WO2015022897A1 - 投射装置および投射方法 - Google Patents
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Abstract
投射装置(10)は、レーザ光源(100)、位相変調型空間変調素子(110)、フーリエ変換レンズ(120)、偏光保存素子(130)、モニタ素子(140)、制御部(150)、結像光学系(160)、および投射光学系(170)を備える。フーリエ変換レンズ(120)は位相変調型空間変調素子(110)によって位相変調された光をフーリエ変換する。偏光保存素子(130)はフーリエ変換レンズ(120)によってフーリエ変換された光の光路内に置かれ、光の一部を反射する。モニタ素子(140)は偏光保存素子(130)によって反射された光の一部の強度をモニタする。制御部(150)はモニタ素子(140)でモニタされた強度に基づいてレーザ光源(100)および位相変調型空間変調素子(110)のいずれか一方を制御する。結像光学系(160)は偏光保存素子(130)を透過した光を結像する。投射光学系(170)は結像した光を投射する。
Description
本発明は、投射装置および投射方法に関する。
画像や映像の投射装置には複数の方式のものがある。そのうちの一つである、位相変調型の空間変調素子を用いた投射装置では、レーザを光源とし、各画素の情報に基づいてレーザ光を回折することによって像を形成する。よって、所望の部分のみに光を集中させることが可能であり、画像や映像を明るく投影することが出来る。
ただし、このような方式では、レーザを光源とするため、安全性を確保するための対策を施す必要がある。
特許文献1には、画像信号に応じて各色の光源から出射されるレーザ光のパワーの比を求め、求めた比に応じて投射光が安全基準の上限値を超えないように光源から出射されるレーザ光を調整することが記載されている。
しかし、本発明者は、特許文献1に記載された方法では、素子の温度変化、径時変化、不良、および信号の誤処理などにより、想定外の強度のレーザ光が出力される可能性があると考えた。
本発明の目的は、想定外の強度の光が投射されることが抑制される投射装置および投射方法を提供することにある。
本発明によれば、
レーザ光である光を発するレーザ光源と、
前記光を位相変調する位相変調型空間変調素子と、
前記位相変調型空間変調素子によって位相変調された前記光をフーリエ変換するフーリエ変換レンズと、
前記フーリエ変換レンズによってフーリエ変換された前記光の光路内に置かれ、前記光の一部を反射する偏光保存素子と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタするモニタ素子と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する制御部と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する結像光学系と、
結像した前記光を投射する投射光学系と、
を備える投射装置が提供される。
レーザ光である光を発するレーザ光源と、
前記光を位相変調する位相変調型空間変調素子と、
前記位相変調型空間変調素子によって位相変調された前記光をフーリエ変換するフーリエ変換レンズと、
前記フーリエ変換レンズによってフーリエ変換された前記光の光路内に置かれ、前記光の一部を反射する偏光保存素子と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタするモニタ素子と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する制御部と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する結像光学系と、
結像した前記光を投射する投射光学系と、
を備える投射装置が提供される。
本発明によれば、
レーザ光である光を発するレーザ光源を準備し、
前記光を位相変調型空間変調素子により位相変調する工程と、
前記位相変調型空間変調素子により位相変調された前記光を、フーリエ変換レンズによりフーリエ変換する工程と、
前記フーリエ変換レンズによりフーリエ変換された前記光の、光路内に置かれた偏光保存素子により、前記光の一部を反射する工程と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタ素子によりモニタする工程と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する工程と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する工程と、
結像した前記光を投射する工程と
を備える投射方法が提供される。
レーザ光である光を発するレーザ光源を準備し、
前記光を位相変調型空間変調素子により位相変調する工程と、
前記位相変調型空間変調素子により位相変調された前記光を、フーリエ変換レンズによりフーリエ変換する工程と、
前記フーリエ変換レンズによりフーリエ変換された前記光の、光路内に置かれた偏光保存素子により、前記光の一部を反射する工程と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタ素子によりモニタする工程と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する工程と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する工程と、
