WO2014154020A1 - 多规格混用的发光二极管芯片驱动方法及驱动装置 - Google Patents

Abstract

一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法及驱动装置。该多规格混用的发光二极管芯片驱动方法应用于驱动装置，其包括以下步骤：A.预设多个不同的预设电流值于该驱动装置中；B.提供一发光二极管芯片连接至该驱动装置；C.该驱动装置选取步骤A中预设的其中一个该预设电流值，且所选取的该预设电流值符合该发光二极管芯片的额定电流；D.该驱动装置输出步骤C中所选取的该预设电流值的电能予该发光二极管芯片。借此，该驱动方法及驱动装置可适于驱动多种不同规格的发光二极管芯片。

Description

多 混用的发光二极管芯片驱动方法及驱动装置 技术领域

本发明涉及发光二极管的驱动， 特别是涉及一种多规格混用的发光二 极管芯片驱动方法及驱动装置。 背景技术

发光二极管照明装置包括有一发光二极管芯片与一驱动装置， 该驱动 装置用以提供该发光二极管芯片所需的电能。 目前市面上的发光二极管芯 片规格琳琅满目 ， 举例而言， 以下五种不同规格的发光二极管芯 片， 45V/500mA、 38V/700mA, 34V/900mA、 20V/1500mA、 14V/1400mA, 所需 的额定电压及额定电流皆不同， 为了驱动如此多种规格组合的发光二极管 芯片， 目前的方式是针对每一种规格的发光二极管芯片开发一种驱动装置。 然而， 对于发光二极管照明装置制造商而言， 开发的驱动装置种类增多不 但增加驱动装置库存的压力， 而且无法以量制价， 导致制造成本居高不下。 若能开发适用于多规格的发光二极管芯片的驱动方法， 将可降低发光二极 管芯片的驱动装置库存的压力， 并且有效降低制造成本。 发明内容

有鉴于此， 本发明的主要目的在于提供一种多规格混用的发光二极管 芯片驱动方法及驱动装置， 所要解决的技术问题是使其可应用于驱动多种 不同规格的发光二极管芯片。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。 依据 本发明提出的一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 包括以下步骤：

A. 预设多个不同的预设电流值;

B. 提供一发光二极管芯片；

C. 选取步骤 A中预设的其中一个该预设电流值， 且所选取的该预设电 流值符合该发光二极管芯片的额定电流； 以及

D. 供输步骤 C中所选取的该预设电流值的电能予该发光二极管芯片。 本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 其中在步骤 A中，每一 个该预设电流值对应一个预设电压值； 在步驟 C 中， 是供输一定电流予该 发光二极管芯片， 同时侦测供输至该发光二极管芯片的电压值， 并依据所 测得的电压值选取与其相符合的一个该预设电压值所对应的该预设电流 值。 前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 其中在步骤 A中，每一 个该预设电流值对应一个预设电压区段； 在步骤 C 中， 是供输一定电流予 该发光二极管芯片， 同时侦测供输至该发光二极管芯片的电压值， 并依据 所测得的电压值选取与其相符合的一个该预设电压区段所对应的该预设电 流值。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 其中步骤 C 中所供输 的定电流的电流值小于该些预设电流值。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 其中在步骤 A中，其中 一个该预设电压区段包含零伏特。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 其中在步骤 D 中还包 括： 侦测供输至该发光二极管芯片的电压值大于一上限电压值时， 则使供 输至该发光二极管芯片的电压值维持于该上限电压值。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。 依据本 发明提出的一种多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 用以驱动发光二 极管芯片， 其包括： 驱动单元， 电性连接电源与该发光二极管芯片， 用以 接收该电源的电能并输出驱动电压与驱动电流予该发光二极管芯片； 电压 侦测单元， 电性连接该驱动单元， 用以侦测该驱动电压的电压值； 以及反 馈控制模块， 电性连接该电压侦测单元及该驱动单元， 该反馈控制模块内 建有多个不同的预设电压值， 该反馈控制模块依据该电压侦测单元所测得 的电压值对应一个该预设电压值， 并依据所对应的该预设电压值控制该驱 动单元使该驱动电流维持于符合该发光二极管芯片的额定电流的电流值。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其中该些预设电压值 还区分有多个预设电压区段， 同一个预设电压区段内的预设电压值是对应 该驱动单元输出相同的电流值； 该反馈控制模块依据该电压侦测单元所测 得的电压值对应一个该预设电压值所属的预设电压区段， 并控制该驱动单 元使该驱动电流维持于符合该发光二极管芯片的额定电流的电流值。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其中该反馈控制模块 控制该驱动单元使该驱动电流的电流值为一固定的参考电流值， 同时侦测 供输至该发光二极管芯片的驱动电压的电压值， 并依据所测得的电压值对 应与其相符合的一个该预设电压值。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置，其中该参考电流值小 于该发光二极管芯片的额定电流。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置，其中一个该预设电压 区段包含零伏特。

