WO2016009956A1 - 複合太陽電池、太陽電池モジュール、および集光太陽電池 - Google Patents

複合太陽電池、太陽電池モジュール、および集光太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
WO2016009956A1
WO2016009956A1 PCT/JP2015/069854 JP2015069854W WO2016009956A1 WO 2016009956 A1 WO2016009956 A1 WO 2016009956A1 JP 2015069854 W JP2015069854 W JP 2015069854W WO 2016009956 A1 WO2016009956 A1 WO 2016009956A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
photoelectric conversion
conversion element
wavelength
solar cell
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/069854
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
恒 宇津
満 市川
将志 日野
智巳 目黒
山本 憲治
Original Assignee
株式会社カネカ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社カネカ filed Critical 株式会社カネカ
Priority to JP2016534404A priority Critical patent/JP6564776B2/ja
Priority to US15/325,503 priority patent/US10177705B2/en
Publication of WO2016009956A1 publication Critical patent/WO2016009956A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/20Optical components
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2004Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2009Solid electrolytes
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/20Optical components
    • H02S40/22Light-reflecting or light-concentrating means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/87Light-trapping means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell in which a plurality of photoelectric conversion elements having different band gaps are combined.
  • Non-Patent Document 1 and Patent Document 1 Examples of the organic metal include compounds represented by the general formula R 1 NH 3 M 1 X 3 (wherein R 1 is an alkyl group, M 1 is a divalent metal ion, and X is a halogen). It is known that the spectral sensitivity characteristic changes depending on the type and ratio of halogen used (for example, Non-Patent Document 2).
  • perovskite crystals such as CH 3 NH 3 PbX 3 (X: halogen) can form a thin film at low cost by solution coating such as spin coating
  • perovskite solar cells using these perovskite crystals are low in cost and It is attracting attention as a highly efficient next generation solar cell.
  • a perovskite solar cell using CH 3 NH 3 SnX 3 using tin instead of lead as a light absorbing material has also been developed (for example, Non-Patent Document 3).
  • the perovskite crystal material has spectral sensitivity characteristics on the shorter wavelength side than the wavelength of 800 nm, and almost absorbs infrared light on the longer wavelength side than 800 nm. do not do. Therefore, in order to improve the efficiency of the perovskite solar cell, it is important to effectively use long wavelength light.
  • a combination of a perovskite solar cell and a solar cell having a smaller band gap than the perovskite solar cell allows use of long wavelength light by a solar cell having a smaller band gap, thereby providing a more efficient solar cell. it is conceivable that.
  • a tandem solar cell in which photoelectric conversion elements having different band gaps are stacked is known.
  • a photoelectric conversion element front cell
  • a photoelectric conversion element rear cell
  • a photoelectric conversion element rear cell
  • a plurality of photoelectric conversion elements are connected in series. Therefore, in order to effectively extract the photocurrent generated by each photoelectric conversion element, it is necessary to match the photocurrent generated by each photoelectric conversion element. is there.
  • a plurality of photoelectric conversion elements having different band gaps are arranged spatially separated from each other, and long wavelength light is incident on the photoelectric conversion elements having a relatively narrow band gap.
  • a method of making short wavelength light incident has been proposed (for example, Patent Document 2). In this method, it is not necessary to match the current amounts of the plurality of photoelectric conversion elements, so that the degree of freedom in design is high.
  • JP 2014-72327 A Japanese Patent Laid-Open No. 7-66442
  • an object of the present invention is to provide a high-efficiency solar cell in which a perovskite photoelectric conversion element is combined with another photoelectric conversion element.
  • the solar cell of the present invention is a composite solar cell comprising a spectroscopic element, a first photoelectric conversion element, and a second photoelectric conversion element.
  • the first photoelectric conversion element is located in the first direction of the spectroscopic element, and the second photoelectric conversion element is located in the second direction of the spectroscopic element.
  • the first photoelectric conversion element is a perovskite-type photoelectric conversion element, as the light-absorbing layer contains a perovskite crystal material represented by the general formula R 1 NH 3 M 1 X 3 .
  • the band gap of the light absorption layer is narrower than the band gap of the light absorption layer of the first photoelectric conversion element. That is, the second photoelectric conversion element is a solar cell that can use light having a longer wavelength than the perovskite photoelectric conversion element.
  • the light absorption layer of the second photoelectric conversion element include crystalline silicon (single crystal, polycrystal and microcrystal), chalcopyrite compounds such as CuInSe 2 (CIS), and the like.
  • the spectroscopic element changes the traveling direction of incident light according to the wavelength by utilizing the principles of light reflection, refraction, diffraction, interference, polarization, and the like.
  • a lens, a prism, a diffraction grating, a wavelength selective reflection element (such as a dichroic mirror or a dichroic prism), or a combination thereof is used as the spectroscopic element.
  • the spectroscopic element emits short wavelength light preferentially in the first direction (first photoelectric conversion element side) out of the incident light, and prioritizes long wavelength light in the second direction (second photoelectric conversion element side). Ejaculate.
  • the emitted preferentially light in a first direction among the incident light having a specific wavelength lambda A, than the amount of light amount of light emitted in the first direction is emitted to the second direction It means big.
  • the amount of light emitted in the second direction out of the incident light having a specific wavelength ⁇ B is greater than the amount of light emitted in the first direction. Also means big.
  • the wavelength range of light preferentially emitted in the first direction by the spectroscopic element and the wavelength range of light preferentially emitted in the second direction are the spectrum of the perovskite photoelectric conversion element that is the first photoelectric conversion element. It is determined according to the sensitivity characteristic. Specifically, when the light energy corresponding to the long wavelength end of the spectral sensitivity characteristic of the light absorption layer (perovskite crystal) of the first photoelectric conversion element is E 1 eV, the light is incident on the spectral element from the light incident side. Of the incident light, light having energy of (E 1 +0.9) eV or higher is preferentially emitted in the first direction, and light having energy of (E 1 +0.3) eV or lower is second.
  • the long wavelength end of the spectral sensitivity characteristic is a wavelength at which IPCE is less than 1% when the spectral sensitivity characteristic (IPCE) is measured by changing the wavelength from the short wavelength side to the long wavelength side.
  • the spectral element When the long wavelength end of the spectral sensitivity characteristic of the light absorption layer of the first photoelectric conversion element is 750 nm to 850 nm (1.65 eV to 1.46 eV), the spectral element has a wavelength of 500 nm or less (2 .5 eV or more) is preferentially emitted in the first direction, and light having a wavelength of 650 nm or more (1.91 eV or less) is preferably emitted in the second direction.
  • the composite solar cell of the present invention it is preferable that ultraviolet light having a wavelength in the range of 300 nm to 320 nm is not incident on the first photoelectric conversion element. Specifically, it is preferable that 50% or more of light having a wavelength of 300 nm to 320 nm is not incident on the first photoelectric conversion element.
  • the spectroscopic element may be configured so that light having a wavelength of 300 nm to 320 nm is preferentially incident on the second photoelectric conversion element.
  • light having a wavelength of 300 nm to 320 nm can be preferentially incident on the third photoelectric conversion element.
  • the present invention relates to a solar cell module.
  • the solar cell module of the present invention is formed by sealing the composite solar cell. Since the perovskite crystal material made of an organic metal is less stable to moisture than an inorganic substance such as silicon, at least the first photoelectric conversion element (perovskite photoelectric conversion element) is preferably sealed. The entire composite solar cell may be sealed.
  • a concentrating solar cell can be formed by combining the composite solar cell of the present invention with an appropriate condensing means.
  • An optical collimating element may be provided between the light collecting means and the spectral element of the composite solar cell.
  • each photoelectric conversion element can provide a highly efficient composite solar cell that can effectively use light.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a composite solar cell according to an embodiment.
  • the composite solar cell includes a spectroscopic element 51, a first photoelectric conversion element 10, and a second photoelectric conversion element 20.
  • the first photoelectric conversion element 10 is a perovskite photoelectric conversion element.
  • the second photoelectric conversion element 20 is a photoelectric conversion element having a narrower band gap than the first photoelectric conversion element.
  • the light 101 such as sunlight is irradiated on the spectroscopic element 51, and then the light emitted from the spectroscopic element enters the photoelectric conversion elements 10 and 20.
  • a wavelength selective reflection film that transmits long wavelength light and reflects short wavelength light is used as the spectroscopic element 51.
  • the short wavelength of the light 101 is irradiated.
  • the light is reflected by the wavelength selective reflection film 51.
  • the reflected light 111 is emitted in the first direction 1.
  • the long wavelength light is transmitted through the wavelength selective reflection film 51.
  • the transmitted light 121 is emitted in the second direction 2.
  • the first photoelectric conversion element 10 is arranged in the first direction (light reflection direction) of the spectroscopic element 51. Therefore, the emitted light 111 (reflected light) from the spectroscopic element (wavelength selective reflection film) 51 enters the first photoelectric conversion element 10.
  • the second photoelectric conversion element 20 is arranged in the second direction (light transmission direction) of the spectroscopic element 51. Therefore, the emitted light 121 (transmitted light) from the spectroscopic element (wavelength selective reflection film) 51 enters the second photoelectric conversion element 20.
  • short wavelength light (high energy light) is preferentially emitted in the first direction 1, and a perovskite photoelectric conversion element which is a first photoelectric conversion element. 10 is incident.
  • Long wavelength light (low energy light) is preferentially emitted in the second direction 2 and enters the narrow band gap photoelectric conversion element 20 which is the second photoelectric conversion element. Therefore, each of long wavelength light and short wavelength light can be used effectively.
  • Perovskite photoelectric conversion elements have extremely high spectral sensitivity characteristics of short wavelength light having a wavelength of about 400 nm. Therefore, the configuration in which short wavelength light is preferentially incident on the perovskite type photoelectric conversion element and long wavelength light that cannot be absorbed by the perovskite type compound is preferentially incident on the narrow band gap photoelectric conversion element uses a perovskite type photoelectric conversion element. It is extremely useful for improving the efficiency of the composite solar cell.
  • the composite solar cell of the present invention since the short wavelength light is selectively incident on the first photoelectric conversion element (perovskite photoelectric conversion element) having a wide band gap, the perovskite photoelectric conversion element Temperature rise can be suppressed and deterioration of characteristics due to heat can be suppressed.
  • the optimum value of the wavelength range of light to be preferentially incident on the first photoelectric conversion element 10 and the wavelength range of light to be preferentially incident on the second photoelectric conversion element 20 is the spectrum of the perovskite crystal material.
  • the range can be determined based on the long wavelength end ⁇ E of the spectral sensitivity characteristics.
  • the light energy corresponding to the long wavelength end ⁇ E of the spectral sensitivity characteristic of the perovskite crystal material which is the light absorption layer of the first photoelectric conversion element is E 1 (eV)
  • light having energy is preferentially incident on the second photoelectric conversion element 20 (narrow band gap photoelectric conversion element).
  • it is preferable that light having energy of (E 1 +0.9) eV or more is incident on the first photoelectric conversion element (perovskite photoelectric conversion element) 10 with priority.
  • the spectroscopic element 51 is preferably configured to change the traveling direction of incident light according to the wavelength as described above. That is, the spectroscopic element 51 preferentially emits short-wavelength light having energy of (E 1 +0.9) eV or more in the first direction 1 from incident light irradiated from the light incident side, and (E 1 It is preferable to preferentially emit long wavelength light having energy of +0.3) eV or less in the second direction 2. In this case, light having energy larger than (E 1 +0.3) eV and energy smaller than (E 1 +0.9) eV may be preferentially emitted in either the first direction or the second direction. Of course, approximately the same amount may be injected in the first direction and the second direction.
  • the long wavelength end ⁇ E of the photosensitivity characteristic is about 800 nm, and the light energy is 1.55 eV.
  • the spectroscopic element 51 emits light having a wavelength shorter than 500 nm in the first direction 1 (first photoelectric conversion element 10
  • the light is emitted preferentially to the second direction 2 and light having a wavelength longer than 670 nm is preferentially emitted to the second direction 2 (second photoelectric conversion element 20 side).
