立ち下り時、コンデンサ29の端子間電圧は一瞬のうちにほぼゼロまで低下するため、遅延回路DL1の出力電圧e8において、パルスが消失しない。しかしながら、補正回路38の遅延回路DL2において、コンデンサ33の端子間電圧が、ロジックインバータの閾値電圧Vthまで上昇する前に放電を始めると、補正回路38の遅延回路DL2における出力電圧e10においてパルスが消失し、常に一定電圧となり、インバータ9A,9Bを駆動できなくなる。 Further, when the pulse width of the signal input to the correction circuit 38 of the present embodiment is large, for example, when the pulse width Ti of the input signal is Ts / 2 << Ti <Ts with respect to the signal period Ts. When the correction circuit 38 according to the present embodiment is used, the voltage between the terminals of the capacitor 29 drops to almost zero instantaneously when the voltage e6 falls in the delay circuit DL1, and therefore the output voltage e8 of the delay circuit DL1. In this case, the pulse does not disappear. However, if the delay circuit DL2 of the correction circuit 38 starts discharging before the voltage across the capacitor 33 rises to the threshold voltage Vth of the logic inverter, the pulse disappears in the output voltage e10 of the delay circuit DL2 of the correction circuit 38. However, the voltage is always constant and the inverters 9A and 9B cannot be driven.
 この問題を回避するために、図16の波形図を参照すると、補正回路38の遅延回路DL2において、遅延時間td4を以下の範囲に設定する。 In order to avoid this problem, referring to the waveform diagram of FIG. 16, in the delay circuit DL2 of the correction circuit 38, the delay time td4 is set to the following range.
 td4<Ts-Ti+td3…(46)
 したがって、図1の回路構成で、レーザ発振器1を構成するインバータ9A,9Bの出力電圧波形または出力電流波形が太いパルスの場合においても、式(46)に示す範囲で補正回路38の遅延時間を設定して使用することで、インバータ9A,9Bの出力電圧または出力電流の立ち上り開始時もしくは立ち下り開始時のタイミングを揃えることができる。
td4 <Ts−Ti + td3 (46)
Therefore, even in the case where the output voltage waveform or output current waveform of the inverters 9A and 9B constituting the laser oscillator 1 is a pulse having the circuit configuration of FIG. 1, the delay time of the correction circuit 38 is within the range shown in the equation (46). By setting and using the output voltage or output current of the inverters 9A and 9B, the timing at the start of rising or the start of falling can be made uniform.
 インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時のタイミングのずれΔt1がゼロとなるように、いずれか1つまたは複数の補正回路38Yに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整する。また、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち下り開始時のタイミングのずれΔt2がゼロとなるように、いずれか1つまたは複数の補正回路38Yに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整する。これによって、レーザ発振器1に含まれるインバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングを揃える。ただし、式(46)の条件を満たすものとする。 The resistance value Ra of the resistor 37 included in any one or a plurality of correction circuits 38Y and the capacitance of the capacitor 29 so that the timing difference Δt1 at the start of rising in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B becomes zero. The capacitance value Ca is adjusted. In addition, the resistance value Rb of the resistor 32 included in any one or more of the correction circuits 38Y so that the timing shift Δt2 at the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B becomes zero. The capacitance value Cb of the capacitor 33 is adjusted. As a result, the timings of the rising start and the falling start in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B included in the laser oscillator 1 are made uniform. However, it shall satisfy | fill the conditions of Formula (46).