結像した前記光を投射する工程と
を備える投射方法が提供される。
本発明によれば、想定外の強度の光が投射される異常出力を検出し、投射光の強度を制御できる投射装置および投射方法を提供することができる。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
なお、以下に示す説明において、制御部150は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。制御部150は、任意のコンピュータのCPU、メモリ、メモリにロードされたプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶メディア、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置には様々な変形例がある。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る投射装置10の構成を示す図である。
本実施形態によれば、投射装置10は、レーザ光源100、位相変調型空間変調素子110、フーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、モニタ素子140、制御部150、結像光学系160、および投射光学系170を備える。レーザ光源100はレーザ光である光を発する。位相変調型空間変調素子110は光を位相変調する。フーリエ変換レンズ120は位相変調型空間変調素子110によって位相変調された光をフーリエ変換する。偏光保存素子130はフーリエ変換レンズ120によってフーリエ変換された光の光路内に置かれ、光の一部を反射する。モニタ素子140は偏光保存素子130によって反射された光の一部の強度をモニタする。制御部150はモニタ素子140でモニタされた強度に基づいてレーザ光源100および位相変調型空間変調素子110のいずれか一方を制御する。結像光学系160は偏光保存素子130を透過した光を結像する。投射光学系170は結像した光を投射する。
以下、詳細に説明する。
図1は、第1の実施形態に係る投射装置10の構成を示す図である。
本実施形態によれば、投射装置10は、レーザ光源100、位相変調型空間変調素子110、フーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、モニタ素子140、制御部150、結像光学系160、および投射光学系170を備える。レーザ光源100はレーザ光である光を発する。位相変調型空間変調素子110は光を位相変調する。フーリエ変換レンズ120は位相変調型空間変調素子110によって位相変調された光をフーリエ変換する。偏光保存素子130はフーリエ変換レンズ120によってフーリエ変換された光の光路内に置かれ、光の一部を反射する。モニタ素子140は偏光保存素子130によって反射された光の一部の強度をモニタする。制御部150はモニタ素子140でモニタされた強度に基づいてレーザ光源100および位相変調型空間変調素子110のいずれか一方を制御する。結像光学系160は偏光保存素子130を透過した光を結像する。投射光学系170は結像した光を投射する。
以下、詳細に説明する。
投射装置10はさらに整形光学系190を備える。レーザ光源100は、レーザ光を発する。整形光学系190はレーザ光源100の光出力口の前方に配置され、レーザ光源100から出射された光を整形する。整形された光は位相変調型空間変調素子110に入射する。位相変調型空間変調素子110は整形光学系190で整形された光を受光するよう配置され、当該光を反射させてフーリエ変換レンズ120へ導く。制御部150は、投射しようとする画像を示す情報に基づき、位相変調型空間変調素子110を制御する。光は位相変調型空間変調素子110において位相変調される。フーリエ変換レンズ120および結像光学系160は位相変調型空間変調素子110によって反射された光の光路上に配置される。フーリエ変換レンズ120は当該光を結像光学系160に集光する。結像光学系160はフーリエ変換レンズ120を通して入射された光を用いて、像を形成する。投射光学系170は結像光学系160が光を出力した先に配置され、結像光学系160で形成された像を投射する。なお、ここでは電源や回路系は図示していない。
フーリエ変換レンズ120と結像光学系160の間の光路上には、偏光保存素子130が配置される。偏光保存素子130は入射した光の一部を反射し、残りを透過する。モニタ素子140は偏光保存素子130により反射された光を受光するよう配置され、当該光の強度をモニタする。制御部150は、上述したように、投影する画像を示す情報に基づいて位相変調型空間変調素子110を制御するとともに、モニタ素子140でモニタした反射光の強度に基づいて位相変調型空間変調素子110およびレーザ光源100の少なくともいずれか一方を制御する。偏光保存素子130の配置方法を含め、以下で詳細に説明する。
光源にはレーザ光源100を用いる。レーザ光源100から出射された光は整形光学系190によって、後の位相変調、フーリエ変換、結像、投射に適する形状に整形される。さらに、整形光学系190は偏光板を含んでおり、整形光学系190を通ることで光の偏光が一様となる。この偏光状態は、光が投射光学系170から投射されるまで保存される。整形光学系190から位相変調型空間変調素子110へ入射した光は、位相変調型空間変調素子110の受光面に照射される。位相変調型空間変調素子110は、複数の受光領域を有している。制御部150は、位相変調型空間変調素子110の各受光領域の屈折率を、投射しようとする画像の画素毎の情報に応じて制御する。このことで、光は位相変調され、画像の情報が光に保持される。
