WO2016117268A1 - Sealing sheet - Google Patents

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resin
sealing
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石井　淳
浩介 盛田
豪士 志賀
智絵 飯野
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日東電工株式会社
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    • H01L2924/18162—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect

Definitions

  • the width from Y to the outer periphery of the sample is 2.5 cm or less after Step C.
  • the width from the Y to the outer periphery of the sample 100 is 2.5 cm or less, the amount of resin (resin constituting the sealing sheet) that flows outward in the plane direction by the pressure in the flat plate press It can be said that is suppressed more.
  • the epoxy equivalent is 150 to 250 and the softening point or the melting point is 50 to 130 ° C., solid at room temperature. From the viewpoint, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable.
  • phenol resin those having a hydroxyl equivalent weight of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C. are preferably used from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, and phenol phenol is particularly preferable from the viewpoint of high curing reactivity.
  • a novolac resin can be suitably used. From the viewpoint of reliability, low hygroscopic materials such as phenol aralkyl resins and biphenyl aralkyl resins can also be suitably used.
  • the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the sealing sheet 40 is preferably 2.5% by weight or more, and more preferably 3.0% by weight or more. Adhesive force with respect to the semiconductor chip 53 can be obtained satisfactorily when it is 2.5% by weight or more.
  • the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the sealing sheet 40 is preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less. Hygroscopicity can be reduced as it is 20 weight% or less.
  • silica powder is preferable, and fused silica powder is more preferable.
  • fused silica powder examples include spherical fused silica powder and crushed fused silica powder. From the viewpoint of fluidity, spherical fused silica powder is preferable. Among these, those having an average particle diameter in the range of 1 to 30 ⁇ m are preferred, and those having a mean particle diameter in the range of 3 to 25 ⁇ m are more preferred.
  • the average particle diameter can be derived, for example, by using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.
  • the curing accelerator is not particularly limited as long as it can cure the epoxy resin and the phenol resin, and examples thereof include organophosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole.
  • organophosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate
  • 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole.
  • 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole is preferred because the curing reaction does not proceed rapidly even when the temperature during kneading increases, and the sealing sheet 40 can be satisfactorily produced.
  • a coloring material (coloring agent) can be used according to the target color.
  • a color material various dark color materials such as a black color material, a blue color material, and a red color material can be suitably used, and a black color material is particularly suitable.
  • the color material any of a pigment, a dye and the like may be used. Color materials can be used alone or in combination of two or more.
  • the dye any form of dyes such as acid dyes, reactive dyes, direct dyes, disperse dyes, and cationic dyes can be used.
  • the form of the pigment is not particularly limited, and can be appropriately selected from known pigments.
  • the kneaded material after melt-kneading is preferably applied in a high temperature state without cooling.
  • the coating method is not particularly limited, and examples thereof include a bar coating method, a knife coating method, and a slot die method.
  • the temperature at the time of coating is preferably not less than the softening point of each component described above, and considering the thermosetting property and moldability of the epoxy resin, for example, 40 to 150 ° C., preferably 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C.
  • the heat-expandable microsphere is not particularly limited, and can be appropriately selected from known heat-expandable microspheres (such as various inorganic heat-expandable microspheres and organic heat-expandable microspheres).
  • a microencapsulated foaming agent can be suitably used from the viewpoint of easy mixing operation.
  • thermally expandable microspheres include microspheres in which substances such as isobutane, propane, and pentane that are easily gasified and expanded by heating are encapsulated in an elastic shell.
  • the shell is often formed of a hot-melt material or a material that is destroyed by thermal expansion.
  • the support base material 60 b is a thin plate member that serves as a strength matrix of the temporary fixing material 60. What is necessary is just to select suitably considering the handleability, heat resistance, etc. as a material of the support base material 60b, for example, plastic materials, such as metal materials, such as SUS, polyimide, polyamide imide, polyether ether ketone, polyether sulfone, Glass, a silicon wafer, or the like can be used. Among these, a SUS plate is preferable from the viewpoints of heat resistance, strength, reusability, and the like.
  • a plurality of semiconductor chips 53 are arranged on the prepared temporary fixing material 60 so that the circuit forming surface 53a faces the temporary fixing material 60 and temporarily fixed (see FIG. 5).
  • a known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used for temporarily fixing the semiconductor chip 53.
  • the sealing sheet 40 is used to form a sealing body in which the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet by a flat plate press, the thickness of the resin is also near the outer periphery of the sealing sheet 40. Since it is sufficient, the semiconductor chip 53 can be suitably sealed.
  • a rewiring 69 connected to the exposed semiconductor chip 53 is formed on the sealing body 58 (see FIG. 11).
  • Example 2 ⁇ Preparation of sealing sheet> According to the blending ratio shown in Table 1, each component was blended, kneaded and then sheeted to prepare a sealing sheet B having a thickness of 400 ⁇ m.
  • Step A The sealing sheets according to Examples and Comparative Examples were cut into a size of 20 cm in length and 20 cm in width and used as samples. The thickness is 400 ⁇ m.
  • Step C After Step B, the lower flat plate and the upper flat plate were moved away from each other, and the pressure applied in Step B was released.
  • Step D The thickness A of the central portion X of the sample after the step C and the thickness B of Y after the step C (location moved 2 cm toward the central portion X from one side before applying the pressure of the sample) It was measured. Thereafter, the ratio B / A was calculated. The results are shown in Table 1. Here, the thickness A1 is 300 ⁇ m. Therefore, the ratio A / A1 and the ratio B / A1 were also calculated. The results are shown in Table 1. In Comparative Example 1, the ratio B / A was 0.69 although the viscosity at 90 ° C. described later was relatively high. The reason is considered as follows.
  • the sheet thickness recovers like spring elasticity at the center of the sheet, which is difficult to convert the press pressure into a plastic flow as a resin flow.
  • Comparative Example 1 has a high viscosity and is strongly influenced by elastic deformation. Therefore, although the resin flow at the end portion of the sealing sheet also occurs not a little, the influence of elastic deformation occurring at the central portion of the sealing sheet is strong. As a result, the sheet thickness at the center is elastically recovered (springback) and the thickness is increased. From the above, although B is slightly reduced, the value of A is also increased by the elastic recovery of the resin, so the ratio B / A is considered to be reduced to 0.69.

Abstract

A sealing sheet in which a ratio B/A calculated by a procedure comprising step A to step D below satisfies a condition of equaling 0.7 or more and 1 or less: step A of preparing a sample measuring 20 cm longitudinally, 20 cm laterally, and 400 μm in thickness; step B of applying pressure to the prepared sample in a direction perpendicular to the plane thereof until a thickness of 300 μm is achieved; step C of releasing the pressure applied in step B; and step D of calculating the ratio B/A of a thickness A of X after step C and a thickness B of Y after step C, where X is a central portion of the sample and Y is a location 2 cm from one side toward the center portion X, prior to the application of pressure to the sample.

Description

封止用シートSealing sheet
　本発明は、封止用シートに関する。 The present invention relates to a sealing sheet.
　従来、基板などに固定された１又は複数の半導体チップ上に封止用シートを配置し、その後、加熱下で加圧することにより半導体チップを封止用シートに埋め込む半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, a method for manufacturing a semiconductor device in which a sealing sheet is disposed on one or a plurality of semiconductor chips fixed to a substrate or the like, and then the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet by applying pressure under heating is known. (For example, refer to Patent Document 1).
特開２００６－１９７１４号公報JP 2006-19714 A
　上述した半導体装置の製造方法では、封止用シートが流動することにより半導体チップが封止用シートに埋め込まれる。しかしながら、封止用シートの面に垂直な方向にのみ圧力が加わる平板プレスを採用する場合、封止用シートを構成する樹脂が面方向に流動し、外周付近の厚さが中央部と比較して薄くなる。そのため、半導体チップが好適に封止されない場合がある。特に、複数の半導体チップを１の封止用シートで一括封止する場合、封止用シートの外周付近に配置された半導体チップが好適に封止されないおそれがある。 In the semiconductor device manufacturing method described above, the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet by the flow of the sealing sheet. However, when adopting a flat plate press that applies pressure only in the direction perpendicular to the surface of the sealing sheet, the resin constituting the sealing sheet flows in the surface direction, and the thickness near the outer periphery is compared to the central part. Become thinner. For this reason, the semiconductor chip may not be suitably sealed. In particular, when a plurality of semiconductor chips are collectively sealed with a single sealing sheet, the semiconductor chips disposed near the outer periphery of the sealing sheet may not be suitably sealed.
　本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する際に、半導体チップを好適に封止することが可能な封止用シートを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to suitably seal a semiconductor chip when forming a sealing body in which the semiconductor chip is embedded in a sealing sheet. It is providing the sheet for sealing.
　本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。 The inventors of the present application have found that the above-mentioned problems can be solved by adopting the following configuration, and have completed the present invention.
　すなわち、本発明に係る封止用シートは、
　下記ステップＡ～ステップＤの手順により算出される比Ｂ／Ａが０．７以上１以下を満たすことを特徴とする。
　縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、厚さ４００μｍのサイズのサンプルを準備するステップＡ、
　前記ステップＡで準備した前記サンプルに厚さ３００μｍになるまで面に垂直な方向に圧力を加えるステップＢ、
　前記ステップＢで加えた圧力を開放するステップＣ、及び、
　前記サンプルの中央部をＸ、前記サンプルの圧力を加える前の一辺から中央部Ｘに向かって２ｃｍ移動した箇所をＹとしたとき、前記ステップＣの後の前記Ｘの厚さＡと前記ステップＣの後の前記Ｙの厚さＢとの比Ｂ／Ａを算出するステップＤ。 That is, the sealing sheet according to the present invention is
The ratio B / A calculated by the following steps A to D satisfies 0.7 or more and 1 or less.
Preparing a sample having a size of 20 cm in length, 20 cm in width, and a thickness of 400 μm;
Applying pressure in a direction perpendicular to the surface until the thickness of the sample prepared in step A is 300 μm;
Step C for releasing the pressure applied in Step B, and
When the central part of the sample is X and the part moved 2 cm from one side before applying the sample pressure toward the central part X is Y, the thickness A of the X after the step C and the step C A step D of calculating a ratio B / A with the thickness B of the Y after.
