WO2014080706A1 - 有機電界発光装置および有機電界発光装置の製造方法ならびに電子機器 - Google Patents
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- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Definitions
- the present disclosure relates to an organic electroluminescent device used as, for example, a lighting device or a display device, a method for manufacturing the organic electroluminescent device, and an electronic apparatus.
- An organic electroluminescence element utilizing an organic electroluminescence (EL) phenomenon has been attracting attention as a light-emitting element that is self-luminous and capable of emitting high luminance by low-voltage direct current drive.
- Such an organic electroluminescent element has an organic layer including a light emitting layer between a first electrode and a second electrode, but an insulating partition is provided in a peripheral region of the first electrode for various purposes. It is done. For example, after the first electrode is formed, the partition wall is patterned using a photolithography method, and then an organic layer is formed.
- the surface of the first electrode may be oxidized or foreign matter may adhere to the surface due to the residue generated after the removal of the photoresist or the influence of the process environment. There are things to do. This causes a so-called leak current and leads to a decrease in reliability.
- Patent Document 1 proposes a technique for suppressing the film formation defect of the organic layer by covering the foreign matter generated on the surface of the first electrode as described above with a conductive buffer layer.
- Patent Document 1 it is difficult to fundamentally avoid electrode damage such as oxidation of the electrode surface and adhesion of foreign matter as described above.
- an organic electroluminescent device it is desired to improve the partition formation process and improve the reliability.
- an organic electroluminescent device an organic electroluminescent device manufacturing method, and an electronic device that can reduce electrode damage in the manufacturing process and improve reliability.
- An organic electroluminescence device includes a first electrode, an organic layer provided on the first electrode, including a light emitting layer, and having two surfaces of a hole injection side and an electron injection side, A second electrode provided on the organic layer and a partition wall having an insulating property in the peripheral region are provided in the peripheral region of the first electrode.
- the partition wall is made of a material that partially overlaps one of the two surfaces of the organic layer and has a property of transporting charges injected into the overlapping surface.
- a method of manufacturing an organic electroluminescent device includes forming a first electrode, including a light emitting layer on the first electrode, and providing two surfaces, a hole injection side and an electron injection side. Forming an organic layer, forming a second electrode on the organic layer, and forming an insulating partition in the peripheral region of the first electrode in the peripheral region.
- the partition wall is made of a material that partially overlaps one of the two surfaces of the organic layer and has a property of transporting charges injected into the overlapping surface.
- An electronic apparatus includes the organic electroluminescence device according to the embodiment of the present disclosure.
- the partition wall has insulation in the peripheral region of the first electrode, and the hole injection side and the electron of the organic layer It is made of a material that has a property of transporting electric charges that are superimposed on one surface of the injection side and injected into the overlapping surface.
- the partition walls can be formed without performing patterning using a photolithography method or the like. While increasing the charge injection efficiency into the organic layer, the oxidation of the surface of the first electrode and the adhesion of foreign matter to the surface are reduced.
- the partition wall that is provided in the peripheral region of the first electrode and has insulating properties in the peripheral region is an organic layer. It is made of a material that overlaps with one surface of the hole injection side and the electron injection side and has a property of transporting charges injected into the overlapping surface. Thereby, the oxidation of the surface of the first electrode and the adhesion of foreign matter to the surface can be reduced while increasing the charge injection efficiency into the organic layer. Therefore, it is possible to reduce electrode damage in the manufacturing process and improve reliability.
- FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a layout example of a unit area illustrated in FIG. 1.
- FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a first electrode and a second electrode illustrated in FIG. 1.
- FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a first electrode and a second electrode illustrated in FIG. 1.
- FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view in the vicinity of an overlap region between an organic layer and a partition wall illustrated in FIG. 1. It is a flowchart showing the flow of manufacture of the organic electroluminescent apparatus shown in FIG. It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus shown in FIG.
- FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 6.
- FIG. 8 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 7.
- FIG. 9 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 8.
- 10 is a flowchart showing a flow of manufacturing an organic electroluminescent device according to Comparative Example 1.
- FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an organic electroluminescent device according to Comparative Example 1.
- FIG. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 11A.
- FIG. 11B is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11B.
- FIG. 11D is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11C.
- FIG. 11D is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11D. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 12A.
- 10 is a flowchart showing a flow of manufacturing an organic electroluminescent device according to Comparative Example 2.
- FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an organic electroluminescent device according to Comparative Example 1.
- FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 14.
- FIG. 16 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 15.
- 10 is a flowchart showing a flow of manufacturing an organic electroluminescent device according to Modification 1.
- FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an organic electroluminescent device according to Modification 1.
- FIG. 10 is a plan view for explaining a method for manufacturing an organic electroluminescent device according to Modification 1.
- FIG. 18A is a plan view for explaining a method for manufacturing an organic electroluminescent device according to Modification 1.
- FIG. 18B is a plan view illustrating a process following the process in FIG. 18B. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 19A. It is a top view showing the process of following FIG. 19B. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 20A.
- FIG. 20B is a plan view illustrating a process following the process in FIG. 20B. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 21A. It is a top view showing the process of following FIG.
- FIG. 21B It is sectional drawing showing the process of following FIG. 22A. It is a top view showing the process of following FIG. 22B.
- FIG. 23B is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 23A.
- FIG. 24 is a plan view illustrating a process following the process in FIG. 23B.
- 10 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of an organic electroluminescent device according to Modification 2.
- FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of an organic electroluminescent device according to Modification 3.
- FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 1.
- FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 1.
- FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 1.
- FIG. 12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 2.
- FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 3 viewed from the front side.
- FIG. 12 is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 3 viewed from the back side.
- FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 4.
- FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 5.
- FIG. 11 is a front view, a left side view, a right side view, a top view, and a bottom view of Application Example 6 in a closed state. It is the front view of the open state of the application example 6, and a side view.
- Embodiment Example of an organic electroluminescence device in which a part of a partition made of an electron transporting material is overlapped on the surface of the organic layer on the second electrode (cathode) side
- Modification 1 Manufacturing process example including power supply wiring and auxiliary wiring formation process
- Modification 2 (Another example of overlap region of organic layer and partition wall) 4
- Modification 3 (example in which a part of the partition wall is overlapped with the surface of the organic layer on the first electrode side) 5.
- Application examples examples of electronic devices
- FIG. 1 illustrates a cross-sectional configuration of an organic electroluminescent device (organic electroluminescent device 1) according to an embodiment of the present disclosure.
- 2A to 2D show an example of the layout of the unit region (unit region 10a) in the light emitting region (light emitting region 110).
- the organic electroluminescent device 1 is used as, for example, a lighting device or a display device. However, the case where the organic electroluminescent device 1 is used as a lighting device will be described below as an example.
- the organic electroluminescent device 1 has a plurality of unit regions 10a (organic electroluminescent elements) arranged two-dimensionally on a driving substrate 10, for example.
- the plurality of unit regions 10a constitute one light emitting region 110 of the organic electroluminescent device 1 (the light emitting region 110 is divided into a plurality of unit regions 10a).
- the unit region 10a is a region that can be driven to emit light individually, and a driving voltage can be applied to the organic layer 12 described later for each unit region 10a.
- the light emitting area 110 is an area corresponding to a so-called effective display area when the organic electroluminescent device 1 is a display device, for example.
- the unit area 10 a can take any layout in the light emitting area 110.
- a plurality of unit regions 10a are two-dimensionally arranged in a matrix, and the light emitting region 110 is subdivided by the unit regions 10a.
- the layout of the unit region 10a is not limited to such a matrix, and can be set in various ways according to the size and application. For example, as shown in FIG.
- the number of divisions of the light emitting region 110 may be set smaller (for example, four).
- the division direction of the light emitting region 110, the shape of the unit region 10a, and the like are not particularly limited.
- each of the plurality of unit regions 10a extends in one direction. It may be a striped shape.
- the light emitting region 110 does not necessarily have a plurality of unit regions 10a, and may not be divided. In the following, the illustration and description will be made on the assumption that a plurality of unit regions 10a are arranged in a matrix as shown in FIG.
- the matrix arrangement of the unit regions 10a can be realized by, for example, configuring the first electrode 11 and the second electrode 14 as follows.
- 3A and 3B show configuration examples of the first electrode 11 and the second electrode 14.
- the first electrode 11 and the second electrode 14 are formed in a stripe shape (or comb-tooth shape), respectively, and the first electrode 11 and the second electrode 14 extend to each other. Oppositely arranged so that the directions are orthogonal.
- one of the first electrode 11 and the second electrode 14 (for example, the first electrode 11) is arranged in a matrix and the other (for example, the second electrode 14) is solid. (So as to be a common electrode for each unit region 10a).
- a plurality of both the first electrode 11 and the second electrode 14 may be arranged in a matrix.
- a partition wall 13 is provided in a peripheral region (here, a region between the unit regions 10a) D1 of the first electrode 11 so as to partition the unit region 10a.
- the organic layer 12 is electrically separated by the partition wall 13 for each unit region 10a.
- the partition wall 13 has a plurality of openings H1, and the organic layer 12 is provided in a region corresponding to the openings H1.
- a protective film 15 is provided on the second electrode 14, and a sealing substrate 17 is bonded to the protective film 15 via an adhesive layer 16.
- the adhesive layer 16 is not necessarily provided over the entire surface of the protective film 15, and the sealing substrate 17 may be provided on the protective film 15 via a gap (a so-called hollow sealing structure). May be).
- the drive substrate 10 is provided with a drive circuit (active matrix drive circuit) including a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor), a capacitor element, and various wirings on a substrate made of, for example, quartz, glass, metal foil, silicon, or plastic. It was established. However, these TFTs and capacitor elements do not necessarily have to be provided depending on the driving method and application, for example, in the case of passive driving.
- TFT Thin Film Transistor
- the first electrode 11 functions as, for example, an anode (anode), and is provided for each unit region 10a, for example.
- the organic electroluminescent device 1 is a bottom emission type (bottom emission type)
- the first electrode 11 is made of a transparent conductive film.
- transparent conductive films include magnesium and silver co-evaporated films (MgAg), ITO (indium tin oxide), InZnO (indium zinc oxide), and alloys of zinc oxide (ZnO) and aluminum (Al). Examples thereof include a single layer film made of any of these and a laminated film made of two or more of them.
