WO2016125959A1 - 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치, 제조시스템 및 그 제조시스템에 의해 제조된 회절소자 - Google Patents

초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치, 제조시스템 및 그 제조시스템에 의해 제조된 회절소자 Download PDF

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WO2016125959A1
WO2016125959A1 PCT/KR2015/005865 KR2015005865W WO2016125959A1 WO 2016125959 A1 WO2016125959 A1 WO 2016125959A1 KR 2015005865 W KR2015005865 W KR 2015005865W WO 2016125959 A1 WO2016125959 A1 WO 2016125959A1
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laser beam
laser
mirror
depth
focus
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PCT/KR2015/005865
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이혁교
김영식
이주형
양호순
이윤우
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한국표준과학연구원
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
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    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers

Definitions

  • the present invention relates to a laser exposure method based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting the depth of focus. More specifically, the height direction line width can be improved by interfering laser beams having different width in the plane direction, including the height direction interference forming part, and scanning the interference laser beam having the interference pattern direction in the height direction to the photosensitive film.
  • the present invention relates to a micropattern manufacturing apparatus capable of manufacturing a diffraction element having a triangular pattern by applying a deformation mirror as long as the curvature deformation is small, thereby enabling the adjustment of the depth of focus.
  • a photolithography method, an ion beam method, a laser exposure method and the like exist.
  • the ion beam method is used to manufacture a high-tech product or a high-density semiconductor because the ion beam has a narrow line width, and thus a fine pattern having a finer line width can be manufactured.
  • the laser exposure method after coating a photosensitive film whose physical properties are converted by a laser on a substrate, laser light is scanned to form a fine pattern through an etching process.
  • the height direction line width is proportional to the planar line width of the laser beam in the vicinity of the focal point
  • many studies have been conducted to reduce the planar line width of the laser beam.
  • a planar square line width has a limit of the line width due to the diffraction limit of the exposure lens.
  • the line width in the plane direction according to the diffraction limit is defined as Equation 1 below.
  • FIG. 1 shows a side view schematically showing a laser beam 10 transmitted through an exposure lens 110 scanned in a conventional photosensitive film 6 having a triple layer.
  • 2 shows an enlarged view of the vicinity of the focal point of the laser beam 1 transmitted through the conventional exposure lens 110 in FIG. 1.
  • 3 shows an enlarged view of the vicinity of the photosensitive film 6 of the laser beam 1 transmitted through the conventional exposure lens 110 in FIG. 1.
  • 4 is a graph showing the height direction (Z-axis direction) and the intensity of the laser beam in which the exposure depth by the conventional micropattern manufacturing apparatus is known.
  • the line width (H) in the height direction is larger than the desired exposure depth to produce a defective product. Since the line width H in the height direction is defined by Equation 2 below, the height direction line width H is also limited by the wavelength of the laser beam like the planar line width 2W 0 .
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, according to an embodiment of the present invention, including the depth of focus adjustment portion interfering with the laser beams of different width in the plane direction, interference pattern direction in the height direction
  • the line width in the height direction can be improved, and by applying a deformation mirror capable of curvature deformation, the depth of focus can be adjusted, thereby making it possible to manufacture a diffraction element having a triangular pattern.
  • An object of the present invention is to provide a micropattern manufacturing apparatus.
  • a first object of the present invention is a focus depth adjusting device for adjusting a depth of focus in a micropattern manufacturing apparatus, in which a laser beam is incident to reflect a part of the first laser beam, and the second beam is transmitted through the second laser beam.
  • a beam splitter composed of a polarizing beam splitter for emitting a beam;
  • a plane mirror which reflects the first laser beam emitted from the beam splitter and enters the beam splitter again;
  • a deformable mirror unit reflecting the second laser beam emitted from the beam splitter to allow the second laser beam having a second specific width smaller than a first specific width to be incident again into the beam splitter, and the curvature of which can be changed;
  • An analyzer in which the first laser beam having the first specific width and the second laser beam having the second specific width are incident;
  • a polarizing plate provided between the laser generating unit and the polarizing beam splitter to transmit a laser beam generated by the laser generating unit to polarize S and P waves in which polarization directions
  • the deformation mirror unit may include a flexible deformation mirror, and a plurality of actuators provided between the base and the deformation mirror and the base to change the curvature of the deformation mirror.
  • the actuator may include a driver and a flexure disposed between the driver and the deformation mirror, wherein the flexure is deformed so that the deformation mirror transmits a force in a direction perpendicular to the plane direction. Can be.
  • the apparatus may further include a controller configured to control each of the drivers provided in each of the plurality of actuators so as to deform the deformation mirror with a set curvature.
  • the flexure may include an upper flange, an interrupting flange, a lower flange, a first web portion formed between the upper flange and the interrupting flange, and between the interrupting flange and the lower flange, and the first web portion. It may be characterized in that it comprises a second web portion in the vertical direction.
  • a micropattern manufacturing apparatus comprising: a laser generator for generating a laser beam having a first specific width; The generated laser beam is incident and reflects a part of the laser beam to emit a first laser beam, and transmits the remaining laser beam to a second laser beam, and a first laser beam emitted from the beam splitter.
  • the second laser beam having a second specific width smaller than a first specific width by reflecting the planar mirror to reflect the light into the beam splitter and reflecting the second laser beam emitted from the beam splitter.
  • a deflecting mirror unit having a curvature changed, a detector into which the first laser beam having the first specific width and the second laser beam having the second specific width are incident, between the laser generator and the polarizing beam splitter.
  • a polarizing plate configured to transmit the laser beam generated by the laser generating unit to polarize S and P waves in which the polarization directions are perpendicular to each other, and the polarizing beam splitter and the Side mirror, and between the polarizing beam splitter and the depth of focus adjusting section having a quarter wavelength plate for polarizing light by 45 ° it is provided between each incident on the spherical mirror;
  • an exposure lens for transmitting the first laser beam and the second laser beam that have passed through the analyzer to scan an interference laser beam interfering with the first and second laser beams on a photosensitive film coated on a substrate.
  • the photosensitive film coated on the substrate is composed of a multilayer of two or more laminated, the first laser beam and the second laser beam in the vicinity of the focal point of the exposure lens to interfere with the interference pattern direction of the height direction It can be achieved as a laser exposure method based fine pattern manufacturing apparatus capable of adjusting the depth of focus characterized.
  • the apparatus may further include an exposure head having the focus depth controller and the exposure lens installed therein.
  • the deformation mirror unit includes a flexible deformation mirror, a base, and a plurality of actuators provided between the deformation mirror and the base to change the curvature of the deformation mirror, wherein the actuator includes: a driver; It includes a flexure provided between the driver and the deformation mirror, the flexure may be characterized in that the deformation mirror is deformed so that the force is transmitted in a direction perpendicular to the plane direction.
  • the apparatus may further include a controller configured to control each of the drivers provided in each of the plurality of actuators so as to deform the deformation mirror with a set curvature.
  • a system for manufacturing a micropattern comprising: a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting a depth of focus according to the aforementioned second object;
  • An X stage for moving the exposure head which is one component of the micropattern manufacturing apparatus, in the X axis direction, which is one axis in a plane direction;
  • a controller configured to control each of the drivers provided in each of the plurality of actuators provided in the deformation mirror unit, to adjust the deformation mirror to a predetermined curvature, and to control at least one of the X stage and the Y stage. It can be achieved as a laser exposure method-based micropattern manufacturing system capable of adjusting the depth of focus characterized in that.
  • the apparatus may further include a rotating stage for rotating the substrate installation unit around a Z axis, which is a vertical axis, and the controller may control the rotating stage.
  • the apparatus may further include a focus controller configured to adjust a focus of the exposure lens by adjusting a distance between the exposure lens and the photosensitive film.
  • the fourth object of the present invention can be achieved as a diffraction element, characterized in that the diffraction element is manufactured by the micropattern manufacturing system according to the third object mentioned above.
  • a fifth object of the present invention can be achieved as a diffractive element in the form of a triangular pattern, which is manufactured by the micropattern manufacturing system according to the third object mentioned above.
  • the substrate and the photosensitive film of the diffraction element may have a specific curvature, and the substrate may be formed of a transparent substrate.
  • the line width may be improved by interfering laser beams having different widths in the plane direction, and scanning the interference laser beams having the interference pattern direction in the height direction to the photosensitive film.
  • a deformation mirror capable of curvature deformation it is possible to adjust the depth of focus has the effect that it is possible to manufacture a diffraction element of a triangular pattern.
  • FIG. 1 is a side view schematically showing a laser beam transmitted through an exposure lens scanned in a conventional photosensitive film having a triple layer;
  • FIG. 2 is an enlarged view of a vicinity of a focal point of a laser beam transmitted through a conventional exposure lens in FIG. 1;
  • FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the photosensitive film of the laser beam transmitted through the conventional exposure lens in FIG.
  • Figure 4 is a graph showing the height direction (Z-axis direction) and the intensity of the laser beam, which knows the exposure depth by the conventional fine pattern manufacturing apparatus,
  • FIG. 5 is a configuration diagram of a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting the depth of focus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a height direction interference forming unit having a mirror, a polarizing beam splitter, a quarter wave plate, a planar mirror, a deformation mirror unit, and an analyzer according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 7 is a plan view illustrating an interference fringe having an interference fringe in a height direction by a height direction line width enhancement unit according to an embodiment of the present disclosure
  • Figure 8 is a graph showing the height direction (Z-axis direction) and the intensity of the laser beam, which can know the exposure depth by the micropattern manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 9 is an enlarged view of the vicinity of a photosensitive film of a laser beam transmitted through a conventional exposure lens
  • FIG. 10 is an enlarged view of the vicinity of the photosensitive film of the laser beam transmitted through the exposure lens according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a perspective view of a deformation mirror unit which is one component of a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting depth of focus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 12 is a side view of a deformation mirror unit which is one component of a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting a depth of focus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 13 is an exploded perspective view of a deformation mirror unit which is one component of a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting depth of focus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 14 is a perspective view of a flexure as one component of a deformation mirror unit according to an embodiment of the present invention.
  • 15 and 16 show the stress results of the adhesive portion divided by the presence or absence of the flexure according to an embodiment of the present invention.
  • 17 is a plan view schematically showing a deformation mirror unit numbering 37 flexures according to an embodiment of the present invention.
