WO2014206647A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements Download PDF

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WO2014206647A1
WO2014206647A1 PCT/EP2014/060226 EP2014060226W WO2014206647A1 WO 2014206647 A1 WO2014206647 A1 WO 2014206647A1 EP 2014060226 W EP2014060226 W EP 2014060226W WO 2014206647 A1 WO2014206647 A1 WO 2014206647A1
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WO
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carrier
layer
optoelectronic component
optically active
active region
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PCT/EP2014/060226
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English (en)
French (fr)
Inventor
Philipp SCHWAMB
Simon SCHICKTANZ
Original Assignee
Osram Oled Gmbh
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/901—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component
  • an electronic component can be understood as a component which controls, controls or amplifies an electrical component
  • the electronic component can be understood, wherein the optoelectronic component has an optically active region.
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an electrical voltage applied to or over the optically active region.
  • an optoelectronic component for example as an integration of the optoelectronic component
  • Component can be understood in an electrical circuit, wherein the circuit can be electrically closed, for example by means of the electrical contacting of the electronic component.
  • an electrically contacted, electronic component can be understood as an embodiment of an electrical component.
  • an organic compound in the context of this description can be an organic compound
  • OLED organic light emitting diode
  • OFET organic field effect transistor
  • the organic field effect transistor may be an all-OFET in which all
  • Layers are organic.
  • An organic electronic component may comprise an organic functional layer system, which is synonymously also referred to as an organic functional layer structure.
  • a functional layered structure may include or be formed from an organic substance or mixture of organic substances, for example, for providing electromagnetic radiation from a supplied electrical current or for providing an electrical current from a provided and received
  • electromagnetic radiation is set up.
  • an OLED can potentially be produced inexpensively due to the possibility of large-scale manufacturing methods (e.g., roll-to-roll manufacturing processes).
  • OLEDs are therefore becoming increasingly popular and can be used for the illumination of surfaces.
  • Surface can be understood, for example, as a table, a wall or a floor.
  • Surface light sources can currently be produced technology-dependent only on rigid carriers, or it is only the production of rigid carriers technical or
  • Component with optically active regions which can be shaped into a three-dimensional shape.
  • Optoelectronic device which allows a molded surface for emitting or
  • Optoelectronic device which allows a light surface in a complex
  • a thin elastic film can be applied front or back. Subsequently, the carrier can be interrupted between the optically active regions. The elastic film can subsequently act as a joint between the at least two optically active regions, at least with the
  • the elastic film may comprise, for example, an adhesive, a foil or a lacquer. Its thickness may range from about 10 ⁇ to about 5000 ⁇ .
  • the elastic film can be applied, for example, by means of spraying, doctoring or printing.
  • the elastic film may also fulfill further functional properties in the OLED structure, for example it may comprise a coupling-out layer, a planarization layer, a layer with introduced scattering particles or incorporated getter particles
  • Adhesive layer or a scratch-resistant layer Adhesive layer or a scratch-resistant layer.
  • the elastic film may be applied at least to a necessary connection area necessary to interconnect individual optically active areas of a carrier.
  • Areas are still contiguous, and therefore, for example, can be moved as a whole and rigidly to each other
  • Optoelectronic component having a support, and at least one formed on or above the support optically active region and at least one arranged on or above the support elastic layer, wherein the carrier is severed at least in a predetermined range, but the elastic layer remains undurched.
  • the at least one optically active region may comprise a plurality of optically active regions, each optically active region being separated from the optically active region
  • a plurality of optically active regions may be disposed on an associated active region carrier region, and the predetermined region may be disposed between the active region carrier regions.
  • the carrier may be rigid.
  • the carrier may be flexible.
  • the carrier may have a shape
  • predetermined areas be arranged so that the
  • Optoelectronic component can be arranged to form a three-dimensional shape, the surface of which corresponds to the unwindable surface.
  • the carrier may have a shape
  • Component as transparent or translucent
  • the elastic layer may be formed over the optically active region. In yet another embodiment, the elastic layer may be formed below the optically active region. In yet another embodiment, the elastic layer may be formed on a side of the carrier opposite the optically active region. In yet another embodiment, the elastic layer may comprise at least one of the following layers: a
  • Lacquer layer an elastic conductor layer, a
  • Planarization layer Planarization layer, a heat distribution layer, a layer of scattering particles, a layer of getter particles, an adhesive layer.
  • the elastic layer may iron on at least one of the following:
  • the plurality of elastic layers may have different elasticities.
  • a method for producing an optoelectronic component can be
  • the cutting of the carrier by means of scribing of the carrier in the predetermined area on an opposite side of the elastic layer of the carrier and breakage of the carrier in the scribed area can take place.
  • the method of making an optoelectronic device may further comprise sealing the severed side of the carrier.
  • the method for producing an optoelectronic component may further include arranging the carrier into a three-dimensional shape.
  • the method for producing an optoelectronic component may further include chamfering the carrier in the predetermined region, wherein the
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • transparent 11 or transparent layer
  • transparent layer can be understood as meaning that a layer is permeable to light, for example for the light generated by the organic light-emitting diode
  • one or more wavelength ranges for example, for light in a wavelength range of visible light (for example, at least in one
  • Translucent layer in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of the material is transformed into a structure (for example a layer) coupled amount of light from the structure (for example, layer) is coupled out.
  • an “elastic layer” can be understood as meaning a layer which is reversibly deformable, which therefore returns to its original shape after being bent, compressed or stretched.
  • an organic substance may be one which, regardless of the particular state of matter, is present in chemically uniform form
  • an organic-inorganic substance can be a
  • S off encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid Understand substance (s).
  • material can be used synonymously with the term “substance”.
  • a neutral fiber of an optoelectronic component can be understood to mean the region of the layer cross section of the optoelectronic component which, when the optoelectronic component is bent, i. Exerting tensile forces and compressive forces on the layers in the cross section of the optoelectronic
  • the sectional plane of the optoelectronic component may be parallel to the surface normals of the two-dimensional boundary surfaces of a cross section or a layer cross section
  • a “getter” may comprise a substance or a substance mixture which absorbs harmful substances and / or harmful mixtures of substances, for example oxygen or the water of atmospheric moisture, but a getter may also be distributed in a matrix.
  • Figure 1 is a plan view and two cross-sectional views
  • Figure 2 is a plan view and two cross-sectional views
  • Figure 3 is a plan view and two cross-sectional views
  • Figure 4 is a plan view and two cross-sectional views
  • Figure 5 is a plan view and two cross-sectional views
  • Figures 6a and 6b are two cross-sectional views along the
  • FIG. 6b shows a cross-sectional view along the line BB from FIG. 5 of an optoelectronic component.
  • FIG 200 according to various embodiments of the present invention after a process step for their preparation;
  • Figure 7 is a cross-sectional view taken along the line BB
  • FIGS. 8a. and Fig. 8b is a plan view of a flat
  • FIG. 9 is a flow chart showing a method for
  • FIG. 10 shows images of an experimental implementation of a
  • FIG. 1 shows a plan view and two cross-sectional views taken along lines A-A and B-B, respectively, of an opto-electronic device 100 according to various embodiments of the present invention after a fabrication process.
  • the optoelectronic component 100 may have a carrier 102.
  • the carrier 102 may, for example, as a
  • Carrier element for an optically active region for an optically active region
  • the carrier 102 may be transparent, translucent, partially translucent or partially transparent.
  • the carrier 102 may be rigid.
  • the carrier 102 may comprise or be formed from glass, for example quartz glass,
  • the carrier may be flexible.
  • the carrier 102 may comprise, for example, a Kapton film (PI), a metal foil or a PET film.
  • the carrier 102 may comprise or be formed from a steel foil, a plastic foil or a laminate with one or more plastic foils.
  • the plastic may be one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate ⁇ PC),
  • PET Polyethylene terephthalate
  • PES polyethersulfone
  • the carrier 102 may comprise one or more of the above-mentioned materials.
  • At least one organic light-emitting diode 106 may be arranged on or above a carrier 102.
  • the at least one organic light emitting diode 106 may include a plurality of organic light emitting diodes 106, wherein each organic light emitting diode of the plurality of organic light emitting diodes may be disposed on an associated active region carrier region.
  • the organic light emitting diode 106 may include a first electrode, a second electrode and an organic functional layer stack interposed therebetween.
  • the first electrode may include a first electrode, a second electrode and an organic functional layer stack interposed therebetween.
  • the first electrode may include a first electrode, a second electrode and an organic functional layer stack interposed therebetween.
  • Electrode (for example in the form of an electrode layer) on or above the carrier 102 may be applied.
