WO2015185357A1 - Optisches system, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Optisches system, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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WO2015185357A1
WO2015185357A1 PCT/EP2015/061081 EP2015061081W WO2015185357A1 WO 2015185357 A1 WO2015185357 A1 WO 2015185357A1 EP 2015061081 W EP2015061081 W EP 2015061081W WO 2015185357 A1 WO2015185357 A1 WO 2015185357A1
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WO
WIPO (PCT)
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mirror
optical system
segments
mirrors
projection exposure
Prior art date
Application number
PCT/EP2015/061081
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English (en)
French (fr)
Inventor
Thomas Schicketanz
Toralf Gruner
Markus Schwab
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
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Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Gmbh filed Critical Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Definitions

  • Optical system in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
  • the invention relates to an optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus.
  • Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs.
  • the microlithography process is carried out in a so-called projection exposure apparatus, which has an illumination device and a projection objective.
  • a substrate eg a silicon wafer
  • photosensitive layer photoresist
  • mirrors are used as optical components for the imaging process because of the lack of availability of suitable light-transmissive refractive materials.
  • NA picture-side numerical aperture
  • NA image-side numerical aperture
  • An optical system according to the invention in particular for a microlithographic projection exposure apparatus, comprises: at least one mirror, wherein the mirror is arranged in the optical system in such a way that the surface normal occurring during operation of the optical system upon reflection of electromagnetic radiation at the mirror relative reflection angle at least 50 °, and wherein the mirror is composed of at least two segments, between which on the optical element at least one segment boundary is present.
  • the invention is based in particular on the concept, in an optical
  • the invention is based on the consideration that the problems possibly associated with such a GI-mirror with the typically near-field arrangement can be avoided or at least mitigated by choosing a suitable arrangement of the segment boundaries present between the segments.
  • the invention in this case includes the knowledge that with a "favorable" arrangement of the segment boundaries relative to the direction in which the segmented mirror is tilted in comparison with a mirror position with normal incidence of light, in the case of a "favorable” arrangement of the segment boundaries, uniformity errors in the wafer plane of FIG
  • the invention is based on the consideration that, although necessarily associated with the presence of the segment boundary (s) on the segmented mirror, but typically a relatively small loss of intensity, if so the aforementioned uniformity errors or field-dependent transmission losses in the optical system are avoided.
  • the invention is based on the concept of segmenting a mirror operating under a grazing incidence such that the segment boundary runs essentially along the tilting axis about which the mirror is opposite a position "with normal light entry" (hereunder is a mirror position)
  • the mirror in the optical system is tilted about a tilting axis relative to a perpendicular vertical mirror position such that the at least one segment boundary is relative to this tilting axis is arranged at an angle of maximum ⁇ 5 °.
  • Such a segmentation of the mirror with a profile of the segment boundary (s) along the tilt axis proves to be favorable in that a comparison of the illumination illuminated by different field points on the mirror is made.
  • rich (hereafter referred to as "subapertures”) in this configuration shows that the segment boundaries in each of these subapertures are substantially equally strong, in other words, the intensity loss associated with the presence of the segment boundary (s) continues to occur
  • this does not result in undesirable field dependence of the transmission properties and associated aberrations (in particular uniformity errors)
  • the above feature is synonymous with the fact that the segment boundary is substantially perpendicular to the scan direction or to their projection onto the mirror.
  • a profile of the segment boundary (s) perpendicular to the scanning direction proves to be advantageous insofar as the averaging of the intensity in the wafer plane accompanying the scanning process can additionally be used to "shift" the image of the segment boundary, which possibly along the scan direction or whose projection occurs to average out in the image ultimately obtained at the wafer level and thus to mitigate a contribution to the resulting uniformity error associated with this shift.
  • the above is Feature further synonymous with the fact that the segment boundary extends substantially along the longer side of the object field or for its projection onto the mirror.
  • the operating conditions of the optical system during the reflection of electromagnetic radiation at this mirror are the, related to the respective surface normal reflection angle at least 55 °, in particular at least 60 °, more preferably at least 65 °.
  • the mirror is arranged in a plane of the optical system in which a parameter P (F), which is defined as
  • D + D (CR) is not more than 0.7, in particular not more than 0.6, more particularly not more than 0.5.
  • D is understood to mean the maximum diameter of the sub-aperture on the mirror along the direction of the tilting axis of the mirror.
  • D (CR) defines the maximum principal ray distance over all field points of the optically used field on the optical surface F in the relevant plane.
  • the advantageous effect according to the invention of the "favorable" arrangement of the segment boundaries described above comes particularly to bear because, as already described above, the problem of generating aberrations, in particular uniformity errors, due to the mirror segmentation in the case of the arrangement of the relevant mirror according to the above-mentioned Criterion is particularly pronounced.
  • the mirror is composed of at least three, in particular of at least four segments.
  • all segment boundaries present on the mirror between in each case two segments are arranged at an angle of a maximum of ⁇ 5 ° relative to the tilting axis.
  • the optical system comprises at least two such mirrors, each composed of at least two segments.
  • these two mirrors are arranged in such a way that at least one segment boundary is arranged on the second of these mirrors in the light propagation direction in the shadow of a segment boundary of the first of these mirrors in the light propagation direction.
  • the optical system has at least one actuator for manipulating the shape and / or position of at least one of the segments.
  • the relative alignment of the segments with respect to one another is mechanically relatively demanding and, if the segments can be manipulated, at least one of the segments can be adapted to the remaining segments, if necessary.
  • targeted surface deformation may also be generated on the segmented mirror or at least one of the segments for the purpose of providing (possibly additional) correction degrees of freedom in the optical system, for example for correcting mirror heating effects, gravitational effects.
  • the optical system is designed for an operating wavelength of less than 30 nm, in particular for an operating wavelength of less than 15 nm.
  • the optical system can thus be designed for operation in the EUV area.
  • the invention is not limited to such that in other applications the optical system can also be designed, for example, for a working wavelength in the DUV range (eg smaller than 200 nm, in particular smaller than 160 nm).
  • the optical system has at least five mirrors, in particular at least seven mirrors.
  • the mirror composed of at least two segments is the mirror in the optical system with the largest optically effective area.
  • electromagnetic radiation impinging on the mirror in particular useful light incident on the mirror or reflected thereon, is reflected at a maximum of one segment of the mirror.
  • useful light is understood to mean the light or the electromagnetic radiation which can contribute to the imaging result (in particular in the case of a projection exposure apparatus for illuminating the image field in the image plane of the projection objective of the projection exposure apparatus).
  • the segments of the mirror together form a coherent optically effective surface interrupted only by existing segment boundaries between adjacent segments.
  • the optical system is a lighting device or a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus.
  • the invention further relates to a microlithographic projection exposure apparatus having a lighting device and a projection lens, wherein the illumination device illuminates a mask located in an object plane of the projection lens during operation of the projection exposure apparatus and the projection objective images structures on this mask onto a photosensitive layer located in an image plane of the projection lens, wherein the projection exposure apparatus comprises an optical system having the features described above.
  • the projection exposure apparatus is designed for a scanning operation in which a relative scanning movement takes place between the mask and the photosensitive layer along a scanning direction, the projection of this scanning direction on the mirror composed of at least two segments relative to the segment boundary between these segments at an angle of 90 ° ⁇ 5 °.
