WO2016008743A1 - Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe - Google Patents

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Daniel Riedel
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Silke SCHARNER
Johannes Rosenberger
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Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic assembly and a method for producing an optoelectronic
  • flat surface light sources are desirable, which have a depth or spatial effect for an observer.
  • the object of the invention is an optoelectronic
  • Light-emitting structures light pattern or entire lights with depth and / or 3D effects are provided.
  • the optoelectronic component has a surface light source on a substrate.
  • Area light source is for emitting a light
  • the substrate is at least partially
  • the optoelectronic component has at least a first main emission surface and a second main emission surface.
  • the reflective structure is at least partially in the optical path of the
  • Reflecting structure incident light to reflect toward the substrate, so that the reflected light is emitted through the substrate.
  • the reflecting structure and the optoelectronic component are arranged at a distance from one another in a range of approximately 1 mm to approximately 1000 mm, for example in a range of approximately 3 mm to approximately 100 mm,
  • the second main emission surface may be the first
  • the substrate and the reflective structure form an optical cavity.
  • the light emitted through the substrate has a lateral distance to the light emitted directly from the area light source.
  • a laterally offset image of the surface light source can clearly be generated, whereby a spatial effect and / or in the image plane
  • Depth effect is generated. The emission of the reflected light through the substrate of the optoelectronic component and the distance of the reflective structure to the
  • Optoelectronic component thus enable a three-dimensional effect to be produced in a two-dimensional luminous structure.
  • the depth impression can be many times higher than the structural depth.
  • the substrate has an optically inactive region next to the surface light source. This can do that
  • reflected light may be emitted through the substrate in addition to the surface light source.
  • Area light source mediates in the image plane of
  • the proportion of the optically inactive region adjacent to the surface light source is in a range of about 5% to about 90%, for example, in a range of about 10% to 80%, for example, in a range of about 20% to 60%.
  • reflective structure reflected light. This allows the structure of the reflective structure to be visible through the area light source. Thereby, a pattern shown on the reflecting structure or one shown on the reflecting structure
  • the surface light source is designed as a single-side light-emitting component. This allows the luminance of the optoelectronic component to be increased in a simple manner,
  • one-way emission is optimized in terms of their efficiency.
  • the area light source may turn high
  • the surface light source is designed as an at least bidirectionally light-emitting component. This makes it possible for an optoelectronic assembly having a depth effect and / or spatial effect to be able to be realized by means of a single area light source and / or by means of one or more area light source (s) on a single side of the substrate.
  • Component on the substrate at least a first
  • Area light source and a second area light source wherein the first area light source emits a first light and the second area light source emits a second light
  • the first area light source is arranged at a first distance next to and / or above the second area light source on the substrate.
  • the first area light source at a first distance next to the second area light source may be formed as a segmented area light source. This enables new design possibilities for the optoelectronic assembly, for example an interaction of the spatial effects
  • the first area light source at a first distance above the second area light source may be formed as a back-to-back arrangement. This allows a simple use of one-sided light-emitting
  • the first light differs in at least one property from the second light, for example the color locus, the brightness, the saturation and / or the color bin and / or the angle-dependent one
  • different color bin represent a lateral color gradient.
  • at least one color bin represent a lateral color gradient.
  • the first one emits
  • Light source the directly, that is optically active, light emitted from the first main emission surface light; and the second light source reflects the light reflected from the reflective structure and emitted through the substrate.
  • the second surface light source can be seen as an apparent, spatially deeper image of the first
  • Area light source a light of a different intensity, another color location, for example, another color bin; and / or a different polarization than the first surface light source.
  • the first area light source may be configured such that the first light is emitted into the first main emission area; and the second area light source is formed such that the second light is in the second
  • Main emission surface is emitted. This makes it possible to easily realize an optical difference in the directly emitted light and the reflected emitted light, that is, the image of the directly emitting surface light source.
  • the substrate is partially reflective designed for incident light
  • the light reflected from the reflecting structure for example, as a partially transmissive mirror. This allows that from the substrate
  • reflected light is at least partially reflected towards the reflecting structure. This light is in turn deflected from the reflective structure to the substrate and partially emitted through the substrate. This transmitted light has a greater distance to the
  • the reflective structure is at least partially permeable to at least a part of the incident light on the reflective structure.
  • the reflective structure is formed as a partially transmissive mirror. This allows the optoelectronic assembly to be easily implemented a double-sided emitting optoelectronic assembly and / or a transparent optoelectronic assembly can be formed.
  • the optoelectronic assembly is easily implemented a double-sided emitting optoelectronic assembly and / or a transparent optoelectronic assembly can be formed.
  • the optoelectronic assembly is at least partially permeable to at least a part of the incident light on the reflective structure.
  • the reflective structure is formed as a partially transmissive mirror.
  • Assembly further comprises an at least partially transmissive structure.
  • the at least partially transparent structure is in the beam path of the emitted light between an image plane of the optoelectronic assembly and the
  • the partially transmissive structure is at least partially transmissive to light incident from the surface light source and / or the reflective structure on the partially transmissive structure.
  • the at least partially permeable structure acts as a mechanical protection for the
  • the partially transparent structure is, for example, the cover of the optoelectronic
  • the partially transmissive structure is formed and arranged such that at least a part of the area light source and / or the
  • the partially transmissive structure is for example as a
  • partially transparent mirror or partially transparent mirror formed.
  • the incident on the partially transparent structure light is reflected in the direction of the substrate and / or the reflective structure. From the substrate and / or the reflective structure, this light is in turn at least partially reflected back toward at least partially transmissive structure. With others In other words, part of the light is diverted away from the partially transparent structure towards the reflecting structure. This light in turn becomes partially permeable
  • Room effect and / or depth effect of the optoelectronic assembly can be adjusted.
  • the surface light source has at least one at least partially reflecting electrode.
  • the at least partially reflective electrode is configured to reflect the light emitted by the area light source.
  • the at least partially reflective electrode is at least part of the reflective one
  • Structure is adjustable in this case by means of the distance of the optoelectronic component to the at least partially permeable structure.
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing a
  • Area light source is used to emit a light
  • the substrate is at least partially
  • the optoelectronic component is designed such that it has at least one first
  • Main emission surface and a second main emission surface Furthermore, the method comprises forming a reflective structure and arranging the reflective structure in such a way that the reflective structure
  • Area light source emitted light is arranged and is arranged, at least part of the on the
  • Reflecting structure incident light to reflect toward the substrate, so that the reflected light is emitted through the substrate.
  • the second main emission surface may be the first
  • Area light source and a second area light source for example, structuring at least one electrically conductive layer of the surface light source. This enables a surface light source with a plurality of light-emitting segments with depth effect and / or in a simple manner to be produced
  • FIG. 1 shows a schematic sectional view of a
  • Figure 2 is a schematic sectional view of a
  • FIG. 3 shows a flow diagram of an embodiment of a
  • Figure 4 is a schematic representation of a development of an optoelectronic component of the optoelectronic assembly
  • Figure 5 is a schematic representation of a development of an optoelectronic component of the optoelectronic assembly
  • Figure 6 is a schematic representation of a development of the optoelectronic assembly
  • Figure 7 is a schematic representation of a development of the optoelectronic assembly
  • FIG. 8 is a schematic representation of a development of the optoelectronic assembly
  • FIG. 9 shows a schematic representation of a development of the optoelectronic assembly.
  • An optoelectronic component may have one, two or more optoelectronic components.
  • an optoelectronic assembly can also be one, two or more
  • An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component.
  • An active electronic component may have, for example, a computing, control and / or regulating unit and / or a transistor.
  • passive electronic component may, for example, a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
  • An optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting device or a
  • An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, a solar cell or a photodetector.
  • Component may be in various embodiments, an electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or as an electromagnetic
  • Radiation emitting diode as an organic electromagnetic radiation emitting diode, as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • light emitting diode light emitting diode
  • organic light emitting diode organic light emitting diode
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • a surface light source appears within the
  • a flat organic light emitting diode and / or a screen For example, a flat organic light emitting diode and / or a screen.
  • a flat organic light emitting diode For example, a flat organic light emitting diode and / or a screen.
  • Optoelectronic assembly is outside the photometric limit distance, the area light source appears as a ceremoni1ichtque1le. In a further education is the
  • Area light source a point light source, in particular for the case that the image plane is arranged at a distance from the first main emission surface, which is greater than the photometric limit distance.
  • the electromagnetic radiation emitted by the surface light source may be from one or more optical components be collimated or focused so that a directed beam is formed.
  • At least one of the following structures is partially transmissive and / or reflective for the light emitted by the surface light source: the substrate, the reflective structure, the partially transparent structure. This will be a part of the particular structure
  • incident electromagnetic radiation reflects and another part passes through the structure.
  • incident electromagnetic radiation - depending on the wavelength, the polarization and / or the
  • incident electromagnetic radiation - depending on the wavelength, the polarization and / or the
  • Radiation - a proportion in a range of about 10% to about 95% of the structure reflected, for example in a range of about 25% to about 90%,
  • Component is a planar region of the optoelectronic component, from which a substantial part of the emitted electromagnetic radiation is emitted, for example in a range of about 10% to about 100% of the total emission of the optoelectronic component.
  • Main emission surface is optically active and has a
  • Component in the main emission surface optically passive and is translucent or transparent with respect to the emitted electromagnetic radiation.
  • the reflective structure or an at least partially reflective structure reflects one onto the
  • a reflective structure may be formed in various developments as an optical grating, a metallic mirror, a photonic crystal or a totally reflecting interface.
  • Mirror structure is completely or partially reflective designed for electromagnetic radiation of a
  • the partially reflecting reflective structure may, for example, be a divider mirror and / or a disposable mirror.
  • the partially reflecting reflective structure may reflect a portion of the electromagnetic radiation impinging or incident thereon. Another portion of the incident electromagnetic radiation passes through the partially transmissive reflective structure.
  • One side of the reflective structure can be
  • dielectric layer system on the other side is a
  • reflective structure is for example as a
  • dichroic mirror a photonic crystal or a
  • Disposable mirror formed In other words, one of the above-mentioned structures can be used for one or more wavelengths, polarization directions or directions of incidence of the
  • Electromagnetic radiation such as visible light, have different transmission or transmission and / or reflectivity coefficients or reflectance.
  • the partially transparent structure and / or the substrate of the optoelectronic component are in different
  • FIG. 1 illustrates a schematic sectional view of an embodiment of an optoelectronic device
  • the optoelectronic assembly 100 includes
  • the optoelectronic component 110 has a first one
  • Main emission surface 112 and a second main emission surface 114 The first main emission surface 112 faces the second main emission surface 114.
  • the optoelectronic component 110 has at least one area light source 102 on a substrate 106, as will be described in more detail below.
  • Area light source 102 is configured to emit a light, as described in greater detail below.
  • the substrate 106 is at least partially transmissive to the light emitted from the area light source 102.
  • the optoelectronic component 110 is designed such that a first light 118 is emitted from the first main emission surface 112, and that a second light 108 is emitted from the second main emission surface 114.
  • the optoelectronic assembly 100 has a reflective structure 120 with an incident light reflecting surface 122 or reflective
  • the reflective structure 120 is at a distance from the first main emission surface 112 and / or the second
  • Main emission surface 114 arranged, for example
  • FIG. 1 illustrates by means of the arrow 124 in FIG. 1.
  • An optical cavity is formed by means of the spacing 124 between the second main emission surface 114 and the reflecting surface 122. In the optical reality, part of the area light source 102 becomes the second one
  • Main emission surface 114 emitted light 108 guided.
  • the reflecting structure 120 is arranged with respect to the optoelectronic component 110 such that the light 108 emitted by the area light source 102 impinges on the reflecting structure 120 from the first main emitting area 112 (see for example FIG. 9) and / or the second main emitting area 114. At least a portion of this light 108 will be to or from the reflective
  • Structure 120 reflects toward substrate 106 and through substrate 106 into image plane 130
  • the light 116, 118 emitted by the optoelectronic component 110 from the first main emission surface 112 can be detected in the image plane 130 by an observer.
  • the distance 124 between the second main emission surface 114 or the substrate 106 and the reflective structure 120 is set such that the light 116 emitted by the reflective structure 120 is offset laterally next to that directly from the surface light source 102 in the direction of FIG
  • Image plane 130 of emitted light 118 is visible in the image plane 130, for example as a double image or a smeared image of the area light source 102.
  • the optoelectronic assembly 100 is formed between the directly emitted light 118 and the light 116 emitted by the reflection of the incident light 108 on the reflecting structure 120 and through the substrate 106.
  • the optoelectronic assembly 100 three-dimensional, that is, it creates a Depth impression of the optoelectronic assembly 100.
  • the area light source 102 is arranged at a distance 124 above the reflecting structure 120 such that the substrate 106 and the reflecting structure 120 form an optical cavity.
  • the optical cavity is formed by means of the surface light sources 120 and the reflective structure 120. The distance 124 between the area light source 102 and the
  • Spatial effect or depth effect can be set up such that the light emitted by the surface light source 102 during operation of the optoelectronic assembly is optically distinguishable from the light 116 reflected by the reflective structure 120. Thereby, the reflected-emitted light 116 becomes a spatial offset to the direct one
  • an optoelectronic assembly 100 that has an optoelectronic component 110 and a reflective structure 120.
  • Optoelectronic component 110 has a
  • Area light source 102 is configured to emit a light 108, 118.
  • the substrate 106 is at least partially transparent to the light emitted by the surface light source 102 108, 118 light.
  • the optoelectronic Component 110 has at least a first one
  • the reflective structure 120 is at least partially disposed in the beam path of the light 108 emitted from the area light source 102 and configured to reflect at least a portion of the light 108 incident on the reflective structure 120 toward the substrate 106, such that the reflected light 116 passes through the light Substrate 106 is emitted therethrough.
  • the reflecting structure 120 and the optoelectronic component 110 are arranged at a distance 124 from each other in a range from about 1 mm to about 1000 mm; for example, from about 1 mm to about 200 mm, for example, in a range from about 3 mm to about 100 mm, for example, in a range from about 5 mm to about 75 mm.
  • the first main emission direction 112 of the optoelectronic component 110 is the reflective structure 120
  • the substrate 106 is a glass carrier or has a
  • the substrate has a reflective layer.
  • the layer is at least for the light emitted by the area light source
  • the substrate 106 may thus be formed as a partially transmissive mirror.
  • the substrate 106 is designed to be partially reflective for incident light, for example for the light 116 reflected by the reflecting structure 120.
  • the substrate 106 is formed as a partially transmissive mirror.
  • the reflective structure 120 has a reflective surface 122.