  • the first electrode may be made of an electrically conductive material
  • TCO conductive transparent oxide
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example metal oxides, such as
  • binary oxide Zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal-oxygen compounds such as ZnO, Sn02, or 1 ⁇ 03
  • ternary metal-oxygen compounds such as, for example, AlZnO, Zn 2 Sn0 4, CdSn0 3, ZnSnOa, Mgln 2 0 4, Galn03, ⁇ 2 ⁇ 2 ⁇ 5 or I ⁇ S ⁇ On 2 or Truster - different transparent conductive oxides to the group of TCOs and can in different
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode comprising a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and
  • Electrode be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode may be electrically conductive
  • the first electrode may (for example in the case of a metallic first electrode) have a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm,
  • a layer thickness of greater than or equal to about 10 nm for example, a layer thickness of greater than or equal to about 15 nm.
  • the first electrode may be a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode has or is formed of a conductive transparent oxide (TCO)
  • the first electrode may be, for example, one
  • the first electrode is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes, which may be combined with conductive polymers, or of graphene layers and composites are formed, the first electrode having, for example, a layer thickness ranging from about 1 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness ranging from about 10 nm to about 400 nm, for example, one
  • Layer thickness in a range of about 40 nm to about 250 nm.
  • the organic light emitting diode 106 may further include an organic functional layer structure disposed on or above the first electrode.
  • the organic functional layer structure may contain one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more charge carrier transport layers
  • Electrode conduction layers ETL derived from the English term “Electron Transport Layer” or hole line layers HTL, derived from the English term “Hole Transport Layer” (not shown)).
  • emitter materials which may be employed in organic light emitting diode 106 according to various emitter layer (s) embodiments include organic or organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene, and polyphenylene (eg, 2- or 2, 5-substituted poly-p -phenylenevinylene) as well
  • Metal complexes for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green
  • Dicyanomethylene -2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example.
  • polymer emitters which can be used in particular by means of wet-chemical processes, such as
  • spin coating are separable.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • the emitter materials of the emitter layer (s) of the organic light emitting diode 106 may be selected so that the organic light emitting diode 106 emits white light.
  • the emitter layer (s) may comprise a plurality of emitter materials emitting different colors (for example blue and yellow or blue, green and red), alternatively the emitter layer (s) may also be composed of several sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer or blue phosphorescent emitter layer, one green
  • the organic functional layer stack may generally have one or more functional layers.
  • the one or more functional layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic
  • Layer structure have one or more functional layers that is or are designed as a hole transport layer, so that, for example, in the case of an OLED an effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region are made possible.
  • a hole transport layer For example, tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or polyethylenedioxythiophene can be used as the material for the hole transport layer.
  • the one or more functional layers may or may be considered
  • the electroluminescent layer may be carried out electroluminescent layer.
  • the electroluminescent layer may be carried out electroluminescent layer.
  • Hole transport layer applied to or over the first electrode for example, deposited, be, and the
  • Emitter layer may be applied to or over the hole transport layer, for example deposited.
  • the organic light emitting diode 106 may generally further
  • the organic light-emitting diode 106 may have a layer thickness of at most approximately 1.5 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately 1.2 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 800 nm, for example one Layer thickness of about 500 nm, for example, a maximum layer thickness about 400 nm, for example, a layer thickness of at most about 300 nm.
  • the organic light-emitting diode 106 may, for example, comprise a stack of a plurality of OLEDs arranged directly one above the other, wherein each OLED may for example have a layer thickness of at most approximately 1.5 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 1.2 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ , for example a layer thickness of at most approximately 800 nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of approximately approximately approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic light emitting diode 106 may comprise a stack of three or four directly stacked OLEDs, in which case, for example, the organic functional one
  • Layer structure may have a layer thickness of at most about 6 ⁇ .
  • Electrode have the same electrically conductive materials and layer thicknesses or be formed therefrom as the materials and layer thicknesses mentioned in connection with the description of the first electrode.
  • the second electrode may have the same material and / or the same layer thickness as the first electrode, or one or more materials that are different from the first electrode
  • an encapsulation 104 may optionally be provided on or above the second electrode and thus on or above the organic light-emitting diode 106.
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 104 may be formed or its.
  • a “barrier thin film” 104 or a “barrier thin film” 104 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water ( Moisture) and oxygen.
  • the barrier film 104 is formed to be resistant to OLED damaging materials such as
  • the barrier film layer 104 may be formed as a single layer (in other words, than
  • the barrier thin film 104 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • the barrier thin film 104 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • Barrier thin film 104 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 104 or one or more sublayers of the barrier film 104 may be formed, for example, by a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • Chemical Vapor Deposition e.g. one
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • ⁇ PLCVD plasmaless vapor deposition process
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 104 having multiple sublayers, all sublayers formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence which has only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate.” According to an alternative embodiment, in a
  • Barrier thin film 104 having a plurality of sub-layers, one or more sub-layers of the barrier thin film 104 by a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 104 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 104 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 104 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 104 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 104 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more ande e of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 104 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 104 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 104 (or the individual sub-layers of the barrier film 104) may be made of a translucent or transparent substance (or a mixture of substances that is translucent or transparent).
  • Barrier thin film 104 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack having a plurality of sublayers one or more of the sublayers of the barrier film 104 comprise one or more high refractive indexes, in other words one or more high content materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • Optoelectronic component 100 furthermore, Optoelectronic component 100 furthermore, Optoelectronic component 100 furthermore, Optoelectronic component 100 further
  • Metallization layers 108 may each be physically and electrically connected to either the first electrode or the second electrode.
  • the first electrode is electrically insulated from the second electrode and the metallization layer 108 connected to the second electrode by means of electrical insulation.
  • the metallization layers 108 may be formed in the geometric edge region of the carrier 102 on or above the carrier 102, for example laterally next to the first electrode.
  • the metallization layers 108 may be used as a substance or
  • Substance mixture have a substance or a mixture of substances similar to the electrodes or be formed from it.
  • Fig. 2 shows a plan view and two cross-sectional views along the lines.
  • the optoelectronic component 100 shown in FIG. 2 differs from that shown in FIG. 1
  • FIG. 3 shows a plan view and two cross-sectional views along the lines A-A and B-B of an optoelectronic component 100 according to various embodiments of the present invention after a method step for their production.
  • the optoelectronic component 100 shown in FIG. 3 differs from that shown in FIG. 3
  • a flexible, electrically conductive layer 310 is applied.
  • the flexible, electrically conductive layer 310 may be sprayed on. In other embodiments, the flexible, electrically conductive layer 310 may be adhered. In various embodiments, the flexible, electrically conductive layer 310 may include or be formed from a coating. In other embodiments, the flexible, electrically conductive layer 310 may include or be formed from a foil.
  • the flexible, electrically conductive layer 310 may be stretchable
  • Fig. 11 shows a plan view and two cross-sectional views along the lines A-A and B-B of an optoelectronic component 100 according to various embodiments of the present invention after a method step for their production.
  • the optoelectronic component 100 shown in FIG. 4 differs from that shown in FIG. 4
  • Optoelectronic device 100 characterized in that on the optoelectronic device 100 on one side of an elastic layer 412 is applied.
  • the elastic layer 412 may be provided on the surfaces of the carrier 102, the organic light emitting diode 106, the metallization layer 108, the barrier thin film 104, and the flexible, exposed on one side of the optoelectronic component 100.
  • electrically conductive layer 310 may be applied.
  • the elastic layer 412 may be disposed between the carrier 102 and the organic light emitting diode 106. In other embodiments, the elastic layer 412 may be on the other side of the optoelectronic device 100, so on the side of the carrier, which is opposite to the organic light emitting diode, be applied.
  • the elastic layer 412 may over the entire surface of
  • the elastic layer 412 may be applied only to portions of the surface of the side to be coated.
  • the elastic layer 412 may be formed as a single layer (in other words, as a single layer).
  • the elastic layer 412 may include a plurality of elastic layers 412 and 1212, respectively.
  • Cutting the carrier predetermined area can be formed on each other.
  • the elastic layers 412 have the same substance or the same mixture.
  • the plurality of elastic layers 412 may comprise different substances or mixtures of substances.
  • the elasticity of the substances which form the elastic layers 412 may be the same.
  • the elasticity of the fabrics forming the elastic layers 412 may be different, whereby a preferential bending direction may be formed.
  • the elastic layer 412 may include at least one of
  • PET Polyethylene terephthalate
  • polyimide for example polybismaleimide (PBMI), polybenzimidazole (PBI),
  • PBO Polyoxadiazobenzimidazole
  • PISO polyimide sulfone
  • PI Polymethacrylimide
  • the elastic layer 412 may comprise another elastic material »
  • the elastic material in various embodiments, the elastic
  • the elastic layer may be functionalized, for example optically or chemically.
