WO2015125395A1 - X-ray inspection system, control method, control program, and control device - Google Patents

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康敏 梅原
克治 門沢
一郎 波岡
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東京エレクトロン株式会社
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Abstract

One embodiment of the disclosed X-ray inspection system (10) comprises an X-ray inspection device (100) and a control device (200). The control device (200) has the following: a transformation-function storage unit that stores a mapping between a shape-representing shape parameter and transformation functions; an image generation unit (231) that, on the basis of X-ray information obtained by the X-ray inspection device (100), generates a first X-ray image and a second X-ray image that is the first X-ray image with a higher resolution; a first shape computation unit (232) that, using a given transformation function for computing a shape parameter from image data, computes a shape parameter that represents the shape of an inspection subject in the first X-ray image generated by the image generation unit (231); and a second shape computation unit (233) that uses the shape parameter computed by the first shape computation unit (232) to select a transformation function stored in the transformation-function storage unit and uses the selected transformation function to compute a shape parameter from the second X-ray image.

Description

Ｘ線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置X-ray inspection system, control method, control program, and control apparatus
　本発明の種々の側面及び実施形態は、Ｘ線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置に関する。　 Various aspects and embodiments of the present invention relate to an X-ray inspection system, a control method, a control program, and a control apparatus. *
　Ｘ線検査装置は、Ｘ線非破壊検査など様々な分野で用いられている。Ｘ線検査装置は、電子を出射するフィラメント部と、フィラメント部から出射された電子が照射されるＸ線発生用ターゲットとを備える。Ｘ線検査装置は、フィラメント部から出射された電子をＸ線発生用ターゲットに衝突させることで、Ｘ線を外部に照射する。　 X-ray inspection equipment is used in various fields such as X-ray non-destructive inspection. The X-ray inspection apparatus includes a filament part that emits electrons and an X-ray generation target that is irradiated with electrons emitted from the filament part. The X-ray inspection apparatus irradiates X-rays to the outside by causing electrons emitted from the filament portion to collide with an X-ray generation target. *
　ここで、基板と、基板に埋設されたターゲット部とを備えるＸ線発生用ナノターゲットが考えられる。たとえば、Ｘ線発生用ナノターゲットは、イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）加工装置を用いてイオンビームを基板に照射してスパッタすることで、基板に有底状の穴を形成される。そして、Ｘ線発生用ナノターゲットは、基板の穴付近にＸ線発生用ターゲットの材料ガスを流しながら基板の穴にイオンビームを照射することで、穴に金属を堆積させてターゲット部を形成される。　 Here, a nano target for X-ray generation including a substrate and a target portion embedded in the substrate can be considered. For example, a nano target for X-ray generation forms a bottomed hole in a substrate by irradiating the substrate with an ion beam using an ion beam (FIB) processing apparatus and performing sputtering. The nano-target for X-ray generation is formed by depositing metal in the hole by irradiating the hole in the substrate with an ion beam while flowing the material gas of the target for X-ray generation near the hole in the substrate. The *
特開２０１１－７７０２７号公報JP 2011-77027 A
　しかしながら、Ｘ線発生用ナノターゲットを用いて高分解能非破壊透過像による検査を行うＸ線検査装置は、未だ実用されていない。　 However, an X-ray inspection apparatus that performs inspection with a high-resolution nondestructive transmission image using a nano-target for generating X-rays has not been put into practical use. *
　開示するＸ線検査システムは、一つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、制御装置とを有する。また、前記制御装置は、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部を有する。また、前記制御装置は、Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成部を有する。また、前記制御装置は、前記画像生成部により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出部を有する。また、前記制御装置は、前記第１形状算出部により算出された形状パラメータに基づいて前記変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出部を有する。 In one embodiment, the disclosed X-ray inspection system includes an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam, and a control apparatus. In addition, the control device includes a conversion function storage unit that stores a correspondence between a shape parameter indicating a shape and a conversion function. In addition, the control device is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection device. An image generation unit configured to generate a second X-ray image; In addition, the control device includes the first X-ray image generated by the image generation unit in the first X-ray image using an arbitrary conversion function for calculating a shape parameter from image data. A first shape calculation unit that calculates a shape parameter indicating the shape of the inspection target to be checked. In addition, the control device selects a conversion function stored in the conversion function storage unit based on the shape parameter calculated by the first shape calculation unit, and selects the selected conversion function for the second X-ray image. A second shape calculation unit for calculating a shape parameter using.
　また、開示するＸ線検査システムは、一つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置を有する。また、開示するＸ線検査システムは、一つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部と、前記ターゲット位置記憶部に記憶された位置に対してＸ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部とを有する制御装置を有する。 Also, the disclosed X-ray inspection system includes, in one embodiment, an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nano target when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam. In one embodiment, the disclosed X-ray inspection system includes a target position storage unit that stores position information indicating a position of an X-ray nano target provided on a substrate, and a position stored in the target position storage unit. In contrast, an X-ray inspection apparatus has a control device having an irradiation control unit that controls the electron beam irradiation unit to irradiate an electron beam.
　また、開示するＸ線検査システムは、一つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、制御装置とを備える。また、前記制御装置は、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報により特定される前記基板における位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する第１の照射制御部を有する。また、Ｘ線検査システムは、一つの実施形態において、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる第２の照射制御部を有する。また、Ｘ線検査システムは、一つの実施形態において、前記第２の照射制御部による照射位置の移動中、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する検出部を有する。また、Ｘ線検査システムは、一つの実施形態において、前記検出部による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが設けられた位置とのずれを算出する位置ずれ算出部を有する。また、Ｘ線検査システムは、一つの実施形態において、前記位置ずれ算出部により算出されたずれを解消する方向に、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を移動させる第３の照射制御部を有する。 Also, the disclosed X-ray inspection system includes, in one embodiment, an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam, and a control device. Further, the control device may cause the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate an electron beam to a position on the substrate specified by position information indicating a position of an X-ray nano target provided on the substrate. A first irradiation control unit for controlling the first irradiation control. Further, in one embodiment, the X-ray inspection system includes a second irradiation control unit that moves a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus by a predetermined distance. In one embodiment, the X-ray inspection system is configured to irradiate reflected electrons reflected from the substrate among the electrons included in the electron beam during the movement of the irradiation position by the second irradiation control unit, and irradiation of the electron beam. The detection unit detects irradiation information that is at least one of the X-rays generated from the X-ray nano target and the target current generated from the substrate by electron beam irradiation. Further, in one embodiment, the X-ray inspection system is configured to detect a deviation between a center of an electron beam irradiation range and a position where the X-ray nano target is provided on the substrate based on a detection result by the detection unit. A misregistration calculation unit is provided. In one embodiment, the X-ray inspection system moves the position irradiated with the electron beam from the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the shift calculated by the position shift calculation unit. And a third irradiation control unit.
　また、開示するＸ線検査システムは、一つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置を有する。また、Ｘ線検査システムは、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部と、前記差分算出部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整部とを有する制御装置を有する。 Also, the disclosed X-ray inspection system includes, in one embodiment, an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nano target when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam. Further, the X-ray inspection system has an X-ray image centered on an X-ray image obtained by irradiating an X-ray nano target with an electron beam by an electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus. And a difference calculation unit that calculates a difference between the position information indicating the position of the X-ray nano target in the vertical direction in the X-ray image, and a direction for canceling the difference calculated by the difference calculation unit And a position adjustment unit for adjusting the X-ray inspection apparatus.
　開示するＸ線検査システムの１つの態様によれば、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。　 According to one aspect of the disclosed X-ray inspection system, it is possible to appropriately acquire an X-ray image of an inspection object. *
図１は、第１の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the first embodiment. 図２は、第１の実施形態におけるＸ線検査システムの構成の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the X-ray inspection system according to the first embodiment. 図３は、第１の実施形態におけるＸ線検査システムの構成の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the configuration of the X-ray inspection system according to the first embodiment. 図４は、第１の実施形態におけるＸ線管の構成の一例を示す概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the X-ray tube in the first embodiment. 図５は、第１の実施形態に係るＸ線発生用ターゲットの断面構成を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a cross-sectional configuration of the X-ray generation target according to the first embodiment. 図６は、第１の実施形態におけるＸ線発生用ターゲットの分解斜視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view of the target for X-ray generation in the first embodiment. 図７は、第１の実施形態におけるターゲット位置テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an example of information stored in the target position table according to the first embodiment. 図８は、第１の実施形態における電子ビームの照射範囲にＸ線ターゲットが含まれる場合と、電子ビームの照射範囲にＸ線ターゲットが含まれない場合とを示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a case where the X-ray target is included in the electron beam irradiation range and a case where the X-ray target is not included in the electron beam irradiation range in the first embodiment. 図９は、第１の実施形態における特定部による処理の一例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an example of processing performed by the specifying unit according to the first embodiment. 図１０は、第１の実施形態における特定部による処理の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of processing performed by the specifying unit in the first embodiment. 図１１は、第１の実施形態における位置情報により特定されるＸ線発生用ナノターゲットの位置を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating the position of the nano target for X-ray generation specified by the position information in the first embodiment. 図１２は、第１の実施形態に係る制御装置によるターゲット位置テーブル作成処理の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of a flow of target position table creation processing by the control device according to the first embodiment. 図１３は、第２の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。FIG. 13 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the second embodiment. 図１４は、第２の実施形態におけるＸ線ナノターゲットを有するＸ発生用ターゲットと、サンプルステージと、カメラとの関係の一例を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a relationship among an X generation target having an X-ray nanotarget, a sample stage, and a camera according to the second embodiment. 図１５は、第２の実施形態におけるＸ線ナノターゲットを有するＸ発生用ターゲットと、サンプルステージと、カメラとの関係の一例を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a relationship among an X generation target having an X-ray nano target according to the second embodiment, a sample stage, and a camera. 図１６は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の中心にＸ線ナノターゲットが位置する場合の一例を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target is positioned at the center of the range imaged by the camera according to the second embodiment. 図１７は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の周辺部にＸ線ナノターゲットが位置する場合の一例を示す図である。FIG. 17 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target is located in the periphery of the range imaged by the camera according to the second embodiment. 図１８は、第２の実施形態における差分用画像テーブルに記憶される情報の一例を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating an example of information stored in the difference image table according to the second embodiment. 図１９は、第２の実施形態におけるあおり角について示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating the tilt angle in the second embodiment. 図２０は、第２の実施形態における電子ビームの照射位置の調整処理の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 20 is a flowchart illustrating an example of the flow of the adjustment process of the irradiation position of the electron beam in the second embodiment. 図２１は、第３の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。FIG. 21 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the third embodiment. 図２２は、第３の実施形態における照射制御部による検査の開始前の位置合わせを示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating the alignment before the start of the inspection by the irradiation control unit in the third embodiment. 図２３は、第３の実施形態における照射制御部による位置合わせにおいて得られる照射情報の一例を示す図である。FIG. 23 is a diagram illustrating an example of irradiation information obtained in the alignment by the irradiation control unit in the third embodiment. 図２４は、第３の実施形態における照射制御部による位置合わせにおいて得られる照射情報の一例を示す図である。FIG. 24 is a diagram illustrating an example of irradiation information obtained in the alignment by the irradiation control unit in the third embodiment. 図２５は、第３の実施形態における位置ずれ算出部について示す図である。FIG. 25 is a diagram illustrating a misregistration calculation unit according to the third embodiment. 図２６は、第３の実施形態における判定部について示すための図である。FIG. 26 is a diagram for illustrating a determination unit according to the third embodiment. 図２７は、第３の実施形態における判定部について示すための図である。FIG. 27 is a diagram for illustrating the determination unit according to the third embodiment. 図２８は、第３の実施形態における判定部について示すための図である。FIG. 28 is a diagram for illustrating a determination unit according to the third embodiment. 図２９は、第３の実施形態における照射制御部について示す図である。FIG. 29 is a diagram illustrating an irradiation control unit according to the third embodiment. 図３０は、第３の実施形態における検査開始時における位置合わせ処理の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 30 is a flowchart illustrating an example of the flow of alignment processing at the start of inspection in the third embodiment. 図３１は、第３の実施形態における検査中における位置合わせ処理の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 31 is a flowchart illustrating an example of a flow of alignment processing during an inspection according to the third embodiment. 図３２は、第３の実施形態における判定処理の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 32 is a flowchart illustrating an example of the flow of determination processing according to the third embodiment. 図３３は、第４の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。FIG. 33 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the fourth embodiment. 図３４は、第４の実施形態における画像テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。FIG. 34 is a diagram illustrating an example of information stored in an image table according to the fourth embodiment. 図３５は、第４の実施形態における変換関数テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。FIG. 35 is a diagram illustrating an example of information stored in the conversion function table according to the fourth embodiment. 図３６は、第４の実施形態における変換関数作成部による変換関数作成処理の一例を示す図である。FIG. 36 is a diagram illustrating an example of a conversion function creation process by the conversion function creation unit according to the fourth embodiment. 図３７は、第４の実施形態における変換関数作成部による変換関数作成処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 37 is a flowchart illustrating an example of a conversion function creation process by the conversion function creation unit according to the fourth embodiment. 図３８は、第４の実施形態における形状算出処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 38 is a flowchart illustrating an example of a shape calculation process according to the fourth embodiment. 図３９は、第５の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。FIG. 39 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the fifth embodiment. 図４０は、第５の実施形態における移動制御部による制御内容について示す図である。FIG. 40 is a diagram illustrating the contents of control by the movement control unit in the fifth embodiment. 図４１は、第５の実施形態におけるラミノグラフィ画像生成部について示す図である。FIG. 41 is a diagram illustrating a laminography image generation unit according to the fifth embodiment. 図４２は、第５の実施形態におけるラミノグラフィ画像処理の流れの一例を示すフローチャートである。FIG. 42 is a flowchart illustrating an example of the flow of laminography image processing in the fifth embodiment. 図４３は、第６の実施形態におけるＸ線管の構成の一例を示す概念図である。FIG. 43 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the X-ray tube in the sixth embodiment. 図４４は、検査中における位置合わせに用いる移動量として適した値について示す図である。FIG. 44 is a diagram showing values suitable as movement amounts used for alignment during inspection. 図４５は、検査中における位置合わせに用いる移動量として適した値について示す図である。FIG. 45 is a diagram showing values suitable as movement amounts used for alignment during inspection. 図４６は、検査中における位置合わせに用いる移動量として適した値について示す図である。FIG. 46 is a diagram showing values suitable as movement amounts used for alignment during inspection. 図４７は、検査中における位置合わせに用いる移動量として適した値について示す図である。FIG. 47 is a diagram showing values suitable as movement amounts used for alignment during inspection. 図４８は、拡大倍率補正方法において用いる数式について説明するための図である。FIG. 48 is a diagram for explaining mathematical formulas used in the magnification correction method. 図４９は、Ｘ線検査システムと他の検査との連携について説明するための図である。FIG. 49 is a diagram for explaining the cooperation between the X-ray inspection system and other inspections.
　以下に、開示するＸ線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。　 Hereinafter, embodiments of the disclosed X-ray inspection system, control method, control program, and control apparatus will be described in detail based on the drawings. The invention disclosed by this embodiment is not limited. Each embodiment can be appropriately combined as long as the processing contents do not contradict each other. *
（第１の実施形態）
　第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、１つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部と、前記ターゲット位置記憶部に記憶された位置に対してＸ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部とを有する制御装置とを備える。　 (First embodiment)
In one embodiment, the X-ray inspection system according to the first embodiment is provided on an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget by irradiating an electron beam with an electron beam irradiation unit, and a substrate. A target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target, and an electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus irradiates an electron beam to the position stored in the target position storage unit And a control device having an irradiation control unit to control.
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記基板には複数のＸ線ナノターゲットが設けられ、前記ターゲット位置記憶部は、複数ある前記Ｘ線ナノターゲット各々について前記位置情報を記憶する。　 Moreover, the X-ray inspection system according to the first embodiment, for example, in one embodiment, the substrate is provided with a plurality of X-ray nano targets, and the target position storage unit includes a plurality of the X-ray nano targets. The position information is stored for each. *
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記制御装置は、前記基板を電子ビームで走査するように前記電子ビーム照射部を制御する。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を取得する取得部を更に備える。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、前記取得部により取得された照射情報に基づいて、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが位置する位置情報を特定する特定部を更に備える。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、前記特定部により特定された位置情報を前記ターゲット位置記憶部に格納する格納部を更に備える。　 In the X-ray inspection system according to the first embodiment, for example, in one embodiment, the control device controls the electron beam irradiation unit so as to scan the substrate with an electron beam. The X-ray inspection system according to the first embodiment includes a reflected electron reflected from the substrate among electrons contained in the electron beam, an X-ray generated from the X-ray nano target by irradiation of the electron beam, and an electron. An acquisition unit is further provided for acquiring irradiation information that is at least one of the target current generated from the substrate by irradiation of the beam. In addition, the X-ray inspection system according to the first embodiment further includes a specifying unit that specifies position information where the X-ray nano target is located on the substrate based on the irradiation information acquired by the acquiring unit. The X-ray inspection system according to the first embodiment further includes a storage unit that stores the position information specified by the specifying unit in the target position storage unit. *
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記特定部は、前記照射情報に基づいて前記基板の画像情報を作成し、該画像情報において、前記基板において走査された領域のうち前記Ｘ線ナノターゲットに電子ビームが照射された照射位置を示すＸ線ナノターゲット範囲を識別し、該Ｘ線ナノターゲット範囲の中心位置を識別することで、前記位置情報を特定する。　 Further, in the X-ray inspection system according to the first embodiment, for example, in one embodiment, the specifying unit creates image information of the substrate based on the irradiation information, and the image information By identifying an X-ray nanotarget range indicating an irradiation position where the electron beam is irradiated to the X-ray nanotarget in the scanned region, and identifying a center position of the X-ray nanotarget range, the position information is obtained. Identify. *
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記ターゲット位置記憶部は、複数ある前記Ｘ線ナノターゲットごとに、前記位置情報を特定する際に用いた電子ビームの照射条件を更に記憶する。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムでは、前記格納部は、前記位置情報と前記照射条件とを前記ターゲット位置記憶部に格納する。　 Moreover, the X-ray inspection system in 1st Embodiment is the electron used when the said target position memory | storage part specified the said positional information for every said X-ray nano target in one Embodiment, for example in one Embodiment. The beam irradiation conditions are further stored. In the X-ray inspection system according to the first embodiment, the storage unit stores the position information and the irradiation condition in the target position storage unit. *
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記ターゲット位置記憶部は、前記電子ビームが照射される前記基板の照射面におけるＸＹ座標を前記位置情報として記憶する。　 In the X-ray inspection system according to the first embodiment, for example, in one embodiment, the target position storage unit stores XY coordinates on the irradiation surface of the substrate irradiated with the electron beam as the position information. To do. *
　また、第１の実施形態における制御方法は、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部から位置情報を読み出す読出工程と、前記読出工程によって読み出された位置情報により示される位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御工程とを含む。 In one embodiment, the control method according to the first embodiment reads the position information from the target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate, An irradiation control step of controlling the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam to the position indicated by the position information read by the reading step.
　また、第１の実施形態における制御プログラムは、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部から位置情報を読み出す読出手順と、前記読出手順によって読み出された位置情報により示される位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御手順とコンピュータに実行させる。　 In one embodiment, the control program according to the first embodiment is a reading procedure for reading position information from a target position storage unit that stores position information indicating the position of an X-ray nano target provided on a substrate; An irradiation control procedure for controlling the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam to the position indicated by the position information read by the reading procedure and the computer are executed. *
　また、第１の実施形態における制御装置は、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部と、前記ターゲット位置記憶部に記憶された位置に対してＸ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部とを備える。　 In one embodiment, the control device according to the first embodiment is stored in the target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate, and the target position storage unit. And an irradiation control unit that controls the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam with respect to the position. *
（第１の実施形態に係るＸ線検査システム）
　図１は、第１の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。図１に示すように、Ｘ線検査システム１０は、Ｘ線検査装置１００と、制御装置２００とを有する。　 (X-ray inspection system according to the first embodiment)
FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the X-ray inspection system 10 includes an X-ray inspection apparatus 100 and a control apparatus 200.
　図２及び図３は、第１の実施形態におけるＸ線検査システムの構成の一例を示す図である。Ｘ線検査装置１００では、電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲット１１２ｂを有するＸ線発生用ターゲット１１２に電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線を照射する。たとえば、Ｘ線検査装置１００は、３次元高集積化技術により適切に３次元構造が形成されたかを確認するために用いられる。より詳細な一例をあげて説明すると、ＴＳＶ（Through　Silicon　Via、シリコン貫通ビア）の形状や欠陥の有無を検査する際に用いられる。ただし、これに限定されるものではなく、任意の対象物を検査するのに用いて良い。なお、Ｘ線検査装置１００による検査は、非破壊検査である。以下では、Ｘ線検査装置１００による検査対象が基板である場合を例に説明するが、これに限定されるものではなく、任意のサンプルが検査対象であって良い。　 2 and 3 are diagrams showing an example of the configuration of the X-ray inspection system according to the first embodiment. In the X-ray inspection apparatus 100, the electron beam irradiation unit 111 irradiates an X-ray from the X-ray nano target 112b by irradiating the X-ray generation target 112 having the X-ray nano target 112b with an electron beam. For example, the X-ray inspection apparatus 100 is used for confirming whether a three-dimensional structure is appropriately formed by a three-dimensional high integration technique. To explain with a more detailed example, it is used to inspect the shape of TSV (Through Silicon Via, through silicon via) and the presence or absence of defects. However, the present invention is not limited to this, and may be used to inspect an arbitrary object. The inspection by the X-ray inspection apparatus 100 is a nondestructive inspection. Hereinafter, a case where the inspection target by the X-ray inspection apparatus 100 is a substrate will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and any sample may be the inspection target. *
　図２に示す例では、Ｘ線検査装置１００は、外部から検査対象となる基板が搬入されるロードポート１０１と、ロードポート１０１に搬入された基板をノッチアライナー１０３に載置するウエハロボット１０２と、ウエハロボット１０２によって載置されたウエハの位置合わせを行うノッチアライナー１０３と、ノッチアライナー１０３によって位置合わせが終了した基板を鉛隔壁１０４によって囲まれているＸ線検査室内に搬入するためのウエハドア１０５とを有する。　 In the example shown in FIG. 2, the X-ray inspection apparatus 100 includes a load port 101 into which a substrate to be inspected is loaded from the outside, and a wafer robot 102 that places the substrate loaded into the load port 101 on a notch aligner 103. , A notch aligner 103 for aligning the wafer placed by the wafer robot 102, and a wafer door 105 for carrying the substrate, which has been aligned by the notch aligner 103, into the X-ray inspection chamber surrounded by the lead partition wall 104. And have. *
　Ｘ線検査装置１００は、電子ビーム照射部１１１とＸ線発生用ターゲット１１２とを有してＸ線を照射するＸ線管１１０を有する。また、Ｘ線検査装置１００は、ウエハドア１０５からＸ線検査室内へと搬入された基板が載置されるサンプルステージ１０６を有する。また、Ｘ線検査装置１００は、電子ビームに含まれる電子のうち基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射によりＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線と、電子ビームの照射により基板から発生したターゲット電流とのうち少なくとも１つを検出する検出器１０７を有する。また、Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線を検出するＸ線カメラ１０８を有する。たとえば、検出器１０７がＸ線の線量を検出する場合、サンプルステージ１０６の下部において、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂにより発生するＸ線の発生放射角度以内に配置する。検出器１０７に対して、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂ以外からやってくる外来のＸ線を排除するための金属製の筒状のカバーを更に設置しても良い。外来のＸ線とは、たとえば、コンプトン散乱や、宇宙線起因のＸ線などである。　 The X-ray inspection apparatus 100 includes an X-ray tube 110 that includes an electron beam irradiation unit 111 and an X-ray generation target 112 and irradiates X-rays. Further, the X-ray inspection apparatus 100 includes a sample stage 106 on which a substrate carried from the wafer door 105 into the X-ray inspection chamber is placed. The X-ray inspection apparatus 100 generates reflected electrons reflected from the substrate among the electrons contained in the electron beam, X-rays generated from the X-ray nano target 112b by the electron beam irradiation, and generated from the substrate by the electron beam irradiation. And a detector 107 for detecting at least one of the target currents. The X-ray inspection apparatus 100 includes an X-ray camera 108 that detects X-rays. For example, when the detector 107 detects an X-ray dose, the detector 107 is disposed below the sample stage 106 within an X-ray generation radiation angle generated by the X-ray nano target 112b. A metallic cylindrical cover for excluding extraneous X-rays coming from other than the X-ray nano target 112b may be further installed on the detector 107. The extraneous X-rays are, for example, Compton scattering and X-rays derived from cosmic rays. *
　図３に示すように、Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線カメラ１０８を移動させるためのカメラステージ１０９を更に備える。Ｘ線検査装置１００では、Ｘ線管１１０がＸ線を照射すると、Ｘ線カメラ１０８が、サンプルステージ１０６に載置される基板を通過したＸ線を検出する。　 As shown in FIG. 3, the X-ray inspection apparatus 100 further includes a camera stage 109 for moving the X-ray camera 108. In the X-ray inspection apparatus 100, when the X-ray tube 110 emits X-rays, the X-ray camera 108 detects X-rays that have passed through the substrate placed on the sample stage 106. *
　なお、図２に示すＸ線検査装置１００の構成は、あくまで一例であり、これに限定されるものではない。たとえば、Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線検査室内やサンプルステージ１０６に載置された基板の光学映像を取得する光学顕微鏡と、Ｘ線検査室内やサンプルステージ１０６に載置された基板のＩＲ情報を取得するＩＲ（Infrared　Spectroscopy）センサとのうち一方又は両方を有しても良い。　 Note that the configuration of the X-ray inspection apparatus 100 shown in FIG. 2 is merely an example, and the present invention is not limited to this. For example, the X-ray inspection apparatus 100 includes an optical microscope that acquires an optical image of a substrate placed on the X-ray examination room or the sample stage 106, and IR information on the substrate placed on the X-ray examination room or the sample stage 106. One or both of an IR (Infrared Spectroscopy) sensor for acquiring *
　図４は、第１の実施形態におけるＸ線管の構成の一例を示す概念図である。図４に示すように、Ｘ線管１１０の電子ビーム照射部１１１は、電力供給により発熱して電子ビームを発生するフィラメント１１１ａと、アノード１１１ｂと、スキャンコイル１１１ｃと、コンデンサレンズ１１１ｄと、アパーチャ１１１ｅと、アライメントコイル１１１ｆと、対物レンズ１１１ｇと、アパーチャ１１１ｈとを有する。　 FIG. 4 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the X-ray tube in the first embodiment. As shown in FIG. 4, the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray tube 110 includes a filament 111a that generates heat and generates an electron beam by supplying power, an anode 111b, a scan coil 111c, a condenser lens 111d, and an aperture 111e. An alignment coil 111f, an objective lens 111g, and an aperture 111h. *
　ここで、フィラメント１１１ａは、熱電子放出を利用した熱電子銃の陰極である。フィラメント１１１ａを熱電子銃の陰極として用いることで、ショットキー電子銃を用いる場合と比較してコストの低下や電流安定化をはかることが可能となる。アノード１１１ｂは、電子銃の電極の１つである。アノード１１１ｂは、陰極に対してプラスの高電圧を印加させ、電子を加速させる。スキャンコイル１１１ｃは、電子線をナノターゲットのある位置へ走査させるためのコイルである。コンデンサレンズ１１１ｄは、電子銃と対物レンズの間に置かれたレンズである。アパーチャ１１１ｅは、コンデンサレンズ１１１ｄで絞られた電子源像をある一定に絞り込む。アライメントコイル１１１ｆは、アパーチャ１１１ｅの絞り幅を変更するためのコイルである。対物レンズ１１１ｇは、Ｘ線ナノターゲットに対する焦点距離を調節するレンズである。対物レンズ１１１ｇは、対物レンズ１１１ｇを形成するコイルに流される電流が変化させられてナノターゲットとのピント合わせが行われることで、Ｘ線照射条件の最適化に用いられる。アパーチャ１１１ｈ（対物レンズ絞り）は、対物レンズ１１１ｇに入射する電子線の内、光軸近傍の電子線のみを通過させて、それ以外を遮蔽するための絞りである。　 Here, the filament 111a is a cathode of a thermionic gun using thermionic emission. By using the filament 111a as the cathode of the thermionic gun, the cost can be reduced and the current can be stabilized as compared with the case where the Schottky electron gun is used. The anode 111b is one of the electrodes of the electron gun. The anode 111b applies a positive high voltage to the cathode and accelerates electrons. The scan coil 111c is a coil for scanning the electron beam to a certain position of the nano target. The condenser lens 111d is a lens placed between the electron gun and the objective lens. The aperture 111e narrows the electron source image narrowed down by the condenser lens 111d to a certain constant. The alignment coil 111f is a coil for changing the aperture width of the aperture 111e. The objective lens 111g is a lens that adjusts the focal length with respect to the X-ray nano target. The objective lens 111g is used for optimizing the X-ray irradiation conditions by changing the current passed through the coil forming the objective lens 111g and performing focusing with the nano target. The aperture 111h (objective lens stop) is a stop for allowing only the electron beam in the vicinity of the optical axis of the electron beam incident on the objective lens 111g to pass therethrough and blocking the other. *
　図５は、第１の実施形態におけるＸ線発生用ターゲットの断面構成を説明するための図である。図６は、第１の実施形態に係るＸ線発生用ターゲットの分解斜視図である。図５及び図６に示す例では、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、基板１１２ａと、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとを有する。なお、図５及び図６に示すＸ線発生用ターゲット１１２は一例であり、これに限定されるものではない。　 FIG. 5 is a diagram for explaining a cross-sectional configuration of the X-ray generation target in the first embodiment. FIG. 6 is an exploded perspective view of the X-ray generation target according to the first embodiment. In the example shown in FIGS. 5 and 6, the X-ray generation target 112 includes a substrate 112a and an X-ray nano target 112b. The X-ray generation target 112 shown in FIGS. 5 and 6 is an example, and the present invention is not limited to this. *