 あるいは、アームXがオンに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、アームXのオンの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt1Xを算出する。補正回路38Xa~38Xdが、半導体素子16Xa~16Xdに対応するゲート駆動回路17Xa~17Xdへの制御信号の立ち上りをΔt1Xだけ遅らせる。Δt1Xの遅延は、補正回路38Xa~38Xdに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整することによって得られる。また、アームXがオフに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、アームXのオフの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt2Xを算出する。補正回路38Xa~38Xdが、半導体素子16Xa~16Xdに対応するゲート駆動回路17Xa~17Xdへの制御信号の立ち下りをΔt2Xだけ遅らせる。Δt2Xの遅延は、補正回路38Xa~38Xdに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整することによって得られる。ただし、td3=Δt1X、td4=Δt2Xとし、式(46)の条件を満たすものとする。 Or, measure the timing when arm X switches on. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt1X between the arm X ON switching timing and the reference timing is calculated. The correction circuits 38Xa to 38Xd delay the rise of the control signal to the gate drive circuits 17Xa to 17Xd corresponding to the semiconductor elements 16Xa to 16Xd by Δt1X. The delay of Δt1X is obtained by adjusting the resistance value Ra of the resistor 37 and the capacitance value Ca of the capacitor 29 included in the correction circuits 38Xa to 38Xd. Also, the timing at which the arm X switches off is measured. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt2X between the arm X OFF switching timing and the reference timing is calculated. The correction circuits 38Xa to 38Xd delay the fall of the control signal to the gate drive circuits 17Xa to 17Xd corresponding to the semiconductor elements 16Xa to 16Xd by Δt2X. The delay of Δt2X is obtained by adjusting the resistance value Rb of the resistor 32 and the capacitance value Cb of the capacitor 33 included in the correction circuits 38Xa to 38Xd. However, td3 = Δt1X, td4 = Δt2X, and the condition of Expression (46) is satisfied.
 あるいは、半導体素子16Yがオンに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、半導体スイッチ16Yのオンの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt1Yを算出する。補正回路38Yが、半導体素子16Yに対応するゲート駆動回路17Yへの制御信号の立ち上りをΔt1Yだけ遅らせる。Δt1Yの遅延は、補正回路38Yに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整することによって得られる。また、半導体素子16Yがオフに切り替えるタイミングを測定する。測定したタイミングの中で最も遅いタイミングを基準タイミングとして特定し、半導体スイッチ16Yのオフの切替えタイミングと基準タイミングとの差Δt2Yを算出する。補正回路38Yが、半導体素子16Yに対応するゲート駆動回路17Yへの制御信号の立ち下りをΔt2Yだけ遅らせる。Δt2Yの遅延は、補正回路38Yに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整することによって得られる。ただし、td3=Δt1Y、td4=Δt2Yとし、式(46)の条件を満たすものとする。 Alternatively, the timing at which the semiconductor element 16Y is turned on is measured. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt1Y between the ON switching timing of the semiconductor switch 16Y and the reference timing is calculated. The correction circuit 38Y delays the rise of the control signal to the gate drive circuit 17Y corresponding to the semiconductor element 16Y by Δt1Y. The delay of Δt1Y is obtained by adjusting the resistance value Ra of the resistor 37 and the capacitance value Ca of the capacitor 29 included in the correction circuit 38Y. In addition, the timing at which the semiconductor element 16Y is switched off is measured. The latest timing among the measured timings is specified as the reference timing, and a difference Δt2Y between the switching timing of turning off the semiconductor switch 16Y and the reference timing is calculated. The correction circuit 38Y delays the fall of the control signal to the gate drive circuit 17Y corresponding to the semiconductor element 16Y by Δt2Y. The delay of Δt2Y is obtained by adjusting the resistance value Rb of the resistor 32 and the capacitance value Cb of the capacitor 33 included in the correction circuit 38Y. However, it is assumed that td3 = Δt1Y, td4 = Δt2Y, and the condition of Expression (46) is satisfied.
