WO2014154551A1 - Verfahren zum herstellen einer elektromagnetische strahlung emittierenden baugruppe und elektromagnetische strahlung emittierende baugruppe - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer elektromagnetische strahlung emittierenden baugruppe und elektromagnetische strahlung emittierende baugruppe Download PDF

Info

Publication number
WO2014154551A1
WO2014154551A1 PCT/EP2014/055546 EP2014055546W WO2014154551A1 WO 2014154551 A1 WO2014154551 A1 WO 2014154551A1 EP 2014055546 W EP2014055546 W EP 2014055546W WO 2014154551 A1 WO2014154551 A1 WO 2014154551A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
phosphor
components
phosphor layers
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2014/055546
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jürgen Moosburger
Axel Kaltenbacher
Matthias Wolf
Georg DIRSCHERL
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Osram GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH, Osram GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to KR1020157030641A priority Critical patent/KR102211753B1/ko
Priority to JP2016504580A priority patent/JP6177420B2/ja
Priority to CN201480017946.7A priority patent/CN105229802B/zh
Priority to US14/780,470 priority patent/US9799795B2/en
Publication of WO2014154551A1 publication Critical patent/WO2014154551A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8516—Wavelength conversion means having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer or wavelength conversion layer with a concentration gradient
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials

Definitions

  • a method of manufacturing an electromagnetic radiation emitting assembly and electromagnetic radiation emitting assembly A method of manufacturing an electromagnetic radiation emitting assembly and electromagnetic radiation emitting assembly
  • the invention relates to a method for producing an electromagnetic radiation emitting assembly and an electromagnetic radiation emitting assembly.
  • white light can be generated via additive color mixing.
  • a material having phosphor can be applied to a component emitting electromagnetic radiation, referred to below as a component, for example an LED.
  • Phosphor material which may also be referred to as a conversion material or conversion material, converts the electromagnetic radiation generated by the device with respect to it
  • Wavelength For example, by means of the component blue light can be generated, which by means of
  • Conversion material can be converted into yellow light.
  • the mixture of converted, for example yellow, and unconverted, for example blue, light then appears white.
  • the assemblies are first made in a composite component comprising a plurality of components.
  • the component composite may be, for example, a wafer.
  • the properties of the individual components, for example the LEDs, in a wafer differ from one another.
  • the properties are physical, for example
  • Wavelengths of the generated light and / or brightnesses of the generated light can be produced by one device of a wafer.
  • one device of a wafer can produce light of a different brightness than another
  • the properties of a component are thus individual and are therefore also referred to below as component-individual properties.
  • the material comprising the phosphor for example in the form of phosphor layers, for example in the form of phosphor chips, can be applied to the components.
  • One of the assemblies is formed by at least one component with at least one phosphor layer.
  • the phosphor layers can not be applied exactly the same to all components. What for the
  • White conversion required phosphorus amount may vary from component to component.
  • Assemblies are the same. If the amounts of phosphor differ only slightly from one another, different color loci for the light produced can also result in the corresponding assemblies, even if the properties of the components are identical.
  • Bins The application of the conversion material takes place for example via screen printing or molding processes in which
  • Conversion tile for the respective component geometries are produced and also sorted according to their properties in bins. For example, the degree of conversion of the phosphor chips is measured as a property. Then it is determined which phosphor flakes to which
  • a method of manufacturing an electromagnetic radiation emitting assembly is provided. The method becomes
  • Component array provided, the electromagnetic radiation emitting components.
  • the components are physically coupled together in the composite component.
  • At least one component ⁇ individual property is determined in each case for the components.
  • the structure mask has corresponding to the components
  • Characteristics of the corresponding components are formed component individually.
  • the structure mask recesses give phosphor areas which are in the
  • Components are formed phosphor layers.
  • the structure mask is removed from the component network.
  • the components are separated from the composite component.
  • An assembly is separated from at least one of
  • Components and formed by at least one phosphor layer formed thereon Components and formed by at least one phosphor layer formed thereon.
  • Structural mask recesses form a component composite individual structural mask.
  • an individual structure mask formed, depending on the device-individual properties of the components of the corresponding component network.
  • the component ⁇ individual Strukturmaskenausappelgeber cause that for each component in the composite component, the phosphor layer and thus the amount of phosphor can be adjusted individually. For example, diameter, number, size, shape and / or side lengths of the
  • Structural mask recesses can be individually varied from component to component, thereby reducing the areal dimensions of the phosphor areas in the structural recesses
  • Components are designed so that by means of
  • Phosphor plates to matching components can be dispensed with.
  • Structural recesses and thus the component structure-individual structural mask can store the data corresponding to the properties of the components and then
  • the amount of phosphor and / or phosphor layers required for the individual components can be determined by means of a suitable software program. Depending on the required amount of phosphor or phosphor layers can then the shapes and sizes of the StrukturmaskenausEnglishept and thus the structure mask itself are determined.
  • the component composite is formed, for example, by a wafer having a plurality of layers and contact surfaces. That the components in the component network
  • a substrate of the components and / or individual layers of the components may extend over the entire component network. That the to be determined
  • Properties can be for example the forward voltage, the generated brightness and / or the generated wavelength.
  • the forward voltage the generated brightness and / or the generated wavelength.
  • Component network under otherwise identical test conditions light of different wavelengths and / or with another
  • Brightness can be generated.
  • the fact that the structure mask is formed may mean, for example, that the structure mask is first formed and then on the component composite
  • the phosphor layers may also be referred to as first phosphor layers.
  • the structural mask recesses extend to the surfaces of the components and define the
  • Fluorescent areas of the components In other words, it is predetermined by means of the structure mask recesses how the phosphor areas are formed and where on the
  • Component is applied a phosphor layer and where not.
  • the structure mask can be removed, for example, in an etching process from the component composite.
  • the components For example, by means of cutting or sawing, for example by means of a laser, from the
  • An assembly may comprise one, two or more of the singulated devices and at least one each formed thereon
  • Phosphor layer are formed.
  • the pattern mask is formed directly on the component composite. This can help to make the structure mask precise, simple and / or cost-effective. Alternatively, the
  • Structure mask are first formed and then placed on the component network.
  • the structure mask has a photolithographically structurable material, which is initially applied flat over the component composite. Depending on the determined properties, the surface-applied material is exposed. The exposure can
  • the structurable material may be, for example, a paint and / or applied in the form of a film on the component composite.
  • the photolithographically structurable material can be applied, for example, with a predetermined thickness.
  • the thickness may range from, for example, 10 ym to 200 ym, for example 40 ym to 60 ym, for example about 50 ym.
  • the pattern mask is patterned by means of a printing process Applied component composite. This can help make the structure mask precise, easy and / or cost effective
  • the fact that the structure mask is applied in a structured manner may mean, for example, that the structure of the structure mask is applied directly during the application of the material
  • Structure mask is formed on the component composite. This is in contrast to an initially flat
  • Phosphor layers applied by doctoring In a subsequent removal of the structure mask, it is also possible to remove the phosphor-comprising material on the structure mask. Alternatively, the phosphor having material on the pattern mask first
