WO2013153202A1 - Light-emitting semiconductor component - Google Patents

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WO2013153202A1
WO2013153202A1 PCT/EP2013/057690 EP2013057690W WO2013153202A1 WO 2013153202 A1 WO2013153202 A1 WO 2013153202A1 EP 2013057690 W EP2013057690 W EP 2013057690W WO 2013153202 A1 WO2013153202 A1 WO 2013153202A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
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layer
spacer
layer structure
light
layers
Prior art date
Application number
PCT/EP2013/057690
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German (de)
French (fr)
Inventor
Christoph Gärditz
Kilian REGAU
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of WO2013153202A1 publication Critical patent/WO2013153202A1/en

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling

Definitions

  • the invention relates to a light-emitting semiconductor component with a layer structure.
  • the layer structure has at least one optically functional layer
  • Lamps or lamps are to be observed.
  • one of these standards defines a safety distance to elements of light sources of the lamp or lamp
  • LLS air gap and creepage distance
  • Light modules, Lightengines and retrofit lamps In the case of light-emitting semiconductor components, optimal development of the substrate carrying the emitting layers is aimed at during development and production. This may, for example, help to achieve a relatively high yield per substrate, which can contribute to relatively low production costs.
  • Utilization of the substrate can be achieved, for example, by all layers, in particular also current-carrying or under-voltage elements and / or layers of light emitting semiconductor devices, are basically formed to an outer edge of the light-emitting semiconductor device. The safety margin must then be taken into account in the luminaire or lamp in which the light-emitting semiconductor component is installed.
  • lighting devices are known in which light-emitting semiconductor components are used and in which no safety margin must be maintained. These light-emitting devices also use light-emitting semiconductor components in which the substrate is optimally utilized. The provision of the safety margin in forming the layer structure of the semiconductor light-emitting device is thus in these
  • Lighting devices not necessary and may even be detrimental to the light output.
  • Safety distance is required, e.g. less than 25V.
  • several light-emitting semiconductor components may be divided into individual sections, in which the individual voltages are each technically limited by the voltage supply to values that none for this
  • ' becomes a light
  • a light becomes ei
  • the layer structure has at least one optically functional layer for generating
  • the semiconductor light-emitting device has at least one spacer for setting a distance to the electrically-conductive layer.
  • the spacer is coupled to the layer structure and a front of the layer structure facing away from the edge of the spacer has the predetermined distance from the electrically conductive. Shift.
  • the arrangement of the spacer in the semiconductor light-emitting device contributes to simple and / or
  • the predetermined distance is maintained to the electrically conductive layer.
  • the predetermined distance for example, a legally prescribed
  • the specified distance can also be greater than the legally prescribed safety distance.
  • the spacer forms a projection arranged around the layer structure, through which no housing and / or no other component can fall below the predetermined distance. The spacer thus provides in a simple way the
  • Safety distance for example, the LKS, safe.
  • the semiconductor light-emitting device can be used in
  • electrically conductive layer is electrically conductive means in this context that the layer
  • the electrically conductive layer is provided for applying a voltage and / or for conducting current.
  • the electrically conductive layer before, during or after operation of the Light emitting semiconductor device in which the electromagnetic radiation is generated are under tension.
  • the electrically conductive layer can serve to generate the electromagnetic radiation.
  • the electrically conductive layer may also be a layer to which a voltage is applied due to the function. That the edge of the spacer of the
  • Layer structure is facing away, essentially means that the edge of the layer structure is not facing.
  • the spacer is a body having one, two or more edges, with a first set of edges, for example one, two or more, facing the layered structure and with all the remaining edges being of the
  • the spacer may be integrally formed or the spacer may have a plurality of interconnected or independent sections. Further, a semiconductor light-emitting device may have a plurality of spacers.
  • the spacer has electrically insulating material.
  • the spacer may be substantially or completely formed of electrically insulating material.
  • the spacer may comprise or be formed of ceramic, a glass plate and / or acrylic.
  • the spacer may be essentially formed of electrically insulating material and otherwise isolated electrically conductive sections,
  • contact means for example, contact means and / or conductor tracks
  • the spacer extends at least partially in the direction parallel to the layers and in the direction away from the layer structure.
  • a first edge of the spacer facing away from the layer structure has a predetermined first distance to the electrically conductive layer in the direction parallel to the layers. This contributes in a simple manner to the fact that when using the light-emitting semiconductor component in the direction parallel to the layer structure of the predetermined Distance is maintained.
  • the first edge may be, for example, one of the above-explained edges of the spacer.
  • the predetermined first distance may be, for example, the distance explained above.
  • the spacer extends in the direction perpendicular to the layers and in the direction away from the layer structure.
  • Layer structure facing away from the second edge of the spacer has in the direction perpendicular to the layers inen predetermined second distance to the electrically conductive Schich. This contributes to the fact that, when the light-emitting semiconductor component is used, the predetermined distance perpendicular to the layer structure is maintained.
  • the predetermined second distance may correspond to the predetermined first distance or be different from this.
  • the spacer extending parallel to the layers may be the same
  • Spacers be like the one that is perpendicular to the
  • Spacers extend perpendicular and / or parallel to the layers and according to perpendicular and / or parallel to the layers specify the respective distance.
  • two or more spacers may also be arranged with one, two or more of the absorber members extending parallel to the layers and with one, z or more of the spacers extending perpendicular to the layers.
  • the electrically conductive layer is an electrode layer for applying an electrical voltage to the optically functional layer.
  • the layer structure may comprise two electrically conductive layers, which are formed as electrode layers, for example as anode layer and as cathode layer.
  • the optical functional layer can then be arranged, for example, between the two electrode layers and by means of a to the
  • Electrode layers applied voltage for generating de electromagnetic radiation are excited.
  • the predetermined distance is a legally prescribed safety distance.
  • the predetermined first distance and the predetermined second distance may be prescribed by law
  • Safety distance accordingly For example, identical or different ones may be used for the given first distance and for the given second distance
  • the predetermined first or second distance is then designed accordingly.
  • the semiconductor light emitting device has a first side and a second side remote from the first side.
  • the spacer is at least on the second side
  • the spacer may be used to mount the semiconductor light-emitting device.
  • the spacer may provide protection for the back side of the semiconductor light emitting device
  • the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter.
  • the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter.
  • the electromagnetic radiation leaves the light emitting
  • the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter.
  • the spacer can then be used to transmit the electromagnetic radiation
  • the spacer can provide protection for the front side of the semiconductor light-emitting device, for example against mechanical effects.
  • the spacer on the first side may be arranged additionally or alternatively to the spacer on the second side. Furthermore, the light emitting
  • Semiconductor device may be a bottom emitter and the spacer or on the first and / or second side of the semiconductor light-emitting device
  • Semiconductor device may be a top and bottom emitter, for example, a transparent OLED, and the or the
  • Spacers may be disposed on the first and / or second sides of the semiconductor light-emitting device.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the layers and / or further layers of the layer structure and / or a heat sink coupled to the layer structure are arranged at least partially in the upright recess.
  • a carrier layer, a carrier and / or a substrate of the layer structure can project through the receiving recess or into the receiving recess.
  • the heat sink may for example be a graphite or aluminum layer, which is applied for example on the back of the layer structure.
  • About the heat sink can be a
  • Heat coupling of the layer structure take place, so that during the operation of the light-emitting semiconductor device resulting heat quickly and effectively from the light
  • Heat sink can also be used for heat spreading and / or
  • Heat distribution for example, to a uniform
  • the coupling recess can be referred to in this context as a soldering eye or as a soldering via.
  • Solder joint can be used for mechanical coupling of
  • Spacer serve to layer structure and / or for electrical coupling of the layer structure via the spacer. Alternatively or in addition to the production of the
  • LötVeritati also be produced laterally, for example, using a flat soldering tip. Optionally can then be dispensed with the Koppe1aus Principleung.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structure at least one contact strip, is coupled to the spacer.
  • the contact strip is used
  • the spacer can be coupled purely for mechanical attachment of the spacer with the contact strip and / or the spacer can be used for electrical coupling of
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the circuit board may for example comprise ceramic insulation materials, plastic and / or a synthetic resin.
  • the circuit board may be a metal core board that is at least partially embedded in an electrically insulating ceramic.
  • fiber mats can be embedded in the plastic or the synthetic resin.
  • this can contribute to be able to contact the contact strips and / or the layer structure in a simple manner.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Printed circuit board at least one conductor track, which is coupled to the contact strip.
  • Conductor be coupled via the coupling recess with the contact strip.
  • the light-emitting semiconductor component can then be easily contacted via the conductor track of the printed circuit board. This may help to easily locate and connect the semiconductor light-emitting device in use in a higher-level device.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structures of the spacers at least one each
  • the orientation marks are assigned to each other. This can easily result in a simple and / or precise production of the light-emitting Contribute semiconductor device.
  • the orientation marks give a relative orientation of the layer structure, in particular the
  • Structures of the layer structure and the spacer be designed so that fundamentally different
  • the orientation marks can then contribute to the layer structure and the
  • the optical layer Spacer on an optical layer.
  • Layer affects the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer. This is advantageous in particular when the spacer is arranged on the side of the light-emitting semiconductor component on which the electromagnetic radiation is emitted. The electromagnetic radiation then passes through the spacer and can be influenced by it in a predetermined manner.
  • the optical layer is a scattering layer and / or conversion layer.
  • the scattering layer serves to scatter the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer.
  • the conversion layer serves to the electromagnetic
  • the spacer can serve as a conversion element, as is known, for example, from remote phosphor and / or LARP applications.
  • the semiconductor light-emitting device has one with the
  • electrically conductive layer and the heat sink is predetermined.
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment of a layer structure for a light-emitting semiconductor component
  • Figure 2 is a view of a front side of a
  • Figure 3 is a view of a back of the light
  • Figure 4 is a sectional view through the light
  • Figure 5 is a view of a back of a
  • Figure 6 is a sectional view through the light
  • Figure 7 is a view of a front side of a
  • Figure 8 is a sectional view through the light
  • Figure 10 is a sectional view through a
  • Figure 11 is a sectional view through a
  • Figure 12 is a sectional view through a
  • Figure 13 is a sectional view through a
  • Figure 14 is a sectional view through a
  • Figure 15 shows an embodiment of a spacer and an embodiment of a layer structure
  • Figure 16 shows an embodiment of a light-emitting
  • connection used to describe both a direct and indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling.
  • identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
  • a semiconductor light-emitting device can be used in
  • the semiconductor light-emitting device can be used in
  • various embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of light-emitting semiconductor components may be provided, for example housed in a common housing.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a
  • Layer structure 1 of a light-emitting semiconductor Component according to various embodiments.
  • the semiconductor light-emitting device is in this
  • Embodiment for example, an organic compound
  • the layer structure 1 has, for example, a carrier 2.
  • the carrier 2 can serve, for example, as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements.
  • the carrier 2 may comprise or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material.
  • the carrier 2 may comprise or be formed from a metal foil, a plastic foil and / or a laminate with one or more plastic rolls.
  • the plastic may contain one or more polyolefins
  • the carrier 2 may comprise one or more of the above-mentioned materials.
  • the carrier 2 can be translucent or even transparent,
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Amount of light also from the structure (for example layer) is decoupled, whereby a part of the light can be scattered here
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure ⁇ for example a layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a portion of the
  • Wavelength range of the desired monochrome light or translucent for the limited emission spectrum is
  • the organic light emitting diode (or generally the or the light
  • top and / or bottom emitter can also be considered optically transparent
  • Component for example, a transparent organic light emitting diode to be called.
  • the semiconductor light-emitting device emits the light at the front and at a bottom emitter
  • the light-emitting semiconductor device emits the light on the backside.
  • the semiconductor light emitting device emits the light at the front and at the back.
  • the layer structure 1 can in different
  • Embodiments for example, have an optionally on or above the carrier 2 arranged barrier layer 4.
  • the barrier layer 4 can comprise or consist of one or more of the following materials: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the barrier layer 4 can have a layer thickness in a range from 0.1 nm (one atomic layer) to 5000 nm,
  • the layer structure 1 can in different
  • an electrically active region 6 of the light arranged on or above the barrier layer 4
  • Electrically active region 6 can be understood as the region of the semiconductor light-emitting device in which an electric current for the operation of the light
  • Semiconductor device one, two or more electrically
  • the electrically active region 6 has a first electrode layer 10 as the first electrically conductive layer and a second electrode layer 14 as the second electrically conductive layer. Furthermore, in various embodiments, the electrically active region comprises an organic functional layer 12.
  • further layers of the layer structure 1 of the light-emitting semiconductor component may be designed to be electrically conductive.
  • electrically conductive layer is to understand natural layer of the semiconductor light-emitting device, on the before, during or after an operation of the light-emitting Semiconductor device in which light is generated, a
  • the first barrier layer 4 on or above the barrier layer 4 (or, if the barrier layer 4 is not present, on or above the support 2), the first
  • Electrode layer 10 may be applied. The first
  • Electrode layer 10 (hereinafter also referred to as lower
  • Electrode layer 10 may be formed of an electrically conductive material, such as a metal or a conductive transparent oxide
  • TCO transparent conductive oxide
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, Sn0 2 , or ⁇ 2 0 3 also include ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 I 2 05 or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • the first electrode layer 10 may comprise a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials.
  • the first electrode layer 10 may be formed of a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO Multilayers.
  • the first electrode layer 10 may include one or more of the
  • the following materials comprise: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode layer 10 can be electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive
  • Electrode layer 10 and the carrier 2 may be translucent or transparent.
  • the first electrode layer 10 may, for example, have a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 18 nm
  • the first electrode layer 10 may be, for example
  • a layer thickness greater than or equal to 15 nm.
  • Electrode layer 10 have a layer thickness in a range of 10 nm to 25 nm, for example, a layer thickness in a range of 10 nm to 18 nm, for example, a layer thickness in a range of 15 nm to 18 nm Electrode layer 10 is formed from a conductive transparent oxide (TCO), the first electrode layer 10, for example, have a layer thickness in a range of 50 nm to 500 nm,
  • a layer thickness in a range of 75 nm to 250 nm for example, a layer thickness in a range of 1 nm to 150 nm.
  • the first electrode layer 10 of, for example, a network of metallic nanowires, for example Ag the can be combined with conductive polymers, a
  • Network of carbon nanotubes with conductive Polymer can be combined, or formed from graphene layers and composites, the first
  • Electrode layer 10 for example, a layer thickness
  • a layer thickness in a range of 10 nm to 400 nm for example, a layer thickness in a range of 40 nm to 250 nm.
  • the first electrode layer 10 can be used as the anode, ie as
  • Holes injecting electrode layer may be formed or as a cathode, that is, as an electron injecting
  • the first electrode layer 10 may have a first electrical connection, to which a first electrical potential (provided by a not shown energy source, for example a current source or a voltage source) can be applied.
  • a first electrical potential provided by a not shown energy source, for example a current source or a voltage source
  • the first electric potential may be applied to the carrier 2, and may be applied thereto indirectly via the first electrode layer 10.
  • the first electrical potential can
  • the ground potential for example, the ground potential or another
  • Semiconductor device may include an optically functional layer 12, which is applied to or over the first electrode layer 10.
  • the optically functional layer 12 may, for example, have one, two or more partial layers.
  • One, two or more of the partial layers may, for example, be an organic electroluminescent layer or
  • the optically functional layer 12 can have one or more emitter layers 18, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-conducting layers 16 (also referred to as hole-transport layer (s)). In different Embodiments may alternatively or additionally include one or more electron conductive layers 16 (also referred to as electron transport layer (s)). Examples of emitter materials used in the light
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene ⁇ e.g. 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic ⁇ bis (3,5-difluoro-2- ⁇ 2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. Further, alternatively or additionally, other suitable emitter materials may be used
  • the emitter materials of the emitter layer (s) 18 of the light-emitting semiconductor component may for example be selected such that the light-emitting semiconductor Component emitted white light.