  • the elastic layer may be a
  • Decoupling layer a planarization layer, a
  • Adhesive bonding layer for a scratch-resistant layer or for a cover, a layer with embedded
  • the elastic layer 412 may include a plurality of said punctures.
  • the elastic layer 412 may be a
  • the elastic layer 412 may comprise an adhesive and / or a resist by means of which, for example, a scratch-proofing layer (not shown, eg, a glass cover, a metal foil cover, a sealed plastic film cover) is affixed to, for example glued, the barrier film 104.
  • a scratch-proofing layer not shown, eg, a glass cover, a metal foil cover, a sealed plastic film cover
  • the optically translucent layer not shown, eg, a glass cover, a metal foil cover, a sealed plastic film cover
  • elastic layer 412 of adhesive and / or protective lacquer have a layer thickness of greater than 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several t.
  • the adhesive may have a lamination adhesive f or be such.
  • the scratch-resistant layer for example made of glass, for example by means of a
  • Frit connection English, glass frit bonding / glass
  • Soldering / seal glass bonding be applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic light emitting diode with the barrier film 104.
  • light-scattering particles for example dielectric
  • Be provided scattering particles such as metal oxides such as silica (SiC> 2), zinc oxide (ZnO), zirconia (Zr0 2 ), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20 x ) alumina , or titanium oxide.
  • metal oxides such as silica (SiC> 2), zinc oxide (ZnO), zirconia (Zr0 2 ), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20 x alumina , or titanium oxide.
  • Other particles may be suitable, provided that they have a
  • Metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or
  • the adhesive may be configured to itself have a refractive index less than the refractive index of
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • an adhesive may be a high refractive adhesive
  • the organic functional layer structure has high-refraction, non-diffusing particles and has a mean refractive index, the unge about the middle Refractive index of the organic functional layer structure corresponds, for example in a range of about 1, 7 to about 2.0. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • the / may
  • Scratch protective layer and / or the adhesive layer 412 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1:55.
  • the elastic layer 412 may include or be formed from the scratch-resistant layer.
  • the elastic layer 412 may include or be formed from the adhesive layer and the scratch-resistant layer. In various embodiments, the elastic layer 412 may include a heat distribution layer, which may be in
  • the heat distribution layer is configured to distribute the heat of the organic light emitting diode 106.
  • the heat distribution layer may be configured as a composite foil or a
  • a composite film may comprise a carrier, for example a carrier film or a carrier network, wherein the carrier may be coated on one or both sides, for example with a thin one
  • the composite foil Coating with high thermal conductivity.
  • the composite foil Coating with high thermal conductivity.
  • Component 100 to be connected.
  • the cohesive in one embodiment, the cohesive
  • the hot distribution layer may have a thickness in a range from about 1 ⁇ to about 2 mm, for example, in a range from about 1 ⁇ to about 500 ⁇ , for example, in a range from about 20 ⁇ to about 400 ⁇ , for example, in one Range from about 50 ⁇ to about 200 ⁇ ,
  • the heat distribution layer may be one of the following substances or a substance mixture with one of the following substances on iron or formed therefrom: aluminum, steel, copper, carbon black, graphite, graphe,
  • Carbon nanotubes. 5 shows a top view and two cross-sectional views along the lines A-A and B-B of an optoelectronic component 100 according to various embodiments of the present invention after a method step for their production.
  • the optoelectronic component 100 shown in FIG. 5 differs from that shown in FIG. 5
  • Optoelectronic device 100 characterized in that predetermined areas 515 are designated, in which the carrier 102 can be severed.
  • the predetermined regions 515 may be disposed between the active region carrier regions. It is thereby achieved that after a severing of the carrier 102 in the predetermined regions 515, the organic light-emitting diode 106 is not exposed wi d.
  • the carrier 102 such as a glass substrate, may be scribed by a glass cutter 514 and then broken along the scribe. In other embodiments, the carrier 102 may be severed by other suitable methods, with the elastic layer 412 remaining undrawn in the predetermined range.
  • 6a shows two cross-sectional views along the line BB and along the line CC of Figure 5 of a
  • Optoelectronic device 100 according to various aspects
  • Figure 6b shows a cross-sectional view along the line B-B of Figure 5 of an optoelectronic device 200 according to various
  • the optoelectronic component 100 shown in FIG. 6a differs from that shown in FIG.
  • Optoelectronic device 100 characterized in that the carrier 102 has been severed in the predetermined regions 515 and that connected by the elastic layer 412
  • Regions was deformed by bending. It was through the cutting separated parts of the carrier 102 bent away from each other.
  • the optoelectronic component 200 shown in FIG. 6b differs from that shown in FIG. 6b
  • Optoelectronic device 100 characterized in that the
  • the elastic layer 412 is not disposed above the organic light emitting diode 106, for example, above the barrier thin film 104, but between the organic light emitting diode 106 and the substrate 102.
  • the elastic layer 412 may include, for example
  • Layer 412 connected optoelectronic device 200 in the predetermined areas deformed by bending In this case, parts of the carrier 102, which were separated from each other by the cutting, bent towards each other. To make this possible, edges of the carrier can be attached to the
  • severed predetermined areas 515 may be chamfered in various embodiments.
  • chamfering may occur during cutting.
  • the chamfering can be done after cutting.
  • layers disposed on a side of the elastic layer 412 opposite the carrier 102 may be chamfered in the predetermined area.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view along the line B-B from FIG. 6 a of an optoelectronic component 100 according to various exemplary embodiments of the present invention
  • Optoelectronic component 100 differs from the optoelectronic component 100 shown in FIG. 6 a in that in FIG. 7, after the carrier 102 has been severed, a protective layer 616 has been applied over the carrier 102.
  • the protective layer 616 may include a barrier thin film.
  • the protective layer 616 a is a layer of the protective layer 616 a
  • Scratch protector layer or have another suitable protective layer.
  • Fig. 8a shows a plan view of a flat
  • Optoelectronic device 300 according to various aspects
  • Embodiments of the present invention, and Figure 8b is a perspective view of the converted into a three-dimensional structure optoelectronic device 300th
  • the surface of the optoelectronic component 300 and the predetermined regions may be configured such that the planar light source can be arranged to form a three-dimensional body after the predetermined regions 515 have been severed.
  • the planar light source can be arranged to form a three-dimensional body after the predetermined regions 515 have been severed.
  • optoelectronic component 300 for example, be designed so that the two-dimensional optoelectronic component 300 can be deformed by bending to a lateral surface of a pyramid shown in Figure 8b.
  • open cut edges 718 of FIG. 8a are shown
  • the two-dimensional optoelectronic device 300 may be deformable by bending to another three-dimensional shape.
  • the optoelectronic component 300 may have a neutral fiber during bending.
  • the optoelectronic device 300 may not have a neutral fiber during forming.
  • the optoelectronic component 300 may be deformable such that no neutral Paser is present during the forming.
  • the entire elastic layer 412 can be stretched or compressed, in particular stretched.
  • more complex three-dimensional shapes can be formed, which can not be formed from a surface without stretching the entire elastic layer 412.
  • Optoelectronic devices 300 which have a flexible support 102, be provided with an elastic layer 412, which has a higher elasticity than the elasticity of the carrier 102.
  • the barrier thin layer can be protected during deformation by forming or stretching mainly taking place in the predetermined regions 515, in which, after severing the carrier, substantially only the elastic layer 412 having a locally increased elasticity or
  • predetermined area 515 other than the elastic layer 412 after cutting the carrier 102nd remain imperforate, unless they affect the formability of the optoelectronic device 300 and their function is not affected by the severing of the carrier 102.
  • FIG. 9 shows a flowchart which shows a method for producing an optoelectronic component according to FIG.
  • a carrier may be provided in step S1000.
  • At least one organic light-emitting diode can be applied on or above the carrier in step S100.
  • At least one elastic layer may be applied to or over the carrier in step S1002.
  • the elastic layer can be applied in front of the organic light-emitting diode.
  • the elastic layer may be applied after the organic light emitting diode.
  • the elastic layer may be applied on the same side of the carrier as the organic light emitting diode.
  • the elastic layer may be applied to another side of the carrier.
  • the carrier in step S1003, may be severed in a predetermined range with the elastic layer in the predetermined range
  • the method for producing an optoelectronic component may further include arranging the optoelectronic component into a three-dimensional shape.
  • the method of fabricating an optoelectronic device may further comprise sealing the severed side of the carrier, wherein the sealing may preferably occur after arranging the optoelectronic device into a three-dimensional shape.
  • the method of fabricating an optoelectronic device may further include chamfering the carrier in the predetermined range, wherein juxtaposed chamfered edges of the carrier approximate each other in arranging the carrier for three-dimensional shape.