  • Phosphor layers for example, a phosphor-silicone mixture can be used.
  • the material comprising the phosphor (s) will be applied to the
  • Phosphor layers applied by spraying for example spray coating.
  • the material comprising the phosphors or phosphors is sprayed onto the structure mask and onto the phosphor regions of the components.
  • the structure mask is then also the phosphor having material on the
  • Phosphor layers for example, a
  • Converter mixture can be used, the one or the
  • the phosphor layers are dried
  • Luminescent layers and / or the structure mask removed at least partially.
  • the removal of the phosphor layers, if the phosphor layers also cover the pattern mask, can help to expose the pattern mask so that it can subsequently be easily removed. Furthermore, the removal of the phosphor layers over the
  • the phosphor layers then have at different lateral dimensions, ie parallel to the surface of the components, the same layer thicknesses perpendicular to the surface of the components. This can help to subsequently with the appropriate
  • the material of the phosphor layers can of
  • At least one device in the component network becomes two or more
  • the corresponding component then has two or more phosphor areas. This can help the
  • At least one device in the component network becomes two or more
  • Structural mask recesses for the corresponding component This can help to set the color location very precisely.
  • the further phosphor layer may comprise, for example, other phosphors or the same phosphors in a different concentration than the first phosphor layers. Furthermore, the further phosphor layer may be another
  • the phosphor layer may be formed such that a shape of the second phosphor layer of a shape of the cavities formed between the first phosphor layers
  • the cavities can be specified. If the cavities are roundish, for example circular or oval, then the second phosphor layers can be correspondingly roundish or circular or oval. If the cavities polygonal, such as rectangular, for example
  • the second phosphor layers can accordingly be polygonal, rectangular or square.
  • the second phosphor layers can accordingly be polygonal, rectangular or square.
  • Phosphor layers can have rows and columns.
  • Cavities are formed between the rows and columns.
  • the grid shape may be formed such that the cavities are round, for example circular or oval, or polygonal, for example rectangular or square.
  • Electromagnetic radiation emitting assembly comprises an electromagnetic radiation emitting device having at least one device-individual property. At least one phosphor layer whose shape and size is formed as a function of the component-individual property is formed on the component.
  • Figure 1 is a plan view of an embodiment of a
  • FIG. 2 is a sectional view of the component network according to FIG. 1 along the line II-II .;
  • FIG. 3 shows the component network according to FIG. 2 in a second embodiment
  • FIG. 4 shows the component network according to FIG. 2 in a third embodiment
  • FIG. 5 shows the component network according to FIG. 2 in a third
  • Figure 6 is a sectional view of an embodiment of a composite component
  • Figure 7 is a sectional view of an embodiment of a composite component.
  • Electromagnetic radiation-emitting component may be in various embodiments, a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as a diode emitting electromagnetic radiation, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromagnetic radiation or as an organic electromagnetic
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the electromagnetic radiation emitting device for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting diode (LED).
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a Be provided plurality of light emitting devices, for example housed in a common
  • Component is hereinafter referred to as a component.
  • the electromagnetic radiation emitting assembly is hereinafter referred to as an assembly.
  • FIG. 1 shows a plan view of an exemplary embodiment of a component assembly 10 in a first state during a method for producing assemblies that emit electromagnetic radiation.
  • the component composite 10 has a plurality of components 12.
  • the component composite 10 may be more or less than those shown in FIG. 1
  • the component assembly 10 is round in plan view, in particular circular.
  • the components 12 are polygonal in plan view, in particular rectangular, in particular square. Alternatively, both the component composite 10 and the components 12 may be formed differently in plan view.
  • the component composite 10 may be polygonal, for example rectangular or square-shaped, and / or the components 12 may be rounded, for example oval or circular.
  • the component composite 10 may be, for example, a waver and / or im
  • the components are suitable for emitting
  • the components are suitable for receiving phosphor layers, wherein at least one component and at least one formed thereon
  • Phosphor layer an electromagnetic radiation
  • FIG. 2 shows a sectional view of the component composite 10 according to FIG. 1 along the line II-II shown in FIG. 1.
  • the component composite 10 has a substrate 14, a lower electrode layer 16, an optically active layer 17 and an upper electrode layer 18. Further, each device 12 in the upper electrode layer 18 has a
  • the upper electrode layer 18 is suitable for receiving a phosphor layer (not shown in FIG. 2).
  • the region of the upper electrode layer 18 in which the phosphor layer is applied can also be referred to as
  • the contact region 20 is suitable for electrically contacting the corresponding component 12.
  • Electrode layer 16, 18 is generated in the optically active layer 17 electromagnetic radiation emitted in the direction away from the substrate 14, in Figure 2, for example, upwards.
  • a color place which means the
  • electromagnetic radiation of one of the modules can be obtained, results from the properties of the
  • the phosphors of one of the phosphor layers are generated by means of the electromagnetic radiation generated by the corresponding component 12, which can also be referred to as excitation radiation in this context.
  • the excitation radiation can be any radiation that is energetically stimulated.
  • the excitation radiation can be any radiation that is energetically stimulated.
  • the phosphors emit light or more than one preset color. It therefore finds one
  • Conversion radiation is generated. During conversion, the wavelengths of the excitation radiation are shifted to shorter or longer wavelengths.
  • the colors can be
  • Color locale correspond.
  • the individual colors may, for example, have green, red or yellow light and / or the
  • Mixed colors can be mixed, for example, from green, red and / or yellow light and / or, for example, white
  • blue light may be provided, for example, by forming the phosphor layer such that at least partially unconverted excitation radiation will render the assembly useable
  • the single or mixed colors can be determined with the help of the phosphor layer and the
  • green, red and yellow can be displayed with the aid of blue excitation light.
  • the phosphors can also be chosen so that they represent red, green, blue and yellow.
  • the individual components 12 may, after finished processing of the component assembly 10 along separating lines 20
  • Components 12 are not separated from each other and
  • the components 12 can already be separated before separation
  • Component network 10 contacted, operated and / or measured.
  • component-individual
  • Component network 10 can be determined. For example, for each component 12 as a component-individual property, the corresponding forward voltage, the generated wavelength and / or the brightness generated, given otherwise Boundary conditions, for example, the same edge parameters are determined. In other words, the components 12 can be operated in the composite element 10 under the same conditions, but then show individually from each other
  • Fluorescent area can be determined on the corresponding component 12, which with phosphor material with the
  • predetermined thickness must be coated so that the corresponding component 12 with the corresponding
  • FIG. 3 shows the component assembly 10 according to FIG. 2 during a second state of the method for producing the assembly, in which a structure mask 22 is formed on the second electrode layer 18.
  • the structure mask 22 is formed as a function of the determined phosphor amounts or the determined phosphor regions.
  • pattern mask recesses 24 of the pattern mask 22 may be formed such that phosphor areas 26 are applied to the
  • Structural recesses 24 correspond to the phosphor regions 26.
  • the phosphor regions 26 can be different, for example different, large, long and / or wide.
  • Phosphor areas 26 shown in Figure 3 is relatively large. However, the sizes and / or shapes of the phosphor regions 26 may in fact be significantly lower.
  • Differences in the phosphor regions 26 result from the differences in the properties and thus from the individual component properties of the individual components 12.
  • the pattern mask 22 may be first made and then placed on the component assembly 10.
  • the pattern mask 22 can be formed directly on the component composite 10.
  • pattern mask 22 may comprise a photolithographically patternable material.
  • the photolithographically structurable material can be applied for example in the form of a lacquer and / or in the form of a film on the component composite 10, then depending on the