  • 20 is a plan view schematically showing a deformation mirror unit numbering 37 flexures according to an embodiment of the present invention
  • 21 is shape measurement data in a state in which the second flexure is driven to have the largest vertical displacement according to one embodiment of the present invention
  • 25 is shape measurement data obtained by deforming the deformation mirror unit to 0.523 ⁇ m rms according to an embodiment of the present invention.
  • 26 is shape measurement data obtained by deforming the deformation mirror unit to 0.023 um rms according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a schematic diagram showing a state in which a laser beam is irradiated by a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting the depth of focus according to an embodiment of the present invention with a photoresist film on an upper surface of a substrate;
  • FIG. 28 is a schematic diagram showing a state of irradiating a laser beam by the laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting the depth of focus according to an embodiment of the present invention toward the transparent substrate side of the upper surface of the photoresist;
  • FIG. 30 is a cross-sectional view of a diffraction element having a triangular pattern by an etching process
  • FIG. 31 is a schematic diagram showing a state in which a laser beam is irradiated to a curved substrate by a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus capable of adjusting the depth of focus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a block diagram of a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus 100 capable of adjusting depth of focus according to an embodiment of the present invention.
  • the micropattern manufacturing apparatus 100 includes a laser generator 10, an optical stabilizer 20, a shutter 30, an exposure head 40, and a height direction.
  • the laser beam 1 generated by the laser generator 10 (in the specific embodiment used an argon (Ar) laser generator) is controlled through the optical stabilizer 20, the amount of light is controlled, intermittent laser beam 1 The light passes through the shutter 30 and enters the exposure head 40.
  • the optical ballast 20 may include an optical-optic mmodulator 22, a beam splitter 21, and a controller 24, as shown in FIG. .
  • the laser beam 1 incident on the exposure head 40 passes through the depth-of-focus control unit 200, and is lower than the first laser beam 2 and the first specific width 7 having the first specific width 7.
  • the second laser beam 3 having the small second specific width 8 overlaps with each other and is emitted.
  • it is possible to adjust the depth of focus by changing the curvature of the deformation mirror by the deformation mirror unit which is one component of the focus depth adjusting unit 200.
  • 6 illustrates a mirror 210, a polarization beam splitter 220, quarter wave plates 231 and 232, a planar mirror unit 250, a spherical mirror 240, and an analyzer 50 according to an embodiment of the present invention. It shows a cross-sectional view of the focus depth adjusting unit 200 having a.
  • the laser beam 1 incident on the exposure head 40 has a first specific width 7, and the laser beam 1 is transmitted through a polarizing plate (not shown) to have a polarization direction perpendicular to each other. Polarized with waves and P waves. Then, the laser beam 1 having such S-waves and P-waves is converted to the Z-axis direction by the mirror 210 and is incident on the polarizing beam splitter 220.
  • the polarizing beam splitter 220 reflects S waves in a vertical direction and transmits P waves.
  • the incident S-waves are reflected in the -Y direction by the polarization beam splitter 220 and emitted to the first laser beam 2, and the emitted first laser beam 2 (shown in solid lines in FIG. 6) is shown in FIG.
  • 45 ° polarized light is transmitted through the first quarter wave plate 231 to be reflected on the planar mirror 250, and 45 ° polarized by the first quarter wave plate 231, and then polarized beam by P wave.
  • the incident and transmitted through the splitter 220 is emitted to the analyzer 50 side.
  • the first laser beam 2 maintains the first specific width 7 at all times from incidence to exit.
  • the P wave transmitted through the polarizing plate is incident and transmitted through the polarizing beam splitter 220 and is reflected by the deformation mirror 241 of the deformation mirror unit 240 via the second quarter wave plate 232.
  • the second laser beam 3 (shown in dashed lines in FIG. 6) reflected by the deformation mirror 241 has a second specific width 8 whose width is gradually reduced in the traveling direction.
  • the second laser beam 3 having the second specific width 8 is again transformed into S-waves through the second quarter wave plate 232 and is incident on the polarizing beam splitter 220, and is reflected to the analyzer 50. It will exit to the side. Then, the first laser beam 2 and the second laser beam 3 pass through the analyzer 50 and have the same polarization direction.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating an interference fringe having the interference fringe in the height direction by the height direction line width enhancement unit according to the exemplary embodiment of the present invention.
  • the first laser beam 2 and the second laser beam 3, which overlap each other but have different plane widths, are emitted from the depth-of-focus control unit 200 and are routed by the tilt mirror 60 and the beam splitter 21. While being changed, it is transmitted to the exposure lens 110.
  • each of the first laser beam 2 and the second laser beam 3 is reflected by the tilt mirror 60, and thus the path to be changed is not limited to the specific embodiment. It may be changed depending on the structure of the 40 and the position of the exposure lens 110, it is apparent that this specific structure does not affect the scope of the present invention.
  • the mirror may include a tilt mirror 60 to change the path, and may further include a tilt mirror angle adjuster to adjust the angle of the tilt mirror 60.
  • the tilt mirror angle adjusting unit may include a photodiode 23 and a beam splitter 21.
  • the beam splitter 21 reflects the first laser beam 2 and the second laser beam 3 to enter the tilt mirror 60, and transmits the light scanned by the photodiode 23.
  • the light emitted from the photodiode 23 passes through the beam splitter 21 and is reflected by the tilt mirror 60 to be incident on the photodiode 23 again to adjust the angle of the tilt mirror 60.
  • the fine pattern manufacturing apparatus 100 may further include a focus control unit.
  • the focus may be adjusted by changing a distance between the exposure lens 110 and the substrate by the focus adjusting unit.
  • the focus controller includes a laser diode 61, a beam splitter 21, a photodetector 62, a focus controller 63, and a PZT driver 64. Able to know.
  • the light generated by the laser diode 61 is reflected by the beam splitter 21 and passes through the lower beam splitter 21 shown in FIG. 5 to enter the exposure lens 110 and is reflected by the exposure lens 110.
  • the light passes through both beam splitters 21 and enters the photodetector 62.
  • the focus control unit 63 transmits a control signal to the PZT driver 64 so that the PZT driver 64 moves the exposure lens 110 so as to be spaced apart between the exposure lens 110 and the substrate. Will change the distance.
  • the first laser beam 2 and the second laser beam 3 that have passed through the exposure lens 110 interfere with each other near the focal point to form an interference laser beam 4 having an interference fringe direction in the height direction.
  • It is scanned by the photosensitive film 6 coated on the upper surface. 8 is a graph showing the height direction (Z-axis direction) and the intensity of the laser beam, which can know the exposure depth by the micropattern manufacturing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention.
  • the first laser beam 2 and the second laser beam 3 may be separated by a slight gap between the focal length of the first laser beam 2 and the focal length of the second laser beam 3. It becomes possible by forming the interference laser beam 4 which has the interference fringe direction in the height direction between the ()).
  • FIG. 9 is an enlarged view of the vicinity of the photosensitive film 6 of the laser beam 1 transmitted through the conventional exposure lens 110
  • Figure 10 is a view through the exposure lens 110 according to an embodiment of the present invention The enlarged view of the vicinity of the photosensitive film of the interference laser beam 4 is shown.
  • the depth (H) of the photosensitive film 6 exposed by the conventional laser beam is exposed to both the uppermost layer and the intermediate layer in the triple layer, but the defect is generated, one embodiment of the present invention It can be seen that the depth of the photosensitive film 6 exposed by the interference laser beam 4 according to the example is limited to the uppermost layer.
  • the micropattern manufacturing apparatus 100 may further include an X stage 150 for moving the exposure head 40 in the X-axis direction.
  • the X stage 150 is coupled to the outside of the exposure head 40 to move the exposure head 40 in the X-axis direction.
  • substrate 5 is provided in the board
  • the substrate 5 is coated with a photosensitive film 6 made of a material whose physical properties are changed by the interference laser beam 4. Such a material can be used as the material of the photosensitive film 6 without any kind of material whose physical properties are changed by laser light.
  • the fine pattern manufacturing apparatus 100 may further include a Z stage (not shown) for moving the substrate installation unit 130 in the Z-axis direction of the vertical axis.
  • the Y stage 140 coupled to the lower stage 130 may move the rotary stage 130 and the substrate mounting unit 120 in the Y-axis direction.
  • a tilt table 131 is further included between the rotating stage 130 and the Y stage 140, and the angle may be changed by tilting the rotating stage 130 and the substrate mounting unit 120.
  • the micro-pattern manufacturing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention further includes a control unit to adjust the moving speed and control the X, Y, Z stage, and rotation stage.
  • the deformation mirror unit 240 may deform the curvature of the deformation mirror 241 to a set curvature. Accordingly, the curvature of the deformation mirror 241 shown in FIG. 6 may be changed, and thus the angle of reflection of the second laser beam 3 reflected by the deformation mirror 241 is adjusted to thereby adjust the first laser beam 2. And the degree of interference of the second laser beam 3 is adjusted to control the depth of focus of the interference laser beam (4).
  • FIG. 11 illustrates a perspective view of a deformation mirror unit 240 that is one component of a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus 100 capable of adjusting depth of focus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • Figure 12 shows a side view of a deformation mirror unit 240 which is one component of the laser exposure method-based fine pattern manufacturing apparatus 100 capable of adjusting the depth of focus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is an exploded perspective view of the deformation mirror unit 240 that is one component of the apparatus 100 for manufacturing a laser exposure method based micropattern 100 capable of adjusting the depth of focus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • the deformation mirror unit 240 according to an embodiment of the present invention, the deformation mirror 241, a plurality of deformation mirrors are mounted on the rear of the deformation mirror 241 as a whole It may be configured to include an actuator and a base 245 for changing the curvature of the mirror 241.
  • a plurality of actuators provided between the deformation mirror 241 and the base 245 may include a flexure 260, a driver 242, a fastening member 243, and the like.
  • a plurality of actuators are mounted on the rear surface of the deformation mirror 241, and a driver 242 is attached to change the curvature of the deformation mirror 241, to facilitate the replacement of the driver 242, the base 245 It is to be fastened by a fastening member 243 consisting of a male screw and a female screw that serves to fix on.
  • Driver 242 is composed of a PZT, the control unit may control to operate each of the drivers 242 provided in the plurality of actuators.
  • the actuator according to the embodiment of the present invention may include a flexure 260 provided between the deformation mirror 241 and the driver 242.
