WO2016012425A3 - Abbildende optik für ein metrologiesystem zur untersuchung einer lithographiemaske - Google Patents

Abbildende optik für ein metrologiesystem zur untersuchung einer lithographiemaske Download PDF

Info

Publication number
WO2016012425A3
WO2016012425A3 PCT/EP2015/066604 EP2015066604W WO2016012425A3 WO 2016012425 A3 WO2016012425 A3 WO 2016012425A3 EP 2015066604 W EP2015066604 W EP 2015066604W WO 2016012425 A3 WO2016012425 A3 WO 2016012425A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
optical system
imaging optical
lithography mask
analyzing
object field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2015/066604
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2016012425A9 (de
WO2016012425A2 (de
Inventor
Johannes Ruoff
Ralf MÜLLER
Susanne Beder
Ulrich Matejka
Hans-Jürgen Mann
Jens Timo Neumann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102014214257.1A external-priority patent/DE102014214257A1/de
Priority claimed from DE102014217229.2A external-priority patent/DE102014217229B4/de
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of WO2016012425A2 publication Critical patent/WO2016012425A2/de
Publication of WO2016012425A9 publication Critical patent/WO2016012425A9/de
Publication of WO2016012425A3 publication Critical patent/WO2016012425A3/de
Priority to US15/410,904 priority Critical patent/US10606048B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70653Metrology techniques
    • G03F7/70666Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0911Anamorphotic systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/08Anamorphotic objectives
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/082Catadioptric systems using three curved mirrors
    • G02B17/0828Catadioptric systems using three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0836Catadioptric systems using more than three curved mirrors
    • G02B17/0848Catadioptric systems using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/02Objectives
    • G02B21/04Objectives involving mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/36Microscopes arranged for photographic purposes or projection purposes or digital imaging or video purposes including associated control and data processing arrangements
    • G02B21/361Optical details, e.g. image relay to the camera or image sensor
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/0988Diaphragms, spatial filters, masks for removing or filtering a part of the beam
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/005Diaphragms
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KHANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K7/00Gamma- or X-ray microscopes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

Eine abbildende Optik (40) dient innerhalb eines Metrologiesystems zur Untersuchung einer Lithographiemaske. Die Lithographiemaske ist in einem Objektfeld (3) der abbildenden Optik anordenbar. Das Objektfeld (3) ist durch zwei aufeinander senkrecht stehende Objektfeld-Koordinaten (x, y) aufgespannt. Die abbildende Optik (40) hat eine Aperturblende (42), deren Aspektverhältnis in Richtung der beiden Objektfeld-Koordinaten sich von 1 unterscheidet. Es resultiert eine abbildende Optik, die für die Untersuchung von Lithographiemasken, die für die Projektionsbelichtung mit anamorphotischer Projektionsoptik ausgelegt sind, genutzt werden kann.
PCT/EP2015/066604 2014-07-22 2015-07-21 Abbildende optik für ein metrologiesystem zur untersuchung einer lithographiemaske Ceased WO2016012425A2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/410,904 US10606048B2 (en) 2014-07-22 2017-01-20 Imaging optical unit for a metrology system for examining a lithography mask

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014214257.1A DE102014214257A1 (de) 2014-07-22 2014-07-22 Verfahren zum dreidimensionalen Vermessen eines 3D-Luftbildes einer Lithografiemaske
DE102014214257.1 2014-07-22
DE102014217229.2 2014-08-28
DE102014217229.2A DE102014217229B4 (de) 2014-08-28 2014-08-28 Verfahren zum dreidimensionalen Vermessen eines 3D-Luftbildes einer Lithografiemaske sowie Metrologiesystem

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/410,904 Continuation US10606048B2 (en) 2014-07-22 2017-01-20 Imaging optical unit for a metrology system for examining a lithography mask

Publications (3)

Publication Number Publication Date
WO2016012425A2 WO2016012425A2 (de) 2016-01-28
WO2016012425A9 WO2016012425A9 (de) 2016-03-31
WO2016012425A3 true WO2016012425A3 (de) 2016-05-19

Family

ID=53682717

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/066605 Ceased WO2016012426A1 (de) 2014-07-22 2015-07-21 Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske
PCT/EP2015/066604 Ceased WO2016012425A2 (de) 2014-07-22 2015-07-21 Abbildende optik für ein metrologiesystem zur untersuchung einer lithographiemaske

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/066605 Ceased WO2016012426A1 (de) 2014-07-22 2015-07-21 Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10606048B2 (de)
KR (1) KR101882633B1 (de)
CN (1) CN106575088B (de)
WO (2) WO2016012426A1 (de)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6319765B2 (ja) * 2014-07-02 2018-05-09 株式会社オプトロジック 撮像レンズ
DE102014110302B3 (de) * 2014-07-22 2015-09-03 Carl Zeiss Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abbilden eines Objekts
WO2016012426A1 (de) 2014-07-22 2016-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske
CN107111240A (zh) * 2014-12-17 2017-08-29 Asml荷兰有限公司 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备
DE102017200935A1 (de) 2017-01-20 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Führung von EUV-Abbildungslicht sowie Justageanordnung für eine derartige abbildende Optik
US20180292662A1 (en) * 2017-04-05 2018-10-11 Osela Inc. Rectangular beam shaper having monolithic body of refractive material
CN109117066A (zh) * 2017-06-26 2019-01-01 上海易视计算机科技有限公司 空中成像交互装置
DE102017211443A1 (de) 2017-07-05 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Metrologiesystem mit einer EUV-Optik
DE102018202639B4 (de) * 2018-02-21 2019-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung eines strukturunabhängigen Beitrags einer Lithographie-Maske zu einer Schwankung der Linienbreite
DE102018202637B4 (de) 2018-02-21 2021-09-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Fokuslage einer Lithographie-Maske und Metrologiesystem zur Durchführung eines derartigen Verfahrens
DE102018202635B4 (de) 2018-02-21 2019-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung eines Abbildungsfehlerbeitrags einer abbildenden Optik zur Vermessung von Lithografie-Masken
DE102018210315B4 (de) 2018-06-25 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erfassung einer Struktur einer Lithografiemaske sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102018221647B3 (de) 2018-12-13 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Detektionseinrichtung zur Erfassung einer Struktur auf einem Flächenabschnitt einer Lithografiemaske sowie Vorrichtung und Verfahren mit einer derartigen Detektionseinrichtung
US11112691B2 (en) * 2019-01-16 2021-09-07 Kla Corporation Inspection system with non-circular pupil
DE102019206648B4 (de) 2019-05-08 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Annäherung von Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems an diejenigen eines optischen Messsystems sowie Metrologiesystem hierfür
DE102019206651B4 (de) * 2019-05-08 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen Bestimmen eines Luftbildes einer Lithographiemaske
DE102019208552B4 (de) 2019-06-12 2025-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Ermitteln eines Produktions-Luftbildes eines zu vermessenden Objektes
DE102019213904A1 (de) 2019-09-12 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erfassung einer Objektstruktur sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102019215800A1 (de) * 2019-10-15 2021-04-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer optischen Phasendifferenz von Messlicht einer Messlichtwellenlänge über eine Fläche eines strukturierten Objektes
US11899380B2 (en) 2019-10-21 2024-02-13 Asml Holding N.V. Apparatus for and method of sensing alignment marks
GB2593194B (en) * 2020-03-18 2022-09-07 Refeyn Ltd Methods and apparatus for optimised interferometric scattering microscopy
DE102020208045A1 (de) 2020-06-29 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ermittlung eines Bildes eines Objekts
US11798828B2 (en) * 2020-09-04 2023-10-24 Kla Corporation Binning-enhanced defect detection method for three-dimensional wafer structures
US11614684B2 (en) * 2020-09-08 2023-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Photomask inspection method and apparatus thereof
DE102021203961B3 (de) 2021-04-21 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenblende für eine Beleuchtungsoptik eines Metrologiesystems, Beleuchtungsoptik und Metrologiesystem
DE102021204179A1 (de) 2021-04-27 2022-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Optimierung eines Metrologiesystems zur Vermessung einer Lithografiemaske sowie Metrologiesystem
DE102021205328B3 (de) * 2021-05-26 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Abbildungsqualität eines optischen Systems bei Beleuchtung mit Beleuchtungslicht innerhalb einer zu vermessenden Pupille und Metrologiesystem dafür
DE102021205541B4 (de) * 2021-05-31 2025-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Abbildungsqualität eines optischen Systems bei Beleuchtung mit Beleuchtungslicht innerhalb einer zu vermessenden Eintrittspupille sowie Metrologiesystem
US11817231B2 (en) 2021-08-16 2023-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Detection system for X-ray inspection of an object
KR20240044491A (ko) 2021-08-16 2024-04-04 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 X선에 의해 조명된 물체를 이미징하기 위한 이미징 광학 장치
US12040103B2 (en) * 2021-08-16 2024-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical arrangement to image an object illuminated by X-rays
DE102021211975A1 (de) 2021-10-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Nachbildung einer Ziel-Wellenfront eines abbildenden optischen Produktions-Systems sowie Metrologiesystem zur Durchführung des Verfahrens
DE102021128222B4 (de) * 2021-10-29 2023-10-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermessung eines Substrates für die Halbleiterlithografie
KR102649358B1 (ko) * 2021-11-04 2024-03-18 한양대학교 산학협력단 Euv 마스크 검사 장치 및 euv 마스크 검사 방법
DE102021213327B3 (de) 2021-11-26 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Metrologiesystem zur Untersuchung von Objekten mit EUV-Messlicht
DE102021213828B4 (de) 2021-12-06 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Ziel-Betreiben einer EUV-Strahlungsquelle
DE102021213827A1 (de) 2021-12-06 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Optimierung einer Pupillen-Blendenform zur Nachbildung von Beleuchtungs- und Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems bei der Beleuchtung und Abbildung eines Objekts mittels eines optischen Messsystems
DE102021213959B4 (de) 2021-12-08 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lichtquelle sowie Analyse- und/oder Produktionssystem mit einer derartigen EUV-Lichtquelle
DE102022200372A1 (de) * 2022-01-14 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Nachbilden von Beleuchtungs- und Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems bei der Beleuchtung und Abbildung eines Objekts mittels eines optischen Messsystems
DE102023208871A1 (de) 2022-09-27 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Defektanalyse eines strukturierten Bauelements
DE102022212750A1 (de) 2022-11-29 2024-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen Bestimmen eines Luftbildes eines Messobjekts mithilfe eines Metrologiesystems sowie Metrologiesystem zur Durchführung des Bestimmungsverfahrens
DE102023205136A1 (de) 2023-06-01 2024-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Nachbilden von Beleuchtungs- und Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems bei der Beleuchtung und Abbildung eines Objekts mittels eines optischen Messsystems
DE102023213267A1 (de) 2023-12-22 2025-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik für ein Metrologiesystem zur Untersuchung von Objekten
DE102024203890A1 (de) * 2024-04-25 2025-10-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur hochgenauen Lagebestimmung einer Struktur
WO2025237649A1 (en) * 2024-05-16 2025-11-20 Asml Netherlands B.V. System and method for combined field and pupil intensity-based phase retrieval
DE102024205284A1 (de) 2024-06-07 2024-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Stoßisolations-Baugruppe zur Stoßisolierung mindestens einer Komponente eines optischen Systems zur Analyse von Lithographiemasken

