WO2015014747A1 - Trägerkörper für die abscheidung von polykristallinem silicium - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Trägerkörper für die Abscheidung von polykristallinem Silicium, aus Metall oder aus einem Halbleiter, umfassend zwei Dünnstäbe, die an ihren einen Enden jeweils mit einer waagerechten Brücke verbunden sind, und an ihren anderen Enden jeweils mit einer Elektrode verbunden sind, um den Trägerkörper mit Strom zu versorgen, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand der brückenseitigen Enden um 2-20% größer ist als ein Abstand der elektrodenseitigen Enden, so dass die Dünnstäbe mechanisch verspannt sind.

Description

Trägerkörper für die Abscheidung von polykristallinem Silicium

Die Erfindung betrifft einen Trägerkörper für die Abscheidung von polyk stallinem Siliciunn.

Hochreines polykristallines Siliciunn (Polysilicium) dient als Ausgangsmaterial zur Herstellung von einkristallinem Siliciunn für Halbleiter nach dem Czochralski(CZ)- oder Zonenschmelz(FZ)-Verfahren, sowie zur Herstellung von ein- oder multikristallinem Silicium nach verschiedenen Zieh- und Gieß-Verfahren zur Produktion von

Solarzellen für die Photovoltaik.

Polysilicium wird üblicherweise mittels des Siemens-Verfahrens hergestellt. Dabei wird ein Reaktionsgas umfassend eine oder mehrere Silicium enthaltende

Komponenten und gegebenenfalls Wasserstoff in einen Reaktor umfassend durch direkten Stromdurchgang erhitzte Trägerkörper eingeleitet, wobei sich an den

Trägerkörpern Silicium in fester Form abscheidet. Als Silicium enthaltende

Komponenten können Silan (SiH ), Monochlorsilan (SiH₃CI), Dichlorsilan (SiH₂Cl2), Trichlorsilan (S1HCI3), Tetrachlorsilan (SiCI₄) oder Mischungen der genannten Stoffe eingesetzt werden.

Das Siemens-Verfahren wird üblicherweise in einem Abscheidereaktor (auch „Siemens-Reaktor" genannt) durchgeführt. In der gebräuchlichsten Ausführungsform umfasst der Reaktor eine metallische Grundplatte und eine kühlbare Glocke, die auf die Grundplatte gesetzt ist, so dass ein Reaktionsraum im Inneren der Glocke entsteht. Die Grundplatte ist mit einer oder mehreren Gaseinlassöffnungen (Düsen) und einer oder mehreren Abgasöffnungen für die abgehenden Reaktionsgase sowie mit Halterungen versehen, mit deren Hilfe die Trägerkörper im Reaktionsraum gehalten und mit elektrischen Strom versorgt werden. Jeder Trägerkörper besteht meistens aus zwei dünnen Filamentstäben (5 -10 mm dick) und einer Brücke, die benachbarte Stäbe an ihren freien Enden verbindet. Am häufigsten werden die Filamentstäbe - auch Dünnstäbe genannt - aus ein- oder polykristallinem Silicium gefertigt, seltener kommen Metalle bzw. Legierungen oder Kohlenstoff zum Einsatz. Die Filamentstäbe stecken senkrecht in am Reaktorboden befindlichen Elektroden aus hochreinem Elektrographit, über die der Anschluss an die Stromversorgung erfolgt. An den erhitzten Filamentstäben und der waagrechten Brücke scheidet sich hochreines Polysilicium ab, wodurch deren Durchmesser mit der Zeit anwächst. Nachdem der gewünschte Durchmesser erreicht ist, wird der Prozess beendet.

Moderne Reaktoren können bis zu 100 Filamentstabe oder mehr enthalten. Eine hohe Stabanzahl ermöglicht eine hohe Reaktorproduktivität und reduziert den spezifischen Energieverbrauch, da die Energieverluste, z.B. durch die Strahlung zur kalten

Reaktorwand, reduziert werden.

In Reaktoren gemäß Stand der Technik werden die Stäbe im Reaktor häufig auf konzentrischen Kreisen um den Mittelpunkt der Bodenplatte angeordnet. Die Anzahl der Kreise hängt dabei davon ab, wie viel Stäbe der Reaktor umfasst.