  • the emitter layer (s) 18 may comprise a plurality of emitter materials emitting different colors (eg blue and yellow or blue, green and red), alternatively, the emitter layer (s) 18 may also be composed of several sublayers, such as a blue fluorescent one Emitter layer 18 or blue
  • phosphorescent emitter layer 18 By mixing the different colors, light can be produced with a white color impression. Alternatively, it can be provided in the
  • a converter material for example in a conversion layer, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation a white
  • Such a conversion layer can thus serve a wavelength range of
  • Optically functional layer 12 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic
  • Layer 12 comprises one or more electroluminescent layers, which is or are designed as hole transport layer 20, so that, for example in the case of an OLED, effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • the optically functional layer 12 may be one or more
  • Electron transport layer 16 is executed or are, so that, for example, in an OLED, effective electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a material for the hole transport layer 20 can be any material for the hole transport layer 20 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Electrode layer 10 applied, for example
  • the emitter layer 18 may be deposited on or over the hole transport layer 20, for example deposited.
  • the electron transport layer 16 may be deposited on or over the emitter layer 18, for example, deposited.
  • the optically functional layer 12 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 20 and emitter layer (s) 18 and electron transport layer (s) 16 ⁇ may have a layer thickness of at most 1.5 ⁇ m, for example one
  • the optically functional layer 12 may be, for example, a stack of a plurality of directly superimposed organic
  • each OLED has light emitting diodes (OLEDs).
  • a layer thickness of at most 1, 5 ⁇ for example, a layer thickness of a maximum of 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most 1 ⁇ ,
  • a layer thickness of at most 800 nm for example, a layer thickness of at most 800 nm
  • a layer thickness of at most 500 nm for example, a layer thickness of at most 500 nm
  • a layer thickness of at most 400 nm for example, a layer thickness of at most 400 nm
  • the optical module For example, a layer thickness of at most 300 nm.
  • functional layer 12 may have a layer thickness of at most about 3 ⁇ .
  • the semiconductor light-emitting device may generally comprise further organic functional layers,
  • the emitter layers 18 for example, disposed on or above the one or more emitter layers 18 or on or above the electron transport layer (s) 16 that serve to enhance the functionality and hence the efficiency of the light
  • the second electrode layer 14 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 14).
  • the second electrode layer 14 may include or be formed from the same materials as the first electrode layer 10, wherein in different
  • Embodiments metals are particularly suitable.
  • Electrode layer 14 for example, a layer thickness
  • a thickness of less than or equal to 50 nm for example a layer thickness of less than or equal to 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 40 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to 35 nm for example, a layer thickness of less than or equal 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 15 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 10 nm.
  • the second electrode layer 14 may generally be formed in a manner similar to, or different from, the first electrode layer 10.
  • the second electrode layer 14 may be formed in various embodiments of one or more of the materials and with the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode layer 10. In different
  • the first electrode layer 10 and the second electrode layer 14 are both made translucent or transparent.
  • the light-emitting halide component illustrated in FIG. 1 can be designed as a top and / or bottom emitter, for example as a transparent light-emitting semiconductor component.
  • the second electrode layer 14 may be formed as an anode, ie, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting
  • the second electrode layer 14 may have a second
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the first electrical potential has a value in a range from 1.5 V to 20 V,
  • an encapsulation 8 for example in the form of an encapsulation 8, can optionally also be provided
  • Barrier film 8 or thin-layer encapsulation can be formed or its.
  • a “barrier thin film” or a “barrier thin film” 8 may be understood as meaning, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical
  • the barrier film 8 is formed so as to come from substances that damage the semiconductor light-emitting device, such as water,
  • Oxygen or solvent not or at most can be penetrated at very low levels.
  • the barrier thin film 8 may be formed as a single layer (in other words, as a single layer). According to an alternative embodiment, the barrier thin film 8 may comprise a plurality of sublayers formed on each other. In other words, according to one embodiment, the barrier thin layer 8 can be formed as a layer stack (stack).
  • Barrier thin film 8 or one or more sub-layers of barrier thin film 8 may be formed, for example, by a suitable deposition method, e.g. by atomic layer deposition (ALD) according to an embodiment, e.g. a plasma enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method or a
  • ALD atomic layer deposition
  • PEALD plasma enhanced Atomic Layer Deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region.
  • all partial layers can be formed by means of a partial layer
  • Atomic layer deposition process are formed.
  • Layers which have only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate.”
  • a barrier thin layer 8 which has a plurality of partial layers, one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier thin film 8 may have a layer thickness of 0.1 nm (one atomic layer) to 1000 nm, for example a layer thickness of 10 nm to 1 nm according to an embodiment, for example 40 nm according to one embodiment.
  • all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin layer 8 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 8 can, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 8 (or the individual sublayers of the barrier film 8) may be made of a translucent or transparent material (or a material)
  • the barrier thin layer 8 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin layer 8 comprise or consist of one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the barrier film 8 or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film 8 may comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, such as a refractive index of at least 2.
  • an adhesive and / or a protective lacquer 2.4 can be provided on or above the barrier thin layer 8, by means of which, for example, a
  • the optically translucent layer of adhesive and / or protective lacquer 24 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ ,
  • a layer thickness of several / in For example, a layer thickness of several / in.
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer may be embedded in various embodiments, light-scattering particles that belong to a further improvement of color angle distortion and the
  • Embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, scattering dielectric articles such as metal oxides, e.g. Silica (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • metal oxides e.g. Silica (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • Alumina, or titania may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acryla, or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron Nanopartike1, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer 14 between the second electrode layer 14 and the layer of adhesive and / or resist 24, an electrically insulating
  • Layer (not shown) are applied, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of 300 nm to 1, 5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of 500 nm to 1 ⁇ to
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Embodiments also completely on an adhesive 24 can be omitted, for example at Embodiments in which the cover 26,
  • Plasma spraying are applied to the encapsulation 8.
  • the / may
  • Cover 26 and / or the adhesive 24 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • the barrier thin film 8 ⁇ may be provided in the light-emitting semiconductor device.
  • FIG. 2 shows a front side of an exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component.
  • the light-emitting semiconductor component has, for example, the layer structure 1 explained above.
  • the light-emitting semiconductor component and the layer structure 1 are formed octagonal in this embodiment.
  • layer structure 1 may have a different shape, for example, the light-emitting semiconductor device and / or the layer structure 1 may be formed in front view round or square or another
  • the semiconductor light-emitting device has a spacer 40.
  • the spacer 40 has
  • a central receiving recess 42 which is hidden in Figure 2 of the layer structure 1 and is therefore indicated by dashed lines in Figure 2.
  • the Aufhaus strictlyung 42 may serve, for example, to electrically and / or thermally couple the layer structure 1 from a back side of the light-emitting semiconductor device.
  • the spacer 40 has an inner edge bordering on the recess 42 and an outer first edge 34 on.
  • the outer first edge 34 of the spacer 40 has a predetermined first distance 32 to the layer structure 1.
  • the first edge 34 of the spacer 40 shown in FIG. 2 faces away from the layer structure 1 and can also be considered as the first edge 34 facing away from the layer structure 1
  • the spacer 40 serves to maintain the predetermined first distance 32 to the layer structure 1 when using the light-emitting semiconductor device,
  • the spacer holder 40 serves to maintain the predetermined first one
  • the spacer 40 consists essentially or completely of electrically insulating material.
  • the spacer 40 consists essentially of electrically insulating material and otherwise has a few electrically conductive regions.
  • the spacer may comprise, for example, a metal core board which is at least partially surrounded by an insulating material, for example one of them
  • the predetermined distance may correspond, for example, to a legally prescribed safety distance or be greater than this.
  • the predetermined distance can be predetermined, for example, as a function of the electrical potential that is applied to the
  • Electrode layers 10, 14 or their electrical connections can be applied or should.
  • the predetermined distance 32 extends from an outer edge of the layer structure 1 to the first edge 34 of the spacer 40. It is assumed, for example, that the electrically conductive
  • Edge of the layer structure 1 extend. If, however, the electrically conductive layers 10, 14 do not extend in the direction parallel to the layers to the outer edge of the layer structure 1, so may the predetermined first distance 32 from the predetermined first edge 34 to an edge of the nearest electrically conductive layer 10, 14 of the
  • Layer structure 1 extend. The distance of the outer edge 34 of the spacer 40 to the outer edge of the spacer 40
  • Layer structure 1 can then be smaller than the predetermined first distance 32.
  • spacer 40 extends in this case
  • the spacer 40 may also have a plurality of subsections, which in each case are arranged only at portions of the circumference of the layer structure 1 and thus predetermine the first distance 32, in particular at these sections.
  • Spacers 40 are a plurality of contact strips 30,
  • contact strips 30 are arranged. Alternatively, for example, only two, three or more than four contact strips 30 may be provided. Furthermore, the contact afford 30 may also be positioned at other locations.
  • the contact strips 30 serve, for example, the
  • Spacer 40 to be attached to the layer structure 1 and / or the electrode layers 10, 14 of the layer structure 1 to connect via the contact strips 30 with the spacer 40.
  • the contact strips 30 have, for example, the electrical connections of the electrode layers 10, 14 or are electrically connected to these and / or the carrier 2
  • the spacer 40 may also serve to maintain the predetermined distance 32 to one of the contact strips 30.
  • FIG. 3 shows a rear side of the light-emitting device
  • FIG. 4 shows a section through the light-emitting semiconductor component according to FIG. 3 in the region of FIG.
  • the layer structure 1 has a first side 22 and a second side 28.
  • the first side 22 may also be referred to as the front side of the light-emitting semiconductor component.
  • the second side 28 may also be referred to as the backside of the semiconductor light-emitting device.
  • the cover layer 26 is formed on the first side 22, ie the " front side.”
  • the carrier 2 is formed on the second side 28, ie the rear side On the second side 22, 28 further layers may be formed.
  • Spacer 40 is attached to second side 28 of the semiconductor light emitting device in this embodiment.
  • the spacer 40 is glued to the second side 28 of the layer structure 1.
  • the spacer 40 via one, two or more coupling recesses 44 with the
  • the coupling recesses 44 can serve, for example, to apply solder from the rear side, which then can flow through heated coupling through coupling recesses 44 and can connect the spacer 40 to the contact strips 30 via solder connections 46. This can be advantageous, for example, if over the
  • Koppelausnaturalept 44 not only a mechanical coupling of the spacer 40 with the layer structure 1 but also an electrical contacting of the contact strips 30 via the spacer 40, then in Figure 4, not shown interconnects on or in the spacer 40 via the solder connection 46 with the contact strips 30th can be connected.
  • the coupling recesses 44 may be referred to in this context as Löt eyes or solder vias.
  • the spacer 40 is for example made of an im
  • Essentially insulating material for example
  • the spacer 40 may have one, two or more ceramic plates.
  • the spacer 40 may be formed by a printed circuit board, for example.
  • the spacer can for example by means of punching, cutting, milling, laser cutting or another
  • Process be prepared or structured.
  • the spacer 40 extends parallel to the
  • FIG. 5 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the embodiment of the light-emitting semiconductor component explained with reference to FIGS. 2 to 4, wherein, in contrast thereto, a heat sink 50 is additionally provided on the semiconductor device
  • the heat sink 50 has, for example, a layer which may, for example, comprise graphite and / or aluminum.
  • the heat sink 50 serves to rapidly and effectively remove heat generated during operation of the semiconductor light-emitting device
  • the heat sink 50 can be any heat sink 50.
  • the layer structure 1 is thus thermally coupled by the Aufnähmeaus Principleung 42 of the spacer 40.
  • FIG. 6 shows a sectional view of the light-emitting semiconductor component according to FIG. 5, from which it can be seen that the heat sink 50 penetrates into the receiving recess 42 and at least partially protrudes through the Aufnähmeaus Principleung 42 of the spacer 40 therethrough.
  • Spacer 40 which limits the receiving recess 42 may be formed so that the predetermined first distance 32 to the electrically conductive layer 10, 14 is predetermined by him. This may help to prevent the heat sink 50 from coming too close to the electrically conductive layer 10, 14 and / or the contact strip 30.
  • a thickness in the heat sink 50 may be, for example, a thickness of the
  • FIG. 7 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting component which largely corresponds to the exemplary embodiment of the light explained in FIGS. 2 to 4
  • FIG 8 shows a section through the embodiment of the light-emitting device according to Figure 7, which also shows that the spacer 40 is formed flat.
  • the spacer 40 can be used to protect the second side 28 of the layer structure 1 from mechanical
  • FIG. 9 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the above
  • FIG. 10 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the exemplary embodiments explained above, in contrast to which the spacer 40 is made so thick that a predetermined second distance 36 through it in the direction perpendicular to the layers of the layer structure 1 is complied with.
  • the spacer 40 is made so thick that a predetermined second distance 36 through it in the direction perpendicular to the layers of the layer structure 1 is complied with.
  • the predetermined second distance 36 may correspond to the predetermined first distance 32 or be different from this.
  • the predetermined second distance 36 extends from the second edge 38 of the spacer 40 to the second side 28 of the layer structure 1
  • the predetermined second distance 36 may extend from the second edge 38 to the nearest electrically conductive layer 10, 14.
  • the predetermined second distance 36 can be predetermined not only up to the second side 28 layer structure 1, but in particular to the electrically conductive layers 10, 14 of the layer structure first
  • FIG. 11 shows a further exemplary embodiment of the semiconductor light-emitting component, which has been explained extensively with reference to the preceding figures
  • Embodiments of the light-emitting semiconductor device corresponds, in contrast to the Spacer 40 is not disposed on the second side 28 but on the first side 22 of the light-emitting semiconductor device. If the semiconductor device • the electromagnetic radiation emitted on the first side 22, the spacer 40 is preferably
  • the spacer 40 may serve as an optically functional layer and optically influence the generated light.
  • the spacer 40 may serve as an optically functional layer and optically influence the generated light.
  • Spacer 40 serve as a scattering layer.
  • the spacer 40 may be used as a conversion layer for converting the wavelengths generated
  • the spacer 40 may be transparent.
  • the spacer 40 can serve as protection of the first side 22 of the layer structure 1 against mechanical effects.
  • FIG. 12 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the embodiment of the light shown in FIG. 12
  • the spacer 40 is so thick
  • the spacer 40 may thus correspond to that shown in FIG.
  • Embodiment of the spacer 40 may be formed and arranged on the first side 22 of the layer structure 1.
  • FIG. 13 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component in which the
  • Layer structure 1 with the contact strips 30 substantially the or. the layer structures 1 explained above with the corresponding contact strips 30 corresponds. in the
  • the spacer 40 is arranged laterally of the layer structure 1.
  • the spacer 40 extends in this embodiment frame-shaped around the outer edge of the layer structure 1.
  • the spacer 40 can only on individual portions of the side of the layer structure 1
  • the spacer 40 may be disposed on each of the eight sides of the layer structure 1 and / or on the eight corners of the layer structure 1.
  • the spacer 40 may protrude, for example, the outer edge of the layer structure 1 mechanical
  • the spacer 40 may
  • the spacer 40 and / or the layer structure 1 may comprise means over which
  • Spacer 40 can be coupled to the layer structure 1, for example mechanically by means of a locking means on the spacer 40 and a counter-locking on the
  • the semiconductor light-emitting device may be particularly thin with the spacer 40, for example
  • FIG. 14 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the exemplary embodiment explained with reference to FIG. 13, in contrast to which the spacer 40
  • the ⁇ bstandshalter 40 may also be formed so that the
  • Figure 15 shows a front view of the spacer 40 according to Figure 2 and a view of the back of the
  • Layer structure 1 according to FIG. 3 in other words, the light-emitting semiconductor component in FIG. 15
  • Spacer 40 is, for example, a printed circuit board and / or may be referred to in this context as a printed circuit board.
  • the conductor tracks 52 serve for
  • the conductor tracks 52 may also be formed on a rear side of the spacer 40 shown in FIG. 3, and the contact strips may be formed by the coupling recesses 44 shown in FIG
  • Printed circuit board and / or the conductor tracks 52 can do so
  • the light-emitting semiconductor device is easy and / or inexpensive contactable.
  • the spacer 40 and the layer structure 1 each have mutually associated orientation marks 54.
  • the two orientation marks 54 are superimposed in plan view.
  • the orientation marks 54 is a relative
  • the orientation marks 54 can simply contribute to the fact that, in a manufacturing process of the semiconductor light-emitting component, the relative orientation or orientation of the layer structure 1 to the spacer 40 is intended.
  • FIG. 16 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component in which the
  • the spacer 40 may be used, for example, in addition to the predetermined spacing 32, 36, for example
  • Spacer 40 is arranged.