  • Characteristics of the devices 12 are represented, for example, laser-exposed, and subsequently, in a lift-off process the
  • Structure mask 22 are removed, depending on which type of photolithographically structurable material is used.
  • the pattern mask 22 in a Printing method for example, in an ink-jet printing process, are applied to the component assembly 10.
  • FIG. 4 shows the component assembly 10 according to FIG. 2 in a third state during the method for producing the assembly. Over the phosphor areas 26 and in the
  • Structural recesses 24 are the phosphor layers, for example first phosphor layers 28, formed.
  • the first phosphor layers 28 can be introduced into the structural recesses 24, for example by means of doctoring.
  • the material of the first phosphor layers 28 can be introduced into the structural recesses 24, for example by means of doctoring.
  • the material of the first phosphor layers 28 can be introduced into the structural recesses 24, for example by means of doctoring. Alternatively, the material of the first
  • Phosphor areas 26 and the pattern mask 22 are applied, cured and / or dried and subsequently partially removed.
  • first phosphor layers 28 depend on their thickness, whose surface is parallel to the phosphor regions 26 and of the concentration of the phosphors in the
  • the degree of conversion is thus determined by the size of the surface parallel to the phosphor regions 26 and consequently the size of the structural recesses 24.
  • Conventional phosphors are, for example, garnets or nitrides, silicates, nitrides, oxides, phosphates, borates, oxynitrides, sulfides, selenides, aluminates, tungstates, and halides of aluminum, silicon, magnesium, calcium, barium, strontium, zinc, cadmium, manganese, indium, Tungsten and others
  • Transition metals or rare earth metals such as yttrium,
  • Gadolinium or lanthanum with an activator such as Example copper, silver, aluminum, manganese, zinc, tin, lead, cerium, terbium, titanium, antimony or europium are doped.
  • the phosphor is an oxidic or (oxi-) nitride phosphor such as
  • Yttrium Aluminum Garnet Cerium (YAG: Ce) or CaAlSiN3: Eu.
  • particles with light-scattering properties and / or auxiliaries may be included.
  • Excipients include surfactants and organic solvents.
  • Examples of light scattering particles are gold,
  • Fig. 5 shows the component composite 10 in a fourth
  • the structure mask 22 can be removed, for example, by means of a lift-off method, for example by means of an etching process.
  • the components 12 form together with the corresponding first phosphor layers 28 a plurality of assemblies and together form an assembly group. Subsequently, the individual modules, for example, along the dividing lines 20 are separated. Alternatively, several of the modules can be combined to form a common module.
  • Each assembly has an individual combination of device 12 with device-individual properties and of the corresponding first phosphor layer 28, wherein the same color location can be achieved by means of each of the modules.
  • Fig. 6 shows a sectional view of a
  • phosphor layers 28 may be incorporated in the
  • Drawing plane be formed strip-shaped. Furthermore, non-drawn cross connections may additionally exist between the first phosphor layers 28, by means of which polygonal, for example rectangular, for example square, or rounded, for example oval or circular, first phosphor layers 28 are formed in plan view.
  • the second assembly from the right shown in FIG. 6 does not have a first phosphor layer 28.
  • Component 12 have been found that by means of this device 12, the desired color location is independent of the coatable first phosphor layer 28 is not achievable. For example, the corresponding component may not work or within a given
  • the corresponding module can be disposed of without this Luminescent material is wasted.
  • the corresponding component 12 can be supplied to another use without a first phosphor layer 28 or with another phosphor layer (not shown), for example in the form of a small plate.
  • Luminescent layer 28 covered.
  • Fig. 7 shows a sectional view through a
  • Phosphor layers 30, are formed. The first
  • phosphor layers 28 may comprise a different material than the second phosphor layers 30.
  • the first phosphor layers 28 may comprise different phosphors than the second ones
  • the first phosphor layers 28 may have the phosphors in a different concentration than the second
  • Phosphor layers 30 This can help to achieve a different desired color location or to set the desired color more precise.
  • the first phosphor layers 28 may, for example, in
  • the shape of the second phosphor layers 30 is then predetermined by the shape of the cavities, so that the second phosphor layers 30 are accordingly roundish, for example circular or oval, or polygonal,
  • the material of the second phosphor layers 30 may
  • the material of the second phosphor layers 30 may be applied so that the second phosphor layers 30 from the first phosphor layers 28 project convexly outward, as in the second assembly of shown in FIG left, or concave inward, as in the in Figure 7
  • the components 12 may have far more than the layers shown according to conventional LEDs.
  • the components 12, not shown embedded electronic components such as capacitors, transistors ect. exhibit. Further, for applying the pattern mask 22 and / or the phosphor layers 28, 30, other suitable methods than those mentioned can be used.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe bereitgestellt. Dabei wird ein Bauelementverbund (10) bereitgestellt, der elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente (12) aufweist, die im Bauelementverbund (10) körperlich miteinander gekoppelt sind. Zu den Bauelementen (12) wird jeweils mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft ermittelt. Abhängig von den ermittelten Eigenschaften der Bauelemente (12) wird eine Strukturmaske (22) zum Bedecken der Bauelemente (12) im Bauelementverbund (10) ausgebildet, wobei die Strukturmaske (22) korrespondierend zu den Bauelementen (12) Strukturmaskenausnehmungen (24) aufweist, die abhängig von den Eigenschaften der entsprechenden Bauelemente (12) bauelement-individuell ausgebildet sind. Die Strukturmaskenausnehmungen (24) geben Leuchtstoffbereiche (26), die in den Strukturmaskenausnehmungen (24) freigelegt sind, auf den Bauelementen (12) vor. Auf die Leuchtstoffbereiche (26) der Bauelemente (12) werden erste Leuchtstoffschichten (28) ausgebildet. Die Strukturmaske (22) wird von dem Bauelementverbund (10) entfernt. Die Bauelemente (12) werden aus dem Bauelementverbund (10) vereinzelt, wobei eine Baugruppe von mindestens einem der vereinzelten Bauelemente (12) und von mindestens einer darauf ausgebildeten ersten Leuchtstoffschicht (28) gebildet wird.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe.
Bei einer herkömmlichen elektromagnetische Strahlung
emittierenden Baugruppe, nachfolgend Baugruppe genannt, kann weißes Licht über additive Farbmischung erzeugt werden. Dazu kann beispielsweise ein Leuchtstoff aufweisendes Material auf ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement, nachfolgend Bauelement genannt, beispielsweise eine LED, aufgebracht werden. Das Leuchtstoff aufweisende Material, das auch als konvertierendes Material oder Konversionsmaterial bezeichnet werden kann, konvertiert die von dem Bauelement erzeugte elektromagnetische Strahlung bezüglich ihrer
Wellenlänge. Beispielsweise kann mittels des Bauelements blaues Licht erzeugt werden, das mittels des
Konversionsmaterials in gelbes Licht konvertiert werden kann. Die Mischung aus konvertiertem, beispielsweise gelbem, und nicht konvertiertem, beispielsweise blauem, Licht erscheint dann weiß.
Die Baugruppen werden zunächst in einem Bauelementverbund, der eine Mehrzahl der Bauelemente aufweist, hergestellt. Der Bauelementverbund kann beispielsweise ein Wafer sein. Die Eigenschaften der einzelnen Bauelemente, beispielsweise der LEDs, in einem Wafer unterscheiden sich voneinander. Die Eigenschaften sind beispielsweise physikalische
Eigenschaften, beispielsweise Vorwärtsspannungen,
Wellenlängen des erzeugten Lichts und/oder Helligkeiten des erzeugten Lichts. So kann ein Bauelement eines Wafers Licht mit einer anderen Helligkeit erzeugen wie ein anderes
Bauelement desselben Wafers bei ansonsten gleichen Randbedingungen. Die Eigenschaften eines Bauelements sind somit individuell und werden daher nachfolgend auch als bauelement-individuelle Eigenschaften bezeichnet. Nach dem Vereinzeln der Bauelemente aus dem Bauelementverbund kann das Leuchtstoff aufweisende Material, beispielsweise in Form von Leuchtstoffschichten, beispielsweise in Form von Leuchtstoffplättchen, auf die Bauelemente aufgebracht werden. Eine der Baugruppen ist von mindestens einem Bauelement mit mindestens einer LeuchtstoffSchicht gebildet. Allerdings können die Leuchtstoffschichten nicht exakt gleich auf alle Bauelemente aufgebracht werden. Wodurch die für die
Weißkonversion benötigte Phosphormenge von Bauelement zu Bauelement variieren kann.
Falls die Eigenschaften der Bauelemente voneinander
abweichen, so können sich daraus bei den entsprechenden
Baugruppen andere Farborte für das erzeugte Licht ergeben, auch wenn die Leuchtstoffmengen und/oder beispielsweise die Dicken der Leuchtstoffschichten bei den entsprechenden
Baugruppen gleich sind. Falls die Leuchtstoffmengen auch nur geringfügig voneinander abweichen, können sich bei den entsprechenden Baugruppen ebenfalls unterschiedliche Farborte für das erzeugte Licht ergeben, auch wenn die Eigenschaften der Bauelemente identisch sind.