本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。 依 据本发明提出的一种多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 用以驱动发 光二极管芯片， 其包括： 驱动单元， 电性连接电源与该发光二极管芯片，用 以接收该电源的电能并输出一驱动电压与一驱动电流予该发光二极管芯 片；电压侦测单元，电性连接该驱动单元，用以侦测该驱动电压的电压值；以 及反馈控制模块， 电性连接该电压侦测单元及该驱动单元， 该反馈控制模 块内建有预设功率值， 该反馈控制模块依据该电压侦测单元所测得的驱动 电压的电压值及该预设功率值， 控制该驱动单元使该驱动电流维持于符合 该发光二极管芯片的额定电流的电流值。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其中该反馈控制模块 控制该驱动单元使该驱动电流的电流值由一启始电流值逐渐增加， 同时侦 测供输至该发光二极管芯片的驱动电压的电压值， 并计算该驱动电压的电 压值与该驱动电流的电流值的一乘积， 直到该乘积等于该预设功率值时停 止增加并维持该驱动电流的电流值。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 还包括电流侦测单元， 电性连接该驱动单元与该反馈控制模块， 该电流侦测单元侦测该驱动电流 的电流值； 该反馈控制模块依据所侦测的该驱动电流的电流值与所侦测的 该驱动电压的电压值计算乘积。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其中该驱动单元所连 接的发光二极芯片的额定功率介于该预设功率值的 90% ~ 110%间。

前述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其中该反馈控制模块 内建有多个不同的功率值； 一切换单元电性连接该反馈控制模块， 该切换 单元供选择其中一个该功率值， 且该预设功率值为该切换单元所选择的一 个该功率值。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。 借由上述技术方 案，本发明多规格混用的发光二极管芯片驱动方法及驱动装置至少具有下 列优点及有益效果： 本发明的该多规格混用的发光二极管芯片驱动方法及 驱动装置， 可适用于驱动多种不同规格的发光二极管芯片，有效改善现有习 用的驱动装置只能适用单一种规格的发光二极管芯片的不便。

上述说明仅是本发明技术方案的概述， 为了能够更清楚了解本发明的 技术手段， 而可依照说明书的内容予以实施， 并且为了让本发明的上述和 其他目的、 特征和优点能够更明显易懂， 以下特举较佳实施例， 并配合附 图，详细说明如下。 附图的简要说明

图 1是本发明第一较佳实施例所应用的驱动装置的方框图。 90 图 2是本发明第一较佳实施例的流程图。

图 3是第一较佳实施例的驱动装置的输出特性图。

图 4是本发明第二较佳实施例的流程图。

图 5是第二较佳实施例的驱动装置的输出特性图。

图 6是本发明第三较佳实施例所应用的的驱动装置的方框图。

图 7是本发明第三较佳实施例的另一实施方式的示意图。

1 : 驱动装置 10 ' 驱动单元

20: 电压侦测单元 30 运算单元

302： 存储器 40 控制单元

50: 电源 60 发光二极管芯片

2: 驱动装置 70 驱动单元

72： 电压侦测单元 74 电流侦测单元

76: 反馈控制模块 78 运算单元

80: 控制单元 82 切换单元

实现发明的最佳方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例， 对依据本发明提出的多规格混用的发光二 极管芯片驱动方法及驱动装置其具体实施方式、 方法、 步骤、 结构、 特征 及其功效， 详细说明如后。

图 1是本发明第一较佳实施例所应用的驱动装置的方框图。 其中， 驱 动装置 1 是应用本发明的发光二极管芯片驱动方法， 其包括： 一驱动单元 10、 一电压侦测单元 20、 一运算单元 30与一控制单元 40。

该驱动单元 10电性连接一电源 50与一发光二极管芯片 60,用以接收该 电源 50的电能并输出一驱动电压与一驱动电流予该发光二极管芯片 60。该 驱动单元 10 是可受控制地改变该驱动电压的电压值与该驱动电流的电流 值。 在实务上， 该驱动单元 10可为采用 PWM、 半桥式、 Buck、 Boos t等型 式的电路为基础进行设计。

