WO2015145603A1 - レーザ装置 - Google Patents

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廣木　知之
東條　公資
一馬 渡辺
一郎 福士
章之 門谷
隼規 坂本
次郎 齊川
直也 石垣
進吾 宇野
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    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser

Definitions

  • the present invention relates to a laser device that multiplexes laser beams emitted from a plurality of laser elements.
  • Laser light is used for fine processing such as welding, cutting, or marking.
  • High output and low power consumption are desired for laser light sources for use in laser processing apparatuses.
  • Laser elements used as laser light sources include gas lasers, solid-state lasers, and semiconductor lasers.
  • semiconductor lasers are attracting attention because of their high efficiency and ease of maintenance.
  • a laser device that combines laser beams from a plurality of semiconductor lasers has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • the distance between the semiconductor laser and the driving current supply source for driving the semiconductor lasers differs from each other, so that the timing at which the laser light is emitted from the semiconductor lasers is different. As a result, it is difficult to adjust the timing at which the laser beam reaches the multiplexing end.
  • An object of the present invention is to provide a laser device capable of causing laser beams from a plurality of laser elements to reach a multiplexing end at a predetermined timing.
  • a plurality of semiconductor lasers a driving device that supplies a driving current to the plurality of semiconductor lasers, a trigger generation circuit that transmits a trigger signal for outputting the driving current to the driving device, and a plurality of semiconductors
  • a laser device including a multiplexing device that multiplexes laser beams respectively emitted from the lasers 10 at a multiplexing end.
  • a signal propagation time in which a trigger signal propagates through a signal path, in which a plurality of propagation paths configured to include a current path through which a current propagates and an optical path through which laser light propagates from the exit of a semiconductor laser to a multiplexing end are defined.
  • the signal propagation time, the current so that the total time of the current propagation time for the drive current to propagate through the current path and the light propagation time for the laser light to propagate through the optical path is set to each of the plurality of propagation paths. At least one of the propagation time and the light propagation time is adjusted.
  • the present invention it is possible to provide a laser apparatus capable of causing laser beams from a plurality of laser elements to reach the multiplexing end at a predetermined timing.
  • the laser device 1 As shown in FIG. 1, the laser device 1 according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of semiconductor lasers 10, a driving device 20 that supplies a driving current Id to each of the plurality of semiconductor lasers 10, and a driving current Id.
  • a trigger generation circuit 30 that transmits a trigger signal St to the driving device 20 and a multiplexing device 40 that combines the laser beams respectively emitted from the plurality of semiconductor lasers 10.
  • the combined light is incident on the light receiving device 2.
  • the light receiving device 2 is, for example, an optical fiber, and the multiplexing device 40 makes the combined light enter the core portion of the optical fiber.
  • the number of semiconductor lasers 10 included in the laser device 1 is three (semiconductor lasers 11, 12, and 13) will be described as an example.
  • the number of semiconductor lasers 10 is not limited to three.
  • the signal path Ls refers to a path from the trigger signal St transmission terminal of the trigger generation circuit 30 to the reception terminal that receives the trigger signal St of the driving device 20.
  • the driving device 20 is a transistor
  • a control electrode (such as a gate electrode) of the transistor is a reception terminal.
  • the signal path Ls is indicated by a one-dot chain line (the same applies below).
  • a path through which the drive current Id propagates from the drive device 20 to the semiconductor laser 10 is referred to as “current path Le”. That is, the current path Le is a path from the output terminal that outputs the drive current Id of the drive device 20 to the input terminal that receives the drive current Id of the semiconductor laser 10.
  • the anode terminal of the semiconductor laser 10 is an input terminal.
  • the current path Le is indicated by a solid line (the same applies below).
  • optical path Lp the path through which the laser light propagates from the emission port of the semiconductor laser 10 to the multiplexing end 50 is referred to as “optical path Lp”.
  • the optical path Lp is indicated by a broken line (the same applies below).
  • the optical path Lp passes through the multiplexing device 40.
  • the multiplexing device 40 may include an optical element 41 such as an element that changes the traveling direction of the laser light.
  • the optical element 41 is, for example, a prism, a reflection lens, an optical mirror, or the like.
  • One propagation path La includes one optical path of laser light emitted from any of the plurality of semiconductor lasers 10.
  • the signal propagation time Ts in which the trigger signal St propagates in the signal path Ls, the current propagation time Te in which the drive current Id propagates in the current path Le, and the light propagation time Tp in which the laser light propagates in the optical path Lp. (Hereinafter referred to as “total propagation time Ta”) from when the trigger signal St is output from the trigger generation circuit 30 to when the laser light emitted from the semiconductor laser 10 reaches the multiplexing end 50. It's time.
  • the total propagation time Ta is set for each of the plurality of propagation paths La so that the laser beams emitted from the semiconductor lasers 10 reach the multiplexing end 50 at a predetermined timing. That is, in the laser apparatus 1, at least one of the signal propagation time Ts, the current propagation time Te, and the light propagation time Tp is adjusted so that the total propagation time Ta is a time set for each of the plurality of propagation paths La. ing.
  • the laser apparatus 1 set so that the laser beams emitted from the plurality of semiconductor lasers 10 reach the multiplexing end 50 at the same timing will be described. That is, at least one of the signal propagation time Ts, the current propagation time Te, and the light propagation time is adjusted so that the total propagation time Ta is the same in the plurality of propagation paths La.
  • one drive device 20 is connected to one trigger generation circuit 30.
  • a plurality of semiconductor lasers 10 are connected in series to the driving device 20.