  • the reflective structure 120 has a reflective layer structure for at least part of the incident light.
  • the reflective layer structure is formed in the form of a photonic crystal.
  • the reflective structure 120 has a structuring, for example in the form of a
  • the reflective structure is a curved mirror.
  • an optoelectronic assembly 100 with a lens effect can be realized.
  • the reflective structure 120 is at least partially permeable to at least part of the reflective structure 120
  • incident light for example in the form of a
  • the reflective structure 120, the substrate 106 and / or the area light source 102 are formed such that the reflected light 116 differs from the light 118 emitted directly from the area light source 102 in at least one property, for example in the color locus, the brightness , the saturation and / or the Color bin.
  • Substrate for example, have a
  • the area light source 102 is bidirectionally light-emitting or has a back-to-back arrangement of a first area light source and a second area light source
  • a first light 118 is emitted from the first area light source of the back-to-back arrangement or a first side of the bidirectional area light source in a first direction, that is, directly into the first direction
  • a second light 108 is from the second area light source of the back-to-back arrangement or a second side of the bi-directional ones
  • Area light source emitted in a second direction, that is emitted in the direction of the reflective structure 120.
  • the back-to-back bi-directional area light source or area light source may be configured such that first light is different from the second light.
  • Fig. 2 illustrates a schematic sectional view of an embodiment of an optoelectronic
  • the optoelectronic component 110 largely corresponds to the optoelectronic component 110 shown in FIG.
  • the optoelectronic component 110 has a hermetically sealed substrate 106, an active region 206 and an encapsulation structure 226.
  • the hermetically sealed substrate 106 has a carrier 202 and a barrier layer 204.
  • the hermetically sealed substrate 106 supports the electrically active region 206 and protects this before penetration of a harmful substance for the electrically active region 206, for example, oxygen and / or water vapor.
  • the electrically active region 206 has a first electrode 210, an organically functional layer structure 212 and a second electrode 214.
  • the active region 206 is an electrically active region 206 and / or an optically active region 206.
  • the active region is, for example, the region of the optoelectronic component 110 in which the electrical current for the operation of the optoelectronic
  • the encapsulation structure 226 may be a second
  • the encapsulation structure 226 surrounds the electrically active region 206 and protects it from penetration of a substance which is harmful for the electrically active region 206, for example oxygen and / or
  • the carrier 202 comprises glass, quartz, and / or a
  • the carrier has a plastic film or a
  • the plastic is one or more polyolefins (for example high or low density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN).
  • the carrier 202 comprises or is formed from a metal, For example, copper, silver, gold, platinum, iron,
  • a metal compound such as steel.
  • the carrier 202 may serve as a waveguide for the
  • electromagnetic radiation for example, be transparent or translucent in terms of
  • the barrier layer 204 is arranged on or above the carrier 202 on the side of the active region 206 and / or the side facing away from the active region 206.
  • the barrier layer 204 has one of the following
  • alumina zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantala, lanthania, silica, silicon nitride,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof.
  • the barrier layer 204 is formed by one of the following methods: an atomic layer deposition method
  • ALD Application Layer Deposition
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • PALD plasma-less atomic layer deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • the barrier layer 204 has a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm,
  • the barrier layer 204 is optional if the carrier 202 is already hermetically sealed, for example comprising or formed from a glass, a metal or a metal oxide.
  • the first electrode 210 is formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 210 is formed on or above the carrier 202 and / or the barrier layer.
  • the first electrode 210 comprises or is formed of one of the following electrically conductive material
  • TCO conductive conductive oxide
  • Nanowires and particles for example of Ag, which are combined, for example, with conductive polymers;
  • the first electrode 210 made of a metal or a metal has or consist of one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials for example Mo / Al / Mo; Cr / Al / Cr; Ag / Mg, AI.
  • the first electrode 210 comprises a transparent conductive oxide of one of the following materials: for example, metal oxides: for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary binary
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2, or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds, for example AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , Mgln 2 O 4 ,
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 210 has a layer or a
  • the first electrode 210 is formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on one
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode has a layer thickness in a range from 10 nm to 500 nm, for example from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the first electrode 210 is connected to a first electrical connection 218, to which a first electric Potential can be applied.
  • the first electrical potential is provided by a device-external power source, such as a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential is applied to an electrically conductive carrier 202 and indirectly supplied to the first electrode 210 by the carrier 202 electrically.
  • the first electrical potential is, for example, the ground potential or another predetermined one
  • the organic functional layer structure 212 is formed on or above the first electrode 210 and is disposed electrically between the first electrode 210 and the second electrode 214.
  • the organic functional layer structure 212 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units.
  • Functional layer structure 212 may comprise, for example, a first organically functional layer structure unit 216, an intermediate layer structure 218 and a second organically functional layer structure unit 220.
  • the organically functional layer structure 212 has one or more organically functional layer structures, for example 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70, which are each formed the same or different ,
  • the organic functional layer structure 212 has a hole injection layer, a hole transport layer, a
  • the layers of the organic functional layer structure 212 are arranged between the electrodes 210, 214 such that, in operation, electrical charge carriers can flow from the first electrode 210 through the organic functional layer structure unit 212 into the second electrode 214, and vice versa; for example, in the order described below.
  • One or more of said layers may be provided in the organically functional layered structure unit 212, wherein identical layers may have physical contact, may only be electrically connected to one another, or may even be electrically insulated from each other, for example, formed side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • the hole injection layer comprises or is formed from one or more of the following materials: HAT-CN,
  • the hole injection layer has a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • the hole transport layer has one or more of
  • NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-l-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine
  • beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine
  • TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine
  • Spiro TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine
  • Spiro-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -spiro
  • DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene
  • the hole transport layer has a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • An emitter layer comprises or is formed from organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”) or a combination of these materials
  • optoelectronic component 110 has in one
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters are, for example, by means of
  • Polymer emitter are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials can be used in
  • a matrix material for example a technical ceramic or a polymer, for example an epoxide; or a silicone.
  • the emitter layer has one color or different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer has a plurality of partial layers, the light
  • the emitter layer has a layer thickness in one
  • the electron transport layer comprises or is formed from one or more of the following materials: NET-18; 2,2 ⁇ , 2 "- (1,3,5-triethylenetriyl) tris (1-phenyl-1-H-benzimidazoles), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1 , 3, 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines (BCP), 8-hydroxy-guolinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl- 4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene; 4,7-dipheny1 -1,10-phenanthrolines (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,
  • the electron transport layer has a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the electron injection layer comprises or is formed from one or more of the following materials: NDN-26,
  • the electron injection layer has a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example, in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organically functional layer structure unit has above or next to the first functional layer structure
  • Layer structure units may be formed. Electrically between the organically functional layered structure units, an interlayer structure is formed.
  • the interlayer structure is formed as an intermediate electrode, for example according to one of the embodiments of the first electrode 210.
  • An intermediate electrode has to be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source provides a third electrical potential at the intermediate electrode.
  • the intermediate electrode has no external electrical
  • Connection by the intermediate electrode has a floating electrical potential.
  • the interlayer structure is one
  • a charge carrier pair generation layer structure has one or more
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the charge carrier pair generation layer structure should be designed with respect to the energy levels of the electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) in such a way that at the interface of a electron-conducting charge carrier pair generation layer with a hole-conducting charge carrier pair-generation layer has a separation of electron and hole done.
  • the carrier pair generation layer structure further has a diffusion barrier between adjacent layers.
  • the optoelectronic component 110 optionally has further organic functional layers, for example
  • the further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling / decoupling structures, which are the
  • the second electrode 214 is formed in accordance with one of the configurations of the first electrode 210, the first
  • Electrode 210 and the second electrode 214 may be the same or different.
  • the second electrode 214 is formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is, as one
  • the second electrode 214 has a second electrical connection to which a second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential is provided by the same or a different energy source as the first electrical potential and / or the optional third electrical potential.
  • the second electrical potential is different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential.
  • the second electrical potential has, for example, a value such that the difference to the first electrical
  • Potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • the barrier film 208 is according to any one of
  • Embodiments of the above-described barrier layer 204 is formed.
  • exemplary embodiments can also be dispensed with entirely on a barrier thin layer 208.
  • the exemplary embodiments can also be dispensed with entirely on a barrier thin layer 208.
  • Encapsulation structure 226 another barrier, whereby a barrier layer 208 is optional, for example, the cover 224, for example a
  • Cavity glass encapsulation or metallic encapsulation Furthermore, one or more additional
  • Auskoppel scaffolden formed in the optoelectronic component 110, for example, an external Auskoppelfolie on or above the carrier 202 (not shown) or an internal Auskoppel scaffold (not shown) in
  • the input / output coupling layer has a matrix and therein
  • the average refractive index of the input / outcoupling layer is greater or less than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided.
  • one or more antireflection coatings may be provided in the optoelectronic device 110.
  • the encapsulation structure further comprises a cover 224 and / or a connection layer 222.
  • the bonding layer 222 is optional, for example, if the cover 224 is formed directly on the second barrier film 208, for example, a glass cover 224 formed by plasma spraying.
  • the bonding layer 222 is formed of an adhesive or a varnish. In a further development, a
  • Connecting layer 222 made of a transparent material
  • the connecting layer 222 acts as a scattering layer, resulting in a
  • Metal oxide for example silicon oxide (SiC> 2) / zinc oxide
  • ZnO zirconia
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • Ga 2 O x gallium oxide
  • titanium oxide Other particles may also be suitable provided they have a refractive index that is different from the effective refractive index of the matrix of the bonding layer 222
  • Nanoparticles metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the connecting layer 222 has a layer thickness of greater than 1 ⁇ m, for example a layer thickness of several ⁇ m. In a further development, between the second electrode 214 and the connection layer 222 is still an electrical
  • the optoelectronic component 110 may have a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 microns, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 pm to protect electrically unstable materials, for example, during a wet chemical process.
  • the optoelectronic component 110 may have a
  • a laterally structured getter layer (not shown).
  • the getter layer comprises or is formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region, such as water vapor and / or oxygen.
  • a getter layer comprises or is formed from a zeolite derivative.
  • the getter layer has a layer thickness of greater than about 1 .mu.m, for example, a layer thickness of several microns.
  • connection layer 222 On or above the connection layer 222, the cover 224 is formed or arranged.
  • the cover 224 is connected to the electrically active region 206 by means of the connection layer 222 and protects it from harmful substances.
  • the cover 224 is for example a
  • the Glass cover 224 is for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding (glass frit bonding) by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the optoelectronic
  • Component 110 connected.
  • a surface light source is designed as an organic light-emitting diode.
  • Area light sources are organic light emitting diodes, which as
  • OLED segments Surface light sources are formed, also referred to as OLED segments.
  • Fig. 3 illustrates a flowchart of a
  • Embodiment of a method 300 for producing an optoelectronic assembly 100 for example, the above-explained optoelectronic assembly.
  • the method serves to form an optoelectronic assembly which is arranged to emit a light 118, 116 into an image plane 130 and has a depth or spatial effect.
  • an optoelectronic component 110 having at least one area light source 102 is formed on a substrate 106.
  • Structure 120 is formed.
  • a method 300 for producing an optoelectronic assembly 100 comprises: forming 302 a
  • Optoelectronic device 110 with a
  • Area light source 102 on a substrate 106 wherein the area light source for emitting a light 108, 118 is formed, and wherein the substrate 106 is at least partially permeable to that of the
  • Area light source 102 emitted light
  • Optoelectronic device 110 is formed such that it has at least a first main emission surface 112 and a second main emission surface 114, wherein the second main emission surface 112 of the first
  • Main emission surface 114 is opposite. Furthermore, the method 300 includes forming 304 a reflective
  • Area light source 102 of emitted light 108 is arranged and adapted to reflect at least a portion of the incident on the reflecting structure 120 light 108 toward the substrate 106, so that the reflected light 116 is emitted through the substrate 106 therethrough.
  • the reflecting structure 120 and the optoelectronic component 110 are arranged at a distance 124 from each other in a range of about 1 mm to about 1000 mm, for example in a range of
  • the area light source 102 is arranged at a distance 124 above the reflective structure 120 such that the substrate 106 and the reflective structure 120 and / or the partially transparent structure 702 form an optical cavity.
  • Optoelectronic device 110 a segmentation of a surface light source 102 in at least a first
  • Area light source 102 and a second area light source 402, 404 for example, structuring at least one electrically conductive layer of the area light source 102.
  • an adhesive film is arranged in the beam path between the optoelectronic component 110 and the reflective structure 120.
  • the adhesive film increases the optical path length of the light 108 in the optical cavity.
  • the region of the beam path between the optoelectronic component 110 and the reflective structure 120 is free of adhesive film.
  • the optoelectronic component is in one or more optically inactive regions with the
  • An optoelectronic component with two or more surface light sources which are formed in accordance with an organic light-emitting diode 206 described in FIG. 2, can use two or more surface light sources
  • the area light source 102 is at least partially permeable to that of the
  • the surface light source 102 is formed as a one-sided light-emitting component.
  • the area light source 102 is formed as an at least bi-directional light-emitting device.
  • At least one first surface light source 102 and a second one are provided on the substrate 106
  • Area light source 402, 404, 502, 504, 506 formed, as will be illustrated in more detail below.
  • the first area light source 102 emits a first light and the second area light source 402, 404 emits a second light.
  • the first area light source 102 is at a first distance 406 adjacent and / or above the second
  • the lateral distance allows a
  • the optoelectronic component is formed such that the first area light source 102 in a first area on the substrate 106 has a lateral distance 406 to the second area light source 402, 404; and in a second region on the substrate 106 is physically, electrically and / or optically connected to the second surface light source 402, 404; please refer
  • the first area light source 102 and the second area light source 402, 404, 502, 504, 506 are formed such that the first light differs in at least one property from the second light, for example in the color locus, in the brightness, in the
  • the first surface light source 102 is formed such that the first light in the first
  • Main emission area 112 is emitted;
  • Area light source 402, 404, 502, 504, 506 such as
  • Main emission surface 114 is emitted; See, for example, also Fig.4 and Fig.5.
  • the first distance 406 is set up in such a way that the first area light source 102, which is arranged next to the second area light source 402, 404, in operation of the optoelectronic assembly 100 in at least one image plane 130 of the optoelectronic assembly 100 of the second optoelectronic component 402, 404 is optically distinguishable; see for example also Fig.4 and
  • the substrate 106 is formed partially reflecting for incident light
  • the light 116 reflected by the reflective structure 120 for example, the light 116 reflected by the reflective structure 120; for example as a
  • the reflective structure 120 with a reflective surface 122 and / or a reflective layer structure formed.
