WO2015137617A1 - Method for drying substrate - Google Patents

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WO2015137617A1
WO2015137617A1 PCT/KR2015/000621 KR2015000621W WO2015137617A1 WO 2015137617 A1 WO2015137617 A1 WO 2015137617A1 KR 2015000621 W KR2015000621 W KR 2015000621W WO 2015137617 A1 WO2015137617 A1 WO 2015137617A1
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WO
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substrate
organic solvent
drying
deionized water
rotational speed
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PCT/KR2015/000621
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French (fr)
Korean (ko)
Inventor
장범수
최원석
Original Assignee
주식회사 제우스
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Definitions

  • the present invention relates to a method of drying a substrate, and more particularly, to a method of drying a substrate that is accompanied by a cleaning step of a semiconductor process.
  • a photoresist coating process, a developing process, an etching process, a chemical process may be used to process a substrate such as a glass substrate or a wafer in a flat panel display device manufacturing process or a semiconductor manufacturing process.
  • Various processes such as a chemical vapor deposition process and an ashing process are performed.
  • a wet cleaning process using chemical or deionized water is performed to remove various contaminants attached to the substrate in each process.
  • a drying process for drying the chemical liquid or pure water remaining on the substrate surface is performed.
  • an apparatus for drying the substrate using only centrifugal force and an apparatus for drying the substrate using an organic solvent having the same isopropyl alcohol (IPA, isopropyl alcohol) are used.
  • the problem to be solved by the present invention is a method of drying a substrate that can suppress the leakage failure between the adjacent pattern structure when forming a semiconductor pattern structure having a small minimum line width and relatively high aspect ratio To provide.
  • cleaning liquid is prepared.
  • Deionized water is used to remove the cleaning liquid from the substrate.
  • a first organic solvent containing an alcohol is provided to the substrate to replace the deionized water remaining on the substrate with the first organic solvent.
  • a second organic solvent comprising a hydrofluoroolefin is provided to the substrate to replace the first organic solvent on the substrate with the second organic solvent. The second organic solvent is removed from the substrate.
  • cleaning liquid is prepared.
  • the substrate is rotated at a first rotational speed and deionized water is provided to the substrate.
  • the substrate is rotated at a second rotational speed, and a first organic solvent including deionized water and an alcohol is provided to the substrate.
  • the substrate is rotated at a second rotational speed, and the first organic solvent is provided to the substrate while the supply of deionized water is stopped.
  • the substrate is rotated at a third rotational speed, and a second organic solvent including the first organic solvent and the hydrofluoroolefin is provided as the substrate.
  • the substrate is rotated at a third rotational speed, the supply of the first organic solvent is stopped, and the second organic solvent is provided to the substrate. Heat is provided to the substrate to volatilize the second organic solvent.
  • the substrate is rotated at a fourth rotational speed to remove the second organic solvent.
  • an organic solvent containing a hydrofluoroolefin having a smaller surface tension than known isopropyl alcohol may be applied as a drying agent of a substrate.
  • the step of washing with deionized water, replacing the first organic solvent containing alcohol with the deionized water, and the step of replacing the second organic solvent containing the hydrofluoroolefin with the first organic solvent can be carried out sequentially to proceed with the drying process.
  • the first organic solvent that can be sufficiently mixed with deionized water the second organic solvent can be prevented from directly contacting the deionized water, thereby improving the drying efficiency of the substrate.
  • FIGS. 1A to 1C are diagrams schematically illustrating an example in which a leakage failure occurs between adjacent pattern structures in a process of drying a substrate.
  • FIG. 2 is a flowchart schematically illustrating a method of drying a substrate according to an embodiment of the present disclosure.
  • 3A to 3J are schematic views schematically illustrating a drying process of a substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A to 1C are diagrams schematically illustrating an example in which a leakage failure occurs between adjacent pattern structures in a process of drying a substrate.
  • FIG. 1A is a schematic diagram schematically illustrating occurrence of tilting defects in an STI structure of a semiconductor substrate.
  • FIG. 1B is an electron micrograph showing a normal STI structure of a semiconductor substrate, and
  • FIG. 1C is an electron micrograph showing an STI structure of a semiconductor substrate in which a skew defect occurs.
  • a shallow trench isolation (STI) structure 110a and 112a formed in a semiconductor substrate 100 is disclosed.
  • the STI structure can be carried out by a known STI process.
  • a pad oxide film and a pad nitride film are formed on the semiconductor substrate 100.
  • a resist pattern is formed on the pad nitride layer, and the pad oxide layer and the pad nitride layer are etched using the resist pattern to form the pad oxide layer pattern layer 120 and the pad nitride layer pattern layer 130.
  • the plurality of STI structures 110a and 112a may be formed by trench etching the semiconductor substrate 100 using the pad oxide film pattern layer 120 and the pad nitride film pattern layer 130 as an etching mask.
  • a process of cleaning and drying the semiconductor substrate 100 is performed. At this time, for drying, a drying agent such as isopropyl alcohol may be applied.
  • the surface tension of the desiccant 140 distributed between the STI structures 110a and 112a adjacent to each other is lateral to the STI structures 110a and 112a adjacent to each other. Force Fs can be generated.
  • the structural support of the semiconductor pattern structure is also weakened. That is, at present, the line widths of the STI structures 110a and 112a are about 20 nm, and the heights of the STI structures 110a and 112a are about 300 to 400 nm. In other words, the aspect ratio is about 15 to 20: 1 in the state that the minimum line width is about 20 nm is a poor structural stability.
  • the force Fs generated in the lateral direction by the surface tension of the desiccant 140 causes the STI structures 110a and 112a to be adjacent to each other when the desiccant 140 evaporates, or Tilt failure may occur, such as causing the STI structures 110a and 112a to collapse.
  • the neighboring STI structures 110c 112c are bonded to each other in the STI structure 110c 112c in which the inclination failure of FIG. 1C occurs. .
  • a skewed defect may occur in both the shallow trench insulation (STI) structure described above, as well as the gate electrode structure, the storage node electrode, and the like to form a semiconductor structure forming process that requires a narrow pitch size and a high aspect ratio, thereby preventing it.
  • STI shallow trench insulation
  • the inventors of the present invention remove the remaining deionized water from the substrate.
  • the defect of the semiconductor pattern structure can be effectively suppressed by applying a desiccant having a smaller surface tension when removing.
  • the surface tension of deionized water is about 72 dyne / cm at room temperature.
  • the surface tension of isopropyl alcohol is about 21 to 22 dyne / cm at room temperature and about 16 to 17 dyne / cm when heated to about 70 ° C.
  • an organic solvent including a hydrofluoroolefin is disclosed as a desiccant having a smaller surface tension.
  • Hydrofluoroolefins are organic compounds containing hydrogen (H), fluorine (F) and carbon (C), and can be distinguished from hydrofluorocarbons (HFCs) in that they have alkenes instead of alkanes.
  • the hard fluoro olefin may include, for example, methoxytridecafluoroheptene.
  • the methoxytridifluorofluoroheptene may be, for example, a known organic solvent having a Suprion trademark of Dupont.
  • the hydrofluoroolefin may have a surface tension of about 14 dyne / cm at room temperature, and may have a surface tension of about 8.9 dyne / cm at a temperature around 110 ° C.
  • Such a hydrofluoroolefin may have a surface tension lower than that of isopropyl alcohol when heated to about 70 ° C.
  • an embodiment of the present invention discloses an organic solvent including a hydrofluoroolefin having a smaller surface tension than a conventional drying agent as a drying agent after a washing step.
  • a first organic solvent including an alcohol having a property of being sufficiently mixed with deionized water is employed in an intermediate step.
  • a second organic solvent having a sufficiently mixed property with the first organic solvent is applied to replace the first organic solvent with the second organic solvent on the substrate.
  • FIG. 2 is a flowchart schematically illustrating a method of drying a substrate according to an embodiment of the present disclosure.
  • the substrate drying method described below has been described an embodiment in which a drying process is performed in a single wafer unit, but is not necessarily limited thereto, and may be modified and applied to a batch type of a cassette unit.
  • a substrate treated with a cleaning liquid is prepared.
  • the substrate treating process may be, for example, a known wet etching process applied to a semiconductor process. Therefore, the cleaning solution may be an etching solution applied in the wet etching process.
  • the etchant may include, for example, a diluted hydrofluoric acid solution, a buffered oxide etchant (BOE), a nitric acid solution, a phosphoric acid solution, or the like.
  • the substrate may be a semiconductor substrate, an insulating substrate, or a conductive substrate to which a semiconductor process is applied.
  • the substrate may be a silicon substrate or an SOI substrate.
  • the substrate may be, for example, a glass substrate.
  • step S220 the cleaning solution is removed from the substrate using deionized water.
  • the step may be performed by spraying the deionized water onto the substrate while the substrate is rotated.
  • Deionized water sprayed onto the substrate may dilute the cleaning liquid and wash the substrate.
  • the rotating substrate may allow the deionized water to spread evenly on the substrate.
  • the first organic solvent containing an alcohol is provided to the substrate.
  • the alcohol may include, for example, methanol, ethanol or isopropyl alcohol.
  • the step may be performed subsequent to the step of spraying the deionized water on the substrate. Specifically, first, the deionized water and the first organic solvent are sprayed together on the substrate while the substrate is rotated. Subsequently, while the substrate is rotated, the supply of the deionized water is stopped and the first organic solvent is sprayed on the substrate.
  • the first organic solvent sprayed on the substrate may be mixed with the deionized water.
  • the first organic solvent may be removed from the substrate by diluting the deionized water.
  • the deionized water remaining on the substrate may be replaced so that the first organic solvent may be distributed to cover the semiconductor pattern structure on the substrate.
  • a second organic solvent containing a hydrofluoroolefin is provided to the substrate.
  • the hydrofluoroolefin may include, for example, methoxytridicafluoroheptene.
  • the methoxytridifluorofluoroheptene may be, for example, a known organic solvent having a Suprion trademark of Dupont.
  • the surface tension of the second organic solvent may be smaller than the surface tension of the first organic solvent.
  • the first organic solvent and the second organic solvent are sprayed together on the substrate while the substrate is rotated. Subsequently, while the substrate is rotated, the supply of the first organic solvent is stopped and the second organic solvent is sprayed on the substrate.
  • the second organic solvent sprayed on the substrate may be mixed with the first organic solvent.
  • the second organic solvent may dilute the first organic solvent to remove the first organic solvent from the substrate.
  • the second organic solvent may flow on the substrate to replace the first organic solvent distributed on the substrate, and the second organic solvent may be distributed to cover the semiconductor pattern structure on the substrate.
  • the second organic solvent when the second organic solvent is sprayed onto the substrate, the second organic solvent is heated to 25 ° C. or more and 110 ° C. or less at room temperature, and then the second organic solvent is in the high temperature state. You may spray the solvent.
  • the second organic solvent heated to the temperature may have a relatively low surface tension compared to the normal temperature state.
  • step S250 the second organic solvent is removed from the substrate.
  • this step first, heat the second organic solvent by providing heat to the substrate.
  • the substrate may be dried.
  • the process of providing heat to the substrate may be performed by transferring radiant heat to the substrate using a heater disposed on the substrate while the rotation of the substrate is stopped.
  • the process of providing heat to the substrate may employ a method of disposing a heat source capable of conducting or convection heat, such as a heat block, below the substrate.
  • the process of providing heat to the substrate may employ a method of disposing a heater for generating radiant heat under the substrate.
  • the process of providing heat to the substrate may employ a method of spraying a liquid heated to a high temperature to the bottom of the substrate.
  • the organic solvent may be maintained at 25 °C 110 °C below room temperature. Subsequently, the second organic solvent may be removed by rotating the substrate.