  • the spectroscopic element 51 includes the incident light irradiated from the light incident side. It is preferable that short wavelength light having a wavelength of 500 nm or less is preferentially emitted in the first direction 1 and long wavelength light having a wavelength of 650 nm or more is preferentially emitted in the second direction 2.
  • Preferential emission in a predetermined direction means that the amount of light emitted in a specific wavelength range is larger than the amount of light emitted in the other direction.
  • Preferential emission in the first direction preferably means that more than 50% of incident light in the wavelength range is incident on the first photoelectric conversion element.
  • the amount of light incident on the first photoelectric conversion element is more preferably 70% or more, still more preferably 80% or more, and particularly preferably 90% or more.
  • preferentially emitting in the second direction preferably means 50% or more, more preferably 70% or more, still more preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more of the incident light in the wavelength range. , Meaning to enter the second photoelectric conversion element 20.
  • Such spectral characteristics can be appropriately adjusted according to the configuration of the spectroscopic element 51, the relative arrangement relationship between the spectroscopic element 51 and the photoelectric conversion elements 10 and 20, the arrangement angle of the spectroscopic element 51 with respect to the light incident direction, and the like.
  • the spectroscopic element 51 light having a wavelength shorter than the separation wavelength ⁇ 1 (high energy light) is preferentially reflected, and light having a wavelength longer than ⁇ 1 (low energy light) is reflected.
  • a wavelength selective reflection film that transmits preferentially is used as the spectroscopic element 51.
  • the separation wavelength ⁇ 1 is a wavelength corresponding to energy of (E 1 +0.3) to (E 1 +0.9) eV, and is, for example, in the range of 500 nm to 650 nm.
  • the wavelength selective reflection film generally, a dielectric multilayer deposited thin film having a different refractive index is used, and wavelength selective reflection films (dichroic mirrors) having various separation wavelengths are commercially available.
  • the incident angle ⁇ of the incident light 101 to the wavelength selective reflection film 51 is not particularly limited. However, the smaller ⁇ is, the lower the reflectance at the interface with air and the higher the transmittance of long wavelength light in the second direction. Therefore, more long-wavelength light can be incident on the second photoelectric conversion element 20. Therefore, the incident angle ⁇ is preferably 40 ° or less, more preferably 30 ° or less, and further preferably 25 ° or less. On the other hand, if ⁇ is too small, the light incident direction and the first direction are substantially the same, and the incident light on the wavelength selective reflection film 51 may be blocked. Therefore, the incident angle ⁇ is preferably 5 ° or more, and more preferably 10 ° or more.
  • the wavelength selective reflection film is a multilayer thin film
  • the separation wavelength becomes shorter (blue shift) as the incident angle ⁇ increases. Therefore, it is desirable to determine the configuration of the spectroscopic element in consideration of the incident angle ⁇ .
  • a wavelength selective reflection film that reflects short wavelength light and transmits long wavelength light is used.
  • a wavelength selective reflection film that transmits short wavelength light and reflects long wavelength light is used. May be. In this case, the light transmission side is the first direction and the light reflection side is the second direction.
  • the spectroscopic element 51 is arranged spatially separated from the photoelectric conversion elements 10 and 20, but the spectroscopic element and the photoelectric conversion element are arranged close to (or in contact with). Also good.
  • a wavelength selective reflection film 51 is provided as a spectroscopic element in contact with the second photoelectric conversion element 20.
  • the incident light 101 irradiated to the spectroscopic element 51 the short wavelength light is reflected in the first direction, and the reflected light 111 is incident on the first photoelectric conversion element 10.
  • the incident light 101 irradiated on the spectroscopic element 51 the long wavelength light is transmitted in the second direction, and the transmitted light 121 is incident on the second photoelectric conversion element 20.
  • the spectroscopic element is not limited to the wavelength selective reflection film, and various optical elements that change the traveling direction of incident light according to the wavelength by utilizing the principles of light reflection, refraction, diffraction, interference, polarization, etc. Can be used. Specifically, a short wavelength light is first combined by appropriately combining a lens, a prism, a diffraction grating, a mirror, a polarizing beam splitter (for example, one that uses Brewster angle total reflection), and the like as necessary.
  • a spectroscopic element that preferentially emits light in the direction (first photoelectric conversion element side) and preferentially emits long-wavelength light in the second direction (second photoelectric conversion element side) can be configured.
  • FIG. 3 schematically shows a configuration example of a composite solar cell using a prism 58 as a spectroscopic element.
  • the light 108 incident on the prism 58 is refracted when entering the prism and when exiting the prism. Since the material constituting the prism has a different refractive index depending on the wavelength (generally, the shorter the wavelength, the larger the refractive index), so the direction of light emitted from the prism varies depending on the wavelength. Therefore, if the first photoelectric conversion element 10 is arranged in the emission direction of the short wavelength light (first direction 1) and the second photoelectric conversion element 20 is arranged in the emission direction of the long wavelength light (second direction 2).
  • the composite solar cell of the present invention can be formed.
  • the light enters the first photoelectric conversion element 10 with priority.
  • the wavelength range of the emitted light and the wavelength range of the light preferentially incident on the second photoelectric conversion element 20 can be adjusted to a desired range. Further, by using a combination of a plurality of prisms, it is possible to improve the separation accuracy of the wavelength range and the accuracy of the traveling direction of the emitted light (for example, dichroic prism).
  • FIG. 4A and 4B schematically show a configuration example of a composite solar cell that employs a combination of a prism 58 and a wavelength selective reflection film 51 as the composite spectroscopic element 59.
  • the wavelength selective reflection film 51 is disposed so as to contact the surface 58 b of the prism 58.
  • the incident light applied to the surface 58a of the prism 58 is refracted at the interface, and exits from the surface 58b to reach the wavelength selective reflection film 51.
  • the short wavelength light is reflected in the first direction, exits from the surface 58 c of the prism 58, and enters the first photoelectric conversion element 10.
  • the long wavelength light is transmitted in the second direction and enters the second photoelectric conversion element 20 disposed in contact with the wavelength selective reflection film 51.
  • the configuration of FIG. 4B is the same as the configuration of FIG. 4A except that the first photoelectric conversion element 10 is provided so as to be in contact with the surface 58c of the prism 58.
  • the optical loss due to reflection or refraction at the interface between the optical elements can be reduced by arranging the optical elements constituting the composite spectroscopic element so as to be in contact with each other. Further, the optical loss can be further reduced by arranging the spectroscopic element and the photoelectric conversion element in contact with each other. Therefore, the amount of light incident on the photoelectric conversion element can be increased, and the conversion efficiency of the composite solar cell can be improved.
  • the optical loss can be further reduced as compared with the configuration of FIG. 4A.
  • the number of places where sealing is required when sealing the composite solar cell is reduced, so that the manufacturing efficiency of the composite solar cell can be improved.
  • the wavelength selective reflection film 51 that reflects short wavelength light and transmits long wavelength light, and the first photoelectric conversion element 10 are provided so as to be in contact with the surface 58b of the prism 58.
  • a wavelength selective reflection film that reflects long wavelength light and transmits short wavelength light may be used.
  • the second photoelectric conversion element is disposed in contact with the wavelength selective reflection film.
  • the first photoelectric conversion element 10 contains a photosensitive material (perovskite crystal material) having a perovskite crystal structure as a light absorption layer.
  • the compound constituting the perovskite crystal material is represented by the general formula R 1 NH 3 M 1 X 3 .
  • R 1 is an alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.
  • M 1 is a divalent metal ion, preferably Pb or Sn.
  • X is a halogen, and examples thereof include F, Cl, Br, and I.
  • the three Xs may all be the same halogen element, or a plurality of halogens may be mixed. Spectral sensitivity characteristics can be changed by changing the type and ratio of halogen.
  • the first photoelectric conversion element perovskite photoelectric conversion element
  • appropriate ones such as the configurations disclosed in Patent Document 1 and Non-Patent Documents 1 to 3 described above can be adopted.
  • the transparent substrate from the light receiving surface side, the transparent substrate; a transparent electrode layer; consisting TiO 2 or the like blocking layer; TiO 2 and Al light absorbing layer perovskite crystal material on a porous support surface is formed of 2 O 2 or the like of the metal oxide A structure having a hole transport layer; and a metal electrode layer in this order.
  • the configuration of the second photoelectric conversion element 20 is not particularly limited as long as the band gap of the light absorption layer is narrower than the band gap of the light absorption layer of the first photoelectric conversion element.
  • Examples of the material of the light absorption layer that satisfies such characteristics include crystalline silicon, gallium arsenide (GaAs), CuInSe 2 (CIS), and the like.
  • crystalline silicon and CIS are preferably used because of the high utilization efficiency of long-wavelength light (particularly infrared light having a wavelength of 1000 nm or more).
  • Crystalline silicon may be any of single crystal, polycrystal, and microcrystal.
  • a photoelectric conversion element using a single crystal silicon substrate for the light absorption layer is preferably used because of its high utilization efficiency of long wavelength light and excellent carrier recovery efficiency.
  • an n-type layer is provided on the light-receiving surface side of the p-type single crystal silicon substrate, and a highly doped region (p + region) is provided on the back surface side.
  • a single-crystal silicon substrate having an amorphous silicon layer and a transparent conductive layer is provided on the back surface side.
  • the configuration, material, and the like of the second photoelectric conversion element are not limited to those illustrated above.
  • the perovskite crystal material used as the light absorption layer of the first photoelectric conversion element 10 changes its characteristics and deteriorates when irradiated with ultraviolet light. Therefore, in order to obtain a composite solar cell having excellent reliability, it is preferable that the amount of ultraviolet light incident on the first photoelectric conversion element 10 is small. Specifically, it is preferable to reduce the amount of incident ultraviolet light having a wavelength in the range of 300 nm to 320 nm to the first photoelectric conversion element.
  • the spectroscopic element may be configured to prevent 50% or more of the ultraviolet light having a wavelength in the range of 300 nm to 320 nm from being incident on the first photoelectric conversion element.
  • by reducing the amount of ultraviolet light incident on the first photoelectric conversion element light degradation of the perovskite photoelectric conversion element can be suppressed, and temperature rise is suppressed, so that deterioration in characteristics due to heat can also be reduced.
  • a combination of a wavelength selective reflection film and an ultraviolet light absorption element may be used as a spectroscopic element.
  • an ultraviolet light absorption element (not shown) is disposed between the wavelength selective reflection film 51 and the first photoelectric conversion element 10, so that the first photoelectric conversion element is obtained.
  • the amount of incident ultraviolet light can be reduced.
  • the ultraviolet light absorbing element those having a transmittance of light having a wavelength of 300 nm to 320 nm of less than 50% are preferably used.
  • the spectroscopic element may be configured such that ultraviolet light having a wavelength of 300 nm to 320 nm is preferentially incident on the second photoelectric conversion element.
  • the spectroscopic element light in a wavelength range of ⁇ 2 to ⁇ 1 (where ⁇ 2 ⁇ 1 ) is selectively reflected, and light having a shorter wavelength than ⁇ 2 and light having a longer wavelength than ⁇ 1 are used.
  • a wavelength-selective reflection film that selectively transmits light can be used.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a composite solar cell including a wavelength selective reflection film 52 that selectively reflects light having wavelengths ⁇ 2 to ⁇ 1 .
  • a wavelength selective reflection film 52 that selectively reflects light having wavelengths ⁇ 2 to ⁇ 1 .
  • the incident light irradiated to the wavelength selective reflection film 52 light in the wavelength range of ⁇ 2 to ⁇ 1 is preferentially reflected in the first direction 1, and the reflected light 112 is directed to the first photoelectric conversion element 10.
  • light having a wavelength longer than ⁇ 1 and light having a wavelength shorter than ⁇ 2 are transmitted through the wavelength selective reflection film 52 and preferentially emitted in the second direction 2.
  • the transmitted long wavelength light 122 and the transmitted ultraviolet light 132 are incident on the second photoelectric conversion element 20.
  • the wavelength selective reflection film 52 having a plurality of separation wavelengths is used as the spectroscopic element, the amount of ultraviolet light incident on the first photoelectric conversion element can be reduced, and light degradation can be suppressed. Ultraviolet light that is not incident on one photoelectric conversion element can be used in the second photoelectric conversion element. Therefore, a composite solar cell with high conversion efficiency and excellent reliability can be obtained.