　基板１１２ａは、たとえば、ダイヤモンドで形成され、円板形状に形成される。基板１１２ａは、板面の一方の照射面１１２ｃと、板面の反対側の裏面１１２ｄを有する。基板１１２ａは、円板形状に限られず、他の形状、たとえば角板形状に形成されていても良い。基板１１２ａの厚みは、たとえば、１００μｍ程度に設定される。基板１１２ａの外径は、たとえば、３ｍｍ程度に設定される。　 The substrate 112a is made of, for example, diamond and is formed in a disc shape. The substrate 112a has one irradiation surface 112c on the plate surface and a back surface 112d on the opposite side of the plate surface. The substrate 112a is not limited to a disc shape, and may be formed in other shapes, for example, a square plate shape. The thickness of the substrate 112a is set to about 100 μm, for example. The outer diameter of the substrate 112a is set to about 3 mm, for example. *
　このように、穴１１２ｅがダイヤモンドに形成されることで、Ｘ線発生時にでる熱を効率良く拡散することが可能となり、大きな電流をかけることが可能となる。　 As described above, since the hole 112e is formed in the diamond, the heat generated when the X-ray is generated can be efficiently diffused, and a large current can be applied. *
　図５及び図６に示す例では、基板１１２ａには、照射面１１２ｃ側から有底状の穴１１２ｅが形成される。穴１１２ｅは、底面と側壁面とで形成される内側空間を有する。穴１１２ｅの内側空間は、たとえば、円柱体形状に形成される。ただし、穴１１２ｅの内側空間は円柱体形状に限定されるものではなく、角柱体形状など任意の形状であっても良い。穴１１２ｅの内径は、たとえば、１００ｎｍ程度に設定される。穴１１２ｅの深さは、たとえば、１μｍ程度に設定される。このように、穴１１２ｅは、穴径が小さく形成されるとともに、穴のアスペクト比が大きくなるように形成される。　 In the example shown in FIGS. 5 and 6, a bottomed hole 112e is formed on the substrate 112a from the irradiation surface 112c side. The hole 112e has an inner space formed by a bottom surface and a side wall surface. The inner space of the hole 112e is formed in a cylindrical body shape, for example. However, the inner space of the hole 112e is not limited to a cylindrical body shape, and may be an arbitrary shape such as a prismatic body shape. The inner diameter of the hole 112e is set to about 100 nm, for example. The depth of the hole 112e is set to about 1 μm, for example. Thus, the hole 112e is formed so that the hole diameter is small and the aspect ratio of the hole is large. *
　Ｘ線ナノターゲット１１２ｂは、基板１１２ａに形成されている穴１１２ｅ内に配置される。Ｘ線ナノターゲット１１２ｂは、金属で形成され、穴１１２ｅの内側空間に対応した円柱体形状に形成される。Ｘ線ターゲット１１２ｂを構成する金属としては、たとえば、銅、タングステン、金、白金等である。　 The X-ray nano target 112b is disposed in the hole 112e formed in the substrate 112a. The X-ray nano target 112b is made of metal and has a cylindrical shape corresponding to the inner space of the hole 112e. Examples of the metal constituting the X-ray target 112b include copper, tungsten, gold, and platinum. *
　Ｘ線ナノターゲット１１２ｂは、穴１１２ｅの内側空間の形状に対応して形成される。円柱形状の軸方向の長さは、たとえば、１μｍ程度となる。円柱形状の径方向の長さは、たとえば、１００ｎｍ程度となる。なお、図６に示す例では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが９つ設けられる場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの数は任意であって良い。　 The X-ray nano target 112b is formed corresponding to the shape of the inner space of the hole 112e. The axial length of the columnar shape is, for example, about 1 μm. The length of the cylindrical shape in the radial direction is, for example, about 100 nm. In the example shown in FIG. 6, the case where nine X-ray nano targets 112b are provided is shown as an example, but the present invention is not limited to this, and the number of X-ray nano targets 112b may be arbitrary. *
　図１の説明に戻り、制御装置２００について説明する。図１に示すように、制御装置２００は、入出力部２０１と、記憶部２１０と、制御部２２０とを有する。制御装置２００は、以下に詳細に説明するように、Ｘ線検査装置１００と接続され、Ｘ線検査装置１００を制御する。　 Returning to the description of FIG. 1, the control device 200 will be described. As illustrated in FIG. 1, the control device 200 includes an input / output unit 201, a storage unit 210, and a control unit 220. The control device 200 is connected to the X-ray inspection apparatus 100 and controls the X-ray inspection apparatus 100 as described in detail below. *
　入出力部２０１は、制御部２２０と接続される。入出力部２０１は、たとえば、キーボードやマウス、マイクなどを有し、情報や指示を利用者から受け付け、受け付けた情報や指示を制御部２２０に入力する。また、入出力部２０１は、ディスプレイやスピーカ等の出力装置を有し、情報を利用者に出力する。また、入出力部２０１は、制御装置２００と情報を送受信する。なお、入出力部２０１によって入力されたり出力されたりする情報や指示の詳細については、ここでは説明を省略し、関係する各部について説明する際に併せて説明する。　 The input / output unit 201 is connected to the control unit 220. The input / output unit 201 includes, for example, a keyboard, a mouse, a microphone, and the like, receives information and instructions from the user, and inputs the received information and instructions to the control unit 220. The input / output unit 201 includes an output device such as a display and a speaker, and outputs information to the user. The input / output unit 201 transmits and receives information to and from the control device 200. The details of information and instructions input or output by the input / output unit 201 are not described here, and will be described together with description of each related unit. *
　記憶部２１０は、制御部２２０と接続される。記憶部２１０は、制御部２２０による各種処理に用いるデータを記憶する。記憶部２１０は、たとえば、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）やＲＯＭ（Read　Only　Memory）、フラッシュメモリ（Flash　Memory）などの半導体メモリ素子、又は、ハードディスクや光ディスクなどである。図１に示す例では、記憶部２１０は、ターゲット位置テーブル２１１を有する。　 The storage unit 210 is connected to the control unit 220. The storage unit 210 stores data used for various processes performed by the control unit 220. The storage unit 210 is, for example, a semiconductor memory device such as a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), and a flash memory (Flash Memory), or a hard disk or an optical disk. In the example illustrated in FIG. 1, the storage unit 210 includes a target position table 211. *
　ターゲット位置テーブル２１１は、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置を示す位置情報を記憶する。具体的には、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂ各々について、位置情報を記憶する。たとえば、ターゲット位置テーブル２１１は、電子ビームが照射される基板１１２ａの照射面１１２ｃにおけるＸＹ座標を位置情報として記憶する。より詳細な一例をあげて説明すると、ターゲット位置テーブル２１１は、基板１１２ａの所定の箇所を起点とするＸＹ座標を位置情報として記憶する。　 The target position table 211 stores position information indicating the position of the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a. Specifically, the target position table 211 stores position information for each of a plurality of X-ray nano targets 112b. For example, the target position table 211 stores XY coordinates on the irradiation surface 112c of the substrate 112a irradiated with the electron beam as position information. To explain with a more detailed example, the target position table 211 stores XY coordinates starting from a predetermined location on the substrate 112a as position information. *
　また、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ターゲット１１２ｂごとに、位置情報を特定する際に用いた電子ビームの照射条件を更に記憶する。たとえば、ターゲット位置テーブル２１１は、後述するように位置情報を取得する際にＸ線管１１０が電子ビームを照射する際に用いた照射条件として、アライメント値、フォーカス値、管電流・電圧値、Ｘ線線量値、照射累計時間を記憶する。　 Further, the target position table 211 further stores the electron beam irradiation conditions used for specifying the position information for each of the plurality of X-ray targets 112b. For example, the target position table 211 has an alignment value, a focus value, a tube current / voltage value, an X as an irradiation condition used when the X-ray tube 110 irradiates an electron beam when acquiring position information as described later. Stores the radiation dose value and the cumulative irradiation time. *
　図７は、第１の実施形態におけるターゲット位置テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。図７に示す例では、ターゲット位置テーブル２１１は、Ｘ線発生用ターゲット１１２を一意に識別する識別情報である「ターゲットＩＤ」と、ターゲットＩＤにより識別されるＸ線発生用ターゲット１１２の基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂ各々を一意に識別する識別情報である「ナノターゲットＩＤ」と、「位置情報」と、「照射条件」とを対応付けて記憶する。また、図７に示す例では、照射条件として、「アライメント値」と、「フォーカス値」と、「管電流・電圧値」と、「Ｘ線線量値」と、「照射累計時間」とを記憶する場合を例に示した。　 FIG. 7 is a diagram illustrating an example of information stored in the target position table according to the first embodiment. In the example illustrated in FIG. 7, the target position table 211 includes “target ID” which is identification information for uniquely identifying the X-ray generation target 112 and the substrate 112 a of the X-ray generation target 112 identified by the target ID. “Nano target ID”, which is identification information for uniquely identifying each of the provided X-ray nano targets 112b, “position information”, and “irradiation conditions” are stored in association with each other. In the example shown in FIG. 7, “alignment value”, “focus value”, “tube current / voltage value”, “X-ray dose value”, and “irradiation cumulative time” are stored as irradiation conditions. The case of doing is shown as an example. *
　この場合、ターゲット位置テーブル２１１は、たとえば、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」と、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」と、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」とを対応付けて記憶し、更に、照射条件として、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（ａ．ｕ．）」と、照射累計時間「１２２．５（ｈ）」とを対応付けて記憶する。　 In this case, the target position table 211 stores, for example, the target ID “T001”, the nano target ID “NT01”, and the position information “2.5 (μm), 2.5 (μm)” in association with each other. Further, as irradiation conditions, alignment values “2.5 (V), 1.3 (V)”, focus value “10000 (au)”, tube current / voltage value “50 (kV), 60 (kV) ”, the X-ray dose value“ 1.1 (au) ”, and the cumulative irradiation time“ 122.5 (h) ”are stored in association with each other. *
　すなわち、ターゲット位置テーブル２１１は、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」に設けられたナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」により特定されるＸ線ナノターゲット１１２ｂが、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」により特定される位置にあることを記憶する。また、ターゲット位置テーブル２１１は、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」により特定されるＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」が、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（ａ．ｕ．）」とが用いられて電子ビームが照射された際に取得されたことを記憶する。また、ターゲット位置テーブル２１１は、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」により特定されるＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」について、電子ビームが照射されたＸ線を照射した累計時間が「１２２．５（ｈ）」であることを記憶する。　 In other words, the target position table 211 indicates that the X-ray nano target 112b specified by the nano target ID “NT01” provided for the target ID “T001” has position information “2.5 (μm), 2.5 (μm)”. Is stored at the position specified by “”. Further, in the target position table 211, the position information “2.5 (μm), 2.5 (μm)” of the X-ray nano target 112b specified by the nano target ID “NT01” is the alignment value “2.5 ( V), 1.3 (V) ", a focus value" 10000 (au) ", a tube current / voltage value" 50 (kV), 60 (kV) ", and an X-ray dose value" 1. 1 (au) "is used to store what was acquired when the electron beam was irradiated. Further, the target position table 211 indicates that the position information “2.5 (μm), 2.5 (μm)” of the X-ray nano target 112b specified by the nano target ID “NT01” is irradiated with an electron beam X It is stored that the cumulative time of irradiation with the line is “122.5 (h)”. *
　なお、上述した例では、位置情報として、Ｘ線発生用ターゲット１１２の基板１１２ａにおける座標情報を記憶する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。たとえば、基板１１２ａにおける位置を一意に特定できる情報であれば、任意の情報を記憶して良い。　 In the above-described example, the coordinate information on the substrate 112a of the X-ray generation target 112 is stored as the position information. However, the present invention is not limited to this. For example, any information may be stored as long as the information can uniquely identify the position on the substrate 112a. *
　制御部２２０は、入出力部２０１と記憶部２１０と接続される。制御部２２０は、各種の処理手順などを規定したプログラムを記憶する内部メモリを有し、種々の処理を制御する。制御部２２０は、たとえば、ＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）、ＦＰＧＡ（Field　Programmable　Gate　Array）、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）、ＭＰＵ（Micro　Processing　Unit）などである。図１に示す例では、制御部２２０は、取得部２２１と、特定部２２２と、格納部２２３と、照射制御部２２４とを有する。　 The control unit 220 is connected to the input / output unit 201 and the storage unit 210. The control unit 220 includes an internal memory that stores a program that defines various processing procedures and the like, and controls various processes. The control unit 220 is, for example, an application specific integrated circuit (ASIC), a field programmable gate array (FPGA), a central processing unit (CPU), or a micro processing unit (MPU). In the example illustrated in FIG. 1, the control unit 220 includes an acquisition unit 221, a specification unit 222, a storage unit 223, and an irradiation control unit 224. *
　取得部２２１は、基板１１２ａを電子ビームで走査するように電子ビーム照射部１１１を制御し、電子ビームに含まれる電子のうち基板１１２ａにおいて反射した反射電子と、電子ビームの照射によりＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線と、電子ビームの照射により基板１１２ａから発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を取得する。　 The acquisition unit 221 controls the electron beam irradiation unit 111 so as to scan the substrate 112a with an electron beam. Among the electrons included in the electron beam, reflected electrons reflected on the substrate 112a and the X-ray nano target by irradiation with the electron beam. Irradiation information that is at least one of the X-rays generated from 112b and the target current generated from the substrate 112a by the electron beam irradiation is acquired. *
　具体的には、取得部２２１は、Ｘ線検査装置１００を制御することで、照射情報を取得する。たとえば、取得部２２１は、検出器１０７により検出された反射電子やターゲット電流をＸ線検査装置１００の検出器１０７から取得する。言い換えると、取得部２２１は、検出器１０７により計測されたＸ線の線量を取得することで、照射情報を取得する。ここで、取得部２２１は、Ｘ線発生用ターゲット１１２の照射面１１２ｃの全面について、照射面１１２ｃの位置に紐付けられる照射情報それぞれを取得する。ただし、これに限定されるものではなく、照射面１１２ｃのうちＸ線ナノターゲット１１２ｂが設けられている範囲を限定することが可能な場合には、照射面１１２ｃのうち一部について選択的に照射情報を取得するようにしても良い。　 Specifically, the acquisition unit 221 acquires irradiation information by controlling the X-ray inspection apparatus 100. For example, the acquisition unit 221 acquires the reflected electrons and target current detected by the detector 107 from the detector 107 of the X-ray inspection apparatus 100. In other words, the acquisition unit 221 acquires irradiation information by acquiring the X-ray dose measured by the detector 107. Here, the acquisition unit 221 acquires the irradiation information associated with the position of the irradiation surface 112c for the entire irradiation surface 112c of the X-ray generation target 112. However, the present invention is not limited to this, and when it is possible to limit the range of the irradiation surface 112c where the X-ray nano target 112b is provided, a part of the irradiation surface 112c is selectively irradiated. Information may be acquired. *
　たとえば、取得部２２１は、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射する照射条件をＸ線検査装置１００に送信し、その後、Ｘ線検査装置１００にＸ線発生用ターゲット１１２の表面を走査させた上で、走査結果となる照射情報を取得する。 For example, the acquisition unit 221 transmits the irradiation condition that the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 irradiates the electron beam to the X-ray inspection apparatus 100, and then transmits the X-ray generation target 112 to the X-ray inspection apparatus 100. After scanning the surface, irradiation information as a scanning result is acquired.
　特定部２２２は、取得部２２１により取得された照射情報に基づいて、基板１１２ａにおいてＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する位置情報を特定する。すなわち、基板１１２ａにおいて、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂにおいて反射する電子は、他の部分において反射する電子と比較して量が多い。また、電子ビームの照射により発生するＸ線は、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線量は、他の部分において発生するＸ線量と比較して大きい。また、電子ビームの照射により発生するターゲット電流は、原子番号が大きくなるほどターゲット電流値は小さく、原子番号が小さいほどターゲット電流値は大きくなる。この結果、基板１１２ａとしてダイヤモンドを用い、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとしてダイヤモンド、すなわち、炭素よりも原子量の大きくなるタングステンを用いる場合には、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから発生したターゲット電流は、他の部分において発生するターゲット電流と比較して小さくなる。このことを踏まえ、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれる場合と、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれない場合とでは、照射情報に差が発生することになる。このことを踏まえ、特定部２２２は、照射情報の検出結果に基づいて、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの位置を特定する。　 The specifying unit 222 specifies the position information where the X-ray nano target 112b is located on the substrate 112a based on the irradiation information acquired by the acquiring unit 221. That is, in the substrate 112a, the amount of electrons reflected from the X-ray nano target 112b is larger than the amount of electrons reflected from other portions. Further, X-rays generated by irradiation with an electron beam have a larger X-ray dose generated from the X-ray nano target 112b than an X-ray dose generated in other portions. Further, the target current generated by electron beam irradiation has a smaller target current value as the atomic number increases, and the target current value increases as the atomic number decreases. As a result, when diamond is used as the substrate 112a and diamond, that is, tungsten having an atomic weight larger than that of carbon is used as the X-ray nano target 112b, the target current generated from the X-ray nano target 112b It becomes smaller than the target current generated. Based on this, there is a difference in irradiation information between when the X-ray nano target 112b is included in the electron beam irradiation range and when the X-ray nano target 112b is not included in the electron beam irradiation range. Become. Based on this, the specifying unit 222 specifies the position of the X-ray nano target 112b based on the detection result of the irradiation information. *
　図８は、第１の実施形態における電子ビームの照射範囲にＸ線ターゲットが含まれる場合と、電子ビームの照射範囲にＸ線ターゲットが含まれない場合とを示す図である。図８に示すように、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが電子ビームの照射範囲に含まれる領域３０１では、取得部２２１は、電子ビームがＸ線ナノターゲット１１２ｂに照射された場合における照射情報を取得することになる。なお、図８に示す例では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが４０μｍの間隔を置いて設けられ、電子ビームの照射範囲の直径が１０μｍであり、この結果、領域３０１は、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを中心として半径が１０μｍの領域となる場合を用いて説明したが、これに限定されるものではない。　 FIG. 8 is a diagram illustrating a case where an X-ray target is included in the electron beam irradiation range and a case where the X-ray target is not included in the electron beam irradiation range in the first embodiment. As shown in FIG. 8, in the region 301 where the X-ray nano target 112b is included in the irradiation range of the electron beam, the acquisition unit 221 acquires irradiation information when the electron beam is irradiated to the X-ray nano target 112b. become. In the example shown in FIG. 8, the X-ray nano target 112b is provided at an interval of 40 μm, and the diameter of the irradiation range of the electron beam is 10 μm. As a result, the region 301 is centered on the X-ray nano target 112b. As described above, the case where the radius is a region of 10 μm has been described. However, the present invention is not limited to this. *
　たとえば、特定部２２２は、照射情報に基づいて基板１１２ａの画像情報を作成する。そして、特定部２２２は、画像情報において、基板１１２ａにおいて走査された領域のうちＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームが照射された照射位置を示すＸ線ナノターゲット範囲を識別する。そして、特定部２２２は、識別したＸ線ナノターゲット範囲の中心位置を識別することで、位置情報を特定する。　 For example, the specifying unit 222 creates image information of the substrate 112a based on the irradiation information. And the specific | specification part 222 identifies the X-ray nano target range which shows the irradiation position with which the X-ray nano target 112b was irradiated with the electron beam among the area | regions scanned in the board | substrate 112a in image information. And the specific | specification part 222 specifies positional information by identifying the center position of the identified X-ray nano target range. *
　図９～図１０は、第１の実施形態における特定部による処理の一例を示す図である。図９に示すように、特定部２２２は、たとえば、検出器１０７から取得した照射情報に基づいて画像情報を作成する。図９は、第１の実施形態における特定部により作成されるターゲット電流を用いたＥＢ吸収電子像画像の一例である。図９に示す例では、画像情報の領域各々は、照射情報として得られた値の大小に応じて濃度が異なっている。そして、特定部２２２は、ＥＢ吸収電子像画像におけるエッジを検出することで、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれている領域３０１を検出する。そして、特定部２２２は、検出した領域３０１の中心座標を識別する。図１０は、第１の実施形態における特定部による中心座標の識別処理の一例を示す図である。図１０に示す例では、特定部２２２は、領域３０１において、中心座標３０２を識別することで、位置情報を特定する。ここで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが複数ある場合には、特定部２２２は、複数の領域３０１を検出し、検出した領域ごとに中心座標を識別する。言い換えると、特定部２２２は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂごとに位置情報を特定する。　 9 to 10 are diagrams illustrating an example of processing performed by the specifying unit according to the first embodiment. As illustrated in FIG. 9, the specifying unit 222 creates image information based on the irradiation information acquired from the detector 107, for example. FIG. 9 is an example of an EB absorption electron image image using the target current created by the specifying unit in the first embodiment. In the example shown in FIG. 9, the density of each region of image information differs depending on the magnitude of the value obtained as the irradiation information. And the specific | specification part 222 detects the area | region 301 in which the X-ray nano target 112b is contained in the irradiation range of an electron beam by detecting the edge in an EB absorption electron image image. Then, the specifying unit 222 identifies the center coordinates of the detected region 301. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of identification processing of the center coordinates by the specifying unit according to the first embodiment. In the example illustrated in FIG. 10, the specifying unit 222 specifies position information by identifying the center coordinates 302 in the region 301. Here, when there are a plurality of X-ray nano targets 112b, the specifying unit 222 detects the plurality of regions 301 and identifies the center coordinates for each detected region. In other words, the specifying unit 222 specifies position information for each of the plurality of X-ray nano targets 112b. *
　また、ここで、特定部２２２は、検出した領域３０１の形状が円形ではなく歪んでいる場合には、歪みを直す画像処理を行った上で、中心座標３０２を識別する。また、電子ビームの照射範囲における電子密度は、中心部の密度と比較して周辺部の密度が低い。この結果、電子ビームの中心にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合と、周辺部にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合とでは、照射情報として得られる値に差が生じる。このことを踏まえ、特定部２２２は、複数の領域３０１を検出した場合には、領域ごとに中心座標３０２を識別する際には、領域３０１におけるコントラストを増加させた上で、領域３０１における照射情報の大小を用いて、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を検出しても良い。　 Here, when the shape of the detected region 301 is distorted instead of circular, the specifying unit 222 identifies the center coordinate 302 after performing image processing for correcting the distortion. Further, the electron density in the electron beam irradiation range is lower in the peripheral part than in the central part. As a result, there is a difference in the value obtained as irradiation information between the case where the X-ray nano target 112b is located at the center of the electron beam and the case where the X-ray nano target 112b is located at the periphery. Based on this, when identifying the plurality of regions 301, the identifying unit 222 increases the contrast in the region 301 and identifies the irradiation information in the region 301 when identifying the central coordinates 302 for each region. The position information of the X-ray nano target 112b may be detected using the size of. *
　格納部２２３は、特定部２２２により特定された位置情報をターゲット位置テーブル２１１に格納する。具体的には、格納部２２３は、位置情報と照射条件とをナノターゲット位置テーブル２１１に格納する。たとえば、格納部２２３は、取得部２２１によってＸ線検査装置１００に送信された照射情報と、特定部２２２により識別された中心座標とを対応付けて、ターゲット位置テーブル２１１に格納する。また、その際には、格納部２２３は、Ｘ線発生用ターゲット１１２を特定する任意の識別情報と、検出されたＸ線ナノターゲット１１２ｂを識別する任意の識別情報とを対応付けて、位置情報とともに格納する。　 The storage unit 223 stores the position information specified by the specifying unit 222 in the target position table 211. Specifically, the storage unit 223 stores position information and irradiation conditions in the nano target position table 211. For example, the storage unit 223 associates the irradiation information transmitted to the X-ray inspection apparatus 100 by the acquisition unit 221 with the center coordinates identified by the specifying unit 222 and stores them in the target position table 211. In this case, the storage unit 223 associates arbitrary identification information for specifying the X-ray generation target 112 with arbitrary identification information for identifying the detected X-ray nano target 112b, and stores positional information. Store with. *
　たとえば、図７に示す例を用いて説明すると、格納部２２３は、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」と、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」と、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」とを対応付けて記憶し、更に、照射条件として、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（ａ．ｕ．）」と、照射累計時間「１２２．５（ｈ）」とを対応付けて記憶する。　 For example, referring to the example illustrated in FIG. 7, the storage unit 223 includes a target ID “T001”, a nano target ID “NT01”, and position information “2.5 (μm), 2.5 (μm)”. Further, the alignment values “2.5 (V), 1.3 (V)”, the focus value “10000 (au)”, the tube current / voltage are stored as the irradiation conditions. The values “50 (kV), 60 (kV)”, the X-ray dose value “1.1 (au)”, and the cumulative irradiation time “122.5 (h)” are stored in association with each other. *
　なお、上述した説明では、取得部２２１が、照射条件をＸ線検査装置１００に送信する場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、Ｘ線検査装置１００において任意の照射条件が設定された上で、取得部２２１が、Ｘ線検査装置１００により用いられた照射条件をＸ線検査装置１００を取得しても良い。取得部２２１と、特定部２２２と、格納部２２３による処理の詳細については、フローチャートを用いて後述するため、ここでは説明を省略する。　 In the above description, the case where the acquisition unit 221 transmits the irradiation condition to the X-ray inspection apparatus 100 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the arbitrary irradiation condition in the X-ray inspection apparatus 100 is described. , The acquisition unit 221 may acquire the X-ray inspection apparatus 100 with the irradiation conditions used by the X-ray inspection apparatus 100. Details of the processing performed by the acquisition unit 221, the specifying unit 222, and the storage unit 223 will be described later with reference to flowcharts, and thus the description thereof is omitted here. *
　照射制御部２２４は、ターゲット位置テーブル２１１に記憶された位置に対してＸ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する。具体的には、照射制御部２２４は、Ｘ線を照射する場合には、Ｘ線管１１０にセットされたＸ線発生用ターゲット１１２の識別情報に対応付けられたナノターゲットＩＤを１つ選択し、選択したナノターゲットＩＤに紐付けられた位置情報を取得する。そして、取得した位置情報が焦点になるように、Ｘ線管１１０の電子ビーム照射部１１１から電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線をサンプルステージ１０６に向けて発生させる。　 The irradiation control unit 224 controls the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the electron beam to the position stored in the target position table 211. Specifically, when irradiating X-rays, the irradiation control unit 224 selects one nanotarget ID associated with the identification information of the X-ray generation target 112 set in the X-ray tube 110. The position information associated with the selected nano target ID is acquired. Then, the electron beam is irradiated from the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray tube 110 so that the acquired position information becomes a focus, and X-rays are generated toward the sample stage 106 from the X-ray nano target 112b. *
　図１１は、第１の実施形態における位置情報により特定されるＸ線ナノターゲットの位置を示す図である。図１１に示す例では、説明の便宜上、特定部２２２により作成される画像情報と、位置情報により特定される位置とを重ねて示した。図１１に示すように、ターゲット位置テーブル２１１は、複数ある位置情報各々により、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂそれぞれの位置が特定される。たとえば、図１１に示す例では、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ１１」～「ＮＴ１４」を示した。照射制御部２２４は、ターゲット位置テーブル２１１に格納された位置に対して電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御することで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームが照射され、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線が発生することになる。 FIG. 11 is a diagram showing the position of the X-ray nano target specified by the position information in the first embodiment. In the example illustrated in FIG. 11, for convenience of explanation, the image information created by the specifying unit 222 and the position specified by the position information are shown superimposed. As shown in FIG. 11, in the target position table 211, the position of each X-ray nano target 112b is specified by each of a plurality of pieces of position information. For example, in the example shown in FIG. 11, nano target IDs “NT11” to “NT14” are shown. The irradiation control unit 224 controls the electron beam irradiation unit 111 to irradiate the electron beam to the position stored in the target position table 211, so that the X-ray nano target 112b is irradiated with the electron beam, and the X-ray X-rays are generated from the nano target 112b.
　なお、制御装置２００は、既知のパーソナルコンピュータ、ワークステーション、スマートフォン、タブレット端末などの任意の情報処理装置であって良い。具体的には、任意の情報処理端末に対して、図１の制御部２２０と記憶部２１０との各機能を搭載することで実現して良い。また、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００と統合されても良い。また、制御装置２００の一部の構成を別装置として任意のネットワークを介して接続されるようにしても良い。　 Note that the control device 200 may be any information processing device such as a known personal computer, workstation, smartphone, or tablet terminal. Specifically, it may be realized by mounting the functions of the control unit 220 and the storage unit 210 of FIG. The control device 200 may be integrated with the X-ray inspection apparatus 100. Further, a part of the configuration of the control device 200 may be connected as a separate device via an arbitrary network. *
　なお、上述の例では、位置情報を検出してターゲット位置テーブル２１１に格納した上で、格納された位置情報を用いて位置合わせを行う場合について示したが、これに限定されるものではない。たとえば、位置情報がターゲット位置テーブル２１１に予め記憶されていても良い。言い換えると、上述した構成のうち、取得部２２１、特定部２２２及び格納部２２３を有さなくても良い。　 In the above-described example, the position information is detected and stored in the target position table 211, and then the position alignment is performed using the stored position information. However, the present invention is not limited to this. For example, the position information may be stored in advance in the target position table 211. In other words, the acquisition unit 221, the specification unit 222, and the storage unit 223 may not be included in the configuration described above. *
（ターゲット位置テーブル作成処理）
　図１２は、第１の実施形態に係る制御装置によるターゲット位置テーブル作成処理の流れの一例を示すフローチャートである。　 (Target position table creation process)
FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of a flow of target position table creation processing by the control device according to the first embodiment.
　図１２に示すように、処理タイミングとなると（ステップＳ１０１肯定）、取得部２２１は、電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するための照射条件をＸ線検査装置１００に送信する（ステップＳ１０２）。その後、取得部２２１は、Ｘ線検査装置１００から照射情報を取得する（ステップＳ１０３）。たとえば、取得部２２１は、Ｘ線発生用ターゲット１１２の照射面１１２ｃの全面について、検出器１０７により検出された反射電子やターゲット電流を取得する。　 As shown in FIG. 12, when the processing timing comes (Yes in Step S101), the acquisition unit 221 transmits irradiation conditions for the electron beam irradiation unit 111 to irradiate an electron beam to the X-ray inspection apparatus 100 (Step S102). . Thereafter, the acquisition unit 221 acquires irradiation information from the X-ray inspection apparatus 100 (step S103). For example, the acquisition unit 221 acquires the reflected electrons and target current detected by the detector 107 for the entire irradiation surface 112 c of the X-ray generation target 112. *
　そして、特定部２２２は、取得部２２１により取得された照射情報に基づいて位置情報を特定する（ステップＳ１０４）。たとえば、特定部２２２は、検出器１０７から取得した照射情報に基づいて、照射情報として得られた値の大小に応じて濃度が異なる画像情報を作成する。そして、特定部２２２は、画像情報においてエッジを検出することで、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれている領域３０１を検出する。そして、特定部２２２は、検出した領域３０１の中心座標を識別することで、位置情報を特定する。　 And the specific | specification part 222 specifies position information based on the irradiation information acquired by the acquisition part 221 (step S104). For example, the specifying unit 222 creates image information having different densities based on the magnitude of the value obtained as the irradiation information, based on the irradiation information acquired from the detector 107. And the specific | specification part 222 detects the area | region 301 in which the X-ray nano target 112b is contained in the irradiation range of an electron beam by detecting an edge in image information. Then, the specifying unit 222 specifies the position information by identifying the center coordinates of the detected region 301. *
　そして、格納部２２３は、特定部２２２により特定された位置情報をターゲット位置テーブル２１１に格納する（ステップＳ１０５）。たとえば、図７に示す例を用いて説明すると、格納部２２３は、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」と、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」と、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」とを対応付けて記憶し、更に、照射条件として、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（a．u．）」と、照射累計時間「１２２．５（ｈ）」とを対応付けて記憶する。　 The storage unit 223 stores the position information specified by the specifying unit 222 in the target position table 211 (step S105). For example, referring to the example illustrated in FIG. 7, the storage unit 223 includes a target ID “T001”, a nano target ID “NT01”, and position information “2.5 (μm), 2.5 (μm)”. Further, the alignment values “2.5 (V), 1.3 (V)”, the focus value “10000 (au)”, the tube current / voltage are stored as the irradiation conditions. The values “50 (kV), 60 (kV)”, the X-ray dose value “1.1 (a.u.)”, and the cumulative irradiation time “122.5 (h)” are stored in association with each other. *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。たとえば、上述の一連の処理では、取得部２２１が、照射条件をＸ線検査装置１００に送信する場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、照射条件を送信することなく、Ｘ線検査装置１００において予め設定されていたりその都度決定されたりする照射条件が用いられても良い。この場合、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００から照射条件についても、任意の時点において取得する。また、たとえば、上述した一連の処理では、検出した領域３０１の中心座標を識別することで、位置情報を特定する場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、任意の手法にて位置情報を取得しても良い。また、たとえば、特定部２２２は、検出した領域３０１の中心座標を識別した後、中心座標を中心として任意の範囲の領域を拡大表示し、拡大表示した領域において、照射情報の差に基づいて位置情報を特定したり、中心の座標を位置情報として特定したりしても良い。　 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other. For example, in the above-described series of processes, the acquisition unit 221 has exemplified the case where the irradiation condition is transmitted to the X-ray inspection apparatus 100. However, the present invention is not limited to this, and without transmitting the irradiation condition, Irradiation conditions set in advance or determined each time in the X-ray inspection apparatus 100 may be used. In this case, the control apparatus 200 also acquires the irradiation conditions from the X-ray inspection apparatus 100 at an arbitrary time. In addition, for example, in the series of processes described above, the case where the position information is specified by identifying the center coordinates of the detected region 301 has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and an arbitrary method can be used. Position information may be acquired. Further, for example, after identifying the center coordinates of the detected area 301, the specifying unit 222 enlarges and displays an area in an arbitrary range centering on the center coordinates, and positions based on the difference in irradiation information in the enlarged display area. Information may be specified, or the coordinates of the center may be specified as position information. *
（第１の実施形態による効果）
　上述した実施形態によれば、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂを用いて、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。　 (Effects of the first embodiment)
According to the above-described embodiment, it is possible to appropriately acquire an X-ray image of an inspection object using the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a.