  • the method of heating the second organic solvent, the method of spraying the second organic solvent previously heated to room temperature 25 °C 110 °C or less and the above-described heater or heater block A method of simultaneously applying a method of providing heat to the substrate by using the same may be employed.
  • the step may be a method of removing the second organic solvent by rotating the substrate at the same time while transmitting the radiant heat to the substrate using a heater disposed on the substrate.
  • the second organic solvent for example, can maintain a room temperature 25 °C 110 °C.
  • step S240 when spraying the second organic solvent pre-heated to room temperature 25 °C 110 °C or less to the substrate, in step S250 by providing heat to the substrate to the second organic solvent
  • the heating step may be omitted.
  • a process of removing the organic solvent may be performed by the rotation of the substrate.
  • substrate with which the tilting phenomenon of the semiconductor pattern structure was suppressed can be provided.
  • an organic solvent containing a hydrofluoroolefin having a lower surface tension than known isopropyl alcohol (IPA) as a desiccant of the substrate, it is possible to effectively prevent the inclination failure of the adjacent pattern structures in the semiconductor pattern structure. Can be.
  • the organic compound containing fluorine (F) and carbon (C) may have a compound having a lower surface tension than isopropyl alcohol, while the solubility with deionized water is very low so that it is not mixed with the deionized water Can have
  • most of the organic compounds containing fluorine (F) and carbon (C) and having a low surface tension have a disadvantage that their solubility with alcohol is not high enough.
  • perfluorocarbon is an organic compound of carbon and fluorine, and may not be mixed with water and isopropyl alcohol at room temperature.
  • hydrofluoroether (HFE) it has a low surface tension of about 11 dyne / cm, but may have a solubility of less than 5 vol.% At room temperature with isopropyl alcohol.
  • a method of applying hydrofluoroolefin as a desiccant of a substrate as an organic compound of hydrogen, carbon, and fluorine having sufficient solubility with alcohol and low surface tension is disclosed.
  • a washing step using deionized water applying a first organic solvent containing an alcohol having a sufficient solubility with the deionized water, and a second organic solvent comprising a hydrofluoroolefin having a sufficient solubility with the alcohol.
  • 3A to 3J are schematic views schematically illustrating a drying process of a substrate according to an embodiment of the present invention.
  • a drying apparatus of a substrate for performing the drying process is schematically illustrated.
  • the illustrated drying apparatus of the substrate may be configured such that, for example, the cleaning and drying process may be performed on a single wafer basis.
  • the substrate drying apparatus may include a rotating part 210, a spin head part 212 connected to the rotating part 210 to receive power, and a support pin part 214 disposed on the spin head part 212.
  • the substrate 220 may be disposed to be supported by the support pin part 214.
  • the substrate drying apparatus may be provided on the substrate 220, and may include a plurality of supply units 310, 320, 330, and 340 for providing a cleaning liquid or a desiccant to the substrate 220.
  • the drying apparatus of the substrate sprays the first supply unit 310 for spraying the wet etchant 230, the second supply unit 320 for spraying the deionized water 240, and the first organic solvent including alcohol.
  • the third supply unit 330 may include a fourth supply unit 340 for spraying a second organic solvent containing a hydrofluoroolefin.
  • a wet etching solution 230 may be provided to the substrate 220 to perform a cleaning process.
  • the cleaning process may be performed while rotating the substrate 220 at a predetermined rotation speed.
  • the wet etchant 230 provided to the substrate 220 may uniformly flow on the substrate 220. At least a portion of the semiconductor pattern structure on the substrate 220 may be etched or cleaned by the wet etchant 230.
  • the wet etching solution 230 and the deionized water 240 are simultaneously moved to the substrate 220 while rotating the substrate 220 at a first rotational speed with respect to the substrate 220 processed by the cleaning liquid.
  • Deionized water 240 may perform a function of diluting the wet etchant 230 on the substrate 220.
  • the substrate 220 may be rotated at the first rotation speed, supply of the wet etchant 230 may be stopped, and deionized water 240 may be provided to the substrate 220.
  • the deionized water 240 may perform a function of diluting and removing the wet etchant 230 remaining on the substrate 220 and cleaning the substrate 220.
  • the substrate 220 is rotated at a second rotational speed, and a first organic solvent 250 including deionized water 240 and an alcohol is provided to the substrate 220.
  • the alcohol may be, for example, ethanol, methanol or isopropyl alcohol (IPA).
  • the first organic solvent 250 may be sufficiently mixed with the deionized water 240 to dilute the deionized water 240 on the substrate 220.
  • the substrate 220 is rotated at the second rotation speed, and the first organic solvent 250 is provided to the substrate 220 while the supply of the deionized water 240 is stopped.
  • the first organic solvent 250 may dilute and remove the deionized water 240 remaining in the substrate 220, and may flow to sufficiently cover the semiconductor pattern structures of the substrate 220.
  • the first organic solvent 250 may be replaced with the deionized water 240 on the substrate 220 and distributed on the substrate 220.
  • the second rotational speed may be faster than the first rotational speed so that the first organic solvent 250 may cover the substrate 220 after sufficiently diluting and removing the deionized water 240. Since the first organic solvent 250 sufficiently covers the entire substrate 220, the force generated in the lateral direction by the surface tension of the first organic solvent 250 is suppressed as in the mechanism of FIG. 1A. Can be.
  • the substrate 220 is rotated at a third rotational speed, and a second organic solvent 260 including the first organic solvent 250 and the hydrofluoroolefin is provided as the substrate 220.
  • the hydrofluoroolefin may include, for example, methoxytridicafluoroheptene.
  • the surface tension of the second organic solvent 260 may be less than the surface tension of the deionized water 240 and the first organic solvent 250.
  • the second organic solvent 260 may be sufficiently mixed with the first organic solvent 250, thereby diluting the first organic solvent 250 on the substrate 220.
  • the substrate 220 is rotated at the third rotation speed, the supply of the first organic solvent 250 is stopped, and the second organic solvent 260 is provided to the substrate 220.
  • the second organic solvent 260 may dilute and remove the first organic solvent 250 remaining on the substrate 220, and may flow to sufficiently cover the semiconductor pattern structures of the substrate 220.
  • the second organic solvent 260 may be replaced with the first organic solvent 250 on the substrate 220 and distributed on the substrate 220.
  • the third rotational speed may be faster than the second rotational speed so that the second organic solvent 260 may cover the substrate 220 after sufficiently diluting and removing the first organic solvent 250.
  • the substrate 220 is rotated at a slower speed than the third rotational speed, and the second organic solvent 260 flows on the substrate 220 from which the first organic solvent 250 is removed. .
  • the second organic solvent 260 may sufficiently penetrate into the semiconductor pattern structure in the substrate 220 due to a slow speed, and may be integrated in a sufficient amount on the substrate 220.
  • the second organic solvent 260 is heated by providing heat to the substrate 220 while the rotation of the substrate 220 is stopped. Thereby, at least one part of the 2nd organic solvent 260 can volatilize.
  • the second organic solvent 260 may be heated by transmitting radiant heat generated by the heater 216 disposed on the substrate 220 to the substrate 220. By the said heating, the 2nd organic solvent 260 can hold 25 degreeC or more and 110 degrees C or less which are normal temperature as an example.
  • the second organic solvent 260 is removed by rotating the substrate 220 at a fourth rotation speed.
  • the second organic solvent 260 may be removed by volatilization by the rotational force of the substrate 220.
  • the substrate 220 may be dried while the second organic solvent 260 is removed.
  • the fourth rotation speed may be faster than the third rotation speed.
  • the fourth rotation speed may be faster than at least one of the first to third rotation speeds.
  • the process of FIGS. 3I and 3J may proceed simultaneously.
  • the second organic solvent 260 may be heated while the substrate 220 is rotated at a predetermined rotational speed to remove the organic solvent 260 from the substrate 220.
  • the heating process for the second organic solvent 260 described with reference to FIG. 3I may be omitted. That is, immediately after the flow process of the second organic solvent 260 of FIG. 3H, the rotation process of the substrate 220 of FIG. 3J may be performed.
  • the second organic solvent 260 may be evaporated in its natural state.
  • the evaporation of the second organic solvent 260 in its natural state may mean, for example, leaving the substrate 220 in which the second organic solvent 260 is integrated at room temperature.
  • the second organic solvent 260 when the second organic solvent 260 is provided to the substrate 220 as illustrated in FIGS. 3F to 3H, the second organic solvent 260 is separately heated to maintain the temperature higher than room temperature. It can be sprayed to the substrate 220 while making it.
  • the second organic solvent 260 may maintain, for example, 25 ° C. or more and 110 ° C. or less, which are room temperature.
  • the second organic solvent 260 heated to the temperature may have a smaller surface tension than the normal temperature.
  • the semiconductor pattern structure has a minimum line width and spacing of 20 nm, and may be a structure having a relative high aspect ratio of 1:20.
  • the structure may be applied to an STI array structure inside a cell region of a semiconductor DRAM.
  • the cleaning process is performed in a hydrofluoric acid solution diluted 200: 1 with respect to the first to sixth specimens. Subsequently, the washing and drying processes may be performed on the first to sixth specimens as follows.
  • the specimen is washed with deionized water while rotating at a rotational speed of 300 rpm, and the specimen is dried by a drying method using a conventional vapor of isopropyl alcohol.
  • a drying process is performed as follows according to an embodiment of the present invention.
  • the second to sixth specimens are rotated at a rotational speed of 300 rpm while providing deionized water for cleaning. Subsequently, while rotating the second to sixth specimens at a rotational speed of 500 rpm, isopropyl alcohol is provided to replace deionized water on the specimens with the isopropyl alcohol. Subsequently, while rotating the second to sixth specimens at a rotational speed of 1000 rpm, methoxytridifluorofluoroheptene is provided to replace the isopropyl alcohol on the specimens with the methoxytridifluorofluoroheptene. Thereafter, the drying process of the specimen is performed by separating the second to sixth specimens as follows.
  • the specimen is maintained at a temperature of 60 ° C. for 20 seconds while the rotation of the specimen is stopped, and then the specimen is rotated at a rotational speed of 600 rpm to remove the methoxytridifluorofluoroheptene.
  • the specimen is held at a temperature of 60 ° C. for 20 seconds, and then the specimen is rotated at a rotational speed of 1250 rpm to remove the methoxytridifluorofluoroheptene.
  • the methoxytridicafluoroheptene was removed by rotating the specimen at a rotational speed of 600 rpm after holding the specimen at a temperature of 80 ° C. for 20 seconds while stopping the rotation of the specimen.
  • the methoxytridicafluoroheptene is removed by rotating the specimen at a rotational speed of 1250 rpm after maintaining the specimen at a temperature of 80 ° C. for 20 seconds while stopping the rotation of the specimen.
  • the specimen was maintained at a temperature of 80 ° C. for 85 seconds while rotating at a rotational speed of 10 rpm.
  • the relative number of defects represents the total number of defects detected for each specimen through the specimen defect inspection device for each of the remaining specimens relative to the number of defects of specimen 1, which is a comparative example. That is, in Table 1, when the total gross function of the comparative example is set to 100, the total gross function found in the specimens of the remaining examples is shown as a relative ratio.
  • the drying process according to the embodiment of the present invention has a relatively large resistance to the inclination failure compared to the conventional drying process of the comparative example.

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Abstract

In a method for drying a substrate according to one embodiment of the present invention, a substrate processed by a cleaning solution is prepared. The cleaning solution is removed from the substrate using deionized water. A first organic solvent containing alcohol is provided to the substrate to replace the deionized water remaining on the substrate with the first organic solvent. A second organic solvent containing hydrofluoroolefin is provided to the substrate to replace the first organic solvent on the substrate with the second organic solvent. The second organic solvent is removed from the substrate.

