WO2014007680A3 - Substrat semi-conducteur structuré en trois dimensions pour cathode à auto-émission, procédé de sa fabrication et cathode à auto-émission - Google Patents

Substrat semi-conducteur structuré en trois dimensions pour cathode à auto-émission, procédé de sa fabrication et cathode à auto-émission Download PDF

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Александр Турсунович РАХИМОВ
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Андрей Александрович ПИЛЕВСКИЙ
Виктор Александрович КРИВЧЕНКО
Павел Владимирович ПАЩЕНКО
Юрий Александрович МАНКЕЛЕВИЧ
Александр Юрьевич ПОРОЙКОВ
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Evlashin Stanislav Aleksandrovich
Rakhimov Alexander Tursunovich
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    • H01J1/304—Field-emissive cathodes

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Abstract

Le groupe d'inventions concerne le domaine des sources d'électrons à auto-émission hautement efficaces qui peuvent s'utiliser dans des microscopes électroniques, des instruments UHF à vide, des tubes à rayons X, des compensateurs de charge de faisceaux d'ions et dans d'autres applications. Le résultat technique consiste en la possibilité de former par un procédé simple un substrat semi-conducteur structuré en trois dimensions présentant des paramètres optimaux et destiné à la fabrication d'une cathode à auto-émission avec des caractéristiques qui assurent la création d'une auto-cathode possédant des qualités fonctionnelles élevées et formée sur ladite cathode. Le procédé de fabrication d'un substrat pour cathode à auto-émission comprend la formation de structures tridimensionnelles dans le silicium au moyen d'un procédé d'attaque photo-électrochimique. Les électrolytes utilisés pour l'attaque du silicium peuvent être aqueux ou non aqueux. Les structures obtenues ont la forme de micro-pointes ou d'une structure à alvéoles et sommets formée par un ensemble de canaux coniques de forme et de dimensions différentes dans une gamme entre plusieurs micromètres et plusieurs centaines de micromètres. On peut utiliser en tant que source lumineuse différentes types de lampes, à savoir halogènes, lampes à incandescence ordinaires, lampes à sodium et lampes luminescentes. Il est également possible d'utiliser des diodes électroluminescentes (LED) et des lasers. Le trait distinctif principal des substrats pour cathode à auto-émission obtenus par ce procédé consiste en ce qu'il n'est pas nécessaire, pour assurer la croissance sur ces substrats des films en nanocarbone à caractéristiques d'émission élevées, d'appliquer un traitement supplémentaire de la surface de silicium avant la croissance des structures à auto-émission.
PCT/RU2013/000563 2012-07-04 2013-07-03 Substrat semi-conducteur structuré en trois dimensions pour cathode à auto-émission, procédé de sa fabrication et cathode à auto-émission WO2014007680A2 (fr)

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