  • the range of the separation wavelength ⁇ 1 on the long wavelength side of the wavelength selective reflection film is the same as that described in the embodiment shown in FIG.
  • the separation wavelength ⁇ 2 on the short wavelength side may be 320 nm or more.
  • ⁇ 2 is preferably 400 nm or less, more preferably 370 nm or less, and further preferably 350 nm or less.
  • the composite solar cell shown in FIG. 6 includes a third photoelectric conversion element 30 in the third direction of the spectroscopic element 50.
  • a third photoelectric conversion element 30 having higher utilization efficiency of ultraviolet light than the second photoelectric conversion element is used, the conversion efficiency can be further increased.
  • a wide band gap material such as amorphous silicon or CdTe is preferably used.
  • the spectroscopic element 50 is composed of a plurality of wavelength selective reflection films having different separation wavelengths.
  • the wavelength selective reflection film 53 reflects light having a wavelength shorter than the wavelength ⁇ 2 in a wavelength selective manner so that the reflected light 133 is incident on the third photoelectric conversion element 30.
  • the light transmitted through the wavelength selective reflection film 53 enters the wavelength selective reflection film 54.
  • light having a wavelength longer than the wavelength ⁇ 1 is transmitted in the second direction, and the transmitted light 123 is incident on the second photoelectric conversion element.
  • Light having a wavelength shorter than the wavelength ⁇ 1 is reflected in the first direction 1 by the wavelength selective reflection film 54, and the reflected light 113 enters the first photoelectric conversion element.
  • the first photoelectric conversion element 10 since ultraviolet light having a wavelength shorter than the wavelength ⁇ 2 is reflected in the third direction by the wavelength selective reflection film 53, the first photoelectric conversion element 10 has an ultraviolet light having a wavelength shorter than the wavelength ⁇ 2. Little light is incident. Therefore, the utilization efficiency of the short wavelength light can be increased to improve the conversion efficiency of the composite solar cell, and the light deterioration of the first photoelectric conversion element 10 can be suppressed.
  • the third photoelectric conversion element 30, the first photoelectric conversion element 10, and the second photoelectric conversion element are sequentially arranged from the light incident side.
  • the arrangement order of the photoelectric conversion elements is not limited to this form, but the conversion efficiency increases when the photoelectric conversion layer having a large band gap is arranged on the light incident side because the loss due to light absorption of the wavelength selective reflection film is less. Tend to be.
  • FIGS. 5 and 6 show an example in which a wavelength selective reflection film is used as a spectroscopic element, but the amount of ultraviolet light incident on the first photoelectric conversion element using another optical element (such as a prism or mirror). Can also be reduced.
  • the spectroscopic element can be configured so that ultraviolet light is incident on the second photoelectric conversion element or the third photoelectric conversion element by using an optical element other than the wavelength selective reflection film. Even when the wavelength selective reflection film is used, the arrangement of the wavelength selective reflection film and the arrangement of the photoelectric conversion elements are not limited to the illustrated forms. Various configurations can be employed according to the wavelength selectivity of the spectroscopic element, the incident angle of light, and the like.
  • the composite solar cell of the present invention is preferably modularized for practical use. Modularization is performed by an appropriate method. For example, after connecting a lead wire to the electrode of each photoelectric conversion element, the photoelectric conversion element is sealed, and modularization is performed, whereby a solar cell module is obtained. Since the composite solar cell of the present invention utilizes light reflection and refraction by a spectroscopic element, it is difficult to arrange all optical elements in a plane. Therefore, it is preferable to seal the photoelectric conversion elements 10 and 20 and the spectroscopic element 50 in an appropriate housing 60 as shown in FIG.
  • the perovskite photoelectric conversion element used as the first photoelectric conversion element is sealed more strictly than the second photoelectric conversion element or the like.
  • the sealant it is preferable that at least the first photoelectric conversion element is sealed with the sealant regardless of whether the photoelectric conversion element and the spectroscopic element are sealed in the housing.
  • the sealing method of a 1st photoelectric conversion element is not specifically limited, The sealing method by which the penetration
  • the sealing agent used for sealing the first photoelectric conversion element one having a lower moisture permeability than the sealing agent used for sealing the second photoelectric conversion element or sealing the housing. Preferably used.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a concentrating solar cell.
  • the condensing element 70 has a larger area than each photoelectric conversion element, and the sunlight 150 is collected by the condensing element 70 and is incident on the spectroscopic element of the composite solar cell. With this configuration, even when the area of the photoelectric conversion element is small, a large amount of sunlight can be used for photoelectric conversion.
  • a condensing element used for a general concentrating solar cell such as a lens, a mirror, or a combination of a lens and a mirror can be used.
  • the temperature of the element tends to rise.
  • the wavelength range of light preferentially incident on the first photoelectric conversion element is limited by using the spectroscopic element. Therefore, also in the concentrating solar cell, the temperature rise of the perovskite photoelectric conversion element is suppressed, and the reliability is improved.
  • the concentrating solar cell of the present invention preferably has a light collimating element 90 between the condensing element 70 and the spectroscopic element 50.
  • the light collimating element is not particularly limited as long as the light 155 incident from the condensing element 70 is emitted as parallel light to the spectroscopic element 50 side, and various lenses, mirrors, or combinations thereof may be used. it can.
  • a specific example is a collimator lens. Note that the collimation by the light collimating element may not be as strict as required by precision optical equipment and image display devices.
  • Sunlight 150 is parallel light, but light 155 collected by the light collecting element 70 is non-parallel light.
  • the composite solar cell of the present invention uses the spectroscopic element 50 to change the traveling direction of light in a wavelength-selective manner and to control the wavelength range of light that is preferentially incident on each photoelectric conversion element. If the light applied to the spectroscopic element 50 is parallel light in a certain direction, the traveling direction of the light emitted from the spectroscopic element can be easily controlled. Therefore, light in the designed wavelength range can be preferentially incident on a predetermined photoelectric conversion element, and high conversion characteristics can be maintained.
  • the composite solar cell of the present invention can also be capable of tracking the sun by combining an appropriate control system.
  • a solar power generation system capable of tracking the sun is configured so that the light use efficiency is maximized in accordance with the irradiation direction of sunlight. For example, if the position and the arrangement angle of the spectroscopic elements of the composite solar cell are variable, the incident angle ⁇ is changed according to changes in the direction of sunlight irradiation (changes in season and time), and more short wavelengths. Light can be incident on the first photoelectric conversion element, and more long-wavelength light can be incident on the second photoelectric conversion element. Further, in the concentrating solar cell, the system can be configured such that more sunlight enters the composite solar cell with the position and the arrangement angle of the condensing element 70 being variable.
  • the system may be configured such that the direction of the light collimating element is changed according to the irradiation direction of sunlight, and the incident angle ⁇ of light to the spectroscopic element is constant. Further, if the entire system tracks the sun, the incident angle and intensity of sunlight on the composite solar cell can be optimized.
  • a first photoelectric conversion element a light absorption layer in which a perovskite crystal CH 3 NH 3 PbI 3 is formed on a transparent substrate, a TiO 2 compact layer, and a mesoporous TiO 2 , a hole transport layer, And a perovskite photoelectric conversion element (hereinafter referred to as “perovskite cell”) in which Au electrodes are stacked in this order.
  • the long wavelength end of the spectral sensitivity characteristic of this perovskite cell was 800 nm.
  • an i-type amorphous silicon thin film, a p-type amorphous silicon thin film, and an ITO transparent electrode layer are provided in this order on the light incident surface of an n-type single crystal silicon substrate having a texture structure, and n Heterojunction type crystalline silicon photoelectric conversion element (hereinafter referred to as “crystal”) having an i-type amorphous silicon thin film, an n-type amorphous silicon thin film, and an ITO transparent electrode layer in this order on the back side of the single crystal silicon substrate. (Referred to as “silicon cell”).
  • Table 1 shows the results of measuring the conversion characteristics by irradiating each of these photoelectric conversion elements with 1 sun (AM1.5G, 100 mW / cm 2 ) using a solar simulator.
  • Example 1 Using the perovskite cell as the first photoelectric conversion element 10 and the crystalline silicon cell as the second photoelectric conversion element 20, a composite solar battery having the configuration shown in FIG.
  • the separation wavelength ⁇ 1 on the long wavelength side is 700 nm (Experimental Example 1-1), 640 nm (Experimental Example 1-2), 600 nm (Experimental Example 1-3), 550 nm (Experimental Example 1-4). )
  • the wavelength selective reflection film a multilayer vapor deposition film in which a high refractive index material and a low refractive index material were alternately laminated on a glass substrate was used.
  • the angle formed by the light receiving surface of the first photoelectric conversion element and the light receiving surface of the second photoelectric conversion element is 90 °, and the light receiving surface of these photoelectric conversion elements and the wavelength selective reflection film 52 The angle formed with the film surface was set to 45 °.
  • the incident angle ⁇ of light on the wavelength selective reflection film 52 was set to 45 °.
  • Table 2 shows the conversion characteristics of the perovskite cell and the crystalline silicon cell, and the total conversion efficiency (Eff) of both.
  • the reflectance is larger than the transmittance (that is, the light is reflected to the perovskite cell side), and the transmittance is higher than the reflectance in the wavelength region shorter than the wavelength ⁇ 2 and in the wavelength region longer than the wavelength ⁇ 1. Is larger (that is, light is transmitted to the crystalline silicon cell side).
  • the separation wavelength ⁇ 1 was set to 100 nm shorter wavelength (0.22 eV higher energy) than the longer wavelength end of the spectral sensitivity characteristic of the perovskite cell, but the conversion efficiency of the perovskite cell and the crystalline silicon cell The total conversion efficiency was substantially equivalent to that of the crystalline silicon cell alone.
  • the wavelength selective reflection film whose separation wavelength ⁇ 1 is 0.3 eV or more higher than the long wavelength end of the spectral sensitivity characteristic of the perovskite cell is used, The total conversion efficiency was significantly improved compared to the case of the crystalline silicon cell alone. From these results, it is shown that a highly efficient composite solar cell can be obtained by adjusting the separation wavelength (wavelength range of light preferentially incident on the perovskite cell (first photoelectric conversion element)) by the spectroscopic means. It was done.
  • FIG. 9 shows the AM1.5G sunlight spectrum and the reflectance spectrum of the perovskite cell. The reflectivity was measured with a spectrophotometer with measurement light incident from the light incident surface side of the perovskite cell.
  • the irradiation energy is irradiation light energy in the irradiation wavelength range, and was calculated based on the AM1.5G sunlight spectrum.
  • the amount of power generated by the perovskite cell was calculated from the product of conversion efficiency and total light irradiation energy (99.26 mW / cm 2 ).
  • the effective conversion efficiency was calculated from the ratio of the power generation amount and the irradiation energy.
  • the energy of reflected light was calculated from the product of AM1.5G sunlight intensity (light energy) and reflectance at each wavelength.
  • Example 2 In Experimental Example 2, a composite solar cell is manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, using two types of wavelength selective reflection films having a separation wavelength ⁇ 1 on the long wavelength side of 550 nm and different separation wavelengths ⁇ 2 on the short wavelength side. did. After measuring the conversion characteristics of the fabricated composite solar cell with a solar simulator, 1 sun light was irradiated for 1 hour in the same manner as in Reference Example 2, and the conversion characteristics after irradiation were measured. The results are shown in Table 5. In addition, the lower stage of the conversion characteristics after light irradiation is a relative value where the numerical value before light irradiation is 1.
  • Experimental Example 2-1 since most of the light with a wavelength of 300 nm to 320 nm is incident on the crystalline silicon cell, the characteristic deterioration before and after the light irradiation is small compared to Experimental Example 2-2. In addition, in both the initial conversion efficiency and the conversion efficiency after light irradiation, Experimental Example 2-1 showed a higher value. From this result, it is possible to obtain a composite solar cell having excellent initial conversion characteristics and excellent conversion characteristics (reliability) after light irradiation by preferentially making light having a wavelength of 300 to 320 nm incident on the crystalline silicon cell. I understand that.
  • Photoelectric conversion element Perovskite type photoelectric conversion element
  • Spectroscopic element (wavelength selective reflection film) 58
  • Spectroscopic element (prism) 59
  • composite spectroscopic element 60