  • the incident, from the surface light source 102 the incident, from the surface light source 102
  • the reflective structure 120 is at least partially permeable to at least part of the reflective structure 120
  • incident light 108 for example as a
  • an at least partially permeable structure 702 is further formed or arranged, for example illustrated in FIG.
  • the at least partially transmissive structure 702 is interposed between a
  • the partially transmissive structure 702 is at least partially
  • permeable structure 702 is emitted therethrough; see, for example, Fig.7.
  • the partially permeable structure 702 is emitted therethrough; see, for example, Fig.7.
  • the partially permeable structure 702 is emitted therethrough; see, for example, Fig.7.
  • Structure 702 is formed or arranged, the
  • Area light source 102 and / or the reflective structure 120 is emitted towards and impinging on the partially transmissive structure 702.
  • the partially transmissive structure 702 is formed as a partially transmissive mirror.
  • the surface light source 102 is provided with at least one at least partially reflective
  • Electrode 210, 214 formed see for example Fig.2.
  • the at least partially reflecting electrode 210, 214 is formed to reflect the light emitted from the surface light source 102 108, 118.
  • the at least partially reflecting electrode 210, 214 is formed as a part of the reflecting structure 120.
  • the reflective structure 120 and / or the partially transparent structure 702 are arranged relative to the optoelectronic component 110, such that the light 118 emitted directly from the area light source 102 and the reflected light 108 have a lateral spacing 402, so that in operation optoelectronic
  • Assembly 100 a depth or spatial effect is formed.
  • the reflective structure 120 is formed in such a way that the reflected light 116 differs from the light 108 emitted by the area light source 102 and incident on the reflective structure 120 in at least one property, for example in the color locus, the brightness, the saturation and / or the color bin.
  • the reflective structure 120 is formed with or formed from a wavelength-converting substance.
  • the distance 124 between the surface light source 102 and the reflective structure 120 is set up such that the light 108, 118 emitted by the surface light source 102 is optically distinguishable from the light 116 reflected by the reflective structure 120 during operation of the optoelectronic assembly 100,
  • optoelectronic component 110 of the optoelectronic assembly 100 may largely correspond to an embodiment shown above.
  • the optoelectronic component has at least one area light source 102 or a plurality of area light sources 102, 402, 404.
  • the one or more surface light source (s) 102, 402, 404 bi-directionally emit light 108, 118, for example illustrated in FIG. 4, with a first area light source 102, a second area light source 402, and a third area light source 404.
  • Area light source (s) 102, 402, 404 at least partially transparent.
  • the area light source (s) 102, 402, 404 are at least partially transmissive to the light 116 reflected by the reflective structure 120.
  • optoelectronic component 110 on the substrate 106 at least a first area light source 102 and a second area light source 402, 404, wherein the first
  • Area light source 102 emits a first light and the second area light source 402, 404, a second light emitted.
  • the first area light source 102 is at a distance 406 adjacent and / or above (e.g.
  • Brightness, saturation, and / or the color bin are Brightness, saturation, and / or the color bin.
  • the first area light source 102 and the second area light source 402, 404 are such
  • Main emission surface 112 is emitted in the direction of the image plane 130; and the second light from the second
  • Main emission surface 114 is emitted in the direction of the reflective structure 120.
  • the first area light source 102 and the second area light source 402, 404 are such
  • Image plane 130 of the optoelectronic assembly 100 is optically visible.
  • the optoelectronic component 110 has one or more first surface light source (s) 102, 402 the light into the first main emission surface 112
  • Area light source (s) 502, 504, 506 emitting light into the second main emission area 114, for example, illustrated in FIG.
  • the second area light source 502, 504, 506 may be adjacent to the first one
  • Area light source 102 is at or above a second one
  • first area light source 102 has direct physical contact with the second area light source 506.
  • a first area light source 102 is formed or disposed on a first side of the substrate 106, and a second area light source 506 is formed and arranged on a second side of the substrate 106 with the first side opposite to the second side.
  • the first area light source 102 is arranged above the second area light source 502, 504, 506 in such a way that they overlap the area light sources or are congruent with one another.
  • a first area light source may be directly above the second
  • Surface light source may be arranged so that the first
  • Area light source overlaps the second area light source, the first area light source and the second
  • Areal light source are approximately congruent, or the second area light source overlaps the first area light source. This may result in non-transparent
  • the second surface light source may be in a congruent arrangement with respect to the first area light source as a mirror light source, that is, in OLEDs as
  • Area light sources as a so-called mirror OLED.
  • Area light source 502, 504, 506 may / may be formed as a so-called top emitter or bottom emitter, for example, according to the descriptions of Figure 2.
  • the light 118 emitted from the first main emission surface 112 is taken from the first
  • the optoelectronic component 110 has at least one surface light source 102, which
  • reflective structure 120 is reflected light 116.
  • the surface light source 102 is formed as a one-sided light-emitting component.
  • the optoelectronic component 110 has at least one first one on the substrate 106
  • the first area light source 102 is configured to emit a first light
  • the second area light source 402, 404, 502, 504, 506 is configured to emit a second light.
  • the first area light source is arranged at a first distance next to and / or above the second area light source 402, 502, 504, 506 on the substrate 106.
  • the first light differs in at least one property from the second Light, such as the color location, the brightness, the
  • the first area light source 102 is formed such that the first light is emitted into the first main emission area; and the second
  • Area light source is formed such that the second light is emitted into the second main emission surface.
  • FIG. 6 illustrates an optoelectronic assembly 100 with an optoelectronic component 110 according to the descriptions of FIG. In other words: that
  • Optoelectronic component 110 has one or more surface light sources 102, 402, 404, which emit light at least partially transparently and bidirectionally. This optoelectronic component 110 with a
  • Semitransparent substrate 106 is disposed at a distance above reflective structure 120.
  • the reflective structure 120 may be formed as a mirror structure.
  • Mirror structure differs from a reflective structure 120 in such a way that the mirror structure has a particularly lower roughness, and thus diffused light is diffused diffused. As a result, a very accurate imaging of the surface light source is possible.
  • FIG. 7 illustrates a schematic representation of a development of the optoelectronic assembly 100, the for example, largely the one shown above
  • Embodiment may correspond.
  • the optoelectronic assembly 100 additionally has an at least partially permeable one
  • the optoelectronic component 110 is arranged between the reflective structure 120 and the partially transparent structure 702. Thereby, a part of the light 116 (see Fig.1), 118, that of the first
  • Main emission surface 112 is emitted from the partially transmissive structure 702 and partially reflected.
  • Light 118 emitted directly from the area light source 102 from the first main emission area 112 is redirected toward the reflective structure 120 by the partially transparent structure 702. Thereby, the amount of light incident on the reflective structure 120 can be increased.
  • This light by means of the reflection at the partially transmissive structure, is at least partially at a greater lateral distance from the directly emitted light 118 in the direction of the image plane 130
  • the spatial depth or the depth effect of the optoelectronic assembly 100 can be increased.
  • Optoelectronic component 110 has an at least partially transparent structure 702.
  • the at least partially transparent structure 702 is arranged in the beam path of the light 116, 118 emitted by the first main emission surface 112 between an image plane 130 of the optoelectronic assembly 100 and the optoelectronic component 110.
  • the partially transmissive structure 702 is at least partially transmissive to light 116, 118, which differs from the
  • Area light source 102 and / or the reflective structure 120 impinges on the partially transparent structure 702.
  • the reflective structure 120 and / or the partially transmissive structure 702 are such
  • Optoelectronic component 110 is arranged such that the light 118 emitted directly from the surface light source 102 and the reflected light 116 have a lateral distance. As a result, a depth or spatial effect is formed during operation of the optoelectronic assembly 100.
  • the partially transmissive structure 702 is formed and arranged such that at least a portion of that of the
  • Surface light source 102 and / or the reflective structure 120 is reflected on the partially transmissive structure 702 incident light 116,118, for example, is designed as a partially transmissive mirror.
  • Area light source 102 is disposed at a second distance 124 over the reflective structure 120 such that the substrate 106 and the reflective structure 120, the
  • Area light source 102, 402, 404, 502, 504, 506 and / or the partially transmissive structure 702 form an optical cavity.
  • Area light source 102, 402, 404, 502, 504, 506 and the reflective structure 120 is set up such that the light 108, 118 emitted by the area light source 102, 402, 404, 502, 504, 506 during operation of the optoelectronic assembly 100 of FIG light 120 reflected by the reflective structure 120 is optically distinguishable.
  • the partially transmissive structure 702 may be formed as a mechanical protection for the optoelectronic device 110, for example as an encapsulation structure 226 or cover 224, such as in FIG.
  • FIG. 8 illustrates a schematic representation of a development of the optoelectronic assembly 100, which for example largely corresponds to the one shown above
  • Embodiment may correspond.
  • the reflective structure 120 has a reflective surface 122 or at least one
  • Wavelength range of the incident light reflecting layer structure This will do that on the
  • the reflective structure 120, the reflective layer structure and / or the reflective surface are / is structured.
  • the reflective structure 120 is configured such that the reflective surface 122 and / or the reflective layer structure have a curvature, a kink, a microstructure and / or a roughness / t, illustrated in FIG. 8 by means of the curved surface 802 reflective structure 120 may be convex and / or concave.
  • the microstructure may have a trench structure, elevations and / or depressions.
  • the reflective surface may have a structuring, for example at least one of the following shapes: curved, kinked, concave, convex, trench-shaped and / or lenticular. This indicates the reflective
  • the substrate 106 is substantially non-parallel or non-plane-parallel to the reflective one Surface 122 and / or reflective layer structure arranged. As a result, the radiation characteristic of the optoelectronic assembly 110 can be easily achieved
  • the reflective structure 120 is designed such that its permeability and / or its reflection coefficient is / is dependent on the wavelength and / or polarization of the light. This will be a
  • color-selective reflective structure 120 realized, for example, a color-selective mirror. This enables a targeted color accentuation of the visible light in the image plane 130 116, 118.
  • the color-selective reflective structure 120 realized, for example, a color-selective mirror.
  • reflective structure 120 is colored or
  • wavelength selective for example as a photonic crystal.
  • targeted color accentuation can be made possible in the light emitted by the optoelectronic component.
  • the reflective structure 120 is a partially transparent or fully reflective mirror
  • Embodiment may correspond.
  • the optoelectronic component 110 has one or more surface light sources 102, 402, the light on one side
  • the optoelectronic component 110 is arranged on the reflective structure 120.
  • the backside of the substrate 106 is by means of a
  • the partially transparent structure 702 is arranged.
  • the at least one area light source 102, 402, 404 emitted by the substrate 106, over the substrate 106, the partially transparent structure 702 is arranged.
  • light 118 is emitted from the at least one area light source 102, 402, 404 from the first main emission area 112. A portion of this light 118 is reflected at the partially transmissive structure 702 and redirected toward the reflective structure 120.
  • the light reflected from the partially transmissive structure 702 is reflected at the reflective surface of the reflective structure 120 and toward the partially transmissive
  • reflective structure 120 is formed in this development as an optical distance.
  • the optical distance is adjusted by means of the distance of the surface light source 102, 402 to the at least partially transparent structure 702.
  • the reflective structure 120 is an electrode of the optoelectronic component 110 formed, for example, as the lower, first electrode 210.
  • the first electrode 210 is for this purpose made of a reflective electrically conductive material or has such.
  • the surface light source 102 has at least one, at least partially reflective electrode 210, 214. The least
  • partially reflective electrode 210, 214 is for
  • Reflecting the light emitted from the surface light source 102 108, 118 is formed. The at least partially
  • reflective electrode 210, 214 is at least part of the reflective structure 210. In other words, the
  • Reflective structure 120 may consist of the transparent cathode which is evaporated over the entire substrate 106.
  • the optoelectronic assembly can have one or more optoelectronic components that form a photodetector or a solar cell
  • the photodetector is set up, for example, for detecting the light reflected by the reflecting structure and / or the module-external light.
  • the area light source as a
  • Point light source be formed or perceived.

Landscapes

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Baugruppe (100) bereitgestellt. Die optoelektronische Baugruppe (100) weist ein optoelektronisches Bauelement (110) mit einer Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) auf einem Substrat (106) auf. Die Flächenlichtqueile (102, 402, 404, 502, 504, 506) ist zum Emittieren eines Lichtes (108, 118) eingerichtet, und das Substrat (106) wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierte Licht (108, 118). Das optoelektronische Bauelement (110) weist wenigstens eine erste Hauptemissionsfläche (112) und eine zweite Hauptemissionsfläche (114) auf. Die optoelektronische Baugruppe (100) weist eine reflektierende Struktur (120) auf, wobei die reflektierende Struktur (120) wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierten Lichts (108, 118) angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur (120) auftreffenden Lichtes (108) in Richtung des Substrats (106) zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht (116) durch das Substrat (106) hindurch emittiert wird, und wobei die reflektierende Struktur (120) und das optoelektronische Bauelement (110) in einem Abstand (124) voneinander angeordnet sind in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm.

Description

Beschreibung
Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Baugruppe . In verschieden Anwendungen, beispielsweise im Automotive- Bereich, sind flache Flächenlichtquellen erwünscht, die für einen Beobachter eine Tiefen- oder Raumwirkung aufweisen.
Herkömmliche Flächenlichtquelle weisen keine Raumwirkung oder Tiefenwirkung auf. Zur Erzeugung einer Raumwirkung bei einer Flächenlichtquelle ist eine Bauteiltiefe notwendig, die die Flächenlichtquelle für eine Vielzahl an Anwendungen, in denen flache Bauteilen benötigt werden, ungeeignet werden lässt. Die Aufgabe der Erfindung ist eine optoelektronische
Baugruppe mit einer verbesserten Tiefen- oder Raumwirkung bereitzustellen. Dadurch können aus flachen organischen
Leuchtdioden-Strukturen Lichtmuster oder gesamte Leuchten mit Tiefenwirkung und/oder 3D-Effekten bereitgestellt werden.
Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Baugruppe, die ein
optoelektronisches Bauelement und eine reflektierende
Struktur aufweist. Das optoelektronische Bauelement weist eine Flächenlichtquelle auf einem Substrat auf. Die
Flächenlichtquelle ist zum Emittieren eines Lichtes
eingerichtet. Das Substrat ist wenigstens teilweise
durchlässig ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht. Das optoelektronische Bauelement weist wenigstens eine erste Hauptemissionsfläche und eine zweite Hauptemissionsfläche auf. Die reflektierende Struktur ist wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der
Flächenlichtquelle emittierten Lichts angeordnet und
eingerichtet, zumindest einen Teil des auf der
reflektierenden Struktur auftreffenden Lichtes in Richtung des Substrats zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht durch das Substrat hindurch emittiert wird. Die
reflektierende Struktur und das optoelektronische Bauelement sind in einem Abstand voneinander angeordnet in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis ungefähr 100 mm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis
ungefähr 75 mm.