  • the drive current Id output from the drive device 20 is sequentially supplied to the plurality of semiconductor lasers 10. That is, the drive current Id is supplied in the order of the semiconductor lasers 11, 12, and 13 connected to the side closer to the drive device 20.
  • the signal path Ls in each of the propagation paths La is common, and the signal propagation time Ts is the same.
  • the current path Le is different for each propagation path La. That is, in the plurality of semiconductor lasers 10 connected in series, the current path Le is shorter and the current propagation time Te is shorter as the semiconductor laser 10 is connected closer to the driving device 20.
  • the optical path Lp is set longer for the propagation path La including the optical path of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 connected to the side closer to the drive device 20.
  • the total propagation time Ta is adjusted to be the same in each propagation path La.
  • the timing at which the laser beams emitted from the semiconductor lasers 10 reach the multiplexing end 50 coincides. Thereby, the output of the laser apparatus 1 can be increased.
  • the propagation path La is set as follows. If the lengths of the current paths Le of the propagation paths La1, La2, and La3 including the optical paths of the laser beams emitted from the semiconductor lasers 11, 12, and 13 of the laser device 1 shown in FIG. 1 are Le1, Le2, and Le3, then Le1 ⁇ Le2 ⁇ Le3.
  • the propagation speed of the drive current Id is the current propagation speed Ve
  • the current propagation times Te1, Te2, and Te3 in the current paths Le of lengths Le1, Le2, and Le3 are Le1 / Ve, Le2 / Ve, and Le3 / Ve.
  • the length of the optical path Lp of the propagation paths La1, La2, and La3 is set so as to cancel the difference in the current propagation time Te in which the drive current Id propagates through the current paths Le of the lengths Le1, Le2, and Le3.
  • Lp1, Lp2, and Lp3 are set. That is, Lp1>Lp2> Lp3.
  • the current propagation times Tp1, Tp2, and Tp3 in the optical paths Lp having lengths Lp1, Lp2, and Lp3 are Lp1 / Vp, Lp2 / Vp, and Lp3 / Vp.
  • the distance Lp0 from the exit of the semiconductor laser 10 to the optical element 41 in the propagation path La is the same.
  • the laser light emitted from the semiconductor laser 10 is reflected by the optical element 41 and then travels toward the light receiving device 2.
  • the laser beams emitted from the semiconductor lasers 11, 12, and 13 are combined in the optical element 41 in the propagation path La3.
  • Lp01 Lp01 + Lp01.
  • Lp3 Lp0.
  • FIG. 2 shows an example of a timing chart based on the time t1 when the drive current Id is supplied to the semiconductor laser 11 in this case.
  • the laser beam L1 is emitted from the semiconductor laser 11 at time t1 in FIG. Thereafter, at time t2 after elapse of time Le02 / Ve from time t1, the drive current Id is supplied to the semiconductor laser 12, and the laser beam L2 is emitted from the semiconductor laser 12. Further, at time t3 after elapse of time Le03 / Ve from time t1, the drive current Id is supplied to the semiconductor laser 13, and the laser beam L3 is emitted from the semiconductor laser 13.
  • the laser beam L1 emitted from the semiconductor laser 11 reaches the multiplexing end 50 at time t4 after elapse of time (Lp0 + Lp01) / Vp from time t1.
  • the laser light L2 emitted from the semiconductor laser 12 reaches the multiplexing end 50.
  • the laser beam L3 emitted from the semiconductor laser 13 reaches the multiplexing end 50 at time t4 after the time Lp0 / Vp has elapsed from time t3.
  • the distance from the optical element 41 to the multiplexing end 50 is adjusted for each propagation path La.
  • the distance from the exit of the semiconductor laser 10 to the optical element 41 is adjusted, or both the distance from the exit of the semiconductor laser 10 to the optical element 41 and the distance from the optical element 41 to the multiplexing end 50 are adjusted. Of course, you may do it.
  • the timings at which the laser beams emitted from the semiconductor lasers 11, 12, and 13 respectively reach the multiplexing end 50 can be matched. .
  • the output of the laser device 1 can be increased.
  • the length of the current path Le may be adjusted when there is a difference in the length of the optical path Lp.
  • the power consumption can be suppressed by connecting the semiconductor laser 10 in series to the driving device 20.
  • the total propagation time Ta is set to be the same in each propagation path La.
  • the timing at which the respective laser beams of the semiconductor laser 10 reach the multiplexing end 50 can be matched, and the output of the laser device 1 can be increased.
  • the length of the propagation path La may be changed for each semiconductor laser 10 so that the timing at which each laser beam of the semiconductor laser 10 reaches the multiplexing end 50 may be different. That is, for each semiconductor laser 10, the total propagation time is set so as to be shifted by a predetermined value.
  • the laser light of the semiconductor laser 10 can be incident on the light receiving device 2 at a constant cycle shorter than the cycle of the trigger signal St transmitted by the trigger generation circuit 30.
  • the laser apparatus 1 can be used for laser processing or the like that requires irradiation with laser light in a short cycle, although high output obtained by combining the laser lights of the plurality of semiconductor lasers 10 is not required.
  • the light propagation time Tp is adjusted by setting the physical length of the optical path Lp.
  • the light propagation time Tp may be adjusted by other methods.
  • an optical element such as a glass plate 42 that reduces the traveling speed of the laser light L is disposed on the optical path Lp along which the laser light L travels.
  • the light propagation speed Vp of the laser light may be changed for each optical path Lp, and a difference may be set in the light propagation time Tp for each propagation path La.
  • the dielectric constant of the conducting wire is set such that the current path Le with a longer propagation path La has a shorter current propagation time Te.
  • the total difference between the signal propagation time Ts and the light propagation time Tp between the propagation paths La and the difference between the current propagation time Te are offset to a certain extent.
  • the drive device 20 located closer to the trigger generation circuit 30 uses a conducting wire having a slower current propagation speed Ve for the current path Le.
  • the current propagation time Te may be adjusted for each of the plurality of propagation paths La by using conductive wires of materials having different dielectric constants or conductive wires having shapes having different film thicknesses and widths.