位相変調型空間変調素子110により位相変調された光は、フーリエ変換レンズ120を透過することにより回折され、また、結像光学系160に向けて集光される。集光された光は拡散板などを含む結像光学系160により結像され、投射光学系170により投射される。
位相変調型空間変調素子110としては、たとえば強誘電性液晶、ホモジーニアス液晶、および垂直配向液晶を用いることが出来る。
フーリエ変換レンズ120と結像光学系160の間の光路上には、偏光保存素子130が配置されている。フーリエ変換レンズ120を透過した光の一部は偏光保存素子130で反射され、モニタ素子140に入射する。偏光保存素子130で反射されなかった残りの光は、偏光保存素子130を透過し、結像光学系160に入射する。光の偏光は、偏光保存素子130を透過しても保存されている。モニタ素子140は、偏光保存素子130から反射された反射光を受光し、反射光の強度を示す信号を制御部150へ出力する。制御部150は、偏光保存素子130からの反射光の強度と、投射光学系170から投射される投射光の強度との関係を示す換算情報(たとえば係数、式、テーブル)を保持している。そして、制御部150はモニタ素子140から入力された、反射光の強度に基づき、投射光の強度を算出し、投射光の強度が基準値を超えないよう、レーザ光源100および位相変調型空間変調素子110の少なくともいずれか一方を制御する。
図2は、本実施形態に係るフーリエ変換レンズ120と偏光保存素子130との相対位置を説明するための図である。本図に示すように、フーリエ変換レンズ120の中心軸に垂直な面Sに対する、偏光保存素子130の受光面の傾き角度をaとする。フーリエ変換レンズ120の中心軸に対する、集光される光の最大角度をbとする。ここでは、a>bの場合の例を示しているが、これに限定されるものではない。本図に示すように、偏光保存素子130の受光面の法線と集光される光の成す角の最大値をx、最小値をyとする。すると、x=a+b,y=a-bの関係が成り立つ。フーリエ変換レンズ120により集光された光は、偏光保存素子130に対して、yからxの間の入射角度で偏光保存素子130に入射する。
図3は、本実施形態に係る偏光保存素子130の、光の入射角度と反射率との関係の例を示す図である。偏光保存素子130は、たとえばガラスである。図3およびウェブサイトhttp://www.mgkk.com/products/01_kougaku/guide/5/5coating_3b.htmlにあるように、偏光保存素子130の反射率は偏光に依存し、さらに入射角度に依存する。また、入射角度が十分に小さい領域では、反射率は入射角度に依存せず、略一定である。このように反射率が略一定となる入射角度の領域を、ここでは一定領域と呼ぶ。一定領域内における偏光保存素子130の反射率の最小値は、一定領域内における偏光保存素子130の反射率の最大値の0.95倍であることが好ましい。一定領域の入射角度の最大値をcとすると、一定領域の入射角度の範囲は0度からcであり、図3においては、cはおよそ15度である。
偏光保存素子130は、x=a+b<cの関係を満たすように角度aの大きさを設定して配置される。これにより、偏光保存素子130の受光面に入射する光の全体に亘って、反射率は一定となり、正しくモニタや画像の投射が行える。
a<bおよびa=bの場合においても、x=a+b<cを満たすことにより、受光面に入射する光の全体に亘って、反射率は一定となる。
図4は、本実施形態に係るフーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、およびモニタ素子140の相対位置を示す図である。モニタ素子140はたとえばフォトダイオードである。偏光保存素子130はたとえばガラスであり、cはおよそ15度である。角度aを8度、角度bを5度とすると、xは13度、yは3度となり、x<cを満たす。偏光保存素子130で反射された光はモニタ素子140の受光面に向けて集光される。モニタ素子140には、偏光保存素子130に入射した光の5%程度が入射する。モニタ素子140は受光した光の強度を制御部150へ出力する。
偏光保存素子130としては、たとえばガラス、石英、および光学プラスチックを用いることが出来る。偏光保存素子130の屈折率は1.5以下であることが好ましい。また、偏光保存素子130の屈折率が高いほど、cが大きくなるため好ましい。ガラスおよび石英においてcは15度、光学プラスチックにおいてcは12~13度程度である。そして、偏光保存素子130の受光面の表面には無反射層や選択反射層などのコーティング層は設けられていないことが好ましい。コーティング層により、反射率および透過率の波長依存性が生じることを防ぐためである。
本実施形態では、角度aを8度、角度bを5度とした場合の例を示したが、これに限定されるものではない。また、図4ではモニタ素子140の受光面が反射光の集光点にある例を示したが、モニタ素子140は集光点よりも偏光保存素子130に近づけて配置されても良い。さらに、モニタ素子140の受光面と、偏光保存素子130からの反射光の光軸とは垂直の関係になくてもよい。全反射が起きない角度である限り、自由な角度でモニタ素子140を設置することができる。