Die zweite Hauptemissionsfläche kann der ersten
Hauptemissionsfläche gegenüberliegen. Das Substrat und die reflektierende Struktur bilden eine optische Kavität aus.
Das durch das Substrat hindurch emittierte Licht weist einen lateralen Abstand zu dem direkt von der Flächenlichtquelle emittierten Licht auf. Dadurch kann anschaulich ein lateral versetztes Abbild der Flächenlichtquelle erzeugt werden, wodurch in der Bildebene eine Raumwirkung und/oder
Tiefenwirkung erzeugt wird. Die Emission des reflektierten Licht durch das Substrat des optoelektronischen Bauelements und der Abstand der reflektierenden Struktur zu dem
optoelektronischen Bauelement ermöglichen somit, dass in einer zweidimensionalen Leuchtstruktur ein dreidimensionaler Effekt hervorgerufen werden kann. Der Tiefeneindruck kann um ein Vielfaches höher sein als die bauliche Tiefe. Weiterhin weist das Substrat einen optisch inaktiven Bereich neben der Flächenlichtquelle auf. Dadurch kann das
reflektierte Licht neben der Flächenlichtquelle durch das Substrat hindurch emittiert werden. Das Abbild der
Flächenlichtquelle neben der direkten Emission der
Flächenlichtquelle vermittelt in der Bildebene der
optoelektronischen Baugruppe die Tiefenwirkung und/oder
Raumwirkung. Der Anteil des optisch inaktiven Bereichs neben der Flächenlichtquelle ist in einem Bereich von ungefähr 5 % bis ungefähr 90 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 % bis 80 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 % bis 60 %.
Gemäß einer Weiterbildung ist die Flächenlichtquelle
wenigstens teilweise durchlässig für das von der
reflektierenden Struktur reflektierte Licht. Dies ermöglicht, dass die Struktur der reflektierenden Struktur durch die Flächenlichtquelle hindurch sichtbar ist. Dadurch kann ein auf der reflektierenden Struktur dargestelltes Muster oder eine auf der reflektierenden Struktur dargestellte
Information in der Bildebene sichtbar sein. Die Überlagerung des reflektierten mit dem in der Flächenlichtquelle
emittierten Licht kann zu einer Tiefenwirkung führen. Gemäß einer Weiterbildung ist die Flächenlichtquelle als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet. Dies ermöglicht, dass die Leuchtdichte des optoelektronischen Bauelementes auf einfache Weise erhöht werden kann,
beispielsweise indem die Flächenlichtquelle zu einer
einseitigen Emission hin in ihrer Effizienz optimiert wird. Beispielsweise kann die Flächenlichtquelle eine hoch
reflektierende Elektrode aufweisen. Weiterhin wird dadurch ermöglicht, dass optische Effekte durch hohe Kontraste und Abschattungen beim Betrachten der Baugruppe genutzt werden können. Diese Effekte können beim Betrachten der Baugruppe zudem Winkelabhängig sein, da sich durch Verkippung die
Abstände zwischen Leuchtfläche und Spiegelfläche ändern.
Gemäß noch einer Weiterbildung ist die Flächenlichtquelle als ein wenigstens bidirektional lichtemittierendes Bauelement ausgebildet. Dies ermöglicht, dass eine optoelektronische Baugruppe mit einer Tiefenwirkung und/oder Raumwirkung mittels einer einzigen Flächenlichtquelle und/oder mittels einer oder mehrerer Flächenlichtquelle/n auf einer einzigen Seite des Substrats realisiert werden können/kann.
Gemäß einer Weiterbildung weist das optoelektronische
Bauelement auf dem Substrat wenigstens eine erste
Flächenlichtquelle und eine zweite Flächenlichtquelle auf, wobei die erste Flächenlichtquelle ein erstes Licht emittiert und die zweite Flächenlichtquelle ein zweites Licht
emittiert. Die erste Flächenlichtquelle ist in einem ersten Abstand neben und/oder über der zweiten Flächenlichtquelle auf dem Substrat angeordnet.
Die erste Flächenlichtquelle in einem ersten Abstand neben der zweiten Flächenlichtquelle kann als eine segmentierte Flächenlichtquelle ausgebildet sein. Dies ermöglicht neue Designmöglichkeiten für die optoelektronische Baugruppe, beispielsweise ein Ineinanderwirken der Raumwirkungen
und/oder Tiefenwirkungen der ersten Flächenlichtquelle und der zweiten Flächenlichtquelle, beispielsweise ein räumlich wirkender Färb- und/oder Intensitätsgradient. Weiterhin kann es lateral auch zu nichtgraduellen segmentierten Effekten kommen. Die erste Flächenlichtquelle in einem ersten Abstand über der zweiten Flächenlichtquelle kann als eine Rücken-an-Rücken- Anordnung ausgebildet sein. Dies ermöglicht auf einfache Weise ein Verwenden von einseitig lichtemittierenden
Flächenlichtquellen in bidirektional emittierenden
optoelektronischen Bauelementen. Dadurch kann das Herstellen der optoelektronischen Baugruppe vereinfacht werden.
Gemäß einer Weiterbildung unterscheidet sich das erste Licht in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht, beispielsweise dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin und/oder der winkelabhängigen
Abstrahlchateristik. Dies ermöglicht lateral in der Bildebene der optoelektronischen Baugruppe neue Designmöglichkeiten für die Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung. Beispielsweise können nebeneinander angeordnete Flächenlichtquellen mit
unterschiedlichen Farb-Bin einen lateralen Farbgradienten darstellen. Alternativ oder zusätzlich können bei
übereinander angeordneten Flächenlichtquellen auf einfache Weise ein Farbgradient in der Raumwirkung oder Tiefenwirkung realisiert werden. Beispielsweise emittiert die erste
Lichtquelle das direkt, das heißt optisch aktiv, von der ersten Hauptemissionsfläche emittierte Licht; und die zweite Lichtquelle das von der reflektierenden Struktur reflektierte und durch das Substrat hindurch emittierte Licht. Dadurch kann in der Bildebene die zweite Flächenlichtquelle als scheinbares räumlich tieferliegendes Abbild der ersten
Flächenlichtquelle ein Licht einer anderen Intensität, eines anderen Farbortes, beispielsweise eins anderen Farb-Bins; und/oder einer anderen Polarisation aufweisen als die erste Flächenlichtquelle . Die erste Flächenlichtquelle kann derart ausgebildet sein, dass das erste Licht in die erste Hauptemissionsfläche emittiert wird; und die zweite Flächenlichtquelle derart ausgebildet, dass das zweite Licht in die zweite
Hauptemissionsfläche emittiert wird. Dies ermöglicht, dass auf einfache Weise ein optischer Unterschied in dem direkt emittierten Licht und dem reflektiert emittierten Licht, das heißt dem Abbild der direkt emittierenden Flächenlichtquelle realisiert werden kann.
Gemäß noch einer Weiterbildung ist das Substrat teilweise reflektierend ausgebildet für auftreffendes Licht,
beispielsweise für das von der reflektierenden Struktur reflektierte Licht; beispielsweise als ein teildurchlässiger Spiegel. Dies ermöglicht, dass das von dem Substrat
reflektierte Licht wenigstens teilweise zur reflektierenden Struktur hin reflektiert wird. Dieses Licht wird wiederum von der reflektierenden Struktur zum Substrat hin umgelenkt und teilweise durch das Substrat hindurch emittiert. Dieses transmittierte Licht weist einen größeren Abstand zu der
Flächenlichtquelle auf als das Licht, das lediglich ein Mal von der reflektierenden Struktur reflektiert und durch das Substrat hindurch emittiert wird. Mittels der Reflektivität des Substrates kann somit auf einfache Weise die Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung der optoelektronischen Baugruppe eingestellt werden.
Gemäß einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur auftreffenden Lichtes. Beispielsweise ist die reflektierende Struktur als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet. Dies ermöglicht, dass die optoelektronische Baugruppe auf einfache Weise als ein beidseitig emittierende optoelektronische Baugruppe und/oder eine transparente optoelektronische Baugruppe ausgebildet werden kann. Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische
Baugruppe ferner eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur auf. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur ist im Strahlengang des emittierten Lichts zwischen einer Bildebene der optoelektronischen Baugruppe und dem
optoelektronischen Bauelement angeordnet. Die teilweise durchlässige Struktur ist wenigstens teilweise durchlässig für Licht, das von der Flächenlichtquelle und/oder der reflektierenden Struktur auf die teilweise durchlässige Struktur auftrifft. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur wirkt als ein mechanischer Schutz für das
optoelektronische Bauelement vor Biegungen oder
Verkratzungen. Die teilweise durchlässige Struktur ist beispielsweise die Abdeckung des optoelektronischen
Bauelementes .
Gemäß einer Weiterbildung ist die teilweise durchlässige Struktur ausgebildet und angeordnet derart, dass wenigstens ein Teil des von der Flächenlichtquelle und/oder der
reflektierenden Struktur auf die teilweise durchlässige Struktur auftreffende Licht reflektiert wird. Die teilweise durchlässige Struktur ist beispielsweise als ein
teildurchlässiger Spiegel oder teiltransparenter Spiegel ausgebildet. Das auf die teilweise durchlässige Struktur auftreffende Licht wird in Richtung des Substrates und/oder der reflektierenden Struktur reflektiert. Von dem Substrat und/oder der reflektierenden Struktur wird dieses Licht wiederum wenigstens teilweise zurück in Richtung wenigstens teilweise durchlässige Struktur reflektiert. Mit anderen Worten: Von der teilweise durchlässigen Struktur wird ein Teil des Lichts zur reflektierenden Struktur hin umgelenkt. Dieses Licht wird wiederum zur teilweise durchlässigen
Struktur hin umgelenkt und teilweise durch das Substrat hindurch emittiert. Dadurch kann auf einfache Weise die
Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung der optoelektronischen Baugruppe eingestellt werden.
Gemäß einer Weiterbildung weist die Flächenlichtquelle wenigstens eine wenigstens teilweise reflektierende Elektrode auf. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode ist zum Reflektieren des von der Flächenlichtquelle emittierten Lichts ausgebildet. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode ist wenigstens ein Teil der reflektierenden
Struktur. Dies ermöglicht ein einfaches Ausbilden der
reflektierenden Struktur. Der Abstand zwischen dem
optoelektronischen Bauelement und der reflektierenden
Struktur wird in diesem Fall mittels des Abstandes des optoelektronischen Bauelementes zur wenigstens teilweise durchlässigen Struktur einstellbar.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer
optoelektronischen Baugruppe, bei dem das Verfahren ein
Ausbilden eines optoelektronischen Bauelements mit einer Flächenlichtquelle auf einem Substrat aufweist. Die
Flächenlichtquelle wird zum Emittieren eines Lichtes
ausgebildet. Das Substrat ist wenigstens teilweise
durchlässig ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht. Das optoelektronische Bauelement wird derart ausgebildet, dass es wenigstens eine erste
Hauptemissionsfläche und eine zweite Hauptemissionsfläche aufweist. Weiterhin weist das Verfahren ein Ausbilden einer reflektierenden Struktur und ein Anordnen der reflektierenden Struktur auf derart, dass die reflektierende Struktur
wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der
Flächenlichtquelle emittierten Lichts angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der
reflektierenden Struktur auftreffenden Lichtes in Richtung des Substrats zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht durch das Substrat hindurch emittiert wird. Die
reflektierende Struktur und das optoelektronische Bauelement werden in einem Abstand voneinander angeordnet in einem
Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis
ungefähr 100 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 75 mm.
Die zweite Hauptemissionsfläche kann der ersten
Hauptemissionsfläche gegenüberliegen. Das Anordnen der reflektierenden Struktur in einem Abstand in einem Bereich von 1 mm bis 1000 mm über dem optoelektronischen Bauelement ermöglicht, dass das reflektierte Licht neben der
Flächenlichtquelle sichtbar wird. Dadurch kann auf einfache Weise eine Flächenlichtquelle mit einer Raumwirkung oder Tiefenwirkung realisiert werden. Gemäß einer Weiterbildung weist das Ausbilden des
optoelektronischen Bauelements ein Segmentieren einer
Flächenlichtquelle in wenigstens eine erste
Flächenlichtquelle und eine zweite Flächenlichtquelle auf, beispielsweise ein Strukturieren wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht der Flächenlichtquelle. Dies ermöglicht, dass auf einfache Weise eine Flächenlichtquelle mit mehreren lichtemittierenden Segmenten mit Tiefenwirkung und/oder
Raumwirkung hergestellt werden kann. Gemäß einer Weiterbildung ist das optoelektronische
Bauelement auf oder über der reflektierenden Struktur aufgeklebt . Dies ermöglicht, dass der Abstand zwischen der
reflektierenden Struktur und dem optoelektronischen
Bauelement auf einfache Weise bezüglich mechanischer
Erschütterungen fixiert werden kann. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen: Figur l eine schematisch Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen
Baugruppe ;
Figur 2 eine schematisch Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen
Bauelementes der optoelektronischen Baugruppe;
Figur 3 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines
Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe;
Figur 4 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung eines optoelektronischen Bauelementes der optoelektronischen Baugruppe;
Figur 5 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung eines optoelektronischen Bauelementes der optoelektronischen Baugruppe; Figur 6 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe;
Figur 7 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe;
Figur 8 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe; und Figur 9 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen. Optional kann eine optoelektronisches Baugruppe auch ein, zwei oder mehr
elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein
passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle oder ein Fotodetektor sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement
beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine
Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen
Gehäuse .
Eine Flächenlichtquelle erscheint innerhalb der
photometrischen Grenzentfernung als eine ebene Fläche, die diffus eine elektromagnetische Strahlung emittiert,
beispielsweise eine flächige organische Leuchtdiode und/oder ein Bildschirm. Für den Fall, dass die Bildebene der
optoelektronischen Baugruppe außerhalb der photometrischen Grenzentfernung liegt, erscheint die Flächenlichtquelle als eine Punkt1ichtque1le . In einer Weiterbildung ist die
Flächenlichtquelle eine Punktlichtquelle, insbesondere für den Fall, dass die Bildebene in einem Abstand zur ersten Hauptemissionsfläche angeordnet ist, der größer ist als die photometrische Grenzentfernung.
