WO2015039835A1 - Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
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    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Definitions

  • Optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component
  • organic light emitting diodes organic light emitting diodes
  • OLED emitting diode
  • An organic optoelectronic component for example an OLED, can have an anode 104 and a cathode 106 with a metal over a substrate 102
  • the organic functional layer system 108 may include one or more emitter slides 110, 112, 114, in FIG.
  • a typical structure of a white OLED has a stack of emitter layers 110, 112, 114 between the electrodes 104, 106
  • the stack of emitter layers may include a first organic emitter layer 110 emitting a red light 120, a second organic emitter layer 112 emitting a green light 122, and a third organic emitter layer 114 emitting a blue light 124.
  • a voltage 126th applied and the resulting current flows through the emitter layers 110, 112, 114 in a kind of series connection.
  • the emitter layers 110, 112, 114 can emit light which, for example, is white in the mixture
  • Wavelength spectrum is shown for example in FIG. 1B as spectral power 128 as a function of wavelength 130.
  • FIG. 1B the spectra at different luminances for an organic light-emitting diode are shown in FIG. 1B.
  • ⁇ FIG. IC which is also called LT70, may
  • a luminance drop to 50% of the original luminance is also referred to as LT50 (FIG.
  • the human eye can be so sensitive that even small deviations from the specified Parbort can be perceived.
  • emitted light may therefore change only minimally during aging.
  • deviations from the specified color locus of approx. +/- 0.02 are tolerable in the CIE values Cx and Cy.
  • the emitter layers 110, 112, 114 of a white OLED can consist of different materials and contribute differently to the total emission.
  • FIG.1A-D The emitter layers 110, 112, 114 of a white OLED can consist of different materials and contribute differently to the total emission.
  • the emitter layers 110, 112, 114 may be formed such that the drop of the normalized luminance 132 as a function of the operating time 134 is one for all
  • FIG. IC Shown in FIG. IC is the on the initial one
  • Emitter layer 112, 138 which emits blue light
  • Emitter layer 114, 140, the total emission 142 in an emitter layer stack results in a white light.
  • Emitter layer 110 is used to adjust the warm white
  • the second emitter layer 112 and the third emitter layer 114 are operated at a lower luminance to set the warm white color locus as the first emitter layer;
  • second emitter layer 112 (green): 2000 cd / m; third
  • Emitter layer 114 (blue): 800 cd / m.
  • Operating time 134 of the emitter layers 110, 112, 114 are out an accelerated aging test with a 10 times higher operating current.
  • the emitter layers 110, 112, 114 therefore have a lifetime of; first
  • the lifetimes of the second emitter layer 112, 138 and the third emitter layer 114, 140 are higher than those
  • Emitter layers 110, 112, 114 can be designed in such a way that their aging behavior (L / LQ (t) ⁇ by means of a stretched exponential function of the form exp ⁇ t / ⁇ ⁇ ) ⁇
  • L is the luminance 132 for
  • the emitter layers 110, 112, 114 are formed such that they have an approximately equal aging coefficient ⁇ with a value of approximately 0, 7. However, different aging processes may take place in the different emitter layers 110, 112, 114, so that the emitter layers 110, 112, 114 have different values for ⁇ ⁇ .
  • the emitter layers 110, 112, 114 of the white OLED can have different lifetimes LT70 at an operating current on iron (FIG. 1B) - see operating time 134 of the luminance 144 to LT70 of the emitter layers 136, 138, 140, 142.
  • the overall life of the white OLED 142 is determined by the emitter layer 110, 112, 114, the strongest for Emission contributes - here the first emitter layer 110, 136. This allows the warm white OLED 142 have a service life of only 150 h. Do the other two
  • Color aging come, i. during operation of the optoelectronic component to a deviation of the color locus from
  • an OLED is used for color locus regulation with a first OLED unit with the first emitter layer and the second emitter layer, and a second OLED unit with the third emitter layer.
  • a color location between the color locations of the individual OLED units are set.
  • This color locus setting is conventionally realized by means of a monolithic inverted stacked OLED having two OLED units as described above.
  • a color locus regulation in DC mode three connections and two voltage sources are necessary (FIG.3 ⁇ .
  • This conventional method is based on having two OLED units
  • one OLED unit serves as the other OLED unit
  • Diode rectifier i. in AC mode, only one OLED unit emits in the positive cycle (positive
  • the OLED units can be stacked in the area next to each other or one above the other. Used as above
  • Emitter layers in the CIE diagram, can be a color locus between the color loci of the individual OLED units over the
  • AC parameters are set, for example, current pulse height and the current pulse width.
  • the color locus during the DC operation or the AC operation is not stable.
  • the signal of an additional Color sensor used in the beam path of the OLED units to provide the instantaneous color information to the power source is not stable.
  • Optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component
  • the optoelectronic component device comprising: an optoelectronic component and a control device for driving the optoelectronic component; wherein the optoelectronic component is a first optically active
  • first optically active structure is arranged to emit a first electromagnetic radiation and aging in operation according to a first aging function; and wherein the second optically active structure to a
  • Emitting a second electromagnetic radiation is set up and in operation according to a second
  • Component is designed such that in a first operating mode, at least the first electromagnetic
  • Radiation is emitted and in a second operating mode at least the second e1ektromagnetician radiation is emitted; wherein the control device is set up, the optoelectronic component i a predetermined
  • the optoelectronic component can be controlled in a predetermined activation interval partially in the first operating mode and partially in the second operating mode. As a result, a third electromagnetic radiation is emitted in a drive interval.
  • electromagnetic radiation is a third electromagnetic radiation is perceived, is the inertia of the
  • Control frequency is visible to the human eye, only the mixture of first electromagnetic radiation and second electromagnetic radiation.
  • the mixture of first electromagnetic radiation and second electromagnetic radiation is visible to the human eye, only the mixture of first electromagnetic radiation and second electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic component can be designed such that the first aging function and the second aging function are approximately the same
  • the first optically active structure may be formed such that the first electromagnetic radiation is a blue light.
  • the second optically active portion is the second optically active
  • Structure be formed such that the second electromagnetic radiation is a yellow light or a green-red light.
  • the first optically active structure may be formed such that the first electromagnetic radiation is a blue light and the second optically active structure may be configured such that the second electromagnetic radiation is a yellow light or a green-red light is.
  • third electromagnetic radiation that is to say as electromagnetic radiation of a driving interval, a white light can be emitted or perceived.
  • the controller may be so
  • Radiation is a white light, for example, with a correlated color temperature in a range of 500K to 11000K.
  • the control device may comprise an electrical energy source or with a
  • the electrical energy source provides the electrical energy for the first operating mode and for the second operating mode.
  • At least one property of the third electromagnetic radiation can be formed by means of the amplitude and / or the frequency of the alternating current and / or the alternating voltage.
  • the alternating current one
  • the alternating current and / or the alternating voltage may have a frequency greater than about 30 Hz.
  • control device may be designed such that the first optically active structure in the first operating mode is to be driven with a first voltage profile and the second optically active structure in the second operating mode is to be driven with a second voltage profile which is different from the first
  • control device may be designed such that the first voltage curve has at least one non-linear first region.
  • control device may be configured such that the first region comprises at least one of the following shapes or a hybrid form of one of the following forms: a pulse, a sine half wave, a
  • Rectangle a triangle, a sawtooth.
  • control device may be designed such that the second voltage profile is designed as a DC operation.
  • control device may be designed such that a constant direct current is provided in DC operation.
  • control device may be configured such that the second voltage curve has a non-linear second region.
  • control device may be configured such that the second region comprises at least one of the following shapes or a hybrid shape of one of the following shapes: a pulse, a sine calf wave
  • Rectangle a triangle, a sawtooth.
  • control device may be designed such that the optoelectronic component is operated in an alternating current operation with a first half-wave and a second half-wave.
  • control device may be configured such that with the transition from the first half-wave to the second half-wave a transition from the first operating mode to the second operating mode takes place.
  • control device may be designed such that the first half-wave and the second half-wave have different current directions.
  • control device may be designed such that the first half-wave and the second half-wave are formed asymmetrically. In one embodiment, the control device may be designed such that the first half-wave is formed asymmetrically with respect to the second half-wave.
  • control device may be configured such that the first half-wave has a different maximum magnitude of the amplitude than the second
  • control device may be configured such that the first operating mode has at least one first half-wave and the second operating mode has at least one second half-wave. In one embodiment, the control device may be configured such that the first half-wave another
  • control device may be designed such that the first half-wave a larger
  • control device may be designed such that the difference of the aging function is smaller than a threshold value.
  • control device may be configured such that the threshold value is a function with regard to the differential color aging of the first optically active structure and the second optically active structure.
  • control device may be configured such that the threshold value is an amount
  • Color Aging associated color locus shift is less than 0.02 in Cx and / or Cy in a CIE color standard chart.
  • the optoelectronic component has a first optically active structure and a second optically active structure, wherein the first optically active structure is adapted to emit a first electromagnetic radiation and in operation according to a first
  • Aging function is aging; and wherein the second optically active structure is for emitting a second
  • electromagnetic radiation is set up and aging in operation according to a second aging function; wherein the optoelectronic component is designed such that in a first operating mode at least the first
  • electromagnetic radiation is emitted and in one second mode of operation at least the second
  • the method comprises: driving the optoelectronic component in a predetermined activation interval partially in the first operating mode and partly in the second operating mode such that the difference between the first aging function and the second aging function during operation of the
  • the optoelectronic component are driven such that the first optically active structure and the second optically active structure simultaneously emit electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic component are driven such that the first optically active structure and the second optically active structure simultaneously emit electromagnetic radiation.
  • Component can be configured and controlled so that it can be operated simultaneously in the first operating mode and in the second operating mode.
  • Optoelectronic device may be formed such that the first aging function and the second aging function have approximately the same coefficient of aging.
  • the first aging function and the second aging function can be described by a stretched exponential decay.
  • the exponent of the aging function can be used for the first aging function and the second one
  • the first optically active structure may be formed such that the first electromagnetic radiation is a blue light.
  • the second optically active structure may be formed such that the second electromagnetic radiation is a yellow light or a green-red light.
  • the method the first optically active structure may be formed such that the first electromagnetic radiation is a blue light.
  • optoelectronic component are driven such that the mixture of first electromagnetic radiation and second electromagnetic radiation in one
  • Driving interval is a white light, for example, with a (correlated) color temperature in a range of 500 K to 11000K.
  • a (correlated) color temperature in a range of 500 K to 11000K.
  • Electromagnetic radiation can be a white light, for example with a (correlated) color temperature in a range of 500 K to 11000 K.
  • electrical energy source provides the electrical energy for the first mode of operation and for the second mode of operation.
  • the electrical energy source can be an alternating current and / or a
  • Amplitude and / or the frequency of an alternating current and / or an alternating voltage at least one property of the third electromagnetic radiation can be formed.
  • the alternating current can have a direct current component, or the alternating voltage can have a direct voltage component.
  • the alternating current and / or the alternating voltage may have a frequency of greater than approximately 30 Hz.
  • the first region may comprise at least one of the following shapes or a hybrid form of one of the following shapes: a pulse, a sine halfwave, a rectangle, a triangle, a sawtooth.
  • the second region may comprise at least one of the following shapes or a hybrid form of one of the following shapes: a pulse, a sine halfwave, a rectangle, a triangle, a sawtooth.
  • Voltage curve be designed as a DC operation.
  • a constant direct current can be provided in DC operation.
  • the second region may have at least one of the following shapes or a hybrid form of one of the following shapes: a pulse, a sine halfwave, a rectangle, a triangle, a sawtooth.
  • optoelectronic component are operated in an AC operation with a first half-wave and a second half-wave.
  • the non-linear second region in a predetermined drive interval 11 may have a duty cycle in a range of approximately 0 to approximately 4.
  • Optoelectronic component be designed such that with the transition from first half-wave to second half-wave, a transition from the first operating mode to the second
  • Half-wave and the second half-wave be formed asymmetrically.
  • Half-wave be asymmetric with respect to the second half-wave.
  • Half-wave have a different maximum amount of amplitude than the second half-wave.
  • the first half-wave has a different maximum amount of amplitude than the second half-wave.
  • an operating mode may have one or more half-waves, wherein a half-wave may have a periodic or arbitrary sequence of voltage waveforms with the same current direction.
  • the first mode of operation may include a first first half-wave and a second first half-wave.
  • the first first half-wave and the second first half-wave may, for example, be sine half-waves.
  • the sine half-waves of the first first half-wave and the second first half-wave may have different amplitudes and pulse widths.
  • Half-wave have a larger duty cycle than the second half-wave.
  • the difference of the aging function may be smaller than a threshold value.
  • the threshold value may have a function with respect to the differential
  • the threshold may have an amount such that the means of
  • differential color aging associated Color locus shift is less than 0.02 in Cx and / or Cy in a CIE color standard chart.
  • Figures 3A, B are schematic representations of a
  • Figures 4A, B are schematic representations of a
  • FIGS. 5A, B are schematic representations of the
  • Figures 6A-C are schematic representations of a
  • Optoelectronic device in operation according to various embodiments.
  • optoelectronic components are described, wherein an optoelectronic
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • the electromagnetic radiation may have a wavelength range comprising X-radiation, UV radiation (AC), visible light, and / or infrared radiation (A-C).
  • a planar optoelectronic component which has two flat, optically active sides, can be used in the
  • Connection direction of the optically active pages for example, be transparent or translucent, for example, as a transparent or translucent organic
  • a planar optoelectronic component may also be referred to as a planar optoelectronic component, but the optically active region may also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive side, for example an organic light emitting diode, which may be a top emitter or a bottom emitter is set up.
  • the optically inactive side can be, for example, transparent or translucent, or be provided with a mirror structure and / or an opaque substance or mixture of substances,
  • the beam path of the optoelectronic component can be directed, for example, on one side.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • providing electromagnetic radiation may be understood as emitting electromagnetic radiation by means of an applied voltage to an optically active region.
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • picking up electromagnetic radiation may be considered as absorbing electromagnetic radiation and forming a photocurrent from the absorbed one
  • An electromagnetic radiation emitting structure ⁇ optically active structure may be in various Embodiments an electromagnetic radiation
  • an electromagnetic radiation emitting diode as an organic electromagnetic radiation emitting diode, as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the electromagnetic radiation emitting device for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED), as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode, LED), as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting
  • the electromagnetic radiation emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of electromagnetic radiation emitting
  • Optoelectronic structure as an organic light emitting diode (OLED) (electromagnetic radiation emitting structure), an organic
  • Organic field effect transistor (organic field effect transistor OFET) and / or organic electronics may be formed.
  • the organic field effect transistor may be a
  • An optoelectronic structure can have an organically functional layer system, which is synonymously also referred to as organically functional layer structure.
  • the organically functional layer structure may be an organic substance or an organic substance
  • the optically active time is the time in which an optically active structure emits electromagnetic radiation.
  • the optically inactive time is the time in which an optically active structure does not emit electromagnetic radiation.
  • the duty cycle gives the ratio of the optically inactive time to the optically active time in one
  • Control interval optically inactive (unpowered) and emits electromagnetic radiation in 50% of the time of the control interval.
  • optically active time for example, by means of a mathematical convolution of the pulse widths and
  • Pulse repetition frequency in one. Activation interval are determined.
  • the maximum pulse amplitude can be understood to be the location of a pulse of electromagnetic radiation at which the pulse has the highest luminance.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to various
  • the optoelectronic component 200 may be formed as an organic light emitting diode 200, an organic photodetector 200 or an organic solar cell.
  • An organic light emitting diode 200 may be formed as a top emitter or a bottom emitter. At a. Bottom emitter is light from the electrically active area through the
  • a top emitter and / or bottom emitter may also be optically 'transparent or optically translucent, for example, any of those described below
  • the optoelectronic component 200 may comprise a hermetically sealed substrate, an active region and a
  • the hermetically sealed substrate may include a carrier 202 and a first barrier layer 204.
  • the active area is an electrically active area
  • the active region is, for example, the region of the optoelectronic component 200 in which electrical current is used to operate the
  • the electrically active region 206 may include a first electrode 210, an organic functional layer structure 212, and a second electrode 214.
  • the organic functional layer structure 206 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units.
  • Functional layer structure 212 may comprise, for example, a first organically functional layer structure unit 216, an intermediate layer structure 218 and a second organically functional layer structure unit 220.
  • the encapsulation structure may be a second barrier layer
  • the carrier 202 may be glass, quartz, and / or a
  • the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES Polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the carrier 202 may be a metal or formed therefrom, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.
  • the carrier 202 may be opaque, translucent or even transparent.
  • the carrier 202 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 202 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way, for example as a foil.
  • the carrier 202 may be formed as a waveguide for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or
  • the first barrier layer 204 may include or be formed from one of the following materials:
  • the first barrier layer 204 may be formed by means of one of the
  • Atomic layer deposition Atomic Layer Deposition (ALD)
  • ALD Atomic layer deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • Sublayers all sublayers can be formed by means of a Atom fürabscheidevons.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate”.
  • Partial layers may have one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 204 may have a layer thickness of about 0.1 nra (one atomic layer) to about 1000 nm
  • a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment
  • the first barrier layer 204 may be one or more
  • high refractive index materials for example one or more high refractive index (eg, refractive index) materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • high refractive index materials for example one or more high refractive index (eg, refractive index) materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • Barrier layer 204 may be omitted, for example, in the event that the carrier 202 hermetically sealed
  • the first electrode 210 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 210 may include or be formed from one of the following electrically conductive materials: a metal; a conductive transparent oxide
  • TCO transparent conductive oxide
  • metallic nanowires and particles for example of Ag, which are combined, for example, with conductive polymers; a network of carbon nanotubes that
  • the first electrode 210 from a. Having metal or a metal may include or be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials.
  • the first electrode 210 may be a transparent conductive oxide, one of the following Have materials: for example, metal oxides:
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, Sn2, or 1 ⁇ 03 also include ternary metal oxygen compounds, for example AlZnO, Z 2S C> 4, CdSnO-3, ZnSnOß, Mgln 2 04,
  • Galn03 Zn 2 In20 5 or In4Sn 3 0i2 or mixtures
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 210 may be a layer or a
  • the first electrode 210 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • the first electrode 204 may, for example, have a layer thickness in a range of 10 nm to 500 nm,
  • the first electrode 210 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a power source (see FIGS. 3, 4),
  • the first electrical potential may be applied to an electrically conductive carrier 202 and the first electrode 210 indirectly by the carrier 202 electrically be fed.
  • the first electrical potential can be applied to an electrically conductive carrier 202 and the first electrode 210 indirectly by the carrier 202 electrically be fed.
  • the ground potential for example, the ground potential or another
  • FIG. 2 shows an optoelectronic component 200 having a first organically functional layer structure unit 216 and a second organically functional layer structure unit 220.
  • Layer structure 212 but also more than two organic functional layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70.
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organically functional layered structure unit 220 may be one of those described below
  • Layer structure unit 216 may be formed.
  • the first organically functional layered structure unit 216 may include a hole injection layer, a
  • Electron injection layer have (see also
  • One or more of the layers mentioned may be provided in an organically functional layer structure unit 212, wherein identical layers may have physical contact, may only be electrically connected to one another, or may even be electrically insulated from one another, for example arranged side by side can. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 210.
  • the Lochinj edictions Mrs may include one or more of the following materials or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) FBZ, MoO x, W0 X, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPC; NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis ⁇ naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, 1 -bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD
  • Spiro-NPB N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, '-bis (phenyl) -spiro
  • ⁇ DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ ' bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene
  • D FL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene
  • DPFL-TPD N, N * -bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • DPFL-NPB N, N 1 -bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluorene
  • the hole injection layer may have a layer thickness on iron in a range of about 10 n to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • a layer thickness on iron in a range of about 10 n to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer may be formed.
  • Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, '- bis (naphthalen-2-yl) -,' - bis (phenyl) benzidine); TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (N, N 1 -bis (3-methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidine); Spiro-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-l-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm,
  • a hole transport layer On or above the hole transport layer, a
  • functional layer structure units 216, 220 may each have one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or
  • An emitter layer may be organic polymers, organic
  • Oligomers organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials, or be formed therefrom.
  • the optoelectronic component 200 may be in a
  • Emitter layer comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis ⁇ 3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) henyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • FIrPic bis ⁇ 3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) henyl- (2-carboxypyridyl) iridium III
  • green phosphorescent FIrPic bis ⁇ 3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) henyl- (2-carboxypyridyl) iridium III
  • green phosphorescent FIrPic bis ⁇ 3,5-difluor
  • Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example one
  • Emitter layer 218 have a layer thickness in one
  • the emitter layer may have monochromatic or emitter materials emitting different colors (for example blue and yellow or blue, green and red).
  • the emitter layer may have monochromatic or emitter materials emitting different colors (for example blue and yellow or blue, green and red).
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors, By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation gives a white color impression,
  • the organically functional layered structure unit 216 may include one or more emitter layers, which may be referred to as a
  • Hole transport layer is executed / are.
  • the organic functional layer structure unit 216 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer.
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET - 18; 2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzinetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazoles); 2- (biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolene (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1, 3-bis [2- (2,2'-bipyridines-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • nm in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example, in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the electron transport layer may be a
  • An electron injection layer may include or may be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, CS2CO3, CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2 ⁇ , 2 "- (1,3,5-benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazoles); 2 - (-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazoles, 2, -dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrol ine (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4 -
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nra to about 200 nra, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organically functional layer structure unit 220 may be formed above or next to the first functional layer structure units 216. Electrically between the organically functional
  • Layer structure units 216, 220 may be a
  • Interlayer structure 218 may be formed.
  • Interlayer structure 218 may be formed as an intermediate electrode 218, for example according to one of
  • Embodiments of the first electrode 210 Embodiments of the first electrode 210.
  • Intermediate electrode 218 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source may, for example, a third at the intermediate electrode 218 provide electrical potential.
  • the intermediate electrode 218 also can not have an external electrical connection on iron, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • Interlayer structure 218 may be formed as a charge carrier generation layer structure 218 (charge generation layer CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 218 may include one or more
  • the carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting carrier couple generation layer (s) may each be formed of an intrinsic conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the charge carrier pair generation layer structure 218 should have regard to the energy levels of the electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair
  • the carrier pair generation layer (s) be designed such that at the interface of an electron-conducting charge carrier pair - generating layer with a hole-conducting charge carrier pair - generating layer, a separation of electron and hole can take place.
  • the carrier pair generation layer structure 218 may further include a sandwich between adjacent layers
  • Each organically functional layer structure unit 216, 220 may, for example, a layer thickness on iron of about 3 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of about 300 nm.
  • the optoelectronic device 200 may optionally have further organic functional layers For example, arranged on or above the one or more
  • the further organic functional layers may be, for example, internal or external coupling-in / coupling-out structures, which are the
  • the second electrode 214 may be formed.
  • the second electrode 214 may be formed according to any of the configurations of the first electrode 210, wherein the first electrode 210 and the second electrode 214 may be the same or different.
  • the second electrode 214 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is, as a cathode
  • the second electrode 214 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second electrical potential may be provided as the first electrical potential and / or the optional third electrical potential.
  • the second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential.
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the
  • Difference to the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V up to about 12 V.
  • the second barrier layer 208 may be formed on the second electrode 214.
  • the second barrier layer 208 may also be referred to as
  • TFE Thin film encapsulation
  • the second barrier layer 208 may be formed according to one of the embodiments of the first barrier layer 204.
  • Barrier layer 208 can be omitted kan.
  • the optoelectronic component 200 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 208 may become optional, for example a cover 224, for example one
  • one or more input / output coupling layers may be formed in the optoelectronic component 200, for example an external outcoupling foil on or above the carrier 202 (not shown) or an internal one
  • the coupling-in / out layer can be a matrix and distributed therein
  • one or more antireflection coatings for example, one or more antireflection coatings
  • a conclusive one may be on or above the second barrier layer 208
  • Bonding layer 222 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 224 on the second barrier layer 208 are connected conclusively, for example, be glued.
  • transparent material can be particles
  • the conclusive bonding layer 222 can act as a scattering layer and lead to a reduction or increase in the color angle delay and the coupling-out efficiency.
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • Metal oxide for example, silicon oxide ⁇ SiO 2), zinc oxide
  • ZnO zirconia
  • ITO indium tin oxide
  • Indium zinc oxide (IZO), gallium (GA 20 x) aluminum oxide, or titanium oxide may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 222, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the positive connection layer 222 may have a layer thickness of greater than 1 j UIRT, for example a
  • the interlocking tie layer 222 may include or be a lamination adhesive.
  • the coherent connection layer 222 may be so
  • Such an adhesive may for example be a low-refractive adhesive such as
  • an acrylate having a refractive index of about 1.3 an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive may also be a high refractive adhesive, for example
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • an electrically insulating layer (not limited to, a first electrically insulating layer, a second electrode 214 and a third electrically insulating layer (not a third electrically insulating layer).
  • SiN for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1, 5 ⁇ , mi mi a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to electrically unstable materials
  • a cohesive bonding layer 222 may be optional, for example, if the cover 224 is formed directly on the second barrier layer 208, for example, a glass cover 224 formed by plasma spraying.
  • the electrically active region 206 may also be a so-called getter layer or getter structure,
  • a laterally structured getter layer may be arranged (not shown).
  • the getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region 206.
  • a getter layer may include or be formed from a zeolite derivative. The getter layer can
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ m.
  • the getter layer may comprise a lamination adhesive or be embedded in the coherent bonding layer 222.
  • a cover 224 may be formed on or above the coherent connection layer 222.
  • the cover 224 can be connected to the electrically active region 206 by means of the coherent connection layer 222 and protect it from harmful substances.
  • the cover 224 may include, for example, a glass cover 224, a
  • the glass cover 224 may, for example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 200 with the second barrier layer 208 and the electrically active region 206 conclusive get connected.
  • the cover 224 and / or the integral interconnect layer 222 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • FIG.3A, B show schematic representations of a
  • Embodiment of an optoelectronic component Embodiment of an optoelectronic component.
  • the optoelectronic component 200 may be formed such that the first organically functional
  • Interlayer structure 218 have a common electrode.
  • the interlayer structure 218 can for this purpose be electrically connected to a third potential terminal 310 be indicated (in FIG.3A indicated by the electric
  • the optoelectronic component 200 has an interlayer structure 218 between a first organically functional layer structure unit 216 and a second organically functional one
  • the first electrode 210 is connected to a first electrical potential terminal 308 and the second electrode 214 to a second electrical potential terminal 306 (indicated in FIG. 3A by means of the electrical connections to the voltage sources 302, 304).
  • the second organically functional layer structure unit 220 may be formed and energized such that the charge carriers in the organically functional
  • Interlayer structure 218 have different current directions.
  • the interlayer structure 218 can do so
  • stacked organic functional layer structure units 216, 220 the
  • layered structure units 216, 220 may be equally directed with respect to the interlayer structure 218.
  • first organically functional layered structure unit 216 and the second organic functional one may be
  • Layer structure unit 220 electrically independent
  • FIG.3B shows a schematic diagram
  • the first organically functional layered structure unit 216 may be configured such that it emits a first electromagnetic radiation 330 and the second organically functional layered structure unit 220 may be formed so that they have a second
  • the optoelectronic component 200 may be formed such that the first electromagnetic radiation 330 and the second electromagnetic radiation 340 are emitted at least in a common direction, for example, isotropically.
  • Interlayer structure 218, the first organic functional layer structure 216 and the carrier 202 at least
  • the interlayer structure 218, the second organic functional layer structure 220 and the encapsulation structure ⁇ see FIG. 2) can be made transparent or translucent at least with regard to the first electromagnetic radiation 330.
  • all layers of the optoelectronic component 200 can be at least as regards the first electromagnetic radiation 330 and / or the second electromagnetic field
  • Radiation 340 be formed transparent or translucent.
  • the mixture of first electromagnetic radiation 330 and second electromagnetic radiation 340 can form a third
  • the first electrical potential Ul may be referred to as the first half-wave during operation of the optoelectronic component 200.
  • the first electrical potential Ul may have a time-variable course
  • a non-linear course or a
  • Potential U2 can also be called a second half-wave.
  • the first organically functional layered structure unit 216 and the second organically functional layered structure unit 220 may be constructed as described above
  • the structure between, including the first electrode 210 and the interlayer structure 218 may be referred to as the first optically active structure 324 and the structure between the interlayer structure 218 and the second electrode 2 .14 may be referred to as the second optically active structure 326.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • the Device 200 have a glass substrate 202 with an ITO layer 210 as a first electrode 210.
  • the first organic functional layer structure unit 216 may include a first hole injection layer 312, a first emitter layer 314, and a first electron injection layer 316.
  • the second organically functional layer structure unit 220 may have a second electron injection layer 318 ", a second emitter layer 320 and a second hole injection layer 322.
  • Electron injection layers 316, 318 may be formed according to any of the configurations described in FIG. 2, for example, each having an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • Interlayer structure 218 is formed as an intermediate electrode 218, for example comprising MgAg.
  • the second electrode may be formed like the intermediate electrode 218, for example comprising MgAg.
  • the first emitter layer 314 and the second emitter layer 320 each have a dye for generating visible light.
  • the first emitter layer 314 may include a fluorescent dye and the second emitter layer 320 may include a phosphorescent dye; or the second emitter layer 320 comprises a fluorescent dye and the first emitter layer 314 comprises a phosphorescent dye.
  • the second emitter layer 320 comprises a fluorescent dye and the first emitter layer 314 comprises a phosphorescent dye.
  • the second emitter layer 320 comprises a fluorescent dye and the first emitter layer 314 comprises a phosphorescent dye.