  • the difference in current propagation speed due to the difference in the material and shape of the conducting wire is small.
  • the difference in the length of the signal path Ls is substantially matched with the length of the optical path Lp, and the effect of the difference in current propagation speed due to the difference in the material and shape of the conducting wire is used for fine adjustment.
  • a plurality of drive devices 20 are connected to one trigger generation circuit 30, and the semiconductor laser 10 is connected to each of the drive devices 20.
  • the common trigger generation circuit 30 controls the timing of emitting the laser beams of the plurality of laser units 100 each including the driving device 20 and the semiconductor laser 10 one by one.
  • the length of the current path Le is the same, and the current propagation time Te is the same.
  • Others are the same as the laser apparatus 1 shown in FIG.
  • the signal path Ls is different for each propagation path La. That is, the signal path Ls is shorter and the signal propagation time Ts is shorter as the laser unit 100 is located closer to the trigger generation circuit 30. That is, the trigger signal St is received in the order of the driving devices 21, 22, and 23. As a result, the drive current Id is supplied in the order of the semiconductor lasers 11, 12, and 13.
  • the difference in the signal path Ls is canceled out in the propagation path La including the optical path of the laser light emitted from the laser unit 100 disposed near the trigger generation circuit 30.
  • the optical path Lp is set long.
  • the total propagation time Ta is set to be the same in each propagation path La.
  • the timing at which the laser beams emitted from the semiconductor lasers 10 reach the multiplexing end 50 coincides. Thereby, the output of the laser apparatus 1 can be increased.
  • the propagation path La is set as follows.
  • the lengths of the signal paths Ls of the propagation paths La1, La2, and La3 including the semiconductor lasers 11, 12, and 13 of the laser apparatus 1 shown in FIG. 5 are Ls1, Ls2, and Ls3, Ls1 ⁇ Ls2 ⁇ Ls3.
  • the propagation speed of the trigger signal St is the signal propagation speed Vs
  • the signal propagation times Ts1, Ts2, and Ts3 in the signal paths Ls having lengths Ls1, Ls2, and Ls3 are Ls1 / Vs, Ls2 / Vs, and Ls3 /. Vs.
  • the lengths of the optical paths Lp of the propagation paths La1, La2, and La3 are set so as to cancel the difference in the signal propagation time Ts in which the trigger signal St propagates through the signal paths Ls of length Ls1, Ls2, and Ls3.
  • Lp1, Lp2, and Lp3 are set. That is, Lp1>Lp2> Lp3.
  • Current propagation times Tp1, Tp2, and Tp3 in the optical paths Lp having lengths Lp1, Lp2, and Lp3 are Lp1 / Vp, Lp2 / Vp, and Lp3 / Vp.
  • FIG. 6 shows an example of a timing chart based on the time t0 when the trigger signal St is transmitted to the drive device 21 whose length of the signal path Ls is Ls1 in this case.
  • the laser beam L1 is emitted from the semiconductor laser 11 at time t1 after the time Ls0 / Vs has elapsed from time t0 in FIG. Thereafter, the laser beam L2 is emitted from the semiconductor laser 12 at time t2 after elapse of time Ls02 / Vs from time t1. Further, the laser beam L3 is emitted from the semiconductor laser 13 at time t3 after the time Ls03 / Vs has elapsed from time t1.
  • the laser beam L1 emitted from the semiconductor laser 11 reaches the multiplexing end 50 at time t4 after elapse of time (Lp0 + Lp01) / Vp from time t1.
  • the laser light L2 emitted from the semiconductor laser 12 reaches the multiplexing end 50.
  • the laser beam L3 emitted from the semiconductor laser 13 reaches the multiplexing end 50 at time t4 after the time Lp0 / Vp has elapsed from time t3.
  • the distance from the optical element 41 to the multiplexing end 50 is adjusted for each propagation path La.
  • the distance from the exit of the semiconductor laser 10 to the optical element 41 is adjusted, or both the distance from the exit of the semiconductor laser 10 to the optical element 41 and the distance from the optical element 41 to the multiplexing end 50 are adjusted. Of course, you may do it.
  • each of the laser beams output from the semiconductor laser 10 may reach the multiplexing end 50 at different timings.
  • the plurality of semiconductor lasers 10 can be controlled at high speed by connecting the plurality of laser units 100 to the common trigger generation circuit 30 in parallel.
  • the light propagation time Tp may be adjusted by changing the light propagation speed Vp of the laser light for each optical path Lp.
  • the current path Le between the driving device 20 and the semiconductor laser 10 may be set for each laser unit 100 so as to cancel the difference in the signal path Ls. That is, as the laser unit 100 has a longer signal path Ls, the current path Le is shortened. In this way, the difference in the signal propagation time Ts can be canceled by the current propagation time Te. Alternatively, the difference in the signal propagation time Ts may be canceled by both the current propagation time Te and the light propagation time Tp.
  • the difference between the length of the current path Le between the driving device 21 and the semiconductor laser 11 and the length of the current path Le between the driving device 22 and the semiconductor laser 12 is Le02
  • the current path Le between the driving device 21 and the semiconductor laser 11 is
  • the difference between the length and the length of the current path Le between the driving device 23 and the semiconductor laser 13 is Le03.
  • the total propagation time Ta can be made the same for all propagation paths La.
  • the timing at which the laser beams emitted from the semiconductor lasers 11, 12, and 13 reach the multiplexing end 50 can be matched.
  • the present invention can also be applied to a laser device 1 having a plurality of laser units 100 each composed of a drive device 20 in which a plurality of semiconductor lasers 10 are connected in series.
  • the laser apparatus 1 configured to transmit the trigger signal St from the same trigger generation circuit 30 to the plurality of laser units 100 as described above, the total propagation time Ta is set for each of the propagation paths La. , At least one of the signal propagation time Ts, the current propagation time Te, and the light propagation time Tp is adjusted.
  • the optical path Lp is adjusted so as to cancel the difference in the current path Le in the laser unit 100, or the current path Le is adjusted so as to cancel the difference in the optical path Lp between the laser units 100. . Further, either or both of the optical path Lp and the current path Le are adjusted so as to cancel out the difference in the signal path Ls between the laser units 100.
  • the present invention can be used for a laser device that multiplexes laser beams of a plurality of semiconductor lasers.

