WO2014083807A1 - 液晶表示装置 - Google Patents

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WO2014083807A1
WO2014083807A1 PCT/JP2013/006830 JP2013006830W WO2014083807A1 WO 2014083807 A1 WO2014083807 A1 WO 2014083807A1 JP 2013006830 W JP2013006830 W JP 2013006830W WO 2014083807 A1 WO2014083807 A1 WO 2014083807A1
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liquid crystal
display device
crystal display
active matrix
matrix substrate
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PCT/JP2013/006830
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English (en)
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Inventor
真由子 坂本
Original Assignee
シャープ株式会社
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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    • G—PHYSICS
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    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a control structure of a coating region of an alignment film.
  • the liquid crystal display device can be reduced in thickness and has low power consumption, it is widely used as a display for OA devices such as TVs and personal computers, portable electronic devices such as mobile phones and smartphones, cockpits of automobiles and airplanes, etc. Yes.
  • the liquid crystal display device includes a display panel and a backlight unit attached to the back side of the display panel.
  • the display panel has a configuration in which an active matrix substrate including a switching element such as a thin film transistor and a counter substrate disposed to face the active matrix substrate are bonded to each other with a sealant, and is configured between both substrates. Liquid crystal material is sealed in the space.
  • As the counter substrate a substrate that is slightly smaller than the active matrix substrate is adopted, and a drive circuit is mounted on the terminal region of the active matrix substrate exposed by this.
  • the display panel includes a display area for displaying an image and a non-display area surrounding the display area.
  • An alignment film is formed on the surface of the active matrix substrate on the liquid crystal layer side so as to cover at least the display region.
  • an alignment film is formed on the surface of the counter substrate on the liquid crystal layer side so as to cover at least the display region.
  • the alignment film can be formed by, for example, rubbing the surface of a resin film such as polyimide formed using a flexographic printing method, an ink jet method, or the like.
  • the film can be formed by performing a photo-alignment treatment for aligning the liquid crystal by irradiating a polyimide film formed by an inkjet method with UV light.
  • the inkjet method is superior in that it can be drawn directly on a substrate, is low in contamination because of a non-contact process, has low solution consumption, and can shorten the work time.
  • the ink-jet method is preferably used for forming the resin film.
  • the alignment film is formed by the ink jet method, a resin having a lower viscosity is used as a raw material for the alignment film than in the case of the flexo method. Therefore, the alignment film is formed in a region around the region to be printed (display region). Raw material (liquid resin material) is likely to leak. For this reason, if the non-display area around the display area is small and the space between the display area and the seal material area cannot be secured, the alignment film material flows out to the seal material area. In this case, if the adhesion between the sealing material and the alignment film is insufficient, the liquid crystal material of the liquid crystal layer leaks without being completely sealed.
  • Patent Document 1 discloses a groove extending long in the direction along the outer periphery of the display area in a substantially annular area outside the display area and inside the area where the sealing material is disposed.
  • a liquid crystal display device having a configuration including: According to this configuration, even if the alignment film material applied using the ink jet method spreads outside the display region, the alignment film material can be prevented from spreading in the groove, and the alignment film outside the display region. It is described that wetting and spreading can be suppressed.
  • Patent Document 1 further discloses a configuration in which a conductive film such as an ITO film is formed on the groove surface. Since the raw material of the alignment film has low wettability with respect to the ITO film, it is described that by adopting this configuration, wetting and spreading of the raw material of the alignment film can be stopped in the groove portion.
  • the reflectance of the alignment film, the planarizing film, the insulating layer, the transparent electrode, etc. is small, and the change in luminance between the components is small.
  • the wiring pattern having a high reflectance may be a pattern finer than the detection limit of the luminance detection element as the wiring becomes higher in definition. Therefore, even if we try to monitor the wetting and spreading state of the alignment film using the difference in luminance, for example, between the monitoring device and the liquid crystal display panel at a portion of the wiring pattern that is denser than the detection limit of the luminance detection element. There is a possibility that positional displacement occurs and accurate detection cannot be performed.
  • An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a structure capable of accurately monitoring a wet spread state of an alignment film.
  • the liquid crystal display device of the present invention that solves the above problems is an active matrix substrate, a counter substrate disposed opposite to the active matrix substrate, the active matrix substrate and the counter substrate, and A sealing material provided in a frame shape outside the display region; a liquid crystal layer provided in a region surrounded by the sealing material between the active matrix substrate and the counter substrate; and the liquid crystal of the active matrix substrate Of the surface on the layer side, an alignment film provided so as to cover at least the display region, and the surface on the liquid crystal layer side of the active matrix substrate, inside the sealing material, and in the display region A groove provided along the seal material on the outside, and along the seal material so as to overlap at least a part of the groove in a plan view with a lower layer of the groove A light shielding layer provided, characterized in that it comprises a.
  • the light shielding layer may be formed in the same layer as the wiring provided on the substrate body of the active matrix substrate.
  • the light shielding layer may be continuous over the whole or may be discontinuous.
  • the light shielding layer may cover a region where the density of wiring provided on the substrate body of the active matrix substrate is high.
  • a protrusion overlaps the groove in a plan view on the surface of the counter substrate on the liquid crystal layer side, inside the sealing material, and outside the display region. Thus, it may be provided along the sealing material.
  • the liquid crystal display device in the liquid crystal display device, it is possible to accurately monitor the wetting and spreading state of the alignment film and improve the detection accuracy of the wetting and spreading defect of the alignment film.
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device according to Embodiment 1.
  • FIG. It is sectional drawing in the II-II line of FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 4 is an enlarged plan view in a region IV in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device including a cross section of an active matrix substrate taken along line VV in FIG. 4.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device including a cross section of the active matrix substrate taken along line VI-VI in FIG. 4.
  • FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view of a liquid crystal display device according to Embodiment 2, and corresponds to a region IV in FIG. It is sectional drawing of the liquid crystal display device containing the cross section of the active matrix substrate in the XI-XI line of FIG.
  • FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG.
  • liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) for each pixel
  • TFT thin film transistor
  • present invention is not limited to these embodiments, and may have other configurations.
  • Embodiment 1 1 and 2 are overall schematic views of a liquid crystal display device 10 according to the present embodiment.
  • FIG. 3 shows a plan view of the active matrix substrate 20.
  • 4 is an enlarged plan view showing a region IV including the groove 28 in FIG. 5 and 6 are cross-sectional views of the liquid crystal display device 10 including the cross-section of the active matrix substrate 20 of FIG.
  • the liquid crystal display device 10 includes an active matrix substrate 20 and a counter substrate 30 that are arranged to face each other.