  • FIG. 1 a-b show schematic representations of a projection exposure apparatus (FIG. 1 a) designed for operation in the EUV or an associated projection objective (FIG. 1 b);
  • Figure 2-6 are schematic representations for explaining the basic principle and the operation of the present invention.
  • Figure 7-8 are schematic representations to explain the effect of a non-inventive, unfavorable arrangement of mirror segment boundaries.
  • FIG. 1 a shows a schematic representation of an exemplary projection exposure system designed for operation in the EUV, in which the present invention can be implemented.
  • an illumination device in a projection exposure apparatus 100 designed for EUV has a field facet mirror 103 and a pupil facet mirror 104.
  • the light of a light source unit comprising a plasma light source 101 and a collector mirror 102 is directed.
  • a first telescope mirror 105 and a second telescope mirror 106 are arranged in the light path after the pupil facet mirror 104.
  • a deflecting mirror 107 which directs the radiation impinging on it onto an object field in the object plane of a projection objective 150 merely indicated in FIG. 1 a, is arranged downstream of the light path.
  • a reflective structure-carrying mask 121 is arranged on a mask table 120, which is imaged by means of the projection objective 150 into an image plane in which a photosensitive layer (photoresist) coated substrate 161 is located on a wafer table 160.
  • the projection objective 150 may be e.g. According to the specific embodiment of FIG. 1b, eight mirrors M1 to M8 are provided, of which mirrors M1, M4, M7 and M8 act as mirrors for vertical incidence of the illumination light
  • the mirrors M2, M3, M5 and M6 are designed as grazing incidence mirrors (with angles of incidence greater than 60 °) and may have a coating of, for example, a layer of molybdenum (Mo) or ruthenium (Ru).
  • 3a-b respectively indicate the amount along which the respective mirror was decentered in the y direction (DCY), shifted in the z direction (DCZ) and tilted (TLA, TLC), starting from a mirror reference design. It is shifted in y- and z-direction in mm and tilted around the x-axis and around the z-axis. The twist angle is given in degrees. It is decentered first, then tilted.
  • the optical design data respectively depart from the image plane IP and thus describe the projection objective 150 in the direction opposite to the image propagation direction between the image plane IP and the object plane OP.
  • the mirror M8 that is, the last mirror in the imaging beam path in front of the image plane IP, has a passage opening for the passage of the imaging light, which is reflected by the third last mirror M6 towards the penultimate mirror M7.
  • the mirror M8 is used reflectively around the passage opening. All other mirrors M1 to M7 have no passage opening and are used in a coherently coherent area reflective.
  • Ci, C2 , C3,. , The coefficients of free-form surface series expansion are indicated in the powers of x and y.
  • the invention is not limited to the realization in a projection lens with the concrete construction shown in FIG. 1 b.
  • the invention may also be implemented in projection lenses of other construction (e.g., as shown in DE 10 2012 202 675 A1) or other optical system.
  • At least one mirror driven by grazing incidence for example of the projection objective 150, in the further example the mirror M2 is segmented in such a way that the segment boundary (s) runs or extend substantially parallel to a tilting axis about which the relevant mirror is tilted with respect to a mirror position for vertical incidence of light.
  • the at least one segment boundary can be arranged at an angle of at most ⁇ 5 ° relative to this tilting axis.
  • FIG. 2 indicates a typical shape of a rectangular object field 20, the scanning direction being in y-direction with respect to the drawn coordinate system.
  • a mirror 30 is indicated, wherein due to its tilt in the optical path, the subapertures generated on this mirror 30 each have an elongated geometry, in Fig. 3, the subaperture 21 a from the central field point of the object field 21 illuminated area and the subaperture 21 b denote the surface illuminated by a field point located in the edge of the object field 21.
  • the above feature is equivalent to the segment boundary being substantially perpendicular to the scan direction or for the projection of which runs on the mirror.
  • FIG. 5 in a merely schematic representation, a beam path from the mask M or the reticle via a concave mirror 55 to an under-incidence (Gl) mirror 50 is indicated, the scan direction being along the y g -direction in the drawn coordinate system of the mirror 50.
  • the at least one segment boundary of the mirror 50 thus extends in the x g direction in the coordinate system of the mirror 50 according to the above criterion.
  • the segment boundary 75 is located completely in the subaperture 21 a, which corresponds to the area of the mirror 70 illuminated by the central field point of the object field 21, whereas in the subaperture 21 b, that of one in the edge of the object field 21 located field spot illuminated area, no portion of the segment boundary 75 is more.
  • the segment boundary 45 is located both in that subaperture 21a which corresponds to the area of the mirror 40 illuminated by the central field point of the object field 21, ie also in FIG that subaperture 21b which corresponds to the area illuminated by a field point located in the edge of the object field 21.
  • the goal of largely avoiding uniformity errors can thus already be achieved without taking into account the averaging of the intensity at the wafer level associated with the scanning process.
  • this uniformity error increases with the result that in such cases the scan process associated with this level of wafer-level intensity can be used to limit the uniformity error.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit wenigstens einem Spiegel, wobei der Spiegel (M2, 40) in dem optischen System derart angeordnet ist, dass die im Betrieb des optischen Systems bei Reflexion elektromagnetischer Strahlung an dem Spiegel auftretenden, auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Reflexionswinkel wenigstens 50° betragen, und wobei der Spiegel aus wenigstens zwei Segmenten (41, 42) zusammengesetzt ist, zwischen denen auf dem optischen Element wenigstens eine Segmentgrenze (45) vorhanden ist.

Description

Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Deutschen Patentanmeldung DE 10 2014 210 609.5, angemeldet am 04. Juni 2014. Der Inhalt dieser DE-Anmeldung wird durch Bezugnahme („incorporation by reference") mit in den vorliegenden Anmeldungstext aufgenommen.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
Stand der Technik
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikro- lithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet. Typische für EUV ausgelegte Projektionsobjektive, wie z.B. aus US 7,538,856 B2 bekannt, können beispielsweise eine bildseitige numerische Apertur (NA) im Bereich von NA = 0.2 bis 0.3 aufweisen und bilden ein (z.B. ringförmiges) Objektfeld in die Bildebene bzw. Waferebene ab. Bei Ansätzen zur Erhöhung der bildseitigen numerischen Apertur (NA) tritt in der Praxis das Problem auf, dass einer mit dieser Erhöhung einhergehenden Vergrößerung der Spiegelflächen in mehrfacher Hinsicht Grenzen gesetzt sind:
Zum einen wird es mit wachsenden Abmessungen der Spiegel zunehmend schwierig, insbesondere langwellige Oberflächenfehler auf werte unterhalb der geforderten Grenzwerte zu senken, wobei die größeren Spiegelflächen u.a. stärkere Asphären erfordern. Des Weiteren werden mit wachsenden Abmessungen der Spiegel größere Bearbeitungsmaschinen zur Fertigung benötigt, und es werden strengere Anforderungen an die verwendeten Bearbeitungs- Werkzeuge (wie z.B. Schleif-, Läpp-, und Poliermaschinen, Interferometer, Rei- nigungs- und Beschichtungsanlagen) gestellt. Ferner müssen zur Fertigung größerer Spiegel schwerere Spiegelgrundkörper verwendet werden, welche ab einer gewissen Grenze kaum noch montierbar sind oder sich gravitationsbedingt über ein akzeptables Maß durchbiegen.