　すなわち、従来のＸ線検査装置において、高い分解能は、電子を高い電圧（たとえば、５０～１５０ｋｅＶ程度）で加速し、たとえば、基板の全面に金属が設けられたＸ線ターゲット上で微小な焦点へフォーカスすることで、得ることができる。電子がターゲット中でエネルギーを失う際に、Ｘ線、いわゆる制動放射Ｘ線が発生する。この際、焦点サイズは、照射される電子の大きさでほぼ決まることとなる。　 That is, in the conventional X-ray inspection apparatus, high resolution is achieved by accelerating electrons at a high voltage (for example, about 50 to 150 keV), for example, to a fine focus on an X-ray target in which a metal is provided on the entire surface of the substrate. It can be obtained by focusing. X-rays, so-called bremsstrahlung X-rays, are generated when electrons lose energy in the target. At this time, the focal spot size is almost determined by the size of the irradiated electrons. *
　Ｘ線の微細な焦点サイズを得るためには、電子を小さなスポットに収束させれば良い。一方、発生するＸ線の量を増やすためには、電子の量を増やせば良い。しかしながら、空間電荷効果により、電子のスポットサイズと電流量は相反する関係にあり、小さなスポットに大電流を流すことはできない。そして、小さなスポットに大電流を流すと発熱によりＸ線ターゲットが消耗しやすくなるおそれが生じてしまう。　 In order to obtain a fine focal spot size of X-rays, it is only necessary to converge electrons into a small spot. On the other hand, in order to increase the amount of generated X-rays, the amount of electrons may be increased. However, due to the space charge effect, the spot size of electrons and the amount of current are in a contradictory relationship, and a large current cannot flow through a small spot. When a large current is passed through a small spot, the X-ray target may be easily consumed due to heat generation. *
　ここで、上述した実施形態では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂをナノサイズにて形成することで、高い加速電圧（たとえば、５０～１５０ｋｅＶ程度）で電子を照射して、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂ付近で電子が拡がってしまった場合でも、言い換えると、電子ビームの照射径がＸ線ナノターゲット１１２ｂよりも大きさかったとしても、Ｘ線焦点径が拡がるようなことはなく、分解能の劣化が抑制可能となる。すなわち、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂのサイズで一意に決まる分解能を得ることが可能となる。この結果、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを用いたＸ線検査装置１００では、Ｘ線量を増やしつつ、ナノオーダー（数十～数百ｎｍ）での分解能、解像度を取得可能となる。　 Here, in the above-described embodiment, by forming the X-ray nano target 112b in nano size, electrons are irradiated with a high acceleration voltage (for example, about 50 to 150 keV), and electrons are irradiated in the vicinity of the X-ray nano target 112b. In other words, even if the irradiation diameter of the electron beam is larger than that of the X-ray nano target 112b, the X-ray focal diameter does not increase, and degradation of resolution can be suppressed. Become. That is, a resolution uniquely determined by the size of the X-ray nano target 112b can be obtained. As a result, in the X-ray inspection apparatus 100 using the X-ray nano target 112b, it becomes possible to obtain resolution and resolution in the nano order (several tens to several hundreds of nm) while increasing the X-ray dose. *
　また、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、ダイヤモンドからなる基板１１２ａと、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとを備えていることから、放熱性に極めて優れており、上述した状況下においても、Ｘ線発生用ナノターゲット１１２の消耗を防ぐことができる。　 In addition, since the X-ray generation target 112 includes the substrate 112a made of diamond and the X-ray nano target 112b, the X-ray generation target 112 is extremely excellent in heat dissipation. The consumption of the target 112 can be prevented. *
　また、上述した実施形態によれば、制御装置２００は、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置テーブル２１１と、ターゲット位置テーブル２１１に記憶された位置に対してＸ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する照射制御部２２４とを有する。この結果、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂに対して、迅速且つ簡単に電子ビームを照射してＸ線検査を行うことが可能となる。　 Further, according to the above-described embodiment, the control device 200 includes the target position table 211 that stores position information indicating the position of the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a, and the position stored in the target position table 211. The electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 has an irradiation control unit 224 that controls the electron beam irradiation. As a result, the X-ray inspection can be performed by irradiating the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a with an electron beam quickly and easily. *
　たとえば、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの直径は、電子ビームの照射範囲よりも小さい径が用いられる。また、電子ビームにおける電子密度は、電子ビームの照射範囲において、中心部の密度が、周辺部の密度と比較して大きくなることがある。このことを踏まえ、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を記憶しておき、記憶しておいた位置へと電子ビームを照射することで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを電子ビームの照射範囲の中心に配置した上でＸ線を照射でき、Ｘ線の発生量を最大化できるとともに、迅速且つ簡単にＸ線検査を行うことが可能となる。　 For example, the diameter of the X-ray nano target 112b is smaller than the irradiation range of the electron beam. In addition, the electron density of the electron beam may be higher in the central part than in the peripheral part in the electron beam irradiation range. Based on this, the positional information of the X-ray nano target 112b is stored, and the X-ray nano target 112b is placed at the center of the irradiation range of the electron beam by irradiating the stored position with the electron beam. In addition, X-rays can be irradiated, the amount of X-ray generation can be maximized, and X-ray inspection can be performed quickly and easily. *
　また、上述した実施形態によれば、基板１１２ａには複数のＸ線ナノターゲット１１２ｂが設けられ、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂ各々について位置情報を記憶する。この結果、基板１１２ａに複数のＸ線ナノターゲット１１２ｂに対して迅速且つ簡単に電子ビームを照射してＸ線検査を行うことが可能であり、更に、他のＸ線ナノターゲット１１２ｂに簡単に切り替えることが可能となる。　 Further, according to the above-described embodiment, the substrate 112a is provided with a plurality of X-ray nano targets 112b, and the target position table 211 stores position information for each of the plurality of X-ray nano targets 112b. As a result, it is possible to perform X-ray inspection by irradiating the substrate 112a with a plurality of X-ray nano targets 112b quickly and easily, and to easily switch to another X-ray nano target 112b. It becomes possible. *
　また、上述した実施形態によれば、基板１１２ａを電子ビームで走査するように電子ビーム照射部１１１を制御して照射情報を検出する取得部２２１と、取得部２２１による検出結果に基づいて、基板１１２ａにおいてＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する位置情報を特定する特定部２２２と、特定部２２２により特定された位置情報をターゲット位置テーブル２１１に格納する格納部２２３を有する。この結果、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を確実且つ迅速に取得して格納しておくことが可能となる。　 Further, according to the above-described embodiment, the acquisition unit 221 that controls the electron beam irradiation unit 111 to detect the irradiation information so as to scan the substrate 112a with the electron beam, and the substrate based on the detection result by the acquisition unit 221. 112 a includes a specifying unit 222 that specifies position information where the X-ray nano target 112 b is located, and a storage unit 223 that stores the position information specified by the specifying unit 222 in the target position table 211. As a result, the position information of the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a can be acquired and stored reliably and quickly. *
　また、上述した実施形態によれば、特定部２２２は、照射情報に基づいて基板１１２ａの画像情報を作成し、画像情報において、基板１１２ａにおいて走査された領域のうちＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームが照射された照射位置を示すＸ線ターゲット範囲を識別し、Ｘ線ナノターゲット範囲の中心位置を識別することで、位置情報を特定する。この結果、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を簡単且つ迅速に特定可能となる。　 Further, according to the above-described embodiment, the specifying unit 222 creates image information of the substrate 112a based on the irradiation information, and in the image information, an electron beam is applied to the X-ray nano target 112b in a region scanned on the substrate 112a. The position information is specified by identifying the X-ray target range indicating the irradiation position irradiated with and identifying the center position of the X-ray nano target range. As a result, the positional information of the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a can be specified easily and quickly. *
　また、上述した実施形態によれば、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂごとに、位置情報を特定する際に用いた電子ビームの照射条件を更に記憶し、格納部２２３は、位置情報と照射条件とをターゲット位置テーブル２１１に格納する。この結果、Ｘ線検査を行う際に、検査目的に応じて適切なＸ線ターゲット１１２ｂを選択して用いることが可能となる。　 Further, according to the above-described embodiment, the target position table 211 further stores the electron beam irradiation conditions used when specifying the position information for each of the plurality of X-ray nanotargets 112b. Position information and irradiation conditions are stored in the target position table 211. As a result, when performing an X-ray inspection, it is possible to select and use an appropriate X-ray target 112b according to the inspection purpose. *
（第２の実施形態）
　以下では、Ｘ線検査装置１００において、サンプルのうち見たい部分がＸ線画像の中心に位置するように調整する場合について説明する。以下では、説明の便宜上、第１の実施形態と同様の点については説明を省略する。　 (Second Embodiment)
Hereinafter, a description will be given of a case where the X-ray inspection apparatus 100 is adjusted so that the portion of the sample to be viewed is positioned at the center of the X-ray image. Hereinafter, for the convenience of description, description of the same points as in the first embodiment will be omitted.
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、１つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置を備える。また、第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部と、前記差分算出部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整部とを有する制御装置とを備える。　 In one embodiment, the X-ray inspection system according to the second embodiment includes an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nano target when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam. Further, the X-ray inspection system in the second embodiment is photographed by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus irradiating the X-ray nano target with the electron beam and irradiating the X-ray nano target with the X-ray. Calculated by the difference calculation unit that calculates the difference between the position information indicating the center in the X-ray image and the position information indicating the position where the X-ray nano target is located in the vertical direction in the X-ray image; And a control device having a position adjusting unit that adjusts the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the difference. *
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記差分算出部は、複数の前記差分ごとに該差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する記憶部を参照し、撮影されたＸ線画像と前記記憶部に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行うことで、差分を算出する。　 In the X-ray inspection system according to the second embodiment, for example, in one embodiment, the difference calculation unit stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is the difference for each of the plurality of differences. The difference is calculated by referring to the unit and matching the photographed X-ray image with the X-ray image or simulation image stored in the storage unit. *
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記制御装置は、前記シミュレーション画像を差分ごとに作成する作成部を更に備える。また、第２の実施形態におけるＸ線検査システムでは、前記差分算出部は、前記作成部により作成された前記シミュレーション画像各々とのマッチングを行うことで差分を算出する。 For example, in one embodiment, the X-ray inspection system according to the second embodiment further includes a creation unit that creates the simulation image for each difference. In the X-ray inspection system according to the second embodiment, the difference calculation unit calculates a difference by performing matching with each of the simulation images created by the creation unit.
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置は、前記Ｘ線ナノターゲットから照射されたＸ線を検出する検出部としてＸ線カメラを有し、前記位置調整部は、前記Ｘ線カメラの位置と、前記Ｘ線カメラのあおり角とのうち少なくとも一方を変更するように制御することで、前記Ｘ線検査装置を調整する。 The X-ray inspection system according to the second embodiment includes, for example, in one embodiment, the X-ray inspection apparatus includes an X-ray camera as a detection unit that detects X-rays emitted from the X-ray nano target. The position adjustment unit adjusts the X-ray inspection apparatus by controlling to change at least one of the position of the X-ray camera and the tilt angle of the X-ray camera.
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記差分算出部は、前記位置情報として、前記Ｘ線画像における座標を用いる。　 In the X-ray inspection system according to the second embodiment, for example, in one embodiment, the difference calculation unit uses coordinates in the X-ray image as the position information. *
　第２の実施形態における制御方法は、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出工程と、前記差分算出工程により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整工程とを含む。　 In one embodiment, the control method in the second embodiment is that, in one embodiment, the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus irradiates the X-ray nano target with an electron beam and irradiates the X-ray nano target with X-rays. A difference calculating step for calculating a difference between position information indicating a center in the photographed X-ray image and position information indicating a position where the X-ray nano target is located in the vertical direction in the X-ray image; and the difference calculating step. And a position adjustment step of adjusting the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the calculated difference. *
　第２の実施形態における制御プログラムは、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出手順と、前記差分算出手順により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整手順とをコンピュータに実行させる。　 In one embodiment, the control program in the second embodiment is such that an electron beam irradiation unit of an X-ray inspection apparatus irradiates an X-ray nano target with an electron beam and irradiates the X-ray nano target with X-rays. A difference calculation procedure for calculating a difference between position information indicating a center in the photographed X-ray image and position information indicating a position where the X-ray nano target is located in the vertical direction in the X-ray image; and the difference calculation procedure. A position adjustment procedure for adjusting the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the calculated difference is executed by the computer. *
　第２の実施形態における制御装置は、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部と、前記差分算出部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整部とを備える。　 In one embodiment, the control device according to the second embodiment is such that an electron beam irradiation unit of an X-ray inspection apparatus irradiates an X-ray nanotarget with an electron beam and irradiates the X-ray nanotarget with X-rays. A difference calculating unit that calculates a difference between position information indicating a center in the photographed X-ray image and position information indicating a position where the X-ray nano target is located in a vertical direction in the X-ray image; and the difference calculating unit A position adjustment unit that adjusts the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the calculated difference. *
（第２の実施形態に係るＸ線検査システム）
　図１３は、第２の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。なお、図１３に示す例では、第１の実施形態において説明した各構成に加えて、記憶部２１０が差分用画像テーブル２１２を更に有し、制御部２２０がシミュレーション画像作成部２２５と、差分算出部２２６と、位置調整部２２７とを更に備える場合を例に示したが、これに限定されるものではない。たとえば、第１の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部のうち、一部又は全てについて、矛盾を起こさない範囲において有さなくても良い。　 (X-ray inspection system according to the second embodiment)
FIG. 13 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the second embodiment. In addition to the components described in the first embodiment, in the example illustrated in FIG. 13, the storage unit 210 further includes a difference image table 212, and the control unit 220 includes a simulation image creation unit 225 and a difference calculation. Although the case where the part 226 and the position adjustment part 227 are further provided was shown as an example, it is not limited to this. For example, some or all of the units included in the storage unit 210 and the control unit 220 in the first embodiment may not be included in a range where no contradiction occurs.
　制御装置２００は、記憶部２１０に、差分用画像テーブル２１２を有する。差分用画像テーブル２１２は、複数の差分ごとに差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する。　 The control device 200 has a difference image table 212 in the storage unit 210. The difference image table 212 stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is a difference for each of a plurality of differences. *
　ここで、差分とは、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲット１１２ｂがある位置を示す位置情報との差分を示す。　 Here, the difference is an X-ray image taken by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus 100 irradiating the X-ray nano target 112b with an electron beam and irradiating the X-ray nano target 112b with X-rays. The difference between the position information indicating the center and the position information indicating the position where the X-ray nano target 112b is present in the vertical direction in the X-ray image is shown. *
　図１４～図１７を用いて、第２の実施形態における差分について説明する。図１４及び図１５は、第２の実施形態におけるＸ線ナノターゲットを有するＸ発生用ターゲットと、サンプルステージと、カメラとの関係の一例を示す図である。図１４に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影される範囲の中心にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合を示し、図１５に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影される範囲の周辺部にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合を例に示した。すなわち、図１４に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影されるＸ線画像の範囲４０２の中心に相当する位置と基板４０１の垂直線上に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが位置する。また、図１５に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影されるＸ線画像の範囲４０３の周辺部に相当する位置と基板４０１の垂直線上に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが位置する。なお、基板４０１には、垂直方向に複数の穴が設けられているものとして説明する。　 Differences in the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 14 and FIG. 15 are diagrams illustrating an example of a relationship among an X generation target having an X-ray nano target, a sample stage, and a camera according to the second embodiment. In the example shown in FIG. 14, the case where the X-ray nano target 112b is located at the center of the range imaged by the X-ray camera 108 is shown. In the example shown in FIG. The case where the X-ray nano target 112b is located in FIG. That is, in the example illustrated in FIG. 14, the X-ray nano target 112 b is positioned on the position corresponding to the center of the range 402 of the X-ray image captured by the X-ray camera 108 and on the vertical line of the substrate 401. In the example illustrated in FIG. 15, the X-ray nano target 112 b is positioned on a position corresponding to the periphery of the range 403 of the X-ray image captured by the X-ray camera 108 and on the vertical line of the substrate 401. Note that the substrate 401 is described as being provided with a plurality of holes in the vertical direction. *
　図１６は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の中心にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合の一例を示す図である。図１６に示すように、Ｘ線カメラ１０８により撮影されるＸ線画像の範囲４０２の中心に相当する位置と基板４０１の垂直線上に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合、Ｘ線画像の中心位置においては、Ｘ線ターゲット１１２ｂから基板４０１へと垂直方向にＸ線が入射することになる。一方、周辺部では、Ｘ線は、垂直方向からずれて、すなわち、角度を持って基板４０１へと入射することになる。この結果、図１６に示すように、Ｘ線画像の中心位置に対応する基板４０１の穴４０４については、穴が設けられた方向とＸ線の入射方向とが一致しており、基板４０１の照射面における穴に相当する画像が得られる。一方、Ｘ線画像の周辺部に対応する基板４０１の穴については、穴が設けられた方向とＸ線の入射方向とが一致しておらず、垂直方向から角度を持って、いわば斜め方向にＸ線が入射する結果、穴の壁面や底部に相当する映像が基板４０１の照射面における穴と外れて映ることになる。　 FIG. 16 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target 112b is located at the center of the range imaged by the camera according to the second embodiment. As shown in FIG. 16, when the X-ray nano target 112 b is positioned on the position corresponding to the center of the range 402 of the X-ray image captured by the X-ray camera 108 and the vertical line of the substrate 401, the center of the X-ray image is displayed. At the position, X-rays enter the substrate 401 from the X-ray target 112b in the vertical direction. On the other hand, in the peripheral portion, the X-rays are incident on the substrate 401 with a deviation from the vertical direction, that is, with an angle. As a result, as shown in FIG. 16, with respect to the hole 404 of the substrate 401 corresponding to the center position of the X-ray image, the direction in which the hole is provided coincides with the incident direction of the X-ray. An image corresponding to a hole in the surface is obtained. On the other hand, for the hole in the substrate 401 corresponding to the peripheral part of the X-ray image, the direction in which the hole is provided does not match the incident direction of the X-ray, and the angle is perpendicular to the vertical direction, that is, in an oblique direction. As a result of the incidence of X-rays, an image corresponding to the wall surface or bottom of the hole is shown off the hole on the irradiation surface of the substrate 401. *
　また、図１７は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の周辺部にＸ線ナノターゲットが位置する場合の一例を示す図である。図１７に示すように、周辺部にＸ線ナノターゲット１１２ｂに相当する位置がある場合には、周辺部にある基板４０１の穴４０５については、基板４０１の照射面における穴に相当する画像が得られる一方、他の穴については、基板４０１の照射面における穴に相当する画像と外れて、穴の壁面や底部に相当する映像が映ることになる。　 FIG. 17 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target is located in the periphery of the range imaged by the camera according to the second embodiment. As shown in FIG. 17, when there is a position corresponding to the X-ray nano target 112b in the peripheral part, an image corresponding to the hole in the irradiation surface of the substrate 401 is obtained for the hole 405 of the substrate 401 in the peripheral part. On the other hand, the other holes deviate from the image corresponding to the holes on the irradiation surface of the substrate 401, and an image corresponding to the wall surface and bottom of the holes is displayed. *
　図１８は、第２の実施形態における差分用画像テーブルに記憶される情報の一例を示す図である。図１８に示すように、差分用画像テーブル２１２は、差分に対応付けて画像を記憶する。図１８に示す例では、差分として、差分の種類を示す「種類」と、差分の値を示す「差分値」とを記憶する。なお、図１８に示す例では、空欄になっているが、差分に対応付けて画像データを記憶しているものとする。　 FIG. 18 is a diagram illustrating an example of information stored in the difference image table according to the second embodiment. As illustrated in FIG. 18, the difference image table 212 stores images in association with differences. In the example illustrated in FIG. 18, “difference” indicating a difference type and “difference value” indicating a difference value are stored as differences. In the example shown in FIG. 18, it is blank, but it is assumed that image data is stored in association with the difference. *
　また、図１８に示す例では、差分の種類として、画像における中心座標からの差分を示す「座標差分」、又は、垂直方向からのずれ角を示す「あおり角差分」とを記憶する場合を例に示した。たとえば、差分用画像テーブル２１２は、種類「座標差分」と、差分「１μｍ、０μｍ」と、画像とを対応付けて記憶する。すなわち、差分用画像テーブル２１２は、Ｘ線画像の中心座標からｘ軸において１μｍずれ、ｙ軸において０μｍずれた位置に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂに対応する位置がある場合において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像について、種類「座標差分」と差分「１μｍ、０μｍ」とに対応付けて記憶する。　 Further, in the example illustrated in FIG. 18, an example in which “coordinate difference” indicating a difference from the center coordinate in the image or “tilting angle difference” indicating a deviation angle from the vertical direction is stored as the difference type. It was shown to. For example, the difference image table 212 stores a type “coordinate difference”, a difference “1 μm, 0 μm”, and an image in association with each other. That is, the difference image table 212 is an X-ray image obtained when there is a position corresponding to the X-ray nano target 112b at a position shifted by 1 μm on the x-axis and 0 μm on the y-axis from the center coordinates of the X-ray image. The simulation image is stored in association with the type “coordinate difference” and the difference “1 μm, 0 μm”. *
　また、同様に、差分用画像テーブル２１２は、種類「あおり角差分」と差分「１度、０度」と、画像とを対応付けて記憶する。すなわち、差分用画像テーブル２１２は、あおり角が、垂直方向を基準としてｘ軸において１度ずれ、ｙ軸において０度ずれた場合に得られるＸ線画像又はシミュレーション画像について、種類「あおり角差分」と差分「１度、０度」とに対応付けて記憶する。　 Similarly, the difference image table 212 stores a type “tilt angle difference”, a difference “1 degree, 0 degree”, and an image in association with each other. That is, the difference image table 212 indicates that the type of “tilt angle difference” is used for an X-ray image or a simulation image obtained when the tilt angle is shifted by 1 degree on the x axis and 0 degree on the y axis with respect to the vertical direction. And the difference “1 degree, 0 degree”. *
　なお、図１８に示す例は一例であり、これに限定されるものではない。たとえば、差分として、座標差分とあおり角差分との組み合わせに対応付けて画像を記憶しても良く、座標差分とあおり角差分とのうち一方を用いなくても良い。また、差分値としては、差分が一意に特定できる情報であれば任意の値を用いて良い。　 Note that the example shown in FIG. 18 is an example, and the present invention is not limited to this. For example, as a difference, an image may be stored in association with a combination of a coordinate difference and a tilt angle difference, and one of the coordinate difference and the tilt angle difference may not be used. As the difference value, any value may be used as long as the difference can be uniquely specified. *
　図１９は、第２の実施形態におけるあおり角について示す図である。図１９に示すように、Ｘ線カメラ１０８は、あおり角を変更可能なように設けられる。ここで、あおり角差分とは、たとえば、垂直方向を基準とした上でのずれを示し、任意に設定されるＸ軸及びＹ軸における角度として示される。 FIG. 19 is a diagram illustrating the tilt angle in the second embodiment. As shown in FIG. 19, the X-ray camera 108 is provided so that the tilt angle can be changed. Here, the tilt angle difference indicates, for example, a deviation on the basis of the vertical direction, and is indicated as an angle on the X axis and the Y axis that are arbitrarily set.
　制御部２２０は、シミュレーション画像作成部２２５と、差分算出部２２６と、位置調整部２２７とを更に備える。　 The control unit 220 further includes a simulation image creation unit 225, a difference calculation unit 226, and a position adjustment unit 227. *
　シミュレーション画像作成部２２５は、シミュレーション画像を差分ごとに作成する。シミュレーション画像は、任意の手法にて作成して良い。なお、以下では、制御部２２０が、シミュレーション画像作成部２２５を有する場合を例に説明するが、これに限定されるものではなく、シミュレーション画像作成部２２５を有さなくても良い。　 The simulation image creation unit 225 creates a simulation image for each difference. The simulation image may be created by any method. In the following, a case where the control unit 220 includes the simulation image creation unit 225 will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the simulation image creation unit 225 may not be provided. *
　差分算出部２２６は、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲット１１２ｂがある位置を示す位置情報との差分を算出する。　 The difference calculation unit 226 is a center in an X-ray image captured by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus 100 irradiating the X-ray nano target 112b with an electron beam and irradiating the X-ray nano target 112b with X-rays. And the position information indicating the position where the X-ray nano target 112b is present in the vertical direction in the X-ray image is calculated. *
　具体的には、差分算出部２２６は、Ｘ線検査装置１００がＸ線画像を撮影すると、複数の差分ごとに差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する差分用画像テーブル２１２を参照し、撮影されたＸ線画像と差分用画像テーブル２１２に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行うことで、差分を算出する。　 Specifically, when the X-ray inspection apparatus 100 captures an X-ray image, the difference calculation unit 226 stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is a difference for each of a plurality of differences. , The difference is calculated by matching the photographed X-ray image with the X-ray image or simulation image stored in the difference image table 212. *
　たとえば、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２を参照することで、撮影されたＸ線画像最も近似する画像を１つ選択し、選択した画像に対応付けられた差分を差分用画像テーブル２１２から取得することで、差分を算出する。　 For example, the difference calculation unit 226 refers to the difference image table 212 to select one image that is closest to the captured X-ray image, and sets the difference associated with the selected image as the difference image table 212. To obtain the difference. *
　なお、ここで、差分算出部２２６は、マッチングするごとに、撮影した画像とマッチングした画像とのマッチング具合を示す値を算出し、マッチングした画像に対応付けられた差分と紐付けてグラフにプロットしても良い。この場合、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像各々についてプロットを行った後、最もスコアが高くなる点を識別し、識別した点に対応する差分を算出しても良い。また、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像のうち一部又は全てを用いても良い。また、差分用画像テーブル２１２は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像のうち一部を用いる場合、差分用画像テーブル２１２から読み出して用いる画像に紐付けられた差分と、次に読み出す画像に対応付けられた差分との差を大きさくしたり小さくしたりすることで、算出する差分の精度を調整しても良い。　 Here, every time matching is performed, the difference calculation unit 226 calculates a value indicating the degree of matching between the captured image and the matched image, and plots the value in association with the difference associated with the matched image. You may do it. In this case, the difference calculation unit 226 may identify the point having the highest score after plotting each image stored in the difference image table 212 and calculate the difference corresponding to the identified point. . Further, the difference calculation unit 226 may use a part or all of the images stored in the difference image table 212. In addition, when a part of the images stored in the difference image table 212 is used, the difference image table 212 includes a difference associated with an image read out from the difference image table 212 and an image to be read out next. The accuracy of the calculated difference may be adjusted by increasing or decreasing the difference from the associated difference. *
　位置調整部２２７は、差分算出部２２６により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する。具体的には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８の位置と、Ｘ線カメラ１０８のあおり角とのうち少なくとも一方を変更するように制御する。たとえば、位置調整部２２７は、差分算出部２２６により差分用画像テーブル２１２から取得された差分と同じ量、Ｘ線カメラ１０８の位置やカメラのあおり角を変更する。たとえば、種類「座標差分」と差分「１μｍ、０μｍ」との組み合わせが差分算出部２２６により算出された場合には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８の位置を「－１μｍ、０μｍ」移動するように調整することで、差分を解消する。また、たとえば、種類「あおり角差分」と差分「１度、０度」との組み合わせが差分算出部２２６により算出された場合には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８のあおり角を「－１度、０度」移動するように調整することで、差分を解消する。　 The position adjustment unit 227 adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculation unit 226. Specifically, the position adjustment unit 227 controls to change at least one of the position of the X-ray camera 108 and the tilt angle of the X-ray camera 108. For example, the position adjustment unit 227 changes the position of the X-ray camera 108 and the camera tilt angle by the same amount as the difference acquired from the difference image table 212 by the difference calculation unit 226. For example, when the combination of the type “coordinate difference” and the difference “1 μm, 0 μm” is calculated by the difference calculation unit 226, the position adjustment unit 227 moves the position of the X-ray camera 108 by “−1 μm, 0 μm”. The difference is eliminated by adjusting so as to. For example, when a combination of the type “tilt angle difference” and the difference “1 degree, 0 degree” is calculated by the difference calculation unit 226, the position adjustment unit 227 sets the tilt angle of the X-ray camera 108 to “ The difference is eliminated by adjusting to move “-1 degree, 0 degree”. *
　なお、上述した差分の解消方法は一例であり、これに限定されるものではない。たとえば、サンプルステージ１０６を移動することが可能な場合には、移動ステージを併せて、又は、単独にて移動することで差分を解消しても良い。上述した差分算出部２２６と、位置調整部２２７とによる詳細な処理の一例については後述するためここでは説明を省略する。　 Note that the difference elimination method described above is an example, and the present invention is not limited to this. For example, in the case where the sample stage 106 can be moved, the difference may be eliminated by moving the moving stage together or independently. Since an example of detailed processing by the difference calculation unit 226 and the position adjustment unit 227 described above will be described later, description thereof is omitted here. *
（電子ビームの照射位置の調整処理の流れ）
　図２０は、第２の実施形態における電子ビームの照射位置の調整処理の流れの一例を示すフローチャートである。　 (Flow of electron beam irradiation position adjustment process)
FIG. 20 is a flowchart illustrating an example of the flow of the adjustment process of the irradiation position of the electron beam in the second embodiment.
　図２０に示すように、Ｘ線検査装置１００によってＸ線画像が撮影されると（ステップＳ２０１肯定）、差分用画像テーブル２１２を参照し、撮影されたＸ線画像と差分用画像テーブル２１２に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行う（ステップＳ２０２）。たとえば、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像各々について、撮影したＸ線画像とマッチングを行う。そして、差分算出部２２６は、最も近似する画像を１つ選択し、選択した画像に対応付けられた差分を差分用画像テーブル２１２から取得することで、差分を算出する（ステップＳ２０３）。　 As shown in FIG. 20, when an X-ray image is captured by the X-ray inspection apparatus 100 (Yes at Step S <b> 201), the difference X image table 212 is referred to and stored in the acquired X-ray image and the difference image table 212. Matching with the X-ray image or simulation image being performed is performed (step S202). For example, the difference calculation unit 226 performs matching with each photographed X-ray image for each image stored in the difference image table 212. Then, the difference calculation unit 226 selects one image that is the most approximate, and acquires the difference associated with the selected image from the difference image table 212, thereby calculating the difference (step S203). *
　そして、位置調整部２２７は、差分算出部２２６により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する（ステップＳ２０４）。たとえば、種類「座標差分」と差分「１μｍ、０μｍ」との組み合わせが差分算出部２２６により算出された場合には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８の位置を「－１μｍ、０μｍ」移動するように調整することで、差分を解消する。　 Then, the position adjustment unit 227 adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculation unit 226 (step S204). For example, when the combination of the type “coordinate difference” and the difference “1 μm, 0 μm” is calculated by the difference calculation unit 226, the position adjustment unit 227 moves the position of the X-ray camera 108 by “−1 μm, 0 μm”. The difference is eliminated by adjusting so as to. *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other.
（第２の実施形態の効果）
　上述した実施形態によれば、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂを用いて、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。　 (Effect of 2nd Embodiment)
According to the above-described embodiment, it is possible to appropriately acquire an X-ray image of an inspection object using the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a.
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲット１１２ｂがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部２２６と、差分算出部２２６により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する位置調整部２２７とを有する。この結果、サンプルのうち見たい部分がＸ線画像の中心に位置するようにすることが可能となる。 Further, as described above, according to the second embodiment, the control device 200 causes the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the X-ray nano target 112b with an electron beam, thereby causing the X-ray nano target 112b. Difference calculating unit that calculates a difference between position information indicating the center in an X-ray image captured by irradiating X-rays from the position information and position information indicating a position where the X-ray nano target 112b is present in the vertical direction in the X-ray image 226 and a position adjustment unit 227 that adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculation unit 226. As a result, the portion of the sample that is desired to be viewed can be located at the center of the X-ray image.
　たとえば、測定時には測定対象物を中心に合わせて測定するが、これがずれると、Ｘ線画像の中心からＸ線が照射されていないことになり、奥行きが斜め方向に撮像されることになる。これに対して、上述した実施形態によれば、Ｘ線画像の中心からＸ線が照射されるように制御可能となる。　 For example, at the time of measurement, measurement is performed with the measurement object centered, but if this is shifted, X-rays are not irradiated from the center of the X-ray image, and the depth is imaged in an oblique direction. On the other hand, according to the above-described embodiment, control can be performed so that X-rays are emitted from the center of the X-ray image. *
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、差分算出部２２６は、複数の差分ごとに差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する差分用画像テーブル２１２を参照し、撮影されたＸ線画像と記憶部に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行うことで、差分を算出する。この結果、差分を確実に算出可能となる。　 Further, as described above, according to the second embodiment, the difference calculation unit 226 refers to the difference image table 212 that stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is a difference for each of a plurality of differences. Then, the difference is calculated by matching the photographed X-ray image with the X-ray image or simulation image stored in the storage unit. As a result, the difference can be reliably calculated. *
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、シミュレーション画像を差分ごとに作成するシミュレーション画像作成部２２５を更に備え、差分算出部２２６は、シミュレーション画像作成部２２５により作成されたシミュレーション画像各々とのマッチングを行うことで差分を算出する。この結果、差分を確実に算出可能となる。　 In addition, as described above, according to the second embodiment, the simulation image creation unit 225 that creates a simulation image for each difference is further provided, and the difference calculation unit 226 creates the simulation image created by the simulation image creation unit 225. The difference is calculated by matching with each. As a result, the difference can be reliably calculated. *
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、Ｘ線検査装置１００はＸ線カメラ１０８を有し、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラの位置と、Ｘ線カメラのあおり角とのうち少なくとも一方を変更するように制御することで、Ｘ線検査装置１００を調整する。この結果、簡単且つ高精度に調整可能となる。　 Further, as described above, according to the second embodiment, the X-ray inspection apparatus 100 includes the X-ray camera 108, and the position adjustment unit 227 includes the position of the X-ray camera and the tilt angle of the X-ray camera. The X-ray inspection apparatus 100 is adjusted by controlling so that at least one of them is changed. As a result, the adjustment can be performed easily and with high accuracy. *
（第３の実施形態）
　以下では、Ｘ線検査装置１００において、電子ビーム照射部１１１により照射される電子ビームの照射位置を調整する場合について説明する。以下に詳細に説明するように、制御装置２００は、検査を開始時に調整したり、検査中に調整したりする。なお、以下では、検査を開始時に調整した上で、更に、検査中に調整する場合を例に説明するが、これに限定されるものではなく、任意の一方のみを行っても良い。以下では、説明の便宜上、上述の実施形態と同様の点については説明を省略する。　 (Third embodiment)
Hereinafter, in the X-ray inspection apparatus 100, a case where the irradiation position of the electron beam irradiated by the electron beam irradiation unit 111 is adjusted will be described. As will be described in detail below, the control device 200 adjusts the inspection at the start or during the inspection. In the following, a case where the inspection is adjusted at the start and further adjusted during the inspection will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and only one of them may be performed. Hereinafter, for convenience of description, description of the same points as in the above-described embodiment will be omitted.
　第３の実施形態におけるＸ線検査システムは、１つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、制御装置とを備える。また、前記制御装置は、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報により特定される前記基板における位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する第１の照射制御部と、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる第２の照射制御部と、前記第２の照射制御部による照射位置の移動中、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが設けられた位置とのずれを算出する位置ずれ算出部と、前記位置ずれ算出部により算出されたずれを解消する方向に、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を移動させる第３の照射制御部とを備える。　 An X-ray inspection system according to a third embodiment includes, in one embodiment, an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam, and a control device. Prepare. Further, the control device may cause the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate an electron beam to a position on the substrate specified by position information indicating a position of an X-ray nano target provided on the substrate. A second irradiation control unit that moves a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus by a predetermined distance, and the second irradiation control. During the movement of the irradiation position by the unit, among the electrons contained in the electron beam, the reflected electrons reflected on the substrate, the X-rays generated from the X-ray nanotarget by the electron beam irradiation, and the substrate by the electron beam irradiation A detection unit that detects irradiation information that is at least one of the target currents generated from the target current, and an irradiation range of the electron beam based on a detection result by the detection unit A position shift calculation unit that calculates a shift between the center and the position where the X-ray nano target is provided on the substrate, and a direction of eliminating the shift calculated by the position shift calculation unit A third irradiation control unit that moves a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit. *
　第３の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記制御装置は、前記照射情報として、電子ターゲット電流の値を用いる場合、前記第２の照射制御部による照射位置の変更前における第１の電子ターゲット電流の値と、前記第２の照射制御部による照射位置の変更後における第２の電子ターゲット電流の値と、所定の第３の電子ターゲット電流の値との間の大小関係に基づいて、前記電子ビームの照射範囲から前記Ｘ線ナノターゲットが外れたと判定する判定部と、前記判定部によりはずれたと判定された場合に、前記電子ビームの照射範囲に前記Ｘ線ナノターゲットが位置するように照射位置を変更する第４の照射制御部とを更に備える。 In the X-ray inspection system according to the third embodiment, for example, in one embodiment, when the control device uses an electron target current value as the irradiation information, the irradiation position of the second irradiation control unit is determined. Between the value of the first electron target current before the change, the value of the second electron target current after the change of the irradiation position by the second irradiation control unit, and the value of the predetermined third electron target current If the determination unit determines that the X-ray nanotarget has deviated from the electron beam irradiation range and the determination unit determines that the X-ray irradiation target is deviated from the irradiation range of the electron beam, And a fourth irradiation control unit that changes the irradiation position so that the nano target is positioned.