  • other layers of the optoelectronic device may be chamfered on a side of the elastic layer opposite the carrier in the predetermined range.
  • a support of an optoelectronic device was scribed and ruptured along three predetermined areas from one side of the Carrier ago severed, wherein on another side of the support, a connecting elastic adhesive film, which also serves as a scratch protection and moisture barrier, is applied by means of an elastic adhesive layer. After severing the carrier, whereby four separate carrier portions were formed, forms the flat
  • This is moldable along the predetermined areas in which it is bendable by means of the elastic layer formed by the elastic adhesive sheet and the elastic adhesive sheet, into a three-dimensional shape.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein optoelektronisches Bauelement (100) einen Träger (102) aufweisen, sowie mindestens einen auf oder über dem Träger (102) ausgebildeten optisch aktiven Bereich (106) und mindestens eine auf oder über dem Träger (102) angeordnete elastische Schicht (412), wobei der Träger (102) mindestens in einem vorbestimmten Bereich durchtrennt ist (515), wobei jedoch die elastische Schicht (412) undurchtrennt verbleibt.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements . Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen
Stromes betrifft, beispielsweise mitteis Verwendens von
Halbleiterbauelementen.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines
elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer an oder über den optisch aktiven Bereich angelegten elektrischen Spannung elektromagnetische Strahlung emittieren.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein elektrisches
Kontaktieren eines elektrischen Bauelementes oder eines elektrischen Bereiches des elektrischen Bauelementes, beispielsweise eines elektronischen Bauelementes,
beispielsweise eines optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise als ein Einbinden des optoelektronischen
Bauelementes in einen elektrischen Stromkreis verstanden werden, wobei der Stromkreis beispielsweise mittels des elektrischen Kontaktierens des elektronischen Bauelementes elektrisch geschlossen werden kann. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein elektrisch kontaktiertes , elektronisches Bauelement als eine Ausführung eines elektrischen Bauelementes verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein organisches
elektronisches Bauelement in verschiedenen Ausgestaltungen als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , eine organische Photovoltaikanlage , beispielsweise eine organische Solarzelle , ein organischer Sensor, ein organischer Feldeffekttransistor {organic fieid effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik
ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen all -OFET handeln, bei dem alle
Schichten organisch sind. Ein organisches elektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische
funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom oder zum Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer bereitgestellten und aufgenommenen
elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist .
Eine organische Leuchtdiode zeichnet sich üblicherweise durch eine mechanische Flexibilität und moderate
Herstellungsbedingungen aus . Verglichen mit einem Bauelement aus anorganischen Materialien kann eine OLED aufgrund der Möglichkeit großflächiger Herstellungsmethoden (z.B. Rolle- zu-Rolle-Herstellungsverfahren) potentiell kostengünstig hergestellt werden .
OLEDs finden daher zunehmend verbreitete Anwendung und können für die Beleuchtung von Oberflächen eingesetzt werden. Eine
Oberfläche kann dabei beispielsweise als ein Tisch, eine Wand oder ein Fußboden verstanden werden. Flächenlichtquellen können derzeit technologieabhängig nur auf starren Trägern hergestellt werden, bzw. es stellt nur die Herstellung auf starren Trägern technische oder
wirtschaf liche Vorteile bereit . Stand der Technik ist beispielsweise die Verwendung starrer Glasträger für
organische Leuchtdioden.
Mit solchen starren Flächenlichtmodulen sind schwerlich gebogene Frei ormen herstellbar . Solche können jedoch
beispielsweise aus ästhetischen oder lichtstrahlformenden Gründen interessant sein. Organische Leuchtdioden auf
flexiblen Trägern sind in der Entwicklung, bislang können jedoch gebogene Formen nur dadurch verwirklicht werden, dass starre OLEDs mit externen Formkörpern verbunden und so in der gewünschten Form gehalten werden.
Darum besteht ein Bedarf an einem optoelektronischen
Bauelement , insbesondere an einem optoelektronischen
Bauelement mit optisch aktiven Bereichen, welches zu einer dreidimensionalen Form formbar ist .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt , welches es erlaubt , eine geformte Fläche zum Emittieren oder zum
Absorbieren von Licht (kurz : Lichtfläche) aus starren
Bauteilen herzustellen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt , welches es erlaubt , eine Lichtfläche in einer komplexen
dreidimensionalen Form herzustellen, welche ohne Dehnung nicht aus einer Fläche formbar ist . In verschiedenen Ausfuhrungsformen kann vor der Vereinzelung einzelner optisch aktiver Bereiche eines Trägers vorder- oder rückseitig ein dünner elastischer Film aufgebracht werden. Anschließend kann der Träger zwischen den optisch aktiven Bereichen unterbrochen werden . Der elastische Film kann nachträglich als Gelenk zwischen den mindestens zwei optisch aktiven Bereichen wirken, die wenigstens mit dem zur
beabsichtigten relativen Verdrehung notwendigen Abst nd verbunden sind. Alternativ ist das Gelenk ausreichend
dehnbar .
Der elastische Film kann beispielsweise einen Klebstoff , eine Folie oder einen Lack aufweisen . Seine Dicke kann in einem Bereich von ungef hr 10 μτ bis ungefähr 5000 μχα liegen. Der elastische Film kann beispielsweise mittels Sprühens , Rakelns oder Druckens aufgebracht werden. Der elastische Film kann ferner weitere funktionale Eigenschaften im OLED-Aufbau erfüllen, beispielsweise kann er eine Auskopplungsschicht , eine Planisierungsschicht , eine Schicht mit eingebrachten Streupartikeln oder eingebrachten Getterpartikel , eine
KlebstoffSchicht oder eine Kratzschutzschicht aufweise . In verschiedenen Ausführungsformen kann der elastische Film zumindest auf einem nötigen Verbindungsbereich aufgebracht sein, der notwendig ist um einzelne optisch aktive Bereiche eines Trägers miteinander zu verbinden.
Gegenüber einer Verbindung einzelner optisch aktiver Bereiche nach einer Vereinzelung ergibt sich ein Vorteil einer
vereinfachten Verarbeitbarkeit , da die optisch aktiven
Bereiche noch zusammenhängend sind, und daher beispielsweise als Ganzes bewegt werden können und starr zueinander
ausgerichtet sind .
In verschiedenen Ausf hrungsbeispielen kann ein
optoelektronisches Bauelement einen Träger aufweisen, sowie mindestens einen auf oder über dem Träger ausgebildeten optisch aktiven Bereich und mindestens eine auf oder über dem Träger angeordnete elastische Schicht, wobei der Träger zumindest in einem vorbestimmten Bereich durchtrennt ist, wobei jedoch die elastische Schicht undurchtrennt verbleibt . In einer Ausgestaltung kann der mindestens eine optisch aktive Bereich eine Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen aufweisen, wobei jeder optisch aktive Bereich von der
Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen auf einem zugeordneten Aktivbereich-Trägerbereich angeordnet sein kann, und der vorbestimmte Bereich zwischen den Aktivbe eich- Trägerbereichenangeordnet sein kann, In einer Ausgestaltung kann der Träger starr sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Träger flexibel sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Träger eine Form
aufweisen, welche einer Abwicklung einer abwickelbaren Fläche entspricht .
In noch einer Ausgestaltung können die durchtrennten
vorbestimmten Bereiche so angeordnet sein, dass das
optoelektronische Bauelement zu einer dreidimensionalen Form anordenbar ist, deren Oberfläche der abwickelbaren Fläche entspricht.
In noch einer Ausgestaltung kann der Träger eine Form
aufweisen, welche keiner Abwicklung einer abwickelbaren
Fläche entspricht.
In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische
Bauelement als transparentes oder transluzentes
optoelektronisches Bauelement ausgeführt sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die elastische Schicht über dem optisch aktiven Bereich ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die elastische Schicht unter dem optisch aktiven Bereich ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die elastische Schicht auf einer dem optisch aktiven Bereich gegenüber liegenden Seite des Trägers ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die elastische Schicht mindestens eine der folgenden Schichten aufweisen: eine
Lackschicht, eine elastische Leiterschicht , eine
Auskoppelschicht , eine Barrierefolie , eine
Planisierungsschicht , eine Wärmeverteilungsschicht , eine Schicht mit Streupartikeln, eine Schicht mit Getterpartikeln, eine Klebstoffschicht .
In noch einer Ausgestaltung kann die elastische Schicht mindestens einen der folgenden Stoffe auf eisen:
Polyethylenterephthalat , Polyimide, Acryle .