  • the actuator according to the embodiment of the present invention includes the flexure 260, thereby dispersing the stress of the deformation mirror 241 received by the adhesive when the actuator 242 is driven. It can be seen that.
  • the flexure 260 is configured to disperse the stress of the deformation mirror 241 and to always apply force in the direction perpendicular to the contact surface by the driving of the driver 242. It can be seen that the I-shaped structure is arranged vertically.
  • the flexure 260 has an upper flange 261, a suspension flange 262, and a lower flange 263, and an upper flange 261.
  • a first web portion 264 is provided between the suspended flange 262
  • a second web portion 265 is provided between the suspended flange 262 and the lower flange 263, and a plane of the first web portion 264 is provided. It can be seen that perpendicular to each other in the direction and the planar direction of the second web portion 265.
  • FIGS. 15 and 16 illustrate stress results of adhesive parts divided according to the presence or absence of the flexure 260 according to one embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 15 and 16, the deformation mirror 241 with the flexure 260 was analyzed using finite element analysis to predict the stress of the adhesive portion.
  • the stress generated in the adhesive part is increased when the length of the driver 242 increases by 3 um when the deformation mirror 241 is driven. 260) compared with or without. As shown in FIG. 15 and FIG. 16, it can be seen that the deformation mirror 241 with the flexure 260 reduces the stress by a maximum of 0.69 MPa compared to the case without the flexure 260.
  • the flexure 260 significantly reduces the stress of the adhesive part based on the stress value generated in the adhesive part with or without the flexure 260.
  • FIG. 17 is a plan view schematically illustrating a deformation mirror unit 240 numbered 37 actuators according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 illustrates shape measurement data in a state in which a center has the largest vertical displacement and gradually reduces the vertical displacement in the radial direction according to the exemplary embodiment of the present invention.
  • Figure 19 shows a three-dimensional shape displacement graph according to an embodiment of the present invention.
  • actuators are mounted between the deformation mirror 241 and the base 245, and the actuator 242 is driven based on the 19th actuator located at the center thereof so that the deformation mirror 241 is vertically driven. It can be seen that the curvature of the deformation mirror 241 is deformed by applying a force.
  • 20 is a plan view schematically showing a deformation mirror unit 240 numbered 37 actuators according to an embodiment of the present invention.
  • 21 illustrates shape measurement data in a state in which the second actuator is driven to have the largest vertical displacement in accordance with an embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 illustrates shape measurement data in a state in which actuator # 6 is driven to have the largest vertical displacement according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a view illustrating shape measurement data in a state in which actuator 12 is driven to have the largest vertical displacement according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a view illustrating shape measurement data in a state in which actuator 19 is driven to have the largest vertical displacement according to one embodiment of the present invention.
  • the deformation mirror 241 may be changed to have a desired curvature by changing the driving displacement of the actuators 2, 6, 12, and 19.
  • FIG. 25 illustrates shape measurement data obtained by deforming the deformation mirror unit 240 to 023 um rms according to an embodiment of the present invention.
  • the control unit controls the driving of the driver 242 provided in each of the plurality of actuators. It can be seen that the curvature of the deformation mirror 241 is converted to um and rms 0.023um.
  • the deformation mirror unit 240 which is one component of the depth of focus control unit according to the exemplary embodiment, may change the curvature of the deformation mirror 241 to a set value, thereby causing the interference laser beam 4 to be irradiated onto the photosensitive film. ), The depth of focus can be adjusted.
  • the focus of the exposure lens 110 is adjusted by the focus adjusting unit, and the X stage 150 and the Y stage 140 are driven to drive the longitudinal axis of the exposure lens 110 and the central axis of the rotating stage 130. Coincides with the Z-axis.
  • the angle of the tilt mirror 60 is adjusted by the tilt mirror angle adjusting unit, and the substrate 5 coated with the photosensitive film 6 is installed on the substrate mounting unit 120 to prepare for scanning the laser beam 1. The steps will be taken.
  • the laser beam 1 is generated by the laser generator 10, and the laser beam 1 generated by the laser generator 10 is uniformly stabilized by the light stabilizer 20. ) Will occur. Then, the laser beam 1 is incident to the exposure head 40 via the shutter 30. The laser beam 1 incident on the exposure head 40 is transmitted through the polarizing plate 60 to be polarized by the S wave 3 and the P wave 2 which are perpendicular to each other. S-waves 3 and P-waves 2 emitted from the polarizing plate 60 are incident to the polarization beam splitter 220 via the mirror 210.
  • the S-wave is reflected by the polarization beam splitter 220 at 90 degrees and exits the first laser beam 2 having the first specific width 7 to pass through the first quarter wave plate 231.
  • the light is reflected by the plane mirror 250 and then passed through the first quarter wave plate 231 to be transformed into a P wave to be transmitted through the polarization beam splitter 220.
  • the first specific width 7 of the first laser beam 2 does not change and is emitted.
  • the P-wave passing through the polarizing plate is transmitted by the polarizing beam splitter 220 and exits the second laser beam 3 to pass through the second quarter wave plate 232 and the deformation mirror 241 of the deformation mirror unit 240.
  • the second laser beam 3 has a second specific width 8 smaller than the first specific width 7 and overlaps with the first laser beam 2 to be emitted toward the analyzer 50.
  • the first laser beam 2 and the second laser beam 3 having different widths overlap each other, and the first laser beam 2 and the second laser beam 3 are arranged in the analyzer 50. While passing through, the polarization directions coincide with each other.
  • the first laser beam 2 and the second laser beam 3 having the same polarization directions and having different widths overlap the beam splitter 21, the tilt mirror 60, and another beam splitter ( While being reflected by 21, it is incident on the exposure lens 110.
  • the first laser beam 2 and the second laser beam 3 incident on the exposure lens 110 are transmitted to the exposure lens 110, so that the first laser beam 2 and the second laser beam near the focal point. Interfere with each other (3) to form an interference laser beam 4 having an interference fringe direction in the height direction.
  • the interference laser beam 4 is scanned on the photosensitive film 6 coated on the upper surface of the substrate 5.
  • the interference laser beam 4 is scanned on the photosensitive film 6, the physical properties of the photosensitive film 6 of the scanned portion are changed (exposure).
  • the interference fringe direction when the interference laser beam 4 is scanned on the photosensitive film 6 becomes the height direction (optical axis direction, Z axis direction). Therefore, as mentioned above, the line width H in the height direction is reduced as compared with the related art, thereby improving resolution.
  • the depth of focus of the interference laser beam 4 may be adjusted by the depth of focus control unit as mentioned above. Therefore, the depth of focus is adjusted, so that the user can expose the photosensitive film 6 by the set depth of focus. Therefore, as described later, a diffraction element having a triangular wave pattern can be easily manufactured.
  • the deformation mirror unit 240 which is one component of the depth of focus control unit 200. That is, as mentioned above, the deformation mirror unit 240 includes a deformation mirror 241, a base 245, and a plurality of actuators, thereby controlling the driving of each actuator by the control unit, thereby deforming to a set curvature. By controlling the mirror 241, the depth of focus of the interference laser beam 4 is adjusted according to the curvature of the deformation mirror 241.
  • control unit is driven to control the rotational speed of the rotating stage 130.
  • the controller controls the speed by driving the X stage 150 to move the exposure head 40 in the X-axis direction.
  • controller 160 may also control the Y stage 140 and the Z stage to move the substrate mounting unit 120 in the Y-axis or Z-axis direction while controlling the moving speed.
  • the laser generation by the laser generating section 10 is terminated, and the photosensitive film 6 on which the interference laser beam 4 is not scanned using an etchant is used. By removing, a fine pattern is formed on the substrate 5.
  • the diffractive element in the form of such a reflective triangular pattern is enabled by the laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus 100 capable of adjusting the depth of focus described above.
  • FIG. 27 is an interference laser beam having a depth of focus controlled by a photolithography film 6 formed on an upper surface of the substrate 5 by a laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus 100 capable of adjusting depth of focus according to an embodiment of the present invention.
  • 4 is a schematic diagram showing the state of irradiation. As shown in FIG. 27, when the interference laser beam 4 is exposed to the photosensitive film 6 side made of chromium or the like on the upper surface of the substrate 5 as in the conventional method, the exposed photosensitive film 7 portion is exposed. This unexposed portion of the photoresist film 6 is enclosed, so that the unexposed photoresist film 6 cannot be etched by the etching process, so that the diffraction element of the triangular pattern cannot be manufactured.
  • FIG. 28 illustrates a state in which the interference laser beam 4 is irradiated by the laser exposure method-based micropattern manufacturing apparatus 100 capable of adjusting the depth of focus according to an embodiment of the present invention toward the transparent substrate 5 on the upper surface of the photoresist film.
  • the schematic diagram shown is shown.
  • Fig. 29 shows a sectional view after the interference laser beam 4 exposure.
  • Figure 30 shows a cross-sectional view of the diffraction element having a triangular pattern by the etching process.
  • the method for manufacturing the fine pattern diffraction element of the triangular pattern is more specifically, inverting the substrate 5 and the photosensitive film 6 of FIG. 27. By replacing the substrate with the transparent substrate 5, it can be seen that the interference laser beam 4 transmitted through the exposure lens 110 is exposed so as to transmit through the transparent substrate 5 side.
  • the interference laser beam 4 is irradiated in a manner of transmitting through the transparent substrate 5 to expose the photosensitive film 6, and then more specifically modified by the depth of focus control unit 200. After changing the curvature of the deformation mirror 241 by the mirror unit 240 to adjust the depth of focus, and then move the exposure lens 110 by driving the X stage 150 or Y stage 140 by the control unit It can be seen that the interference laser beam 4 is irradiated in a manner of transmitting through the transparent substrate 5.
  • the depth of focus is adjusted and the laser beam 4 is irradiated to expose the photosensitive film 6 to form a triangular pattern, as shown in FIG. 29.
  • the non-exposed photosensitive film 6 is etched to produce a triangular pattern type diffraction element.
  • the curved substrate 5 is also a triangular pattern type diffraction element (superspectral image) Hybrid optics for instruments, etc. can be manufactured.
  • FIG. 31 is a state in which the curved substrate 5 is irradiated with an interference laser beam 4 of which the depth of focus is adjusted by the laser exposure method-based fine pattern manufacturing apparatus 100 capable of adjusting the depth of focus according to an embodiment of the present invention. It shows a schematic diagram showing.
  • the present invention can also be embodied as computer readable codes on a computer readable recording medium.