制御部150では、モニタ素子140から入力された、反射光の強度を示す情報と、あらかじめ記憶された換算情報とに基づいて、投射光学系170から投射される投射光の強度が算出される。算出された投射光の強度が予め定められた基準値を超えた場合、制御部150は、投射光の強度が基準値より小さくなるように、レーザ光源100および位相変調型空間変調素子110の少なくともいずれか一方を制御する。
本実施形態ではひとつのレーザ光源100を有する構成ついて説明したが、異なる波長のレーザ光を出力する複数のレーザ光源を有しても良い。
次に、本実施形態による効果を説明する。
制御部150は、実際にフーリエ変換レンズ120を透過した光の一部をモニタした値に基づいて制御を行う。したがって、想定外の強度の光が投射される異常出力を検出し、投射光の強度を制御することが出来る。
制御部150は、実際にフーリエ変換レンズ120を透過した光の一部をモニタした値に基づいて制御を行う。したがって、想定外の強度の光が投射される異常出力を検出し、投射光の強度を制御することが出来る。
また、位相変調型の光学系においては、偏光が保存されることが重要である。位相変調素子で変調された光の偏光が保持されない場合、投射光学系170から光が投射されたスクリーン上で、画像が正常に復元されない。本実施形態では偏光保存素子130を用いているため、位相変調型空間変調素子110の反射光をモニタするとともに、画像を正常に映し出すことが可能となる。
また、フーリエ変換レンズ120を透過した光の一部をモニタする方法として、フーリエ変換レンズ120と結像光学系160との間に45度の角度でハーフミラーを挿入したとし、角度bが10度であったとすると、xは55度、yは35度と算出される。このとき、図3によれば、入射角度が異なることによって、p偏光の場合でおよそ3%、s偏光の場合でおよそ10%の反射率差が生じることが分かる。反射率が異なるということはすなわち、透過率が異なるということになり、画像が正しく投射されない。また、モニタ素子140に入射する光の強度も反射率の変化によって異なるので、制御部150は投射光の強度を正しく算出できない。本実施形態では、角度aを小さく設定して偏光保存素子130を配置することで、偏光保存素子130の一定領域において光を入反射させるため、像の投射やモニタを正しく行える。また、偏光保存素子130の反射率は可視光の範囲では波長にほとんど依存しないため、青、緑、赤などの色のレーザ光を用いてもよい。
(第2の実施形態)
本実施形態に係る投射装置10は、位相変調型空間変調素子110の構造、並びにフーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、およびモニタ素子140の相対位置を除いて、第1の実施形態に係る投射装置10と同様の構成である。
本実施形態に係る投射装置10は、位相変調型空間変調素子110の構造、並びにフーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、およびモニタ素子140の相対位置を除いて、第1の実施形態に係る投射装置10と同様の構成である。
図5は、第2の実施形態に係る位相変調型空間変調素子110の構造を説明するための図である。本実施形態に係る位相変調型空間変調素子110は、位相変調型空間変調素子110の受光面に平行な基板112と、基板112上に各画素に割り当てて設けられた複数のミラー114とを備える。ミラー114に割り当てられた各画素の情報に基づいて、ミラー114と基板112との距離がそれぞれ制御される。各ミラー114は微小であり、位相変調型空間変調素子110はいわゆるMicro Electro Mechanical System(MEMS)素子である。
基板112に対するミラー114の高さが変わることによって、画素毎に反射光の光路長を変化させることができる。これにより、光を位相変調し、投射したい画像の情報が光に保持される。
図6は、第2の実施形態に係るフーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、およびモニタ素子140の相対位置を示す図である。本実施形態では、図6に示すように、偏光保存素子130の受光面とモニタ素子140の受光面との距離は、偏光保存素子130の受光面と、偏光保存素子130で反射した光の集光点との距離よりも長い。このように、反射光の全てが受光できるのであれば、偏光保存素子130とモニタ素子140との距離は自由に設定ができる。
偏光保存素子130に近づくほど、また、角度aが小さいほど、フーリエ変換レンズ120から偏光保存素子130へ向かう入射光の光軸と、偏光保存素子130からの反射光の光軸との間隔が狭くなる。そして、フーリエ変換レンズ120から偏光保存素子130へ向かう光をモニタ素子140が遮らないよう、角度aは十分に大きく設定しなければならない。つまり、偏光保存素子130とモニタ素子140との距離が遠いほど、角度aを小さく設定できる。
本実施形態では、たとえば、角度bを5度として、角度aを7度とすることができる。このとき、xは12度、yは2度となり、偏光保存素子130の一定領域の入射角度の上限値cが15度の場合、x<cを満たす。よって、偏光保存素子130の受光面に入射する光の全体に亘って、反射率は一定となり、正しくモニタや画像の投射が行える。