In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine
elastische Schicht eine Mehrzahl von elastischen Schichten aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann die Mehrzahl von elastischen Schichten unterschiedliche Elastizitäten aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ein
Bereitstellen eines Trägers aufweisen, sowie ein Aufbringen mindestens eines optisch aktiven Bereichs , ein Aufbringen mindestens einer elastischen Schicht und ein Durchtrennen des Trägers in einem vorbestimmten Bereich, wobei die elastische Schicht undurchtrennt verbleibt .
In einer Ausgestaltung kann das Durchtrennen des Trägers mittels Ritzens des Trägers im vorbestimmten Bereich auf einer der elastischen Schicht gegenüberliegenden Seite des Trägers und Brechens des Trägers im geritzten Bereich erfolgen . In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ferner ein Versiegeln der durchtrennten Seite des Trägers aufweisen. In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren, zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ferner ein Anordnen des Trägers zu einer dreidimensionalen Form aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ferner ein Anfasen des Trägers im vorbestimmten Bereich aufweisen, wobei beim
Anordnen des Trägers zur dreidimensionalen Form
nebeneinanderliegende angefaste Kanten des Trägers einander angenähert werden und/oder in körperlichen Kontakt
miteinander gebracht werden .
Unter dem Begriff „transparent" , bzw. „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird .
Unter dem Begriff „transluzent11, bzw, „ Iransiuzente Schicht" kann im Rahmen dieser Beschreibung verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von der organischen Leuchtdiode erzeugte Licht ,
beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche , beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem
Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer „elastischen Schicht" eine Schicht verstanden werden, welche reversibel verformbar ist, welche also nach einer Biegung, Stauchung oder Streckung wieder ihre ursprüngliche Form einnimmt.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine , ungeachtet des j eweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende , durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher Kohlenstoffverbxndung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff ) eine ,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende , durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „S off" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff , einen anorganischen Stoff , und/oder einen hybriden Stoff . Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem
Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht , deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer neutralen Faser eines optoelektronischen Bauelements der Bereich des Schichtenquerschnittes des optoelektronischen Bauelements verstanden werden, der beim Biegen des optoelektronischen Bauelements, d.h. Ausüben von Zugkräften und Druckkräften auf die Schichten im Querschnitt des optoelektronischen
Bauelements, keiner Streckung oder Stauchung unterliegt.
Unter einem Querschnitt oder einem Schichtquerschnitt kann die Schnittebene des optoelektronischen Bauelements parallel zu den Flächennormalen der flächigen Grenzflächen der
Schichten des optoelektronischen Bauelements verstanden werden.
Im Biegebereich, das heißt dem Querschnittsbereich der gebogenen Schichten, kann der Stoff oder das Stoffgemisch an der Außenseite des Schichtquerschnittes bezüglich der
Biegekante gestreckt werden, während der Stoff oder das
Stoffgemisch an der Innenkante gestaucht wird.
Im Rahme dieser Beschreibung kann ein „Getter" ein Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen, welches schädliche Stoffe und/oder schädliche Stoffgemische absorbiert , beispielsweise Sauerstoff oder das Wasser der Luftfeuchtigkeit . Ein Getter kann edoch auch in einer Matrix verteilt sein,
beispielsweise in Form von Partikeln oder gelöst , und mittels der Absorption schädlicher Stoffe oder schädlicher
Stoffgemische dazu führen, dass der Stoff oder das
Stoffgemisch der Matrix zusätzlich Sauerstoffabweisende und/oder Feuchtigkeitsabweisende Eigenschaften aufweist . Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert . Es zeigen
Figur 1 eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten
eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung;
Figur 2 eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten
eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung; Figur 3 eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten
eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung;
Figur 4 eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten
eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung;
Figur 5 eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten
eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung;
Figuren 6a und 6b zwei Querschnittsansichten entlang der
Linie B-B bzw. entlang der Linie C-C aus Fig.5 von einem optoelektronischen Bauelement 100 und Figur
6b eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B aus Fig.5 von einem optoelektronischen Bauelement 200 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung; Figur 7 eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B aus
Fig.6a eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung
Figuren 8a. und 8b eine Draufsicht auf ein flaches
optoelektronisches Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung und eine perspektivische Ansicht dem zu einer dreidimensionalen Struktur umgeformten
optoelektronischen Bauelement ;
Figur 9 ein Ablaufdiagramm , welches ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen darstellt ;
Figur 10 Bilder einer experimentellen Umsetzung eines
optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Sc utzumf ng der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig.l zeigt eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten entlang der Linien A-A bzw. B-B eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß verschiedenen Äusführungsbexspielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann einen Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein
Trägerelement für einen optisch aktiven Bereich,
beispielsweise für eine organische Leuchtdiode 106 dienen. Der Träger 102 kann transparent, transluzent, teilweise transluzent oder teilweise transparent ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Träger 102 starr sein. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Quarzglas,
Kronglas, Fensterglas, Kalk-Natron-Glas oder Flintglas, und/oder ein Halbleitermaterial, und/oder ein Metall oder eine Metallverbindung, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches, oder irgendeinen anderen geeigneten Material .
In anderen Ausführungsbeispielen kann der Träger flexibel sein. Der Träger 102 kann beispielsweise eine Kapton-Folie (PI) , eine Metallfolie oder eine PET-Folie aufweisen.
Beispielsweise kann der Träger 102 eine Stahlfolie, eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) } aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat {PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) ,
Polyetheretherketon (PEEK) , Polytetrafluorethylen (PTFE) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über einer dem Träger 102 mindestens eine organische Leuchtdiode 106 angeordnet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die mindestens eine organische Leuchtdiode 106 eine Mehrzahl von organischen Leuchtdioden 106 aufweisen, wobei jede organische Leuchtdiode von der Mehrzahl von organischen Leuchtdioden auf einem zugeordneten Aktivbereich-Trägerbereich angeordnet sein kann .
Die organische Leuchtdiode 106 kann eine erste Elektrode , eine zweite Elektrode und einen dazwischen angeordneten organischen funktionellen Schichtenstapel aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode (beispielsweise in Form einer Elektrodenschicht) auf oder über dem Träger 102 aufgebracht sein. Die erste Elektrode kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff
gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem
Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise
Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder 1^03 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSnOa , Mgln204 , Galn03 , Ζη2ΐη2θ5 oder I^S^On 2 oder Mischunger- unterschiedlicher transparenter leitf higer Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li , sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid- Schicht ( ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode einen oder mehrere der folgenden Stoffe alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen:
Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen,
beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff -Nanoröhren; Graphen- eilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähte .
Ferner kann die erste Elektrode elektrisch leitfähige
Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
Die erste Elektrode kann (beispielsweise für den Fall einer metallischen ersten Elektrode) eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode
beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 10 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen, kann die erste Elektrode eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für de Fall , dass die erste Elektrode ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von unge ähr 100 nm bis ungef hr 150 nm, Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähte , beispielsweise aus Ag , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff - Nanoröhre , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungef hr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 400 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Zusätzlich kann die organischen Leuchtdiode 106 noch eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode angeordnet ist oder wird .
Die organische f nktionelle Schichtenstruktur kann eine oder mehrere Emitterschichten enthalten, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Ladungsträgertransportschichten
(Elektronenleitungsschichten ETL, abgeleitet vom englischen Begriff „Electron Transport Layer" bzw. Lochleitungsschichten HTL, abgeleitet vom englischen Begriff „Hole Transport Layer" (nicht dargestellt) ) .
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem organischen Leuchtdiode 106 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen für die EmitterSchicht (en) eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie
Metallkomplexe , beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- (2- pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III) , grün
phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris ( 2 -phenylpyridin) iridium III) , rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert-butyl- (2,2' ) - bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, -Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes T PA (9, 10 -Bis [N,N-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4 -
Dicyanomethylen) -2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie
beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein .
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) der organischen Leuchtdiode 106 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass die organische Leuchtdiode 106 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) kann/können mehrere verschiedenfarbig ( zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht , einer grün
phosphoreszierenden EmitterSchicht und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht . Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch
vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung größerer Wellenlänge emittiert , so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Der organische funktionelle Schichtenstapel kann allgemein eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren funktionellen Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische
Monomere, organische kleine, nicht- olymere Moleküle („small molecules") oder Kombinationen dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als LochtransportSchicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht werden. Als Material für die Lochtransportschicht können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate , leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren funktionellen Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht auf oder über der ersten Elektrode aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die
Emitterschicht kann auf oder über der Lochtransportschicht aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.