　本発明に係る封止用シートによれば、前記比Ｂ／Ａが０．７以上である。従って、当該封止用シートを用いて、平板プレスにより半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成すれば、封止用シートの外周付近においても、樹脂の厚さは充分にあるため、好適に半導体チップを封止することができる。 According to the sealing sheet according to the present invention, the ratio B / A is 0.7 or more. Therefore, if a sealing body in which the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet is formed by a flat plate press using the sealing sheet, the thickness of the resin is sufficient even in the vicinity of the outer periphery of the sealing sheet. Therefore, the semiconductor chip can be suitably sealed.
　前記構成においては、前記ステップＢの状態における前記Ｘの厚さＡ１と、前記ステップＣの後の前記Ｘの前記厚さＡとの比Ａ／Ａ１が、１．２以下であることが好ましい。 In the configuration, it is preferable that a ratio A / A1 of the thickness A1 of the X in the state of the step B and the thickness A of the X after the step C is 1.2 or less.
　前記比Ａ／Ａ１が、１．２以下であると、圧力を開放した後の厚みの弾性回復量が抑制されている。その結果、封止用シートの中央部付近と、外周部付近との厚さの差を少なくすることができる。その結果、封止用シートの外周付近においても、より好適に半導体チップを封止することができる。 When the ratio A / A1 is 1.2 or less, the elastic recovery amount of the thickness after releasing the pressure is suppressed. As a result, the difference in thickness between the vicinity of the central portion of the sealing sheet and the vicinity of the outer peripheral portion can be reduced. As a result, the semiconductor chip can be more suitably sealed even near the outer periphery of the sealing sheet.
　前記構成においては、前記ステップＢの状態における前記Ｘの厚さＡ１と、前記ステップＣの後の前記Ｙの前記厚さＢとの比Ｂ／Ａ１が、０．７以上であることが好ましい。 In the configuration, it is preferable that a ratio B / A1 of the thickness A1 of the X in the state of the step B and the thickness B of the Y after the step C is 0.7 or more.
　前記比Ｂ／Ａ１が、０．７以上であると、平板プレスでの圧力により面方向外側に流れる樹脂（封止用シートを構成する樹脂）の量が抑制されているといえる。従って、封止用シートの外周付近においても、さらに好適に半導体チップを封止することができる。 When the ratio B / A1 is 0.7 or more, it can be said that the amount of resin (resin constituting the sealing sheet) flowing outward in the surface direction is suppressed by the pressure in the flat plate press. Therefore, the semiconductor chip can be more preferably sealed even near the outer periphery of the sealing sheet.
　前記構成においては、前記ステップＣの後において、前記Ｙから前記サンプルの外周までの幅が２．５ｃｍ以下であることが好ましい。 In the above-described configuration, it is preferable that the width from Y to the outer periphery of the sample is 2.5 cm or less after Step C.
　前記ステップＣの後において、前記Ｙから前記サンプルの外周までの幅が２．５ｃｍ以下であると、平板プレスでの圧力により面方向外側に流れる樹脂（封止用シートを構成する樹脂）の量がより抑制されているといえる。 After the step C, if the width from the Y to the outer periphery of the sample is 2.5 cm or less, the amount of resin (resin constituting the sealing sheet) that flows outward in the plane direction by the pressure in the flat plate press It can be said that is suppressed more.
　本発明によれば、半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する際に、半導体チップを好適に封止することが可能な封止用シートを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a sealing sheet capable of suitably sealing a semiconductor chip when forming a sealing body in which the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet.
本実施形態に係る封止用シートの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the sealing sheet which concerns on this embodiment. 比Ｂ／Ａの算出方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the calculation method of ratio B / A. 比Ｂ／Ａの算出方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the calculation method of ratio B / A. 比Ｂ／Ａの算出方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the calculation method of ratio B / A. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment.
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited only to the following embodiments.
　（封止用シート）
　図１は、本実施形態に係る封止用シートの断面模式図である。本実施形態に係る封止用シート４０は、１層で構成される。ただし、本発明において、封止用シートは、下記比Ｂ／Ａが０．７以上１以下を満たす限り、この例に限定されず、２層以上で構成されてもよい。また、封止用シート４０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの剥離ライナー４１上に積層されている。ただし、本発明において、封止用シートは、剥離ライナー等に積層されず、単独であってもよい。 (Sealing sheet)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a sealing sheet according to the present embodiment. The sealing sheet 40 according to the present embodiment is composed of one layer. However, in the present invention, the sealing sheet is not limited to this example as long as the following ratio B / A satisfies 0.7 or more and 1 or less, and may be composed of two or more layers. The sealing sheet 40 is laminated on a release liner 41 such as a polyethylene terephthalate (PET) film. However, in this invention, the sheet | seat for sealing is not laminated | stacked on a peeling liner etc., and may be independent.
　封止用シート４０は、下記ステップＡ～ステップＤの手順により算出される比Ｂ／Ａが０．７以上１以下を満たす。前記比Ｂ／Ａは、０．８以上が好ましく、０．８５以上がより好ましい。 In the sealing sheet 40, the ratio B / A calculated by the procedure of Step A to Step D below satisfies 0.7 or more and 1 or less. The ratio B / A is preferably 0.8 or more, and more preferably 0.85 or more.
　縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、厚さ４００μｍのサイズのサンプルを準備するステップＡ、
　前記ステップＡで準備した前記サンプルに厚さ３００μｍになるまで面に垂直な方向に圧力を加えるステップＢ、
　前記ステップＢで加えた圧力を開放するステップＣ、及び、
　前記サンプルの中央部をＸ、前記サンプルの圧力を加える前の一辺から中央部Ｘに向かって２ｃｍ移動した箇所をＹとしたとき、前記ステップＣの後の前記Ｘの厚さＡと前記ステップＣの後の前記Ｙの厚さＢとの比Ｂ／Ａを算出するステップＤ。 Preparing a sample having a size of 20 cm in length, 20 cm in width, and a thickness of 400 μm;
Applying pressure in a direction perpendicular to the surface until the thickness of the sample prepared in step A is 300 μm;
Step C for releasing the pressure applied in Step B, and
When the central part of the sample is X and the part moved 2 cm from one side before applying the sample pressure toward the central part X is Y, the thickness A of the X after the step C and the step C A step D of calculating a ratio B / A with the thickness B of the Y after.
　以下、前記比Ｂ／Ａの算出方法について説明する。 Hereinafter, a method for calculating the ratio B / A will be described.
　図２～図４は、比Ｂ／Ａの算出方法を説明するための図である。具体的に、図２（ａ）は、比Ｂ／Ａを算出するために使用されるサンプルの平面図であり、図２（ｂ）は、その正面図である。図３は、下側平板と上側平板とによりサンプルに圧力を加えている様子を示す正面図である。図４は、下側平板と上側平板とによりサンプルに加えた圧力を開放した様子を示す正面図である。 2 to 4 are diagrams for explaining a method of calculating the ratio B / A. Specifically, FIG. 2A is a plan view of a sample used for calculating the ratio B / A, and FIG. 2B is a front view thereof. FIG. 3 is a front view showing a state in which pressure is applied to the sample by the lower flat plate and the upper flat plate. FIG. 4 is a front view showing a state in which the pressure applied to the sample is released by the lower flat plate and the upper flat plate.
　（ステップＡ）
　ステップＡでは、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、厚さ４００μｍのサイズのサンプル１００を準備する。サンプル１００は、封止用シート４０と同一の材料を用いて、縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、厚さ４００μｍのサイズにしたものである。サンプル１００は、例えば、まず、縦２０ｃｍ以上、横２０ｃｍ以上、厚さ４００μｍの封止用シート４０を作成し、その後、縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、厚さ４００μｍのサイズに切り出すことにより作成することができる。なお、封止用シート４０自体が縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、厚さ４００μｍのサイズである必要はない。 (Step A)
In Step A, as shown in FIGS. 2A and 2B, a sample 100 having a size of 20 cm in length, 20 cm in width, and 400 μm in thickness is prepared. The sample 100 is made of the same material as the sealing sheet 40 and has a size of 20 cm in length, 20 cm in width, and 400 μm in thickness. For example, the sample 100 can be prepared by first creating a sealing sheet 40 having a length of 20 cm or more, a width of 20 cm or more, and a thickness of 400 μm, and then cutting the sheet into a size of 20 cm, a width of 20 cm, and a thickness of 400 μm. it can. Note that the sealing sheet 40 itself does not have to be 20 cm in length, 20 cm in width, and 400 μm in thickness.
　（ステップＢ）
　ステップＢでは、前記ステップＡで準備したサンプル１００に厚さ３００μｍになるまでサンプル１００の面に垂直な方向に圧力を加える。このステップでは、図３に示すように、下側平板１１２と上側平板１１０とにより面に垂直な方向にのみ圧力を加える。この際、下側平板１１２と上側平板１１０とは、温度９０℃に設定する。この温度は、被封止体としての半導体チップを封止用シート４０に埋め込む際の温度を想定している。また、加重は２００ｋＮに設定する。例えば、下側平板１１２と上側平板１１０との間に、厚さ３００μｍのスペーサを配置することにより、サンプル１００に厚さ３００μｍになるまで面に垂直な方向に圧力を加えることができる。 (Step B)
In Step B, pressure is applied to the sample 100 prepared in Step A in a direction perpendicular to the surface of the sample 100 until the thickness reaches 300 μm. In this step, as shown in FIG. 3, pressure is applied only in a direction perpendicular to the surface by the lower flat plate 112 and the upper flat plate 110. At this time, the lower flat plate 112 and the upper flat plate 110 are set to a temperature of 90 ° C. This temperature is assumed to be a temperature when a semiconductor chip as an object to be sealed is embedded in the sealing sheet 40. The weight is set to 200 kN. For example, by arranging a spacer having a thickness of 300 μm between the lower flat plate 112 and the upper flat plate 110, pressure can be applied to the sample 100 in a direction perpendicular to the surface until the thickness reaches 300 μm.
　（ステップＣ）
　ステップＣでは、図４に示すように、下側平板１１２と上側平板１１０とを互いに離れる方向に移動させ、前記ステップＢで加えた圧力を開放する。 (Step C)
In Step C, as shown in FIG. 4, the lower flat plate 112 and the upper flat plate 110 are moved away from each other, and the pressure applied in Step B is released.