　第３の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記判定部は、第３の電子ターゲット電流の値よりも前記第１の電子ターゲット電流の値及び前記第２の電子ターゲット電流の値が大きいという大小関係が崩れた場合に、前記電子ビームの照射範囲から前記Ｘ線ナノターゲットが外れたと判定する。また、第３の実施形態におけるＸ線検査システムでは、前記制御装置は、前記判定部によりはずれたと判定された場合に、前記電子ビームの照射範囲に前記Ｘ線ナノターゲットが位置するように照射位置を変更する第４の照射制御部を更に備える。　 In the X-ray inspection system according to the third embodiment, for example, in one embodiment, the determination unit determines that the value of the first electron target current and the second electron are higher than the value of the third electron target current. When the magnitude relationship that the value of the target current is large is broken, it is determined that the X-ray nano target is out of the electron beam irradiation range. Further, in the X-ray inspection system according to the third embodiment, when the control device determines that the determination unit has deviated, the irradiation position is set such that the X-ray nano target is positioned in the irradiation range of the electron beam. A fourth irradiation control unit for changing *
　第３の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記制御装置は、前記照射情報として、前記Ｘ線の線量を用いる場合、前記Ｘ線の線量が閾値より下がった場合に、前記電子ビームの照射範囲から前記Ｘ線ナノターゲットが外れたと判定する判定部と、前記判定部によりはずれたと判定された場合に、前記電子ビームの照射範囲に前記Ｘ線ナノターゲットが位置するように照射位置を変更する第４の照射制御部とを更に備える。　 In the X-ray inspection system according to the third embodiment, for example, in one embodiment, when the control device uses the X-ray dose as the irradiation information, the X-ray dose falls below a threshold value. When the determination unit determines that the X-ray nano target has deviated from the electron beam irradiation range, and the determination unit determines that the X-ray nano target has deviated, the X-ray nano target is positioned in the electron beam irradiation range. And a fourth irradiation control unit that changes the irradiation position as described above. *
　第３の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記第２の照射制御部は、前記所定の距離として、Ｘ線ナノターゲットの直径の半分に相当する距離以下の距離を用いる。　 In the X-ray inspection system according to the third embodiment, for example, in one embodiment, the second irradiation control unit has a distance equal to or less than a distance corresponding to half the diameter of the X-ray nanotarget as the predetermined distance. Is used. *
　第３の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記第２の照射制御部は、Ｘ線ナノターゲットの径が０．５μｍの場合、前記所定の距離として０．１５μｍを用いる。　 In the X-ray inspection system according to the third embodiment, for example, in one embodiment, when the diameter of the X-ray nano target is 0.5 μm, the second irradiation control unit is 0.15 μm as the predetermined distance. Is used. *
　第３の実施形態における制御方法は、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報により特定される前記基板における位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射工程が電子ビームを照射するように制御する第１の照射制御工程と、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射工程により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる第２の照射制御工程と、前記第２の照射制御工程による照射位置の移動中、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する検出工程と、前記検出工程による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが設けられた位置とのずれを算出する位置ずれ算出工程と、前記位置ずれ算出工程により算出されたずれを解消する方向に、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射工程により電子ビームが照射される位置を移動させる第３の照射制御工程とを含む。　 In one embodiment, the control method according to the third embodiment is the electron beam of the X-ray inspection apparatus with respect to the position on the substrate specified by the position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate. A first irradiation control process for controlling the irradiation process to irradiate an electron beam, and a second irradiation control for moving a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation process of the X-ray inspection apparatus by a predetermined distance. X-rays generated from the X-ray nano target by irradiation of the reflected electron reflected on the substrate among the electrons contained in the electron beam during movement of the irradiation position in the step and the second irradiation control step And a detection step of detecting irradiation information that is at least one of a target current generated from the substrate by electron beam irradiation, and the detection Based on the detection result of the step, the positional deviation calculation step for calculating the deviation between the center of the irradiation range of the electron beam and the position where the X-ray nano target is provided on the substrate, and the positional deviation calculation step are calculated. A third irradiation control step of moving a position where the electron beam is irradiated by the electron beam irradiation step of the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the deviation. *
　第３の実施形態における制御プログラムは、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報により特定される前記基板における位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射手順が電子ビームを照射するように制御する第１の照射制御手順と、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射手順により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる第２の照射制御手順と、前記第２の照射制御手順による照射位置の移動中、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する検出手順と、前記検出手順による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが設けられた位置とのずれを算出する位置ずれ算出手順と、前記位置ずれ算出手順により算出されたずれを解消する方向に、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射手順により電子ビームが照射される位置を移動させる第３の照射制御手順とをコンピュータが実行させる。　 In one embodiment, the control program in the third embodiment is an electron beam of an X-ray inspection apparatus with respect to a position on the substrate specified by position information indicating a position of an X-ray nano target provided on the substrate. A first irradiation control procedure for controlling the irradiation procedure to irradiate an electron beam, and a second irradiation control for moving a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation procedure of the X-ray inspection apparatus by a predetermined distance. X-rays generated from the X-ray nanotarget by irradiation of the reflected electron reflected from the substrate among the electrons contained in the electron beam during movement of the irradiation position according to the procedure and the second irradiation control procedure And a detection procedure for detecting irradiation information that is at least one of a target current generated from the substrate by irradiation with an electron beam, Based on the detection result of the detection procedure, a positional deviation calculation procedure for calculating a deviation between the center of the irradiation range of the electron beam and a position where the X-ray nano target is provided on the substrate, and the positional deviation calculation procedure The computer executes a third irradiation control procedure for moving the position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation procedure of the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the calculated deviation. *
　第３の実施形態における制御装置は、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報により特定される前記基板における位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する第１の照射制御部と、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる第２の照射制御部と、前記第２の照射制御部による照射位置の移動中、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが設けられた位置とのずれを算出する位置ずれ算出部と、前記位置ずれ算出部により算出されたずれを解消する方向に、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を移動させる第３の照射制御部とを備える。　 In one embodiment, the control device according to the third embodiment is an electron beam of an X-ray inspection apparatus with respect to a position on the substrate specified by position information indicating a position of an X-ray nano target provided on the substrate. A first irradiation control unit that controls the irradiation unit to irradiate an electron beam, and a second irradiation control that moves a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus by a predetermined distance. And X-rays generated from the X-ray nanotarget by irradiation of the electron beam and reflected electrons reflected on the substrate among the electrons included in the electron beam during movement of the irradiation position by the second irradiation control unit And a detection unit that detects irradiation information that is at least one of the target current generated from the substrate by electron beam irradiation, and a detection by the detection unit. Based on the results, a displacement calculation unit that calculates a displacement between the center of the irradiation range of the electron beam and a position where the X-ray nano target is provided on the substrate, and a displacement calculated by the displacement calculation unit. A third irradiation control unit that moves a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus in a direction to be eliminated. *
（第３の実施形態に係るＸ線検査システム）
　図２１は、第３の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。なお、図２１に示す例では、第２の実施形態において説明した各構成に加えて、制御部２２０が、位置ずれ算出部２２８と、判定部２２９とを更に有する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。たとえば、第１の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部、及び、第２の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部のうち、一部又は全てについて、矛盾を起こさない範囲において有さなくても良い。　 (X-ray inspection system according to the third embodiment)
FIG. 21 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the third embodiment. In the example illustrated in FIG. 21, in addition to the components described in the second embodiment, the control unit 220 further includes a positional deviation calculation unit 228 and a determination unit 229. It is not limited to this. For example, in some or all of the units included in the storage unit 210 and the control unit 220 in the first embodiment and the units included in the storage unit 210 and the control unit 220 in the second embodiment, no contradiction occurs. It does not have to be in the range.
　図２１に示すように、制御部２２０は、位置ずれ算出部２２８と、判定部２２９とを更に有する。ここで、照射制御部２２４ａは、上述したように、ターゲット位置テーブル２１１に記憶された位置に対してＸ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する。具体的には、照射制御部２２４ａは、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置を示す位置情報により特定される基板１１２ａにおける位置に対して、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する。たとえば、照射制御部２２４ａは、検査開始タイミングとなると、ターゲット位置テーブル２１１から位置情報を読み出し、読み出した位置情報により示される座標へと電子ビームの焦点を合わせる。　 As shown in FIG. 21, the control unit 220 further includes a positional deviation calculation unit 228 and a determination unit 229. Here, as described above, the irradiation control unit 224a controls the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the electron beam to the position stored in the target position table 211. Specifically, the irradiation control unit 224a applies the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus 100 to the position on the substrate 112a specified by the position information indicating the position of the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a. 111 is controlled to emit an electron beam. For example, the irradiation control unit 224a reads position information from the target position table 211 at the inspection start timing, and focuses the electron beam to the coordinates indicated by the read position information. *
　また、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１に格納された位置情報により示される位置に位置合わせした上で、更に、照射情報を検出して中心位置を決定する。　 Further, the irradiation control unit 224a aligns with the position indicated by the position information stored in the target position table 211, and further detects the irradiation information to determine the center position. *
　図２２は、第３の実施形態における照射制御部による検査の開始前の位置合わせを示す図である。図２２に示す例では、座標５０１が、位置情報により示される位置である場合を例に説明する。たとえば、照射制御部２２４ａは、位置情報により示される位置を通過するように、電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査する。たとえば、図２２に示す例では、照射制御部２２４ａは、矢印５０２に示すように走査するとともに、矢印５０３に示すように走査する。　 FIG. 22 is a diagram showing the alignment before the start of the inspection by the irradiation control unit in the third embodiment. In the example illustrated in FIG. 22, a case where the coordinates 501 are positions indicated by position information will be described as an example. For example, the irradiation control unit 224a scans the position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit 111 in the X-axis direction and the Y-axis direction so as to pass the position indicated by the position information. For example, in the example illustrated in FIG. 22, the irradiation control unit 224 a performs scanning as indicated by an arrow 502 and scanning as indicated by an arrow 503. *
　図２３は、第３の実施形態における照射制御部による位置合わせにおいて得られる照射情報の一例を示す図である。図２３において、横軸はＸ軸における位置を示し、縦軸が照射情報の値を示す。また、図２３では、Ｘ軸方向に走査することで得られた照射情報と、Ｙ軸方向に走査することで得られた照射情報とを併せて示した。また、図２３に示す例では、位置情報により示される位置に対応する照射情報が得られるタイミングを点線５０４により示した。この場合、点線５０４はＸ軸方向における走査と、Ｙ軸方向における走査とが重なる点において得られる照射情報となる。なお、図２３に示す例では、Ｘ軸について調整する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。Ｙ軸についても同様に調整してもよく、複数の軸について併せて行っても良い。　 FIG. 23 is a diagram illustrating an example of irradiation information obtained in the alignment by the irradiation control unit in the third embodiment. In FIG. 23, the horizontal axis indicates the position on the X axis, and the vertical axis indicates the value of irradiation information. FIG. 23 also shows irradiation information obtained by scanning in the X-axis direction and irradiation information obtained by scanning in the Y-axis direction. In the example shown in FIG. 23, the timing at which the irradiation information corresponding to the position indicated by the position information is obtained is indicated by a dotted line 504. In this case, a dotted line 504 is irradiation information obtained at a point where scanning in the X-axis direction and scanning in the Y-axis direction overlap. In the example shown in FIG. 23, the case of adjusting the X axis is shown as an example, but the present invention is not limited to this. The Y axis may be adjusted in the same manner, or a plurality of axes may be adjusted together. *
　ここで、照射制御部２２４ａは、照射情報のピークに電子ビームの焦点があうように、電子ビームの焦点を調整する。たとえば、照射制御部２２４ａは、Ｘ軸方向に走査することで得られた照射情報のピークと、Ｙ軸方向に走査することで得られた照射情報ピークとが、電子ビームの焦点として設定した座標と一致するように、電子ビームの照射位置を調整する。たとえば、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１から読み出した位置情報により示される座標に、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に走査することで得られた照射情報ピーク各々が一致しなかった場合には、ピークとなる座標に電子ビームの焦点を変更する。　 Here, the irradiation control unit 224a adjusts the focus of the electron beam so that the focus of the electron beam matches the peak of the irradiation information. For example, the irradiation control unit 224a uses the coordinates of the irradiation information peak obtained by scanning in the X-axis direction and the irradiation information peak obtained by scanning in the Y-axis direction as the focus of the electron beam. The electron beam irradiation position is adjusted so as to match. For example, when the irradiation information peaks obtained by scanning in the X-axis direction and the Y-axis direction do not match the coordinates indicated by the position information read from the target position table 211, the irradiation control unit 224a Change the focus of the electron beam to the coordinates that will be the peak. *
　図２３に示す例では、Ｘ軸方向に走査することで得られた照射情報のピークと、Ｙ軸方向に走査することで得られた照射情報ピークとが、異なるタイミングにて得られている。より詳細には、図２３に示す例では、Ｙ軸方向に走査することで得られた照射情報ピークは、位置情報により示される位置において得られる一方、Ｘ軸方向に走査することで得られた照射情報のピークは、異なるタイミングにて得られた。これは、位置情報により示される位置に電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射しても、電子ビームの中心にＸ線ターゲット１１２ｂが位置していないことを示す。より詳細には、Ｘ軸方向において、Ｘ線ターゲット１１２ｂが電子ビームの中心からずれていることを示している。　 In the example shown in FIG. 23, the peak of irradiation information obtained by scanning in the X-axis direction and the irradiation information peak obtained by scanning in the Y-axis direction are obtained at different timings. More specifically, in the example shown in FIG. 23, the irradiation information peak obtained by scanning in the Y-axis direction is obtained at the position indicated by the position information, while obtained by scanning in the X-axis direction. Irradiation information peaks were obtained at different times. This indicates that even when the electron beam irradiation unit 111 irradiates the electron beam at the position indicated by the position information, the X-ray target 112b is not positioned at the center of the electron beam. More specifically, the X-ray target 112b is shifted from the center of the electron beam in the X-axis direction. *
　図２４は、第３の実施形態における照射制御部による位置合わせにおいて得られる照射情報の一例を示す図である。図２４において、点線５０５は、Ｘ軸方向における走査と、Ｙ軸方向における走査とが重なる点において得られる照射情報を示す。すなわち、図２４に示す例では、電子ビームの中心に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合に得られる照射情報の一例を示す。なお、図２３及び図２４に示す例では、照射情報としてターゲット電流を用いる場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、任意の照射情報を用いて良い。　 FIG. 24 is a diagram illustrating an example of irradiation information obtained in alignment by the irradiation control unit in the third embodiment. In FIG. 24, a dotted line 505 indicates irradiation information obtained at a point where scanning in the X-axis direction and scanning in the Y-axis direction overlap. That is, in the example shown in FIG. 24, an example of irradiation information obtained when the X-ray nano target 112b is located at the center of the electron beam is shown. In the example shown in FIGS. 23 and 24, the case where the target current is used as the irradiation information is shown as an example. However, the present invention is not limited to this, and arbitrary irradiation information may be used. *
　ここで、照射制御部２２４ａが検査を開始する前に位置合わせを行う意義について補足する。電子ビーム照射部１１１により照射される電子ビームの位置は、照射条件を含む種々の要因によって、変化することがある。この結果、位置情報により示される位置に電子ビームを照射したとしても、電子ビームの中心にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置しないことが考えられる。このことを踏まえ、照射制御部２２４ａは、位置情報により示される位置に合わせた上で、更に、位置を調整しても良い。　 Here, the significance of alignment before the irradiation control unit 224a starts the inspection will be supplemented. The position of the electron beam irradiated by the electron beam irradiation unit 111 may change depending on various factors including irradiation conditions. As a result, even if the electron beam is irradiated to the position indicated by the position information, the X-ray nano target 112b may not be located at the center of the electron beam. Based on this, the irradiation control unit 224a may further adjust the position after matching the position indicated by the position information. *
　また、制御部２２０は、以下に詳細に説明するように、検査中であっても、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を調整する。　 Further, as will be described in detail below, the control unit 220 adjusts the position where the electron beam is irradiated by the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 even during the inspection. *
　すなわち、照射制御部２２４ａは、任意の実行タイミングにおいて、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を、所定の距離、移動させる。具体的には、照射制御部２２４ａは、定期的にＸ線ナノターゲット１１２ｂの直径よりも小さい距離、より好ましくは、照射制御部２２４ａは、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの半径よりも小さい距離、電子ビームにより照射される位置を移動させる。より詳細な例をあげて説明すると、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの径が０．５μｍの場合、照射制御部２２４ａは、所定の値として０．１５μｍを用いる。　 That is, the irradiation control unit 224a moves the position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 by a predetermined distance at an arbitrary execution timing. Specifically, the irradiation control unit 224a periodically has a distance smaller than the diameter of the X-ray nano target 112b, more preferably, the irradiation control unit 224a has a distance smaller than the radius of the X-ray nano target 112b, an electron beam The position irradiated by is moved. Explaining in more detail, when the diameter of the X-ray nano target 112b is 0.5 μm, the irradiation control unit 224a uses 0.15 μm as a predetermined value. *
　ここで、照射制御部２２４ａは、たとえば、任意の座標を軸として設定した上で、電子ビームの焦点が設定した軸の周囲を移動するように制御する。任意の座標とは、たとえば、位置情報により示される座標であったり、その後位置合わせされた座標であったり、照射情報のピークが得られた座標であったりする。　 Here, for example, the irradiation control unit 224a sets an arbitrary coordinate as an axis, and controls so that the focus of the electron beam moves around the set axis. Arbitrary coordinates are, for example, coordinates indicated by position information, coordinates after that, or coordinates where a peak of irradiation information is obtained. *
　ここで、取得部２２１は、照射制御部２２４ａによる照射位置の移動中、電子ビームに含まれる電子のうち基板１１２ａにおいて反射した反射電子と、電子ビームの照射によりＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線と、電子ビームの照射により基板１１２ａから発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する。　 Here, during the movement of the irradiation position by the irradiation control unit 224a, the acquisition unit 221 reflects reflected electrons reflected on the substrate 112a among the electrons included in the electron beam, and X generated from the X-ray nano target 112b by the electron beam irradiation. Irradiation information that is at least one of the line and the target current generated from the substrate 112a by the electron beam irradiation is detected. *
　位置ずれ算出部２２８は、取得部２２１による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、基板１１２ａにおいてＸ線ナノターゲット１１２ｂが設けられた位置とのずれを算出する。　 The positional deviation calculation unit 228 calculates the deviation between the center of the irradiation range of the electron beam and the position where the X-ray nano target 112b is provided on the substrate 112a based on the detection result by the acquisition unit 221. *
　図２５は、第３の実施形態における位置ずれ算出部について示す図である。図２５に示す例では、照射制御部２２４ａがすでに２回、検査前に位置合わせした座標を軸として電子ビームの照射位置を変更させている場合を例に示した。図２５において、横軸は、Ｘ軸における座標位置を示し、縦軸は、ターゲット電流の値を示す。　 FIG. 25 is a diagram illustrating a misregistration calculation unit according to the third embodiment. In the example illustrated in FIG. 25, the irradiation control unit 224a has already changed the irradiation position of the electron beam about the coordinate that has been aligned twice before the inspection as an axis. In FIG. 25, the horizontal axis indicates the coordinate position on the X axis, and the vertical axis indicates the value of the target current. *
　図２５において、Ｚ０は、検査前に位置合わせした座標において得られた照射情報の値を示す。Ｚ１は、１回目の移動後の座標において得られた照射情報の値を示す。Ｚ２は、２回目の移動後の座標において得られた照射情報の値を示す。すなわち、図２５は、Ｚ１からＺ２へと移動することで得られた照射情報を示す図である。なお、図２５では、記載の便宜上、Ｚ０に対応する点をプロットするとともに、Ｚ１～Ｚ２以外の領域についても、補足的に照射情報を明示した。また、ΔＺは、Ｚ２とＺ１との間におけるターゲット電流の差を示す。　 In FIG. 25, Z0 indicates the value of the irradiation information obtained at the coordinates aligned before the inspection. Z1 indicates the value of the irradiation information obtained at the coordinates after the first movement. Z2 indicates the value of irradiation information obtained at the coordinates after the second movement. That is, FIG. 25 is a diagram showing irradiation information obtained by moving from Z1 to Z2. In FIG. 25, for convenience of description, points corresponding to Z0 are plotted, and irradiation information is also clearly shown for regions other than Z1 and Z2. ΔZ indicates a difference in target current between Z2 and Z1. *
　なお、説明の便宜上、図２５に示す例では、検査前に位置合わせした座標が、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの中心からはΔＸずれている場合を例に示した。また、図２５に示す例では、照射情報としてターゲット電流を用いる場合を例に示すが、これに限定されるものではない。　 For convenience of explanation, the example shown in FIG. 25 shows an example in which the coordinates aligned before the inspection are shifted by ΔX from the center of the X-ray nano target 112b. In the example shown in FIG. 25, a case where a target current is used as irradiation information is shown as an example, but the present invention is not limited to this. *
　この場合、たとえば、位置ずれ算出部２２８は、得られた照射情報のうち、Ｚ２と、電子ビームの照射位置を変更することで得られた照射情報のうち、最小の値、すなわち、最もＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置が電子ビームの照射範囲の中心に近い地点において得られた照射情報の値との差分を算出する。たとえば、位置ずれ算出部２２８は、Ｚ２が得られたタイミングと、最小の値が得られたタイミングとの差分を算出する。より詳細な一例をあげて説明すると、Ｚ１～Ｚ２までの移動に要した時間を分母として、Ｚ２が得られたタイミングと、最小の値が得られたタイミングとの時間間隔を分子とする値を差分として算出する。　 In this case, for example, the positional deviation calculation unit 228, among the obtained irradiation information, among Z2 and the irradiation information obtained by changing the irradiation position of the electron beam, the smallest value, that is, the most X-ray. The difference between the position of the nano target 112b and the value of the irradiation information obtained at a point close to the center of the irradiation range of the electron beam is calculated. For example, the misregistration calculation unit 228 calculates the difference between the timing when Z2 is obtained and the timing when the minimum value is obtained. To explain with a more detailed example, the time required to move from Z1 to Z2 is used as the denominator, and the value with the time interval between the timing at which Z2 is obtained and the timing at which the minimum value is obtained is a numerator. Calculate as the difference. *
　なお、上述した例では、２つのタイミング間における時間をずれとして算出する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。たとえば、２つのタイミング間に相当する距離として算出しても良く、照射制御部２２４ａが位置ずれ算出部２２８により算出されたずれの分移動させることが可能となる情報であれば、任意の情報を用いて良い。　 In the above example, the case where the time between two timings is calculated as a shift is shown as an example, but the present invention is not limited to this. For example, it may be calculated as a distance corresponding to two timings, and any information may be used as long as the irradiation control unit 224a can move by the amount of deviation calculated by the positional deviation calculation unit 228. May be used. *
　その後、照射制御部２２４ａは、位置ずれを解消する。具体的には、位置ずれ算出部２２８により算出されたずれを解消する方向に、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を移動させる。たとえば、照射制御部２２４ａは、位置ずれ算出部２２８によって時間が算出された場合には、算出された時間分、電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を更に移動させる。　 Thereafter, the irradiation control unit 224a eliminates the positional deviation. Specifically, the position where the electron beam is irradiated by the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 is moved in a direction to eliminate the deviation calculated by the position deviation calculation unit 228. For example, when the time is calculated by the positional deviation calculation unit 228, the irradiation control unit 224a further moves the position where the electron beam irradiation unit 111 irradiates the electron beam by the calculated time. *
　図２１の説明に戻り、判定部２２９について説明する。判定部２２９は、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたかを判定する。具体的には、判定部２２９は、照射情報として電子ターゲット電流の値を用いる場合、照射制御部２２４ａによる照射位置の変更前における第１の電子ターゲット電流の値と、照射制御部２２４ａによる照射位置の変更後における第２の電子ターゲット電流の値と、所定の第３の電子ターゲット電流の値との間の大小関係に基づいて、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定する。たとえば、判定部２２９は、判定タイミングとなると、判定処理を実行する。より詳細な一例をあげると、判定部２２９は、任意のタイミングや、定期的に、判定処理を実行する。なお、所定の第３の電子ターゲット電流とは、たとえば、照射制御部２２４ａによる照射位置の移動の際に照射制御部２２４ａが軸として用いる座標における照射情報である。　 Returning to the description of FIG. 21, the determination unit 229 will be described. The determination unit 229 determines whether the X-ray nano target 112b is out of the electron beam irradiation range. Specifically, when the determination unit 229 uses the value of the electronic target current as the irradiation information, the value of the first electronic target current before the irradiation position is changed by the irradiation control unit 224a and the irradiation position by the irradiation control unit 224a. It is determined that the X-ray nano target 112b has deviated from the electron beam irradiation range based on the magnitude relationship between the second electron target current value and the predetermined third electron target current value. . For example, the determination unit 229 executes a determination process at the determination timing. If a more detailed example is given, the determination part 229 will perform a determination process at arbitrary timings or regularly. The predetermined third electronic target current is, for example, irradiation information at coordinates used as an axis by the irradiation control unit 224a when the irradiation position is moved by the irradiation control unit 224a. *
　図２６及び図２７は、第３の実施形態における判定部について示すための一例である。図２６及び図２７に示す例では、照射情報として、ターゲット電流を用いる場合を例に示す。上述のように、Ｚ０としては、たとえば、検査前に位置合わせした座標において得られた照射情報の値が用いられる。この結果、図２７に示すように、Ｚ０よりもＺ１又はＺ２が小さい場合や、図２６に示すように、Ｚ０とＺ１とＺ２とが、同等の値を示す場合には、Ｚ０がＸ線ナノターゲット１１２ｂに相当する位置にセットされていないことになる。 FIG.26 and FIG.27 is an example for showing about the determination part in 3rd Embodiment. In the example shown in FIGS. 26 and 27, a case where a target current is used as irradiation information is shown as an example. As described above, as Z0, for example, the value of irradiation information obtained at coordinates aligned before inspection is used. As a result, when Z1 or Z2 is smaller than Z0 as shown in FIG. 27, or when Z0, Z1, and Z2 show equivalent values as shown in FIG. It is not set at a position corresponding to the target 112b.
　このことを踏まえ、たとえば、判定部２２９は、第３の電子ターゲット電流の値よりも第１の電子ターゲット電流の値及び第２の電子ターゲット電流の値が大きいという大小関係が崩れた場合に、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定する。たとえば、図２６に示すように、判定部２２９は、Ｚ１又はＺ２のいずれかについて、Ｚ０よりも大きい値が得られた場合に、外れたと判定する。また、図２７に示すように、判定部２２９は、Ｚ０～Ｚ２の値が、所定の閾値の範囲内に収まった場合には、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定する。　 Based on this, for example, the determination unit 229 breaks the magnitude relationship that the value of the first electron target current and the value of the second electron target current are larger than the value of the third electron target current. It is determined that the X-ray nano target 112b has deviated from the electron beam irradiation range. For example, as illustrated in FIG. 26, the determination unit 229 determines that a deviation has occurred when either Z1 or Z2 has a value greater than Z0. As shown in FIG. 27, the determination unit 229 determines that the X-ray nano target 112b has deviated from the electron beam irradiation range when the values of Z0 to Z2 are within a predetermined threshold range. . *
　また、たとえば、判定部２２９は、照射情報として、Ｘ線の線量を用いる場合、Ｘ線の線量が閾値より下がった場合に、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定する。図２８は、第３の実施形態における判定部について示すための一例である。図２８の横軸は時間軸を示し、縦軸は、Ｘ線量を示す。電子ビーム照射部１１１により照射される電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れた場合、図２８の点線で囲った部分に示すように、検出器１０７により検出されるＸ線量が低下することになる。このことを踏まえ、判定部２２９は、Ｘ線の線量が閾値より下がった場合に、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定しても良い。　 For example, when the X-ray dose is used as the irradiation information, the determination unit 229 determines that the X-ray nano target 112b has deviated from the electron beam irradiation range when the X-ray dose falls below a threshold value. FIG. 28 is an example for illustrating a determination unit according to the third embodiment. The horizontal axis of FIG. 28 shows the time axis, and the vertical axis shows the X-ray dose. When the X-ray nano target 112b deviates from the irradiation range of the electron beam irradiated by the electron beam irradiation unit 111, the X-ray dose detected by the detector 107 decreases as shown by a portion surrounded by a dotted line in FIG. It will be. Based on this, the determination unit 229 may determine that the X-ray nano target 112b has deviated from the electron beam irradiation range when the X-ray dose falls below the threshold. *
　照射制御部２２４ａは、判定部２２９により外れたと判定された場合に、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置するように照射位置を変更する。たとえば、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１に格納された位置情報を読み出して、読み出した位置情報により示される位置へと電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するようにしても良い。　 The irradiation control unit 224a changes the irradiation position so that the X-ray nano target 112b is positioned in the electron beam irradiation range when it is determined that the determination unit 229 has deviated. For example, the irradiation control unit 224a may read the position information stored in the target position table 211, and the electron beam irradiation unit 111 may irradiate the electron beam to the position indicated by the read position information. *
　図２９は、第３の実施形態における照射制御部について示す図である。図２９に示す例では、説明の便宜上、Ｘ軸とＹ軸とを示した。照射制御部２２４ａは、図２９に示すアルキメデスの螺旋を描くように電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を変更することで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの位置を検出し、検出した位置に位置合わせをしても良い。図２９に示す例では、座標５０６を基点として、位置を変更する。座標５０６は、たとえば、ターゲット位置テーブル２１１に格納された位置情報により示される座標であったり、判定部２２９により外れていると判定された時点における座標であったりする。　 FIG. 29 is a diagram illustrating an irradiation control unit according to the third embodiment. In the example shown in FIG. 29, for convenience of explanation, the X axis and the Y axis are shown. The irradiation control unit 224a detects the position of the X-ray nano target 112b by changing the position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit 111 so as to draw the Archimedean spiral shown in FIG. You may align to. In the example shown in FIG. 29, the position is changed with the coordinate 506 as a base point. The coordinates 506 are, for example, the coordinates indicated by the position information stored in the target position table 211, or the coordinates at the time when it is determined that the determination unit 229 has deviated. *
（検査開始時における位置合わせ処理の流れ）
　図３０は、第３の実施形態における検査開始時における位置合わせ処理の流れの一例を示すフローチャートである。　 (Flow of alignment process at the start of inspection)
FIG. 30 is a flowchart illustrating an example of the flow of alignment processing at the start of inspection in the third embodiment.
　図３０に示すように、照射制御部２２４ａは、検査タイミングとなると（ステップＳ３０１肯定）、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１に記憶された位置に対してＸ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する（ステップＳ３０２）。たとえば、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１から位置情報を読み出し、読み出した位置情報により示される座標へと電子ビームの焦点を合わせる。　 As shown in FIG. 30, when the irradiation control unit 224 a reaches the inspection timing (Yes at Step S <b> 301), the irradiation control unit 224 a applies the electron beam irradiation of the X-ray inspection apparatus 100 to the position stored in the target position table 211. The unit 111 is controlled to emit an electron beam (step S302). For example, the irradiation control unit 224a reads position information from the target position table 211, and focuses the electron beam to the coordinates indicated by the read position information. *
　そして、照射制御部２２４ａは、位置情報により示される位置を通過するように、電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査する（ステップＳ３０３）。たとえば、図２２に示すように、照射制御部２２４ａは、矢印５０２に示すように走査するとともに、矢印５０３に示すように走査する。　 Then, the irradiation control unit 224a scans the position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit 111 in the X axis direction and the Y axis direction so as to pass the position indicated by the position information (step S303). For example, as illustrated in FIG. 22, the irradiation control unit 224 a performs scanning as indicated by an arrow 502 and scanning as indicated by an arrow 503. *
　そして、照射制御部２２４ａは、照射情報のピークに電子ビームの焦点があうように、電子ビームの焦点を調整する（ステップＳ３０４）。たとえば、照射制御部２２４ａは、Ｘ軸方向に走査することで得られた照射情報のピークと、Ｙ軸方向に走査することで得られた照射情報ピークとが、電子ビームの焦点として設定した座標と一致するように、電子ビームの照射位置を調整する。　 Then, the irradiation controller 224a adjusts the focus of the electron beam so that the focus of the electron beam is at the peak of the irradiation information (step S304). For example, the irradiation control unit 224a uses the coordinates of the irradiation information peak obtained by scanning in the X-axis direction and the irradiation information peak obtained by scanning in the Y-axis direction as the focus of the electron beam. The electron beam irradiation position is adjusted so as to match. *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。たとえば、上述のフローチャートでは、ステップＳ３０３及びＳ３０４が１度実行される場合を例に示したが、ステップＳ３０３を行った後に、電子ビームの焦点となっている座標と照射情報のピークが得られた座標とが一致するかを判定する処理を行い、一致する場合には、処理を終了する一方、一致しなかった場合には、ステップＳ３０４を実行した上で、再度、ステップＳ３０３を実行するようにしても良い。　 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other. For example, in the above-described flowchart, the case where Steps S303 and S304 are executed once is shown as an example, but after performing Step S303, the coordinates of the focal point of the electron beam and the peak of irradiation information were obtained. A process for determining whether the coordinates match is performed. If the coordinates match, the process ends. On the other hand, if the coordinates do not match, step S304 is executed and then step S303 is executed again. May be. *
（検査中における位置合わせ処理の流れ）
　図３１は、第３の実施形態における検査中における位置合わせ処理の流れの一例を示すフローチャートである。　 (Flow of alignment process during inspection)
FIG. 31 is a flowchart illustrating an example of a flow of alignment processing during an inspection according to the third embodiment.