Um dem vorstehenden Problem wachsender Spiegelabmessungen Rechnung zu tragen, ist es bekannt, einen oder mehrere Spiegel im Abbildungsstrahlengang des Projektionsobjektivs segmentweise auszuführen, d.h. jeweils einen monolithischen Spiegel durch einen segmentierten Spiegel, welcher aus einer Mehrzahl von separaten Segmenten zusammengesetzt ist, zu ersetzen. Eine solche segmentierte Ausgestaltung eines oder mehrerer Spiegel im Projektionsobjektiv hat jedoch notwendigerweise zur Folge, dass in dem betreffenden segmentierten Spiegel zwischen den separaten Spiegelsegmenten Segment- grenzen vorhanden sind, in denen keine oder nur eine stark reduzierte bzw. unzureichende Reflexion erfolgt. Infolgedessen geht im Betrieb der Projekti- onsbelichtungsanlage auf die besagten Segmentgrenzen auftreffendes Licht ganz oder teilweise verloren. Folge hiervon ist nicht nur ein unerwünschter Lichtverlust, sondern ggf. auch das Auftreten von Abbildungsfehlern, da eine jeweils ganz oder anteilig verlorengehende Beugungsordnung in diesem Maße nicht mehr als Interferenzpartner zur Verfügung steht.
Die vorstehend beschriebenen Probleme erweisen sich insbesondere als gra- vierend bei Spiegeln, die unter streifendem Einfall betrieben werden. Unter solchen, unter streifendem Einfall betriebenen Spiegeln werden hier und im Folgenden Spiegel verstanden, für welche die bei der Reflexion der EUV- Strahlung auftretenden, auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Reflexionswinkel wenigstens 50°, insbesondere wenigstens 55°, weiter insbeson- dere wenigstens 60° betragen. Bei solchen Spiegeln, die im Weiteren auch kurz als Gl-Spiegel (=„grazing incidence" =„streifender Einfall") bezeichnet werden und deren Einsatz grundsätzlich im Hinblick auf die vergleichsweise hohen, erreichbaren Reflektivitäten (von z.B. 80% und mehr) wünschenswert ist, ist zum einen aufgrund der bezogen auf die reflektierende Spiegelfläche flachen Einfallswinkel die Spiegelgröße relativ ausgeprägt. Zum anderen tritt infolge der typischerweise u.a. zwecks Begrenzung der Spiegelgröße feldnahen Platzierung dieser Gl-Spiegel das zusätzliche Problem auf, dass die vorstehend beschriebenen, mit einer Segmentierung notwendigerweise einhergehenden Spiegelsegmentgrenzen unmittelbar in der Waferebene sichtbar wer- den, was wiederum Aberrationen (insbesondere Uniformitätsfehler) und damit eine Beeinträchtigung des Abbildungsergebnisses zur Folge haben kann.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2012 202 675 A1 , WO 2012/059537 A1 , US 2012/0300183 A1 sowie US 201 1/0001947 A1 ver- wiesen. ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektions- belichtungsanlage bereitzustellen, welches die Realisierung vergleichsweise großer numerischer Aperturen ohne die vorstehend beschriebenen Probleme (insbesondere unter Reduzierung von durch Spiegelsegmentgrenzen hervorgerufenen Abbildungsfehlern) ermöglicht. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.
Ein erfindungsgemäßes optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, weist auf: - wenigstens einen Spiegel, wobei der Spiegel in dem optischen System derart angeordnet ist, dass die im Betrieb des optischen Systems bei Reflexion elektromagnetischer Strahlung an dem Spiegel auftretenden, auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Reflexionswinkel wenigstens 50° be- tragen, und wobei der Spiegel aus wenigstens zwei Segmenten zusammengesetzt ist, zwischen denen auf dem optischen Element wenigstens eine Segmentgrenze vorhanden ist. Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, in einem optischen
System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage einen unter streifendem Einfall betriebenen Spiegel („Gl-Spiegel") segmentiert auszugestalten, um auf diese Weise unter Ausnutzung der für einen solchen Gl-Spiegel erreichbaren, vergleichsweise hohen Reflektivitäten (von z.B. 80% oder mehr) die eingangs beschriebenen, fertigungstechnischen Herausforderungen auch bei den für einen solchen Gl-Spiegel typischerweise benötigten, vergleichsweise großen Spiegelabmessungen zu meistern. Dabei geht die Erfindung insbesondere von der Überlegung aus, dass die bei einem solchen Gl-Spiegel mit der typischerweise feldnahen Anordnung ggf. einhergehenden Probleme bei Wahl einer geeigneten Anordnung der zwischen den Segmenten vorhandenen Segmentgrenzen vermieden oder zumindest abgemildert werden können. Insbesondere beinhaltet die Erfindung hierbei die Erkenntnis, dass bei einer - im Weiteren noch detaillierter beschriebenen - „günstigen" Anordnung der Segmentgrenzen relativ zu derjenigen Richtung, in welcher der segmentierte Spiegel im Vergleich zu einer Spiegelstellung mit senkrechtem Lichteinfall verkippt ist, Uniformitätsfehler in der Waferebene der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage weitgehend vermieden werden können. Zugleich geht die Erfindung von der Überlegung aus, dass ein mit dem Vorhandensein der Segmentgrenze(n) auf dem segmentierten Spiegel zwar notwendigerweise verbundener, jedoch typischerweise relativ geringer In- tensitätsverlust bewusst in Kauf genommen werden kann, sofern eben die vorstehend genannten Uniformitätsfehler bzw. feldabhängige Transmissionsverluste im optischen System vermieden werden.
Der Erfindung liegt weiter insbesondere das Konzept zugrunde, eine Segmen- tierung eines unter streifendem Einfall betriebenen Spiegels derart vorzunehmen, dass die Segmentgrenze im Wesentlichen entlang der Kippachse verläuft, um welche der Spiegel gegenüber einer Stellung„mit senkrechtem Lichteintritt" (hierunter wird vorliegend eine Spiegelstellung verstanden, in welcher die Reflexionswinkel auf dem Spiegel minimiert sind) verkippt angeordnet ist. Gemäß einer Ausführungsform ist somit der Spiegel in dem optischen System bezogen auf eine Spiegelstellung für senkrechten Lichteinfall um eine Kippachse derart gekippt angeordnet, dass die wenigstens eine Segmentgrenze relativ zu dieser Kippachse in einem Winkel von maximal ±5° angeordnet ist.
Eine solche Segmentierung des Spiegels mit einem Verlauf der Segmentgren- ze(n) entlang der Kippachse erweist sich insofern als günstig, als ein Vergleich der durch unterschiedliche Feldpunkte auf dem Spiegel ausgeleuchteten Be- reiche (im Weiteren als „Subaperturen" bezeichnet) in dieser Konfiguration ergibt, dass die Segmentgrenzen in jeder dieser Subaperturen im Wesentlichen gleichermaßen stark zur Geltung kommen. Mit anderen Worten tritt zwar der mit dem Vorhandensein der Segmentgrenze(n) einhergehende Intensitäts- verlust weiterhin auf, führt jedoch infolge der einheitlichen Auswirkung auf sämtliche Subaperturen nicht zu einer unerwünschten Feldabhängigkeit der Transmissionseigenschaften und zu damit verbundenen Aberrationen (insbesondere Uniformitätsfehlern). Geht man nun weiter von einer typischen Konfiguration aus, in der die Scanrichtung, in welche der Scanvorgang im Lithographieprozess stattfindet, mit der Kipprichtung des Spiegels übereinstimmt, ist das vorstehende Merkmal gleichbedeutend damit, dass die Segmentgrenze im Wesentlichen senkrecht zur Scanrichtung bzw. zu deren Projektion auf den Spiegel verläuft.