本実施形態では、角度aを7度、角度bを5度とした場合の例を示したが、これに限定されるものではない。また、モニタ素子140の受光面と、偏光保存素子130からの反射光の光軸とは垂直の関係になくてもよい。全反射が起きない角度である限り、自由な角度でモニタ素子140を設置することができる。
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。本実施形態においては第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、以下の作用および効果が得られる。
本実施形態では、偏光保存素子130とモニタ素子140との距離を第1の実施形態よりも長くすることにより、角度aを第1の実施形態よりも小さくしても、モニタ素子140が、フーリエ変換レンズ120から偏光保存素子130へ向かう光に重ならない。よって、設計自由度が上がる。つまり、偏光保存素子130の設置角度の許容範囲が広がり、また、一定領域の入射角度の上限値cが小さい偏光保存素子130を用いることが可能となる。モニタ素子140の設置位置についても、偏光保存素子130から遠ざける方向において、反射光の全てが受光できる範囲で自由に設定できる。投射装置10をコンパクトに構成するためにも、このように設計自由度が高いことは非常に有効である。
本実施形態では、偏光保存素子130とモニタ素子140との距離を第1の実施形態よりも長くすることにより、角度aを第1の実施形態よりも小さくしても、モニタ素子140が、フーリエ変換レンズ120から偏光保存素子130へ向かう光に重ならない。よって、設計自由度が上がる。つまり、偏光保存素子130の設置角度の許容範囲が広がり、また、一定領域の入射角度の上限値cが小さい偏光保存素子130を用いることが可能となる。モニタ素子140の設置位置についても、偏光保存素子130から遠ざける方向において、反射光の全てが受光できる範囲で自由に設定できる。投射装置10をコンパクトに構成するためにも、このように設計自由度が高いことは非常に有効である。
(第3の実施形態)
第3の実施形態に係る投射装置10は反射光学系200をさらに備える。
図7は、第3の実施形態に係るフーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、反射光学系200、およびモニタ素子140の相対位置を示す図である。
本実施形態に係る投射装置10は、以下に説明する点を除いて、第1の実施形態に係る投射装置10と同様の構成である。
第3の実施形態に係る投射装置10は反射光学系200をさらに備える。
図7は、第3の実施形態に係るフーリエ変換レンズ120、偏光保存素子130、反射光学系200、およびモニタ素子140の相対位置を示す図である。
本実施形態に係る投射装置10は、以下に説明する点を除いて、第1の実施形態に係る投射装置10と同様の構成である。
反射光学系200は、偏光保存素子130からの反射光の光路上に配置される。反射光学系200は偏光保存素子130からの反射光をさらに反射させ、モニタ素子140に導く。反射光学系200からの反射光の全てが受光できるのであれば、モニタ素子140は自由に配置することができる。
たとえば、角度bを5度として、角度aを6度とすることができる。このとき、xは11度、yは1度となり、偏光保存素子130の一定領域の入射角度の上限値cが15度の場合、x<cを満たす。よって、偏光保存素子130の受光面に入射する光の全体に亘って、反射率は一定となり、正しくモニタや画像の投射が行える。
本実施形態では、角度aを6度、角度bを5度とした場合の例を示したが、これに限定されるものではない。また、モニタ素子140の受光面と、モニタ素子140に入射する光の光軸とは垂直の関係になくてもよい。全反射が起きない角度である限り、自由な角度でモニタ素子140を設置することができる。図7では反射光学系200として、非球面反射鏡を用いる例を示したが、代わりに平面ミラーや凹面鏡などを反射光学系200として用いてもよい。なお、非球面反射鏡を用いれば、反射する光の方向を自由に変化させることが可能であり、モニタ素子140の受光面の大きさや位置に対して最適な状態で、光を入射させることができる。モニタ素子140が大きく、配置場所が制限される場合などには、特に有効である。
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。本実施形態においては第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、以下の作用および効果が得られる。
本実施形態では、反射光学系200により偏光保存素子130からの反射光をさらに反射させ、モニタ素子140に導くことにより、角度aを第1の実施形態よりも小さくすることができ、設計自由度が上がる。つまり、偏光保存素子130の設置角度の許容範囲が広がり、また、一定領域の入射角度の上限値cが小さい偏光保存素子130を用いることが可能となる。レイアウトの都合上、モニタ素子140をフーリエ変換レンズ120の近くに配置できない場合にも、偏光保存素子130からの反射光の強度をモニタできる。投射装置10をコンパクトに構成するためにも、設計自由度が高いことは非常に有効である。
本実施形態では、反射光学系200により偏光保存素子130からの反射光をさらに反射させ、モニタ素子140に導くことにより、角度aを第1の実施形態よりも小さくすることができ、設計自由度が上がる。つまり、偏光保存素子130の設置角度の許容範囲が広がり、また、一定領域の入射角度の上限値cが小さい偏光保存素子130を用いることが可能となる。レイアウトの都合上、モニタ素子140をフーリエ変換レンズ120の近くに配置できない場合にも、偏光保存素子130からの反射光の強度をモニタできる。投射装置10をコンパクトに構成するためにも、設計自由度が高いことは非常に有効である。