  • the second emitter layer 320 comprises a fluorescent dye and the first emitter layer 314 comprises a phosphorescent dye.
  • Emitter layer 320 is a ro-green phosphorescent
  • Dye and the first emitter layer 314 have a blue fluorescent dye.
  • Dye be mixed or the red and green
  • FIGS. 4A, B show schematic representations of one
  • the electrodes 306, 308, 310 are connected to a voltage source 402, which serves as an AC voltage source
  • a drive interval may comprise at least a first half-wave and at least a second half-wave, the first half-wave and the second half-wave being different, for example having a different current direction,
  • AC voltage can be the first organically functional
  • Optoelectronic component 200 are formed electrically antiparallel to each other - shown schematically in FIG.4B as a circuit diagram. This can be done in a first
  • the optically active structures 324, 326 can thus alternately emit electromagnetic radiation 330, 340 or block the current. At frequencies above approximately 30 Hz, flicker can no longer be discernible to the human eye.
  • the perceived third electromagnetic radiation is from temporal averaging of the proportions of the first
  • the color location of the third electromagnetic radiation may be adjusted via the AC operating parameters of the voltage source 402. As a result, the differently colored light 330, 340
  • the respective contribution of the optically active structures 324, 326 to the third electromagnetic radiation can be changed. Furthermore, it is possible to adjust the stress and thus the aging behavior over the duration and height of the current exercise.
  • a white light may be third
  • electromagnetic radiation can be perceived.
  • FIG.5A, B show schematic representations of a
  • the optoelectronic component 200 may be formed in such a way that the optically active structures 324, 326 can be flowed independently of one another with two current sources (see description FIG. 3) or one another with an alternating current source (see description FIG.
  • Power source for example, the electrical ballast of the optoelectronic component, only one DC or only one AC to two or more optically active structures can simultaneously provide.
  • Ballast of the optoelectronic component at least two optically active structures simultaneously
  • the first optically active structure 324 can be supplied with an alternating current or DC pulses, i. in the first
  • the first optically active structure 324 can be energized with the first half-wave, that is, in the first operating mode, and the second optically active structure 326 with the second half-wave, that is, in the second operating mode.
  • the properties of the operating modes relative to each other, the properties of the third electromagnetic radiation can be adjusted.
  • the first half-wave and / or the second half-wave may have one of the following forms or a mixed form of one of the following forms: a pulse, a sine half wave, a
  • the shape of the first half-wave and the second half-wave may be symmetrical or asymmetrical to one another.
  • the first half-wave may have a different maximum amount of amplitude than the second half-wave.
  • the maximum amount of the first half-wave may be greater than the maximum amount of the second half-wave shown in FIG.5A by means of the different amounts of current 506, 508 of the half-waves by means of the arrows with the reference numerals 512, 514.
  • the first half-wave, a different pulse width have as the second half-wave.
  • an alternating current may have a direct current component; or an AC voltage have a DC component.
  • the first half-wave may have a different pulse width on iron than the second half-wave - shown in FIG.5B by means of the arrows of different lengths with the reference numerals 512, 514.
  • the first half-wave a smaller
  • the e1ek emitted during the first half-wave 518 and the second half-wave 516 may be present
  • a third electromagnetic radiation can be formed.
  • the timing of current 502 may also be referred to as current 502 as a function of time 504.
  • the third electromagnetic radiation is considered to be the one averaged over a given time
  • Properties of the third electromagnetic radiation can be adjusted.
  • FIG. 5A is a duty cycle of approximately 1 for the first electromagnetic radiation and the second
  • FIG. 5B shows a duty cycle of approximately 0.33 for the first electromagnetic radiation and a duty cycle of approximately 3 for the second electromagnetic radiation.
  • FIG. 6A-C show schematic representations of one
  • Optoelectronic device in operation according to various embodiments.
  • the optoelectronic component may be formed such that the relative decrease in the luminance 602 of the first optically active structure 324 and the second optically active structure 326 may be described with a mathematical function, such as an elongated exponential decay.
  • a stretched exponential decay can be described mathematically as follows:
  • L is the luminance at the operating time t; LQ the initial luminance; ⁇ ⁇ a specific constant which is dependent on the emitter material of an optically active
  • the Optoelectronic component 200 may be formed such that each optically active structure approximately
  • the optically active structures differ in their specific. Constant x ⁇ (see FIG.
  • Operating time LT70 can be described with a non-linear function:
  • n is a real number greater than 1.
  • the first optically active structure 324 has a higher operating time than the second optically active structure
  • the optoelectronic component 200 can be driven to form the third electromagnetic radiation (see description of FIG. 5) in such a way that the optically active structures 324 have approximately equal aging. In FIG.6A this is shown as
  • Control interval (see description of FIG.5) to a relative increase in the proportion of the first electromagnetic radiation to the third electromagnetic radiation.
  • FIG. 5 is reduced.
  • One possibility is to form the predetermined activation interval of the control of the optoelectronic component with pulses at first
  • Electromagnetic radiation can be maintained by the pulse width and / or the pulse repetition frequency at pulses of the first
  • electromagnetic radiation is adjusted with respect to the time averaging a predetermined drive interval, for example, is reduced.
  • FIGS. 6B and 6B computational examples are shown for an optoelectronic component having a first optical element active structure 626, 628 and a second optically active structure 624.
  • the optoelectronic component may be formed according to one of the embodiments described in FIG. 2 to FIG. 5.
  • the first optically active structure 626, 628 and second optically active structure 624 may be such
  • the second optically active structure 624 may as
  • Emitter material a phosphorescent red-green light emitting substance or a phosphorescent red-green light-emitting mixture on iron.
  • the first optically active structure may have, as the emitter material, a fluorescent blue-emitting substance or a fluorescent blue light-emitting substance mixture-shown in FIG. 6B with the reference number 626.
  • the first optically active structure In DC operation, the first optically active structure
  • the first optically active structure may be an emitter material comprising a phosphorescent blue-emitting substance or a phosphorescent blue light-emitting substance mixture on iron, as shown in FIG.
  • Reference numeral 628. In the Gieichstrom prepare has the first optically active structure 628 with phosphorescent emitter
  • the proportions of the red-green light and the blue light for forming the white light are different as shown in FIG. 6B in the column of FIG.
  • Reference numeral 612. For forming the white light with a
  • the second optically active structure 624 emits a light having a luminance of
  • Structure 624 has a lifespan of LT70 (2700 cd / m) of 4508
  • a first optically active structure with a fluorescent emitter emitting blue light currently has a significantly longer lifetime than a phosphorescent blue light emitting emitter
  • the lifetime of the first optically active structure exceeds the lifetime of the second optically active structure
  • the device is limited to the lifetime of the second optically active structure, i. to 4508 hours. This is because the blue light accounts for only about 10% of the white light. In a long-term operation, a differential
  • the second optically active structure can be operated with a direct current and the first optically active structure is pulsed
  • the second optically active structure emits as above
  • the first optically active structure 626, 628 may be pulsed in this way
  • the first optically active structure 626, 628 has a lifetime LT70 (reference 622), which corresponds approximately to the lifetime 614 of the second optically active structure 624.
  • the optically active structures 624, 626/628 may be extended by an exponential
  • Structure 626, 628 are reduced from the above values to 4520 hours and 4518 hours, respectively.
  • an optoelectronic component in which the optically active structures are energized depending on each other
  • Structure 624 be pulsed to form the white light pulsed at 3000 cd / m.
  • the pulses of the second electromagnetic radiation can be any pulses of the second electromagnetic radiation.
  • the pulses of the first electromagnetic radiation of the first optically active structure 626 with fluorescent emitter can have a maximum pulse amplitude 632 with a value of
  • the first optically active structure 628 with phosphorescent emitter can have a lifetime
  • the optoelectronic component can thus be such
  • Color aging (see FIG IC, FIG 1D) is reduced.
  • the lifetime of optoelectronic devices may be due to exceeding a permissible color aging is shorter than that given by the lifetimes of the optically active structures.
  • the service life of the optoelectronic component can thus be increased by means of reducing the differential color aging.
  • the optically active region With known luminances and lifetimes of the two or more optically active regions, the optically active region
  • the longer-lived optically active structure is pulsed or operated in AC mode.
  • the pulse parameters or AC parameters can be chosen so that the optically active structures have similar lifetimes.
  • Optoelectronic devices Vorocardi and a method for operating an optoelectronic device
  • Optoelectronic device can be realized as a so-called "2 Terminal Device" that only two electrical
  • an optoelectronic component can be realized that can be operated by means of an AC driver that is more cost-effective with regard to a DC driver. Furthermore, with an OLED with several
  • Component can still be used, since, for example, the OLED is designed according to various embodiments very similar to a white stacked OLED with a charge carrier pair generation layer structure ⁇ lot
  • the optoelectronic component that, as an OLED with different OLED units, can operate separately from phosphorescent emitter materials (red, green) and fluorescent ones

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend ein optoelektronisches Bauelement (200) und eine Steuervorrichtung zum Ansteuern des optoelektronischen Bauelementes; wobei das optoelektronische Bauelement (200) eine erste optisch aktive Struktur (324) und eine zweite optisch aktive Struktur (326 ) aufweist, wobei die erste optisch aktive Struktur (324) zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung (330) eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer ersten Alterungsfunktion (140) altert; und wobei die zweite optisch aktive Struktur (326) zu einem Emittieren einer zweiten elektromagnetischen Strahlung (340) eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer zweiten AIterungsfunktion (136, 138) altert; wobei das optoelektronische Bauelement (200) derart ausgebildet ist, dass in einem ersten Betriebsmodus wenigstens die erste elektromagnetische Strahlung (330) emittiert wird und in einem zweiten Betriebsmodus wenigstens die zweite elektromagnetische Strahlung (340) emittiert wird; wobei die Steuervorrichtung eingerichtet ist, dass der Unterschied von erster AIterungsfunktion (140) zu zweiter AIterungsfunktion (136, 138 ) während des Betriebs der optoelektronischen Bauelementevorrichtung reduziert wird.

Description

Beschreibung
Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light
emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete
Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung . Ein organisches optoelektronisches Bauelement (dargestellt in FIG.1A), beispielsweise eine OLED, kann über einem Substrat 102 eine Anode 104 und eine Kathode 106 mit einem organisch
funktionellen Schichtensystem 108 dazwischen aufweisen. Das organisch funktionelle Schichtensystem 108 kann eine oder mehrere Emitterschient/en 110 , 112 , 114 aufweisen, in
der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird (FIG.IB), eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur (en) aus j eweils zwei oder mehr
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungs rägerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer Elektronenblockadeschichten 116, auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 116 („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten 118 , auch bezeichnet als Elektronentransportschiebt (en) 118 („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten. Ein typischer Aufbau einer weißen OLED weist einen Stapel (Stack) von Emitterschichten 110 , 112 , 114 zwischen den Elektroden 104 , 106 auf . Der Stapel von Emitterschichten kann eine erste organische Emitterschicht 110 aufweisen, die ein rotes Licht 120 emittiert eine zweite organische Emitter-Schicht 112 , die ein grünes Licht 122 emittiert und eine dritte organische Emitterschicht 114 , die ein blaues Licht 124 emittiert . Im Betrieb wird an die Elektroden 104 , 106 eine Spannung 126 angelegt und der resultierende Strom fließt in einer Art Reihenschaltung durch die Emitterschichten 110, 112, 114.
Dadurch können die Emitterschichten 110, 112, 114 Licht emittieren, das in der Mischung beispielsweise weiß
erscheint. Das von einer weißen OLED emittierte
Wellenlängenspektrum ist beispielsweise in FIG.1B dargestellt als Spektralleistung 128 als Funktion der Wellenlänge 130.
Weiterhin sind in FIG.1B die Spektren bei unterschiedlichen Leuchtdichten für eine organische Leuchtdiode nach dem
Herstellen {Bezugszeichen 160) und nach 350 Betriebsstunden veranschaulicht {Bezugszeichen 162) .
Weiße organische Leuchtdioden mit produkttauglichen
Lebensdauern größer als 10000 Stunden sind bereits
demonstriert worden. Innerhalb dieser Lebensdauer 144
{FIG. IC), die auch als LT70 bezeichnet wird, darf die
Leuchtdichte auf 70% der Anfangsleuchtdichte abfallen, bevor die OLED ausgetauscht werden sollte. Ein Leuchtdichteabfall auf 50 % der ursprünglichen Leuchtdichte wird auch als LT50 (FIG. IC) bezeichnet.
Das menschliche Auge kann derart sensitiv sein, dass bereits kleine Abweichungen vom spezifizierten Parbort wahrgenommen werden können. Der Farbort des von der weißen OLED
emittierten Lichtes darf sich während der Alterung daher nur minimal ändern. In der Allgemeinbeleuchtung sind Abweichungen vom spezifizierten Farbort von ca. +/-0 , 02 in den CIE-Werten Cx und Cy tolerierbar.
Die Emitterschichten 110, 112, 114 einer weißen OLED können aus verschiedenen Materialien bestehen und unterschiedlich zur Gesamtemission beitragen. In der in FIG.1A-D
dargestellten weißen OLED ist zur Erreichung eines warm- weißen Farbortes des emittieren Lichtes (CIE-
Farbortkoordinaten : Cx=0 , 45 , Cy=0,41) eine erste
Emitterschicht 110 aus dem rot phosphoreszierenden Stoff MDQ, eine zweite Emitterschicht 112 aus dem grün phosphoreszierenden Stoff Irppy und eine dritte Emitterschicht 114 aus dem blau fluoreszierenden Stoff
SEB-097 verwendet worden . Die Emitterschichten 110, 112, 114 können derart ausgebildet werden, dass der Abfall der normierten Leuchtdichte 132 als Funktion der Betriebsdauer 134 einem für alle
Emittermaterialien ähnlichen Verlauf folgt, der ungefähr mit einem gestreckten, exponentiellen Abfall (stretched
exponential decay) beschrieben werden kann {FIG. IG) .
Dargestellt in FIG. IC ist die auf die anfängliche
Leuchtdichte LQ normierte Leuchtdichte L als Funktion der Betriebsdauer t für die rotes Licht emittierende
Emitterschicht 110 , 136 , die grünes Licht emittierende
EmitterSchicht 112 , 138 , die blaues Licht emittierende
Emitterschicht 114 , 140 , der Gesamtemission 142 in einem Emitterschicht -Stapel ein weißes Licht ergibt .