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Abstract

複数の半導体レーザと、半導体レーザに駆動電流を供給する駆動装置と、駆動電流を出力させるトリガ信号を駆動装置に送信するトリガ生成回路と、半導体レーザから出射されたレーザ光を合波端で合波させる合波装置とを備え、信号経路をトリガ信号が伝播する信号伝播時間、電流経路を駆動電流が伝播する電流伝播時間、及びレーザ光が伝播する光学経路をレーザ光が伝播する光伝播時間の合計時間が伝播経路のそれぞれに設定された時間であるように、信号伝播時間、電流伝播時間及び光伝播時間の少なくともいずれかが調整されている。

Description

レーザ装置
 本発明は、複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を合波するレーザ装置に関する。
　溶接や切断、或いはマーキングなどの微細加工などに、レーザ光が用いられている。レーザ加工装置に使用するためのレーザ光源には高出力化や低消費電力化が望まれている。レーザ光源として用いられるレーザ素子にはガスレーザ、固体レーザ、半導体レーザなどがあるが、高効率であることやメンテナンスの容易さから半導体レーザが注目されている。高出力化のために、複数の半導体レーザからのレーザ光を合波させるレーザ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０１３－４８１５９号公報
　空間的に複数の半導体レーザを配置した場合、それぞれの半導体レーザとこれらの半導体レーザのレーザ光が合波される合波端までの光路の距離に差異が生じる。このため、半導体レーザをパルス駆動する場合、それぞれのレーザ光を所定のタイミングで合波端に到達させるように調整することが困難であった。例えば、高出力化のために複数の半導体レーザのレーザ光を同一のタイミングで合波端に到達させようとしても、光路の距離の差異に起因して合波端にレーザ光が到達するタイミングが一致しない。その結果、所望の大きさにレーザ光を合波できず、レーザ装置を高出力化できない。
　また、複数の半導体レーザを直列接続した場合には、半導体レーザを駆動する駆動電流の供給源と半導体レーザまでの距離がそれぞれ異なるため、半導体レーザからレーザ光が出射されるタイミングに差異が生じる。その結果、合波端にレーザ光が到達するタイミングを調整することが困難であった。
　本発明は、複数のレーザ素子からのレーザ光を所定のタイミングで合波端に到達させることが可能なレーザ装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様によれば、複数の半導体レーザと、複数の半導体レーザに駆動電流を供給する駆動装置と、駆動電流を出力させるトリガ信号を駆動装置に送信するトリガ生成回路と、複数の半導体レーザ１０からそれぞれ出射されたレーザ光を合波端で合波させる合波装置とを備えるレーザ装置が提供される。そして、複数の半導体レーザのいずれかから出射されるレーザ光の光路をそれぞれ１つ含む伝播経路であって、トリガ生成回路から駆動装置までトリガ信号が伝播する信号経路、駆動装置から半導体レーザまで駆動電流が伝播する電流経路、及び半導体レーザの出射口から合波端までレーザ光が伝播する光学経路を含んで構成される複数の伝播経路が定義され、信号経路をトリガ信号が伝播する信号伝播時間、電流経路を駆動電流が伝播する電流伝播時間、及び光学経路をレーザ光が伝播する光伝播時間の合計時間が複数の伝播経路のそれぞれに設定された時間であるように、信号伝播時間、電流伝播時間及び光伝播時間の少なくともいずれかが調整される。
　本発明によれば、複数のレーザ素子からのレーザ光を所定のタイミングで合波端に到達させることが可能なレーザ装置レーザ装置を提供できる。
本発明の第１の実施形態に係るレーザ装置の構成を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態に係るレーザ装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第１の実施形態に係るレーザ装置による合波端での出力の例を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態に係るレーザ装置における光伝播時間を調整する方法の例を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態に係るレーザ装置の構成を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態に係るレーザ装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明のその他の実施形態に係るレーザ装置の構成を示す模式図である。
　図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
（第１の実施形態）
　本発明の第１の実施形態に係るレーザ装置１は、図１に示すように、複数の半導体レーザ１０と、複数の半導体レーザ１０にそれぞれ駆動電流Ｉｄを供給する駆動装置２０と、駆動電流Ｉｄを出力させるトリガ信号Ｓｔを駆動装置２０に送信するトリガ生成回路３０と、複数の半導体レーザ１０からそれぞれ出射されたレーザ光を合波する合波装置４０とを備える。合波された光は受光デバイス２に入射される。受光デバイス２は例えば光ファイバーであり、合波装置４０は光ファイバーのコア部に合波された光を入射させる。
　ここでは、レーザ装置１に含まれる半導体レーザ１０の個数が３個（半導体レーザ１１、１２、１３）である場合について例示的に説明する。なお、半導体レーザ１０の個数が３個に限られないことはもちろんである。
　以下において、トリガ生成回路３０から駆動装置２０までトリガ信号Ｓｔが伝播する経路を「信号経路Ｌｓ」という。つまり、信号経路Ｌｓは、トリガ生成回路３０のトリガ信号Ｓｔの送信端子から駆動装置２０のトリガ信号Ｓｔを受信する受信端子までの経路をいう。例えば、駆動装置２０がトランジスタである場合、トランジスタの制御電極（ゲート電極など）が受信端子である。図１において、信号経路Ｌｓを一点鎖線で示した（以下において同様。）。
　また、駆動装置２０から半導体レーザ１０まで駆動電流Ｉｄが伝播する経路を「電流経路Ｌｅ」という。つまり、電流経路Ｌｅは、駆動装置２０の駆動電流Ｉｄを出力する出力端子から半導体レーザ１０の駆動電流Ｉｄが入力する入力端子までの経路をいう。例えば、半導体レーザ１０のアノード端子が入力端子である。図１において、電流経路Ｌｅを実線で示した（以下において同様。）。
　更に、半導体レーザ１０の出射口から合波端５０までレーザ光が伝播する経路を「光学経路Ｌｐ」という。図１において、光学経路Ｌｐを破線で示した（以下において同様。）。光学経路Ｌｐは、合波装置４０を経由する。合波装置４０には、例えば図１に示すように、レーザ光の進行方向を変化させる素子などの光学素子４１が含まれてもよい。光学素子４１は、例えばプリズム、反射レンズ、光学用ミラーなどである。
　上記のように、信号経路Ｌｓ、電流経路Ｌｅ及び光学経路Ｌｐを含んで構成される複数の伝播経路Ｌａがレーザ装置１に定義される。１つの伝播経路Ｌａは、複数の半導体レーザ１０のいずれかから出射されるレーザ光の光路をそれぞれ１つ含む。
　レーザ装置１においては、信号経路Ｌｓをトリガ信号Ｓｔが伝播する信号伝播時間Ｔｓ、電流経路Ｌｅを駆動電流Ｉｄが伝播する電流伝播時間Ｔｅ、及び光学経路Ｌｐをレーザ光が伝播する光伝播時間Ｔｐの合計時間（以下において、「総伝播時間Ｔａ」という。）が、トリガ生成回路３０からトリガ信号Ｓｔが出力されてから半導体レーザ１０から出射されたレーザ光が合波端５０に到達するまでの時間である。
　したがって、それぞれの半導体レーザ１０から出射されたレーザ光が合波端５０に到達するタイミングに影響を与えるのは、信号伝播時間Ｔｓ、電流伝播時間Ｔｅ、及び光伝播時間Ｔｐである。
　レーザ装置１では、半導体レーザ１０からそれぞれ出射されたレーザ光が所定のタイミングで合波端５０に到達するように、複数の伝播経路Ｌａのそれぞれについて総伝播時間Ｔａが設定されている。即ち、レーザ装置１では、総伝播時間Ｔａが複数の伝播経路Ｌａのそれぞれに設定された時間であるように、信号伝播時間Ｔｓ、電流伝播時間Ｔｅ及び光伝播時間Ｔｐの少なくともいずれかが調整されている。
　以下では、複数の半導体レーザ１０から出射されたレーザ光が同一のタイミングで合波端５０に到達するように設定されたレーザ装置１について説明する。つまり、総伝播時間Ｔａが複数の伝播経路Ｌａで同一であるように、信号伝播時間Ｔｓ、電流伝播時間Ｔｅ及び光伝播時間の少なくともいずれかが調整される。
　図１に示したレーザ装置１では、１つのトリガ生成回路３０に１つの駆動装置２０が接続されている。そして、駆動装置２０に複数の半導体レーザ１０が直列接続されている。駆動装置２０から出力された駆動電流Ｉｄは、複数の半導体レーザ１０に順次供給される。即ち、駆動装置２０に近い側に接続された半導体レーザ１１、１２、１３の順に駆動電流Ｉｄが供給される。
　したがって、図１に示したレーザ装置１では、伝播経路Ｌａそれぞれにおける信号経路Ｌｓが共通であり、信号伝播時間Ｔｓは同一である。
　一方、電流経路Ｌｅはそれぞれの伝播経路Ｌａごとに異なる。即ち、直列接続された複数の半導体レーザ１０においては、駆動装置２０に近い側に接続された半導体レーザ１０ほど電流経路Ｌｅが短く、電流伝播時間Ｔｅが短い。
　このため、図１に示したレーザ装置１では、駆動装置２０に近い側に接続された半導体レーザ１０の出射するレーザ光の光路を含む伝播経路Ｌａほど、光学経路Ｌｐが長く設定される。このようにして、電流経路Ｌｅの差が相殺されるように光学経路Ｌｐを設定することによって、総伝播時間Ｔａがそれぞれの伝播経路Ｌａで同一になるように調整されている。その結果、半導体レーザ１０からそれぞれ出射されるレーザ光が合波端５０に到達するタイミングが一致する。これにより、レーザ装置１を高出力化できる。
　具体的には、以下のように伝播経路Ｌａが設定される。図１に示すレーザ装置１の半導体レーザ１１、１２、１３の出射するレーザ光の光路をそれぞれ含む伝播経路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌａ３の電流経路Ｌｅの長さをＬｅ１、Ｌｅ２、Ｌｅ３とすると、Ｌｅ１＜Ｌｅ２＜Ｌｅ３である。ここで、駆動電流Ｉｄの伝播速度を電流伝播速度Ｖｅとすると、長さがＬｅ１、Ｌｅ２、Ｌｅ３の電流経路Ｌｅにおける電流伝播時間Ｔｅ１、Ｔｅ２、Ｔｅ３は、Ｌｅ１／Ｖｅ、Ｌｅ２／Ｖｅ、Ｌｅ３／Ｖｅである。
　このとき、長さがＬｅ１、Ｌｅ２、Ｌｅ３の電流経路Ｌｅを駆動電流Ｉｄが伝播する電流伝播時間Ｔｅの差を相殺するように、伝播経路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌａ３の光学経路Ｌｐの長さであるＬｐ１、Ｌｐ２、Ｌｐ３が設定される。即ち、Ｌｐ１＞Ｌｐ２＞Ｌｐ３とする。光学経路Ｌｐにおけるレーザ光の伝播速度を光伝播速度Ｖｐとすると、長さがＬｐ１、Ｌｐ２、Ｌｐ３の光学経路Ｌｐおける電流伝播時間Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｐ３は、Ｌｐ１／Ｖｐ、Ｌｐ２／Ｖｐ、Ｌｐ３／Ｖｐである。伝播経路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌａ３の総伝播時間Ｔａを同一にするためには、以下の式（１）が満たされる：