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

 複合太陽電池(100)は、分光素子(50)と、第一の光電変換素子(10)と第二の光電変換素子(20)と、を備える。第一の光電変換素子は、分光素子の第一方向に位置し、第二の光電変換素子は、分光素子の第二方向に位置する。第一の光電変換素子(10)は、光吸収層として、一般式RNHで表されるペロブスカイト結晶材料を含有するペロブスカイト型光電変換素子である。第二の光電変換素子は、光吸収層のバンドギャップが前記第一の光電変換素子の光吸収層のバンドギャップよりも狭い。分光素子は、入射光のうち、短波長光を第一方向へ優先的に射出し、長波長光を第二方向へ優先的に射出する。

Description

複合太陽電池、太陽電池モジュール、および集光太陽電池
 本発明は、バンドギャップの異なる複数の光電変換素子を組み合わせた太陽電池に関する。
 有機金属のペロブスカイト結晶を利用した太陽電池(ペロブスカイト型太陽電池)は、高変換効率を実現可能であり、近年、光吸収層にペロブスカイト結晶材料を用いた太陽電池の変換効率向上に関する多数の報告がなされている(例えば非特許文献1および特許文献1)。有機金属としては、一般式RNH(式中、Rはアルキル基であり、Mは2価の金属イオンであり、Xはハロゲンである)で表される化合物が用いられ、ハロゲンの種類や比率に応じて、分光感度特性が変化することが知られている(例えば非特許文献2)。
 CHNHPbX(X:ハロゲン)等のペロブスカイト結晶は,スピンコート法等の溶液塗布により低コストで薄膜を形成できるため、これらのペロブスカイト結晶を用いたペロブスカイト型太陽電池は、低コストかつ高効率の次世代太陽電池として注目されている。さらには、鉛に代えてスズを用いたCHNHSnXを光吸収材料とするペロブスカイト型太陽電池も開発されている(例えば非特許文献3)。
 図8(非特許文献2参照)に示されるように、ペロブスカイト結晶材料は、波長800nmよりも短波長側に分光感度特性を有しており、800nmよりも長波長側の赤外光をほとんど吸収しない。そのため、ペロブスカイト型太陽電池の効率向上においては、長波長光を有効に利用することが重要である。例えば、ペロブスカイト型太陽電池と、ペロブスカイト型太陽電池よりもバンドギャップの小さい太陽電池とを組み合わせれば、バンドギャップの小さい太陽電池により長波長光を利用できるため、より高効率の太陽電池が得られると考えられる。
 複数の光電変換素子を組み合わせた太陽電池として、バンドギャップの異なる光電変換素子を積層したタンデム型太陽電池が知られている。タンデム型太陽電池では、光入射側に相対的にバンドギャップの広い光電変換素子(前方セル)が配置され、その後方に相対的にバンドギャップの狭い光電変換素子(後方セル)が配置される。タンデム型光電変換素子では、複数の光電変換素子が直列接続されるため、各光電変換素子で生成した光電流を有効に取り出すためには、各光電変換素子で生成する光電流を一致させる必要がある。
 また、バンドギャップの異なる複数の光電変換素子を、空間的に隔てて配置し、相対的にバンドギャップの狭い光電変換素子に長波長光を入射させ、相対的にバンドギャップの広い光電変換素子に短波長光を入射させる方法が提案されている(例えば特許文献2)。この方法では、複数の光電変換素子の電流量を一致させる必要がないため、設計の自由度が高い。
特開2014‐72327 特開平7-66442号公報
G. Hodes, Science, 342, 317-318 (2013) A. Kojima et. al., J. Am. Chem. Soc., 131, 6050-6051 (2009) F. Hao et al., Nat. Photonics, 8, 489-494 (2014)
 これまでのところ、ペロブスカイト型の光電変換素子と、他の光電変換素子とを組み合わせた複合太陽電池に関する報告はほとんどない。すなわち、現状では、ペロブスカイト型の光電変換素子と、他の光電変換素子とを組み合わせ、長波長光を有効に利用する方法についての有用な知見は存在していない。
 上記に鑑み、本発明は、ペロブスカイト型の光電変換素子と、他の光電変換素子とを組み合わせた、高効率の太陽電池の提供を目的とする。
 本発明の太陽電池は、分光素子と、第一の光電変換素子と、第二の光電変換素子とを備える複合太陽電池である。第一の光電変換素子は、分光素子の第一方向に位置し、第二の光電変換素子は、分光素子の第二方向に位置する。第一の光電変換素子は、ペロブスカイト型光電変換素子であり、光吸収層として、一般式RNHで表されるペロブスカイト結晶材料を含有する。
 第二の光電変換素子は、光吸収層のバンドギャップが第一の光電変換素子の光吸収層のバンドギャップよりも狭い。すなわち、第二の光電変換素子は、ペロブスカイト型光電変換素子よりも、長波長の光を利用可能な太陽電池である。第二の光電変換素子の光吸収層としては、結晶シリコン(単結晶、多結晶および微結晶)や、CuInSe(CIS)等のカルコパイライト系化合物等が挙げられる。
 分光素子は、光の反射、屈折、回折、干渉、偏光等の原理を利用して、入射光の進行方向を、波長に応じて変化させる。分光素子としては、例えば、レンズ、プリズム、回折格子、波長選択反射素子(ダイクロイックミラーやダイクロイックプリズム等)、あるいはこれらの組み合わせが用いられる。分光素子は、入射光のうち、短波長光を第一方向(第一の光電変換素子側)へ優先的に射出し、長波長光を第二方向(第二の光電変換素子側)へ優先的に射出する。
 なお、光を第一方向に優先的に射出するとは、特定の波長λを有する入射光のうち、第一方向へ射出される光の量が第二方向へ射出される光の量よりも大きいことを意味する。同様に、光を第二方向に優先的に射出するとは、特定の波長λを有する入射光のうち、第二方向へ射出される光の量が第一方向へ射出される光の量よりも大きいことを意味する。
 分光素子により、第一方向に優先的に射出される光の波長範囲、および第二方向に優先的に射出される光の波長範囲は、第一の光電変換素子であるペロブスカイト光電変換素子の分光感度特性に応じて決定される。具体的には、第一の光電変換素子の光吸収層(ペロブスカイト型結晶)の分光感度特性の長波長端に対応する光エネルギーをEeVとした場合、光入射側から分光素子に照射された入射光のうち、(E+0.9)eV以上のエネルギーを有する光は、第一方向へ優先的に射出され、(E+0.3)eV以下のエネルギーを有する光は、第二方向へ優先的に射出されることが好ましい。なお、分光感度特性の長波長端とは、短波長側から長波長側へと波長を変化させて分光感度特性(IPCE)を測定した場合に、IPCEが1%未満となる波長である。
 第一の光電変換素子の光吸収層の分光感度特性の長波長端が、750nm~850nm(1.65eV~1.46eV)である場合、分光素子は、入射光のうち、波長500nm以下(2.5eV以上)の光を第一方向へ優先的に射出し、波長650nm以上(1.91eV以下)の光を第二方向へ優先的に射出することが好ましい。
 本発明の複合太陽電池の一形態では、波長300nm~320nmの範囲の紫外光が、第一の光電変換素子へ入射されないように構成されていることが好ましい。具体的には、入射光のうち、波長300nm~320nmの光の50%以上を第一の光電変換素子へ入射させないように構成されていることが好ましい。当該形態において、波長300nm~320nmの光が、第二の光電変換素子へ優先的に入射されるように、分光素子が構成されていてもよい。また、波長300nm~320nmの光が、第三の光電変換素子へ優先的に入射されるようにすることもできる。
 さらに、本発明は、太陽電池モジュールに関する。本発明の太陽電池モジュールは、上記の複合太陽電池を封止することにより、形成される。有機金属からなるペロブスカイト結晶材料は、シリコン等の無機物質に比べて、水分に対する安定性が低いため、少なくとも第一の光電変換素子(ペロブスカイト型光電変換素子)は封止されていることが好ましい。複合太陽電池の全体が封止されていてもよい。
 本発明の複合太陽電池を、適宜の集光手段と組み合わせることにより、集光太陽電池を形成できる。集光手段と、複合太陽電池の分光素子との間には、光平行化素子が設けられていてもよい。集光素子により集められた光を、平行化後に分光素子へと入射させることにより、分光素子から射出する光の進行方向を適切に制御できる。
 本発明では、ペロブスカイト型光電変換素子と他の光電変換素子とを組み合わせ、分光素子により、各光電変換素子に優先的に入射する光の波長の範囲が調整される。そのため、各光電変換素子で、光を有効に利用可能な、高効率の複合太陽電池が得られる。
一実施形態の複合太陽電池の構成を表す模式図である。 一実施形態の複合太陽電池の構成を表す模式図である。 一実施形態の複合太陽電池の構成を表す模式図である。 一実施形態の複合太陽電池の構成を表す模式図である。 一実施形態の複合太陽電池の構成を表す模式図である。 一実施形態の複合太陽電池の構成を表す模式図である。 一実施形態の複合太陽電池の構成を表す模式図である。 一実施形態の集光太陽電池の構成を表す模式図である。 ペロブスカイト型結晶構造化合物の分光感度特性を示すグラフである。 AM1.5Gの太陽光スペクトル、および実施例で用いたペロブスカイト型光電変換素子の反射率スペクトルである。
 図1は、一実施形態にかかる複合太陽電池の構成を表す模式図である。複合太陽電池は、分光素子51、第一の光電変換素子10、および第二の光電変換素子20を備える。第一の光電変換素子10は、ペロブスカイト型光電変換素子である。第二の光電変換素子20は、第一の光電変換素子よりも狭バンドギャップの光電変換素子である。
 本発明の複合太陽電池において、太陽光等の光101は、分光素子51に照射された後、分光素子からの射出光が、光電変換素子10,20に入射する。図1の形態では、分光素子51として、長波長光を透過し、短波長光を反射する波長選択反射膜が用いられている。光入射側から、入射角θ(入射角は、分光素子の膜面の法線方向と光入射方向とのなす角度である)で波長選択反射膜51に照射された光101のうち、短波長光は、波長選択反射膜51で反射される。反射光111は第一方向1へと射出される。光101のうち、長波長光は、波長選択反射膜51を透過する。透過光121は、第二方向2へと射出される。
 分光素子51の第一方向(光反射方向)には、第一の光電変換素子10が配置されている。そのため、分光素子(波長選択反射膜)51からの射出光111(反射光)は、第一の光電変換素子10へ入射する。分光素子51の第二方向(光透過方向)には、第二の光電変換素子20が配置されている。そのため、分光素子(波長選択反射膜)51からの射出光121(透過光)は、第二の光電変換素子20へ入射する。