　図３１に示すように、照射制御部２２４ａは、任意の実行タイミングとなると（ステップＳ４０１肯定）、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる（ステップＳ４０２）。たとえば、照射制御部２２４ａは、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの半径よりも小さい距離、電子ビームにより照射される位置を移動させる。　 As shown in FIG. 31, the irradiation control unit 224a moves the position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 by a predetermined distance at an arbitrary execution timing (Yes in step S401). (Step S402). For example, the irradiation control unit 224a moves the position irradiated with the electron beam by a distance smaller than the radius of the X-ray nano target 112b. *
　そして、取得部２２１は、照射制御部２２４ａによる照射位置の移動中に照射情報を検出する（ステップＳ４０３）。たとえば、取得部２２１は、電子ビームの照射により基板１１２ａから発生したターゲット電流を検出する。　 And the acquisition part 221 detects irradiation information during the movement of the irradiation position by the irradiation control part 224a (step S403). For example, the acquisition unit 221 detects a target current generated from the substrate 112a by the electron beam irradiation. *
　そして、位置ずれ算出部２２８は、取得部２２１による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、基板１１２ａにおいてＸ線ナノターゲット１１２ｂが設けられた位置とのずれを算出する（ステップＳ４０４）。たとえば、位置ずれ算出部２２８は、得られた照射情報のうち、照射情報のピークが得られたタイミングと、移動が終了した時点を示すタイミングとの差分となる時間を算出する。　 Then, based on the detection result by the acquisition unit 221, the positional deviation calculation unit 228 calculates the deviation between the center of the electron beam irradiation range and the position where the X-ray nano target 112b is provided on the substrate 112a (step S404). ). For example, the positional deviation calculation unit 228 calculates a time that is a difference between the timing at which the peak of the irradiation information is obtained and the timing at which the movement is completed, among the obtained irradiation information. *
　そして、照射制御部２２４ａは、位置ずれを解消する（ステップＳ４０５）。具体的には、位置ずれ算出部２２８により算出されたずれを解消する方向に、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を移動させる。　 And the irradiation control part 224a eliminates position shift (step S405). Specifically, the position where the electron beam is irradiated by the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 is moved in a direction to eliminate the deviation calculated by the position deviation calculation unit 228. *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。たとえば、上記のステップＳ４０２をＳ４０４の後に実行しても良い。　 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other. For example, the above step S402 may be executed after S404. *
（Ｘ線ターゲット外れ判定処理）
　図３２は、第３の実施形態における判定処理の流れの一例を示すフローチャートである。　 (X-ray target deviation determination process)
FIG. 32 is a flowchart illustrating an example of the flow of determination processing according to the third embodiment.
　図３２に示すように、判定部２２９は、任意の判定タイミングとなると（ステップＳ５０１肯定）、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたかを判定する（ステップＳ５０２）。たとえば、判定部２２９は、照射情報として電子ターゲット電流の値を用いる場合、照射制御部２２４ａによる照射位置の変更前における第１の電子ターゲット電流の値と、照射制御部２２４ａによる照射位置の変更後における第２の電子ターゲット電流の値と、所定の第３の電子ターゲット電流の値との間の大小関係に基づいて、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定する。より詳細な一例をあげて説明すると、第３の電子ターゲット電流の値よりも第１の電子ターゲット電流の値及び第２の電子ターゲット電流の値が大きいという大小関係が崩れた場合に、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定する。　 As shown in FIG. 32, the determination unit 229 determines whether or not the X-ray nano target 112b has deviated from the irradiation range of the electron beam at an arbitrary determination timing (Yes at Step S501) (Step S502). For example, when the determination unit 229 uses the value of the electronic target current as the irradiation information, the value of the first electronic target current before the irradiation position is changed by the irradiation control unit 224a and after the irradiation position is changed by the irradiation control unit 224a. Based on the magnitude relationship between the value of the second electron target current and the predetermined value of the third electron target current, it is determined that the X-ray nano target 112b has deviated from the electron beam irradiation range. To explain with a more detailed example, when the magnitude relationship that the value of the first electron target current and the value of the second electron target current are larger than the value of the third electron target current is broken, It is determined that the X-ray nano target 112b is out of the irradiation range. *
　ここで、判定部２２９によって外れていないと判定された場合には（ステップＳ５０３否定）、そのまま処理を終了する。一方、判定部２２９によって外れたと判定された場合には（ステップＳ５０３肯定）、照射制御部２２４ａは、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置するように照射位置を変更する（ステップＳ５０４）。たとえば、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１に格納された位置情報を読み出して、読み出した位置情報により示される位置へと電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するようにしても良い。　 Here, when it is determined that the determination unit 229 does not deviate (No in step S503), the processing is ended as it is. On the other hand, when it is determined that the determination unit 229 has deviated (Yes in step S503), the irradiation control unit 224a changes the irradiation position so that the X-ray nano target 112b is positioned in the electron beam irradiation range (step S504). ). For example, the irradiation control unit 224a may read the position information stored in the target position table 211, and the electron beam irradiation unit 111 may irradiate the electron beam to the position indicated by the read position information. *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other.
（第３の実施形態の効果）
　上述した実施形態によれば、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂを用いて、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。　 (Effect of the third embodiment)
According to the above-described embodiment, it is possible to appropriately acquire an X-ray image of an inspection object using the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a.
　また、第３の実施形態によれば、照射制御部２２４ａは、位置情報により特定される基板１１２ａにおける位置に対して、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御し、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を、所定の距離、移動させる。また、取得部２２１は、照射制御部２２４ａによる照射位置の移動中、照射情報を検出する。また、位置ずれ算出部２２８は、取得部２２１による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、基板１１２ａにおいてＸ線ナノターゲット１１２ｂが設けられた位置とのずれを算出する。そして、照射制御部２２４ａは、位置ずれ算出部２２８により算出されたずれを解消する方向に、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１により電子ビームが照射される位置を移動させる。この結果、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが電子ビームの中心側に位置するように制御でき、電子ビームの周辺部と比較して電子密度が高い電子ビームの中心部をＸ線ナノターゲット１１２ｂに継続して照射可能となり、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから照射されるＸ線の線量を最大化することが可能となる。　 Further, according to the third embodiment, the irradiation control unit 224a causes the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the electron beam to the position on the substrate 112a specified by the position information. The position to which the electron beam is irradiated by the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 is moved by a predetermined distance. The acquisition unit 221 detects irradiation information while the irradiation position is moved by the irradiation control unit 224a. Further, the position deviation calculation unit 228 calculates a deviation between the center of the electron beam irradiation range and the position where the X-ray nano target 112b is provided on the substrate 112a based on the detection result by the acquisition unit 221. Then, the irradiation control unit 224a moves the position where the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 is irradiated with the electron beam in a direction to eliminate the shift calculated by the position shift calculation unit 228. As a result, the X-ray nano target 112b can be controlled so as to be located on the center side of the electron beam, and the central portion of the electron beam having a higher electron density than the peripheral portion of the electron beam is continued to the X-ray nano target 112b. Irradiation becomes possible, and the dose of X-rays irradiated from the X-ray nano target 112b can be maximized. *
　すなわち、電子ビームは、周辺部と中心部とで電子量が異なり、電子の照射量とＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生されるＸ線の線量とは比例する。また、たとえば、従来の基板面にタングステンが設けられたターゲットとは異なり、上述した実施形態で用いられるＸ線ナノターゲット１１２ｂは、基板上に、たとえば、電子ビームの直径よりも小さいサイズを有するものとして設けられる。このことを踏まえ、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが電子ビームの中心により照射される時間を長くすることで、上述した制御を行わない手法と比較して、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから発生されるＸ線の線量を多くすることが可能である。 That is, in the electron beam, the amount of electrons is different between the peripheral portion and the central portion, and the dose of electrons and the dose of X-rays generated from the X-ray nano target 112b are proportional. Further, for example, unlike a conventional target in which tungsten is provided on the substrate surface, the X-ray nano target 112b used in the above-described embodiment has a size smaller than the diameter of the electron beam on the substrate, for example. As provided. Based on this, by increasing the time for which the X-ray nano target 112b is irradiated by the center of the electron beam, the X-ray generated from the X-ray nano target 112b can be compared with the method in which the above-described control is not performed. It is possible to increase the dose.
　また、第３の実施形態によれば、判定部２２９は、照射情報として、電子ターゲット電流の値を用いる場合、第２の制御部による照射位置の変更前における第１の電子ターゲット電流の値と、第２の制御部による照射位置の変更後における第２の電子ターゲット電流の値と、所定の第３の電子ターゲット電流の値との間の大小関係に基づいて、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定し、照射制御部２２４ａが、判定部２２９により外れたと判定された場合に、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置するように照射位置を変更する。この結果、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが電子ビームの中心側に位置し続けるように制御でき、電子ビームの周辺部と比較して電子密度が高い電子ビームの中心部をＸ線ナノターゲット１１２ｂに継続して照射可能となり、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから照射されるＸ線の線量を最大化することが可能となる。　 In addition, according to the third embodiment, the determination unit 229 uses the value of the first electronic target current before the irradiation position is changed by the second control unit when the value of the electronic target current is used as the irradiation information. Based on the magnitude relationship between the value of the second electron target current after the change of the irradiation position by the second control unit and the value of the predetermined third electron target current, X from the irradiation range of the electron beam When it is determined that the line nano target 112b has been detached and the irradiation control unit 224a has determined that the line has been detached, the irradiation position is changed so that the X-ray nano target 112b is located within the electron beam irradiation range. As a result, the X-ray nano target 112b can be controlled so as to continue to be located on the center side of the electron beam, and the central portion of the electron beam having a higher electron density than the peripheral portion of the electron beam is continued to the X-ray nano target 112b. The X-ray dose irradiated from the X-ray nano target 112b can be maximized. *
　また、第３の実施形態によれば、判定部２２９は、第３の電子ターゲット電流の値よりも第１の電子ターゲット電流の値及び第２の電子ターゲット電流の値が大きいという大小関係が崩れた場合に、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定し、照射制御部２２４ａは、判定部２２９により外れたと判定された場合に、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置するように照射位置を変更する。この結果、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが電子ビームの中心側に位置し続けるように制御でき、電子ビームの周辺部と比較して電子密度が高い電子ビームの中心部をＸ線ナノターゲット１１２ｂに継続して照射可能となり、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから照射されるＸ線の線量を最大化することが可能となる。　 Further, according to the third embodiment, the determination unit 229 breaks the magnitude relationship that the value of the first electron target current and the value of the second electron target current are larger than the value of the third electron target current. The X-ray nano target 112b is determined to have deviated from the electron beam irradiation range, and the irradiation control unit 224a determines that the X-ray nano target 112b has deviated from the electron beam irradiation range when the determination unit 229 determines that the X-ray nano target 112b has deviated. The irradiation position is changed so that is positioned. As a result, the X-ray nano target 112b can be controlled so as to continue to be located on the center side of the electron beam, and the central portion of the electron beam having a higher electron density than the peripheral portion of the electron beam is continued to the X-ray nano target 112b. The X-ray dose irradiated from the X-ray nano target 112b can be maximized. *
　また、第３の実施形態によれば、判定部２２９は、照射情報として、Ｘ線の線量を用いる場合、Ｘ線の線量が閾値より下がった場合に、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れたと判定し、照射制御部２２４ａが、判定部２２９により外れたと判定された場合に、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置するように照射位置を変更する。この結果、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが電子ビームの中心側に位置し続けるように制御でき、電子ビームの周辺部と比較して電子密度が高い電子ビームの中心部をＸ線ナノターゲット１１２ｂに継続して照射可能となり、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから照射されるＸ線の線量を最大化することが可能となる。　 According to the third embodiment, the determination unit 229 uses the X-ray nano-target from the irradiation range of the electron beam when the X-ray dose falls below a threshold when the X-ray dose is used as the irradiation information. When it is determined that 112b has been detached and the irradiation control unit 224a has determined that it has been detached, the irradiation position is changed so that the X-ray nano target 112b is positioned within the irradiation range of the electron beam. As a result, the X-ray nano target 112b can be controlled so as to continue to be located on the center side of the electron beam, and the central portion of the electron beam having a higher electron density than the peripheral portion of the electron beam is continued to the X-ray nano target 112b. The X-ray dose irradiated from the X-ray nano target 112b can be maximized. *
　また、第３の実施形態によれば、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの径が０．５μｍの場合、照射制御部２２４ａは、一度に０．１５μｍ移動させる。この結果、照射制御部２２４ａによる移動により、電子ビームの照射範囲からＸ線ナノターゲット１１２ｂが外れてしまう可能性を減らすことが可能となる。なお、第３の実施形態による、電子ビームの移動は、能動的に電子ビームを移動させるだけではなく、電子ビーム照射部１１１の性能や外乱による電子ビームの変動などの受動的な移動も含んでいてもよい。　 Also, according to the third embodiment, when the diameter of the X-ray nano target 112b is 0.5 μm, the irradiation controller 224a moves 0.15 μm at a time. As a result, it is possible to reduce the possibility that the X-ray nano target 112b is deviated from the electron beam irradiation range due to the movement by the irradiation control unit 224a. The movement of the electron beam according to the third embodiment not only actively moves the electron beam, but also includes passive movement such as the performance of the electron beam irradiation unit 111 and the fluctuation of the electron beam due to disturbance. May be. *
（第４の実施形態）
　以下では、Ｘ線画像に基づいて、サンプルの形状を出力する場合について説明する。以下では、説明の便宜上、上述の実施形態と同様の点については説明を省略する。　 (Fourth embodiment)
Below, the case where the shape of a sample is output based on an X-ray image is demonstrated. Hereinafter, for convenience of description, description of the same points as in the above-described embodiment will be omitted.
　第４の実施形態におけるＸ線検査システムは、１つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、制御装置とを備える。また、前記制御装置は、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部と、Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成部と、前記画像生成部により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出部と、前記第１形状算出部により算出された形状パラメータに基づいて前記変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出部とを備える。　 In one embodiment, an X-ray inspection system according to a fourth embodiment includes an X-ray inspection apparatus that generates an X-ray from an X-ray nanotarget by irradiating an electron beam with an electron beam irradiation unit, and a control device. Prepare. Further, the control device includes a conversion function storage unit that stores a correspondence between a shape parameter indicating a shape and a conversion function, a first X-ray image based on X-ray information obtained by the X-ray inspection device, An image generation unit that generates a second X-ray image that is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image, and the first X generated by the image generation unit A first shape calculation unit that calculates a shape parameter indicating a shape of an inspection target included in the first X-ray image using an arbitrary conversion function for calculating a shape parameter from image data for the line image; A conversion function stored in the conversion function storage unit is selected based on the shape parameter calculated by the first shape calculation unit, and a shape parameter is calculated using the selected conversion function for the second X-ray image. Second shape calculation Provided with a door. *
　第４の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記変換関数は、形状パラメータと、前記形状パラメータを有する検査対象を撮影した場合に得られるＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせから生成される。　 In the X-ray inspection system according to the fourth embodiment, for example, in one embodiment, the conversion function includes a shape parameter and an X-ray image or a simulation X-ray obtained when an inspection object having the shape parameter is imaged. Generated from a combination with an image. *
　第４の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記変換関数は、前記形状パラメータと、前記Ｘ線画像のラインプロファイルデータ又は前記シミュレーションＸ線画像のラインプロファイルデータとの組み合わせから生成される。 In the X-ray inspection system according to the fourth embodiment, for example, in one embodiment, the conversion function includes the shape parameter and the line profile data of the X-ray image or the line profile data of the simulation X-ray image. Generated from the combination.
　第４の実施形態におけるＸ線検査システムは、たとえば、１つの実施形態において、前記変換関数は、形状パラメータと、エッジ又はコントラストが強調されたＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせから生成される。　 In the X-ray inspection system according to the fourth embodiment, for example, in one embodiment, the conversion function is generated from a combination of a shape parameter and an X-ray image or a simulation X-ray image in which edges or contrast are enhanced. The *
　第４の実施形態における制御方法は、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成工程と、前記画像生成工程により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出工程と、前記第１形状算出工程により算出された形状パラメータに基づいて、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出工程とを含む。　 In one embodiment, the control method according to the fourth embodiment is based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus, and the resolution is compared with the first X-ray image and the first X-ray image. An image generation step for generating a second X-ray image that is a first X-ray image having a high height, and a shape parameter is calculated from image data for the first X-ray image generated by the image generation step A first shape calculation step for calculating a shape parameter indicating the shape of the inspection object included in the first X-ray image using an arbitrary conversion function for the shape, and the shape parameter calculated by the first shape calculation step. Based on this, the transformation function stored in the transformation function storage unit that stores the correspondence between the shape parameter indicating the shape and the transformation function is selected, and the shape parameter is selected for the second X-ray image using the selected transformation function. And a second shape calculation step of calculating a data. *
　第４の実施形態における制御プログラムは、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成手順と、前記画像生成手順により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出手順と、前記第１形状算出手順により算出された形状パラメータに基づいて、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出手順とをコンピュータに実行させる。　 In one embodiment, the control program in the fourth embodiment is based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus, and the resolution is compared with the first X-ray image and the first X-ray image. A shape parameter is calculated from image data for an image generation procedure for generating a second X-ray image, which is a first X-ray image having a high image quality, and the first X-ray image generated by the image generation procedure A first shape calculation procedure for calculating a shape parameter indicating the shape of the inspection object included in the first X-ray image using an arbitrary conversion function for the shape, and the shape parameter calculated by the first shape calculation procedure. Based on the selected transformation function, the transformation function stored in the transformation function storage unit that stores the association between the shape parameter indicating the shape and the transformation function is selected, and the second X-ray image is shaped using the selected transformation function. To perform a second shape calculation procedure for calculating the parameters in the computer. *
　第４の実施形態における制御装置は、１つの実施形態において、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部と、Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成部と、前記画像生成部により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出部と、前記第１形状算出部により算出された形状パラメータに基づいて前記変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出部とを備える。　 In one embodiment, the control device according to the fourth embodiment is based on a conversion function storage unit that stores a correspondence between a shape parameter indicating a shape and a conversion function, and X-ray information obtained by the X-ray inspection device. An image generation unit that generates a first X-ray image and a second X-ray image that is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image; and the image generation unit The shape parameter indicating the shape of the inspection object included in the first X-ray image is calculated using an arbitrary conversion function for calculating the shape parameter from the image data for the first X-ray image generated by And a conversion function stored in the conversion function storage unit on the basis of the shape parameter calculated by the first shape calculation unit, and the selected conversion for the second X-ray image. Use function And a second shape calculating unit for calculating a shape parameter. *
（第４の実施形態に係るＸ線検査システム）
　図３３は、第４の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。図３３に示すように、第４の実施形態では、記憶部２１０は、画像テーブル２１３と、変換関数テーブル２１４とを更に有し、制御部２２０が、変換関数作成部２３０と、画像生成部２３１と、第１形状算出部２３２と、第２形状算出部２３３とを更に有する。　 (X-ray inspection system according to the fourth embodiment)
FIG. 33 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the fourth embodiment. As illustrated in FIG. 33, in the fourth embodiment, the storage unit 210 further includes an image table 213 and a conversion function table 214, and the control unit 220 includes a conversion function creation unit 230 and an image generation unit 231. And a first shape calculation unit 232 and a second shape calculation unit 233.
　なお、図３３に示す例では、第３の実施形態において説明した各構成に加えて、記憶部２１０が画像テーブル２１３を更に有し、制御部２２０が、変換関数作成部２３０と、画像生成部２３１と、第１形状算出部２３２と、第２形状算出部２３３とを更に有する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。たとえば、第１の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部、第２の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部、及び、第３の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部のうち、一部又は全てについて、矛盾を起こさない範囲において有さなくても良い。 In the example illustrated in FIG. 33, in addition to the components described in the third embodiment, the storage unit 210 further includes an image table 213, and the control unit 220 includes a conversion function creation unit 230, an image generation unit, and the like. Although the case where it has 231, the 1st shape calculation part 232, and the 2nd shape calculation part 233 was shown as an example, it is not limited to this. For example, the units included in the storage unit 210 and the control unit 220 in the first embodiment, the units included in the storage unit 210 and the control unit 220 in the second embodiment, and the storage unit 210 and the control unit in the third embodiment. Some or all of the parts of 220 may not be present in a range that does not cause contradiction.
　画像テーブル２１３は、形状を示す形状パラメータと、形状パラメータにより示される形状を有する画像データとを対応付けて記憶する。形状パラメータとは、物体の形状を表示する際に用いられる情報である。具体的には、画像テーブル２１３は、第１の解像度を有する画像の第１の画像データと、第１の解像度と比較して解像度の高い第２の解像度を有する画像の第２の画像データとについて、それぞれ、形状パラメータを記憶する。ここで、画像テーブル２１３は、画像データとして、画像のラインプロファイルデータを記憶しても良い。　 The image table 213 stores a shape parameter indicating a shape and image data having a shape indicated by the shape parameter in association with each other. The shape parameter is information used when displaying the shape of the object. Specifically, the image table 213 includes first image data of an image having a first resolution, and second image data of an image having a second resolution that is higher than the first resolution. For each, shape parameters are stored. Here, the image table 213 may store image line profile data as image data. *
　たとえば、画像テーブル２１３は、第１の画像として、３０ｘ２０Ｐｉｘｅｌの解像度を有する画像の画像データを記憶する。また、画像テーブル２１３は、第２の画像として、３００ｘ２００Ｐｉｘｅｌの解像度を有する画像の画像データを記憶する。　 For example, the image table 213 stores image data of an image having a resolution of 30 × 20 pixels as the first image. Further, the image table 213 stores image data of an image having a resolution of 300 × 200 pixels as the second image. *
　図３４は、第４の実施形態における画像テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。図３４に示す例では、画像テーブル２１３は、たとえば、第１の画像データ「Ｐ１０１」に対応付けて形状パラメータ「Ｒ１：６．６３、Ｌ１：１４．４２、Ｒ２：３．０３、Ｌ２：１７．９７、Ｒ３：４．００、Ｌ３：０．２９、Ｒ４：５．７３、Ｔｘ：－０．７３、Ｔｙ：１５．９９」を記憶したり、第２の画像データ「Ｐ２０１」に対応付けて形状パラメータ「Ｒ１：１０．５０、Ｌ１：６．４５、Ｒ２：１０．０３、Ｌ２：２２．７７、Ｒ３：７．８６、Ｌ３：１７．０４、Ｒ４：５．４８、Ｔｘ：－０．６３、Ｔｙ：１４．８２」を記憶したりする。　 FIG. 34 is a diagram illustrating an example of information stored in the image table according to the fourth embodiment. In the example shown in FIG. 34, the image table 213 is associated with the first image data “P101”, for example, by the shape parameters “R1: 6.63, L1: 14.42, R2: 3.03, L2: 17. .97, R3: 4.00, L3: 0.29, R4: 5.73, Tx: -0.73, Ty: 15.99 "or associated with the second image data" P201 " Shape parameters R1: 10.50, L1: 6.45, R2: 10.03, L2: 22.77, R3: 7.86, L3: 17.04, R4: 5.48, Tx: -0 .63, Ty: 14.82 ". *
　ここで、図３４に示す例では、ＴＳＶの形状パラメータを記憶する場合を例に示した。すなわち、「Ｒ１」は、ＴｏｐＣＤ（ＴＳＶの開口部の径）の半径値を示す。「Ｌ１」は、ＴｏｐＣＤから２番目の位置のＣＤまでの長さを示す。「Ｒ２」は、２番目位置のＣＤの半径値を示す。「Ｌ２」は、２番目ＣＤから３番目ＣＤ位置までの長さを示す。「Ｒ３」は、３番目のＣＤの半径値を示す。「Ｌ３」は、３番目ＣＤとＢｏｔｔｏｍＣＤまでの長さを示す。「Ｒ４」は、ＢｏｔｔｏｍＣＤの半径値を示す。「Ｔｘ」は、Ｘ方向の傾斜角度を示す。言い換えると、Ｔｘは、Ｘ線源の点源とＴＳＶの回転中心軸との傾斜角度のＸ方向角度分を示す。「Ｔｙ」は、Ｙ方向角度分を示す。 Here, in the example shown in FIG. 34, the case of storing the TSV shape parameters is shown as an example. That is, “R1” indicates the radius value of TopCD (diameter of the opening of TSV). “L1” indicates the length from TopCD to the CD at the second position. “R2” indicates the radius value of the CD at the second position. “L2” indicates the length from the second CD to the third CD position. “R3” indicates the radius value of the third CD. “L3” indicates the length from the third CD to the Bottom CD. “R4” indicates the radius value of BottomCD. “Tx” indicates an inclination angle in the X direction. In other words, Tx indicates the angle in the X direction of the inclination angle between the point source of the X-ray source and the rotation center axis of the TSV. “Ty” indicates the angle in the Y direction.
　なお、図３４に示す例では、「Ｒ１」、「Ｌ１」、「Ｒ２」、「Ｌ２」、「Ｒ３」、「Ｌ３」、「Ｒ４」の単位は、μｍであり、「Ｔｘ」及び「Ｔｙ」の単位は、単位度である。ただし、これに限定されるものではなく、任意の単位を用いて良い。　 In the example shown in FIG. 34, the unit of “R1”, “L1”, “R2”, “L2”, “R3”, “L3”, “R4” is μm, and “Tx” and “Ty”. "Is a unit degree. However, it is not limited to this, Arbitrary units may be used. *
　変換関数テーブル２１４は、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する。変換関数とは、画像データを形状パラメータに変換するための関数である。変換関数としては、たとえば、任意のアルゴリズムや任意の関数処理などである。変換関数の作成の一例については、後述するためここでは説明を省略する。　 The conversion function table 214 stores a correspondence between a shape parameter indicating a shape and a conversion function. The conversion function is a function for converting image data into shape parameters. Examples of the conversion function include an arbitrary algorithm and an arbitrary function process. Since an example of creating the conversion function will be described later, the description thereof is omitted here. *
　なお、図３４に示す例では、形状パラメータとして詳細な値を記憶する場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、レンジを有する情報として記憶しても良い。　 In the example shown in FIG. 34, a case where a detailed value is stored as a shape parameter has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and may be stored as information having a range. *
　図３５は、第４の実施形態における変換関数テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。図３５に示す例では、画像テーブル２１３が、画像データの種類に対応付けて、形状パラメータと変換関数とを対応付けて記憶する場合を例に示した。　 FIG. 35 is a diagram illustrating an example of information stored in the conversion function table according to the fourth embodiment. In the example shown in FIG. 35, the case where the image table 213 stores the shape parameter and the conversion function in association with the type of image data is shown as an example. *
　たとえば、変換関数テーブル２１４は、第１の画像データに対して適用される変換関数を記憶し、第２の画像データに対して適用される変換関数を記憶する。また、変換関数テーブル２１４は、変換関数に対応づけて、変換関数の作成に用いられた形状パラメータ、又は、形状パラメータの範囲を記憶する。変換関数テーブル２１４は、変換関数として下記の（数１）を記憶する。　 For example, the conversion function table 214 stores a conversion function applied to the first image data, and stores a conversion function applied to the second image data. Further, the conversion function table 214 stores the shape parameter used for creating the conversion function or the range of the shape parameter in association with the conversion function. The conversion function table 214 stores the following (Equation 1) as a conversion function. *
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　ここで、（数１）において、「Ｗｋ」は、重みづけ係数を示す。「Ｘｉ」は、入力画像のＰｉｘｅｌ輝度値のデータ列のメンバ値を示す。ここで、Ｗｋは、たとえば、シミュレーションの画像データのＰｉｘｅｌの輝度値（Ｘｉ）とシミュレーション時に定義するパラメータのベクトル値ｙをあたえた上で、（数１）の計算誤差が最少になる値を算出することで算出される。ここで、複数の異なる画像データについての輝度値を与える場合には、複数の画像データ各々について算出される計測誤差各々の総和が最小になる値を算出する。このようにして、異なる変換関数は、異なるＷｋを有することになる。　 Here, in (Equation 1), “Wk” indicates a weighting coefficient. “Xi” indicates the member value of the data string of the Pixel luminance value of the input image. Here, Wk is calculated, for example, by giving the pixel luminance value (Xi) of the image data of the simulation and the vector value y of the parameter defined at the time of simulation, so that the calculation error of (Equation 1) is minimized. It is calculated by doing. Here, when the luminance values for a plurality of different image data are given, a value that minimizes the sum of the measurement errors calculated for each of the plurality of image data is calculated. In this way, different conversion functions will have different Wk. *
　ここで、第１の画像データに対応づけられる変換関数と、第２の画像データに対応付けられる変換関数との差異点について補足する。上述したように、第１の画像データの解像度である第１の解像度は、第２の画像データの解像度である第２の解像度と比較し低い。また、第２の画像データについての変換関数は、第１の画像データについての変換関数と比較して、より狭い範囲の形状パラメータごとに作成される。　 Here, the difference between the conversion function associated with the first image data and the conversion function associated with the second image data will be supplemented. As described above, the first resolution, which is the resolution of the first image data, is lower than the second resolution, which is the resolution of the second image data. In addition, the conversion function for the second image data is created for each shape parameter in a narrower range than the conversion function for the first image data. *
　制御部２２０は、変換関数作成部２３０と、画像生成部２３１と、第１形状算出部２３２と、第２形状算出部２３３とを更に有する。　 The control unit 220 further includes a conversion function creation unit 230, an image generation unit 231, a first shape calculation unit 232, and a second shape calculation unit 233. *
　変換関数作成部２３０は、画像情報を形状パラメータに変換する変換関数を作成する。具体的には、変換関数作成部２３０は、形状パラメータと、形状パラメータを有する検査対象を撮影した場合に得られるＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせから生成する。たとえば、変換関数作成部２３０は、形状パラメータと、Ｘ線画像のラインプロファイルデータ又はシミュレーションＸ線画像のラインプロファイルデータとの組み合わせから生成する。ここで、変換関数作成部２３０は、たとえば、形状パラメータと、エッジ又はコントラストが強調されたＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせを用いて変換関数を生成する。　 The conversion function creation unit 230 creates a conversion function that converts image information into shape parameters. Specifically, the conversion function creation unit 230 generates a combination of a shape parameter and an X-ray image or a simulation X-ray image obtained when an inspection target having the shape parameter is imaged. For example, the conversion function creation unit 230 generates a combination of a shape parameter and line profile data of an X-ray image or line profile data of a simulation X-ray image. Here, the conversion function creation unit 230 generates a conversion function using, for example, a combination of a shape parameter and an X-ray image or simulation X-ray image in which edges or contrast are enhanced. *
　ここで、変換関数作成部２３０は、画像そのものではなくラインプロファイルデータを用いる場合には、たとえば、１６Ｂｉｔ分解能のラインプロファイルデータを利用し、Ｘ線源が０．２５μｍ分解能を有し、画像のＳＮレベルが２レベルである場合には、計測再現性として０．０７μｍ（３σ値）程度を実現可能となる変換関数を取得可能となる。　 Here, when using the line profile data instead of the image itself, the conversion function creation unit 230 uses, for example, 16-bit resolution line profile data, the X-ray source has a 0.25 μm resolution, and the SN of the image. When the level is 2 levels, it is possible to acquire a conversion function that can realize about 0.07 μm (3σ value) as measurement reproducibility. *
　ここで、Ｘ線ナノターゲットの特長として物体の像の輪郭部分が強調されるので、このエッジのＰｅａｋ２Ｐｅａｋ値と、何もないところのノイズ信号のＰｅａｋ２Ｐｅａｋ値とをとり、Ｓ／Ｎ比として用いても良い。　 Here, since the contour portion of the image of the object is emphasized as a feature of the X-ray nano target, the Peak 2 Peak value of this edge and the Peak 2 Peak value of the noise signal of nothing are taken and used as the S / N ratio. Also good. *
　たとえば、変換関数作成部２３０は、形状パラメータの範囲を設定し、設定した範囲の形状パラメータを有するサンプルについて、実際にＸ線検査を行うことでＸ線画像を取得したり、シミュレーションによりシミュレーション画像を取得したりする。その上で、取得した形状パラメータと、Ｘ線画像又はシミュレーション画像との対応付けを画像テーブル２１３に格納する。なお、この際、Ｘ線画像又はシミュレーション画像については、ラインプロファイルデータに変換した上で格納しても良い。　 For example, the conversion function creation unit 230 sets a shape parameter range, and acquires an X-ray image by actually performing an X-ray inspection on a sample having the shape parameter in the set range, or obtains a simulation image by simulation. Or get it. In addition, the correspondence between the acquired shape parameter and the X-ray image or simulation image is stored in the image table 213. At this time, the X-ray image or the simulation image may be stored after being converted into line profile data. *
　また、たとえば、変換関数作成部２３０は、形状パラメータと画像データとの対応付けに基づいて、変換関数を作成する。画像テーブル２１３に格納されている画像データ各々を読み出し、対応付けられた形状パラメータが算出される変換関数を作成する。たとえば、任意の学習、変換関数生成アルゴリズムを適用することで、変換関数を作成する。また、変換関数作成部２３０は、形状パラメータと対応付けて、作成した変換関数を変換関数テーブル２１４に格納する。　 Also, for example, the conversion function creating unit 230 creates a conversion function based on the association between the shape parameter and the image data. Each of the image data stored in the image table 213 is read, and a conversion function for calculating the associated shape parameter is created. For example, a conversion function is created by applying an arbitrary learning and conversion function generation algorithm. Also, the conversion function creation unit 230 stores the created conversion function in the conversion function table 214 in association with the shape parameter. *
　図３６は、第４の実施形態における変換関数作成部による変換関数作成処理の一例を示す図である。図３６に示す例では、変換関数作成部２３０は、設定された範囲内の形状パラメータを有する形状のサンプルについて得られる画像データ６０１各々を入力として、図３６に示す形状パラメータ６０２を取得することができる変換関数６０３を作成する。なお、図３６に示す例では、ニューラルネットワークなどに代表される学習、変換関数生成アルゴリズムを用いる場合を例に示した。より詳細には、シグモイド関数を適用する場合を例に示した。すなわち、図３６に示すように、Ｌｏｇ－Ｓｉｇｍｏｉｄを用いることで、重み計算を最適化していくうえで計算結果を比較的早く収束させることが可能となる。　 FIG. 36 is a diagram illustrating an example of a conversion function creation process by the conversion function creation unit according to the fourth embodiment. In the example illustrated in FIG. 36, the conversion function creation unit 230 can acquire the shape parameter 602 illustrated in FIG. 36 by using each of the image data 601 obtained for the sample of the shape having the shape parameter within the set range. A possible conversion function 603 is created. In the example shown in FIG. 36, a case where learning represented by a neural network or the like and a conversion function generation algorithm are used is shown as an example. More specifically, a case where a sigmoid function is applied is shown as an example. That is, as shown in FIG. 36, using Log-Sigmad makes it possible to converge the calculation result relatively quickly when optimizing the weight calculation. *
　また、ここで、変換関数作成部２３０は、第１の解像度の第１の画像データについて変換関数を作成するとともに、第２の解像度の第２の画像データについて変換関数を作成する。また、変換関数作成部２３０は、第２の解像度の第２の画像データについては、複数の形状パラメータの範囲を設定し、設定した範囲それぞれについて変換関数を作成する。 Also, here, the conversion function creating unit 230 creates a conversion function for the first image data having the first resolution, and creates a conversion function for the second image data having the second resolution. The conversion function creation unit 230 sets a plurality of shape parameter ranges for the second image data of the second resolution, and creates a conversion function for each of the set ranges.