Ｔｅ１＋Ｔｐ１＝Ｔｅ２＋Ｔｐ２＝Ｔｅ３＋Ｔｐ３　・・・（１）

したがって、以下の式（２）を満たすように、Ｌｐ１、Ｌｐ２、Ｌｐ３が設定される：

Ｌｅ１／Ｖｅ＋Ｌｐ１／Ｖｐ＝Ｌｅ２／Ｖｅ＋Ｌｐ２／Ｖｐ＝Ｌｅ３／Ｖｅ＋Ｌｐ３／Ｖｐ　・・・（２）
　なお、図１に示したレーザ装置１では、伝播経路Ｌａにおける半導体レーザ１０の出射口から光学素子４１までの距離Ｌｐ０を同一としている。半導体レーザ１０から出射されたレーザ光は光学素子４１で反射された後、受光デバイス２に向けて進行する。そして、図１に示したように、伝播経路Ｌａ３の光学素子４１において半導体レーザ１１、１２、１３から出射されたレーザ光が合波される。伝播経路Ｌａ１における光学素子４１から合波端５０までの距離Ｌｐ０１として、Ｌｐ１＝Ｌｐ０＋Ｌｐ０１である。また、伝播経路Ｌａ２における光学素子４１から合波端５０までの距離Ｌｐ０２として、Ｌｐ２＝Ｌｐ０＋Ｌｐ０２である。伝播経路Ｌａ３では、Ｌｐ３＝Ｌｐ０である。
　そして、伝播経路Ｌａごとに光学素子４１から合波端５０までの距離を調整することによって、伝播経路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌａ３の総伝播時間Ｔａを一致させる。ここで、長さＬｅ１と長さＬｅ２との差をＬｅ０２、長さＬｅ１と長さＬｅ３との差をＬｅ０３として、総伝播時間Ｔａを一致させる例を説明する。この場合における、半導体レーザ１１に駆動電流Ｉｄが供給された時刻ｔ１を基準としたタイミングチャートの例を図２に示す。
　図２の時刻ｔ１において、半導体レーザ１１からレーザ光Ｌ１が出射される。その後、時刻ｔ１から時間Ｌｅ０２／Ｖｅを経過した後の時刻ｔ２において、半導体レーザ１２に駆動電流Ｉｄが供給され、半導体レーザ１２からレーザ光Ｌ２が出射される。更に、時刻ｔ１から時間Ｌｅ０３／Ｖｅを経過した後の時刻ｔ３において、半導体レーザ１３に駆動電流Ｉｄが供給され、半導体レーザ１３からレーザ光Ｌ３が出射される。
　一方、時刻ｔ１から時間（Ｌｐ０＋Ｌｐ０１）／Ｖｐを経過した後の時刻ｔ４において、半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１が合波端５０に到達する。また、時刻ｔ２から（Ｌｐ０＋Ｌｐ０２）／Ｖｐを経過した後の時刻ｔ４において、半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ２が合波端５０に到達する。更に、時刻ｔ３から時間Ｌｐ０／Ｖｐを経過した後の時刻ｔ４において、半導体レーザ１３から出射されたレーザ光Ｌ３が合波端５０に到達する。
　つまり、以下の式（３）を満足するように、電流経路Ｌｅの差Ｌｅ０２、Ｌｅ０３に対応して光学経路の差Ｌｐ０１、Ｌｐ０２が設定される：