Zum Ausbilden von weißem Licht sind unterschiedliche Anteile aus einem roten Licht , einem grünen Licht und einem blauen Licht notwendig . Die erste rotes Licht emittierende
Emitterschicht 110 wird zum Einstellen des warm-weißen
Farbortes hinsichtlich der anderen Emitterschichten 112 , 114 beim Betriebsström mit der höchsten Leuchtdichte betrieben
2
(7200 cd/m ) und hat daher die kürzeste Lebensdauer LT70 - dargestellt in FIG.1B und FIG. IC mittels eines stärkeren Abf lls der Leuchtdichte 132 und der Spektralleistung 128 im Vergleich zu der der zweiten Emitterschicht 112 , 138 und der dritten Emitterschicht 114 , 140. Mit anderen Worten: die zweite Emitterschicht 112 und die dritte Emitterschicht 114 werden mit geringerer Leuchtdichte betrieben um den warm weißen Farbort einzustellen als die erste Emitterschicht ;
2
zweite Emitterschicht 112 (grün) : 2000 cd/m ; dritte
2
Emitterschicht 114 (blau) : 800 cd/m . Die in FIG. IC
dargestellten normierten Leuchtdichten 132 (normiert auf die Leuchtdichte LQ nach der Herstellung) als Funk ion der
Betriebszeit 134 der Emitterschichten 110 , 112 , 114 sind aus einem beschleunigten Alterungstest mit einem lOfach höheren Betriebsstrom ermittelt worden. Die Emitterschichten 110, 112, 114 haben daher eine Lebensdauer von; erste
Emitterschicht 110: LT70 = 125h; zweite Emitterschicht 112: LT70 = 200 h; und dritte Emitterschicht 114: LT70 = 260 h. Die Lebensdauern der zweiten Emitterschicht 112, 138 und der dritten Emitterschicht 114, 140 sind höher als die
Lebensdauer der ersten Emitterschicht 110, 136, da die erste Emitterschicht 110, 136 zum Einstellen des Farbortes des emittierten weißen Lichtes des Emitterschichten-Stapels mit einer höheren Leuchtdichte betrieben wird als die zweite Emitterschicht 112, 138 und die dritte Emitterschicht 114, 140. Aus dem Verlauf der normierten Leuchtdichte 132 als Funktion der Betriebsdauer 134 können die Alterungsf nktionen der Emitterschichten 110, 112, 114 ermittelt werden. Die
Emitterschichten 110, 112, 114 können derart ausgebildet sein, dass ihr Alterungsverhalten (L/LQ (t } } mittels einer gestreckten Exponentialfunktion der Form exp- { t/ τ±)^
beschreibar ist . Hierbei ist L die Leuchtdichte 132 zur
Betriebszeit 134 t ; LQ die Anfangsleuchtdichte; τ± eine spezifische Konstante , die abhängig ist vom Emittermaterial einer Emitterschicht ; und ß ein Alterungskoeffizient . Die Emitterschichten 110 , 112 , 114 sind derart ausgebildet , dass Sie einen ungefähr gleichen Alterungskoeffizienten ß mit einem Wert von ungefähr 0 , 7 aufweisen. In den verschiedenen Emitterschichten 110 , 112 , 114 können jedoch unterschiedliche Alterungsprozesse stattfinden, sodass die Emitterschichten 110 , 112 , 114 unterschiedliche Werte für τ± aufweisen .
Dadurch können die Emitterschichten 110 , 112 , 114 der weißen OLED verschiedene Lebensdauern LT70 bei einem Betriebsstrom auf eisen ( FIG . 1B ) - siehe Betriebsdauer 134 der Leuchtdichte 144 zu LT70 der Emitterschichten 136, 138 , 140, 142.
Die Gesamtlebensdauer der weißen OLED 142 wird durch die EmitterSchicht 110 , 112 , 114 bestimmt, die am stärksten zur Emission beiträgt - hier die erste Emitterschicht 110, 136. Dadurch kann die warm-weiße OLED 142 eine Betriebsdauer von lediglich 150 h aufweisen. Haben die beiden anderen
Emitterschichten eine deutlich kürzere oder längere
Lebensdauer, kann es außerdem zu einer differentiellen
Farbalterung kommen, d.h. im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes zu einem Abweichen des Farbortes vom
spezifizierten Farbort mittels Alterung. Dies ist für die oben beschriebene warm-weiße OLED in FIG.1D dargestellt für den CIE- Farbortkoordinaten 146 als Funktion der Betriebsdauer 134 für die Änderung der Farbortkoordinaten ACx 148 und ACy 150. Während die Farbortkoordinate Cy 150 sich während des Betriebes nicht ändert, kann es bei der Farbortkoordinate Cx 148 durch die differentielle Farbortalterung zu einer
signifikanten Verschiebung des Farbortes kommen (dargestellt; äCx 148 = -0,017; ACy 150 = 0), Dadurch kann eine sichtbare Farbverschiebung vom warm-weißen Farbort der weißen OLED bewirkt werden. Während der Alterung einer weißen OLED wird deshalb eine Farbverschiebung zu blau hin sichtbar, d.h. eine negative Cx-Änderung (FIG.1D) .
Eine Korrektur der Farbalterung ist möglich, wenn das
Bauelement über eine aufwendige Farbort- Regulierung
(inklusive Farbsensor) verfügt . Die Vorgabe einer minimalen Farbortverschiebung kann so nur schwer eingehalten werden
( zulässige Toleranzen der Farbortabweichungen 152 , 154 sind am Rand in FIG.1D dargestellt) . Dadurch kann die
Betriebsdauer der weißen OLED zusätzlich zu der Reduktion der Betriebsdauer aufgrund der Alterung der Emitterschichten 110 , 112 , 114 reduziert werden und/oder eine Farbortkorrektur erforderlich sein .
In einem herkömmlichen Verfahren wird zur Farbort-Regulierung eine OLED verwendet mit einer ersten OLED-Einheit mit der ersten EmitterSchicht und der zweiten Emitterschicht , und einer zweiten OLED-Einheit mit der dritten Emitterschicht . Mittels eines Veränderns des Stroms durch die erste OLED- Einheit und die zweite OLED-Einheit kann ein Farbort zwischen den Farborten der einzelnen OLED-Einheiten eingestellt werde .
Im Gleichstrom-Betrieb (direct current DC) einer weißen OLED ist eine Farbort -Korrektur nur möglich, wenn die
verschiedenen Emitterschichten separat ansteuerbar sind.
Diese Farborteinstellung wird herkömmlich mit Hilfe einer monolithisch, invertiert gestapelten OLED mit zwei wie oben beschrieben OLED-Einheiten realisiert . Für eine Farbort - Regulierung im Gleichstrom-Betrieb sind drei Anschlüsse und zwei Spannungsquellen notwendig (FIG.3} .
Im Wechselstrom-Betrieb (alternating current AC) kann eine Farbort-Regulierung ebenfalls erfolgen. Dazu wird herkömmlich eine OLED mit monolithisch, elektrisch antiparallel
gestapelten OLED-Einheiten verwendet . Dies weist den Vorteil auf , mit nur zwei Stromkontakten und nur einer
Stromversorgung auszukommen (FIG.4) . Dieses herkömmliche Verfahren beruht darauf , dass zwei OLED-Einheiten
antiparallel zueinander geschaltet werden. Auf diese Weise dient eine OLED-Einheit für die andere OLED-Einheit als
Diodengleichrichter, d.h. im Wechselstrom-Betrieb emittiert nur die eine OLED-Einheit im positiven Zyklus (positive
Halbwelle) und nur die andere OLED-Einheit im negativen
Zyklus (negative Halbwelle) des Strompulses . Die OLED- Einheiten können dabei in der Fläche nebeneinander oder übereinander gestapelt sein. Verwendet man wie oben
beschrieben OLED-Einheiten mit unterschiedlichen
Emitterschichten, kann im CIE-Diagramm ein Farbort zwischen den Farborten der einzelnen OLED-Einheiten über die
Wechselstromparameter eingestellt werden, beispielsweise Strompulshöhe bzw. die Strompulsweite .
Aufgrund der differentiellen Alterung der Emitterschichten der unterschiedlichen OLED-Einheiten ist der Farbort während des Gleichstrom-Betriebs oder des Wechselstrom-Betriebs j edoch nicht stabil . Zur Stabilisierung des Farbortes wird in einem herkömmlichen Verfahren das Signal eines zusätzlichen Farbsensors im Strahlengang der OLED-Einheiten verwendet, um die momentane Farbinformation an die Stromquelle
zurückzumelden. Bei einer Farbortabweichung werden
entsprechend des gemessenen Signals des Farbsensors die
Betriebsparameter der OLED-Einheiten korrigiert.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist eine OLED ohne
Farbsensor mit einer wenigstens reduzierten Farbortabweichung während des Betriebes zu betreiben .
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung berei gestellt , die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend : ein optoelektronisches Bauelement und eine Steuervorrichtung zum Ansteuern des optoelektronischen Bauelementes ; wobei das optoelektronische Bauelement eine erste optisch aktive
Struktur und eine zweite optisch aktive Struktur aufweist, wobei die erste optisch aktive Struktur zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer ersten Alterungsfunktion altert ; und wobei die zweite optisch aktive Struktur zu einem
Emittieren einer zweiten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer zweiten
Alterungsf nktion altert ; wobei das optoelektronische
Bauelement derart ausgebildet ist, dass in einem ersten Betriebsmodus wenigstens die erste elektromagnetische
Strahlung emittiert wird und in einem zweiten Betriebsmodus wenigstens die zweite e1ektromagnetische Strahlung emittiert wird; wobei die Steuervorrichtung eingerichtet ist , das optoelektronische Bauelement i einem vorgegebenen
AnsteuerungsIntervall teilweise im ersten Betriebsmodus und teilweise im zweiten Betriebsmodus anzusteuern derart , dass der Unterschied von erster Alterungsfunktion zu zweiter AIterungsfunktion während des Betriebs der optoelektronischen Bauelementevorrichtung reduziert wird. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement in einem vorgegebenen Ansteuerungsintervall teilweise im ersten Betriebsmodus und teilweise im zweiten Betriebsmodus ansteuerbar sein. Dadurch wird in einem Ansteuerungsintervall eine dritte elektromagnetische Strahlung emittiert. Der
Unterschied vo erster Alterungsfunktion zu zweiter
Alterungsfunktion wird somit während des Emittierens der dritten elektromagnetischen Strahlung reduziert . Dadurch können die Eigenschaften der dritten elektromagnetischen Strahlung, die abhängig sind vo der Alterung der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, während des
Betriebs der optoelektronischen Bauelementevorrichtung stabil sein. Ursächlich dafür, dass anstelle der ersten
elektromagnetischen Strahlung und der zweiten
elektromagnetischen Strahlung eine dritte elektromagnetische Strahlung wahrgenommen wird, ist die Trägheit des
menschlichen Auges . Unterschreitet ein Ansteuerungsintervall eine bestimmte Dauer, d.h. bei Überschreiten einer
Ansteuerungsfrequenz , ist für das menschliche Auge lediglich die Mischung aus erster elektromagnetischer Strahlung und zweiter elektromagnetischer Strahlung sichtbar . Die Mischung aus erster elektromagnetischer Strahlung und zweiter
elektromagnetischer Strahlung wird als dritte
elektromagnetische Strahlung bezeichnet .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die erste Alterungsfunktion und die zweite Alterungsfunktion einen ungefähr gleichen
Alterungskoeffizienten aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die erste optisch aktive Struktur derart ausgebildet sein, dass die erste elektromagnetische Strahlung ein blaues Licht ist .
In einer Ausgestaltung kann die zweite optisch aktive
Struktur derart ausgebildet sein, dass die zweite elektromagnetische Strahlung ein gelbes Licht oder ein grünrotes Licht ist.
Mit anderen Worten: In einer Ausgestaltung kann die erste optisch aktive Struktur derart ausgebildet sein, dass die erste elektromagnetische Strahlung ein blaues Licht ist und die zweite optisch aktive Struktur derart ausgebildet sein, dass die zweite elektromagnetische Strahlung ein gelbes Licht oder ein grün-rotes Licht ist. Als dritte elektromagnetische Strahlung, dass heißt als elektromagnetische Strahlung eines AnsteuerungsIntervalls , kann ein weißes Licht emittiert bzw. wahrgenommen werden.
In einer Ausgestaltung kann das Steuergerät derart
ausgebildet sein, dass die dritte elektromagnetische
Strahlung ein weißes Licht ist, beispielswiese mit einer korrelierten Farbtemperatur in einem Bereich von 500 K bis 11000K. In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung eine elektrische Energiequelle aufweisen oder mit einer
elektrischen Energiequelle elektrisch verbunden sein, wobei die elektrische Energiequelle die elektrische Energie für den ersten Betriebsmodus und für den zweiten Betriebsmodus bereitstellt.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische Energiequelle für den ersten Betriebsmodus und/oder für den zweiten
Betriebsmodus einen Wechselstrom und/oder eine
Wechselspannung bereitstellen/bereitstellt.
In einer Ausgestaltung kann mittels der Amplitude und/oder der Frequenz des Wechselstroms und/oder der Wechselspannung wenigstens eine Eigenschaft der dritten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung kann der Wechselstrom einen
Gleichstromanteil aufweisen, oder die WechselSpannung einen Gleichspannungsanteil aufweisen. In einer Ausgestaltung kann der Wechselstrom und/oder die WechselSpannung eine Frequenz von größer als ungefähr 30 Hz aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die erste optisch aktive Struktur im ersten Betriebsmodus mit einem ersten Spannungsverlauf anzusteuern ist und die zweite optisch aktive Struktur im zweiten Betriebsmodus mit einem zweiten Spannungsverlauf anzusteuern ist , der unterschiedlich ist zu dem ersten
Spannungsverlauf .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der erste Spannungsverlauf wenigstens einen nichtlinearen ersten Bereich aufweis .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der erste Bereich wenigstens eine der folgenden Formen oder eine Mischform einer der folgenden Formen auf eist : ein Puls, eine Sinus-Halbwelle, ein
Rechteck, ein Dreieck, ein Sägezahn.
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der zweite Spannungsverlauf als ein Gleichstrom-Betrieb ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass im Gleichstrom-Betrieb ein konstanter Gleichstrom bereitgestellt wird. In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der zweite Spannungsverlauf einen nichtlinearen zweiten Bereich aufweist . In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der zweite Bereich wenigstens eine der folgenden Formen oder eine Mischform einer der folgenden Formen aufweist : ein Puls , eine Sinus-Kalbwelle , ein
Rechteck, ein Dreieck, ein Sägezahn.
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass das optoelektronische Bauelement in einem Wechselstrombetrieb mit einer ersten Halbwelle und einer zweiten Halbwelle betrieben wird .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass mit dem Übergang von erster Halbwelle zu zweiter Halbwelle ein Ubergang von erstem Betriebsmodus zu zweitem Betriebsmodus erfolgt.
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die erste Halbweile und die zweite Halbwelle unterschiedliche Stromrichtungen aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die erste Halbwelle und die zweite Halbwelle asymmetrisch ausgebildet sind. In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die erste Halbwelle hinsichtlich der zweiten Halbwelle asymmetrisch ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die erste Halbwelle einen anderen maximalen Betrag der Amplitude aufweist als die zweite
Halbwelle .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der erste Betriebsmodus wenigstens eine erste Halbwelle und der zweite Betriebsmodus wenigstens eine zweite Halbwelle aufweist . In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die erste Halbwelle eine andere
Pulsweite aufweist als die zweite Halbwelle. In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die erste Halbwelle ein größeres
Tastverhältnis aufweist als die zweite Halbwelle.