- graphene may be used as the transparent conductive film.
- the first electrode 11 is made of a conductive material having excellent light reflectivity.
- conductive materials include metal elements such as chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), tungsten (W), and silver (Ag). It consists of a simple substance or an alloy containing at least one of them.
- the 1st electrode 11 functions as an anode, it is desirable for the 1st electrode 11 to be comprised with the material with high hole injection property.
- both the first electrode 11 and the second electrode 14 may be formed of the transparent conductive film as described above.
- the organic layer 12 includes a light emitting layer.
- a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order from the first electrode 11 side as an anode.
- This light emitting layer recombination of electrons and holes occurs when an electric field is applied to generate light.
- This light emitting layer is, for example, a white light emitting layer that emits white light.
- the white light emitting layer includes two or more of a red light emitting material, a green light emitting material, a blue light emitting material, an orange light emitting material, and a yellow light emitting material.
- it can be set as the structure which laminated
- the light emitting material examples include organic materials such as styrylamine derivatives, aromatic amine derivatives, perylene derivatives, coumarin derivatives, pyran dyes, and triphenylamine derivatives.
- organic layers other than the light emitting layer a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer.
- a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer May be a layer common to each unit region 10a.
- another layer for example, an electron injection layer may be provided between the organic layer 12 and the second electrode 14.
- lithium oxide (Li 2 O) which is an oxide of lithium (Li)
- cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) which is a composite oxide of cesium (Cs)
- alkaline earth metals such as calcium (Ca) and barium (Ba)
- alkali metals such as lithium and cesium
- metals having a small work function such as indium (In) and magnesium
- the organic layer 12 is patterned on the first electrode 11, for example.
- the organic layer 12 is patterned by a vapor deposition method (mask vapor deposition method, mask through vapor deposition method) using a so-called metal mask (shadow mask).
- the pattern may be formed by a coating method such as a slit coating method or various printing techniques.
- a wet method such as a coating method or a printing method, it is desirable to use a polymer material soluble in a predetermined organic solvent as a constituent material of the organic layer 12.
- polymer light emitting materials examples include polyfluorene polymer derivatives, (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, polythiophene derivatives, perylene dyes, coumarin dyes, and rhodamine dyes. Etc.
- these polymer materials may be doped with, for example, rubrene, perylene, 9,10 diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6 and the like.
- the polymer light emitting material for example, an anthracene derivative doped with a low molecular fluorescent material, a phosphorescent dye, a metal complex or the like is used.
- the thickness of the organic layer 12 is, for example, 40 nm to 1 ⁇ m, and preferably 45 nm to 750 nm.
- the partition wall 13 ensures insulation of the first electrode 11 and the second electrode 14 and partitions the unit region 10a.
- the partition wall 13 is provided in the peripheral region D1 of the first electrode 11 as described above.
- a part of the partition wall 13 is formed by the surface S1 on the hole injection side of the organic layer 12 and the electron injection. It is provided so as to overlap (overlap) one surface of the side surface S2.
- the first electrode 12 functions as an anode
- the second electrode 14 functions as a cathode, respectively
- a part of the partition wall 13 overlaps the surface S2 on the electron injection side.
- FIG. 4 shows an enlarged view of the vicinity of the overlap region (overlap region D2) between the partition wall 13 and the organic layer 12.
- the end portion (base portion) 13e of the partition wall 13 partially covers the surface S2 of the organic layer 12, and the partition wall 13 and the organic layer 12 are overlaid on the organic layer 12. It has a wrap region D2.
- the end e2 of the partition wall 13 is formed so as to enter the inner side (light emission center side) than the end e1 of the organic layer 12.
- the partition wall 13 is made of a material having a charge transporting property. Specifically, it is made of a material having a property of transporting charges injected into the surface of the surfaces S1 and S2 of the organic layer 12 on which the partition wall 13 is superimposed.
- the partition wall 13 is preferably made of an electron transporting material. Any electron transporting material may be used as long as it increases the efficiency of electron transport to the organic layer 12 (light emitting layer).
- examples thereof include azole, fluorenone, and derivatives and metal complexes thereof.
- the partition wall 13 has (electrical) insulation in the peripheral region D1 of the first electrode 11.
- the partition wall 13 is formed with a sufficiently large film thickness (film thickness t2) so as to exhibit insulation in the peripheral region D1.
- film thickness t ⁇ b> 2 only needs to be set to such an extent that insulation can be obtained according to the constituent material of the partition wall 13, but may be larger than the film thickness t ⁇ b> 1 of the organic layer 12, for example.
- the film thickness is smaller than that in the peripheral region D1 (becomes thinner toward the light emission center), so that the electron transport property of the constituent material of the partition wall 13 is exhibited. .
- the second electrode 14 functions as a cathode (cathode), for example, and is provided in common with each unit region 10a, for example, in a state of being insulated from the first electrode 11.
- the second electrode 14 is made of a conductive material having excellent light reflectivity as described above as a constituent material of the first electrode 11.
- the constituent material of the first electrode 11 is composed of the transparent conductive film as described above.
- a so-called charge generation layer including an electron supply layer and an electron injection layer may be provided on the organic layer 12 side of the second electrode 14.
- the electron injection layer for example, lithium oxide (LiO 2 ), cesium carbonate (CsCO 3 ), or a mixture of these oxides and composite oxides can be used.
- alkaline earth metals such as calcium (Ca) and barium (Ba)
- alkali metals such as Li and Cs
- metals having a low work function such as indium (In) and magnesium (Mg)
- oxidation thereof oxidation thereof
- composite oxides may be used.
- the electron injection layer may be a mixture or alloy in which safety is improved by combining two or more of these oxides and composite oxides.
- the protective film 15 has a thickness of 0.1 to 10 ⁇ m, for example, and may be made of either an insulating material or a conductive material.
- an insulating material an inorganic amorphous insulating material such as amorphous silicon (a-Si), amorphous silicon carbide (a-SiC), amorphous silicon nitride (a-Si 1-x N x ), amorphous carbon (a -C) and the like are preferable.
- a-Si amorphous silicon
- a-SiC amorphous silicon carbide
- a-Si 1-x N x amorphous silicon nitride
- a -C amorphous carbon
- the sealing substrate 17 seals the organic layer 12 together with the adhesive layer 16.
- the sealing substrate 17 is made of a material (for example, glass) that is transparent to light (for example, white light) generated from the organic layer 17.
- the sealing substrate 17 may be provided with, for example, a color filter and a black matrix as necessary.
- FIG. 5 shows the flow of manufacturing the organic electroluminescent device 1 (the process of forming the main parts (first electrode 11, organic layer 12, partition wall 13 and second electrode 14)).
- 6 to 9 show the steps of forming the main part in the order of steps.
- the manufacturing method of the organic electroluminescence device includes the first electrode 11 forming step (step S11), the organic layer 12 forming step (step S12), and the insulating layer 13 forming step (step S13). And a process of forming the second electrode 14 (step S14).
- the drive substrate 10 is prepared, and the first electrode 11 is formed on the drive substrate 10 as shown in FIG. 6 (S11).
- the first electrode 11 is patterned using, for example, a predetermined metal mask (shadow mask) 120 by, for example, vacuum deposition (mask deposition).
- a predetermined metal mask shadow mask
- a mask having an opening 120a in a selective region (region where the first electrode 11 is formed) is used.
- the first electrode 11 is formed without performing patterning by etching (wet etching or dry etching) using a photolithography method.
- the organic layer 12 is formed on the first electrode 11 (S12). Specifically, the organic layer 12 is patterned by, for example, a mask vapor deposition method in the same manner as the first electrode 11 formation step. At this time, when the formation pattern of the first electrode 11 and the organic layer 12 is the same, for example, the metal mask 120 used in the step of forming the first electrode 11 can be used. Thus, in the present embodiment, the organic layer 12 is formed before the partition wall 13 is formed.
- the partition wall 13 is formed in the peripheral region D1 of the first electrode 11 (S13). Specifically, the partition wall 13 is patterned by a mask vapor deposition method using a predetermined metal mask (metal mask 121) in the same manner as the first electrode 11 formation step. As the metal mask 121, one having an opening 121a facing a selective region (peripheral region D1) is used. Thereby, as described above, the partition wall 13 is formed in the peripheral region D1 of the first electrode 11 with a predetermined film thickness.
- the vapor deposition material transmitted through the opening 121a of the metal mask 121 enters (wraps around) the region facing the shielding portion 121b of the metal mask 121, and the surface of the organic layer 12 It adheres on S2.
- the constituent material of the partition wall 13 is formed on the surface S2 of the organic layer 12 so as to overlap, and the above-described overlap region S2 is formed.
- the second electrode 14 is formed (S14). Specifically, the second electrode 14 is pattern-formed by a mask vapor deposition method using a predetermined metal mask (not shown) as in the first electrode 11 forming step.
- the light emitting region 110 is formed as a solid electrode or a stripe shape over the entire region.
- the second electrode 14 is formed so as to cover the partition wall 13 and the organic layer 12 exposed from the opening H1 of the partition wall 13.
- the first electrode 11 formation step (S11), the organic layer 12 formation step (S12), the partition wall 13 formation step (S13), and the second electrode 14 formation step (S14). Can be carried out continuously in the same chamber.
- the protective film 15 is formed on the second electrode 14 by, for example, vapor deposition or CVD.
- the sealing substrate 17 is bonded to the protective film 15 via an adhesive layer (not shown), whereby the organic electroluminescence device 1 shown in FIG. 1 is completed.
- the organic electroluminescent device 1 when a driving current is injected into the organic layer 12 through the first electrode 11 and the second electrode 14, recombination of holes and electrons occurs in the organic layer 12 (light emitting layer), and light emission occurs. Occur.
- the light for example, white light
- the light generated in this way is from the side of the driving substrate 10 in the case of bottom emission (bottom emission) and from the side of the sealing substrate 17 in the case of top emission (top emission). It is taken out.
- the partition wall 13 that partitions the unit region 10 a is insulative in the peripheral region D 1 of the first electrode 11, and a part thereof is on the electron injection side surface S 2 of the organic layer 12. Overlap (overlap region D2 is formed).
- the partition wall 13 is made of a material having an electron transporting property. Further, the overlap region D2 between the partition wall 13 and the organic layer 12 is caused by the manufacturing method as described above.