 (実施の形態1の遅延量の幅との比較)
 式(36)、(39)から、実施の形態1の補正回路18において、遅延時間を設ける過程で遅延時間が短縮せず、なおかつ、遅延回路の出力信号でパルスが消失しないよう動作させるには、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち下り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t2と、遅延回路DL2へ入力される電圧V3の立ち上り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t3を、以下の範囲で設定する必要がある。
(Comparison with the width of delay amount in the first embodiment)
From Equations (36) and (39), in the correction circuit 18 of the first embodiment, the delay time is not shortened in the process of providing the delay time, and the pulse is not lost by the output signal of the delay circuit. The delay time t2 set with respect to the timing at the start of falling of the voltage V1 input to the delay circuit DL1, and the delay time t3 set with respect to the timing at the start of rising of the voltage V3 input to the delay circuit DL2. Must be set within the following range.
 t2<ln(Vth/Vcc)/ln(0.01×Vcc/Vcc)×(Ts-Ti)…(47)
 t3<ln(1-Vth/Vcc)/ln(1-0.99×Vcc/Vcc)×(Ts-Ti+t1-t2)…(48)
 例えば、実施の形態1の補正回路18において、ロジックインバータとして、CMOSロジックインバータを使用する場合、Vth=Vcc/2と仮定すると、式(3)、(4)から、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち上り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t1と、遅延回路DL1へ入力される電圧V1の立ち下り開始時のタイミングに対して設定する遅延時間t2は、t1=t2で表されるので、式(47)、(48)から、条件式は以下のように表せる。
t2 <ln (Vth / Vcc) / ln (0.01 × Vcc / Vcc) × (Ts−Ti) (47)
t3 <ln (1-Vth / Vcc) / ln (1-0.99 × Vcc / Vcc) × (Ts−Ti + t1−t2) (48)
For example, in the correction circuit 18 of the first embodiment, when a CMOS logic inverter is used as the logic inverter, assuming that Vth = Vcc / 2, it is input to the delay circuit DL1 from the equations (3) and (4). The delay time t1 set with respect to the timing at the start of rising of the voltage V1 and the delay time t2 set with respect to the timing at the start of falling of the voltage V1 input to the delay circuit DL1 are represented by t1 = t2. Therefore, the conditional expression can be expressed as follows from the expressions (47) and (48).
 t2=t3<0.15×(Ts-Ti)…(49)
 式(49)から、実施の形態1の補正回路18において、遅延時間を設ける過程で遅延時間が短縮せず、なおかつ、遅延回路の出力信号でパルスが消失しないよう動作させるには、実施の形態1の補正回路18に入力される信号の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間t2+t3を以下の範囲で設定すればよい。
t2 = t3 <0.15 × (Ts−Ti) (49)
From the equation (49), the correction circuit 18 according to the first embodiment can be operated so that the delay time is not shortened in the process of providing the delay time and the pulse is not lost by the output signal of the delay circuit. What is necessary is just to set delay time t2 + t3 provided with respect to the timing at the time of the fall start of the signal input into the 1 correction circuit 18 in the following ranges.
 t2+t3<0.3×(Ts-Ti)…(50)
 ただし、式(49)も満たす必要がある。
t2 + t3 <0.3 × (Ts−Ti) (50)
However, it is also necessary to satisfy equation (49).
 一方、本実施の形態の補正回路38において、補正回路38の出力信号のパルスが消失しないよう動作させるには、図16に示す波形図と式(46)から、各遅延時間を以下のように設定する必要がある。 On the other hand, in the correction circuit 38 of the present embodiment, in order to operate the pulses of the output signal of the correction circuit 38 so as not to disappear, each delay time is determined as follows from the waveform diagram and the equation (46) shown in FIG. Must be set.
 td3<Ti…(51)
 td4<Ts-Ti+td3…(52)
 補正回路18の遅延時間の設定範囲と、補正回路38の遅延時間の設定範囲を比較するため、式(52)の右辺を式(50)の右辺で割ると以下の式が成り立つ。
td3 <Ti (51)
td4 <Ts−Ti + td3 (52)
In order to compare the setting range of the delay time of the correction circuit 18 and the setting range of the delay time of the correction circuit 38, the following equation is established by dividing the right side of the equation (52) by the right side of the equation (50).