  • Computer-readable recording media include all kinds of recording devices that store data that can be read by a computer system. Examples of computer-readable recording media include ROM, RAM, CD-ROM, magnetic tape, floppy disks, optical data storage devices, and the like, which are also implemented in the form of carrier waves (for example, transmission over the Internet). Include.
  • the computer readable recording medium can also be distributed over network coupled computer systems so that the computer readable code is stored and executed in a distributed fashion.
  • functional programs, codes, and code segments for implementing the present invention can be easily inferred by programmers in the art to which the present invention belongs.
  • the above-described apparatus and method may not be limitedly applied to the configuration and method of the above-described embodiments, but the embodiments may be selectively combined in whole or in part in each of the embodiments so that various modifications may be made. It may be configured.

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Abstract

본 발명은 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치에 대한 것이다. 보다 상세하게는, 높이방향 간섭형성부를 포함하여 서로 평면방향 폭이 다른 레이저빔을 간섭시켜 높이방향의 간섭무늬방향을 갖는 간섭레이저빔을 감광막에 주사하게 됨으로써 높이방향 선폭을 향상시킬 수 있고, 또한, 곡률변형이 가는한 변형미러를 적용하게 됨으로써, 초점심도의 조절이 가능하게 됨으로써 삼각패턴의 회절소자의 제조가 가능한 미세패턴 제조장치에 관한 것이다.

Description

초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치, 제조시스템 및 그 제조시스템에 의해 제조된 회절소자
본 발명은 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치에 대한 것이다. 보다 상세하게는, 높이방향 간섭형성부를 포함하여 서로 평면방향 폭이 다른 레이저빔을 간섭시켜 높이방향의 간섭무늬방향을 갖는 간섭레이저빔을 감광막에 주사하게 됨으로써 높이방향 선폭을 향상시킬 수 있고, 또한, 곡률변형이 가는한 변형미러를 적용하게 됨으로써, 초점심도의 조절이 가능하게 됨으로써 삼각패턴의 회절소자의 제조가 가능한 미세패턴 제조장치에 관한 것이다.
미세패턴을 제작하는 방법에 있어서, 포토 리소그래피 방식, 이온빔 방식, 레이저 노광방식 등이 존재한다. 여기서 이온빔 방식은 이온빔의 선폭이 좁기 때문에 더욱 미세한 선폭을 가진 미세패턴을 제조할 수 있어 첨단 제품이나, 고집적도의 반도체를 제조할 때 사용된다. 그리고, 레이저 노광방식은 레이저에 의해 물성이 변환되는 감광막을 기판에 코팅한 후 레이저 광을 주사시켜 식각공정을 거쳐 미세패턴을 형성하게 되다.
그러나, 이러한 레이저 노광방식은 신속하게 미세패턴을 제조할 수 있으나, 이온빔 방식에 비해 평면방향으로의 선폭이 굵어 미세패턴 폭에 한계를 가지고 있게 된다. 또한, 평면방향의 선폭 뿐 아니라, 노광의 깊이(즉, 레이저를 감광막에 주사하여 물성이 변환되는 감광막의 깊이)를 제어하거나, 그 값을 미세하게 하기 어려운 문제가 존재한다.
기존의 경우에는 노광되는 깊이(이하 높이방향 선폭)을 줄이기 위해서, 높이방향 선폭은 초점 부근에서의 레이저빔의 평면방향 선폭에 비례하기 때문에 레이저빔의 평면방향 선폭을 감소시키기 위한 많은 연구가 진행되었다. 그러나, 이러한 평면방형 선폭은 노광렌즈의 회절한계에 의해 선폭의 한계가 존재하게 된다. 여기서 회절한계에 따른 평면방향 선폭은 이하의 수학식 1로서 정의된다.
수학식 1
Figure PCTKR2015005865-appb-M000001
여기서, λ는 레이저빔의 파장이고, 2W0는 초점부근에서의 평면방향 선폭, NA는 노광렌즈의 개구수(노광렌즈 직경/초점거리)이다. 따라서 이러한 회절한계에 의해 평면방향 선폭이 레이저 파장에 따라 그 크기의 한계가 존재할 수 밖에 없었다. 또한, 다중층으로 형성된 감광막의 경우, 최상단에 위치하는 감광막에만 노광을 시킬 필요가 있는 경우, 이러한 높이방향 선폭을 제어하지 않으면 원하지 않는 감광막을 변형시켜 불량제품을 양산할 위험이 존재하게 된다. 특히, 최근 적층형 반도체를 제조, 사용하기 위해서는 이러한 높이방향 선폭을 미세하게 할 필요성이 대두되고 있다.
도 1은 종래 3중층을 갖는 감광막(6)에 주사되는 노광렌즈(110)를 투과한 레이저 빔(10)을 모식적으로 도시한 측면도를 도시한 것이다. 또한, 도 2는 도 1에서 종래 노광렌즈(110)를 투과한 레이저 빔(1)의 초점 부근의 확대도를 도시한 것이다. 그리고, 도 3은 도 1에서 종래 노광렌즈(110)를 투과한 레이저 빔(1)의 감광막(6) 부근의 확대도를 도시한 것이다. 또한, 도 4는 종래 미세패턴 제조장치에 의한 노광 깊이를 알 수 있는, 높이 방향(Z축 방향)과 레이저빔의 강도를 나타낸 그래프를 도시한 것이다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 종래 레이저 노광방식에 따른 미세패턴 제조장치의 경우, 높이방향의 선폭(H)이 원하는 노광깊이보다 크게 됨으로써 불량품을 양산하게 된다. 이러한 높이방향의 선폭(H)은 이하의 수학식 2에 의해 정의되므로, 높이방향 선폭(H) 역시 평면방향 선폭(2W0)과 같이 레이저 빔의 파장에 의해 한계를 갖게 된다.
수학식 2
Figure PCTKR2015005865-appb-M000002
따라서, 높이방향으로 간섭무늬 방향을 갖는 간섭레이저빔을 형성시켜 높이방향 선폭을 감소, 제어하여 높이방향의 분해능을 향상시킬 수 있는 레이저 노광방식이 요구되었다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 일실시예에 따르면, 초점심도 조절부를 포함하여 서로 평면방향 폭이 다른 레이저빔을 간섭시켜 높이방향의 간섭무늬방향을 갖는 간섭레이저빔을 감광막에 주사하게 됨으로써 높이방향 선폭을 향상시킬 수 있고, 또한, 곡률변형이 가능한 변형미러를 적용하게 됨으로써, 초점심도의 조절이 가능하게 됨으로써 삼각패턴의 회절소자의 제조가 가능한 미세패턴 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
한편, 본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1목적은, 미세패턴 제조장치에서 초점심도를 조절하기 위한 초점심도 조절장치에 있어서, 레이저빔이 입사되어 일부를 반사시켜 제1레이저빔을 출사시키고, 나머지는 투과시켜 제2레이저빔을 출사시키는 편광빔스플리터로 구성된 빔스플리터; 상기 빔스플리터에서 출사된 제1레이저빔을 반사시켜 상기 빔스플리터로 다시 입사시키는 평면미러; 상기 빔스플리터에서 출사된 제2레이저빔을 반사시켜 제1특정폭보다 작은 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔을 상기 빔스플리터로 다시 입사시키고, 곡률의 변경이 가능한 변형미러유닛; 상기 제1특정폭을 갖는 제1레이저빔과 상기 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔이 입사되는 검광기; 상기 레이저발생부와 상기 편광빔스플리터 사이에 구비되어 상기 레이저발생부에서 발생된 레이저빔이 투과되어 편광방향이 서로 수직인 S파 및 P파로 편광시키는 편광판; 및 상기 편광빔스플리터와 상기 평면미러 사이 및 상기 편광빔스플리터와 상기 변경미러유닛 사이 각각에 구비되어 입사되는 광을 45°만큼 편광시키는 쿼터파장판을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법 기판 미세패턴 제조장치에 구비되는 초점심도 조절장치로서 달성될 수 있다.
또한, 상기 변형미러 유닛은, 플렉시블한 변형미러와, 베이스와 및 상기 변형미러와 상기 베이스 사이에 구비되어 상기 변형미러의 곡률을 변화시키는 다수의 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 액추에이터는, 구동기와, 상기 구동기와 상기 변형미러 사이에 구비되는 플랙셔를 포함하고, 상기 플랙셔는 상기 변형미러가 평면방향과 수직된 방향으로 힘이 전달되도록 변형되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 다수의 상기 액추에이터 각각에 구비된 구동기 각각을 제어하여, 설정된 곡률로 상기 변형미러를 변형시키도록 조절하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 플랙셔는, 상부플랜지와, 중단플랜지와, 하부플랜지와, 상기 상부플랜지와 상기 중단플랜지 사이에 형성된 제1웹부와, 상기 중단플랜지와 상기 하부플랜지 사이에 구비되며 상기 제1웹부와 수직방향인 제2웹부를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 제2목적은, 미세패턴 제조장치에 있어서, 제1특정폭을 갖는 레이저빔을 발생시키는 레이저 발생부; 발생된 상기 레이저빔이 입사되어 일부를 반사시켜 제1레이저빔을 출사시키고, 나머지는 투과시켜 제2레이저빔을 출사시키는 편광빔스플리터로 구성된 빔스플리터와, 상기 빔스플리터에서 출사된 제1레이저빔을 반사시켜 상기 빔스플리터로 다시 입사시키는 평면미러와, 상기 빔스플리터에서 출사된 제2레이저빔을 반사시켜 제1특정폭보다 작은 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔을 상기 빔스플리터로 다시 입사시키고 곡률이 변경되는 변형미러유닛과, 상기 제1특정폭을 갖는 제1레이저빔과 상기 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔이 입사되는 검광기와, 상기 레이저발생부와 상기 편광빔스플리터 사이에 구비되어 상기 레이저발생부에서 발생된 레이저빔이 투과되어 편광방향이 서로 수직인 S파 및 P파로 편광시키는 편광판과, 상기 편광빔스플리터와 상기 평면미러 사이 및 상기 편광빔스플리터와 상기 구면미러 사이 각각에 구비되어 입사되는 광을 45°만큼 편광시키는 쿼터파장판을 갖는 초점심도 조절부; 및 상기 검광기를 투과한 상기 제1레이저빔과 상기 제2레이저빔을 투과시켜 기판에 코팅된 감광막에 상기 제1레이저빔과 상기 제2레이저빔이 간섭된 간섭레이저빔을 주사시키는 노광렌즈를 포함하고, 기판에 코팅된 상기 감광막은 2 이상이 적층된 다중층으로 구성되고, 상기 노광렌즈의 초점부근에서 상기 제1레이저빔과 상기 제2레이저빔이 높이방향의 간섭무늬방향을 갖도록 간섭되는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치로서 달성될 수 있다.