 図1の複合太陽電池では、分光素子51を設けることにより、短波長光(高エネルギー光)は第一方向1へ優先的に射出して、第一の光電変換素子であるペロブスカイト型光電変換素子10へ入射する。長波長光(低エネルギー光)は、第二方向2へ優先的に射出し、第二の光電変換素子である狭バンドギャップ光電変換素子20へ入射する。そのため、長波長光と短波長光のそれぞれを有効に利用できる。
 ペロブスカイト型光電変換素子は、波長400nm程度の短波長光の分光感度特性が極めて高い。そのため、短波長光をペロブスカイト型光電変換素子へ優先的に入射させ、ペロブスカイト型化合物が吸収できない長波長光を狭バンドギャップ光電変換素子へ優先的に入射させる構成は、ペロブスカイト型光電変換素子を用いた複合太陽電池の高効率化に極めて有用である。
 また、第一の光電変換素子10の電流値と第二の光電変換素子の電流値とが異なる場合でも、電流が律速しないため、複数の光電変換素子を積層した場合に比べて、電気的なロスが小さく、変換効率を高めることができる。複数の光電変換素子を積層するタンデム型の太陽電池では、広バンドギャップのセルをトップセルとして光入射側に設けるため、赤外光を含む長波長光も一旦トップセルに入射される。そのため、トップセルの温度が上昇しやすい。有機金属のペロブスカイト結晶材料は、シリコン等の無機材料に比べて耐熱性が低いため、ペロブスカイト素子をトップセルとするタンデム型太陽電池は、熱による特性低下が懸念される。これに対して、本発明の複合太陽電池では、広バンドギャップである第一の光電変換素子(ペロブスカイト型光電変換素子)に、短波長光を選択的に入射させるため、ペロブスカイト型光電変換素子の温度上昇を抑制でき、熱による特性低下を抑制できる。
 さらには、本発明者らの検討により、第一の光電変換素子10の光吸収層であるペロブスカイト結晶材料の分光感度特性の長波長端λよりも短波長の光の一部を、狭バンドギャップの第二の光電変換素子20へ優先的に入射させることで、ペロブスカイト型光電変換素子の温度上昇がさらに抑制されるとともに、さらなる高効率化が可能であることが見出された。
 第一の光電変換素子10へ優先的に入射されるべき光の波長範囲、および第二の光電変換素子20へ優先的に入射されるべき光の波長範囲の最適値は、ペロブスカイト結晶材料の分光感度特性によって異なるが、分光感度特性の長波長端λを基準にその範囲を定めることができる。第一の光電変換素子の光吸収層であるペロブスカイト結晶材料の分光感度特性の長波長端λに対応する光エネルギーをE(eV)とした場合、(E+0.3)eV以下のエネルギーを有する光は、第二の光電変換素子20(狭バンドギャップ光電変換素子)へ優先的に入射させることが好ましい。また、(E+0.9)eV以上のエネルギーを有する光は、第一光電変換素子(ペロブスカイト光電変換素子)10へ優先的に入射させることが好ましい。
 分光素子51は、上記のように波長に応じて入射光の進行方向を変化させるように構成されていることが好ましい。すなわち、分光素子51は、光入射側から照射された入射光のうち、(E+0.9)eV以上のエネルギーを有する短波長光を第一方向1へ優先的に射出し、(E+0.3)eV以下のエネルギーを有する長波長光を第二方向2へ優先的に射出することが好ましい。この場合、(E+0.3)eVよりもエネルギーが大きく、(E+0.9)eVよりもエネルギーが小さい光は、第一方向および第二方向のいずれに優先的に射出されてもよく、第一方向と第二方向とに略等量射出されてもよい。
 例えば、CHNHPbIのペロブスカイト結晶は、光感度特性の長波長端λが約800nmであり、その光エネルギーは1.55eVである。第一の光電変換素子10の光吸収層がCHNHPbIのペロブスカイト結晶を含む場合、分光素子51は、500nmよりも短波長の光を第一方向1(第一の光電変換素子10側)へ優先的に射出し、670nmよりも長波長の光を第二方向2(第二の光電変換素子20側)へ優先的に射出するように構成されていることが好ましい。
 例えば、第一の光電変換素子10の光吸収層の分光感度特性の長波長端λが、750nm~850nmの範囲である場合、分光素子51は、光入射側から照射された入射光のうち、波長500nm以下の短波長光を第一方向1へ優先的に射出し、波長650nm以上の長波長光を第二方向2へ優先的に射出するように構成されていることが好ましい。
 所定方向に優先的に射出するとは、特定の波長範囲の入射光のうち、当該方向へ射出される光量が、他の方向へ射出される光量よりも大きいことを意味する。第一方向に優先的に射出するとは、好ましくは、当該波長範囲の入射光のうち、50%より多くの光を、第一の光電変換素子に入射させることを意味する。第一の光電変換素子に入射する光量は、より好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上であり、特に好ましくは90%以上である。同様に、第二方向に優先的に射出するとは、当該波長範囲の入射光のうち、好ましくは50%以上、より好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上、特に好ましくは90%以上を、第二の光電変換素子20へ入射させることを意味する。
 このような分光特性は、分光素子51の構成や、分光素子51と光電変換素子10,20との相対的な配置関係、光入射方向に対する分光素子51の配置角度等により、適宜に調整できる。例えば、図1に示す構成では、分光素子51として、分離波長λよりも短波長の光(高いエネルギー光)を優先的に反射し、λよりも長波長の光(低エネルギー光)を優先的に透過する波長選択反射膜が用いられている。分離波長λは、(E+0.3)~(E+0.9)eVのエネルギーに対応する波長であり、例えば、500nm~650nmの範囲内である。波長選択反射膜としては、一般に、屈折率の異なる誘電体の多層蒸着薄膜が用いられ、各種の分離波長を有する波長選択反射膜(ダイクロイックミラー)が市販されている。
 入射光101の波長選択反射膜51への入射角θは特に限定されないが、θが小さいほど、空気との界面での反射率が低減され、第二方向への長波長光の透過率が高められるため、より多くの長波長光を第二の光電変換素子20へ入射させることができる。そのため、入射角θは、40°以下が好ましく、30°以下がより好ましく、25°以下がさらに好ましい。一方、θが小さすぎると、光入射方向と第一方向が略同一となり、波長選択反射膜51への入射光が遮られる場合がある。そのため、入射角θは5°以上が好ましく、10°以上がより好ましい。
 なお、波長選択反射膜が多層薄膜である場合、入射角θの増大に伴って、分離波長が短波長化(ブルーシフト)する。そのため、入射角θを考慮して、分光素子の構成を決定することが望ましい。なお、図1に示す形態では、短波長光を反射し長波長光を透過する波長選択反射膜が用いられているが、短波長光を透過し長波長光を反射する波長選択反射膜が用いられてもよい。この場合、光透過側が第一方向、光反射側が第二方向となる。
 図1に示す形態において、分光素子51は、光電変換素子10,20と空間的に隔てて配置されているが、分光素子と光電変換素子とは、近接して(あるいは接して)配置されてもよい。例えば、図2に示す形態では、第二の光電変換素子20に接して、分光素子として波長選択反射膜51が設けられている。この形態においても、分光素子51に照射された入射光101のうち、短波長光は第一方向に反射され、反射光111が第一の光電変換素子10に入射される。分光素子51に照射された入射光101のうち、長波長光は第二方向に透過され、透過光121が第二の光電変換素子20に入射される。
 分光素子は、波長選択反射膜に限定されず、光の反射、屈折、回折、干渉、偏光等の原理を利用して、入射光の進行方向を、波長に応じて変化させる各種の光学素子を用いることができる。具体的には、レンズ、プリズム、回折格子、ミラー、偏光ビームスプリッター(例えば、ブリュースター角の全反射を利用するもの)等を、必要に応じて適宜に組み合わせることにより、短波長光を第一方向(第一の光電変換素子側)へ優先的に射出し、長波長光を第二方向(第二の光電変換素子側)へ優先的に射出する分光素子を構成できる。
 図3は、分光素子としてプリズム58を用いた複合太陽電池の構成例を模式的に示している。図3の構成において、プリズム58に入射する光108は、プリズムへの入射時、およびプリズムからの射出時に屈折する。プリズムを構成する材料は、波長により屈折率が異なる(一般には短波長ほど屈折率が大きい)ため、プリズムから射出される光の方向は、波長により異なる。そのため、短波長光の射出方向(第一方向1)に第一の光電変換素子10を配置し、長波長光の射出方向(第二方向2)に第二の光電変換素子20を配置すれば、本発明の複合太陽電池を形成できる。また、プリズムの材料および形状や、プリズム58への光108の入射角度、プリズム58と光電変換素子10,20との位置関係を調整することにより、第一の光電変換素子10に優先的に入射される光の波長範囲、および第二の光電変換素子20に優先的に入射される光の波長範囲を、所望の範囲に調整できる。また、複数のプリズムを組み合わせて用いることにより、波長範囲の分離精度や、射出光の進行方向の精度を高めることもできる(例えば、ダイクロイックプリズム)。
 図4Aおよび図4Bは、複合分光素子59として、プリズム58と波長選択反射膜51との組み合わせを採用した複合太陽電池の構成例を模式的に示している。図4Aの構成では、プリズム58の面58bに接するように波長選択反射膜51が配置されている。プリズム58の面58aに照射された入射光は、界面で屈折し、面58bから射出して波長選択反射膜51に到達する。波長選択反射膜51に到達した光のうち、短波長光は第一方向に反射され、プリズム58の面58cから射出して、第一の光電変換素子10に入射する。波長選択反射膜51に到達した光のうち、長波長光は第二方向に透過され、波長選択反射膜51に接して配置された第二の光電変換素子20に入射する。図4Bの構成は、プリズム58の面58cに接するように第一の光電変換素子10が設けられていること以外は、図4Aの構成と同様である。
 このように、複合分光素子を構成する複数の光学素子が接するように配置することにより、光学素子間の界面での反射や屈折による光学的ロスを低減できる。また、分光素子と光電変換素子とが接するように配置することにより、光学ロスをさらに低減できる。そのため、光電変換素子に入射する光の量を増大させ、複合太陽電池の変換効率を向上できる。例えば、図4Bの構成では、プリズム58の面58cに接するように第一の光電変換素子10が設けられているため、図4Aの構成に比べて光学ロスをさらに低減できる。また、複数の素子を一体化することにより、複合太陽電池の封止を行う場合の封止必要箇所が低減するため、複合太陽電池の製造効率を向上できる。