　画像生成部２３１は、Ｘ線検査装置１００により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する。すなわち、画像生成部２３１は、第１の解像度を有する第１のＸ線画像と、第２の解像度を有するＸ線画像とを作成する。たとえば、画像生成部２３１は、Ｘ線検査装置１００によってＸ線情報が取得したり、ユーザによってＸ線画像又はＸ線情報を指定する指示を受領したりすると、取得されたＸ線情報に基づいて、第１のＸ線画像と第２のＸ線画像とを作成する。より詳細な一例をあげて説明すると、画像生成部２３１は、３０ｘ２０Ｐｉｘｅｌの解像度を有する第１のＸ線画像と、３００ｘ２００Ｐｉｘｅｌの解像度を有する第２のＸ線画像とを作成する。 The image generation unit 231 is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image and the first X-ray image, based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus 100. A second X-ray image is generated. That is, the image generation unit 231 creates a first X-ray image having a first resolution and an X-ray image having a second resolution. For example, when the X-ray information is acquired by the X-ray inspection apparatus 100 or an instruction for specifying an X-ray image or X-ray information is received by the user, the image generation unit 231 is based on the acquired X-ray information. A first X-ray image and a second X-ray image are created. To explain with a more detailed example, the image generation unit 231 generates a first X-ray image having a resolution of 30 × 20 Pixel and a second X-ray image having a resolution of 300 × 200 Pixel.
　第１形状算出部２３２は、画像生成部２３１により生成された第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する。具体的には、第１形状算出部２３２は、第１の解像度を有する第１の画像を用いて算出された変換関数を用いて、第１のＸ線画像から形状パラメータを算出する。　 The first shape calculation unit 232 includes the first X-ray image generated by the image generation unit 231 in the first X-ray image using an arbitrary conversion function for calculating a shape parameter from the image data. A shape parameter indicating the shape of the inspection object is calculated. Specifically, the first shape calculation unit 232 calculates shape parameters from the first X-ray image using a conversion function calculated using the first image having the first resolution. *
　たとえば、第１形状算出部２３２は、第１の画像データに対応付けられた変換関数を変換関数テーブル２１４から読み出し、読み出した変換関数に第１のＸ線画像を適用することで、形状パラメータを算出する。より詳細な一例をあげて説明すると、Ｘ線画像の２次元のＰｉｘｅｌごとの輝度値のデータを１次元のベクトルデータに変換する。たとえば、画像からＬｉｎｅＰｒｏｆｉｌｅに変換する手法と同様に変換して良い。その後、変換することで得られたベクトルデータを予めシミュレーション画像と設定パラメータ値である教師データで学習しておいた変換関数に入力することで、形状パラメータ値を算出する。ここで、シミュレーション画像と設定パラメータ値である教師データで学習しておいた変換関数とは、たとえば、ニューラルネットアルゴリズムにより粗い画像で学習生成したものである。　 For example, the first shape calculation unit 232 reads the conversion function associated with the first image data from the conversion function table 214, and applies the first X-ray image to the read conversion function, thereby obtaining the shape parameter. calculate. To explain with a more detailed example, the luminance value data for each two-dimensional pixel of the X-ray image is converted into one-dimensional vector data. For example, conversion may be performed in the same manner as the method of converting from an image to a LineProfile. Thereafter, the shape parameter value is calculated by inputting the vector data obtained by the conversion into a conversion function that has been learned in advance from the simulation image and the teacher data that is the setting parameter value. Here, the conversion function learned from the simulation image and the teacher data that is the setting parameter value is, for example, learned and generated from a coarse image by a neural network algorithm. *
　第２形状算出部２３３は、第１形状算出部２３２により算出された形状パラメータに基づいて変換関数テーブル２１４に記憶された変換関数を選択し、第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する。具体的には、第２形状算出部２３３は、変換関数テーブル２１４において、第２の画像データに対応付けられた形状パラメータのうち、第１形状算出部２３２により算出された形状パラメータと合致又は近似する形状パラメータを選択し、選択した形状パラメータに対応付けられた変換関数を選択する。そして、第２形状算出部２３３は、選択した変換関数に第２のＸ線画像を適用することで、形状パラメータを算出する。たとえば、（数１）に示す変換関数を用いる場合には、形状パラメータとして、９パラメータの計算結果がえられる。　 The second shape calculation unit 233 selects the conversion function stored in the conversion function table 214 based on the shape parameter calculated by the first shape calculation unit 232, and selects the selected conversion function for the second X-ray image. To calculate the shape parameters. Specifically, the second shape calculation unit 233 matches or approximates the shape parameter calculated by the first shape calculation unit 232 among the shape parameters associated with the second image data in the conversion function table 214. A shape parameter to be selected is selected, and a conversion function associated with the selected shape parameter is selected. And the 2nd shape calculation part 233 calculates a shape parameter by applying a 2nd X-ray image to the selected conversion function. For example, when the conversion function shown in (Equation 1) is used, the calculation result of nine parameters is obtained as the shape parameter. *
　たとえば、第２形状算出部２３３は、第１形状算出部２３２と同様にＸ線画像の２次元のＰｉｘｅｌごとの輝度値のデータを1次元のベクトルデータに変換する。より詳細な一例を挙げて説明すると、第２形状算出部２３３は、画像からＬｉｎｅＰｒｏｆｉｌｅに変換することと同じ手法により変換する。その後、第２形状算出部２３３は、変換することで得られたベクトルデータをあらかじめシミュレーション画像（３００ｘ２００）と設定パラメータ値である教師データで学習しておいた変換関数に入力することで、形状パラメータ値を算出する。　 For example, similarly to the first shape calculation unit 232, the second shape calculation unit 233 converts luminance value data for each two-dimensional pixel of the X-ray image into one-dimensional vector data. If it demonstrates with a more detailed example, the 2nd shape calculation part 233 will convert by the same method as converting from an image to LineProfile. After that, the second shape calculation unit 233 inputs the vector data obtained by the conversion into the conversion function that has been learned in advance from the simulation image (300 × 200) and the teacher data that is the setting parameter value, thereby obtaining the shape parameter. Calculate the value. *
　すなわち、第４の実施形態では、解像度が相対的に低い画像に基づいて一度形状パラメータを算出し、算出した形状パラメータに基づいて、処理対象となるＸ線画像に適した形状パラメータ選択した上で、解像度が相対的に高い画像に基づいて形状パラメータを算出する。　 That is, in the fourth embodiment, the shape parameter is calculated once based on an image having a relatively low resolution, and the shape parameter suitable for the X-ray image to be processed is selected based on the calculated shape parameter. The shape parameter is calculated based on an image having a relatively high resolution. *
　なお、上述した実施形態では、制御装置２００が、画像テーブル２１３と、変換関数作成部２３０とを有する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。すなわち、制御装置２００は、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数テーブル２１４を保持しておき、形状パラメータと変換関数とを自ら対応付けて変換関数テーブル２１４に格納しなくても良い。この場合、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けは、たとえば、ユーザによって予め格納されたり、変換関数作成部２３０に相当する機能を有する情報処理装置によって格納されたりする。　 In the above-described embodiment, the case where the control device 200 includes the image table 213 and the conversion function creation unit 230 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. That is, the control device 200 holds the conversion function table 214 that stores the association between the shape parameter indicating the shape and the conversion function, and stores the shape parameter and the conversion function in the conversion function table 214 in association with each other. It is not necessary. In this case, the association between the shape parameter indicating the shape and the conversion function is stored in advance by the user or stored by an information processing apparatus having a function corresponding to the conversion function creating unit 230, for example. *
（変換関数作成部による変換関数作成処理）
　図３７は、第４の実施形態における変換関数作成部による変換関数作成処理の一例を示すフローチャートである。　 (Conversion function creation processing by the conversion function creation part)
FIG. 37 is a flowchart illustrating an example of a conversion function creation process by the conversion function creation unit according to the fourth embodiment.
　図３７に示すように、変換関数作成部２３０は、作成タイミングとなると（ステップＳ６０１肯定）、形状パラメータの範囲を設定し、設定した範囲の形状パラメータを有するサンプルについて、実際にＸ線検査を行うことでＸ線画像を取得したり、シミュレーションによりシミュレーション画像を取得したりする（ステップＳ６０２）。　 As shown in FIG. 37, the conversion function creation unit 230 sets a range of shape parameters at the creation timing (Yes in step S601), and actually performs an X-ray inspection on a sample having the shape parameters in the set range. Thus, an X-ray image is acquired or a simulation image is acquired by simulation (step S602). *
　そして、変換関数作成部２３０は、形状パラメータと画像データとの対応付けに基づいて、変換関数を作成する（ステップＳ６０３）。たとえば、変換関数作成部２３０は、画像テーブル２１３に格納されている画像データ各々を読み出し、読み出した画像データ各々に対応付けられた形状パラメータが算出される変換関数を作成し、形状パラメータと対応付けて変換関数テーブル２１４に格納する。　 Then, the conversion function creation unit 230 creates a conversion function based on the correspondence between the shape parameter and the image data (step S603). For example, the conversion function creation unit 230 reads each image data stored in the image table 213, creates a conversion function in which a shape parameter associated with each read image data is calculated, and associates it with the shape parameter. And stored in the conversion function table 214. *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other.
（形状算出処理）
　図３８は、第４の実施形態における形状算出処理の一例を示すフローチャートである。 (Shape calculation process)
FIG. 38 is a flowchart illustrating an example of a shape calculation process according to the fourth embodiment.
　図３８に示すように、画像生成部２３１は、Ｘ線情報を取得すると（ステップＳ７０１肯定）、Ｘ線検査装置１００により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と第２のＸ線画像とを作成する（ステップＳ７０２）。たとえば、画像生成部２３１は、３０ｘ２０Ｐｉｘｅｌの解像度を有する第１のＸ線画像と、３００ｘ２００Ｐｉｘｅｌの解像度を有する第２のＸ線画像とを作成する。　 As illustrated in FIG. 38, when the image generation unit 231 acquires X-ray information (Yes in step S701), the first X-ray image and the second X-ray image are obtained based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus 100. An X-ray image is created (step S702). For example, the image generation unit 231 creates a first X-ray image having a resolution of 30 × 20 Pixel and a second X-ray image having a resolution of 300 × 200 Pixel. *
　そして、第１形状算出部２３２は、画像生成部２３１により生成された第１のＸ線画像について、変換関数を用いて第１のＸ線画像から形状パラメータを算出する（ステップＳ７０３）。たとえば、第１形状算出部２３２は、第１の画像データに対応付けられた変換関数を変換関数テーブル２１４から読み出し、読み出した変換関数に第１のＸ線画像を適用することで、形状パラメータを算出する。　 Then, the first shape calculation unit 232 calculates a shape parameter from the first X-ray image using the conversion function for the first X-ray image generated by the image generation unit 231 (step S703). For example, the first shape calculation unit 232 reads the conversion function associated with the first image data from the conversion function table 214, and applies the first X-ray image to the read conversion function, thereby obtaining the shape parameter. calculate. *
　そして、第２形状算出部２３３は、第１形状算出部２３２により算出された形状パラメータに基づいて変換関数テーブル２１４に記憶された変換関数を選択する（ステップＳ７０４）。たとえば、第２形状算出部２３３は、変換関数テーブル２１４において、第２の画像データに対応付けられた形状パラメータのうち、第１形状算出部２３２により算出された形状パラメータと合致又は近似する形状パラメータを選択する。　 Then, the second shape calculation unit 233 selects a conversion function stored in the conversion function table 214 based on the shape parameter calculated by the first shape calculation unit 232 (step S704). For example, in the conversion function table 214, the second shape calculation unit 233 matches or approximates the shape parameter calculated by the first shape calculation unit 232 among the shape parameters associated with the second image data. Select. *
　そして、第２形状算出部２３３は、第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する（ステップＳ７０５）。　 And the 2nd shape calculation part 233 calculates a shape parameter about the 2nd X-ray image using the selected conversion function (Step S705). *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other.
（第４の実施形態の効果）
　上述した実施形態によれば、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂを用いて、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。　 (Effect of the fourth embodiment)
According to the above-described embodiment, it is possible to appropriately acquire an X-ray image of an inspection object using the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a.
　また、第４の実施形態によれば、制御装置２００は、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数テーブル２１４を有する。また、制御装置２００は、Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成部２３１を有する。また、制御装置２００は、画像生成部２３１により生成された第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出部２３２を有する。また、制御装置２００は、第１形状算出部２３２により算出された形状パラメータに基づいて変換関数テーブル２１４に記憶された変換関数を選択し、第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出部２３３を有する。この結果、２Ｄ画像から、検査対象となるサンプルの立体形状を抽出することが可能となる。たとえば、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを用いて得られるサンプルのプロジェクション画像から、サンプルの立体形状を取得可能となる。また、その際、サンプルに適した変換関数を選択可能となり、高精度な立体形状を取得可能となる。　 Further, according to the fourth embodiment, the control device 200 has the conversion function table 214 that stores the association between the shape parameter indicating the shape and the conversion function. The control device 200 is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image and the first X-ray image based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus. An image generation unit 231 that generates a second X-ray image is included. Further, the control device 200 uses the arbitrary conversion function for calculating the shape parameter from the image data for the first X-ray image generated by the image generation unit 231, and includes the inspection included in the first X-ray image. It has the 1st shape calculation part 232 which calculates the shape parameter which shows the shape of object. In addition, the control device 200 selects the conversion function stored in the conversion function table 214 based on the shape parameter calculated by the first shape calculation unit 232, and uses the selected conversion function for the second X-ray image. A second shape calculating unit 233 for calculating shape parameters. As a result, it is possible to extract the three-dimensional shape of the sample to be inspected from the 2D image. For example, the three-dimensional shape of the sample can be acquired from the projection image of the sample obtained using the X-ray nano target 112b. At this time, a conversion function suitable for the sample can be selected, and a highly accurate three-dimensional shape can be acquired. *
　また、このように、解像度が相対的に低い画像に基づいて一度形状パラメータを算出し、算出した形状パラメータに基づいて、処理対象となるＸ線画像に適した形状パラメータ選択した上で、解像度が相対的に高い画像に基づいて形状パラメータを算出するという２段階のプロセスを踏むことで、高精度な立体形状を迅速に取得可能となる。　 In addition, in this way, once the shape parameter is calculated based on the image having a relatively low resolution, and the shape parameter suitable for the X-ray image to be processed is selected based on the calculated shape parameter, the resolution is By taking a two-step process of calculating shape parameters based on a relatively high image, a highly accurate three-dimensional shape can be quickly acquired. *
　また、上述した第４の実施形態によれば、変換関数は、形状パラメータと、形状パラメータを有する検査対象を撮影した場合に得られるＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせから生成される。この結果、２Ｄ画像から、検査対象となるサンプルの立体形状を抽出することが可能となる。　 Further, according to the fourth embodiment described above, the conversion function is generated from a combination of a shape parameter and an X-ray image or a simulation X-ray image obtained when an inspection object having the shape parameter is imaged. As a result, it is possible to extract the three-dimensional shape of the sample to be inspected from the 2D image. *
　また、上述した第４の実施形態によれば、形状パラメータと、Ｘ線画像のラインプロファイルデータ又はシミュレーションＸ線画像のラインプロファイルデータとの組み合わせから生成される。この結果、２Ｄ画像から、検査対象となるサンプルの立体形状を抽出することが可能となる。また、画像そのものではなく、ラインプロファイルデータを用いて変換関数を作成することで、ＳＮ比の低い（ノイズ量が多い）画像データからでも、形状パラメータの算出を高い再現性で行うことができる。　 Further, according to the fourth embodiment described above, the shape parameter is generated from a combination of the X-ray image line profile data or the simulation X-ray image line profile data. As a result, it is possible to extract the three-dimensional shape of the sample to be inspected from the 2D image. In addition, by creating a conversion function using line profile data instead of the image itself, shape parameters can be calculated with high reproducibility even from image data with a low SN ratio (a large amount of noise). *
　また、上述した第４の実施形態によれば、変換関数は、形状パラメータと、エッジ又はコントラストが強調されたＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせから生成される。この結果、変換関数を用いて生成される形状パラメータにおいてもエッジ又はコントラストが強調された画像を取得可能となる。　 Further, according to the above-described fourth embodiment, the conversion function is generated from a combination of a shape parameter and an X-ray image or a simulated X-ray image in which edges or contrast are enhanced. As a result, it is possible to acquire an image in which the edge or contrast is enhanced even in the shape parameter generated using the conversion function. *
（第５の実施形態）
　以下では、ラミノグラフィ撮影を行う場合について説明する。以下では、説明の便宜上、上述の実施形態と同様の点については説明を省略する。　 (Fifth embodiment)
Hereinafter, a case where laminography imaging is performed will be described. Hereinafter, for convenience of description, description of the same points as in the above-described embodiment will be omitted.
　第５の実施形態におけるＸ線検査システムは、１つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、制御装置とを備える。また、前記制御装置は、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに対して電子ビームを照射するように制御する照射制御部と、前記電子ビームが照射されることで前記Ｘ線ナノターゲットから照射されるＸ線の照射方向に設けられるサンプルステージを水平方向に移動させる第１の移動制御部と、前記サンプルステージよりも前記Ｘ線の照射方向に設けられて電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線を検出する検出部について、前記移動制御部による移動中に、前記サンプルステージに載置されるサンプルにおいてＸ線が照射される焦点となる焦点位置と、前記Ｘ線ナノターゲットとを結ぶ延長戦上に位置するように移動させる第２の移動制御部と、前記検出部により検出されたＸ線情報に基づきラミノグラフィ画像を生成するラミノグラフィ画像生成部とを備える。　 An X-ray inspection system according to a fifth embodiment includes, in one embodiment, an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam, and a control device. Prepare. In addition, the control device includes an irradiation control unit that controls the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the X-ray nano target with the electron beam, and the X-ray is irradiated with the electron beam. A first movement control unit configured to move a sample stage provided in the X-ray irradiation direction from the nano target in a horizontal direction; and an electron beam irradiation provided in the X-ray irradiation direction from the sample stage. About the detection unit for detecting the X-rays generated from the X-ray nano target, a focal position serving as a focal point where X-rays are irradiated on the sample placed on the sample stage during the movement by the movement control unit; A second movement control unit for moving the X-ray nano target so as to be positioned on the extended game, and a laser beam based on the X-ray information detected by the detection unit. And a laminography image generating unit that generates a Nogurafi image. *
　第５の実施形態における制御方法は、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射工程がＸ線ナノターゲットに対して電子ビームを照射するように制御する照射制御工程と、前記電子ビームが照射されることで前記Ｘ線ナノターゲットから照射されるＸ線の照射方向に設けられるサンプルステージを水平方向に移動させる第１の移動制御工程と、前記サンプルステージよりも前記Ｘ線の照射方向に設けられて電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線を検出する検出工程について、前記第１の移動制御工程による移動中に、前記サンプルステージに載置されるサンプルにおいてＸ線が照射される焦点となる焦点位置と、前記Ｘ線ナノターゲットとを結ぶ延長戦上に位置するように移動させる第２の移動制御工程と、前記検出工程により検出されたＸ線情報に基づきラミノグラフィ画像を生成するラミノグラフィ画像生成工程とを含む。　 In one embodiment, the control method according to the fifth embodiment includes an irradiation control step of controlling the electron beam irradiation step of the X-ray inspection apparatus so as to irradiate the electron beam to the X-ray nano target, and the electron beam. The first movement control step of moving the sample stage provided in the X-ray irradiation direction irradiated from the X-ray nano target in the horizontal direction by being irradiated, and the X-ray irradiation direction from the sample stage In the detection step of detecting X-rays generated from the X-ray nanotarget by irradiation with an electron beam, the X-ray is detected in the sample placed on the sample stage during the movement by the first movement control step. 2nd movement to move so as to be located on the extended battle connecting the focal position that becomes the focal point to which the X-ray is irradiated and the X-ray nano target Comprising a control step, a laminography image generation step of generating a laminography image based on the detected X-ray information by the detecting step. *
　第５の実施形態における制御プログラムは、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射手順がＸ線ナノターゲットに対して電子ビームを照射するように制御する照射制御手順と、前記電子ビームが照射されることで前記Ｘ線ナノターゲットから照射されるＸ線の照射方向に設けられるサンプルステージを水平方向に移動させる第１の移動制御手順と、前記サンプルステージよりも前記Ｘ線の照射方向に設けられて電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線を検出する検出手順について、前記第１の移動制御手順による移動中に、前記サンプルステージに載置されるサンプルにおいてＸ線が照射される焦点となる焦点位置と、前記Ｘ線ナノターゲットとを結ぶ延長戦上に位置するように移動させる第２の移動制御手順と、前記検出手順により検出されたＸ線情報に基づきラミノグラフィ画像を生成するラミノグラフィ画像生成手順とをコンピュータに実行させる。　 In one embodiment, the control program according to the fifth embodiment includes an irradiation control procedure for controlling the electron beam irradiation procedure of the X-ray inspection apparatus to irradiate an electron beam to the X-ray nano target, and the electron beam. The first movement control procedure for moving the sample stage provided in the X-ray irradiation direction irradiated from the X-ray nano target in the horizontal direction by being irradiated with the X-ray nano target, and the X-ray irradiation direction from the sample stage The detection procedure for detecting X-rays generated from the X-ray nano target by irradiation with an electron beam is applied to a sample placed on the sample stage during movement by the first movement control procedure. The second position is moved so as to be positioned on the extended battle connecting the focal position to be irradiated with the X-ray nano target and the X-ray nano target. A movement control procedure, the detection procedure laminography to execute an image generation procedure in the computer to generate a laminography image based on the X-ray information detected by. *
　第５の実施形態における制御装置は、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに対して電子ビームを照射するように制御する照射制御部と、前記電子ビームが照射されることで前記Ｘ線ナノターゲットから照射されるＸ線の照射方向に設けられるサンプルステージを水平方向に移動させる第１の移動制御部と、前記サンプルステージよりも前記Ｘ線の照射方向に設けられて電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線を検出する検出部について、前記第１の移動制御部による移動中に、前記サンプルステージに載置されるサンプルにおいてＸ線が照射される焦点となる焦点位置と、前記Ｘ線ナノターゲットとを結ぶ延長戦上に位置するように移動させる第２の移動制御部と、前記検出部により検出されたＸ線情報に基づきラミノグラフィ画像を生成するラミノグラフィ画像生成部とを備える。　 In one embodiment, the control device according to the fifth embodiment includes an irradiation control unit that controls the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate an electron beam to the X-ray nano target, and the electron beam. A first movement control unit that moves a sample stage provided in the X-ray irradiation direction irradiated from the X-ray nano target in a horizontal direction and the X-ray irradiation direction from the sample stage An X-ray detection unit that detects X-rays generated from the X-ray nano-target by irradiation with an electron beam is applied to a sample placed on the sample stage during movement by the first movement control unit. A second movement control unit that moves so as to be positioned in an extended battle connecting the focal position to be irradiated with the X-ray nano target; And a laminography image generation unit for generating a laminography image based on the detected X-ray information by serial detector. *
（第５の実施形態に係るＸ線検査システム）
　図３９は、第５の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。図３９に示すように、第５の実施形態では、制御部２２０は、移動制御部２３４と、ラミノグラフィ画像生成部２３５とを更に有する。ここで、第５の実施形態に係るＸ線検査システムでは、サンプルステージ１０６とＸ線カメラ１０８とは、共に、移動可能なものとして説明する。　 (X-ray inspection system according to the fifth embodiment)
FIG. 39 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 39, in the fifth embodiment, the control unit 220 further includes a movement control unit 234 and a laminography image generation unit 235. Here, in the X-ray inspection system according to the fifth embodiment, both the sample stage 106 and the X-ray camera 108 will be described as being movable.
　なお、図３９に示す例では、第４の実施形態において説明した各構成に加えて、制御部２２０が、移動制御部２３４と、ラミノグラフィ画像生成部２３５とを更に有する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。たとえば、第１の実施形態～第４の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部のうち一部又は全てについて、矛盾を起こさない範囲において有さなくても良い。　 In the example illustrated in FIG. 39, the control unit 220 further includes a movement control unit 234 and a laminography image generation unit 235 in addition to the components described in the fourth embodiment. However, the present invention is not limited to this. For example, in the first to fourth embodiments, some or all of the units included in the storage unit 210 and the control unit 220 may not be included in a range where no contradiction occurs. *
　照射制御部２２４ａは、上述したように、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲット１１２ｂに対して電子ビームを照射するように制御する。　 As described above, the irradiation control unit 224a controls the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the X-ray nano target 112b with an electron beam. *
　ここで、移動制御部２３４は、電子ビームが照射されることでＸ線ナノターゲット１１２ｂから照射されるＸ線の照射方向に設けられるサンプルステージ１０６を水平方向に移動させる。また、移動制御部２３４は、サンプルステージ１０６よりもＸ線の照射方向に設けられて電子ビームの照射によりＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線を検出する取得部２２１について、移動制御部２３４による移動中に、サンプルステージ１０６に載置されるサンプルにおいてＸ線が照射される焦点となる焦点位置と、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとを結ぶ延長戦上に位置するように移動させる。たとえば、移動制御部２３４は、撮影タイミングとなると、サンプルステージ１０６やＸ線カメラ１０８を移動させる。すなわち、移動制御部２３４は、サンプルステージ１０６とＸ線カメラ１０８との位置を連動させながら、サンプルステージ１０６とＸ線カメラ１０８とを移動させる。　 Here, the movement control unit 234 moves the sample stage 106 provided in the X-ray irradiation direction irradiated from the X-ray nano target 112b in the horizontal direction by being irradiated with the electron beam. Further, the movement control unit 234 is provided in the X-ray irradiation direction with respect to the sample stage 106, and the movement control unit 234 detects the X-ray generated from the X-ray nano target 112b by the electron beam irradiation. During the movement, the sample placed on the sample stage 106 is moved so as to be positioned on the extended battle connecting the focal position where the X-ray is irradiated and the X-ray nano target 112b. For example, the movement control unit 234 moves the sample stage 106 and the X-ray camera 108 at the imaging timing. That is, the movement control unit 234 moves the sample stage 106 and the X-ray camera 108 while linking the positions of the sample stage 106 and the X-ray camera 108. *
　図４０は、第５の実施形態における移動制御部による制御内容について示す図である。図４０に示す例では、説明の便宜上、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂと、サンプルステージ１０６に載置された基板７０１と、Ｘ線カメラ１０８とを示し、基板７０１において焦点位置７０２と、サンプルステージ１０６の移動軸７０３と、Ｘ線カメラ１０８の移動軸７０４とを併せて示した。　 FIG. 40 is a diagram showing the contents of control by the movement control unit in the fifth embodiment. In the example shown in FIG. 40, for convenience of explanation, an X-ray nano target 112b, a substrate 701 placed on the sample stage 106, and an X-ray camera 108 are shown. In the substrate 701, the focal position 702 and the sample stage 106 The movement axis 703 and the movement axis 704 of the X-ray camera 108 are shown together. *
　図４０の（１）～（３）に示すように、移動制御部２３４は、サンプルステージ１０６の移動軸７０３に沿って移動させる。この結果、サンプルステージ１０６に載置された基板７０１についても同様に、移動軸７０３に沿って移動することになる。　 40 (1) to (3), the movement control unit 234 moves along the movement axis 703 of the sample stage 106. As a result, the substrate 701 placed on the sample stage 106 also moves along the movement axis 703 in the same manner. *
　また、この際、移動制御部２３４は、更に、Ｘ線カメラ１０８についても、移動軸７０４に沿って移動させる。具体的には、図４０の（１）～（３）に示されるように、Ｘ線カメラ１０８が、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂと、基板７０１の焦点位置７０２と結ぶ線上にＸ線カメラ１０８が位置するように制御しながら、Ｘ線カメラ１０８を移動させる。　 At this time, the movement control unit 234 further moves the X-ray camera 108 along the movement axis 704. Specifically, as shown in FIGS. 40 (1) to (3), the X-ray camera 108 is positioned on the line connecting the X-ray nano target 112b and the focal position 702 of the substrate 701. The X-ray camera 108 is moved while controlling to do so. *
　ここで、取得部２２１は、移動制御部２３４による移動制御の際に取得部２２１により検出されたＸ線情報を取得し、ラミノグラフィ画像生成部２３５が、移動制御部２３４による移動制御の際に取得部２２１により検出されたＸ線情報に基づき、ラミノグラフィ画像を生成する。　 Here, the acquisition unit 221 acquires X-ray information detected by the acquisition unit 221 during movement control by the movement control unit 234, and the laminography image generation unit 235 acquires during movement control by the movement control unit 234. A laminography image is generated based on the X-ray information detected by the unit 221. *
　図４１は、第５の実施形態におけるラミノグラフィ画像生成部について示す図である。なお、図４１に示す例では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂからのＸ線の放射角度が３０度～１５０度とした上で、３０度～１５０度の範囲内においてサンプルステージ１０６とＸ線カメラ１０８とを移動させながら処理を行った場合を例に示した。ただし、これに限定されるものではなく、任意の角度範囲において処理を実行して良い。　 FIG. 41 is a diagram showing a laminography image generation unit in the fifth embodiment. In the example shown in FIG. 41, the X-ray emission angle from the X-ray nano target 112b is 30 degrees to 150 degrees, and the sample stage 106 and the X-ray camera 108 are within the range of 30 degrees to 150 degrees. The case where processing was performed while moving was shown as an example. However, the present invention is not limited to this, and the process may be executed in an arbitrary angle range. *
　図４１に示すように、取得部２２１により移動制御中にＸ線情報が取得されることでラミノグラフィ画像生成部２３５は、画像群７０５の情報が含まれるラミノグラフィ画像を生成する。　 41, the X-ray information is acquired during movement control by the acquisition unit 221 so that the laminography image generation unit 235 generates a laminography image including information on the image group 705. *
（ラミノグラフィ画像処理の流れ）
　図４２は、第５の実施形態におけるラミノグラフィ画像処理の流れの一例を示すフローチャートである。　 (Flow of laminography image processing)
FIG. 42 is a flowchart illustrating an example of the flow of laminography image processing in the fifth embodiment.
　図４２に示すように、撮影タイミングとなると（ステップＳ８０１肯定）、移動制御部２３４は、サンプルステージ１０６とＸ線カメラ１０８とを移動させる（ステップＳ８０２）。具体的には、移動制御部２３４は、サンプルステージ１０６を水平方向に移動させ、また、サンプルの焦点位置とＸ線ナノターゲット１１２ｂとを結ぶ延長戦上に位置するように、Ｘ線カメラ１０８を移動させる。　 As shown in FIG. 42, when the imaging timing comes (Yes in step S801), the movement control unit 234 moves the sample stage 106 and the X-ray camera 108 (step S802). Specifically, the movement control unit 234 moves the sample stage 106 in the horizontal direction, and moves the X-ray camera 108 so that the sample stage 106 is positioned in an extended battle connecting the focal position of the sample and the X-ray nano target 112b. Move. *
　そして、取得部２２１は、移動制御部２３４による移動制御の際に取得部２２１により検出されたＸ線情報を取得し（ステップＳ８０３）、ラミノグラフィ画像生成部２３５が、移動制御部２３４による移動制御の際に取得部２２１により検出されたＸ線情報に基づき、ラミノグラフィ画像を生成する（ステップＳ８０４）。　 Then, the acquisition unit 221 acquires the X-ray information detected by the acquisition unit 221 during the movement control by the movement control unit 234 (step S803), and the laminography image generation unit 235 performs the movement control by the movement control unit 234. At this time, a laminography image is generated based on the X-ray information detected by the acquisition unit 221 (step S804). *
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。 Note that the above processing procedures are not limited to the above order, and may be appropriately changed within a range in which the processing contents do not contradict each other.