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060012767A1 (en) * 2004-06-23 2006-01-19 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US20070188729A1 (en) * 2002-11-21 2007-08-16 Carl-Zeiss Smt Ag Projection Lens for a Microlithographic Projection Exposure Apparatus
DE102011084255A1 (de) * 2010-11-24 2012-05-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
US20120127566A1 (en) * 2010-11-23 2012-05-24 Hans-Juergen Mann Magnifying imaging optical system and metrology system with an imaging optical system of this type
EP2506061A1 (de) * 2009-11-24 2012-10-03 Nikon Corporation Optisches bildgebungssystem, belichtungsvorrichtung und geräteherstellungsverfahren

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10220816A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
DE10220815A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
DE102005042005A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
US7488933B2 (en) 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
JP2009508150A (ja) 2005-09-13 2009-02-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法
JP2008046210A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Elpida Memory Inc レチクル及びこれを用いた露光方法及び装置、並びにレチクルのパターン作成方法、パターン形成方法及び半導体装置
DE102007009661A1 (de) 2006-08-31 2008-03-13 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur ortsaufgelösten Bestimmung der Phase und Amplitude des elektromagnetischen Feldes in der Bildebene einer Abbildung eines Objektes
US7703069B1 (en) 2007-08-14 2010-04-20 Brion Technologies, Inc. Three-dimensional mask model for photolithography simulation
CN101221372A (zh) * 2008-01-25 2008-07-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机投影物镜偶像差原位检测系统及检测方法
US8230369B2 (en) * 2008-02-27 2012-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Simulation method and simulation program
DE102008019341B4 (de) * 2008-04-15 2020-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Analyse von Masken für die Photolithographie
DE102008043324B4 (de) * 2008-10-30 2010-11-11 Carl Zeiss Smt Ag Optische Anordnung zur dreidimensionalen Strukturierung einer Materialschicht
JP2011108974A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Nikon Corp 波面計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置
DE102010029651A1 (de) * 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
DE102010029049B4 (de) 2010-05-18 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines Objekts mit EUV-Beleuchtungslicht sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102010030261A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
KR20140042781A (ko) 2011-01-11 2014-04-07 케이엘에이-텐코 코포레이션 Euv 이미징을 위한 장치 및 이의 이용 방법
DE102011078999A1 (de) * 2011-07-12 2013-01-17 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie
CN103782129B (zh) * 2011-09-09 2016-09-14 (株)茵斯派托 利用投影光栅振幅的三维形状测量装置及方法
CN103472686B (zh) * 2013-09-13 2015-04-15 东南大学 厚胶紫外光移动掩模光刻的三维光强分布模拟方法
CN103528543B (zh) * 2013-11-05 2015-12-02 东南大学 一种光栅投影三维测量中的系统标定方法
WO2016012426A1 (de) 2014-07-22 2016-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske
DE102015219671A1 (de) * 2015-10-12 2017-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionssystem, Metrologiesystem und EUV-Lithographieanlage