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der Unterschied der Alterungsfunktion kleiner ist als ein Schwellenwert .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der Schwellenwert eine Funktion hinsichtlich der differentiellen Farbortalterung der ersten optisch aktiven Struktur und der zweiten optisch aktiven Struktur ist .
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass der Schwellenwert einen Betrag
aufweist derart, dass die mittels der differentiellen
Farbortalterung verbundene Farbortverschiebung kleiner ist als 0,02 in Cx und/oder Cy in einer CIE- Farbnormtafel . In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, wobei das optoelektronische Bauelement eine erste optisch aktive Struktur und eine zweite optisch aktive Struktur aufweist , wobei die erste optisch aktive Struktur zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer ersten
Alterungsfunktion altert; und wobei die zweite optisch aktive Struktur zu einem Emittieren einer zweiten
elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer zweiten Alterungsfunktion altert ; wobei das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet ist, dass in einem ersten Betriebsmodus wenigstens die erste
elektromagnetische Strahlung emittiert wird und in einem zweiten Betriebsmodus wenigstens die zweite
elektromagnetische Strahlung emittiert wird; das Verfahren aufweisend: ein Ansteuern des optoelektronischen Bauelementes in einem vorgegebenen Ansteuerungsintervall teilweise im ersten Betriebsmodus und teilweise im zweiten Betriebsmodus derart, dass der Unterschied von erster Alterungsfunktion zu zweiter Alterungsfunktion während des Betriebs des
optoelektronischen Bauelementes reduziert wird. In einer Ausgestaltung kann im vorgegebenen
Ansteuerungsintervall eine dritte elektromagne ische
Strahlung emittiert und/oder wahrgenommen werden und das optoelektronische Bauelemen derart angesteuert werden, dass der Unterschied von erster Alterungsfunktion zu zweiter
Alterungsfunktion während des Emittierens der dritten
elektromagnetischen Strahlung reduziert wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement derart angesteuert werden, dass die erste optisch aktive Struktur und die zweite optisch aktive Struktur gleichzeitig elektromagnetische Strahlung emittieren. Mit anderen Worten: das optoelektronische
Bauelement kann derart ausgebildet sein und angesteuert werden, dass es gleichzeitig im ersten Betriebsmodus und im zweiten Betriebsmodus betrieben werden kann .
In einer Ausges altung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die erste Alterungsfunktion und die zweite Alterungsfunktion einen ungef hr gleichen Alterungskoeffizienten aufweisen. Mit anderen Worten: die erste AIterungsfunktion und die zweite Alterungsfunktion können mit einem gestreckten exponentiellen Abfall beschrieben werden . Der Exponent der AIterungsfunktion kann bei der ersten Alterungsf nktion und der zweiten
Alterungsfunktion eine ungefähr gleiche Potenz aufweisen (siehe unten) . Die gleiche Potenz kann auch als
Alterungskoeffizient bezeichnet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste optisch aktive Struktur derart ausgebildet sein, dass die erste elektromagnetische Strahlung ein blaues Licht ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite optisch aktive Struktur derart ausgebildet sein, dass die zweite elektromagnetische Strahlung ein gelbes Licht oder ein grünrotes Licht ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement derart angesteuert werden, dass die Mischung aus erster elektromagnetischer Strahlung und zweiter elektromagnetischer Strahlung in einem
Ansteuerungsintervall ein weißes Licht ist, beispielsweise mit einer (korrelierten) Farbtemperatur in einem Bereich von 500 K bis 11000K. Mit anderen Worten; die dritte
elektromagnetische Strahlung kann ein weißes Licht sein, beispielsweise mit einer (korrelierten) Farbtemperatur in einem Bereich von 500 K bis 11000K.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement mit einer elektrischen
Energiequelle elektrisch verbunden sein, wobei die
elektrische Energiequelle die elektrische Energie für den ersten Betriebsmodus und für den zweiten Betriebsmodus bereitstellt .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Energiequelle einen Wechselstrom und/oder eine
Wechselspannung bereitstellen/bereitstellt.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels der
Amplitude und/oder der Frequenz eines Wechselstroms und/oder einer WechselSpannung wenigstens eine Eigenschaft der dritten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden. In einer Ausgestal ung des Verfahrens kann der Wechselstrom einen Gleichstromanteil aufweisen, oder die Wechselspannung einen Gleichspannungsanteil aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Wechselstrom und/oder die WechselSpannung eine Frequenz von größer als ungefähr 30 Hz aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
Betriebsmodus ein Ansteuern der ersten optisch aktiven
Struktur mit einem ersten Spannungsverlauf und der zweite Betriebsmodus ein Ansteuern der zweiten optisch aktiven Struktur mit einem zweiten Spannungsverlauf aufweisen, der unterschiedlich ist zu dem ersten Spannungsverlauf .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
Spannungsverlauf wenigstens einen nichtlinearen ersten
Bereich aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Bereich wenigstens eine der folgenden Formen oder eine Mischform einer der folgenden Formen aufweisen: ein Puls, eine Sinus- Halbwelle , ein Rechteck, ein Dreieck, ein Sägezahn. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
Spannungsverlauf als ein Gleichstrom-Betrieb ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann im Gleichstrom- Betrieb ein konstanter Gleichstrom bereitgestellt werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
Betriebsmodus ein Ansteuern der zweiten optisch aktiven ' Struktur mit einem nichtlinearen Spannungsverlauf aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite
Spannungsverlauf einen nichtlinearen zweiten Bereich
aufv/eisen . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich wenigstens eine der folgenden Formen oder eine Mischform einer der folgenden Formen aufweisen: ein Puls, eine Sinus - Halbwelle , ein Rechteck, ein Dreieck, ein Sägezahn.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement in einem Wechselstrombetrieb mit einer ersten Halbwelle und einer zweiten Halbwelle betrieben werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der nichtlineare zweite Bereich in einem vorgegebenen Ansteuerungsinterva11 ein Tastverhältnis in einem Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 4 aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass mit dem Übergang von erster Halbwelle zu zweiter Halbwelle ein Übergang von erstem Betriebsmodus zu zweitem
Betriebsmodus erfolgt .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste
Halbwelle und die zweite Halbwelle unterschiedliche
Stromrichtungen aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die erste
Halbwelle und die zweite Halbwelle asymmetrisch ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbwelle hinsichtlich der zweiten Halbwelle asymmetrisch ausgebildet sein. Beispielsweise nicht punktsymmetrisch oder spiegelsymmetrisch hinsichtlich des Stromverlaufes oder des Spannungsverlaufes bezüglich des Überganges von erster
Halbwelle zu zweiter Halbwelle . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbwelle einen anderen maximalen Betrag der Amplitude aufweisen als die zweite Halbwelle. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste
Betriebsmodus wenigstens eine erste Halbwelle und der zweite Betriebsmodus wenigstens eine zweite Halbwelle aufweisen, Mit anderen Worten ein Betriebsmodus kann eine oder mehrere Halbwellen aufweisen, wobei eine Halbwelle eine periodische oder willkürliche Folge von Spannungsverläufen mit gleicher Stromrichtung aufweisen kann. Beispielsweis kann der erste Betriebsmodus eine erste erste Halbwelle und eine zweite erste Halbwelle aufweisen. Die erste erste Halbwelle und die zweite erste Halbwelle können beispielsweise Sinus -Halbwellen sein. Die Sinus-Halbwellen der ersten ersten Halbwelle und die zweiten ersten Halbwelle können jedoch unterschiedliche Amplituden und Pulsweiten aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbweile eine andere Pulsweite aufweisen als die zweite Halbwelle .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Halbwelle ein größeres Tastverhältnis aufweisen als die zweite Halbwelle .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Unterschied der Alterungsfunktion kleiner sein als ein Schwellenwert. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Schwellenwert eine Funktion hinsichtlich der differentiellen
Farbortalterung der ersten optisch aktiven Struktur und der zweiten optisch aktiven Struktur sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Schwellenwert einen Betrag aufweisen derart, dass die mittels der
differentiellen Farbortalterung verbundene Farbortverschiebung kleiner ist als 0 , 02 in Cx und/oder Cy in einer CIE-Farbnormtafel .
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen schematische Darstellungen zu einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung; schematische Darstellung eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figuren 3A, B schematische Darstellungen eines
Ausf hrungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ; Figuren 4A, B schematische Darstellungen eines
AusführungsbeiSpiels eines optoelektronischen Bauelementes ;
Figuren 5A, B schematische Darstellungen des
Wechselstrombetriebes eines optoelektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen; und
Figuren 6A-C schematische Darstellungen zu einem
optoelektronischen Bauelement im Betrieb gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Ric ungsterminologie wie etwa „oben , „unten", „vorne", „hinten" , „vorderes", „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Äusführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen, positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es
versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Äusführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Äusführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV- Strahlung (A-C) , sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (Ä-C) aufweist. Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der
Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische
Leuchtdiode. Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden, Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom- Emitter eingerichtet ist. Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise transparent oder transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,
beispielsweise zur Wärmeverteilung. Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten Spannung an einen optisch aktiven Bereich verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten; ein Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung und Ausbilden eines Fotostromes aus der absorbierten
elektromagnetischen Strahlung verstanden werden.
Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur {optisch aktive Struktur) kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische Strahlung
emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht {im sichtbaren Bereich) , UV-Strahlung und/oder Inf arot-Strahlung sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode ( light emitting diode , LED) , als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden
Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
optoelektronische Struktur als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) (elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur) , ein organischer
Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen
sogenannten „all-OFET" handeln, bei dem alle Schichten
organisch sind. Eine optoelektronische Struktur kann ein organisch funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organisch funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches
Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist. Die optisch aktive Zeit ist die Zeit in der eine optisch aktive Struktur elektromagnetische Strahlung emittiert. Die optisch inaktive Zeit ist die Zeit in der eine optisch aktive Struktur keine elektromagnetische Strahlung emittiert.
Das Tastverhältnis ( MUX ) gibt das Verhältnis der optisch inaktiven Zeit zu der optisch aktiven Zeit in einem
Ansteuerungsinterv ll an. Beispielsweise ist eine optisch aktive Struktur bei einem Tastverhältnis von 2 (MUX = 2) je Ansteuerungsintervall zu 50 % der Zeit des
AnsteuerungsIntervalls optisch inaktiv (unbestromt ) und emittiert in 50 % der Zeit des AnsteuerungsIntervalls eine elektromagnetische Strahlung.
Die optisch aktive Zeit kann beispielsweise mittels einer raathematischen Faltung der Impulsweiten und
Impulsfolgefrequenz in einem. AnsteuerungsIntervall ermittelt werden.
Als maximale Impulsamplitude kann die Stelle eines Pulses elektromagnetischer Strahlung verstanden werden, an der der Puls die höchste Leuchtdichte aufweist.
FIG.2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Aus führungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 200 kann als eine organische Leuchtdiode 200, ein organischer Fotodetektor 200 oder eine organische Solarzelle ausgebildet sein.
Eine organische Leuchtdiode 200 kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem. Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den
Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger.
Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch 'transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein. Das optoelektronische Bauelement 200 kann ein hermetisch dichtes Substrat, einen aktiven Bereich und eine
Verkapselungsstruktur aufweisen.
Das hermetisch dichte Substrat kann einen Träger 202 und eine erste Barriereschicht 204 aufweisen.
Der aktive Bereich ist ein elektrisch aktiver Bereich
und/oder ein optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 200, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des
optoelektronischen Bauelements 200 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird. Der elektrisch aktive Bereich 206 kann eine erste Elektrode 210, eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 und eine zweiten Elektrode 214 aufweisen.
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 206 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organisch
funktionelle Schichtenstruktur 212 kann beispielsweise eine erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen. Die Verkapselungsstruktur kann eine zweite Barriereschicht
208, eine schlüssige Verbindungsschicht 222 und eine
Abdeckung 224 aufweisen. Der Träger 202 kann Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein .
Der Träger 202 kann ein Metall aufv/eisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine MetallVerbindung, beispielsweise Stahl .
Der Träger 202 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. Der Träger 202 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Der Träger 202 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie .
Der Träger 202 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen Strahlung des
optoelektronischen Bauelementes 200. Die erste Barriereschicht 204 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, irkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p~
phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben. Die erste Barriereschicht 204 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein
Atomlagenabscheidever ahren (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens {Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren (Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) } ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma- less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren .
Bei einer ersten Barriereschicht 204 , die mehrere
Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist , kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden .
Bei einer erste Barriereschicht 204 , die mehrere
Teilschichten aufweist , können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 204 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die erste Barriereschicht 204 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nra (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung,
Die erste Barriereschicht 204 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsinde , beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 204 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall , dass der Träger 202 hermetisch dicht
ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist .
Die erste Elektrode 210 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 210 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Materialien aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid
(transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus
metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten ; ein elektrisch leitfähiges
Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposite . Die erste Elektrode 210 aus einem. Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 210 kann als transparentes leitfähiges Oxid, eines der folgenden Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnÜ2, oder 1^03 gehören auch ternare MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Z 2S C>4 , CdSnO-3 , ZnSnOß , Mgln204 ,
Galn03 , Zn2In205 oder In4Sn30i2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger O ide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stochiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.
Die erste Elektrode 210 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien auf eisen. Die erste Elektrode 210 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht ( ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 210 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden (siehe FIG.3, 4) ,
beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 202 angelegt sein und die erste Elektrode 210 durch den Träger 202 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann
beispielsweise das Massepotential oder ein anderes
vorgegebenes Bezugspotential sein. In FIG.2 ist ein optoelektronisches Bauelement 200 mit einer ersten organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 und einer zweiten organisch funktionellen Schichtenstruktur- Einheit 220 dargestellt. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 212 aber auch mehr als zwei organisch funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70. Die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die optional weiteren organisch funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220, oder die weiteren organisch funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organisch funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 216 ausgebildet sein.
Die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine Lochinjektionsschicht, eine
Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
Elektronentransportschiebt und eine
Elektroneninjektionsschicht aufweisen (siehe auch
Beschreibung der FIG.3, 4}.
In einer organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 212 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander angeordnet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.
Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 210 ausgebildet sein. Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu ( I) FBz , MoOx, W0X, VOx, ReOx, F4 -TCNQ , NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν'- Bis {naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, 1 -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(N, ' -Bis (3 -methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-1-yl ) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ,· DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; D FL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N* -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (N, N 1 -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9 , 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TiD (2 , 2 ' , 7 , 71 -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 -spirobifluoren) 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- ( , -bis-naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] -9H-fluoren,- 9, 9-Bis [4- (N, N 1 -bis -naphthalen-2 - yl-N, N 1 -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, ' -bis (phenanthren- 9-yl) -·N, N 1 -bis (phenyl) -benzidin;
2, 7-Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2 -yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren 2,2' -Bis [N, N-bis (bipheny1- 4 -y1) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di- tolyl ) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke auf eisen in einem Bereich von ungefähr 10 nra bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 50 nm bis ungefähr 200 nm. Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine
Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die
LochtransportSchicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N, N ' - Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, ' -Bis (naphthalen-2-yl) - , ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (N, N 1 -Bis (3-methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -Spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl ) -N, 1 - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, 1 -bis (phenyl) -9, 9 -dipheny1 - fluoren) ; DPFL- NPB (N, 1 -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-dipheny1- fluoren) ,- Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 1 -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (Ν,Ν-bis-naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- ( , N ' -bis -naphthalen-2- yl-Ν,Ν· -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor ;
Ν,Ν' -bis (phenanthren-9-yl) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N, -bis ( 9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [ , N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan; 2,2' ,7,7'- tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und. N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen , Die LochtransportSchicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Auf oder über der LochtransportSchicht kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein . Jede der organisch
funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern.
Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische
Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht - polymere Moleküle („small molecules" ) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 200 kann in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis {3, 5-difluoro-2- (2 -pyridyl ) henyl - (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4 , ' -di-tert- butyl- {2,2' ) -bipyridin] ruthenium ( III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , -Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter .
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid oder einem Silikon. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Emitterschicht 218 eine Schichtdicke aufweisen in einem
Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenf rbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren, Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt,
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind.
Weiterhin kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.
Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET - 18 ; 2, 2 ',2" -(1,3, 5 -Benzinetriyl ) - tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- ( -Biphenylyl) -5- (4 - ter -butylphenyl ) - 1,3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthrol ine (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l, 2 , 4 -triazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -yl ) -1,3 , 4 -oxadiazo-5 -yl] benzene ; 4,7- Dipheny1 -1,10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl ) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2 , - triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , -oxadiazo-2 -yl] -2,2' -bipyridyl ,· 2- phenyl- 9 , 10 -di (naphthalen-2-yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine - 6 -yl ) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl] - 9, 9 -dimethylfluorene ,· 1 , 3 -Bis [2- ( 4 - 1ert -butylphenyl ) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- {naph.thal.en- 2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl) henyl) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen- 2 -yl) phenyl) -lH-imidazo [4, 5- f] [1,10] henanthrolin; Phenyl - dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Siiolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet sein . Die
Elektroneninj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, CS2CO3 , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF; 2 , 2■ , 2 " - (1,3, 5 -Benzinetriyl ) -tris (1 -phenyl -1-H- benzimidazole) ; 2 - ( -Biphenylyl ) -5- (4 -tert -butylphenyl) - 1,3, 4-oxadiazole, 2, -Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthrol ine (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4 -
(Naphthalen- 1 -yl ) -3 , 5 -diphenyl -4H-1 , 2 , 4-triazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -yl ) -1,3, -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl-5 -tert-butylphenyl-1, 2, 4-triazole; Bis ( 2 -tnethyl - 8 - quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3, 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine-6-yl) - 1 , 3 , 4 -oxadiazo-5 -yl] -9, 9 -dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- ( 4 -tert-butylphenyl ) -1,3 , -oxadiazo-5 -yl] enzene ; 2- (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7 -dipheny1 -1,10- henanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl) henyl) borane ; 1-methyl- 2- (4- {naphthalen-2 -yl) henyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1,10] henanthroline; Phenyl - dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ,- und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinhei .
Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nra bis ungefähr 200 nra, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Bei einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 mit zwei oder mehr organisch funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216 , 220 , kann die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 ausgebildet sein . Elektrisch zwischen den organisch funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 kann eine
Zwischenschichtstruktur 218 ausgebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Zwischenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210. Eine
Zwischenelektrode 218 kann mit einer externen Spannungsque11e elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 218 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 218 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss auf eisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 ( Charge generation layer CGL) ausgebildet sein . Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht {en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht { en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein . Die Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar-
Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung - Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine
Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 , 220 kann beispielsweise eine Schichtdicke auf eisen von maximal ungefähr 3 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Das optoelektronische Bauelement 200 kann optional weitere organische funktionale Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder externe Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 200 weiter verbessern.
Auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren v/eiteren der organisch funktionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 214 ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 214 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können . Die zweite Elektrode 214 kann als Anode , also als löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine
elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 214 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential . Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die
Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungef hr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf der zweiten Elektrode 214 kann die zweite Barriereschicht 208 ausgebildet sein. Die zweite Barriereschicht 208 kann auch als
Dünnschichtverkapselung ( thin film encapsulation TFE)
bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 208 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 204 ausgebildet sein .
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 208 verzichtet werden kan . In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 200 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 208 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 224 , beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 200 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 202 (nicht dargestellt) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt ) im Schichtenguerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 200. Die Ein- /AuskoppelSchicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der
mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die
elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise
kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 208 ) in dem optoelektronischen Bauelement 200 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 208 eine schlüssige
Verbindungsschicht 222 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack . Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 auf der zweiten Barriereschicht 208 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.
Eine schlüssige Verbindungsschicht 222 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 als Streuschicht wirken und zu einer Reduktion oder Erhöhung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid {Si02 ) , Zinkoxid
(ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder
Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben , der von dem effektiven Brechungs index der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 222 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann eine Schichtdicke von größer als 1 juirt aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μχη. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung 224. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie
beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist . Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 212 entspricht,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 214 und der schlüssigen Verbindungsschicht 222 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μτα, beispielsweise mi einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μττι, um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Aus ührungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 222 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barriereschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 206 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter- Struktur,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter- Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .
Die Getter- Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 206 sind, absorbiert und bindet . Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht kann
transluzent , transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter- Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μτα aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren /im, In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen VerbindungsSchicht 222 eingebettet sein.
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 ausgebildet sein. Die Abdeckung 224 kann mittels der schlüssigen VerbindungsSchicht 222 mit dem elektrisch aktiven Bereich 206 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 224 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 224, eine
Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 224 sein. Die Glasabdeckung 224 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 200 mit der zweiten Barriereschicht 208 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 206 schlüssig verbunden werden.
Die Abdeckung 224 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 222 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
FIG.3A, B zeigen schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes.
Das optoelektronische Bauelement 200 kann derart ausgebildet sein, dass die erste organisch funktionelle
Schichtenstruktur- Einheit 216 und die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 mittels der
Zwischenschichtstruktur 218 eine gemeinsame Elektrode aufweisen. Die Zwischenschichtstruktur 218 kann dazu mit einem dritten Potential-Anschluss 310 elektrisch verbunden sein (in FIG.3A angedeutet mittels der elektrischen
Verbindungen zu den Spannungsque11en 302, 304) .
In einem Ausführungsbeispiel weist das optoelektronische Bauelement 200 eine Zwischenschichtstruktur 218 zwischen einer ersten organisch funktionellen Schichtenstruktur- Einheit 216 und einer zweiten organisch funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 220 auf . Die erste Elektrode 210 ist mit einem ersten elektrischen Potential -Anschluss 308 verbunden und die zweite Elektrode 214 mit einem zweiten elektrischen Potential -Anschluss 306 ( in FIG . 3A angedeutet mittels der elektrischen Verbindungen zu den Spannungsquellen 302, 304) . Die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit
216 und die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 220 können derart ausgebildet und bestromt werden, dass die Ladungsträger in den organisch funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 hinsichtlich der
Zwischenschichtstruktur 218 unterschiedliche Stromrichtungen aufweisen. Die Zwischenschichtstruktur 218 kann dazu
beispielsweise mit einem Masse -Potential elektrisch verbunden sein. Bei übereinandergestapelten organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 können die
Stromrichtungen in den organisch funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 somit gleich gerichtet sein hinsichtlich der Zwischenschichtstruktur 218. Dadurch können die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216 und die zweite organisch funktionelle
Schichtenstruktur-Einheit 220 elektrisch unabhängig
voneinander bestromt werden (in FIG.3B dargestellt als schematisches Schaltbild) .
Die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann derart ausgebildet sein, dass sie eine erste e1ektromagnetische Strahlung 330 emittiert und die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 kann derart ausgebildet sein, dass sie eine zweite
elektromagnetische Strahlung 340 emittiert.
Das optoelektronische Bauelement 200 kann derart ausgebildet sein, dass die erste elektromagne isehe Strahlung 330 und die zweite elektromagnetische Strahlung 340 wenigstens in eine gemeinsame Richtung emittiert werden, beispielsweise isotrop .
Bei einem optoelektronischen Bauelement 200 , das als ein Bottom-Emitter ausgebildet ist, können die
Zwischenschichtstruktur 218 , die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur 216 und der Träger 202 wenigstens
hinsichtlich der zweiten elektromagnetischen Strahlung 340 transparent oder transluzent ausgebildet sein (in FIG.3A dargestellt mittels der Pfeile 330 , 340) .
Bei einem optoelektronischen Bauelement 200, das als ein Top- Emitter ausgebildet ist, können die Zwischenschichtstruktur 218 , die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur 220 und die Verkapselungsstruktur {siehe FIG.2 ) wenigstens hinsichtlich der ersten elektromagnetischen Strahlung 330 transparent oder transluzent ausgebildet sein.
Bei einem optoelektronischen Bauelement 200, das transparent oder transluzent ausgebildet ist, können alle Schichten des optoelektronischen Bauelementes 200 (siehe Beschreibung der FIG.2 ) wenigstens hinsichtlich der ersten elektromagnetischen Strahlung 330 und/oder der zweiten elektromagnetisehen
Strahlung 340 transparent oder transluzent ausgebildet sein.
In der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes 200 kann die Mischung von erster elektromagnetische Strahlung 330 und zweiter elektromagnetischer Strahlung 340 eine dritte
elektromagnetische Strahlung bilden. Die Eigenschaften der dritten elektromagnetischen Strahlung kann anteilig zwischen den Eigenschaften der ersten elektromagnetischen Strahlung 330 und den Eigenschaften der zweiten elektromagnetischen Strahlung 340 variiert werden. Das Einstellen der Eigenschaften der dritten elektromagnetischen Strahlung kann ausgebildet sein mittels eines Einstellens des ersten
elektrischen Potentials ül über dem ersten Potential- Anschluss 306 mit dem dritten Potential-Anschluss 310
hinsichtlich eines Einstellens des zweiten elektrischen
Potentials U2 über dem zweiten Potential-Anschluss 308 mit dem dritten Potential -Anschluss 310. Eine Eigenschaft der dritten elektromagnetischen Strahlung ist beispielsweise der Farbort, der dadurch eingestellt werden kann . Dies setzt voraus , dass die erste elektromagnetische Strahlung 330 und die zweite elektromagnetische Strahlung 340 einen
unterschiedlichen Farbort aufweisen.
Das erste elektrische Potential Ul kann im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 200 als erste Halbwelle bezeichnet werden. Das erste elektrische Potential Ul kann einen zeitlich veränderlichen Verlauf aufweisen,
beispielweise einen nichtlinearen Verlauf oder eine
Unstetigkeit . Entsprechend kann das zweite elektrische
Potential U2 auch als zweite Halbwelle bezeichnet werden.
Die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 220 können gemäß einer oben beschriebenen
Ausgestaltung einer organisch funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit ausgebildet sein .
Die Struktur zwischen einschließlich der ersten Elektrode 210 und der Zwischenschichtstruktur 218 kann als erste optisch aktive S ruktur 324 und die Struktur zwischen einschließlich der Zwischenschichtstruktur 218 und der zweiten Elektrode 2.14 als zweite optisch aktive Struktur 326 bezeichnet werde .
In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische
Bauelement 200 einen Glasträger 202 mit einer ITO-Schicht 210 als erste Elektrode 210 aufweisen. Die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine erste Lochinj ektionsschicht 312 , eine erste Emitterschicht 314 und eine erste Elektroneninjektionsschicht 316 aufweisen. Die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 kann eine zweite Elektroneninjektionsschicht 318» eine zweite Emitterschicht 320 und eine zweite Lochinj ektionsschicht 322 aufweisen. Die Lochinjektionsschichten 312 , 322 bzw. die
Elektroneninj ektionsschichten 316 , 318 können gemäß einer der in FIG.2 beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein, beispielsweise j eweils einen intrinsisch leitfähigen Stoff oder einen Dotierstoff in einer Matrix aufweisen. Die
Zwischenschichtstruktur 218 ist als eine Zwischenelektrode 218 ausgebildet, beispielswiese MgAg aufweisend. Die zweite Elektrode kann wie die Zwischenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise MgAg aufweisen. Die erste EmitterSchicht 314 und die zweite Emitterschicht 320 weisen jeweils einen Farbstoff zum Erzeugen von sichtbarem Licht auf.
Beispielsweise kann die erste Emitterschicht 314 einen fluoreszierenden Farbstoff und die zweite Emitterschicht 320 einen phosphoreszierenden Farbstoff aufweisen; oder die zweite Emitterschicht 320 einen fluoreszierenden Farbstoff und die erste Emitterschicht 314 einen phosphoreszierenden Farbstoff aufweisen. Beispielswiese kann die zweite
Emitterschicht 320 einen ro -grün phosphoreszierenden
Farbstoff aufweisen und die erste Emitterschicht 314 einen blau fluoreszierenden Farbstoff aufweisen. In der zweiten Emitterschicht 320 kann der rot-grün phosphoreszierende
Farbstoff gemischt sein oder die roten und grünen
emittierenden Farbstoffe in separaten einfarbigen
Teilschichten verteilt sein. Auf oder über der zweiten Elektrode 214 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann optional noch eine Verkapselungsstruktur sein, beis ielsweise gemäß einer der oben genannten Ausgestaltungen . FIG.4A, B zeigen schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes . Abweichend zu den oben beschriebenen Ausgestaltungen können die erste Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214
miteinander elektrisch verbunden sein - dargestellt in FIG.4A mittels des Knotenpunktes 404.