또한, 내부에 상기 초점심도조절부 및 상기 노광렌즈가 설치되는 노광헤드를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 변형미러 유닛은, 플렉시블한 변형미러와, 베이스와 및 상기 변형미러와 상기 베이스 사이에 구비되어 상기 변형미러의 곡률을 변화시키는 다수의 액추에이터를 포함하고,상기 액추에이터는, 구동기와, 상기 구동기와 상기 변형미러 사이에 구비되는 플랙셔를 포함하고, 상기 플랙셔는 상기 변형미러가 평면방향과 수직된 방향으로 힘이 전달되도록 변형되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 다수의 상기 액추에이터 각각에 구비된 구동기 각각을 제어하여, 설정된 곡률로 상기 변형미러를 변형시키도록 조절하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 제3목적은, 미세패턴을 제조하기 위한 시스템에 있어서, 앞서 언급한 제2목적에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치; 상기 미세패턴 제조장치의 일구성인 노광헤드를 평면방향의 일축인 X축 방향으로 이동시키는 X 스테이지; 기판이 설치되는 기판 설치부; 평면방향이고 상기 X축과 수직인 Y축 방향으로 상기 기판설치부를 이동시키는 Y스테이지; 및 변형미러 유닛에 구비되는 다수의 액추에이터 각각에 구비된 구동기 각각을 제어하여, 설정된 곡률로 상기 변형미러를 변형시키도록 조절하고, 상기 X 스테이지, Y스테이지 중 적어도 어느 하나를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조 시스템으로서 달성될 수 있다.
또한, 상기 기판 설치부를 수직축인 Z 축 중심으로 회전시키는 회전스테이지를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 회전스테이지를 제어하는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 노광렌즈와 감광막 사이의 간격을 조절하여 상기 노광렌즈의 초점을 조절하는 초점조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 제4목적은, 회절소자에 있어서, 앞서 언급한 제3목적에 따른 미세패턴 제조시스템에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 회절소자로서 달성될 수 있다.
본 발명의 제5목적은 앞서 언급한 제3목적에 따른 미세패턴 제조시스템에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 삼각패턴 형태의 회절소자로서 달성될 수 있다.
또한, 상기 회절소자의 기판과 감광막은 특정곡률을 갖는 형태이고, 상기 기판은 투명기판으로 구성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 점심도 조절부를 포함하여 서로 평면방향 폭이 다른 레이저빔을 간섭시켜 높이방향의 간섭무늬방향을 갖는 간섭레이저빔을 감광막에 주사하게 됨으로써 높이방향 선폭을 향상시킬 수 있고, 또한, 곡률변형이 가능한 변형미러를 적용하게 됨으로써, 초점심도의 조절이 가능하게 됨으로써 삼각패턴의 회절소자의 제조가 가능한 효과를 갖는다.
한편, 본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 종래 3중층을 갖는 감광막에 주사되는 노광렌즈를 투과한 레이저 빔을 모식적으로 도시한 측면도,
도 2는 도 1에서 종래 노광렌즈를 투과한 레이저 빔의 초점 부근의 확대도,
도 3는 도 1에서 종래 노광렌즈를 투과한 레이저 빔의 감광막 부근의 확대도,
도 4는 종래 미세패턴 제조장치에 의한 노광깊이를 알 수 있는, 높이 방향(Z축 방향)과 레이저빔의 강도를 나타낸 그래프,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치의 구성도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 미러, 편광빔스플리터, 쿼터 파장판, 평면미러, 변형미러 유닛 및 검광기를 갖는 높이방향 간섭형성부의 단면도,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 높이방향 선폭향상부에 의해 높이방향으로 간섭무늬방향으로 갖는 간섭무늬를 나타낸 평면도,
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조장치에 의한 노광깊이를 알 수 있는, 높이 방향(Z축 방향)과 레이저빔의 강도를 나타낸 그래프
도 9는 종래 노광렌즈를 투과한 레이저 빔의 감광막 부근의 확대도,
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 노광렌즈를 투과한 레이저 빔의 감광막 부근의 확대도,
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치의 일구성인 변형미러 유닛의 사시도,
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치의 일구성인 변형미러 유닛의 측면도,
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치의 일구성인 변형미러 유닛의 분해 사시도,
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 변형미러 유닛의 일구성인 플렉셔의 사시도,
도 15와 도 16은 본 발명의 일실시예에 따른 플렉셔의 유무에 따라 나눈 접착제 부분의 스트레스 결과를 도시한 것이다.
도 17은 본 발명의 일실시예에 따른 37개의 플랙셔에 넘버링을 한 변형미러 유닛을 모식적으로 나타낸 평면도,
도 18은 본 발명의 일실시예에 따른 중심을 가장 큰 수직 변위를 갖고 반경방향으로 점진적으로 수직변위를 감소시킨 상태에서의 형상측정 데이터,
도 19는 본 발명의 일실시예에 따른 형상 변위 3차원 그래프,
도 20은 본 발명의 일실시예에 따른 37개의 플랙셔에 넘버링을 한 변형미러 유닛을 모식적으로 나타낸 평면도,
도 21은 본 발명의 일실시예에 따라 2번 플랙셔를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터,
도 22는 본 발명의 일실시예에 따라 6번 플랙셔를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터,
도 23은 본 발명의 일실시예에 따라 12번 플랙셔를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터,
도 24는 본 발명의 일실시예에 따라 19번 플랙셔를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터,
도 25는 본 발명의 일실시예에 따른 변형미러 유닛을 0.523um rms으로 변형시킨 형상측정 데이터,
도 26은 본 발명의 일실시예에 따른 변형미러 유닛을 0.023um rms으로 변형시킨 형상측정 데이터,
도 27은 기판 상부면의 감광막으로 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치에 의해 레이저빔을 조사하는 상태를 나타낸 모식도,
도 28은 감광막 상부면의 투명기판 측으로 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치에 의해 레이저빔을 조사하는 상태를 나타낸 모식도,
도 29는 레이저 빔 노광 후의 단면도,
도 30은 에칭과정에 의해 삼각패턴을 갖는 회절소자의 단면도,
도 31은 곡면 기판에 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치에 의해 레이저빔을 조사하는 상태를 나타낸 모식도를 도시한 것이다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)의 구성 및 작용에 대해 설명하도록 한다. 먼저, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)의 구성도를 도시한 것이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조장치(100)는 레이저 발생부(10), 광안정기(20), 셔터(30), 노광헤드(40), 높이방향 간섭형성부(200), 초점조절부, 노광렌즈(110), X스테이지(150), 감광막이 코팅된 기판이 설치되는 기판설치부(120), 기판용 지그(121), Y스테이지(140), 회전스테이지(130) 등을 포함하고 있다.
레이저 발생부(10)(구체적 실시예에서는 아르곤(Ar) 레이저 발생부를 사용하였다)에서 발생된 레이저 빔(1)은 광안정기(20)를 거치면서 광량이 조절되고, 레이저빔(1)을 단속하는 셔터(30)를 투과하여 노광헤드(40)로 입사된다. 본 발명의 구체적 실시예에서 광안정기(20)는 도 5에 도시된 바와 같이, 광음향변조기(acousto-optic mmodulator, 22), 빔스플리터(21), 컨트롤러(24)를 포함하여 구성될 수 있다.
노광헤드(40)로 입사된 레이저빔(1)은 초점심도 조절부(200)를 투과하면서, 제1특정폭(7)을 갖는 제1레이저빔(2)과 제1특정폭(7)보다 작은 제2특정폭(8)을 갖는 제2레이저빔(3)이 중첩되어 출사되게 된다. 또한, 이러한 초점심도 조절부(200)의 일구성인 변형미러 유닛에 의해 변형미러의 곡률이 변화되면서 초점심도를 조절할 수 있게 된다. 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 미러(210), 편광빔스플리터(220), 쿼터 파장판(231, 232), 평면미러 유닛(250), 구면미러(240) 및 검광기(50)를 갖는 초점심도 조절부(200)의 단면도를 도시한 것이다.
먼저, 노광헤드(40)로 입사된 레이저빔(1)은 제1특정폭(7)을 가지고 있고, 이러한 레이저빔(1)이 편광판(미도시)에 투과되어 서로 수직인 편광방향을 갖는 S파와 P파로 편광되게 된다. 그리고, 이러한 S파와 P파를 갖는 레이저빔(1)이 미러(210)에 의해 방향이 Z축방향으로 전환되어 편광빔스플리터(220)에 입사되게 된다. 이러한 편광빔스플리터(220)는 S파는 수직방향으로 반사시키고, P파는 투과시키는 성질을 갖는다.
따라서, 입사되는 S파는 편광빔스플리터(220)에 의해 -Y방향으로 반사되어 제1레이저빔(2)으로 출사되고, 출사된 제1레이저빔(2, 도 6에 실선으로 도시됨)은 도 6에 도시된 바와 같이, 제1쿼터 파장판(231)을 투과하여 45° 편광되어 평면미러(250)에 반사되고, 다시 제1쿼터 파장판(231)에 의해 45° 편광되어 P파로 편광빔스플리터(220)로 입사, 투과되어 검광기(50) 측으로 출사되게 된다. 이러한 제1레이저빔(2)은 입사시부터 출사시까지 언제나 제1특정폭(7)을 유지하게 된다.
반면, 편광판을 투과한 P파는 편광빔스플리터(220)에 입사, 투과되어 제2쿼터 파장판(232)을 거쳐 변형미러 유닛(240)의 변형미러(241)에 의해 반사되게 된다. 변형미러(241)에 반사된 제2레이저빔(3, 도 6에서 점선으로 도시됨)은 진행방향으로 점진적으로 폭이 감소되게 되는 제2특정폭(8)을 갖게 된다.
이러한 제2특정폭(8)을 갖는 제2레이저빔(3)은 다시 제2쿼터 파장판(232)을 거쳐 S파로 변형되어 편광빔스플리터(220)에 입사되고, 반사되어 검광기(50) 측으로 출사되게 된다. 그리고, 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)은 검광기(50)를 투과하면서 편광방향이 일치되게 된다.