US 4681652 A offenbart Reaktoren mit 5, 6, 10, 12 und 20 Stäben, wobei die Stäbe jeweils auf zwei konzentrischen Kreisen nach den folgenden Schemata platziert sind: 1 + 4, 2 + 4, 4 + 6, 4 + 8, 8 + 12 (die erste Zahl gibt die Anzahl der Stäbe auf dem inneren Kreis, die zweite Zahl die Anzahl der Stäbe auf dem äußeren Kreis an).

US 2010/0043972 A1 offenbart einen Reaktor mit 48 Stäben, wobei die Stäbe auf drei Kreisen verteilt sind: 8 + 16 + 24. Dabei verbinden die Brücken die Stäbe innerhalb der Stabkreise paarweise so, dass die gebildeten Stabpaare bzw. Trägerkörper ebenfalls drei konzentrische Kreise bilden.

Meistens werden zwei benachbarte Stäbe aus einem Kreis mittels einer Brücke verbunden (wie in oben erwähnten US 2010/0043972 A1 ).

In US 301 1877 A ist ein Reaktor beschrieben, in dem die Stäbe geneigt sind und sich an ihren freien Enden berühren, so dass gar keine Brücke notwendig ist. Dort ist auch eine Möglichkeit der Verbindung von drei Stäben geschildert, wobei in diesem Fall die Energieversorgung mit einem dreiphasigen Drehstrom erfolgt. Bei der Herstellung dicker polykristalliner Siliciumstäbe (mit Durchmesser >100 mm) in den Siemens-Reaktoren nach dem Stand der Technik ist relativ häufig zu beobachten, dass die Stäbe Bereiche mit sehr rauer Oberfläche („Popcorn") aufweisen. Diese rauen Bereiche müssen von dem restlichen Material abgetrennt und zu wesentlich niedrigeren Preisen als der restliche Siliciumstab verkauft werden. Durch eine Anpassung der Prozessparameter (z.B. Reduzierung Temperatur der Stäbe) kann der Anteil des Popcorn-Materials verringert werden (siehe US 5904981 A). US 2013/0089488 A1 offenbart eine Vorrichtung zur Abscheidung von polykristallinem Silicium, umfassend eine Reaktorkammer mit einer Reaktorwand, wenigstens 20 Filamentstäbe sowie Gaseinlassöffnungen für Reaktionsgas in der Reaktorkammer, wobei sich bei jedem Filamentstab - mit Ausnahme der Filamentstäbe nahe der Reaktorwand - in einem Abstand von 150 bis 450 mm drei weitere benachbarte Filamentstäbe und eine bis drei benachbarte Gaseinlassöffnungen befinden.

Es hat sich gezeigt, dass so der Anteil an rauen Oberflächen („Popcorn") bei sonst gleichen Prozessbedingungen deutlich reduziert wird.

In manchen Prozessen kommt es zu einer Überhitzung und schlimmstenfalls sogar zu einem Schmelzen des Silicium-Trägerkörpers (Stäbe und Brücke).

US 2010/0219380 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines Polysiliciumstabs, bei dem ein Mengenstrom eines Reaktionsgases enthaltend ein Chlorsilangemisch und Wasserstoff in einen Reaktor eingeleitet wird und hochreines Polysilicium an einem durch direkten Stromdurchgang erhitzten Filamentstab aus Silicium

abgeschieden wird, wobei der Filamentstab aus zwei senkrechten und einem waagrechten Stab gebildet wird und wobei der waagrechte Stab eine verbindende Brücke zwischen den senkrechten Stäben bildet, dadurch gekennzeichnet, dass als Chlorsilangemisch ein Gemisch aus Di- und Trichlorsilan eingesetzt wird und der Stromdurchgang durch den Filamentstab derart geregelt ist, dass der Filamentstab eine Temperatur an der Unterseite der Brücke zwischen 1300 und 1413 °C aufweist und die Temperatur der Reaktionsgase im Reaktor gemessen und so eingestellt wird, dass sie höchstens 650 °C beträgt, und der Mengenstrom des Chlorsilangennisches in weniger als 30 Stunden, bevorzugt in weniger als 5 Stunden ab Beginn der Zufuhr des Chlorsilangemisches auf seinen Maximalwert eingestellt wird.