- the first electrode 11, the organic layer 12, the partition wall 13, and the second electrode 14 are formed by, for example, a mask vapor deposition method without performing a patterning process using a photolithography method.
- FIG. 10 the flow of manufacture of the organic electroluminescent apparatus which concerns on the comparative example 1 is shown, and FIG.11 and FIG.12 shows in order of process about each process.
- the first electrode forming process (Steps S101-1, S101-2), the partition wall forming process (Steps S102-1, 102-2), and the organic layer forming process (Step S103).
- a second electrode forming step step S104.
- the first electrode 102 is formed on the drive substrate 101 (S101-1, S101-2). Specifically, first, as shown in FIG. 11A, the first electrode 102 is formed on the entire surface of the drive substrate 101 by, for example, vacuum evaporation or sputtering. Thereafter, as shown in FIG. 11B, a photoresist 103 is applied on the first electrode 102 and exposed to have a predetermined pattern. Subsequently, as shown in FIG. 11C, the first electrode 102 is patterned by wet etching or dry etching. Thereafter, as shown in FIG. 11D, the photoresist 103 is peeled off. In this way, the first electrode 102 is formed on the drive substrate 101.
- the partition wall 104 is formed (S102-1, S102-2). Specifically, first, as shown in FIG. 12A, a partition wall 104 (insulating film) made of, for example, a photosensitive resin is formed over the entire surface of the drive substrate 101 by, for example, vacuum evaporation or sputtering. Thereafter, as shown in FIG. 12B, the partition 104 is patterned by exposing a selective region using, for example, a photomask. After forming the partition 104 in this way, an organic layer (not shown) is formed to face the opening H1 of the partition 104.
- the partition 104 is patterned using, for example, the photolithography method. For this reason, in the formation process, the surface of the first electrode 102 is oxidized by being exposed to the atmosphere during transportation and being affected by the etching conditions. Further, after the partition 104 is formed, foreign matters such as a residue of photoresist adhere to the surface of the first electrode 102. Such damage (X1) on the surface of the first electrode 102 becomes a cause of current leakage.
- the first electrode 111 is patterned on the drive substrate 101 in the same manner as the first electrode 11 forming step (S11) of the present embodiment.
- partition walls 112 are formed on the drive substrate 10 by mask vapor deposition using a predetermined metal mask 1010.
- the organic layer 113 is formed in the opening H ⁇ b> 1 of the partition 112 by, for example, a mask vapor deposition method.
- the second electrode 114 is formed by, for example, a mask vapor deposition method.
- the electrode damage as in the comparative example 1 is reduced.
- the material easily adheres to the surface of the first electrode 111 due to wraparound during vapor deposition (X2).
- the partition 112 is often made of an insulating resin, if a partition material adheres to the first electrode 111, it becomes a barrier to charge injection into the organic layer 113, and the light emission efficiency is reduced. Problems such as no light emission occur, leading to a decrease in the reliability of the apparatus.
- the organic layer 12 is formed before the partition wall 13 is formed, and the partition wall 13 is formed by a mask vapor deposition method.
- a part of the partition wall 13 overlaps the surface S2 on the electron injection side of the organic layer 12 (an overlap region D2 is formed).
- the partition wall 13 is made of an electron transporting material, electrons injected from the second electrode 14 are efficiently transported to the organic layer 12 by the overlap region D2.
- the partition wall 13 is set to an appropriate film thickness in the peripheral region D1 of the first electrode 11 so as to exhibit insulation. Therefore, in this embodiment mode, the partition wall 13 can be formed without performing a patterning process using a photolithography method or the like. That is, the efficiency of charge injection into the organic layer 12 is enhanced, and the oxidation of the surface of the first electrode 11 and the adhesion of foreign matter to the surface are reduced.
- the partition wall 13 provided in the peripheral region D1 of the first electrode 11 overlaps, for example, the surface S2 on the electron injection side of the organic layer 12, and charges (injected into the surface S2 ( It is made of a material having electron transport properties.
- the oxidation of the surface of the 1st electrode 11 and the adhesion of the foreign material to the surface can be reduced while improving the charge injection efficiency to the organic layer 12. Therefore, it is possible to reduce electrode damage in the manufacturing process and improve reliability.
- the first electrode 11 functions as an anode and the second electrode 14 functions as a cathode.
- the first electrode 11 functions as a cathode and the second electrode 14 functions as an anode.
- the above contents are applicable.
- the first electrode 11 functions as a cathode and the second electrode 14 functions as an anode
- the hole transporting material include hexaazatriphenylene derivatives and 4,4'-bis (N-1-naphthyl-N-phenylamino) biphenyl ( ⁇ -NPD).
- the partition wall 13 is formed by a mask vapor deposition method using a metal mask.
- the method for forming the partition wall 13 is not limited to the mask vapor deposition method and may be a method that does not use a photolithography technique. Any other various methods can be used.
- a wet method such as a printing method (coating method) may be used.
- a droplet discharge method such as an inkjet method, a slit coating method, or a nozzle coating method, or a plate printing method such as reverse offset printing, flexographic printing, screen printing, or gravure printing can be used.
- FIG. 17 shows the flow of manufacturing the organic electroluminescent device 1 including the process of forming various wiring layers (auxiliary wiring, power supply wiring).
- 18A is a cross-sectional view for explaining the formation process
- FIG. 18B is a plan view.
- 19A, FIG. 19B to FIG. 24A, and FIG. 24B are a cross-sectional view and a plan view following FIG. 18A and FIG. 18B.
- FIG. A corresponds to a cross-sectional configuration taken along line II in FIG. As shown in FIG.
- the manufacturing method of the organic electroluminescence device includes a power supply wiring forming step (step S21), an auxiliary wiring forming step (step S22), and a main part including steps S11 to S14 described in the above embodiment.
- a formation process (step S23) and an auxiliary wiring formation process (step S24) are included.
- the configuration in the case where the light emitting region 110 is not divided into a plurality of unit regions 10a (both the first electrode 11 and the second electrode 14 are solid electrodes) is illustrated.
- the present invention is also applicable to a configuration in which the light emitting region 110 is divided into a plurality of unit regions 10a (at least one of the first electrode 11 and the second electrode 14 is provided). Is possible.
- the power supply wiring 18 is formed in a predetermined region of the drive substrate 10 (a peripheral region of the light emitting region 110).
- the auxiliary wiring 19 is formed in a grid pattern, for example.
- the first electrode 11 is formed so as to cover the auxiliary wiring 19 over the entire surface of the light emitting region 110.
- the first electrode 11 is formed by the mask vapor deposition method as described above.
- the organic layer 12 is formed on the first electrode 11 by, for example, the mask vapor deposition method as described above.
- the partition wall 13 is formed in the peripheral region of the first electrode 11 so as to cover the side surfaces of the first electrode 11 and the organic layer 12.
- the second electrode 14 is formed by, for example, the mask vapor deposition method as described above so as to cover the light emitting region 110 and the region where the power supply wiring 18 is formed. Accordingly, the second electrode 14 is connected to the power supply wiring 18 in a state where the second electrode 14 is electrically insulated from the first electrode 11 by the partition wall 13.
- the auxiliary wiring 20 is formed on the second electrode 14 in a lattice pattern, for example.
- the partition wall 13 ensures electrical insulation between the first electrode 11 and the second electrode 14 in the peripheral region of the light emitting region 110 (peripheral region of the first electrode 11). .
- the partition wall 13 is formed by the mask vapor deposition method, and a part thereof is formed on the organic layer 12 so as to overlap therewith. Thereby, the oxidation of the surface of the 1st electrode 11 and the adhesion of the foreign material to the surface can be reduced while improving the charge injection efficiency to the organic layer 12. Therefore, the same effect as the above embodiment can be obtained.
- the present disclosure can be applied even when the light emitting region 110 is not divided into the plurality of unit regions 10a (FIG. 2D).
- FIG. 25 illustrates a main configuration of an organic electroluminescent device according to Modification 2.
- the configuration in which the overlap region D2 is formed by partially covering the surface S2 of the organic layer 12 has been illustrated.
- the overlap region D2 is formed on the organic layer 12 as in the present modification. It may be connected on the surface S2. That is, a part of the partition wall 13 may be formed so as to cover the entire surface S ⁇ b> 2 of the organic layer 12. Even in such a case, if the film thickness t3 of the region facing the organic layer 12 of the partition wall 13 is smaller than the film thickness t1 of the organic layer 12, the charge transport efficiency is improved in the overlap region D2. Can be increased. Therefore, an effect equivalent to that of the above embodiment can be obtained.
- FIG. 26 illustrates a main configuration of an organic electroluminescent device according to Modification 3.
- a part of the partition wall 13 is provided so as to overlap with the surface S2 on the electron injection side of the organic layer 12.
- the present invention is not limited to this, and the surface S1 on the hole injection side as in this modification. It may be provided so as to overlap with the side.
- a part of the partition wall 13 may be interposed between the organic layer 12 and the first electrode 11 (anode). In this case, however, the hole transporting material as described above is used as the constituent material of the partition wall 13.
- the partition wall 13 is formed by a mask vapor deposition method, and then the organic layer 12 is formed.
- the above-described electron transporting material is used as a constituent material of the partition wall 13.
- the organic electroluminescence device of the above embodiment is used for lighting electronic devices in various fields such as a smart phone, a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera as shown below. It can be used as a device (or a display device).
- the smartphone includes a display unit 110, a non-display unit (housing) 120, and an operation unit 130, for example.
- the operation unit 130 may be provided on the front surface of the non-display unit 120 as illustrated in FIG. 27A, or may be provided on the upper surface as illustrated in FIG. 27B.
- FIG. 28 shows an external configuration of the television device.
- the television apparatus includes a video display screen unit 200 including a front panel 210 and a filter glass 220, for example.
- FIG. 29A and FIG. 29B show the external configuration of a digital still camera.
- This digital still camera includes, for example, a light emitting unit 310 for flash, a display unit 320, a menu switch 330, and a shutter button 340.
- FIG. 30 shows an external configuration of a notebook personal computer.
- the personal computer includes, for example, a main body 410, a keyboard 420 for inputting characters and the like, and a display unit 430 that displays an image.
- FIG. 31 shows the external structure of the video camera.