　（ステップＤ）
　図２（ａ）及び図４に示すように、サンプル１００の中央部をＸ、サンプル１００の圧力を加える前の一辺から中央部Ｘに向かって２ｃｍ移動した箇所をＹとする。サンプル１００の中央部Ｘとは、平面視（図２（ａ）参照）での対角線の交わる位置をいう。
　ステップＤでは、前記ステップＣの後の前記Ｘの厚さＡと前記ステップＣの後の前記Ｙの厚さＢとを測定する。その後、比Ｂ／Ａを算出する。 (Step D)
As shown in FIG. 2A and FIG. 4, let X be the center of the sample 100 and Y be 2 cm from the one side before applying the pressure of the sample 100 toward the center X. The central portion X of the sample 100 refers to a position where diagonal lines intersect in plan view (see FIG. 2A).
In step D, the thickness A of the X after the step C and the thickness B of the Y after the step C are measured. Thereafter, the ratio B / A is calculated.
　以上、比Ｂ／Ａの算出方法について説明した。 The calculation method of the ratio B / A has been described above.
　封止用シート４０は、上述の通り、ステップＡ～ステップＤの手順により算出される前記比Ｂ／Ａが０．７以上である。従って、当該封止用シート４０を用いて、平板プレスにより半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成すれば、封止用シート４０の外周付近においても、樹脂の厚さは充分にあるため、好適に半導体チップを封止することができる。 As described above, in the sealing sheet 40, the ratio B / A calculated by the procedure of Step A to Step D is 0.7 or more. Therefore, if the sealing sheet 40 is used to form a sealing body in which the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet by a flat plate press, the thickness of the resin is also near the outer periphery of the sealing sheet 40. Since it is sufficient, the semiconductor chip can be suitably sealed.
　封止用シート４０は、前記ステップＢの状態における前記Ｘの厚さＡ１と、前記ステップＣの後の前記Ｘの前記厚さＡとの比Ａ／Ａ１が、１．２以下であることが好ましく、１．１以下であることがより好ましい。なお、厚さＡ１は、３００μｍである。また、前記比Ａ／Ａ１は、通常、１以上である。 In the sealing sheet 40, the ratio A / A1 between the thickness A1 of the X in the state of the step B and the thickness A of the X after the step C is 1.2 or less. Preferably, it is 1.1 or less. The thickness A1 is 300 μm. The ratio A / A1 is usually 1 or more.
　前記比Ａ／Ａ１が、１．２以下であると、圧力を開放した後の厚みの弾性回復量が抑制されている。その結果、封止用シート４０の中央部付近と、外周部付近との厚さの差を少なくすることができる。その結果、封止用シート４０の外周付近においても、より好適に半導体チップを封止することができる。 When the ratio A / A1 is 1.2 or less, the elastic recovery amount of the thickness after releasing the pressure is suppressed. As a result, the difference in thickness between the vicinity of the central portion of the sealing sheet 40 and the vicinity of the outer peripheral portion can be reduced. As a result, the semiconductor chip can be more suitably sealed even near the outer periphery of the sealing sheet 40.
　封止用シート４０は、前記ステップＢの状態における前記Ｘの厚さＡ１と、前記ステップＣの後の前記Ｙの前記厚さＢとの比Ｂ／Ａ１が、０．７以上であることが好ましく、０．７３以上であることがより好ましい。また、前記比Ｂ／Ａ１は、通常、１以下である。 In the sealing sheet 40, the ratio B / A1 between the thickness A1 of the X in the state of the step B and the thickness B of the Y after the step C is 0.7 or more. Preferably, it is 0.73 or more. The ratio B / A1 is usually 1 or less.
　前記比Ｂ／Ａ１が、０．７以上であると、平板プレスでの圧力により面方向外側に流れる樹脂（封止用シートを構成する樹脂）の量が抑制されているといえる。従って、封止用シート４０の外周付近においても、さらに好適に半導体チップを封止することができる。 When the ratio B / A1 is 0.7 or more, it can be said that the amount of resin (resin constituting the sealing sheet) flowing outward in the surface direction is suppressed by the pressure in the flat plate press. Therefore, the semiconductor chip can be more preferably sealed even near the outer periphery of the sealing sheet 40.
　封止用シート４０は、前記ステップＣの後において、前記Ｙから前記サンプルの外周までの幅Ｚ（図４参照）が２．５ｃｍ以下であることが好ましく、１．５ｃｍ以下であることがより好ましい。 In the sealing sheet 40, after Step C, a width Z (see FIG. 4) from the Y to the outer periphery of the sample is preferably 2.5 cm or less, more preferably 1.5 cm or less. preferable.
　前記ステップＣの後において、前記Ｙからサンプル１００の外周までの幅が２．５ｃｍ以下であると、平板プレスでの圧力により面方向外側に流れる樹脂（封止用シートを構成する樹脂）の量がより抑制されているといえる。 After the step C, if the width from the Y to the outer periphery of the sample 100 is 2.5 cm or less, the amount of resin (resin constituting the sealing sheet) that flows outward in the plane direction by the pressure in the flat plate press It can be said that is suppressed more.
　封止用シート４０は、９０℃での粘度が３５００Ｐａ・ｓ～５Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましく、２５００～２０Ｐａ・ｓの範囲内であることがより好ましく、２０００～３５Ｐａ・ｓの範囲内であることがさらに好ましい。封止用シート４０の前記粘度が前記数値範囲内にあると、前記比Ｂ／Ａを０．７以上１以下とし易い。
　封止用シート４０の９０℃での粘度は、例えば、熱可塑性樹脂の種類や、無機充填剤フィラーの含有量等によりコントロールすることができる。 The sealing sheet 40 preferably has a viscosity at 90 ° C. of 3500 Pa · s to 5 Pa · s, more preferably 2500 to 20 Pa · s, and 2000 to 35 Pa · s. More preferably, it is within the range. When the viscosity of the sealing sheet 40 is within the numerical range, the ratio B / A is easily set to 0.7 or more and 1 or less.
The viscosity at 90 ° C. of the sealing sheet 40 can be controlled by, for example, the type of thermoplastic resin, the content of inorganic filler filler, and the like.
　封止用シート４０の構成材料は、エポキシ樹脂、及び、硬化剤としてのフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。 It is preferable that the constituent material of the sealing sheet 40 includes an epoxy resin and a phenol resin as a curing agent. Thereby, favorable thermosetting is obtained.
　前記エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, dicyclopentadiene type Various epoxy resins such as an epoxy resin, a phenol novolac type epoxy resin, and a phenoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
　エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０～２５０、軟化点もしくは融点が５０～１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。 From the viewpoint of ensuring the toughness of the epoxy resin after curing and the reactivity of the epoxy resin, it is preferable that the epoxy equivalent is 150 to 250 and the softening point or the melting point is 50 to 130 ° C., solid at room temperature. From the viewpoint, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable.
　前記フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。 The phenol resin is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin. For example, a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a biphenyl aralkyl resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a cresol novolak resin, a resole resin, or the like is used. These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more.
　前記フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０～２５０、軟化点が５０～１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。 As the phenol resin, those having a hydroxyl equivalent weight of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C. are preferably used from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, and phenol phenol is particularly preferable from the viewpoint of high curing reactivity. A novolac resin can be suitably used. From the viewpoint of reliability, low hygroscopic materials such as phenol aralkyl resins and biphenyl aralkyl resins can also be suitably used.
　エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７～１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９～１．２当量である。 The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin from the viewpoint of curing reactivity. It is preferable to use 0.9 to 1.2 equivalents.
　封止用シート４０中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２．５重量％以上が好ましく、３．０重量％以上がより好ましい。２．５重量％以上であると、半導体チップ５３に対する接着力が良好に得られる。封止用シート４０中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、吸湿性を低減できる。 The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the sealing sheet 40 is preferably 2.5% by weight or more, and more preferably 3.0% by weight or more. Adhesive force with respect to the semiconductor chip 53 can be obtained satisfactorily when it is 2.5% by weight or more. The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the sealing sheet 40 is preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less. Hygroscopicity can be reduced as it is 20 weight% or less.
　封止用シート４０は、熱可塑性樹脂を含んでもよい。これにより、未硬化時のハンドリング性や、硬化物の低応力性が得られる。 The sealing sheet 40 may include a thermoplastic resin. Thereby, the handleability at the time of non-hardening and the low stress property of hardened | cured material are acquired.
　前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、低応力性、低吸水性という観点から、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体が好ましい。 Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Plastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin, styrene-isobutylene-styrene block copolymer, etc. Is mentioned. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these, a styrene-isobutylene-styrene block copolymer is preferable from the viewpoint of low stress and low water absorption.
　封止用シート４０中の熱可塑性樹脂の含有量は、１．５重量％以上、２．０重量％以上とすることができる。１．５重量％以上であると、柔軟性、可撓性が得られる。封止用シート４０中の熱可塑性樹脂の含有量は、６重量％以下が好ましく、４重量％以下がより好ましい。４重量％以下であると、半導体チップ５３との接着性が良好である。 The content of the thermoplastic resin in the sealing sheet 40 can be 1.5% by weight or more and 2.0% by weight or more. A softness | flexibility and flexibility are acquired as it is 1.5 weight% or more. The content of the thermoplastic resin in the sealing sheet 40 is preferably 6% by weight or less, and more preferably 4% by weight or less. Adhesiveness with the semiconductor chip 53 is favorable as it is 4 weight% or less.
　封止用シート４０は、無機充填剤を含むことが好ましい。 The sealing sheet 40 preferably contains an inorganic filler.
　前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。 The inorganic filler is not particularly limited, and various conventionally known fillers can be used. For example, quartz glass, talc, silica (such as fused silica and crystalline silica), alumina, aluminum nitride, nitriding Examples thereof include silicon and boron nitride powders. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, silica and alumina are preferable, and silica is more preferable because the linear expansion coefficient can be satisfactorily reduced.
　シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。なかでも、平均粒径が１～３０μｍの範囲のものが好ましく、３～２５μｍの範囲のものがより好ましい。
　なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。 As silica, silica powder is preferable, and fused silica powder is more preferable. Examples of the fused silica powder include spherical fused silica powder and crushed fused silica powder. From the viewpoint of fluidity, spherical fused silica powder is preferable. Among these, those having an average particle diameter in the range of 1 to 30 μm are preferred, and those having a mean particle diameter in the range of 3 to 25 μm are more preferred.