  • the active matrix substrate 20 includes a first wiring including a gate line, a gate insulating film 23, a second wiring including a source line, a passivation film 29, a planarization film 25, and a transparent conductive film including a pixel electrode on a substrate body 21. Are stacked. A detailed configuration of the active matrix substrate 20 will be described later.
  • a black matrix 32 a, a color filter including color layers 32 b and 32 c, and a common electrode 33 are stacked on a substrate body 31.
  • a sealing material 40 is provided in a frame shape between the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 and on the outer peripheral edge portion thereof (outside of the display area D described later), and the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 Is bonded by a sealing material 40.
  • region in which the sealing material 40 was provided is set as the sealing area
  • a liquid crystal layer 50 is provided as a display layer in a region surrounded by the sealing material 40 between the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30, thereby forming a display region D.
  • An alignment film 27 is formed so as to cover at least a region including the display region D on the surface of the active matrix substrate 20 on the liquid crystal layer 50 side.
  • an alignment film 34 is formed so as to cover at least a region including the display region D on the surface of the counter substrate 30 on the liquid crystal layer 50 side. Further, a part of the non-display area F around the display area D is a terminal area T for attaching an external connection terminal such as a mounted component.
  • grooves 28 are formed in the display region D on the surface of the active matrix substrate 20 on the liquid crystal layer 50 side, inside the sealing material 40, and outside the display region D. 5 rows are formed in an annular shape so as to surround. Accordingly, when the alignment film 27 is formed, the raw material (liquid resin material) of the alignment film 27 is restricted from leaking from the display region D toward the seal region SL. By restricting the spread of the raw material of the alignment film 27, the region for the spread of the raw material of the alignment film 27 can be reduced, and the frame can be narrowed.
  • the number of the protrusions 35 is not limited to five, and the number of the protrusions 35 is not limited as long as the wetting and spreading of the raw material of the alignment film 34 can be effectively controlled. Further, the number of protrusions 35 does not necessarily need to match the number of grooves 28 of the active matrix substrate 20.
  • liquid crystal display device 10 when a TFT is turned on in each pixel, a potential difference is generated between the pixel electrode and the common electrode 33 so that a predetermined voltage is applied to the liquid crystal capacitor formed of the liquid crystal layer 50. It is configured. In the liquid crystal display device 10, an image is displayed by adjusting the transmittance of light incident from the outside using the fact that the alignment state of the liquid crystal molecules changes according to the magnitude of the applied voltage.
  • a large number of gate lines (scanning signal lines) (not shown) extending in parallel with each other and a large number of source lines (video signal lines) extending in parallel with each other (not shown). ) Is arranged.
  • the gate line and the source line are insulated by the gate insulating film 23 in the substrate thickness direction and are provided so as to cross each other.
  • TFTs (not shown) are formed as switching elements in the vicinity of each intersection in the plan view.
  • pixels are configured to correspond to the respective TFTs, and a predetermined display is performed.
  • first wiring A number of source lines are formed by the second wiring.
  • second wiring A number of source lines are formed by the second wiring.
  • Each of the first wiring and the second wiring is formed of, for example, Ti (thickness of about 30 nm) and Cu (thickness of about 100 nm) stacked thereon.
  • the end portions of the multiple gate lines are led out to the non-display area F by the lead lines 22a and connected to a gate driver (not shown) mounted in the terminal area T.
  • the end portions of the many source lines are electrically connected to the lead lines 22a formed by the first wiring.
  • the lead line 22a connected to the source line is connected to a source driver (not shown) mounted in the terminal region T.
  • the source line (second wiring) and the lead line 22a (first wiring) are electrically connected by, for example, a contact hole and a transparent conductive film provided on the surface thereof.
  • a light shielding layer 24b is formed below the three grooves 28a on the outer peripheral side of the five grooves 28 so as to overlap the three grooves 28a in plan view.
  • the light shielding layer 24 b is provided on the inner peripheral side with respect to the seal region SL and along the seal material 40.
  • the light shielding layer 24b is continuously formed in an annular shape over the entire non-display area F.
  • the light shielding layer 24b is formed of the same metal film as the second wiring.
  • the light shielding layer 24b has a width of about 100 to 250 ⁇ m, for example.
  • each of the five grooves 28 intersects with a lead line 22a extending from the display region D toward the outside of the substrate in a plan view.
  • the light shielding layer 24b is not formed below the two grooves 28b on the inner peripheral side among the five grooves 28. Instead, island-like stopper layers 24c are formed below the two grooves 28b at the intersections with the lead lines 22a in plan view.
  • the stopper layer 24c is formed of the same metal film as the second wiring. Therefore, in the two grooves 28b on the inner peripheral side, as shown in FIG. 6, only the passivation film 29 and the planarizing film 25 are removed to form the grooves 28b at the intersections with the lead lines 22a. It will be. On the other hand, except for the portion intersecting with the lead line 22a, as shown in FIG. 5, the planarization film 25, the passivation film 29, and the gate insulating film 23 are removed to form a trench 28b.
  • the light shielding layer 24b or the stopper layer 24c is present in a portion overlapping the lead wire 22a in plan view. Accordingly, it is possible to prevent the etching solution or the like from reaching the lead line 22a when the groove 28 is formed, and as a result, the lead line 22a is prevented from being deteriorated due to corrosion or the like. Note that the stopper layer 24c may not be formed as long as the corrosion of the lead wire 22a can be suppressed by other means.
  • the surface of the groove 28 is covered with a transparent conductive film 26b.
  • the transparent conductive film 26b is made of ITO, IZO or the like. Since the surface of the groove 28 is covered with the transparent conductive film 26b, the light shielding layer 24b and the stopper layer 24c below the groove 28 are not exposed on the surface of the groove 28. Therefore, the light shielding layer 24b and the stopper layer 24c are protected and corroded. Etc. are less likely to occur.
  • the transparent conductive film 26 b may be formed independently for each groove 28. However, as shown as Modification 1 in FIG. 7, the transparent conductive film 26 b extends over the plurality of grooves 28. You may form so that it may continue.
  • the transparent conductive film 26b may be in an electrically floating state without being connected to any other configuration, and is connected to a transfer electrode (not shown) that applies a common potential to the common electrode 33. Also good.
  • a first wiring including a gate line (not shown) and a lead line 22a, a gate insulating film 23, a semiconductor film (not shown), and a source line (not shown) are formed on the substrate body 21.
  • the second wiring including the light shielding layer 24b and the stopper layer 24c is sequentially stacked.
  • an inorganic insulating film for example, silicon nitride (SiNx) film
  • an organic insulating film for example, an acrylic resin film
  • the trench 28 is formed by removing the portion of the planarization film 25 and the passivation film 29 and the like where the trench 28 is to be provided by etching or the like.
  • the gate is added in addition to the planarization film 25 and the passivation film 29.