该电压侦测单元 20电性连接该驱动单元 10， 用以侦测该驱动单元 10 供输予该发光二极管芯片 60的驱动电压的电压值。 该运算单元 30电性连 接该电压侦测单元 20， 且该运算单元 30通过该控制单元 40电性连接该驱 动单元 10。 在本实施例中， 该运算单元 30具有一存储器 302。

借此， 利用前述的驱动装置 1 可进行本实施例的发光二极管芯片驱动 方法。 以下是以该驱动装置 1分别供五种不同规格的发光二极管芯片 60使 用为例进行说明， 这五种发光二极管芯片 60所需的额定电压及额定电流分 别为： 45V/500mA、 38V/700mA, 34V/900tnA、 20V/1500mA, 14V/1400mA_o 在进行该发光二极管芯片驱动方法之前， 先测量前述的每一发光二极 管芯片 60操作于一参考电流值时所对应的电压值， 其中该参考电流值是小 于该些发光二极管芯片 60的额定电流， 该参考电流值为定电流。 兹定义发 光二极管芯片 60操作于该参考电流值时所对应的电压值为一预设电压值， 这五种不同的发光二极管芯片 60即分别对应不同的预设电压值。

该发光二极管芯片驱动方法包括图 2所示的下列步骤：

A. 在该运算单元 30的存储器 302 中预先建立一数据库， 该数据库具 有该些发光二极管芯片 60的预设电压值与电流参数， 每一个该预设电压值 是对应一个该电流参数。 其中， 该运算单元 30是利用一个该电流参数控制 该控制单元 40输出一相对应的电流控制信号至该驱动单元 10，以使该驱动 单元 10所输出的驱动电流的电流值维持于一特定的预设电流值。 借此， 即 可在该驱动装置 1 中预设多个不同的预设电流值， 且每一个该预设电流值 对应一个该预设电压值。 该些预设电流值是符合该发光二极管芯片 60的额 定电流。

B.提供符合前述五种规格的任一发光二极管芯片 60, 并连接到该驱动 单元 10。

C. 选取该数据库中的其中一个该预设电流值， 且所选取的该预设电流 值符合步骤 B中所提供的发光二极管芯片 60的额定电流。 在本实施例中， 该运算单元 30通过该控制单元 40发送电流控制信号控制该驱动单元 10使 该驱动单元 10输出予该发光二极管芯片 60的驱动电流的电流值为该参考 电流值， 同时该运算单元 30通过该电压侦测单元 20侦测该驱动电压的电 压值。 接着， 将所测得的电压值与数据库中的该些预设电压值做比对，并撷 取与所测得的电压值相符合的一该个预设电压值所对应的电流参数，借以 选取相对应的预设电流值。

D. 该运算单元 30利用步骤 C中撷取的该电流参数控制该控制单元 40 输出对应的电流控制信号至该驱动单元 10，使该驱动电流的电流值维持于 对应的预设电流值，借此，可提供该发光二极管芯片 60所需的额定电流。 而 该驱动单元 10依据所连接的发光二极管芯片 60属性自动调整输出的驱动 电压的电压值， 以供予符合所连接的该发光二极管芯片 60规格的电能。 请 配合参阅图 3所示， 该驱动装置 1对于这五种发光二极管芯片 60中的任一 个皆能提供符合规格的驱动电流及驱动电压。

通过上述的驱动方法， 该驱动装置 1 连接规格相符的发光二极管芯片 60时， 即可自动侦测所连接的发光二极管芯片 60的额定电流， 并供给所需 的电能， 达到多规格的发光二极管芯片 60混用的效果。 在上述实施例中， 预设的每一个该预设电流值是与一个该预设电压值 相对应， 为了再增加该驱动装置 1 可适用的发光二极管芯片的种类， 在本 发明的第二较佳实施例中， 也可设计成每一个该预设电流值与一个预设电 压区段相对应。

图 4是本发明第二较佳实施例的发光二极管芯片驱动方法的流程图， 其具有与上述实施例大致相同的步骤， 不同的是：

在步骤 A 中， 该数据库中预先建立有多个不同的预设电压区段与电流 参数， 每一个该预设电压区段是对应一个该电流参数。 借此， 该驱动装置 1 即预设有多个不同的预设电流值， 且每一个该预设电流值对应一个该预设 电压区段。