[規則91に基づく訂正 10.08.2016] 
 (Ts-Ti+td3)/(0.3×(Ts-Ti))=3.3×(1+td3/(Ts-Ti))…(53)
 式(53)より、遅延時間td3>0とすると、本実施の形態の補正回路38における遅延時間td4の設定範囲は、実施の形態1の補正回路18における遅延時間t2+t3の設定範囲に比べて3倍以上広い。
[Correction based on Rule 91 10.08.2016]
(Ts−Ti + td3) / (0.3 × (Ts−Ti)) = 3.3 × (1 + td3 / (Ts−Ti)) (53)
From the equation (53), when the delay time td3> 0, the setting range of the delay time td4 in the correction circuit 38 of this embodiment is 3 compared to the setting range of the delay time t2 + t3 in the correction circuit 18 of the first embodiment. More than twice as wide.
 以上から、図1に示す回路構成で、補正回路にパルス幅の太い信号が入力されるとき、補正回路において遅延時間を設ける過程で遅延時間が短縮せず、なおかつ、遅延回路の出力でパルスが消失しないよう動作させる場合、実施の形態3の補正回路38は、実施の形態1の補正回路18に比べて、3倍以上大きな遅延時間を設けることができる。 From the above, in the circuit configuration shown in FIG. 1, when a signal having a large pulse width is input to the correction circuit, the delay time is not shortened in the process of providing the delay time in the correction circuit, and the pulse is generated at the output of the delay circuit. When operating so as not to disappear, the correction circuit 38 of the third embodiment can be provided with a delay time that is three or more times larger than that of the correction circuit 18 of the first embodiment.
 (実施の形態2の遅延量の幅との比較)
 実施の形態2の補正回路28において、補正回路28の出力信号でパルスが消失しないよう動作させるには、図12に示す波形図の例のように、補正回路28へ入力される信号の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間td1と、補正回路28へ入力される信号の立ち上り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間td2を、以下の通りに設定する必要がある。
(Comparison with the width of delay amount in the second embodiment)
In order for the correction circuit 28 of the second embodiment to operate so that the pulse is not lost by the output signal of the correction circuit 28, the falling edge of the signal input to the correction circuit 28 as in the example of the waveform diagram shown in FIG. It is necessary to set the delay time td1 provided for the start timing and the delay time td2 provided for the start timing of the signal input to the correction circuit 28 as follows.
 td1<Ts-Ti…(54)
 td2<Ti+td1…(55)
 実施の形態3の補正回路38において、補正回路28の出力信号でパルスが消失しないよう動作させるには、図16に示す波形図の例のように、補正回路38へ入力される信号の立ち下り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間td4と、補正回路38へ入力される信号の立ち上り開始時のタイミングに対して設けられる遅延時間td3を、以下の通りに設定する必要がある。
td1 <Ts-Ti (54)
td2 <Ti + td1 (55)
In the correction circuit 38 of the third embodiment, in order to prevent the pulse from being lost by the output signal of the correction circuit 28, the falling edge of the signal input to the correction circuit 38 as in the example of the waveform diagram shown in FIG. It is necessary to set the delay time td4 provided for the start timing and the delay time td3 provided for the start timing of the signal input to the correction circuit 38 as follows.
 td4<Ts-Ti+td3…(56)
 td3<Ti…(57)
 実施の形態2の補正回路28へ入力される信号のパルス幅が太いとき、例えば、Ts/2<<Ti<Tsのとき、式(54)から、以下の式が成り立つ。
td4 <Ts−Ti + td3 (56)
td3 <Ti (57)
When the pulse width of the signal input to the correction circuit 28 of the second embodiment is large, for example, when Ts / 2 << Ti <Ts, the following expression is established from the expression (54).
 td1<<Ts/2…(58)
 式(55)、(58)から、以下の式が成り立つ。
td1 << Ts / 2 (58)
From the expressions (55) and (58), the following expression is established.