Die Elektroden 306, 308, 310 sind mit einer Spannungsquelle 402 verbunden, die als eine Wechselspannungsquelle
ausgebildet ist. Ein AnsteuerungsIntervall kann wenigstens eine erste Halbwelle und wenigstens eine zweite Halbwelle aufweisen, wobei die erste Halbwelle und die zweite Halbwelle unterschiedlich sind, beispielsweise eine unterschiedliche Stromrichtung aufweisen,
Mittels der Halbwellen unterschiedlicher Stromrichtung der von der Wechselspannungsquelle bereitgestellten
WechselSpannung können die erste organisch funktionelle
Schichtenstruktur-Einheit 216 und die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 unabhängig
voneinander bestromt werden. Dies wird dadurch erreicht, dass die erste optisch aktive Struktur 324 und die zweite optisch aktive Struktur 326 mittels der Ausgestaltung des
optoelektronischen Bauelementes 200 elektrisch antiparallel zueinander ausgebildet sind - in FIG.4B schematisch als Schaltplan dargestellt. Dadurch kann in einem ersten
Betriebsmodus bei einer ersten Halbwelle die erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 eine erste
elektromagnetische Strahlung 330 emittieren und in einem zweiten Betriebsmodus bei einer zweiten Halbwelie die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 eine zweite elektromagnetische Strahlung 340 emittieren. Die optisch aktiven Strukturen 324, 326 können so abwechselnd elektromagnetische Strahlung 330, 340 emittieren bzw. den Strom sperren. Bei Frequenzen über ungefähr 30 Hz kann für das menschliche Auge kein Flackern mehr erkennbar sein. Die wahrgenommene dritte elektromagnetische Strahlung wird aus zeitlicher Mittelung der Anteile der ersten
elektromagnetischen Strahlung 330 und der zweiten
elektromagnetischen Strahlung 340 in einem Ansteuerungsintervall gebildet. Der Farbort der dritten elektromagnetischen Strahlung kann über die Wechselstrom- Betriebsparameter der Spannungsquelle 402 eingestellt werden. Dadurch können die verschiedenfarbiges Licht 330, 340
emittierenden optisch aktiven Strukturen 324, 326
unterschiedlich angesteuert werden, beispielsweise
unterschiedlich stark getrieben werden. Dadurch kann der jeweilige Beitrag der optisch aktiven Strukturen 324, 326 zu der dritten elektromagnetischen Strahlung verändert werden. Weiterhin kann über die Dauer und die Höhe der Strompuise der Stress und somit das Alterungsverhalten eingestellt werden.
Beispielweise kann bei einer Kombination von einer blaues Licht 330 emittierenden ersten optisch aktiven Struktur 324 und einer rot-grünes Licht 340 emittierenden zweiten optisch aktiven Struktur 326 ein weißes Licht als dritte
elektromagnetische Strahlung wahrgenommen werden.
FIG.5A, B zeigen schematische Darstellungen eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen .
Das optoelektronische Bauelement 200 kann derart ausgebildet sein, dass die optisch aktiven Strukturen 324, 326 unabhängig voneinander mit zwei Stromquelle (siehe Beschreibung FIG.3) oder abhängig voneinander mit einer Wechselstromquelle (siehe Beschreibung FIG.4) beströmt werden können.
Bei einer abhängigen Bestromung können nicht mehrere optisch aktive Strukturen gleichzeitig beströmt werden. Eine
abhängige Bestromung liegt vor, wenn die elektrische
Energiequelle, beispielsweise das elektrische Vorschaltgerät des optoelektronischen Bauelementes, nur einen Gleichstrom oder nur einen Wechselstrom an zwei oder mehr optisch aktive Strukturen gleichzeitig bereitstellen kann.
Bei einer unabhängigen Bestromung können mehrere optisch aktive Strukturen gleichzeitig unterschiedlich bestromt werden. Eine unabhängige Bestromung liegt vor, wenn das
Vorschaltgerät des optoelektronischen Bauelementes wenigstens an zwei optisch aktive Strukturen gleichzeitig
unterschiedliche Gleichströme oder Wechselströme
bereitstellen kann.
Beispielsweise kann bei einer unabhängigen Bestromung die erste optisch aktive Struktur 324 mit einem Wechselstrom oder Gleichstrom-Pulsen bestromt werden, d.h. im ersten
Betriebsmodus, und die zweite optisch aktive Struktur 326 mit einem Gleichstrom und/oder Wechselstrom, d.h, im zweiten Betriebsmodus ,
Beispielsweise kann bei einer abhängigen Bestromung die erste optisch aktive Struktur 324 mit der ersten Halbwelle, d.h, im ersten Betriebsmodus, bestromt werden und die zweite optisch aktive Struktur 326 mit der zweiten Halbwelle, d.h, im zweiten Betriebsmodus. Mittels der Eigenschaften der Betriebsmodi zueinander können die Eigenschaften der dritten elektromagnetischen Strahlung eingestellt werden.
Bei einer abhängigen Bestromung können der erste
Betriebsmodus und der zweite Betriebsmodus mittels einer
Pulsweitenmodulation, einer Pulsfrequenzmodulation und/oder einer Pulsamplitudenmodulation der WechselSpannung
ausgebildet werden. Die erste Halbweile und/oder die zweite Halbwelle können eine der folgenden Formen oder eine Mischform einer der folgenden Formen aufweisen: ein Puls, ein Sinus-Halbwelle, ein
Rechteck, ein Dreieck, ein Sägezahn. Die Form der ersten Halbwelle und der zweiten Halbwelle können symmetrisch oder asymmetrisch zueinander ausgebildet sein. Die erste Halbwelle kann einen anderen maximalen Betrag der Amplitude aufweisen als die zweite Halbwelle . Beispielsweise kann der maximale Betrag der ersten Halbwelle größer sein als der maximale Betrag der zweiten Halbwelle - dargestellt in FIG.5A mittels der unterschiedlich Strombeträge 506 , 508 der Halbwellen mittels der Pfeile mit den Bezugszeichen 512 , 514. Beispielsweise kann die erste Halbwelle eine andere Pulsweite aufweisen als die zweite Halbwelle . Zum Bestromen der optisch aktiven Strukturen 324 , 326 kann ein Wechselstrom einen Gleichstromanteil aufweisen; oder eine WechselSpannung einen Gleichspannungsanteil aufweisen .
Die erste Halbwelle kann eine andere Pulsweite auf eisen als die zweite Halbwelle - dargestellt in FIG.5B mittels der unterschiedlich langen Pfeile mit den Bezugszeichen 512 , 514. Beispielsweise kann die erste Halbwelle eine geringere
Pulsweite aufweisen als die zweite Halbwelle . In einem vorgegebenen Ans euerungsintervall 510 kann der zeitliche Verlauf der Stromstärke 502 der ersten Halbwelle 518 und der zweiten Halbwelle 516 abhängig voneinander zum Ausbilden der dritten elektromagnetischen Strahlung
ausgebildet werden, beispielsweise um einen vorgegeben
Farbort für die dritte elektromagnetische Strahlung
einstellen zu können . Dadurch kann nach einer zeitlichen Mittelung der während der ersten Halbwelle 518 und der zweiten Halbwelle 516 emittierten e1ek romagne ischen
Strahlung über ein vorgegebenes Ansteuerungsintervall 510 gezielt eine dritte elektromagnetische Strahlung ausgebildet werden . Der zeitliche Verlauf der Stromstärke 502 kann auch als Stromstärke 502 als Funktion der Zeit 504 bezeichnet werden. Die dritte elektromagnetische Strahlung wird als die im zeitlichen Mittel während eines vorgegebenen
Ans euerungsIntervalls 510 , emittierte elektromagnetische Strahlung wahrgenommen . Mittels der Tas verhältnisse und der maximalen
Impulsamplituden der ersten elektromagnetischen Strahlung und der zweiten elektromagnetischen Strahlung können die
Eigenschaften der dritten elektromagnetischen Strahlung eingestellt werden .
In FIG . 5A ist ein Tastverhältnis von ungefähr 1 für die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite
elektromagnetische Strahlung zu erkennen.
In FIG.5B ist ein Tastverhältnis von ungefähr 0 , 33 für die erste elektromagnetische Strahlung und ein Tastverhältnis von ungefähr 3 für die zweite elektromagnetische S rahlung zu erkennen .
FIG . 6A- C zeigen schematische Darstellungen zu einem
optoelektronischen Bauelement im Betrieb gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Das optoelektronische Bauelement kann derart ausgebildet werden, dass die relative Abnahme der Leuchtdichte 602 der ersten optisch aktiven Struktur 324 und der zweiten optisch aktiven Struktur 326 mit einer mathematischen Funktion beschrieben werden kann, beispielsweise einem gestreckten exponentieilen Abfall .
Ein gestreckter exponentieller Abfall kann mathematisch wie folgt beschrieben werden:
(I) L/L0 a exp-it/ τι)β
Hierbei ist L die Leuchtdichte zur Betriebszeit t ; LQ die Anfangsleuchtdichte ; τ± eine spezifische Konstante, die abhängig ist vom Emittermaterial einer optisch aktiven
Struktur; und ß ein Alterungskoeffizient . Das optoelektronische Bauelement 200 kann derart ausgebildet werden, dass jede optisch aktive Struktur den ungefähr
gleichen Alterungskoeffizienten ß aufweist . Dadurch
unterscheiden sich die optisch aktiven Strukturen in ihrer spezifischer. Konstante x± (vgl . FIG. IC) .
Der funktionale Zusammenhang der Leuchtdichte mit der
Betriebsdauer LT70 kann mit einer nichtlinearen Funktion beschrieben werden:
(II) Ln*LT7Q = konstant.
Mittels der super1inearen Abhängigkeit der Leuchtdichte mit n reduziert sich die Betriebsdauer bei einem Erhöhen der
Leuchtdichte nichtlinear. Hier ist n eine reelle Zahl größer als 1.
Bei einem optoelektronischen Bauelement 200 mit wenigstens zwei optisch aktiven Strukturen 324 , 326 weist zum Ausbilden einer bestimmten dritten elektromagnetischen Strahlung beispielsweise die erste optisch aktive Struktur 324 eine höhere Betriebsdauer auf als die zweite optisch aktive
Struktur. Das optoelektronische Bauelement 200 kann derart zum Ausbilden der dritten elektromagnetischen Strahlung (siehe Beschreibung der FIG.5 ) angesteuert werden, dass die optisch aktiven Strukturen 324 ungef hr gleiche Alterungen aufweisen. In FIG.6A ist dies dargestellt als
übereinanderliegende Alterungsverläufe 606 der ersten optisch aktiven Struktur, der zweiten optisch aktiven Struktur und des optoelektronischen Bauelementes .
Ein Erhöhen der Leuchtdichte der ersten optisch aktiven Struktur führt mit (II) zu einer superlinearen Reduktion der Betriebsdauer der ersten optisch aktiven Struktur . Dadurch kann die AIterungsfunktion der ersten optisch aktiven
Struktur der Alterungsfunktion der zweiten optisch aktiven Struktur angeglichen werden. Außerdem kommt es mittels des Erhöhens der Leuchtdichte der ersten optisch aktiven Struktur bei zeitlicher Mittelung über ein vorgegebenes
Ansteuerungsintervall (siehe Beschreibung der FIG.5) zu einem relativen Erhöhen des Anteils der ersten elektromagnetischen Strahlung an der dritten elektromagnetischen Strahlung .
Dadurch kommt es zu einer Verschiebung der Eigenschaf en der dritten elektromagnetischen Strahlung hin zu den
Eigenschaften der ersten elektromagnetischen Strahlung. Die Eigenschaften der dritten e1ektromagnetischen Strahlung sollen j edoch beibehalten werden bei ungefähr gleichen
AI erungsfunktionen der optisch aktiven Strukturen . Dies ist möglich, indem der Anteil der ersten elektromagnetischen Strahlung mit erhöhter Leuchtdichte an der dritten
elektromagnetischen Strahlung im zeitlichen Mittel eines vorgegebenen AnsteuerungsIntervalls (siehe Beschreibung der
FIG.5) reduziert wird. Eine Möglichkeit ist das Ausbilden des vorgegebenen Ansteuerungsintervalls der AnSteuerung des optoelektronischen Bauelementes mit Pulsen an erster
elektromagnetischer Strahlung . Mittels der Pulshöhe der ersten elektromagnetischen Strahlung kann mit (II) die
AIterungsfunktion der ersten optisch aktiven Struktur an die AIterungsfunktion der zweiten elektromagnetischen Strahlung angeglichen werden. Die Eigenschaften der dritten
elektromagnetischen Strahlung können beibehalten werden, indem die Pulsweite und/oder die Impulsfolgefrequenz (pulse repetition frequency) an Pulsen der ersten
elektromagnetischen Strahlung hinsichtlich der zeitlichen Mittelung eines vorgegebenen Ansteuerungsintervalls angepasst wird, beispielsweise reduziert wird.
Mit anderen Worten: Da die Lebensdauer superlinear von der Leuchtdichte abhängt , sinkt die Lebensdauer mit zunehmender Strompulshöhe . Somit erlauben ein abhängiger Betrieb und ein unabhängiger Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes eine getrennte Kontrolle von Leuchtdichte und Lebensdauer .
In FIG .6B und FI6.6C sind rechnerische Beispiele gezeigt für ein optoelektronisches Bauelement mit einer ersten optisch aktiven Struktur 626 , 628 und einer zweiten optisch aktiven Struktur 624. Das optoelektronische Bauelement kann gemäß einer der in FIG.2 bis FIG.5 beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein. Die erste optisch aktive Struktur 626, 628 und zweite optisch aktive Struktur 624 können derart
ausgebildet sein, dass der superlineare Exponent n 610 der Leuchtdichte L - siehe (II) - einen Wert von ungefähr 1, 5 aufweist , Die zweite optisch aktive Struktur 624 kann als
Emittermaterial einen phosphoreszierenden rot -grünes Licht emittierenden Stoff bzw. ein phosphoreszierenden rot -grünes Licht emittierendes Stoffgemisch auf eisen . Im
Gleichstrombetrieb weist die zweite optisch aktive Struktur
2
624 bei einer Leuchtdichte von 1000 cd/m eine Lebensdauer
2
LT70 (1000 cd/m ) (Bezugszeichen 608) von 20000 Stunden auf .
Die erste optisch aktive Struktur kann als Emittermaterial einen fluoreszierenden blaues Licht emittierenden Stoff bzw. ein fluoreszierendes blaues Licht emittierendes Stoffgemisch aufweisen - dargestellt in FIG.6B mit dem Bezugszeichen 626.
Im Gleichstrombetrieb weist die erste optisch aktive Struktur
626 mit f luoresz ierenden Emitter bei einer Leuchtdichte von
2 2
1000 cd/m eine Lebensdauer LT70 (1000 cd/m ) 608 von 4000 Stunden auf .
Die erste optisch aktive Struktur kann als Emittermaterial einen phosphoreszierenden blaues Licht emittierenden Stoff bzw. ein phosphoreszierendes blaues Licht emittierendes Stoffgemisch auf eisen - dargestellt in FIG.6B mit dem
Bezugszeichen 628. Im Gieichstrombetrieb weist die erste optisch aktive Struktur 628 mit phosphoreszierendem Emitter
2
bei einer Leuchtdichte von 1000 cd/m eine Lebensdauer
2
LT70 (1000 cd/m ) 608 von 1050 Stunden auf .