따라서, 이러한 초점심도 조절부(200)에 의해 제1특정폭(7)을 갖는 제1레이저빔(2)과 제1특정폭(7)보다 작은 제2특정폭(8)을 갖는 제2레이저빔(3)이 중첩되어 출사되게 된다. 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 높이방향 선폭향상부에 의해 높이방향으로 간섭무늬방향으로 갖는 간섭무늬를 나타낸 평면도를 도시한 것이다.
서로 중첩되어 있으나 평면방향 폭이 서로 다른 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)은 초점심도 조절부(200)에서 출사되어 틸트미러(60) 및 빔스플리터(21)에 의해 경로가 변경되면서, 노광렌즈(110)에 투과되게 된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 틸트미러(60)에 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3) 각각이 반사되어, 변경되는 경로는 구체적 실시예에 한정되는 것은 아니고, 노광헤드(40)의 구조 및 노광렌즈(110)의 위치에 따라 변경될 수 있고, 이러한 구체적 구조는 본 발명의 권리범위에 영향을 미치지 않음은 자명하다. 도 5에 도시된 바와 같이, 경로를 변경시키기 위한 미러 중 틸트 미러(60)를 포함할 수 있고, 또한, 틸트미러(60)의 각도를 조절하기 위해 틸트미러 각도 조절부를 포함할 수 있다.
틸트미러 각도조절부는 도 5에 도시된 바와 같이, 포토 다이오드(23)와 빔 스플리터(21)로 구성될 수 있다. 빔스플리터(21)는 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)은 반사시켜 틸트미러(60)에 입사시키고, 포토다이오드(23)에서 주사되는 광은 투과시키게 된다. 포토다이오드(23)에서 방출된 광은 빔스플리터(21)를 투과하여 틸트미러(60)에 반사되어 다시 포토다이오드(23)에 입사되어 틸트미러(60)의 각도를 조절하게 된다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조장치(100)는 초점조절부를 더 포함할 수 있다. 초점조절부에 의해 노광렌즈(110)와 기판 사이의 간격을 변화시켜 초점을 조절할 수 있다. 구체적 실시예에 따른 초점조절부는 도 5에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드(61), 빔스플리터(21), 광검출기(62), 초점제어부(63), PZT 구동기(64)를 포함하고 있음을 알 수 있다. 레이저 다이오드(61)에서 발생된 광은 빔스플리터(21)에 반사되어 도 5에 도시된 하부측 빔스플리터(21)를 통과하여 노광렌즈(110)에 입사되고, 노광렌즈(110)에 반사된 광은 빔스플리터(21) 2개를 모두 투과하여 광검출기(62)로 입사되게 된다. 반사된 광에 대한 정보를 기초로 초점 제어부(63)가 PZT 구동기(64)에 제어신호를 전송하여 PZT 구동기(64)가 노광렌즈(110)를 이동시켜 노광렌즈(110)와 기판 사이의 이격거리를 변화시키게 된다.
그리고, 노광렌즈(110)를 투과한 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)은 초점부근에서 서로 간섭되어 높이방향의 간섭무늬방향을 갖는 간섭레이저빔(4)이 형성되어 기판(5) 상면에 코팅된 감광막(6)으로 주사된다. 또한, 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조장치(100)에 의한 노광깊이를 알 수 있는, 높이 방향(Z축 방향)과 레이저빔의 강도를 나타낸 그래프를 도시한 것이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 임계강도값을 초과하는 부분이 감광막(6)에 노광이 발생되는 부분이므로, 종래 미세패턴 제조장치(100)에 의한 높이방향 선폭(도 4)에 비해 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조장치(100)에 의한 높이방향 선폭(H)이 감소되었음을 알 수 있다. 이는 도 8에 도시된 바와 같이 제1레이저빔(2)의 초점 거리와 제2레이저빔(3)의 초점거리 간에 미세한 간격의 차에 의해 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3) 간에 높이방향으로 간섭무늬방향을 갖는 간섭레이저빔(4)을 형성시킴으로써 가능해 진다.
도 9는 종래 노광렌즈(110)를 투과한 레이저 빔(1)의 감광막(6) 부근의 확대도를 도시한 것이고, 도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 노광렌즈(110)를 투과한 간섭레이저빔(4)의 감광막 부근의 확대도를 도시한 것이다. 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 종래 레이저빔에 의해 노광되는 감광막(6)의 깊이(H)는 3중층에서 최상단층과 중간층 모두 노광이 발생되어 결함이 생기게 되나, 본 발명의 일실시예에 따른 간섭레이저빔(4)에 의해 노광되는 감광막(6)의 깊이는 최상단층으로 제한됨을 알 수 있다.
그리고, 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조장치(100)는 노광헤드(40)를 X축 방향으로 이동시키는 X스테이지(150)를 더 포함할 수 있다. X스테이지(150)는 노광헤드(40) 외부측에 결합되어, 노광헤드(40)를 X축 방향으로 이동시키게 한다. 그리고, 기판(5)은 기판 설치부(120)에 설치되게 되고, 기판용 지그(121)에 의해 기판(5)을 기판 설치부(120)에 고정시킬 수 있다. 기판(5)에는 간섭레이저빔(4)에 의해 물성이 변화되는 물질로 구성된 감광막(6)이 코팅되어 있다. 이러한 물질은 종류에 제한없이 레이저 광에 의해 물성이 변화되는 모든 물질이 감광막(6)의 재료로 사용될 수 있다.
또한, 그리고, 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조장치(100)는 기판 설치부(130)를 수직축인 Z축 방향으로 이동시키는 Z스테이지(미도시)를 더 포함할 수 있다. 그리고, 회전스테이지(130) 하부에 결합된 Y스테이지(140)를 포함하여 회전스테이지(130) 및 기판설치부(120) 일체를 Y축방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 회전스테이지(130)와 Y스테이지(140) 사이에 틸트 테이블(131)을 더 포함하여, 회전스테이지(130) 및 기판 설치부(120)를 틸트시켜 각도를 변화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일실시예에 다른 미세패턴 제조장치(100)는 제어부를 더 포함하여, 이동속도를 조절하며, X, Y, Z스테이지, 회전스테이지를 제어할 수 있다.
이하에서는 앞서 언급한 초점심도 조절부(200)의 일구성인 변형미러 유닛(240)의 구성에 대해 보다 상세하게 설명하도록 한다. 변형미러 유닛(240)은 변형미러(241)의 곡률을 설정된 곡률로 변형시킬 수 있게 된다. 따라서 도 6에 도시된 변형미러(241)의 곡률을 변화시킬 수 있어, 변형미러(241)에 의해 반사되는 제2레이저빔(3)의 반사각도를 조절하게 됨으로써, 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)의 간섭정도가 조절되어 간섭레이저빔(4)의 초점심도를 제어할 수 있게 된다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)의 일구성인 변형미러 유닛(240)의 사시도를 도시한 것이다. 그리고, 도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)의 일구성인 변형미러 유닛(240)의 측면도를 도시한 것이다. 또한, 도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)의 일구성인 변형미러 유닛(240)의 분해 사시도를 도시한 것이다.
도 11, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 변형미러 유닛(240)은, 전체적으로 변형미러(241)와, 변형미러(241)의 후면에 다수 장착되어 변형미러(241)의 곡률을 변화시키는 액추에이터 및 베이스(245)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 변형미러(241)와 베이스(245) 사이에 다수 구비되는 액추에이터는, 플랙셔(flexure, 260)와, 구동기(242), 체결부재(243) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
다수의 액추에이터는 변형미러(241)의 후면에 장착되며, 변형미러(241)의 곡률을 변화시키기 위한 구동기(242)가 부착되어 있으며, 구동기(242)의 교체를 용이하게 하고, 베이스(245)에 고정시키는 역할을 하는 수나사와 암나사로 이루어진 체결부재(243)에 의해 체결되게 된다.
구체적 실시예에 따른 구동기(242)는 PZT로 구성되며, 제어부는 이러한 다수의 액추에이터에 구비되는 구동기(242) 각각을 작동시키도록 제어할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 액추에이터에는 변형미러(241)와 구동기(242) 사이에 구비되는 플랙셔(260)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 변형미러 유닛(240)의 일구성인 플랙셔(260)의 사시도를 도시한 것이다. 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 액추에이터는 플랙셔(260)를 포함하게 됨으로써, 구동기(242)의 구동시, 접착제에 의해 받는 변형미러(241)의 스트레스를 분산시킬 수 있게 됨을 알 수 있다. 이러한 변형미러(241)의 스트레스를 분산시키고, 항상 구동기(242)의 구동에 의해 변형미러(241)가 접촉면과 수직방향으로 힘이 가해질 수 있도록 플랙셔(260)는 도 14에 도시된 바와 같이, I자 형태의 구조를 수직으로 배치하고 있음을 알 수 있다.
보다 구체적으로 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 플랙셔(260)는 상부 플랜지(261)와, 중단 플랜지(262) 및 하부 플랜지(263)를 갖고, 상부 플랜지(261)와 중단플랜지(262) 사이에 제1웹부(264)가 구비되며, 중단플랜지(262)와 하부플랜지(263) 사이에 제2웹부(265)가 구비되며, 제1웹부(264)의 평면방향과 제2웹부(265)의 평면방향으로 서로 수직이 됨을 알 수 있다.
도 15와 도 16은 본 발명의 일실시예에 따른 플랙셔(260)의 유무에 따라 나눈 접착제 부분의 스트레스 결과를 도시한 것이다. 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 플랙셔(260)를 갖는 변형미러(241)는 접착제 부분의 스트레스를 예측하기 위한 유한 요소 해석법을 사용하여 분석을 실시하였다.
먼저, 접착제 부분의 스트레스를 최소화시키는 플랙셔(260)의 성능을 검증하기 위해 변형 미러(241) 구동시 구동기(242)의 길이가 3 um 만큼 증가하였을 때 접착제 부분에 발생하는 스트레스를 플랙셔(260) 유무에 따라 비교하였다. 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 플랙셔(260)가 있는 변형미러(241)의 경우 플랙셔(260)가 없는 경우와 비교하여 최대 0.69 MPa 만큼 스트레스가 감소하는 것을 알 수 있다.