在步骤 C中， 控制该驱动单元 10输出予该发光二极管芯片 60的驱动 电流的电流值为该参考电流值， 同时侦测该驱动电压的电压值， 当所测得 的电压值介于所对应的预设电压区段内时， 则撷取该数据库中该预设电压 区段对应的电流参数， 借以取得相对应的预设电流值。

接着， 再控制该驱动单元 10， 使该驱动电流的电流值维持于对应的预 设电流值， 以提供该发光二极管芯片 60所需的额定电流， 而该驱动单元 10 依据所连接的发光二极管芯片 60属性自动调整输出的驱动电压的电压值， 以供予符合所连接的该发光二极管芯片 60规格的电能。

在本实施例中， 该驱动装置 1 的输出曲线如图 5所示， 除了适用上述 第一实施例的五种规格的发光二极管芯片 60之外，只要发光二极管芯片 60 的额定电流符合图 5所示的五个电流值， 且额定电压介于对应的电压区段 内， 皆能适用该驱动装置， 使得该驱动装置 1 可适用于驱动更多种不同的 发光二极管芯片 60。

此外， 在本实施例中， 该数据库的其中一个该预设电压区段包含零伏 特， 换言之， 当步驟 C 中测得的驱动电压的电压值为零伏特时， 也对应有 一预设电流值， 借此， 当所连接的发光二极管芯片 60短路时， 可有效地限 制该驱动电流的电流值， 避免该驱动电流的电流值过大而造成驱动单元 10 损坏。

在一实施例中， 在步骤 D中还包括： 该运算单元 30在该电压侦测单元 20所侦测的电压值大于一上限电压值时，该控制单元 40发送一电压限制信 号至该驱动单元 10以限制供输至该发光二极管芯片 60的驱动电压的电压 值维持于该上限电压值。 借此， 可避免该驱动单元 10输出的该驱动电压过 大， 造成该发光二极管芯片 60或该驱动单元 10损坏。

在上述第一与第二较佳实施例中，步骤 A中该数据库的预设电压值、 电 流参数及预设电压区段是储存于运算单元 30的存储器 302中，在实务上，该 运算单元 30也可采用比较器电路， 在步骤 C中， 以比较器电路判断测得的 2014/000290 驱动电压的电压值所对应的预设电压值或预设电压区段， 比较器电路再输 出相对应的电压值到控制单元； 控制单元依据电压值的大小产生相对应的 电流控制信号至该驱动单元 10， 借以取得对应的预设电流值。

图 6是本发明第三较佳实施例多规格混用的发光二极管芯片驱动方法 所应用的驱动装置的方框图， 其中驱动装置 2包括： 一驱动单元 70、 一电 压侦测单元 72、 一电流侦测单元 74、 一反馈控制模块 76。

该驱动单元 70电性连接该电源 50与该发光二极管芯片 60， 用以接收 该电源 50的电能并输出一驱动电压与一驱动电流予该发光二极管芯片 60。 该驱动单元 70是可受控制地改变该驱动电压的电压值与该驱动电流的电流 值。 ， .

该电压侦测单元 72电性连接该驱动单元 70， 用以侦测该驱动单元 70 供输予该发光二极管芯片 60的驱动电压的电压值。 该电流侦测单元 74电 性连接该驱动单元 70， 用以侦测该驱动单元 70供输予该发光二极管芯片 60的驱动电流的电流值。

该反馈控制模块 76 包括相互电性连接的一运算单元 78与一控制单元 80。该运算单元 78电性连接该电压侦测单元 72与该电流侦测单元 74，该控 制单元 80电性连接该驱动单元 70。 该运算单元 78 内建有一预设功率值， 该驱动单元 70所连接的发光二极管芯片 60的额定功率需与该预定功率值 相同或相近， 较佳地， 所选用的发光二极管芯片 60的额定功率介于该预设 功率值的 90% ~ 110°/。间。

该运算单元 78依据该电压侦测单元 72所测得的驱动电压的电压值及 该预设功率值进行计算，以取得该发光二极管芯片 60所需的一工作电流值， 其中该工作电流值是符合所连接的发光二极管芯片 60额定电流。 该运算单 元 78通过该控制单元 80输出一电流控制信号至该驱动单元 70使该驱动电 流的电流值维持于该工作电流值。