  • the insulating film 23 is removed.
  • a pixel electrode (not shown), a transparent conductive film 26b, and the like are formed using, for example, ITO or IZO. Thereby, the active matrix substrate 20 is obtained.
  • an alignment film 27 is formed by applying polyimide using an inkjet method so as to cover the display region D of the active matrix substrate 20.
  • the liquid polyimide which is the alignment film material, flows to the non-display area F and spreads, but the groove 28 restricts the spread of the polyimide to the seal area SL, so The alignment film 27 is not formed.
  • the camera is scanned in a direction perpendicular to the direction in which the grooves 28 are formed so as to maintain a certain distance from the active matrix substrate 20 above the active matrix substrate 20, and the light shielding layer 24b.
  • the position of the light shielding layer 24b is specified using the brightness
  • a black matrix 32 a is formed on the substrate body 31.
  • the black matrix 32a is formed corresponding to the light shielding region that partitions each pixel.
  • the black matrix 32a is formed so as to cover the entire non-display area F.
  • the color layer is composed of three colors, a red layer (R), a green layer (G), and a blue layer (B). Of these three color layers of RGB, any color may be the color layers 32b and 32c (here, the red layer is the color layer 32b and the green layer is the color layer 32c). And). Note that the color layer is not limited to the three colors RGB, and may be composed of, for example, three colors of cyan, magenta, and yellow, or may be a combination of other colors.
  • the red layer, the green layer, and the blue layer are formed corresponding to the red pixel, the green pixel, and the blue pixel, respectively.
  • the red layer 32b and the green layer 32c are stacked on the portion where the protruding portion 35 is to be formed, and the protruding portion 35 is formed by a stacked structure of both.
  • the protrusion 35 may have a two-layer structure of the color layers 32b and 32c, or may have a one-layer structure or a three-layer structure depending on the height required for the protrusion 35.
  • a common electrode 33 is formed by forming a transparent conductive film so as to cover the entire substrate. Thereby, the counter substrate 30 is obtained.
  • the alignment film 34 is formed by applying polyimide using an inkjet method so as to cover the display region D.
  • the liquid polyimide which is the alignment film material, flows to the non-display area F and spreads.
  • the protrusion 35 restricts the leakage of polyimide to the seal area SL, the outermost protrusion 35 is formed.
  • the alignment film 34 is not formed on the outer peripheral side.
  • a seal material 40 is applied to the seal region SL so as to surround the liquid crystal material, and the other substrate is mounted.
  • the sealing material 40 is cured by being overlapped, and both the substrates 20 and 30 are bonded. Thereby, the display panel is completed.
  • a liquid crystal material may be introduced between the two substrates 20 and 30 by using a vacuum injection method utilizing capillary action.
  • the sealing material 40 is applied in a frame shape so as to have an opening serving as a liquid crystal material injection port, and then the substrates 20 and 30 are bonded together to cure the sealing material 40. Then, after dividing the substrate into cell sizes, a liquid crystal material is injected from the opening of the sealing material 40 in a vacuum atmosphere, and the injection port is sealed with a sealing material.
  • a polarizing plate is attached to the display panel, a mounting member is mounted, and a modularization process such as mounting a backlight is performed.
  • a modularization process such as mounting a backlight is performed.
  • the protrusions 35 are formed on the counter substrate 30, the protrusions 35 can restrict the alignment film 34 from leaking outward.
  • the light shielding layer 24b is described as being formed so as to overlap with the three grooves 28a on the outer peripheral side among the five grooves 28 formed in the active matrix substrate 20 in plan view.
  • the number is not particularly limited, and for example, the light shielding layer 24b may be formed so as to overlap at least one of the five grooves.
  • the light shielding layer 24 b may be formed so as to overlap the inner circumferential groove 28 c of the five grooves 28 in plan view.
  • the light shielding layer 24b may be formed so as to overlap all the five grooves 28 in plan view.
  • the common electrode 33 is formed on the counter substrate 30, but the present invention is not limited to this.
  • the liquid crystal display device of the present invention may be of a lateral electric field type such as an IPS liquid crystal, and in that case, the common electrode is formed on the active matrix substrate 20 side.
  • Embodiment 2 the liquid crystal display device 10 of Embodiment 2 will be described.
  • FIG. 10 is an enlarged plan view showing a portion corresponding to the region IV in FIG. 3 in the plan view of the active matrix substrate 20 according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device 10 including a cross section of the active matrix substrate 20 taken along the line XI-XI in FIG.
  • the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 are disposed to face each other, and are bonded by the seal material 40 disposed on the outer peripheral edge thereof, and are surrounded by the seal material 40.
  • a liquid crystal layer 50 is provided as a display layer.
  • the active matrix substrate 20 has an annular groove 28 surrounding the display region D, as in the first embodiment, and the counter substrate 30 surrounds the display region D, as in the first embodiment.
  • An annular ridge 35 is formed.
  • Each lead line 22a electrically connected to the gate line is connected to a gate driver 60 (see FIG. 12). Although not shown, each lead line 22a electrically connected to the source line is connected to a source driver (not shown). Since a plurality of lead lines 22a are connected to one gate driver 60, the length differs depending on the position of the lead lines 22a. In order to make the wiring resistance values of the lead lines equal, as shown in FIG. The layout is a meandering part of the wiring. The part where the lead line 22a meanders has a higher wiring density than the other part, and the light shielding layer 24b covers a region where the wiring density is high. As a result, the difference in luminance between the light shielding layer 24b and the other area with a low wiring density becomes clear.
  • FIG. 12 shows a fourth modification, in which a light shielding layer 24b is formed in a region overlapping the groove 28 so as to extend along the seal region SL.
  • the light shielding layer 24b is formed of the same metal film as the second wiring.
  • the light shielding layer 24b is not a continuous annular shape, but is formed of a plurality of discontinuous metal films along the seal region SL.
  • the light shielding layer 24b is disposed so as to cover the meandering portion of the lead line 22a.
  • the lead-out line 22a is formed of an opaque metal film, so that the meandering portion having a high wiring density is covered with the light-shielding layer 24b, so that the difference in luminance between the light-shielding layer 24b and the other areas with a low wiring density becomes clear. .
  • the lead line 22a has a meandering portion.
  • the meandering portion having a high wiring density With the light shielding layer 24b, the light shielding layer 24b An increase in the wiring density in the peripheral region is suppressed. That is, even if the lead line 22a has a meandering portion, the difference in luminance between the light shielding layer 24b and the surrounding area can be kept large, and the wetting spread defect of the alignment film 27 can be detected with high accuracy as described above. can do.
  • the present invention is useful for a display device such as a liquid crystal display device, and is particularly useful for a liquid crystal display device having a control structure for a coating region of an alignment film.