（Ｌｐ０＋Ｌｐ０１）／Ｖｐ＝Ｌｅ０２／Ｖｅ＋（Ｌｐ０＋Ｌｐ０２）／Ｖｐ＝Ｌｅ０３／Ｖｅ＋Ｌｐ０／Ｖｐ　・・・（３）
　上記では、伝播経路Ｌａごとに光学素子４１から合波端５０までの距離を調整する例を説明した。しかし、半導体レーザ１０の出射口から光学素子４１までの距離を調整したり、半導体レーザ１０の出射口から光学素子４１までの距離と光学素子４１から合波端５０までの距離の両方を調整したりしてもよいことはもちろんである。
　上記のようにすべての伝播経路Ｌａの総伝播時間Ｔａを同一にすることによって、半導体レーザ１１、１２、１３からそれぞれ出射されるレーザ光が合波端５０に到達するタイミングを一致させることができる。その結果、レーザ装置１を高出力化できる。
　上記では、電流経路Ｌｅの長さの差を光学経路Ｌｐの差で相殺する例を示した。しかし、光学経路Ｌｐの長さに差がある場合に、電流経路Ｌｅの長さを調整してもよいことはもちろんである。
　図１に示したレーザ装置１によれば、駆動装置２０に半導体レーザ１０を直列接続することによって消費電力を抑制することができる。
　ところで、上記では、それぞれの伝播経路Ｌａで総伝播時間Ｔａが同一であるように設定する場合を説明した。これにより、半導体レーザ１０のそれぞれのレーザ光が合波端５０に到達するタイミングを一致させ、レーザ装置１を高出力化できる。しかし、半導体レーザ１０ごとに伝播経路Ｌａの長さを変えて、半導体レーザ１０のそれぞれのレーザ光が合波端５０に到達するタイミングを互いに異なるようにしてもよい。即ち、半導体レーザ１０ごとに、所定の値だけずれるように総伝播時間を設定する。これにより、例えば図３に示すように、トリガ生成回路３０の送信するトリガ信号Ｓｔの周期よりも短い一定の周期で、半導体レーザ１０のレーザ光を受光デバイス２に入射できる。これにより、例えば複数の半導体レーザ１０のレーザ光を合波した高出力は必要としないが、短い周期でレーザ光を照射することが必要なレーザ加工などにレーザ装置１を使用できる。
＜変形例＞
　上記では、光学経路Ｌｐの物理的な長さを設定して光伝播時間Ｔｐを調整する場合を説明したが、他の方法によって光伝播時間Ｔｐを調整してもよい。例えば、図４に示すように、レーザ光Ｌが進行する光学経路Ｌｐ上にガラス板４２などのレーザ光Ｌの進行速度を低下させる光学素子を配置する。このようにして、光学経路Ｌｐごとにレーザ光の光伝播速度Ｖｐを変更し、伝播経路Ｌａごとに光伝播時間Ｔｐに差を設定してもよい。
　或いは、電流経路Ｌｅの長さを調整する以外に、伝播経路Ｌａごとに駆動電流Ｉｄの電流伝播速度Ｖｅが異なるように、材料や形状（パターン）の異なる導線を電流経路Ｌｅに採用してもよい。即ち、伝播経路Ｌａそれぞれの電流経路Ｌｅに駆動電流Ｉｄの電流伝播速度Ｖｅが互いに異なる導線を使用することによって、伝播経路Ｌａごとに電流伝播時間Ｔｅに差を設定する。
　例えば、伝播経路Ｌａが長い電流経路Ｌｅほど、電流伝播時間Ｔｅが小さいように導線の誘電率を設定する。これにより、伝播経路Ｌａ間の信号伝播時間Ｔｓと光伝播時間Ｔｐの合計の差異と、電流伝播時間Ｔｅとの差異とが一定程度相殺される。例えば、トリガ生成回路３０に近い位置の駆動装置２０ほど、電流伝播速度Ｖｅの遅い導線を電流経路Ｌｅに使用する。
　このように、誘電率の異なる材料の導線や膜厚や幅の異なる形状の導線を使用して、複数の伝播経路Ｌａのそれぞれについて電流伝播時間Ｔｅを調整してもよい。ただし、導線の材料や形状の差による電流伝播速度の差は小さい。このため、光学経路Ｌｐの長さによって信号経路Ｌｓの長さの差を略一致させ、導線の材料や形状の差による電流伝播速度の差の効果は微調整に使用することが好ましい。
（第２の実施形態）
　本発明の第２の実施形態に係るレーザ装置１では、図５に示すように、１つのトリガ生成回路３０に複数の駆動装置２０が接続され、駆動装置２０のそれぞれに半導体レーザ１０が接続されている。即ち、駆動装置２０と半導体レーザ１０とをそれぞれ１つずつ含む複数のレーザユニット１００のレーザ光を出射するタイミングが、共通のトリガ生成回路３０によって制御される構成である。ここで、各レーザユニット１００において、電流経路Ｌｅの長さは同じであり、電流伝播時間Ｔｅは同一であるとする。他は、図１に示したレーザ装置１と同様である。
　図５に示したレーザ装置１では、信号経路Ｌｓがそれぞれの伝播経路Ｌａごとに異なる。即ち、トリガ生成回路３０に近い位置に配置されたレーザユニット１００ほど信号経路Ｌｓが短く、信号伝播時間Ｔｓが短い。つまり、駆動装置２１、２２、２３の順にトリガ信号Ｓｔを受信する。その結果、半導体レーザ１１、１２、１３の順に駆動電流Ｉｄが供給される。
　このため、図５に示したレーザ装置１では、トリガ生成回路３０の近くに配置されたレーザユニット１００から出射されるレーザ光の光路を含む伝播経路Ｌａほど、信号経路Ｌｓの差が相殺されるように光学経路Ｌｐが長く設定される。このようにして、総伝播時間Ｔａがそれぞれの伝播経路Ｌａで同一になるように設定される。その結果、半導体レーザ１０からそれぞれ出射されるレーザ光が合波端５０に到達するタイミングが一致する。これにより、レーザ装置１を高出力化できる。
　具体的には、以下のように伝播経路Ｌａが設定される。図５に示すレーザ装置１の半導体レーザ１１、１２、１３をそれぞれ含む伝播経路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌａ３の信号経路Ｌｓの長さをＬｓ１、Ｌｓ２、Ｌｓ３とすると、Ｌｓ１＜Ｌｓ２＜Ｌｓ３である。ここで、トリガ信号Ｓｔの伝播速度を信号伝播速度Ｖｓとすると、長さがＬｓ１、Ｌｓ２、Ｌｓ３の信号経路Ｌｓにおける信号伝播時間Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３は、Ｌｓ１／Ｖｓ、Ｌｓ２／Ｖｓ、Ｌｓ３／Ｖｓである。
　このとき、長さがＬｓ１、Ｌｓ２、Ｌｓ３の信号経路Ｌｓをトリガ信号Ｓｔが伝播する信号伝播時間Ｔｓの差を相殺するように、伝播経路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌａ３の光学経路Ｌｐの長さであるＬｐ１、Ｌｐ２、Ｌｐ３が設定される。即ち、Ｌｐ１＞Ｌｐ２＞Ｌｐ３とする。長さがＬｐ１、Ｌｐ２、Ｌｐ３の光学経路Ｌｐおける電流伝播時間Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｐ３は、Ｌｐ１／Ｖｐ、Ｌｐ２／Ｖｐ、Ｌｐ３／Ｖｐである。このため、伝播経路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌａ３の総伝播時間Ｔａを同一にするためには、以下の式（４）が満たされる：