The average particle diameter can be derived, for example, by using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.
　封止用シート４０中の前記無機充填剤の含有量は、封止用シート４０全体に対して、７５～９５重量％であることが好ましく、より好ましくは、７８～９５重量％である。前記無機充填剤の含有量が封止用シート４０全体に対して７５重量％以上であると、熱膨張率を低く抑えられることにより，熱衝撃よる機械的な破壊を抑制することができる。一方、前記無機充填剤の含有量が封止用シート４０全体に対して９５重量％以下であると、柔軟性、流動性、接着性がより良好となる。 The content of the inorganic filler in the sealing sheet 40 is preferably 75 to 95% by weight, and more preferably 78 to 95% by weight with respect to the entire sealing sheet 40. When the content of the inorganic filler is 75% by weight or more with respect to the entire sealing sheet 40, the thermal expansion coefficient can be suppressed to be low, so that mechanical breakdown due to thermal shock can be suppressed. On the other hand, when the content of the inorganic filler is 95% by weight or less with respect to the entire sealing sheet 40, flexibility, fluidity, and adhesiveness are improved.
　封止用シート４０は、硬化促進剤を含むことが好ましい。 It is preferable that the sealing sheet 40 includes a curing accelerator.
　硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、混練時の温度上昇によっても硬化反応が急激に進まず、封止用シート４０を良好に作製できるという理由から、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。 The curing accelerator is not particularly limited as long as it can cure the epoxy resin and the phenol resin, and examples thereof include organophosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole. Of these, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole is preferred because the curing reaction does not proceed rapidly even when the temperature during kneading increases, and the sealing sheet 40 can be satisfactorily produced.
　硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１～５重量部が好ましい。 The content of the curing accelerator is preferably 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the epoxy resin and the phenol resin.
　封止用シート４０は、難燃剤成分を含んでいてもよい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。 The sealing sheet 40 may contain a flame retardant component. This can reduce the expansion of combustion when ignition occurs due to component short-circuiting or heat generation. As the flame retardant composition, for example, various metal hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide, complex metal hydroxides; phosphazene flame retardants, etc. should be used. Can do.
　封止用シート４０は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。シランカップリング剤としては特に限定されず、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。 The sealing sheet 40 preferably contains a silane coupling agent. The silane coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane.
　封止用シート４０中のシランカップリング剤の含有量は、０．１～３重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、硬化物の強度が十分得られ吸水率を低くできる。３重量％以下であると、アウトガス量を低くできる。 The content of the silane coupling agent in the sealing sheet 40 is preferably 0.1 to 3% by weight. When the content is 0.1% by weight or more, sufficient strength of the cured product can be obtained and the water absorption rate can be lowered. If it is 3% by weight or less, the outgas amount can be lowered.
　封止用シート４０は、着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。着色された封止用シート４０は、優れたマーキング性を有しているので、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。更に、封止用シート４０は、製品別に色分けすることも可能である。封止用シート４０を有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。 The sealing sheet 40 is preferably colored. Thereby, excellent marking properties and appearance can be exhibited, and a semiconductor device having an added-value appearance can be obtained. Since the colored sealing sheet 40 has excellent marking properties, it can be marked to give various information such as character information and graphic information. In particular, by controlling the coloring color, it is possible to visually recognize information (character information, graphic information, etc.) given by marking with excellent visibility. Furthermore, the sealing sheet 40 can be color-coded for each product. When the sealing sheet 40 is colored (when it is colorless and not transparent), it is not particularly limited as a color exhibited by coloring, but is preferably a dark color such as black, blue, red, etc. It is suitable that it is black.
　封止用シート４０を着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。 When the sealing sheet 40 is colored, a coloring material (coloring agent) can be used according to the target color. As such a color material, various dark color materials such as a black color material, a blue color material, and a red color material can be suitably used, and a black color material is particularly suitable. As the color material, any of a pigment, a dye and the like may be used. Color materials can be used alone or in combination of two or more. As the dye, any form of dyes such as acid dyes, reactive dyes, direct dyes, disperse dyes, and cationic dyes can be used. Also, the form of the pigment is not particularly limited, and can be appropriately selected from known pigments.
　なお、封止用シート４０には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。 In addition to the above components, other additives can be appropriately added to the sealing sheet 40 as necessary.
　封止用シート４０の厚さは、特に限定されないが、封止用シートとして使用する観点、及び、埋め込み工程（後述する工程Ｄ）後に半導体チップ５３を好適に埋め込みできる観点から、例えば、５０μｍ～２０００μｍ、好ましくは、７０μｍ～１２００μｍ、より好ましくは１００μｍ～７００μｍとすることができる。 The thickness of the sealing sheet 40 is not particularly limited. For example, from the viewpoint of using as a sealing sheet and from the viewpoint of suitably embedding the semiconductor chip 53 after the embedding process (process D described later), for example, 50 μm to The thickness may be 2000 μm, preferably 70 μm to 1200 μm, more preferably 100 μm to 700 μm.
　封止用シート４０の製造方法は特に限定されないが、封止用シート４０を形成するための樹脂組成物の混練物を調製し、得られた混練物を塗工する方法や、得られた混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、溶剤を使用せずに封止用シート４０を作製できるので、半導体チップ５３が揮発した溶剤により影響を受けることを抑制することができる。 Although the manufacturing method of the sealing sheet 40 is not particularly limited, a method of preparing a kneaded product of the resin composition for forming the sealing sheet 40 and coating the obtained kneaded product, or the obtained kneading A method of plastically processing an object into a sheet is preferable. Thereby, since the sheet | seat 40 for sealing can be produced without using a solvent, it can suppress that the semiconductor chip 53 is influenced by the solvent which volatilized.
　具体的には、各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を塗工又は塑性加工によりシート状にする。混練条件として、温度は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０～１５０℃、エポキシ樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０～１４０℃、さらに好ましくは６０～１２０℃である。時間は、例えば１～３０分間、好ましくは５～１５分間である。 Specifically, a kneaded material is prepared by melt-kneading each component with a known kneader such as a mixing roll, a pressure kneader, or an extruder, and the obtained kneaded material is formed into a sheet by coating or plastic working. To do. As the kneading conditions, the temperature is preferably equal to or higher than the softening point of each component described above, for example, 30 to 150 ° C., and preferably 40 to 140 ° C., more preferably 60 to 120 in consideration of the thermosetting property of the epoxy resin. ° C. The time is, for example, 1 to 30 minutes, preferably 5 to 15 minutes.
　混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましい。これにより、脱気できるとともに、混練物への気体の侵入を防止できる。減圧条件下の圧力は、好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ２以下、より好ましくは０．０５ｋｇ／ｃｍ２以下である。減圧下の圧力の下限は特に限定されないが、例えば、１×１０－４ｋｇ／ｃｍ２以上である。 The kneading is preferably performed under reduced pressure conditions (under reduced pressure atmosphere). Thereby, while being able to deaerate, the penetration | invasion of the gas to a kneaded material can be prevented. The pressure under reduced pressure is preferably 0.1 kg / cm 2 or less, more preferably 0.05 kg / cm 2 or less. The lower limit of the pressure under reduced pressure is not particularly limited, but is, for example, 1 × 10 −4 kg / cm 2 or more.
　混練物を塗工して封止用シート４０を形成する場合、溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塗工することが好ましい。塗工方法としては特に制限されず、バーコート法、ナイフコート法，スロットダイ法等を挙げることができる。塗工時の温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０～１５０℃、好ましくは５０～１４０℃、さらに好ましくは７０～１２０℃である。 When the kneaded material is applied to form the sealing sheet 40, the kneaded material after melt-kneading is preferably applied in a high temperature state without cooling. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include a bar coating method, a knife coating method, and a slot die method. The temperature at the time of coating is preferably not less than the softening point of each component described above, and considering the thermosetting property and moldability of the epoxy resin, for example, 40 to 150 ° C., preferably 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C.
　混練物を塑性加工して封止用シート４０を形成する場合、溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などなどが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０～１５０℃、好ましくは５０～１４０℃、さらに好ましくは７０～１２０℃である。 When the kneaded material is plastically processed to form the sealing sheet 40, it is preferable that the kneaded material after melt-kneading is plastically processed in a high temperature state without cooling. The plastic working method is not particularly limited, and examples thereof include a flat plate pressing method, a T-die extrusion method, a screw die extrusion method, a roll rolling method, a roll kneading method, an inflation extrusion method, a coextrusion method, and a calendar molding method. The plastic working temperature is preferably not less than the softening point of each component described above, and is 40 to 150 ° C., preferably 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C. in consideration of the thermosetting property and moldability of the epoxy resin. is there.
　なお、封止用シート４０は、適当な溶剤に封止用シート４０を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスを塗工して得ることもできる。 The sealing sheet 40 can be obtained by dissolving and dispersing a resin or the like for forming the sealing sheet 40 in an appropriate solvent to adjust the varnish and coating the varnish.
　（半導体装置の製造方法）
　本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図５～図１２を参照しながら以下に説明する。図５～図１２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。以下ではまず、いわゆるＦａｎ－ｏｕｔ（ファンアウト）型ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）と呼称される半導体装置の製造方法について説明する。 (Method for manufacturing semiconductor device)
A method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described below with reference to FIGS. 5 to 12 are schematic sectional views for explaining the method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment. In the following, a method of manufacturing a semiconductor device called a so-called Fan-out (fan-out) wafer level package (WLP) will be described first.
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
　半導体チップが仮固定材上に仮固定された積層体を準備する工程Ａと、
　封止用シートを準備する工程Ｂと、
　前記封止用シートを前記積層体の前記半導体チップ上に配置する工程Ｃと、
　前記半導体チップを前記封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Ｄとを少なくとも含む。 The manufacturing method of the semiconductor device according to this embodiment is as follows:
Preparing a laminate in which a semiconductor chip is temporarily fixed on a temporary fixing material; and
Step B for preparing a sealing sheet;
A step C of disposing the sealing sheet on the semiconductor chip of the laminate;
And a step D of embedding the semiconductor chip in the sealing sheet and forming a sealing body in which the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet.