Description

기판의 건조 방법Drying method of the substrate
본 발명은 기판의 건조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정의 세정 단계와 수반되는 기판의 건조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of drying a substrate, and more particularly, to a method of drying a substrate that is accompanied by a cleaning step of a semiconductor process.
일반적으로, 평판 표시 소자의 제조 공정이나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼 등과 같은 기판을 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 화학기상증착 공정 (chemical vapor deposition process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.In general, a photoresist coating process, a developing process, an etching process, a chemical process may be used to process a substrate such as a glass substrate or a wafer in a flat panel display device manufacturing process or a semiconductor manufacturing process. Various processes such as a chemical vapor deposition process and an ashing process are performed.
또한, 각각의 공정을 수행하는 과정에서 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)이 수행된다. 또한, 이에 수반되어, 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.In addition, a wet cleaning process using chemical or deionized water is performed to remove various contaminants attached to the substrate in each process. Also accompanied by this, a drying process for drying the chemical liquid or pure water remaining on the substrate surface is performed.
여기서 건조 공정은 원심력만으로 기판을 건조하는 장치와 이소프로필알코올(IPA, isopropyl alcohol)가 같은 유기용제를 이용하여 기판을 건조시키는 장치가 사용되고 있다.In the drying process, an apparatus for drying the substrate using only centrifugal force and an apparatus for drying the substrate using an organic solvent having the same isopropyl alcohol (IPA, isopropyl alcohol) are used.
관련 선행기술로는 대한민국 공개특허공보 제2011-0120709호 (2011. 11. 04. 공개, 발명의 명칭 : 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법) 가 있다.Related prior arts include Korean Patent Laid-Open Publication No. 2011-0120709 (2011. 11. 04. Publication, name of the invention: substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method).
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 작은 최소 선폭 크기와 이와 대비하여 상대적으로 높은 종횡비를 가지는 반도체 패턴 구조물을 형성할 때, 인접하는 패턴 구조물 간의 기울어짐(leaning) 불량을 억제할 수 있는 기판의 건조 방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is a method of drying a substrate that can suppress the leakage failure between the adjacent pattern structure when forming a semiconductor pattern structure having a small minimum line width and relatively high aspect ratio To provide.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르는 기판의 건조 방법이 개시된다. 상기 기판의 건조 방법에 있어서, 세정액에 의해 처리된 기판을 준비한다. 탈이온수를 이용하여 상기 기판으로부터 상기 세정액을 제거한다. 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 상기 기판에 제공하여, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 탈이온수를 상기 제1 유기 용제로 교체한다. 하이드로플루오로올레핀(hydrofluoroolefin)을 포함하는 제2 유기 용제를 상기 기판에 제공하여, 상기 기판 상의 상기 제1 유기 용제를 상기 제2 유기 용제로 교체한다. 상기 제2 유기 용제를 상기 기판으로부터 제거한다.Disclosed is a method of drying a substrate according to an aspect of the present invention for achieving the above object. In the drying method of the said board | substrate, the board | substrate processed with the washing | cleaning liquid is prepared. Deionized water is used to remove the cleaning liquid from the substrate. A first organic solvent containing an alcohol is provided to the substrate to replace the deionized water remaining on the substrate with the first organic solvent. A second organic solvent comprising a hydrofluoroolefin is provided to the substrate to replace the first organic solvent on the substrate with the second organic solvent. The second organic solvent is removed from the substrate.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르는 기판의 건조 방법이 개시된다. 상기 기판의 건조 방법에 있어서, 세정액에 의해 처리된 기판을 준비한다. 상기 기판을 제1 회전속도로 회전시키며, 탈이온수를 상기 기판으로 제공한다. 상기 기판을 제2 회전속도로 회전시키며, 탈이온수 및 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 상기 기판으로 제공한다. 상기 기판을 제2 회전속도로 회전시키며, 상기 탈이온수의 공급을 중단한 상태에서 상기 제1 유기 용제를 상기 기판으로 제공한다. 상기 기판을 제3 회전속도로 회전시키며, 상기 제1 유기 용제 및 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 제2 유기 용제를 상기 기판으로 제공한다. 상기 기판을 제3 회전속도로 회전시키며, 상기 제1 유기 용제의 공급을 중단하고 상기 제2 유기 용제를 상기 기판으로 제공한다. 상기 기판에 열을 제공하여 상기 제2 유기 용제를 휘발시킨다. 상기 기판을 제4 회전속도로 회전시켜 상기 제2 유기 용제를 제거한다.Disclosed is a method of drying a substrate according to another aspect of the present invention for achieving the above object. In the drying method of the said board | substrate, the board | substrate processed with the washing | cleaning liquid is prepared. The substrate is rotated at a first rotational speed and deionized water is provided to the substrate. The substrate is rotated at a second rotational speed, and a first organic solvent including deionized water and an alcohol is provided to the substrate. The substrate is rotated at a second rotational speed, and the first organic solvent is provided to the substrate while the supply of deionized water is stopped. The substrate is rotated at a third rotational speed, and a second organic solvent including the first organic solvent and the hydrofluoroolefin is provided as the substrate. The substrate is rotated at a third rotational speed, the supply of the first organic solvent is stopped, and the second organic solvent is provided to the substrate. Heat is provided to the substrate to volatilize the second organic solvent. The substrate is rotated at a fourth rotational speed to remove the second organic solvent.
본 발명의 실시 예에 따르면, 공지의 이소프로필알코올보다 표면 장력이 작은 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 유기 용제를 기판의 건조제로서 적용할 수 있다. 이로써, 기판의 건조 시에 패턴 구조물 상에 존재하는 건조제의 표면 장력에 의해 인접하는 패턴 구조물이 서로 기울어지는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an organic solvent containing a hydrofluoroolefin having a smaller surface tension than known isopropyl alcohol may be applied as a drying agent of a substrate. Thereby, it is possible to prevent the adjacent pattern structures from being inclined to each other by the surface tension of the desiccant present on the pattern structure when the substrate is dried.
또한, 탈이온수를 이용하는 세정단계, 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 상기 탈이온수와 교체하는 단계, 및 상기 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 제2 유기 용제를 상기 제1 유기 용제와 교체하는 단계를 순차적으로 수행하여 건조 공정을 진행할 수 있다. 탈이온수와 충분히 혼합 가능한 제1 유기 용제를 적용함으로써, 상기 제2 유기 용제가 상기 탈이온수를 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있어 상기 기판의 건조 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the step of washing with deionized water, replacing the first organic solvent containing alcohol with the deionized water, and the step of replacing the second organic solvent containing the hydrofluoroolefin with the first organic solvent It can be carried out sequentially to proceed with the drying process. By applying the first organic solvent that can be sufficiently mixed with deionized water, the second organic solvent can be prevented from directly contacting the deionized water, thereby improving the drying efficiency of the substrate.
도 1a 내지 도 1c는 기판의 건조 과정에서 인접 패턴 구조물 사이에 기울어짐(leaning) 불량이 발생하는 일 예를 개략적으로 나타내는 도면이다. 1A to 1C are diagrams schematically illustrating an example in which a leakage failure occurs between adjacent pattern structures in a process of drying a substrate.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 기판의 건조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.2 is a flowchart schematically illustrating a method of drying a substrate according to an embodiment of the present disclosure.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 기판의 건조 공정을 개략적으로 나타내는 모식도이다.3A to 3J are schematic views schematically illustrating a drying process of a substrate according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of the lines or the size of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description.
또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to the intention or convention of a user or an operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the specification.
도 1a 내지 도 1c는 기판의 건조 과정에서 인접 패턴 구조물 사이에 기울어짐(leaning) 불량이 발생하는 일 예를 개략적으로 나타내는 도면이다. 구체적으로, 도 1a는 반도체 기판의 STI 구조물에서 기울어짐 불량이 발생하는 것을 개략적으로 나타내는 모식도이다. 도 1b는 반도체 기판의 정상적인 STI 구조물을 나타내는 전자현미경 사진이며, 도 1c는 기울어짐 불량이 발생한 반도체 기판의 STI 구조물을 나타내는 전자현미경 사진이다.1A to 1C are diagrams schematically illustrating an example in which a leakage failure occurs between adjacent pattern structures in a process of drying a substrate. Specifically, FIG. 1A is a schematic diagram schematically illustrating occurrence of tilting defects in an STI structure of a semiconductor substrate. FIG. 1B is an electron micrograph showing a normal STI structure of a semiconductor substrate, and FIG. 1C is an electron micrograph showing an STI structure of a semiconductor substrate in which a skew defect occurs.
도 1a를 참조하면, 반도체 기판(100)에 형성된 STI(Shallow Trench Isolation) 구조물(110a, 112a)이 개시되고 있다. 상기 STI 구조물은 공지의 STI 공정에 의해 진행될 수 있다. 일 예로서, 반도체 기판(100) 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 형성한다. 상기 패드 질화막 상에 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 이용하여 상기 패드 산화막 및 상기 패드 질화막을 식각하여, 패드 산화막 패턴층(120) 및 패드 질화막 패턴층(130)을 형성한다. 이어서, 패드 산화막 패턴층(120) 및 패드 질화막 패턴층(130)을 식각 마스크로 사용하여, 반도체 기판(100)을 트렌치 식각 함으로써, 복수의 STI 구조물(110a, 112a)를 형성할 수 있다. 복수의 STI 구조물(110a, 112a)를 형성 후에, 반도체 기판(100)을 세정하고 건조하는 공정을 수행한다. 이때, 건조를 위해, 이소프로필알콜과 같은 건조제가 적용될 수 있다.Referring to FIG. 1A, a shallow trench isolation (STI) structure 110a and 112a formed in a semiconductor substrate 100 is disclosed. The STI structure can be carried out by a known STI process. As an example, a pad oxide film and a pad nitride film are formed on the semiconductor substrate 100. A resist pattern is formed on the pad nitride layer, and the pad oxide layer and the pad nitride layer are etched using the resist pattern to form the pad oxide layer pattern layer 120 and the pad nitride layer pattern layer 130. Subsequently, the plurality of STI structures 110a and 112a may be formed by trench etching the semiconductor substrate 100 using the pad oxide film pattern layer 120 and the pad nitride film pattern layer 130 as an etching mask. After the formation of the plurality of STI structures 110a and 112a, a process of cleaning and drying the semiconductor substrate 100 is performed. At this time, for drying, a drying agent such as isopropyl alcohol may be applied.
한편, 반도체 기판(100)을 건조하는 과정에서, 서로 인접하는 STI 구조물(110a, 112a) 사이에 분포하는 건조제(140)의 표면 장력은 서로 인접하는 STI 구조물(110a, 112a)에 대하여 측면 방향의 힘(Fs)을 발생시킬 수 있다. Meanwhile, in the process of drying the semiconductor substrate 100, the surface tension of the desiccant 140 distributed between the STI structures 110a and 112a adjacent to each other is lateral to the STI structures 110a and 112a adjacent to each other. Force Fs can be generated.