 なお、図4Aおよび図4Bに示す形態では、プリズム58の面58bに接するように、短波長光を反射し長波長光を透過する波長選択反射膜51、および第一の光電変換素子10が設けられているが、長波長光を反射し短波長光を透過する波長選択反射膜が用いられてもよい。この場合は、波長選択反射膜に接して第二の光電変換素子が配置される。
 第一の光電変換素子10は、光吸収層として、ペロブスカイト型結晶構造の感光性材料(ペロブスカイト結晶材料)を含有する。ペロブスカイト結晶材料を構成する化合物は、一般式RNHで表される。式中、Rはアルキル基であり、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。Mは2価の金属イオンであり、PbやSnが好ましい。Xはハロゲンであり、F,Cl,Br,Iが挙げられる。なお、3個のXは、全て同一のハロゲン元素であってもよく、複数のハロゲンが混在していてもよい。ハロゲンの種類や比率を変更することにより、分光感度特性を変化させることができる。
 第一の光電変換素子(ペロブスカイト光電変換素子)の構成は、前述の特許文献1や非特許文献1~3等に開示されている構成等、適宜のものを採用できる。例えば、受光面側から、透明基板;透明電極層;TiO等からなるブロッキング層;TiOやAl等の金属酸化物の多孔質担体表面にペロブスカイト結晶材料が形成された光吸収層;正孔輸送層;および金属電極層をこの順に有する構成が挙げられる。
 第二の光電変換素子20は、光吸収層のバンドギャップが第一の光電変換素子の光吸収層のバンドギャップよりも狭いものであれば、その構成は特に限定されない。このような特性を満たす光吸収層の材料としては、結晶シリコン、ガリウムヒ素(GaAs)、CuInSe(CIS)等が挙げられる。中でも、長波長光(特に波長1000nm以上の赤外光)の利用効率が高いことから、結晶シリコンおよびCISが好ましく用いられる。結晶シリコンは、単結晶、多結晶、微結晶のいずれでもよい。特に、長波長光の利用効率が高く、かつキャリア回収効率に優れることから、光吸収層に単結晶シリコン基板を用いた光電変換素子が好ましく用いられる。
 単結晶シリコン基板を用いた光電変換素子としては、p型単結晶シリコン基板の受光面側にn型層を設け、裏面側に高ドープ領域(p+領域)を設けたものや、p型またはn型単結晶シリコン基板の両面に、非晶質シリコン層および透明導電層を設けたもの(いわゆるヘテロ接合結晶シリコン太陽電池)等が挙げられる。第二の光電変換素子に優先的に入射される長波長光を有効に利用できる限りにおいて、第二の光電変換素子の構成や材料等は、上記例示のものに限定されない。
 第一の光電変換素子10の光吸収層として用いられるペロブスカイト結晶材料は、紫外光の照射により特性が変化し、劣化することが知られている。そのため、信頼性に優れる複合太陽電池を得るためには、第一の光電変換素子10への紫外光の入射量が少ないことが好ましい。具体的には、入射光のうち、波長300nm~320nmの範囲の紫外光の第一の光電変換素子への入射量を小さくすることが好ましい。例えば、分光素子が、入射光のうち、波長300nm~320nmの範囲の紫外光の50%以上を第一の光電変換素子へ入射させないように構成されていればよい。また、第一の光電変換素子への紫外光の入射量を低減させることにより、ペロブスカイト型光電変換素子の光劣化を抑制できるとともに、温度上昇が抑制されるため、熱による特性低下も低減できる。
 波長300nm~320nmの範囲の紫外光を第一の光電変換素子へ入射させないためには、例えば、分光素子として、波長選択反射膜と紫外光吸収素子との組み合わせを用いればよい。具体的には、図1の構成において、波長選択反射膜51と第一の光電変換素子10との間に、紫外光吸収素子(不図示)を配置することにより、第一の光電変換素子への紫外光の入射量を低減できる。紫外光吸収素子としては、波長300nm~320nmの光の透過率が50%未満のものが好ましく用いられる。
 紫外光吸収素子を用いる代わりに、波長300nm~320nmの範囲の紫外光が、第二の光電変換素子へ優先的に入射されるように、分光素子を構成してもよい。例えば、分光素子として、波長λ~λ(ただし、λ<λ)の範囲の光を波長選択的に反射し、λよりも短波長の光およびλよりも長波長の光を波長選択的に透過する波長選択反射膜を用いることができる。
 図5は、波長λ~λの光を波長選択的に反射する波長選択反射膜52を備える複合太陽電池の構成例を表す模式図である。波長選択反射膜52に照射された入射光のうち、波長λ~λの範囲の光は、優先的に第一方向1へ反射され、反射光112は、第一の光電変換素子10へ入射する。一方、λよりも長波長の光、およびλよりも短波長の光(紫外光)は、波長選択反射膜52を透過し、優先的に第二方向2へ射出される。透過長波長光122および透過紫外光132は、第二の光電変換素子20へ入射する。
 このように、分光素子として、複数の分離波長を有する波長選択反射膜52を用いれば、第一の光電変換素子へ入射される紫外光の量を低減して、光劣化を抑制できるとともに、第一の光電変換素子へ入射されない紫外光を第二の光電変換素子で利用できる。そのため、変換効率が高く、かつ信頼性に優れる複合太陽電池が得られる。
 波長選択反射膜の長波長側の分離波長λの範囲は、図1に示す形態において説明したのと同様である。短波長側の分離波長λは、320nm以上であればよい。ただし、λが長波長化すると、第一の光電変換素子で利用できる短波長光の量が小さく、変換効率が低下する場合がある。そのため、λは、400nm以下が好ましく、370nm以下がより好ましく、350nm以下がさらに好ましい。
 図6に示す複合太陽電池は、分光素子50の第三方向に、第三の光電変換素子30を備える。この構成では、分光素子50に照射される入射光のうち、波長300nm~320nmの範囲の紫外光が第三方向へ優先的に射出し、第三の光電変換素子へ入射される。第三の光電変換素子30として、第二の光電変換素子よりも紫外光の利用効率が高いものを用いれば、さらに変換効率を高めることができる。第三の光電変換素子30の光吸収層としては、非晶質シリコンや、CdTe等のワイドバンドギャップ材料が好ましく用いられる。
 図6の形態において、分光素子50は、分離波長の異なる複数の波長選択反射膜により構成される。例えば、波長選択反射膜53で波長λよりも短波長の光を波長選択的に反射することにより、反射光133を第三の光電変換素子30へ入射させる。波長選択反射膜53を透過した光は、波長選択反射膜54に入射する。ここでは、波長λよりも長波長の光が第二方向へ透過して、透過光123が第二の光電変換素子に入射する。波長λよりも短波長の光は、波長選択反射膜54で第一方向1に反射され、反射光113が第一の光電変換素子に入射する。この形態において、波長λよりも短波長の紫外光は、波長選択反射膜53により第三方向に反射されるため、第一の光電変換素子10には、波長λよりも短波長の紫外光がほとんど入射しない。そのため、短波長光の利用効率を高めて複合太陽電池の変換効率を向上できるとともに、第一の光電変換素子10の光劣化を抑制できる。
 図6の形態では、光入射側から、第三の光電変換素子30、第一の光電変換素子10、および第二の光電変換素子が順に配置されている。各光電変換素子の配置順は、この形態に限定されないが、バンドギャップが大きい光電変換層を光入射側に配置する方が、波長選択反射膜の光吸収によるロスが少ないため、変換効率が高められる傾向がある。
 図5および図6では、分光素子として、波長選択反射膜を用いる例を図示したが、他の光学素子(プリズムやミラー等)を用いて、第一の光電変換素子へ入射する紫外光の量を低減することもできる。波長選択反射膜以外の光学素子を用いて、紫外光が第二の光電変換素子や第三の光電変換素子に入射するように、分光素子を構成することもできる。また、波長選択反射膜を用いる場合でも、波長選択反射膜の配置や、光電変換素子の配置は、図示した形態に限定されない。分光素子の波長選択性や光の入射角等に応じて、種々の構成を採用することができる。
 本発明の複合太陽電池は、実用に際してモジュール化されることが好ましい。モジュール化は、適宜の方法により行われる。例えば、各光電変換素子の電極に引出し線を接続した後、光電変換素子を封止することにより、モジュール化が行われ、太陽電池モジュールが得られる。本発明の複合太陽電池は、分光素子による光の反射や屈折を利用するため、全ての光学素子を平面的に配置することが困難である。そのため、図7に示すように、光電変換素子10,20および分光素子50を、適宜の筐体60内に封かんすることが好ましい。
 光電変換素子および分光素子を筐体内に封かんする場合、筐体の内部に雨水等が侵入しないように筐体の封止を行えば、必ずしも全ての光電変換素子を個別に封止する必要はない。しかしながら、ペロブスカイト結晶材料は、水分等による劣化が生じ易いため、第一の光電変換素子として用いられるペロブスカイト型光電変換素子は、第二の光電変換素子等に比べて、より厳重に封止が行われることが好ましい。すなわち、光電変換素子および分光素子が筐体内に封かんされるか否かに関わらず、少なくとも第一の光電変換素子は、封止剤により封止されていることが好ましい。第一の光電変換素子の封止方法は特に限定されないが、一般的な有機EL素子の封止と同様、水分の侵入が可及的に抑制された封止方法が好ましく採用される。第一の光電変換素子の封止に用いられる封止剤としては、第二の光電変換素子の封止や、筐体の封止に用いられる封止剤よりも、水分透過率の小さいものが好ましく用いられる。
 本発明の複合太陽電池を、集光素子と組み合わせることにより、集光太陽電池が得られる。図7は、集光太陽電池の構成例を示す模式図である。集光素子70は、各光電変換素子よりも大面積であり、太陽光150は、集光素子70により集光され、複合太陽電池の分光素子に入射される。この構成では、光電変換素子の面積が小さい場合でも、多くの太陽光を光電変換に利用することができる。集光素子70としては、レンズ、ミラー、あるいはレンズとミラーの組み合わせ等、一般的な集光太陽電池に用いられる集光素子を利用できる。
 集光太陽電池では、小面積の光電変換素子に、大量の太陽光が照射されるため、素子の温度が上昇しやすくなる。本発明においては、分光素子を用いることにより、第一の光電変換素子(ペロブスカイト型光電変換素子)に優先的に入射される光の波長範囲が限定されている。そのため、集光太陽電池においても、ペロブスカイト型光電変換素子の温度上昇が抑制され、信頼性が高められる。