  • Display area 10 Liquid crystal display device 20 Active matrix substrate 21 Substrate body 24b Light shielding layer 27 Alignment film 28 Groove 30 Counter substrate 34 Alignment film 35 Projection section 40 Sealing material 50 Liquid crystal layer

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Abstract

　アクティブマトリクス基板（２０）の液晶層（５０）側の面であって、シール材（４０）の内側であり、かつ、表示領域（Ｄ）の外側に、溝（２８）をシール材（４０）に沿って設ける。溝（２８）の下層に溝（２８）の少なくとも一部と平面視で重なるように、遮光層（２４ｂ）をシール材（４０）に沿って設ける。

Description

液晶表示装置
　本発明は、液晶表示装置に関し、特に、配向膜の塗布領域の制御構造を有する液晶表示装置に関する。
　液晶表示装置は、薄型化が可能で低消費電力であるため、テレビ、パーソナルコンピュータ等のＯＡ機器や携帯電話、スマートフォン等の携帯用電子機器、自動車や航空機のコックピット等のディスプレイとして広く用いられている。
　液晶表示装置は、表示パネルと、表示パネルの背面側に取り付けられたバックライトユニットとを備えている。表示パネルは、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、がシール材で貼り合わされた構成を有し、両基板間に構成される空間には液晶材料が封入されている。対向基板はアクティブマトリクス基板よりも一回り小さい基板が採用されており、これによって露出したアクティブマトリクス基板の端子領域上に、駆動回路が実装されている。
　表示パネルは、画像表示を行う表示領域と、表示領域を囲う非表示領域とで構成されている。
　アクティブマトリクス基板の液晶層側の面には、少なくとも表示領域を覆うように配向膜が形成されている。同様に、対向基板の液晶層側の面には、少なくとも表示領域を覆うように配向膜が形成されている。
　配向膜は、例えば、フレキソ印刷法やインクジェット法等を用いて成膜したポリイミド等の樹脂膜の表面にラビング処理を行って形成することができる。また、インクジェット法により成膜したポリイミド膜にＵＶ光を照射することで、液晶に配向をもたせる光配向処理を行って形成することもできる。インクジェット法は、基板上に直接描画ができる点、非接触プロセスのため低汚染である点、溶液の消費量が少ない点、及び作業時間が短縮できる点等で優れていることから、ポリイミド膜等の樹脂膜の成膜には、インクジェット法が好ましく用いられている。
　ところで、インクジェット法で配向膜を形成すると、フレキソ法の場合よりも、配向膜の原料として粘度の低い材料の樹脂を用いるので、印刷しようとする領域（表示領域）の周辺の領域に配向膜の原料（液状の樹脂材料）が漏れ広がりやすい。そのため、表示領域の周囲の非表示領域が小さくて、表示領域とシール材の領域との間隔が大きく確保できない場合には、シール材の領域にまで配向膜の原料が流出してしまう。そして、この場合、シール材と配向膜との密着性が不十分であると、完全に封止することができずに液晶層の液晶材料が漏れる原因となる。
　上記の問題を解決するため、特許文献１には、表示領域の外側、且つ、シール材が配置される領域の内側となる概略環状の領域に、表示領域の外周に沿った方向に長く延びる溝部を有する構成の液晶表示装置が開示されている。そして、この構成によれば、インクジェット法を用いて塗布した配向膜の原料が表示領域の外側に広がっても、溝部において配向膜の原料の広がりを止めることができ、配向膜の表示領域の外側での濡れ広がりを抑制することができると記載されている。特許文献１には、さらに、溝部表面にＩＴＯ膜等の導電膜を形成する構成が開示されている。配向膜の原料はＩＴＯ膜に対する濡れ性が低いので、この構成を採用することで、溝部において配向膜の原料の濡れ広がりを止めることができると記載されている。
特開２００７－３２２６２７号公報
　ところで、ポリイミドの濡れ広がりが不十分で、配向膜が完全に表示領域を覆っていないということがある。また、ポリイミドの濡れ広がりが過剰になってシール領域にまでポリイミドが浸入し、シール材の接着性や気密性が不十分となる虞もある。特に、額縁領域の狭い液晶表示装置の場合には、配向膜の額縁領域への濡れ広がり領域に対する制約が厳しくなり、これに伴って、ポリイミドの濡れ広がり不十分や濡れ広がり過剰の問題が起こりやすくなっている。そこで、配向膜近傍の領域を、カメラ等の輝度検出素子を用いてモニタリングする必要がある。
　しかしながら、配向膜の周縁部近傍では、配向膜、平坦化膜、絶縁層、透明電極等の反射率が小さく、各構成間での輝度の変化が小さい。また、反射率の大きい配線パターンは、配線の高精細化に伴って、輝度検出素子の検出限界よりも細かいパターンとなっている場合がある。そのため、輝度の差を利用して配向膜の濡れ広がり状態をモニタリングしようとしても、例えば、輝度検出素子の検出限界よりも密な配線パターンの部分などで、モニタリング装置と液晶表示パネルとの間に位置ズレが生じ、正確に検出できない虞がある。
　モニタリングによる配向膜の不良の検出精度を確認するために、以下の試験を行った。ここでは、配向膜における不良の数が既知のサンプルパネルＮＯ．１～８を用いて、モニタリングすることにより配向膜不良の数を調べた。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１によれば、配向膜不良の数と検出した不良の数との誤差が生じていることから、モニタリングによる測定では、不良ではないものを配向膜の不良であるとして余分に検出していることが分かる。
　本発明は、配向膜の濡れ広がり状態を精度よくモニタリングすることができる構造の液晶表示装置を提供することを目的とする。
　上記の課題を解決する本発明の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間にあり、かつ、表示領域の外側に枠状に設けられたシール材と、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間の上記シール材で囲まれた領域に設けられた液晶層と、上記アクティブマトリクス基板の上記液晶層側の面のうち、少なくとも上記表示領域を覆うように設けられた配向膜と、上記アクティブマトリクス基板の上記液晶層側の面であって、上記シール材の内側であり、かつ、表示領域の外側に、上記シール材に沿って設けられた溝と、上記溝の下層に上記溝の少なくとも一部と平面視で重なるように、上記シール材に沿って設けられた遮光層と、を備えることを特徴とする。
　本発明の液晶表示装置は、上記遮光層が、上記アクティブマトリクス基板の基板本体に設けられた配線と同一層で形成されていてもよい。
　本発明の液晶表示装置は、上記遮光層が、全体に亘って連続していてもよく、また、非連続であってもよい。
　本発明の液晶表示装置は、上記遮光層が、上記アクティブマトリクス基板の基板本体に設けられた配線の密度が大きい領域を覆っていてもよい。
　本発明の液晶表示装置では、上記対向基板の上記液晶層側の面であって、上記シール材の内側であり、かつ、表示領域の外側には、突条部が上記溝と平面視で重なるように上記シール材に沿って設けられていてもよい。
　本発明によれば、液晶表示装置において、配向膜の濡れ広がり状態を精度よくモニタリングし、配向膜の濡れ広がり不良の検出精度を向上することができる。
実施形態１に係る液晶表示装置の平面図である。 図１のII-II線における断面図である。 実施形態１に係るアクティブマトリクス基板の平面図である。 図３の領域IVにおける拡大平面図である。 図４のV-V線におけるアクティブマトリクス基板の断面を含む液晶表示装置の断面図である。 図４のVI-VI線におけるアクティブマトリクス基板の断面を含む液晶表示装置の断面図である。 変形例１の図５相当図である。 変形例２の図５相当図である。 変形例３の図５相当図である。 実施形態２に係る液晶表示装置の拡大平面図であり、図３の領域IVに相当する。 図１０のXI－XI線におけるアクティブマトリクス基板の断面を含む液晶表示装置の断面図である。 変形例４の図１０相当図である。 変形例５の図５相当図である。 変形例６の図５相当図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態１及び２では、液晶表示装置として、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えたものを例に説明する。但し、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。
　　《実施形態１》
　図１及び図２は、本実施形態にかかる液晶表示装置１０の全体概略図を示す。図３は、アクティブマトリクス基板２０の平面図を示す。図４は、図３のうち、溝２８を含む領域IVを拡大して示す平面図である。また、図５及び図６は、それぞれ、図４のアクティブマトリクス基板２０の断面を含む液晶表示装置１０の断面図を示す。
　液晶表示装置１０は、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０を備えている。アクティブマトリクス基板２０は、基板本体２１上に、ゲート線を含む第１配線、ゲート絶縁膜２３、ソース線を含む第２配線、パッシベーション膜２９、平坦化膜２５、及び画素電極を含む透明導電膜が積層形成されている。アクティブマトリクス基板２０の詳細な構成については後述する。また、対向基板３０は、基板本体３１上に、ブラックマトリクス３２ａ、色層３２ｂ及び３２ｃを含むカラーフィルタ、並びに共通電極３３が積層形成されている。アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０との間で、かつそれらの外周縁部（後述する表示領域Ｄの外側）には、シール材４０が枠状に設けられ、アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とがシール材４０により接着されている。なお、シール材４０が設けられた領域をシール領域ＳＬとする。そして、アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０との間のシール材４０で囲まれた領域には、表示層として液晶層５０が設けられており、表示領域Ｄを構成している。アクティブマトリクス基板２０の液晶層５０側の面のうち、少なくとも表示領域Ｄを含む領域を覆うように配向膜２７が形成されている。また、対向基板３０の液晶層５０側表面のうち少なくとも表示領域Ｄを含む領域を覆うように、配向膜３４が形成されている。また、表示領域Ｄの周囲の非表示領域Ｆの一部は、実装部品などの外部接続端子を取り付けるための端子領域Ｔとなっている。
　アクティブマトリクス基板２０の液晶層５０側の面であって、シール材４０の内側であり、かつ、表示領域Ｄの外側には、図３及び図４に示すように、溝２８が、表示領域Ｄを囲うように環状に５列形成されている。これにより、配向膜２７形成時に、表示領域Ｄから配向膜２７の原料（液状の樹脂材料）がシール領域ＳＬに向かって漏れ広がるのが規制される。そして、配向膜２７の原料が漏れ広がるのを規制することにより、配向膜２７の原料の漏れ広がりのための領域を小さくすることができ、狭額縁化できる。
　溝２８は、隣接する溝２８と、例えば２０μｍ程度の間隔をあけて形成されている。なお、溝２８は、５列に限らず、配向膜２７の原料の濡れ広がりを効果的に規制できれば、その数は問わず、目的を達成できるのであれば、１列でもよい。
　一方、対向基板３０の液晶層５０側の面であって、シール材４０の内側であり、かつ、表示領域Ｄの外側には、図５及び図６に示すように、カラーフィルタの色層３２ｂ及び３２ｃが積層された２層構造の突条部３５が、表示領域Ｄを囲うように環状に５列形成されている。５列の突条部３５のそれぞれは、アクティブマトリクス基板２０の５列の溝２８と、一対一で対応して平面視で重なるように形成されている。これにより、配向膜３４形成時に表示領域Ｄから非表示領域Ｆ側に配向膜３４の原料がシール領域ＳＬに向かって漏れ広がるのが規制される。そして、配向膜３４の原料が漏れ広がるのを規制することにより、配向膜３４の原料の漏れ広がりのための領域を小さくすることができ、狭額縁化できる。
　なお、突条部３５は、５列に限らず、配向膜３４の原料の濡れ広がりを効果的に規制できれば、その数は問わず、目的を達成できるのであれば、１列でもよい。また、突条部３５の数は、アクティブマトリクス基板２０の溝２８の数と必ずしも一致していなくてもよい。
　液晶表示装置１０は、各画素において、ＴＦＴがオン状態になったときに、画素電極と共通電極３３との間で電位差が生じ、液晶層５０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置１０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
　以下、アクティブマトリクス基板２０の詳細な構成について説明する。
　アクティブマトリクス基板２０上には、表示領域Ｄにおいて、互いに並行して延びる多数のゲート線（走査信号配線）（不図示）、及び、互いに平行に延びる多数のソース線（映像信号配線）（不図示）が配設されている。ゲート線とソース線とは、基板厚さ方向にはゲート絶縁膜２３で絶縁されていると共に、互いに交差するように設けられている。それらの平面視における各交点の近傍には、それぞれスイッチング素子としてＴＦＴ（不図示）が形成されている。そして、液晶表示装置１０は、各ＴＦＴに対応するように画素が構成されて所定の表示を行う。
　多数のゲート線は、第１配線で形成されている。また、多数のソース線は、第２配線で形成されている。第１配線及び第２配線の各々は、例えば、Ｔｉ（厚さ３０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＣｕ（厚さ１００ｎｍ程度）とで形成されている。
　図３に示すように、多数のゲート線のそれぞれの端部は、引き出し線２２ａで非表示領域Ｆに引き出され、端子領域Ｔに実装されたゲートドライバ（不図示）に接続されている。また、多数のソース線のそれぞれの端部は、非表示領域Ｆにおいて、第１配線で形成された引き出し線２２ａに電気的に接続されている。そして、ソース線に接続された引き出し線２２ａは、端子領域Ｔに実装されたソースドライバ（不図示）に接続されている。なお、ソース線（第２配線）とその引き出し線２２ａ（第１配線）とは、図示しないが、例えば、コンタクトホール及びその表面に設けられた透明導電膜により電気的に接続されている。
　５本の溝２８のうち外周側の３本の溝２８ａの下層には、図５に示すように、当該３本の溝２８ａと平面視で重なるように、遮光層２４ｂが形成されている。遮光層２４ｂは、シール領域ＳＬよりも内周側であって、シール材４０に沿うように設けられている。遮光層２４ｂは、非表示領域Ｆの全体に亘って連続して環状に形成されている。遮光層２４ｂは、第２配線と同一層の金属膜で形成されている。遮光層２４ｂは、例えば、幅が１００～２５０μｍ程度である。
　遮光層２４ｂは、外周側の３本の溝２８ａにおいてストッパ層として機能するので、当該３本の溝２８ａは、パッシベーション膜２９及び平坦化膜２５のみを除去することにより形成されることとなる。
　５本の溝２８の各々は、図４に示すように、表示領域Ｄから基板外方に向かって延びる引き出し線２２ａと平面視で交差している。５本の溝２８のうち内周側の２本の溝２８ｂの下層には、遮光層２４ｂは形成されていない。その代わり、２本の溝２８ｂの下層には、引き出し線２２ａとの平面視における交差部分に、それぞれ、島状のストッパ層２４ｃが形成されている。ストッパ層２４ｃは、第２配線と同一層の金属膜で形成されている。このため、内周側の２本の溝２８ｂでは、引き出し線２２ａとの交差部分においては、図６に示すように、パッシベーション膜２９及び平坦化膜２５のみが除去されて溝２８ｂが形成されることとなる。一方、引き出し線２２ａとの交差部分以外では、図５に示すように、平坦化膜２５，パッシベーション膜２９及びゲート絶縁膜２３が除去されて溝２８ｂが形成されることとなる。
　外周側の３本の溝２８ａにおいても、内周側の２本の溝２８ｂにおいても、引き出し線２２ａと平面視で重なる部分には遮光層２４ｂ又はストッパ層２４ｃが存在することとなる。従って、溝２８の形成時にエッチング液等が引き出し線２２ａに到達するのを防ぐことができ、結果として、引き出し線２２ａが腐蝕等して劣化するのが抑制される。なお、引き出し線２２ａの腐蝕がその他の手段により抑制できるのであれば、ストッパ層２４ｃは形成されていなくても構わない。
　溝２８の表面は透明導電膜２６ｂで被覆されている。透明導電膜２６ｂは、ＩＴＯやＩＺＯ等で形成されている。透明導電膜２６ｂで溝２８表面が被覆されていることにより、溝２８の下層の遮光層２４ｂやストッパ層２４ｃが溝２８表面に露出しないので、遮光層２４ｂやストッパ層２４ｃが保護されて、腐蝕等が起こりにくくなる。
　透明導電膜２６ｂは、図５及び図６に示すように、各溝２８毎に独立して形成されていてもよいが、図７に変形例１として示すように、複数の溝２８に亘って連続するように形成されていてもよい。また、透明導電膜２６ｂは、他のいずれの構成にも接続されず電気的にフローティング状態であってもよく、また、共通電極３３に共通電位を与えるトランスファ電極（不図示）に接続されていてもよい。
　　（液晶表示装置１０の製造方法）
　次に、上記の構成の液晶表示装置１０の製造方法を説明する。
　　－アクティブマトリクス基板側－
　まず、公知の方法を用いて、基板本体２１上に、ゲート線（不図示）及び引き出し線２２ａを含む第１配線、ゲート絶縁膜２３、半導体膜（不図示）、並びに、ソース線（不図示）、遮光層２４ｂ、及びストッパ層２４ｃを含む第２配線を順番に積層する。
　次に、無機絶縁膜（例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜）を、基板全面を覆うように成膜してパッシベーション膜２９とした後、さらに、有機絶縁膜（例えば、アクリル樹脂膜）を成膜して、平坦化膜２５を形成する。
　次いで、エッチング等により溝２８を設けようとする部分の平坦化膜２５及びパッシベーション膜２９等を除去して、溝２８を形成する。このとき、遮光層２４ｂ又はストッパ層２４ｃが形成されている領域においては、平坦化膜２５及びパッシベーション膜２９のみが除去され、それ以外の領域では、平坦化膜２５及びパッシベーション膜２９に加えてゲート絶縁膜２３が除去される。
　次に、例えばＩＴＯやＩＺＯ等を用いて、画素電極（不図示）や透明導電膜２６ｂ等を成膜する。これにより、アクティブマトリクス基板２０が得られる。
　続いて、アクティブマトリクス基板２０の表示領域Ｄを覆うように、インクジェット法を用いてポリイミドを塗布して配向膜２７を形成する。このとき、配向膜材料である液状のポリイミドが非表示領域Ｆにまで流れてきて広がるが、溝２８がポリイミドのシール領域ＳＬへの漏れ広がりを規制するので、複数の溝２８より外周側には配向膜２７は形成されない。
　次に、アクティブマトリクス基板２０の表面に配向膜２７を形成した後は、配向膜２７が必要且つ十分な領域に塗布されているかを確認するために、モニタリングを行う。このモニタリングでは、輝度検出素子を備えたカメラを用いて、配向膜２７の濡れ広がり状態を視認する。
　具体的には、アクティブマトリクス基板２０の上方でアクティブマトリクス基板２０と一定の距離を保つようにして、且つ、溝２８が形成されている方向とは垂直な方向にカメラを走査させ、遮光層２４ｂ及びそれ以外の領域の輝度の差を利用して、遮光層２４ｂの位置を特定する。遮光層２４ｂは、溝２８に重なると共にシール領域ＳＬに沿って延びるように形成されているので、遮光層２４ｂの領域とそれ以外の領域における輝度の差が明確であり、遮光層２４ｂの位置を正確に検出することができる。遮光層２４ｂの位置を検出した後は、遮光層２４ｂの位置を基準として、配向膜２７の濡れ広がり状態を観察する。遮光層２４ｂの位置が正確に検出されているので、配向膜２７の濡れ広がり状態が適切か否かを、正確に判断することができる。なお、上記とは逆に、カメラを固定してアクティブマトリクス基板２０を動作させてもよい。
　　－対向基板側－
　次に、基板本体３１上に、ブラックマトリクス３２ａを成膜する。このとき、表示領域Ｄにおいては、各画素を区画する遮光領域に対応してブラックマトリクス３２ａを成膜する。一方、非表示領域Ｆでは、非表示領域Ｆの全体を覆うようにブラックマトリクス３２ａを成膜する。
　次いで、色層３２ｂ及び３２ｃを含む各色の色層を順に積層して、カラーフィルタを形成する。色層は、赤色層（Ｒ）、緑色層（Ｇ）及び青色層（Ｂ）の３種類の色で構成されている。なお、これらのＲＧＢの３種類の色層のうち、いずれの色が色層３２ｂ及び３２ｃであっても構わない（ここでは、仮に赤色層が色層３２ｂ、及び緑色層が色層３２ｃであるとする）。なお、色層は、ＲＧＢの３種類の色に限定されず、例えば、シアン、マゼンタ及びイエローの３種類の色で構成されていてもよく、その他の色の組み合わせであってもよい。
　表示領域Ｄにおいては、赤色層、緑色層及び青色層のそれぞれは、赤色画素、緑色画素及び青色画素のそれぞれに対応して成膜される。また、非表示領域Ｆにおいては、突条部３５を形成しようとする部分に赤色層３２ｂ及び緑色層３２ｃを積層して、両者の積層構造によって突条部３５を形成する。なお、突条部３５を色層３２ｂ及び３２ｃの２層構造とする他、突条部３５として必要とされる高さに応じて、１層構造としてもよく、３層構造としてもよい。
　カラーフィルタを形成した後は、さらに、基板全体を覆うように透明導電膜を成膜して共通電極３３を形成する。これにより、対向基板３０が得られる。
　さらに、アクティブマトリクス基板２０の配向膜２７と同様にして、表示領域Ｄを覆うように、インクジェット法を用いてポリイミドを塗布して配向膜３４を形成する。このとき、配向膜材料である液状のポリイミドが非表示領域Ｆにまで流れてきて広がるが、突条部３５がポリイミドのシール領域ＳＬへの漏れ広がりを規制するので、最外周の突条部３５より外周側には配向膜３４は形成されない。
　続いて、上記作製したアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０のうち一方の基板の表面に液晶材料を滴下した後、液晶材料を囲うようにシール領域ＳＬにシール材４０を塗布し、他方の基板を重ね合わせてシール材４０を硬化して、両基板２０，３０を接着する。これにより、表示パネルが完成する。
　なお、上記工程の他、毛細管現象を利用した真空注入法を用いて液晶材料を２枚の基板２０，３０間に導入してもよい。この場合、具体的には、液晶材料注入口となる開口を有するように枠状にシール材４０を塗布してから基板２０，３０を貼り合わせ、シール材４０を硬化させる。そして、基板をセルサイズに分断してから、真空雰囲気下でシール材４０の開口より液晶材料を注入し、注入口を封止材で封止する。
　最後に、基板をセルサイズに分断した後、表示パネルに偏光板を貼り付け、実装部材を実装し、バックライト装着等のモジュール化処理等を行う。こうして、液晶表示装置１０が完成する。
　　（本実施形態の効果）
　上記の構成によれば、５本の溝２８のうち外周側の３本の溝２８ａと重なるように遮光層２４ｂが設けられているので、遮光層２４ｂとその周辺の領域の輝度の差が大きくなる。そのため、配向膜２７が必要且つ十分な領域に塗布されているかをモニタリングする際に、遮光層２４ｂとそれ以外の領域の輝度の差を利用して、遮光層２４ｂの位置を正確に特定することができる。そして、正確に特定された遮光層２４ｂの位置を基準として、配向膜２７の濡れ広がり状態を精度よくモニタリングすることができ、結果として、配向膜２７の濡れ広がり不良の検出精度を向上することができる。