Die von der Flächenlichtquelle emittierte elektromagnetische Strahlung kann von einem oder mehreren optischen Bauelementen kollimiert oder fokussiert werden, so dass ein gerichteter Strahl ausgebildet wird.
Wenigstens eine der nachfolgenden Strukturen ist teilweise durchlässig und/oder reflektierend ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht: das Substrat, die reflektierende Struktur, die teilweise durchlässige Struktur. Dadurch wird ein Teil der auf die jeweilige Struktur
auftreffenden elektromagnetischen Strahlung reflektiert und ein anderer Teil tritt durch die die Struktur hindurch.
Bei den oben genannten teilweise durchlässigen Strukturen wird bezüglich der Intensität der auf die Struktur
auftreffenden elektromagnetischen Strahlung - in Abhängigkeit von der Wellenlänge, der Polarisation und/oder dem
Einfallswinkel der auftreffenden elektromagnetischen
Strahlung - ein Anteil in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 95 % durch die Struktur hindurch gelassen,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 25 % bis
ungefähr 90 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 45 % bis ungefähr 85 %.
Bei den oben genannten teilweise reflektierenden Struktur wird bezüglich der Intensität der auf die Struktur
auftreffenden elektromagnetischen Strahlung - in Abhängigkeit von der Wellenlänge, der Polarisation und/oder dem
Einfallswinkel der auftreffenden elektromagnetischen
Strahlung - ein Anteil in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 95 % von der Struktur reflektiert, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 25 % bis ungefähr 90 %,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 45 % bis
ungefähr 85 %. Eine Hauptemissionsfläche eines optoelektronischen
Bauelementes ist ein flächiger Bereich des optoelektronischen Bauelementes, von dem ein wesentlicher Teil der emittierten elektromagnetischen Strahlung emittiert wird, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 100 % der Gesamtemission des optoelektronischen Bauelementes . Der
Bereich des optoelektronischen Bauelementes in der
Hauptemissionsfläche ist optisch aktiv und weist eine
elektrolumineszierende oder photolumineszierende Schicht auf. Alternativ ist der Bereich des optoelektronischen
Bauelementes in der Hauptemissionsfläche optisch passiv und ist transluzent oder transparent bezüglich der emittierten elektromagnetischen Strahlung. Die reflektierende Struktur oder eine wenigstens teilweise reflektierende Struktur reflektiert eine auf die
reflektierende Struktur auftreffende elektromagnetische
Strahlung. Eine reflektierende Struktur kann in verschiedenen Weiterbildungen als ein optisches Gitter, ein metallischer Spiegel bzw. Spiegel, ein photonischer Kristall oder eine totalreflektierende Grenzfläche ausgebildet sein. Eine
Spiegelstruktur ist vollständig oder teilweise reflektierend ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines
Wellenlängenbereiches und/oder einer Polarisation,
beispielsweise als eine teildurchlässige reflektierende
Struktur, beispielsweise als ein dichroitischer Spiegel. Die teildurchlässige reflektierende Struktur kann beispielsweise ein Teilerspiegel und/oder ein Einweg-Spiegel sein. Die teildurchlässige reflektierende Struktur kann beispielsweise einen Teil der auf sie auftreffenden bzw. einfallenden elektromagnetischen Strahlung reflektieren. Ein anderer Teil der einfallenden elektromagnetischen Strahlung tritt durch die teildurchlässige reflektierende Struktur hindurch. Auf einer Seite der reflektierenden Struktur kann ein
dielektrisches Schichtensystem vorgesehen sein. Zusätzlich oder alternativ ist auf der anderen Seite eine
reflexionsvermindernde vorgesehen. Alternativ oder zusätzlich zu dem dielektrischen Schichtensystem kann eine hoch
reflektierende Beschichtung zum Einsatz kommen,
beispielsweise eine sehr dünne Metallbeschichtung. Eine teilweise durchlässige und gleichzeitig teilweise
reflektierende Struktur ist beispielsweise als ein
dichroitischer Spiegel, ein photonischer Kristall oder ein
Einweg-Spiegel ausgebildet. Mit anderen Worten: eine der oben genannten strukturen kann für eine oder mehrere Wellenlängen, Polarisationsrichtungen oder Einfallsrichtungen der
elektromagnetischen Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, unterschiedliche Durchlässigkeit bzw. Transmission und/oder Reflektivitätskoeffizienten bzw. Reflexionsgrade aufweisen.
Die teilweise durchlässige Struktur und/oder das Substrat des optoelektronischen Bauelements sind in verschiedenen
Weiterbildungen gemäß einer der oben beschriebenen
Weiterbildungen der reflektierenden Struktur ausgebildet sein. Fig . 1 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen
Baugruppe .
Die optoelektronischer Baugruppe 100 weist ein
optoelektronisches Bauelement 110 und eine reflektierende Struktur 120 auf. Das optoelektronischen Bauelement 110 weist eine erste
Hauptemissionsfläche 112 und eine zweite Hauptemissionsfläche 114 auf. Die erste Hauptemissionsfläche 112 liegt der zweiten Hauptemissionsfläche 114 gegenüber.
Das optoelektronische Bauelement 110 weist wenigstens eine Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106 auf, wie ausführlicher unten noch beschrieben wird. Die
Flächenlichtquelle 102 ist zum Emittieren eines Lichtes ausgebildet, wie unten noch ausführlicher beschrieben wird. Das Substrat 106 ist wenigstens teilweise durchlässig für das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht ausgebildet.
Das optoelektronische Bauelement 110 ist derart ausgebildet, dass ein erstes Licht 118 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird, und dass ein zweites Licht 108 von der zweiten Hauptemissionsfläche 114 emittiert wird.
Weiterhin weist die optoelektronische Baugruppe 100 eine reflektierende Struktur 120 mit einer für auftreffendes Licht reflektierenden Oberfläche 122 oder reflektierenden
Schichtenstruktur auf.
Die reflektierende Struktur 120 ist in einem Abstand zu der ersten Hauptemissionsfläche 112 und/oder der zweiten
Hauptemissionsfläche 114 angeordnet, beispielsweise
veranschaulicht in Fig.l mittels des Pfeils 124. Mittels des Abst nds 124 zwischen der zweiten Hauptemissionsfläche 114 und der reflektierenden Oberfläche 122 wird eine optische Kavität ausgebildet. In der optischen avität wird ein Teil des von der Flächenlichtquelle 102 von der zweiten
Hauptemissionsfläche 114 emittierten Lichts 108 geführt. Die reflektierende Struktur 120 ist derart bezüglich des optoelektronischen Bauelementes 110 angeordnet, dass das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 108 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 (siehe beispielsweise Fig.9) und/oder der zweiten Hauptemissionsfläche 114 auf der reflektierenden Struktur 120 auftrifft. Wenigstens ein Teil dieses Lichtes 108 wird an oder von der reflektierenden
Struktur 120 reflektiert in Richtung des Substrats 106 und durch das Substrat 106 hindurch in die Bildebene 130
emittiert, beispielsweise veranschaulicht in Fig. 1 mittels des Pfeils 116.
Das von dem optoelektronischen Bauelement 110 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittierte Licht 116, 118 ist in der Bildebene 130 von einem Beobachter ermittelbar.
Der Abstand 124 zwischen der zweiten Hauptemissionsfläche 114 bzw. dem Substrat 106 und der reflektierenden Struktur 120 ist derart eingestellt, dass das von der reflektierenden Struktur 120 emittierte Licht 116 lateral versetzt neben dem direkt von der Flächenlichtquelle 102 in Richtung der
Bildebene 130 emittierten Lichts 118 in der Bildebene 130 sichtbar ist, beispielsweise als ein Doppelbild oder ein verschmiertes Abbild der der Flächenlichtquelle 102. Mittels der Hauptemissionsfläche 112, 114 und dem Abstand 124
zwischen dem optoelektronischen Bauelement 110 und der reflektierenden Struktur 120 wird zwischen dem direkt emittierten Licht 118 und dem mittels der Reflexion des auftreffenden Lichts 108 an der reflektierenden Struktur 120 und durch das Substrat 106 hindurch emittierte Licht 116 ein Abstand ausgebildet. Mittels des Abstandes erscheint für einen Beobachter in der Bildebene 130 die optoelektronische Baugruppe 100 dreidimensional, das heißt es entsteht ein Tiefeneindruck von der optoelektronischen Baugruppe 100.
Somit kann bei einer optoelektronischen Baugruppe 100 als eine relativ dünne flächige Lichtquelle 100 der Eindruck einer Raumwirkung für den Beobachter erzeugt werden. Dies ermöglicht neue Designoptionen für optoelektronische
Baugruppen 100.
Mit anderen Worten: Die Flächenlichtquelle 102 ist im Abstand 124 über der reflektierenden Struktur 120 angeordnet derart, dass das Substrat 106 und die reflektierende Struktur 120 eine optische Kavität ausbilden. Alternativ oder zusätzlich ist die optische Kavität mittels der Flächenlichtquellen 120 und der reflektierenden Struktur 120 ausgebildet. Der Abstand 124 zwischen der Flächenlichtquelle 102 und der
reflektierenden Struktur 120 sollte zur Erzielung der
Raumwirkung oder Tiefenwirkung derart eingerichtet sein , dass das von der Flächenlichtquelle 102emittierte Licht im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe von dem von der reflektierenden Struktur 120 reflektierten Licht 116 optisch unterscheidbar ist. Dadurch wird das reflektiert-emittierte Licht 116 mit einem räumlichen Versatz zu dem direkt
emittierten Licht 118 emittierbar, wodurch eine Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung ermöglicht wird. Mit anderen Worten: es wird eine optoelektronische Baugruppe 100 bereitgestellt, die ein optoelektronisches Bauelement 110 und eine reflektierende Struktur 120 aufweist. Das
optoelektronische Bauelement 110 weist eine
Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106 auf. Die
Flächenlichtquelle 102 ist zum Emittieren eines Lichtes 108, 118 eingerichtet. Das Substrat 106 ist wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte 108, 118 Licht. Das optoelektronische Bauelement 110 weist wenigstens eine erste
Hauptemissionsfläche 112 und eine zweite Hauptemissionsfläche 114 auf, wobei die zweite Hauptemissionsfläche 114 der ersten Hauptemissionsfläche 112 gegenüberliegt. Die reflektierende Struktur 120 ist wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts 108 angeordnet und eingerichtet, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120 auftreffenden Lichtes 108 in Richtung des Substrats 106 zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht 116 durch das Substrat 106 hindurch emittiert wird. Die reflektierende Struktur 120 und das optoelektronische Bauelement 110 sind in einem Abstand 124 voneinander angeordnet in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm; beispielsweise von ungefähr 1 mm bis ungefähr 200 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis ungefähr 100 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 75 mm.
Die erste Hauptemissionsrichtung 112 des optoelektronischen Bauelements 110 ist der reflektierenden struktur 120
abgewandt und die zweite Hauptemissionsrichtung 114 des optoelektronischen Bauelements 110 ist der reflektierenden Struktur 120 zugewandt. Das Substrat 106 ist ein Glasträger oder weist einen
Glasträger auf. In einer Weiterbildung weist das Substrat eine reflektierende Schicht auf. Die Schicht ist wenigstens für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht
durchlässig. Das Substrat 106 kann somit als ein teilweise durchlässiger Spiegel ausgebildet sein. In einer
Weiterbildung ist das Substrat 106 teilweise reflektierend ausgebildet für auftreffendes Licht, beispielsweise für das von der reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116. Beispielsweise ist das Substrat 106 als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet.
In einer Weiterbildung weist die reflektierende Struktur 120 eine reflektierende Oberfläche 122 auf. Von der
reflektierenden Oberfläche 122 wird auftreffendes von der Flächenlichtquelle 102 emittiertes Licht 108 reflektiert. Alternativ oder zusätzlich weist die reflektierende Struktur 120 eine reflektierende Schichtenstruktur für wenigstens einen Teil des auftreffenden Lichts auf. Beispielsweise ist die reflektierende Schichtenstruktur in der Form eines photonischen Kristalls ausgebildet.
In einer Weiterbildung weist die reflektierende Struktur 120 eine Strukturierung auf, beispielsweise in Form einer
gekrümmten, geknickten, konkaven, konvexen, grabenförmigen und/oder linsenförmigen Strukturierung der reflektierenden Oberfläche 122 oder reflektierenden Schichtenstruktur.
Beispielsweise ist die reflektierende Struktur ein gebogener Spiegel . Dadurch kann eine optoelektronische Baugruppe 100 mit einem Linseneffekt realisiert werden.
In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120
auftreffenden Lichtes, beispielsweise in Form eines
teildurchlässigen Spiegels.
In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120, das Substrat 106 und/oder die Flächenlichtquelle 102 derart ausgebildet, dass das reflektierte Licht 116 sich von dem direkt von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Licht 118 in wenigstens einer Eigenschaft unterscheidet, beispielsweise in dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin. Die reflektierende Struktur 120 und/oder das
Substrat weisen dazu beispielsweise einen
wellenlängenkonvertierenden Stoff auf, der die Wellenlänge des auftreffenden Lichts verändert. Die Flächenlichtquelle 102 ist beispielsweise ein bidirektional lichtemittierend ausgebildet oder weist eine Rücken-an-Rücken-Anordnung von einer ersten Flächenlichtquelle und einer zweiten
Flächenlichtquelle auf. Ein erstes Licht 118 wird von der ersten Flächenlichtquelle der Rücken-an-Rücken-Anordnung oder einer ersten Seite der bidirektionalen Flächenlichtquelle in eine erste Richtung emittiert, das heißt direkt in die
Bildebene 130 emittiert. Ein zweites Licht 108 wird von der zweiten Flächenlichtquelle der Rücken-an-Rücken-Anordnung oder einer zweiten Seite der bidirektionalen
Flächenlichtquelle in eine zweite Richtung emittiert, das heißt in Richtung der reflektierenden Struktur 120 emittiert. Die bidirektionale Flächenlichtquelle oder Flächenlichtquelle mit Rücken-an-Rücken-Anordnung kann derart ausgebildet sein, dass erste Licht unterschiedlich zu dem zweiten Licht ist.
Fig. 2 veranschaulicht eine schematisch Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen
Bauelementes 110 der optoelektronischen Baugruppe 100. Das optoelektronische Bauelement 110 entspricht weitgehend dem in Fig.l gezeigten optoelektronischen Bauelement 110.
Das optoelektronische Bauelement 110 weist ein hermetisch dichtes Substrat 106, einen aktiven Bereich 206 und eine Verkapselungsstruktur 226auf .