Es ist bekannt, um dennoch Baugruppen zu erhalten, mit denen gleiche oder zumindest sehr ähnliche Farborte erzielbar sind, die Bauelemente nach ihren bauelement-individuellen
Eigenschaften zu sortieren, beispielsweise in sogenannte
Bins . Die Applikation des Konversionsmaterials erfolgt zum Beispiel über Siebdruck- oder Mold-Verfahren, bei denen
Konversionsplättchen für die jeweiligen Bauelement-Geometrien hergestellt werden und ebenfalls gemäß ihren Eigenschaften in Bins sortiert werden. Beispielsweise wird als Eigenschaft der Konversionsgrad der Leuchtstoffplättchen gemessen. Dann wird ermittelt, welche Leuchtstoffplättchen zu welchen
Bauelementen passen, damit möglichst viele der Baugruppen Licht mit der gewünschten Farbe und/oder dem gewünschten Farbort erzeugen. Anschließend wird das passende
Leuchtstoffplättchen auf das richtige Bauelement geklebt.
Ferner ist bekannt, auf einem Leuchtstoffbereich eines
Bauelements nur eine Teilabdeckung der LeuchtstoffSchicht zu erzeugen, jedoch sind diese Teilabdeckungen geometrisch immer gleich und nicht an die Eigenschaften des Bauelements angepasst .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe bereitgestellt. Bei dem Verfahren wird ein
Bauelementverbund bereitgestellt, der elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente aufweist. Die Bauelemente sind im Bauelementverbund körperlich miteinander gekoppelt. Zu den Bauelementen wird jeweils mindestens eine bauelement¬ individuelle Eigenschaft ermittelt. Abhängig von den
ermittelten Eigenschaften der Bauelemente wird eine
Strukturmaske zum Bedecken der Bauelemente im
Bauelementverbund ausgebildet. Die Strukturmaske weist korrespondierend zu den Bauelementen
Strukturmaskenausnehmungen auf, die abhängig von den
Eigenschaften der entsprechenden Bauelemente bauelementindividuell ausgebildet sind. Die Strukturmaskenausnehmungen geben Leuchtstoffbereiche, die in den
Strukturmaskenausnehmungen freigelegt sind, auf den
Bauelementen vor. Auf den Leuchtstoffbereichen der
Bauelemente werden Leuchtstoffschichten ausgebildet. Die Strukturmaske wird von dem Bauelementverbund entfernt. Die Bauelemente werden aus dem Bauelementverbund vereinzelt. Eine Baugruppe wird von mindestens einem der vereinzelten
Bauelemente und von mindestens einer darauf ausgebildeten Leuchtstoffschicht gebildet.
Die Wandungen der bauelement-individuellen
Strukturmaskenausnehmungen bilden eine bauelementverbund- individuelle Strukturmaske. In anderen Worten wird für jeden Bauelementverbund, beispielsweise für jeden Wafer, eine individuelle Strukturmaske ausgebildet, und zwar abhängig von den bauelement-individuellen Eigenschaften der Bauelemente des entsprechenden Bauelementverbunds. Die bauelement¬ individuellen Strukturmaskenausnehmungen bewirken, dass für jedes Bauelement im Bauelementverbund die LeuchtstoffSchicht und damit auch die Leuchtstoffmenge individuell eingestellt werden kann. Beispielsweise können Durchmesser, Anzahl, Größe, Form und/oder Seitenlängen der
Strukturmaskenausnehmungen individuell von Bauelement zu Bauelement variiert werden, wodurch die Flächenmaße der Leuchtstoffbereiche, die in den Strukturausnehmungen
freiliegen, und damit bei gleicher Dicke der
Leuchtstoffschichten die Volumenmaße der
Leuchtstoffschichten, die in den Strukturausnehmungen
ausgebildet werden, und damit die Leuchtstoffmengen pro Bauelement variiert werden. Mittels des individuellen
Ausbildens der Leuchtstoffschichten können die
Leuchtstoffschichten passend zu den entsprechenden
Bauelementen so ausgebildet werden, dass mittels
unterschiedlicher Bauelemente desselben Bauelementverbunds der gleiche oder zumindest näherungsweise gleiche Farbort erzielbar ist, auch wenn die Eigenschaften der Bauelement voneinander abweichen. Auf ein Ausmessen von
Leuchtstoffplättchen und ein Zuweisen der
Leuchtstoffplättchen zu dazu passenden Bauelementen kann verzichtet werden.
Zum Ermitteln der bauelement-individuellen
Strukturausnehmungen und damit der bauelementverbund- individuellen Strukturmaske können die den Eigenschaften der Bauelemente entsprechenden Daten gespeichert und dann
weiterverarbeitet werden. Abhängig von den Daten können mittels eines geeigneten Software-Programms die für die einzelnen Bauelemente benötigten Leuchtstoffmengen und/oder Leuchtstoffschichten ermittelt werden. Abhängig von den benötigten Leuchtstoffmengen bzw. Leuchtstoffschichten können dann die Formen und Größen der Strukturmaskenausnehmungen und damit auch die Strukturmaske selbst ermittelt werden.
Dass der Bauelementverbund bereitgestellt wird, kann
beispielsweise bedeuten, dass der Bauelementverbund
ausgebildet wird. Der Bauelementverbund ist beispielsweise von einem Wafer mit mehreren Schichten und Kontaktflächen gebildet. Dass die Bauelemente im Bauelementverbund
miteinander körperlich gekoppelt sind, kann beispielsweise bedeuten, dass sie zumindest teilweise einstückig ausgebildet sind. Beispielsweise können sich ein Substrat der Bauelemente und/oder einzelne Schichten der Bauelemente über den gesamten Bauelementverbund erstrecken. Dass die zu ermittelnden
Eigenschaften bauelement-individuell sind, kann
beispielsweise bedeuten, dass mindestens eine Eigenschaft von Bauelement zu Bauelement unterschiedlich ist. Die
Eigenschaften können beispielsweise die Vorwärtsspannung, die erzeugte Helligkeit und/oder die erzeugte Wellenlänge sein. Beispielsweise kann mittels zweier Bauelemente eines
Bauelementverbunds unter ansonsten gleichen Testbedingungen Licht anderer Wellenlängen und/oder mit einer anderen
Helligkeit erzeugt werden. Dass die Strukturmaske ausgebildet wird, kann beispielsweise bedeuten, dass die Strukturmaske erst ausgebildet und dann auf dem Bauelementverbund
angeordnet wird oder dass die Strukturmaske direkt auf dem
Bauelementverbund ausgebildet wird. Die Leuchtstoffschichten können auch als erste Leuchtstoffschichten bezeichnet werden.
Die Strukturmaskenausnehmungen erstrecken sich bis hin zu den Oberflächen der Bauelemente und definieren die
Leuchtstoffbereiche der Bauelemente. In anderen Worten wird mittels der Strukturmaskenausnehmungen vorgegeben, wie die Leuchtstoffbereiche ausgebildet sind und wo auf das
Bauelement eine LeuchtstoffSchicht aufgebracht wird und wo nicht.
Die Strukturmaske kann beispielsweise in einem Ätzverfahren von dem Bauelementverbund entfernt werden. Die Bauelemente können beispielsweise mittels Schneidens oder Sägens, beispielsweise mittels eines Lasers, aus dem
Bauelementverbund vereinzelt werden. Eine Baugruppe kann von einem, zwei oder mehr der vereinzelten Bauelemente und von jeweils mindestens einer darauf ausgebildeten
Leuchtstoffschicht gebildet werden.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Strukturmaske direkt auf dem Bauelementverbund ausgebildet. Dies kann dazu beitragen, die Strukturmaske präzise, einfach und/oder kostengünstig auszubilden. Alternativ dazu kann die
Strukturmaske zuerst ausgebildet werden und anschließend auf dem Bauelementverbund angeordnet werden. Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die Strukturmaske ein fotolithographisch strukturierbares Material auf, das zunächst flächig auf den Bauelementverbund aufgebracht wird. Abhängig von den ermittelten Eigenschaften wird das flächig aufgebrachte Material belichtet. Das Belichten kann
beispielsweise mittels eines Laser-Direkt-Belichters abhängig von den die Eigenschaften repräsentierenden Daten erfolgen. Anschließend werden - abhängig von der Art des
fotolithographisch strukturierbaren Materials - die
belichteten Bereiche oder die nicht belichteten Bereiche der Strukturmaske entfernt, insbesondere so, dass die
Strukturmaskenausnehmungen entstehen. Dies kann dazu
beitragen, die Strukturmaske präzise, einfach und/oder kostengünstig auszubilden. Das fotolithographisch
strukturierbare Material kann beispielsweise ein Lack sein und/oder in Form einer Folie auf den Bauelementverbund aufgebracht werden. Das fotolithographisch strukturierbare Material kann beispielsweise mit einer vorgegebenen Dicke aufgebracht werden. Die Dicke kann in einem Bereich von beispielsweise 10 ym bis 200 ym, beispielsweise 40 ym bis 60 ym, beispielsweise bei ungefähr 50 ym liegen.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Strukturmaske mittels eines Druckverfahrens strukturiert auf den Bauelementverbund aufgebracht. Dies kann dazu beitragen, die Strukturmaske präzise, einfach und/oder kostengünstig
auszubilden. Dass die Strukturmaske strukturiert aufgebracht wird, kann beispielsweise bedeuten, dass die Struktur der Strukturmaske direkt beim Aufbringen des Materials der
Strukturmaske auf den Bauelementverbund ausgebildet wird. Dies steht im Gegensatz zu einem zunächst flächigen
Aufbringen von Material und einem anschließenden
Strukturieren des Materials.
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die
Leuchtstoffschichten mittels Rakelns aufgebracht. Bei einem nachfolgenden Entfernen der Strukturmaske kann auch das Leuchtstoff aufweisende Material auf der Strukturmaske entfernt werden. Alternativ dazu kann das Leuchtstoff aufweisende Material auf der Strukturmaske zunächst
abgetragen werden und nachfolgend kann die freigelegte
Strukturmaske entfernt werden. Als Material für die
Leuchtstoffschichten kann beispielsweise ein Leuchtstoff- Silikon-Gemisch verwendet werden. Beispielsweise wird das den oder die Leuchtstoffe aufweisende Material auf die
Strukturmaske und auf die Leuchtstoffbereiche der Bauelemente aufgebracht .
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die