　また、対向基板３０には、突条部３５が形成されているので、配向膜３４が外方に漏れ広がるのを突条部３５によって規制することができる。
　なお、上記の実施形態では、アクティブマトリクス基板２０に形成された５本の溝２８のうち外周側の３本の溝２８ａと平面視で重なるように遮光層２４ｂが形成されているとして説明したが、特にこの数に限定されず、例えば、遮光層２４ｂが５本の溝のうち少なくとも１本と重なるように形成されていればよい。また、図８に変形例２として示すように、５本の溝２８のうち内周側の溝２８ｃと平面視で重なるように遮光層２４ｂが形成されていてもよい。さらに、図９に変形例３として示すように、５本の溝２８全部と平面視で重なるように遮光層２４ｂが形成されていてもよい。
　上記の実施形態では、アクティブマトリクス基板２０に溝２８が表示領域Ｄを囲うように環状に形成されているとともに、対向基板３０に突条部３５が表示領域Ｄを囲うように環状に形成されているが、特に狭額縁が必要とされる辺にのみ、溝２８及び突条部３５が形成されていてもよい。
　上記の実施形態では、対向基板３０に共通電極３３が形成されているとして説明したが、特にこれに限られない。本発明の液晶表示装置が、ＩＰＳ液晶等の横電界方式のものであってもよく、その場合には、共通電極はアクティブマトリクス基板２０側に形成される。
　　《実施形態２》
　次に、実施形態２の液晶表示装置１０について説明する。
　図１０は、実施形態２に係るアクティブマトリクス基板２０の平面図のうち図３の領域IVに相当する部分を拡大して示す平面図である。また、図１１は、図１０のXI－XI線におけるアクティブマトリクス基板２０の断面を含む液晶表示装置１０の断面図を示す。
　なお、実施形態１と同一または対応する構成については実施形態１と同一の参照符号を用いて説明する。
　液晶表示装置１０は、実施形態１と同様に、アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とが対向して配置され、それらの外周縁部に配置されたシール材４０により接着され、シール材４０に包囲された空間には、表示層として液晶層５０が設けられている。
　また、アクティブマトリクス基板２０には、実施形態１と同様に、表示領域Ｄを囲う環状の溝２８が形成されているとともに、対向基板３０には、実施形態１と同様に、表示領域Ｄを囲う環状の突条部３５が形成されている。
　ゲート線と電気的に接続された各引き出し線２２ａは、ゲートドライバ６０（図１２参照）に接続されている。また、図示しないが、ソース線と電気的に接続された引き出し線２２ａのそれぞれは、ソースドライバ（不図示）に接続されている。複数の引き出し線２２ａが１つのゲートドライバ６０に接続されるので、引き出し線２２ａの位置によって長さが異なることとなり、各引き出し線の配線抵抗値を等しくするために、図１０に示すように、配線の一部を蛇行させたレイアウトとしている。引き出し線２２ａの一部が蛇行した部分は、それ以外の部分よりも配線密度が大きくなっており、遮光層２４ｂはこの配線密度が大きい領域を覆っている。これにより、遮光層２４ｂとそれ以外の配線密度の小さい領域の輝度の差が明確になる。
　図１２は変形例４を示し、溝２８と重なる領域には、シール領域ＳＬと沿って延びるように、遮光層２４ｂが形成されている。遮光層２４ｂは、第２配線と同一層の金属膜で形成されている。遮光層２４ｂは、実施形態１とは異なり、連続した環状ではなく、シール領域ＳＬに沿ってはいるものの複数の非連続の金属膜で形成されている。遮光層２４ｂは、引き出し線２２ａの上記蛇行部分を覆うように配置されている。引き出し線２２ａは不透明の金属膜で形成されているので、配線密度の大きい蛇行部分を遮光層２４ｂで覆うことにより、遮光層２４ｂとそれ以外の配線密度の小さい領域の輝度の差が明確になる。
　その他の構成や製造方法については実施形態１に記載の通りである。また、実施形態１の変形例として挙げた例を実施形態２に適用することも可能である。
　　（実施形態２の効果）
　上記の構成によれば、５本の溝２８のうち外周側の３本の溝２８ａと重なるように遮光層２４ｂが設けられているので、遮光層２４ｂとその周辺の領域の輝度の差が大きくなる。そのため、配向膜２７が必要且つ十分な領域に塗布されているかをモニタリングする際に、遮光層２４ｂとそれ以外の領域の輝度の差を利用して、遮光層２４ｂの位置を正確に特定することができる。そして、正確に特定された遮光層２４ｂの位置を基準として、配向膜２７の濡れ広がり状態を精度よくモニタリングすることができ、結果として、配向膜２７の濡れ広がり不良の検出精度を向上することができる。
　また、複数の引き出し線２２ａのそれぞれの配線抵抗を等しくするために、引き出し線２２ａに蛇行部分が存在しているが、配線密度の高い蛇行部分を遮光層２４ｂで覆うことにより、遮光層２４ｂの周辺の領域における配線密度が大きくなるのが抑制される。つまり、引き出し線２２ａに蛇行部分が存在しても、遮光層２４ｂとその周辺の領域の輝度の差を大きく保つことができ、上述のように、高精度に配向膜２７の濡れ広がり不良を検出することができる。
　上記の実施形態１及び２においては、シール領域ＳＬの内側に複数の溝２８や突条部３５の全てが形成されているとして説明したが、特にこれに限定されない。例えば、図１３に変形例５として示すように、複数の溝２８の一部、及び複数の突条部３５の一部がシール領域ＳＬと重なるように形成されていてもよい。また、図１４に変形例６として示すように、複数の溝２８の一部、及び複数の突条部３５の一部がシール領域ＳＬと重なるように形成され、その結果、配向膜２７，３４の一部がシール領域ＳＬの内側と重なっていてもかまわない。複数の溝２８の一部や複数の突条部３５の一部をシール領域ＳＬと重なるように形成することにより、さらなる狭額縁化を実現可能となる。
　本発明は、液晶表示装置等の表示装置について有用であり、特に、配向膜の塗布領域の制御構造を有する液晶表示装置について有用である。
　Ｄ　　　　表示領域
　１０　　　液晶表示装置
　２０　　　アクティブマトリクス基板
　２１　　　基板本体
　２４ｂ　　遮光層
　２７　　　配向膜
　２８　　　溝
　３０　　　対向基板
　３４　　　配向膜
　３５　　　突条部
　４０　　　シール材
　５０　　　液晶層

Claims (6)

  1. 　アクティブマトリクス基板と、
    　上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、
    　上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間にあり、かつ、表示領域の外側に枠状に設けられたシール材と、
    　上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間の上記シール材で囲まれた領域に設けられた液晶層と、
    　上記アクティブマトリクス基板の上記液晶層側の面のうち、少なくとも上記表示領域を覆うように設けられた配向膜と、
    　上記アクティブマトリクス基板の上記液晶層側の面であって、上記シール材の内側であり、かつ、表示領域の外側に、上記シール材に沿って設けられた溝と、
    　上記溝の下層に上記溝の少なくとも一部と平面視で重なるように、上記シール材に沿って設けられた遮光層と、
    を備えることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 　請求項１に記載の液晶表示装置において、
    　上記遮光層は、上記アクティブマトリクス基板の基板本体に設けられた配線と同一層で形成されている
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
    　上記遮光層は、全体に亘って連続している