第2の実施形態に係る位相変調型空間変調素子110は、第1および第3の実施形態で用いても良い。また、第1の実施形態に係る位相変調型空間変調素子110を第2および第3の実施形態で用いても良い。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
1. レーザ光である光を発するレーザ光源と、
前記光を位相変調する位相変調型空間変調素子と、
前記位相変調型空間変調素子によって位相変調された前記光をフーリエ変換するフーリエ変換レンズと、
前記フーリエ変換レンズによってフーリエ変換された前記光の光路内に置かれ、前記光の一部を反射する偏光保存素子と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタするモニタ素子と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する制御部と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する結像光学系と、
結像した前記光を投射する投射光学系と
を備える投射装置。
2. 1.に記載の投射装置において、
前記フーリエ変換レンズの中心軸に垂直な面に対する、前記偏光保存素子の受光面の傾き角度をaとし、
前記フーリエ変換レンズの前記中心軸に対する、集光される前記光の最大角度をbとし、
前記偏光保存素子への入射角度が0からcまでの範囲における、前記偏光保存素子の反射率の最小値が、当該範囲における前記偏光保存素子の反射率の最大値の0.95倍であるとしたとき、
a+b<cが成り立つように前記aが設定されている
投射装置。
3. 1.または2.に記載の投射装置において、
前記偏光保存素子の前記受光面と前記モニタ素子の受光面との距離が、前記偏光保存素子の前記受光面と前記反射した前記光の集光点との距離よりも長い
投射装置。
4. 1.または2.に記載の投射装置において、
前記反射した前記光を反射させて前記モニタ素子に導く反射光学系をさらに備える
投射装置。
5. 1.から4.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記偏光保存素子は1.5以下の屈折率を有し、前記偏光保存素子の前記受光面には表面コーティング層を有さない
投射装置。
6. 1.から5.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記偏光保存素子は、ガラス、石英、および光学プラスチックのいずれかからなる
投射装置。
7. 1.から6.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記位相変調型空間変調素子は、強誘電性液晶、ホモジーニアス液晶、および垂直配向液晶のいずれかを備える
投射装置。
8. 1.から7.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記位相変調型空間変調素子は、前記位相変調型空間変調素子の受光面に平行な基板と、前記基板上に各画素に割り当てて設けられた複数のミラーとを備え、
前記ミラーに割り当てられた各画素の情報に基づいて、前記ミラーと前記基板との距離がそれぞれ制御される
投射装置。
9. レーザ光である光を発するレーザ光源を準備し、
前記光を位相変調型空間変調素子により位相変調する工程と、
前記位相変調型空間変調素子により位相変調された前記光を、フーリエ変換レンズによりフーリエ変換する工程と、
前記フーリエ変換レンズによりフーリエ変換された前記光の、光路内に置かれた偏光保存素子により、前記光の一部を反射させる工程と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタ素子によりモニタする工程と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する工程と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する工程と、
結像した前記光を投射する工程と
を備える投射方法。
10. 9.に記載の投射方法において、
前記フーリエ変換レンズの中心軸に垂直な面に対する、前記偏光保存素子の受光面の傾き角度をaとし、
前記フーリエ変換レンズの前記中心軸に対する、集光される前記光の最大角度をbとし、
前記偏光保存素子への入射角度が0からcまでの範囲における、前記偏光保存素子の反射率の最小値が、当該範囲における前記偏光保存素子の反射率の最大値の0.95倍であるとしたとき、
a+b<cが成り立つように前記aが設定されている
投射方法。
11. 9.または10.に記載の投射方法において、
前記偏光保存素子の前記受光面と前記モニタ素子の受光面との距離が、前記偏光保存素子の前記受光面と前記反射した前記光の集光点との距離よりも長い
投射方法。
12. 9.または10.に記載の投射方法において、
前記反射した前記光を反射させて前記モニタ素子に導く反射光学系をさらに備える
投射方法。
13. 9.から12.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記偏光保存素子は1.5以下の屈折率を有し、前記偏光保存素子の前記受光面には表面コーティング層を有さない