Ein Verlauf der Segmentgrenze(n) senkrecht zur Scanrichtung erweist sich insofern als vorteilhaft, als dann die mit dem Scanprozess einhergehende Mittelung der Intensität in der Waferebene zusätzlich dazu genutzt werden kann, eine„Verschiebung" des Bildes der Segmentgrenze, welche ggf. entlang der Scanrichtung bzw. deren Projektion auftritt, in dem letztlich auf Waferebene erhaltenen Bild herauszumitteln und somit einen mit dieser Verschiebung einhergehenden Beitrag zum resultierenden Uniformitätsfehler abzumildern.
Geht man weiter von einer typischen Konfiguration aus, in welcher die Verkip- pung des unter streifendem Einfall betriebenen Spiegels in eine Richtung erfolgt, welche für ein rechteckiges Objektfeld zwecks Begrenzung der Spiegelgröße des betreffenden Gl-Spiegels der kürzeren Seite dieses Objektfeldes entspricht, ist das vorstehende Merkmal weiter gleichbedeutend damit, dass die Segmentgrenze im Wesentlichen entlang der längeren Seite des Objektfel- des bzw. zu dessen Projektion auf den Spiegel verläuft.
Gemäß einer Ausführungsform betragen die im Betrieb des optischen Systems bei der Reflexion elektromagnetischer Strahlung an diesem Spiegel auftreten- den, auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Reflexionswinkel wenigstens 55°, insbesondere wenigstens 60°, weiter insbesondere wenigstens 65°.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Spiegel in einer Ebene des optischen Systems angeordnet, in welcher ein Parameter P(F), welcher definiert ist als
D
P(F) =
D + D(CR) maximal 0.7, insbesondere maximal 0.6, weiter insbesondere maximal 0.5, beträgt. Dabei wird vorliegend unter D der maximale Durchmesser der Sub- apertur auf dem Spiegel entlang der Richtung der Kippachse des Spiegels verstanden. D(CR) definiert den maximalen Hauptstrahlenabstand über alle Feldpunkte des optisch genutzten Feldes auf der optischen Fläche F in der betref- fenden Ebene. Somit gilt für einen Feldspiegel P(F)=0, und für einen Pupillenspiegel gilt P(F)=1. In diesem Falle kommt die erfindungsgemäße vorteilhafte Wirkung der vorstehend beschriebenen„günstigen" Anordnung der Segmentgrenzen besonders zum Tragen, da wie schon eingangs beschrieben das Problem der Erzeugung von Aberrationen wie insbesondere Uniformitätsfeh- lern aufgrund der Spiegelsegmentierung im Falle der Anordnung des betreffenden Spiegels gemäß dem o.g. Kriterium besonders ausgeprägt ist.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Spiegel aus wenigstens drei, insbesondere aus wenigstens vier Segmenten zusammengesetzt.
Gemäß einer Ausführungsform sind sämtliche auf dem Spiegel zwischen jeweils zwei Segmenten vorhandenen Segmentgrenzen relativ zur Kippachse in einem Winkel von maximal ±5° angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform weist das optische System wenigstens zwei solcher Spiegel, die jeweils aus wenigstens zwei Segmenten zusammengesetzt sind, auf. Gemäß einer Ausführungsform sind diese zwei Spiegel derart angeordnet, dass wenigstens eine Segmentgrenze auf dem in Lichtausbreitungsrichtung zweiten dieser Spiegel im Schatten einer Segmentgrenze des in Lichtausbrei- tungsrichtung ersten dieser Spiegel angeordnet ist. Auf diese Weise kann durch eine geeignete, aufeinander abgestimmte Anordnung mehrerer segmentierter Spiegel zumindest weitgehend vermieden werden, dass durch jeden nachfolgenden segmentierten Spiegel zusätzliche Lichtanteile abgeblockt werden mit der Folge, dass z.B. der Abschattungseffekt aufgrund zweier segmen- tierter Spiegel nicht nennenswert größer ist als der Abschattungseffekt, der durch einen einzigen segmentierten Spiegel hervorgerufen wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das optische System wenigstens einen Aktor zur Manipulation von Form und/oder Position wenigstens eines der Seg- mente auf. Hierdurch wird dem Umstand Rechnung getragen, dass bei einem segmentierten Spiegel die relative Ausrichtung der Segmente zueinander mechanisch vergleichsweise anspruchsvoll ist und bei manipulierbarer Auslegung wenigstens eines der Segmente erforderlichenfalls jederzeit eine Anpassung an die übrigen Segmente erfolgen kann. In weiteren Ausführungsformen kann an dem segmentierten Spiegel bzw. wenigstens einem der Segmente auch eine gezielte Oberflächendeformation zwecks Bereitstellung von (ggf. zusätzlichen) Korrekturfreiheitsgraden im optischen System, beispielsweise zur Korrektur von Spiegelerwärmungseffekten, Gravitationseffekten etc. erzeugt werden.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 15 nm, ausgelegt. Insbesondere kann das optische System somit für den Betrieb im EUV-Bereich ausgelegt sein. Die Erfindung ist jedoch hie- rauf nicht beschränkt, so dass in weiteren Anwendungen das optische System z.B. auch für eine Arbeitswellenlänge im DUV-Bereich (z.B. kleiner als 200 nm, insbesondere kleiner als 160 nm) ausgestaltet sein kann. Gemäß einer Ausführungsform weist das optische System wenigstens fünf Spiegel, insbesondere wenigstens sieben Spiegel, auf.
Gemäß einer Ausführungsform ist der aus wenigstens zwei Segmenten zusammengesetzte Spiegel derjenige Spiegel im optischen System mit der größten optisch wirksamen Fläche.
In Ausführungsformen der Erfindung wird im Betrieb des optischen Systems auf den Spiegel auftreffende elektromagnetische Strahlung, insbesondere auf den Spiegel auftreffendes bzw. an diesem reflektiertes Nutzlicht, an maximal einem Segment des Spiegels reflektiert. Hierbei wird unter„Nutzlicht" das Licht bzw. die elektromagnetische Strahlung verstanden, welches bzw. welche bestimmungsgemäß zum Abbildungsergebnis (insbesondere im Falle einer Projektionsbelichtungsanlage zur Ausleuchtung des Bildfeldes in der Bildebene des Projektionsobjektives der Projektionsbelichtungsanlage) beitragen kann.