Das hermetisch dichte Substrat 106 weist einen Träger 202 und eine Barriereschicht 204 auf. Das hermetisch dichte Substrat 106 trägt den elektrisch aktiven Bereich 206 und schützt diesen vor einem Eindringen eines für den elektrisch aktiven Bereich 206 schädlichen Stoffs, beispielsweise Sauerstoff und/oder Wasserdampf. Der elektrisch aktive Bereich 206 weist eine erste Elektrode 210, eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 und eine zweiten Elektrode 214 auf. Der aktive Bereich 206 ist ein elektrisch aktiver Bereich 206 und/oder ein optisch aktiver Bereich 206. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 110, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen
Bauelements 110 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird. Die Verkapselungsstruktur 226 kann eine zweite
Barrieredünnschicht 208, eine VerbindungsSchicht 222 und eine Abdeckung 224 aufweisen. Die Verkapselungsstruktur 226 umgibt die elektrisch aktiven Bereich 206 und schützt diesen vor einem Eindringen eines für den elektrisch aktiven Bereich 206 schädlichen Stoffs, beispielsweise Sauerstoff und/oder
Wasserdampf .
Der Träger 202 weist Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial auf oder daraus gebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger eine Kunststofffolie oder ein
Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien auf oder ist daraus gebildet sein. Der Kunststoff ist ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) , Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) . Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 202 ein Metall auf oder ist daraus gebildet, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen,
beispielsweise eine MetallVerbindung, beispielsweise Stahl.
Der Träger 202 kann als Wellenleiter für die
elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der
emittierten elektromagnetischen Strahlung.
Die Barriereschicht 204 ist auf oder über dem Träger 202 angeordnet auf der Seite des aktiven Bereichs 206 und/oder der dem aktiven Bereich 206 abgewandten Seite.
Die Barriereschicht 204 weist eines der nachfolgenden
Materialien auf oder ist daraus gebildet: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
Die Barriereschicht 204 wird mittels eines der folgenden Verfahren ausgebildet: ein Atomlagenabscheideverfahrens
(Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines
plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein
plasmaloses Atomlageabscheideverfahren ( Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)); oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren.
Die Barriereschicht 204 weist eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm auf,
beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. Die Barriereschicht 204 ist optional, wenn der Träger 202 bereits hermetisch dicht ist, beispielsweise ein Glas, ein Metall oder ein Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist.
Die erste Elektrode 210 ist als Anode oder als Kathode ausgebildet. Die erste Elektrode 210 ist auf oder über dem Träger 202 und/oder der Barriereschicht ausgebildet.
Die erste Elektrode 210 weist eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material auf oder ist daraus gebildet: ein
Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen
Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind;
ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges
Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposite. Die erste Elektrode 210 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend weist eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien, beispielsweise Mo/Al/Mo; Cr/Al/Cr; Ag/Mg, AI. Alternativ oder zusätzlich weist die erste Elektrode 210 ein transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien auf: beispielsweise Metalloxide: beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, Mgln2O4,
GalnO3, Zn2Sn2O4 oder In4Sn3O12 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können für die erste Elektrode 210 eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p- TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.
Die erste Elektrode 210 weist eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien auf. In einer Weiterbildung ist die erste Elektrode 210 gebildet von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer
Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.
Die erste Elektrode weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 210 ist mit einem ersten elektrischen Anschluss 218 verbunden, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential wird von einer Bauelement-externen Energiequelle bereitgestellt, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ wird das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 202 angelegt und der ersten Elektrode 210 durch den Träger 202 mittelbar elektrisch zugeführt. Das erste elektrische Potential ist beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes
Bezugspotential .
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 ist auf oder über der ersten Elektrode 210 ausgebildet und elektrisch zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 angeordnet.
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organisch
funktionelle Schichtenstruktur 212 kann beispielsweise eine erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 weist eine oder mehrere organisch funktionelle Schichtenstrukturen auf, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70, die jeweils gleich oder unterschiedlich ausgebildet sind.
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 weist eine Lochinjektionsschicht, eine LochtransportSchicht, eine
Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 sind zwischen den Elektroden 210, 214 derart angeordnet, dass im Betrieb elektrische Ladungsträger von der ersten Elektrode 210 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 212 hindurch in die zweite Elektrode 214 fließen können, und umgekehrt; beispielsweise in der nachfolgend beschriebenen Reihenfolge . In der organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 212 ist eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.
Die Lochinjektionsschicht weist eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: HAT-CN,
Cu(I)pFBZ, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9,
Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (N,N'-Bis<3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν'- Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL-NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; Spiro-TAD (2, 2 · , 7, 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 '- spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-N,N' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
Ν,Ν' -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin;
2, 7-Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2 · -Bis [Ν,Ν-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N,N-di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2, 2 ' , 7, 7 · -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
Die Lochinjektionsschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Die Lochtransportschicht weist eines oder mehrere der
folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta- NPB Ν,Ν' -Bis(naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 '-spirobifluoren); 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-naphthalen-2-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-Ν,Ν· -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
Ν,Ν' -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7- Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2, 2 ' -Bis [Ν,Ν-bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (Ν,Ν-di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2, 2 ' , 7, 7 · - tetra(N, N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die Lochtransportschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Eine Emitterschicht weist organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien auf oder ist daraus gebildet. Das
optoelektronische Bauelement 110 weist in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet sein: organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- ( 2 -pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir(ppy)3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4,4' -di-tert- butyl- (2, 2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels
thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) . Die Emittermaterialien können in
geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.
Die Emitterschicht weist einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot)
emittierende Emittermaterialien auf. Alternativ weist die Emitterschicht mehrere Teilschichten auf, die Licht
unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben weist die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ ist auch vorgesehen, im Strahlengang der durch diese Schichten
erzeugten Primäremission einen Leuchtstoff
(Konvertermaterial) anzuordnen, der die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer
Farbeindruck ergibt. Die Emitterschicht weist eine Schichtdicke auf in einem
Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Elektronentransportschicht weist eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: NET-18; 2,2· ,2" - (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H- benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3 , 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyguinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1,3-Bis [2- (2,2· -bipyridine-6-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Dipheny1-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-1, 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2 ' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine-6-yl> -l,3,4-oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1,3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1, 3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl)phenyl) -lH-imidazo[4,5- f] [1, 10] phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektronentransportschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Elektroneninjektionsschicht weist eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: NDN-26,
MgAg, Cs2CO3, Cs3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2', 2" -
(1, 3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H-benzimidazole) ; 2- (4- Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazole, 2, 9- Dimethyl-4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP) ; 8- Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5- diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) - 1,3 , 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4, 7-Diphenyl-l, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2, 4- triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6, 6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4- oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl; 2-phenyl-9, 10-di (naphthalen-2- yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2· -bipyridine-6-yl) -1,3,4- oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis [2- (4-tert- butylphenyl) -1, 3,4 -oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2- yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2, 9-Bis (naphthalen-2- yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; Tris (2, 4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl)phenyl)borane; l-methyl-2- (4- (naphthalen-2- y1)phenyl) -lH-imidazo [4, 5-f] [1, 10] phenanthroline; Phenyl- dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektroneninjektionsschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm. Bei einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 mit zwei oder mehr organisch funktionellen Schichtenstruktur, weist die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur- Einheit über oder neben der ersten funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organisch funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten, ist eine Zwischenschichtstruktur ausgebildet.
Die Zwischenschichtstruktur ist als eine Zwischenelektrode ausgebildet, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210. Eine Zwischenelektrode weist mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle stellt an der Zwischenelektrode ein drittes elektrisches Potential bereit. Alternativ weist die Zwischenelektrode jedoch keinen externen elektrischen
Anschluss auf, indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
Alternativ ist die Zwischenschichtstruktur als eine
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (Charge
generation layer CGL) ausgebildet. Eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur weist eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) auf. Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen weist. Die
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur weist ferner zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere auf.
Das optoelektronische Bauelement 110 weist optional weitere organische funktionalen Schichten auf, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 110 weiter verbessern.
Die zweite Elektrode 214 ist gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210 ausgebildet, wobei die erste
Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 214 ist als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet oder als Kathode, also als eine
elektroneninj izierende Elektrode . Die zweite Elektrode 214 weist einen zweiten elektrischen Anschluss auf, an den ein zweites elektrisches Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential wird von der gleichen oder einer anderen Energiequelle bereitgestellt wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential ist unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential. Das zweite elektrische Potential weist beispielsweise einen Wert auf derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen
Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Die Barrieredünnschicht 208 ist gemäß einer der
Ausgestaltungen der oben beschriebenen Barriereschicht 204 ausgebildet.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine Barrieredünnschicht 208 verzichtet sein kann. In solch einer Ausgestaltung weist die
Verkapselungsstruktur 226 eine weitere Barriere auf, wodurch eine Barrieredünnschicht 208 optional wird, beispielsweise die Abdeckung 224, beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung. Ferner sind zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-
/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 110 ausgebildet, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 202 (nicht dargestellt) oder eine interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im
Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 110. Die Ein-/Auskoppelschicht weist eine Matrix und darin
verteilt Streuzentren bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung auf, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barrieredünnschicht 208) in dem optoelektronischen Bauelement 110 vorgesehen sein.
Die Verkapselungsstruktur weist ferner eine Abdeckung 224 und/oder eine Verbindungsschicht 222 auf . In einer
Weiterbildung ist die Abdeckung 224 mittels der
Verbindungsschicht 222 mit dem aktiven Bereich 206, dem
Substrat 106 und/oder der Barrieredünnschicht 208 verbunden. Die Verbindungsschicht 222 ist optional, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barrieredünnschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.
Die Verbindungsschicht 222 ist aus einem Klebstoff oder einem Lack gebildet. In einer Weiterbildung weist eine
Verbindungsschicht 222 aus einem transparenten Material
Partikel auf, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch wirkt die Verbindungsschicht 222 als Streuschicht, was zu einer
Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der Auskoppeleffizienz führt. Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiC>2) / Zinkoxid
(ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga2Ox) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Verbindungsschicht 222
verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische
Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die Verbindungsschicht 222 weist eine Schichtdicke von größer als 1 μm auf, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren um. In einer Weiterbildung ist zwischen der zweiten Elektrode 214 und der Verbindungsschicht 222 noch eine elektrisch
isolierende Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 pm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses . Ferner kann das optoelektronische Bauelement 110 eine
sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur auf,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht, (nicht dargestellt) . Die Getter-Schicht weist ein Material auf oder ist daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet, beispielsweise Wasserdampf und/oder Sauerstoff. Eine Getter-Schicht weist beispielsweise ein Zeolith-Derivat auf oder ist daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht weist eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μm auf, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm.
Auf oder über der Verbindungsschicht 222 ist die Abdeckung 224 ausgebildet oder angeordnet. Die Abdeckung 224 wird mittels der Verbindungsschicht 222 mit dem elektrisch aktiven Bereich 206 verbunden und schützt diesen vor schädlichen Stoffen. Die Abdeckung 224 ist beispielsweise eine
Glasabdeckung 224, eine Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung 224. Die Glasabdeckung 224 ist beispielsweise mittels einer Fritten- Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des optoelektronischen
Bauelementes 110 verbunden.
In einer Weiterbildung ist eine Flächenlichtquelle als eine organische Leuchtdiode ausgebildet. Bei einer
optoelektronischen Baugruppe mit zwei oder mehreren
Flächenlichtquellen sind organische Leuchtdioden, die als
Flächenlichtquellen ausgebildet sind, auch als OLED-Segmente bezeichnet .
Fig. 3 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines
Ausführungsbeispiels eines Verfahrens 300 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe 100, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe.
Das Verfahren dient dazu, eine optoelektronische Baugruppe auszubilden, die zu einem Emittieren eines Lichts 118, 116 in eine Bildebene 130 eingerichtet ist, und eine Tiefen- oder Raumwirkung aufweist.
In einem ersten Schritt 302 wird ein optoelektronisches Bauelement 110 mit wenigstens einer Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106 ausgebildet.
In einem zweiten Schritt 304 wird eine reflektierende
Struktur 120 ausgebildet.
In einem dritten Schritt 306 wird die reflektierende Struktur 120 in einem Abstand 124 wenigstens teilweise im Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes 110 angeordnet, so dass das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht wenigstens teilweise von der reflektierenden Oberfläche reflektiert wird und durch das Substrat hindurch emittiert wird. Mit anderen Worten: Es wird ein Verfahren 300 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe 100 bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: ein Ausbilden 302 eines
optoelektronischen Bauelements 110 mit einer
Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106, wobei die Flächenlichtquelle zum Emittieren eines Lichtes 108, 118 ausgebildet wird, und wobei das Substrat 106 wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet ist für das von der
Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht; wobei das
optoelektronische Bauelement 110 derart ausgebildet wird, dass es wenigstens eine erste Hauptemissionsfläche 112 und eine zweite Hauptemissionsfläche 114 aufweist, wobei die zweite Hauptemissionsfläche 112 der ersten
Hauptemissionsfläche 114 gegenüberliegt. Weiterhin weist das Verfahren 300 ein Ausbilden 304 einer reflektierenden
Struktur 120 und ein Anordnen 306 der reflektierende Struktur 120 auf derart, dass die reflektierende Struktur 120
wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der
Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts 108 angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120 auftreffenden Lichtes 108 in Richtung des Substrats 106 zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht 116 durch das Substrat 106 hindurch emittiert wird. Die reflektierende Struktur 120 und das optoelektronische Bauelement 110 werden in einem Abstand 124 voneinander angeordnet in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm, beispielsweise in einem Bereich von
ungefähr 3 mm bis ungefähr 100 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 75 mm. Mit anderen Worten: die Flächenlichtquelle 102 wird in einem Abstand 124 über der reflektierenden Struktur 120 angeordnet derart, dass das Substrat 106 und die reflektierende Struktur 120 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 eine optische Kavität ausbilden.
In einer Weiterbildung weist das Ausbilden 302 des
optoelektronischen Bauelements 110 ein Segmentieren einer Flächenlichtquelle 102 in wenigstens eine erste
Flächenlichtquelle 102 und eine zweite Flächenlichtquelle 402, 404 auf, beispielsweise ein Strukturieren wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht der Flächenlichtquelle 102. In einer Weiterbildung wird das optoelektronische Bauelement 110 auf oder über der reflektierenden Struktur 120
aufgeklebt. In einer Weiterbildung wird im Strahlengang zwischen dem optoelektronischen Bauelement 110 und der reflektierenden Struktur 120 ein Klebstofffilm angeordnet. Der Klebstofffilm vergrößert die optische Weglänge des Lichts 108 in der optischen Kavität. Alternativ ist der Bereich des Strahlengangs zwischen dem optoelektronischen Bauelement 110 und der reflektierenden Struktur 120 frei von Klebstofffilm. In diesem Fall ist das optoelektronische Bauelement in einem oder mehreren optisch inaktiven Bereich/en mit der
reflektierenden Struktur 120 verklebt.