Leuchtstoffschichten mittels Sprühens, beispielsweise Spray- Coating, aufgebracht. Beispielsweise wird das den oder die Leuchtstoffe aufweisende Material auf die Strukturmaske und auf die Leuchtstoffbereiche der Bauelemente aufgesprüht. Bei einem nachfolgenden Entfernen der Strukturmaske wird dann auch das Leuchtstoff aufweisende Material auf der
Strukturmaske entfernt. Alternativ dazu kann das Leuchtstoff aufweisende Material auf der Strukturmaske zunächst
abgetragen werden und nachfolgend kann die freigelegte
Strukturmaske entfernt werden. Als Material für die
Leuchtstoffschichten kann beispielsweise eine
Konvertermischung verwendet werden, die den oder die
Leuchtstoffe, ein Polymer und ein Lösungsmittel aufweist. Bei verschiedenen Ausführungsformen werden vor dem Entfernen der Strukturmaske die Leuchtstoffschichten getrocknet
und/oder gehärtet werden. Das Trocknen bzw. Härten kann beispielswiese bei Temperaturen zwischen 50 Grad und 150 Grad Celsius, beispielsweise zischen 70 Grad und 130 Grad Celsius, beispielsweise zischen 90 Grad und 110 Grad Celsius erfolgen. Das Härten bzw. Trocknen kann dazu beitragen, dass die
Leuchtstoffschichten beim Entfernen der Strukturmaske
unversehrt oder zumindest näherungsweise unversehrt bleiben.
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden nach dem
Aufbringen der Leuchtstoffschichten und/oder nach dem
Trocknen und/oder Härten der Leuchtstoffschichten die
Leuchtstoffschichten und/oder die Strukturmaske zumindest teilweise abgetragen. Das Abtragen der Leuchtstoffschichten kann, falls die Leuchtstoffschichten auch die Strukturmaske bedecken, dazu beitragen, die Strukturmaske freizulegen, so dass diese nachfolgend einfach entfernt werden kann. Ferner kann das Abtragen der Leuchtstoffschichten über den
entsprechenden Leuchtstoffbereichen dazu beitragen, die
Dicken der entsprechenden Leuchtstoffschichten präzise einzustellen. Die Leuchtstoffschichten weisen dann bei unterschiedlichen lateralen Ausmaßen, also parallel zu der Oberfläche der Bauelemente, die gleichen Schichtdicken senkrecht zu der Oberfläche der Bauelemente auf. Dies kann dazu beitragen, dass nachfolgend mit den entsprechenden
Bauelementen präzise der gewünschte Farbort erzielt werden kann. Das Material der Leuchtstoffschichten kann von
vornherein so gewählt werden, dass eine derartige
Nachbearbeitung einfach möglich ist.
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden zu mindestens einem Bauelement im Bauelementverbund zwei oder mehr
voneinander beabstandete Strukturmaskenausnehmungen
ausgebildet. In anderen Worten sind in den zwei oder mehr Strukturmaskenausnehmungen entsprechend zwei oder mehr
Leuchtstoffbereiche eines Bauelements freigelegt. Das entsprechende Bauelement weist dann zwei bzw. mehr Leuchtstoffbereiche auf. Dies kann dazu beitragen, den
Farbort besonders präzise einstellen zu können. Bei verschiedenen Ausführungsformen werden zu mindestens einem Bauelement im Bauelementverbund zwei oder mehr
voneinander beabstandete Leuchtstoffschichten ausgebildet, beispielsweise mittels der entsprechend zwei oder mehr
Strukturmaskenausnehmungen für das entsprechende Bauelement. Dies kann dazu beitragen, den Farbort besonders präzise einstellen zu können.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird bei mindestens einem Bauelement im Bauelementverbund zwischen den
Leuchtstoffschichten des entsprechenden Bauelements,
mindestens eine weitere LeuchtstoffSchicht , beispielsweise eine zweite LeuchtstoffSchicht , ausgebildet. Die weitere Leuchtstoffschicht kann beispielsweise andere Leuchtstoffe aufweisen oder die gleichen Leuchtstoffe in einer anderen Konzentration als die ersten Leuchtstoffschichten . Ferner kann die weitere Leuchtstoffschicht ein anderes
Trägermaterial aufweisen, in dem die Leuchtstoffe eingebettet sind. Dies kann dazu beitragen, unterschiedliche Farborte erzielen zu können und/oder die entsprechenden Farborte besonders präzise einstellen zu können. Die zweite
Leuchtstoffschicht kann so ausgebildet werden, dass eine Form der zweiten Leuchtstoffschicht von einer Form der zwischen den ersten Leuchtstoffschichten gebildeten Kavitäten
vorgegeben werden kann. Falls die Kavitäten rundlich, beispielsweise kreisrund oder oval, sind, so können die zweiten Leuchtstoffschichten dementsprechend rundlich bzw. kreisrund oder oval ausgebildet sein. Falls die Kavitäten polygonal, beispielsweise rechteckig, beispielsweise
quadratisch, sind, so können die zweiten Leuchtstoffschichten dementsprechend polygonal, rechteckig bzw. quadratisch ausgebildet sein. Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die
Leuchtstoffschichten auf mindestens einem Bauelement
streifenförmig ausgebildet.
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die
Leuchtstoffschichten auf mindestens einem Bauelement
gitterförmig ausgebildet. Die Gitterform der
Leuchtstoffschichten kann Zeilen und Spalten aufweisen.
Zwischen den Zeilen und Spalten sind Kavitäten gebildet. Die Gitterform kann so ausgebildet sein, dass die Kavitäten rundlich, beispielsweise kreisrund oder oval, oder polygonal, beispielsweise rechteckig oder quadratisch sind.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
bereitgestellt, die mit Hilfe des Verfahrens nach einem der vorstehenden Ansprüche hergestellt wurde.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
bereitgestellt, beispielsweise die im Vorhergehenden
erläuterte elektromagnetische Baugruppe. Die
elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe weist ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement auf, das mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft aufweist. Mindestens eine LeuchtstoffSchicht , deren Form und Größe abhängig von der bauelement-individuellen Eigenschaft ausgebildet ist, ist auf dem Bauelement ausgebildet.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines
Bauelementverbunds in einem ersten Zustand während eines Verfahrens zum Herstellen einer
elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe; Figur 2 eine Schnittdarstellung des Bauelementverbunds gemäß Figur 1 entlang der Linie II. -II.;
Figur 3 der Bauelementverbund gemäß Figur 2 in einem zweiten
Zustand während des Verfahrens zum Herstellen der elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe;
Figur 4 der Bauelementverbund gemäß Figur 2 in einem dritten
Zustand während des Verfahrens zum Herstellen der elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe;
Figur 5 der Bauelementverbund gemäß Figur 2 in einem dritten
Zustand während des Verfahrens zum Herstellen der elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe;
Figur 6 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines Bauelementverbunds;
Figur 7 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines Bauelementverbunds.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine
elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und mindestens eine LeuchtstoffSchicht auf dem elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement aufweisen. Ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen
Gehäuse. Das elektromagnetische Strahlung emittierende
Bauelement wird nachfolgend als Bauelement bezeichnet. Die elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe wird nachfolgend als Baugruppe bezeichnet.
Fig.l zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines Bauelementverbunds 10 in einem ersten Zustand während eines Verfahrens zum Herstellen elektromagnetische Strahlung emittierender Baugruppen. Der Bauelementverbund 10 weist eine Mehrzahl von Bauelementen 12 auf. Der Bauelementverbund 10 kann mehr oder weniger als die in Figur 1 gezeigten
Bauelemente 12 aufweisen. Der Bauelementverbund 10 ist in Draufsicht rundlich, insbesondere kreisrund ausgebildet. Die Bauelemente 12 sind in Draufsicht polygon, insbesondere rechteckig, insbesondere quadratisch ausgebildet. Alternativ dazu können sowohl der Bauelementverbund 10 als auch die Bauelemente 12 in Draufsicht anders ausgebildet sein.
Beispielsweise kann der Bauelementverbund 10 polygon, beispielsweise rechteckig oder quadratisch geformt sein und/oder die Bauelemente 12 können rundlich, beispielsweise oval oder kreisrund ausgebildet sein. Der Bauelementverbund 10 kann beispielsweise ein Waver sein und/oder im
Wesentlichen Halbleitermaterial aufweisen und/oder daraus gebildet sein.
Die Bauelemente eignen sich zum Emittieren
elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise zum Emittieren von blauem Licht. Außerdem eignen sich die Bauelemente zum Aufnehmen von Leuchtstoffschichten, wobei mindestens ein Bauelement und mindestens eine darauf ausgebildete
LeuchtstoffSchicht eine elektromagnetische Strahlung
emittierende Baugruppe bilden. Fig. 2 zeigt eine Schnittdarstellung des Bauelementverbunds 10 gemäß Figur 1 entlang der in Figur 1 gezeigten Linie II- II. Der Bauelementverbund 10 weist ein Substrat 14, eine untere Elektrodenschicht 16, eine optisch aktive Schicht 17 und eine obere Elektrodenschicht 18 auf. Ferner weist jedes Bauelement 12 in der oberen Elektrodenschicht 18 einen
Kontaktbereich 20 auf. Die obere Elektrodenschicht 18 eignet sich zum Aufnehmen einer Leuchtstoffschicht (in Figur 2 nicht gezeigt) . Der Bereich der oberen Elektrodenschicht 18, in dem die Leuchtstoffschicht aufgebracht wird, kann auch als
Leuchtstoffbereich (in Figur 2 nicht gezeigt) bezeichnet werden. Der Kontaktbereich 20 eignet sich zum elektrischen Kontaktieren des entsprechenden Bauelements 12.
Beim Anlegen einer Spannung an die untere und die obere
Elektrodenschicht 16, 18 wird in der optisch aktiven Schicht 17 elektromagnetische Strahlung erzeugt, die in Richtung weg von dem Substrat 14, in Figur 2 beispielsweise nach oben, emittiert wird. Ein Farbort, der mittels der