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  4. 　請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
    　上記遮光層は、非連続である
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  5. 　請求項１から４までのいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
    　上記遮光層は、上記アクティブマトリクス基板の基板本体に設けられた配線の密度が大きい領域を覆っている
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  6. 　請求項１から５までのいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
    　上記対向基板の上記液晶層側の面であって、上記シール材の内側であり、かつ、表示領域の外側には、突条部が上記溝と平面視で重なるように上記シール材に沿って設けられている
    ことを特徴とする液晶表示装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016095496A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 表示パネル
WO2018163988A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 シャープ株式会社 表示基板及び表示装置
WO2018163983A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 シャープ株式会社 表示基板及び表示装置
WO2018173857A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 シャープ株式会社 表示パネル
WO2019021946A1 (ja) * 2017-07-27 2019-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置
US20230097451A1 (en) * 2020-06-12 2023-03-30 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, touch display device, and a method for manufacturing a touch display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001100251A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置
US20070109236A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and projector
WO2007129489A1 (ja) * 2006-04-11 2007-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置用基板および表示装置
CN101082745A (zh) * 2006-05-31 2007-12-05 株式会社日立显示器 液晶显示装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001100251A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置
US20070109236A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and projector
KR20070052214A (ko) * 2005-11-16 2007-05-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정 장치 및 프로젝터
CN1967329A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 精工爱普生株式会社 液晶装置及投影机
JP2007139926A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Seiko Epson Corp 液晶装置およびプロジェクタ
WO2007129489A1 (ja) * 2006-04-11 2007-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置用基板および表示装置
CN101467097A (zh) * 2006-04-11 2009-06-24 夏普株式会社 用于显示装置的基板和显示装置
US20090279039A1 (en) * 2006-04-11 2009-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Board for display device and display device
CN101082745A (zh) * 2006-05-31 2007-12-05 株式会社日立显示器 液晶显示装置
KR20070115615A (ko) * 2006-05-31 2007-12-06 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 액정표시장치
US20070279565A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
JP2007322627A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016095496A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 表示パネル
US9711755B2 (en) 2014-11-12 2017-07-18 Innolux Corporation Display panels
WO2018163988A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 シャープ株式会社 表示基板及び表示装置
WO2018163983A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 シャープ株式会社 表示基板及び表示装置
WO2018173857A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 シャープ株式会社 表示パネル
JPWO2018173857A1 (ja) * 2017-03-21 2020-01-23 シャープ株式会社 表示パネル
WO2019021946A1 (ja) * 2017-07-27 2019-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置
US10802314B2 (en) 2017-07-27 2020-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US20230097451A1 (en) * 2020-06-12 2023-03-30 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, touch display device, and a method for manufacturing a touch display device

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