在本实施例中， 该运算单元 78通过该控制单元 80发送该电流控制信 号控制该驱动单元 70使该驱动单元 70输出的驱动电流的电流值由一小于 该工作电流值的启始电流值逐渐增加， 同时该运算单元 78通过该电压侦测 单元 72及该电流侦测单元 74侦测该驱动电压的电压值及该驱动电流的电 流值， 并计算该驱动电压的电压值与该驱动电流的电流值的一乘积（即施 加于该发光二极管芯片 60上的驱动功率）。 可轻易了解的是， 供予该发光 二极管芯片 60的该驱动电压的电压值是随着该驱动单元 70所供输的驱动 电流的电流值的提升而增加， 因此， 施加于该发光二极管芯片 60上的驱动 功率也随之增加， 直到施加于该发光二极管芯片 60上的驱动功率达到该预 设功率值时停止增加该驱动电流的电流值， 此时的驱动电流的电流值即为 该工作电流值，借此，可对应得到该发光二极管芯片 60所需的工作电流值。 在实务上， 除了以计算方式得到该工作电流值外， 也可在出厂前先测 试多个发光二极管芯片操作于启始电流值时的电压值， 再将所测得的电压 值与该些发光二极管芯片的对应关系建立于数据库中， 借此， 发光二极管 芯片 60连上驱动单元 70后， 供输启始电流值并测量对应的电压值， 再依 据测得的电压值即可由数据库中撷取出所需的工作电流值。

该运算单元 78通过该控制单元 80发送该电流控制信号控制该驱动单 元 70，使该驱动电流的电流值维持于该发光二极管芯片 60所需的工作电流 值， 以供输符合该预定功率值的该驱动功率至该发光二极管芯片 60， 使该 发光二极管芯片 60达到额定功率的状态， 换言之， 此时的驱动电压的电压 值与驱动电流的电流值的乘积维持于设定的预定功率值。

据上所述， 该驱动装置 2即可自动侦测所连接的发光二极管芯片 60维 持于该预定功率值所需的工作电流值， 即使替换成不同额定电压及额定电 流的发光二极管芯片 60，只要其额定功率与该预定功率值相同或相近，皆可 适用于该驱动装置 2。该驱动装置 2不限于驱动单一额定电压及额定电流规 格的发光二极管芯片， 因此有效改善了现有习用的驱动装置只能用于驱动 一种规格的发光二极管芯片的不便。

请参阅图 7所示， 在一实施例中， 该驱动装置 2还可包括一切换单元 82电性连接该运算单元 78 , 且该运算单元 78中预先设定多个不同的功率 值，通过该切换单元 82选择该些功率值的其中一个为该预定功率值。借此， 该驱动装置 2可适用于驱动不同的额定功率的发光二极管芯片 60。 在实务 上， 该切换单元 82可为采用开关为基础进行设计， 使用者切换开关即可设 定该预定功率值。

通过本发明多规格混用的发光二极管芯片驱动方法及驱动装置， 可适 用于驱动多种规格的发光二极管芯片， 不限于单一额定电压及额定电流的 发光二极管芯片。 可以有效改善现有习用的驱动装置只能用于一种规格的 发光二极管芯片的不便。

以上所述， 仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上 的限制， 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明， 任何熟悉本专业的技术人员， 在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上 述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是 未脱离本发明技术方案内容， 依据本发明的技术实质对以上实施例所作的 任何简单修改、 等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。 工业应用性

本发明是有关于一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法及驱动装 置。 本发明的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法是应用于驱动装置，其 包括以下步骤： A. 预设多个不同的预设电流值于该驱动装置中； B. 提供 一发光二极管芯片连接至该驱动装置； C. 选取该驱动装置选取步骤 A中预 设的其中一个该预设电流值， 且所选取的该预设电流值符合该发光二极管 芯片的额定电流； D. 该驱动装置输出步骤 C中所选取的该预设电流值的电 能予该发光二极管芯片。 借此， 该驱动方法及驱动装置可适用于驱动多种 不同规格的发光二极管芯片。

Claims

权 利 要 求

1、 一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 其特征在于其包括以 下步骤：

A. 预设多个不同的预设电流值；

B. 提供一发光二极管芯片；

C. 选取步骤 A中预设的其中一个该预设电流值， 且所选取的该预设电 流值符合该发光二极管芯片的额定电流； 以及

D. 供输步骤 C中所选取的该预设电流值的电能予该发光二极管芯片。

2、 根据权利要求 1 所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其 特征在于其中在步骤 A中， 每一个该预设电流值对应一个预设电压值；在步 骤 C 中， 是供输一定电流予该发光二极管芯片， 同时侦测供输至该发光二 极管芯片的电压值， 并依据所测得的电压值选取与其相符合的一个该预设 电压值所对应的该预设电流值。