投射方法。
14. 9.から13.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記偏光保存素子は、ガラス、石英、および光学プラスチックのいずれかからなる
投射方法。
15. 9.から14.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記位相変調型空間変調素子は、強誘電性液晶、ホモジーニアス液晶、および垂直配向液晶のいずれかを備える
投射方法。
16. 9.から15.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記位相変調型空間変調素子は、前記位相変調型空間変調素子の受光面に平行な基板と、前記基板上に各画素に割り当てて設けられた複数のミラーとを備え、
前記ミラーに割り当てられた各画素の情報に基づいて、前記ミラーと前記基板との距離がそれぞれ制御される
投射方法。
以下、参考形態の例を付記する。
1. レーザ光である光を発するレーザ光源と、
前記光を位相変調する位相変調型空間変調素子と、
前記位相変調型空間変調素子によって位相変調された前記光をフーリエ変換するフーリエ変換レンズと、
前記フーリエ変換レンズによってフーリエ変換された前記光の光路内に置かれ、前記光の一部を反射する偏光保存素子と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタするモニタ素子と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する制御部と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する結像光学系と、
結像した前記光を投射する投射光学系と
を備える投射装置。
2. 1.に記載の投射装置において、
前記フーリエ変換レンズの中心軸に垂直な面に対する、前記偏光保存素子の受光面の傾き角度をaとし、
前記フーリエ変換レンズの前記中心軸に対する、集光される前記光の最大角度をbとし、
前記偏光保存素子への入射角度が0からcまでの範囲における、前記偏光保存素子の反射率の最小値が、当該範囲における前記偏光保存素子の反射率の最大値の0.95倍であるとしたとき、
a+b<cが成り立つように前記aが設定されている
投射装置。
3. 1.または2.に記載の投射装置において、
前記偏光保存素子の前記受光面と前記モニタ素子の受光面との距離が、前記偏光保存素子の前記受光面と前記反射した前記光の集光点との距離よりも長い
投射装置。
4. 1.または2.に記載の投射装置において、
前記反射した前記光を反射させて前記モニタ素子に導く反射光学系をさらに備える
投射装置。
5. 1.から4.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記偏光保存素子は1.5以下の屈折率を有し、前記偏光保存素子の前記受光面には表面コーティング層を有さない
投射装置。
6. 1.から5.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記偏光保存素子は、ガラス、石英、および光学プラスチックのいずれかからなる
投射装置。
7. 1.から6.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記位相変調型空間変調素子は、強誘電性液晶、ホモジーニアス液晶、および垂直配向液晶のいずれかを備える
投射装置。
8. 1.から7.のいずれか1つに記載の投射装置において、
前記位相変調型空間変調素子は、前記位相変調型空間変調素子の受光面に平行な基板と、前記基板上に各画素に割り当てて設けられた複数のミラーとを備え、
前記ミラーに割り当てられた各画素の情報に基づいて、前記ミラーと前記基板との距離がそれぞれ制御される
投射装置。
9. レーザ光である光を発するレーザ光源を準備し、
前記光を位相変調型空間変調素子により位相変調する工程と、
前記位相変調型空間変調素子により位相変調された前記光を、フーリエ変換レンズによりフーリエ変換する工程と、
前記フーリエ変換レンズによりフーリエ変換された前記光の、光路内に置かれた偏光保存素子により、前記光の一部を反射させる工程と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタ素子によりモニタする工程と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する工程と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する工程と、
結像した前記光を投射する工程と
を備える投射方法。
10. 9.に記載の投射方法において、
前記フーリエ変換レンズの中心軸に垂直な面に対する、前記偏光保存素子の受光面の傾き角度をaとし、
前記フーリエ変換レンズの前記中心軸に対する、集光される前記光の最大角度をbとし、
前記偏光保存素子への入射角度が0からcまでの範囲における、前記偏光保存素子の反射率の最小値が、当該範囲における前記偏光保存素子の反射率の最大値の0.95倍であるとしたとき、
a+b<cが成り立つように前記aが設定されている
投射方法。
11. 9.または10.に記載の投射方法において、