Problematisch ist jedoch, dass die Temperatur im Inneren der Brücke höher sein kann als die nach US 2010219380 A1 zwischen 1300 °C und 1413 °C gehaltene

Temperatur an der Brückenoberfläche. Die Temperatur wird durch den elektrischen Strom in Stab und Brücke geregelt. Um bei Kühlung der Brückenoberfläche durch einströmendes Gas die Temperatur halten zu können, muss der elektrische Strom erhöht werden. Halbleiter wie Silicium haben bekanntermaßen die Eigenschaft, dass ihr elektrischer Widerstand mit zunehmender Temperatur abnimmt. Da die

Temperatur im Inneren eines aufgeheizten Stabes höher ist als an dessen

Oberfläche, die durch das Reaktionsgas gekühlt wird, ist der elektrische Widerstand im Inneren des Stabes und der Brücke niedriger. Damit ist der Stromfluss im Inneren der Brücke höher. Im Grenzfall eines hohen thermischen Flusses infolge starker Abkühlung der Oberfläche der Brücke durch die Reaktionsgase kann dies zu einer Temperatur im Inneren der Brücke führen, die über der Schmelztemperatur von Silicium (1413°C) liegt. Dann kommt es zu einem sog.„Brückenauslaufen", was unweigerlich zu einer Unterbrechung des Abscheideprozesses führt, da die

Stromversorgung der Dünnstäbe unterbrochen ist.

In US 2012/0048178 A1 wird berichtet, dass es möglich ist, ein Stab- und/oder Brückenauslaufen zu unterbinden, wenn die Strömungsverhältnisse während der Abscheidung geeignet gewählt werden. Dabei wird der Prozess so geführt, dass die Archimedes-Zahl, die die Strömungsverhältnisse im Reaktor als das Verhältnis von freier zu erzwungener Konvektion beschreibt, in einem definierten Bereich liegt.

Dieser Bereich ist für die gesamte Prozessdauer definiert. Die Archimedes-Zahl wird in Abhängigkeit vom Füllgrad des Reaktors angegeben. Der Füllgrad eines Reaktors gibt das Verhältnis des Volumens der Stäbe zum Leerraumvolumen des Reaktors in Prozent an. Das Leerraumvolumen des Reaktors ist konstant. Der Füllgrad nimmt also mit zunehmender Prozessdauer zu, da sich das Volumen der Stäbe erhöht. Die Archimedes-Zahl ist abhängig von der Dünnstablänge, dem Volumenstrom des Gases, den Düsenquerschnittsflächen, der Stabtemperatur sowie der

Wandtemperatur. Die Messung der Stabtemperatur erfolgt mit Strahlungspyrometern an den

Oberflächen der senkrechten Stäbe und zwar bevorzugt an der Seite des Stabes, die der Außenwand des Reaktors am nächsten steht, in halber Höhe des Stabes. Die Oberflächentemperatur wird also in der Mitte des Stabes geregelt. Daher wird in Verbindung mit den optimalen Strömungsbedingungen im gesamten Reaktor ein Auslaufen der Brücke vermieden. Die Stabtemperatur beträgt vorzugsweise 1 150K bis 1600K.

Allerdings hat sich gezeigt, dass die Messung der Stabtemperatur weiterhin ein Problem darstellt. Aufgrund seiner Materialeigenschaften ist die berührungslose Temperaturmessung von Silicium sehr anspruchsvoll. Dies liegt daran, dass der Emissionsgrad des Materials über das Infrarotspektrum stark variiert und zudem von der Materialtemperatur abhängig ist. Um dennoch genaue und wiederholbare

Messergebnisse zu erzielen, filtern die Hersteller die Geräte auf etwa 0,9 μιτι ab, werten also nur einen durch einen Filter auf einen bestimmten Wellenlängenbereich eingeschränkten kleinen Teil des Strahlungsspektrums aus, da in diesem

Wellenlängenbereich der Emissionsgrad von Silicium sowohl relativ hoch als auch unabhängig von der Temperatur ist. Optischen Zugang erhält das Pyrometer über ein Schauglas bzw. ein Fenster. Die Linse oder das Fenster für Geräte im nahen