Gemäß einer Ausführungsform bilden die Segmente des Spiegels miteinander eine lediglich durch vorhandene Segmentgrenzen zwischen benachbarten Segmenten unterbrochene, zusammenhängende optisch wirksame Fläche aus.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
Die Erfindung betrifft ferner auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs befindliche Maske beleuchtet und das Projektionsobjektiv Strukturen auf dieser Maske auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs befindliche lichtempfindliche Schicht abbildet, wobei die Projektionsbelichtungsanlage ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist. Gemäß einer Ausführungsform ist die Projektionsbelichtungsanlage für einen Scanbetrieb ausgelegt, in welchem eine relative Scanbewegung zwischen der Maske und der lichtempfindlichen Schicht entlang einer Scanrichtung erfolgt, wobei die Projektion dieser Scanrichtung auf den aus wenigstens zwei Segmenten zusammengesetzten Spiegel relativ zur Segmentgrenze zwischen diesen Segmenten in einem Winkel von 90°±5° verläuft.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Un- teransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Es zeigen: Figur 1 a-b schematische Darstellungen einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage (Figur 1 a) bzw. eines zugehörigen Projektionsobjektivs (Figur 1 b);
Figur 2-6 schematische Darstellungen zur Erläuterung des Grundprinzips sowie der Wirkungsweise der vorliegenden Erfindung; und
Figur 7-8 schematische Darstellungen zur Erläuterung des Auswirkung einer nicht erfindungsgemäßen, ungünstigen Anordnung von Spiegelsegmentgrenzen. DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER
AUSFÜHRUNGSFORMEN
Fig. 1 a zeigt eine schematische Darstellung einer beispielhaften für den Be- trieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die vorliegende Erfindung realisierbar ist.
Gemäß Fig. 1 a weist eine Beleuchtungseinrichtung in einer für EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 100 einen Feldfacettenspiegel 103 und einen Pupillenfacettenspiegel 104 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 103 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 101 und einen Kollektorspiegel 102 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 104 sind ein erster Teleskopspiegel 105 und ein zweiter Teleskopspiegel 106 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Umlenkspiegel 107 ange- ordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines in Fig. 1 a lediglich angedeuteten Projektionsobjektivs 150 lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 121 auf einem Maskentisch 120 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs 150 in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 161 auf einem Wafertisch 160 befindet.
Das Projektionsobjektiv 150 kann z.B. gemäß dem konkreten Ausführungsbeispiel von Fig. 1 b acht Spiegel M1 bis M8 aufweisen, von denen die Spiegel M1 , M4, M7 und M8 als Spiegel für senkrechten Einfall des Beleuchtungslichts
(mit einem Einfallswinkel kleiner als 45°) ausgeführt sind und einen Reflexionsschichtstapel aus Molybdän (Mo)- sowie Silizium (Si)-Schichten aufweisen können. Die Spiegel M2, M3, M5 und M6 sind als Spiegel für streifenden Einfall des Beleuchtungslichts (mit Einfallswinkeln größer als 60°) ausgeführt und können eine Beschichtung mit beispielsweise einer Lage aus Molybdän (Mo) oder Ruthenium (Ru) aufweisen. Die optischen Parameter des Projektionsobjektivs von Fig. 1 sind in Tab. 1 -3 aufgeführt, wobei Tab. 1 zu den optischen Oberflächen der optischen Komponenten einen Scheitelpunktradius (Radius = R = Ry) sowie jeweils den Abstand (Abstandswert) zur nachfolgenden optischen Komponente angibt, Tab. 2a-c für die Spiegel M1 bis M8 in mm die konischen Konstanten kx und ky, den ggf. vom Wert R (= Ry) abweichenden Scheitelpunktradius Rx und die Freiformflächen- Koeffizienten Cn angibt und Tab. 3a-b jeweils den Betrag angeben, längs dem der jeweilige Spiegel, ausgehend von einem Spiegel-Referenzdesign in der y- Richtung dezentriert (DCY), in der z-Richtung verschoben (DCZ) und verkippt (TLA, TLC) wurde. Verschoben wird dabei in y- und in z-Richtung in mm und verkippt um die x-Achse und um die z-Achse. Der Verdrehwinkel ist in Grad angegeben. Es wird zunächst dezentriert, dann verkippt. Auch für das Objektfeld OP ist eine Dezentrierung in y- und in z-Richtung angegeben. Die optischen Designdaten gehen jeweils von der Bildebene IP aus und beschreiben das Projektionsobjektiv 150 somit in zur Bildausbreitungsrichtung entgegengesetzter Richtung zwischen Bildebene IP und Objektebene OP.
Der Spiegel M8, also der im Abbildungsstrahlengang letzte Spiegel vor der Bildebene IP, weist eine Durchtrittsöffnung zum Durchtritt des Abbildungslichts auf, das vom drittletzten Spiegel M6 hin zum vorletzten Spiegel M7 reflektiert wird. Der Spiegel M8 wird um die Durchtrittsöffnung herum reflektiv genutzt. Alle übrigen Spiegel M1 bis M7 besitzen keine Durchtrittsöffnung und werden in einem lückenlos zusammenhängenden Bereich reflektiv genutzt. Eine Freiformfläche kann durch folgende Freiformflächengleichung beschrieben werden: z = cxx + cry
\ + ^\ - {{\ + kx){cxxf - {\ + ky){cyy)
+ Cxx + C2y
+ C3x2 + C4xy + C5y2
+ C6x3 + ... + C9y3
+ C10x4 + ... + C12x2y2 + ... + C14y4
+ C15x5 + ... + C20y5
+ C21x6 + ... + C24x3y3 + ... + C27y6
In Gleichung (1 ) ist Z die Pfeilhöhe der Freiformfläche am Punkt x, y, wobei x2 + y2 = r2 gilt. Mit Ci , C2, C3, . . . sind die Koeffizienten der Freiformflächen- Reihenentwicklung in den Potenzen von x und y bezeichnet. Im Falle einer konischen Grundfläche ist c eine Konstante, die der Scheitelpunktkrümmung einer entsprechenden Asphäre entspricht. Es gilt also cx = 1/rx und cy = 1/ry. kx und ky entsprechen jeweils einer konischen Konstante einer entsprechenden Asphäre. Gleichung (1 ) beschreibt also eine bikonische Freiformfläche.
Die Erfindung ist nicht auf die Realisierung in einem Projektionsobjektiv mit dem in Fig. 1 b gezeigten konkreten Aufbau beschränkt. In weiteren Ausführungsbeispielen kann die Erfindung auch in Projektionsobjektiven mit anderem Aufbau (z.B. wie in DE 10 2012 202 675 A1 gezeigt) oder anderen optischen System realisiert werden.
Gemäß der Erfindung ist nun wenigstens ein unter streifendem Einfall betriebener Spiegel z.B. des Projektionsobjektivs 150, im weiteren Beispiel der Spiegel M2, in solcher Weise segmentiert, dass die Segmentgrenze(n) im We- sentlichen parallel zu einer Kippachse verläuft bzw. verlaufen, um welche der betreffende Spiegel bezogen auf eine Spiegelstellung für senkrechten Lichteinfall gekippt angeordnet ist. Insbesondere kann die wenigstens eine Segmentgrenze relativ zu dieser Kippachse in einem Winkel von maximal ±5° angeordnet sein. Diese Segmentierung sowie deren Auswirkung werden im Weiteren unter Bezugnahme auf die lediglich schematischen Darstellungen von Fig. 2ff näher erläutert.