- the video camera includes, for example, a main body 510, a subject photographing lens 520 provided on the front side surface of the main body 510, a start / stop switch 530 at the time of photographing, and a display 540.
- FIG. 32A and 32B show the external configuration of the mobile phone.
- FIG. 32A shows a front surface, a left side surface, a right side surface, an upper surface, and a lower surface when the mobile phone is closed.
- FIG. 32B shows the front and side surfaces of the mobile phone opened.
- an upper housing 610 and a lower housing 620 are connected by a connecting portion (hinge portion) 630, and a display 640, a sub-display 650, a picture light 660, and a camera 670 are connected.
- a connecting portion 630
- a display 640 for example, a display 640, a sub-display 650, a picture light 660, and a camera 670 are connected.
- the present disclosure is not limited to these embodiments and the like, and various modifications can be made.
- the case where all of the first electrode 11, the organic layer 12, the partition wall 13, and the second electrode 14 are formed by the mask vapor deposition method is exemplified. It may be formed by the method.
- a formation method of the partition 13 it is not limited to a mask vapor deposition method, As mentioned above, wet methods, such as a printing method, may be used.
- each layer described in the above embodiments and the like, or the film formation method and film formation conditions are not limited, and may be other materials and thicknesses, or may be other film formation methods and components. It is good also as film
- the organic electroluminescent apparatus of this indication was used as an illuminating device, it is not limited to this, You may use as a display apparatus.
- the light emitting area 110 in the above embodiment corresponds to an effective display area
- the unit area 10a corresponds to a pixel.
- the top emission type for example, R, G, B color filters, a black matrix, and the like are formed on the sealing substrate 17 as necessary.
- the organic electroluminescent device of the present disclosure can be applied to various fields, but is particularly useful for a light emitting device that requires high luminance rather than high definition, that is, a lighting device.
- a first electrode An organic layer provided on the first electrode, including a light emitting layer, and having two surfaces of a hole injection side and an electron injection side;
- a second electrode provided on the organic layer;
- a partition wall provided in a peripheral region of the first electrode and having an insulating property in the peripheral region;
- the barrier rib is an organic electroluminescence device made of a material that partially overlaps one of the two surfaces of the organic layer and has a property of transporting charges injected into the overlapping surface.
- the first electrode functions as an anode and the second electrode functions as a cathode;
- the organic electroluminescence device according to (1) wherein a part of the partition wall is provided so as to overlap with a surface of the organic layer on the second electrode side and is made of an electron-transmitting material.
- the first electrode functions as an anode and the second electrode functions as a cathode;
- the organic electroluminescence device according to (1) wherein a part of the partition wall is provided so as to overlap with a surface of the organic layer on the first electrode side and is made of a hole transporting material.
- the first electrode functions as a cathode and the second electrode functions as an anode;
- the organic electroluminescence device according to (1) wherein a part of the partition wall is provided so as to overlap with a surface of the organic layer on the second electrode side and is made of a hole transporting material.
- the first electrode functions as a cathode and the second electrode functions as an anode;
- the organic electroluminescence device according to (1) wherein a part of the partition wall is provided so as to overlap with a surface of the organic layer on the first electrode side and is made of an electron transporting material.
- the organic electroluminescence device according to any one of (1) to (5), wherein the organic layer is provided by being separated electrically for each unit region by the partition.
- the organic electroluminescent device according to any one of (1) to (6), wherein the light emitting layer emits white light.
- the organic electroluminescent device according to any one of (1) to (7), wherein the organic electroluminescent device is a lighting device.
- the organic electroluminescence device according to any one of (6) and (7), wherein the organic electroluminescence device is a display device that displays an image using the unit region as a pixel.
- the partition is a method for manufacturing an organic electroluminescence device, wherein a part of the partition wall overlaps with one of the two surfaces of the organic layer and has a property of transporting charges injected into the overlapping surface.
- the first electrode functions as an anode and the second electrode functions as a cathode; After forming the first electrode and before forming the organic layer, the partition is formed using a hole transporting material.
- the first electrode functions as a cathode and the second electrode functions as an anode;
- the barrier rib is formed using a hole transporting material after forming the organic layer and before forming the second electrode. Manufacturing of the organic electroluminescent device according to any one of (10) to (12) Method.
- the first electrode functions as a cathode and the second electrode functions as an anode;
- the barrier rib is formed using an electron transporting material after forming the first electrode and before forming the organic layer.
- a first electrode An organic layer provided on the first electrode, including a light emitting layer, and having two surfaces of a hole injection side and an electron injection side;
- a second electrode provided on the organic layer;
- a partition wall provided in a peripheral region of the first electrode and having an insulating property in the peripheral region;
- the barrier rib is an electron having an organic electroluminescence device made of a material that partially overlaps one of the two surfaces of the organic layer and has a property of transporting charges injected into the overlapping surface. machine.
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Abstract
有機電界発光装置は、第１電極と、第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、有機層上に設けられた第２電極と、第１電極の周辺領域に設けられると共に、周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備えるものである。隔壁は、一部が有機層の２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる。
Description
本開示は、例えば照明装置または表示装置として用いられる有機電界発光装置、および有機電界発光装置の製造方法ならびに電子機器に関する。
有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用した有機電界発光素子は、自発光型であると共に、低電圧直流駆動によって高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