elektromagnetischen Strahlung einer der Baugruppen erzielt werden kann, ergibt sich aus den Eigenschaften des
entsprechenden Bauelements 12, der Form und/oder Größe des entsprechenden Leuchtstoffbereichs , der Dicke der
entsprechenden Leuchtstoffschicht und der Konzentration der Leuchtstoffe in der Leuchtstoffschicht .
Die Leuchtstoffe einer der Leuchtstoffschichten werden mit Hilfe der von dem entsprechenden Bauelement 12 erzeugten elektromagnetischen Strahlung, die in diesem Zusammenhang auch als Anregungsstrahlung bezeichnet werden kann,
energetisch angeregt. Die Anregungsstrahlung kann
beispielsweise blaues Licht aufweisen. Beim nachfolgenden energetischen Abregen emittieren die Leuchtstoffe Licht einer oder mehrerer vorgegebener Farben. Es findet somit eine
Konversion der Anregungsstrahlung statt, wodurch
Konversionsstrahlung erzeugt wird. Bei der Konversion werden die Wellenlängen der Anregungsstrahlung zu kürzeren oder längeren Wellenlängen verschoben. Die Farben können
Einzelfarben oder Mischfarben sein und einem bestimmten
Farbort entsprechen. Die Einzelfarben können beispielsweise grünes, rotes oder gelbes Licht aufweisen und/oder die
Mischfarben können beispielsweise aus grünem, rotem und/oder gelbem Licht gemischt sein und/oder beispielsweise weißes
Licht aufweisen. Zusätzlich kann blaues Licht bereitgestellt werden, beispielsweise indem die LeuchtstoffSchicht so ausgebildet wird, dass zumindest teilweise nicht konvertierte Anregungsstrahlung die Baugruppe als nutzbares
Beleuchtungslicht verlässt. Die Einzel- oder Mischfarben können mit Hilfe der LeuchtstoffSchicht und des
entsprechenden Bauelements 12 dargestellt werden.
Beispielsweise können grün, rot und gelb mit Hilfe von blauem Anregungslicht dargestellt werden. Bei Verwendung von UV- Licht als Anregungslicht können die Leuchtstoffe auch so gewählt werden, dass sie rot, grün, blau und gelb darstellen.
Die einzelnen Bauelemente 12 können nach fertiger Bearbeitung des Bauelementverbunds 10 entlang von Trennlinien 20
vereinzelt werden. Alternativ dazu können auch mehrere
Bauelemente 12 nicht voneinander getrennt werden und
unterschiedliche Elemente einer Baugruppe bilden.
Die Bauelemente 12 können vor dem Vereinzeln schon im
Bauelementverbund 10 kontaktiert, betrieben und/oder gemessen werden. Insbesondere können bauelement-individuelle
Eigenschaften der einzelnen Bauelemente 12 schon im
Bauelementverbund 10 ermittelt werden. Beispielsweise kann zu jedem Bauelement 12 als bauelement-individuelle Eigenschaft die entsprechende Vorwärtsspannung, die erzeugte Wellenlänge und/oder die erzeugte Helligkeit, bei ansonsten vorgegebenen Randbedingungen, beispielsweise gleichen Randparametern, ermittelt werden. In anderen Worten können die Bauelemente 12 im Bauelementverbund 10 unter gleichen Bedingungen betrieben werden, zeigen jedoch dann individuell voneinander
abweichende Eigenschaften, welche schon im Bauelementverbund 10 erfasst werden können.
Daten, die die bauelement-individuellen Eigenschaften
repräsentieren, können auf einem nicht dargestellten
elektronischen Speicherelement gespeichert werden. Abhängig von den gespeicherten Daten kann, beispielsweise mittels eines Softwareprogramms, zu jedem Bauelement 12 individuell eine Leuchtstoffmenge ermittelt werden, die benötigt wird, damit mittels der entsprechenden Leuchtstoffschicht und des entsprechenden Bauelements 12 ein gewünschter Farbort
erzielbar ist. Abhängig von der ermittelten Leuchtstoffmenge und für eine vorgegebene Dicke der Leuchtstoffschicht kann dann für jedes Bauelement 12 ein individueller
Leuchtstoffbereich auf dem entsprechenden Bauelement 12 ermittelt werden, der mit Leuchtstoffmaterial mit der
vorgegebenen Dicke beschichtet werden muss, damit das entsprechende Bauelement 12 mit der entsprechenden
Leuchtstoffschicht den vorgegebenen Farbort erzielen kann. Fig. 3 zeigt den Bauelementverbund 10 gemäß Figur 2 während eines zweiten Zustands des Verfahrens zum Herstellen der Baugruppe, bei dem eine Strukturmaske 22 auf der zweiten Elektrodenschicht 18 ausgebildet ist. Die Strukturmaske 22 wird abhängig von den ermittelten Leuchtstoffmengen bzw. den ermittelten Leuchtstoffbereichen ausgebildet. Insbesondere können Strukturmaskenausnehmungen 24 der Strukturmaske 22 so ausgebildet sein, dass Leuchtstoffbereiche 26 auf den
Bauelementen 12 des Bauelementverbunds 10 frei vom Material der Strukturmaske 22 bleiben. In anderen Worten sind die Leuchtstoffbereiche 26 der einzelnen Bauelemente 12 in den Strukturausnehmungen 24 freigelegt, wobei die
Strukturausnehmungen 24 zu den Leuchtstoffbereichen 26 korrespondieren.
Aus Figur 3 geht hervor, dass die Leuchtstoffbereiche 26 unterschiedlich, beispielsweise unterschiedliche groß, lang und/oder breit ausgebildet sein können. Zur besseren
Veranschaulichung sind die Unterschiede der
Leuchtstoffbereiche 26 in Figur 3 relativ groß dargestellt. Die Größen und/oder Formen der Leuchtstoffbereiche 26 können tatsächlich jedoch auch deutlich geringer sein. Die
Unterschiede der Leuchtstoffbereiche 26 ergeben sich aus den Unterschieden der Eigenschaften und damit aus den bauelementindividuellen Eigenschaften der einzelnen Bauelemente 12.
Die Strukturmaske 22 kann beispielsweise zuerst hergestellt werden und dann auf dem Bauelementverbund 10 angeordnet werden. Alternativ dazu kann die Strukturmaske 22 direkt auf dem Bauelementverbund 10 ausgebildet werden. Die
Strukturmaske 22 kann beispielsweise ein fotolithographisch strukturierbares Material aufweisen. Das fotolithographisch strukturierbare Material kann beispielsweise in Form eines Lacks und/oder in Form einer Folie auf den Bauelementverbund 10 aufgebracht werden, danach abhängig von den die
Eigenschaften der Bauelemente 12 repräsentierenden Daten belichtet werden, beispielsweise laserbelichtet werden, und nachfolgend können in einem Lift-Off-Verfahren die
belichteten oder die nicht belichteten Bereiche der
Strukturmaske 22 entfernt werden, abhängig davon welche Art von photolithographisch strukturierbarem Material verwendet wird. Alternativ dazu kann die Strukturmaske 22 in einem Druckverfahren, beispielsweise in einem Ink-Jet- Druckverfahren, auf den Bauelementverbund 10 aufgebracht werden . Fig. 4 zeigt den Bauelementverbund 10 gemäß Figur 2 in einem dritten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen der Baugruppe. Über den Leuchtstoffbereichen 26 und in den
Strukturausnehmungen 24 sind die Leuchtstoffschichten, beispielsweise erste Leuchtstoffschichten 28, ausgebildet. Die ersten Leuchtstoffschichten 28 können beispielsweise mittels Rakeln in die Strukturausnehmungen 24 eingebracht werden. Alternativ dazu kann das Material der ersten
Leuchtstoffschichten 28 zunächst flächig auf die
Leuchtstoffbereiche 26 und die Strukturmaske 22 aufgebracht werden, gehärtet und/oder getrocknet werden und nachfolgend teilweise abgetragen werden. Die Konversionsgrade der
einzelnen ersten Leuchtstoffschichten 28 hängen von deren Dicke, deren Fläche parallel zu den Leuchtstoffbereichen 26 und von der Konzentration der Leuchtstoffe in der
entsprechenden ersten LeuchtstoffSchicht 28 ab. Bei gleicher Dicke der ersten Leuchtstoffschichten 28 und gleicher
Konzentration der Leuchtstoffe wird der Konversionsgrad somit von der Größe der Fläche parallel zu den Leuchtstoffbereichen 26 und folglich von der Größe der Strukturausnehmungen 24 bestimmt.
Übliche Leuchtstoffe sind beispielsweise Granate oder Nitride Silikate, Nitride, Oxide, Phosphate, Borate, Oxynitride, Sulfide, Selenide, Aluminate, Wolframate, und Halide von Aluminium, Silizium, Magnesium, Calcium, Barium, Strontium, Zink, Cadmium, Mangan, Indium, Wolfram und anderen
Übergangsmetallen, oder Seltenerdmetallen wie Yttrium,
Gadolinium oder Lanthan, die mit einem Aktivator, wie zum Beispiel Kupfer, Silber, Aluminium, Mangan, Zink, Zinn, Blei, Cer, Terbium, Titan, Antimon oder Europium dotiert sind. In verschiedenen Ausführungsformen ist der Leuchtstoff ein oxidischer oder (oxi-) nitridischer Leuchtstoff, wie ein
Granat, Orthosilikat , Nitrido (alumo) silikat, Nitrid oder Nitridoorthosilikat , oder ein Halogenid oder Halophosphat . Konkrete Beispiele für geeignete Leuchtstoffe sind
Strontiumchloroapatit :Eu ( (Sr, Ca) 5 (P04) 3C1 :Eu; SCAP) ,
Yttrium-Aluminium-Granat : Cer (YAG:Ce) oder CaAlSiN3:Eu.
Ferner können im Leuchtstoff bzw. Leuchtstoffgemisch
beispielsweise Partikel mit Licht streuenden Eigenschaften und/oder Hilfsstoffe enthalten sein. Beispiele für
Hilfsstoffe schließen Tenside und organische Lösungsmittel ein. Beispiele für Licht streuende Partikel sind Gold-,
Silber- und Metalloxidpartikel.
Fig. 5 zeigt den Bauelementverbund 10 in einem vierten
Zustand während des Verfahrens zum Herstellen der Baugruppe, bei dem die Strukturmaske 22 entfernt ist. Die Strukturmaske 22 kann beispielsweise mittels eines Lift-Off-Verfahrens , beispielsweise mittels eines Ätzprozesses, entfernt werden. Die Bauelemente 12 bilden zusammen mit den entsprechenden ersten Leuchtstoffschichten 28 mehrere Baugruppen und bilden gemeinsam einen Baugruppenverbund. Nachfolgend können die einzelnen Baugruppen beispielsweise entlang der Trennlinien 20 vereinzelt werden. Alternativ dazu können mehrere der Baugruppen zu einer gemeinsamen Baugruppe zusammengefasst werden. Jede Baugruppe weist eine individuelle Kombination von Bauelement 12 mit bauelement-individuellen Eigenschaften und von der entsprechenden ersten LeuchtstoffSchicht 28 auf, wobei mittels jeder der Baugruppen der gleiche Farbort erzielbar ist. Fig. 6 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines Bauelementverbunds 10, der
beispielsweise mittels des im Vorhergehenden erläuterten Verfahrens ausgebildet werden kann.
Beispielsweise weist die in Figur 6 ganz links gezeigte