In Fig. 2 ist eine typische Form eines rechteckigen Objektfeldes 20 angedeutet, wobei die Scanrichtung bezogen auf das eingezeichnete Koordinatensystem in y-Richtung verläuft. In Fig. 3 ist lediglich schematisch ein Spiegel 30 angedeutet, wobei aufgrund dessen Verkippung im optischen Strahlengang die auf diesem Spiegel 30 erzeugten Subaperturen jeweils eine langgestreckte Geometrie aufweisen, wobei in Fig. 3 die Subapertur 21 a den vom mittleren Feldpunkt des Objektfeldes 21 beleuchtete Fläche und die Subapertur 21 b den von einem im Rand des Objektfeldes 21 befindlichen Feldpunkt beleuchtete Fläche bezeichnen.
Geht man bei einer für den Scanbetrieb ausgelegten Projektionsbelichtungsan- läge davon aus, dass die Scanrichtung, in welcher der Scanvorgang im Litho- graphieprozess stattfindet, mit der Kipprichtung des Spiegels übereinstimmt, ist das vorstehende Merkmal gleichbedeutend damit, dass die Segmentgrenze im Wesentlichen senkrecht zur Scanrichtung bzw. zu deren Projektion auf den Spiegel verläuft.
Zur Veranschaulichung ist in Fig. 5 in lediglich schematischer Darstellung ein Strahlengang von der Maske M bzw. dem Retikel über einen Konkavspiegel 55 zu einem unter streifendem Einfall betriebenen (Gl-)Spiegel 50 angedeutet, wobei die Scan-Richtung entlang der yg-Richtung im eingezeichneten Koordi- natensystem des Spiegels 50 verläuft. Die wenigstens eine Segmentgrenze des Spiegels 50 erstreckt sich nach dem vorstehenden Kriterium somit in xg- Richtung im Koordinatensystem des Spiegels 50.
Eine „ungünstige", erfindungsgemäß nicht gewählte Segmentierung eines Spiegels 70 mit einer entlang der y-Richtung verlaufenden Segmentgrenze 75 ist in Fig. 7 angedeutet, wobei in Fig. 8 jeweils stark vereinfacht die pupillenabhängige Transmission für unterschiedliche Feldpunkte F5 (mittlerer Feldpunkt) sowie Fi bis F (in jeweils einem Eckbereich liegende Feldpunkte) angedeutet ist. Mit anderen Worten ist also vereinfacht angedeutet, mit welcher Intensität das von einem jeweiligen Feldpunkt ausgehende Licht im Bildfeld des Projektionsobjektivs bzw. am Wafer ankommt. Wie zunächst aus Fig. 7 ersichtlich befindet sich die Segmentgrenze 75 vollständig in derjenigen Subapertur 21 a, welche der vom mittleren Feldpunkt des Objektfeldes 21 beleuchteten Fläche des Spiegels 70 entspricht, wohingegen sich in der Subapertur 21 b, die der von einem im Rand des Objektfeldes 21 befindlichen Feldpunkt beleuchteten Fläche entspricht, kein Anteil der Segment- grenze 75 mehr befindet.
Wie in Fig. 8 angedeutet ist, hat dies zur Folge, dass für die Feldmitte (Feldpunkt F5) ein Transmissionsverlust infolge der durch die Segmentgrenze 75 bewirkten Abschattung stattfindet, wobei jedoch für die Rand- bzw. Eckberei- che des Feldes (Fi bis F ) entweder kein oder nur ein vergleichsweise geringer Transmissionsverlust stattfindet. Im Ergebnis führt dies zu einem Uniformitäts- fehler und somit zu einer Beeinträchtigung des im Lithographieprozess erzielten Abbildungsergebnisses. Eine „günstige" Segmentierung eines Spiegels 40 mit einer entlang der y- Richtung verlaufenden Segmentgrenze 45 ist in Fig. 4 angedeutet, wobei in Fig. 6 wiederum jeweils stark vereinfacht die pupillenabhängige Transmission für die unterschiedlichen Feldpunkte F5 (mittlerer Feldpunkt) sowie Fi bis F (in jeweils einem Eckbereich liegende Feldpunkte) angedeutet ist. Wie zunächst aus Fig. 4 ersichtlich befindet sich die Segmentgrenze 45 sowohl in der derjenigen Subapertur 21 a, welche der vom mittleren Feldpunkt des Objektfeldes 21 beleuchteten Fläche des Spiegels 40 entspricht, also auch in derjenigen Subapertur 21 b, die der von einem im Rand des Objektfeldes 21 befindlichen Feldpunkt beleuchteten Fläche entspricht.
Wie aus Fig. 6 ersichtlich ist, hat dies zur Folge, dass sowohl für die Feldmitte (Feldpunkt F5) also auch für die Rand- bzw. Eckbereiche des Feldes (Fi bis F ) jeweils ein Transmissionsverlust infolge der durch die Segmentgrenze 45 be- wirkten Abschattung stattfindet. Wie ebenfalls in Fig. 6 erkennbar ist verschiebt sich bei Betrachtung unterschiedlicher Feldränder Fi und F3 bzw. F2 und F , welche in y-Richtung versetzt sind, die durch die Segmentgrenze 45 bewirkte Abschattung ebenfalls in y-Richtung. Da nun jedoch im Lithographieprozess entlang dieser y-Richtung gescannt wird, mittelt sich diese Verschiebung beim Scannen wieder heraus mit der Folge, dass ein unerwünschter Uniformitätsfeh- ler zumindest weitgehend vermieden werden kann.
Seitens der Erfinder durchgeführte Untersuchungen in Form von Simulationen haben ergeben, dass für ein konkretes Ausführungsbeispiel der Segmentierung des Spiegels M2 (der Fläche von ca. 78002 mm2) im Projektionsobjektiv von Fig. 1 b unter Erzeugung von zwei Segmenten gleicher Größe mit einer Segmentgrenze der Breite von 2 mm (entsprechend einer aufgrund der Segmentgrenze„fehlenden" Spiegelfläche von 0.51 %) bei Zugrundelegung einer „perfekten Reflexion", d.h. ohne Berücksichtigung von winkelabhängigen Reflexionsschichteigenschaften des Spiegels M2, der mittlere Transmissionsverlust 0.52 % beträgt und somit in der zu erwartenden Größenordnung liegt, wobei in der vorstehend diskutierten„günstigen" Konfiguration ein Uniformitäts- fehler kleiner als 0.01 % erzielt werden kann. Bei zusätzlicher Berücksichtigung winkelabhängiger Reflexionsschichteigenschaften auf diesem segmentierten
Spiegel ergibt sich ein mittlerer Transmissionsverlust von etwa 0.53 % bei einer Uniformitätsänderung aufgrund der Segmentierung um 0.01 % (von einem Wert von 0.042 % ohne Segmentierung auf einen Wert von 0.040 % mit Segmentierung).
In dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel der Segmentierung des Spiegels M2 lässt sich somit das Ziel einer weitgehenden Vermeidung von Uni- formitätsfehlern bereits ohne Berücksichtigung der mit dem Scanprozess verbundenen Mittelung der Intensität auf Waferebene erreichen. Bei größerer Abmessung bzw. Breite der Segmentgrenze(n) und/oder im Falle einer Konfiguration mit vergleichsweise ungünstiger Abschattung bestimmter Beugungsordnungen durch die Segmentgrenze(n) nimmt dieser Uniformitätsfehler jedoch zu mit der Folge, dass in solchen Fällen die mit dem Scanprozess einherge- hende Mittelung der Intensität auf Waferebene zur Begrenzung des Uniformi- tätsfehlers genutzt werden kann.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
Tabelle 1 :
Figure imgf000020_0001
Tabelle 2a:
FREIFORM KOEFFIZIENTEN
Oberfläche M8 M7 M6
KY +0.000000e+00 +0.000000e+00 +0.000000e+00
KX +0.000000e+00 +0.000000e+00 +0.000000e+00
RX -9.148038e+02 + 1.084038e+03 -1.203691 e+03
C1 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C2 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C3 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C4 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C5 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C6 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C7 -2.696277e-09 -4.826751 e-07 -1.044091 e-07
C8 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C9 +4.341929e-09 +3.756356e-07 + 1.341916e-09
C10 -1.322785e-1 1 +9.852016e-10 -3.829740e-10
C1 1 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C12 -3.324039e-1 1 +4.684763e-09 +3.461279e-1 1
C13 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C14 -1.047254e-1 1 +3.913612e-09 -4.337757e-12
C15 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C16 -1.644109e-15 -9.331082e-13 +4.192180e-12
C17 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C18 +2.584428e-15 +2.482464e-12 +2.386450e-13
C19 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C20 +3.393845e-15 +6.156021 e-12 +8.402900e-14
C21 -1.974622e-17 +2.696967e-15 +7.596750e-14
C22 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C23 -7.198009e-17 +2.81 1741 e-14 +4.051296e-15 C24 0,00E+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C25 -6.593494e-17 +6.534962Θ-14 + 1.235492Θ-15
C26 0,00E+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C27 -1.789477e-17 +6.685167e-14 -9.927146e-17
C28 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C29 -7.069443e-22 -2.482376Θ-18 -1.938855Θ-16
C30 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C31 + 1.654458e-21 +2.717618Θ-17 +5.51961 1 e-17
C32 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C33 +6.817189e-21 + 1.023642Θ-16 -1.473042e-19
C34 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C35 +3.275515e-21 + 1.337615e-16 +2.425594Θ-19
C36 -2.187522Θ-23 + 1.640396Θ-20 + 1.075640Θ-17
C37 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C38 -1.051205e-22 +2.644328e-19 -3.140590e-19
C39 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C40 -1.595849Θ-22 + 1.286464Θ-18 -3.464161 Θ-19
C41 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C42 -1.007953Θ-22 +2.924287Θ-18 -6.097412Θ-21
C43 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C44 -2.273338e-23 +2.430798e-18 -4.961924e-22
C45 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C46 +3.954079Θ-28 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C47 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C48 -1.165102Θ-27 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C49 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C50 +8.020246e-27 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C51 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C52 +7.823968Θ-27 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C53 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C54 + 1.784485Θ-27 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C55 -5.220429Θ-29 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C56 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C57 -3.057255e-28 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C58 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C59 -6.615028Θ-28 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C60 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C61 -6.835586Θ-28 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C62 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C63 -3.438298e-28 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C64 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C65 -6.722654Θ-29 0,00Ε+00 0,00Ε+00 Tabelle 2b:
FREIFORM KOEFFIZIENTEN
Oberfläche M5 M4
KY +0.000000e+00 +0.000000e+00
KX +0.000000e+00 +0.000000e+00
RX +5.938698e+03 -1.112970e+03
C1 0,00E+00 0,00E+00
C2 0,00E+00 0,00E+00
C3 0,00E+00 0,00E+00
C4 0,00E+00 0,00E+00
C5 0,00E+00 0,00E+00
C6 0,00E+00 0,00E+00
C7 + 1.157467e-07 +2.1 18356e-08
C8 0,00E+00 0,00E+00
C9 -2.404270e-09 -3.859975e-07
C10 +9.187234e-10 -7.745586e-1 1
C1 1 0,00E+00 0,00E+00
C12 + 1.852678e-10 +2.303852e-10
C13 0,00E+00 0,00E+00
C14 +3.026592e-1 1 -2.778300e-09
C15 0,00E+00 0,00E+00
C16 + 1.096198e-12 -1.118494e-13
C17 0,00E+00 0,00E+00
C18 + 1.874649e-13 -1.228171 e-12
C19 0,00E+00 0,00E+00
C20 -9.702452e-15 -2.126379e-1 1
C21 -1.035373e-14 -1.417304e-17
C22 0,00E+00 0,00E+00
C23 +3.171 175e-15 -2.556142e-15
C24 0,00E+00 0,00E+00
C25 -2.299353e-16 +6.830625e-15
C26 0,00E+00 0,00E+00
C27 +9.638007e-17 -2.534757e-13
C28 0,00E+00 0,00E+00
C29 + 1.954110e-17 + 1.829470e-18
C30 0,00E+00 0,00E+00
C31 +2.664704e-17 -5.380103e-17
C32 0,00E+00 0,00E+00
C33 +2.624180e-18 +3.705430e-16
C34 0,00E+00 0,00E+00
C35 -1.878106e-19 -5.757542e-15
C36 +6.131726e-19 -1.405340e-21 C37 0,00E+00 0,00Ε+00
C38 +4.473805e-19 -3.539251 e-20
C39 0,00E+00 0,00Ε+00
C40 + 1.483034e-19 -4.376776Θ-19
C41 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C42 -4.694260e-21 +2.335046e-18
C43 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C44 +4.61 1455Θ-22 -6.086161 Θ-17
Tabelle 2c:
FREIFORM KOEFFIZIENTEN
Oberfläche M3 M2 M1
KY +0.000000e+00 +0.000000e+00 +0.000000e+00
KX +0.000000e+00 +0.000000e+00 +0.000000e+00
RX +4.924676e+03 +7.769315e+02 -1.818738e+03
C1 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C2 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C3 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C4 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C5 0, 00E+00 0, 00E+00 0,00E+00
C6 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C7 +3.922671 e-07 -9.502823e-07 -1.0031 13e-08
C8 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C9 +5.164869e-09 +6.717202e-09 -1.890107e-08
C10 +2.373309e-10 + 1.070788e-09 -1.042351 e-1 1
C1 1 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C12 +6.581707e-10 + 1.312116e-09 + 1.052365e-1 1
C13 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C14 + 1.029104e-10 -5.804452e-14 + 1.819034e-10
C15 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C16 +5.029376e-12 -4.794529e-12 +4.282395e-14
C17 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C18 -1.713124e-13 -1.723637e-12 + 1.842960e-13
C19 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C20 +2.792804e-13 -1.626810e-14 -7.808589e-13
C21 -3.764064e-14 -5.759223e-16 + 1.432110e-18
C22 0,00E+00 0.00E+00 0,00E+00
C23 +2.949732e-14 + 1.071607e-14 +7.428634e-17
C24 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C25 -1.105710e-14 +2.298129e-15 -7.491786e-16
C26 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
C27 -2.348455e-15 + 1.484026e-17 +2.274507e-15 C28 0,00E+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C29 -7.425177e-17 +9.135427e-19 +6.865161 Θ-20
C30 0,00E+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C31 +2.064123e-16 -1.619795Θ-17 -4.495588Θ-20
C32 0,00E+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C33 +3.929349e-17 -2.635829Θ-18 +3.713461 Θ-18
C34 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C35 +3.090369e-17 +2.451604e-21 -8.537896e-18
C36 -5.736439e-19 +3.151630e-20 -3.779724e-23
C37 0,00E+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C38 + 1.459181 e-19 +2.286037Θ-21 -1.210195Θ-22
C39 0,00E+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C40 +9.054142e-20 + 1.340852Θ-20 + 1.184817e-22
C41 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C42 -2.117877e-19 + 1.721957Θ-21 -1.437090Θ-20
C43 0,00Ε+00 0,00Ε+00 0,00Ε+00
C44 -1.139519e-19 -1.024715e-23 + 1.292063Θ-20
Tabelle 3a:
DEZENTRIERUNG UND VERKIPPUNG
Oberfläche DCX DCY DCZ
M8 +0.000 +0.000 +786.631
M7 +0.000 + 100.663 +66.347
M6 +0.000 -62.345 +974.618
M5 +0.000 -332.063 + 1368.459
M4 +0.000 -660.431 + 1618.035
M3 +0.000 -37.754 + 1525.100
M2 +0.000 +657.872 + 1 100.397
M1 +0.000 + 1 104.497 +355.239
Objektfeld +0.000 + 1237.831 + 1741.426
Tabelle 3b:
DEZENTRIERUNG UND VERKIPPUNG
Oberfläche TLA[deg] TLB[deg] TLC[deg]
M8 +3.978 +0.000 +0.000
M7 + 189.068 +0.000 +0.000
M6 -67.710 +0.000 +0.000
M5 -46.416 +0.000 +0.000
M4 +67.138 +0.000 +0.000
M3 -19.947 +0.000 +0.000
M2 -45.235 +0.000 +0.000
M1 -167.279 +0.000 +0.000
Objektfeld +0.000 +0.000 +0.000

Claims

Patentansprüche
1 . Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projekti- onsbelichtungsanlage, mit · wenigstens einem Spiegel (M2, 40);
• wobei dieser Spiegel (M2, 40) in dem optischen System derart angeordnet ist, dass die im Betrieb des optischen Systems bei Reflexion elektromagnetischer Strahlung an dem Spiegel (M2, 40) auftretenden, auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Reflexions- winkel wenigstens 50° betragen; und
• wobei der Spiegel (M2, 40) aus wenigstens zwei Segmenten (41 , 42) zusammengesetzt ist, zwischen denen auf dem Spiegel wenigstens eine Segmentgrenze (45) vorhanden ist.