즉, 플랙셔(260) 유무에 따른 접착제 부분에 발생하는 스트레스 값을 기반으로, 플랙셔(260)가 접착제 부분의 스트레스를 상당부분 줄여 주게 됨을 알 수 있다.
도 17은 본 발명의 일실시예에 따른 37개의 액추에이터에 넘버링을 한 변형미러 유닛(240)을 모식적으로 나타낸 평면도를 도시한 것이다. 그리고, 도 18은 본 발명의 일실시예에 따른 중심을 가장 큰 수직 변위를 갖고 반경방향으로 점진적으로 수직변위를 감소시킨 상태에서의 형상측정 데이터를 도시한 것이다. 그리고, 도 19는 본 발명의 일실시예에 따른 형상 변위 3차원 그래프를 도시한 것이다.
도 17에 도시된 바와 같이, 변형미러(241)와 베이스(245) 사이에 37개의 액추에이터를 장착하였고, 중심에 위치한 19번 액추에이터를 기준으로 구동기(242)가 구동되어 수직방향으로 변형미러(241)에 힘을 가하여 변형미러(241)의 곡률을 변형하였음을 알 수 있다.
또한, 도 20은 본 발명의 일실시예에 따른 37개의 액추에이터에 넘버링을 한 변형미러 유닛(240)을 모식적으로 나타낸 평면도를 도시한 것이다. 그리고, 도 21은 본 발명의 일실시예에 따라 2번 액추에이터를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터를 도시한 것이다. 그리고, 도 22는 본 발명의 일실시예에 따라 6번 액추에이터를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터를 도시한 것이다. 또한, 도 23은 본 발명의 일실시예에 따라 12번 액추에이터를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터를 도시한 것이다. 또한, 도 24는 본 발명의 일실시예에 따라 19번 액추에이터를 가장 큰 수직 변위를 갖도록 구동한 상태에서의 형상측정 데이터를 도시한 것이다.
도 20 내지 도 24에 도시된 바와 같이, 2번, 6번, 12번, 19번 액추에이터를 구동 변위를 변화시키게 됨으로써, 원하는 곡률을 갖도록 변형미러(241)를 변화시킬 수 있음을 알 수 있다.
또한, 도 25는 본 발명의 일실시예에 따른 변형미러 유닛(240)을 0.523um rms으로 변형시킨 형상측정 023um rms으로 변형시킨 형상측정 데이터를 도시한 것이다. 도 25 및 도 26에 도시된 바와 같이, PV 2.84um, rms 0.523um으로 변형미러의 곡률을 변형시킨 후, 제어부에 의해 다수의 액추에이터 각각에 구비된 구동기(242)의 구동을 제어하여, PV 0.148um, rms 0.023um로 변형미러(241)의 곡률이 변환되었음을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절부의 일구성인 변형미러 유닛(240)은 변형미러(241)의 곡률을 설정된 값으로 변화시킬 수 있게 됨으로써, 감광막에 조사되는 간섭 레이저빔(4)의 초점심도를 조절할 수 있게 된다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조방법에 대해 설명하도록 한다.
먼저, 초점조절부에 의해 노광렌즈(110)의 초점을 조절하고, X스테이지(150) 및 Y스테이지(140)를 구동시켜 노광렌즈(110)의 길이방향 축과 회전스테이지(130)의 중심축인 Z축을 일치시킨다. 또한, 틸트 미러 각도조절부에 의해 틸트 미러(60)의 각도를 조절하고, 감광막(6)이 코팅된 기판(5)을 기판 설치부(120)에 설치하여 레이저빔(1)을 주사할 준비단계를 시행하게 된다.
그리고, 레이저 발생부(10)에서 레이저빔(1)이 발생되고, 레이저 발생부(10)에서 발생된 레이저빔(1)은 광안정기(20)에 의해, 광량이 균일하게 안정된 레이저빔(1)을 발생시키게 된다. 그리고, 레이저빔(1)은 셔터(30)를 거쳐 노광헤드(40)로 입사되게 된다. 노광헤드(40)에 입사된 레이저빔(1)은 편광판(60)에 투과되면서, 서로 편광방향이 수직인 S파(3)와 P파(2)로 편광되게 된다. 편광판(60)에서 출사되는 S파(3) 및 P파(2)는 미러(210)를 거쳐 편광빔스플리터(220)로 입사되게 된다.
그리고, 앞서 설명한 바와 같이, S파는 편광빔스플리터(220)에서 90도로 반사되어 제1특정폭(7)을 갖는 제1레이저빔(2)으로 출사되어 제1쿼터 파장판(231)을 통과하고, 평면미러(250)에 반사되어 다시 제1쿼터파장판(231)을 통과하여 P파로 변형되어 편광빔스플리터(220)를 투과하여 출사되게 된다. 이러한 제1레이저빔(2)의 제1특정폭(7)은 변화하지 않고, 출사되게 된다.
그리고, 편광판을 통과한 P파는 편광빔스플리터(220)에서 투과되어 제2레이저빔(3)으로 출사되어 제2쿼터 파장판(232)을 통과하고, 변형미러 유닛(240)의 변형미러(241)에 반사되면서 점진적으로 폭이 감소하게 되는 제2특정폭(8)을 갖으며 다시 제2쿼터파장판(232)을 통과하여 S파로 변형되어 편광빔스플리터(220)에 반사되어 출사되게 된다. 이러한 제2레이저빔(3)은 제1특정폭(7)보다 작은 제2특정폭(8)을 가지고, 제1레이저빔(2)과 중첩되어 검광기(50) 측으로 출사되게 된다.
그리고, 서로 폭이 다른 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)이 중첩되어서 진행하게 되고, 이러한 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)이 검광기(50)를 투과하면서, 서로 편광방향이 일치되게 된다. 그리고, 편광방향이 일치되고, 서로 다른 폭을 갖고 중첩된 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)은 빔스플리터(21)와 틸트 미러(60), 그리고, 또 다른 빔스플리터(21)에 반사되면서, 노광렌즈(110)에 입사되게 된다. 그리고, 노광렌즈(110)에 입사된 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)이 노광렌즈(110)에 투과되어, 초점 부근에서 제1레이저빔(2)과 제2레이저빔(3)이 서로 간섭되어 높이방향의 간섭무늬방향을 갖는 간섭레이저빔(4)이 형성된다.
그리고, 간섭레이저빔(4)이 기판(5) 상면에 코팅된 감광막(6)에 주사되게 된다. 감광막(6)에 간섭레이저빔(4)이 주사되면, 주사된 부분의 감광막(6) 물성이 변화(노광)하게 된다. 간섭 레이저빔(4)이 감광막(6)에 주사될 때의 간섭무늬방향은 높이방향(광축방향, Z축방향)이 된다. 따라서, 앞서 언급한 바와 같이, 종래와 비교하여 높이방향의 선폭(H)이 감소되어 분해능을 향상시킬 수 있다.
이때, 간섭레이저빔(4)의 초점심도는 앞서 언급한 바와 같이, 초점심도조절부에 의해 조절되어 질 수 있다. 따라서, 초점심도가 조절되게 됨으로써, 사용자가 설정된 초점심도 만큼 감광막(6)을 노광시킬 수 있게 된다. 따라서 후에 설명하는 바와 같이, 삼각파 패턴의 회절소자를 용이하게 제작할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 초점심도의 조절은 초점심도 조절부(200)의 일구성인 변형미러 유닛(240)에 의해 가능하다. 즉, 앞서 언급한 바와 같이, 변형미러 유닛(240)은 변형미러(241)와, 베이스(245), 다수의 액추에이터를 포함하여, 제어부에 의해 액추에이터 각각의 구동을 제어하게 됨으로써, 설정된 곡률로 변형미러(241)가 되도록 제어하게 됨으로써, 변형미러(241)의 곡률에 따라 간섭레이저 빔(4)의 초점심도가 조절되게 된다.
또한, 제어부는 회전스테이지(130)의 회전속도를 제어하며 구동시키게 된다. 그리고, 제어부는 X스테이지(150)를 구동시켜 속도를 조절하여 노광헤드(40)를 X축 방향으로 이동시키게 된다. 제어부(160)는 또한, Y스테이지(140), Z 스테이지를 제어하여, 기판 설치부(120)를 이동속도를 조절하며 Y축 또는 Z축 방향으로 이동시킬 수 있다.
감광막(6)에 간섭레이저빔(4)을 주사한 후, 레이저 발생부(10)에서의 레이저 발생을 종료하고, 식각액 등을 이용하여 간섭레이저빔(4)이 주사되지 않은 감광막(6)을 제거함으로써 기판(5)에 미세패턴을 형성시키게 된다.
이하에서는 삼각파 형태의 회절소자를 제조하기 위한 방법에 대해 설명하도록 한다. 이러한 반사형 삼각패턴 형태의 회절소자는 앞서 언급한 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)에 의해 가능하게 된다.
도 27은 기판(5) 상부면의 감광막(6)으로 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)에 의해 초점심도 조절이 가능한 간섭레이저빔(4)을 조사하는 상태를 나타낸 모식도를 도시한 것이다. 도 27에 도시된 바와 같이, 기존의 방법과 같이, 기판(5)의 상부면에 크롬 등으로 구성된 감광막(6) 측으로 간섭레이저빔(4)을 노광하게 되는 경우, 노광된 감광막(7) 부분이, 노광되지 않은 감광막(6) 부분을 에워싸게 되어 에칭공정에 의해 노광되지 않은 감광막(6)을 에칭할 수 없어 결국 삼각패턴의 회절소자를 제조할 수 없게 된다.
도 28은 감광막 상부면의 투명기판(5) 측으로 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)에 의해 간섭레이저빔(4)을 조사하는 상태를 나타낸 모식도를 도시한 것이다. 도 29는 간섭레이저 빔(4) 노광 후의 단면도를 도시한 것이다. 그리고, 도 30은 에칭과정에 의해 삼각패턴을 갖는 회절소자의 단면도를 도시한 것이다.
도 28에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 미세패턴 제조방법 보다 구체적으로 삼각패턴의 회절소자를 제조하기 위한 방법은, 도 27의 기판(5)과 감광막(6)을 뒤집고, 기판을 투명기판(5)으로 교체하여, 노광렌즈(110)를 투과한 간섭레이저빔(4)이 투명기판(5) 측을 투과하도록 노광하게 됨을 알 수 있다.