Infrarotbereich besteht aus Glas oder Quarzglas. Die Pyrometer sind an den

Schaugläsern außerhalb des Reaktors montiert und auf den zu messenden

Polysiliciumstab ausgerichtet. Das Schauglas dichtet den Reaktor über eine transparente Glasfläche und Dichtungen zur Umgebung ab. Im Laufe des Abscheideprozesses kann sich eine Belagschicht auf dem Schauglas ausbilden, die je nach Fahrweise unterschiedlich dick ausfallen kann. Dies betrifft insbesondere die reaktorseitige (innere) Glasoberfläche. Diese Belagsschicht bewirkt eine Abschwächung der gemessenen Strahlungsintensität. Dadurch werden vom Pyrometer zu niedrige Temperaturen gemessen. Dies hat zur Folge, dass die

Stabtemperaturen durch die elektrische Leistungsregelung des Reaktors zu hoch eingestellt werden, wodurch unerwünschte Prozesseigenschaften wie

Staubabscheidung, unzulässig starkes Popcornwachstum, lokales Aufschmelzen der Siliziumstäbe (Stab- und/oder Brückenauslaufen) hervorgerufen werden. Im schlimmsten Fall - nämlich bei zu starken Belägen - muss der Prozess vorzeitig beendet werden.

Aus dieser Problematik ergab sich die Aufgabenstellung der Erfindung.

Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch einen Trägerkörper für die Abscheidung von polykristallinem Silicium, aus Metall oder aus einem Halbleiter, umfassend zwei Dünnstäbe, die an ihren einen Enden jeweils mit einer waagerechten Brücke verbunden sind, und an ihren anderen Enden jeweils mit einer Elektrode verbunden sind, um den Trägerkörper mit Strom zu versorgen, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand der brückenseitigen Enden um 2-20% größer ist als ein Abstand der elektrodenseitigen Enden, so dass die Dünnstäbe mechanisch verspannt sind.

Vorzugsweise ist der brückenseitige Abstand um 2-15% größer als der

elektrodenseitige Abstand.

Die Erfindung sieht vor, dass abweichend vom Stand der Technik jeweils zwei auf Elektroden befestigte, stehende Dünnstäbe derart über eine waagrechte Brücke verbunden werden, dass sie mechanisch verspannt sind.

Dies wird dadurch bewerkstelligt, dass der Abstand der stehenden Dünnstäbe im Bereich der Brücke (Brückenlänge) größer ist als der Abstand der stehenden

Dünnstäbe im Bereich der Elektroden (Elektrodenabstand bzw. Abstand der

Dünnstabhalterungen der Elektroden).

Es hat sich gezeigt, dass ein lokales Aufschmelzen von Silicium effektiv verhindert werden kann, wenn der Brückenabstand um 2% - 20% größer ist als der

Elektrodenabstand. Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Fig. 1 veranschaulicht.

Liste der verwendeten Bezugszeichen

1 Bodenplatte 2 Elektrode

3 Dünnstab

4 Brücke Fig. 1 zeigt schematisch eine geeignete Vorrichtung zur Durchführung der Erfindung. 1 zeigt die Bodenplatte mit Elektroden 21 und 22. Auf den Elektroden sind stehende Dünnstäbe 31 und 32 befestigt.

4 zeigt die waagerechte Brücke, die die Dünnstäbe 31 und 32 verbindet. Dadurch wird der Trägerkörper umfassend zwei Dünnstäbe 31 und 32 und Brücke 4 gebildet.

Über die Elektroden 21 und 22 werden Dünnstäbe 31 und 32 sowie Brücke 4 mit Strom versorgt, und auf eine Temperatur erhitzt, bei denen es zu einer Abscheidung von Silicium kommt, wenn eine Silicium enthaltende Komponente wie Chlorsilane ggf. in Verbindung mit Wasserstoff in den Reaktor eingedüst werden. di ist der Abstand der Dünnstabe 31 und 32 nahe der Bodenplatte 1 bzw. Elektrode 2, also der elektrodenseitige Abstand der Dünnstäbe 31 und 32.

Ö2 ist der Abstand der Dünnstäbe 31 und 32 an der Brücke 4, also der brückenseitige Abstand der Dünnstäbe 31 und 32. Es gilt erfindungsgemäß: 02 ^ 1 ,02 ^* di und 02 ^ 1 ,2 ^* di.