2. Optisches System nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die im Betrieb des optischen Systems bei der Reflexion elektromagnetischer Strahlung an diesem Spiegel (M2, 40) auftretenden, auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Reflexionswinkel wenigstens 55°, insbesondere wenigstens 60°, weiter insbesondere wenigstens 65° betragen.
3. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (M2, 40) in dem optischen System bezogen auf eine Spiegelstellung für senkrechten Lichteinfall um eine Kippachse gekippt angeordnet ist, wobei die wenigstens eine Segmentgrenze (45) relativ zu dieser Kippachse in einem Winkel von maximal ±5° angeordnet ist.
4. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (M2, 40) in einer Ebene des optischen Systems angeordnet ist, in welcher ein Parameter P(F), welcher definiert ist als
P(F) =
D + D(CR) ' maximal 0.7, insbesondere maximal 0.6, weiter insbesondere maximal 0.5, beträgt, wobei D den maximalen Durchmesser der Subapertur auf dem Spiegel entlang der Richtung der Kippachse des Spiegels (M2, 40) und D(CR) den maximalen Hauptstrahlenabstand definiert über alle Feldpunkte des optisch genutzten Feldes auf der optischen Fläche F in der betreffenden Ebene bezeichnen.
5. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (M2, 40) aus wenigstens drei, insbesondere aus wenigstens vier Segmenten zusammengesetzt ist.
6. Optisches System nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass sämtliche auf dem Spiegel (M2, 40) zwischen jeweils zwei Segmenten (41 , 42) vorhandenen Segmentgrenzen (45) relativ zur Kippachse in einem Winkel von maximal ±5° angeordnet sind.
7. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System wenigstens zwei solcher Spiegel (M2, 40), die jeweils aus wenigstens zwei Segmenten (41 , 42) zusammengesetzt sind, aufweist.
8. Optisches System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass diese zwei Spiegel derart angeordnet sind, dass wenigstens eine Segmentgrenze auf dem in Lichtausbreitungsrichtung zweiten dieser Spiegel im Schatten einer Segmentgrenze des in Lichtausbreitungsrichtung ersten dieser Spiegel angeordnet ist.
9. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses wenigstens einen Aktor zur Manipulation von Form und/oder Position wenigstens eines der Segmente (41 , 42) aufweist.
10. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 15 nm, ausgelegt ist.
1 1 . Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System wenigstens fünf Spiegel, insbesondere wenigstens sieben Spiegel, aufweist.
12. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der aus wenigstens zwei Segmenten zusammengesetzte Spiegel (M2, 40) derjenige Spiegel im optischen System mit der größten optisch wirksamen Fläche ist.
13. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Betrieb des optischen Systems auf den Spiegel auftreffende elektromagnetische Strahlung (M2, 40) an maximal einem Segment (41 , 42) des Spiegels reflektiert wird.
14. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Segmente (41 , 42) des Spiegels (M2, 40) miteinander eine lediglich durch vorhandene Segmentgrenzen zwischen benachbarten Segmenten unterbrochene, zusammenhängende optisch wirksame Fläche ausbilden.
15. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektions- belichtungsanlage ist.
16. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs befindliche Maske (121 ) beleuchtet und das Projektionsobjektiv Strukturen auf dieser Maske (121 ) auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs (150) befindliche lichtempfindliche Schicht abbildet, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelich- tungsanlage ein optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.
17. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass diese für einen Scanbetrieb ausgelegt ist, in welchem eine relative Scanbewegung zwischen der Maske (121 ) und der lichtempfindlichen Schicht entlang einer Scanrichtung erfolgt, wobei die Projektion dieser Scanrichtung auf den aus wenigstens zwei Segmenten (41 , 42) zusammengesetzten Spiegel (M2, 40) relativ zur Segmentgrenze (45) zwischen diesen Segmenten in einem Winkel von 90°±5° verläuft.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1037113A2 (de) * 1999-03-12 2000-09-20 Asm Lithography B.V. Beleuchtungssystem für Extrem-Ultraviolett-Strahlung und dessen Anwendung in einem lithographischen Apparat
US20090027641A1 (en) * 2007-07-27 2009-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system and exposure apparatus including the same
DE102009011328A1 (de) * 2009-03-05 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik
DE102011003928A1 (de) * 2011-02-10 2012-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE528692T1 (de) * 2006-07-28 2011-10-15 Media Lario Srl Optische multireflexionssysteme und ihre herstellung
CN103293665B (zh) 2008-02-15 2016-07-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻的投射曝光设备使用的分面镜
DE102010028655A1 (de) * 2010-05-06 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
DE102010043498A1 (de) 2010-11-05 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives
DE102011076549A1 (de) 2011-05-26 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012202675A1 (de) 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1037113A2 (de) * 1999-03-12 2000-09-20 Asm Lithography B.V. Beleuchtungssystem für Extrem-Ultraviolett-Strahlung und dessen Anwendung in einem lithographischen Apparat
US20090027641A1 (en) * 2007-07-27 2009-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system and exposure apparatus including the same
DE102009011328A1 (de) * 2009-03-05 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik
DE102011003928A1 (de) * 2011-02-10 2012-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie

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