前記偏光保存素子の前記受光面と前記モニタ素子の受光面との距離が、前記偏光保存素子の前記受光面と前記反射した前記光の集光点との距離よりも長い
投射方法。
12. 9.または10.に記載の投射方法において、
前記反射した前記光を反射させて前記モニタ素子に導く反射光学系をさらに備える
投射方法。
13. 9.から12.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記偏光保存素子は1.5以下の屈折率を有し、前記偏光保存素子の前記受光面には表面コーティング層を有さない
投射方法。
14. 9.から13.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記偏光保存素子は、ガラス、石英、および光学プラスチックのいずれかからなる
投射方法。
15. 9.から14.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記位相変調型空間変調素子は、強誘電性液晶、ホモジーニアス液晶、および垂直配向液晶のいずれかを備える
投射方法。
16. 9.から15.のいずれか1つに記載の投射方法において、
前記位相変調型空間変調素子は、前記位相変調型空間変調素子の受光面に平行な基板と、前記基板上に各画素に割り当てて設けられた複数のミラーとを備え、
前記ミラーに割り当てられた各画素の情報に基づいて、前記ミラーと前記基板との距離がそれぞれ制御される
投射方法。
この出願は、2013年8月13日に出願された日本出願特願2013-168026号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
Claims (9)
- レーザ光である光を発するレーザ光源と、
前記光を位相変調する位相変調型空間変調素子と、
前記位相変調型空間変調素子によって位相変調された前記光をフーリエ変換するフーリエ変換レンズと、
前記フーリエ変換レンズによってフーリエ変換された前記光の光路内に置かれ、前記光の一部を反射する偏光保存素子と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタするモニタ素子と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する制御部と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する結像光学系と、
結像した前記光を投射する投射光学系と
を備える投射装置。 - 請求項1に記載の投射装置において、
前記フーリエ変換レンズの中心軸に垂直な面に対する、前記偏光保存素子の受光面の傾き角度をaとし、
前記フーリエ変換レンズの前記中心軸に対する、集光される前記光の最大角度をbとし、
前記偏光保存素子への入射角度が0からcまでの範囲における、前記偏光保存素子の反射率の最小値が、当該範囲における前記偏光保存素子の反射率の最大値の0.95倍であるとしたとき、
a+b<cが成り立つように前記aが設定されている
投射装置。 - 請求項1または2に記載の投射装置において、
前記偏光保存素子の前記受光面と前記モニタ素子の受光面との距離が、前記偏光保存素子の前記受光面と前記反射した前記光の集光点との距離よりも長い
投射装置。 - 請求項1または2に記載の投射装置において、
前記反射した前記光を反射させて前記モニタ素子に導く反射光学系をさらに備える
投射装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の投射装置において、
前記偏光保存素子は1.5以下の屈折率を有し、前記偏光保存素子の前記受光面には表面コーティング層を有さない
投射装置。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の投射装置において、
前記偏光保存素子は、ガラス、石英、および光学プラスチックのいずれかからなる
投射装置。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の投射装置において、
前記位相変調型空間変調素子は、強誘電性液晶、ホモジーニアス液晶、および垂直配向液晶のいずれかを備える
投射装置。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の投射装置において、
前記位相変調型空間変調素子は、前記位相変調型空間変調素子の受光面に平行な基板と、前記基板上に各画素に割り当てて設けられた複数のミラーとを備え、
前記ミラーに割り当てられた各画素の情報に基づいて、前記ミラーと前記基板との距離がそれぞれ制御される
投射装置。 - レーザ光である光を発するレーザ光源を準備し、
前記光を位相変調型空間変調素子により位相変調する工程と、
前記位相変調型空間変調素子により位相変調された前記光を、フーリエ変換レンズによりフーリエ変換する工程と、
前記フーリエ変換レンズによりフーリエ変換された前記光の、光路内に置かれた偏光保存素子により、前記光の一部を反射させる工程と、
前記偏光保存素子によって反射された前記光の前記一部の強度をモニタ素子によりモニタする工程と、
前記モニタ素子でモニタされた前記強度に基づいて前記レーザ光源および前記位相変調型空間変調素子のいずれか一方を制御する工程と、
前記偏光保存素子を透過した前記光を結像する工程と、
結像した前記光を投射する工程と
を備える投射方法。
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