Ｔｓ１＋Ｔｐ１＝Ｔｓ２＋Ｔｐ２＝Ｔｓ３＋Ｔｐ３　・・・（４）

したがって、以下の式（５）を満たすように、Ｌｐ１、Ｌｐ２、Ｌｐ３が設定される：

Ｌｓ１／Ｖｓ＋Ｌｐ１／Ｖｐ＝Ｌｓ２／Ｖｓ＋Ｌｐ２／Ｖｐ＝Ｌｓ３／Ｖｓ＋Ｌｐ３／Ｖｐ　・・・（５）
　なお、図５に示したレーザ装置１では、図１に示したレーザ装置１と同様に、伝播経路Ｌａにおける半導体レーザ１０の出射口から光学素子４１までの距離Ｌｐ０は同一であり、Ｌｐ１＝Ｌｐ０＋Ｌｐ０１、Ｌｐ２＝Ｌｐ０＋Ｌｐ０２、Ｌｐ３＝Ｌｐ０である。
　そして、伝播経路Ｌａごとに光学素子４１から合波端５０までの距離を調整することによって、伝播経路Ｌａ１～Ｌａ３の総伝播時間Ｔａを一致させる。ここで、長さＬｓ１と長さＬｓ２との差をＬｓ０２、長さＬｓ１と長さＬｓ３との差をＬｓ０３として、総伝播時間Ｔａを一致させる例を説明する。この場合における、信号経路Ｌｓの長さがＬｓ１である駆動装置２１にトリガ信号Ｓｔが送信された時刻ｔ０を基準としたタイミングチャートの例を図６に示す。
　図６の時刻ｔ０から時間Ｌｓ０／Ｖｓを経過した後の時刻ｔ１において、半導体レーザ１１からレーザ光Ｌ１が出射される。その後、時刻ｔ１から時間Ｌｓ０２／Ｖｓを経過した後の時刻ｔ２において、半導体レーザ１２からレーザ光Ｌ２が出射される。更に、時刻ｔ１から時間Ｌｓ０３／Ｖｓを経過した後の時刻ｔ３において、半導体レーザ１３からレーザ光Ｌ３が出射される。
　一方、時刻ｔ１から時間（Ｌｐ０＋Ｌｐ０１）／Ｖｐを経過した後の時刻ｔ４において、半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１が合波端５０に到達する。また、時刻ｔ２から（Ｌｐ０＋Ｌｐ０２）／Ｖｐを経過した後の時刻ｔ４において、半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ２が合波端５０に到達する。更に、時刻ｔ３から時間Ｌｐ０／Ｖｐを経過した後の時刻ｔ４において、半導体レーザ１３から出射されたレーザ光Ｌ３が合波端５０に到達する。
　つまり、以下の式（６）を満足するように、信号経路Ｌｓの差Ｌｓ０２、Ｌｓ０３に対応して光学経路の差Ｌｐ０１、Ｌｐ０２が設定される：