최근에는 반도체 소자의 최소 선폭 크기가 감소하고 종횡비가 증가함에 따라, 반도체 패턴 구조물의 구조적 지지력도 약화되고 있다. 즉, 현재, STI 구조물(110a, 112a)의 선폭은 약 20 nm의 수준이며, STI 구조물(110a, 112a)의 높이는 약 300 내지 400 nm의 수준을 보이고 있다. 즉, 최소선폭이 약 20 nm 인 상태에서 종횡비는 약 15 ~ 20:1 로 구조적인 안정성이 열악한 상황이다. 이러한 상황에서, 상기 건조제(140)의 표면 장력에 의해 상기 측면 방향으로 발생하는 힘(Fs)은 상기 건조제(140)가 증발할 때 서로 인접하는 STI 구조물(110a, 112a)을 서로 접합하게 하거나, STI 구조물(110a, 112a)을 쓰러지게 하는 등 기울어짐 불량을 발생시킬 수 있다.Recently, as the minimum line width of the semiconductor device is reduced and the aspect ratio is increased, the structural support of the semiconductor pattern structure is also weakened. That is, at present, the line widths of the STI structures 110a and 112a are about 20 nm, and the heights of the STI structures 110a and 112a are about 300 to 400 nm. In other words, the aspect ratio is about 15 to 20: 1 in the state that the minimum line width is about 20 nm is a poor structural stability. In this situation, the force Fs generated in the lateral direction by the surface tension of the desiccant 140 causes the STI structures 110a and 112a to be adjacent to each other when the desiccant 140 evaporates, or Tilt failure may occur, such as causing the STI structures 110a and 112a to collapse.
도시되는 바와 같이, 도 1b의 정상적인 STI 구조물(110b, 112b)과 대비하여, 도 1c의 기울어짐 불량이 발생한 STI 구조물(110c 112c)에서는 이웃하는 STI 구조물(110c 112c)이 서로 접합하는 모습을 보여준다.As shown, in contrast to the normal STI structures 110b and 112b of FIG. 1B, the neighboring STI structures 110c 112c are bonded to each other in the STI structure 110c 112c in which the inclination failure of FIG. 1C occurs. .
한편, 이러한, 기울어짐 불량은 상술한 STI(shallow trench insulation) 구조물 뿐만 아니라, 게이트 전극 구조물, 스토리지노드 전극 등, 좁은 피치 크기 및 높은 종횡비를 요구하는 반도체 구조물 형성 공정 모두에 발생할 수 있어 이를 방지할 방법이 요청되고 있다.On the other hand, such a skewed defect may occur in both the shallow trench insulation (STI) structure described above, as well as the gate electrode structure, the storage node electrode, and the like to form a semiconductor structure forming process that requires a narrow pitch size and a high aspect ratio, thereby preventing it. A method is requested.
상술한 바와 같이, 반도체 패턴 구조물의 기울어짐 불량이, 세정 공정에 수반되는 건조 공정시에 패턴 구조물 상에 잔류하는 액체의 표면 장력에 의해 발생하므로, 본 발명의 발명자는 잔류하는 탈이온수를 기판으로부터 제거할 때 보다 작은 표면 장력을 가지는 건조제를 적용함으로써 상기 반도체 패턴 구조물의 불량을 효과적으로 억제될 수 있다.As described above, since the inclination failure of the semiconductor pattern structure is caused by the surface tension of the liquid remaining on the pattern structure during the drying process accompanying the cleaning process, the inventors of the present invention remove the remaining deionized water from the substrate. The defect of the semiconductor pattern structure can be effectively suppressed by applying a desiccant having a smaller surface tension when removing.
본 발명의 실시 예에 따르면, 탈이온수의 표면 장력은 상온에서 약 72 dyne/cm 이다. 이소프로필알코올의 표면 장력은 상온에서 약 21 내지 22 dyne/cm 이며, 약 70℃로 가열할 경우, 약 16 내지 17 dyne/cm 이다. 본 발명의 실시 예에서는 보다 작은 표면 장력을 가지는 건조제로서, 하이드로플루오르올레핀(hydrofluoroolefin)을 포함하는 유기 용제가 개시된다. 하이드로플루오르올레핀은 수소(H), 불소(F) 및 탄소(C)를 포함하는 유기 화합물이며, 알칸기 대신 알켄기를 구비한다는 점에서 하이드로플루오르카본(Hydrofluorocarbon, HFC)과 차별될 수 있다. 상기 하드드로플로로올레핀은 일 예로서, 메톡시트리디카플루오르헵텐(methoxytridecafluoroheptene)을 포함할 수 있다. 상기 메톡시트리디카플로오르헵텐은 일 예로서, 듀폰(dupont) 사의 Suprion 상표를 가지는 공지의 유기 용제일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the surface tension of deionized water is about 72 dyne / cm at room temperature. The surface tension of isopropyl alcohol is about 21 to 22 dyne / cm at room temperature and about 16 to 17 dyne / cm when heated to about 70 ° C. In an embodiment of the present invention, an organic solvent including a hydrofluoroolefin is disclosed as a desiccant having a smaller surface tension. Hydrofluoroolefins are organic compounds containing hydrogen (H), fluorine (F) and carbon (C), and can be distinguished from hydrofluorocarbons (HFCs) in that they have alkenes instead of alkanes. The hard fluoro olefin may include, for example, methoxytridecafluoroheptene. The methoxytridifluorofluoroheptene may be, for example, a known organic solvent having a Suprion trademark of Dupont.
본 발명의 실시 예에 따르면, 하이드로플루오로올레핀은 상온에서 약 14 dyne/cm의 표면 장력을 가질 수 있으며, 약 110℃ 부근의 온도에서 약 8.9 dyne/cm의 표면 장력을 가질 수 있다. 이러한, 하이드로플루오로올레핀은 상기 약 70℃로 가열할 경우의 이소프로필알코올의 표면 장력보다 낮은 표면 장력을 가질 수 있다. 결론적으로, 본 발명의 실시 예에서는, 세정 공정 후의 건조제로서, 종래의 건조제보다 표면 장력이 작은 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 유기 용제를 개시한다. According to an embodiment of the present invention, the hydrofluoroolefin may have a surface tension of about 14 dyne / cm at room temperature, and may have a surface tension of about 8.9 dyne / cm at a temperature around 110 ° C. Such a hydrofluoroolefin may have a surface tension lower than that of isopropyl alcohol when heated to about 70 ° C. In conclusion, an embodiment of the present invention discloses an organic solvent including a hydrofluoroolefin having a smaller surface tension than a conventional drying agent as a drying agent after a washing step.
한편, 상기 하이드로플루오로올레핀은 이소프로필알코올보다 낮은 표면 장력을 가지는 반면, 탈이온수와의 용해도가 매우 낮아서 상기 탈이온수와 혼합되지 않는 단점을 가질 수 있다. 이러한 단점을 극복하기 위해, 본 발명의 실시 예에서는 탈이온수와 충분히 혼합되는 특성을 가지는 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 중간 단계에서 채용한다. 이어서, 제1 유기 용제와의 충분히 혼합되는 특성을 가지는 제2 유기 용제를 적용하여, 기판 상에서 상기 제1 유기 용제를 상기 제2 유기 용제로 교체한다. 이어서, 상기 기판 상에서 상대적으로 가장 낮은 표면 장력을 가지는 제2 유기 용제를 안정적으로 채용하여, 상기 제2 유기 용제가 증발하면서, 최종적으로 상기 기판을 건조하는 방법을 개시한다. On the other hand, while the hydrofluoroolefin has a lower surface tension than isopropyl alcohol, solubility with deionized water is very low may have a disadvantage that it is not mixed with the deionized water. In order to overcome this disadvantage, in the embodiment of the present invention, a first organic solvent including an alcohol having a property of being sufficiently mixed with deionized water is employed in an intermediate step. Subsequently, a second organic solvent having a sufficiently mixed property with the first organic solvent is applied to replace the first organic solvent with the second organic solvent on the substrate. Next, a method of stably employing a second organic solvent having a relatively lowest surface tension on the substrate, and finally drying the substrate while the second organic solvent is evaporated, is disclosed.
이하에서는 상술한 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 유기 용제를 적용하는 건조 방법을 구체적인 실시 예로서 상세히 기술하도록 한다. Hereinafter, a drying method of applying the organic solvent including the hydrofluoroolefin described above will be described in detail as a specific embodiment.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 기판의 건조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다. 이하의 기판 건조 방법은 단일 웨이퍼 단위로 건조 공정이 진행되는 실시 예를 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 카세트 단위의 배치 타입에도 변형하여 적용 가능하다. 2 is a flowchart schematically illustrating a method of drying a substrate according to an embodiment of the present disclosure. The substrate drying method described below has been described an embodiment in which a drying process is performed in a single wafer unit, but is not necessarily limited thereto, and may be modified and applied to a batch type of a cassette unit.
도 2를 참조하면, S210 단계에서, 세정액에 의해 처리된 기판을 준비한다. 상기 기판의 처리 공정은, 일 예로서, 반도체 공정에 적용되는 공지의 습식 식각 공정일 수 있다. 따라서, 상기 세정액은 상기 습식 식각 공정에서 적용되는 식각액일 수 있다. 상기 식각액은 일 예로서, 희석된 불산 용액, 버퍼 산화막 식각액(Buffered Oxide etchant, BOE), 질산 용액, 인산 용액 등을 포함할 수 있다. 상기 기판은 반도체 공정이 적용되는 반도체 기판, 절연 기판 또는 전도성 기판일 수 있다. 일 예로서, 상기 기판은 실리콘 기판 또는 SOI 기판일 수 있다. 또는 상기 기판은 일 예로서, 유리 기판일 수 있다.Referring to FIG. 2, in step S210, a substrate treated with a cleaning liquid is prepared. The substrate treating process may be, for example, a known wet etching process applied to a semiconductor process. Therefore, the cleaning solution may be an etching solution applied in the wet etching process. The etchant may include, for example, a diluted hydrofluoric acid solution, a buffered oxide etchant (BOE), a nitric acid solution, a phosphoric acid solution, or the like. The substrate may be a semiconductor substrate, an insulating substrate, or a conductive substrate to which a semiconductor process is applied. As an example, the substrate may be a silicon substrate or an SOI substrate. Alternatively, the substrate may be, for example, a glass substrate.
S220 단계에서, 탈이온수를 이용하여 상기 기판으로부터 상기 세정액을 제거한다. 일 실시 예에 있어서, 본 단계는 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 탈이온수를 상기 기판 상에 분사하는 공정으로 진행될 수 있다. 상기 기판으로 분사되는 탈이온수는 상기 세정액을 희석시키며 상기 기판을 세척할 수 있다. 상기 회전하는 기판은 상기 탈이온수가 상기 기판 상에서 균일하게 퍼지도록 할 수 있다.In step S220, the cleaning solution is removed from the substrate using deionized water. In an embodiment, the step may be performed by spraying the deionized water onto the substrate while the substrate is rotated. Deionized water sprayed onto the substrate may dilute the cleaning liquid and wash the substrate. The rotating substrate may allow the deionized water to spread evenly on the substrate.
S230 단계에서, 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 기판에 제공한다. 상기 알코올은 일 예로서, 메탄올, 에탈올 또는 이소프로필알코올을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 본 단계는 상기 탈이온수를 상기 기판 상에 분사하는 공정에 후속하여 진행될 수 있다. 구체적으로, 먼저, 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 탈이온수 및 상기 제1 유기 용제를 함께 상기 기판 상에 분사한다. 이어서, 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 탈이온수의 공급을 중단하고 상기 제1 유기 용제를 상기 기판 상에 분사한다. In step S230, the first organic solvent containing an alcohol is provided to the substrate. The alcohol may include, for example, methanol, ethanol or isopropyl alcohol. In one embodiment, the step may be performed subsequent to the step of spraying the deionized water on the substrate. Specifically, first, the deionized water and the first organic solvent are sprayed together on the substrate while the substrate is rotated. Subsequently, while the substrate is rotated, the supply of the deionized water is stopped and the first organic solvent is sprayed on the substrate.