 td2<Ti+td1≒Ts…(59)
 一方、実施の形態3の補正回路38へ入力される信号のパルス幅が太いとき、例えば、Ts/2<<Ti<Tsのとき、式(57)から、以下の式が成り立つ。
td2 <Ti + td1≈Ts (59)
On the other hand, when the pulse width of the signal input to the correction circuit 38 of the third embodiment is large, for example, when Ts / 2 << Ti <Ts, the following expression is established from Expression (57).
 td3<Ti≒Ts…(60)
  式(56)、(60)から、以下の式が成り立つ。
td3 <Ti≈Ts (60)
From the expressions (56) and (60), the following expression is established.
 td4<Ts-Ti+td3≒Ts…(61)
 式(58)、(60)を比較すると、図1に示す回路構成で、補正回路へ入力される信号のパルス幅Tiが太い場合、例えば、Ts/2<<Ti<Tsの場合、実施の形態3の補正回路38は、実施の形態2の補正回路28に比べて、広い範囲で遅延時間を設定できる。
td4 <Ts−Ti + td3≈Ts (61)
Comparing equations (58) and (60), in the circuit configuration shown in FIG. 1, when the pulse width Ti of the signal input to the correction circuit is large, for example, when Ts / 2 << Ti <Ts, The correction circuit 38 of the third embodiment can set the delay time in a wider range than the correction circuit 28 of the second embodiment.
 実施の形態2の補正回路28へ入力される信号のパルス幅が細いとき、例えば、0<Ti<<Ts/2のとき、式(54)から、以下の式が成り立つ。 When the pulse width of the signal input to the correction circuit 28 of the second embodiment is narrow, for example, when 0 <Ti << Ts / 2, the following equation is established from the equation (54).
 td1<Ts-Ti≒Ts…(62)
 式(55)、(62)から、以下の式が成り立つ。
td1 <Ts−Ti≈Ts (62)
From the expressions (55) and (62), the following expression is established.
 td2<Ti+td1≒Ts…(63)
 一方、実施の形態3の補正回路38へ入力される信号のパルス幅が細いとき、例えば、0<Ti<<Ts/2のとき、式(57)から、以下の式が成り立つ。
td2 <Ti + td1≈Ts (63)
On the other hand, when the pulse width of the signal input to the correction circuit 38 of the third embodiment is narrow, for example, when 0 <Ti << Ts / 2, the following equation is established from the equation (57).
 td3<<Ts/2…(64)
 式(56)、(64)から、以下の式が成り立つ。
td3 << Ts / 2 (64)
From the expressions (56) and (64), the following expression is established.
 td4<Ts-Ti+td3≒Ts…(65)
 式(62)、(64)を比較すると、図1に示す回路構成で、補正回路へ入力される信号のパルス幅Tiが細い場合、例えば、0<Ti<<Ts/2の場合、実施の形態2の補正回路28は、実施の形態3の補正回路38に比べて、広い範囲で遅延時間を設定できる。
td4 <Ts−Ti + td3≈Ts (65)
Comparing Expressions (62) and (64), in the circuit configuration shown in FIG. 1, when the pulse width Ti of the signal input to the correction circuit is narrow, for example, when 0 <Ti << Ts / 2, The correction circuit 28 according to the second embodiment can set the delay time in a wider range than the correction circuit 38 according to the third embodiment.
 なお、図1に示す回路構成において、実施の形態3の補正回路38を使用した場合も、実施の形態1と同様の効果が得られることは、言うまでもない。 Needless to say, in the circuit configuration shown in FIG. 1, even when the correction circuit 38 of the third embodiment is used, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
 なお、複数のスイッチング素子のオン/オフのタイミングが一致するように補正回路の遅延量を調整しなくてもよく、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲で、複数のスイッチング素子のオン/オフのタイミングが近づけるように、補正回路の遅延量を調整するものとしてもよい。 In addition, it is not necessary to adjust the delay amount of the correction circuit so that the on / off timings of the plurality of switching elements coincide with each other, as long as the processing characteristics of the laser machine connected to the laser oscillator are not affected. The delay amount of the correction circuit may be adjusted so that the on / off timings of the plurality of switching elements are close to each other.