（第５の実施形態の効果）
　上述したように、第５の実施形態によれば、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲット１１２ｂに対して電子ビームを照射するように制御し、電子ビームが照射されることでＸ線ナノターゲット１１２ｂから照射されるＸ線の照射方向に設けられるサンプルステージ１０６を水平方向に移動させ、サンプルステージ１０６よりもＸ線の照射方向に設けられて電子ビームの照射によりＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線を検出する取得部２２１について、移動制御部２３４による移動中に、サンプルステージ１０６に載置されるサンプルにおいてＸ線が照射される焦点となる焦点位置と、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとを結ぶ延長戦上に位置するように移動させ、取得部２２１により検出されたＸ線情報に基づきラミノグラフィ画像を生成する。この結果、Ｘ線検査装置１００を用いて、ラミノグラフィ画像を生成可能となる。　 (Effect of 5th Embodiment)
As described above, according to the fifth embodiment, the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 is controlled to irradiate the X-ray nano target 112b with the electron beam, and the electron beam is irradiated. Thus, the sample stage 106 provided in the X-ray irradiation direction irradiated from the X-ray nano target 112b is moved in the horizontal direction, and is provided in the X-ray irradiation direction from the sample stage 106. With respect to the acquisition unit 221 that detects X-rays generated from the nano target 112b, a focal position serving as a focal point where X-rays are irradiated on the sample placed on the sample stage 106 during movement by the movement control unit 234, and X-rays The X-ray information detected by the acquisition unit 221 is moved so as to be positioned on the extended game connecting the nano target 112b. Hazuki to generate a laminography image. As a result, a laminography image can be generated using the X-ray inspection apparatus 100.
　たとえば、従来の手法では、断面ＳＥＭによるクロスセクション像を得るために時間と細工を要しており、さらには、ウエハを破壊する必要がある。これに対して、上述した実施形態では、半導体Ｓｉウエハに形成されるＴＳＶなどのビア、すなわち微小なビアの立体像について、ウエハを破壊することなく取得することが可能となる。　 For example, in the conventional method, it takes time and work to obtain a cross section image by a cross-sectional SEM, and further, the wafer needs to be destroyed. In contrast, in the above-described embodiment, vias such as TSV formed on a semiconductor Si wafer, that is, three-dimensional images of minute vias can be acquired without destroying the wafer. *
（第６の実施形態）
　以下では、ナノレベルの高分解能Ｘ線透過画像を取得するための、Ｘ線管の構造の一例について説明する。以下では、説明の便宜上、上述の実施形態と同様の点については説明を省略する。 (Sixth embodiment)
Below, an example of the structure of the X-ray tube for acquiring a nano-level high-resolution X-ray transmission image is demonstrated. Hereinafter, for convenience of description, description of the same points as in the above-described embodiment will be omitted.
（第６の実施形態に係るＸ線検査システム）
　第６の実施形態に係るＸ線検査システムの構造は、上述の第１乃至第５の実施形態に係るＸ線検査システムの構造と同様である。第６の実施形態においては、Ｘ線検査装置が備えるＸ線管の構造を工夫して高い分解能を実現する。 (X-ray inspection system according to the sixth embodiment)
The structure of the X-ray inspection system according to the sixth embodiment is the same as the structure of the X-ray inspection system according to the first to fifth embodiments described above. In the sixth embodiment, high resolution is realized by devising the structure of the X-ray tube included in the X-ray inspection apparatus.
　ナノターゲットを用いてＸ線を発生させて試料の検査を行う場合、ナノターゲットに照射する電子ビームの強度等を高めることで、生成されるＸ線画像の解像度を向上させることができる。ところで、たとえば図４に示すＸ線管１１０では、フィラメント１１１ａから引き出される電子ビームをアパーチャ１１１ｅ，１１１ｈによってカットする。これによって、光軸中心を通過する電子ビームを作り出してＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームを照射する。しかし、カットされた分だけＸ線ナノターゲット１１２ｂに照射される電子ビームの量は減少することになる。 When inspecting a sample by generating X-rays using a nano target, the resolution of the generated X-ray image can be improved by increasing the intensity of the electron beam irradiated on the nano target. Incidentally, for example, in the X-ray tube 110 shown in FIG. 4, the electron beam drawn from the filament 111a is cut by the apertures 111e and 111h. As a result, an electron beam that passes through the center of the optical axis is created to irradiate the X-ray nano target 112b with the electron beam. However, the amount of the electron beam irradiated to the X-ray nano target 112b is reduced by the cut amount.
　そこで、第６の実施形態では、フィラメントから引き出された電子ビームをより効果的に利用して生成されるＸ線画像の解像度を向上させるため、Ｘ線管にアライメントコイルを４つ、コンデンサレンズを２段設ける。 Therefore, in the sixth embodiment, in order to improve the resolution of the X-ray image generated by using the electron beam extracted from the filament more effectively, the X-ray tube has four alignment coils and a condenser lens. Two stages are provided.
　アライメントコイルは、ガンアライメント調整や、光軸中心への電子ビームの偏向調整などを行う。アライメントコイルはまた、非点歪補正によるスポット形状の調整を可能にする部材である。コンデンサレンズは、電子ビームを所望の点に絞り込む。 Alignment coil performs gun alignment adjustment and electron beam deflection adjustment to the center of the optical axis. The alignment coil is also a member that makes it possible to adjust the spot shape by correcting astigmatism. The condenser lens narrows the electron beam to a desired point.
　図４３は、第６の実施形態におけるＸ線管の構成の一例を示す概念図である。図４３に示すように、Ｘ線管１１０Ａの電子ビーム照射部１１１Ａは、電力供給により発熱して電子ビームを発生するフィラメント１１１－ｉと、第１のアライメントコイル１１１－ｊと、第２のアライメントコイル１１１－ｋと、を有する。さらに、電子ビーム照射部１１１Ａは、第１のコンデンサレンズ１１１－ｌと、第２のコンデンサレンズ１１１－ｍと、第３のアライメントコイル１１１－ｎと、非点補正コイル１１１－ｏと、第４のアライメントコイル１１１－ｐと、対物レンズ１１１－ｑと、を有する。 FIG. 43 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the X-ray tube in the sixth embodiment. As shown in FIG. 43, the electron beam irradiation unit 111A of the X-ray tube 110A includes a filament 111-i that generates heat and generates an electron beam by supplying power, a first alignment coil 111-j, and a second alignment. A coil 111-k. Furthermore, the electron beam irradiation unit 111A includes a first condenser lens 111-l, a second condenser lens 111-m, a third alignment coil 111-n, an astigmatism correction coil 111-o, and a fourth Alignment coil 111-p and objective lens 111-q.
　図４に示す第１の実施形態のＸ線管１１０は、１つのアライメントコイル１１１ｆと、１つのコンデンサレンズ１１１ｄを有する。これに対して、図４３に示す第６の実施形態のＸ線管１１０Ａは、４つのアライメントコイル１１１－ｊ，１１１－ｋ，１１１－ｎ，１１１－ｐを有する。また、Ｘ線管１１０Ａは、２つのコンデンサレンズ１１１－ｌ，１１１－ｍを有する。 The X-ray tube 110 of the first embodiment shown in FIG. 4 has one alignment coil 111f and one condenser lens 111d. In contrast, the X-ray tube 110A of the sixth embodiment shown in FIG. 43 has four alignment coils 111-j, 111-k, 111-n, and 111-p. The X-ray tube 110A has two condenser lenses 111-l and 111-m.
　また、図４３に示すように、Ｘ線管１１０Ａは、２次電子検出器１０７Ａと、Ｘ線量計１０７Ｂと、ビームブランキング部１０７Ｃと、を備える。 43, the X-ray tube 110A includes a secondary electron detector 107A, an X-dose meter 107B, and a beam blanking unit 107C.
　２次電子検出器１０７Ａは、Ｘ線ナノターゲット等の表面状態を２次電子像に基づき確認するための検出器である。 The secondary electron detector 107A is a detector for confirming the surface state of the X-ray nano target or the like based on the secondary electron image.
　Ｘ線量計１０７Ｂは、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから放出されるＸ線量を計測することで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの電子ビーム照射面と反対の面から照射されるＸ線量を推定する。図３乃至図４に示したように、第１の実施形態におけるＸ線検査装置１００が備える検出器１０７はたとえばＸ線の線量を検出する場合は、サンプルステージ１０６の下部に配置するものとした。これに対して図４３に示すＸ線管１１０Ａにおいては、Ｘ線量計１０７ＢはＸ線ナノターゲット１１２ｂから見てＸ線管１１０Ａ側に配置され、Ｘ線管１１０Ａの一部として構成される。 The X-dose meter 107B estimates the X-ray dose irradiated from the surface opposite to the electron beam irradiation surface of the X-ray nanotarget 112b by measuring the X-ray dose emitted from the X-ray nano target 112b. As shown in FIGS. 3 to 4, the detector 107 provided in the X-ray inspection apparatus 100 according to the first embodiment is disposed below the sample stage 106 when detecting an X-ray dose, for example. . On the other hand, in the X-ray tube 110A shown in FIG. 43, the X-ray dosimeter 107B is arranged on the X-ray tube 110A side when viewed from the X-ray nano target 112b and is configured as a part of the X-ray tube 110A.
　ビームブランキング部１０７Ｃは、一時的に電子ビームを遮断する。たとえば、ビームブランキング部１０７Ｃは、偏向器等で構成され、電子銃から放出される電子ビームを一時的に偏向させる。すなわち、ビームブランキング部１０７Ｃは、ブランキングによって電子ビームをトラップする。Ｘ線検査装置１００の使用中、検査対象物である試料の交換が必要となった場合は、ビームブランキング部１０７Ｃを用いて電子ビームを一時的にターゲットから外して必要な交換作業を行うことができる。 The beam blanking unit 107C temporarily blocks the electron beam. For example, the beam blanking unit 107C includes a deflector and temporarily deflects the electron beam emitted from the electron gun. That is, the beam blanking unit 107C traps the electron beam by blanking. When it is necessary to replace the sample that is the inspection object during use of the X-ray inspection apparatus 100, the electron blanking unit 107C is used to temporarily remove the electron beam from the target and perform necessary replacement work. Can do.
　上記のように構成されたＸ線管１１０Ａにおいて、フィラメント１１１－ｉから引きだされた電子ビームは、第１および第２のアライメントコイル１１１－ｊ，１１１－ｋ、コンデンサレンズ１１１－ｌ，１１１－ｍ、第３および第４のアライメントコイル１１１－ｎ，１１１－ｐ、非点補正コイル１１１－ｏによって照射方向等を調整される。そして、対物レンズ１１１－ｑを通過するときに電子ビームが光軸の中心に集められＸ線量が最大となるように各部材によって調整が実行される。 In the X-ray tube 110A configured as described above, the electron beam drawn from the filament 111-i is supplied to the first and second alignment coils 111-j and 111-k, the condenser lenses 111-l and 111-. m, the irradiation direction and the like are adjusted by the third and fourth alignment coils 111-n and 111-p and the astigmatism correction coil 111-o. Then, adjustment is performed by each member so that the electron beam is collected at the center of the optical axis when passing through the objective lens 111-q and the X-ray dose is maximized.
　また、２次電子検出器１０７Ａから取得される２次電子像を用いて画像処理を行い、電子ビームの座標位置のずれを修正することができる。さらに、Ｘ線量計１０７Ｂが検出したＸ線量をモニタすることで、所望のＸ線ナノターゲットに電子ビームが照射できているか否かを判定し、Ｘ線量が最適になるように電子ビームの位置を調整することができる。 Also, image processing can be performed using the secondary electron image acquired from the secondary electron detector 107A, and the deviation of the coordinate position of the electron beam can be corrected. Furthermore, by monitoring the X-ray dose detected by the X-ray dosimeter 107B, it is determined whether or not the desired X-ray nano target has been irradiated with the electron beam, and the position of the electron beam is adjusted so that the X-ray dose is optimized. Can be adjusted.
　２次電子検出器１０７ＡおよびＸ線量計１０７Ｂを用いた電子ビームの調整処理は、たとえば、第１の実施形態に係る制御装置２００が備える照射制御部２２４の機能として実現してもよい。また、他の実施形態の制御部２２０の構成要素のいずれかが実現するように構成してもよい。 The electron beam adjustment processing using the secondary electron detector 107A and the X-ray dosimeter 107B may be realized, for example, as a function of the irradiation control unit 224 included in the control device 200 according to the first embodiment. Moreover, you may comprise so that one of the components of the control part 220 of other embodiment may be implement | achieved.
　また、図４３に示すように、第６の実施形態では、２次電子検出器１０７ＡやＸ線量計１０７Ｂを、Ｘ線管１１０Ａの一部としてＸ線管１１０Ａに組み入れている。このため、Ｘ線管１１０Ａのカラムの系のみでＸ線量に基づく電子ビームの条件調整を実行することができる。 As shown in FIG. 43, in the sixth embodiment, the secondary electron detector 107A and the X-ray dosimeter 107B are incorporated in the X-ray tube 110A as a part of the X-ray tube 110A. Therefore, the electron beam condition adjustment based on the X-ray dose can be executed only by the column system of the X-ray tube 110A.
　なお、図４３に示すＸ線管１１０Ａは一例であって、たとえば第１乃至第４のアライメントコイル１１１－ｊ，１１１－ｋ，１１１－ｎ，１１１－ｐを備えるが、第１および第２のコンデンサレンズ１１１－ｌ，１１１－ｍは備えないＸ線管を用いてもよい。この場合であっても４つのアライメントコイルを利用して電子ビームの照射精度を高めることができる。また、逆に、アライメントコイルは１つとして、第１および第２のコンデンサレンズ１１１－ｌ，１１１－ｍのみを備えるようにＸ線管を構成してもよい。また、アライメントコイルおよびコンデンサレンズの数も特に図示される数に限定されない。電子ビームの照射精度の向上に資する限り、たとえばコンデンサレンズを３段、４段設けてもよい。 The X-ray tube 110A shown in FIG. 43 is an example, and includes, for example, first to fourth alignment coils 111-j, 111-k, 111-n, and 111-p. An X-ray tube that does not include the condenser lenses 111-1 and 111-m may be used. Even in this case, the irradiation accuracy of the electron beam can be increased by using four alignment coils. Conversely, the X-ray tube may be configured so that only one alignment coil is provided and only the first and second condenser lenses 111-1 and 111-m are provided. Further, the number of alignment coils and condenser lenses is not particularly limited to the number shown in the figure. For example, three or four condenser lenses may be provided as long as it contributes to the improvement of electron beam irradiation accuracy.
（第６の実施形態による効果）
　第６の実施形態では、Ｘ線管にアライメントコイルを４つ設けて、ナノターゲット上における電子ビームの照射位置をさらに精密に調整するとともに、フィラメントから引き出された電子ビームの利用効率を向上させる。これによって、得られるＸ線画像の解像度を向上させる。 (Effects of the sixth embodiment)
In the sixth embodiment, four alignment coils are provided in the X-ray tube to adjust the irradiation position of the electron beam on the nano target more precisely and improve the utilization efficiency of the electron beam drawn from the filament. Thereby, the resolution of the obtained X-ray image is improved.
　また、第６の実施形態では、Ｘ線管が備えるコンデンサレンズを２段にして、電子ビームをさらに正確に絞りこむことで、得られるＸ線画像の解像度を向上させる。このように、電子ビームの照射態様をより精密に調整することにより、Ｘ線画像の解像度を向上させ、ノイズが少ないＸ線画像を取得することができる。 Further, in the sixth embodiment, the resolution of the obtained X-ray image is improved by using two stages of condenser lenses included in the X-ray tube and further narrowing down the electron beam more accurately. Thus, by adjusting the electron beam irradiation mode more precisely, the resolution of the X-ray image can be improved and an X-ray image with less noise can be acquired.
　また、第６の実施形態では、２次電子検出器１０７ＡおよびＸ線量計１０７Ｂを、Ｘ線管１１０Ａと同一の系として配置する。このため、Ｘ線管１１０Ａのカラム系のみで電子ビームの条件調整を実行することができ、電子ビーム調整ひいてはＸ線検査を容易に自動化することができる。 In the sixth embodiment, the secondary electron detector 107A and the X-ray dosimeter 107B are arranged as the same system as the X-ray tube 110A. For this reason, the condition adjustment of the electron beam can be executed only by the column system of the X-ray tube 110A, and the electron beam adjustment and thus the X-ray inspection can be easily automated.
（他の実施形態）
　上述したように、第１の実施形態～第６の実施形態に係るＸ線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置について説明したが、これに限定されるものではなく、種々の実施形態にてＸ線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置を実現して良い。たとえば、上述したように、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせても良く、各実施形態を単独で実行しても良い。　 (Other embodiments)
As described above, the X-ray inspection system, the control method, the control program, and the control apparatus according to the first to sixth embodiments have been described. However, the present invention is not limited to this, and various embodiments are possible. Thus, an X-ray inspection system, a control method, a control program, and a control apparatus may be realized. For example, as described above, the embodiments may be appropriately combined as long as the processing contents are not contradictory, and the embodiments may be executed independently.
　また、上述した実施形態では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを有するＸ線発生用ターゲット１１２を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、矛盾させない範囲で、任意のＸ線発生用ターゲットを用いても良い。たとえば、Ｘ線発生用ターゲット１１２に設けられるターゲットの径が電子ビームの径よりも大きくても良く、Ｘ線発生用ターゲット１１２の全面に金属が設けられてターゲットとして用いられても良い。　 In the above-described embodiment, the case where the X-ray generation target 112 having the X-ray nano target 112b is used has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. A target may be used. For example, the diameter of the target provided on the X-ray generation target 112 may be larger than the diameter of the electron beam, or a metal may be provided on the entire surface of the X-ray generation target 112 and used as the target. *
　たとえば、上述した第３の実施形態単独、又は、第３の実施形態と他の実施形態との組み合わせた実施形態にてＸ線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置を実現した場合、電子ビームがＸ線発生用ターゲットに設けられるターゲットの径よりも小さい場合であっても、ターゲットを中心にしたトラッキングを行うことで、必要なＸ線量を稼ぎ出すことが可能となる。　 For example, when the X-ray inspection system, the control method, the control program, and the control device are realized in the above-described third embodiment alone or in combination with the third embodiment and other embodiments, the electronic Even when the beam is smaller than the diameter of the target provided on the target for generating X-rays, it is possible to earn the necessary X-ray dose by performing tracking around the target. *
（Ｘ線ナノターゲット）
　また、たとえば、Ｘ線ナノターゲットは、上述した実施形態において言及した実施形態に限定されるものではなく、任意のＸ線ナノターゲットを用いて良い。たとえば、Ｘ線発生用ターゲットに任意の数のＸ線ナノターゲットが設けられてよく、Ｘ線ナノターゲットの配置も任意であって良い。　 (X-ray nano target)
Further, for example, the X-ray nanotarget is not limited to the embodiment mentioned in the above-described embodiment, and any X-ray nanotarget may be used. For example, the X-ray generation target may be provided with an arbitrary number of X-ray nano targets, and the arrangement of the X-ray nano targets may be arbitrary.
（第１の画像データに対応づけられた変換関数）
　また、たとえば、図３４に示す例では、変換関数テーブル２１４が、第１の画像データに対応づけられた変換関数を１つ記憶する場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、第１の画像データについて、変換関数と形状パラメータとの組み合わせを複数記憶しても良い。　 (Conversion function associated with the first image data)
For example, in the example illustrated in FIG. 34, the conversion function table 214 stores one conversion function associated with the first image data. However, the present invention is not limited to this. A plurality of combinations of conversion functions and shape parameters may be stored for the first image data.
　この場合、たとえば、変換関数テーブル２１４は、第１の画像データについての変換関数各々に対応づけて、第１の画像データの輝度値各々の範囲を記憶する。すなわち、変換関数を算出する際に用いられた第１の画像データの輝度値各々と、算出された変換関数とを対応づけて記憶する。その後、第１形状算出部２３２は、処理対象となる第１の画像データの輝度値各々を含む範囲に対応づけられた変換関数を一つ選択し、選択した変換関数を適用することで形状パラメータを算出する。この結果、高精度に形状パラメータを算出することが可能となる。　 In this case, for example, the conversion function table 214 stores a range of each luminance value of the first image data in association with each conversion function for the first image data. That is, each luminance value of the first image data used when calculating the conversion function is stored in association with the calculated conversion function. After that, the first shape calculation unit 232 selects one conversion function associated with the range including each luminance value of the first image data to be processed, and applies the selected conversion function to the shape parameter. Is calculated. As a result, the shape parameter can be calculated with high accuracy. *
（走査方向）
　また、たとえば、図３０に示す検査開始時における位置合わせでは、照射制御部２２４ａが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に走査する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。たとえば、照射制御部２２４ａは、Ｘ軸方向又はＹ軸方向の一方についてのみ走査し、走査した軸方向における位置を調整するようにしても良い。より詳細な一例をあげて説明すると、ターゲット位置テーブル２１１に位置情報を格納する際に、たとえば、Ｙ軸方向における値各々について、Ｘ軸方向にレーザを走査することで位置情報を取得する場合、Ｘ軸方向については位置情報のずれが相対的に大きさくなる一方、Ｙ軸方向における位置情報のずれは、相対的に小さくなる。このことを踏まえ、ターゲット位置テーブル２１１に位置情報を格納する際における電子ビームの走査方向について、検査開始時に位置合わせを選択的に行うようにしても良い。この結果、位置合わせに要する時間を短縮可能となる。 (Scanning direction)
Further, for example, in the alignment at the start of the inspection illustrated in FIG. 30, the irradiation control unit 224a has been illustrated as an example of scanning in the X-axis direction and the Y-axis direction, but is not limited thereto. For example, the irradiation control unit 224a may scan only in one of the X-axis direction and the Y-axis direction and adjust the position in the scanned axial direction. To explain with a more detailed example, when storing position information in the target position table 211, for example, when acquiring position information by scanning the laser in the X-axis direction for each value in the Y-axis direction, The positional information shift in the X-axis direction becomes relatively large, while the positional information shift in the Y-axis direction becomes relatively small. Based on this, alignment may be selectively performed at the start of the inspection with respect to the scanning direction of the electron beam when position information is stored in the target position table 211. As a result, the time required for alignment can be shortened.
（検査中における位置合わせに用いる移動量について）
　ここで、検査中における位置合わせに用いる移動量として適した値について検討する。図４４～図４７は、検査中における位置合わせに用いる移動量として適した値について示す図である。図４４～図４７において、横軸は、照射情報のピークが得られる座標位置と、Ｚ０として用いられる座標位置との差を示し、縦軸は、Ｚ２の位置において得られる照射情報の値と、Ｚ１の位置において得られる照射情報の値との差分とを示す。たとえば、Ｚ１とＺ２とは、それぞれ、移動前と移動後において得られたターゲット電流の値を示し、縦軸の値は、ターゲット電流の値の差分を示す。なお、Ｚ１からＺ０までの距離と、Ｚ０からＺ２までの距離とは、同一であるものとして説明する。また、図４４～図４７は、それぞれ、一度に移動する距離が、それぞれ、０．０５μｍ、０．１μｍ、０．１５μｍ、０．３μｍである場合に得られた値を示す。また、図４４～図４７に示す例では、最大値を示した位置と最小値を示した位置とについて、矢印にて明示した。また、図４４～図４７では、Ｘ線ターゲット１１２ｂとして、直径が０．５ｕｍであるものと用いる場合を例として示した。　 (About the amount of movement used for alignment during inspection)
Here, a value suitable as a movement amount used for alignment during inspection will be examined. 44 to 47 are diagrams showing values suitable as movement amounts used for alignment during inspection. 44 to 47, the horizontal axis indicates the difference between the coordinate position where the peak of the irradiation information is obtained and the coordinate position used as Z0, and the vertical axis indicates the value of the irradiation information obtained at the position of Z2. The difference with the value of the irradiation information obtained in the position of Z1 is shown. For example, Z1 and Z2 indicate the values of the target current obtained before and after the movement, respectively, and the value on the vertical axis indicates the difference between the values of the target current. In the following description, it is assumed that the distance from Z1 to Z0 is the same as the distance from Z0 to Z2. 44 to 47 show values obtained when the distances moved at one time are 0.05 μm, 0.1 μm, 0.15 μm, and 0.3 μm, respectively. In the examples shown in FIGS. 44 to 47, the position indicating the maximum value and the position indicating the minimum value are indicated by arrows. 44 to 47 show an example in which the X-ray target 112b having a diameter of 0.5 μm is used.
　ここで、図４４～図４６に示す例では、照射情報の最大値が得られた位置と最小値が得られた位置との間において、照射情報のピークが得られる座標位置とＺ０との間の座標位置の差と、Ｚ２とＺ１との間における照射情報の値との差分とが、比例関係にあるのがわかる。言い換えると、Ｚ２とＺ１との間における照射情報の値との差分を算出することで、照射情報のピークが得られる座標位置とＺ０との間の座標位置の差を算出可能となり、照射情報のピークが得られる座標へとＺ０の位置を移動可能となる。　 Here, in the examples shown in FIGS. 44 to 46, between the position where the maximum value of the irradiation information is obtained and the position where the minimum value is obtained, between the coordinate position where the peak of the irradiation information is obtained and Z0. It can be seen that there is a proportional relationship between the difference between the coordinate positions of and the difference between the irradiation information values between Z2 and Z1. In other words, by calculating the difference between the value of the irradiation information between Z2 and Z1, it becomes possible to calculate the difference in the coordinate position between Z0 and the coordinate position where the peak of the irradiation information is obtained. The position of Z0 can be moved to the coordinates where the peak is obtained. *
　一方、図４７に示す例では、照射情報のピークが得られる座標位置とＺ０との間の座標位置の差が、０から０．２程度までの間において、Ｚ２とＺ１との間における照射情報の値との差分が同一の値を示している。この場合、照射情報のピークが得られる座標位置とＺ０との間の座標位置の差が０．２以下である場合には、Ｚ２とＺ１との間における照射情報の値との差分が同一の値を示す結果、照射情報のピークが得られる座標位置とＺ０との間の座標位置の差を取得できないことになる。　 On the other hand, in the example shown in FIG. 47, the irradiation information between Z2 and Z1 when the difference in coordinate position between Z0 and the coordinate position where the peak of irradiation information is obtained is about 0 to 0.2. The difference between these values is the same value. In this case, when the difference between the coordinate position where the peak of the irradiation information is obtained and Z0 is 0.2 or less, the difference between the irradiation information value between Z2 and Z1 is the same. As a result of showing the value, the difference in coordinate position between the coordinate position where the peak of the irradiation information is obtained and Z0 cannot be acquired. *
　図４７に示す場合においても、たとえば、図４７に示すグラフにおいて、最大値と最小値とをつないだ直線８０１を作成し、この直線に基づいて、照射情報のピークが得られる座標位置とＺ０との間の座標位置の差を算出することも可能であるが、図４４～図４６に示すように比例関係にある場合と比較すると、精度が低くなる。　 Even in the case shown in FIG. 47, for example, in the graph shown in FIG. 47, a straight line 801 connecting the maximum value and the minimum value is created, and based on this straight line, the coordinate position where the peak of the irradiation information is obtained, and Z0 It is also possible to calculate the difference in coordinate position between the two, but the accuracy is lower than in the case where there is a proportional relationship as shown in FIGS. *
　このことを踏まえ、たとえば、位置ずれ算出部２２８は、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの直径の半分に相当する距離、電子ビームの焦点を移動させることが好ましい。たとえば、位置ずれ算出部２２８は、電子ビームの焦点を移動させる量として、０．３μｍより小さい値を、より好ましくは、０．１５μｍ以下の値を用いることがこの好ましい。この結果、高精度に位置ずれを調整可能となる。　 Based on this, for example, it is preferable that the positional deviation calculation unit 228 moves the focal point of the electron beam by a distance corresponding to half the diameter of the X-ray nano target 112b. For example, the positional deviation calculation unit 228 preferably uses a value smaller than 0.3 μm, more preferably a value smaller than 0.15 μm, as the amount of movement of the focal point of the electron beam. As a result, the positional deviation can be adjusted with high accuracy. *
（ＰＩＤ（Proportional　Integral　Derivative）制御）
　たとえば、Ｘ線を照射してＸ線検査を行う場合には、ＰＩＤ制御を行うことで、Ｘ線の線量が一定になるように制御しても良い。たとえば、照射制御部２２４は、ターゲット電流が一定になるように電子ビームの照射位置をＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置を軸として変化させることで、Ｘ線量が一定になるように制御しても良い。ただし、Ｘ線の線量を一定にするための制御としては、これに限定されるものではなく、任意の制御を行って良い。たとえば、電子ビームの照射位置を変化させるのではなく、管電流を変化させることで、Ｘ線量が一定になるように制御しても良い。また、管電流を変化させる制御処理と、電子ビームの照射位置の制御処理とを組み合わせて実行しても良い。　 (PID (Proportional Integral Derivative) control)
For example, when performing X-ray inspection by irradiating X-rays, the X-ray dose may be controlled to be constant by performing PID control. For example, the irradiation control unit 224 may control the X-ray dose to be constant by changing the irradiation position of the electron beam about the position of the X-ray nano target 112b so that the target current is constant. . However, the control for making the X-ray dose constant is not limited to this, and arbitrary control may be performed. For example, the X-ray dose may be controlled to be constant by changing the tube current instead of changing the irradiation position of the electron beam. Further, the control process for changing the tube current and the control process for the irradiation position of the electron beam may be executed in combination.
（拡大倍率補正方法）
　また、たとえば、Ｘ線画像の拡大倍率を精度良く調整するようにしても良い。たとえば、サンプルステージ１０６が、ＸＹθ位置を調整可能な場合を例に説明する。言い換えると、サンプルステージ１０６が、水平面上において移動可能であり、更に、水平面上において回転可能な場合を例に説明する。この場合、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００を制御することで、キャリブレーションで用いる既知試料の基準位置へとＸ線検査装置１００のサンプルステージ１０６を移動する。たとえば、制御装置２００は、その際、Ｘ線検査装置１００の光学カメラや距離センサなどを用いることで、基準位置へとＸ線検査装置１００のサンプルステージ１０６を移動させても良い。続いて、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００を制御することで、キャリブレーション位置にある試料のＸ線画像を取得する。そして、ここで、制御装置２００は、取得したＸ線画像に基づいて、ＸＹ平面における位置や、θ角を調整しても良い。　 (Enlargement magnification correction method)
For example, the magnification of the X-ray image may be adjusted with high accuracy. For example, a case where the sample stage 106 can adjust the XYθ position will be described as an example. In other words, the case where the sample stage 106 can move on the horizontal plane and can rotate on the horizontal plane will be described as an example. In this case, the control device 200 controls the X-ray inspection apparatus 100 to move the sample stage 106 of the X-ray inspection apparatus 100 to a reference position of a known sample used for calibration. For example, the control device 200 may move the sample stage 106 of the X-ray inspection apparatus 100 to the reference position by using an optical camera or a distance sensor of the X-ray inspection apparatus 100 at that time. Subsequently, the control device 200 acquires the X-ray image of the sample at the calibration position by controlling the X-ray inspection device 100. And here, the control apparatus 200 may adjust the position in an XY plane, and (theta) angle based on the acquired X-ray image.