Baugruppe zwei Leuchtstoffschichten 28 auf. Die ersten
Leuchtstoffschichten 28 können beispielweise in die
Zeichenebene hinein streifenförmig ausgebildet sein. Ferner können zusätzlich nicht eingezeichnete Querverbindungen zwischen den ersten Leuchtstoffschichten 28 bestehen, mittels derer in Draufsicht polygonale, beispielsweise rechteckige, beispielsweise quadratische, oder rundliche, beispielsweise ovale oder kreisrunde erste Leuchtstoffschichten 28 gebildet sind.
Im Unterschied dazu weist die in Figur 6 gezeigte zweite Baugruppe von links beispielsweise vier erste
Leuchtstoffschichten 28 auf, die entsprechend den ersten Leuchtstoffschichten 28 der ganz linken Baugruppe
streifenförmig, polygonal oder rundlich ausgebildet sein können .
Die in Figur 6 gezeigte zweite Baugruppe von rechts weist beispielsweise keine erste Leuchtstoffschicht 28 auf.
Beispielsweise kann beim Ausmessen des entsprechenden
Bauelements 12 festgestellt worden sein, dass mittels dieses Bauelements 12 der gewünschte Farbort unabhängig von der aufbringbaren ersten Leuchtstoffschicht 28 nicht erzielbar ist. Beispielsweise kann das entsprechende Bauelement gar nicht funktionieren oder innerhalb eines vorgegebenen
Parameterbereichs nicht funktionieren. Im ersteren Fall kann die entsprechende Baugruppe entsorgt werden, ohne dass dafür Leuchtstoffmaterial verschwendet wird. Im letzteren Fall kann das entsprechende Bauelement 12 einer anderen Verwendung ohne erste LeuchtstoffSchicht 28 oder mit einer anderen nicht dargestellten LeuchtstoffSchicht , beispielsweise in Form eines Plättchens, zugeführt werden.
Die in Figur 6 ganz rechts gezeigte Baugruppe ist bis auf den Kontaktbereich 20 nahezu vollständig mit der ersten
LeuchtstoffSchicht 28 bedeckt.
Fig. 7 zeigt eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel eines Bauelementverbunds 10, bei dem zwischen den ersten Leuchtstoffschichten 28 weitere
Leuchtstoffschichten 30, insbesondere zweite
Leuchtstoffschichten 30, ausgebildet sind. Die ersten
Leuchtstoffschichten 28 können beispielsweise ein anderes Material aufweisen als die zweiten Leuchtstoffschichten 30. Beispielsweise können die ersten Leuchtstoffschichten 28 andere Leuchtstoffe aufweisen als die zweiten
Leuchtstoffschichten 30. Alternativ oder zusätzlich können die ersten Leuchtstoffschichten 28 die Leuchtstoffe in einer anderen Konzentration aufweisen als die zweiten
Leuchtstoffschichten 30. Dies kann dazu beitragen, einen anderen gewünschten Farbort zu erzielen oder den gewünschten Farbort noch präziser einstellen zu können.
Die ersten Leuchtstoffschichten 28 können beim Aufbringen der zweiten Leuchtstoffschichten 30 als Maske für das Material der zweiten Leuchtstoffschichten 30 dienen. Alternativ oder zusätzlich können die ersten Leuchtstoffschichten 28 als
Rahmen für die zweiten Leuchtstoffschichten 30 dienen. Die ersten Leuchtstoffschichten 28 können beispielsweise in
Draufsicht rundliche, beispielsweise kreisrunde oder ovale, oder polygonale, beispielsweise rechteckige oder quadratische Ausnehmungen, insbesondere Kavitäten umranden, in die dann das Material der zweiten Leuchtstoffschichten 30 eingefüllt werden kann. Die Form der zweiten Leuchtstoffschichten 30 wird dann von der Form der Kavitäten vorgegeben, so dass die zweiten Leuchtstoffschichten 30 dementsprechend rundlich, beispielsweise kreisrund oder oval, bzw. polygonal,
beispielsweise rechteckig oder quadratisch, sind. Das Material der zweiten Leuchtstoffschichten 30 kann
beispielsweise mit einer gleichen Dicke aufgebracht werden wie das der ersten Leuchtstoffschichten 28 oder das Material der zweiten Leuchtstoffschichten 30 kann so aufgebracht werden, dass die zweiten Leuchtstoffschichten 30 aus den ersten Leuchtstoffschichten 28 konvex nach außen ragen, wie bei der in Figur 7 gezeigten zweiten Baugruppe von links, oder konkav nach innen ragen, wie bei der in Figur 7
gezeigten zweiten Baugruppe von rechts. Die Erfindung ist nicht auf die gezeigten
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können mehr oder weniger Leuchtstoffschichten 28, 30 ausgebildet sein. Ferner können die Leuchtstoffschichten 28, 30 mit
unterschiedlichen Dicken ausgebildet sein. Ferner können die Bauelemente 12 entsprechend herkömmlichen LEDs weit mehr als die gezeigten Schichten aufweisen. Darüber hinaus können die Bauelemente 12 nicht gezeigte eingebettete elektronische Bauelemente wie Kondensatoren, Transistoren ect. aufweisen. Ferner können zum Aufbringen der Strukturmaske 22 und/oder der Leuchtstoffschichten 28, 30 andere geeignete Verfahren als die genannten verwendet werden.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische
Strahlung emittierenden Baugruppe, bei dem
- ein Bauelementverbund (10) bereitgestellt wird, der elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente (12) aufweist, die im Bauelementverbund (10) körperlich
miteinander gekoppelt sind,
- zu den Bauelementen (12) jeweils mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft ermittelt wird,
- abhängig von den ermittelten Eigenschaften der
Bauelemente (12) eine Strukturmaske (22) zum Bedecken der Bauelemente (12) im Bauelementverbund (10) ausgebildet wird, wobei die Strukturmaske (22) korrespondierend zu den
Bauelementen (12) Strukturmaskenausnehmungen (24) aufweist, die abhängig von den ermittelten Eigenschaften der
entsprechenden Bauelemente (12) bauelement-individuell ausgebildet sind, und wobei die Strukturmaskenausnehmungen (24) Leuchtstoffbereiche (26), die in den
Strukturmaskenausnehmungen (24) freigelegt sind, auf den Bauelementen (12) vorgeben,
- auf die Leuchtstoffbereiche (26) der Bauelemente (12) Leuchtstoffschichten (28) ausgebildet werden,
- die Strukturmaske (22) von dem Bauelementverbund (10) entfernt wird, und
- die Bauelemente (12) aus dem Bauelementverbund (10) vereinzelt werden, wobei eine Baugruppe von mindestens einem der vereinzelten Bauelemente (12) und von mindestens einer darauf ausgebildeten LeuchtstoffSchicht (28) gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Strukturmaske (22) direkt auf dem Bauelementverbund (10) ausgebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Strukturmaske (22) ein fotolithographisch strukturierbares Material
aufweist, das zunächst flächig auf den Bauelementverbund (10) aufgebracht wird, dann abhängig von den ermittelten
Eigenschaften belichtet wird und anschließend, abhängig von dem fotolithographisch strukturierbaren Material, die
belichteten Bereiche oder die nicht belichteten Bereiche der Strukturmaske (22) entfernt werden, wodurch die
Strukturmaskenausnehmungen (24) gebildet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Strukturmaske (22) mittels eines Druckverfahrens strukturiert auf den
Bauelementverbund (10) aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Leuchtstoffschichten (28) mittels Rakelns aufgebracht werden .
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Leuchtstoffschichten (28) mittels Sprühens aufgebracht werden .
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem vor dem Entfernen der Strukturmaske (22) die
Leuchtstoffschichten (28) getrocknet und/oder gehärtet werden .
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem nach dem Aufbringen der Leuchtstoffschichten (28) und/oder nach dem Trocknen und/oder Härten der Leuchtstoffschichten
(28) die Leuchtstoffschichten (28) und/oder die Strukturmaske (22) teilweise abgetragen werden.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem zu mindestens einem Bauelement (12) im Bauelementverbund (10) zwei oder mehr voneinander beabstandete
Strukturmaskenausnehmungen (24) ausgebildet werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem zu mindestens einem Bauelement (12) im Bauelementverbund (10) zwei oder mehr voneinander beabstandete Leuchtstoffschichten (28)
ausgebildet werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem bei mindestens einem Bauelement (12) im Bauelementverbund (10) zwischen den
Leuchtstoffschichten (28) des entsprechenden Bauelements (12), mindestens eine weitere LeuchtstoffSchicht (30) ausgebildet wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem die Leuchtstoffschichten (28) auf mindestens einem Bauelement (12) streifenförmig ausgebildet sind.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem die Leuchtstoffschichten (28) auf mindestens einem Bauelement (12) gitterförmig ausgebildet sind.
14. Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe, die mit Hilfe des Verfahrens nach einem der vorstehenden
Ansprüche hergestellt wurde.
15. Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe, mit einem elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement
(12), das mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft aufweist, und mit mindestens einer LeuchtstoffSchicht (28), die auf dem Bauelement (12) ausgebildet ist und deren Form und Größe abhängig von dem der bauelement-individuellen
Eigenschaft ausgebildet ist.
PCT/EP2014/055546 2013-03-25 2014-03-19 Verfahren zum herstellen einer elektromagnetische strahlung emittierenden baugruppe und elektromagnetische strahlung emittierende baugruppe Ceased WO2014154551A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020157030641A KR102211753B1 (ko) 2013-03-25 2014-03-19 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법 및 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리
JP2016504580A JP6177420B2 (ja) 2013-03-25 2014-03-19 電磁放射を放出するモジュールの製造方法、及び、電磁放射を放出するモジュール
CN201480017946.7A CN105229802B (zh) 2013-03-25 2014-03-19 用于制造发射电磁辐射的组件的方法和发射电磁辐射的组件
US14/780,470 US9799795B2 (en) 2013-03-25 2014-03-19 Method for producing an assembly emitting electromagnetic radiation, and assembly emitting electromagnetic radiation