このような有機電界発光素子は、第１電極と第２電極との間に、発光層を含む有機層を有するが、第１電極の周辺領域には、様々な目的から絶縁性の隔壁が設けられる。この隔壁は、例えば第１電極を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターン形成され、この後に有機層が形成される。
ところが、隔壁を形成する際にフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行うと、フォトレジストの剥離後に生じる残渣やプロセス環境の影響により、第１電極の表面が酸化したり、表面に異物が付着したりすることがある。これは、いわゆるリーク電流の要因となり、信頼性の低下につながる。
そこで、上記のような第１電極の表面に生じた異物を、導電性の緩衝層によって覆うことにより、有機層の成膜欠陥を抑制する手法が提案されている（特許文献１）。
しかしながら、上記特許文献１の手法では、上述したような電極表面の酸化や異物付着等の電極ダメージを根本的に回避することは困難である。有機電界発光装置において、隔壁形成プロセスを改善し、信頼性を向上させることが望まれている。
したがって、製造プロセスにおける電極ダメージを軽減して信頼性を向上させることが可能な有機電界発光装置および有機電界発光装置の製造方法ならびに電子機器を提供することが望ましい。
本開示の一実施の形態の有機電界発光装置は、第１電極と、第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、有機層上に設けられた第２電極と、第１電極の周辺領域に設けられると共に、周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備えるものである。隔壁は、一部が有機層の２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる。
本開示の一実施の形態の有機電界発光装置の製造方法は、第１電極を形成することと、第１電極上に、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層を形成することと、有機層上に第２電極を形成することと、第１電極の周辺領域に、周辺領域において絶縁性を有する隔壁を形成することとを含む。隔壁は、一部が有機層の２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる。
本開示の一実施の形態の電子機器は、上記本開示の一実施の形態の有機電界発光装置を備えたものである。
本開示の一実施の形態の有機電界発光装置、有機電界発光装置の製造方法および電子機器では、隔壁が、第１電極の周辺領域において絶縁性を有すると共に、有機層の正孔注入側および電子注入側のうちの一方の面に重畳し、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる。これにより、フォトリソグラフィ法等を用いたパターニングことを経ることなく、隔壁が形成可能となる。有機層への電荷注入効率を高めつつ、第１電極の表面の酸化や表面への異物付着が軽減される。
本開示の一実施の形態の有機電界発光装置、有機電界発光装置の製造方法および電子機器によれば、第１電極の周辺領域に設けられ、その周辺領域において絶縁性を有する隔壁が、有機層の正孔注入側および電子注入側のうちの一方の面に重畳し、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる。これにより、有機層への電荷注入効率を高めつつ、第１電極の表面の酸化や表面への異物付着を軽減することができる。よって、製造プロセスにおける電極ダメージを軽減して信頼性を向上させることが可能となる。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（有機層の第２電極（カソード）側の面に、電子輸送性材料からなる隔壁の一部がオーバーラップして設けられた有機電界発光装置の例）
２．変形例１（電源配線，補助配線の形成工程を含めた製造工程例）
３．変形例２（有機層と隔壁のオーバーラップ領域の他の例）
４．変形例３（有機層の第１電極側の面に隔壁の一部をオーバーラップさせた場合の例）
５．適用例（電子機器の例）
１．実施の形態（有機層の第２電極（カソード）側の面に、電子輸送性材料からなる隔壁の一部がオーバーラップして設けられた有機電界発光装置の例）
２．変形例１（電源配線，補助配線の形成工程を含めた製造工程例）
３．変形例２（有機層と隔壁のオーバーラップ領域の他の例）
４．変形例３（有機層の第１電極側の面に隔壁の一部をオーバーラップさせた場合の例）
５．適用例（電子機器の例）
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置（有機電界発光装置１）の断面構成を表すものである。図２（Ａ）～（Ｄ）は、発光領域（発光領域１１０）における単位領域（単位領域１０ａ）のレイアウトの一例を表したものである。有機電界発光装置１は、例えば照明装置あるいは表示装置等として用いられるものである。但し、以下では、有機電界発光装置１が照明装置として用いられる場合を例に挙げて説明する。
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置（有機電界発光装置１）の断面構成を表すものである。図２（Ａ）～（Ｄ）は、発光領域（発光領域１１０）における単位領域（単位領域１０ａ）のレイアウトの一例を表したものである。有機電界発光装置１は、例えば照明装置あるいは表示装置等として用いられるものである。但し、以下では、有機電界発光装置１が照明装置として用いられる場合を例に挙げて説明する。
有機電界発光装置１は、例えば、駆動基板１０上に、複数の単位領域１０ａ（有機電界発光素子）が、２次元配置されたものである。これら複数の単位領域１０ａが、有機電界発光装置１の１つの発光領域１１０を構成する（発光領域１１０が、複数の単位領域１０ａに分割されている）。単位領域１０ａは、個別に発光駆動が可能な領域であり、この単位領域１０ａ毎に、後述の有機層１２に駆動電圧を印加することができるようになっている。尚、発光領域１１０は、例えば有機電界発光装置１が表示装置である場合には、いわゆる有効表示領域に相当する領域である。
単位領域１０ａは、発光領域１１０において、任意のレイアウトをとり得る。例えば、図２（Ａ）に示したように、複数の単位領域１０ａがマトリクス状に２次元配置され、単位領域１０ａによって発光領域１１０が細分化されている。このように、照明装置としての有機電界発光装置１では、発光領域１１０が細分化されていることにより、発光領域１１０において極細やかな明るさ制御が可能となり、照明光の面内輝度を均一化し易い、というメリットがある。但し、単位領域１０ａのレイアウトは、このようなマトリクス状のものに限らず、サイズや用途に応じて、多種多様に設定可能である。例えば、図２（Ｂ）に示したように、発光領域１１０の分割数（単位領域１０ａの個数）をより少なく（例えば４つに）設定してもよい。また、発光領域１１０の分割方向、単位領域１０ａの形状等も特に限定されず、例えば図２（Ｃ）に示したように、発光領域１１０において、複数の単位領域１０ａのそれぞれが一方向に延在してなるストライプ状であってもよい。また、例えば図２（Ｄ）に示したように、発光領域１１０は、必ずしも複数の単位領域１０ａを有していなくともよく、非分割であってもよい。以下では、図２（Ａ）に示したようなマトリクス状に複数の単位領域１０ａが配置されている場合を想定して図示および説明を行う。
ここで、単位領域１０ａのマトリクス配置は、第１電極１１および第２電極１４を、例えば次のような構成とすることにより実現できる。図３Ａおよび図３Ｂに、第１電極１１および第２電極１４の構成例を示す。例えば、図３Ａに示したように、第１電極１１および第２電極１４をそれぞれストライプ状（または櫛歯状）に形成し、これらの第１電極１１および第２電極１４を、互いの延在方向が直交するように対向配置させる。あるいは、図３Ｂに示したように、第１電極１１および第２電極１４のうちの一方（例えば第１電極１１）をマトリクス状に複数配置すると共に、他方（例えば第２電極１４）をベタ状に（各単位領域１０ａに共通の電極となるように）形成してもよい。また、第１電極１１および第２電極１４の両方をマトリクス状に複数配置してもよい。
各単位領域１０ａでは、駆動基板１０側から順に、第１電極１１、有機層および第２電極１４が積層されている。この単位領域１０ａを区画するように、第１電極１１の周辺領域（ここでは、単位領域１０ａ同士の間の領域）Ｄ１には、隔壁１３が設けられている。本実施の形態では、単位領域１０ａ毎に、有機層１２が隔壁１３によって電気的に分離されている。換言すると、隔壁１３は、複数の開口部Ｈ１を有しており、この開口部Ｈ１に対応する領域に有機層１２が設けられている。有機電界発光装置１では、第２電極１４上に保護膜１５が設けられ、この保護膜１５上に接着層１６を介して封止基板１７が貼り合わせられている。但し、必ずしも保護膜１５上の全面にわたって接着層１６が設けられている必要はなく、保護膜１５上に空隙を介して封止基板１７が設けられていてもよい（いわゆる中空封止構造であってもよい）。
駆動基板１０は、例えば石英、ガラス、金属箔、シリコン、プラスチック等からなる基板上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）、容量素子および各種配線等を含む駆動回路（アクティブマトリクス駆動回路）が配設されたものである。但し、これらのＴＦＴや容量素子は、例えばパッシブ駆動の場合等、駆動方式や用途によっては、必ずしも設けられていなくともよい。
第１電極１１は、例えばアノード（陽極）として機能し、例えば単位領域１０ａ毎に設けられている。第１電極１１は、例えば有機電界発光装置１がボトムエミッション型（下面発光型）の場合には、透明導電膜より構成されている。透明導電膜としては、例えばマグネシウムおよび銀の共蒸着膜（ＭｇＡｇ）、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜またはそれらのうちの２種以上からなる積層膜が挙げられる。この他にも、透明導電膜としては、グラフェンが用いられてもよい。一方、トップエミッション型（上面発光型）の場合には、第１電極１１は、光反射性に優れた導電性材料により構成される。このような導電性材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体またはそれらのうちの少なくとも１種を含む合金よりなる。尚、第１電極１１がアノードとして機能する場合には、第１電極１１は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。また、下面発光および上面発光の場合に限られず、上面および下面の両面から発光させる場合には、第１電極１１および第２電極１４の両方を上記のような透明導電膜により構成するとよい。
有機層１２は、発光層を含むものであり、例えばアノードとしての第１電極１１側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を積層したものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。この発光層は、例えば白色光を発する白色発光層である。白色発光層は、詳細には、赤色発光材料，緑色発光材料，青色発光材料，橙色発光材料および黄色発光材料等のうちの２種以上を含んで構成されている。例えば、これらのうちの２色以上の発光層を積層した構造とすることができる。発光材料としては、例えばスチリルアミン誘導体、芳香族アミン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素、トリフェニルアミン誘導体等の有機材料が挙げられる。このような有機層１２は、本実施の形態では、隔壁１３によって単位領域１０ａ毎に分離されているが、発光層以外の他の有機層（正孔注入層，正孔輸送層および電子輸送層）は、各単位領域１０ａに共通の層であってもよい。また、この有機層１２と第２電極１４との間には、他の層（例えば電子注入層等）を備えていてもよい。電子注入層の構成材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、更にはこれらの混合物等が挙げられる。この他にも、例えばカルシウム（Ｃａ）およびバリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウムおよびセシウム等のアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ）およびマグネシウム等の仕事関数の小さい金属等が用いられていてもよい。
この有機層１２は、例えば第１電極１１上にパターン形成されている。本実施の形態では、詳細は後述するが、有機層１２がいわゆるメタルマスク（シャドウマスク）を用いた蒸着法（マスク蒸着法、マスクスルー蒸着法）によりパターン形成されている。あるいは、例えばスリットコート法等の塗布法または各種印刷技術によりパターン形成されていてもよい。但し、塗布法，印刷法等の湿式の手法により有機層１２が形成される場合には、有機層１２の構成材料としては、所定の有機溶媒に可溶な高分子材料を用いることが望ましい。高分子発光材料（赤色，緑色）としては、例えば、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素およびローダミン系色素等が挙げられる。あるいは、これらの高分子材料に、例えばルブレン、ペリレン、９，１０ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６等をドープしたものであってもよい。高分子発光材料（青色）としては、例えばアントラセン誘導体に、低分子蛍光材料、燐光色素あるいは金属錯体などをドープしたものが用いられる。このような有機層１２の厚みは、例えば４０ｎｍ～１μｍであり、望ましくは４５ｎｍ～７５０ｎｍである。
隔壁１３は、第１電極１１および第２電極１４の絶縁性を確保すると共に、単位領域１０ａを区画するものである。この隔壁１３は、上記のように第１電極１１の周辺領域Ｄ１に設けられるが、本実施の形態では、この隔壁１３の一部が、有機層１２の正孔注入側の面Ｓ１および電子注入側の面Ｓ２のうちの一方の面に重畳して（オーバーラップして）設けられている。ここでは、第１電極１２がアノードとして、第２電極１４がカソードとしてそれぞれ機能し、電子注入側の面Ｓ２に、隔壁１３の一部が重畳する。図４に、隔壁１３と有機層１２とのオーバーラップ領域（オーバーラップ領域Ｄ２）付近を拡大したものを示す。このように、本実施の形態では、隔壁１３の端部（裾野部分）１３ｅが有機層１２の面Ｓ２を部分的に覆っており、有機層１２上に、隔壁１３と有機層１２とのオーバーラップ領域Ｄ２を有する。換言すると、有機層１２の面２上において、有機層１２の端ｅ１よりも隔壁１３の端ｅ２が内側（発光中心側）に入り込んで形成されている。このような構造は、詳細は後述するが、有機層１２を形成後、隔壁１３をパターン形成する際に、マスク蒸着法を用いることに起因して生じるものである。
本実施の形態では、この隔壁１３が、電荷輸送性を有する材料から構成されている。具体的には、有機層１２の面Ｓ１，Ｓ２のうちの隔壁１３が重畳される側の面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる。ここでは、有機層１２の電子注入側の面Ｓ２に隔壁１３の一部が重畳するので、隔壁１３は、電子輸送性材料から構成されることが望ましい。電子輸送性材料としては、有機層１２（発光層）への電子輸送効率を高めるためのものであればよいが、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリンまたはそれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