3、 根据权利要求 1 所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其 特征在于其中在步骤 A中， 每一个该预设电流值对应一个预设电压区段;在 步骤 C 中， 是供输一定电流予该发光二极管芯片， 同时侦测供输至该发光 二极管芯片的电压值， 并依据所测得的电压值选取与其相符合的一个该预 设电压区段所对应的该预设电流值。

4、根据权利要求 1或 3所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法， 其特征在于其中步骤 C中所供输的定电流的电流值小于该些预设电流值。

5、 根据权利要求 3所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其 特征在于其中在步骤 A中， 其中一个该预设电压区段包含零伏特。

6、 根据权利要求 1 所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其 特征在于其中在步骤 D 中还包括： 侦测供输至该发光二极管芯片的电压值 大于一上限电压值时， 则使供输至该发光二极管芯片的电压值维持于该上 限电压值。

7、 一种多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 用以驱动发光二极管 芯片， 其特征在于其包括：

驱动单元， 电性连接电源与该发光二极管芯片， 用以接收该电源的电 能并输出驱动电压与驱动电流予该发光二极管芯片；

电压侦测单元， 电性连接该驱动单元， 用以侦测该驱动电压的电压值； 以及

反馈控制模块， 电性连接该电压侦测单元及该驱动单元， 该反馈控制 模块内建有多个不同的预设电压值， 该反馈控制模块依据该电压侦测单元 所测得的电压值对应一个该预设电压值， 并依据所对应的该预设电压值控 制该驱动单元使该驱动电流维持于符合该发光二极管芯片的额定电流的电 流值。

8、 根据权利要求 7 所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置，其 特征在于其中该些预设电压值还区分有多个预设电压区段， 同一个预设电 压区段内的预设电压值是对应该驱动单元输出相同的电流值； 该反馈控制 模块依据该电压侦测单元所测得的电压值对应一个该预设电压值所属的预 设电压区段， 并控制该驱动单元使该驱动电流维持于符合该发光二极管芯 片的额定电流的电流值。

9、根据权利要求 7或 8所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其特征在于其中该反馈控制模块控制该驱动单元使该驱动电流的电流值为 一固定的参考电流值， 同时侦测供输至该发光二极管芯片的驱动电压的电 压值， 并依据所测得的电压值对应与其相符合的一个该预设电压值。

10、 根据权利要求 9所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置，其 特征在于其中该参考电流值小于该发光二极管芯片的额定电流。

11、 根据权利要求 8所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置，其 特征在于其中一个该预设电压区段包含零伏特。

12、 一种多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 用以驱动发光二极 管芯片， 其特征在于其包括：

驱动单元， 电性连接电源与该发光二极管芯片， 用以接收该电源的电 能并输出一驱动电压与一驱动电流予该发光二极管芯片；

电压侦测单元， 电性连接该驱动单元， 用以侦测该驱动电压的电压值； 以及

反馈控制模块， 电性连接该电压侦测单元及该驱动单元， 该反馈控制 模块内建有预设功率值， 该反馈控制模块依据该电压侦测单元所测得的驱 动电压的电压值及该预设功率值， 控制该驱动单元使该驱动电流维持于符 合该发光二极管芯片的额定电流的电流值。

13、 根据权利要求 12 所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其特征在于其中该反馈控制模块控制该驱动单元使该驱动电流的电流值由 一启始电流值逐渐增加， 同时侦测供输至该发光二极管芯片的驱动电压的 电压值， 并计算该驱动电压的电压值与该驱动电流的电流值的一乘积，直到 该乘积等于该预设功率值时停止增加并维持该驱动电流的电流值。

14、 根据权利要求 1 3所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其特征在于其还包括电流侦测单元， 电性连接该驱动单元与该反馈控制模 块， 该电流侦测单元侦测该驱动电流的电流值； 该反馈控制模块依据所侦 测的该驱动电流的电流值与所侦测的该驱动电压的电压值计算乘积。

15、 根据权利要求 12 所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其特征在于其中该驱动单元所连接的发光二极芯片的额定功率介于该预设 功率值的 90%— 110%间。

16、 根据权利要求 12 所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动装置， 其特征在于其中该反馈控制模块内建有多个不同的功率值； 一切换单元电 性连接该反馈控制模块， 该切换单元供选择其中一个该功率值， 且该预设 功率值为该切换单元所选择的一个该功率值。