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070188729A1 (en) * 2002-11-21 2007-08-16 Carl-Zeiss Smt Ag Projection Lens for a Microlithographic Projection Exposure Apparatus
US20060012767A1 (en) * 2004-06-23 2006-01-19 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
EP2506061A1 (de) * 2009-11-24 2012-10-03 Nikon Corporation Optisches bildgebungssystem, belichtungsvorrichtung und geräteherstellungsverfahren
US20120127566A1 (en) * 2010-11-23 2012-05-24 Hans-Juergen Mann Magnifying imaging optical system and metrology system with an imaging optical system of this type
DE102011084255A1 (de) * 2010-11-24 2012-05-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik

Also Published As

Publication number Publication date
US20170131528A1 (en) 2017-05-11
WO2016012426A1 (de) 2016-01-28
WO2016012425A9 (de) 2016-03-31
CN106575088A (zh) 2017-04-19
KR101882633B1 (ko) 2018-07-26
US10634886B2 (en) 2020-04-28
WO2016012425A2 (de) 2016-01-28
US10606048B2 (en) 2020-03-31
US10068325B2 (en) 2018-09-04
KR20170039215A (ko) 2017-04-10
US20180357758A1 (en) 2018-12-13
US20170132782A1 (en) 2017-05-11
CN106575088B (zh) 2019-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016012425A3 (de) Abbildende optik für ein metrologiesystem zur untersuchung einer lithographiemaske
IL265745A (en) Full beam metrology for x-ray scattering measurement systems
WO2016184571A3 (de) Messverfahren und messanordnung für ein abbildendes optisches system
IL268861B (en) Process robust overlay metrology based on optical scatterometry
IL270744A (en) Image projection system
IL265798B (en) Calibrating a metrological system is based on measuring small-angle x-ray scattering
GB2556802A (en) Aerial device that cooperates with an external projector to measure three-dimensional coordinates
EP3503837C0 (de) Verfahren zur visualisierung und herstellung eines ausrichters durch modifizierung der zahnstellung
EP3736354A4 (de) Maskenplatte
JP2016027367A5 (ja) 投影システム
MX2015008589A (es) Produccion de un objeto voluminoso mediante litografia, con resolucion espacial mejorada.
SG11201606813TA (en) Photosensitization chemical-amplification type resist material, method for forming pattern using same, semiconductor device, mask for lithography, and template for nanoimprinting
WO2015124372A3 (en) Lithographic system
EP3264030A4 (de) Messvorrichtung, lithografiesystem und belichtungsvorrichtung und vorrichtungsherstellungsverfahren
WO2017099107A3 (en) Microscope system
JP2013213769A5 (de)
EP3516446A4 (de) Immersives optisches projektionssystem
EP3457210A4 (de) Bildprojektionsstruktur, transparenter schirm und herstellungsverfahren für die bildprojektionsstruktur
WO2016122899A3 (en) Imaging lens having a image stabilization
FR3022642B1 (fr) Dispositif de projection d'une image
JP2018521309A5 (de)
EP3988988A4 (de) Mikroskopsystem, projektionseinheit und bildprojektionsverfahren
JP2017107105A5 (de)
WO2015124457A8 (en) Lithographic apparatus and method
EP3611566A4 (de) Projektionssystem und lithografieverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15739290

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015739290

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015739290

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15739290

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2