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013205179.4A DE102013205179A1 (de) 2013-03-25 2013-03-25 Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
DE102013205179.4 2013-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014154551A1 true WO2014154551A1 (de) 2014-10-02

Family

ID=50343769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2014/055546 Ceased WO2014154551A1 (de) 2013-03-25 2014-03-19 Verfahren zum herstellen einer elektromagnetische strahlung emittierenden baugruppe und elektromagnetische strahlung emittierende baugruppe

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9799795B2 (de)
JP (1) JP6177420B2 (de)
KR (1) KR102211753B1 (de)
CN (1) CN105229802B (de)
DE (1) DE102013205179A1 (de)
WO (1) WO2014154551A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
DE102014107321B4 (de) * 2014-05-23 2019-06-27 Tailorlux Gmbh Infrarot LED
DE102015224434B4 (de) * 2015-12-07 2024-05-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierende Baugruppe, Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Baugruppe und Lichtmischer

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
DE102004047727A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
US20090261358A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
DE102011013369A1 (de) * 2010-12-30 2012-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
EP2503605A2 (de) * 2010-09-15 2012-09-26 Lightizer Korea Co., Ltd Lichtemittierende diode und verfahren zu ihrer herstellung

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7858403B2 (en) 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
JP4374913B2 (ja) * 2003-06-05 2009-12-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102006024165A1 (de) * 2006-05-23 2007-11-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Wellenlängenkonversionsstoff sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem solchen Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterchips
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
TWI396298B (zh) 2007-08-29 2013-05-11 億光電子工業股份有限公司 發光半導體元件塗佈螢光粉的方法及其應用
DE102007050876A1 (de) 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102008011809A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7955875B2 (en) 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
DE102008050643B4 (de) 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
US7897419B2 (en) * 2008-12-23 2011-03-01 Cree, Inc. Color correction for wafer level white LEDs
US7994531B2 (en) 2009-04-02 2011-08-09 Visera Technologies Company Limited White-light light emitting diode chips and fabrication methods thereof
DE102009033915B4 (de) 2009-07-20 2022-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels und Leuchtmittel
CN102714263B (zh) * 2010-02-25 2015-11-25 韩国莱太柘晶电株式会社 发光二极管及其制造方法
DE102010034565A1 (de) * 2010-08-17 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102010045403A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8349628B2 (en) * 2011-03-22 2013-01-08 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of fabricating light emitting diode devices
DE102012217521A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102012109177A1 (de) * 2012-09-27 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102013207611A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit optoelektronischem Bauelement

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
DE102004047727A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
US20090261358A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
EP2503605A2 (de) * 2010-09-15 2012-09-26 Lightizer Korea Co., Ltd Lichtemittierende diode und verfahren zu ihrer herstellung
DE102011013369A1 (de) * 2010-12-30 2012-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
US9799795B2 (en) 2017-10-24
US20160043271A1 (en) 2016-02-11
JP2016518019A (ja) 2016-06-20
KR102211753B1 (ko) 2021-02-02
DE102013205179A1 (de) 2014-09-25
CN105229802B (zh) 2017-10-13
JP6177420B2 (ja) 2017-08-09
CN105229802A (zh) 2016-01-06
KR20150136512A (ko) 2015-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2382673B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zu seiner herstellung
EP2020038B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit drei wellenlängenkonversionsstoffen sowie optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem solchen halbleiterchip und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterchips
DE102010053362B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement
EP1643567B1 (de) Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
DE102013207308B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
DE102009019909A1 (de) Leuchtdiodengehäuse, Leuchtdiodensysteme und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102013214877A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements und eines optoelektronischen Bauelements, Abdeckelement und optoelektronisches Bauelement
DE102017102112A1 (de) Lichtemittierendes Element und sein Herstellungsverfahren
WO2019145422A9 (de) Optoelektronischer halbleiterchip, optoelektronisches bauelement und dessen verfahren zur herstellung
DE102014102293A1 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102015103055A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
WO2014161748A1 (de) Elektromagnetische strahlung emittierende baugruppe und verfahren zum herstellen einer elektromagnetische strahlung emittierenden baugruppe
DE102013211634A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements
DE102014108362B4 (de) Verfahren zur Herstellung mehrerer optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102014113844A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102013205179A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
DE102010031732A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE112019006996B4 (de) Verfahren zur herstellung optoelektronischer halbleiterbauelemente
WO2015107211A1 (de) Verfahren zur herstellung einer lateral strukturierten phosphorschicht und optoelektronisches halbleiterbauteil mit einer solchen phosphorschicht
DE102013220674A1 (de) Leuchtvorrichtung
WO2021028484A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufnehmen und ablegen von optoelektronischen halbleiterchips
DE112018004815B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2132792B1 (de) Verfahren zum herstellen eines lumineszenzdiodenchips und lumineszenzdiodenchip
DE102013214400A1 (de) Herstellung eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip
DE202011110931U1 (de) Licht emittierende Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201480017946.7

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14711740

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016504580

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14780470

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157030641

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14711740

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1