　［積層体準備工程］
　図５に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、半導体チップ５３が仮固定材６０上に仮固定された積層体５０を準備する（工程Ａ）。積層体５０は、例えば、以下の仮固定材準備工程と半導体チップ仮固定工程とにより得られる。 [Laminated body preparation process]
As shown in FIG. 5, in the method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment, first, a stacked body 50 in which a semiconductor chip 53 is temporarily fixed on a temporary fixing material 60 is prepared (step A). The laminated body 50 is obtained, for example, by the following temporary fixing material preparation step and semiconductor chip temporary fixing step.
　＜仮固定材準備工程＞
　仮固定材準備工程では、支持基材６０ｂ上に熱膨張性粘着剤層６０ａが積層された仮固定材６０を準備する（図５参照）。なお、熱膨張性粘着剤層に代えて、放射線硬化型粘着剤層を用いることもできる。本実施形態では、熱膨張性粘着剤層を備える仮固定材６０について説明する。ただし、支持基材上に熱膨張性粘着剤層が積層された仮固定材については、特開２０１４－０１５４９０号公報等に詳細に記載されているので、以下では、簡単に説明することとする。 <Temporary fixing material preparation process>
In the temporary fixing material preparation step, a temporary fixing material 60 in which a thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a is laminated on a support base material 60b is prepared (see FIG. 5). In addition, it can replace with a thermally expansible adhesive layer, and can also use a radiation curing type adhesive layer. In the present embodiment, a temporary fixing material 60 including a thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer will be described. However, the temporary fixing material in which the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the support base material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-015490, etc., and will be briefly described below. .
　（熱膨張性粘着剤層）
　熱膨張性粘着剤層６０ａは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分（特にベースポリマー）としては、アクリル系ポリマー（「アクリルポリマーＡ」と称する場合がある）を好適に用いることができる。アクリルポリマーＡとしては、（メタ）アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓｅｃ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１～３０、特に炭素数４～１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）などが挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステルは単独で又は２種以上を併用してもよい。 (Thermal expansion adhesive layer)
The thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a can be formed of a pressure-sensitive adhesive composition containing a polymer component and a foaming agent. As the polymer component (particularly the base polymer), an acrylic polymer (sometimes referred to as “acrylic polymer A”) can be suitably used. Examples of the acrylic polymer A include those using (meth) acrylic acid ester as a main monomer component. Examples of the (meth) acrylic acid ester include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, sec-butyl ester, t-butyl ester, Pentyl ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, Linear or branched alkyl ester having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of an alkyl group such as hexadecyl ester, octadecyl ester or eicosyl ester Le etc.) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.) and the like. These (meth) acrylic acid esters may be used alone or in combination of two or more.
　なお、前記アクリルポリマーＡは、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の単量体成分に対応する単位を含んでいてもよい。 The acrylic polymer A corresponds to other monomer components that can be copolymerized with the (meth) acrylic acid ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive strength, heat resistance, crosslinkability, and the like. Units may be included.
　アクリルポリマーＡの重量平均分子量は、特に制限されないが、好ましくは３５万～１００万、更に好ましくは４５万～８０万程度である。 The weight average molecular weight of the acrylic polymer A is not particularly limited, but is preferably 350,000 to 1,000,000, more preferably about 450,000 to 800,000.
　熱膨張性粘着剤層６０ａは、前述のように、熱膨張性を付与するための発泡剤を含有している。そのため、仮固定材６０の熱膨張性粘着剤層６０ａ上に封止体５８が形成された状態で（図８参照）、任意な時に仮固定材６０を少なくとも部分的に加熱して、該加熱された熱膨張性粘着剤層６０ａの部分に含有されている発泡剤を発泡及び／又は膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層６０ａが少なくとも部分的に膨張し、この熱膨張性粘着剤層６０ａの少なくとも部分的な膨張により、該膨張した部分に対応した粘着面（封止体５８との界面）が凹凸状に変形して、該熱膨張性粘着剤層６０ａと封止体５８との接着面積が減少し、これにより、両者間の接着力が減少し、封止体５８を仮固定材６０から剥離させることができる（図９参照）。 As described above, the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a contains a foaming agent for imparting heat-expandability. Therefore, in a state where the sealing body 58 is formed on the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a of the temporary fixing material 60 (see FIG. 8), the temporary fixing material 60 is at least partially heated at any time, and the heating is performed. By expanding and / or expanding the foaming agent contained in the portion of the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a, the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a is at least partially expanded, and this heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer Due to at least partial expansion of 60a, the pressure-sensitive adhesive surface (interface with the sealing body 58) corresponding to the expanded portion is deformed into an uneven shape, and the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a and the sealing body 58 are deformed. The adhesion area is reduced, whereby the adhesion force between the two is reduced, and the sealing body 58 can be peeled from the temporary fixing material 60 (see FIG. 9).
　（発泡剤）
　熱膨張性粘着剤層６０ａにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。 (Foaming agent)
The foaming agent used in the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a is not particularly limited, and can be appropriately selected from known foaming agents. A foaming agent can be used individually or in combination of 2 or more types. As the foaming agent, thermally expandable microspheres can be suitably used.
　（熱膨張性微小球）
　熱膨張性微小球としては、特に制限されず、公知の熱膨張性微小球（種々の無機系熱膨張性微小球や、有機系熱膨張性微小球など）から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、混合操作が容易である観点などより、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。 (Thermally expandable microsphere)
The heat-expandable microsphere is not particularly limited, and can be appropriately selected from known heat-expandable microspheres (such as various inorganic heat-expandable microspheres and organic heat-expandable microspheres). As the thermally expandable microspheres, a microencapsulated foaming agent can be suitably used from the viewpoint of easy mixing operation. Examples of such thermally expandable microspheres include microspheres in which substances such as isobutane, propane, and pentane that are easily gasified and expanded by heating are encapsulated in an elastic shell. The shell is often formed of a hot-melt material or a material that is destroyed by thermal expansion. Examples of the substance forming the shell include vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone.
　熱膨張性粘着剤層の厚さは、特に制限されず、接着力の低減性などにより適宜に選択することができ、例えば、５μｍ～３００μｍ（好ましくは２０μｍ～１５０μｍ）程度である。 The thickness of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the reduction in adhesive strength, and is, for example, about 5 μm to 300 μm (preferably 20 μm to 150 μm).
　なお、熱膨張性粘着剤層は単層、複層の何れであってもよい。 The thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer may be either a single layer or multiple layers.
　本実施形態では、熱膨張性粘着剤層には、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。 In the present embodiment, the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer has various additives (for example, a colorant, a thickener, a bulking agent, a filler, a tackifier, a plasticizer, an anti-aging agent, an antioxidant, and a surfactant. Agent, cross-linking agent, etc.).
　（支持基材）
　支持基材６０ｂは、仮固定材６０の強度母体となる薄板状部材である。支持基材６０ｂの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料、ガラスやシリコンウェハ等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、ＳＵＳプレートが好ましい。 (Supporting substrate)
The support base material 60 b is a thin plate member that serves as a strength matrix of the temporary fixing material 60. What is necessary is just to select suitably considering the handleability, heat resistance, etc. as a material of the support base material 60b, for example, plastic materials, such as metal materials, such as SUS, polyimide, polyamide imide, polyether ether ketone, polyether sulfone, Glass, a silicon wafer, or the like can be used. Among these, a SUS plate is preferable from the viewpoints of heat resistance, strength, reusability, and the like.
　支持基材６０ｂの厚さは目的とする強度や取り扱い性を考慮して適宜選択することができ、好ましくは１００～５０００μｍであり、より好ましくは３００～２０００μｍである。 The thickness of the support substrate 60b can be appropriately selected in consideration of the intended strength and handleability, and is preferably 100 to 5000 μm, more preferably 300 to 2000 μm.
　（仮固定材の形成方法）
　仮固定材６０は、支持基材６０ｂ上に熱膨張性粘着剤層６０ａを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤と、発泡剤（熱膨張性微小球など）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤（熱膨張性微小球など）、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持基材６０ｂ上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持基材６０ｂ上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。 (Method for forming temporary fixing material)
The temporary fixing material 60 is obtained by forming the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a on the support base material 60b. The heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is formed into a sheet-like layer by mixing, for example, a pressure-sensitive adhesive, a foaming agent (such as heat-expandable microspheres), and a solvent or other additives as necessary. It can be formed using conventional methods. Specifically, for example, a method of applying a mixture containing a pressure-sensitive adhesive, a foaming agent (such as thermally expandable microspheres), and, if necessary, a solvent and other additives onto the support substrate 60b, an appropriate separator The heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is formed by, for example, a method of applying the mixture on a release paper or the like to form a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer and transferring (transferring) the mixture onto the support substrate 60b. be able to.
　（熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法）
　本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱により熱膨張させることができる。加熱処理方法としては、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、熱膨張性粘着剤層中の発泡剤（熱膨張性微小球など）の発泡開始温度（熱膨張開始温度）以上であればよいが、加熱処理の条件は、発泡剤（熱膨張性微小球など）の種類等による接着面積の減少性、支持基材、半導体チップを含む封止体等の耐熱性、加熱方法（熱容量、加熱手段等）などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度１００℃～２５０℃で、１秒間～９０秒間（ホットプレートなど）または５分間～１５分間（熱風乾燥機など）である。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱処理時の熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。 (Thermal expansion method of the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer)
In the present embodiment, the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer can be thermally expanded by heating. As the heat treatment method, for example, an appropriate heating means such as a hot plate, a hot air dryer, a near infrared lamp, an air dryer or the like can be used. The heating temperature during the heat treatment may be equal to or higher than the foaming start temperature (thermal expansion start temperature) of the foaming agent (thermally expansible microspheres, etc.) in the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer. It can be set as appropriate depending on the reduction of the adhesion area depending on the type of the agent (thermally expansible microspheres, etc.), the heat resistance of the support including the sealing material including the semiconductor chip, the heating method (heat capacity, heating means, etc.), and the like. Typical heat treatment conditions are a temperature of 100 ° C. to 250 ° C., and a time of 1 second to 90 seconds (hot plate or the like) or 5 minutes to 15 minutes (hot air dryer or the like). Note that the heat treatment can be performed at an appropriate stage depending on the purpose of use. In some cases, an infrared lamp or heated water can be used as the heat source during the heat treatment.