この隔壁１３は、第１電極１１の周辺領域Ｄ１においては、（電気的）絶縁性を有している。詳細には、隔壁１３は、周辺領域Ｄ１において絶縁性を発揮するように、十分な大きさの膜厚（膜厚ｔ２）を有して形成されている。膜厚ｔ２は、隔壁１３の構成材料に応じて絶縁性が得られる程度に設定されていればよいが、例えば有機層１２の膜厚ｔ１よりも大きくなっていればよい。一方、有機層１２上のオーバーラップ領域Ｄ２では、周辺領域Ｄ１よりも膜厚が小さい（発光中心に向かって徐々に薄くなる）ことから、隔壁１３の構成材料がもつ電子輸送性が発揮される。
第２電極１４は、例えばカソード（陰極）として機能し、第１電極１１と絶縁された状態で、例えば各単位領域１０ａに共通して設けられている。第２電極１４は、例えば有機電界発光装置１が下面発光型の場合には、第１電極１１の構成材料として上述したような光反射性に優れた導電性材料から構成される。一方、上面発光型および両面発光型の場合には、第１電極１１の構成材料として上述したような透明導電膜より構成される。尚、この第２電極１４の有機層１２側には、電子供給層と電子注入層とを含む、いわゆる電荷発生層が設けられていてもよい。電子注入層の構成材料としては、例えば酸化リチウム（ＬｉＯ2）や炭酸セシウム（ＣｓＣＯ3）、あるいはこれらの酸化物および複合酸化物の混合物を用いることができる。あるいは、また、例えばカルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、Ｌｉ，Ｃｓ等のアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数が小さい金属、あるいはこれらの酸化物および複合酸化物が用いられてもよい。更に、電子注入層は、これら酸化物および複合酸化物を２種以上組み合わせて安全性を高めた混合物あるいは合金であってもよい。
保護膜１５は、厚みが例えば０．１～１０μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ－ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ－Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ－Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
封止基板１７は、接着層１６と共に有機層１２を封止するものである。この封止基板１７は、有機層１７から発生した光（例えば白色光）に対して透明な材料（例えばガラス）などにより構成されている。尚、有機電界発光装置が表示装置として用いられる場合には、この封止基板１７には、必要に応じて、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスが設けられていてもよい。
［製造方法］
上記のような有機電界発光装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図５は、有機電界発光装置１の製造の流れ（要部（第１電極１１、有機層１２、隔壁１３および第２電極１４）の形成工程）について表したものである。図６～図９は、その要部の形成工程を工程順に表したものである。図５に示したように、有機電界発光装置の製造方法は、第１電極１１の形成工程（ステップＳ１１）、有機層１２の形成工程（ステップＳ１２）、絶縁層１３の形成工程（ステップＳ１３）および第２電極１４の形成工程（ステップＳ１４）を含む。以下、これらの各工程について説明する。
上記のような有機電界発光装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図５は、有機電界発光装置１の製造の流れ（要部（第１電極１１、有機層１２、隔壁１３および第２電極１４）の形成工程）について表したものである。図６～図９は、その要部の形成工程を工程順に表したものである。図５に示したように、有機電界発光装置の製造方法は、第１電極１１の形成工程（ステップＳ１１）、有機層１２の形成工程（ステップＳ１２）、絶縁層１３の形成工程（ステップＳ１３）および第２電極１４の形成工程（ステップＳ１４）を含む。以下、これらの各工程について説明する。
まず、駆動基板１０を用意し、この駆動基板１０上に、図６に示したように、第１電極１１を形成する（Ｓ１１）。この際、例えば所定のメタルマスク（シャドウマスク）１２０を用いて、例えば真空蒸着法（マスク蒸着法）により、第１電極１１をパターン形成する。メタルマスク１２０としては、選択的な領域（第１電極１１の形成領域）に開口部１２０ａを有するものを用いる。このように、本実施の形態では、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）によるパターニングを行うことなく、第１電極１１を形成する。
続いて、図７に示したように、第１電極１１上に有機層１２を形成する（Ｓ１２）。具体的には、有機層１２を、上記第１電極１１の形成工程と同様、例えばマスク蒸着法により、パターン形成する。この際、第１電極１１および有機層１２の形成パターンが同一の場合には、例えば上記第１電極１１の形成工程において使用したメタルマスク１２０を用いることができる。このように、本実施の形態では、有機層１２を、隔壁１３を形成する前に形成する。
この後、図８に示したように、第１電極１１の周辺領域Ｄ１に隔壁１３を形成する（Ｓ１３）。具体的には、隔壁１３を、上記第１電極１１の形成工程と同様、所定のメタルマスク（メタルマスク１２１）を用いたマスク蒸着法により、パターン形成する。メタルマスク１２１としては、選択的な領域（周辺領域Ｄ１）に対向して開口部１２１ａを有するものを用いる。これにより、上述したように、第１電極１１の周辺領域Ｄ１に隔壁１３が所定の膜厚により形成される。一方で、マスク蒸着法を用いた場合には、メタルマスク１２１の開口部１２１ａを透過した蒸着材料が、メタルマスク１２１の遮蔽部分１２１ｂに対向する領域にも入り込み（回り込み）、有機層１２の面Ｓ２上に付着する。この結果、有機層１２の面Ｓ２上に隔壁１３の構成材料が重畳して形成され、上述したオーバーラップ領域Ｓ２が形成される。
次いで、図９に示したように、第２電極１４を形成する（Ｓ１４）。具体的には、第２電極１４を、上記第１電極１１の形成工程と同様、所定のメタルマスク（図示せず）を用いたマスク蒸着法により、パターン形成する。ここでは、例えば発光領域１１０の全域にベタ電極として、あるいはストライプ状となるように形成する。これにより、隔壁１３と、この隔壁１３の開口Ｈ１から露出する有機層１２とを覆うように、第２電極１４が形成される。
このように、本実施の形態では、第１電極１１の形成工程（Ｓ１１）、有機層１２の形成工程（Ｓ１２）、隔壁１３の形成工程（Ｓ１３）および第２電極１４の形成工程（Ｓ１４）を、同一のチャンバー内において連続的に行うことができる。
その後、第２電極１４上に、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、保護膜１５を形成する。最後に、例えば保護膜１５上に、接着層（図示せず）を介して封止基板１７を貼り合わせることにより、図１に示した有機電界発光装置１が完成する。
［作用・効果］
有機電界発光装置１では、第１電極１１および第２電極１４を通じて有機層１２に駆動電流が注入されると、有機層１２（発光層）において正孔と電子との再結合が生じ、発光が起こる。このようにして生じた光（例えば白色光）は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には駆動基板１０の側から、上面発光（トップエミッション）の場合には、封止基板１７の側からそれぞれ取り出される。
有機電界発光装置１では、第１電極１１および第２電極１４を通じて有機層１２に駆動電流が注入されると、有機層１２（発光層）において正孔と電子との再結合が生じ、発光が起こる。このようにして生じた光（例えば白色光）は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には駆動基板１０の側から、上面発光（トップエミッション）の場合には、封止基板１７の側からそれぞれ取り出される。
本実施の形態では、発光領域１１０において、単位領域１０ａを区画する隔壁１３が、第１電極１１の周辺領域Ｄ１において絶縁性を有すると共に、一部が有機層１２の電子注入側の面Ｓ２に重畳する（オーバーラップ領域Ｄ２が形成されている）。このような構成において、隔壁１３が、電子輸送性を有する材料から構成されている。また、隔壁１３と有機層１２とのオーバーラップ領域Ｄ２は、上述したような製造方法に起因して生じるものである。
（比較例１）
上述したように、本願発明では、第１電極１１、有機層１２、隔壁１３および第２電極１４を、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング工程を経ることなく、例えばマスク蒸着法により形成する。ここで、図１０に、比較例１に係る有機電界発光装置の製造の流れを示し、図１１および図１２には各工程について工程順に示す。図１０に示したように、比較例１では、第１電極形成工程（ステップＳ１０１－１，Ｓ１０１－２）、隔壁形成工程（ステップＳ１０２－１，１０２－２）、有機層形成工程（ステップＳ１０３）および第２電極形成工程（ステップＳ１０４）を含む。以下、これらの各工程について説明する。
上述したように、本願発明では、第１電極１１、有機層１２、隔壁１３および第２電極１４を、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング工程を経ることなく、例えばマスク蒸着法により形成する。ここで、図１０に、比較例１に係る有機電界発光装置の製造の流れを示し、図１１および図１２には各工程について工程順に示す。図１０に示したように、比較例１では、第１電極形成工程（ステップＳ１０１－１，Ｓ１０１－２）、隔壁形成工程（ステップＳ１０２－１，１０２－２）、有機層形成工程（ステップＳ１０３）および第２電極形成工程（ステップＳ１０４）を含む。以下、これらの各工程について説明する。
まず、駆動基板１０１上に、第１電極１０２を形成する（Ｓ１０１－１，Ｓ１０１－２）。具体的には、まず、図１１Ａに示したように、駆動基板１０１上の全面に、例えば真空蒸着法、スパッタ法等により、第１電極１０２を成膜する。この後、図１１Ｂに示したように、第１電極１０２上に、フォトレジスト１０３を塗布し、所定のパターンとなるように露光する。続いて、図１１Ｃに示したように、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより、第１電極１０２をパターニングする。この後、図１１Ｄに示したように、フォトレジスト１０３を剥離する。このようにして、駆動基板１０１上に第１電極１０２を形成する。
次に、隔壁１０４を形成する（Ｓ１０２－１，Ｓ１０２－２）。具体的には、まず、図１２Ａに示したように、駆動基板１０１の全面にわたって、例えば真空蒸着法、スパッタ法等により、例えば感光性樹脂等よりなる隔壁１０４（絶縁膜）を成膜する。この後、図１２Ｂに示したように、例えばフォトマスクを用いて選択的な領域を露光することにより、隔壁１０４をパターニングする。このようにして隔壁１０４を形成した後、図示しない有機層を隔壁１０４の開口部Ｈ１に対向して形成する。
このように、比較例１では、第１電極１０１を形成後、隔壁１０４を、例えばフォトリソグフィ法を用いてパターン形成する。このため、形成過程において、搬送中に大気中に曝され、またエッチング条件の影響を受けることにより、第１電極１０２の表面が酸化してしまう。また、隔壁１０４の形成後には、第１電極１０２の表面にフォトレジストの残渣等の異物が付着してしまう。このような、第１電極１０２表面のダメージ（Ｘ１）は、電流リークの発生要因となる。
（比較例２）
そこで、上記のようなフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行うことなく、即ち、例えばメタルマスクを用いたマスク蒸着法により、隔壁１０４を形成することが考えられる。例えば、図１３に示したように、第１電極形成工程（ステップＳ１０５）、絶縁層形成工程（ステップＳ１０６）、有機層形成工程（ステップＳ１０７）および第２電極形成工程（ステップＳ１０８）をこの順に、それぞれマスク蒸着法を用いて行う。
そこで、上記のようなフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行うことなく、即ち、例えばメタルマスクを用いたマスク蒸着法により、隔壁１０４を形成することが考えられる。例えば、図１３に示したように、第１電極形成工程（ステップＳ１０５）、絶縁層形成工程（ステップＳ１０６）、有機層形成工程（ステップＳ１０７）および第２電極形成工程（ステップＳ１０８）をこの順に、それぞれマスク蒸着法を用いて行う。
比較例２では、まず、本実施の形態の第１電極１１の形成工程（Ｓ１１）と同様にして、駆動基板１０１上に第１電極１１１をパターン形成する。この後、図１４に示したように、所定のメタルマスク１０１０を用いたマスク蒸着法により、駆動基板１０上に、隔壁１１２を形成する。続いて、図１５に示したように、隔壁１１２の開口部Ｈ１内に、有機層１１３を、例えばマスク蒸着法により形成する。その後、図１６に示したように、第２電極１１４を例えばマスク蒸着法により形成する。
このように、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行うことなく、隔壁１１２を形成することにより、上記比較例１のような電極ダメージは軽減される。ところが、メタルマスクを用いたマスク蒸着法では、蒸着時の回り込みによって第１電極１１１の表面に材料が付着し易い（Ｘ２）。ここで、隔壁１１２は、絶縁性樹脂により構成されることが多いことから、第１電極１１１上に隔壁材料が付着すると、有機層１１３への電荷注入の障壁となり、発光効率が低下する、あるいは発光が生じない、といった不具合が生じ、装置の信頼性の低下を招く。
これに対し、本実施の形態では、上述のように、第１電極１１の形成後、隔壁１３を形成する前に有機層１２を形成すると共に、その隔壁１３を、マスク蒸着法により形成する。これにより、隔壁１３の一部が有機層１２の電子注入側の面Ｓ２に重畳する（オーバーラップ領域Ｄ２が形成される）。この隔壁１３が電子輸送性材料からなることにより、第２電極１４から注入された電子が、オーバーラップ領域Ｄ２によって、有機層１２へ効率的に輸送される。尚、隔壁１３は、第１電極１１の周辺領域Ｄ１においては、絶縁性を発揮するように、適切な膜厚に設定される。従って、本実施の形態では、フォトリソグラフィ法等を用いたパターニング工程を経ることなく、隔壁１３が形成可能である。即ち、有機層１２への電荷注入効率を高めつつ、第１電極１１の表面の酸化や表面への異物付着が軽減される。
以上のように本実施の形態では、第１電極１１の周辺領域Ｄ１に設けられた隔壁１３が、有機層１２の例えば電子注入側の面Ｓ２に重畳し、その面Ｓ２に注入される電荷（電子）の輸送性を有する材料からなる。これにより、有機層１２への電荷注入効率を高めつつ、第１電極１１の表面の酸化や表面への異物付着を軽減することができる。よって、製造プロセスにおける電極ダメージを軽減して信頼性を向上させることが可能となる。
尚、上記実施の形態では、第１電極１１がアノード、第２電極１４がカソードとして機能する場合を例に挙げたが、第１電極１１がカソード、第２電極１４がアノードとして機能する場合にも、上記内容は適用可能である。但し、第１電極１１がカソード、第２電極１４がアノードとして機能する場合には、隔壁１３の構成材料として、正孔輸送性材料を用いることが望ましい。正孔輸送性材料としては、例えばヘキサアザトリフェニレン誘導体、および４，４’－ビス（Ｎ－１－ナフチル－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（α－ＮＰＤ）等が挙げられる。