（Ｌｐ０＋Ｌｐ０１）／Ｖｐ＝Ｌｓ０２／Ｖｓ＋（Ｌｐ０＋Ｌｐ０２）／Ｖｐ＝Ｌｓ０３／Ｖｓ＋Ｌｐ０／Ｖｐ　・・・（６）
　上記では、伝播経路Ｌａごとに光学素子４１から合波端５０までの距離を調整する例を説明した。しかし、半導体レーザ１０の出射口から光学素子４１までの距離を調整したり、半導体レーザ１０の出射口から光学素子４１までの距離と光学素子４１から合波端５０までの距離の両方を調整したりしてもよいことはもちろんである。
　上記のようにすべての伝播経路Ｌａの総伝播時間Ｔａを同一にすることによって、半導体レーザ１１、１２、１３からそれぞれ出射されるレーザ光が合波端５０に到達するタイミングを一致させることができる。その結果、レーザ装置１を高出力化できる。なお、半導体レーザ１０から出力されたレーザ光のそれぞれが異なるタイミングで合波端５０に到達するようにしてもよいことは、第１の実施形態と同様である。
　図５に示したレーザ装置１によれば、共通のトリガ生成回路３０に複数のレーザユニット１００を並列に接続することによって、複数の半導体レーザ１０を高速に制御することができる。なお、第１の実施形態の変形例で説明したように、光学経路Ｌｐごとにレーザ光の光伝播速度Ｖｐを変更して光伝播時間Ｔｐを調整してもよい。
　また、信号経路Ｌｓの長さの差を光学経路Ｌｐの長さで相殺する例を示した。しかし、光学経路Ｌｐの長さに差がある場合に、信号経路Ｌｓの長さを調整してもよいことはもちろんである。
＜変形例＞
　信号経路Ｌｓの差を相殺するように、レーザユニット１００ごとに、駆動装置２０と半導体レーザ１０間の電流経路Ｌｅを設定してもよい。即ち、信号経路Ｌｓの長いレーザユニット１００ほど、電流経路Ｌｅを短くする。このように、信号伝播時間Ｔｓの差異を電流伝播時間Ｔｅによっても相殺できる。或いは、信号伝播時間Ｔｓの差異を、電流伝播時間Ｔｅと光伝播時間Ｔｐの両方によって相殺してもよいことはもちろんである。
　例えば、駆動装置２１と半導体レーザ１１間の電流経路Ｌｅの長さと駆動装置２２と半導体レーザ１２間の電流経路Ｌｅの長さとの差をＬｅ０２、駆動装置２１と半導体レーザ１１間の電流経路Ｌｅの長さと駆動装置２３と半導体レーザ１３間の電流経路Ｌｅの長さとの差をＬｅ０３とする。このとき、以下の式（７）を満たすように、伝播経路Ｌａごとに信号経路Ｌｓ、電流経路Ｌｅ及び光学経路Ｌｐを設定する：

（Ｌｐ０＋Ｌｐ０１）／Ｖｐ＝Ｌｓ０２／Ｖｓ＋Ｌｅ０２／Ｖｅ＋（Ｌｐ０＋Ｌｐ０２）／Ｖｐ＝Ｌｓ０３／Ｖｓ＋Ｌｅ０３／Ｖｅ＋Ｌｐ０／Ｖｐ　・・・（７）
　式（７）を満たすことにより、すべての伝播経路Ｌａで総伝播時間Ｔａを同一にできる。その結果、半導体レーザ１１、１２、１３からそれぞれ出射されるレーザ光が合波端５０に到達するタイミングを一致させることができる。
　他は第１の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
（その他の実施形態）
　上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
　例えば図７に示すように、複数の半導体レーザ１０がそれぞれ直列に接続された駆動装置２０からなるレーザユニット１００を複数有するレーザ装置１においても、本発明は適用可能である。上記のような複数のレーザユニット１００に同一のトリガ生成回路３０からトリガ信号Ｓｔを送信する構成のレーザ装置１についても、伝播経路Ｌａのそれぞれについて総伝播時間Ｔａが設定された時間であるように、信号伝播時間Ｔｓ、電流伝播時間Ｔｅ及び光伝播時間Ｔｐのすくなくともいずれかについて調整される。
　即ち、レーザユニット１００内での電流経路Ｌｅの差を相殺するように光学経路Ｌｐを調整したり、レーザユニット１００間での光学経路Ｌｐの差を相殺するように電流経路Ｌｅを調整したりする。また、レーザユニット１００間での信号経路Ｌｓの差を相殺するように光学経路Ｌｐ、電流経路Ｌｅのいずれか、或いは両方が調整される。
　このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
　本発明は、複数の半導体レーザのレーザ光を合波するレーザ装置に利用可能である。

Claims (7)

  1. 　複数の半導体レーザと、
    　前記複数の半導体レーザに駆動電流を供給する駆動装置と、
    　前記駆動電流を出力させるトリガ信号を前記駆動装置に送信するトリガ生成回路と、
    　前記複数の半導体レーザ１０からそれぞれ出射されたレーザ光を合波端で合波させる合波装置と
    　を備え、
    　前記複数の半導体レーザのいずれかから出射される前記レーザ光の光路をそれぞれ１つ含む伝播経路であって、前記トリガ生成回路から前記駆動装置まで前記トリガ信号が伝播する信号経路、前記駆動装置から前記半導体レーザまで前記駆動電流が伝播する電流経路、及び前記半導体レーザの出射口から前記合波端まで前記レーザ光が伝播する光学経路を含んで構成される複数の前記伝播経路が定義され、
    　前記信号経路を前記トリガ信号が伝播する信号伝播時間、前記電流経路を前記駆動電流が伝播する電流伝播時間、及び前記光学経路を前記レーザ光が伝播する光伝播時間の合計時間が複数の前記伝播経路のそれぞれに設定された時間であるように、前記信号伝播時間、前記電流伝播時間及び前記光伝播時間の少なくともいずれかが調整されていることを特徴とするレーザ装置。
  2. 　前記合計時間が複数の前記伝播経路で同一であるように、前記信号伝播時間、前記電流伝播時間及び前記光伝播時間の少なくともいずれかが調整されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
  3. 　前記複数の半導体レーザから出力された前記レーザ光のそれぞれが異なるタイミングで前記合波端に到達するように、前記信号伝播時間、前記電流伝播時間及び前記光伝播時間の少なくともいずれかが調整されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
  4. 　前記駆動電流が前記複数の半導体レーザに順次供給されるように前記複数の半導体レーザが直列接続され、
    　前記電流経路が短くて前記駆動電流が先に供給される前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光路を含む前記伝播経路ほど、前記光学経路が長く設定されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
  5. 　同一の前記トリガ生成回路から前記トリガ信号を送信される複数の前記駆動装置を備え、
    　前記信号経路が短くて前記トリガ信号を先に受信する前記駆動装置を含む前記伝播経路ほど、前記光学経路が長く設定されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
  6. 　前記伝播経路それぞれの前記電流経路に前記駆動電流の伝播速度が互いに異なる導線を使用することによって、前記伝播経路ごとに前記電流伝播時間に差を設定したことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
  7. 　前記光学経路に前記レーザ光の進行速度を低下させる光学素子を配置することによって、前記伝播経路ごとに前記光伝播時間に差を設定したことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
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