Die organische Leuchtdiode 106 kann allgemein weitere
organische Funktionsschichten aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz der organischen
Leuchtdiode 106 weiter zu verbessern.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 106 eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nra, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 106 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 im, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 Jm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 106 beispielsweise einen Stapel von drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische funktionelle
Schichtenstruktur eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 6 μτη.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine zweite
Elektrode die gleichen elektrisch leitfähigen Materialien und Schichtdicken aufweisen oder daraus gebildet sein wie die im Zusammenhang mit der Beschreibung der ersten Elektrode genannten Materialien und Schichtdicken. Insbesondere kann die zweite Elektrode dasselbe Material und/oder dieselbe Schichtdicke aufweisen wie die erste Elektrode, oder ein oder mehrere zur ersten Elektrode verschiedene Materialien
und/oder Schichtdicken.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Elektrode und damit auf oder über der organischen Leuchtdiode 106 optional noch eine Verkapselung 104,
beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 104 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barr i erendünnschicht" 104 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 104 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff , zu bilden . Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 104 derart ausgebildet , dass sie von OLED- schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausges altung kann die Barrierendünnschicht 104 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 104 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 104 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 104 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 104 können beispielsweise mittels eines geeigneten AbscheideVerfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ( PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma- less Atomic Layer
Deposition ( PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung , z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma- less Chemical Vapor Deposition { PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren .
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 104, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 104, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 104 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheide erfahrens .
Die Barrierendünnschicht 104 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 104 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen . Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 104 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere ande e der Teilschichten . Die Barrierendünnschicht 104 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 104 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 104 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 104 ) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, welches transluzent oder transparent ist) bestehen . Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 104 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 104 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Sili iumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 104 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 104 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 ferner
Metallisierungsschichten 108 aufweisen, wobei die
Metallisierungsschichten 108 j eweils entweder mit der ersten Elektrode oder mit der zweiten Elektrode körperlich und elektrisch verbunden sein können . Die erste Elektrode ist mittels einer elektrischen Isolierung von der zweiten Elektrode und der mit der zweiten Elektrode verbundenen Metallisierungsschicht 108 elektrisch isoliert . Die Metallisierungsschichten 108 können im geometrischen Randbereich des Trägers 102 auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode .
Die Metallisierungsschichten 108 können als Stoff oder
Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der Elektroden aufweisen oder daraus gebildet sein. Fig.2 zeigt eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten entlang der Linien. A-A bzw. B-B eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung ,
Das in Fig.2 dargestellte optoelektronische Bauelement 100 unterscheidet sich von dem in Fig.l dargestellten
optoelektronischen Bauelement 100 dadurch, dass
Kontaktbereiche der Metallisierungsschichten 108 in mit einem Kreis 209 markierten Bereichen freigelegt sind.
Fig.3 zeigt eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten entlang der Linien A-A bzw. B-B eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung .
Das in Fig .3 dargestellte optoelektronische Bauelement 100 unterscheidet sich von dem in Fig.2 dargestellten
optoelektronischen Bauelement 100 dadurch, dass auf die
Kontaktbereiche der Metallisierungsschicht 108 eine flexible, elektrisch leitfähige Schicht 310 aufgebracht ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die flexible , elektrisch leitfähige Schicht 310 aufgesprüht sein. In anderen Ausführungsbeispielen kann die flexible , elektrisch leitfähige Schicht 310 aufgeklebt sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die flexible, elektrisch leitfähige Schicht 310 eine Beschichtung aufweisen oder daraus gebildet sein. In anderen Ausführungsbeispielen kann die flexible, elektrisch leitfähige Schicht 310 eine Folie aufweisen oder daraus gebildet sein .
Insbesondere kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die flexible , elektrisch leitfähige Schicht 310 dehnbare
Leiterbahnen aufweisen oder daraus gebildet sein.
Fig . zeigt eine Draufsicht und zwei Querschnittsansichten entlang der Linien A-A bzw. B-B eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung .
Das in Fig, 4 dargestellte optoelektronische Bauelement 100 unterscheidet sich von dem in Fig .3 dargestellten
optoelektronischen Bauelement 100 dadurch, dass auf das optoelektronische Bauelement 100 auf einer Seite eine elastische Schicht 412 aufgebracht is .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 auf der auf einer Seite des optoelektronischen Bauelements 100 freiliegenden Oberflächen des Trägers 102 , der organischen Leuchtdiode 106 , der Metallisierungsschicht 108 , der Barrierendünnschicht 104 und der flexiblen,
elektrisch leitfähigen Schicht 310 aufgebracht sein.
In anderen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 zwischen dem Träger 102 und der organischen Leuchtdiode 106 angeordnet sein . In anderen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 auf der anderen Seite des optoelektronischen Bauelements 100, also auf der Seite des Trägers, die der organischen Leuchtdiode gegenüberliegt, aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 über der gesamten Oberfläche der zu
beschichtenden Seite aufgebracht sein.
In anderen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 nur auf Teile der Oberfläche der zu beschichtenden Seite aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein.
In anderen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 eine Mehrzahl von elastischen Schichten 412 bzw.
Teilschichten aufweisen oder daraus gebildet sein, wobei die elastischen Schichten 412 zumindest in einem für ein
Durchtrennen des Trägers vorbestimmten Bereich aufeinander ausgebildet sein können. Dabei kann die Mehrzahl von
elastischen Schichten 412 denselben Stoff oder dasselbe Stoffgemisch aufweisen. Alternativ kann die Mehrzahl von elastischen Schichten 412 verschiedene Stoffe oder Stoffgemische aufweisen. Dabei kann die Elastizität der Stoffe, welche die elastischen Schichten 412 ausbilden, gleich sein. Alternativ kann die Elastizität der Stoffe, welche die elastischen Schichten 412 ausbilden, verschieden sein, wodurch eine Vorzugs -Biegerichtung ausgebildet sein kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 mindestens einen Stoff aufweisen von
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyimid, beispielsweise Polybismaleinimid (PBMI) , Polybenzimidazol (PBI) ,
Polyoxadiazobenzimidazol (PBO) , Polyimidsulfon (PISO) oder Polymethacrylimid (P I) , oder Acrylat , oder ein Derivat
davon .
In anderen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 einen anderen elastischen Stoff aufweisen»
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische
Schicht 412 darüber hinaus weiter funktional oder
funktionalisiert sein, beispielsweise optisch oder chemisch. Beispielsweise kann die elastische Schicht eine
Verkapselungs- bzw. Barriereschicht, eine
Auskopplungsschicht , eine Planisierungsschicht , eine
Klebeverbindungsschicht für eine Kratzschutzschicht bzw. für eine Abdeckung, eine Schicht mit eingebetteten
Streupartikeln, eine Schicht mit eingebetteten
Getterpartikeln oder/und eine Wärmeverteilungsschicht
aufweisen oder daraus gebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 mehrere der genannten Punktionen aufweisen.
Beispielsweise kann die elastische Schicht 412 eine
Kratzsch tzschicht aufweisen, welche zudem als
Barriereschicht dient. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 beispielsweise einen Klebstoff und/oder einen Schutzlack aufweisen, mittels dessen beispielsweise eine Kratzschutzschicht (nicht dargestellt, beispielsweise eine Glasabdeckung, eine Metailfolienabdeckung, eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung) auf der Barrierendünnschicht 104 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente
elastische Schicht 412 aus Klebstoff und/oder Schutzlack eine Schichtdicke von größer als 1 μτιι aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren t . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations- Klebstof f aufweisen oder ein solcher sein. In einem Ausführungsbeispiel kann die Kratzschutzschicht, beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer
Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass
soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen der organischen Leuchtdiode mit der Barrieredünnschicht 104 aufgebracht sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Klebstoffschiebt) können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel
eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als
lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (SiC>2) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen
Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische anopartikel ,
Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder
dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex auf eist , der kleiner ist als der Brechungsindex der
Kratzschutzschicht . Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist . In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein, der beispielsweise
hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der unge ähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Klebstoffschichtenfolge bilden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Kratzschutzschicht und/oder die Klebstoffschicht 412 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1, 55 aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 die KratzSchutzschicht aufweisen oder daraus gebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 die Klebstoffschicht und die Kratzschützschicht aufweisen oder daraus gebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht 412 eine Wärmeverteilungsschicht , welche in
körperlichem Kontakt und/oder thermischen Kontakt mit dem Träger 102 , der Barrierendünnschicht 104 oder einer anderen Schicht des optoelektronischen Bauelements 100 ist , aufweisen oder daraus gebildet sein; wobei die Wärmeverteilungsschicht zum Verteilen der Wärme der organischen Leuchtdiode 106 eingerichtet ist .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Wärmeverteilungsschicht als eine Verbundfolie eingerichtet sein oder eine
Verbundfolie aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Verbundfolie einen Träger aufweisen, beispielsweise eine Trägerfolie oder ein Trägernetz , wobei der Träger einseitig oder beidseitig beschichtet sein kann, beispielsweise mit einer dünnen
Beschichtung mit hohem Wärmeleitwert . In einem Ausführungsbeispiel kann die Verbundfolie
stoffschlüssig mit dem Träger 102 , der Barrierendünnschicht 104 oder einer anderen Schicht des optoelektronischen
Bauelements 100 verbunden sein .
In einem Ausführungsbeispiel kann die stoffschlüssige
Verbindung als eine Klebstoff-Verbindung und/oder eine
Wärmeleitpaste-Verbindung eingerichtet sein .
In einem Ausführungsbeispiel kann die WarmeverteilungsSchicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 μιη bis ungefähr 2 mm aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μπν bis ungefähr 500 μτα, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 μτ bis ungefähr 400 μτη, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 μιη bis ungefähr 200 μτ ,
beispielsweise ungefähr 370 μιη .
In einem Ausführungsbeispiel kann die WärmeverteilungsSchicht einen der folgenden Stoffe oder ein Stoffgemisch mit einem der folgenden Stoffe auf eisen oder daraus gebildet sein: Aluminium, Stahl, Kupfer, Ruß, Graphit , Graphe ,
Kohlenstoffnanoröhren . Fig.5 zeigt eine Draufsicht und zwei Querschni tsansichten entlang der Linien A-A bzw. B-B eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung .
Das in Fig .5 dargestellte optoelektronische Bauelement 100 unterscheidet sich von dem in Fig .4 dargestellten
optoelektronischen Bauelement 100 dadurch, dass vorbestimmte Bereiche 515 bezeichnet sind, in welchen der Träger 102 durchtrennt werden kann . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können beim Vorliegen einer Mehrzahl von organischen Leuchtdioden, welche jeweils auf zugeordneten Aktivbereich-Trägerbereichenangeordnet sind, die vorbestimmten Bereiche 515 zwischen den Aktivbereich- Trägerbereichen angeordnet sein. Dadurch wird erreicht, dass nach einem Durchtrennen des Trägers 102 in den vorbestimmten Bereichen 515 die organische Leuchtdiode 106 nicht freigelegt wi d. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Träger 102, beispielsweise ein GlasSubstrat, mittels eines Glasschneiders 514 geritzt und anschließend entlang des Ritzes gebrochen werden. In anderen Ausführungsbeispieien kann der Träger 102 mittels anderer geeigneter Verfahren durchtrennt werden, wobei die elastische Schicht 412 im vorbestimmten Bereich undurchtrennt verbleibt . Fig.6a zeigt zwei Querschnittsansichten entlang der Linie B-B bzw. entlang der Linie C-C aus Fig.5 von eines
optoelektronischen Bauelements 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung, und Fig.6b zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B aus Fig.5 von einem optoelektronischen Bauelement 200 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispieien der vorliegenden Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung. Das in Fig.6a dargestellte optoelektronische Bauelement 100 unterscheidet sich von dem in Fig.5 dargestellten
optoelektronischen Bauelement 100 dadurch, dass der Träger 102 in den vorbestimmten Bereichen 515 durchtrennt wurde und das durch die elastische Schicht 412 verbundene
optoelektronische Bauelement 100 in den vorbestimmten
Bereichen mittels Biegens verformt wurde. Dabei wurden durch das Durchtrennen voneinander getrennte Teile des Trägers 102 voneinander weg gebogen.
Das in Fig.6b dargestellte optoelektronische Bauelement 200 unterscheidet sich von dem in Fig.5 dargestellten
optoelektronischen Bauelement 100 dadurch, dass die
elastische Schicht 412 nicht über der organischen Leuchtdiode 106, beispielsweise über der Barrierendünnschicht 104, angeordnet ist, sondern zwischen der organischen Leuchtdiode 106 und dem Träger 102.. In einem Ausführungsbeispiel kann die elastische Schicht 412 beispielsweise eine
Planarisierungsschicht aufweisen oder daraus gebildet sein. Darüber hinaus wurde der Träger 102 in den vorbestimmten Bereichen 515 durchtrennt und das durch die elastische
Schicht 412 verbundene optoelektronische Bauelement 200 in den vorbestimmten Bereichen mittels Biegens verformt. Dabei werden Teile des Trägers 102, welche durch das Durchtrennen voneinander getrennt wurden, zueinander hin gebogen. Um dies zu ermöglichen, können Kanten des Trägers an den
durchtrennten vorbestimmten Bereichen 515 in verschiedenen Ausführungsbeispielen angefast bzw. angeschrägt sein.
In verschiedenen Äusführungsbeispielen kann das Anfasen während des Durchtrennens erfolgen. In anderen
Ausführungsbeispielen, kann das Anfasen nach dem Durchtrennen erfolgen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können Schichten, welche auf einer dem Träger 102 gegenüberliegenden Seite der elastischen Schicht 412 angeordnet sind, im vorbestimmten Bereich angefast bzw. angeschrägt sein.
Fig.7 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B aus Fig.6a von einem optoelektronischen Bauelement 100 gemäß verschiedenen Aus führungsbeispielen der vorliegenden
Erfindung nach einem Verfahrensschritt zu ihrer Herstellung, Das in Fig.7 dargestellte Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 100 unterscheidet sich von dem in Fig.6a dargestellten optoelektronischen Bauelement 100 dadurch, dass in Fig. 7 nach dem Durchtrennen des Trägers 102 eine Schutzschicht 616 über dem Träger 102 aufgebracht wurde.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Schutzschicht 616 einen Barrieredünnfilm aufweisen. In anderen
Ausführungsbeispielen kann die Schutzschicht 616 eine
KratzschützSchicht oder eine andere geeignete Schutzschicht aufweisen.
Fig.8a zeigt eine Draufsicht auf ein flaches
optoelektronisches Bauelement 300 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung, und Fig.8b eine perspektivische Ansicht des zu einer dreidimensionalen Struktur umgeformten optoelektronischen Bauelements 300.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Fläche des optoelektronischen Bauelements 300 und die vorbestimmten Bereiche so gestaltet sein, dass die flächige Lichtquelle nach dem Durchtrennen der vorbestimmten Bereiche 515 zu einem dreidimensionalen Körper anordenbar ist. In einem in Fig.8a und Fig.8b dargestellten Ausführungsbeispiel kann das
optoelektronische Bauelement 300 beispielsweise so gestaltet sein, dass das zweidimensionale optoelektronische Bauelement 300 durch Biegen zu einer Mantelfläche einer in Fig.8b dargestellten Pyramide umformbar ist. Bei der Pyramide in Fig.8b sind offene Schnittkanten 718 des in Fig.8a
dargestellten flächigen optoelektronischen Bauelements 300 entlang der Pfeile 717 zueinander geführt und das flächige optoelektronische Bauelement 300 dabei so gebogen, dass die offenen Schnittkanten 718 und die vorbestimmten Bereiche 515 zu einer Außenseite hervorstehende Kanten der Pyramide bzw. der Pyramiden-Mantelfläche ausbilden. In anderen Ausführungsbeispielen kann das zweidimensionale optoelektronische Bauelement 300 durch Biegen zu einer anderen dreidimensionalen Form umformbar sein. Dabei kann das optoelektronische Bauelement 300 beim Biegen eine neutrale Faser aufweisen. Anders ausgedrückt wird die elastische
Schicht 412 lediglich gebogen, nicht zusätzlich gedehnt.
In anderen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 300 beim Umformen keine neutrale Faser aufweisen. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement 300 so umformbar sein, dass beim Umformen keine neutrale Paser vorliegt. Anders ausgedrückt kann die gesamte elastische Schicht 412 gedehnt oder gestaucht, insbesondere gedehnt, werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können so komplexere dreidimensionale Formen ausgebildet werden, welche ohne Dehnung der gesamten elastischen Schicht 412 nicht aus einer Fläche formbar sind.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können
optoelektronische Bauelemente 300, welche einen flexiblen Träger 102 aufweisen, mit einer elastischen Schicht 412 versehen sein, welche eine höhere Elastizität aufweist als die Elastizität des Trägers 102. Diese Ausgestaltung
ermöglicht es, dass mechanisch empfindliche, auf dem
flexiblen Träger 102 angeordnete Schichten wie z.B. die Barrieredünnschicht, beim Umformen dadurch geschützt werden können, dass die Umformung bzw. die Dehnung hauptsächlich in den vorbestimmten Bereichen 515 erfolgt, in welchen nach dem Durchtrennen des Trägers im Wesentlichen nur die elastische Schicht 412 mit einer lokal erhöhten Elastizität bzw.
Flexibilität bzw. Formbarkeit angeordnet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können im
vorbestimmten Bereich 515 auch andere als die elastische Schicht 412 nach dem Durchtrennen des Trägers 102 undurchtrennt verbleiben, sofern sie nicht die Formbarkeit des optoelektronischen Bauelements 300 beeinträchtigen und ihre Funktion nicht durch das Durchtrennen des Trägers 102 beeinträchtigt wird.
Fig.9 zeigt ein Ablaufdiagramm, welches ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen darstellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in Schritt S1000 ein Träger bereitgestellt werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in Schritt SlOOl mindestens eine organische Leuchtdiode auf oder über dem Träger aufgebracht werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in Schritt S1002 mindestens eine elastische Schicht auf oder über dem Träger aufgebracht werden. Dabei kann die elastische Schicht in einem Ausführungsbeispiel vor der organischen Leuchtdiode aufgebracht werden . In einem anderen Ausführungsbeispiel kann die elastische Schicht nach der organischen Leuchtdiode aufgebracht werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht auf derselben Seite des Trägers aufgebracht werden wie die organische Leuchtdiode . In anderen
Ausführungsbeispielen kann die elastische Schicht auf einer anderen Seite des Trägers aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in Schritt S1003 der Träger in einem vorbestimmten Bereich durchtrennt werden, wobei die elastische Schicht im vorbestimmten Bereich
undurchtrennt verbleibt .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Durchtrennen des Trägers mittels Ritzens des Trägers im vorbestimmten Bereich auf einer der elastischen Schicht gegenüberliegenden Seite des Trägers und Brechens des Trägers im geritzten
Bereich erfolgen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ferner ein Anordnen des optoelektronischen Bauelements zu einer dreidimensionalen Form aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ferner ein Versiegeln der durchtrennten Seite des Trägers aufweisen, wobei das Versiegeln vorzugsweise nach dem Anordnen des optoelektronischen Bauelements zu einer dreidimensionalen Form erfolgen kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements erner ein Anfasen des Trägers im vorbestimmten Bereich aufweisen, wobei beim Anordnen des Trägers zur dreidimensionalen Form nebeneinanderliegende angefaste Kanten des Trägers einander angenähert werden . In anderen Ausführungsbeispielen können andere Schichten des optoelektronischen Bauelements auf einer dem Träger entgegengesetzten Seite der elastischen Schicht im vorbestimmten Bereich angefast werden.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens ergeben sich aus der Beschreibung der Leuchtidoden-Lichtquelle und umgekehrt .
Fig.10 zeigt Bilder einer experimentellen Umsetzung eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung . Bei der experimentellen Umsetzung wurde ein Träger eines optoelektronischen Bauelements mittels Ritzens und Brechens entlang dreier vorbestimmter Bereiche von einer Seite des Trägers her durchtrennt, wobei auf einer anderen Seite des Trägers eine verbindende elastische Klebefolie, welche zugleich als Kratzschutz und Feuchtebarriere dient, mittels einer elastische KlebstoffSchicht aufgebracht ist. Nach dem Durchtrennen des Trägers, wodurch vier getrennte Träger- Teilbereiche ausgebildet wurden, bildet das flächige
optoelektronische Bauelement eine formbare Struktur.
Diese ist entlang der vorbestimmten Bereiche, in welchen sie mittels der elastischen Schicht, welche von der elastischen Klebefolie und der elastischen Klebstoffschiebt gebildet wird, biegbar ist, zu einer dreidimensionalen Form formbar.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement, aufweisend:
• einen Träger;
• mindestens einen auf oder über dem Träger
angeordneten optisch aktiven Bereich, wobei der optisch aktive Bereich dazu geeignet ist,
elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und daraus einen Fotostrom auszubilden, oder mittels einer an oder über den optisch aktiven Bereich angelegten elektrischen Spannung elektromagnetische Strahlung zu emittieren; und
• eine Verkapselung, die auf oder über dem optisch
aktiven Bereich angeordnet ist;
• wobei der optisch aktive Bereich eine erste
Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist, und
• wobei das optoelektronische Bauelement
Metallisierungsschichten aufweist, die jeweils entweder mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode körperlich und elektrisch verbunden sind; wobei die Metallisierungsschichten freigelegte
Kontaktbereiche aufweisen; und
• mindestens eine auf oder über dem Träger angeordnete elastische Schicht,
• wobei der Träger zumindest in einem vorbestimmten Bereich durchtrennt ist, wobei jedoch die elastische Schicht undurchtrennt verbleibt .
2. Das optoelektronische Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei der mindestens eine optisch aktive Bereich eine Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen aufweist, wobei jeder optisch aktive Bereich von der Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen auf einem zugeordneten Aktivbereich-Trägerbereich angeordnet ist und der vorbestimmte Bereich zwischen den Aktivbereich- Trägerbereichen angeordnet ist.
3. Das optoelektronische Bauelement gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Träger starr ist .
4. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 , wobei der Träger flexibel ist .
5. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Träger eine Form aufweist , welche einer Abwicklung einer abwickelbaren Fläche entspricht.
6. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die durchtrennten vorbestimmten Bereiche so angeordnet sind, dass das optoelektronische Bauelement zu einer dreidimensionalen Form anordenbar ist , deren Oberfläche der abwickelbaren Fläche entspricht .
7. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 , wobei der Träger eine Form aufweist , welche keiner Abwicklung einer abwickelbaren Fläche entspricht .
8. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das optoelektronische Bauelement als
transparentes oder transluzentes optoelektronisches
Bauelement ausgeführt ist .
9. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die elastische Schicht über dem optisch aktiven Bereich ausgebildet ist .
10. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 9, wobei die elastische Schicht unter dem optisch aktiven Bereich ausgebildet ist .
11. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 10 , wobei die elastische Schicht auf einer dem optisch aktiven Bereich gegenüber liegenden Seite des Trägers ausgebildet ist .
12. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 11, wobei die elastische Schicht mindestens eine der folgenden Schichten aufweist: eine Lackschicht, eine elastische Leiterschicht, eine Auskoppelschicht, eine
Barriereschicht, eine Planisierungsschicht , eine
Wärmeverteilungsschicht, eine Schicht mit Streupartikeln, eine Schicht mit Getterpartikeln, eine Klebstoffschiebt , eine Kratzschutzschicht .
13. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 12, wobei die elastische Schicht mindestens einen der folgenden Stoffe aufweisen kann:
Polyethylenterephthalat , Polyimide , Acryle .
14. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 13, wobei die mindestens eine elastische Schicht eine Mehrzahl von elastischen Schichten aufweist, wobei die Mehrzahl von elastischen Schichten unterschiedliche Elastizitäten aufweist .
15. Das optoelektronische Bauelement gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 14, wobei Metallisierungsschichten seitlich neben der ersten Elektrode ausgebildet sind.
16. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements, aufweisend:
• Bereitstellen eines Trägers;
• Aufbringen mindestens eines optisch aktiven Bereichs, wobei der optisch aktive Bereich dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und daraus einen Fotostrom auszubilden, oder mittels einer an oder über den optisch aktiven Bereich angelegten elektrischen Spannung elektromagnetische Strahlung zu emittieren; · Aufbringen einer Verkapseiung auf oder über den optisch aktiven Bereich; o wobei das Aufbringen des optisch aktiven Bereichs ein Ausbilden einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode, und ein Ausbilden von
Metallisierungsschichten aufweist, wobei die
Metallisierungsschichten jeweils entweder mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode
körperlich und elektrisch verbunden werden, und o wobei Kontaktbereiche der Metallisierungsschichten freigelegt sind oder werden;
Aufbringen mindestens einer elastischen Schicht; und Durchtrennen des Trägers in einem vorbestimmten Bereich, wobei die elastische Schicht undurchtrennt verbleibt.
17. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements gemäß Anspruch 16, wobei das Durchtrennen des Trägers mittels Ritzens des Trägers im vorbestimmten Bereich auf einer der elastischen Schicht gegenüberliegenden Seite des Trägers und Brechens des Trägers im geritzten Bereich erfolgt .
18. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements gemäß Anspruch 16 oder 17, ferner aufweisend:
• Versiegeln der durchtrennten Seite des Trägers.
19. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements gemäß einem der Ansprüche 16 bis 18, ferner auf eisend:
• Anordnen des Trägers zu einer dreidimensionalen Form.
20. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements gemäß einem der Ansprüche 16 bis 19, ferner aufweisend:
• Anfasen des Trägers im vorbestimmten Bereich,
• wobei beim Anordnen des Trägers zur dreidimensionalen Form nebeneinanderliegende angefaste Kanten des Träge einander angenähert werden.
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