 たとえば、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時と立ち下り開始時のタイミングのずれΔtが、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲となるように、いずれか1つまたは複数の補正回路18Yに含まれる抵抗21、24の抵抗値RaおよびRb、コンデンサ22、25の容量値CaおよびCbを調整するものとしてもよい。 For example, the timing difference Δt between the start of rising and the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B is in a range that does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. Alternatively, the resistance values Ra and Rb of the resistors 21 and 24 and the capacitance values Ca and Cb of the capacitors 22 and 25 included in any one or a plurality of correction circuits 18Y may be adjusted.
 また、図11の回路では、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時のタイミングのずれΔt1が、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲となるように、いずれか1つまたは複数の補正回路28Yに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整するものとしてもよい。同様に、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち下り開始時のタイミングのずれΔt2が、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲となるように、いずれか1つまたは複数の補正回路28Yに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整するものとしてもよい。 In the circuit of FIG. 11, the timing shift Δt1 at the start of rising in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B is in a range that does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. As described above, the resistance value Rb of the resistor 32 and the capacitance value Cb of the capacitor 33 included in any one or a plurality of correction circuits 28Y may be adjusted. Similarly, the timing difference Δt2 at the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B is set so that it does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. The resistance value Ra of the resistor 37 and the capacitance value Ca of the capacitor 29 included in the correction circuit 28Y or the correction circuit 28Y may be adjusted.
 また、図15の回路では、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち上り開始時のタイミングのずれΔt1が、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲となるように、いずれか1つまたは複数の補正回路38Yに含まれる抵抗37の抵抗値Ra、コンデンサ29の容量値Caを調整するものとしてもよい。同様に、インバータ9Aとインバータ9Bの出力電圧または出力電流における立ち下り開始時のタイミングのずれΔt2が、レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲となるように、いずれか1つまたは複数の補正回路38Yに含まれる抵抗32の抵抗値Rb、コンデンサ33の容量値Cbを調整するものとしてもよい。 In the circuit of FIG. 15, the timing difference Δt1 at the start of rising in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B is in a range that does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. As described above, the resistance value Ra of the resistor 37 and the capacitance value Ca of the capacitor 29 included in any one or a plurality of correction circuits 38Y may be adjusted. Similarly, the timing difference Δt2 at the start of falling in the output voltage or output current of the inverter 9A and the inverter 9B is set so that it does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. The resistance value Rb of the resistor 32 and the capacitance value Cb of the capacitor 33 included in the correction circuit 38Y or the correction circuit 38Y may be adjusted.
 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
 1 レーザ発振器、2 放電管、3 誘電体コンデンサ、4 放電抵抗、5 交流電源、6 整流回路、7 平滑コンデンサ、8 インバータ部、9A,9B インバータ、10,501 トランス部、11 出力リアクトル、12 出力電流検出装置、13 出力電流監視部、14 制御回路、15 半導体スイッチ、16 半導体素子、17 ゲート駆動回路、18,28,38 補正回路、19,20,23,26,30,34 ロジックインバータ、21,24,32,37 抵抗、22,25,29,33 コンデンサ、27,31 ダイオード、97 ゲート駆動部、98 補正部、101,102,201,202 積分回路、50A,50B トランス。 1 laser oscillator, 2 discharge tube, 3 dielectric capacitor, 4 discharge resistance, 5 AC power supply, 6 rectifier circuit, 7 smoothing capacitor, 8 inverter unit, 9A, 9B inverter, 10,501 transformer unit, 11 output reactor, 12 output Current detection device, 13 output current monitoring unit, 14 control circuit, 15 semiconductor switch, 16 semiconductor element, 17 gate drive circuit, 18, 28, 38 correction circuit, 19, 20, 23, 26, 30, 34 logic inverter, 21 24, 32, 37 resistance, 22, 25, 29, 33 capacitor, 27, 31 diode, 97 gate drive unit, 98 correction unit, 101, 102, 201, 202 integration circuit, 50A, 50B transformer.

