WO2016064258A1 - Élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication - Google Patents
Élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication Download PDFInfo
- Publication number
- WO2016064258A1 WO2016064258A1 PCT/KR2015/011334 KR2015011334W WO2016064258A1 WO 2016064258 A1 WO2016064258 A1 WO 2016064258A1 KR 2015011334 W KR2015011334 W KR 2015011334W WO 2016064258 A1 WO2016064258 A1 WO 2016064258A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- silica
- substrate
- light emitting
- emitting device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
L'invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure possédant une excellente cristallinité et d'excellentes caractéristiques de luminosité, et sur son procédé de fabrication. L'élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure selon la présente invention comprend : un substrat sur une surface duquel est formé un motif convexoconcave ; de la silice formée sous la forme de particules sur une surface du substrat, pour faire apparaître une partie du substrat ; une couche de semi-conducteur au nitrure inférieure formée sur la silice et la surface apparente du substrat ; et une structure électroluminescente multicouche formée sur la couche de semi-conducteur au nitrure inférieure et comprenant une couche de semi-conducteur au nitrure d'un premier type de conductivité, une couche active, et une couche de semi-conducteur au nitrure d'un second type de conductivité.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0145473 | 2014-10-24 | ||
KR1020140145473A KR20160049180A (ko) | 2014-10-24 | 2014-10-24 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2016064258A1 true WO2016064258A1 (fr) | 2016-04-28 |
Family
ID=55761200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/KR2015/011334 WO2016064258A1 (fr) | 2014-10-24 | 2015-10-26 | Élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20160049180A (fr) |
WO (1) | WO2016064258A1 (fr) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007273746A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
KR20080110340A (ko) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
US20090117675A1 (en) * | 2005-09-29 | 2009-05-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for Producing Group 3-5 Nitride Semiconductor and Method for Producing Light-Emitting Device |
KR20130099574A (ko) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 질화갈륨 기판을 갖는 발광 다이오드 |
US20130313517A1 (en) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | The University Of Hong Kong | White nanoled without requiring color conversion |
-
2014
- 2014-10-24 KR KR1020140145473A patent/KR20160049180A/ko not_active Application Discontinuation
-
2015
- 2015-10-26 WO PCT/KR2015/011334 patent/WO2016064258A1/fr active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090117675A1 (en) * | 2005-09-29 | 2009-05-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for Producing Group 3-5 Nitride Semiconductor and Method for Producing Light-Emitting Device |
JP2007273746A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
KR20080110340A (ko) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
KR20130099574A (ko) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 질화갈륨 기판을 갖는 발광 다이오드 |
US20130313517A1 (en) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | The University Of Hong Kong | White nanoled without requiring color conversion |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160049180A (ko) | 2016-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9773761B2 (en) | Ultra-small LED electrode assembly and method for manufacturing same | |
US9978725B2 (en) | LED lamp using ultra-small LED electrode assembly | |
US9570425B2 (en) | Display comprising ultra-small LEDs and method for manufacturing same | |
Tan et al. | Colloidal nanocrystal-based light-emitting diodes fabricated on plastic toward flexible quantum dot optoelectronics | |
WO2010101332A1 (fr) | Dispositif électroluminescent | |
WO2018062677A1 (fr) | Diode électroluminescente à points quantiques de lumière blanche et son procédé de fabrication | |
WO2010101348A1 (fr) | Dispositif électroluminescent semiconducteur à base de nitrure du groupe 3 et son procédé de fabrication | |
WO2012118250A1 (fr) | Elément émettant de la lumière, à base de nitrure, utilisant une couche tampon de réseau à motifs, et son procédé de fabrication | |
WO2013165127A1 (fr) | Elément à diode électroluminescente et son procédé de fabrication | |
WO2011149163A1 (fr) | Élément électroluminescent à semi-conducteurs et son procédé de production | |
WO2016064258A1 (fr) | Élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication | |
WO2011021753A1 (fr) | Dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe iii et son procédé de fabrication | |
WO2012118251A1 (fr) | Elément émettant de la lumière, à base de nitrure, utilisant une poudre de wurtzite et son procédé de fabrication | |
WO2013157875A1 (fr) | Procédé de fabrication de diode électroluminescente à haut rendement | |
WO2015163666A1 (fr) | Diode électroluminescente et son procédé de fabrication | |
WO2013012194A2 (fr) | Procédé de fabrication d'un substrat pour diode électroluminescente, substrat pour diode électroluminescente fabriqué au moyen du procédé et procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant un substrat pour diode électroluminescente | |
WO2012118246A1 (fr) | Elément émettant de la lumière, à base de nitrure, utilisant un substrat de silicium et son procédé de fabrication | |
WO2014157772A2 (fr) | Dispositif électroluminescent à lumière amplifiée par du graphène et procédé pour sa fabrication | |
WO2012118249A1 (fr) | Elément émettant de la lumière, à base de nitrure, ayant une cristallinité supérieure et une luminance supérieure, et son procédé de fabrication | |
WO2015102344A1 (fr) | Dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication | |
WO2016028128A1 (fr) | Dispositif électroluminescent et son procédé de préparation | |
WO2012118247A1 (fr) | Procédé de préparation d'une poudre de nitrure de gallium et élément émettant de la lumière à base de nitrure utilisant une poudre de nitrure de gallium préparée par ce procédé | |
WO2014088256A1 (fr) | Dispositif électroluminescent semiconducteur à haute luminosité ayant un excellent effet de dispersion du courant par inclusion d'une région de séparation | |
CN105514229B (zh) | 一种晶圆级led垂直芯片的制作方法 | |
WO2016163595A1 (fr) | Dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 15852177 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 15852177 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |