WO2013153202A1 - Licht emittierendes halbleiter-bauelement - Google Patents

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WO2013153202A1
WO2013153202A1 PCT/EP2013/057690 EP2013057690W WO2013153202A1 WO 2013153202 A1 WO2013153202 A1 WO 2013153202A1 EP 2013057690 W EP2013057690 W EP 2013057690W WO 2013153202 A1 WO2013153202 A1 WO 2013153202A1
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WO
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layer
spacer
layer structure
light
layers
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PCT/EP2013/057690
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English (en)
French (fr)
Inventor
Christoph Gärditz
Kilian REGAU
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Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling

Definitions

  • the invention relates to a light-emitting semiconductor component with a layer structure.
  • the layer structure has at least one optically functional layer
  • Lamps or lamps are to be observed.
  • one of these standards defines a safety distance to elements of light sources of the lamp or lamp
  • LLS air gap and creepage distance
  • Light modules, Lightengines and retrofit lamps In the case of light-emitting semiconductor components, optimal development of the substrate carrying the emitting layers is aimed at during development and production. This may, for example, help to achieve a relatively high yield per substrate, which can contribute to relatively low production costs.
  • Utilization of the substrate can be achieved, for example, by all layers, in particular also current-carrying or under-voltage elements and / or layers of light emitting semiconductor devices, are basically formed to an outer edge of the light-emitting semiconductor device. The safety margin must then be taken into account in the luminaire or lamp in which the light-emitting semiconductor component is installed.
  • lighting devices are known in which light-emitting semiconductor components are used and in which no safety margin must be maintained. These light-emitting devices also use light-emitting semiconductor components in which the substrate is optimally utilized. The provision of the safety margin in forming the layer structure of the semiconductor light-emitting device is thus in these
  • Lighting devices not necessary and may even be detrimental to the light output.
  • Safety distance is required, e.g. less than 25V.
  • several light-emitting semiconductor components may be divided into individual sections, in which the individual voltages are each technically limited by the voltage supply to values that none for this
  • ' becomes a light
  • a light becomes ei
  • the layer structure has at least one optically functional layer for generating
  • the semiconductor light-emitting device has at least one spacer for setting a distance to the electrically-conductive layer.
  • the spacer is coupled to the layer structure and a front of the layer structure facing away from the edge of the spacer has the predetermined distance from the electrically conductive. Shift.
  • the arrangement of the spacer in the semiconductor light-emitting device contributes to simple and / or
  • the predetermined distance is maintained to the electrically conductive layer.
  • the predetermined distance for example, a legally prescribed
  • the specified distance can also be greater than the legally prescribed safety distance.
  • the spacer forms a projection arranged around the layer structure, through which no housing and / or no other component can fall below the predetermined distance. The spacer thus provides in a simple way the
  • Safety distance for example, the LKS, safe.
  • the semiconductor light-emitting device can be used in
  • electrically conductive layer is electrically conductive means in this context that the layer
  • the electrically conductive layer is provided for applying a voltage and / or for conducting current.
  • the electrically conductive layer before, during or after operation of the Light emitting semiconductor device in which the electromagnetic radiation is generated are under tension.
  • the electrically conductive layer can serve to generate the electromagnetic radiation.
  • the electrically conductive layer may also be a layer to which a voltage is applied due to the function. That the edge of the spacer of the
  • Layer structure is facing away, essentially means that the edge of the layer structure is not facing.
  • the spacer is a body having one, two or more edges, with a first set of edges, for example one, two or more, facing the layered structure and with all the remaining edges being of the
  • the spacer may be integrally formed or the spacer may have a plurality of interconnected or independent sections. Further, a semiconductor light-emitting device may have a plurality of spacers.
  • the spacer has electrically insulating material.
  • the spacer may be substantially or completely formed of electrically insulating material.
  • the spacer may comprise or be formed of ceramic, a glass plate and / or acrylic.
  • the spacer may be essentially formed of electrically insulating material and otherwise isolated electrically conductive sections,
  • contact means for example, contact means and / or conductor tracks
  • the spacer extends at least partially in the direction parallel to the layers and in the direction away from the layer structure.
  • a first edge of the spacer facing away from the layer structure has a predetermined first distance to the electrically conductive layer in the direction parallel to the layers. This contributes in a simple manner to the fact that when using the light-emitting semiconductor component in the direction parallel to the layer structure of the predetermined Distance is maintained.
  • the first edge may be, for example, one of the above-explained edges of the spacer.
  • the predetermined first distance may be, for example, the distance explained above.
  • the spacer extends in the direction perpendicular to the layers and in the direction away from the layer structure.
  • Layer structure facing away from the second edge of the spacer has in the direction perpendicular to the layers inen predetermined second distance to the electrically conductive Schich. This contributes to the fact that, when the light-emitting semiconductor component is used, the predetermined distance perpendicular to the layer structure is maintained.
  • the predetermined second distance may correspond to the predetermined first distance or be different from this.
  • the spacer extending parallel to the layers may be the same
  • Spacers be like the one that is perpendicular to the
  • Spacers extend perpendicular and / or parallel to the layers and according to perpendicular and / or parallel to the layers specify the respective distance.
  • two or more spacers may also be arranged with one, two or more of the absorber members extending parallel to the layers and with one, z or more of the spacers extending perpendicular to the layers.
  • the electrically conductive layer is an electrode layer for applying an electrical voltage to the optically functional layer.
  • the layer structure may comprise two electrically conductive layers, which are formed as electrode layers, for example as anode layer and as cathode layer.
  • the optical functional layer can then be arranged, for example, between the two electrode layers and by means of a to the
  • Electrode layers applied voltage for generating de electromagnetic radiation are excited.
  • the predetermined distance is a legally prescribed safety distance.
  • the predetermined first distance and the predetermined second distance may be prescribed by law
  • Safety distance accordingly For example, identical or different ones may be used for the given first distance and for the given second distance
  • the predetermined first or second distance is then designed accordingly.
  • the semiconductor light emitting device has a first side and a second side remote from the first side.
  • the spacer is at least on the second side
  • the spacer may be used to mount the semiconductor light-emitting device.
  • the spacer may provide protection for the back side of the semiconductor light emitting device
  • the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter.
  • the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter.
  • the electromagnetic radiation leaves the light emitting
  • the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter.
  • the spacer can then be used to transmit the electromagnetic radiation
  • the spacer can provide protection for the front side of the semiconductor light-emitting device, for example against mechanical effects.
  • the spacer on the first side may be arranged additionally or alternatively to the spacer on the second side. Furthermore, the light emitting
  • Semiconductor device may be a bottom emitter and the spacer or on the first and / or second side of the semiconductor light-emitting device
  • Semiconductor device may be a top and bottom emitter, for example, a transparent OLED, and the or the
  • Spacers may be disposed on the first and / or second sides of the semiconductor light-emitting device.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the layers and / or further layers of the layer structure and / or a heat sink coupled to the layer structure are arranged at least partially in the upright recess.
  • a carrier layer, a carrier and / or a substrate of the layer structure can project through the receiving recess or into the receiving recess.
  • the heat sink may for example be a graphite or aluminum layer, which is applied for example on the back of the layer structure.
  • About the heat sink can be a
  • Heat coupling of the layer structure take place, so that during the operation of the light-emitting semiconductor device resulting heat quickly and effectively from the light
  • Heat sink can also be used for heat spreading and / or
  • Heat distribution for example, to a uniform
  • the coupling recess can be referred to in this context as a soldering eye or as a soldering via.
  • Solder joint can be used for mechanical coupling of
  • Spacer serve to layer structure and / or for electrical coupling of the layer structure via the spacer. Alternatively or in addition to the production of the
  • LötVeritati also be produced laterally, for example, using a flat soldering tip. Optionally can then be dispensed with the Koppe1aus Principleung.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structure at least one contact strip, is coupled to the spacer.
  • the contact strip is used
  • the spacer can be coupled purely for mechanical attachment of the spacer with the contact strip and / or the spacer can be used for electrical coupling of
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the circuit board may for example comprise ceramic insulation materials, plastic and / or a synthetic resin.
  • the circuit board may be a metal core board that is at least partially embedded in an electrically insulating ceramic.
  • fiber mats can be embedded in the plastic or the synthetic resin.
  • this can contribute to be able to contact the contact strips and / or the layer structure in a simple manner.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Printed circuit board at least one conductor track, which is coupled to the contact strip.
  • Conductor be coupled via the coupling recess with the contact strip.
  • the light-emitting semiconductor component can then be easily contacted via the conductor track of the printed circuit board. This may help to easily locate and connect the semiconductor light-emitting device in use in a higher-level device.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structures of the spacers at least one each
  • the orientation marks are assigned to each other. This can easily result in a simple and / or precise production of the light-emitting Contribute semiconductor device.
  • the orientation marks give a relative orientation of the layer structure, in particular the
  • Structures of the layer structure and the spacer be designed so that fundamentally different
  • the orientation marks can then contribute to the layer structure and the
  • the optical layer Spacer on an optical layer.
  • Layer affects the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer. This is advantageous in particular when the spacer is arranged on the side of the light-emitting semiconductor component on which the electromagnetic radiation is emitted. The electromagnetic radiation then passes through the spacer and can be influenced by it in a predetermined manner.
  • the optical layer is a scattering layer and / or conversion layer.
  • the scattering layer serves to scatter the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer.
  • the conversion layer serves to the electromagnetic
  • the spacer can serve as a conversion element, as is known, for example, from remote phosphor and / or LARP applications.
  • the semiconductor light-emitting device has one with the
  • electrically conductive layer and the heat sink is predetermined.
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment of a layer structure for a light-emitting semiconductor component
  • Figure 2 is a view of a front side of a
  • Figure 3 is a view of a back of the light
  • Figure 4 is a sectional view through the light
  • Figure 5 is a view of a back of a
  • Figure 6 is a sectional view through the light
  • Figure 7 is a view of a front side of a
  • Figure 8 is a sectional view through the light
  • Figure 10 is a sectional view through a
  • Figure 11 is a sectional view through a
  • Figure 12 is a sectional view through a
  • Figure 13 is a sectional view through a
  • Figure 14 is a sectional view through a
  • Figure 15 shows an embodiment of a spacer and an embodiment of a layer structure
  • Figure 16 shows an embodiment of a light-emitting
  • connection used to describe both a direct and indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling.
  • identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
  • a semiconductor light-emitting device can be used in
  • the semiconductor light-emitting device can be used in
  • various embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of light-emitting semiconductor components may be provided, for example housed in a common housing.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a
  • Layer structure 1 of a light-emitting semiconductor Component according to various embodiments.
  • the semiconductor light-emitting device is in this
  • Embodiment for example, an organic compound
  • the layer structure 1 has, for example, a carrier 2.
  • the carrier 2 can serve, for example, as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements.
  • the carrier 2 may comprise or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material.
  • the carrier 2 may comprise or be formed from a metal foil, a plastic foil and / or a laminate with one or more plastic rolls.
  • the plastic may contain one or more polyolefins
  • the carrier 2 may comprise one or more of the above-mentioned materials.
  • the carrier 2 can be translucent or even transparent,
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Amount of light also from the structure (for example layer) is decoupled, whereby a part of the light can be scattered here
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure ⁇ for example a layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a portion of the
  • Wavelength range of the desired monochrome light or translucent for the limited emission spectrum is
  • the organic light emitting diode (or generally the or the light
  • top and / or bottom emitter can also be considered optically transparent
  • Component for example, a transparent organic light emitting diode to be called.
  • the semiconductor light-emitting device emits the light at the front and at a bottom emitter
  • the light-emitting semiconductor device emits the light on the backside.
  • the semiconductor light emitting device emits the light at the front and at the back.
  • the layer structure 1 can in different
  • Embodiments for example, have an optionally on or above the carrier 2 arranged barrier layer 4.
  • the barrier layer 4 can comprise or consist of one or more of the following materials: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the barrier layer 4 can have a layer thickness in a range from 0.1 nm (one atomic layer) to 5000 nm,
  • the layer structure 1 can in different
  • an electrically active region 6 of the light arranged on or above the barrier layer 4
  • Electrically active region 6 can be understood as the region of the semiconductor light-emitting device in which an electric current for the operation of the light
  • Semiconductor device one, two or more electrically
  • the electrically active region 6 has a first electrode layer 10 as the first electrically conductive layer and a second electrode layer 14 as the second electrically conductive layer. Furthermore, in various embodiments, the electrically active region comprises an organic functional layer 12.
  • further layers of the layer structure 1 of the light-emitting semiconductor component may be designed to be electrically conductive.
  • electrically conductive layer is to understand natural layer of the semiconductor light-emitting device, on the before, during or after an operation of the light-emitting Semiconductor device in which light is generated, a
  • the first barrier layer 4 on or above the barrier layer 4 (or, if the barrier layer 4 is not present, on or above the support 2), the first
  • Electrode layer 10 may be applied. The first
  • Electrode layer 10 (hereinafter also referred to as lower
  • Electrode layer 10 may be formed of an electrically conductive material, such as a metal or a conductive transparent oxide
  • TCO transparent conductive oxide
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, Sn0 2 , or ⁇ 2 0 3 also include ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 I 2 05 or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • the first electrode layer 10 may comprise a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials.
  • the first electrode layer 10 may be formed of a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO Multilayers.
  • the first electrode layer 10 may include one or more of the
  • the following materials comprise: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode layer 10 can be electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive
  • Electrode layer 10 and the carrier 2 may be translucent or transparent.
  • the first electrode layer 10 may, for example, have a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 18 nm
  • the first electrode layer 10 may be, for example
  • a layer thickness greater than or equal to 15 nm.
  • Electrode layer 10 have a layer thickness in a range of 10 nm to 25 nm, for example, a layer thickness in a range of 10 nm to 18 nm, for example, a layer thickness in a range of 15 nm to 18 nm Electrode layer 10 is formed from a conductive transparent oxide (TCO), the first electrode layer 10, for example, have a layer thickness in a range of 50 nm to 500 nm,
  • a layer thickness in a range of 75 nm to 250 nm for example, a layer thickness in a range of 1 nm to 150 nm.
  • the first electrode layer 10 of, for example, a network of metallic nanowires, for example Ag the can be combined with conductive polymers, a
  • Network of carbon nanotubes with conductive Polymer can be combined, or formed from graphene layers and composites, the first
  • Electrode layer 10 for example, a layer thickness
  • a layer thickness in a range of 10 nm to 400 nm for example, a layer thickness in a range of 40 nm to 250 nm.
  • the first electrode layer 10 can be used as the anode, ie as
  • Holes injecting electrode layer may be formed or as a cathode, that is, as an electron injecting
  • the first electrode layer 10 may have a first electrical connection, to which a first electrical potential (provided by a not shown energy source, for example a current source or a voltage source) can be applied.
  • a first electrical potential provided by a not shown energy source, for example a current source or a voltage source
  • the first electric potential may be applied to the carrier 2, and may be applied thereto indirectly via the first electrode layer 10.
  • the first electrical potential can
  • the ground potential for example, the ground potential or another
  • Semiconductor device may include an optically functional layer 12, which is applied to or over the first electrode layer 10.
  • the optically functional layer 12 may, for example, have one, two or more partial layers.
  • One, two or more of the partial layers may, for example, be an organic electroluminescent layer or
  • the optically functional layer 12 can have one or more emitter layers 18, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-conducting layers 16 (also referred to as hole-transport layer (s)). In different Embodiments may alternatively or additionally include one or more electron conductive layers 16 (also referred to as electron transport layer (s)). Examples of emitter materials used in the light
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene ⁇ e.g. 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic ⁇ bis (3,5-difluoro-2- ⁇ 2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. Further, alternatively or additionally, other suitable emitter materials may be used
  • the emitter materials of the emitter layer (s) 18 of the light-emitting semiconductor component may for example be selected such that the light-emitting semiconductor Component emitted white light.
  • the emitter layer (s) 18 may comprise a plurality of emitter materials emitting different colors (eg blue and yellow or blue, green and red), alternatively, the emitter layer (s) 18 may also be composed of several sublayers, such as a blue fluorescent one Emitter layer 18 or blue
  • phosphorescent emitter layer 18 By mixing the different colors, light can be produced with a white color impression. Alternatively, it can be provided in the
  • a converter material for example in a conversion layer, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation a white
  • Such a conversion layer can thus serve a wavelength range of
  • Optically functional layer 12 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic
  • Layer 12 comprises one or more electroluminescent layers, which is or are designed as hole transport layer 20, so that, for example in the case of an OLED, effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • the optically functional layer 12 may be one or more
  • Electron transport layer 16 is executed or are, so that, for example, in an OLED, effective electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a material for the hole transport layer 20 can be any material for the hole transport layer 20 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Electrode layer 10 applied, for example
  • the emitter layer 18 may be deposited on or over the hole transport layer 20, for example deposited.
  • the electron transport layer 16 may be deposited on or over the emitter layer 18, for example, deposited.
  • the optically functional layer 12 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 20 and emitter layer (s) 18 and electron transport layer (s) 16 ⁇ may have a layer thickness of at most 1.5 ⁇ m, for example one
  • the optically functional layer 12 may be, for example, a stack of a plurality of directly superimposed organic
  • each OLED has light emitting diodes (OLEDs).
  • a layer thickness of at most 1, 5 ⁇ for example, a layer thickness of a maximum of 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most 1 ⁇ ,
  • a layer thickness of at most 800 nm for example, a layer thickness of at most 800 nm
  • a layer thickness of at most 500 nm for example, a layer thickness of at most 500 nm
  • a layer thickness of at most 400 nm for example, a layer thickness of at most 400 nm
  • the optical module For example, a layer thickness of at most 300 nm.
  • functional layer 12 may have a layer thickness of at most about 3 ⁇ .
  • the semiconductor light-emitting device may generally comprise further organic functional layers,
  • the emitter layers 18 for example, disposed on or above the one or more emitter layers 18 or on or above the electron transport layer (s) 16 that serve to enhance the functionality and hence the efficiency of the light
  • the second electrode layer 14 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 14).
  • the second electrode layer 14 may include or be formed from the same materials as the first electrode layer 10, wherein in different
  • Embodiments metals are particularly suitable.
  • Electrode layer 14 for example, a layer thickness
  • a thickness of less than or equal to 50 nm for example a layer thickness of less than or equal to 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 40 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to 35 nm for example, a layer thickness of less than or equal 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 15 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 10 nm.
  • the second electrode layer 14 may generally be formed in a manner similar to, or different from, the first electrode layer 10.
  • the second electrode layer 14 may be formed in various embodiments of one or more of the materials and with the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode layer 10. In different
  • the first electrode layer 10 and the second electrode layer 14 are both made translucent or transparent.
  • the light-emitting halide component illustrated in FIG. 1 can be designed as a top and / or bottom emitter, for example as a transparent light-emitting semiconductor component.
  • the second electrode layer 14 may be formed as an anode, ie, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting
  • the second electrode layer 14 may have a second
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the first electrical potential has a value in a range from 1.5 V to 20 V,
  • an encapsulation 8 for example in the form of an encapsulation 8, can optionally also be provided
  • Barrier film 8 or thin-layer encapsulation can be formed or its.
  • a “barrier thin film” or a “barrier thin film” 8 may be understood as meaning, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical
  • the barrier film 8 is formed so as to come from substances that damage the semiconductor light-emitting device, such as water,
  • Oxygen or solvent not or at most can be penetrated at very low levels.
  • the barrier thin film 8 may be formed as a single layer (in other words, as a single layer). According to an alternative embodiment, the barrier thin film 8 may comprise a plurality of sublayers formed on each other. In other words, according to one embodiment, the barrier thin layer 8 can be formed as a layer stack (stack).
  • Barrier thin film 8 or one or more sub-layers of barrier thin film 8 may be formed, for example, by a suitable deposition method, e.g. by atomic layer deposition (ALD) according to an embodiment, e.g. a plasma enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method or a
  • ALD atomic layer deposition
  • PEALD plasma enhanced Atomic Layer Deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region.
  • all partial layers can be formed by means of a partial layer
  • Atomic layer deposition process are formed.
  • Layers which have only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate.”
  • a barrier thin layer 8 which has a plurality of partial layers, one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier thin film 8 may have a layer thickness of 0.1 nm (one atomic layer) to 1000 nm, for example a layer thickness of 10 nm to 1 nm according to an embodiment, for example 40 nm according to one embodiment.
  • all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin layer 8 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 8 can, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 8 (or the individual sublayers of the barrier film 8) may be made of a translucent or transparent material (or a material)
  • the barrier thin layer 8 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin layer 8 comprise or consist of one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the barrier film 8 or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film 8 may comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, such as a refractive index of at least 2.
  • an adhesive and / or a protective lacquer 2.4 can be provided on or above the barrier thin layer 8, by means of which, for example, a
  • the optically translucent layer of adhesive and / or protective lacquer 24 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ ,
  • a layer thickness of several / in For example, a layer thickness of several / in.
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer may be embedded in various embodiments, light-scattering particles that belong to a further improvement of color angle distortion and the
  • Embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, scattering dielectric articles such as metal oxides, e.g. Silica (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • metal oxides e.g. Silica (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • Alumina, or titania may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acryla, or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron Nanopartike1, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer 14 between the second electrode layer 14 and the layer of adhesive and / or resist 24, an electrically insulating
  • Layer (not shown) are applied, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of 300 nm to 1, 5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of 500 nm to 1 ⁇ to
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Embodiments also completely on an adhesive 24 can be omitted, for example at Embodiments in which the cover 26,
  • Plasma spraying are applied to the encapsulation 8.
  • the / may
  • Cover 26 and / or the adhesive 24 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • the barrier thin film 8 ⁇ may be provided in the light-emitting semiconductor device.
  • FIG. 2 shows a front side of an exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component.
  • the light-emitting semiconductor component has, for example, the layer structure 1 explained above.
  • the light-emitting semiconductor component and the layer structure 1 are formed octagonal in this embodiment.
  • layer structure 1 may have a different shape, for example, the light-emitting semiconductor device and / or the layer structure 1 may be formed in front view round or square or another
  • the semiconductor light-emitting device has a spacer 40.
  • the spacer 40 has
  • a central receiving recess 42 which is hidden in Figure 2 of the layer structure 1 and is therefore indicated by dashed lines in Figure 2.
  • the Aufhaus strictlyung 42 may serve, for example, to electrically and / or thermally couple the layer structure 1 from a back side of the light-emitting semiconductor device.
  • the spacer 40 has an inner edge bordering on the recess 42 and an outer first edge 34 on.
  • the outer first edge 34 of the spacer 40 has a predetermined first distance 32 to the layer structure 1.
  • the first edge 34 of the spacer 40 shown in FIG. 2 faces away from the layer structure 1 and can also be considered as the first edge 34 facing away from the layer structure 1
  • the spacer 40 serves to maintain the predetermined first distance 32 to the layer structure 1 when using the light-emitting semiconductor device,
  • the spacer holder 40 serves to maintain the predetermined first one
  • the spacer 40 consists essentially or completely of electrically insulating material.
  • the spacer 40 consists essentially of electrically insulating material and otherwise has a few electrically conductive regions.
  • the spacer may comprise, for example, a metal core board which is at least partially surrounded by an insulating material, for example one of them
  • the predetermined distance may correspond, for example, to a legally prescribed safety distance or be greater than this.
  • the predetermined distance can be predetermined, for example, as a function of the electrical potential that is applied to the
  • Electrode layers 10, 14 or their electrical connections can be applied or should.
  • the predetermined distance 32 extends from an outer edge of the layer structure 1 to the first edge 34 of the spacer 40. It is assumed, for example, that the electrically conductive
  • Edge of the layer structure 1 extend. If, however, the electrically conductive layers 10, 14 do not extend in the direction parallel to the layers to the outer edge of the layer structure 1, so may the predetermined first distance 32 from the predetermined first edge 34 to an edge of the nearest electrically conductive layer 10, 14 of the
  • Layer structure 1 extend. The distance of the outer edge 34 of the spacer 40 to the outer edge of the spacer 40
  • Layer structure 1 can then be smaller than the predetermined first distance 32.
  • spacer 40 extends in this case
  • the spacer 40 may also have a plurality of subsections, which in each case are arranged only at portions of the circumference of the layer structure 1 and thus predetermine the first distance 32, in particular at these sections.
  • Spacers 40 are a plurality of contact strips 30,
  • contact strips 30 are arranged. Alternatively, for example, only two, three or more than four contact strips 30 may be provided. Furthermore, the contact afford 30 may also be positioned at other locations.
  • the contact strips 30 serve, for example, the
  • Spacer 40 to be attached to the layer structure 1 and / or the electrode layers 10, 14 of the layer structure 1 to connect via the contact strips 30 with the spacer 40.
  • the contact strips 30 have, for example, the electrical connections of the electrode layers 10, 14 or are electrically connected to these and / or the carrier 2
  • the spacer 40 may also serve to maintain the predetermined distance 32 to one of the contact strips 30.
  • FIG. 3 shows a rear side of the light-emitting device
  • FIG. 4 shows a section through the light-emitting semiconductor component according to FIG. 3 in the region of FIG.
  • the layer structure 1 has a first side 22 and a second side 28.
  • the first side 22 may also be referred to as the front side of the light-emitting semiconductor component.
  • the second side 28 may also be referred to as the backside of the semiconductor light-emitting device.
  • the cover layer 26 is formed on the first side 22, ie the " front side.”
  • the carrier 2 is formed on the second side 28, ie the rear side On the second side 22, 28 further layers may be formed.
  • Spacer 40 is attached to second side 28 of the semiconductor light emitting device in this embodiment.
  • the spacer 40 is glued to the second side 28 of the layer structure 1.
  • the spacer 40 via one, two or more coupling recesses 44 with the
  • the coupling recesses 44 can serve, for example, to apply solder from the rear side, which then can flow through heated coupling through coupling recesses 44 and can connect the spacer 40 to the contact strips 30 via solder connections 46. This can be advantageous, for example, if over the
  • Koppelausnaturalept 44 not only a mechanical coupling of the spacer 40 with the layer structure 1 but also an electrical contacting of the contact strips 30 via the spacer 40, then in Figure 4, not shown interconnects on or in the spacer 40 via the solder connection 46 with the contact strips 30th can be connected.
  • the coupling recesses 44 may be referred to in this context as Löt eyes or solder vias.
  • the spacer 40 is for example made of an im
  • Essentially insulating material for example
  • the spacer 40 may have one, two or more ceramic plates.
  • the spacer 40 may be formed by a printed circuit board, for example.
  • the spacer can for example by means of punching, cutting, milling, laser cutting or another
  • Process be prepared or structured.
  • the spacer 40 extends parallel to the
  • FIG. 5 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the embodiment of the light-emitting semiconductor component explained with reference to FIGS. 2 to 4, wherein, in contrast thereto, a heat sink 50 is additionally provided on the semiconductor device
  • the heat sink 50 has, for example, a layer which may, for example, comprise graphite and / or aluminum.
  • the heat sink 50 serves to rapidly and effectively remove heat generated during operation of the semiconductor light-emitting device
  • the heat sink 50 can be any heat sink 50.
  • the layer structure 1 is thus thermally coupled by the Aufnähmeaus Principleung 42 of the spacer 40.
  • FIG. 6 shows a sectional view of the light-emitting semiconductor component according to FIG. 5, from which it can be seen that the heat sink 50 penetrates into the receiving recess 42 and at least partially protrudes through the Aufnähmeaus Principleung 42 of the spacer 40 therethrough.
  • Spacer 40 which limits the receiving recess 42 may be formed so that the predetermined first distance 32 to the electrically conductive layer 10, 14 is predetermined by him. This may help to prevent the heat sink 50 from coming too close to the electrically conductive layer 10, 14 and / or the contact strip 30.
  • a thickness in the heat sink 50 may be, for example, a thickness of the
  • FIG. 7 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting component which largely corresponds to the exemplary embodiment of the light explained in FIGS. 2 to 4
  • FIG 8 shows a section through the embodiment of the light-emitting device according to Figure 7, which also shows that the spacer 40 is formed flat.
  • the spacer 40 can be used to protect the second side 28 of the layer structure 1 from mechanical
  • FIG. 9 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the above
  • FIG. 10 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the exemplary embodiments explained above, in contrast to which the spacer 40 is made so thick that a predetermined second distance 36 through it in the direction perpendicular to the layers of the layer structure 1 is complied with.
  • the spacer 40 is made so thick that a predetermined second distance 36 through it in the direction perpendicular to the layers of the layer structure 1 is complied with.
  • the predetermined second distance 36 may correspond to the predetermined first distance 32 or be different from this.
  • the predetermined second distance 36 extends from the second edge 38 of the spacer 40 to the second side 28 of the layer structure 1
  • the predetermined second distance 36 may extend from the second edge 38 to the nearest electrically conductive layer 10, 14.
  • the predetermined second distance 36 can be predetermined not only up to the second side 28 layer structure 1, but in particular to the electrically conductive layers 10, 14 of the layer structure first
  • FIG. 11 shows a further exemplary embodiment of the semiconductor light-emitting component, which has been explained extensively with reference to the preceding figures
  • Embodiments of the light-emitting semiconductor device corresponds, in contrast to the Spacer 40 is not disposed on the second side 28 but on the first side 22 of the light-emitting semiconductor device. If the semiconductor device • the electromagnetic radiation emitted on the first side 22, the spacer 40 is preferably
  • the spacer 40 may serve as an optically functional layer and optically influence the generated light.
  • the spacer 40 may serve as an optically functional layer and optically influence the generated light.
  • Spacer 40 serve as a scattering layer.
  • the spacer 40 may be used as a conversion layer for converting the wavelengths generated
  • the spacer 40 may be transparent.
  • the spacer 40 can serve as protection of the first side 22 of the layer structure 1 against mechanical effects.
  • FIG. 12 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the embodiment of the light shown in FIG. 12
  • the spacer 40 is so thick
  • the spacer 40 may thus correspond to that shown in FIG.
  • Embodiment of the spacer 40 may be formed and arranged on the first side 22 of the layer structure 1.
  • FIG. 13 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component in which the
  • Layer structure 1 with the contact strips 30 substantially the or. the layer structures 1 explained above with the corresponding contact strips 30 corresponds. in the
  • the spacer 40 is arranged laterally of the layer structure 1.
  • the spacer 40 extends in this embodiment frame-shaped around the outer edge of the layer structure 1.
  • the spacer 40 can only on individual portions of the side of the layer structure 1
  • the spacer 40 may be disposed on each of the eight sides of the layer structure 1 and / or on the eight corners of the layer structure 1.
  • the spacer 40 may protrude, for example, the outer edge of the layer structure 1 mechanical
  • the spacer 40 may
  • the spacer 40 and / or the layer structure 1 may comprise means over which
  • Spacer 40 can be coupled to the layer structure 1, for example mechanically by means of a locking means on the spacer 40 and a counter-locking on the
  • the semiconductor light-emitting device may be particularly thin with the spacer 40, for example
  • FIG. 14 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the exemplary embodiment explained with reference to FIG. 13, in contrast to which the spacer 40
  • the ⁇ bstandshalter 40 may also be formed so that the
  • Figure 15 shows a front view of the spacer 40 according to Figure 2 and a view of the back of the
  • Layer structure 1 according to FIG. 3 in other words, the light-emitting semiconductor component in FIG. 15
  • Spacer 40 is, for example, a printed circuit board and / or may be referred to in this context as a printed circuit board.
  • the conductor tracks 52 serve for
  • the conductor tracks 52 may also be formed on a rear side of the spacer 40 shown in FIG. 3, and the contact strips may be formed by the coupling recesses 44 shown in FIG
  • Printed circuit board and / or the conductor tracks 52 can do so
  • the light-emitting semiconductor device is easy and / or inexpensive contactable.
  • the spacer 40 and the layer structure 1 each have mutually associated orientation marks 54.
  • the two orientation marks 54 are superimposed in plan view.
  • the orientation marks 54 is a relative
  • the orientation marks 54 can simply contribute to the fact that, in a manufacturing process of the semiconductor light-emitting component, the relative orientation or orientation of the layer structure 1 to the spacer 40 is intended.
  • FIG. 16 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component in which the
  • the spacer 40 may be used, for example, in addition to the predetermined spacing 32, 36, for example
  • Spacer 40 is arranged.
  • the spacer 40 may be formed with a predetermined design, so that the design of the spacer 40 contributes to the appearance of the semiconductor light emitting device. If the spacer 40 is arranged on the side 22, 28 of the layer structure 1 on which the electromagnetic radiation is coupled out, then the spacer 40 can also be referred to as a
  • the spacer 40 can then be designed such that the electromagnetic radiation is structured and / or directed by the spacer 40.
  • the invention is not limited to those specified
  • the spacer 40 may be formed in all embodiments only at portions of the outer edge of the layer structure 1 and so only at these areas
  • such segmented spacers 40 can be arranged on side edges or corners of the layer structure 1. Furthermore, the embodiments shown can be combined with each other become. For example, the spacer 40 may be disposed on the first and / or second sides 22, 28 in all embodiments. Furthermore, the spacer 40 may alternatively or in all embodiments
  • Layer structure 1 may be formed Furthermore, in all the embodiments shown, the coupling recesses 44 may be formed in the spacer 40 or not. Furthermore, in all embodiments, the electrical
  • the shape of the semiconductor light-emitting device may differ from the octagonal shape in all the embodiments shown.
  • the shape in plan view may be circular, for example round or oval, or polygonal, for example, triangular, pentagonal or hexagonal.
  • a semiconductor light-emitting device has a layer structure 1 comprising at least one optically functional layer 12 for
  • the spacer 40 extends in the direction parallel to the layers 10, 12, 14 and in the direction away from the layer structure 1 and a first edge 34 of the layer facing away from the layer structure 1
  • Spacer 40 has a predetermined first distance 32 to the electrically conductive layer 10, 14 in the direction parallel to the layers.
  • the spacer 40 extends in the direction perpendicular to the layers 10, 12, 14 and in the direction away from the layer structure 1, and a second edge 38 of the spacer 40 facing away from the layer structure 1 has a direction perpendicular to the layers 10, 12 , 14 a predetermined second distance 36 to the electrically conductive layer 10, 14.
  • the electrically conductive layer 10, 14 is an electrode layer for applying a voltage to the optically functional
  • the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the second side 28.
  • the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the first side 22.
  • the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the first side 22.
  • Spacer 40 a receiving recess 42 and in the receiving recess 42 are the layers 10, 12, 14 and / or further layers 2, 4, 6, 8, 24, 26 of the layer structure first and / or a heat sink 50 coupled to the layer structure 1.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Spacer 40 for coupling with the layer structure 1 at least one coupling recess 44.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structure 1 at least one contact strip 30 to which the spacer 40 is coupled.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Spacer 40 a circuit board. According to various embodiments, the
  • Printed circuit board at least one conductor 52 which is coupled to the Kontak strip 30.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structure 1 and the spacer 40 each one
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Spacer 40 has an optical layer.
  • the optical layer is a scattering layer and / or a conversion layer.
  • the semiconductor light-emitting device has one with the
  • Layer structure 1 coupled heat sink 50 and the
  • Spacer 40 is formed to pass through it
  • At least the predetermined first distance 32 between the electrically conductive layer 10, 14 and the heat sink 50 is predetermined.

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Description

Beschreibung
Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Deutschen
Patentanmeldung Nr. 10 2012 206 101.0, eingereicht am
13.04.2012 beim Deutschen Patent und Markenamt .
Die Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiter- Bauelement mit einer Schichtstruktur. Die Schichtstruktur weist mindestens eine optisch funktionelle Schicht zum
Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf. Bei Leuchten und/oder Lampen gibt es Normen, die gesetzlich vorgegeben und bei der Konstruktion oder dem Design der
Leuchten bzw. Lampen einzuhalten sind. Eine dieser Normen definiert beispielsweise einen Sicherheitsabstand, der zu Elementen von Lichtquellen der Leuchte bzw. der Lampe
eingehalten werden muss, die beispielsweise während oder nach dem Betrieb der Leuchte bzw. Lampe unter Spannung stehen können. Beispielsweise ist in Deutschland bei Leuchten ab einer Spannung von 25 V eine Luft- und Kriechstrecke (LKS) als Sicherheitsabstand einzuhalten. Dies dient zum Schutz eines Nutzers der Leuchte vor einem Stromschlag und ist beispielsweise in Normen wie der DIN EN 60598-1 festgelegt. Analoge Vorgaben gibt es beispielsweise auch für
Leuchtmodule, Lightengines und Retrofit-Lampen . Bei Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen wird bei der Entwicklung und der Herstellung eine optimale Ausnutzung des die emittierende Schichten tragenden Substrats angestrebt. Dies kann dazu beispielsweise dazu beitragen, eine relativ hohe Ausbeute pro Substrat zu erreichen, was zu relativ geringen Produktionskosten beitragen kann. Eine optimale
Ausnutzung des Substrat kann beispielsweise erreicht werden, indem alle Schichten, insbesondere auch stromführende oder unter Spannung stehende Elemente und/oder Schichten von Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen, grundsätzlich bis zu einem äußeren Rand des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements ausgebildet werden. Der Sicherheitsabstand muss dann bei der Leuchte bzw. Lampe berücksichtigt werden, in die das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eingebaut wird.
Ferner sind LeuchtVorrichtungen bekannt, in denen Licht emittierenden Halbleiter-Bauelemente genutzt werden und bei denen kein Sicherheitsabstand eingehalten werden muss. Auch bei diesen Leuchtvorrichtungen werden Licht emittierende Halbleiter-Bauelemente genutzt, bei denen das Substrat optimal ausgenutzt ist. Das Vorsehen des Sicherheitsabstands beim Ausbilden der Schichtstruktur des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ist somit bei diesen
Leuchtvorrichtungen nicht notwendig und kann bezüglich der Lichtausbeute sogar nachteilig sein.
Es ist bekannt, das Problem des nötigen Sicherheitsabstands dadurch zu umgehen, eine maximale Spannung, die in jeglichem Falle (z.B. im Betrieb oder im Fehlerfall} an leitfähigen Teilen anliegen kann, derart zu beschränken, dass kein
Sicherheitsabstand erforderlich ist, z.B. kleiner als 25V. beispielsweise könne mehrere Licht emittierende Halbleiter- Bauelemente in einzelne Abschnitte unterteilt sein, bei denen die EinzelSpannungen jeweils von der Spannungsversorgung technisch auf Werte begrenzt sind, dass für diese kein
Sicherheitsabstand einzuhalten ist. Alternativ oder
zusätzlich ist es bekannt, die Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelemente mit isolierenden Gehäusen zu umgeben.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird' ein Licht
emittierendes Halbleiter-Bauelement bereitgestellt, das auf einfache und/oder kostengünstige Weise dazu beiträgt, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ein vorgegebener Abstand, beispielsweise ein
Sicherheitsabstand, eingehalten wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ei Licht
emittierendes Halbleiter-Bauelement mit einer Schichtstruktur bereitgestellt. Die Schichtstruktur weist mindestens eine optisch funktionelle Schicht zum Erzeugen von
e1ektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf . Das Licht emittierende Halbleiter- Bauelement weist mindestens einen Abstandshalter zum Vorgeben eines Abstände zu der elektrisch leitenden Schicht auf. Der Abstandshalter ist mit der Schichtstruktur gekoppelt und ein vor der Schichtstruktur abgewandter Rand des Abstandshalters hat den vorgegebenen Abstand zu der elektrisch leitenden . Schicht .
Das Anordnen des Abstandshalters bei dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement trägt auf einfache und/oder
kostengünstige Weise dazu bei, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , beispielsweise in einer Leuchte oder Lampe, der vorgegebene Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht eingehalten wird. Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise ein gesetzlich vorgegebener
Sicherheitsabstand sein . Der vorgegebene Abstand kann auch größer als der gesetzlich vorgegeben Sicherheitsabstand sein. Der Abstandshalter bildet einen um die Schichtstruktur angeordneten Überstand, durch den kein Gehäuse und/oder kein anderes Bauteil den vorgegebenen Abstand unterschreiten kann . Der Abstandshalter stellt somit auf einfach Weise die
Einhaltung des vorgegeben Abstands , beispielsweise des
Sicherheitsabstands , beispielsweise der LKS , sicher. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann in
unterschiedlichen Leuchten, Leuchtmitteln, Lampen,
Applikationen und Modulen verwendet werden.
Dass die elektrisch leitende Schicht elektrisch leitend ist , bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Schicht
grundsätzlich elektrisch leitfähig ist und/oder dass- die
Schicht zum Anlegen einer Spannung und/oder zum Leiten von Strom vorgesehen ist . Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht vor, während oder nach einem Betrieb des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem die elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, unter Spannung stehen. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht dazu dienen, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Alternativ dazu kann die elektrisch leitende Schicht auch eine Schicht sein, an der funktionsbedingt eine Spannung anliegt . Dass der Rand des Abstandshalters von der
Schichtstruktur abgewandt ist, heißt im Wesentlichen, dass der Rand der Schichtstruktur nicht zugewandt ist. In anderen Worten ist der Abstandshalter ein Körper, der einen, zwei oder mehr Ränder aufweist , wobei eine erste Menge der Ränder, beispielsweise einer, zwei oder mehr, der Schichtstruktur zugewandt ist und wobei alle übrigen Ränder von der
Schichtstruktur abgewandt sind. Der Abstandshalter kann einstückig ausgebildet sein oder der Abstandshalter kann mehrere miteinander verbundene oder voneinander unabhängige Teilstücke aufweisen. Ferner kann ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement mehrere Abstandshal er aufweisen. Der Abstandshalter weist elektrisch isolierendes Material auf . Beispielsweise kann der Abstandshalter im Wesentlichen oder vollständig aus elektrisch isolierendem Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Abstandshalter Keramik, eine Glasplatte und/oder Acryl aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann der Abstandshalter im Wesentlichen aus elektrisch isolierendem Material gebildet sein und ansonsten vereinzelt elektrisch leitende Abschnitte,
beispielsweise Kontaktmittel und/oder Leiterbahnen,
au weisen . Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter zumindest teilweise in Richtung parallel zu den Schichten und in Richtung weg von der Schichtstruktur . Ein von der Schichtstruktur abgewandter erster Rand des Abstandshalters hat in Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht . Dies trägt auf einfache Weise dazu bei , dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements in Richtung parallel zu der Schichtstruktur der vorgegebene Abstand eingehalten wird. Der erste Rand kann beispielsweise einer der vorstehend erläuterten Ränder des Abstandhalters sein . Der vorgegebene erste Abstand kann beispielsweise der vorstehend erläuterte Abstand sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter in Richtung senkrecht zu den Schichten und in Richtung weg von der Schichtstruktur . Ein von der
Schichtstruktur abgewandter zweiter Rand des Abstandshalters hat in Richtung senkrecht zu den Schichten inen vorgegebenen zweiten Abstand zu der elektrisch leitenden Schich . Dies trägt dazu bei , dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements der vorgegebene Abstand senkrecht zu der Schichtstruktur eingehalten wird. Der vorgegebene zweite Abstand kann dem vorgegebenen ersten Abstand entsprechen oder von diesem unterschiedlich sein . Der sich parallel zu den Schichten erstreckende Abstandshalter kann derselbe
Abstandshalter sein wie der, der sich senkrecht zu den
Schichten erstreckt . In anderen Worten kann sich der
Abstandshalter senkrecht und/oder parallel zu den Schichten erstrecken und entsprechend senkrecht und/oder parallel zu den Schichten den jeweiligen Abstand vorgeben. Alternativ dazu können auch zwei oder mehr Abstandshalter angeordnet sein, wobei sich ein, zwei oder mehr der Abs andshalter parallel zu den Schichten erstrecken und wobei sich ein, z ei oder mehr der Abstandshalter senkrecht zu den Schichten erstrecken.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die elektrisch leitende Schicht eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die optische funktioneile Schicht . Beispielsweise kann die Schichtstruktur zwei elektrisch leitende Schichten aufweisen, die als Elektrodenschichten, beispielsweise als Anodenschicht und als Kathodenschicht ausgebildet sind . Die optische funktionelle Schicht kann dann beispielsweise zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnet sein und mit Hilfe einer an die
Elektrodenschichten angelegten Spannung zum Erzeugen de elektromagnetischen Strahlung angeregt werden. Der
Abstandshalter trägt dann einfach dazu bei, bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements den
vorgegebenen Abstand zu der bzw. den Elektrodenschichten des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements einzuhalten.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der vorgegebene Abstand ein gesetzlich vorgegebener Sicherheitsabstand.
Beispielsweise können der vorgegebene erste Abstand und der vorgegebenen zweite Abstand dem gesetzlich vorgegebenen
Sicherheitsabstand entsprechend. Beispielsweise können für den vorgegebenen ersten Abstand und für den vorgegebenen zweiten Abstand gleiche oder jeweils unterschiedliche
gesetzlich vorgegebene Sicherheitsabstände gelten. Der vorgegebene erste bzw. zweite Abstand ist dann entsprechend ausgebildet .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine erste Seite und eine von der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf. Die
elektromagnetische Strahlung verlässt das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite. Der Abstandshalter ist mindestens auf der zweiten Seite
angeordnet. Dies kann auf dazu beitragen, den Abstandshalter auf einfache Weise an der Schichtstruktur zu befestigen.
Ferner kann der Abstandshalter dazu verwendet werden, das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement zu befestigen.
Ferner kann der Abstandshalter einen Schutz für die Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bilden
beispielsweise gegenüber mechanischen Einwirkungen,
Beispielsweise ist die erste Seite eine Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, wobei dann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement auch als Top-Emitter bezeichnet werden kann. Der Abstandshalter ist dann
mindestens auf einer von der Vorderseite abgewandten
Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet . Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen verläset die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende
Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite und der Abstandshalter ist mindestens auf der ersten Seite
angeordnet. Dies ermöglicht, den Abstandshalter auf einfache Art und Weise an der Schichtstruktur zu befestigen.
Beispielsweise ist die erste Seite eine Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, wobei dann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement auch als Top-Emitter bezeichnet werden kann. Der Abstandshalter kann dann dazu genutzt werden, die elektromagnetische Strahlung zu
beeinflussen, beispielsweise zu streuen, zu konvertieren oder in eine Richtung zu richten. Ferner kann der Abstandshalter einen Schutz für die Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bilden beispielsweise gegenüber mechanischen Einwirkungen.
Der Abstandshalter an der ersten Seite kann zusätzlich oder alternativ zu dem Abstandshalter auf der zweiten Seite angeordnet sein. Ferner kann das Licht emittierende
Halbleiter-Bauelement ein Bottom-Emitter sein und der bzw. die Abstandshalter können auf der ersten und/oder zweiten Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements
angeordnet sein. Außerdem kann das Licht emittierende
Halbleiter-Bauelement ein Top- und Bottom-Emitter sein, beispielsweis eine transparente OLED, und der bzw. die
Abstandshalter können auf der ersten und/oder zweiten Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Abstandshalter eine Aufnahmeausnehmung auf . Die Schichten und/oder weitere Schichten der Schichtstruktur und/oder eine mit der Schichtstruktur gekoppelte Wärmesenke sind zumindest teilweise in der Auf ahmeausnehmung angeordnet.
Beispielsweise können eine Trägerschicht, ein Träger und/oder ein Substrat der Schichtstruktur durch die Aufnahmeausnehmung hindurch oder in die Aufnahmeausnehmung ragen. Die Wärmesenke kann beispielsweise eine Graphit- oder Aluminiumschicht sein, die beispielsweise auf der Rückseite der Schichtstruktur aufgebracht ist. Über die Wärmesenke kann eine
Wärmeankopplung der Schichtstruktur erfolgen, so dass während des Betriebs des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv aus dem Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelement abgeführt werden kann. In anderen Worten kann eine Wärmekopplung des Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelements über die
Aufnahmeausnehmung des Abstandhalters erfolgen. Die
Wärmesenke kann auch zur Wärmespreizung und/oder zur
Wärmeverteilung, beispielsweise zu einer gleichmäßigen
Wärmeverteilung dienen und/oder beitragen. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Abstandshalter zum Koppeln mit der Schichtstruktur mindestens eine Koppelausnehmung auf . Die Koppe1ausnehmung ist
beispielsweise dazu ausgebildet , dass durch sie ein Mittel zum Koppeln des Abstandshalters mit der Schichtstruktur geführt werden kann . Beispielsweise kann über die
Koppe1ausnehmung Lötzinn zwischen den Abstandshalter und die Schichtstruktur geführt werden, so dass der Abstandshalter mit der Schichtstruktur über eine LötVerbindung gekoppelt ist . Die Koppelausnehmung kann in diesem Zusammenhang auch als Löt-Auge oder als Löt-Via bezeichnet werden . Die
Lötverbindung kann zur mechanischen Kopplung von
Abstandshalter an Schichtstruktur und/oder zur elektrischen Kopplung der Schichtstruktur über den Abstandshalter dienen. Alternativ oder zusätzlich zu der dem Herstellen der
Lötverbindung über die Koppelausnehmung kann die
LötVerbindung auch seitlich beispielsweise mit Hilfe einer flachen Lötspitze hergestellt werden . Optional kann dann auf die Koppe1ausnehmung verzichtet werden .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Schichtstruktur mindestens eine Kontaktleiste auf , mit der Abstandshalter gekoppelt ist . Die Kontaktleiste dient
beispielsweise zum Kontaktieren der Schichtstruktur,
beispielsweise zum Anlegen einer Spannung an die elektrisch leitende Schicht, beispielsweise die Elektrodenschichten. Der Abstandshalter kann rein zur mechanischen Befestigung des Abstandshalters mit der Kontaktleiste gekoppelt sein und/oder der Abstandshalter kann zur elektrischen Ankopplung der
Kontaktleiste mit der Kontaktleiste über den Abstandshalter gekoppelt sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Abstandshalter eine Leiterplatte auf. Die Leiterplatte kann beispielsweise keramische Isolationsmaterialien, Kunststoff und/oder ein Kunstharz aufweisen. Beispielsweise kann die Leiterplatte eine Metallkernplatine sein, die zumindest teilweise in eine elektrisch isolierende Keramik eingebettet ist. Ferner können Fasermatten in den Kunststoff bzw. das Kunstharz eingebettet sein. Beispielsweise weist der
Abstandshalter eine FR4 -Leiterplatte oder eine FR5- Leiterplatte auf. Dies kann dazu beitragen, den
Abstandshalter einfach und kostengünstige herzustellen.
Ferner kann dies dazu beitragen, die Kontaktleisten und/oder die Schichtstruktur auf einfache Weise kontaktieren zu könne .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn auf, die mit der Kontaktleiste gekoppelt ist. Beispielsweise kann die
Leiterbahn über die Koppelausnehmung mit der Kontaktleiste gekoppelt sein. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann dann über die Leiterbahn der Leiterplatte einfach kontaktiert werden. Dies kann dazu beitragen, das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement bei seiner Verwendung einfach in einer übergeordneten Vorrichtung anzuordnen und anzuschließen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weisen die
Schichtstrukturen der Abstandshalter mindestens je eine
Orientierungsmarke auf. Die Orientierungsmarken sind einander zugeordnet. Dies kann auf einfach Weise zu einem einfachen und/oder präzisen Hersteilen des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements beitragen. Durch die
Orientierungsmarken ist der Abstandshalter so bezüglich der Schichtstruktur ausgerichtet, dass die Leiterplatte
bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste ausgerichtet ist. In anderen Worten geben die Orientierungsmarken eine relative Orientierung der Schichtstruktur, insbesondere der
Kontaktleiste auf der Schichtstruktur, zu dem Abstandshalter beim Herstellen des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements vor. Beispielsweise können die körperlichen
Strukturen der Schichtstruktur und des Abstandshalters so ausgebildet sein, dass grundsätzlich unterschiedliche
relative Orientierung des Abstandshalters zu der
Schichtstruktur möglich sind. Die Orientierungsmarken können dann dazu beitragen, dass die Schichtstruktur und der
Abstandshalter dennoch eine eindeutige Orientierung
zueinander haben. Dies kann beispielsweise vorteilhaft sein, wenn eine nicht bestimmungsgemäße Orientierungen
beispielsweise zu einer falschen Kontaktierung (Verpolung) der Schichtstruktur führen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispieien weist der
Abstandshalter eine optische Schicht auf. Die optische
Schicht wirkt sich auf die elektromagnetische Strahlung aus, die in der optisch funktionellen Schicht erzeugt wird. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn der Abstandshalter auf der Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet ist, auf der die elektromagnetische Strahlung emittiert wird. Die elektromagnetische Strahlung tritt dann durch den Abstandshalter und kann von diesem auf vorgegebene Art und Weise beeinflusst werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispieien ist die optische Schicht eine Streuschicht und/oder Konversionsschicht. Die Streuschicht dient dazu, die in der optisch funktionellen Schicht erzeugte elektromagnetische Strahlung zu streuen. Die Konversionsschicht dient dazu, die elektromagnetische
Strahlung zu konvertieren und beispielsweise die Wellenlängen der erzeugten elektromagnetischen Strahlung hin zu längeren Ii oder kürzeren Wellenlängenbereichen zu verschieben. In anderen Worten kann der Abstandshalter als Konversionselement dienen, wie es beispielsweise aus Remote- Phosphor- und/oder LARP-Anwendungen bekannt ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine mit der
Schichtstruktur gekoppelte Wärmesenke auf. Der Abstandshalter ist dann beispielsweise so ausgebildet, dass durch ihn mindestens der vorgegebene erste Abstand zwischen der
elektrisch leitenden Schicht und der Wärmesenke vorgegeben ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen-.
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel einer Schichtstruktur für ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement,
Figur 2 eine Ansicht einer Vorderseite eines
Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ,
Figur 3 eine Ansicht einer Rückseite des Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelements gemäß Figur 2,
Figur 4 eine Schnittdarstellung durch das Licht
emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 2 ,
Figur 5 eine Ansicht einer Rückseite eines
Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ,
Figur 6 eine Schnittdarstellung durch das Licht
emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 5, Figur 7 eine Ansicht einer Vorderseite eines
Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements , Figur 8 eine Schnittdarstellung durch das Licht
emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 7 ,
Figur 9 eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements ,
Figur 10 eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements ,
Figur 11 eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements , Figur 12 eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements ,
Figur 13 eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements ,
Figur 14 eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements ,
Figur 15 ein Ausführungsbeispiel eines Abstandshalters und ein Ausführungsbeispiel einer Schichtstruktur, Figur 16 ein Ausführungsbeispie1 eines Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. Ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement kann in
verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine Licht
emittierende Diode {light emitting diode, LED) oder eine organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein Licht emittierender Transistor oder organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Fig.1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer
Schichtstruktur 1 eines Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement ist bei diesem
Ausführungsbeispiel beispielsweise eine organische
Leuchtdiode .
Die Schichtstruktur 1 weist beispielsweise einen Träger 2 auf. Der Träger 2 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise Licht emittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 2 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 2 eine Metallfolie, eine Kunststofffolie und/oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffollen aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine
(beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) } aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 2 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Der Träger 2 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein,
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Licht emittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur {beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen,
Für den Fall, dass beispielsweise ein Licht emittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Halbleiter-Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtstruktur zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode (oder auch allgemein das bzw. die Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) als ein Top- und/oder Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes
Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. Bei einem Top-Emitter emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Vorderseite und bei einem Bottom-Emitter
emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Rückseite. Bei einem Top- und Bottom- Emitter emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Vorderseite und an der Rückseite. Die Schichtstruktur 1 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen beispielsweise eine optional auf oder über dem Träger 2 angeordnete Barriereschicht 4 aufweisen. Die Barriereschicht 4 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid , Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. Ferner kann die Barriereschicht 4 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis 5000 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von 40 nm .
Die Schichtstruktur 1 kann in verschiedenen
Ausfuhrungsbeispielen einen auf oder über der BarriereSchicht 4 angeordneten elektrisch aktiven Bereich 6 des Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelements aufweisen . Der
elektrisch aktive Bereich 6 kann als der Bereich des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelements fließt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende
Halbleiter-Bauelement eine , zwei oder mehr elektrisch
leitende Schichten auf . Beispielsweise weist der elektrisch aktive Bereich 6 als erste elektrisch leitende Schicht eine erste Elektrodenschicht 10 und als zweite elektrisch leitende Schicht eine zweite Elektrodenschicht 14 auf . Ferner weist bei verschiedenen Ausführungsbeispielen der elektrisch aktive Bereich eine organische funktionelle Schicht 12 auf .
Alternativ oder zusätzlich können noch weitere Schichten der Schichtstruktur 1 des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements elektrisch leitend ausgebildet sein. Als
elektrisch leitende Schicht ist egliche Schicht des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements zu verstehen, an der vor, während oder nach einem Betrieb des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem Licht erzeugt wird, eine
Spannung anliegen und/oder durch die ein St om fließen kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barriereschicht 4 (oder, wenn die Barriereschicht 4 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 2) die erste
Elektrodenschicht 10 aufgebracht sein. Die erste
Elektrodenschicht 10 (im Folgenden auch als untere
Elektrodenschicht 10 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid
(transparent conductive oxide, TCO) oder einem
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder
unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente , leitfähige Materialien, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- inn-Oxid ( ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder Ιη203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen , wie beispielsweise AlZnO , Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03 , Zn2I 205 oder
I 4s 30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in
verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiomefrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 gebildet sein aus einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid- Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . In verschiedene Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 eines oder mehrere der
folgenden Materialien aufweisen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag,- Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrodenschicht 10 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige
transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrodenschicht 10 und der Träger 2 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrodenschicht 10 aus einem Metall gebildet ist, kann die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise
Schichtdicken größer oder gleich 10 nm aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke größer oder gleich 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrodenschicht 10 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 15 nm bis 18 nm. Weiterhin kann für den Fall , dass die erste Elektrodenschicht 10 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet ist, die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 50 nm bis 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 75 nm bis 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 1 nm bis 150 nm. Ferner kann für den Fall , dass die erste Elektrodenschicht 10 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem
Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen- Schichten und Kompositen gebildet ist, die erste
Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von 1 nm bis 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 40 nm bis 250 nm.
Die erste Elektrodenschicht 10 kann als Anode, also als
Löcher injizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine Elektronen injizierende
Elektrodenschicht .
Die erste Elektrodenschicht 10 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer nicht dargestellten Energiequelle, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 2 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an der ersten Elektrodenschicht 10 angelegt werden bzw. sein. Das erste elektrische Potential kann
beispielsweise das Massepotential oder ein anderes
vorgegebenes Bezugspotential sein. Der elektrisch aktive Bereich 6 des Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements kann eine optisch funktionelle Schicht 12 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrodenschicht 10 aufgebracht ist. Die optisch funktionelle Schicht 12 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Ein, zwei oder mehr der Teilschichten können beispielsweise eine organische elektrolumineszente Schicht oder
Schichtenfolge aufweisen.
Die optisch funktionelle Schicht 12 kann eine oder mehrere Emitterschichten 18, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, aufweisen, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 16 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) ) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 16 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) ) vorgesehen sein. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelement gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 18
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen {z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic {Bis (3 , 5-difluoro-2- { 2 -pyridyl) phenyl - (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir {ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) {Tris [4,4' -di-tert- butyl- · 2 , 2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4 -Bis [4 - (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
{9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl~6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. Ferner können alternativ oder zusätzlich andere geeignete Emittermaterialien
vorgesehen sein. Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 18 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das Licht emittierende Halbleiter- Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschich (en) 18 kann/können mehrere verschiedenf rbig {zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 18 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 18 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 18, einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 18 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 18. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann Licht mit einem weißen Farbeindruck erzeugt werden. Alternativ kann vorgesehen sein, im
Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten
Primäremission ein Konvertermaterial, beispielsweise in einer Konversionsschicht, anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer
Farbeindruck ergibt. Eine derartige KonversionsSchicht kann somit dazu dienen einen Wellenlängenbereich der
Primärstrahlung oder Anregungsstrahlung zu verschieben.
Die optisch funktionelle Schicht 12 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische
Monomere, organische kleine, nicht -polymere Moleküle („small molecules" ) oder eine Kombination dieser Materialien
aufweisen. Beispielsweise kann die optisch funktionelle
Schicht 12 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht 20 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die optisch funktioneile Schicht 12 eine oder mehrere
funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 16 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht 20 können
beispielsweise tertiäre Amine , Carbazoderivate , leitendes
Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 20 auf oder über der ersten
Elektrodenschicht 10 aufgebracht , beispielsweise
abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 18 kann auf oder über der Lochtransportschicht 20 aufgebrach , beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Elektronentransportschicht 16 auf oder über der Emitterschicht 18 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 12 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 20 und Emitterschicht (en) 18 und Elektronentransportschicht (en) 16} eine Schichtdicke aufweisen von maximal 1,5 μνη, beispielsweise eine
Schichtdicke von maximal 1 , 2 μτα, beispielsweise eine
Schichtdicke von maximal 1 μνα, beispielsweise eine
Schichtdicke von maximal 800 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von maximal 500 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von maximal 400 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von maximal 300 nm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 12 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen
Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal 1 , 5 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1, 2 μτα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1 μτα,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 800 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch
funktionelle Schicht 12 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs
aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die optisch
funktionelle Schicht 12 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μνα.
Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten,
beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 18 oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht (en) 16 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelements weiter zu verbessern, beispielsweise Einkoppelschichten, Auskoppelschichten oder
Streuschichten .
Auf oder über der optisch funktionellen Schicht 12 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen Schichten kann die zweite Elektrodenschicht 14 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 14) aufgebracht sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrodenschicht 14 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrodenschicht 10, wobei in verschiedenen
Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrodenschicht 14 beispielsweise eine Schichtdicke
aufweisen von kleiner oder gleich 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 40 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 10 nm.
Die zweite Elektrodenschicht 14 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet sein wie die erste Elektrodenschicht 10, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrodenschicht 14 kann in verschiedenen Äusführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrodenschicht 10 beschrieben. In verschiedenen
Äusführungsbeispielen sind die erste Elektrodenschicht 10 und die zweite Elektrodenschicht 14 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte Licht emittierende Halbierter-Bauelement als Top- und/oder Bottom-Emitter, beispielsweise als transparentes Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement ausgebildet sein.
Die zweite Elektrodenschicht 14 kann als Anode, also als Löcher injizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine Elektronen injizierende
Elektrodenschicht .
Die zweite Elektrodenschicht 14 kann einen zweiten
elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites
elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential) , beispielsweise bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von 1,5 V bis 20 V aufweist,
beispielsweise einen Wert in einem Bereich von 2,5 V bis 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von 3 V bis 12 V. Auf oder über der zweiten Elektrodenschicht 14 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 6 kann optional noch eine Verkapselung 8, beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht 8 oder Dünnschichtverkapselung gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschicht" bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 8 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen
Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit andere Worten ist die Barrierendünnschicht 8 derart ausgebildet, dass sie von Stoffen, die das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement schädigen kommen , wie Wasser,
Sauerstoff oder Lösemittel, nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht 8 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die
Barrierendünnschicht 8 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines
plasmalosen Atomlageabsche ideverfahrens { Plasma- less Atomic Layer Deposition ( PLALD ) ) , oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma- less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren . Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 8, die mehrere Teilschichten aufweist , alle Teilschichten mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden . Eine
Schichten olge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden . Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 8, die mehrere Teilschichten aufweist , eine oder mehrere
Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 8 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von 0.1 nm (eine Atomlage) bis 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von 10 nm bis 1 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 8 mehrere Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen . Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 8 unterschiedliche Schichtdicken
aufweisen . Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten .
Die Barrierendünnschicht 8 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 8 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 8} aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer
Materialkombination, die transiuzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten} eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 8 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid , Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 8 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungs index, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 8 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack 2.4 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine
Abdeckung 26 (beispielsweise eine Glasabdeckung) auf der Barrierendünnschicht 8 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 24 eine Schichtdicke von größer als 1 μτ aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren /im. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen Licht streuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können, In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als Licht streuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20a)
Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acryla , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartike1 , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrodenschicht 14 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 24 noch eine elektrisch isolierende
Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 300 nm bis 1 , 5 μιιι, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 500 nm bis 1 μπι, um
elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 26. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden .
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 24 verzichtet werden kann, beispielsweise bei Ausführungsbeispielen, bei denen die Abdeckung 26,
beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise
Plasmaspritzens auf die Verkapselung 8 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 26 und/oder der Klebstoff 24 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit einer Verkapselung ,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 8} in dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement vorgesehen sein.
Figur 2 zeigt eine Vorderseite eines Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement weist beispielsweise die vorstehend erläuterte Schichtstruktur 1 auf . Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement und die Schichtstruktur 1 sind bei diesem Ausführungsbeispiel achteckig ausgebildet. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement und die
Schichtstruktur 1 können jedoch eine andere Form aufweisen, beispielsweise können das Licht emittierende Halbleiter- Bauelement und/oder die Schichtstruktur 1 in Vorderansicht rund oder viereckig ausgebildet sein oder eine andere
beliebige Form aufweisen.
Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement weist einen Abstandshalter 40 auf. Der Abstandshalter 40 weist
beispielsweise eine zentrale Aufnahmeausnehmung 42 auf, die in Figur 2 von der Schichtstruktur 1 verdeckt ist und daher in Figur 2 gestrichelt angedeutet ist. Die Auf ahmeausnehmung 42 kann beispielsweise dazu dienen, die Schichtstruktur 1 von einer Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements aus elektrisch und/oder thermisch zu koppeln. Der Abstandshalter 40 weist einen die Auf ahmeausnehmung 42 begrenzenden inneren Rand und einen äußeren ersten Rand 34 auf. Der äußere erste Rand 34 des Abstandshalters 40 hat einen vorgegebenen ersten Abstand 32 zu der Schichtstruktur 1. Der in Figur 2 gezeigte erste Rand 34 des Abstandshalters 40 ist von der Schichtstruktur 1 abgewandt und kann auch als von der Schichtstruktur 1 abgewandter erster Rand 34
bezeichnet werden.
Der Abstandshalter 40 dient zum Einhalten des vorgegebenen ersten Abstands 32 zu der Schichtstruktur 1 bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ,
beispielsweise in einer Leuchte . Beispielsweise dient der Abstandsha.lter 40 zum Einhalten des vorgegebenen ersten
Abstands 32 zu den elektrisch leitenden Schichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1, beispielsweise zu den Elektrodenschichten 10, 14. Der Abstandshalter 40 besteht im Wesentlichen oder vollständig aus elektrisch isolierendem Material .
Beispielsweise besteht der Abstandshalter 40 im Wesentlichen aus elektrisch isolierendem Material und weist ansonsten ein paar wenige elektrisch leitende Bereiche auf . Alternativ dazu kann der Abstandshalter beispielsweise eine Metallkernplatine aufweisen, die zumindest teilweise von einem isolierenden Material umgeben ist , beispielsweise von einer
Isolationsauflage und/oder einer Keramik . Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise einem gesetzlich vorgegebenen Sicherheitsabstand entsprechen oder größer als dieser sein. Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise abhängig von dem elektrischen Potential vorgegeben werden, das an die
Elektrodenschichten 10 , 14 oder deren elektrische Anschlüsse angelegt werden kann oder soll .
In Figur 2 erstreckt sich der vorgegebene Abstand 32 von einem äußeren Rand der Schichtstruktur 1 bis zu dem ersten Rand 34 des Abstandshalters 40. Dabei wird beispielsweise davon ausgegangen, dass sich die elektrisch leitenden
Schichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1 bis zu dem äußeren
Rand der Schichtstruktur 1 erstrecken . Falls sich j edoch die elektrisch leitenden Schichten 10 , 14 in Richtung parallel zu den Schichten nicht bis zum äußeren Rand der Schichtstruktur 1 erstrecken, so kann sich der vorgegebene erste Abstand 32 von dem vorgegebenen ersten Rand 34 bis hin zu einen Rand der nächstliegenden elektrisch leitenden Schicht 10, 14 der
Schichtstruktur 1 erstrecken. Der Abstand des äußeren Rands 34 des Abstandshalters 40 zu dem äußeren Rand der
Schichtstruktur 1 kann dann kleiner sein als der vorgegebene erste Abstand 32.
Ferner erstreckt sich der Abstandshalter 40 bei diesem
Ausführungsbeispiel um den gesamten Umfang der
Schichtstruktur 1. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 auch mehrere Teilabschnitte aufweisen, die j eweils lediglich an Abschnitten des Umfangs der Schichtstruktur 1 angeordnet sind und so den ersten Abstand 32 insbesondere an diesen Abschnitten vorgeben.
Beispielsweise zwischen der Schichtstruktur 1 und dem
Abstandshalter 40 sind mehrere Kontaktleisten 30,
beispielsweise vier Kontaktleisten 30 angeordnet . Alternativ dazu können beispielsweise auch nur zwei, drei oder mehr als vier Kontaktleisten 30 vorgesehen sein. Ferner können die Kontakt leisten 30 auch an anderen Stellen positioniert sein. Die Kontaktleisten 30 dienen beispielsweise dazu, den
Abstandshalter 40 an der Schichtstruktur 1 zu befestigen und/oder die Elektrodenschichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1 über die Kontaktleisten 30 mit dem Abstandshalter 40 zu verbinden. Die Kontaktleisten 30 weisen beispielsweise die elektrischen Anschlüsse der Elektrodenschichten 10 , 14 auf oder sind mit diesen und/oder dem Träger 2 elektrisch
gekoppelt . Der Abstandshalter 40 kann auch dazu dienen, den vorgegebenen Abstand 32 zu einer der Kontaktleisten 30 einzuhalten.
Figur 3 zeigt eine Rückseite des Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements gemäß Figur 2 , wobei die durch den
Abstandshalter 40 verdeckten Kanten der Schichtstruktur 1 und der Kontaktleisten 30 gestrichelt angedeutet sind. Figur 4 zeigt einen Schnitt durch das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 3 im Bereich der
Kontaktleisten 30. Die Schichtstruktur 1 weist eine erste Seite 22 und eine zweite Seite 28 auf. In diesen Zusammenhang kann die erste Seite 22 auch als Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bezeichnet werden.
Dementsprechend kann die zweite Seite 28 auch als Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bezeichnet werden. Beispielsweise ist an der ersten Seite 22, also der "Vorderseite, die Abdeckschicht 26 ausgebildet. Beispielsweise ist an der zweiten Seite 28, also der Rückseite, der Träger 2 ausgebildet. Alternativ dazu können zwischen Abdeckschicht 22 bzw. dem Träger 2 und der ersten bzw. zweiten Seite 22, 28 noch weitere Schichten ausgebildet sein.
Der Abstandshalter 40 ist bei diesem Ausführungsbeispiel an der zweiten Seite 28 des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements befestigt. Beispielsweise ist der Abstandshalter 40 an der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1 festgeklebt. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 über eine, zwei oder mehrere Koppelausnehmungen 44 mit der
Kontaktleiste 30 gekoppelt sein, wobei die Koppe1ausnehmung 44 sich durch den Abstandshalter 40 hindurch erstrecken. Die Koppelausnehmungen 44 können beispielsweise dazu dienen, von der Rückseite aus Lötzinn aufzubringen, welches dann in erhitzten Zustand durch Koppelausnehmungen 44 hindurch fließen kann und über Lötverbindungen 46 den Abstandshalter 40 mit den Kontaktleisten 30 verbinden kann . Dies kann beispielsweise dann vorteilhaft sein, wenn über die
Koppelausnehmungen 44 nicht nur eine mechanische Kopplung des Abstandshalters 40 mit der Schichtstruktur 1 sondern auch eine elektrische Kontaktierung der Kontaktleisten 30 über den Abstandshalter 40 erfolgt, wobei dann in Figur 4 nicht dargestellte Leiterbahnen auf oder in dem Abstandshalter 40 über die Lötverbindung 46 mit den Kontaktleisten 30 verbunden werden können . Die Koppelausnehmungen 44 können in diesem Zusammenhang auch als Löt -Augen oder Löt-Vias bezeichnet werden . Der Abstandshalter 40 ist beispielsweise aus einem im
Wesentlichen isolierenden Material, beispielsweise aus
Keramik, Kunststoff und/oder Kunstharz, gebildet oder weist dieses auf. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 eine, zwei oder mehr Keramikplatten aufweisen. Der Abstandshalter 40 kann beispielsweise durch eine Leiterplatte gebildet sein. Der Abstandshalter kann beispielsweise mittels Ausstanzen, Ausschneiden, Fräsen, Laserschneiden oder ein anderes
Verfahren hergestellt bzw. strukturiert werden.
Der Abstandshalter 40 erstreckt sich parallel zu den
Schichten der Schichtstruktur 1, wobei der erste Rand 34 des Abstandshalters 40 in Richtung parallel zu den Schichten der Schichtstruktur 1 den vorgegebenen ersten Abstand 32 zu den elektrisch leitenden Schichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1 vorgibt .
Figur 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , das weitgehend dem mit Bezug zu den Figuren 2 bis 4 erläuterten Ausführungsb ispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entspricht , wobei im Unterschied dazu zusätzlich eine Wärmesenke 50 auf der
Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet ist . Die Wärmesenke 50 weist beispielsweise eine Schicht auf , die beispielsweise Graphit und/oder Aluminium aufweisen kann . Die Wärmesenke 50 dient dazu, während des Betriebs des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv von der
Schichtstruktur 1 abzuführen. Die Wärmesenke 50 kann
alternativ oder zusätzlich auch dazu dienen, die Wärme zu verteilen, beispielsweise möglichst gleichmäßig zu verteilen . Die Schichtstruktur 1 wird somit durch die Aufnähmeausnehmung 42 des Abstandshalters 40 thermisch gekoppelt .
Figur 6 zeigt eine SchnittdarStellung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements gemäß Figur 5 , aus der hervorgeht , dass die Wärmesenke 50 in die Aufnahmeausnehmung 42 hinein und zumindest teilweise durch die Aufnähmeausnehmung 42 des Abstandshalters 40 hindurch ragt. Der innere Rand des
Abstandshalters 40, der die Aufnahmeausnehmung 42 begrenzt, kann so ausgebildet sein, dass auch durch ihn der vorgegebene erste Abstand 32 zu der elektrisch leitenden Schicht 10 , 14 vorgegeben ist . Dies kann dazu beitragen, zu verhindern, dass die Wärmesenke 50 zu nah an die elektrisch leitende Schicht 10 , 14 und/oder die Kontaktleiste 30 kommt . Eine Dicke in der Wärmesenke 50 kann beispielsweise einer Dicke des
Abstandshalters 40 entsprechen.
Figur 7 zeigt eine weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Bauelements , das weitgehend dem in den Figuren 2 bis 4 erläuterten Ausführungsbeispiel des Licht
emittierenden Bauelements entspricht , wobei im Unterschied dazu auf der Rückseite des Licht emittierenden Bauelements keine Aufnahmeausnehmung 42 ausgebildet ist und somit der Abstandshalter 40 flächig geschlossen ausgebildet ist . Figur 8 zeigt einen Schnitt durch das Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Bauelements gemäß Figur 7 , aus dem ebenfalls hervorgeht , dass der Abstandshalter 40 flächig ausgebildet ist . Der Abstandshalter 40 kann als Schutz der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1 vor mechanischen
Einwirkungen und/oder zur Befestigung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements dienen.
Figur 9 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , das weitgehend den vorstehend
erläuterten Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu keine Koppelausnehmungen 44 ausgebildet sind . Bei pielsweise erfolgt bei diesem Ausführungsbeispiel die elektrische
Ankopplung der Kontaktleisten 30 nicht über den
Abstandshalter 40 sondern beispielsweise direkt,
beispielsweise mittels einer Bondverbindung . Ferner erfolgt die mechanische Kopplung des Abstandshalters 40 an der Schichtstruktur 1 ausschließlich über die zweite Seite 28 der Schichtstruktur 1,
Figur 10 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend den vorstehend erläuterten Ausführungsbeispielen entspricht, wobei im Unterschied dazu der Abstandshalter 40 derart dick ausgebildet ist, dass durch ihn in Richtung senkrecht zu den Schichten der Schichtstruktur 1 ein vorgegebener zweiter Abstand 36 eingehalten wird. Insbesondere weist der
Abstandshalter 40 eine von der Schichtstruktur 1 abgewandte Seite auf, die auch als zweiter Rand 38 bezeichnet werden kann. Der vorgegebene zweite Abstand 36 kann dem vorgegebenen ersten Abstand 32 entsprechen oder von diesem unterschiedlich sein.
Bei dem in Figur 10 gezeigten Ausführungsbeispiel erstreckt sich der vorgegebene zweite Abstand 36 von dem zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 bis hin zu der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1. Dabei wird beispielsweise davon
ausgegangen, dass zumindest eine der elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1 an oder zumindest nahe der zweiten Seite 28 angeordnet ist. Falls jedoch
beispielsweise die Schichten an der zweiten Seite 28 an der Schichtstruktur 1 nicht elektrisch leitend sind, so kann der vorgegebene zweite Abstand 36 sich von dem zweiten Rand 38 bis hin zur nächstliegenden elektrisch leitenden Schicht 10, 14 erstrecken. Somit kann durch den zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 der vorgegebene zweite Abstand 36 nicht nur bis hin zu der zweiten Seite 28 Schichtstruktur 1 vorgegeben sein, sondern im Speziellen zu den elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1.
Figur 11 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend den mit Bezug zu den vorstehenden Figuren erläuterten
Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu der Abstandshalter 40 nicht auf der zweiten Seite 28 sondern auf der ersten Seite 22 des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements angeordnet ist. Falls das Halbleiter-Bauelement • die elektromagnetische Strahlung auf der ersten Seite 22 emittiert, so ist der Abstandshalter 40 vorzugsweise
transluzent ausgebildet. Zusätzlich kann der Abstandshalter 40 als optisch funktionelle Schicht dienen und das erzeugte Licht optisch beeinflussen. Beispielsweise kann der
Abstandshalter 40 als Streuschicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 als Konversionsschicht zum Konvertieren der Wellenlängen der erzeugten
elektromagnetischen Strahlung dienen. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 transparent ausgebildet sein . Der Abstandshalter 40 kann als Schutz der ersten Seite 22 der Schichtstruktur 1 vor mechanischen Einwirkungen dienen.
Figur 12 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , das weitgehend dem in Figur 11 gezeigten Ausführungsbeispie1 des Licht
emittierenden Halbleiter-Bauelements entspricht , wobei im Unterschied dazu, der Abstandshalter 40 derart dick
ausgebildet ist, dass er mit seinem zweiten Rand 38 den vorgegebenen zweiten Abstand 36 vorgibt . Der Abstandshalter 40 kann somit entsprechend dem in Figur 10 gezeigten
Ausführungsbeispiel des Abstandshalters 40 ausgebildet sein und an der ersten Seite 22 der Schichtstruktur 1 angeordnet sein.
Figur 13 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , bei dem die
Schichtstruktur 1 mit den Kontaktleisten 30 im Wesentlichen der bzw . den vorstehend erläuterten Schichtstrukturen 1 mit den entsprechenden Kontaktleisten 30 entspricht . Im
Unterschied zu den vorstehend erläuterten
Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements ist j edoch der Abstandshalter 40 seitlich der Schichtstruktur 1 angeordnet . Beispielsweise erstreckt sich der Abstandshalter 40 bei diesem Ausführungsbeispiel rahmenförmig um den äußeren Rand der Schichtstruktur 1.
Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 lediglich an einzelnen Teilbereichen seitlich der Schichtstruktur 1
ausgebildet sein. Falls die Schichtstruktur 1 beispielsweise achteckig ausgebildet ist, so kann der Abstandshalter 40 beispielsweise an jeder der acht Seiten der Schichtstruktur 1 und/oder an den acht Ecken der Schichtstruktur 1 angeordnet sein, Der Abstandshalter 40 kann beispielsweise als Schutz des äußeren Rands der Schichtstruktur 1 vor mechanischen
Einwirkungen dienen. Der Abstandshalter 40 kann
beispielsweise an der Schichtstruktur 1 festgeklebt sein.
Alternativ oder zusätzlich können der Abstandshalter 40 und/oder die Schichtstruktur 1 Mittel aufweisen, über der
Abstandshalter 40 mit der Schichtstruktur 1 gekoppelt werden kann, beispielsweise mechanisch mit Hilfe eines Rastmittels am Abstandshalter 40 und einer Gegenrast an der
Schichtstruktur 1.
Ferner kann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mit dem Abstandshalter 40 beispielsweise besonders dünn
ausgebildet werden. Figur 14 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend dem mit Bezug zu Figur 13 erläuterten Ausführungsbeispiel entspricht, wobei im Unterschied dazu sich der Abstandshalter 40
senkrecht zu den Schichten der Schichtstruktur 1 derart weit erstreckt, dass auf der ersten und der zweiten Seite 22, 28 der vorgegebene zweite Abstand 36 von dem zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 zu der entsprechenden Seite 22, 28 der Schichtstruktur 1 gebildet ist. Alternativ dazu kann der Äbstandshalter 40 auch so ausgebildet sein, dass der
vorgegebene zweite Abstand 36 in Richtung senkrecht zu den Schichten lediglich zu einer der beiden Seiten 22, 28
vorgegeben ist. Figur 15 zeigt eine Vorderansicht des Abstandshalters 40 gemäß Figur 2 und eine Ansicht der Rückseite der
Schichtstruktur 1 gemäß Figur 3 , In anderen Worten ist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement in Figur 15
aufgeklappt dargestellt . Im Unterschied zu dem in Figur 2 und 3 gezeigten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden
Halbleiter-Bauelements sind bei diesem Ausführungsbeispiel lediglich zwei Kontaktleisten 30 vorgesehen . Alternativ dazu können j edoch die vier Kontaktleisten 30 vorgesehen sein .
Korrespondierend zu den Kontaktleisten 30 der Schichtstruktur 1 weist der Abstandshalter 40 Lei erbahnen 52 auf . Der
Abstandshalter 40 ist beispielsweise eine Leiterplatte und/oder kann in diesem Zusammenhang auch als Leiterplatte bezeichnet werden. Die Leiterbahnen 52 dienen zum
Kontaktieren der Kontaktleisten 30. Die Leiterbahnen 52 können auch auf einer in Figur 3 gezeigten Rückseite des Abstandshalters 40 ausgebildet sein und die Kontaktleisten durch die in Figur 4 gezeigten Koppelausnehmungen 44
kontaktieren. Das Ausbilden des Abstandshalters 40 als
Leiterplatte und/oder die Leiterbahnen 52 können dazu
beitragen, dass das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement einfach und/oder kostengünstig kontaktierbar ist.
Der Abstandshalter 40 und die Schichtstruktur 1 weisen jeweils einander zugeordnete Orientierungsmarken 54 auf .
Falls die in Figur 15 gezeigte Schichtstruktur 1 auf die in Figur 15 gezeigten Abstandshalter 40 geklappt wird, so liegen in Draufsicht die beiden Orientierungsmarken 54 übereinander . Durch die Orientierungsmarken 54 ist eine relative
Orientierung der Schichtstruktur 1 zu dem Abstandshalter 40 vorgegeben . Mit Hilfe der Orientierungsmarken 54 kann
beispielsweise sichergestellt sein, dass die Zuordnung der Leiterbahnen 52 zu den Kontaktleisten 30 eindeutig und/oder richtig ist . Die Orientierungsmarken 54 können einfach dazu beitragen, dass bei einem Herstellungsprozess des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements die relative Ausrichtung bzw. Orientierung der Schichtstruktur 1 zu dem Abstandshalter 40 bestimmungsgemäß erfolgt . Figur 16 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem der
Abstandshalter 40 und die Schichtstruktur 1 viereckig
ausgebildet sind . Ansonsten kann das in Figur 16 gezeigte Ausführungsbeispiel beispielsweise dem in Figur 7 gezeigten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements entsprechen. Bei allen vorstehend gezeigten Ausführungsbeispxelen kann der Abstandshalter 40 zusätzlich zu dem vorgegeben der Abstände 32, 36 beispielsweise dazu verwendet werden, die
Schichtstruktur 1 zu befestigen und/oder aufzunehmen, dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement mechanische
Stabilität zu geben und/oder die Seite (erste , zweite, äußere ) der Schichtstruktur 1 zu schützen, an der der
Abstandshalter 40 angeordnet ist. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 mit einem vorgegebenen Design ausgebildet v/erden, so dass das Design des Abstandshalters 40 zum Erscheinungsbild des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements beiträgt . Falls der Abstandshalter 40 auf der Seite 22 , 28 der Schichtstruktur 1 angeordnet ist, auf der die elektromagnetische Strahlung ausgekoppelt wird, so kann der Abstandshalter 40 beispielsweise auch als
AuskoppelSchicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 dann derart ausgebildet sein, dass die elektromagnetische Strahlung durch den Abstandshalter 40 strukturiert und/oder gerichtet wird. Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispie1e beschränkt . Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen nur an Teilabschnitten des äußeren Rands der Schichtstruktur 1 ausgebildet sein und so nur an diesen Bereichen den
entsprechenden Abstand 32 , 36 vorgeben . Beispielsweise können derartig segmentierte Abstandshalter 40 an Seitenkanten oder Ecken der Schichtstruktur 1 angeordne sein. Ferner können die gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen auf der ersten und/oder der zweiten Seite 22, 28 angeordnet sein. Ferner kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen alternativ oder
zusätzlich, wie in Figur 13 gezeigt, als Rahmen um die
Schichtstruktur 1 ausgebildet sein, Ferner können bei allen gezeigten Ausführungsbeispielen die Koppelausnehmungen 44 in dem Abstandshalter 40 ausgebildet sein oder nicht. Ferner kann bei allen Ausführungsbeispielen die elektrische
Ankopplung der Kontaktleisten 30 über den Abstandshalter 40 oder unabhängig von dem Abstandshalter 40 erfolgen. Ferner kann die Form des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bei allen gezeigten Ausführungsbeispielen von der achteckigen bzw. viereckigen Form abweichen. Beispielsweise kann die Form in Draufsicht kreisförmig beispielsweise rund oder oval, oder polygonförmig beispielsweise dreieckig, fünfeckig oder sechseckig ausgebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen hat ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement eine Schichtstruktur 1, die mindestens eine optisch funktionelle Schicht 12 zum
Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht 10, 14 aufweist, und mindestens einen Abstandshalter 40 zum Vorgeben eines
Abstands 32, 36 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14, wobei der Abstandshalter 40 mit der Schichtstruktur 1 gekoppelt ist und wobei ein von der Schichtstruktur 1 abgewandter Rand 34, 38 des Abstandshalters 40 mindestens den vorgegebenen Abstand 32, 36 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14 hat.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter 40 in Richtung parallel zu den Schichten 10, 12, 14 und in Richtung weg von der Schichtstruktur 1 und ein von der Schichtstruktur 1 abgewandter erster Rand 34 des
Abstandshalters 40 hat in Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand 32 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter 40 in Richtung senkrecht zu den Schichten 10, 12, 14 und in Richtung weg von der Schichtstruktur 1 und ein von der Schichtstruktur 1 abgewandter zweiter Rand 38 des Abstandshalters 40 hat in Richtung senkrecht zu den Schichten 10 , 12 , 14 einen vorgegebenen zweiten Abstand 36 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die elektrisch leitende Schicht 10, 14 eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die optisch funktionelle
Schicht 12. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der vorgegebene
Abstand 32, 36 ein gesetzlich vorgegebener
Sicherheitsabstand .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine erste Seite 22 und eine von der ersten Seite 22 abgewandte zweite Seite 28 auf , wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite 22 verlässt und wobei der Abstandshalter 40 mindestens auf der zweiten Seite 28 angeordnet ist .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine erste Seite 22 und eine von der ersten Seite 22 abgewandte zweite Seite 28 auf, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite 22 verlässt und wobei der Abstandshalter 40 mindestens auf der ersten Seite 22 angeordnet ist . Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Abstandshalter 40 eine Aufnahmeausnehmung 42 auf und in der Aufnahmeausnehmung 42 sind die Schichten 10 , 12 , 14 und/oder weitere Schichten 2 , 4 , 6, 8, 24 , 26 der Schichtstruktur 1 und/oder eine mit der Schichtstruktur 1 gekoppelte Wärmesenke 50 angeordnet.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Abstandshalter 40 zum Koppeln mit der Schichtstruktur 1 mindestens eine Koppelausnehmung 44 auf.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Schichtstruktur 1 mindestens eine Kontaktleiste 30 auf , mit der der Abstandshalter 40 gekoppelt ist .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Abstandshalter 40 eine Leiterplatte auf. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn 52 auf, die mit der Kontak leiste 30 gekoppelt ist .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weisen die
Schichtstruktur 1 und der Abstandshalter 40 je eine
Orientierungsmarke 54 auf , die einander zugeordnet sind und durch die der Abstandshalter 40 so zu der Schichtstruktur 1 ausgerichtet ist , dass die Leiterplatte bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste 30 ausgerichtet ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der
Abstandshalter 40 eine optische Schicht auf .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die optische Schicht eine Streuschicht und/oder eine Konversionsschicht .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine mit der
Schichtstruktur 1 gekoppelte Wärmesenke 50 auf und der
Abstandshalter 40 ist so ausgebildet , dass durch ihn
mindestens der vorgegebene erste Abstand 32 zwischen der elektrisch leitenden Schicht 10, 14 und der Wärmesenke 50 vorgegeben ist .

Claims

Patentansprüche
1. Organische Leuchtdiode mit einer Schichtstruktur (1), die mindestens eine optisch funktionelle Schicht (12) zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht (10, 14) aufweist, und mit mindestens einem Abstandshalter (40) zum Vorgeben eines
Abstands { 32 , 36) zu der elektrisch leitenden Schicht (10 , 14 ) , wobei der Abstandshalter (40) mit der Schichtstruktur (1) gekoppelt ist und wobei ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter Rand (34 , 38 ) des Abstandshalters (40 ) mindestens den vorgegebenen Abstand (32, 36) zu der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) hat und wobei der vorgegebene Abstand (32 , 36) ein gesetzlich vorgegebener Sicherheitsabstand ist .
2. Organische Leuchtdiode nach Anspruch 1 , bei dem sich der Abstandshalter (40) in Richtung parallel zu den Schichten
(10 , 12, 14 ) und in Richtung weg von der Schichtstruktur (1) erstreckt und bei dem ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter erster Rand (34 ) des Abstandshalters (40) in
Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand (32) zu der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) hat .
3. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem sich der Abstandshalter (40 ) in Richtung senkrecht zu den Schichten (10 , 12, 14 ) und in Richtung weg von der Schichtstruktur (1) erstreckt und bei dem ein von der Schichtstruktur ( 1) abgewandter zweiter Rand (38 ) des Abstandshalters (40) in Richtung senkrecht zu den Schichten (10 , 12 , 14 ) einen vorgegebenen zweiten Abstand (36) zu der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) hat .
4. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche , bei dem die elektrisch leitende Schicht (10 , 14 ) eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen
Spannung an die optisch funktionelle Schicht (12) ist .
5. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche, das eine erste Seite (22) und eine von der ersten Seite (22) abgewandte zweite Seite (28) aufweist, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende
Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite (22) verlässt und wobei der Abstandshalter (40) mindestens auf der zweiten Seite (28) angeordnet ist.
6. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche, das eine erste Seite (22) und eine von der ersten Seite (22) abgewandte zweite Seite (28) aufweist, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende
Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite (22) verlässt und wobei der Abstandshalter (40) mindestens auf der ersten Seite (22) angeordnet ist.
7. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) eine
Aufnähmeausnehmung (42) aufweist und bei dem die Schichten (10, 12, 14) und/oder weitere Schichten (2, 4 , 6, 8, 24, 26) der Schichtstruktur (1) und/oder eine mit der Schichtstruktur (1) gekoppelte Wärmesenke (50) in der Aufnahmeausnehmung (42) angeordnet sind.
8. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche , bei dem der Abstandshalter (40) zum Koppeln mit der Schichtstruktur (1) mindestens eine Koppelausnehmung (44) aufweist .
9. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche , bei dem die Schichtstruktur (1) mindestens eine Kontaktleiste (30) aufweist , mit der der Abstandshalter (40 ) gekoppelt ist .
10. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) eine Leiterplatte aufweist .
11. Organische Leuchtdiode nach den Ansprüchen 9 und 10, bei dem die Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn (52)
aufweis , die mit der Kontaktleiste (30) gekoppelt ist .
12. Organische Leuchtdiode nach Anspruch 11 , bei dem die Schichtstruktur (1) und der Abstandshalter (40) je eine
Orient ierungsmarke (54) aufweisen, die einander zugeordnet sind und durch die der Abstandshalter (40) so zu de
Schichtstruktur (1) ausgerichtet is , dass die Leiterplatte bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste (30) ausgerichtet ist .
13. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche , bei dem der Abstandshalter (40) eine optische Schicht aufweist .
14. Organische Leuchtdiode nach Anspruch 13 , bei dem die optische Schicht eine Streuschicht und/oder eine
Konversionsschicht ist .
15. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden
Ansprüche, das eine mit der Schichtstruktur (1) gekoppelte Wärmesenke (50) aufweist und bei dem der Abstandshalter (40 ) so ausgebildet is , dass durch ihn mindestens der vorgegebene erste Abstand (32) zwischen der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) und der Wärmesenke (50) vorgegeben ist .
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013113001B4 (de) * 2013-09-13 2018-05-24 Osram Oled Gmbh Modul und Anordnung mit einem Modul
DE102014110719A1 (de) 2014-07-29 2016-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009129771A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 面状発光モジュール及び照明器具
WO2010116300A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Koninklijke Philips Electronics N. V. Oled device with aesthetical appearance
WO2010131156A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Koninklijke Philips Electronics N. V. Cooling of electroluminescent devices
CN102290533A (zh) * 2011-07-29 2011-12-21 友达光电股份有限公司 有机发光组件及其制造方法及使用其的照明装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7300182B2 (en) * 2003-05-05 2007-11-27 Lamina Lighting, Inc. LED light sources for image projection systems
US20040264195A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-30 Chia-Fu Chang Led light source having a heat sink
KR100653645B1 (ko) * 2005-12-27 2006-12-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
DE102007015893A1 (de) * 2007-04-02 2008-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zum Betrieb und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009129771A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 面状発光モジュール及び照明器具
WO2010116300A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Koninklijke Philips Electronics N. V. Oled device with aesthetical appearance
WO2010131156A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Koninklijke Philips Electronics N. V. Cooling of electroluminescent devices
CN102290533A (zh) * 2011-07-29 2011-12-21 友达光电股份有限公司 有机发光组件及其制造方法及使用其的照明装置
US20130026517A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Au Optronics Corp. Organic luminance device, method for manufacturing same and lighting apparatus including same

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