In den Beispielrechnungen soll mit diesem optoelektronischen Bauelement in einem Gleichstrombetrieb oder in einem Wechselstrombetrieb als dritte elektromagnetische Strahlung ein weißes Licht mit einer Leuchtdichte 3000 cd/m2
ausgebildet werden . Die Anteile des rot-grünen Lichtes und des blauen Lichtes zum Ausbilden des weißen Lichtes sind unterschiedlich - dargestellt in FIG.6B in der Spalte mit dem
Bezugszeichen 612. Zum Ausbilden des weißen Lichtes mit einer
2
Leuchtdichte von 3000 cd/m emittiert die zweite optisch aktive Struktur 624 ein Licht mit einer Leuchtdichte von
2
2700 cd/m und die erste optisch aktive Struktur 626, 628 ein
2
blaues Licht mit einer Leuchtdichte von 300 cd/m . Mit (II) verändern sich zum Ausbilden des weißen Lichtes die
Lebensdauern der optisch ak iven Strukturen 624 , 626 , 628 hinsichtlich eines Betriebs der optisch aktiven Strukturen
. 2
624 , 626 , 628 bei 1000 cd/m - dargestellt für den
Gleichstrombetrieb in FIG.6B in der Spalte mit dem
Bezugszeichen 614. Dadurch kann die zweite optisch aktive
2
Struktur 624 eine Lebensdauer LT70 (2700 cd/m ) von 4508
Stunden aufweisen, die erste optisch aktive Struktur 626 mit
2 fluoreszierendem Emitter eine Lebensdauer LT70 (300 cd/m ) von 24343 Stunden aufweisen,- und die erste optisch aktive
Struktur 628 mit phosphoreszierenden Emitter eine Lebensdauer
2
LT70 (300 cd/m } von 6390 Stunden aufweisen (siehe FIG. IC) . Eine erste optisch aktive Struktur mit einem fluoreszierenden Emitter, der blaues Licht emittiert , weist derzeit eine deutlich längere Lebenszeit auf als ein phosphoreszierender blaues Licht emittierender Emitter . Unabhängig davon
übersteigt die Lebenszeit der ersten optisch aktiven Struktur die Lebenszeit der zweiten optisch aktiven Struktur
signifikant . Die Lebensdauer des optoelektronischen
Bauelementes ist in diesem Betrieb auf die Lebensdauer der zweiten optisch aktiven Struktur begrenzt, d.h. auf 4508 Stunden. Dies ist dadurch bedingt, dass das blaue Licht einen Anteil von nur ungef hr 10 % an dem weißen Licht ausmach . Bei einem Langzeitbetrieb wird eine differentielle
Farbortalterung sichtbar und überschreitet die zulässige Abweichung. Bei einem optoelektronischen Bauelement, bei dem die optisch aktiven Strukturen unabhängig voneinander bestromt werden können (siehe Beschreibung der FIG.5), kann die zweite optisch aktive Struktur mit einem Gleichstrom betrieben werden und die erste optisch aktive Struktur gepulst
betrieben werden.
Die zweite optisch aktive Struktur emittiert wie oben
beschrieben die zweite elektromagnetische Strahlung mit einer
2
Leuchtdichte von 2700 cd/m und einer Lebensdauer von 4508 Stunden .
2
Zum Ausbilden des weißen Lichtes mit 3000 cd/m , kann die erste optisch aktive Struktur 626 , 628 derart gepulst
betrieben werden, dass die erste optisch aktive Struktur 626 , 628 eine Lebensdauer LT70 (Bezugs eichen 622) aufweist , die ungefähr der Lebensdauer 614 der zweiten optisch aktiven Struktur 624 entspricht . Die optisch aktiven Strukturen 624 , 626/628 können mittels eines gestreckten exponentiellen
Abfalls beschrieben werden. Dadurch kommt es bei ungefähr gleicher Lebensdauer LT70 zu keiner bzw. einer reduzierten unterschiedlichen differentiellen Farbortalterung .
Dazu können die Pulse elektromagnetischer Strahlung der ersten optisch aktiven Struktur 626 mit fluoreszierendem
Emitter eine maximale Pulshöhe 620 mit einem Wert von
, 2
8700 cd/m aufweisen und ein Tastverhältnis 618 von 29.
Bei einer ersten optisch aktiven Struktur 628 mit
phosphoreszierendem Emitter können die Pulse
elektromagnetischer Strahlung eine maximale Impulsamplitude
2
620 mit einem Wert von 600 cd/m aufweisen und ein
Tastverhältnis 618 von 2, Dadurch kann die Lebensdauer der ersten optisch aktiven
Struktur 626 , 628 reduziert werden von den oben genannten Werten auf 4520 Stunden bzw. 4518 Stunden. Bei einem optoelektronischen Bauelement, bei dem die optisch aktiven Strukturen abhängig voneinander bestromt werden
(siehe Beschreibung der FIG . 5 ) , können die erste optisch aktive Struktur 626, 628 und die zweite optisch aktive
2
Struktur 624 zum Ausbilden des weißen Lichtes mit 3000 cd/m gepulst bestromt werden .
Die Pulse der zweiten elektromagnetischen Strahlung können
2 eine maximale Pulshöhe 632 mit einem Wert von 5400 cd/m aufweisen und ein Tastverhältnis 630 von 2. Dadurch kann die zweite optisch aktive Struktur eine Lebensdauer
2
LT70 (5400 cd/m } 634 von 3188 Stunden aufweisen. Die Pulse der ersten elektromagnetischen Strahlung der ersten optisch aktiven Struktur 626 mit fluoreszierendem Emitter können eine maximale Impulsamplitude 632 mit einem Wert von
2
17400 cd/m aufweisen und ein Tast erhältnis 630 von 58.
Dadurch kann die erste optisch aktive Struktur 626 mit
2 fluoreszierendem Emitter eine Lebensdauer LT70 (17400 cd/m ) 634 von 3196 Stunden aufweisen.
Bei einer ersten optisch aktiven Struktur 628 mit
phosphoreszierendem Emitter können die Pulse
elektromagnetischer Strahlung eine maximale Pulshöhe 632 mit
2
einem Wert von 1200 cd/m aufweisen und ein Tastverhältnis 630 von 4. Dadurch kann die erste optisch aktive Struktur 628 mit phosphoreszierendem Emitter eine Lebensdauer
2
LT70 (1200 cd/m ) 634 von 3195 Stunden aufweisen.
Das optoelektronische Bauelement kann somit derart
angesteuert werden, dass mittels des beschriebenen
Reduzierens der Betriebsdauer der langlebigeren optisch aktiven Strukturen bei gleicher zeitlich gemittelter dritter elektromagnetischer Strahlung die differentielle
Farbortalterung (siehe FIG . IC , FIG . 1D ) reduziert wird. Die Lebensdauer optoelektronischer Bauelemente kann aufgrund einer Überschreitung einer zulässigen Farbortalterung kürzer sein, als dies durch die Lebensdauern der optisch aktiven Strukturen gegeben ist . Mittels des beschriebenen Verfahrens zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes kann die Lebensdauer des optoelektronischen Bauelementes mittels eines Reduzierens der differentiellen Farbortalterung somit erhöht werden .
Bei bekannten Leuchtdichten und Lebensdauern der zwei oder mehr optisch aktiven Bereiche kann die optisch aktive
Struktur mi der geringsten Lebensdauer zum Ausbilden der dritten elektromagnetischen Strahlung mit Gleichstrom
betrieben werden. Ein stark gepulstes Ansteuern der
kurzlebigsten optisch ak iven Struktur würde in der
zeitlichen Mittelung zum Ausbilden der dritten
elektromagnetischen Strahlung eine höhere Pulshöhe erfordern. Mit (II) würde die Lebenszeit der kurzlebigsten optisc aktiven Struktur hinsichtlich eines Betriebs im Gleichstrom somit weiter reduziert werden . Die langlebigere optisch aktive Struktur wird gepulst oder im Wechselstrom-Betrieb betrieben. Die Puls-Parameter bzw. Wechselstrom- Parameter können so gewählt werden, dass die optisch aktiven Strukturen ähnliche Lebenszeiten aufweisen . Die kurzlebigste optisch aktive Struktur kann im Wechselstrombetrieb betrieben werden, sollte j edoch in einem Tastverhältnis betrieben werden, das einem Gleichstrombetrieb nahe ist , beispielsweise MUX = 2. Werden zwei oder mehr optisch aktive Strukturen im
Wechselstrom-Betrieb betrieben, kann vereinfacht nur eine Wechselstromquelle als elektrische Energieversorgung
verwendet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine
optoelektronische BauelementeVor ichtung und ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist , eine OLED ohne
Farbsensor mit wenigstens reduzierter Farbortabweichung zu betreiben . Dadurch kann eine differentielle Farbalterung vermieden werden, sodass der Farbort von Licht, dass von dem optoelektronischen Bauelement emittiert wird, während des
Langzeit-Betriebes stabil bleibt. Weiterhin wird eine
aufwendige, elektronisch geregelte Farbkontrolle mittels Farbsensor und Rückkopplung auf den Treiber des
optoelektronischen Bauelementes optional bzw. ist nicht mehr er orderlich. Weiterhin kann mittels des Verfahrens ein
optoelektronisches Bauelement als ein sogenanntes „2 Terminal Device" realisiert werden, dass nur zwei elektrische
Anschlüsse aufweist und beispielsweise farbortgeregelt ist. Weiterhin kann ein optoelektronisches Bauelement realisiert werden, dass mittels eines hinsichtlich eines Gleichstrom- Treibers kostengünstigeren Wechselstrom-Treibers betrieben werden kann. Weiterhin kann bei einer OLED mit mehreren
optisch aktiven Strukturen durch Reihenschaltung der
antiparallelen optisch aktiven Strukturen Stromnetztaug1iche Leuchten realisiert werden, d.h. eine Transformation der
Treiber Spannung ist nicht erforderlich . Weiterhin können etablierte Herstellungsverfahren des optoelektronischen
Bauelementes weiterhin verwendet werden, da beispielsweise die OLED gemäß verschiedenen Ausgestaltungen sehr ähnlich ausgebildet ist wie eine weiße gestapelte OLED mit einer Ladungsträgerpaarerzeugung-Schichtenstruktur {Charge
generating layer - CGL) . Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement, dass als OLED mit unterschiedlichen OLED- Einheiten einen getrennten Betrieb von phosphoreszierenden Emittermaterialien (rot, grün) und fluoreszierenden
Emittermaterialien (blau) ermöglichen.

Claims

Optoelektronische Bauelementevorrichtung, aufweisend: ein optoelektronisches Bauelement (200) und eine
Steuervorrichtung zum Ansteuern des optoelektronischen
Bauelementes ;
• wobei das optoelektronische Bauelement (200 ) eine erste optisch aktive Struktur (324 ) und eine zweite optisch aktive Struktur (326) aufweist ,
• wobei die erste optisch aktive Struktur (324) zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung (330) eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer ersten Alterungsfunktion (140) altert ; und
• wobei die zweite optisch aktive Struktur (326) zu einem Emittieren einer zweiten elektromagnetischen Strahlung (340) eingerichtet ist und im Betrieb gemäß einer zweiten Alterungsfunktion (136 , 138 ) altert
• wobei das optoelektronische Bauelement (200) derart ausgebildet ist , dass in einem ersten Betriebsmodus wenigstens die erste elektromagnetische Strahlung (330) emittiert wird und in einem zweiten
Betriebsmodus wenigstens die zweite
elektromagnetische Strahlung (340 ) emittiert wird;
• wobei die Steuervorrichtung eingerichtet ist , dass der Unterschied von erster Alterungsfunktion (140) zu zweiter Alterungsfunktion (136 , 138) während des Betriebs der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung reduziert wird.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß Anspruch
1,
wobei das optoelektronische Bauelement (200) derart ausgebildet ist, dass die erste AIterungsfunktion (140) und die zweite Alterungsfunktion (136 , 138) einen ungefähr gleichen Alterungskoeffizienten (ß ) aufweisen . Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß Anspruch
1 oder 2,
wobei die erste optisch aktive Struktur {324) derart ausgebildet ist, dass die erste elektromagnetische
Strahlung (330) ein blaues Licht ist .
Optoelektronische BauelementeVorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei die Steuervorrichtung derart ausgebildet ist , dass die erste optisch aktive Struktur (324 ) im ersten
Betriebsmodus mit einem ersten Spannungsverlauf
anzusteuern und die zweite optisch aktive Struktur (326) im zweiten Betriebsmodus mit einem zweiten
Spannungsverlauf anzusteuern ist, der unterschiedlich ist zu dem ersten Spannungsverlauf .
Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen
Bauelementes (200) ,
• wobei das optoelektronische Bauelement (200)
ausgebildet ist gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 ; das Verfahren aufweisend:
• ein Ansteuern des optoelektronischen
Bauelementes (200) in einem vorgegebenen
Ansteuerungsintervall (510) teilweise im ersten
Betriebsmodus und teilweise im zweiten
Betriebsmodus derart , dass der Unterschied von erster Alterungsfunktion zu zweiter
AIterungsfunktion während des Betriebs des optoelektronischen Bauelementes reduziert wird.
Verfahren gemäß Anspruch 5,
• wobei die erste optisch aktive Struktur (324) derart ausgebildet ist, dass die erste elektromagnetische Strahlung (330) ei blaues Licht ist;
• wobei die zweite optisch aktive Struktur (326)
derart ausgebildet ist , dass die zweite
elektromagnetische Strahlung (340) ein gelbes Licht oder ein grün-rotes Licht ist ; und/oder • wobei das optoelektronische Bauelement (200) derart angesteuert wird, dass die Mischung aus erster elektromagnetischer Strahlung (330) und zweiter elektromagnetischer Strahlung (340) in einem
Ansteuerungsintervall (510) ein weißes Licht ist, insbesondere mit einer korrelierten Farbtemperatur in einem Bereich von 500 K bis 11000K .
Verfahren gemäß Anspruch 5 oder 6 ,
wobei mittels der Amplitude, der Frequenz und/oder des Tastverhältnisses eines Wechselstroms und/oder einer WechselSpannung wenigstens eine Eigenschaft der dritten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 7,
wobei der Wechselstrom einen Gleichstromanteil aufweist, oder die WechselSpannung einen Gleichspannungsanteil aufweist .
Verfahren gemäß Anspruch 8,
wobei der Wechselstrom und/oder die Wechselspannung eine Frequenz von größer als ungefähr 30 Hz aufweist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 9,
wobei der erste Betriebsmodus ein Ansteuern der ersten optisch aktiven Struktur (324) mit einem ersten
Spannungsverlauf und der zweite Betriebsmodus ein
Ansteuer der zweiten optisch aktiven Struktur (326) mit einem zweiten Spannungsverlauf aufweist, der
unterschiedlich ist zu dem ersten Spannungsverlauf.
Verfahren gemäß Anspruch 10,
wobei der erste Spannungsverla f wenigstens einen nichtlinearen ersten Bereich aufweist,
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 11,
wobei der Unterschied der Älterungsfunktion kleiner ist als ein Schwellenwert. Verfahren gemäß Anspruch 12 ,
wobei der Schwellenwert eine Funktion hinsichtlich der differentiellen Farbortalterung der ersten optisch aktiven Struktur und der zweiten optisch aktiven
Struktur ist .
Verfahren gemäß Anspruch 12 oder 13 ,
wobei der Schwellenwert einen Betrag auf eist derart , dass die mittels der differentiellen Farbortalterung verbundene Farbortverschiebung kleiner ist als 0 , 02 in Cx und/oder Cy in einer CIE-Farbnormtafel .
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