また、上記実施の形態では、メタルマスクを用いたマスク蒸着法により、隔壁１３を形成したが、隔壁１３の形成手法としては、マスク蒸着法に限定されず、フォトリソグラフィ技術を用いない手法であればよく、他の様々な手法を用いることができる。例えば、蒸着法等の乾式の手法以外にも、例えば印刷法（塗布法）等の湿式の手法が用いられてもよい。湿式の手法としては、例えばインクジェット法、スリットコート法およびノズルコート法等の液滴吐出法、あるいは反転オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷およびグラビア印刷等の有版印刷法等を用いることができる。
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１～３）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
＜変形例１＞
図１７は、各種配線層（補助配線，電源配線）の形成工程を含めた有機電界発光装置１の製造の流れを表したものである。図１８Ａは、その形成工程を説明するための断面図、図１８Ｂは平面図である。図１９Ａ，図１９Ｂ～図２４Ａ，図２４Ｂは、図１８Ａ，図１８Ｂに続く断面図，平面図である。尚、これらの図において、Ａ図は、Ｂ図のＩ－Ｉ線における断面構成に相当する。図１７に示したように、有機電界発光装置の製造方法は、電源配線形成工程（ステップＳ２１）、補助配線形成工程（ステップＳ２２）、上記実施の形態において説明したステップＳ１１～Ｓ１４を含む要部形成工程（ステップＳ２３）および補助配線形成工程（ステップＳ２４）を含む。尚、本変形例では、発光領域１１０が複数の単位領域１０ａに分割されていない（第１電極１１および第２電極１４の両方ともベタ電極である）場合の構成を図示している。但し、上記実施の形態のように、発光領域１１０が複数の単位領域１０ａに分割されている（第１電極１１および第２電極１４の少なくとも一方が複数設けられている）場合の構成にも適用可能である。
図１７は、各種配線層（補助配線，電源配線）の形成工程を含めた有機電界発光装置１の製造の流れを表したものである。図１８Ａは、その形成工程を説明するための断面図、図１８Ｂは平面図である。図１９Ａ，図１９Ｂ～図２４Ａ，図２４Ｂは、図１８Ａ，図１８Ｂに続く断面図，平面図である。尚、これらの図において、Ａ図は、Ｂ図のＩ－Ｉ線における断面構成に相当する。図１７に示したように、有機電界発光装置の製造方法は、電源配線形成工程（ステップＳ２１）、補助配線形成工程（ステップＳ２２）、上記実施の形態において説明したステップＳ１１～Ｓ１４を含む要部形成工程（ステップＳ２３）および補助配線形成工程（ステップＳ２４）を含む。尚、本変形例では、発光領域１１０が複数の単位領域１０ａに分割されていない（第１電極１１および第２電極１４の両方ともベタ電極である）場合の構成を図示している。但し、上記実施の形態のように、発光領域１１０が複数の単位領域１０ａに分割されている（第１電極１１および第２電極１４の少なくとも一方が複数設けられている）場合の構成にも適用可能である。
具体的には、まず、図１８Ａ，図１８Ｂに示したように、駆動基板１０の所定の領域（発光領域１１０の周辺領域）に電源配線１８を形成する。この後、図１９Ａ，図１９Ｂに示したように、補助配線１９を例えば格子状のパターンにより形成する。続いて、図２０Ａ，図２０Ｂに示したように、発光領域１１０の全面にわたって、補助配線１９を覆うように、第１電極１１を形成する。この際、第１電極１１は、上述したようなマスク蒸着法により形成する。続いて、図２１Ａ，図２１Ｂに示したように、第１電極１１上に有機層１２を、例えば上述したようなマスク蒸着法により形成する。その後、図２２Ａ，図２２Ｂに示したように、第１電極１１の周辺領域に、第１電極１１および有機層１２の側面を覆うように、隔壁１３を形成する。次いで、図２３Ａ，図２３Ｂに示したように、第２電極１４を発光領域１１０と電源配線１８の形成領域とを覆うように、例えば上述したようなマスク蒸着法により形成する。これにより、第２電極１４が、隔壁１３によって第１電極１１と電気的に絶縁された状態で、電源配線１８に接続される。最後に、図２４Ａ，図２４Ｂに示したように、第２電極１４上に補助配線２０を例えば格子状のパターンにより形成する。
本変形例の有機電界発光装置では、隔壁１３により、発光領域１１０の周辺領域（第１電極１１の周辺領域）において、第１電極１１と第２電極１４との電気的絶縁性が確保される。このような構成においても、隔壁１３がマスク蒸着法により形成され、一部が有機層１２上に重畳して形成される。これにより、有機層１２への電荷注入効率を高めつつ、第１電極１１の表面の酸化や表面への異物付着を軽減することができる。よって、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。このように、発光領域１１０が複数の単位領域１０ａに分割されていない場合（図２（Ｄ））にも、本開示内容は適用可能である。
＜変形例２＞
図２５は、変形例２に係る有機電界発光装置の要部構成を表したものである。上記実施の形態では、有機層１２の面Ｓ２を部分的に覆って、オーバーラップ領域Ｄ２が形成された構成を例示したが、このオーバーラップ領域Ｄ２は、本変形例のように有機層１２の面Ｓ２上において繋がっていてもよい。即ち、隔壁１３の一部が有機層１２の面Ｓ２の全面を覆って形成されていてもよい。このような場合であっても、隔壁１３の有機層１２に対向する領域の膜厚ｔ３は、有機層１２の膜厚ｔ１よりも小さなものであれば、オーバーラップ領域Ｄ２では、電荷輸送効率を高めることができる。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
図２５は、変形例２に係る有機電界発光装置の要部構成を表したものである。上記実施の形態では、有機層１２の面Ｓ２を部分的に覆って、オーバーラップ領域Ｄ２が形成された構成を例示したが、このオーバーラップ領域Ｄ２は、本変形例のように有機層１２の面Ｓ２上において繋がっていてもよい。即ち、隔壁１３の一部が有機層１２の面Ｓ２の全面を覆って形成されていてもよい。このような場合であっても、隔壁１３の有機層１２に対向する領域の膜厚ｔ３は、有機層１２の膜厚ｔ１よりも小さなものであれば、オーバーラップ領域Ｄ２では、電荷輸送効率を高めることができる。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
＜変形例３＞
図２６は、変形例３に係る有機電界発光装置の要部構成を表したものである。上記実施の形態では、隔壁１３の一部が有機層１２の電子注入側の面Ｓ２に重畳して設けたが、これに限定されず、本変形例のように、正孔注入側の面Ｓ１側に重畳して設けられていてもよい。このように、隔壁１３の一部が有機層１２と第１電極１１（アノード）との間に介在していてもよい。但し、この場合には、隔壁１３の構成材料としては、上述したような正孔輸送性材料が用いられる。また、形成手順についても、上記実施の形態と異なり、第１電極１１を形成した後、隔壁１３をマスク蒸着法により形成し、この後、有機層１２を形成する。尚、本変形例において、第１電極１１をカソード、第２電極１４をアノードとして機能させる場合には、隔壁１３の構成材料としては、上述したような電子輸送性材料が用いられる。
図２６は、変形例３に係る有機電界発光装置の要部構成を表したものである。上記実施の形態では、隔壁１３の一部が有機層１２の電子注入側の面Ｓ２に重畳して設けたが、これに限定されず、本変形例のように、正孔注入側の面Ｓ１側に重畳して設けられていてもよい。このように、隔壁１３の一部が有機層１２と第１電極１１（アノード）との間に介在していてもよい。但し、この場合には、隔壁１３の構成材料としては、上述したような正孔輸送性材料が用いられる。また、形成手順についても、上記実施の形態と異なり、第１電極１１を形成した後、隔壁１３をマスク蒸着法により形成し、この後、有機層１２を形成する。尚、本変形例において、第１電極１１をカソード、第２電極１４をアノードとして機能させる場合には、隔壁１３の構成材料としては、上述したような電子輸送性材料が用いられる。
＜適用例＞
以下、上記実施の形態で説明した有機電界発光装置の適用例について説明する。上記実施の形態の有機電界発光装置は、以下に示すような、スマートフォン，テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、あらゆる分野の電子機器の照明装置（または表示装置）として用いることが可能である。
以下、上記実施の形態で説明した有機電界発光装置の適用例について説明する。上記実施の形態の有機電界発光装置は、以下に示すような、スマートフォン，テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、あらゆる分野の電子機器の照明装置（または表示装置）として用いることが可能である。
図２７Ａおよび図２７Ｂは、スマートフォンの外観を表している。このスマートフォンは、例えば、表示部１１０および非表示部（筐体）１２０と、操作部１３０とを備えている。操作部１３０は、図２７Ａに示したように非表示部１２０の前面に設けられていてもよいし、図２７Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。
図２８は、テレビジョン装置の外観構成を表している。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００を備えている。
図２９Ａおよび図２９Ｂは、デジタルスチルカメラの外観構成を表している。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部３１０と、表示部３２０と、メニュースイッチ３３０と、シャッターボタン３４０とを備えている。
図３０は、ノート型のパーソナルコンピュータの外観構成を表している。このパーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０と、文字等の入力操作用のキーボード４２０と、画像を表示する表示部４３０とを備えている。
図３１は、ビデオカメラの外観構成を表している。このビデオカメラは、例えば、本体部５１０と、その本体部５１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５２０と、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３０と、表示部５４０とを備えている。
図３２Ａおよび図３２Ｂは、携帯電話機の外観構成を表している。図３２Ａは、携帯電話機を閉じた状態の正面、左側面、右側面、上面および下面を示している。図３２Ｂは、携帯電話機を開いた状態の正面および側面を示している。この携帯電話機は、例えば、上側筐体６１０と下側筐体６２０とが連結部（ヒンジ部）６３０により連結されたものであり、ディスプレイ６４０と、サブディスプレイ６５０と、ピクチャーライト６６０と、カメラ６７０とを備えている。
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、第１電極１１、有機層１２、隔壁１３および第２電極１４の全てを、マスク蒸着法により形成した場合を例示したが、これらのうち少なくとも隔壁１３がマスク蒸着法により形成されていればよい。また、隔壁１３の形成手法としては、マスク蒸着法に限定されず、上述したように、印刷法等の湿式の手法が用いられてもよい。
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
更に、上記実施の形態等では、本開示の有機電界発光装置が照明装置として用いられる場合を想定して説明したが、これに限定されず、表示装置として用いられてもよい。この場合、上記実施の形態における発光領域１１０が有効表示領域に、単位領域１０ａが画素に相当する。また、封止基板１７には、例えば上面発光型の場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタやブラックマトリクス等が必要に応じて形成される。このように、本開示の有機電界発光装置は、様々な分野に適用可能であるが、高精細であることよりも高輝度が求められるような発光装置、即ち照明装置に特に有用である。
尚、本開示内容は以下のような構成であってもよい。
（１）
第１電極と、
前記第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極と、
前記第１電極の周辺領域に設けられると共に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備え、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置。
（２）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第２電極側の面に重畳して設けられ、電子送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（３）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第１電極側の面に重畳して設けられ、正孔輸送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（４）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第２電極側の面に重畳して設けられ、正孔輸送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（５）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第１電極側の面に重畳して設けられ、電子輸送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（６）
個別に発光駆動可能な複数の単位領域を有し、
前記複数の単位領域に対応して、前記第１電極および前記第２電極のうちの一方または両方が複数設けられ、
前記有機層は、前記隔壁によって前記単位領域毎に電気的に分離して設けられている
上記（１）～（５）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（７）
前記発光層は白色光を発するものである
上記（１）～（６）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（８）
照明装置である
上記（１）～（７）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（９）
前記単位領域を画素として映像を表示する表示装置である
上記（６）または（７）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（１０）
第１電極を形成することと、
前記第１電極上に、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層を形成することと、
前記有機層上に第２電極を形成することと、
前記第１電極の周辺領域に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁を形成することとを含み、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置の製造方法。
（１１）
前記隔壁を、マスクを用いた真空蒸着法または印刷法によりパターン形成する
上記（１０）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１２）