Ein optoelektronisches Bauelement mit zwei oder mehreren Flächenlichtquellen, die gemäß einer in Fig.2 beschriebenen organischen Leuchtdiode 206 ausgebildet werden, können die zwei oder mehreren Flächenlichtquellen mittels eines
Strukturierens der zweiten Elektrode 214 und/oder der organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 segmentiert bzw. ausgebildet werden.
In einer Weiterbildung wird die Flächenlichtquelle 102 wenigstens teilweise durchlässig für das von der
reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116
ausgebildet .
In einer Weiterbildung wird die Flächenlichtquelle 102 als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet.
Alternativ wird die Flächenlichtquelle 102 als ein wenigstens bidirektional lichtemittierendes Bauelement ausgebildet.
In einer Weiterbildung wird auf dem Substrat 106 wenigstens eine erste Flächenlichtquelle 102 und eine zweite
Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 ausgebildet, wie unten noch ausführlicher veranschaulicht wird. Die erste Flächenlichtquelle 102 emittiert ein erstes Licht und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 emittiert ein zweites Licht. Die erste Flächenlichtquelle 102 wird in einem ersten Abstand 406 neben und/oder über der zweiten
Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 auf dem Substrat 106 ausgebildet. Der laterale Abstand ermöglicht ein
Unterscheiden der Flächenlichtquellen in der Bildebene 130. In einer Weiterbildung wird das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet, dass die erste Flächenlichtquelle 102 in einem ersten Bereich auf dem Substrat 106 einen lateralen Abstand 406 zu der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 aufweist; und in einem zweiten Bereich auf dem Substrat 106 mit der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 körperlich, elektrisch und/oder optisch verbunden ist; siehe
beispielsweise auch Fig.4 und Fig.5. In einer Weiterbildung werden die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 derart ausgebildet, dass das erste Licht sich in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht unterscheidet, beispielsweise im Farbort, in der Helligkeit, in der
Sättigung und/oder im Farb-Bin; siehe beispielsweise auch Fig.4 und Fig.5.
In einer Weiterbildung wird die erste Flächenlichtquelle 102 derart ausgebildet, dass das erste Licht in die erste
Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird; und die zweite
Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 derart
ausgebildet, dass das zweite Licht in die zweite
Hauptemissionsfläche 114 emittiert wird; siehe beispielsweise auch Fig.4 und Fig.5.
In einer Weiterbildung wird der erste Abstand 406 derart eingerichtet, dass die erste Flächenlichtquelle 102, die neben der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 angeordnet ist, im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 in wenigstens einer Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 von dem zweiten optoelektronischen Bauelement 402, 404 optisch unterscheidbar ist; siehe beispielsweise auch Fig.4 und
Fig.5.
In einer Weiterbildung wird das Substrat 106 teilweise reflektierend ausgebildet für auftreffendes Licht,
beispielsweise für das von der reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116; beispielsweise als ein
teildurchlässiger Spiegel,
In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 mit einer reflektierenden Oberfläche 122 und/oder einer reflektierenden Schichtenstruktur ausgebildet. Von der reflektierenden Oberfläche 122 oder reflektierenden Struktur wird das auftreffende, von der Flächenlichtquelle 102
emittierte Licht reflektiert. In einer Weiterbildung weist die reflektierende Oberfläche 122 oder reflektierende
Struktur eine Strukturierung auf, beispielsweise eine
gekrümmte, geknickte, konkave, konvexe, grabenförmig und/oder linsenförmige Strukturierung. In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120
auftreffenden Lichtes 108, beispielsweise als ein
teildurchlässiger Spiegel .
In einer Weiterbildung wird ferner eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 ausgebildet oder angeordnet, beispielsweise veranschaulicht in Fig.7. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 wird zwischen einer
Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 und dem optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet. Die teilweise durchlässige Struktur 702 ist wenigstens teilweise
durchlässig für Licht, das von der Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 auf die teilweise durchlässige Struktur 702 auftrifft, so dass ein Teil des auftreffenden Lichts 116, 118 durch die teilweise
durchlässige Struktur 702 hindurch emittiert wird; siehe beispielsweise auch Fig.7. In einer Weiterbildung wird die teilweise durchlässige
Struktur 702 derart ausgebildet oder angeordnet, das
wenigsten ein Teil des Lichtes 116, 118, das von der
Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 in Richtung der teilweise durchlässigen Struktur 702 emittierten wird und auf diese auftrifft, reflektiert wird. Beispielsweise wird die teilweise durchlässige Struktur 702 als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet.
In einer Weiterbildung wird die Flächenlichtquelle 102 mit wenigstens einer wenigstens teilweise reflektierenden
Elektrode 210, 214 ausgebildet, siehe beispielsweise Fig.2. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 wird zum Reflektieren des von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts ausgebildet 108, 118. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 wird als ein Teil der reflektierenden Struktur 120 ausgebildet. In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 derart zu dem optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet, dass das direkt von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 118 und das reflektierte Licht 108 einen lateralen Abstand 402 aufweisen, so dass im Betrieb der optoelektronischen
Baugruppe 100 eine Tiefen- oder Raumwirkung ausgebildet wird.
In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 derart ausgebildet, dass das reflektierte Licht 116 sich von dem von der Flächenlichtquelle 102 emittierten und auf die reflektierende Struktur 120 auftreffenden Lichts 108 in wenigstens einer Eigenschaft unterscheidet, beispielsweise in dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb- Bin. In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 mit einem wellenlängenkonvertierenden Stoff ausgebildet oder daraus gebildet. In einer Weiterbildung wird der Abstand 124 zwischen der Flächenlichtquelle 102 und der reflektierenden Struktur 120 derart eingerichtet, dass das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 108, 118 im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 von dem von der reflektierenden Struktur 120 reflektierten Licht 116 optisch unterscheidbar ist,
beispielsweise augenscheinlich.
Fig.4 veranschaulicht eine Weiterbildung eines
optoelektronischen Bauelementes 110 der optoelektronischen Baugruppe 100; die beispielsweise weitgehend einem oben gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
Das optoelektronischer Bauelement weist wenigstens eine Flächenlichtquelle 102 oder mehrere Flächenlichtquellen 102, 402, 404 auf. Die eine oder mehreren Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 emittieren bidirektional Licht 108, 118, beispielsweise veranschaulicht in Fig.4 mit einer ersten Flächenlichtquelle 102, einer zweiten Flächenlichtquelle 402 und einer dritten Flächenlichtquellen 404.
In einer Weiterbildung sind die eine oder mehreren
Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 wenigstens teilweise transparent. Mit anderen Worten: die Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 sind wenigstens teilweise durchlässig für das von der reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116.
Mit anderen Worten: In einer Weiterbildung weist das
optoelektronische Bauelement 110 auf dem Substrat 106 wenigstens eine erste Flächenlichtquelle 102 und eine zweite Flächenlichtquelle 402, 404 auf, wobei die erste
Flächenlichtquelle 102 ein erstes Licht emittiert und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 ein zweites Licht emittiert. Die erste Flächenlichtquelle 102 ist in einem Abstand 406 neben und/oder über (beispielsweise
veranschaulicht in Fig.5) der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 auf dem Substrat 106 angeordnet. In einer Weiterbildung sind die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite
Flächenlichtquelle 402, 404 derart ausgebildet, dass sich das erste Licht in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht unterscheidet, beispielsweise dem Farbort, der
Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin.
In einer Weiterbildung sind die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 derart
ausgebildet, dass das erste Licht von der ersten
Hauptemissionsfläche 112 in Richtung der Bildebene 130 emittiert wird; und das zweite Licht von der zweiten
Hauptemissionsfläche 114 in Richtung der reflektierenden Struktur 120 emittiert wird.
In einer Weiterbildung sind die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 derart
ausgebildet, dass der Abstand 406 zwischen den
Flächenlichtquellen 102, 402, 404 im Betrieb der
optoelektronischen Baugruppe 100 in wenigstens einer
Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 optisch sichtbar ist.
Fig.5 veranschaulicht eine Weiterbildung eines
optoelektronischen Bauelementes 110 der optoelektronischen Baugruppe 100; die beispielsweise weitgehend dem oben
gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
In einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement 110 eine oder mehrere erste Flächenlichtquelle/n 102, 402 auf, die Licht in die erste Hauptemissionsfläche 112
emittiert/en, und eine oder mehrere zweite
Flächenlichtquelle/n 502, 504, 506, das/die Licht in die zweite Hauptemissionsfläche 114 emittiert/en, beispielsweise veranschaulicht in Fig.5. Mit anderen Worten: die zweite Flächenlichtquelle 502, 504, 506 kann neben der ersten
Flächenlichtquelle und/oder zu dieser bezüglich der
Emissionsrichtung des jeweils emittierten Lichts abgewandt angeordnet sein. Mit anderen Worten: Eine erste
Flächenlichtquelle 102 ist auf oder über einer zweiten
Flächenlichtquelle 502, 504, 506 ausgebildet oder angeordnet. Beispielsweise weist die erste Flächenlichtquelle 102 mit der zweiten Flächenlichtquelle 506 einen direkten körperlichen Kontakt auf. Alternativ ist eine erste Flächenlichtquelle 102 auf einer ersten Seite des Substrats 106 ausgebildet oder angeordnet und eine zweite Flächenlichtquelle 506 auf einer zweiten Seite des Substrats 106 ausgebildet und angeordnet, wobei die erste Seite der zweiten Seite gegenüberliegt. In einer Weiterbildung ist die erste Flächenlichtquelle 102 derart über der zweiten Flächenlichtquelle 502, 504, 506 angeordnet, dass sich die die Flächenlichtquellen überlappen oder kongruent zueinander sind. Mit anderen Worten: Eine erste Flächenlichtquelle kann direkt über der zweiten
Flächenlichtquelle angeordnet sein, so dass die erste
Flächenlichtquelle die zweite Flächenlichtquelle überlappt, die erste Flächenlichtquelle und die zweite
Flächenlichtquelle ungefähr deckungsgleich sind, oder die zweite Flächenlichtquelle die erste Flächenlichtquelle überlappt. Dadurch kann bei nicht-transparenten
Flächenlichtquellen der optisch inaktive Bereich der
optoelektronischen Baugruppe reduziert werden. Die zweite Flächenlichtquelle kann bei einer deckungsgleichen Anordnung bezüglich der ersten Flächenlichtquelle als eine Spiegel - Lichtquelle bezeichnet werden, das heißt bei OLEDs als
Flächenlichtquellen als eine sogenannte Mirror-OLED. Die erste Flächenlichtquelle 102 und/oder die zweite
Flächenlichtquelle 502, 504, 506 können/kann als ein so genannter Top-Emitter oder Bottom-Emitter ausgebildet sein, beispielsweise gemäß der Beschreibungen der Fig.2. Mit anderen Worten: Das von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittierte Licht 118 wird von der/den ersten
Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 emittiert; und das Licht 108, das von der zweiten Hauptemissionsfläche 114 emittiert wird, wird von der/den zweiten Flächenlichtquelle/n 502, 504, 506 emittiert.
In einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement 110 wenigstens eine Flächenlichtquelle 102 auf, die
wenigstens teilweise durchlässig für das von der
reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116 ist.
Zusätzlich oder alternativ ist die Flächenlichtquelle 102 als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet.
In einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement 110 auf dem Substrat 106 wenigstens eine erste
Flächenlichtquelle 102 und eine zweite Flächenlichtquelle
402, 404, 502, 504, 506 auf. Die erste Flächenlichtquelle 102 ist ausgebildet ein erstes Licht zu emittieren und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 ist ausgebildet ein zweites Licht zu emittieren. Die erste Flächenlichtquelle ist in einem ersten Abstand neben und/oder über der zweiten Flächenlichtquelle 402, 502, 504, 506 auf dem Substrat 106 angeordnet. In einer Weiterbildung unterscheidet sich das erste Licht in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht, beispielsweise dem Farbort, der Helligkeit, der
Sättigung und/oder dem Farb-Bin. Die erste Flächenlichtquelle 102 ist derart ausgebildet, dass das erste Licht in die erste Hauptemissionsfläche emittiert wird; und die zweite
Flächenlichtquelle ist derart ausgebildet, dass das zweite Licht in die zweite Hauptemissionsfläche emittiert wird.
Fig.6 veranschaulicht eine Weiterbildung der
optoelektronischen Baugruppe 100, die beispielsweise
weitgehend dem oben gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
In Fig.6 ist eine optoelektronischen Baugruppe 100 mit einem optoelektronischen Bauelement 110 gemäß der Beschreibungen der Fig.4 veranschaulicht. Mit anderen Worten: das
optoelektronischen Bauelement 110 weist ein oder mehrere Flächenlichtquellen 102, 402, 404 auf, die wenigstens teilweise transparent und bidirektional Licht emittieren. Dieses optoelektronischer Bauelement 110 mit einem
semitransparenten Substrat 106 ist in einem Abstand über der reflektierenden Struktur 120 angeordnet.
In einer Weiterbildung kann die reflektierende Struktur 120 als eine Spiegelstruktur ausgebildet sein. Eine
Spiegelstruktur unterscheidet sich von einer reflektierenden Struktur 120 derart, dass die Spiegelstruktur eine besonders geringere Rauheit aufweist, und somit wenig auftreffendes Licht diffus gestreut wird. Dadurch ist eine sehr genaue Abbildung der Flächenlichtquelle möglich.
Fig.7 veranschaulicht eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe 100, die beispielsweise weitgehend dem oben gezeigten
Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
In einer Weiterbildung weist die optoelektronische Baugruppe 100 zusätzlich eine wenigstens teilweise durchlässige
Struktur 702 auf. Das optoelektronischen Bauelement 110 ist zwischen der reflektierenden Struktur 120 und der teilweise durchlässigen Struktur 702 angeordnet. Dadurch wird ein Teil des Lichts 116 (siehe Fig.1) , 118, das von der ersten
Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird, von der teilweise durchlässigen Struktur 702 transmittiert und teilweise reflektiert. Licht 118, das direkt von der Flächenlichtquelle 102 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird, wird mittels der teilweise durchlässigen Struktur 702 in Richtung der reflektierenden Struktur 120 umgelenkt. Dadurch kann der Anteil an Licht, das auf die reflektierende Struktur 120 auftrifft, erhöht werden. Dieses Licht wird mittels der Reflektion an der teilweise durchlässigen Struktur wenigstens teilweise mit einem größeren lateralen Abstand zu dem direkt emittierten Licht 118 in Richtung der Bildebene 130
emittiert. Dadurch kann die Raumtiefe oder die Tiefenwirkung der optoelektronischen Baugruppe 100 erhöht werden.