상기 기판에 분사된 상기 제1 유기 용제는 상기 탈이온수와 서로 혼합될 수 있다. 상기 제1 유기 용제는 상기 탈이온수를 희석시켜 상기 기판으로부터 제거할 수 있다. 아울러, 상기 제1 유기 용제가 상기 기판 상을 유동함으로써, 상기 기판 상에 잔류하던 탈이온수를 교체하여 상기 제1 유기 용제가 상기 기판 상의 반도체 패턴 구조물을 덮도록 분포할 수 있다.The first organic solvent sprayed on the substrate may be mixed with the deionized water. The first organic solvent may be removed from the substrate by diluting the deionized water. In addition, as the first organic solvent flows on the substrate, the deionized water remaining on the substrate may be replaced so that the first organic solvent may be distributed to cover the semiconductor pattern structure on the substrate.
S240 단계에서, 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 제2 유기 용제를 상기 기판에 제공한다. 상기 하이드로플루오로올레핀은 일 예로서, 메톡시트리디카플루오르헵텐을 포함할 수 있다. 상기 메톡시트리디카플로오르헵텐은 일 예로서, 듀폰(dupont) 사의 Suprion 상표를 가지는 공지의 유기 용제일 수 있다. 상기 제2 유기 용제의 표면 장력은 상기 제1 유기 용제보다 표면 장력이 작을 수 있다. In step S240, a second organic solvent containing a hydrofluoroolefin is provided to the substrate. The hydrofluoroolefin may include, for example, methoxytridicafluoroheptene. The methoxytridifluorofluoroheptene may be, for example, a known organic solvent having a Suprion trademark of Dupont. The surface tension of the second organic solvent may be smaller than the surface tension of the first organic solvent.
일 실시 예에 있어서, 본 단계는 먼저, 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 제1 유기 용제 및 상기 제2 유기 용제를 함께 상기 기판 상에 분사한다. 이어서, 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 제1 유기 용제의 공급을 중단하고 상기 제2 유기 용제를 상기 기판 상에 분사한다. In one embodiment, in the first step, the first organic solvent and the second organic solvent are sprayed together on the substrate while the substrate is rotated. Subsequently, while the substrate is rotated, the supply of the first organic solvent is stopped and the second organic solvent is sprayed on the substrate.
상기 기판에 분사된 상기 제2 유기 용제는 상기 제1 유기 용제와 서로 혼합될 수 있다. 상기 제2 유기 용제는 상기 제1 유기 용제를 희석시켜, 상기 제1 유기 용제를 상기 기판으로부터 제거할 수 있다. 아울러, 상기 제2 유기 용제가 상기 기판 상을 유동함으로써, 상기 기판 상에 분포하던 상기 제1 유기 용제를 교체하여, 상기 제2 유기 용제가 상기 기판 상의 반도체 패턴 구조물을 덮도록 분포할 수 있다.The second organic solvent sprayed on the substrate may be mixed with the first organic solvent. The second organic solvent may dilute the first organic solvent to remove the first organic solvent from the substrate. In addition, the second organic solvent may flow on the substrate to replace the first organic solvent distributed on the substrate, and the second organic solvent may be distributed to cover the semiconductor pattern structure on the substrate.
몇몇 실시 예들에 있어서, 상기 제2 유기 용제를 상기 기판 상에 분사하는 공정을 진행할 때, 상기 제2 유기 용제를 상온인 25 ℃ 이상 110℃ 이하로 가열한 후에, 상기 고온 상태의 상기 제2 유기 용제를 분사할 수도 있다. 상기 온도로 가열된 제2 유기 용제는 상온 상태에 비해 상대적으로 낮은 표면 장력을 가질 수 있다.In some embodiments, when the second organic solvent is sprayed onto the substrate, the second organic solvent is heated to 25 ° C. or more and 110 ° C. or less at room temperature, and then the second organic solvent is in the high temperature state. You may spray the solvent. The second organic solvent heated to the temperature may have a relatively low surface tension compared to the normal temperature state.
S250 단계에서, 상기 제2 유기 용제를 상기 기판으로부터 제거한다. 일 실시 예에 있어서, 본 단계는 먼저, 상기 기판에 열을 제공하여 상기 제2 유기 용제를 가열시킨다. 이에 의해, 상기 제2 유기 용제의 적어도 일부분이 휘발되어 상기 기판으로부터 제거될 수 있다. 이 과정에서, 상기 기판이 건조될 수 있다. 이때, 기판에 열을 제공하는 공정은 일 예로서, 상기 기판의 회전을 중단시킨 상태에서 기판의 상부에 배치된 히터를 이용하여 복사열을 상기 기판에 전달함으로써 진행될 수 있다. 다른 예로서, 기판에 열을 제공하는 공정은 상기 기판의 하부에 히트 블록과 같이 열을 전도 또는 대류시킬 수 있는 열원을 배치시키는 방법을 채용할 수 있다. 또다른 예로서, 기판에 열을 제공하는 공정은 상기 기판의 하부에 복사열을 발생시키는 히터를 배치시키는 방법을 채용할 수 있다. 또다른 예로서, 기판에 열을 제공하는 공정은 상기 기판의 하부에 고온으로 가열된 액체를 분사하는 방법을 채용할 수 있다. In step S250, the second organic solvent is removed from the substrate. In one embodiment, this step, first, heat the second organic solvent by providing heat to the substrate. As a result, at least a portion of the second organic solvent may be volatilized and removed from the substrate. In this process, the substrate may be dried. In this case, the process of providing heat to the substrate may be performed by transferring radiant heat to the substrate using a heater disposed on the substrate while the rotation of the substrate is stopped. As another example, the process of providing heat to the substrate may employ a method of disposing a heat source capable of conducting or convection heat, such as a heat block, below the substrate. As another example, the process of providing heat to the substrate may employ a method of disposing a heater for generating radiant heat under the substrate. As another example, the process of providing heat to the substrate may employ a method of spraying a liquid heated to a high temperature to the bottom of the substrate.
상기 가열에 의하여 상기 유기 용제는 일 예로서, 상온인 25 ℃ 이상 110℃ 이하를 유지할 수 있다. 이어서, 상기 기판을 회전시켜 상기 제2 유기 용제를 제거할 수 있다.By the heating, for example, the organic solvent may be maintained at 25 ℃ 110 ℃ below room temperature. Subsequently, the second organic solvent may be removed by rotating the substrate.
또다른 실시 예에 의하면, 상기 제2 유기 용제를 가열하는 방법은, 상온인 25 ℃ 이상 110℃ 이하로 미리 가열시킨 상기 제2 유기 용제를 상기 기판에 분사하는 방법과 상술한 히터 또는 히터 블록을 이용하여 상기 기판에 열을 제공하는 방법을 동시에 적용하는 방법을 채용할 수 있다.According to another embodiment, the method of heating the second organic solvent, the method of spraying the second organic solvent previously heated to room temperature 25 ℃ 110 ℃ or less and the above-described heater or heater block A method of simultaneously applying a method of providing heat to the substrate by using the same may be employed.
다른 실시 예에 있어서, 본 단계는 상기 기판의 상부에 배치된 히터를 이용하여 복사열을 상기 기판에 전달하면서, 동시에 상기 기판을 회전시켜 상기 제2 유기 용제를 제거하는 방법으로 진행될 수도 있다. 이때, 상기 기판에 전달된 열에 의해, 상기 제2 유기 용제는 일 예로서, 상온인 25 ℃ 이상 110℃ 이하를 유지할 수 있다. In another embodiment, the step may be a method of removing the second organic solvent by rotating the substrate at the same time while transmitting the radiant heat to the substrate using a heater disposed on the substrate. At this time, by the heat transferred to the substrate, the second organic solvent, for example, can maintain a room temperature 25 ℃ 110 ℃.
몇몇 다른 실시 예들에 있어서, S240 단계에서, 상온인 25 ℃ 이상 110℃ 이하로 미리 가열시킨 상기 제2 유기 용제를 상기 기판에 분사하는 경우, S250 단계에서 기판에 열을 제공하여 상기 제2 유기 용제를 가열시키는 공정을 생략할 수 있다. 이 경우, 상기 기판의 회전에 의하여 상기 유기 용제를 제거하는 공정이 진행될 수 있다.In some other embodiments, in the step S240, when spraying the second organic solvent pre-heated to room temperature 25 ℃ 110 ℃ or less to the substrate, in step S250 by providing heat to the substrate to the second organic solvent The heating step may be omitted. In this case, a process of removing the organic solvent may be performed by the rotation of the substrate.
상술한 건조 방법을 진행함으로써, 반도체 패턴 구조물의 기울어짐 현상이 억제된 기판을 제공할 수 있다. 결과적으로, 공지의 이소프로필알코올(IPA)보다 표면 장력이 작은 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 유기 용제를 기판의 건조제로서 적용함으로써, 반도체 패턴 구조물 내 서로 인접하는 패턴 구조물의 기울어짐 불량을 효과적으로 방지할 수 있다.By advancing the above-mentioned drying method, the board | substrate with which the tilting phenomenon of the semiconductor pattern structure was suppressed can be provided. As a result, by applying an organic solvent containing a hydrofluoroolefin having a lower surface tension than known isopropyl alcohol (IPA) as a desiccant of the substrate, it is possible to effectively prevent the inclination failure of the adjacent pattern structures in the semiconductor pattern structure. Can be.
한편, 불소(F) 및 탄소(C)를 포함하는 유기 화합물은 이소프로필알코올보다 낮은 표면 장력을 가지는 화합물이 존재할 수 있는 반면에, 탈이온수와의 용해도가 매우 낮아서 상기 탈이온수와 혼합되지 않는 특성을 가질 수 있다. 또한, 불소(F) 및 탄소(C)를 포함하며 낮은 표면 장력을 가지는 유기 화합물의 대부분은 알코올과의 용해도도 충분히 높지 않다는 단점이 있다. 일 예로서, 퍼플루오르카본(perfluorocarbon)의 경우, 탄소와 불소의 유기 화합물인데, 상온에서 물 및 이소프로필알코올과 혼합되지 않을 수 있다. 다른 예로서, 하이드로플루오로에테르(hydrofluoroether, HFE)의 경우, 약 11 dyne/cm 의 낮은 표면 장력을 가지나, 이소프로필알코올과는 상온에서 5 vol.% 이하의 낮은 용해도를 보일 수 있다. On the other hand, the organic compound containing fluorine (F) and carbon (C) may have a compound having a lower surface tension than isopropyl alcohol, while the solubility with deionized water is very low so that it is not mixed with the deionized water Can have In addition, most of the organic compounds containing fluorine (F) and carbon (C) and having a low surface tension have a disadvantage that their solubility with alcohol is not high enough. As an example, perfluorocarbon is an organic compound of carbon and fluorine, and may not be mixed with water and isopropyl alcohol at room temperature. As another example, in the case of hydrofluoroether (HFE), it has a low surface tension of about 11 dyne / cm, but may have a solubility of less than 5 vol.% At room temperature with isopropyl alcohol.
본 발명의 실시 예에서는, 알코올과의 충분한 용해도 및 낮은 표면 장력을 구비하는 수소, 탄소, 및 불소의 유기화합물로서, 하이드로플루오로올레핀을 기판의 건조제로 적용하는 방법을 개시한다. 또한, 탈이온수를 이용하는 세정단계, 상기 탈이온수와의 충분한 용해도를 가지는 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 적용하는 단계, 및 상기 알코올과 충분한 용해도를 가지는 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 제2 유기 용제를 적용하는 단계를 순차적으로 진행함으로써, 상기 제2 유기 용제가 상기 탈이온수와 직접 접촉하는 것을 피할 수 있는 기판의 건조 방법을 개시한다.In an embodiment of the present invention, a method of applying hydrofluoroolefin as a desiccant of a substrate as an organic compound of hydrogen, carbon, and fluorine having sufficient solubility with alcohol and low surface tension is disclosed. In addition, a washing step using deionized water, applying a first organic solvent containing an alcohol having a sufficient solubility with the deionized water, and a second organic solvent comprising a hydrofluoroolefin having a sufficient solubility with the alcohol. By sequentially applying the step, it discloses a method of drying the substrate that can avoid the second organic solvent is in direct contact with the deionized water.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 기판의 건조 공정을 개략적으로 나타내는 모식도이다. 도 3a 내지 도 3j에서는, 상기 건조 공정을 수행하는 기판의 건조 장치가 개략적으로 도시되고 있다. 도시된 기판의 건조 장치는, 일 예로서, 단일 웨이퍼 단위로 세정 및 건조 공정이 진행될 수 있도록 구성될 수 있다. 3A to 3J are schematic views schematically illustrating a drying process of a substrate according to an embodiment of the present invention. 3A to 3J, a drying apparatus of a substrate for performing the drying process is schematically illustrated. The illustrated drying apparatus of the substrate may be configured such that, for example, the cleaning and drying process may be performed on a single wafer basis.