 本発明の集光太陽電池は、集光素子70と分光素子50との間に、光平行化素子90を有することが好ましい。光平行化素子は、集光素子70から入射した光155を、平行光として分光素子50側へ射出するものであれば特に限定されず、各種のレンズやミラー、あるいはその組み合わせ等を用いることができる。具体例としては、コリメータレンズが挙げられる。なお、光平行化素子による平行化は、精密光学機器や画像表示装置で必要とされるような、厳密なものでなくともよい。
 太陽光150は平行光であるが、集光素子70により集光された光155は非平行光となっている。本発明の複合太陽電池は、分光素子50を用いて、波長選択的に光の進行方向を変化させ、各光電変換素子に優先的に入射される光の波長範囲を制御している。分光素子50に照射される光が、一定方向の平行光であれば、分光素子から射出される光の進行方向の制御が容易となる。そのため、設計通りの波長範囲の光を、所定の光電変換素子に優先的に入射させることができ、高変換特性を維持できる。
 本発明の複合太陽電池は、適宜の制御システムを組み合わせることにより、太陽の追尾を可能とすることもできる。太陽を追尾できる太陽光発電システムは、太陽光の照射方向に応じて、光の利用効率が最大となるように、構成される。例えば、複合太陽電池の分光素子の位置や配置角度等を可変とすれば、太陽光の照射方向の変化(季節や時刻の変化)に応じて、入射角θを変化させ、より多くの短波長光を第一の光電変換素子に入射させ、より多くの長波長光を第二の光電変換素子に入射させることができる。また、集光太陽電池では、集光素子70の位置や配置角度を可変として、より多くの太陽光が複合太陽電池へ入射するようにシステムを構成できる。また、太陽光の照射方向に応じて、光平行化素子の向きを変化させ、分光素子への光の入射角θが一定となるようにシステムを構成してもよい。また、システム全体が太陽を追尾するようにすれば、複合太陽電池への太陽光の入射角度や強度を最適化することが可能となる。
 以下、実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
 本実施例では、第一の光電変換素子として、透明基板上に、TiOコンパクト層、メソポーラスTiO上にペロブスカイト型結晶CHNHPbIが形成された光吸収層、正孔輸送層、およびAu電極がこの順に積層されたペロブスカイト光電変換素子(以下「ペロブスカイトセル」と記載する)を用いた。このペロブスカイトセルの分光感度特性の長波長端は、800nmであった。
 第二の光電変換素子として、テクスチャ構造を有するn型単結晶シリコン基板の光入射面にi型非晶質シリコン薄膜、p型非晶質シリコン薄膜、およびITO透明電極層をこの順に備え、n型単結晶シリコン基板の裏面側に、i型非晶質シリコン薄膜、n型非晶質シリコン薄膜、およびITO透明電極層をこの順に有する、ヘテロ接合型の結晶シリコン系光電変換素子(以下「結晶シリコンセル」と記載する)を用いた。
 ソーラーシミュレータを用いて、これらの各光電変換素子に1sun(AM1.5G、100mW/cm)の光を照射して、変換特性を測定した結果を、表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
[実験例1]
 第一の光電変換素子10として、上記のペロブスカイトセルを用い、第二の光電変換素子20として上記の結晶シリコンセルを用い、図1に示す構成の複合太陽電池を作製した。波長選択反射膜51として、長波長側の分離波長λが700nm(実験例1-1)、640nm(実験例1-2)、600nm(実験例1-3)、550nm(実験例1-4)のものを用いた。波長選択反射膜としては、ガラス基板上に高屈折率材料と低屈折率材料とを交互に積層した多層蒸着膜を用いた。
 なお、本実験例では、第一の光電変換素子の受光面と第二の光電変換素子の受光面のなす角を90°とし、これらの光電変換素子の受光面と、波長選択反射膜52の膜面とのなす角が45°となるように設定した。変換特性の測定に際しては、波長選択反射膜52への光の入射角θを45°とした。ペロブスカイトセルおよび結晶シリコンセルのそれぞれの変換特性、および両者の変換効率(Eff)の合計を、表2に示す。なお、波長選択反射膜の分離波長λおよびλは、入射角θ=45°の入射光の、反射率と透過率の大小関係が入れ替わる波長であり、波長λ~λの範囲では、透過率よりも反射率の方が大きく(すなわち、ペロブスカイトセル側へ光が反射され)、波長λよりも短波長領域、および波長λよりも長波長領域では、反射率よりも透過率の方が大きい(すなわち、結晶シリコンセル側へ光が透過される)。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  実験例1-1では、分離波長λがペロブスカイトセルの分光感度特性の長波長端よりも100nm短波長(0.22eV高エネルギー)に設定されたが、ペロブスカイトセルの変換効率と結晶シリコンセルの変換効率の合計は、結晶シリコンセル単独の場合と略同等であった。これに対して、分離波長λが、ペロブスカイトセルの分光感度特性の長波長端よりも0.3eV以上高エネルギーである波長選択反射膜が用いられた実験例1-2~1-4では、変換効率の合計が、結晶シリコンセル単独の場合に比べて大幅に向上していた。これらの結果から、分光手段による分離波長(ペロブスカイトセル(第一の光電変換素子)に優先的に入射させる光の波長範囲)を調整することにより、高効率の複合太陽電池が得られることが示された。
[参考例1:ペロブスカイトセルの熱量の試算]
 以下では、波長選択反射膜等を用いてペロブスカイトセルに入射する光の波長範囲を限定した場合に、ペロブスカイトセルで生じる熱量を試算した。図9は、AM1.5Gの太陽光スペクトルと、ペロブスカイトセルの反射率スペクトルである。反射率は、ペロブスカイトセルの光入射面側から測定光を入射させて、分光光度計により測定した。
 ペロブスカイトセルに1sunの全光(波長範囲:280nm~2500nm)を入射した場合(参考例1-1:上記表1のペロブスカイトセルの測定と同じ)、および波長カットフィルタを用いて、長波長側の光を遮蔽した場合(参考例1-2~6)のそれぞれについて、ペロブスカイトセルの変換効率を測定した。
 照射エネルギーは、照射波長範囲における照射光エネルギーであり、AM1.5Gの太陽光スペクトルに基づいて算出した。ペロブスカイトセルによる発電量は、変換効率と、全光の照射エネルギー(99.26mW/cm)の積から算出した。実効変換効率は、発電量と照射エネルギーの比から算出した。反射光のエネルギーは、各波長におけるAM1.5Gの太陽光の強度(光エネルギー)と反射率の積から算出した。
 ペロブスカイトセルに照射された波長範囲の光の全エネルギーから、ペロブスカイトセルにより電気に変換されたエネルギー(発電量)と、反射によって散逸されたエネルギー(反射光エネルギー)を除いたものが、熱エネルギーとしてペロブスカイトセルに蓄積されると仮定して、以下の式により、ペロブスカイトセルに蓄積される熱エネルギーを算出した。
   (熱エネルギー)=(照射エネルギー)-(発電量)-(反射光エネルギー)
 算出結果を表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表3に示すように、1sunの全光をペロブスカイトセルに照射した場合、照射光エネルギーの約71%が、熱エネルギーとしてペロブスカイトセルに蓄積されることがわかる(参考例1-1)。これに対して、800nmよりも長波長の光をペロブスカイトセルに入射させないようにすれば、蓄積される熱エネルギーは44%程度まで低減され(参考例1-6)、550nmよりも長波長の光を入射させないようにすれば、熱エネルギーは20%未満に低減される(参考例1-2)。また、ペロブスカイトセルに入射する光の波長範囲を制限することにより、実効変換効率(実際に照射された光エネルギーに対する発電量の比)が高められることが分かる。
 上記の結果から、ペロブスカイトセルに入射させる光の波長範囲を制限することにより、光の利用効率が高められるとともに、ペロブスカイトセルに蓄積される熱量が低減し、セルの温度上昇による劣化(熱劣化)を抑制できることが分かる。ペロブスカイトセルの分光感度の長波長端(800nm)よりも短波長である550nm程度までの光を入射させるように構成された実験例1-4(表1)の複合太陽電池は、変換効率が高いことに加えて、全光を入射させる場合の1/4程度に熱量が低減されるため、ペロブスカイトセルの熱劣化が抑制され、長期の信頼性を確保できると考えられる。
[参考例2:ペロブスカイトセルへの紫外光の影響]
 ペロブスカイトセルの表面に、波長λよりも短波長の光を吸収するUVカットフィルタを配置し、ソーラーシミュレータを用いて、1sunの光を1時間照射した。照射前後での変換特性の変化を表4に示す。表4の数値は、光照射前の数値を1とする相対値で表されている。参考例2-4は、UVカットフィルタを用いずに、同様の試験を行った結果を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 表4の結果から、光照射により、ペロブスカイトセルの変換特性(特にJsc)が低下することが確認され、特に、波長320nm以下の紫外光による特性低下が大きいことが分かる。これは、紫外光による化合物の光劣化や、光電変換に寄与しない熱による影響等に起因すると考えられる。
[実験例2]
 実験例2では、長波長側の分離波長λが550nmであり、短波長側の分離波長λが異なる2種類の波長選択反射膜を用いて、実験例1と同様に複合太陽電池を作製した。作製した複合太陽電池の変換特性を、ソーラーシミュレータで測定後、上記参考例2と同様に、1sunの光を1時間照射し、照射後の変換特性を測定した。結果を表5に示す。なお、光照射後の変換特性の下段は、光照射前の数値を1とする相対値である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 実験例2-1では、波長300nm~320nmの光の大半が結晶シリコンセルに入射されるため、実験例2-2に比べて光照射前後での特性低下が小さい。また、初期変換効率および光照射後の変換効率のいずれにおいても、実験例2-1の方が高い値を示した。この結果から、波長300~320nmの光を、結晶シリコンセルに優先的に入射させることにより、初期変換特性に優れ、かつ光照射後の変換特性(信頼性)にも優れる複合太陽電池が得られることが分かる。
  10  光電変換素子(ペロブスカイト型光電変換素子)
  20,30 光電変換素子
  51,52,53,54 分光素子(波長選択反射膜)
  58  分光素子(プリズム)
  59  複合分光素子
  60  筐体
  70  集光素子
  90  光平行化素子