Mit andere Worten: In einer Weiterbildung weist das
optoelektronische Bauelement 110 eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 auf. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 ist im Strahlengang des von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittierten Lichts 116, 118 zwischen einer Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 und dem optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet. Die teilweise durchlässige Struktur 702 ist wenigstens teilweise durchlässig für Licht 116, 118, das von der
Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 auf die teilweise durchlässige Struktur 702 auftrifft. Die reflektierende Struktur 120 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 sind derart zu dem
optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet, dass das direkt von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 118 und das reflektierte Licht 116 einen lateralen Abstand aufweisen. Dadurch wird im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 eine Tiefen- oder Raumwirkung ausgebildet. Die teilweise durchlässige Struktur 702 ist ausgebildet und angeordnet derart, dass wenigsten ein Teil des von der
Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 auf die teilweise durchlässige Struktur 702 auftreffende Licht 116,118 reflektiert wird, beispielsweise als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet ist. Die
Flächenlichtquelle 102 ist in einem zweiten Abstand 124 über der reflektierenden struktur 120 angeordnet derart, dass das Substrat 106 und die reflektierende Struktur 120, die
Flächenlichtquelle 102, 402, 404, 502, 504, 506 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 eine optische Kavität ausbilden. Der zweite Abstand 124 zwischen der
Flächenlichtquelle 102, 402, 404, 502, 504, 506 und der reflektierenden Struktur 120 ist derart eingerichtet, dass das von der Flächenlichtquelle 102, 402, 404, 502, 504, 506 emittierte Licht 108, 118 im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 von dem von der reflektierenden Struktur 120 reflektierten Licht 120 optisch unterscheidbar ist.
Zusätzlich kann die teilweise durchlässige Struktur 702 als mechanischer Schutz für das optoelektronische Bauelement 110 ausgebildet sein, beispielsweise als Verkapselungsstruktur 226 oder Abdeckung 224, wie beispielsweise in Fig.2
beschrieben ist. Fig.8 veranschaulicht eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe 100, die beispielsweise weitgehend dem oben gezeigten
Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
Die reflektierende Struktur 120 weist eine reflektierende Oberfläche 122 oder eine wenigstens für einen
Wellenlängenbereich des auftreffenden Lichts reflektierende Schichtenstruktur auf. Dadurch wird das auf die
reflektierende Struktur auftreffende Licht, das von der
Flächenlichtquelle emittierte wird, reflektiert. Mit anderen Worten: Die reflektierende Struktur 120, die reflektierende Schichtenstruktur und/oder die reflektierende Oberfläche sind/ist strukturiert. Die reflektierende Struktur 120 ist derart ausgebildet, dass die reflektierende Oberfläche 122 und/oder die reflektierende Schichtenstruktur eine Krümmung, einen Knick, eine Mikrostruktur und/oder eine Rauheit aufweisen/t, in Fig.8 veranschaulicht mittels der gebogenen Fläche 802. Die Krümmung der reflektierenden Struktur 120 kann konvex und/oder konkav sein. Die Mikrostruktur kann eine Grabenstruktur, Erhebungen und/oder Vertiefungen aufweisen. Die reflektierende Oberfläche kann eine Strukturierung aufweisen, beispielsweise wenigstens einer der nachfolgenden Formen: gekrümmt, geknickt, konkav, konvex, grabenförmig und/oder linsenförmig. Dadurch weist die reflektierende
Struktur, beispielsweise in Form einer Spiegelstruktur, einen Linseneffekt auf. Dadurch kann beispielsweise die
Abstrahlungsrichtung der an der reflektierenden Oberfläche 122 reflektierten elektromagnetischen Strahlung 116
eingestellt werden, die durch das Substrat emittiert wird.
In einer Weiterbildung ist das Substrat 106 im Wesentlichen nicht-parallel oder nicht-planparallel zu der reflektierenden Oberfläche 122 und/oder reflektierenden Schichtenstruktur angeordnet. Dadurch kann die Abstrahlungscharakteristik der optoelektronischen Baugruppe 110 auf einfache Weise
eingestellt werden.
In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 derart ausgebildet, dass ihre Durchlässigkeit und/oder ihr Reflektionskoeffizient abhängig sind/ist von der Wellenlänge und/oder Polarisation des Lichts. Dadurch wird eine
farbselektive reflektierende Struktur 120 realisiert, beispielsweise ein farbselektiver Spiegel. Dies ermöglicht eine gezielte Färb-Akzentuierung des in der Bildebene 130 sichtbaren Lichts 116, 118. Mit anderen Worten: Die
reflektierende Struktur 120 ist färb- bzw.
wellenlängenselektiv ausgebildet, beispielsweise als ein photonischer Kristall. Dadurch kann in dem Licht, das von dem optoelektronischen Bauelement emittiert wird, eine gezielte Färb-Akzentuierung ermöglicht werden. Mit anderen Worten: es wird auf einfache Weise eine gezielte Änderung des Farbortes, der Helligkeit und/oder der Sättigung ermöglicht.
In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 als teiltransparenter oder vollreflektiver Spiegel
ausgebildet.
Fig.9 veranschaulicht eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe, die
beispielsweise weitgehend dem oben gezeigten
Ausführungsbeispiel entsprechen kann.
Das optoelektronische Bauelement 110 weist eine oder mehrere Flächenlichtquelle 102, 402 auf, die Licht einseitig
emittieren, das heißt als Top-Emitter oder Bottom-Emitter ausgebildet sind. Das optoelektronischer Bauelement 110 ist auf der reflektierenden Struktur 120 angeordnet. Alternativ ist die Rückseite des Substrats 106 mittels einer
reflektierenden Struktur versehen, beispielsweise indem eine metallische Schicht auf der Rückseite des Substrats 106 abgeschieden ist, und die wenigstens eine Flächenlichtquelle 102, 402, 404 durch das Substrat 106 emittiert, über den Substrat 106 ist die teilweise durchlässige Struktur 702 angeordnet. Somit wird in der optoelektronischen Baugruppe 100 Licht 118 von der wenigstens einen Flächenlichtquelle 102, 402, 404 aus der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittiert. Ein Teil dieses Lichts 118 wird an der teilweise durchlässigen Struktur 702 reflektiert und in Richtung der reflektierenden Struktur 120 umgelenkt. Das von der teilweise durchlässigen Struktur 702 reflektierte Licht wird an der reflektierenden Oberfläche der reflektierenden Struktur 120 reflektiert und in Richtung der teilweise durchlässigen
Struktur 702 umgelenkt und teilweise durch die teilweise durchlässige Struktur 702 hindurch emittiert, beispielsweise veranschaulicht in Fig.9 mittels des Bezugszeichens 902.
Dadurch wird zwischen dem direkt emittierten Licht 118 und dem teilweise umgelenkt und reflektierten Licht 902 ein lateraler Abstand ausgebildet. Mittels dieses Abstandes wird die Tiefenwirkung oder Raumwirkung der optoelektronischen Baugruppe 100 realisiert. Der Abstand zwischen der
optoelektronischen Bauelementeinheit 110 und der
reflektierenden Struktur 120 ist in dieser Weiterbildung als ein optischer Abstand ausgebildet. Der optisch Abstand wird mittels des Abstandes der Flächenlichtquelle 102, 402 zu der wenigstens teilweise durchlässigen Struktur 702 eingestellt.
In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 als eine Elektrode des optoelektronischen Bauelementes 110 ausgebildet, beispielsweise als untere, erste Elektrode 210. Die erste Elektrode 210 ist dazu aus einem reflektierenden elektrisch leitenden Material gebildet oder weist ein solches auf. Mit anderen Worten: In einer Weiterbildung weist die Flächenlichtquelle 102 wenigstens eine, wenigstens teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 auf. Die wenigstens
teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 ist zum
Reflektieren des von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts 108, 118 ausgebildet. Die wenigstens teilweise
reflektierende Elektrode 210, 214 ist wenigstens ein Teil der reflektierenden Struktur 210. Mit andere Worten: die
reflektierende Struktur 120 kann aus der transparenten bzw. spiegelnden Kathode bestehen, die über das gesamte Substrat 106 gedampft wird.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die optoelektronische Baugruppe ein optoelektronisches Bauelement oder mehrere optoelektronische Bauelemente aufweisen, das/die als ein Fotodetektor oder eine Solarzelle ausgebildet
ist/sind. Der Fotodetektor ist beispielsweise zum Detektieren des von der reflektierenden Struktur reflektierten Lichts und/oder des Baugruppen-externen Lichts eingerichtet.
Weiterhin kann die Flächenlichtquelle als eine
Punktlichtquelle ausgebildet sein oder wahrgenommen werden.

Claims

Optoelektronische Baugruppe (100) , aufweisend:
• ein optoelektronisches Bauelement (110) mit einer
Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) auf einem Substrat (106) ,
o wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) zum Emittieren eines Lichtes (108, 118) eingerichtet ist, und
o wobei das Substrat (106) wenigstens teilweise
durchlässig ausgebildet ist für das von der
Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierte Licht (108, 118);
• wobei das optoelektronische Bauelement (110)
wenigstens eine erste Hauptemissionsfläche (112) und eine zweite Hauptemissionsfläche (114) aufweist, wobei die zweite Hauptemissionsfläche (114) der ersten Hauptemissionsfläche (112) gegenüberliegt; und
• eine reflektierende Struktur (120), wobei die
reflektierende Struktur (120) wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierten Lichts (108, 118) angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur (120) auftreffenden Lichtes (108) in Richtung des Substrats (106) zu reflektieren, so dass ein lateral versetztes Abbild der Flächenlichtquelle erzeugbar ist;
• wobei die reflektierende Struktur (120) und das
optoelektronische Bauelement (110) in einem Abstand (124) voneinander angeordnet sind in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) wenigstens teilweise durchlässig für das von der reflektierenden Struktur (120) reflektierte Licht (116) ist.
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1 oder 2,
wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet ist.
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 3,
wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) als ein wenigstens bidirektional lichtemittierendes Bauelement ausgebildet ist.
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 4,
wobei das optoelektronische Bauelement (110) auf dem Substrat (106) wenigstens eine erste Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) und eine zweite
Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) aufweist, wobei die erste Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) ein erstes Licht emittiert und die zweite Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) ein zweites Licht emittiert, wobei die erste
Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) in einem ersten Abstand neben und/oder über der zweiten Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) auf dem Substrat (106) angeordnet ist. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 5, wobei das erste Licht sich in wenigstens einer
Eigenschaft von dem zweiten Licht unterscheidet, vorzugsweise dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin.
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 5 oder 6,
wobei die erste Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) derart ausgebildet ist, dass das erste Licht in die erste Hauptemissionsfläche (112) emittiert wird und die zweite Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) derart ausgebildet ist, das zweite Licht in die zweite Hauptemissionsfläche (114) emittiert.
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der
Ansprüche l bis 7,
wobei das Substrat (106) teilweise reflektierend ausgebildet ist für auftreffendes Licht, vorzugsweise für das von der reflektierenden Struktur (120)
reflektierte Licht (116) ; vorzugsweise als ein
teildurchlässiger Spiegel .
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 8,
wobei die reflektierende Struktur (120) wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet ist für zumindest einen Teil des auf die reflektierende Struktur (120) auftreffenden Lichtes (108) , vorzugsweise als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet ist. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend:
eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur (702) , die im Strahlengang des emittierten Lichts (118, 116) zwischen einer Bildebene (130) der optoelektronischen Baugruppe (100) und dem optoelektronischen Bauelement (110) angeordnet ist; wobei die teilweise durchlässige Struktur (702) wenigstens teilweise durchlässig ist für Licht, das von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) und/oder der reflektierenden Struktur (120) auf die teilweise durchlässige Struktur (702) auftrifft .
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 10, wobei die teilweise durchlässige Struktur (702) so ausgebildet und angeordnet ist, dass wenigsten ein Teil des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) und/oder der reflektierenden Struktur (120) auf die teilweise durchlässige Struktur (702) auftreffende Licht reflektiert wird, vorzugsweise als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet ist.
Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der
Ansprüche 10 oder 11,
wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) wenigstens eine wenigstens teilweise reflektierende Elektrode (210, 214) aufweist, wobei die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode (210, 214) zum
Reflektieren des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierten Lichts (108, 118) ausgebildet ist, wobei die wenigstens teilweise
reflektierende Elektrode (210, 214) wenigstens ein Teil der reflektierenden Struktur (120) ist. Verfahren (300) zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe (100) , das Verfahren (300) aufweisend:
• ein Ausbilden (302) eines optoelektronischen
Bauelements mit einer Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) auf einem Substrat (106), o wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) zum Emittieren eines Lichtes (108, 118) ausgebildet wird, und
o wobei das Substrat (106) wenigstens teilweise
durchlässig ausgebildet ist für das von der
Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierte Licht;
• wobei das optoelektronische Bauelement (110) derart ausgebildet wird, dass es wenigstens eine erste
Hauptemissionsfläche (112) und eine zweite
Hauptemissionsfläche (114) aufweist, wobei die zweite Hauptemissionsfläche (114) der ersten
Hauptemissionsfläche (112) gegenüberliegt;
• ein Ausbilden (304) einer reflektierenden Struktur (120) und ein Anordnen (306) der reflektierende
Struktur (120) derart, dass die reflektierende
Struktur (120) wenigstens teilweise in dem
Strahlengang des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierten Lichts (108, 118) angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur (120) auftreffenden Lichtes (108) in Richtung des Substrats (106) zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht (116) durch das Substrat (106) hindurch emittiert wird, so dass ein lateral versetztes Abbild der
Flächenlichtquelle erzeugbar ist; und
• wobei die reflektierende Struktur (120) und das
optoelektronische Bauelement (110) in einem Abstand (124) voneinander angeordnet werden in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm.
Verfahren (300) gemäß Anspruch 13,
wobei das Ausbilden (304) des optoelektronischen
Bauelements (110) ein Segmentieren einer
Flächenlichtquelle (102) in wenigstens eine erste
Flächenlichtquelle (102) und eine zweite
Flächenlichtquelle (402, 404) aufweist, vorzugsweise ein Strukturieren wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht der Flächenlichtquelle (102) .
15. Verfahren (300) gemäß Anspruch 13 oder 14,
wobei das optoelektronische Bauelement (110) auf oder über der reflektierenden Struktur (120) aufgeklebt ist.
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