Die im Stand der Technik übliche Anordnung von Dünnstäben (senkrecht stehend, parallel) und Brücke ist gestrichelt dargestellt. Vorzugsweise umfasst die Anordnung von Trägerkörpern mindestens ein Stabpaar aus zwei stehenden Stäben, die durch eine waagerechte Brücke miteinander verbunden sind, und von Elektroden, die auf einer Bodenplatte stehen, gehalten werden. Im Stand der Technik war der Abstand der stehenden Dünnstäbe in der Höhe der Brücke gleich dem von den Elektroden vorgegebenen Abstand nahe der Bodenplatte.

Abweichend davon wird im Rahmen der Erfindung der Abstand der Dünnstäbe in der Höhe der Brücke um 2-20% größer gewählt als der Abstand der die Dünnstäbe haltenden Elektroden.

Dies erfolgt dadurch, dass die Brücke bzw. das für die Brücke verwendete Werkstück entsprechend länger ist. Dadurch befinden sich die Dünnstäbe unter mechanischer Spannung.

Vorzugsweise umfasst die Anordnung von Trägerkörpern wenigstens 10 Trägerkörper in Form von Stabpaaren, also wenigstens 20 Dünnstäbe und 10 Brücken, wobei die Trägerkörper jeweils erfindungsgemäß mechanisch verspannt sind.

Der Querschnitt der Brücke ist für das Gelingen der Erfindung nicht wesentlich. Er kann wie der Querschnitt der Dünnstäbe und rund, eckig oder anders geformt sein.

Vorzugsweise weisen Dünnstäbe und Brücke einen runden oder eckigen Querschnitt von 15-100 mm² auf.

Quadratische Dünnstäbe haben vorzugsweise eine Kantenlänge von 5-10 mm.

Die Trägerkörper können aus Metall, einer metallischen Legierung oder aus einem Halbleiter bestehen. Auch Graphit kann prinzipiell verwendet werden.

In Hinblick auf möglichst niedrige Kontaminationen ist die Verwendung von

Trägerkörpern aus Silicium (mono- oder polykristallin) besonders bevorzugt. Neben der effektiven Vermeidung des Aufschmelzens des Siliciumstabpaares inkl. Brücke, insbesondere der Brückeninnenseite, ist die Erfindung auch aus anderen Gründen vorteilhaft. Zunächst wird ein Brückenauslaufen auch ohne die in US 2012/0048178 A1 genannten Bedingungen für die Strömungsverhältnisse im Reaktor verhindert.

Dadurch ist es möglich, die Strömungsverhältnisse im Reaktor und insbesondere die Stabtemperaturen sowie die Gasströme je nach gewünschtem Produkt zu optimieren.

Durch die verlängerte Brücke kann bei gleicher Stabanzahl eine größere Menge an Silicium abgeschieden werden. Es ist nicht nötig, dazu die Reaktorgeometrie zu ändern. Bezüglich einer vorteilhaften Stab- bzw. Elektrodenanordnung wird in vollem Umfang auf US 2013/0089488 A1 Bezug genommen.

Zudem können die Stabdurchmesser der abzuscheidenden Siliciumstäbe vergrößert werden, da die verlängerte Brücke das innere Zusammenwachsen verzögert. Es können also auch dicke Stäbe mit Durchmessern von mehr als 150 mm, bevorzugt mehr als 200 mm hergestellt werden. Die erhaltenen U-förmigen Siliciumstäbe können mehrere Meter hoch sein und mehrere 100 kg wiegen.

Die Morphologie an den Innenseiten der Stäbe verbessert sich. Es entsteht weniger Popcorn. Dies hängt damit zusammen, dass die größeren Abstände im

Brückenbereich zu besseren Gasströmungsverhältnissen im Bereich der Stäbe führen. Die größeren Abstände führen zu einer geringeren Gastemperatur.

Im Vergleich zum Stand der Technik werden Zwischenräume zwischen benachbarten Stabpaaren besser ausgenutzt, was ebenfalls mit wirtschaftlichen Vorteilen

verbunden ist.

Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Reaktionsgases enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen CVD-Reaktor enthaltend wenigstens einen erfindungsgemäßen Trägerkörper, der mittels Elektroden mit Strom versorgt und damit durch direkten Stromdurchgang auf eine Temperatur aufgeheizt wird, bei der sich polykristallines Silicium auf dem Dünnstabpaar abscheidet.