상기 기판의 건조 장치는 회전부(210), 회전부(210)와 연결되어 동력을 전달받는 스핀 헤드부(212), 스핀 헤드부(212) 상에 배치되는 지지핀부(214)를 구비할 수 있다. 기판(220)은 지지핀부(214)에 의해 지지되도록 배치될 수 있다. 또한, 기판의 건조 장치는 기판(220)의 상부에 배치되고, 기판(220)으로 세정액 또는 건조제를 제공하는 복수의 공급 유닛(310, 320, 330, 340)을 구비할 수 있다. 구체적으로, 기판의 건조 장치는 습식 식각액(230)을 분사하는 제1 공급 유닛(310), 탈이온수(240)를 분사하는 제2 공급 유닛(320), 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 분사하는 제3 공급 유닛(330) 및 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 제2 유기 용제를 분사하는 제4 공급 유닛(340)을 포함할 수 있다.The substrate drying apparatus may include a rotating part 210, a spin head part 212 connected to the rotating part 210 to receive power, and a support pin part 214 disposed on the spin head part 212. The substrate 220 may be disposed to be supported by the support pin part 214. In addition, the substrate drying apparatus may be provided on the substrate 220, and may include a plurality of supply units 310, 320, 330, and 340 for providing a cleaning liquid or a desiccant to the substrate 220. Specifically, the drying apparatus of the substrate sprays the first supply unit 310 for spraying the wet etchant 230, the second supply unit 320 for spraying the deionized water 240, and the first organic solvent including alcohol. The third supply unit 330 may include a fourth supply unit 340 for spraying a second organic solvent containing a hydrofluoroolefin.
도 3a를 다시 참조하면, 기판(220)에 대하여 습식 식각액(230)을 제공하여 세정 공정을 진행할 수 있다. 상기 세정 공정은 일 예로서, 기판(220)을 소정의 회전 속도로 회전시키면서 진행할 수 있다. 기판(220)이 회전함에 따라, 기판(220)에 제공되는 습식 식각액(230)이 균일하게 기판(220) 상을 유동할 수 있다. 상기 습식 식각액(230)에 의하여, 기판(220) 상의 반도체 패턴 구조물의 적어도 일부분이 식각되거나, 세정될 수 있다.Referring to FIG. 3A again, a wet etching solution 230 may be provided to the substrate 220 to perform a cleaning process. For example, the cleaning process may be performed while rotating the substrate 220 at a predetermined rotation speed. As the substrate 220 rotates, the wet etchant 230 provided to the substrate 220 may uniformly flow on the substrate 220. At least a portion of the semiconductor pattern structure on the substrate 220 may be etched or cleaned by the wet etchant 230.
도 3b를 참조하면, 상기 세정액에 의해 처리된 기판(220)에 대하여, 기판(220)을 제1 회전속도로 회전시키면서, 습식 식각액(230)과 탈이온수(240)를 동시에 기판(220)으로 제공할 수 있다. 탈이온수(240)는 습식 식각액(230)을 기판(220) 상에서 희석시키는 기능을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 3B, the wet etching solution 230 and the deionized water 240 are simultaneously moved to the substrate 220 while rotating the substrate 220 at a first rotational speed with respect to the substrate 220 processed by the cleaning liquid. Can provide. Deionized water 240 may perform a function of diluting the wet etchant 230 on the substrate 220.
도 3c를 참조하면, 기판(220)을 상기 제1 회전속도로 회전시키며, 습식 식각액(230)의 공급을 중단하고, 탈이온수(240)를 기판(220)으로 제공할 수 있다. 탈이온수(240)는 기판(220)에 잔존하는 습식 식각액(230)을 희석시켜 제거하고, 기판(220)을 세척하는 기능을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 3C, the substrate 220 may be rotated at the first rotation speed, supply of the wet etchant 230 may be stopped, and deionized water 240 may be provided to the substrate 220. The deionized water 240 may perform a function of diluting and removing the wet etchant 230 remaining on the substrate 220 and cleaning the substrate 220.
도 3d를 참조하면, 기판(220)을 제2 회전속도로 회전시키며, 탈이온수(240) 및 알코올을 포함하는 제1 유기 용제(250)를 기판(220)으로 제공한다. 상기 알코올은 일 예로서, 에탄올, 메탄올 또는 이소프로필알콜(IPA) 일 수 있다. 제1 유기 용제(250)는 탈이온수(240)와 충분히 혼합됨으로써, 기판(220) 상의 탈이온수(240)를 희석하는 작용을 수행할 수 있다. Referring to FIG. 3D, the substrate 220 is rotated at a second rotational speed, and a first organic solvent 250 including deionized water 240 and an alcohol is provided to the substrate 220. The alcohol may be, for example, ethanol, methanol or isopropyl alcohol (IPA). The first organic solvent 250 may be sufficiently mixed with the deionized water 240 to dilute the deionized water 240 on the substrate 220.
도 3e를 참조하면, 기판(220)을 상기 제2 회전속도로 회전시키며, 탈이온수(240)의 공급을 중단한 상태에서 제1 유기 용제(250)를 기판(220)으로 제공한다. 제1 유기 용제(250)는 기판(220)에 잔류하는 탈이온수(240)를 희석시켜 제거하고, 기판(220)의 반도체 패턴 구조물들을 충분히 덮도록 유동할 수 있다. 이로써, 제1 유기 용제(250)는 기판(220) 상의 탈이온수(240)와 교체되어 기판(220) 상에 분포할 수 있다. 상기 제2 회전속도는 제1 유기 용제(250)가 탈이온수(240)를 충분히 희석시켜 제거한 후에 기판(220)을 커버할 수 있도록, 상기 제1 회전속도보다 더 빠를 수 있다. 상기 제1 유기 용제(250)는 기판(220) 전체를 충분히 커버하는 상태를 유지하므로, 도 1a의 기작과 같이, 제1 유기 용제(250)의 표면 장력에 의해 측면 방향으로 발생하는 힘은 억제될 수 있다.Referring to FIG. 3E, the substrate 220 is rotated at the second rotation speed, and the first organic solvent 250 is provided to the substrate 220 while the supply of the deionized water 240 is stopped. The first organic solvent 250 may dilute and remove the deionized water 240 remaining in the substrate 220, and may flow to sufficiently cover the semiconductor pattern structures of the substrate 220. As a result, the first organic solvent 250 may be replaced with the deionized water 240 on the substrate 220 and distributed on the substrate 220. The second rotational speed may be faster than the first rotational speed so that the first organic solvent 250 may cover the substrate 220 after sufficiently diluting and removing the deionized water 240. Since the first organic solvent 250 sufficiently covers the entire substrate 220, the force generated in the lateral direction by the surface tension of the first organic solvent 250 is suppressed as in the mechanism of FIG. 1A. Can be.
도 3f를 참조하면, 기판(220)을 제3 회전속도로 회전시키며, 제1 유기 용제(250) 및 하이드로플루오로올레핀을 포함하는 제2 유기 용제(260)를 기판(220)으로 제공한다. 상기 하이드로플루오로올레핀은 일 예로서, 메톡시트리디카플루오르헵텐을 포함할 수 있다. 제2 유기 용제(260)의 표면 장력은 탈이온수(240) 및 제1 유기 용제(250)의 표면 장력보다 작을 수 있다. 제2 유기 용제(260)는 제1 유기 용제(250)와 충분히 혼합됨으로써, 기판(220) 상의 제1 유기 용제(250)를 희석하는 작용을 수행할 수 있다. Referring to FIG. 3F, the substrate 220 is rotated at a third rotational speed, and a second organic solvent 260 including the first organic solvent 250 and the hydrofluoroolefin is provided as the substrate 220. The hydrofluoroolefin may include, for example, methoxytridicafluoroheptene. The surface tension of the second organic solvent 260 may be less than the surface tension of the deionized water 240 and the first organic solvent 250. The second organic solvent 260 may be sufficiently mixed with the first organic solvent 250, thereby diluting the first organic solvent 250 on the substrate 220.
도 3g를 참조하면, 기판(220)을 상기 제3 회전속도로 회전시키며, 제1 유기 용제(250)의 공급을 중단하고 제2 유기 용제(260)를 기판(220)으로 제공한다. 제2 유기 용제(260)는 기판(220)에 잔류하는 제1 유기 용제(250)를 희석시켜 제거하고, 기판(220)의 반도체 패턴 구조물들을 충분히 덮도록 유동할 수 있다. 이로써, 제2 유기 용제(260)는 기판(220) 상의 제1 유기 용제(250)와 교체되어 기판(220) 상에 분포할 수 있다. 상기 제3 회전속도는 제2 유기 용제(260)가 제1 유기 용제(250)를 충분히 희석시켜 제거한 후에 기판(220)을 커버할 수 있도록, 상기 제2 회전속도보다 더 빠를 수 있다.Referring to FIG. 3G, the substrate 220 is rotated at the third rotation speed, the supply of the first organic solvent 250 is stopped, and the second organic solvent 260 is provided to the substrate 220. The second organic solvent 260 may dilute and remove the first organic solvent 250 remaining on the substrate 220, and may flow to sufficiently cover the semiconductor pattern structures of the substrate 220. As a result, the second organic solvent 260 may be replaced with the first organic solvent 250 on the substrate 220 and distributed on the substrate 220. The third rotational speed may be faster than the second rotational speed so that the second organic solvent 260 may cover the substrate 220 after sufficiently diluting and removing the first organic solvent 250.
도 3h를 참조하면, 기판(220)을 상기 제3 회전속도보다 느린 속도로 회전시키며, 제1 유기 용제(250)가 제거된 기판(220) 상에 제2 유기 용제(260)가 유동하도록 한다. 이때, 제2 유기 용제(260)는 느린 속도로 말미암아, 기판(220) 내의 반도체 패턴 구조물 내에 충분히 침투할 수 있으며, 기판(220) 상에 충분히 양으로 집적될 수 있다. Referring to FIG. 3H, the substrate 220 is rotated at a slower speed than the third rotational speed, and the second organic solvent 260 flows on the substrate 220 from which the first organic solvent 250 is removed. . At this time, the second organic solvent 260 may sufficiently penetrate into the semiconductor pattern structure in the substrate 220 due to a slow speed, and may be integrated in a sufficient amount on the substrate 220.
도 3i를 참조하면, 기판(220)의 회전을 중단한 상태에서 기판(220)에 열을 제공하여 제2 유기 용제(260)를 가열시킨다. 이에 의해, 제2 유기 용제(260)의 적어도 일부분이 휘발할 수 있다. 도면을 참조하면, 기판(220)의 상부에 배치되는 히터(216)에 의해 발생하는 복사열을 기판(220)에 전달함으로써, 제2 유기 용제(260)를 가열시킬 수 있다. 상기 가열에 의해, 제2 유기 용제(260)는 일 예로서, 상온인 25 ℃ 이상 110℃ 이하를 유지할 수 있다.Referring to FIG. 3I, the second organic solvent 260 is heated by providing heat to the substrate 220 while the rotation of the substrate 220 is stopped. Thereby, at least one part of the 2nd organic solvent 260 can volatilize. Referring to the drawings, the second organic solvent 260 may be heated by transmitting radiant heat generated by the heater 216 disposed on the substrate 220 to the substrate 220. By the said heating, the 2nd organic solvent 260 can hold 25 degreeC or more and 110 degrees C or less which are normal temperature as an example.