　＜半導体チップ仮固定工程＞
　半導体チップ仮固定工程では、準備した仮固定材６０上に複数の半導体チップ５３をその回路形成面５３ａが仮固定材６０に対向するように配置し、仮固定する（図５参照）。半導体チップ５３の仮固定には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。 <Semiconductor chip temporary fixing process>
In the semiconductor chip temporary fixing step, a plurality of semiconductor chips 53 are arranged on the prepared temporary fixing material 60 so that the circuit forming surface 53a faces the temporary fixing material 60 and temporarily fixed (see FIG. 5). A known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used for temporarily fixing the semiconductor chip 53.
　半導体チップ５３の配置のレイアウトや配置数は、仮固定材６０の形状やサイズ、目的とするパッケージの生産数などに応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて配置することができる。積層体５０（仮固定材６０）の平面視での形状及びサイズとしては、特に限定されないが、例えば、各辺の長さがそれぞれ３００ｍｍ以上の矩形や、各辺の長さがそれぞれ５００ｍｍ以上の矩形とすることができる。以上、積層体準備工程の一例を示した。 The layout and the number of arrangement of the semiconductor chips 53 can be appropriately set according to the shape and size of the temporary fixing material 60, the number of target packages produced, and the like. Can be arranged in a line. The shape and size of the laminated body 50 (temporary fixing material 60) in plan view are not particularly limited. For example, each side has a length of 300 mm or more, or each side has a length of 500 mm or more. It can be rectangular. Heretofore, an example of the laminate preparation process has been shown.
　［封止用シートを準備する工程］
　また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、図１に示すように、封止用シート４０を準備する（工程Ｂ）。封止用シート４０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの剥離ライナー４１上に積層された状態で準備してもよい。 [Step of preparing a sealing sheet]
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, a sealing sheet 40 is prepared (step B). The sealing sheet 40 may be prepared in a state of being laminated on a release liner 41 such as a polyethylene terephthalate (PET) film.
　［封止用シートと積層体とを配置する工程］
　封止用シートを準備する工程の後、図６に示すように、下側加熱板６２上に積層体５０を半導体チップ５３が仮固定された面を上にして配置するとともに、積層体５０の半導体チップ５３が仮固定された面上に封止用シート４０を配置する（工程Ｃ）。この工程においては、下側加熱板６２上にまず積層体５０を配置し、その後、積層体５０上に封止用シート４０を配置してもよく、積層体５０上に封止用シート４０を先に積層し、その後、積層体５０と封止用シート４０とが積層された積層物を下側加熱板６２上に配置してもよい。 [Step of arranging sealing sheet and laminate]
After the step of preparing the sealing sheet, as shown in FIG. 6, the stacked body 50 is disposed on the lower heating plate 62 with the surface on which the semiconductor chip 53 is temporarily fixed facing upward. The sealing sheet 40 is disposed on the surface on which the semiconductor chip 53 is temporarily fixed (Step C). In this step, the laminated body 50 may be first disposed on the lower heating plate 62, and then the sealing sheet 40 may be disposed on the laminated body 50, and the sealing sheet 40 may be disposed on the laminated body 50. A laminate in which the laminate 50 and the sealing sheet 40 are laminated may be disposed on the lower heating plate 62 after being laminated first.
　［封止体を形成する工程］
　次に、図７に示すように、下側加熱板６２と上側加熱板６４とにより熱プレスして、半導体チップ５３を封止用シート４０に埋め込み、半導体チップ５３が封止用シート４０に埋め込まれた封止体５８を形成する（工程Ｄ）。封止用シート４０は、半導体チップ５３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。これにより、仮固定材６０上に仮固定されている半導体チップ５３が封止用シート４０に埋め込まれた封止体５８が得られる。 [Step of forming sealing body]
Next, as shown in FIG. 7, heat pressing is performed by the lower heating plate 62 and the upper heating plate 64 so that the semiconductor chip 53 is embedded in the sealing sheet 40, and the semiconductor chip 53 is embedded in the sealing sheet 40. The sealed body 58 is formed (step D). The sealing sheet 40 functions as a sealing resin for protecting the semiconductor chip 53 and its accompanying elements from the external environment. Thereby, the sealing body 58 in which the semiconductor chip 53 temporarily fixed on the temporary fixing material 60 is embedded in the sealing sheet 40 is obtained.
　具体的に、半導体チップ５３を封止用シート４０に埋め込む際の熱プレス条件としては、温度が、好ましくは４０～１５０℃、より好ましくは６０～１２０℃であり、圧力が、例えば、０．１～１０ＭＰａ、好ましくは０．５～８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３～１０分間、好ましくは０．５～５分間である。また、熱プレス方法としては、平行平板プレスやロールプレスが挙げられる。なかでも、平行平板プレスが好ましい。
　ここで、本実施形態では、前記比Ｂ／Ａが０．７以上である封止用シート４０を用いている。従って、当該封止用シート４０を用いて、平板プレスにより半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成すれば、封止用シート４０の外周付近においても、樹脂の厚さは充分にあるため、好適に半導体チップ５３を封止することができる。 Specifically, as the hot press conditions for embedding the semiconductor chip 53 in the sealing sheet 40, the temperature is preferably 40 to 150 ° C., more preferably 60 to 120 ° C., and the pressure is, for example, 0. The pressure is 1 to 10 MPa, preferably 0.5 to 8 MPa, and the time is, for example, 0.3 to 10 minutes, preferably 0.5 to 5 minutes. Examples of the hot pressing method include a parallel plate press and a roll press. Of these, a parallel plate press is preferable.
Here, in this embodiment, the sheet | seat 40 for sealing whose said ratio B / A is 0.7 or more is used. Therefore, if the sealing sheet 40 is used to form a sealing body in which the semiconductor chip is embedded in the sealing sheet by a flat plate press, the thickness of the resin is also near the outer periphery of the sealing sheet 40. Since it is sufficient, the semiconductor chip 53 can be suitably sealed.
　これにより、半導体チップ５３が封止用シート４０に埋め込まれた半導体装置を得ることができる。また、封止用シート４０の半導体チップ５３及び仮固定材６０への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
　前記減圧条件としては、圧力が、例えば、０．１～５ｋＰａ、好ましくは、０．１～１００Ｐａであり、減圧保持時間（減圧開始からプレス開始までの時間）が、例えば、５～６００秒であり、好ましくは、１０～３００秒である。 Thereby, a semiconductor device in which the semiconductor chip 53 is embedded in the sealing sheet 40 can be obtained. Further, in consideration of improvement in adhesion and followability of the sealing sheet 40 to the semiconductor chip 53 and the temporary fixing material 60, it is preferable to press under reduced pressure conditions.
As the pressure reducing conditions, the pressure is, for example, 0.1 to 5 kPa, preferably 0.1 to 100 Pa, and the reduced pressure holding time (the time from the start of pressure reduction to the start of pressing) is, for example, 5 to 600 seconds. Yes, preferably 10 to 300 seconds.
　［剥離ライナー剥離工程］
　次に、剥離ライナー４１を剥離する（図８参照）。 [Release liner peeling process]
Next, the release liner 41 is peeled (see FIG. 8).
　［熱硬化工程］
　次に、封止用シート４０を熱硬化させる。具体的には、例えば、仮固定材６０上に仮固定されている半導体チップ５３が封止用シート４０に埋め込まれた封止体５８全体を加熱する。 [Thermosetting process]
Next, the sealing sheet 40 is thermally cured. Specifically, for example, the entire sealing body 58 in which the semiconductor chip 53 temporarily fixed on the temporary fixing material 60 is embedded in the sealing sheet 40 is heated.
　熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。 As the conditions for the thermosetting treatment, the heating temperature is preferably 100 ° C or higher, more preferably 120 ° C or higher. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The heating time is preferably 10 minutes or more, more preferably 30 minutes or more. On the other hand, the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less. Moreover, you may pressurize as needed, Preferably it is 0.1 Mpa or more, More preferably, it is 0.5 Mpa or more. On the other hand, the upper limit is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less.
　［熱膨張性粘着剤層剥離工程］
　次に、図９に示すように、仮固定材６０を加熱して熱膨張性粘着剤層６０ａを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層６０ａと封止体５８との間で剥離を行う。あるいは、支持基材６０ｂと熱膨張性粘着剤層６０ａとの界面で剥離を行い、その後、熱膨張性粘着剤層６０ａと封止体５８との界面で熱膨張による剥離を行うという手順も好適に採用することができる。いずれも場合であっても、熱膨張性粘着剤層６０ａ加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層６０ａと封止体５８との界面での剥離を容易に行うことができる。熱膨張の条件としては、上述の「熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法」の欄の条件を好適に採用することができる。特に、熱膨張性粘着剤層は、前記熱硬化工程における加熱では剥離せず、この熱膨張性粘着剤層剥離工程における加熱において剥離する構成であることが好ましい。 [Heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer peeling step]
Next, as shown in FIG. 9, the temporary fixing material 60 is heated to thermally expand the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60 a, thereby peeling between the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60 a and the sealing body 58. Do. Alternatively, a procedure in which peeling is performed at the interface between the support base 60b and the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a and then peeling is performed by thermal expansion at the interface between the thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a and the sealing body 58 is also suitable. Can be adopted. In either case, the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a is heated and thermally expanded to reduce the adhesive force, thereby easily peeling at the interface between the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer 60a and the sealing body 58. Can be done. As the conditions for thermal expansion, the conditions in the above-mentioned column “Thermal expansion method for thermally expandable pressure-sensitive adhesive layer” can be preferably employed. In particular, it is preferable that the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer has a structure that does not peel off by heating in the thermosetting step but peels off by heating in the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer peeling step.
　［封止用シートを研削する工程］
　次に、必要に応じて、図１０に示すように、封止体５８の封止用シート４０を研削して半導体チップ５３の裏面５３ｃを表出させる。封止用シート４０を研削する方法としては、特に限定されず、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法を挙げることができる。 [Process of grinding sealing sheet]
Next, as necessary, as shown in FIG. 10, the sealing sheet 40 of the sealing body 58 is ground to expose the back surface 53 c of the semiconductor chip 53. The method for grinding the sealing sheet 40 is not particularly limited, and examples thereof include a grinding method using a grindstone that rotates at high speed.
　（再配線形成工程）
　本実施形態ではさらに、封止体５８の半導体チップ５３の回路形成面５３ａに再配線６９を形成する再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記仮固定材６０の剥離後、上記露出した半導体チップ５３と接続する再配線６９を封止体５８上に形成する（図１１参照）。 (Rewiring process)
In the present embodiment, it is preferable to further include a rewiring forming step of forming a rewiring 69 on the circuit forming surface 53 a of the semiconductor chip 53 of the sealing body 58. In the rewiring forming step, after the temporary fixing material 60 is peeled off, a rewiring 69 connected to the exposed semiconductor chip 53 is formed on the sealing body 58 (see FIG. 11).
　再配線の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ５３上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線６９を形成することができる。 As a method of forming the rewiring, for example, a metal seed layer is formed on the exposed semiconductor chip 53 by using a known method such as a vacuum film forming method, and the rewiring is performed by a known method such as a semi-additive method. Wiring 69 can be formed.
　かかる後に、再配線６９及び封止体５８上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。 Thereafter, an insulating layer such as polyimide or PBO may be formed on the rewiring 69 and the sealing body 58.
　（バンプ形成工程）
　次いで、形成した再配線６９上にバンプ６７を形成するバンピング加工を行ってもよい（図１１参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。 (Bump formation process)
Next, bumping processing for forming bumps 67 on the formed rewiring 69 may be performed (see FIG. 11). The bumping process can be performed by a known method such as a solder ball or solder plating.
　（ダイシング工程）
　最後に、半導体チップ５３、封止用シート４０及び再配線６９などの要素からなる積層体のダイシングを行う（図１２参照）。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体装置５９を得ることができる。 (Dicing process)
Finally, dicing is performed on the laminated body including elements such as the semiconductor chip 53, the sealing sheet 40, and the rewiring 69 (see FIG. 12). Thereby, the semiconductor device 59 in which the wiring is drawn outside the chip region can be obtained.
　上述した実施形態では、「積層体」が、「半導体チップ５３が仮固定材６０上に仮固定された積層体５０」である場合について説明した。しかしながら、本発明における「積層体」は、この例に限定されず、ある程度の強度を有する支持体に半導体チップが固定されたものであればよい。すなわち、「積層体」が、「半導体チップが支持体上に固定された積層体」であればよい。本発明における「積層体」の他の例としては、例えば、「半導体チップが半導体ウエハの回路形成面にフリップチップボンディングされた積層体」（いわゆる、チップオンウエハ）や、「半導体チップが有機基板に搭載された積層体」を挙げることができる。 In the above-described embodiment, the case where the “laminated body” is “the laminated body 50 in which the semiconductor chip 53 is temporarily fixed on the temporary fixing material 60” has been described. However, the “laminate” in the present invention is not limited to this example, and any semiconductor chip may be fixed to a support having a certain degree of strength. That is, the “laminate” may be “a laminate in which a semiconductor chip is fixed on a support”. Other examples of the “laminated body” in the present invention include, for example, “a laminated body in which a semiconductor chip is flip-chip bonded to a circuit forming surface of a semiconductor wafer” (so-called chip-on-wafer), and “a semiconductor chip is an organic substrate. Can be mentioned.
　以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist. In each example, all parts are based on weight unless otherwise specified.
　実施例１～２で使用した成分について説明する。
　エポキシ樹脂１：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ－８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｐ．軟化点８０℃）
　フェノール樹脂１：明和化成社製のＭＥＨ－７８５１－ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
　熱可塑性樹脂１：三菱レイヨン株式会社製のＪ－５８００（アクリルゴム系応力緩和剤）
　無機充填剤１：電気化学社製のＦＢ－９４５４ＦＣ（フィラー）
　シランカップリング剤１：信越化学社製のＫＢＭ－４０３（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
　顔料１（カーボンブラック）：三菱化学社製の＃２０（粒子径５０ｎｍ）
　硬化促進剤１：四国化成工業社製の２ＰＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール） The components used in Examples 1 and 2 will be described.
Epoxy resin 1: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / ep. Softening point 80 ° C.)
Phenol resin 1: MEH-7851-SS manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl group equivalent 203 g / eq. Softening point 67 ° C.)
Thermoplastic resin 1: J-5800 manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (acrylic rubber-based stress relaxation agent)
Inorganic filler 1: FB-9454FC (filler) manufactured by Denki Kagaku
Silane coupling agent 1: KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Pigment 1 (carbon black): Mitsubishi Chemical Corporation # 20 (particle size 50 nm)
Curing accelerator 1: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
　（実施例１）
　＜封止用シートの作製＞
　　表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ４００μｍの封止用シートＡを作製した。 (Example 1)
<Preparation of sealing sheet>
According to the blending ratio shown in Table 1, each component was blended, kneaded and then sheeted to prepare a sealing sheet A having a thickness of 400 μm.
　（実施例２）
　＜封止用シートの作製＞
　　表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ４００μｍの封止用シートＢを作製した。 (Example 2)
<Preparation of sealing sheet>
According to the blending ratio shown in Table 1, each component was blended, kneaded and then sheeted to prepare a sealing sheet B having a thickness of 400 μm.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　（実施例３）
　＜封止用シートの作製＞
　下記の［実施例３の配合］の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ４００μｍの封止用シートＣを作製した。
　［実施例３の配合］
　エポキシ樹脂１（新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ－８０ＸＹ）：３４．９部
　エポキシ樹脂２（三菱化学社製の８２８）：３３．８部
　フェノール樹脂２（明和化成社製のＭＥＨ－７５００－３Ｓ）：３１．３部
　無機充填剤２（電気化学工業（株）製のＦＢ－５ＳＤＣ）：５４２．３部
　無機充填剤３（株式会社アドマテック製のＳＯ－２５Ｒ（球状シリカ））：１４４．２部
　シランカップリング剤１（信越化学社製のＫＢＭ－４０３）：０．７部
　顔料１（三菱化学社製の＃２０）：２．４部
　硬化促進剤１（四国化成工業社製の２ＰＨＺ－ＰＷ）：１．０部 (Example 3)
<Preparation of sealing sheet>
Each component was blended and kneaded according to the blending ratio of [Composition of Example 3] below, and kneaded to prepare a sheet C for sealing having a thickness of 400 μm.
[Formulation of Example 3]
Epoxy resin 1 (YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.): 34.9 parts Epoxy resin 2 (828 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation): 33.8 parts Phenol resin 2 (MEH-7500 manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) -3S): 31.3 parts Inorganic filler 2 (FB-5SDC manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.): 542.3 parts Inorganic filler 3 (SO-25R (spherical silica) manufactured by Admatech Co., Ltd.): 144 .2 parts Silane coupling agent 1 (KBM-403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.7 parts Pigment 1 (# 20 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation): 2.4 parts Curing accelerator 1 (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 2PHZ-PW): 1.0 part
　比較例１～２で使用した成分について説明する。
　エポキシ樹脂１：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ－８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｐ．軟化点８０℃）
　フェノール樹脂１：明和化成社製のＭＥＨ－７８５１－ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
　熱可塑性樹脂１：三菱レイヨン株式会社製のＪ－５８００（アクリルゴム系応力緩和剤）
　無機充填剤１：電気化学社製のＦＢ－９４５４ＦＣ（フィラー）
　シランカップリング剤１：信越化学社製のＫＢＭ－４０３（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
　顔料１（カーボンブラック）：三菱化学社製の＃２０（粒子径５０ｎｍ）
　硬化促進剤１：四国化成工業社製の２ＰＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール） The components used in Comparative Examples 1 and 2 will be described.
Epoxy resin 1: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / ep. Softening point 80 ° C.)
Phenol resin 1: MEH-7851-SS manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl group equivalent 203 g / eq. Softening point 67 ° C.)
Thermoplastic resin 1: J-5800 manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (acrylic rubber-based stress relaxation agent)
Inorganic filler 1: FB-9454FC (filler) manufactured by Denki Kagaku
Silane coupling agent 1: KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Pigment 1 (carbon black): Mitsubishi Chemical Corporation # 20 (particle size 50 nm)
Curing accelerator 1: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
　（比較例１）
　＜封止用シートの作製＞
　　表２に記載の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ４００μｍの封止用シートＤを作製した。 (Comparative Example 1)
<Preparation of sealing sheet>
According to the blending ratio shown in Table 2, each component was blended, kneaded, and then formed into a sheet, thereby producing a sealing sheet D having a thickness of 400 μm.
　（比較例２）
　＜封止用シートの作製＞
　　表２に記載の配合比に従い、各成分を配合し、混練りしたのちにシート化することによって、厚さ４００μｍの封止用シートＥを作製した。 (Comparative Example 2)
<Preparation of sealing sheet>
According to the blending ratio shown in Table 2, each component was blended, kneaded, and then formed into a sheet to prepare a sealing sheet E having a thickness of 400 μm.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　＜比Ｂ／Ａ、比Ａ／Ａ１、及び、比Ｂ／Ａ１の算出、幅Ｚの測定＞
　実施例、及び、比較例に係る封止用シートについてステップＡ～ステップＤの手順により、比Ｂ／Ａ、比Ａ／Ａ１、及び、比Ｂ／Ａ１を算出した。 <Calculation of ratio B / A, ratio A / A1, and ratio B / A1, measurement of width Z>
The ratio B / A, the ratio A / A1, and the ratio B / A1 were calculated by the procedures of Step A to Step D for the sealing sheets according to Examples and Comparative Examples.
　（ステップＡ）
　実施例、及び、比較例に係る封止用シートを縦２０ｃｍ×横２０ｃｍのサイズに切り出して、サンプルとした。厚さは、４００μｍである。 (Step A)
The sealing sheets according to Examples and Comparative Examples were cut into a size of 20 cm in length and 20 cm in width and used as samples. The thickness is 400 μm.