Claims (9)

  1.  レーザ発振器であって、
     交流電源から入力された交流電圧を整流して直流電圧に変換する整流回路と、
     交互にオン/オフされる複数のスイッチング素子を含み、前記整流回路が出力する直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部と、
     前記インバータ部が出力する交流電圧を昇圧するトランス部と、
     各々が、前記複数のスイッチング素子のうちの1つと1対1で接続される複数のゲート駆動回路と、
     前記複数のゲート駆動回路を制御する制御信号を出力する制御回路と、
     各々が、前記複数のゲート駆動回路のうちの1つと1対1で接続される複数の補正回路とを備え、
     前記補正回路は、前記制御回路から前記制御信号を受けて、前記制御信号の立ち上りのタイミングと立ち下りのタイミングを補正して、前記ゲート駆動回路へ出力し、
     前記ゲート駆動回路が、前記補正回路から前記制御信号を受けて、前記制御信号の立ち上りのタイミングおよび立ち下りのタイミングに基づいて、前記スイッチング素子のオン/オフを切り替えるためのゲート駆動信号を生成し、
     前記補正回路は、可変の遅延量を有する1段以上の遅延回路を含み、前記レーザ発振器に接続されるレーザ加工機の加工特性に影響が及ばない範囲に前記複数のスイッチング素子のオン/オフのタイミングが近づけるように前記遅延量が調整可能である、レーザ発振器。
    A laser oscillator,
    A rectifier circuit that rectifies an alternating voltage input from an alternating current power source and converts it into a direct current voltage;
    An inverter unit that includes a plurality of switching elements that are alternately turned on / off, and that converts a DC voltage output from the rectifier circuit into an AC voltage;
    A transformer unit that boosts the AC voltage output from the inverter unit;
    A plurality of gate drive circuits each connected one-to-one with one of the plurality of switching elements;
    A control circuit for outputting a control signal for controlling the plurality of gate driving circuits;
    Each comprising a plurality of correction circuits connected one-to-one with one of the plurality of gate drive circuits;
    The correction circuit receives the control signal from the control circuit, corrects the rising timing and the falling timing of the control signal, and outputs to the gate driving circuit,
    The gate drive circuit receives the control signal from the correction circuit and generates a gate drive signal for switching on / off of the switching element based on the rising timing and falling timing of the control signal. ,
    The correction circuit includes one or more stages of delay circuits having variable delay amounts, and the plurality of switching elements are turned on / off within a range that does not affect the processing characteristics of the laser processing machine connected to the laser oscillator. A laser oscillator in which the delay amount can be adjusted so that the timing approaches.
  2.  前記トランス部からの出力電流を検出する出力電流検出装置と、
     前記出力電流検出装置が検出した出力電流と外部から入力される電流指令値との差分を算出してフィードバック結果として出力する出力電流監視部とをさらに備え、
     前記制御回路は、前記フィードバック結果に基づいて、前記複数のゲート駆動回路を制御する制御信号を出力する、請求項1に記載のレーザ発振器。
    An output current detection device for detecting an output current from the transformer unit;
    An output current monitoring unit that calculates a difference between an output current detected by the output current detection device and a current command value input from the outside and outputs it as a feedback result;
    The laser oscillator according to claim 1, wherein the control circuit outputs a control signal for controlling the plurality of gate drive circuits based on the feedback result.
  3.  前記遅延回路は、
     抵抗とコンデンサで構成される積分回路と、
     前記抵抗と並列接続されるダイオードと、
     前記積分回路に接続されるロジックインバータとを含み、
     前記ダイオードが、前記積分回路の入力部から前記積分回路に含まれるコンデンサへと充電電流が流れる向きに接続される、請求項1に記載のレーザ発振器。
    The delay circuit is
    An integration circuit composed of a resistor and a capacitor;
    A diode connected in parallel with the resistor;
    A logic inverter connected to the integrating circuit,
    The laser oscillator according to claim 1, wherein the diode is connected in a direction in which a charging current flows from an input portion of the integration circuit to a capacitor included in the integration circuit.