Je zwei Dünnstäbe werden an ihren einen Enden über eine Brücke verbunden. Es bildet sich ein Trägerkörper mit inverser U-Form. An den anderen Enden werden die Dünnstäbe jeweils mit einer auf der Reaktorbodenplatte befindlichen Elektrode verbunden. Die beiden Elektroden haben unterschiedliche Polung.

Der invers U-förmige Trägerkörper muss - falls er aus Silicium besteht - zunächst auf etwa mindestens 250°C vorgeheizt werden, um elektrisch leitfähig zu werden und durch direkten Stromdurchgang erhitzt werden zu können. Schließlich wird Reaktionsgas zugeführt, das eine Silicium enthaltende Komponente enthält. Die Silicium enthaltende Komponente des Reaktionsgases ist vorzugsweise Monosilan oder Halogensilan der allgemeinen Zusammensetzung SiH_nX₄-_n (n=0, 1 , 2, 3, 4; X = Cl, Br, I). Besonders bevorzugt handelt es sich um ein Chlorsilan oder um ein Chlorsilangemisch. Ganz besonders bevorzugt ist die Verwendung von

Trichlorsilan. Monosilan und Trichlorsilan werden vorzugsweise im Gemisch mit Wasserstoff eingesetzt.

An den erhitzten Dünnstäben und den waagerechten Brücken scheidet sich hochreines Polysilicium ab, wodurch deren Durchmesser mit der Zeit anwächst.

Nachdem der gewünschte Durchmesser erreicht ist, wird der Prozess beendet.

Die durch Abscheidung erhaltenen polykristallinen Siliciumstäbe werden

vorzugsweise in nachfolgenden Bearbeitungsschritten zu Bruchstücken zerkleinert, ggf. gereinigt und verpackt.

In Beispiel und Vergleichsbeispiel wurde jeweils mehrere Chargen polykristallines Silicium auf Dünnstabpaaren abgeschieden. Die Prozessbedingungen waren identisch. Die einzige Abweichung bestand in der unterschiedlichen Brückenlänge der Stabpaare.

Vergleichsbeispiel

Elektrodenabstand di =300 mm

Brückenlänge d₂ =300 mm Bei allen Chargen des Vergleichsbeispiels kam es zu einem teilweisen Brückenauslaufen. Bei einer der Chargen betrug die Aufschmelzquote 25% in Bezug auf die Zahl aller Stabpaare. Beispiel

Elektrodenabstand di =300 mm

Brückenlänge ch =318 mm Bei keinem der Versuche mit Brückenlänge 318 mm wurde ein Brückenauslaufen festgestellt.

Claims

Patentansprüche

1 . Trägerkörper für die Abscheidung von polykristallinem Siliciunn, aus Metall oder aus einem Halbleiter, umfassend zwei Dünnstäbe, die an ihren einen Enden jeweils mit einer waagerechten Brücke verbunden sind, und an ihren anderen Enden jeweils mit einer Elektrode verbunden sind, um den Trägerkörper mit Strom zu versorgen, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand der brückenseitigen Enden um 2-20% größer ist als ein Abstand der elektrodenseitigen Enden, so dass die Dünnstäbe mechanisch verspannt sind.

2. Trägerkörper nach Anspruch 1 , bestehend aus Silicium.

3. Trägerkörper nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2, wobei Dünnstäbe und Brücke einen runden oder eckigen Querschnitt von 15-100 mm² aufweisen.

4. Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Reaktionsgases enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente in einen CVD- Reaktor enthaltend wenigstens einen Trägerkörper nach Anspruchl oder nach Anspruch 2, der über Elektroden mit Strom versorgt und damit durch direkten

Stromdurchgang auf eine Temperatur aufgeheizt wird, bei der sich polykristallines Silicium auf dem Trägerkörper abscheidet.

5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Reaktor wenigstens 10 Trägerkörper umfasst, auf denen sich polykristallines Silicium abscheidet.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder nach Anspruch 5, wobei das Reaktionsgas Trichlorsilan und Wasserstoff umfasst.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei der durch Abscheidung von polykristallinem Silicium auf dem wenigstens einen Trägerkörper erhaltene U-förmige

Siliciumkörper aus dem Reaktor entnommen, in Bruchstücke zerkleinert, die erhaltenen Bruchstücke optional gereinigt und verpackt werden.