　（ステップＢ）
　前記ステップＡで準備したサンプルに厚さ３００μｍになるまで面に垂直な方向に圧力を加えた。このステップでは、下側平板と上側平板とにより面に垂直な方向にのみ圧力を加えた。この際、下側平板と上側平板とは、温度９０℃に設定した。また、加重は２００ｋＮに設定した。また、プレス天板（上側平板）の下降スピードは、プレス装置に付帯している目盛で調整した。具体的には、目盛を５とした。プレス装置は、ミカドテクノス社製の製品名ＶＡＣＵＵＭ　ＡＣＥ　ＶＡ７６－５０５０を使用した。下側平板と上側平板との間に、厚さ３００μｍのスペーサを配置することにより、サンプルに樹脂部分の厚さが３００μｍになるまで面に垂直な方向に圧力を加えた。 (Step B)
Pressure was applied to the sample prepared in step A in a direction perpendicular to the surface until the thickness reached 300 μm. In this step, pressure was applied only in the direction perpendicular to the surface by the lower flat plate and the upper flat plate. At this time, the temperature of the lower flat plate and the upper flat plate was set to 90 ° C. The weight was set to 200 kN. Moreover, the descent speed of the press top plate (upper flat plate) was adjusted with a scale attached to the press device. Specifically, the scale was set to 5. The press machine used was the product name VACUUM ACE VA76-5050 manufactured by Mikado Technos. By placing a spacer having a thickness of 300 μm between the lower flat plate and the upper flat plate, pressure was applied to the sample in a direction perpendicular to the surface until the resin portion had a thickness of 300 μm.
　（ステップＣ）
　ステップＢの後、下側平板と上側平板とを互いに離れる方向に移動させ、前記ステップＢで加えた圧力を開放した。 (Step C)
After Step B, the lower flat plate and the upper flat plate were moved away from each other, and the pressure applied in Step B was released.
　（ステップＤ）
　前記ステップＣの後のサンプルの中央部Ｘの厚さＡと前記ステップＣの後のＹ（サンプルの圧力を加える前の一辺から中央部Ｘに向かって２ｃｍ移動した箇所）の厚さＢとを測定した。その後、比Ｂ／Ａを算出した。結果を表１に示す。
　ここで、厚さＡ１は、３００μｍである。従って、比Ａ／Ａ１、及び、比Ｂ／Ａ１も算出した。結果を表１に示す。
　なお、比較例１は、後述する９０℃での粘度が比較的高いにも関わらず、比Ｂ／Ａが０．６９であった。
　その理由は、下記の通りと考えられる。
　樹脂の流動性は、塑性変形（外部から受けた力を、樹脂を流動させる力に変えて樹脂を外に流すタイプの変形）と弾性変形（外部から受けた力（プレス時に受けた圧力）をz方向（面に垂直方向）に跳ね返すタイプの変形）に二分されると考える。
　粘度が低いほど、圧力がかかった際に塑性変形の影響が強く出る傾向にある。そのため、樹脂が多く外側へ流動し、シートが潰れる。
　一方、粘度が高いほど、圧力がかかった際に弾性変形の影響が強くでる傾向にある。特に、プレス圧力を樹脂流動として塑性変形に変換しづらいシート中央部はバネ弾性のようにシート厚みが回復する。
　比較例１は、粘度が高く弾性変形の影響が強い。そのため、封止用シート端部の樹脂流動も少なからず起きるものの、封止用シート中央部に起きている弾性変形の影響が強く出る。これにより、中央部のシート厚みが弾性回復（スプリングバック）し厚みが厚くなる。以上より、Ｂも少しは小さくなるが、Ａの値も樹脂の弾性回復によって大きくなるため比Ｂ／Ａは、小さくなり、０．６９となったと考えられる。 (Step D)
The thickness A of the central portion X of the sample after the step C and the thickness B of Y after the step C (location moved 2 cm toward the central portion X from one side before applying the pressure of the sample) It was measured. Thereafter, the ratio B / A was calculated. The results are shown in Table 1.
Here, the thickness A1 is 300 μm. Therefore, the ratio A / A1 and the ratio B / A1 were also calculated. The results are shown in Table 1.
In Comparative Example 1, the ratio B / A was 0.69 although the viscosity at 90 ° C. described later was relatively high.
The reason is considered as follows.
The fluidity of the resin is determined by plastic deformation (a type of deformation in which the force received from the outside is changed to a force that causes the resin to flow and the resin flows outside) and elastic deformation (the force received from the outside (pressure received during pressing)). It is considered to be bisected in the z direction (a type of deformation that bounces in the direction perpendicular to the surface).
The lower the viscosity, the stronger the effect of plastic deformation when pressure is applied. Therefore, a lot of resin flows outward and the sheet is crushed.
On the other hand, the higher the viscosity, the stronger the influence of elastic deformation when pressure is applied. In particular, the sheet thickness recovers like spring elasticity at the center of the sheet, which is difficult to convert the press pressure into a plastic flow as a resin flow.
Comparative Example 1 has a high viscosity and is strongly influenced by elastic deformation. Therefore, although the resin flow at the end portion of the sealing sheet also occurs not a little, the influence of elastic deformation occurring at the central portion of the sealing sheet is strong. As a result, the sheet thickness at the center is elastically recovered (springback) and the thickness is increased. From the above, although B is slightly reduced, the value of A is also increased by the elastic recovery of the resin, so the ratio B / A is considered to be reduced to 0.69.
　また、前記ステップＣの後、前記Ｙから前記サンプルの外周までの幅Ｚを測定した。結果を表１に示す。 Further, after Step C, a width Z from Y to the outer periphery of the sample was measured. The results are shown in Table 1.
　（粘度の測定）
　粘弾性測定装置ＡＲＥＳ（レオメトリックス・サイエンティフィック社製）を用いて実施例、及び、比較例に係る封止用シートの９０℃での粘度を測定した。測定条件は、下記の通りである。結果を表３に示す。
＜測定条件＞
　パラレルプレート：８ｍｍφ、
　周波数：１Ｈｚ
　ひずみ：５％
　９０℃定温測定
　測定時間：５分 (Measurement of viscosity)
The viscoelasticity measuring apparatus ARES (made by Rheometrics Scientific Co., Ltd.) was used to measure the viscosity at 90 ° C. of the sealing sheets according to Examples and Comparative Examples. The measurement conditions are as follows. The results are shown in Table 3.
<Measurement conditions>
Parallel plate: 8mmφ,
Frequency: 1Hz
Strain: 5%
90 ℃ constant temperature measurement Measurement time: 5 minutes
　（外観評価）
　成型後（ステップＡ～ステップＤを行った後）、目視によりサンプルの外観観察を行った。チップ未充填部分が無く、かつ、ボイドが無い場合を〇、チップ未充填部分がある、又は、ボイドがある場合を×として評価した。結果を表３に示す。
　実施例１～３の封止用シートは、チップ未充填部分が無く、かつ、ボイドが無く、良好にチップが封止されていた。 
　比較例１の封止用シートでは、チップの上に封止用シートが乗っているだけの状態となった。その結果、チップ周囲に樹脂が充填されない（チップ未充填部分がある）結果となった。
　比較例２の封止用シートでは、チップは封止用シートに埋め込まれていた。しかしながら、一部空気を噛み込んでおり、ボイドが発生していた。その結果、チップ周囲を完全に樹脂で充填できていない結果となった。 (Appearance evaluation)
After molding (after performing Step A to Step D), the appearance of the sample was visually observed. The case where there was no chip unfilled portion and no void was evaluated as ◯, and the case where there was a chip unfilled portion or a void was evaluated as x. The results are shown in Table 3.
In the sealing sheets of Examples 1 to 3, there were no chip unfilled portions and no voids, and the chips were well sealed.
In the sealing sheet of Comparative Example 1, the sealing sheet was just on the chip. As a result, the resin was not filled around the chip (there was an unfilled part of the chip).
In the sealing sheet of Comparative Example 2, the chip was embedded in the sealing sheet. However, part of the air was caught and voids were generated. As a result, the periphery of the chip could not be completely filled with resin.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
４０　封止用シート
５０　積層体
５３　半導体チップ
５８　封止体
５９　半導体装置
６０　仮固定材
１００　サンプル 40 Sealing sheet 50 Laminate 53 Semiconductor chip 58 Sealing body 59 Semiconductor device 60 Temporary fixing material 100 Sample

Claims (4)

  1. 　下記ステップＡ～ステップＤの手順により算出される比Ｂ／Ａが０．７以上１以下を満たすことを特徴とする封止用シート。
    　縦２０ｃｍ、横２０ｃｍ、厚さ４００μｍのサイズのサンプルを準備するステップＡ、
    　前記ステップＡで準備した前記サンプルに厚さ３００μｍになるまで面に垂直な方向に圧力を加えるステップＢ、
    　前記ステップＢで加えた圧力を開放するステップＣ、及び、
    　前記サンプルの中央部をＸ、前記サンプルの圧力を加える前の一辺から中央部Ｘに向かって２ｃｍ移動した箇所をＹとしたとき、前記ステップＣの後の前記Ｘの厚さＡと前記ステップＣの後の前記Ｙの厚さＢとの比Ｂ／Ａを算出するステップＤ。     A sealing sheet, wherein a ratio B / A calculated by the following steps A to D satisfies 0.7 or more and 1 or less.
    Preparing a sample having a size of 20 cm in length, 20 cm in width, and a thickness of 400 μm;
    Applying pressure in a direction perpendicular to the surface until the thickness of the sample prepared in step A is 300 μm;
    Step C for releasing the pressure applied in Step B, and
    When the central part of the sample is X and the part moved 2 cm from one side before applying the sample pressure toward the central part X is Y, the thickness A of the X after the step C and the step C A step D of calculating a ratio B / A with the thickness B of the Y after.
  2. 　前記ステップＢの状態における前記Ｘの厚さＡ１と、前記ステップＣの後の前記Ｘの前記厚さＡとの比Ａ／Ａ１が、１．２以下であることを特徴とする請求項１に記載の封止用シート。 The ratio A / A1 between the thickness A1 of the X in the state of the step B and the thickness A of the X after the step C is 1.2 or less. The sheet | seat for sealing of description.
  3. 　前記ステップＢの状態における前記Ｘの厚さＡ１と、前記ステップＣの後の前記Ｙの前記厚さＢとの比Ｂ／Ａ１が、０．７以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の封止用シート。 The ratio B / A1 between the thickness A1 of the X in the state of the step B and the thickness B of the Y after the step C is 0.7 or more, or 2. The sealing sheet according to 2.
  4. 　前記ステップＣの後において、前記Ｙから前記サンプルの外周までの幅が２．５ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の封止用シート。 The sealing sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein a width from the Y to the outer periphery of the sample is 2.5 cm or less after the step C.
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