  • the spacer 40 may be formed with a predetermined design, so that the design of the spacer 40 contributes to the appearance of the semiconductor light emitting device. If the spacer 40 is arranged on the side 22, 28 of the layer structure 1 on which the electromagnetic radiation is coupled out, then the spacer 40 can also be referred to as a
  • the spacer 40 can then be designed such that the electromagnetic radiation is structured and / or directed by the spacer 40.
  • the invention is not limited to those specified
  • the spacer 40 may be formed in all embodiments only at portions of the outer edge of the layer structure 1 and so only at these areas
  • such segmented spacers 40 can be arranged on side edges or corners of the layer structure 1. Furthermore, the embodiments shown can be combined with each other become. For example, the spacer 40 may be disposed on the first and / or second sides 22, 28 in all embodiments. Furthermore, the spacer 40 may alternatively or in all embodiments
  • Layer structure 1 may be formed Furthermore, in all the embodiments shown, the coupling recesses 44 may be formed in the spacer 40 or not. Furthermore, in all embodiments, the electrical
  • the shape of the semiconductor light-emitting device may differ from the octagonal shape in all the embodiments shown.
  • the shape in plan view may be circular, for example round or oval, or polygonal, for example, triangular, pentagonal or hexagonal.
  • a semiconductor light-emitting device has a layer structure 1 comprising at least one optically functional layer 12 for
  • the spacer 40 extends in the direction parallel to the layers 10, 12, 14 and in the direction away from the layer structure 1 and a first edge 34 of the layer facing away from the layer structure 1
  • Spacer 40 has a predetermined first distance 32 to the electrically conductive layer 10, 14 in the direction parallel to the layers.
  • the spacer 40 extends in the direction perpendicular to the layers 10, 12, 14 and in the direction away from the layer structure 1, and a second edge 38 of the spacer 40 facing away from the layer structure 1 has a direction perpendicular to the layers 10, 12 , 14 a predetermined second distance 36 to the electrically conductive layer 10, 14.
  • the electrically conductive layer 10, 14 is an electrode layer for applying a voltage to the optically functional
  • the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the second side 28.
  • the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the first side 22.
  • the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the first side 22.
  • Spacer 40 a receiving recess 42 and in the receiving recess 42 are the layers 10, 12, 14 and / or further layers 2, 4, 6, 8, 24, 26 of the layer structure first and / or a heat sink 50 coupled to the layer structure 1.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Spacer 40 for coupling with the layer structure 1 at least one coupling recess 44.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structure 1 at least one contact strip 30 to which the spacer 40 is coupled.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Spacer 40 a circuit board. According to various embodiments, the
  • Printed circuit board at least one conductor 52 which is coupled to the Kontak strip 30.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Layer structure 1 and the spacer 40 each one
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Spacer 40 has an optical layer.
  • the optical layer is a scattering layer and / or a conversion layer.
  • the semiconductor light-emitting device has one with the
  • Layer structure 1 coupled heat sink 50 and the
  • Spacer 40 is formed to pass through it
  • At least the predetermined first distance 32 between the electrically conductive layer 10, 14 and the heat sink 50 is predetermined.

Abstract

In various embodiments, an organic light-emitting diode having a layer structure (1) and having at least one spacer (40) is provided. The layer structure (1) has at least one optically functional layer (12) for producing electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer (10, 14). The spacer (40) is arranged for the purpose of prescribing a distance (32, 36) from the electrically conductive layer (10, 14). The spacer (40) is connected to the layer structure (1). A border (34, 38) of the spacer (40) that is remote from the layer structure (1) is at the prescribed distance (32, 36) from the electrically conductive layer (10, 14).

Description

Beschreibung description
Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Deutschen Light emitting semiconductor device This application claims the priority of the Germans
Patentanmeldung Nr. 10 2012 206 101.0, eingereicht am Patent Application No. 10 2012 206 101.0, filed on
13.04.2012 beim Deutschen Patent und Markenamt . 13.04.2012 at the German Patent and Trademark Office.
Die Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiter- Bauelement mit einer Schichtstruktur. Die Schichtstruktur weist mindestens eine optisch funktionelle Schicht zum The invention relates to a light-emitting semiconductor component with a layer structure. The layer structure has at least one optically functional layer
Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf. Bei Leuchten und/oder Lampen gibt es Normen, die gesetzlich vorgegeben und bei der Konstruktion oder dem Design der Generating electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer. In the case of luminaires and / or lamps, there are standards which are prescribed by law and in the design or the design of the
Leuchten bzw. Lampen einzuhalten sind. Eine dieser Normen definiert beispielsweise einen Sicherheitsabstand, der zu Elementen von Lichtquellen der Leuchte bzw. der Lampe Lamps or lamps are to be observed. For example, one of these standards defines a safety distance to elements of light sources of the lamp or lamp
eingehalten werden muss, die beispielsweise während oder nach dem Betrieb der Leuchte bzw. Lampe unter Spannung stehen können. Beispielsweise ist in Deutschland bei Leuchten ab einer Spannung von 25 V eine Luft- und Kriechstrecke (LKS) als Sicherheitsabstand einzuhalten. Dies dient zum Schutz eines Nutzers der Leuchte vor einem Stromschlag und ist beispielsweise in Normen wie der DIN EN 60598-1 festgelegt. Analoge Vorgaben gibt es beispielsweise auch für must be maintained, which may be under tension during or after the operation of the lamp or lamp, for example. In Germany, for example, in luminaires with a voltage of 25 V or more, an air gap and creepage distance (LKS) must be maintained as a safety distance. This serves to protect a user of the luminaire from electric shock and is specified, for example, in standards such as DIN EN 60598-1. Analogous specifications are also available, for example
Leuchtmodule, Lightengines und Retrofit-Lampen . Bei Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen wird bei der Entwicklung und der Herstellung eine optimale Ausnutzung des die emittierende Schichten tragenden Substrats angestrebt. Dies kann dazu beispielsweise dazu beitragen, eine relativ hohe Ausbeute pro Substrat zu erreichen, was zu relativ geringen Produktionskosten beitragen kann. Eine optimaleLight modules, Lightengines and retrofit lamps. In the case of light-emitting semiconductor components, optimal development of the substrate carrying the emitting layers is aimed at during development and production. This may, for example, help to achieve a relatively high yield per substrate, which can contribute to relatively low production costs. An optimal
Ausnutzung des Substrat kann beispielsweise erreicht werden, indem alle Schichten, insbesondere auch stromführende oder unter Spannung stehende Elemente und/oder Schichten von Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen, grundsätzlich bis zu einem äußeren Rand des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements ausgebildet werden. Der Sicherheitsabstand muss dann bei der Leuchte bzw. Lampe berücksichtigt werden, in die das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eingebaut wird. Utilization of the substrate can be achieved, for example, by all layers, in particular also current-carrying or under-voltage elements and / or layers of light emitting semiconductor devices, are basically formed to an outer edge of the light-emitting semiconductor device. The safety margin must then be taken into account in the luminaire or lamp in which the light-emitting semiconductor component is installed.
Ferner sind LeuchtVorrichtungen bekannt, in denen Licht emittierenden Halbleiter-Bauelemente genutzt werden und bei denen kein Sicherheitsabstand eingehalten werden muss. Auch bei diesen Leuchtvorrichtungen werden Licht emittierende Halbleiter-Bauelemente genutzt, bei denen das Substrat optimal ausgenutzt ist. Das Vorsehen des Sicherheitsabstands beim Ausbilden der Schichtstruktur des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ist somit bei diesen Furthermore, lighting devices are known in which light-emitting semiconductor components are used and in which no safety margin must be maintained. These light-emitting devices also use light-emitting semiconductor components in which the substrate is optimally utilized. The provision of the safety margin in forming the layer structure of the semiconductor light-emitting device is thus in these
Leuchtvorrichtungen nicht notwendig und kann bezüglich der Lichtausbeute sogar nachteilig sein. Lighting devices not necessary and may even be detrimental to the light output.
Es ist bekannt, das Problem des nötigen Sicherheitsabstands dadurch zu umgehen, eine maximale Spannung, die in jeglichem Falle (z.B. im Betrieb oder im Fehlerfall} an leitfähigen Teilen anliegen kann, derart zu beschränken, dass kein It is known to circumvent the problem of the necessary safety margin by limiting a maximum voltage that can be applied to conductive parts in any case (for example during operation or in the event of a fault) in such a way that no
Sicherheitsabstand erforderlich ist, z.B. kleiner als 25V. beispielsweise könne mehrere Licht emittierende Halbleiter- Bauelemente in einzelne Abschnitte unterteilt sein, bei denen die EinzelSpannungen jeweils von der Spannungsversorgung technisch auf Werte begrenzt sind, dass für diese kein Safety distance is required, e.g. less than 25V. For example, several light-emitting semiconductor components may be divided into individual sections, in which the individual voltages are each technically limited by the voltage supply to values that none for this
Sicherheitsabstand einzuhalten ist. Alternativ oder Safety distance is to be observed. Alternatively or
zusätzlich ist es bekannt, die Licht emittierenden In addition, it is known the light-emitting
Halbleiter-Bauelemente mit isolierenden Gehäusen zu umgeben. Surround semiconductor devices with insulating enclosures.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird' ein Licht In various embodiments, ' becomes a light
emittierendes Halbleiter-Bauelement bereitgestellt, das auf einfache und/oder kostengünstige Weise dazu beiträgt, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ein vorgegebener Abstand, beispielsweise ein emitting semiconductor device provided, which contributes in a simple and / or cost-effective manner, that when using the light-emitting semiconductor device, a predetermined distance, for example a
Sicherheitsabstand, eingehalten wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ei Licht Safety distance, is complied with. In various embodiments, a light becomes ei
emittierendes Halbleiter-Bauelement mit einer Schichtstruktur bereitgestellt. Die Schichtstruktur weist mindestens eine optisch funktionelle Schicht zum Erzeugen von emitting semiconductor device provided with a layer structure. The layer structure has at least one optically functional layer for generating
e1ektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf . Das Licht emittierende Halbleiter- Bauelement weist mindestens einen Abstandshalter zum Vorgeben eines Abstände zu der elektrisch leitenden Schicht auf. Der Abstandshalter ist mit der Schichtstruktur gekoppelt und ein vor der Schichtstruktur abgewandter Rand des Abstandshalters hat den vorgegebenen Abstand zu der elektrisch leitenden . Schicht . e1ektromagnetischer radiation and at least one electrically conductive layer. The semiconductor light-emitting device has at least one spacer for setting a distance to the electrically-conductive layer. The spacer is coupled to the layer structure and a front of the layer structure facing away from the edge of the spacer has the predetermined distance from the electrically conductive. Shift.
Das Anordnen des Abstandshalters bei dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement trägt auf einfache und/oder The arrangement of the spacer in the semiconductor light-emitting device contributes to simple and / or
kostengünstige Weise dazu bei, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , beispielsweise in einer Leuchte oder Lampe, der vorgegebene Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht eingehalten wird. Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise ein gesetzlich vorgegebener cost-effective way to ensure that when using the light-emitting semiconductor device, for example, in a lamp or lamp, the predetermined distance is maintained to the electrically conductive layer. The predetermined distance, for example, a legally prescribed
Sicherheitsabstand sein . Der vorgegebene Abstand kann auch größer als der gesetzlich vorgegeben Sicherheitsabstand sein. Der Abstandshalter bildet einen um die Schichtstruktur angeordneten Überstand, durch den kein Gehäuse und/oder kein anderes Bauteil den vorgegebenen Abstand unterschreiten kann . Der Abstandshalter stellt somit auf einfach Weise die Safety distance. The specified distance can also be greater than the legally prescribed safety distance. The spacer forms a projection arranged around the layer structure, through which no housing and / or no other component can fall below the predetermined distance. The spacer thus provides in a simple way the
Einhaltung des vorgegeben Abstands , beispielsweise des Compliance with the specified distance, for example the
Sicherheitsabstands , beispielsweise der LKS , sicher. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann in Safety distance, for example, the LKS, safe. The semiconductor light-emitting device can be used in
unterschiedlichen Leuchten, Leuchtmitteln, Lampen, different lights, bulbs, lamps,
Applikationen und Modulen verwendet werden. Applications and modules are used.
Dass die elektrisch leitende Schicht elektrisch leitend ist , bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Schicht The fact that the electrically conductive layer is electrically conductive means in this context that the layer
grundsätzlich elektrisch leitfähig ist und/oder dass- dieis basically electrically conductive and / or that the
Schicht zum Anlegen einer Spannung und/oder zum Leiten von Strom vorgesehen ist . Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht vor, während oder nach einem Betrieb des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem die elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, unter Spannung stehen. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht dazu dienen, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Alternativ dazu kann die elektrisch leitende Schicht auch eine Schicht sein, an der funktionsbedingt eine Spannung anliegt . Dass der Rand des Abstandshalters von der Layer is provided for applying a voltage and / or for conducting current. For example, the electrically conductive layer before, during or after operation of the Light emitting semiconductor device in which the electromagnetic radiation is generated, are under tension. For example, the electrically conductive layer can serve to generate the electromagnetic radiation. Alternatively, the electrically conductive layer may also be a layer to which a voltage is applied due to the function. That the edge of the spacer of the
Schichtstruktur abgewandt ist, heißt im Wesentlichen, dass der Rand der Schichtstruktur nicht zugewandt ist. In anderen Worten ist der Abstandshalter ein Körper, der einen, zwei oder mehr Ränder aufweist , wobei eine erste Menge der Ränder, beispielsweise einer, zwei oder mehr, der Schichtstruktur zugewandt ist und wobei alle übrigen Ränder von der Layer structure is facing away, essentially means that the edge of the layer structure is not facing. In other words, the spacer is a body having one, two or more edges, with a first set of edges, for example one, two or more, facing the layered structure and with all the remaining edges being of the
Schichtstruktur abgewandt sind. Der Abstandshalter kann einstückig ausgebildet sein oder der Abstandshalter kann mehrere miteinander verbundene oder voneinander unabhängige Teilstücke aufweisen. Ferner kann ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement mehrere Abstandshal er aufweisen. Der Abstandshalter weist elektrisch isolierendes Material auf . Beispielsweise kann der Abstandshalter im Wesentlichen oder vollständig aus elektrisch isolierendem Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Abstandshalter Keramik, eine Glasplatte und/oder Acryl aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann der Abstandshalter im Wesentlichen aus elektrisch isolierendem Material gebildet sein und ansonsten vereinzelt elektrisch leitende Abschnitte, Layer structure facing away. The spacer may be integrally formed or the spacer may have a plurality of interconnected or independent sections. Further, a semiconductor light-emitting device may have a plurality of spacers. The spacer has electrically insulating material. For example, the spacer may be substantially or completely formed of electrically insulating material. For example, the spacer may comprise or be formed of ceramic, a glass plate and / or acrylic. For example, the spacer may be essentially formed of electrically insulating material and otherwise isolated electrically conductive sections,
beispielsweise Kontaktmittel und/oder Leiterbahnen, for example, contact means and / or conductor tracks,
au weisen . Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter zumindest teilweise in Richtung parallel zu den Schichten und in Richtung weg von der Schichtstruktur . Ein von der Schichtstruktur abgewandter erster Rand des Abstandshalters hat in Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht . Dies trägt auf einfache Weise dazu bei , dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements in Richtung parallel zu der Schichtstruktur der vorgegebene Abstand eingehalten wird. Der erste Rand kann beispielsweise einer der vorstehend erläuterten Ränder des Abstandhalters sein . Der vorgegebene erste Abstand kann beispielsweise der vorstehend erläuterte Abstand sein. show. According to various embodiments, the spacer extends at least partially in the direction parallel to the layers and in the direction away from the layer structure. A first edge of the spacer facing away from the layer structure has a predetermined first distance to the electrically conductive layer in the direction parallel to the layers. This contributes in a simple manner to the fact that when using the light-emitting semiconductor component in the direction parallel to the layer structure of the predetermined Distance is maintained. The first edge may be, for example, one of the above-explained edges of the spacer. The predetermined first distance may be, for example, the distance explained above.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter in Richtung senkrecht zu den Schichten und in Richtung weg von der Schichtstruktur . Ein von der According to various embodiments, the spacer extends in the direction perpendicular to the layers and in the direction away from the layer structure. One of the
Schichtstruktur abgewandter zweiter Rand des Abstandshalters hat in Richtung senkrecht zu den Schichten inen vorgegebenen zweiten Abstand zu der elektrisch leitenden Schich . Dies trägt dazu bei , dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements der vorgegebene Abstand senkrecht zu der Schichtstruktur eingehalten wird. Der vorgegebene zweite Abstand kann dem vorgegebenen ersten Abstand entsprechen oder von diesem unterschiedlich sein . Der sich parallel zu den Schichten erstreckende Abstandshalter kann derselbe Layer structure facing away from the second edge of the spacer has in the direction perpendicular to the layers inen predetermined second distance to the electrically conductive Schich. This contributes to the fact that, when the light-emitting semiconductor component is used, the predetermined distance perpendicular to the layer structure is maintained. The predetermined second distance may correspond to the predetermined first distance or be different from this. The spacer extending parallel to the layers may be the same
Abstandshalter sein wie der, der sich senkrecht zu den Spacers be like the one that is perpendicular to the
Schichten erstreckt . In anderen Worten kann sich der Layers stretches. In other words, the
Abstandshalter senkrecht und/oder parallel zu den Schichten erstrecken und entsprechend senkrecht und/oder parallel zu den Schichten den jeweiligen Abstand vorgeben. Alternativ dazu können auch zwei oder mehr Abstandshalter angeordnet sein, wobei sich ein, zwei oder mehr der Abs andshalter parallel zu den Schichten erstrecken und wobei sich ein, z ei oder mehr der Abstandshalter senkrecht zu den Schichten erstrecken. Spacers extend perpendicular and / or parallel to the layers and according to perpendicular and / or parallel to the layers specify the respective distance. Alternatively, two or more spacers may also be arranged with one, two or more of the absorber members extending parallel to the layers and with one, z or more of the spacers extending perpendicular to the layers.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die elektrisch leitende Schicht eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die optische funktioneile Schicht . Beispielsweise kann die Schichtstruktur zwei elektrisch leitende Schichten aufweisen, die als Elektrodenschichten, beispielsweise als Anodenschicht und als Kathodenschicht ausgebildet sind . Die optische funktionelle Schicht kann dann beispielsweise zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnet sein und mit Hilfe einer an die According to various embodiments, the electrically conductive layer is an electrode layer for applying an electrical voltage to the optically functional layer. By way of example, the layer structure may comprise two electrically conductive layers, which are formed as electrode layers, for example as anode layer and as cathode layer. The optical functional layer can then be arranged, for example, between the two electrode layers and by means of a to the
Elektrodenschichten angelegten Spannung zum Erzeugen de elektromagnetischen Strahlung angeregt werden. Der Electrode layers applied voltage for generating de electromagnetic radiation are excited. Of the
Abstandshalter trägt dann einfach dazu bei, bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements den Spacer then simply contributes to the use of the semiconductor light-emitting device
vorgegebenen Abstand zu der bzw. den Elektrodenschichten des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements einzuhalten. to maintain predetermined distance to the or the electrode layers of the light-emitting semiconductor device.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der vorgegebene Abstand ein gesetzlich vorgegebener Sicherheitsabstand. According to various embodiments, the predetermined distance is a legally prescribed safety distance.
Beispielsweise können der vorgegebene erste Abstand und der vorgegebenen zweite Abstand dem gesetzlich vorgegebenen For example, the predetermined first distance and the predetermined second distance may be prescribed by law
Sicherheitsabstand entsprechend. Beispielsweise können für den vorgegebenen ersten Abstand und für den vorgegebenen zweiten Abstand gleiche oder jeweils unterschiedliche  Safety distance accordingly. For example, identical or different ones may be used for the given first distance and for the given second distance
gesetzlich vorgegebene Sicherheitsabstände gelten. Der vorgegebene erste bzw. zweite Abstand ist dann entsprechend ausgebildet . legally prescribed safety distances apply. The predetermined first or second distance is then designed accordingly.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine erste Seite und eine von der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf. Die According to various embodiments, the semiconductor light emitting device has a first side and a second side remote from the first side. The
elektromagnetische Strahlung verlässt das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite. Der Abstandshalter ist mindestens auf der zweiten Seite Electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side. The spacer is at least on the second side
angeordnet. Dies kann auf dazu beitragen, den Abstandshalter auf einfache Weise an der Schichtstruktur zu befestigen. arranged. This can help to easily secure the spacer to the layer structure.
Ferner kann der Abstandshalter dazu verwendet werden, das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement zu befestigen. Further, the spacer may be used to mount the semiconductor light-emitting device.
Ferner kann der Abstandshalter einen Schutz für die Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bilden Further, the spacer may provide protection for the back side of the semiconductor light emitting device
beispielsweise gegenüber mechanischen Einwirkungen, for example, against mechanical effects,
Beispielsweise ist die erste Seite eine Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, wobei dann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement auch als Top-Emitter bezeichnet werden kann. Der Abstandshalter ist dann  For example, the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter. The spacer is then
mindestens auf einer von der Vorderseite abgewandten at least on one side facing away from the front
Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet . Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen verläset die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Rear side of the light-emitting semiconductor device arranged. According to various embodiments, the electromagnetic radiation leaves the light emitting
Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite und der Abstandshalter ist mindestens auf der ersten Seite Semiconductor device at least on the first side and the spacer is at least on the first side
angeordnet. Dies ermöglicht, den Abstandshalter auf einfache Art und Weise an der Schichtstruktur zu befestigen. arranged. This makes it possible to fasten the spacer in a simple manner to the layer structure.
Beispielsweise ist die erste Seite eine Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, wobei dann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement auch als Top-Emitter bezeichnet werden kann. Der Abstandshalter kann dann dazu genutzt werden, die elektromagnetische Strahlung zu For example, the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter. The spacer can then be used to transmit the electromagnetic radiation
beeinflussen, beispielsweise zu streuen, zu konvertieren oder in eine Richtung zu richten. Ferner kann der Abstandshalter einen Schutz für die Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bilden beispielsweise gegenüber mechanischen Einwirkungen. influence, for example, to scatter, to convert or to direct in one direction. Furthermore, the spacer can provide protection for the front side of the semiconductor light-emitting device, for example against mechanical effects.
Der Abstandshalter an der ersten Seite kann zusätzlich oder alternativ zu dem Abstandshalter auf der zweiten Seite angeordnet sein. Ferner kann das Licht emittierende The spacer on the first side may be arranged additionally or alternatively to the spacer on the second side. Furthermore, the light emitting
Halbleiter-Bauelement ein Bottom-Emitter sein und der bzw. die Abstandshalter können auf der ersten und/oder zweiten Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements  Semiconductor device may be a bottom emitter and the spacer or on the first and / or second side of the semiconductor light-emitting device
angeordnet sein. Außerdem kann das Licht emittierende be arranged. In addition, the light emitting
Halbleiter-Bauelement ein Top- und Bottom-Emitter sein, beispielsweis eine transparente OLED, und der bzw. die Semiconductor device may be a top and bottom emitter, for example, a transparent OLED, and the or the
Abstandshalter können auf der ersten und/oder zweiten Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet sein. Spacers may be disposed on the first and / or second sides of the semiconductor light-emitting device.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der According to various embodiments, the
Abstandshalter eine Aufnahmeausnehmung auf . Die Schichten und/oder weitere Schichten der Schichtstruktur und/oder eine mit der Schichtstruktur gekoppelte Wärmesenke sind zumindest teilweise in der Auf ahmeausnehmung angeordnet. Spacer on a receiving recess. The layers and / or further layers of the layer structure and / or a heat sink coupled to the layer structure are arranged at least partially in the upright recess.
Beispielsweise können eine Trägerschicht, ein Träger und/oder ein Substrat der Schichtstruktur durch die Aufnahmeausnehmung hindurch oder in die Aufnahmeausnehmung ragen. Die Wärmesenke kann beispielsweise eine Graphit- oder Aluminiumschicht sein, die beispielsweise auf der Rückseite der Schichtstruktur aufgebracht ist. Über die Wärmesenke kann eine For example, a carrier layer, a carrier and / or a substrate of the layer structure can project through the receiving recess or into the receiving recess. The heat sink may for example be a graphite or aluminum layer, which is applied for example on the back of the layer structure. About the heat sink can be a
Wärmeankopplung der Schichtstruktur erfolgen, so dass während des Betriebs des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv aus dem Licht Heat coupling of the layer structure take place, so that during the operation of the light-emitting semiconductor device resulting heat quickly and effectively from the light
emittierenden Halbleiter-Bauelement abgeführt werden kann. In anderen Worten kann eine Wärmekopplung des Licht emitting semiconductor device can be dissipated. In other words, a heat coupling of the light
emittierenden Halbleiter-Bauelements über die emitting semiconductor device via the
Aufnahmeausnehmung des Abstandhalters erfolgen. Die Recording recess of the spacer made. The
Wärmesenke kann auch zur Wärmespreizung und/oder zur Heat sink can also be used for heat spreading and / or
Wärmeverteilung, beispielsweise zu einer gleichmäßigen Heat distribution, for example, to a uniform
Wärmeverteilung dienen und/oder beitragen. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der Serve heat distribution and / or contribute. According to various embodiments, the
Abstandshalter zum Koppeln mit der Schichtstruktur mindestens eine Koppelausnehmung auf . Die Koppe1ausnehmung ist  Spacer for coupling with the layer structure on at least one coupling recess. The Koppe1ausnehmung is
beispielsweise dazu ausgebildet , dass durch sie ein Mittel zum Koppeln des Abstandshalters mit der Schichtstruktur geführt werden kann . Beispielsweise kann über die formed, for example, that a means for coupling the spacer with the layer structure can be performed by them. For example, over the
Koppe1ausnehmung Lötzinn zwischen den Abstandshalter und die Schichtstruktur geführt werden, so dass der Abstandshalter mit der Schichtstruktur über eine LötVerbindung gekoppelt ist . Die Koppelausnehmung kann in diesem Zusammenhang auch als Löt-Auge oder als Löt-Via bezeichnet werden . Die  Koppe1ausnehmung solder between the spacers and the layer structure are guided, so that the spacer is coupled to the layer structure via a solder joint. The coupling recess can be referred to in this context as a soldering eye or as a soldering via. The
Lötverbindung kann zur mechanischen Kopplung von Solder joint can be used for mechanical coupling of
Abstandshalter an Schichtstruktur und/oder zur elektrischen Kopplung der Schichtstruktur über den Abstandshalter dienen. Alternativ oder zusätzlich zu der dem Herstellen der Spacer serve to layer structure and / or for electrical coupling of the layer structure via the spacer. Alternatively or in addition to the production of the
Lötverbindung über die Koppelausnehmung kann die Solder connection via the coupling recess, the
LötVerbindung auch seitlich beispielsweise mit Hilfe einer flachen Lötspitze hergestellt werden . Optional kann dann auf die Koppe1ausnehmung verzichtet werden .  LötVerbindung also be produced laterally, for example, using a flat soldering tip. Optionally can then be dispensed with the Koppe1ausnehmung.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die According to various embodiments, the
Schichtstruktur mindestens eine Kontaktleiste auf , mit der Abstandshalter gekoppelt ist . Die Kontaktleiste dient Layer structure at least one contact strip, is coupled to the spacer. The contact strip is used
beispielsweise zum Kontaktieren der Schichtstruktur, for example, for contacting the layer structure,
beispielsweise zum Anlegen einer Spannung an die elektrisch leitende Schicht, beispielsweise die Elektrodenschichten. Der Abstandshalter kann rein zur mechanischen Befestigung des Abstandshalters mit der Kontaktleiste gekoppelt sein und/oder der Abstandshalter kann zur elektrischen Ankopplung der for example, to apply a voltage to the electrical conductive layer, for example the electrode layers. The spacer can be coupled purely for mechanical attachment of the spacer with the contact strip and / or the spacer can be used for electrical coupling of
Kontaktleiste mit der Kontaktleiste über den Abstandshalter gekoppelt sein. Contact strip with the contact strip to be coupled via the spacer.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der According to various embodiments, the
Abstandshalter eine Leiterplatte auf. Die Leiterplatte kann beispielsweise keramische Isolationsmaterialien, Kunststoff und/oder ein Kunstharz aufweisen. Beispielsweise kann die Leiterplatte eine Metallkernplatine sein, die zumindest teilweise in eine elektrisch isolierende Keramik eingebettet ist. Ferner können Fasermatten in den Kunststoff bzw. das Kunstharz eingebettet sein. Beispielsweise weist der Spacer a circuit board on. The circuit board may for example comprise ceramic insulation materials, plastic and / or a synthetic resin. For example, the circuit board may be a metal core board that is at least partially embedded in an electrically insulating ceramic. Furthermore, fiber mats can be embedded in the plastic or the synthetic resin. For example, the
Abstandshalter eine FR4 -Leiterplatte oder eine FR5- Leiterplatte auf. Dies kann dazu beitragen, den Spacer a FR4 printed circuit board or a FR5 PCB on. This can help the
Abstandshalter einfach und kostengünstige herzustellen. Spacers easy and inexpensive to manufacture.
Ferner kann dies dazu beitragen, die Kontaktleisten und/oder die Schichtstruktur auf einfache Weise kontaktieren zu könne . Furthermore, this can contribute to be able to contact the contact strips and / or the layer structure in a simple manner.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die According to various embodiments, the
Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn auf, die mit der Kontaktleiste gekoppelt ist. Beispielsweise kann die Printed circuit board at least one conductor track, which is coupled to the contact strip. For example, the
Leiterbahn über die Koppelausnehmung mit der Kontaktleiste gekoppelt sein. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann dann über die Leiterbahn der Leiterplatte einfach kontaktiert werden. Dies kann dazu beitragen, das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement bei seiner Verwendung einfach in einer übergeordneten Vorrichtung anzuordnen und anzuschließen.  Conductor be coupled via the coupling recess with the contact strip. The light-emitting semiconductor component can then be easily contacted via the conductor track of the printed circuit board. This may help to easily locate and connect the semiconductor light-emitting device in use in a higher-level device.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weisen die According to various embodiments, the
Schichtstrukturen der Abstandshalter mindestens je eineLayer structures of the spacers at least one each
Orientierungsmarke auf. Die Orientierungsmarken sind einander zugeordnet. Dies kann auf einfach Weise zu einem einfachen und/oder präzisen Hersteilen des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements beitragen. Durch die Orientation mark on. The orientation marks are assigned to each other. This can easily result in a simple and / or precise production of the light-emitting Contribute semiconductor device. By the
Orientierungsmarken ist der Abstandshalter so bezüglich der Schichtstruktur ausgerichtet, dass die Leiterplatte  Orientation marks the spacer is so aligned with respect to the layer structure that the circuit board
bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste ausgerichtet ist. In anderen Worten geben die Orientierungsmarken eine relative Orientierung der Schichtstruktur, insbesondere der is intended to be aligned with the contact strip. In other words, the orientation marks give a relative orientation of the layer structure, in particular the
Kontaktleiste auf der Schichtstruktur, zu dem Abstandshalter beim Herstellen des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements vor. Beispielsweise können die körperlichen Contact strip on the layer structure, to the spacer in the manufacture of the light-emitting semiconductor device before. For example, the physical
Strukturen der Schichtstruktur und des Abstandshalters so ausgebildet sein, dass grundsätzlich unterschiedliche Structures of the layer structure and the spacer be designed so that fundamentally different
relative Orientierung des Abstandshalters zu der relative orientation of the spacer to the
Schichtstruktur möglich sind. Die Orientierungsmarken können dann dazu beitragen, dass die Schichtstruktur und der Layer structure are possible. The orientation marks can then contribute to the layer structure and the
Abstandshalter dennoch eine eindeutige Orientierung Spacers nevertheless a clear orientation
zueinander haben. Dies kann beispielsweise vorteilhaft sein, wenn eine nicht bestimmungsgemäße Orientierungen have each other. This may be advantageous, for example, if an improper orientation
beispielsweise zu einer falschen Kontaktierung (Verpolung) der Schichtstruktur führen. For example, lead to a false contact (reverse polarity) of the layer structure.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispieien weist der According to various Ausführungsbeispieien has the
Abstandshalter eine optische Schicht auf. Die optische Spacer on an optical layer. The optical
Schicht wirkt sich auf die elektromagnetische Strahlung aus, die in der optisch funktionellen Schicht erzeugt wird. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn der Abstandshalter auf der Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet ist, auf der die elektromagnetische Strahlung emittiert wird. Die elektromagnetische Strahlung tritt dann durch den Abstandshalter und kann von diesem auf vorgegebene Art und Weise beeinflusst werden. Layer affects the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer. This is advantageous in particular when the spacer is arranged on the side of the light-emitting semiconductor component on which the electromagnetic radiation is emitted. The electromagnetic radiation then passes through the spacer and can be influenced by it in a predetermined manner.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispieien ist die optische Schicht eine Streuschicht und/oder Konversionsschicht. Die Streuschicht dient dazu, die in der optisch funktionellen Schicht erzeugte elektromagnetische Strahlung zu streuen. Die Konversionsschicht dient dazu, die elektromagnetische According to various embodiments, the optical layer is a scattering layer and / or conversion layer. The scattering layer serves to scatter the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer. The conversion layer serves to the electromagnetic
Strahlung zu konvertieren und beispielsweise die Wellenlängen der erzeugten elektromagnetischen Strahlung hin zu längeren Ii oder kürzeren Wellenlängenbereichen zu verschieben. In anderen Worten kann der Abstandshalter als Konversionselement dienen, wie es beispielsweise aus Remote- Phosphor- und/oder LARP-Anwendungen bekannt ist. To convert radiation and, for example, the wavelengths of the generated electromagnetic radiation towards longer Ii or shorter wavelength ranges to move. In other words, the spacer can serve as a conversion element, as is known, for example, from remote phosphor and / or LARP applications.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine mit der According to various embodiments, the semiconductor light-emitting device has one with the
Schichtstruktur gekoppelte Wärmesenke auf. Der Abstandshalter ist dann beispielsweise so ausgebildet, dass durch ihn mindestens der vorgegebene erste Abstand zwischen der Layer structure coupled heat sink. The spacer is then for example formed so that at least the predetermined first distance between the
elektrisch leitenden Schicht und der Wärmesenke vorgegeben ist. electrically conductive layer and the heat sink is predetermined.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
Es zeigen-. Show it-.
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel einer Schichtstruktur für ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement, FIG. 1 shows an exemplary embodiment of a layer structure for a light-emitting semiconductor component,
Figur 2 eine Ansicht einer Vorderseite eines Figure 2 is a view of a front side of a
Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ,  Embodiment of a light-emitting semiconductor device,
Figur 3 eine Ansicht einer Rückseite des Licht Figure 3 is a view of a back of the light
emittierenden Halbleiter-Bauelements gemäß Figur 2,  emitting semiconductor device according to Figure 2,
Figur 4 eine Schnittdarstellung durch das Licht Figure 4 is a sectional view through the light
emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 2 ,  emitting semiconductor device according to FIG. 2,
Figur 5 eine Ansicht einer Rückseite eines Figure 5 is a view of a back of a
Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ,  Embodiment of a light-emitting semiconductor device,
Figur 6 eine Schnittdarstellung durch das Licht Figure 6 is a sectional view through the light
emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 5, Figur 7 eine Ansicht einer Vorderseite einesemitting semiconductor device according to FIG. 5, Figure 7 is a view of a front side of a
Ausführungsbeispiels eines Licht emittierendenEmbodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements , Figur 8 eine Schnittdarstellung durch das Licht Semiconductor device, Figure 8 is a sectional view through the light
emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 7 ,  emitting semiconductor device according to FIG. 7,
Figur 9 eine Schnittdarstellung durch ein 9 shows a sectional view through a
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Embodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements , Semiconductor device,
Figur 10 eine Schnittdarstellung durch ein Figure 10 is a sectional view through a
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Embodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements , Semiconductor device,
Figur 11 eine Schnittdarstellung durch ein Figure 11 is a sectional view through a
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Embodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements , Figur 12 eine Schnittdarstellung durch ein Semiconductor device, Figure 12 is a sectional view through a
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Embodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements , Semiconductor device,
Figur 13 eine Schnittdarstellung durch ein Figure 13 is a sectional view through a
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Embodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements , Semiconductor device,
Figur 14 eine Schnittdarstellung durch ein Figure 14 is a sectional view through a
Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Embodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements , Semiconductor device,
Figur 15 ein Ausführungsbeispiel eines Abstandshalters und ein Ausführungsbeispiel einer Schichtstruktur, Figur 16 ein Ausführungsbeispie1 eines Licht emittierenden Figure 15 shows an embodiment of a spacer and an embodiment of a layer structure, Figure 16 shows an embodiment of a light-emitting
Halbleiter-Bauelements . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Semiconductor device. In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which are part of this
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem In the description, specific embodiments are shown in which the invention may be practiced. It is understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. To deviate scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe In the context of this description, the terms
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. Ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement kann in "connected", "connected" and "coupled" used to describe both a direct and indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate. A semiconductor light-emitting device can be used in
verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine Licht various embodiments as a light
emittierende Diode {light emitting diode, LED) oder eine organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein Licht emittierender Transistor oder organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann in emitting diode (light emitting diode), or an organic light emitting diode (OLED) or as a light emitting transistor or organic light emitting transistor may be formed. The semiconductor light-emitting device can be used in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. various embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of light-emitting semiconductor components may be provided, for example housed in a common housing.
Fig.1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer 1 shows a schematic cross-sectional view of a
Schichtstruktur 1 eines Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement ist bei diesem Layer structure 1 of a light-emitting semiconductor Component, according to various embodiments. The semiconductor light-emitting device is in this
Ausführungsbeispiel beispielsweise eine organische Embodiment, for example, an organic
Leuchtdiode . Led .
Die Schichtstruktur 1 weist beispielsweise einen Träger 2 auf. Der Träger 2 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise Licht emittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 2 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 2 eine Metallfolie, eine Kunststofffolie und/oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffollen aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine The layer structure 1 has, for example, a carrier 2. The carrier 2 can serve, for example, as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. For example, the carrier 2 may comprise or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material. Furthermore, the carrier 2 may comprise or be formed from a metal foil, a plastic foil and / or a laminate with one or more plastic rolls. The plastic may contain one or more polyolefins
(beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) } aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,  (for example, high density polyethylene or low density polyethylene or polypropylene (PP)) or polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 2 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Der Träger 2 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein, Polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN) or be formed therefrom. The carrier 2 may comprise one or more of the above-mentioned materials. The carrier 2 can be translucent or even transparent,
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, The term "translucent" or "translucent layer" can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light,
beispielsweise für das von dem Licht emittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer for example, for the light generated by the light emitting device, for example one or more
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem  Wavelength ranges, for example, for light in one
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). For example, the term "translucent layer" in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Structure (for example, a layer) coupled
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann Amount of light also from the structure (for example layer) is decoupled, whereby a part of the light can be scattered here
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist The term "transparent" or "transparent layer" can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des (For example, at least in a portion of the
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur {beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure {for example a layer) substantially without scattering or light conversion.
Somit ist „transparent" in verschiedenen Thus, "transparent" in different
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen,  Embodiments as a special case of "translucent",
Für den Fall, dass beispielsweise ein Licht emittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes In the event that, for example, a light-emitting monochrome or limited in the emission spectrum
elektronisches Halbleiter-Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtstruktur zumindest in einem Teilbereich des electronic semiconductor device is to be provided, it is sufficient that the optically translucent layer structure at least in a portion of the
Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist.  Wavelength range of the desired monochrome light or translucent for the limited emission spectrum.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode (oder auch allgemein das bzw. die Licht In various embodiments, the organic light emitting diode (or generally the or the light
emittierenden Halbleiter-Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) als ein Top- und/oder Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes emissive semiconductor devices according to the embodiments described above or below) as a top and / or bottom emitter. A top and bottom emitter can also be considered optically transparent
Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. Bei einem Top-Emitter emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Vorderseite und bei einem Bottom-Emitter Component, for example, a transparent organic light emitting diode to be called. In a top emitter, the semiconductor light-emitting device emits the light at the front and at a bottom emitter
emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Rückseite. Bei einem Top- und Bottom- Emitter emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Vorderseite und an der Rückseite. Die Schichtstruktur 1 kann in verschiedenen The light-emitting semiconductor device emits the light on the backside. In a top and bottom emitter, the semiconductor light emitting device emits the light at the front and at the back. The layer structure 1 can in different
Ausführungsbeispielen beispielsweise eine optional auf oder über dem Träger 2 angeordnete Barriereschicht 4 aufweisen. Die Barriereschicht 4 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,  Embodiments, for example, have an optionally on or above the carrier 2 arranged barrier layer 4. The barrier layer 4 can comprise or consist of one or more of the following materials: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid , Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen  Silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
derselben. Ferner kann die Barriereschicht 4 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis 5000 nm, the same. Furthermore, in various exemplary embodiments, the barrier layer 4 can have a layer thickness in a range from 0.1 nm (one atomic layer) to 5000 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von 40 nm . for example, a layer thickness in a range of 10 nm to 200 nm, for example, a layer thickness of 40 nm.
Die Schichtstruktur 1 kann in verschiedenen The layer structure 1 can in different
Ausfuhrungsbeispielen einen auf oder über der BarriereSchicht 4 angeordneten elektrisch aktiven Bereich 6 des Licht  Exemplary embodiments, an electrically active region 6 of the light arranged on or above the barrier layer 4
emittierenden Halbleiter-Bauelements aufweisen . Der having emitting semiconductor device. Of the
elektrisch aktive Bereich 6 kann als der Bereich des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des Licht Electrically active region 6 can be understood as the region of the semiconductor light-emitting device in which an electric current for the operation of the light
emittierenden Halbleiter-Bauelements fließt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende emissive semiconductor device flows. In various embodiments, the light emitting
Halbleiter-Bauelement eine , zwei oder mehr elektrisch Semiconductor device one, two or more electrically
leitende Schichten auf . Beispielsweise weist der elektrisch aktive Bereich 6 als erste elektrisch leitende Schicht eine erste Elektrodenschicht 10 und als zweite elektrisch leitende Schicht eine zweite Elektrodenschicht 14 auf . Ferner weist bei verschiedenen Ausführungsbeispielen der elektrisch aktive Bereich eine organische funktionelle Schicht 12 auf . conductive layers. By way of example, the electrically active region 6 has a first electrode layer 10 as the first electrically conductive layer and a second electrode layer 14 as the second electrically conductive layer. Furthermore, in various embodiments, the electrically active region comprises an organic functional layer 12.
Alternativ oder zusätzlich können noch weitere Schichten der Schichtstruktur 1 des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements elektrisch leitend ausgebildet sein. Als Alternatively or additionally, further layers of the layer structure 1 of the light-emitting semiconductor component may be designed to be electrically conductive. When
elektrisch leitende Schicht ist egliche Schicht des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements zu verstehen, an der vor, während oder nach einem Betrieb des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem Licht erzeugt wird, eine electrically conductive layer is to understand natural layer of the semiconductor light-emitting device, on the before, during or after an operation of the light-emitting Semiconductor device in which light is generated, a
Spannung anliegen und/oder durch die ein St om fließen kann. Voltage applied and / or through which a St om can flow.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barriereschicht 4 (oder, wenn die Barriereschicht 4 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 2) die erste In various embodiments, on or above the barrier layer 4 (or, if the barrier layer 4 is not present, on or above the support 2), the first
Elektrodenschicht 10 aufgebracht sein. Die erste Electrode layer 10 may be applied. The first
Elektrodenschicht 10 (im Folgenden auch als untere Electrode layer 10 (hereinafter also referred to as lower
Elektrodenschicht 10 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid Electrode layer 10) may be formed of an electrically conductive material, such as a metal or a conductive transparent oxide
(transparent conductive oxide, TCO) oder einem (transparent conductive oxide, TCO) or a
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder Layer stacks of several layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or
unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente , leitfähige Materialien, beispielsweise different TCOs. Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- inn-Oxid ( ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder Ιη203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen , wie beispielsweise AlZnO , Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03 , Zn2I 205 oder Cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium-innate oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, Sn0 2 , or Ιη 2 0 3 also include ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 I 2 05 or
I 4s 30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in I 4s 3 0i2 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs and can in
verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. various embodiments are used.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to one
stöchiomefrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 gebildet sein aus einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid- Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . In verschiedene Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 eines oder mehrere der stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped. In various embodiments, the first electrode layer 10 may comprise a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials. In various embodiments, the first electrode layer 10 may be formed of a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO Multilayers. In various embodiments, the first electrode layer 10 may include one or more of the
folgenden Materialien aufweisen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag,- Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrodenschicht 10 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige As an alternative or in addition to the materials mentioned above, the following materials comprise: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires. Furthermore, the first electrode layer 10 can be electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive
transparente Oxide aufweisen. have transparent oxides.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste In various embodiments, the first
Elektrodenschicht 10 und der Träger 2 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrodenschicht 10 aus einem Metall gebildet ist, kann die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise Electrode layer 10 and the carrier 2 may be translucent or transparent. In the case that the first electrode layer 10 is formed from a metal, the first electrode layer 10 may, for example, have a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 18 nm Furthermore, the first electrode layer 10 may be, for example
Schichtdicken größer oder gleich 10 nm aufweisen, Have layer thicknesses greater than or equal to 10 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke größer oder gleich 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste For example, a layer thickness greater than or equal to 15 nm. In various embodiments, the first
Elektrodenschicht 10 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 15 nm bis 18 nm. Weiterhin kann für den Fall , dass die erste Elektrodenschicht 10 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet ist, die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 50 nm bis 500 nm, Electrode layer 10 have a layer thickness in a range of 10 nm to 25 nm, for example, a layer thickness in a range of 10 nm to 18 nm, for example, a layer thickness in a range of 15 nm to 18 nm Electrode layer 10 is formed from a conductive transparent oxide (TCO), the first electrode layer 10, for example, have a layer thickness in a range of 50 nm to 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 75 nm bis 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 1 nm bis 150 nm. Ferner kann für den Fall , dass die erste Elektrodenschicht 10 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem For example, a layer thickness in a range of 75 nm to 250 nm, for example, a layer thickness in a range of 1 nm to 150 nm. Further, in the event that the first electrode layer 10 of, for example, a network of metallic nanowires, for example Ag, the can be combined with conductive polymers, a
Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen- Schichten und Kompositen gebildet ist, die erste Network of carbon nanotubes with conductive Polymer can be combined, or formed from graphene layers and composites, the first
Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke Electrode layer 10, for example, a layer thickness
aufweisen in einem Bereich von 1 nm bis 500 nm, in a range from 1 nm to 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 40 nm bis 250 nm. For example, a layer thickness in a range of 10 nm to 400 nm, for example, a layer thickness in a range of 40 nm to 250 nm.
Die erste Elektrodenschicht 10 kann als Anode, also als The first electrode layer 10 can be used as the anode, ie as
Löcher injizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine Elektronen injizierende Holes injecting electrode layer may be formed or as a cathode, that is, as an electron injecting
Elektrodenschicht . Electrode layer.
Die erste Elektrodenschicht 10 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer nicht dargestellten Energiequelle, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 2 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an der ersten Elektrodenschicht 10 angelegt werden bzw. sein. Das erste elektrische Potential kann The first electrode layer 10 may have a first electrical connection, to which a first electrical potential (provided by a not shown energy source, for example a current source or a voltage source) can be applied. Alternatively, the first electric potential may be applied to the carrier 2, and may be applied thereto indirectly via the first electrode layer 10. The first electrical potential can
beispielsweise das Massepotential oder ein anderes for example, the ground potential or another
vorgegebenes Bezugspotential sein. Der elektrisch aktive Bereich 6 des Licht emittierenden be given reference potential. The electrically active region 6 of the light-emitting
Halbleiter-Bauelements kann eine optisch funktionelle Schicht 12 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrodenschicht 10 aufgebracht ist. Die optisch funktionelle Schicht 12 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Ein, zwei oder mehr der Teilschichten können beispielsweise eine organische elektrolumineszente Schicht oder  Semiconductor device may include an optically functional layer 12, which is applied to or over the first electrode layer 10. The optically functional layer 12 may, for example, have one, two or more partial layers. One, two or more of the partial layers may, for example, be an organic electroluminescent layer or
Schichtenfolge aufweisen. Have layer sequence.
Die optisch funktionelle Schicht 12 kann eine oder mehrere Emitterschichten 18, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, aufweisen, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 16 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) ) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 16 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) ) vorgesehen sein. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem Licht The optically functional layer 12 can have one or more emitter layers 18, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-conducting layers 16 (also referred to as hole-transport layer (s)). In different Embodiments may alternatively or additionally include one or more electron conductive layers 16 (also referred to as electron transport layer (s)). Examples of emitter materials used in the light
emittierenden Halbleiter-Bauelement gemäß verschiedenen emitting semiconductor device according to various
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 18 Embodiments of Emitter Layer (s) 18
eingesetzt werden können, schließen organische oder organic or organic
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen {z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic {Bis (3 , 5-difluoro-2- { 2 -pyridyl) phenyl - (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene {e.g. 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic {bis (3,5-difluoro-2- {2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
Ir {ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot Ir {ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) {Tris [4,4' -di-tert- butyl- · 2 , 2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4 -Bis [4 - (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 * 2 (PFg) {tris [4,4'-di-tert-butyl-2,2'-bipyridine] ruthenium (III) complex) and blue fluorescent DPAVBi (4, 4 -Bis [4 - (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA
{9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot  {9, 10-bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracene) and red
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl~6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-ylolidolyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter. Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. Ferner können alternativ oder zusätzlich andere geeignete Emittermaterialien Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited. The emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. Further, alternatively or additionally, other suitable emitter materials may be used
vorgesehen sein. Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 18 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das Licht emittierende Halbleiter- Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschich (en) 18 kann/können mehrere verschiedenf rbig {zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 18 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 18 oder blau be provided. The emitter materials of the emitter layer (s) 18 of the light-emitting semiconductor component may for example be selected such that the light-emitting semiconductor Component emitted white light. The emitter layer (s) 18 may comprise a plurality of emitter materials emitting different colors (eg blue and yellow or blue, green and red), alternatively, the emitter layer (s) 18 may also be composed of several sublayers, such as a blue fluorescent one Emitter layer 18 or blue
phosphoreszierenden Emitterschicht 18, einer grün phosphorescent emitter layer 18, one green
phosphoreszierenden Emitterschicht 18 und einer rot phosphorescent emitter layer 18 and a red
phosphoreszierenden Emitterschicht 18. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann Licht mit einem weißen Farbeindruck erzeugt werden. Alternativ kann vorgesehen sein, im phosphorescent emitter layer 18. By mixing the different colors, light can be produced with a white color impression. Alternatively, it can be provided in the
Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Beam path of the generated by these layers
Primäremission ein Konvertermaterial, beispielsweise in einer Konversionsschicht, anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Primary emission to arrange a converter material, for example in a conversion layer, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation a white
Farbeindruck ergibt. Eine derartige KonversionsSchicht kann somit dazu dienen einen Wellenlängenbereich der Color impression results. Such a conversion layer can thus serve a wavelength range of
Primärstrahlung oder Anregungsstrahlung zu verschieben.  Move primary radiation or excitation radiation.
Die optisch funktionelle Schicht 12 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische Optically functional layer 12 may generally include one or more electroluminescent layers. The one or more electroluminescent layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic
Monomere, organische kleine, nicht -polymere Moleküle („small molecules" ) oder eine Kombination dieser Materialien Monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these materials
aufweisen. Beispielsweise kann die optisch funktionelle exhibit. For example, the optically functional
Schicht 12 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht 20 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die optisch funktioneile Schicht 12 eine oder mehrere Layer 12 comprises one or more electroluminescent layers, which is or are designed as hole transport layer 20, so that, for example in the case of an OLED, effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible. Alternatively, in various embodiments, the optically functional layer 12 may be one or more
funktionelle Schichten aufweisen, die als have functional layers that as
Elektronentransportschicht 16 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht 20 können Electron transport layer 16 is executed or are, so that, for example, in an OLED, effective electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible. As a material for the hole transport layer 20 can
beispielsweise tertiäre Amine , Carbazoderivate , leitendesfor example tertiary amines, carbazoderivate, conductive
Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als Polyaniline or Polythylendioxythiophen be used. In various embodiments, the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein . be carried out electroluminescent layer.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die In various embodiments, the
Lochtransportschicht 20 auf oder über der ersten Hole transport layer 20 on or above the first
Elektrodenschicht 10 aufgebracht , beispielsweise Electrode layer 10 applied, for example
abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 18 kann auf oder über der Lochtransportschicht 20 aufgebrach , beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Elektronentransportschicht 16 auf oder über der Emitterschicht 18 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein. may be deposited, and the emitter layer 18 may be deposited on or over the hole transport layer 20, for example deposited. In various embodiments, the electron transport layer 16 may be deposited on or over the emitter layer 18, for example, deposited.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 12 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 20 und Emitterschicht (en) 18 und Elektronentransportschicht (en) 16} eine Schichtdicke aufweisen von maximal 1,5 μνη, beispielsweise eine In various exemplary embodiments, the optically functional layer 12 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 20 and emitter layer (s) 18 and electron transport layer (s) 16} may have a layer thickness of at most 1.5 μm, for example one
Schichtdicke von maximal 1 , 2 μτα, beispielsweise eine  Layer thickness of a maximum of 1, 2 μτα, for example one
Schichtdicke von maximal 1 μνα, beispielsweise eine Layer thickness of at most 1 μνα, for example one
Schichtdicke von maximal 800 nm, beispielsweise eine Layer thickness of a maximum of 800 nm, for example a
Schichtdicke von maximal 500 nm, beispielsweise eine Layer thickness of a maximum of 500 nm, for example a
Schichtdicke von maximal 400 nm, beispielsweise eine Layer thickness of a maximum of 400 nm, for example a
Schichtdicke von maximal 300 nm. Layer thickness of a maximum of 300 nm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 12 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen In various embodiments, the optically functional layer 12 may be, for example, a stack of a plurality of directly superimposed organic
Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED Having light emitting diodes (OLEDs), each OLED
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal 1 , 5 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1, 2 μτα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1 μτα, For example, have a layer thickness of at most 1, 5 μτη, for example, a layer thickness of a maximum of 1, 2 μτα, for example, a layer thickness of at most 1 μτα,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 800 nm, for example, a layer thickness of at most 800 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 500 nm, for example, a layer thickness of at most 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 400 nm, for example, a layer thickness of at most 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch For example, a layer thickness of at most 300 nm. In various embodiments, the optical
funktionelle Schicht 12 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs functional layer 12, for example, a stack of two, three or four directly superimposed OLEDs
aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die optisch in which case, for example, the optical
funktionelle Schicht 12 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μνα. functional layer 12 may have a layer thickness of at most about 3 μνα.
Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, Optionally, the semiconductor light-emitting device may generally comprise further organic functional layers,
beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 18 oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht (en) 16 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des Licht for example, disposed on or above the one or more emitter layers 18 or on or above the electron transport layer (s) 16 that serve to enhance the functionality and hence the efficiency of the light
emittierenden Halbleiter-Bauelements weiter zu verbessern, beispielsweise Einkoppelschichten, Auskoppelschichten oderemitting semiconductor device to further improve, for example Einkoppelschichten, Auskoppelschichten or
Streuschichten . Litter layers.
Auf oder über der optisch funktionellen Schicht 12 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen Schichten kann die zweite Elektrodenschicht 14 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 14) aufgebracht sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrodenschicht 14 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrodenschicht 10, wobei in verschiedenenOn or above the optically functional layer 12 or optionally on or above the one or more further organic functional layers, the second electrode layer 14 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 14). In various embodiments, the second electrode layer 14 may include or be formed from the same materials as the first electrode layer 10, wherein in different
Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Embodiments metals are particularly suitable. In various embodiments, the second
Elektrodenschicht 14 beispielsweise eine Schichtdicke Electrode layer 14, for example, a layer thickness
aufweisen von kleiner oder gleich 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 40 nm, have a thickness of less than or equal to 50 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 40 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 10 nm. For example, a layer thickness of less than or equal to 35 nm, for example, a layer thickness of less than or equal 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 15 nm, for example a layer thickness of less than or equal to 10 nm.
Die zweite Elektrodenschicht 14 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet sein wie die erste Elektrodenschicht 10, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrodenschicht 14 kann in verschiedenen Äusführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrodenschicht 10 beschrieben. In verschiedenen The second electrode layer 14 may generally be formed in a manner similar to, or different from, the first electrode layer 10. The second electrode layer 14 may be formed in various embodiments of one or more of the materials and with the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode layer 10. In different
Äusführungsbeispielen sind die erste Elektrodenschicht 10 und die zweite Elektrodenschicht 14 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte Licht emittierende Halbierter-Bauelement als Top- und/oder Bottom-Emitter, beispielsweise als transparentes Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement ausgebildet sein. In embodiments, the first electrode layer 10 and the second electrode layer 14 are both made translucent or transparent. Thus, the light-emitting halide component illustrated in FIG. 1 can be designed as a top and / or bottom emitter, for example as a transparent light-emitting semiconductor component.
Die zweite Elektrodenschicht 14 kann als Anode, also als Löcher injizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine Elektronen injizierende The second electrode layer 14 may be formed as an anode, ie, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting
Elektrodenschicht . Electrode layer.
Die zweite Elektrodenschicht 14 kann einen zweiten The second electrode layer 14 may have a second
elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites have electrical connection, to which a second
elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential) , beispielsweise bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von 1,5 V bis 20 V aufweist, electric potential (which is different from the first electric potential), for example, provided by the power source, can be applied. The second electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the first electrical potential has a value in a range from 1.5 V to 20 V,
beispielsweise einen Wert in einem Bereich von 2,5 V bis 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von 3 V bis 12 V. Auf oder über der zweiten Elektrodenschicht 14 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 6 kann optional noch eine Verkapselung 8, beispielsweise in Form einer for example, a value in a range of 2.5V to 15V, for example, a value in a range of 3V to 12V. On or above the second electrode layer 14 and thus on or above the electrically active region 6, an encapsulation 8, for example in the form of an encapsulation 8, can optionally also be provided
Barrierendünnschicht 8 oder Dünnschichtverkapselung gebildet werden oder sein. Barrier film 8 or thin-layer encapsulation can be formed or its.
Unter einer „Barrierendünnschicht" bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 8 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen For the purposes of this application, a "barrier thin film" or a "barrier thin film" 8 may be understood as meaning, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical
Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit andere Worten ist die Barrierendünnschicht 8 derart ausgebildet, dass sie von Stoffen, die das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement schädigen kommen , wie Wasser,  Contaminants or atmospheric substances, especially against water (moisture) and oxygen to form. In other words, the barrier film 8 is formed so as to come from substances that damage the semiconductor light-emitting device, such as water,
Sauerstoff oder Lösemittel, nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.  Oxygen or solvent, not or at most can be penetrated at very low levels.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht 8 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die According to one embodiment, the barrier thin film 8 may be formed as a single layer (in other words, as a single layer). According to an alternative embodiment, the barrier thin film 8 may comprise a plurality of sublayers formed on each other. In other words, according to one embodiment, the barrier thin layer 8 can be formed as a layer stack (stack). The
Barrierendünnschicht 8 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines  Barrier thin film 8 or one or more sub-layers of barrier thin film 8 may be formed, for example, by a suitable deposition method, e.g. by atomic layer deposition (ALD) according to an embodiment, e.g. a plasma enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method or a
plasmalosen Atomlageabsche ideverfahrens { Plasma- less Atomic Layer Deposition ( PLALD ) ) , oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition plasma-less atomic layer deposition (PLALD), or by means of a chemical vapor deposition process (Chemical Vapor Deposition)
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines  (CVD)) according to another embodiment, e.g. one
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma- less plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) Plasmalose gas phase separation method (Plasma less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren . Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 8, die mehrere Teilschichten aufweist , alle Teilschichten mittels eines Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), or alternatively by other suitable deposition methods. By using an atomic layer deposition process (ALD) very thin layers can be deposited. In particular, layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region. In accordance with one embodiment, in the case of a barrier thin-film layer 8 which has a plurality of partial layers, all partial layers can be formed by means of a partial layer
Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden . Eine  Atomic layer deposition process are formed. A
Schichten olge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden . Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 8, die mehrere Teilschichten aufweist , eine oder mehrere Layers which have only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate." According to an alternative embodiment, in the case of a barrier thin layer 8 which has a plurality of partial layers, one or more
Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem  Partial layers of the barrier thin film 8 by means of a different deposition method than a
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, Atomic layer deposition processes are deposited,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . for example by means of a gas phase separation process.
Die Barrierendünnschicht 8 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von 0.1 nm (eine Atomlage) bis 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von 10 nm bis 1 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise 40 nm gemäß einer Ausgestaltung . According to one embodiment, the barrier thin film 8 may have a layer thickness of 0.1 nm (one atomic layer) to 1000 nm, for example a layer thickness of 10 nm to 1 nm according to an embodiment, for example 40 nm according to one embodiment.
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 8 mehrere Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen . Gemäß einer anderen According to one embodiment, in which the barrier thin layer 8 has a plurality of partial layers, all partial layers can have the same layer thickness. According to another
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Design, the individual sub-layers of
Barrierendünnschicht 8 unterschiedliche Schichtdicken Barrier thin layer 8 different layer thicknesses
aufweisen . Mit anderen Worten kann mindestens eine der exhibit . In other words, at least one of
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten . Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
Die Barrierendünnschicht 8 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 8 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 8} aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer The barrier thin layer 8 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 8 can, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer. In other words, the barrier film 8 (or the individual sublayers of the barrier film 8) may be made of a translucent or transparent material (or a material)
Materialkombination, die transiuzent oder transparent ist) bestehen. Combination of materials that is transient or transparent).
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten} eine oder mehrere der Teilschichten der According to one embodiment, the barrier thin layer 8 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
Barrierendünnschicht 8 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Barrier thin layer 8 comprise or consist of one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide
Lanthaniumoxid , Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen  Silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 8 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungs index, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. the same. In various embodiments, the barrier film 8 or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film 8 may comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, such as a refractive index of at least 2.
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 8 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack 2.4 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine In various exemplary embodiments, an adhesive and / or a protective lacquer 2.4 can be provided on or above the barrier thin layer 8, by means of which, for example, a
Abdeckung 26 (beispielsweise eine Glasabdeckung) auf der Barrierendünnschicht 8 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 24 eine Schichtdicke von größer als 1 μτ aufweisen, Cover 26 (for example, a glass cover) attached to the barrier film 8, for example, is glued. In various embodiments, the optically translucent layer of adhesive and / or protective lacquer 24 may have a layer thickness of greater than 1 μτ,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren /im. In For example, a layer thickness of several / in. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. In various embodiments, the adhesive may include or be a lamination adhesive.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als In the layer of the adhesive (also referred to as
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen Licht streuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Adhesive layer) may be embedded in various embodiments, light-scattering particles that belong to a further improvement of color angle distortion and the
Auskoppeleffizienz führen können, In verschiedenen Outcoupling efficiency can result in different
Ausführungsbeispielen können als Licht streuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20a) Embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, scattering dielectric articles such as metal oxides, e.g. Silica (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acryla , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartike1 , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein . Alumina, or titania. Other particles may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acryla, or glass hollow spheres. Furthermore, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron Nanopartike1, or the like may be provided as light-scattering particles.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrodenschicht 14 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 24 noch eine elektrisch isolierende In various embodiments, between the second electrode layer 14 and the layer of adhesive and / or resist 24, an electrically insulating
Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 300 nm bis 1 , 5 μιιι, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 500 nm bis 1 μπι, um Layer (not shown) are applied, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of 300 nm to 1, 5 μιιι, for example, with a layer thickness in a range of 500 nm to 1 μπι to
elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses . to protect electrically unstable materials, for example during a wet chemical process.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der Brechungsindex der In various embodiments, the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
Abdeckung 26. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden . Cover 26. Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen It should also be noted that in various
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 24 verzichtet werden kann, beispielsweise bei Ausführungsbeispielen, bei denen die Abdeckung 26, Embodiments also completely on an adhesive 24 can be omitted, for example at Embodiments in which the cover 26,
beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise for example, glass, for example
Plasmaspritzens auf die Verkapselung 8 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Plasma spraying are applied to the encapsulation 8. In various embodiments, the / may
Abdeckung 26 und/oder der Klebstoff 24 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.  Cover 26 and / or the adhesive 24 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen Furthermore, in various embodiments
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten additionally one or more antireflection coatings
(beispielsweise kombiniert mit einer Verkapselung ,  (eg combined with an encapsulation,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 8} in dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement vorgesehen sein. for example, the barrier thin film 8} may be provided in the light-emitting semiconductor device.
Figur 2 zeigt eine Vorderseite eines Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement weist beispielsweise die vorstehend erläuterte Schichtstruktur 1 auf . Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement und die Schichtstruktur 1 sind bei diesem Ausführungsbeispiel achteckig ausgebildet. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement und die FIG. 2 shows a front side of an exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component. The light-emitting semiconductor component has, for example, the layer structure 1 explained above. The light-emitting semiconductor component and the layer structure 1 are formed octagonal in this embodiment. The semiconductor light-emitting device and the
Schichtstruktur 1 können jedoch eine andere Form aufweisen, beispielsweise können das Licht emittierende Halbleiter- Bauelement und/oder die Schichtstruktur 1 in Vorderansicht rund oder viereckig ausgebildet sein oder eine andere However, layer structure 1 may have a different shape, for example, the light-emitting semiconductor device and / or the layer structure 1 may be formed in front view round or square or another
beliebige Form aufweisen. have any shape.
Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement weist einen Abstandshalter 40 auf. Der Abstandshalter 40 weist The semiconductor light-emitting device has a spacer 40. The spacer 40 has
beispielsweise eine zentrale Aufnahmeausnehmung 42 auf, die in Figur 2 von der Schichtstruktur 1 verdeckt ist und daher in Figur 2 gestrichelt angedeutet ist. Die Auf ahmeausnehmung 42 kann beispielsweise dazu dienen, die Schichtstruktur 1 von einer Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements aus elektrisch und/oder thermisch zu koppeln. Der Abstandshalter 40 weist einen die Auf ahmeausnehmung 42 begrenzenden inneren Rand und einen äußeren ersten Rand 34 auf. Der äußere erste Rand 34 des Abstandshalters 40 hat einen vorgegebenen ersten Abstand 32 zu der Schichtstruktur 1. Der in Figur 2 gezeigte erste Rand 34 des Abstandshalters 40 ist von der Schichtstruktur 1 abgewandt und kann auch als von der Schichtstruktur 1 abgewandter erster Rand 34 For example, a central receiving recess 42, which is hidden in Figure 2 of the layer structure 1 and is therefore indicated by dashed lines in Figure 2. The Aufhausnehmung 42 may serve, for example, to electrically and / or thermally couple the layer structure 1 from a back side of the light-emitting semiconductor device. The spacer 40 has an inner edge bordering on the recess 42 and an outer first edge 34 on. The outer first edge 34 of the spacer 40 has a predetermined first distance 32 to the layer structure 1. The first edge 34 of the spacer 40 shown in FIG. 2 faces away from the layer structure 1 and can also be considered as the first edge 34 facing away from the layer structure 1
bezeichnet werden. be designated.
Der Abstandshalter 40 dient zum Einhalten des vorgegebenen ersten Abstands 32 zu der Schichtstruktur 1 bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , The spacer 40 serves to maintain the predetermined first distance 32 to the layer structure 1 when using the light-emitting semiconductor device,
beispielsweise in einer Leuchte . Beispielsweise dient der Abstandsha.lter 40 zum Einhalten des vorgegebenen ersten for example, in a lamp. For example, the spacer holder 40 serves to maintain the predetermined first one
Abstands 32 zu den elektrisch leitenden Schichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1, beispielsweise zu den Elektrodenschichten 10, 14. Der Abstandshalter 40 besteht im Wesentlichen oder vollständig aus elektrisch isolierendem Material . Distance 32 to the electrically conductive layers 10, 14 of the layer structure 1, for example, to the electrode layers 10, 14. The spacer 40 consists essentially or completely of electrically insulating material.
Beispielsweise besteht der Abstandshalter 40 im Wesentlichen aus elektrisch isolierendem Material und weist ansonsten ein paar wenige elektrisch leitende Bereiche auf . Alternativ dazu kann der Abstandshalter beispielsweise eine Metallkernplatine aufweisen, die zumindest teilweise von einem isolierenden Material umgeben ist , beispielsweise von einer For example, the spacer 40 consists essentially of electrically insulating material and otherwise has a few electrically conductive regions. Alternatively, the spacer may comprise, for example, a metal core board which is at least partially surrounded by an insulating material, for example one of them
Isolationsauflage und/oder einer Keramik . Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise einem gesetzlich vorgegebenen Sicherheitsabstand entsprechen oder größer als dieser sein. Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise abhängig von dem elektrischen Potential vorgegeben werden, das an die Insulation pad and / or a ceramic. The predetermined distance may correspond, for example, to a legally prescribed safety distance or be greater than this. The predetermined distance can be predetermined, for example, as a function of the electrical potential that is applied to the
Elektrodenschichten 10 , 14 oder deren elektrische Anschlüsse angelegt werden kann oder soll . Electrode layers 10, 14 or their electrical connections can be applied or should.
In Figur 2 erstreckt sich der vorgegebene Abstand 32 von einem äußeren Rand der Schichtstruktur 1 bis zu dem ersten Rand 34 des Abstandshalters 40. Dabei wird beispielsweise davon ausgegangen, dass sich die elektrisch leitenden In Figure 2, the predetermined distance 32 extends from an outer edge of the layer structure 1 to the first edge 34 of the spacer 40. It is assumed, for example, that the electrically conductive
Schichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1 bis zu dem äußerenLayers 10, 14 of the layer structure 1 to the outer
Rand der Schichtstruktur 1 erstrecken . Falls sich j edoch die elektrisch leitenden Schichten 10 , 14 in Richtung parallel zu den Schichten nicht bis zum äußeren Rand der Schichtstruktur 1 erstrecken, so kann sich der vorgegebene erste Abstand 32 von dem vorgegebenen ersten Rand 34 bis hin zu einen Rand der nächstliegenden elektrisch leitenden Schicht 10, 14 der Edge of the layer structure 1 extend. If, however, the electrically conductive layers 10, 14 do not extend in the direction parallel to the layers to the outer edge of the layer structure 1, so may the predetermined first distance 32 from the predetermined first edge 34 to an edge of the nearest electrically conductive layer 10, 14 of the
Schichtstruktur 1 erstrecken. Der Abstand des äußeren Rands 34 des Abstandshalters 40 zu dem äußeren Rand der Layer structure 1 extend. The distance of the outer edge 34 of the spacer 40 to the outer edge of the
Schichtstruktur 1 kann dann kleiner sein als der vorgegebene erste Abstand 32.  Layer structure 1 can then be smaller than the predetermined first distance 32.
Ferner erstreckt sich der Abstandshalter 40 bei diesem Further, the spacer 40 extends in this
Ausführungsbeispiel um den gesamten Umfang der Embodiment around the entire circumference of
Schichtstruktur 1. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 auch mehrere Teilabschnitte aufweisen, die j eweils lediglich an Abschnitten des Umfangs der Schichtstruktur 1 angeordnet sind und so den ersten Abstand 32 insbesondere an diesen Abschnitten vorgeben.  Layer structure 1. Alternatively, the spacer 40 may also have a plurality of subsections, which in each case are arranged only at portions of the circumference of the layer structure 1 and thus predetermine the first distance 32, in particular at these sections.
Beispielsweise zwischen der Schichtstruktur 1 und dem For example, between the layer structure 1 and the
Abstandshalter 40 sind mehrere Kontaktleisten 30, Spacers 40 are a plurality of contact strips 30,
beispielsweise vier Kontaktleisten 30 angeordnet . Alternativ dazu können beispielsweise auch nur zwei, drei oder mehr als vier Kontaktleisten 30 vorgesehen sein. Ferner können die Kontakt leisten 30 auch an anderen Stellen positioniert sein. Die Kontaktleisten 30 dienen beispielsweise dazu, den For example, four contact strips 30 are arranged. Alternatively, for example, only two, three or more than four contact strips 30 may be provided. Furthermore, the contact afford 30 may also be positioned at other locations. The contact strips 30 serve, for example, the
Abstandshalter 40 an der Schichtstruktur 1 zu befestigen und/oder die Elektrodenschichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1 über die Kontaktleisten 30 mit dem Abstandshalter 40 zu verbinden. Die Kontaktleisten 30 weisen beispielsweise die elektrischen Anschlüsse der Elektrodenschichten 10 , 14 auf oder sind mit diesen und/oder dem Träger 2 elektrisch Spacer 40 to be attached to the layer structure 1 and / or the electrode layers 10, 14 of the layer structure 1 to connect via the contact strips 30 with the spacer 40. The contact strips 30 have, for example, the electrical connections of the electrode layers 10, 14 or are electrically connected to these and / or the carrier 2
gekoppelt . Der Abstandshalter 40 kann auch dazu dienen, den vorgegebenen Abstand 32 zu einer der Kontaktleisten 30 einzuhalten. coupled. The spacer 40 may also serve to maintain the predetermined distance 32 to one of the contact strips 30.
Figur 3 zeigt eine Rückseite des Licht emittierenden FIG. 3 shows a rear side of the light-emitting device
Halbleiter-Bauelements gemäß Figur 2 , wobei die durch denSemiconductor device according to Figure 2, wherein by the
Abstandshalter 40 verdeckten Kanten der Schichtstruktur 1 und der Kontaktleisten 30 gestrichelt angedeutet sind. Figur 4 zeigt einen Schnitt durch das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß Figur 3 im Bereich der Spacer 40 hidden edges of the layer structure 1 and the contact strips 30 are indicated by dashed lines. FIG. 4 shows a section through the light-emitting semiconductor component according to FIG. 3 in the region of FIG
Kontaktleisten 30. Die Schichtstruktur 1 weist eine erste Seite 22 und eine zweite Seite 28 auf. In diesen Zusammenhang kann die erste Seite 22 auch als Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bezeichnet werden. Contact strips 30. The layer structure 1 has a first side 22 and a second side 28. In this connection, the first side 22 may also be referred to as the front side of the light-emitting semiconductor component.
Dementsprechend kann die zweite Seite 28 auch als Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bezeichnet werden. Beispielsweise ist an der ersten Seite 22, also der "Vorderseite, die Abdeckschicht 26 ausgebildet. Beispielsweise ist an der zweiten Seite 28, also der Rückseite, der Träger 2 ausgebildet. Alternativ dazu können zwischen Abdeckschicht 22 bzw. dem Träger 2 und der ersten bzw. zweiten Seite 22, 28 noch weitere Schichten ausgebildet sein. Accordingly, the second side 28 may also be referred to as the backside of the semiconductor light-emitting device. For example, the cover layer 26 is formed on the first side 22, ie the " front side." For example, the carrier 2 is formed on the second side 28, ie the rear side On the second side 22, 28 further layers may be formed.
Der Abstandshalter 40 ist bei diesem Ausführungsbeispiel an der zweiten Seite 28 des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements befestigt. Beispielsweise ist der Abstandshalter 40 an der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1 festgeklebt. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 über eine, zwei oder mehrere Koppelausnehmungen 44 mit der Spacer 40 is attached to second side 28 of the semiconductor light emitting device in this embodiment. For example, the spacer 40 is glued to the second side 28 of the layer structure 1. Alternatively or additionally, the spacer 40 via one, two or more coupling recesses 44 with the
Kontaktleiste 30 gekoppelt sein, wobei die Koppe1ausnehmung 44 sich durch den Abstandshalter 40 hindurch erstrecken. Die Koppelausnehmungen 44 können beispielsweise dazu dienen, von der Rückseite aus Lötzinn aufzubringen, welches dann in erhitzten Zustand durch Koppelausnehmungen 44 hindurch fließen kann und über Lötverbindungen 46 den Abstandshalter 40 mit den Kontaktleisten 30 verbinden kann . Dies kann beispielsweise dann vorteilhaft sein, wenn über die Contact strip 30 may be coupled, wherein the Koppe1ausnehmung 44 extend through the spacer 40 therethrough. The coupling recesses 44 can serve, for example, to apply solder from the rear side, which then can flow through heated coupling through coupling recesses 44 and can connect the spacer 40 to the contact strips 30 via solder connections 46. This can be advantageous, for example, if over the
Koppelausnehmungen 44 nicht nur eine mechanische Kopplung des Abstandshalters 40 mit der Schichtstruktur 1 sondern auch eine elektrische Kontaktierung der Kontaktleisten 30 über den Abstandshalter 40 erfolgt, wobei dann in Figur 4 nicht dargestellte Leiterbahnen auf oder in dem Abstandshalter 40 über die Lötverbindung 46 mit den Kontaktleisten 30 verbunden werden können . Die Koppelausnehmungen 44 können in diesem Zusammenhang auch als Löt -Augen oder Löt-Vias bezeichnet werden . Der Abstandshalter 40 ist beispielsweise aus einem im Koppelausnehmungen 44 not only a mechanical coupling of the spacer 40 with the layer structure 1 but also an electrical contacting of the contact strips 30 via the spacer 40, then in Figure 4, not shown interconnects on or in the spacer 40 via the solder connection 46 with the contact strips 30th can be connected. The coupling recesses 44 may be referred to in this context as Löt eyes or solder vias. The spacer 40 is for example made of an im
Wesentlichen isolierenden Material, beispielsweise aus Essentially insulating material, for example
Keramik, Kunststoff und/oder Kunstharz, gebildet oder weist dieses auf. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 eine, zwei oder mehr Keramikplatten aufweisen. Der Abstandshalter 40 kann beispielsweise durch eine Leiterplatte gebildet sein. Der Abstandshalter kann beispielsweise mittels Ausstanzen, Ausschneiden, Fräsen, Laserschneiden oder ein anderes Ceramic, plastic and / or synthetic resin, formed or has this. For example, the spacer 40 may have one, two or more ceramic plates. The spacer 40 may be formed by a printed circuit board, for example. The spacer can for example by means of punching, cutting, milling, laser cutting or another
Verfahren hergestellt bzw. strukturiert werden. Process be prepared or structured.
Der Abstandshalter 40 erstreckt sich parallel zu den The spacer 40 extends parallel to the
Schichten der Schichtstruktur 1, wobei der erste Rand 34 des Abstandshalters 40 in Richtung parallel zu den Schichten der Schichtstruktur 1 den vorgegebenen ersten Abstand 32 zu den elektrisch leitenden Schichten 10 , 14 der Schichtstruktur 1 vorgibt . Layers of the layer structure 1, wherein the first edge 34 of the spacer 40 in the direction parallel to the layers of the layer structure 1 predetermines the predetermined first distance 32 to the electrically conductive layers 10, 14 of the layer structure 1.
Figur 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , das weitgehend dem mit Bezug zu den Figuren 2 bis 4 erläuterten Ausführungsb ispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entspricht , wobei im Unterschied dazu zusätzlich eine Wärmesenke 50 auf der FIG. 5 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the embodiment of the light-emitting semiconductor component explained with reference to FIGS. 2 to 4, wherein, in contrast thereto, a heat sink 50 is additionally provided on the semiconductor device
Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet ist . Die Wärmesenke 50 weist beispielsweise eine Schicht auf , die beispielsweise Graphit und/oder Aluminium aufweisen kann . Die Wärmesenke 50 dient dazu, während des Betriebs des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv von der Rear side of the light-emitting semiconductor device is arranged. The heat sink 50 has, for example, a layer which may, for example, comprise graphite and / or aluminum. The heat sink 50 serves to rapidly and effectively remove heat generated during operation of the semiconductor light-emitting device
Schichtstruktur 1 abzuführen. Die Wärmesenke 50 kann Dissipate layer structure 1. The heat sink 50 can
alternativ oder zusätzlich auch dazu dienen, die Wärme zu verteilen, beispielsweise möglichst gleichmäßig zu verteilen . Die Schichtstruktur 1 wird somit durch die Aufnähmeausnehmung 42 des Abstandshalters 40 thermisch gekoppelt . alternatively or additionally serve to distribute the heat, for example, distribute as evenly as possible. The layer structure 1 is thus thermally coupled by the Aufnähmeausnehmung 42 of the spacer 40.