도 3j를 참조하면, 기판(220)을 제4 회전속도로 회전시켜 제2 유기 용제(260)를 제거한다. 제2 유기 용제(260)는 기판(220)의 회전력에 의해 휘발함으로써 제거될 수 있다. 상기 제2 유기 용제(260)가 제거되면서, 기판(220)이 건조될 수 있다.Referring to FIG. 3J, the second organic solvent 260 is removed by rotating the substrate 220 at a fourth rotation speed. The second organic solvent 260 may be removed by volatilization by the rotational force of the substrate 220. The substrate 220 may be dried while the second organic solvent 260 is removed.
제2 유기 용제(260)의 제거 효율을 향상시키기 위해, 제4 회전속도는 상기 제3 회전속도보다 빠를 수 있다. 다르게는 상기 제4 회전속도는 상기 제1 내지 제3 회전속도 중 적어도 하나보다 빠를 수 있다.In order to improve the removal efficiency of the second organic solvent 260, the fourth rotation speed may be faster than the third rotation speed. Alternatively, the fourth rotation speed may be faster than at least one of the first to third rotation speeds.
몇몇 실시 예에 있어서, 도 3i 및 도 3j의 공정은 동시에 진행될 수도 있다. 구체적으로, 기판(220)을 소정의 회전속도로 회전시키면서 제2 유기 용제(260)를 가열하여, 유기 용제(260)를 기판(220)으로부터 제거할 수도 있다.In some embodiments, the process of FIGS. 3I and 3J may proceed simultaneously. Specifically, the second organic solvent 260 may be heated while the substrate 220 is rotated at a predetermined rotational speed to remove the organic solvent 260 from the substrate 220.
몇몇 다른 실시 예에 있어서, 도 3i와 관련하여 설명한 제2 유기 용제(260)에 대한 가열 공정은 생략될 수도 있다. 즉, 도 3h와 관련된 제2 유기 용제(260)의 유동 공정 후에, 바로 도 3j와 관련된 기판(220)의 회전 공정을 진행할 수 있다.In some other embodiments, the heating process for the second organic solvent 260 described with reference to FIG. 3I may be omitted. That is, immediately after the flow process of the second organic solvent 260 of FIG. 3H, the rotation process of the substrate 220 of FIG. 3J may be performed.
몇몇 다른 실시 예에 있어서, 도 3h와 관련된 제2 유기 용제(260)의 유동 공정 후에, 제2 유기 용제(260)을 자연 상태에서 증발시킬 수 있다. 제2 유기 용제(260)의 자연 상태의 증발이란, 일 예로서, 제2 유기 용제(260)가 집적된 기판(220)을 상온에서 방치하는 것을 의미할 수 있다.In some other embodiments, after the flow process of the second organic solvent 260 associated with FIG. 3H, the second organic solvent 260 may be evaporated in its natural state. The evaporation of the second organic solvent 260 in its natural state may mean, for example, leaving the substrate 220 in which the second organic solvent 260 is integrated at room temperature.
몇몇 실시 예에 있어서, 도 3f 내지 도 3h에 도시된 바와 같이 제2 유기 용제(260)를 기판(220)에 제공할 때, 제2 유기 용제(260)를 별도로 가열하여 상온보다 높은 상태로 유지시킨 채로, 기판(220)으로 분사시킬 수 있다. 이때, 제2 유기 용제(260)는 일 예로서, 상온인 25 ℃ 이상 110℃ 이하를 유지할 수 있다. 상기 온도로 가열된 제2 유기 용제(260)은 상온 상태보다 표면 장력이 작을 수 있다. In some embodiments, when the second organic solvent 260 is provided to the substrate 220 as illustrated in FIGS. 3F to 3H, the second organic solvent 260 is separately heated to maintain the temperature higher than room temperature. It can be sprayed to the substrate 220 while making it. In this case, the second organic solvent 260 may maintain, for example, 25 ° C. or more and 110 ° C. or less, which are room temperature. The second organic solvent 260 heated to the temperature may have a smaller surface tension than the normal temperature.
상술한 실시 예의 공정을 통하여, 세정 공정과 수반되는 기판의 건조 공정을 진행할 수 있다. 이하에서는, 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 건조 공정을 보다 구체화시킨 실시예를 기울어짐 테스트를 포함하는 실험예와 함께 설명한다.Through the process of the above-described embodiments, it is possible to proceed with the cleaning process and the drying process of the substrate. Hereinafter, an embodiment in which the drying process according to the embodiment of the present invention is further described will be described together with an experimental example including a tilt test.
실시예Example
집적된 반도체 패턴 구조물을 구비하는 제1 내지 제6 시편을 준비한다. 상기 반도체 패턴 구조물은 20 nm의 최소 선폭 및 간격을 가지며, 이와 대비하여 1:20의 상대적 고종횡비를 가지는 구조물일 수 있다. 일 예로서, 상기 구조물은 반도체 DRAM의 셀 영역 내부의 STI 배열 구조에 적용될 수 있다.First to sixth specimens having an integrated semiconductor pattern structure are prepared. The semiconductor pattern structure has a minimum line width and spacing of 20 nm, and may be a structure having a relative high aspect ratio of 1:20. As an example, the structure may be applied to an STI array structure inside a cell region of a semiconductor DRAM.
상기 제1 내지 제6 시편에 대하여 200:1로 희석된 불산 용액에서 세정 공정을 진행한다. 이어서, 제1 내지 제6 시편에 대하여 다음과 같이, 세척 및 건조 공정이 진행될 수 있다. The cleaning process is performed in a hydrofluoric acid solution diluted 200: 1 with respect to the first to sixth specimens. Subsequently, the washing and drying processes may be performed on the first to sixth specimens as follows.
상기 제1 시편의 경우, 비교예로서, 시편을 300 rpm의 회전속도로 회전시키면서 탈이온수를 사용하여 세척하고, 종래의 이소프로필알코올의 증기를 이용하는 건조 방법에 의해, 시편을 건조시킨다. 한편, 상기 제2 시편 내지 제6 시편의 경우, 본 발명의 일 실시 예에 따라 다음과 같이, 건조 공정이 수행된다.In the case of the first specimen, as a comparative example, the specimen is washed with deionized water while rotating at a rotational speed of 300 rpm, and the specimen is dried by a drying method using a conventional vapor of isopropyl alcohol. Meanwhile, in the case of the second to sixth specimens, a drying process is performed as follows according to an embodiment of the present invention.
상기 제2 내지 제6 시편을 300 rpm의 회전속도로 회전시키면서, 탈이온수를 제공하여 세척한다. 이어서, 상기 제2 내지 제6 시편을 500 rpm의 회전속도로 회전시키면서, 이소프로필알코올을 제공하여 상기 시편들 상의 탈이온수를 상기 이소프로필알코올로 교체한다. 이어서, 상기 제2 내지 제6 시편을 1000 rpm의 회전속도로 회전시키면서, 메톡시트리디카플루오르헵텐을 제공하여 상기 시편들 상의 상기 이소프로필알코올을 상기 메톡시트리디카플루오르헵텐으로 교체한다. 이후 시편의 건조 공정은 다음과 같이, 제2 시편 내지 제6 시편별로 분리하여 진행한다.The second to sixth specimens are rotated at a rotational speed of 300 rpm while providing deionized water for cleaning. Subsequently, while rotating the second to sixth specimens at a rotational speed of 500 rpm, isopropyl alcohol is provided to replace deionized water on the specimens with the isopropyl alcohol. Subsequently, while rotating the second to sixth specimens at a rotational speed of 1000 rpm, methoxytridifluorofluoroheptene is provided to replace the isopropyl alcohol on the specimens with the methoxytridifluorofluoroheptene. Thereafter, the drying process of the specimen is performed by separating the second to sixth specimens as follows.
먼저, 제2 시편의 경우, 시편의 회전을 중단시킨 상태에서 60℃의 온도에서 20초간 유지시킨 후에, 시편을 600 rpm의 회전속도로 회전시켜 상기 메톡시트리디카플루오르헵텐을 제거한다. 제3 시편의 경우, 시편의 회전을 중단시킨 상태에서, 60℃의 온도에서 20초간 유지시킨 후에, 시편을 1250 rpm의 회전속도로 회전시켜 상기 메톡시트리디카플루오르헵텐을 제거한다. 제4 시편의 경우, 시편의 회전을 중단시킨 상태에서 80℃의 온도에서 20초간 유지시킨 후에, 시편을 600 rpm의 회전속도로 회전시켜 상기 메톡시트리디카플루오르헵텐을 제거한다. 제5 시편의 경우, 시편의 회전을 중단시킨 상태에서 80℃의 온도에서 20초간 유지시킨 후에, 시편을 1250 rpm의 회전속도로 회전시켜 상기 메톡시트리디카플루오르헵텐을 제거한다. 제6 시편의 경우, 시편을 10 rpm의 회전속도로 회전시키면서, 80℃의 온도에서 85초간 유지시켰다.First, in the case of the second specimen, the specimen is maintained at a temperature of 60 ° C. for 20 seconds while the rotation of the specimen is stopped, and then the specimen is rotated at a rotational speed of 600 rpm to remove the methoxytridifluorofluoroheptene. In the case of the third specimen, while the rotation of the specimen is stopped, the specimen is held at a temperature of 60 ° C. for 20 seconds, and then the specimen is rotated at a rotational speed of 1250 rpm to remove the methoxytridifluorofluoroheptene. In the case of the fourth specimen, the methoxytridicafluoroheptene was removed by rotating the specimen at a rotational speed of 600 rpm after holding the specimen at a temperature of 80 ° C. for 20 seconds while stopping the rotation of the specimen. In the case of the fifth specimen, the methoxytridicafluoroheptene is removed by rotating the specimen at a rotational speed of 1250 rpm after maintaining the specimen at a temperature of 80 ° C. for 20 seconds while stopping the rotation of the specimen. In the case of the sixth specimen, the specimen was maintained at a temperature of 80 ° C. for 85 seconds while rotating at a rotational speed of 10 rpm.
실험례Experimental Example
상기 제1 내지 제6 시편에 대하여, 건조 공정이 완료된 후에, 광검출기를 이용하는 시편 결함 검사 장치를 사용하여, 시편들의 결함(defect)을 검사하였다. 이어서, 검출된 결함 각각을 전자현미경을 이용하여 관찰함으로, 반도체 패턴 구조물의 기울어짐 불량 여부를 판별하였다. 하기의 표 1은 상술한 실험결과를 정리한 것이다. For the first to sixth specimens, after the drying process was completed, defects of the specimens were inspected using a specimen defect inspection apparatus using a photodetector. Subsequently, each of the detected defects was observed using an electron microscope to determine whether the semiconductor pattern structure was inclined. Table 1 below summarizes the above experimental results.
표 1
시편 종류 결함의 상대적 개수 기울어짐 불량 여부
제1 시편 100 시편 외곽부 다수 존재
제2 시편 44 없음
제3 시편 18 없음
제4 시편 251 없음
제5 시편 190 없음
제6 시편 1776 없음
Table 1
Specimen Type Relative number of defects Poor tilt
1st Psalm
100 Existing Psalms Outside
Second Psalm 44 none
Third Psalm 18 none
Fourth Psalm 251 none
5th Psalm 190 none
6th Psalm 1776 none
고찰Review
상기 표 1에서, 결함의 상대적 개수는 상기 시편 결함 검사 장치를 통해 각 시편 별로 검출된 총 결함수를, 비교예인 시편 1의 결함수와 대비하여 나머지 각 시편 별로 상대적으로 나타낸 것이다. 즉, 표 1에서는 비교예의 총결함수를 100으로 정할 때, 나머지 실시 예의 시편에서 발견된 총결함수를 이와 대비하여 상대적인 비로 나타내고 있다. In Table 1, the relative number of defects represents the total number of defects detected for each specimen through the specimen defect inspection device for each of the remaining specimens relative to the number of defects of specimen 1, which is a comparative example. That is, in Table 1, when the total gross function of the comparative example is set to 100, the total gross function found in the specimens of the remaining examples is shown as a relative ratio.
한편, 기울어짐 불량 존부와 관련하여, 비교예인 제1 시편에서는 시편 외곽부를 따라 기울어짐 불량이 다수 발견되었다. 이와 대비하여, 제2 시편 내지 제6 시편의 경우, 총 결함수는 증감 변화가 있었으나, 기울어짐 불량은 발견되지 않았다. 이로써, 본 발명의 실시 예에 따르는 건조 공정은 비교예의 종래의 건조 공정에 비해 기울어짐 불량에 대한 저항력이 상대적으로 크다는 것을 알 수 있다.On the other hand, in relation to the inclination failure zone, a number of inclination defects were found along the outer edge of the specimen in the first specimen as a comparative example. In contrast, in the case of the second to sixth specimens, the total number of defects was increased or decreased, but no inclination was found. As a result, it can be seen that the drying process according to the embodiment of the present invention has a relatively large resistance to the inclination failure compared to the conventional drying process of the comparative example.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art to which the art belongs can make various modifications and other equivalent embodiments therefrom. Will understand. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the claims.

Claims (23)

  1. (a) 세정액에 의해 처리된 기판을 준비하는 단계;(a) preparing a substrate treated with a cleaning liquid;
    (b) 탈이온수를 이용하여 상기 기판으로부터 상기 세정액을 제거하는 단계;(b) removing the cleaning liquid from the substrate using deionized water;
    (c) 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 상기 기판에 제공하여, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 탈이온수를 상기 제1 유기 용제로 교체하는 단계; (c) providing a first organic solvent containing alcohol to the substrate, thereby replacing the deionized water remaining on the substrate with the first organic solvent;
    (d) 하이드로플루오로올레핀(hydrofluoroolefin)을 포함하는 제2 유기 용제를 상기 기판에 제공하여, 상기 기판 상의 상기 제1 유기 용제를 상기 제2 유기 용제로 교체하는 단계; 및(d) providing a second organic solvent comprising hydrofluoroolefin to the substrate, thereby replacing the first organic solvent on the substrate with the second organic solvent; And
    (e) 상기 제2 유기 용제를 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는(e) removing the second organic solvent from the substrate.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  2. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 제2 유기 용제의 표면 장력은 상기 제1 유기 용제의 표면 장력보다 작은The surface tension of the second organic solvent is less than the surface tension of the first organic solvent.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  3. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    (b) 단계는 step (b)
    상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 탈이온수를 상기 기판 상에 분사하는 단계를 포함하는Spraying the deionized water onto the substrate while the substrate is rotated;
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  4. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    (c) 단계는step (c)
    (c1) 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 탈이온수 및 상기 제1 유기 용제를 함께 상기 기판 상에 분사하는 단계; 및(c1) spraying the deionized water and the first organic solvent together on the substrate while the substrate is rotated; And
    (c2) 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 탈이온수의 공급을 중단하고 상기 제1 유기 용제를 상기 기판 상에 분사하는 단계를 포함하는(c2) stopping the supply of deionized water and spraying the first organic solvent on the substrate while the substrate is rotated;
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  5. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 제1 유기 용제는The first organic solvent
    메탄올, 에탄올 및 이소프로필알코올 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는At least one selected from methanol, ethanol and isopropyl alcohol
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  6. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    (d) 단계는step (d)
    (d1) 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 제1 유기 용제 및 상기 제2 유기 용제를 함께 상기 기판 상에 분사하는 단계; 및(d1) spraying the first organic solvent and the second organic solvent together on the substrate while the substrate is rotated; And
    (d2) 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 제1 유기 용제의 공급을 중단하고 상기 제2 유기 용제를 상기 기판 상에 분사하는 단계를 포함하는(d2) stopping the supply of the first organic solvent and spraying the second organic solvent on the substrate while the substrate is rotated;
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  7. 제6 항에 있어서,The method of claim 6,
    (d2) 단계는step (d2)
    상기 기판을 제1 회전 속도로 회전시켜, 상기 제2 유기 용제가 상기 기판 상의 상기 제1 유기 용제를 희석시켜 제거하도록 하는 단계; 및Rotating the substrate at a first rotational speed such that the second organic solvent dilutes and removes the first organic solvent on the substrate; And
    상기 기판을 상기 제1 회전 속도보다 느린 제2 회전 속도로 회전시켜, 상기 제1 유기 용제가 제거된 상기 기판 상에 상기 제2 유기 용제를 유동시키는 단계를 포함하는Rotating the substrate at a second rotational speed lower than the first rotational speed to flow the second organic solvent on the substrate from which the first organic solvent has been removed.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  8. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    (d) 단계는step (d)
    25 ℃ 이상 110℃ 이하의 온도로 가열된 상기 제2 유기 용제를 상기 기판으로 분사하는 단계를 포함하는Spraying the second organic solvent heated to a temperature of 25 ° C. or more and 110 ° C. or less to the substrate.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  9. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    (e) 단계는step (e)
    상기 기판을 회전시켜, 상기 유기 용제를 제거하는 단계를 포함하는Rotating the substrate to remove the organic solvent.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  10. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    (e) 단계는step (e)
    (e1) 상기 기판에 열을 제공하여, 상기 제2 유기 용제를 가열하는 단계; 및(e1) heating the second organic solvent by providing heat to the substrate; And
    (e2) 상기 기판을 회전시켜, 상기 유기 용제를 제거하는 단계를 포함하는(e2) rotating the substrate to remove the organic solvent.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  11. 제10 항에 있어서,The method of claim 10,
    상기 (e1) 단계는Step (e1)
    상기 기판의 회전을 중단시킨 상태에서, 상기 기판의 상부에 배치된 히터를 이용하여, 복사열을 상기 기판에 전달하는 단계를 포함하는In a state in which the rotation of the substrate is stopped, transmitting radiant heat to the substrate by using a heater disposed on the substrate.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  12. 제10 항에 있어서,The method of claim 10,
    상기 제2 유기 용제를 가열하는 단계는The heating of the second organic solvent
    상기 기판의 상부 또는 하부에 복사열을 제공하는 히터를 배치시키는 방법, 상기 기판의 하부에 열을 전도 또는 대류시킬 수 있는 히터를 배치시키는 방법, 및 상기 기판의 하부에 고온으로 가열된 액체를 분사하는 방법 중 적어도 하나 이상을 적용하는A method of arranging a heater for providing radiant heat to the top or bottom of the substrate, A method of arranging a heater capable of conducting or convection heat to the bottom of the substrate, and Injecting a liquid heated at a high temperature to the bottom of the substrate. To apply at least one of the methods
    기판의 건조 방법. Method of drying the substrate.
  13. 제10 항에 있어서,The method of claim 10,
    상기 제2 유기 용제를 가열하는 단계는The heating of the second organic solvent
    상기 제2 유기 용제의 온도를 25 ℃ 이상 110℃ 이하로 유지시키는 단계를 포함하는Maintaining the temperature of the second organic solvent at 25 ° C. or higher and 110 ° C. or lower.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  14. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 하이드로플루오로올레핀은 메톡시트리디카플루오르헵텐(methoxytridecafluoroheptene)을 포함하는The hydrofluoroolefin includes methoxytridecafluoroheptene
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  15. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 제1 유기 용제는 상기 탈이온수과 혼합 가능하며,The first organic solvent may be mixed with the deionized water,
    상기 제2 유기 용제는 상기 제1 유기 용제와 혼합 가능한 The second organic solvent can be mixed with the first organic solvent
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  16. (a) 세정액에 의해 처리된 기판을 준비하는 단계;(a) preparing a substrate treated with a cleaning liquid;
    (b) 상기 기판을 제1 회전속도로 회전시키며, 탈이온수를 상기 기판으로 제공하는 단계;(b) rotating the substrate at a first rotational speed and providing deionized water to the substrate;
    (c) 상기 기판을 제2 회전속도로 회전시키며, 탈이온수 및 알코올을 포함하는 제1 유기 용제를 상기 기판으로 제공하는 단계;(c) rotating the substrate at a second rotational speed and providing a first organic solvent comprising deionized water and an alcohol to the substrate;
    (d) 상기 기판을 제2 회전속도로 회전시키며, 상기 탈이온수의 공급을 중단한 상태에서 상기 제1 유기 용제를 상기 기판으로 제공하는 단계;(d) rotating the substrate at a second rotational speed and providing the first organic solvent to the substrate while the supply of deionized water is stopped;
    (e) 상기 기판을 제3 회전속도로 회전시키며, 상기 제1 유기 용제 및 하이드로플루오로올레핀(hydrofluoroolefin)을 포함하는 제2 유기 용제를 상기 기판으로 제공하는 단계;(e) rotating the substrate at a third rotational speed and providing a second organic solvent including the first organic solvent and a hydrofluoroolefin to the substrate;
    (f) 상기 기판을 제3 회전속도로 회전시키며, 상기 제1 유기 용제의 공급을 중단하고 상기 제2 유기 용제를 상기 기판으로 제공하는 단계;(f) rotating the substrate at a third rotational speed, stopping the supply of the first organic solvent and providing the second organic solvent to the substrate;
    (g) 상기 기판에 열을 제공하여 상기 제2 유기 용제를 가열하는 단계; 및(g) heating the second organic solvent by providing heat to the substrate; And
    (h) 상기 기판을 제4 회전속도로 회전시켜 상기 제2 유기 용제를 제거하는 단계를 포함하는(h) rotating the substrate at a fourth rotational speed to remove the second organic solvent.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  17. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 (g) 단계는 Step (g)
    상기 기판의 회전이 중단된 상태에서 수행되는The rotation of the substrate is stopped.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  18. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 (g) 단계 및 상기 (h) 단계는 Step (g) and step (h)
    상기 기판을 제4 회전속도로 회전시킨 상태에서 동시에 수행되는Simultaneously performed in a state in which the substrate is rotated at a fourth rotational speed
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  19. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 제1 내지 제4 회전속도는 각각 서로 다른 값을 가지는 The first to fourth rotational speeds have different values
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  20. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 알코올은 에탄올, 메탄올 및 이소프로필알코올(IPA) 중 선택되는 어느 하나인The alcohol is any one selected from ethanol, methanol and isopropyl alcohol (IPA)
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  21. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 하이드로플루오로올레핀은 메톡시트리디카플루오르헵텐(methoxytridecafluoroheptene)을 포함하는The hydrofluoroolefin includes methoxytridecafluoroheptene
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  22. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 제1 유기 용제는 상기 탈이온수과 혼합 가능하며,The first organic solvent may be mixed with the deionized water,
    상기 제2 유기 용제는 상기 제1 유기 용제와 혼합 가능한 The second organic solvent can be mixed with the first organic solvent
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
  23. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 제2 유기 용제의 표면 장력은 상기 탈이온수 및 상기 제1 유기 용제의 표면 장력보다 작은The surface tension of the second organic solvent is less than the surface tension of the deionized water and the first organic solvent.
    기판의 건조 방법.Method of drying the substrate.
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