前記第１電極および前記第２電極の一方または両方を、マスクを用いた真空蒸着法または印刷法によりパターン形成する
上記（１０）または（１１）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１３）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記有機層を形成後、前記第２電極を形成する前に、電子輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１４）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、正孔輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１５）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記有機層を形成後、前記第２電極を形成する前に、正孔輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１６）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、電子輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１７）
第１電極と、
前記第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極と、
前記第１電極の周辺領域に設けられると共に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備え、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置を備えた電子機器。
（１）
第１電極と、
前記第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極と、
前記第１電極の周辺領域に設けられると共に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備え、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置。
（２）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第２電極側の面に重畳して設けられ、電子送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（３）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第１電極側の面に重畳して設けられ、正孔輸送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（４）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第２電極側の面に重畳して設けられ、正孔輸送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（５）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第１電極側の面に重畳して設けられ、電子輸送性材料から構成されている
上記（１）に記載の有機電界発光装置。
（６）
個別に発光駆動可能な複数の単位領域を有し、
前記複数の単位領域に対応して、前記第１電極および前記第２電極のうちの一方または両方が複数設けられ、
前記有機層は、前記隔壁によって前記単位領域毎に電気的に分離して設けられている
上記（１）～（５）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（７）
前記発光層は白色光を発するものである
上記（１）～（６）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（８）
照明装置である
上記（１）～（７）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（９）
前記単位領域を画素として映像を表示する表示装置である
上記（６）または（７）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（１０）
第１電極を形成することと、
前記第１電極上に、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層を形成することと、
前記有機層上に第２電極を形成することと、
前記第１電極の周辺領域に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁を形成することとを含み、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置の製造方法。
（１１）
前記隔壁を、マスクを用いた真空蒸着法または印刷法によりパターン形成する
上記（１０）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１２）
前記第１電極および前記第２電極の一方または両方を、マスクを用いた真空蒸着法または印刷法によりパターン形成する
上記（１０）または（１１）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１３）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記有機層を形成後、前記第２電極を形成する前に、電子輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１４）
前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、正孔輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１５）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記有機層を形成後、前記第２電極を形成する前に、正孔輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１６）
前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、電子輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
上記（１０）～（１２）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１７）
第１電極と、
前記第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極と、
前記第１電極の周辺領域に設けられると共に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備え、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置を備えた電子機器。
本出願は、日本国特許庁において２０１２年１１月２１日に出願された日本特許出願番号第２０１２－２５５１８６号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
Claims (17)
- 第１電極と、
前記第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極と、
前記第１電極の周辺領域に設けられると共に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備え、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置。 - 前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第２電極側の面に重畳して設けられ、電子輸送性材料から構成されている
請求項１に記載の有機電界発光装置。 - 前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第１電極側の面に重畳して設けられ、正孔輸送性材料から構成されている
請求項１に記載の有機電界発光装置。 - 前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第２電極側の面に重畳して設けられ、正孔輸送性材料から構成されている
請求項１に記載の有機電界発光装置。 - 前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記第１電極側の面に重畳して設けられ、電子輸送性材料から構成されている
請求項１に記載の有機電界発光装置。 - 個別に発光駆動可能な複数の単位領域を有し、
前記複数の単位領域に対応して、前記第１電極および前記第２電極のうちの一方または両方が複数設けられ、
前記有機層は、前記隔壁によって前記単位領域毎に電気的に分離して設けられている
請求項１に記載の有機電界発光装置。 - 前記発光層は白色光を発するものである
請求項１に記載の有機電界発光装置。 - 照明装置である
請求項１に記載の有機電界発光装置。 - 前記単位領域を画素として映像を表示する表示装置である
請求項６に記載の有機電界発光装置。 - 第１電極を形成することと、
前記第１電極上に、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する
有機層を形成することと、
前記有機層上に第２電極を形成することと、
前記第１電極の周辺領域に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁を形成することとを含み、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置の製造方法。 - 前記隔壁を、マスクを用いた真空蒸着法または印刷法によりパターン形成する
請求項１０に記載の有機電界発光装置の製造方法。 - 前記第１電極および前記第２電極の一方または両方を、マスクを用いた真空蒸着法または印刷法によりパターン形成する
請求項１０に記載の有機電界発光装置の製造方法。 - 前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記有機層を形成後、前記第２電極を形成する前に、電子輸送性材料を用いて前記隔壁を形成する
請求項１０に記載の有機電界発光装置の製造方法。 - 前記第１電極がアノードとして機能すると共に、前記第２電極がカソードとして機能し、
前記第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、正孔輸送性材料を用いて前記
隔壁を形成する
請求項１０に記載の有機電界発光装置の製造方法。 - 前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記有機層を形成後、前記第２電極を形成する前に、正孔輸送性材料を用いて前記隔壁
を形成する
請求項１０に記載の有機電界発光装置の製造方法。 - 前記第１電極がカソードとして機能すると共に、前記第２電極がアノードとして機能し、
前記第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、電子輸送性材料を用いて前記
隔壁を形成する
請求項１０に記載の有機電界発光装置の製造方法。 - 第１電極と、
前記第１電極上に設けられ、発光層を含むと共に、正孔注入側および電子注入側の２面を有する有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極と、
前記第１電極の周辺領域に設けられると共に、前記周辺領域において絶縁性を有する隔壁とを備え、
前記隔壁は、一部が前記有機層の前記２面のうちの一方の面に重畳すると共に、その重畳する面に注入される電荷の輸送性を有する材料からなる
有機電界発光装置を備えた電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-255186 | 2012-11-21 | ||
| JP2012255186 | 2012-11-21 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2014080706A1 true WO2014080706A1 (ja) | 2014-05-30 |
Family
ID=50775895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2013/077758 WO2014080706A1 (ja) | 2012-11-21 | 2013-10-11 | 有機電界発光装置および有機電界発光装置の製造方法ならびに電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| WO (1) | WO2014080706A1 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004234901A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機ｅｌ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
| JP2009212361A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 光出射装置 |
| JP2010192475A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明 |
| JP2011029164A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光源、装置 |
| WO2012144156A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2012-10-26 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-10-11 WO PCT/JP2013/077758 patent/WO2014080706A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004234901A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機ｅｌ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
| JP2009212361A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 光出射装置 |
| JP2010192475A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明 |
| JP2011029164A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光源、装置 |
| WO2012144156A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2012-10-26 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
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