Claims (11)

  1.  分光素子と;前記分光素子の第一方向に位置する第一の光電変換素子と;前記分光素子の第二方向に位置する第二の光電変換素子と、を備え、
     前記第一の光電変換素子は、光吸収層として、一般式RNH(式中、Rはアルキル基であり、Mは2価の金属イオンであり、Xはハロゲンである)で表されるペロブスカイト型結晶構造の感光性材料を含有するペロブスカイト型光電変換素子であり、
     前記第一の光電変換素子の光吸収層は、分光感度特性の長波長端に対応する光エネルギーがEeVであり、
     前記分光素子は、光入射側から照射された入射光のうち、(E+0.9)eV以上のエネルギーを有する短波長光を前記第一方向へ優先的に射出し、(E+0.3)eV以下のエネルギーを有する長波長光を前記第二方向へ優先的に射出することを特徴とする、複合太陽電池。
  2.  分光素子と;前記分光素子の第一方向に位置する第一の光電変換素子と;前記分光素子の第二方向に位置する第二の光電変換素子と、を備え、
     前記第一の光電変換素子は、光吸収層として、一般式RNH(式中、Rはアルキル基であり、Mは2価の金属イオンであり、Xはハロゲンである)で表されるペロブスカイト型結晶構造の感光性材料を含有するペロブスカイト型光電変換素子であり、
     前記第一の光電変換素子の光吸収層は、分光感度特性の長波長端が、750nm~850nmであり、
     前記第二の光電変換素子は、光吸収層のバンドギャップが前記第一の光電変換素子の光吸収層のバンドギャップよりも狭く、
     前記分光素子は、光入射側から照射された入射光のうち、波長500nm以下の短波長光を前記第一方向へ優先的に射出し、波長650nm以上の長波長光を前記第二方向へ優先的に射出することを特徴とする、複合太陽電池。
  3.  前記第二の光電変換素子は、光吸収層が結晶シリコンである、請求項1または2に記載の複合太陽電池。
  4.  前記分光素子は、前記入射光のうち、波長300nm~320nmの範囲の紫外光の50%以上を前記第一の光電変換素子へ入射させないように構成されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の複合太陽電池。
  5.  前記分光素子は、前記入射光のうち、波長300nm~320nmの範囲の紫外光を、前記第二方向へ優先的に射出するように構成されている、請求項4に記載の複合太陽電池。
  6.  前記分光素子の第三方向に位置する第三の光電変換素子をさらに備え、
     前記分光素子は、前記入射光のうち、波長300nm~320nmの範囲の紫外光を、前記第三方向へ優先的に射出するように構成されている、請求項4に記載の複合太陽電池。
  7.  前記分光素子は、波長選択反射膜を備える、請求項1~6のいずれか1項に記載の複合太陽電池。
  8.  前記入射光が、前記波長選択反射膜の法線方向に対して40°以内の範囲で入射するように構成されている、請求項7に記載の複合太陽電池。
  9.  請求項1~8のいずれか1項に記載の複合太陽電池を備え、
     少なくとも前記第一の光電変換素子が封止されている、太陽電池モジュール。
  10.  請求項1~8のいずれか1項に記載の複合太陽電池と、前記複合太陽電池の前記分光素子の光入射側に位置する集光素子とを備える、集光太陽電池。
  11.  前記分光素子と前記集光素子との間に、光平行化素子を備える、請求項10に記載の集光太陽電池。
PCT/JP2015/069854 2014-07-12 2015-07-10 複合太陽電池、太陽電池モジュール、および集光太陽電池 WO2016009956A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016534404A JP6564776B2 (ja) 2014-07-12 2015-07-10 複合太陽電池、太陽電池モジュール、および集光太陽電池
US15/325,503 US10177705B2 (en) 2014-07-12 2015-07-10 Composite solar cell, solar cell module, and concentrating solar cell

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-143758 2014-07-12
JP2014143758 2014-07-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016009956A1 true WO2016009956A1 (ja) 2016-01-21

Family

ID=55078450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/069854 WO2016009956A1 (ja) 2014-07-12 2015-07-10 複合太陽電池、太陽電池モジュール、および集光太陽電池

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10177705B2 (ja)
JP (1) JP6564776B2 (ja)
WO (1) WO2016009956A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10633434B2 (en) 2016-06-14 2020-04-28 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Anti-C5 antibodies
US11365265B2 (en) 2017-12-13 2022-06-21 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Anti-C5 antibody combinations and uses thereof

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170040557A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Tandem Photovoltaic Module Comprising a Control Circuit
WO2018070326A1 (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社カネカ 光起電装置
WO2019100070A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Energy Everywhere, Inc. Method and system for pervoskite solar cell with scaffold structure
CN108259001B (zh) * 2018-03-27 2024-01-12 北方民族大学 一种基于分光谱的光伏组件及光伏电池板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013096978A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Toyo Sangyo Kk 高効率ソーラー発電装置
WO2013171517A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Isis Innovation Limited Optoelectronic devices with organometal perovskites with mixed anions
JP2014086601A (ja) * 2012-10-25 2014-05-12 Hitachi Zosen Corp 太陽電池装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4021267A (en) * 1975-09-08 1977-05-03 United Technologies Corporation High efficiency converter of solar energy to electricity
US4204881A (en) * 1978-10-02 1980-05-27 Mcgrew Stephen P Solar power system
JP3102217B2 (ja) 1993-08-25 2000-10-23 トヨタ自動車株式会社 太陽電池
US6015950A (en) * 1997-05-13 2000-01-18 Converse; Alexander K. Refractive spectrum splitting photovoltaic concentrator system
US7081584B2 (en) * 2003-09-05 2006-07-25 Mook William J Solar based electrical energy generation with spectral cooling
US8058549B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
WO2010124204A2 (en) * 2009-04-24 2010-10-28 Light Prescriptions Innovators, Llc Photovoltaic device
JP6037215B2 (ja) 2012-09-28 2016-12-07 学校法人桐蔭学園 有機無機ハイブリッド構造からなる光電変換素子
DE102012222056A1 (de) * 2012-12-03 2014-06-05 Tesa Se Lamination starrer Substrate mit dünnen Klebebändern
WO2014132076A1 (en) * 2013-03-01 2014-09-04 Isis Innovation Limited Semiconducting layer production process

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013096978A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Toyo Sangyo Kk 高効率ソーラー発電装置
WO2013171517A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Isis Innovation Limited Optoelectronic devices with organometal perovskites with mixed anions
JP2014086601A (ja) * 2012-10-25 2014-05-12 Hitachi Zosen Corp 太陽電池装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10633434B2 (en) 2016-06-14 2020-04-28 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Anti-C5 antibodies
US11479602B2 (en) 2016-06-14 2022-10-25 Regeneren Pharmaceuticals, Inc. Methods of treating C5-associated diseases comprising administering anti-C5 antibodies
US11492392B2 (en) 2016-06-14 2022-11-08 Regeneran Pharmaceuticals, Inc. Polynucleotides encoding anti-C5 antibodies
US11365265B2 (en) 2017-12-13 2022-06-21 Regeneron Pharmaceuticals, Inc. Anti-C5 antibody combinations and uses thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20170155358A1 (en) 2017-06-01
JPWO2016009956A1 (ja) 2017-04-27
US10177705B2 (en) 2019-01-08
JP6564776B2 (ja) 2019-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6564776B2 (ja) 複合太陽電池、太陽電池モジュール、および集光太陽電池
Mazzarella et al. Infrared light management using a nanocrystalline silicon oxide interlayer in monolithic perovskite/silicon heterojunction tandem solar cells with efficiency above 25%
Jošt et al. Textured interfaces in monolithic perovskite/silicon tandem solar cells: advanced light management for improved efficiency and energy yield
Raiford et al. Atomic layer deposition of vanadium oxide to reduce parasitic absorption and improve stability in n–i–p perovskite solar cells for tandems
Yamada et al. Maximization of conversion efficiency based on global normal irradiance using hybrid concentrator photovoltaic architecture
AU2008290641B2 (en) Solar cell construction
Alexandre et al. Optimum luminescent down-shifting properties for high efficiency and stable perovskite solar cells
US20090084963A1 (en) Apparatus and methods to produce electrical energy by enhanced down-conversion of photons
US11889709B2 (en) Mechanically stacked tandem photovoltaic cells with intermediate optical filters
KR20140024883A (ko) 다층 전자 장치
US20100052089A1 (en) Photoelectric Structure and Method of Manufacturing Thereof
JP7092570B2 (ja) 太陽電池モジュール
Gouillart et al. Reflective back contacts for ultrathin Cu (In, Ga) Se 2-based solar cells
Duong et al. Filterless spectral splitting perovskite–silicon tandem system with> 23% calculated efficiency
Zheng et al. Suppressing the negative effect of UV light on perovskite solar cells via photon management
JP5626796B2 (ja) 直列接続型ソーラーセル及びソーラーセルシステム
Martínez‐Goyeneche et al. Narrowband monolithic perovskite–perovskite tandem photodetectors
US20150221800A1 (en) Spectral light splitting module and photovoltaic system including concentrator optics
US20120325299A1 (en) Photonic Bandgap Solar Cells
US20130037084A1 (en) Photovoltaic Module Light Manipulation for Increased Module Output
Kosten et al. Spectrum splitting photovoltaics: light trapping filtered concentrator for ultrahigh photovoltaic efficiency
TW201304158A (zh) 光電池裝置及光電池裝置之製造方法
JP4568531B2 (ja) 集積型太陽電池及び集積型太陽電池の製造方法
TW201349520A (zh) 太陽能電池及其模組
KR101814821B1 (ko) 태양전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15821450

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016534404

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15325503

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15821450

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1