　その後、制御装置２００は、所定の拡大倍率において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像と、実際に取得したＸ線画像とを比較し、特徴量差（たとえば、差分輝度量の合計の絶対値など）とＺ軸における移動量との関係を取得し、差分が最小値になるＺ軸値（たとえば、モータドライブ量及び距離センサ値）を取得し、下記の所定倍率との関係式を取得する。その後、下記の取得した関係式に基づいて処理を行う。なお、ここで、特徴量差（たとえば、差分輝度量の合計の絶対値など）とＺ軸における移動量との関係は、たとえば、基準画像と実写画像の比較による差分算出とＺ軸位置の値をレーザ変位計による計測値を用いた計算結果により取得する。　 After that, the control device 200 compares the X-ray image or simulation image obtained at a predetermined magnification with the actually acquired X-ray image, and the feature amount difference (for example, the absolute value of the sum of the difference luminance amounts). And the amount of movement in the Z-axis, the Z-axis value (for example, the motor drive amount and the distance sensor value) that minimizes the difference is acquired, and the following relational expression with the predetermined magnification is acquired. Thereafter, processing is performed based on the following relational expression acquired. Here, the relationship between the feature amount difference (for example, the absolute value of the sum of the difference luminance amounts) and the movement amount on the Z axis is, for example, the difference calculation by comparison between the reference image and the actual image and the value of the Z axis position. Is obtained from the calculation result using the measured value by the laser displacement meter. *
ＭＡＧ＝（Ｚｓｃ＋Ｚｘｃ）／Ｚｘｃ、Ｚｘｃ＝Ｚｇａｐ＋Ｏｆｆｓｅｔ
（拡大倍率ＭＡＧ＝Ｘ線ナノターゲットとカメラとの間の距離／Ｘ線ナノターゲットと試料との間の距離）　 MAG = (Zsc + Zxc) / Zxc, Zxc = Zgap + Offset
(Magnification factor MAG = distance between X-ray nano target and camera / distance between X-ray nano target and sample)
　図４８は、拡大倍率補正方法において用いる数式について説明するための図である。図４８に示す例では、説明の便宜上、サンプルステージ１０６と、Ｘ線発生用ターゲット１１２と、ウエハ９０１と、レーザ変位計センサ９０２を示した。Ｚ軸とは、サンプルステージ１０６から垂直方向を示す軸である。また、図４８に示す例において、「Ｌ１」は、サンプルステージ１０６のウエハ保持面とＸ線カメラ１０８の撮影面との間のＺ軸における距離を示し、「Ｌ２」は、ウエハ９０１においてＸ線が照射される照射面とＸ線発生用ターゲット１１２との間のＺ軸における距離を示し、Ｌ３は、ウエハ９０１の厚みを示す。また、「ＭＡＧ」は、所定の拡大倍率を示し、図４８に示す例では、「（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）／Ｌ２」となる。また、「Ｚｓｃ」は、（試料とカメラとの間距離を示し、たとえば、Ｘ線検査装置１００の設計情報、又は、Ｘ線カメラ１０８の設定値から取得される。図４８に示す例では、「Ｚｓｃ」は、「Ｌ１＋Ｌ３」となる。「Ｚｘｃ」は、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから試料間の距離を示す。図４８に示す例では、「Ｌ２」となる。「Ｚｇａｐ」は、距離センサにより得られた値を示す。図４８に示す例では、Ｚｇａｐとは、ウエハ９０１においてＸ線が照射される照射面とレーザ変位計９０２までの距離を示す。「Ｏｆｆｓｅｔ」は、Ｚ軸方向（Ｘ線ナノターゲットやＸ線管が移動する方向）の値であって、Ｚ軸の基準面からの移動距離の値となる。ここで、複数の測定点をとることで、Ｏｆｆｓｅｔ、Ｚ値と拡大倍率との関係を高精度に取得することが可能となる。　 FIG. 48 is a diagram for explaining mathematical formulas used in the magnification correction method. In the example shown in FIG. 48, the sample stage 106, the X-ray generation target 112, the wafer 901, and the laser displacement meter sensor 902 are shown for convenience of explanation. The Z axis is an axis indicating the vertical direction from the sample stage 106. In the example shown in FIG. 48, “L1” indicates the distance in the Z axis between the wafer holding surface of the sample stage 106 and the imaging surface of the X-ray camera 108, and “L2” indicates the X-rays on the wafer 901. Indicates the distance in the Z axis between the irradiation surface irradiated with X-rays and the X-ray generation target 112, and L 3 indicates the thickness of the wafer 901. “MAG” indicates a predetermined magnification, and in the example shown in FIG. 48, “(L1 + L2 + L3) / L2”. Further, “Zsc” indicates the distance between the sample and the camera, and is obtained from, for example, design information of the X-ray inspection apparatus 100 or a set value of the X-ray camera 108. In the example shown in FIG. “Zsc” is “L1 + L3.” “Zxc” is the distance between the samples from the X-ray nano target 112b, and is “L2” in the example shown in FIG 48. “Zgap” is measured by the distance sensor. 48, Zgap indicates the distance from the irradiation surface irradiated with X-rays on the wafer 901 to the laser displacement meter 902. “Offset” indicates the Z-axis direction (X (The direction in which the nanowire target and the X-ray tube move), and the value of the movement distance from the reference plane of the Z-axis. Obtaining the relationship with magnification with high accuracy Rukoto is possible.
（他の検査との連携）
　また、上記実施形態に係るＸ線検査システムは、他の装置に組み込んだり、他のデータベースとの間で情報を共有することができるように構成してもよい。 (Cooperation with other inspections)
In addition, the X-ray inspection system according to the above embodiment may be configured so as to be incorporated into another apparatus or to share information with another database.
　たとえば、制御装置２００をソフトウェアとして任意のコンピュータにインストールできるように構成する。そして、Ｘ線検査装置１００を他の検査装置に組み込む。その上で、当該検査装置の制御を実行するコンピュータにＸ線検査装置１００を制御するためのソフトウェアをインストールすることで、Ｘ線検査装置１００を他の装置にハードウェア的に組み込むことができるように構成してもよい。 For example, the control device 200 is configured to be installed on an arbitrary computer as software. Then, the X-ray inspection apparatus 100 is incorporated into another inspection apparatus. In addition, by installing software for controlling the X-ray inspection apparatus 100 in a computer that executes control of the inspection apparatus, the X-ray inspection apparatus 100 can be incorporated into other apparatuses in hardware. You may comprise.
　またたとえば、Ｘ線検査システム１０によって取得されるＴＳＶの欠陥情報を他の検査装置によって取得した欠陥情報等と統合して管理することができるようにしてもよい。 Further, for example, the defect information of TSV acquired by the X-ray inspection system 10 may be integrated with defect information acquired by other inspection apparatuses and managed.
　たとえば、図４９は、Ｘ線検査システムと他の検査との連携について説明するための図である。図４９中、Ｘ線検査システム１０００は、データベース２０００と通信可能に接続される。また、Ｘ線検査システム１０００は、ＣＡＤｎａｖｉ３０００と接続される。さらに、Ｘ線検査システム１０００は、自システムによる検査結果である欠陥情報を格納するデータベース４０００と接続される。 For example, FIG. 49 is a diagram for explaining cooperation between the X-ray inspection system and other inspections. In FIG. 49, the X-ray inspection system 1000 is communicably connected to a database 2000. The X-ray inspection system 1000 is connected to the CADnavi 3000. Furthermore, the X-ray inspection system 1000 is connected to a database 4000 that stores defect information that is an inspection result of the own system.
　Ｘ線検査システム１０００は、上記実施形態において説明した機能および構成を有するＸ線検査システムである。Ｘ線検査システム１０００はたとえば、半導体ウェハの検査に用いられる。 The X-ray inspection system 1000 is an X-ray inspection system having the functions and configurations described in the above embodiment. The X-ray inspection system 1000 is used, for example, for inspection of a semiconductor wafer.
　Ｘ線検査システム１０００はまず、ＣＡＤｎａｖｉ３０００から検査対象である半導体ウェハの形状に関する情報等を取得する。そして、Ｘ線検査システム１０００は、Ｘ線検査を実行することにより半導体ウェハの欠陥情報を取得する。Ｘ線検査システム１０００は、取得した欠陥情報をデータベース４０００に格納する。 First, the X-ray inspection system 1000 acquires information on the shape of the semiconductor wafer to be inspected from the CADnavi 3000. Then, the X-ray inspection system 1000 acquires defect information of the semiconductor wafer by executing the X-ray inspection. The X-ray inspection system 1000 stores the acquired defect information in the database 4000.
　また、Ｘ線検査システム１０００は、欠陥情報をデータベース２０００に送る。データベース２０００は、他の検査装置と接続され、他の検査装置の検査結果を、Ｘ線検査システム１０００による検査結果の情報と併せて記憶する。各検査装置から収集されるデータのデータ構造については、容易に管理できるものとすればよく、特に限定されない。 In addition, the X-ray inspection system 1000 sends defect information to the database 2000. The database 2000 is connected to another inspection apparatus, and stores the inspection result of the other inspection apparatus together with the information of the inspection result by the X-ray inspection system 1000. The data structure of data collected from each inspection apparatus is not particularly limited as long as it can be easily managed.
　データベース２０００と接続される検査装置はたとえば、ＥＢＴ（Electron　Beam　Testing）、ＬＳＭ（Laser　Scanning　Microscope（ＯＢＩＣ，ＯＢＩＲＣＨ（Optical　Beam　Induced　Resistance　Change）））、ＬＶＰ（Laser　Voltage　Probe）等であってよい。また、ＴＲＥＭ（Time　Resolved　Emission　Microscope）、ＰＥＭ（Photo　Emission　Microscope）、ＳＰＭ（Scanning　Probe　Microscope）、ＮａｎｏＰｒｏｂｅｒ等も用いることができる。これらの検査装置すべてとデータベース２０００とを接続して検査対象の情報を蓄積してもよく、特に有益な検査を実施する検査装置の情報のみを選択的に蓄積するように構成してもよい。また、たとえば検査装置Ａによる検査が完了するとその検査結果をデータベース２０００に送信し、次に検査を行う検査装置Ｂは、データベース２０００に格納された情報を参照した上で、検査条件等を調整できるように構成してもよい。 The inspection apparatus connected to the database 2000 may be, for example, EBT (Electron Beam Testing), LSM (Laser Scanning Microscope (OBIC, OBIRCH (Optical Beam Induced Resistance Change))), LVP (Laser Voltage Probe), and the like. Also, TREM (Time Resolved Emission Microscope), PEM (Photo Emission Microscope), SPM (Scanning Probe Microscope), NanoProber, etc. can be used. All of these inspection apparatuses and the database 2000 may be connected to accumulate information on the inspection object, or only information on the inspection apparatus that performs a particularly useful inspection may be selectively accumulated. Further, for example, when the inspection by the inspection apparatus A is completed, the inspection result is transmitted to the database 2000, and the inspection apparatus B that performs the next inspection can adjust inspection conditions and the like with reference to the information stored in the database 2000 You may comprise as follows.
　このように構成することで、同じ製品（半導体ウェハ等）を検査対象とする複数の検査装置の間で情報を共有し、より効率的かつ正確に、欠陥情報等を取得し管理することができる。 With this configuration, information can be shared among a plurality of inspection apparatuses that inspect the same product (semiconductor wafer or the like), and defect information or the like can be acquired and managed more efficiently and accurately. .
（システム構成）
　また、本実施形態において説明した各処理の内、自動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を手動的に行うこともでき、あるいは、手動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を公知の方法で自動的に行うこともできる。たとえば、画像をユーザが手動にて撮影しても良い。この他、上述文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については（たとえば、図７、８、１２、１８、２０、３０－３２、３４－３８、４２など）、特記する場合を除いて任意に変更することができる。　 (System configuration)
In addition, among the processes described in the present embodiment, all or part of the processes described as being automatically performed can be manually performed, or the processes described as being performed manually can be performed. All or a part can be automatically performed by a known method. For example, the user may manually take an image. In addition, for information including processing procedures, control procedures, specific names, various data and parameters shown in the above-mentioned document and drawings (for example, FIG. 7, 8, 12, 18, 20, 30-32, 34-38, 42, etc.), and can be arbitrarily changed unless otherwise specified.
　また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。たとえば、制御装置２００の記憶部２１０に記憶されたテーブルの一部又は全てについて、制御装置２００とは別に設けられたデータベースに記憶させても良い。この場合、制御装置２００は、たとえば、データベースと任意のネットワーク経由にてアクセスすることで情報の読み書きを行う。　 Also, each component of each illustrated apparatus is functionally conceptual and does not necessarily need to be physically configured as illustrated. That is, the specific form of distribution / integration of each device is not limited to the one shown in the figure, and all or a part of the distribution / integration may be functionally or physically distributed in arbitrary units according to various loads or usage conditions. Can be integrated and configured. For example, some or all of the tables stored in the storage unit 210 of the control device 200 may be stored in a database provided separately from the control device 200. In this case, the control device 200 reads and writes information by accessing the database via an arbitrary network, for example. *
１０　　　　Ｘ線検査システム
１００　　　Ｘ線検査装置
１０６　　　サンプルステージ
１０７　　　検出器
１０８　　　Ｘ線カメラ
１０９　　　カメラステージ
１１０　　　Ｘ線管
１１１　　　電子ビーム照射部　
１１１ａ　　フィラメント
１１２　　　Ｘ線発生用ターゲット
１１２ｂ　　Ｘ線ナノターゲット
１１２ｃ　　照射面
２００　　　制御装置
２１０　　　記憶部
２１１　　　ターゲット位置テーブル
２１２　　　差分用画像テーブル
２１３　　　画像テーブル
２１４　　　変換関数テーブル
２２０　　　制御部
２２１　　　取得部
２２２　　　特定部
２２３　　　格納部
２２４　　　照射制御部
２２５　　　シミュレーション画像作成部
２２６　　　差分算出部
２２７　　　位置調整部
２２８　　　位置ずれ算出部
２２９　　　判定部
２３０　　　変換関数作成部
２３１　　　画像生成部
２３２　　　第１形状算出部
２３３　　　第２形状算出部
２３４　　　移動制御部
２３５　　　ラミノグラフィ画像生成部
３０１　　　領域
３０２　　　中心座標
４０１　　　基板
６０２　　　形状パラメータ
６０３　　　変換関数
７０１　　　基板
７０２　　　焦点位置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 X-ray inspection system 100 X-ray inspection apparatus 106 Sample stage 107 Detector 108 X-ray camera 109 Camera stage 110 X-ray tube 111 Electron beam irradiation part
111a Filament 112 X-ray generation target 112b X-ray nano target 112c Irradiation surface 200 Control unit 210 Storage unit 211 Target position table 212 Difference image table 213 Image table 214 Conversion function table 220 Control unit 221 Acquisition unit 222 Identification unit 223 Storage unit 224 Irradiation control unit 225 Simulation image creation unit 226 Difference calculation unit 227 Position adjustment unit 228 Position shift calculation unit 229 Determination unit 230 Conversion function creation unit 231 Image generation unit 232 First shape calculation unit 233 Second shape calculation unit 234 Movement control unit 235 Laminography image generation unit 301 area 302 center coordinate 401 substrate 602 shape parameter 603 conversion function 701 substrate 702 focal position

Claims (27)

  1. 　電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、
    　制御装置とを備え、
    　前記制御装置は、
    　形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部と、
    　Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成部と、
    　前記画像生成部により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出部と、
    　前記第１形状算出部により算出された形状パラメータに基づいて前記変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出部と
    　を備えたことを特徴とするＸ線検査システム。　     An X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget by irradiating an electron beam with an electron beam irradiation unit;
    A control device,
    The controller is
    A conversion function storage unit that stores a correspondence between a shape parameter indicating a shape and a conversion function;
    Based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus, a first X-ray image and a second X-ray image that is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image. An image generation unit for generating
    For the first X-ray image generated by the image generation unit, the shape of the inspection object included in the first X-ray image is indicated using an arbitrary conversion function for calculating a shape parameter from image data A first shape calculation unit for calculating shape parameters;
    A conversion function stored in the conversion function storage unit is selected based on the shape parameter calculated by the first shape calculation unit, and a shape parameter is calculated using the selected conversion function for the second X-ray image. An X-ray inspection system comprising: a second shape calculation unit.
  2. 　前記変換関数は、形状パラメータと、前記形状パラメータを有する検査対象を撮影した場合に得られるＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせから生成されることを特徴とする請求項１に記載のＸ線検査システム。　 2. The X function according to claim 1, wherein the conversion function is generated from a combination of a shape parameter and an X-ray image or a simulation X-ray image obtained when an inspection object having the shape parameter is imaged. Line inspection system. *
  3. 　前記変換関数は、前記形状パラメータと、前記Ｘ線画像のラインプロファイルデータ又は前記シミュレーションＸ線画像のラインプロファイルデータとの組み合わせから生成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線検査システム。　 3. The X-ray according to claim 1, wherein the conversion function is generated from a combination of the shape parameter and the line profile data of the X-ray image or the line profile data of the simulation X-ray image. Inspection system. *
  4. 　前記変換関数は、形状パラメータと、エッジ又はコントラストが強調されたＸ線画像又はシミュレーションＸ線画像との組み合わせから生成されることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のＸ線検査システム。　 The X-direction according to any one of claims 1 to 3, wherein the conversion function is generated from a combination of a shape parameter and an X-ray image or a simulated X-ray image in which edges or contrast are enhanced. Line inspection system. *
  5. 　Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成工程と、
    　前記画像生成工程により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出工程と、
    　前記第１形状算出工程により算出された形状パラメータに基づいて、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出工程と
    　を含むことを特徴とする制御方法。　     Based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus, a first X-ray image and a second X-ray image that is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image. An image generation process for generating
    For the first X-ray image generated by the image generation step, the shape of the inspection target included in the first X-ray image is indicated using an arbitrary conversion function for calculating a shape parameter from image data. A first shape calculating step for calculating a shape parameter;
    Based on the shape parameter calculated by the first shape calculation step, the conversion function stored in the conversion function storage unit that stores the association between the shape parameter indicating the shape and the conversion function is selected, and the second X And a second shape calculating step of calculating a shape parameter for the line image using the selected conversion function.
  6. 　Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成手順と、
    　前記画像生成手順により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出手順と、
    　前記第１形状算出手順により算出された形状パラメータに基づいて、形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出手順と
    　をコンピュータに実行させることを特徴とする制御プログラム。　     Based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus, a first X-ray image and a second X-ray image that is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image. An image generation procedure for generating
    For the first X-ray image generated by the image generation procedure, the shape of the inspection target included in the first X-ray image is indicated using an arbitrary conversion function for calculating a shape parameter from image data. A first shape calculation procedure for calculating a shape parameter;
    Based on the shape parameter calculated by the first shape calculation procedure, the conversion function stored in the conversion function storage unit that stores the association between the shape parameter indicating the shape and the conversion function is selected, and the second X A control program for causing a computer to execute a second shape calculation procedure for calculating a shape parameter using a selected conversion function for a line image.
  7. 　形状を示す形状パラメータと変換関数との対応付けを記憶する変換関数記憶部と、
    　Ｘ線検査装置により得られたＸ線情報に基づき、第１のＸ線画像と、前記第１のＸ線画像と比較して解像度の高い第１のＸ線画像である第２のＸ線画像とを生成する画像生成部と、
    　前記画像生成部により生成された前記第１のＸ線画像について、画像データから形状パラメータを算出するための任意の変換関数を用いて前記第１のＸ線画像に含まれる検査対象の形状を示す形状パラメータを算出する第１形状算出部と、
    　前記第１形状算出部により算出された形状パラメータに基づいて前記変換関数記憶部に記憶された変換関数を選択し、前記第２のＸ線画像について、選択した変換関数を用いて形状パラメータを算出する第２形状算出部と
    　を備えたことを特徴とする制御装置。     A conversion function storage unit that stores a correspondence between a shape parameter indicating a shape and a conversion function;
    Based on the X-ray information obtained by the X-ray inspection apparatus, a first X-ray image and a second X-ray image that is a first X-ray image having a higher resolution than the first X-ray image. An image generation unit for generating
    For the first X-ray image generated by the image generation unit, the shape of the inspection object included in the first X-ray image is indicated using an arbitrary conversion function for calculating a shape parameter from image data A first shape calculation unit for calculating shape parameters;
    A conversion function stored in the conversion function storage unit is selected based on the shape parameter calculated by the first shape calculation unit, and a shape parameter is calculated using the selected conversion function for the second X-ray image. And a second shape calculating unit.
  8. 　電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、
    　基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部と、前記ターゲット位置記憶部に記憶された位置に対してＸ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部とを有する制御装置と
    　を備えることを特徴とするＸ線検査システム。　     An X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget by irradiating an electron beam with an electron beam irradiation unit;
    A target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate, and an electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus emits an electron beam with respect to the position stored in the target position storage unit. An X-ray inspection system comprising: a control device having an irradiation control unit that controls to irradiate.
  9. 　前記基板には複数のＸ線ナノターゲットが設けられ、
    　前記ターゲット位置記憶部は、複数ある前記Ｘ線ナノターゲット各々について前記位置情報を記憶することを特徴とする請求項８に記載のＸ線検査システム。　     The substrate is provided with a plurality of X-ray nano targets,
    The X-ray inspection system according to claim 8, wherein the target position storage unit stores the position information for each of the plurality of X-ray nanotargets.
  10. 　前記制御装置は、
    　前記基板を電子ビームで走査するように前記電子ビーム照射部を制御し、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を取得する取得部と、
    　前記取得部により取得された照射情報に基づいて、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが位置する位置情報を特定する特定部と、
    　前記特定部により特定された位置情報を前記ターゲット位置記憶部に格納する格納部と
    　を更に備えることを特徴とする請求項８又は９に記載のＸ線検査システム。　     The controller is
    The electron beam irradiation unit is controlled so as to scan the substrate with an electron beam, and reflected electrons reflected on the substrate among electrons contained in the electron beam and generated from the X-ray nano target by the electron beam irradiation. An acquisition unit that acquires irradiation information that is at least one of X-rays and a target current generated from the substrate by electron beam irradiation;
    Based on the irradiation information acquired by the acquisition unit, a specifying unit for specifying position information where the X-ray nanotarget is located on the substrate;
    The X-ray inspection system according to claim 8, further comprising: a storage unit that stores position information specified by the specifying unit in the target position storage unit.
  11. 　前記特定部は、前記照射情報に基づいて前記基板の画像情報を作成し、該画像情報において、前記基板において走査された領域のうち前記Ｘ線ナノターゲットに電子ビームが照射された照射位置を示すＸ線ナノターゲット範囲を識別し、該Ｘ線ナノターゲット範囲の中心位置を識別することで、前記位置情報を特定することを特徴とする請求項１０に記載のＸ線検査システム。　 The specifying unit creates image information of the substrate based on the irradiation information, and indicates an irradiation position where the X-ray nano target is irradiated with an electron beam in a scanned region of the substrate in the image information. The X-ray inspection system according to claim 10, wherein the position information is specified by identifying an X-ray nanotarget range and identifying a center position of the X-ray nanotarget range. *
  12. 　前記ターゲット位置記憶部は、複数ある前記Ｘ線ナノターゲットごとに、前記位置情報を特定する際に用いた電子ビームの照射条件を更に記憶し、
    　前記格納部は、前記位置情報と前記照射条件とを前記ターゲット位置記憶部に格納することを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＸ線検査システム。　     The target position storage unit further stores, for each of the plurality of X-ray nanotargets, the irradiation condition of the electron beam used when specifying the position information,
    The X-ray inspection system according to claim 10, wherein the storage unit stores the position information and the irradiation condition in the target position storage unit.
  13. 　前記ターゲット位置記憶部は、前記電子ビームが照射される前記基板の照射面におけるＸＹ座標を前記位置情報として記憶することを特徴とする請求項８～１２のいずれか１項に記載のＸ線検査システム。 The X-ray inspection according to any one of claims 8 to 12, wherein the target position storage unit stores, as the position information, XY coordinates on an irradiation surface of the substrate irradiated with the electron beam. system.
  14. 　基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部から位置情報を読み出す読出工程と、
    　前記読出工程によって読み出された位置情報により示される位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御工程と
    　を含むことを特徴とする制御方法。　     A reading step of reading position information from a target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate;
    An irradiation control step of controlling the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam to the position indicated by the position information read by the reading step. .
  15. 　電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、
    　制御装置とを備え、
    　前記制御装置は、
    　基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報により特定される前記基板における位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する第１の照射制御部と
    　前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる第２の照射制御部と、
    　前記第２の照射制御部による照射位置の移動中、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する検出部と、
    　前記検出部による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが設けられた位置とのずれを算出する位置ずれ算出部と、
    　前記位置ずれ算出部により算出されたずれを解消する方向に、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部により電子ビームが照射される位置を移動させる第３の照射制御部と
    　を備えることを特徴とするＸ線検査システム。　     An X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget by irradiating an electron beam with an electron beam irradiation unit;
    A control device,
    The controller is
    1st irradiation which controls so that the electron beam irradiation part of an X-ray inspection apparatus may irradiate an electron beam with respect to the position in the said board | substrate specified by the positional information which shows the position of the X-ray nano target provided in the board | substrate. A second irradiation control unit that moves the control unit and a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus by a predetermined distance;
    During the movement of the irradiation position by the second irradiation control unit, the reflected electrons reflected from the substrate among the electrons included in the electron beam, the X-rays generated from the X-ray nano target by the irradiation of the electron beam, and the electrons A detection unit that detects irradiation information that is at least one of target currents generated from the substrate by beam irradiation;
    Based on the detection result by the detection unit, a position shift calculation unit that calculates a shift between the center of the irradiation range of the electron beam and the position where the X-ray nano target is provided on the substrate;
    A third irradiation control unit that moves a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the shift calculated by the position shift calculation unit. X-ray inspection system.
  16. 　前記制御装置は、
    　前記照射情報として、電子ターゲット電流の値を用いる場合、前記第２の照射制御部による照射位置の変更前における第１の電子ターゲット電流の値と、前記第２の照射制御部による照射位置の変更後における第２の電子ターゲット電流の値と、所定の第３の電子ターゲット電流の値との間の大小関係に基づいて、前記電子ビームの照射範囲から前記Ｘ線ナノターゲットが外れたと判定する判定部と、
    　前記判定部によりはずれたと判定された場合に、前記電子ビームの照射範囲に前記Ｘ線ナノターゲットが位置するように照射位置を変更する第４の照射制御部と
    　を更に備えることを特徴とする請求項１５に記載のＸ線検査システム。　     The controller is
    When the value of the electronic target current is used as the irradiation information, the value of the first electronic target current before the change of the irradiation position by the second irradiation control unit and the change of the irradiation position by the second irradiation control unit Determination to determine that the X-ray nanotarget has deviated from the irradiation range of the electron beam based on the magnitude relationship between the value of the second electron target current later and the value of the predetermined third electron target current And
    A fourth irradiation control unit that changes an irradiation position so that the X-ray nano target is positioned in the irradiation range of the electron beam when it is determined that the determination unit has deviated. Item 16. The X-ray inspection system according to Item 15.
  17. 　前記判定部は、第３の電子ターゲット電流の値よりも前記第１の電子ターゲット電流の値及び前記第２の電子ターゲット電流の値が大きいという大小関係が崩れた場合に、前記電子ビームの照射範囲から前記Ｘ線ナノターゲットが外れたと判定し、
    　前記制御装置は、前記判定部によりはずれたと判定された場合に、前記電子ビームの照射範囲に前記Ｘ線ナノターゲットが位置するように照射位置を変更する第４の照射制御部と
    　を更に備えることを特徴とする請求項１５又は１６に記載のＸ線検査システム。　     The determination unit irradiates the electron beam when the magnitude relationship that the value of the first electron target current and the value of the second electron target current are larger than the value of the third electron target current is broken. It is determined that the X-ray nano target is out of range,
    The control device further includes a fourth irradiation control unit that changes the irradiation position so that the X-ray nano target is positioned in the irradiation range of the electron beam when it is determined that the determination unit has deviated. The X-ray inspection system according to claim 15 or 16.
  18. 　前記制御装置は、
    　前記照射情報として、前記Ｘ線の線量を用いる場合、前記Ｘ線の線量が閾値より下がった場合に、前記電子ビームの照射範囲から前記Ｘ線ナノターゲットが外れたと判定する判定部と、
    　前記判定部によりはずれたと判定された場合に、前記電子ビームの照射範囲に前記Ｘ線ナノターゲットが位置するように照射位置を変更する第４の照射制御部と
    　を更に備えることを特徴とする請求項１５～１７のいずれか１項に記載のＸ線検査システム。　     The controller is
    When using the X-ray dose as the irradiation information, when the X-ray dose falls below a threshold value, a determination unit that determines that the X-ray nanotarget is out of the electron beam irradiation range;
    A fourth irradiation control unit that changes an irradiation position so that the X-ray nano target is positioned in the irradiation range of the electron beam when it is determined that the determination unit has deviated. Item 18. The X-ray inspection system according to any one of Items 15 to 17.
  19. 　前記第２の照射制御部は、前記所定の距離として、Ｘ線ナノターゲットの直径の半分に相当する距離以下の距離を用いることを特徴とする請求項１５～１８のいずれか１項に記載のＸ線検査システム。　 The second irradiation control unit uses a distance equal to or less than a distance corresponding to half of the diameter of the X-ray nano target as the predetermined distance, according to any one of claims 15 to 18. X-ray inspection system. *
  20. 　前記第２の照射制御部は、Ｘ線ナノターゲットの径が０．５μｍの場合、前記所定の距離として０．１５μｍを用いることを特徴とする請求項１５～１９のいずれか１項に記載のＸ線検査システム。　 20. The second irradiation control unit according to claim 15, wherein when the diameter of the X-ray nano target is 0.5 μm, 0.15 μm is used as the predetermined distance. X-ray inspection system. *
  21. 　基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報により特定される前記基板における位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射工程が電子ビームを照射するように制御する第１の照射制御工程と
    　前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射工程により電子ビームが照射される位置を、所定の距離移動させる第２の照射制御工程と、
    　前記第２の照射制御工程による照射位置の移動中、前記電子ビームに含まれる電子のうち前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流とのうち、少なくとも１つである照射情報を検出する検出工程と、
    　前記検出工程による検出結果に基づいて、電子ビームの照射範囲の中心と、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが設けられた位置とのずれを算出する位置ずれ算出工程と、
    　前記位置ずれ算出工程により算出されたずれを解消する方向に、前記Ｘ線検査装置の電子ビーム照射工程により電子ビームが照射される位置を移動させる第３の照射制御工程と
    　を含むことを特徴とする制御方法。　     First irradiation for controlling the electron beam irradiation step of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam with respect to the position on the substrate specified by the position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate. A second irradiation control step of moving the position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation step of the X-ray inspection apparatus by a predetermined distance;
    During movement of the irradiation position in the second irradiation control step, reflected electrons reflected from the substrate among electrons included in the electron beam, X-rays generated from the X-ray nanotarget by irradiation of the electron beam, and electrons A detection step of detecting irradiation information that is at least one of target currents generated from the substrate by beam irradiation;
    Based on the detection result of the detection step, a position shift calculation step for calculating a shift between the center of the irradiation range of the electron beam and the position where the X-ray nano target is provided on the substrate;
    And a third irradiation control step of moving a position irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation step of the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the shift calculated by the position shift calculation step. Control method to do.
  22. 　電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、
    　Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部と、前記差分算出部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整部とを有する制御装置と
    　を備えることを特徴とするＸ線検査システム。　     An X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget by irradiating an electron beam with an electron beam irradiation unit;
    Position information indicating the center in the X-ray image taken by irradiating the X-ray nano target with an electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus and irradiating the X-ray nano target with the X-ray, and the X A difference calculation unit that calculates a difference from position information indicating a position where the X-ray nano target is present in a vertical direction in a line image, and adjusts the X-ray inspection apparatus in a direction that eliminates the difference calculated by the difference calculation unit An X-ray inspection system comprising: a control device having a position adjustment unit.
  23. 　前記差分算出部は、複数の前記差分ごとに該差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する記憶部を参照し、撮影されたＸ線画像と前記記憶部に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行うことで、差分を算出することを特徴とする請求項２２に記載のＸ線検査システム。　 The difference calculation unit refers to a storage unit that stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where the difference exists for each of the plurality of differences, and is stored in the captured X-ray image and the storage unit. The X-ray inspection system according to claim 22, wherein the difference is calculated by matching with an X-ray image or a simulation image. *
  24. 　前記制御装置は、前記シミュレーション画像を差分ごとに作成する作成部を更に備え、
    　前記差分算出部は、前記作成部により作成された前記シミュレーション画像各々とのマッチングを行うことで差分を算出することを特徴とする請求項２２又は２３に記載のＸ線検査システム。　     The control device further includes a creation unit that creates the simulation image for each difference,
    The X-ray examination system according to claim 22 or 23, wherein the difference calculation unit calculates a difference by performing matching with each of the simulation images created by the creation unit.
  25. 　Ｘ線検査装置は、前記Ｘ線ナノターゲットから照射されたＸ線を検出する検出部としてＸ線カメラを有し、
    　前記位置調整部は、前記Ｘ線カメラの位置と、前記Ｘ線カメラのあおり角とのうち少なくとも一方を変更するように制御することで、前記Ｘ線検査装置を調整することを特徴とする請求項２２～２４のいずれか１項に記載のＸ線検査システム。　     The X-ray inspection apparatus has an X-ray camera as a detection unit that detects X-rays irradiated from the X-ray nano target,
    The position adjustment unit adjusts the X-ray inspection apparatus by controlling to change at least one of a position of the X-ray camera and a tilt angle of the X-ray camera. Item 25. The X-ray inspection system according to any one of Items 22 to 24.
  26. 　前記差分算出部は、前記位置情報として、前記Ｘ線画像における座標を用いることを特徴とする請求項２２～２５のいずれか１項に記載のＸ線検査システム。　 The X-ray inspection system according to any one of claims 22 to 25, wherein the difference calculation unit uses coordinates in the X-ray image as the position information. *
  27. 　Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出工程と、
    　前記差分算出工程により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整工程と
    　を含むことを特徴とする制御方法。     Position information indicating the center in the X-ray image taken by irradiating the X-ray nano target with an electron beam by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus and irradiating the X-ray nano target with the X-ray, and the X A difference calculating step of calculating a difference from position information indicating a position where the X-ray nano target is located in a vertical direction in a line image;
    A position adjusting step of adjusting the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculating step.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018073375A1 (en) * 2016-10-21 2018-04-26 Excillum Ab Structured x-ray target

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148462A (en) * 1991-04-08 1992-09-15 Moltech Corporation High efficiency X-ray anode sources
JP2011071101A (en) * 2009-08-31 2011-04-07 Hamamatsu Photonics Kk X-ray generator
JP2011077027A (en) * 2009-09-04 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd Target for x-ray generation, x-ray generator, and manufacturing method of target for x-ray generation
JP2012088170A (en) * 2010-10-19 2012-05-10 Seiko Precision Inc X-ray position measurement device, position measurement method for x-ray position measurement device, and position measurement program for x-ray position measurement device
JP2013231700A (en) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd X-ray inspection method and x-ray inspection device
JP2015002112A (en) * 2013-06-17 2015-01-05 浜松ホトニクス株式会社 X-ray generator

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148462A (en) * 1991-04-08 1992-09-15 Moltech Corporation High efficiency X-ray anode sources
JP2011071101A (en) * 2009-08-31 2011-04-07 Hamamatsu Photonics Kk X-ray generator
JP2011077027A (en) * 2009-09-04 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd Target for x-ray generation, x-ray generator, and manufacturing method of target for x-ray generation
JP2012088170A (en) * 2010-10-19 2012-05-10 Seiko Precision Inc X-ray position measurement device, position measurement method for x-ray position measurement device, and position measurement program for x-ray position measurement device
JP2013231700A (en) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd X-ray inspection method and x-ray inspection device
JP2015002112A (en) * 2013-06-17 2015-01-05 浜松ホトニクス株式会社 X-ray generator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018073375A1 (en) * 2016-10-21 2018-04-26 Excillum Ab Structured x-ray target
US10784069B2 (en) 2016-10-21 2020-09-22 Excillum Ab Structured x-ray target

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