도 28에 도시된 바와 같이, 간섭레이저빔(4)을 투명기판(5)을 투과하는 방식으로 조사하여, 감광막(6)을 노광시킨 후, 초점심도 조절부(200)에 의해 보다 구체적으로 변형미러유닛(240)에 의해 변형미러(241)의 곡률을 변화시켜 초점심도를 조절한 후, 제어부에 의해 X스테이지(150) 또는 Y스테이지(140)를 구동시켜 노광렌즈(110)를 이동시킨 후, 간섭레이저빔(4)를 투명기판(5)을 투과하는 방식으로 조사하게 됨을 알 수 있다.
이러한 방식으로 초점심도를 조절하며 간섭레이저빔(4)을 조사하여 도 29에 도시된 바와 같이, 감광막(6)을 삼각패턴 형태가 되도록 노광시키게 된다. 삼각패턴 형태가 되도록 감광막(6)을 노광시킨 후, 도 30에 도시된 바와 같이, 노광되지 않은 감광막(6)을 에칭처리하여, 삼각패턴 형태의 회절소자를 제조하게 됨을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)에 의하면, 곡면 형태의 기판(5)에도 삼각패턴 형태의 회절소자(초분광영상기기용 Hybrid optics 등)를 제조할 수 있게 된다. 도 31은 곡면 기판(5)에 본 발명의 일실시예에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치(100)에 의해 초점심도가 조절되는 간섭레이저빔(4)을 조사하는 상태를 나타낸 모식도를 도시한 것이다.
한편, 본 발명은 또한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의해 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광데이터 저장장치 등이 있으며, 또한 케리어 웨이브(예를 들어 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다. 그리고, 본 발명을 구현하기 위한 기능적인(functional) 프로그램, 코드 및 코드 세그먼트들은 본 발명이 속하는 기술분야의 프로그래머들에 의해 용이하게 추론될 수 있다.
또한, 상기와 같이 설명된 장치 및 방법은 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (15)

  1. 미세패턴 제조장치에서 초점심도를 조절하기 위한 초점심도 조절장치에 있어서,
    레이저빔이 입사되어 일부를 반사시켜 제1레이저빔을 출사시키고, 나머지는 투과시켜 제2레이저빔을 출사시키는 편광빔스플리터로 구성된 빔스플리터;
    상기 빔스플리터에서 출사된 제1레이저빔을 반사시켜 상기 빔스플리터로 다시 입사시키는 평면미러;
    상기 빔스플리터에서 출사된 제2레이저빔을 반사시켜 제1특정폭보다 작은 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔을 상기 빔스플리터로 다시 입사시키고, 곡률의 변경이 가능한 변형미러유닛;
    상기 제1특정폭을 갖는 제1레이저빔과 상기 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔이 입사되는 검광기;
    상기 레이저발생부와 상기 편광빔스플리터 사이에 구비되어 상기 레이저발생부에서 발생된 레이저빔이 투과되어 편광방향이 서로 수직인 S파 및 P파로 편광시키는 편광판; 및
    상기 편광빔스플리터와 상기 평면미러 사이 및 상기 편광빔스플리터와 상기 변경미러유닛 사이 각각에 구비되어 입사되는 광을 45°만큼 편광시키는 쿼터파장판을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법 기판 미세패턴 제조장치에 구비되는 초점심도 조절장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 변형미러 유닛은,
    플렉시블한 변형미러와, 베이스와 및 상기 변형미러와 상기 베이스 사이에 구비되어 상기 변형미러의 곡률을 변화시키는 다수의 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법 기판 미세패턴 제조장치에 구비되는 초점심도 조절장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 액추에이터는,
    구동기와, 상기 구동기와 상기 변형미러 사이에 구비되는 플랙셔를 포함하고,
    상기 플랙셔는 상기 변형미러가 평면방향과 수직된 방향으로 힘이 전달되도록 변형되는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법 기판 미세패턴 제조장치에 구비되는 초점심도 조절장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    다수의 상기 액추에이터 각각에 구비된 구동기 각각을 제어하여, 설정된 곡률로 상기 변형미러를 변형시키도록 조절하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법 기판 미세패턴 제조장치에 구비되는 초점심도 조절장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 플랙셔는,
    상부플랜지와, 중단플랜지와, 하부플랜지와, 상기 상부플랜지와 상기 중단플랜지 사이에 형성된 제1웹부와, 상기 중단플랜지와 상기 하부플랜지 사이에 구비되며 상기 제1웹부와 수직방향인 제2웹부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법 기판 미세패턴 제조장치에 구비되는 초점심도 조절장치.
  6. 미세패턴 제조장치에 있어서,
    제1특정폭을 갖는 레이저빔을 발생시키는 레이저 발생부;
    발생된 상기 레이저빔이 입사되어 일부를 반사시켜 제1레이저빔을 출사시키고, 나머지는 투과시켜 제2레이저빔을 출사시키는 편광빔스플리터로 구성된 빔스플리터와, 상기 빔스플리터에서 출사된 제1레이저빔을 반사시켜 상기 빔스플리터로 다시 입사시키는 평면미러와, 상기 빔스플리터에서 출사된 제2레이저빔을 반사시켜 제1특정폭보다 작은 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔을 상기 빔스플리터로 다시 입사시키고 곡률이 변경되는 변형미러유닛과, 상기 제1특정폭을 갖는 제1레이저빔과 상기 제2특정폭을 갖는 제2레이저빔이 입사되는 검광기와, 상기 레이저발생부와 상기 편광빔스플리터 사이에 구비되어 상기 레이저발생부에서 발생된 레이저빔이 투과되어 편광방향이 서로 수직인 S파 및 P파로 편광시키는 편광판과, 상기 편광빔스플리터와 상기 평면미러 사이 및 상기 편광빔스플리터와 상기 구면미러 사이 각각에 구비되어 입사되는 광을 45°만큼 편광시키는 쿼터파장판을 갖는 초점심도 조절부; 및
    상기 검광기를 투과한 상기 제1레이저빔과 상기 제2레이저빔을 투과시켜 기판에 코팅된 감광막에 상기 제1레이저빔과 상기 제2레이저빔이 간섭된 간섭레이저빔을 주사시키는 노광렌즈를 포함하고,
    기판에 코팅된 상기 감광막은 2 이상이 적층된 다중층으로 구성되고, 상기 노광렌즈의 초점부근에서 상기 제1레이저빔과 상기 제2레이저빔이 높이방향의 간섭무늬방향을 갖도록 간섭되는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    내부에 상기 초점심도조절부 및 상기 노광렌즈가 설치되는 노광헤드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 변형미러 유닛은, 플렉시블한 변형미러와, 베이스와 및 상기 변형미러와 상기 베이스 사이에 구비되어 상기 변형미러의 곡률을 변화시키는 다수의 액추에이터를 포함하고,
    상기 액추에이터는, 구동기와, 상기 구동기와 상기 변형미러 사이에 구비되는 플랙셔를 포함하고, 상기 플랙셔는 상기 변형미러가 평면방향과 수직된 방향으로 힘이 전달되도록 변형되는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    다수의 상기 액추에이터 각각에 구비된 구동기 각각을 제어하여, 설정된 곡률로 상기 변형미러를 변형시키도록 조절하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치.
  10. 미세패턴을 제조하기 위한 시스템에 있어서,
    제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조장치;
    상기 미세패턴 제조장치의 일구성인 노광헤드를 평면방향의 일축인 X축 방향으로 이동시키는 X 스테이지;
    기판이 설치되는 기판 설치부;
    평면방향이고 상기 X축과 수직인 Y축 방향으로 상기 기판설치부를 이동시키는 Y스테이지; 및
    변형미러 유닛에 구비되는 다수의 액추에이터 각각에 구비된 구동기 각각을 제어하여, 설정된 곡률로 상기 변형미러를 변형시키도록 조절하고, 상기 X 스테이지, Y스테이지 중 적어도 어느 하나를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조 시스템.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 기판 설치부를 수직축인 Z 축 중심으로 회전시키는 회전스테이지를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 회전스테이지를 제어하는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조 시스템.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 노광렌즈와 감광막 사이의 간격을 조절하여 상기 노광렌즈의 초점을 조절하는 초점조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초점심도 조절이 가능한 레이저 노광법 기반 미세패턴 제조 시스템.
  13. 회절소자에 있어서,
    제 10항의 미세패턴 제조시스템에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 회절소자.
  14. 회절소자에 있어서,
    제 10항의 미세패턴 제조시스템에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 삼각패턴 형태의 회절소자.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 회절소자의 기판과 감광막은 특정곡률을 갖는 형태이고, 상기 기판은 투명기판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 삼각패턴 형태의 회절소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102456440B1 (ko) 2020-09-28 2022-10-21 한국표준과학연구원 레이저 직접노광법과 후면 자동초점조절을 이용한 3d회절광학소자 제조장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110011519A (ko) * 2009-07-28 2011-02-08 닛본 세이고 가부시끼가이샤 노광 장치 및 노광 방법
KR20120068090A (ko) * 2010-10-27 2012-06-27 한국표준과학연구원 레이저 주사 방식에서 편광 간섭무늬방향의 변환이 가능한 미세 패턴 제조장치 및 그 제조장치를 이용한 미세패턴 제조방법
KR20120085751A (ko) * 2009-09-29 2012-08-01 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20130042951A (ko) * 2011-10-19 2013-04-29 한국표준과학연구원 레이저 주사방식에서 높이 방향 분해능을 향상시킬 수 있는 간섭을 이용한 미세패턴 제조장치 및 그 제조장치를 이용한 미세패턴 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR0134028B1 (ko) 1988-07-21 1998-04-25 이노우에 아키라 캐리어를 반송하기 위한 핸들링 장치 및 캐리어 반송방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110011519A (ko) * 2009-07-28 2011-02-08 닛본 세이고 가부시끼가이샤 노광 장치 및 노광 방법
KR20120085751A (ko) * 2009-09-29 2012-08-01 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20120068090A (ko) * 2010-10-27 2012-06-27 한국표준과학연구원 레이저 주사 방식에서 편광 간섭무늬방향의 변환이 가능한 미세 패턴 제조장치 및 그 제조장치를 이용한 미세패턴 제조방법
KR20130042951A (ko) * 2011-10-19 2013-04-29 한국표준과학연구원 레이저 주사방식에서 높이 방향 분해능을 향상시킬 수 있는 간섭을 이용한 미세패턴 제조장치 및 그 제조장치를 이용한 미세패턴 제조방법

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