  4.  前記補正回路は、1段目の第1の遅延回路と、2段目の第2の遅延回路とを含み、
     td1を前記第1の遅延回路で生じる電圧の立ち下りの遅延時間、td2を前記第2の遅延回路で生じる電圧の立ち下りの遅延時間、Tiを前記補正回路に入力される前記制御信号のパルス幅としたときに、以下の条件が満たされる、
     td2<Ti+td1…(A1)
     請求項3に記載のレーザ発振器。
    The correction circuit includes a first delay circuit in the first stage and a second delay circuit in the second stage,
    td1 is the delay time of the fall of the voltage generated in the first delay circuit, td2 is the delay time of the fall of the voltage generated in the second delay circuit, and Ti is the pulse of the control signal input to the correction circuit. When the width is set, the following conditions are satisfied:
    td2 <Ti + td1 (A1)
    The laser oscillator according to claim 3.
  5.  前記遅延回路は、
     抵抗とコンデンサで構成される積分回路と、
     前記抵抗と並列接続されるダイオードと、
     前記積分回路に接続されるロジックインバータとを含み、
     前記ダイオードが、前記積分回路に含まれるコンデンサから前記積分回路の入力部へと放電電流が流れる向きに接続される、請求項1に記載のレーザ発振器。
    The delay circuit is
    An integration circuit composed of a resistor and a capacitor;
    A diode connected in parallel with the resistor;
    A logic inverter connected to the integrating circuit,
    The laser oscillator according to claim 1, wherein the diode is connected in a direction in which a discharge current flows from a capacitor included in the integration circuit to an input unit of the integration circuit.
  6.  前記補正回路は、1段目の第1の遅延回路と、2段目の第2の遅延回路とを含み、
     td3を前記第2の遅延回路で生じる電圧の立ち上りの遅延時間、td4を前記第2の遅延回路で生じる電圧の立ち上りの遅延時間、Tsを前記補正回路に入力される前記制御信号の周期、Tiを前記補正回路に入力される前記制御信号のパルス幅としたときに、以下の条件が満たされる、
     td4<Ts-Ti+td3…(A2)
     請求項5に記載のレーザ発振器。
    The correction circuit includes a first delay circuit in the first stage and a second delay circuit in the second stage,
    td3 is the delay time of the rise of the voltage generated in the second delay circuit, td4 is the delay time of the rise of the voltage generated in the second delay circuit, Ts is the period of the control signal input to the correction circuit, Ti Is the pulse width of the control signal input to the correction circuit, the following condition is satisfied:
    td4 <Ts−Ti + td3 (A2)
    The laser oscillator according to claim 5.
  7.  前記積分回路に含まれる前記抵抗が可変抵抗であり、前記コンデンサが可変コンデンサである、請求項3~6のいずれか1項に記載のレーザ発振器。 The laser oscillator according to any one of claims 3 to 6, wherein the resistor included in the integrating circuit is a variable resistor, and the capacitor is a variable capacitor.
  8.  前記積分回路に含まれる前記コンデンサは、フィルムコンデンサまたはセラミックコンデンサである、請求項3~6のいずれか1項に記載のレーザ発振器。 The laser oscillator according to any one of claims 3 to 6, wherein the capacitor included in the integrating circuit is a film capacitor or a ceramic capacitor.
  9.  前記ダイオードは、ファスト・リカバリ・ダイオードまたはショットキー・バリア・ダイオードである、請求項3~6のいずれか1項に記載のレーザ発振器。 The laser oscillator according to any one of claims 3 to 6, wherein the diode is a fast recovery diode or a Schottky barrier diode.
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