Figur 6 zeigt eine SchnittdarStellung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements gemäß Figur 5 , aus der hervorgeht , dass die Wärmesenke 50 in die Aufnahmeausnehmung 42 hinein und zumindest teilweise durch die Aufnähmeausnehmung 42 des Abstandshalters 40 hindurch ragt. Der innere Rand des FIG. 6 shows a sectional view of the light-emitting semiconductor component according to FIG. 5, from which it can be seen that the heat sink 50 penetrates into the receiving recess 42 and at least partially protrudes through the Aufnähmeausnehmung 42 of the spacer 40 therethrough. The inner edge of the
Abstandshalters 40, der die Aufnahmeausnehmung 42 begrenzt, kann so ausgebildet sein, dass auch durch ihn der vorgegebene erste Abstand 32 zu der elektrisch leitenden Schicht 10 , 14 vorgegeben ist . Dies kann dazu beitragen, zu verhindern, dass die Wärmesenke 50 zu nah an die elektrisch leitende Schicht 10 , 14 und/oder die Kontaktleiste 30 kommt . Eine Dicke in der Wärmesenke 50 kann beispielsweise einer Dicke des Spacer 40, which limits the receiving recess 42 may be formed so that the predetermined first distance 32 to the electrically conductive layer 10, 14 is predetermined by him. This may help to prevent the heat sink 50 from coming too close to the electrically conductive layer 10, 14 and / or the contact strip 30. A thickness in the heat sink 50 may be, for example, a thickness of the
Abstandshalters 40 entsprechen. Spacer 40 correspond.
Figur 7 zeigt eine weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Bauelements , das weitgehend dem in den Figuren 2 bis 4 erläuterten Ausführungsbeispiel des Licht FIG. 7 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting component which largely corresponds to the exemplary embodiment of the light explained in FIGS. 2 to 4
emittierenden Bauelements entspricht , wobei im Unterschied dazu auf der Rückseite des Licht emittierenden Bauelements keine Aufnahmeausnehmung 42 ausgebildet ist und somit der Abstandshalter 40 flächig geschlossen ausgebildet ist . Figur 8 zeigt einen Schnitt durch das Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Bauelements gemäß Figur 7 , aus dem ebenfalls hervorgeht , dass der Abstandshalter 40 flächig ausgebildet ist . Der Abstandshalter 40 kann als Schutz der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1 vor mechanischen In contrast thereto, no receiving recess 42 is formed on the rear side of the light-emitting component, and thus the spacer 40 is designed to be closed in a flat manner. Figure 8 shows a section through the embodiment of the light-emitting device according to Figure 7, which also shows that the spacer 40 is formed flat. The spacer 40 can be used to protect the second side 28 of the layer structure 1 from mechanical
Einwirkungen und/oder zur Befestigung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements dienen. Actions and / or for attachment of the light-emitting semiconductor device serve.
Figur 9 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , das weitgehend den vorstehend FIG. 9 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the above
erläuterten Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu keine Koppelausnehmungen 44 ausgebildet sind . Bei pielsweise erfolgt bei diesem Ausführungsbeispiel die elektrische explained embodiments of the light-emitting device corresponds, in contrast to which no coupling recesses 44 are formed. In pielsweise takes place in this embodiment, the electric
Ankopplung der Kontaktleisten 30 nicht über den Coupling of the contact strips 30 not over the
Abstandshalter 40 sondern beispielsweise direkt, Spacers 40 but, for example, directly,
beispielsweise mittels einer Bondverbindung . Ferner erfolgt die mechanische Kopplung des Abstandshalters 40 an der Schichtstruktur 1 ausschließlich über die zweite Seite 28 der Schichtstruktur 1, for example by means of a bond connection. Furthermore, the mechanical coupling of the spacer 40 takes place at the Layer structure 1 exclusively via the second side 28 of the layer structure 1,
Figur 10 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend den vorstehend erläuterten Ausführungsbeispielen entspricht, wobei im Unterschied dazu der Abstandshalter 40 derart dick ausgebildet ist, dass durch ihn in Richtung senkrecht zu den Schichten der Schichtstruktur 1 ein vorgegebener zweiter Abstand 36 eingehalten wird. Insbesondere weist der FIG. 10 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the exemplary embodiments explained above, in contrast to which the spacer 40 is made so thick that a predetermined second distance 36 through it in the direction perpendicular to the layers of the layer structure 1 is complied with. In particular, the
Abstandshalter 40 eine von der Schichtstruktur 1 abgewandte Seite auf, die auch als zweiter Rand 38 bezeichnet werden kann. Der vorgegebene zweite Abstand 36 kann dem vorgegebenen ersten Abstand 32 entsprechen oder von diesem unterschiedlich sein.  Spacer 40 a side facing away from the layer structure 1 side, which can also be referred to as the second edge 38. The predetermined second distance 36 may correspond to the predetermined first distance 32 or be different from this.
Bei dem in Figur 10 gezeigten Ausführungsbeispiel erstreckt sich der vorgegebene zweite Abstand 36 von dem zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 bis hin zu der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1. Dabei wird beispielsweise davon In the exemplary embodiment shown in FIG. 10, the predetermined second distance 36 extends from the second edge 38 of the spacer 40 to the second side 28 of the layer structure 1
ausgegangen, dass zumindest eine der elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1 an oder zumindest nahe der zweiten Seite 28 angeordnet ist. Falls jedoch it is assumed that at least one of the electrically conductive layers 10, 14 of the layer structure 1 is arranged on or at least close to the second side 28. If so
beispielsweise die Schichten an der zweiten Seite 28 an der Schichtstruktur 1 nicht elektrisch leitend sind, so kann der vorgegebene zweite Abstand 36 sich von dem zweiten Rand 38 bis hin zur nächstliegenden elektrisch leitenden Schicht 10, 14 erstrecken. Somit kann durch den zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 der vorgegebene zweite Abstand 36 nicht nur bis hin zu der zweiten Seite 28 Schichtstruktur 1 vorgegeben sein, sondern im Speziellen zu den elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1. For example, the layers on the second side 28 on the layer structure 1 are not electrically conductive, then the predetermined second distance 36 may extend from the second edge 38 to the nearest electrically conductive layer 10, 14. Thus, by the second edge 38 of the spacer 40, the predetermined second distance 36 can be predetermined not only up to the second side 28 layer structure 1, but in particular to the electrically conductive layers 10, 14 of the layer structure first
Figur 11 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend den mit Bezug zu den vorstehenden Figuren erläuterten FIG. 11 shows a further exemplary embodiment of the semiconductor light-emitting component, which has been explained extensively with reference to the preceding figures
Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu der Abstandshalter 40 nicht auf der zweiten Seite 28 sondern auf der ersten Seite 22 des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements angeordnet ist. Falls das Halbleiter-Bauelement • die elektromagnetische Strahlung auf der ersten Seite 22 emittiert, so ist der Abstandshalter 40 vorzugsweise Embodiments of the light-emitting semiconductor device corresponds, in contrast to the Spacer 40 is not disposed on the second side 28 but on the first side 22 of the light-emitting semiconductor device. If the semiconductor device • the electromagnetic radiation emitted on the first side 22, the spacer 40 is preferably
transluzent ausgebildet. Zusätzlich kann der Abstandshalter 40 als optisch funktionelle Schicht dienen und das erzeugte Licht optisch beeinflussen. Beispielsweise kann der  formed translucent. In addition, the spacer 40 may serve as an optically functional layer and optically influence the generated light. For example, the
Abstandshalter 40 als Streuschicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 als Konversionsschicht zum Konvertieren der Wellenlängen der erzeugten  Spacer 40 serve as a scattering layer. Alternatively or additionally, the spacer 40 may be used as a conversion layer for converting the wavelengths generated
elektromagnetischen Strahlung dienen. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 transparent ausgebildet sein . Der Abstandshalter 40 kann als Schutz der ersten Seite 22 der Schichtstruktur 1 vor mechanischen Einwirkungen dienen.  serve electromagnetic radiation. Alternatively, the spacer 40 may be transparent. The spacer 40 can serve as protection of the first side 22 of the layer structure 1 against mechanical effects.
Figur 12 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , das weitgehend dem in Figur 11 gezeigten Ausführungsbeispie1 des Licht FIG. 12 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the embodiment of the light shown in FIG
emittierenden Halbleiter-Bauelements entspricht , wobei im Unterschied dazu, der Abstandshalter 40 derart dick  In contrast, the spacer 40 is so thick
ausgebildet ist, dass er mit seinem zweiten Rand 38 den vorgegebenen zweiten Abstand 36 vorgibt . Der Abstandshalter 40 kann somit entsprechend dem in Figur 10 gezeigten  is formed so that it predetermines the predetermined second distance 36 with its second edge 38. The spacer 40 may thus correspond to that shown in FIG
Ausführungsbeispiel des Abstandshalters 40 ausgebildet sein und an der ersten Seite 22 der Schichtstruktur 1 angeordnet sein.  Embodiment of the spacer 40 may be formed and arranged on the first side 22 of the layer structure 1.
Figur 13 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements , bei dem die FIG. 13 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component in which the
Schichtstruktur 1 mit den Kontaktleisten 30 im Wesentlichen der bzw . den vorstehend erläuterten Schichtstrukturen 1 mit den entsprechenden Kontaktleisten 30 entspricht . Im  Layer structure 1 with the contact strips 30 substantially the or. the layer structures 1 explained above with the corresponding contact strips 30 corresponds. in the
Unterschied zu den vorstehend erläuterten  Difference to the above explained
Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements ist j edoch der Abstandshalter 40 seitlich der Schichtstruktur 1 angeordnet . Beispielsweise erstreckt sich der Abstandshalter 40 bei diesem Ausführungsbeispiel rahmenförmig um den äußeren Rand der Schichtstruktur 1. Embodiments of the light-emitting semiconductor component, however, the spacer 40 is arranged laterally of the layer structure 1. For example, the spacer 40 extends in this embodiment frame-shaped around the outer edge of the layer structure 1.
Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 lediglich an einzelnen Teilbereichen seitlich der Schichtstruktur 1 Alternatively, the spacer 40 can only on individual portions of the side of the layer structure 1
ausgebildet sein. Falls die Schichtstruktur 1 beispielsweise achteckig ausgebildet ist, so kann der Abstandshalter 40 beispielsweise an jeder der acht Seiten der Schichtstruktur 1 und/oder an den acht Ecken der Schichtstruktur 1 angeordnet sein, Der Abstandshalter 40 kann beispielsweise als Schutz des äußeren Rands der Schichtstruktur 1 vor mechanischen be educated. For example, if the layer structure 1 is octagonal, then the spacer 40 may be disposed on each of the eight sides of the layer structure 1 and / or on the eight corners of the layer structure 1. The spacer 40 may protrude, for example, the outer edge of the layer structure 1 mechanical
Einwirkungen dienen. Der Abstandshalter 40 kann Serve impacts. The spacer 40 may
beispielsweise an der Schichtstruktur 1 festgeklebt sein. for example, be glued to the layer structure 1.
Alternativ oder zusätzlich können der Abstandshalter 40 und/oder die Schichtstruktur 1 Mittel aufweisen, über derAlternatively or additionally, the spacer 40 and / or the layer structure 1 may comprise means over which
Abstandshalter 40 mit der Schichtstruktur 1 gekoppelt werden kann, beispielsweise mechanisch mit Hilfe eines Rastmittels am Abstandshalter 40 und einer Gegenrast an der Spacer 40 can be coupled to the layer structure 1, for example mechanically by means of a locking means on the spacer 40 and a counter-locking on the
Schichtstruktur 1. Layer structure 1.
Ferner kann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mit dem Abstandshalter 40 beispielsweise besonders dünn Further, the semiconductor light-emitting device may be particularly thin with the spacer 40, for example
ausgebildet werden. Figur 14 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend dem mit Bezug zu Figur 13 erläuterten Ausführungsbeispiel entspricht, wobei im Unterschied dazu sich der Abstandshalter 40 be formed. FIG. 14 shows a further exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component which largely corresponds to the exemplary embodiment explained with reference to FIG. 13, in contrast to which the spacer 40
senkrecht zu den Schichten der Schichtstruktur 1 derart weit erstreckt, dass auf der ersten und der zweiten Seite 22, 28 der vorgegebene zweite Abstand 36 von dem zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 zu der entsprechenden Seite 22, 28 der Schichtstruktur 1 gebildet ist. Alternativ dazu kann der Äbstandshalter 40 auch so ausgebildet sein, dass der perpendicular to the layers of the layer structure 1 extends so far that on the first and the second side 22, 28 of the predetermined second distance 36 from the second edge 38 of the spacer 40 to the corresponding side 22, 28 of the layer structure 1 is formed. Alternatively, the Äbstandshalter 40 may also be formed so that the
vorgegebene zweite Abstand 36 in Richtung senkrecht zu den Schichten lediglich zu einer der beiden Seiten 22, 28 predetermined second distance 36 in the direction perpendicular to the layers only to one of the two sides 22, 28th
vorgegeben ist. Figur 15 zeigt eine Vorderansicht des Abstandshalters 40 gemäß Figur 2 und eine Ansicht der Rückseite der is predetermined. Figure 15 shows a front view of the spacer 40 according to Figure 2 and a view of the back of the
Schichtstruktur 1 gemäß Figur 3 , In anderen Worten ist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement in Figur 15 Layer structure 1 according to FIG. 3, in other words, the light-emitting semiconductor component in FIG. 15
aufgeklappt dargestellt . Im Unterschied zu dem in Figur 2 und 3 gezeigten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden opened unfolded. In contrast to the embodiment of the light-emitting device shown in FIGS. 2 and 3
Halbleiter-Bauelements sind bei diesem Ausführungsbeispiel lediglich zwei Kontaktleisten 30 vorgesehen . Alternativ dazu können j edoch die vier Kontaktleisten 30 vorgesehen sein . Semiconductor component, only two contact strips 30 are provided in this embodiment. Alternatively, however, the four contact strips 30 can be provided.
Korrespondierend zu den Kontaktleisten 30 der Schichtstruktur 1 weist der Abstandshalter 40 Lei erbahnen 52 auf . Der Corresponding to the contact strips 30 of the layer structure 1, the spacer 40 Lei webs 52 on. Of the
Abstandshalter 40 ist beispielsweise eine Leiterplatte und/oder kann in diesem Zusammenhang auch als Leiterplatte bezeichnet werden. Die Leiterbahnen 52 dienen zum Spacer 40 is, for example, a printed circuit board and / or may be referred to in this context as a printed circuit board. The conductor tracks 52 serve for
Kontaktieren der Kontaktleisten 30. Die Leiterbahnen 52 können auch auf einer in Figur 3 gezeigten Rückseite des Abstandshalters 40 ausgebildet sein und die Kontaktleisten durch die in Figur 4 gezeigten Koppelausnehmungen 44 Contacting the contact strips 30. The conductor tracks 52 may also be formed on a rear side of the spacer 40 shown in FIG. 3, and the contact strips may be formed by the coupling recesses 44 shown in FIG
kontaktieren. Das Ausbilden des Abstandshalters 40 als to contact. The formation of the spacer 40 as
Leiterplatte und/oder die Leiterbahnen 52 können dazu Printed circuit board and / or the conductor tracks 52 can do so
beitragen, dass das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement einfach und/oder kostengünstig kontaktierbar ist. contribute that the light-emitting semiconductor device is easy and / or inexpensive contactable.
Der Abstandshalter 40 und die Schichtstruktur 1 weisen jeweils einander zugeordnete Orientierungsmarken 54 auf . The spacer 40 and the layer structure 1 each have mutually associated orientation marks 54.
Falls die in Figur 15 gezeigte Schichtstruktur 1 auf die in Figur 15 gezeigten Abstandshalter 40 geklappt wird, so liegen in Draufsicht die beiden Orientierungsmarken 54 übereinander . Durch die Orientierungsmarken 54 ist eine relative  If the layer structure 1 shown in FIG. 15 is folded onto the spacers 40 shown in FIG. 15, the two orientation marks 54 are superimposed in plan view. By the orientation marks 54 is a relative
Orientierung der Schichtstruktur 1 zu dem Abstandshalter 40 vorgegeben . Mit Hilfe der Orientierungsmarken 54 kann Orientation of the layer structure 1 to the spacer 40 predetermined. With the help of the orientation marks 54 can
beispielsweise sichergestellt sein, dass die Zuordnung der Leiterbahnen 52 zu den Kontaktleisten 30 eindeutig und/oder richtig ist . Die Orientierungsmarken 54 können einfach dazu beitragen, dass bei einem Herstellungsprozess des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements die relative Ausrichtung bzw. Orientierung der Schichtstruktur 1 zu dem Abstandshalter 40 bestimmungsgemäß erfolgt . Figur 16 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem der For example, be sure that the assignment of the tracks 52 to the contact strips 30 is unique and / or correct. The orientation marks 54 can simply contribute to the fact that, in a manufacturing process of the semiconductor light-emitting component, the relative orientation or orientation of the layer structure 1 to the spacer 40 is intended. FIG. 16 shows an exemplary embodiment of the light-emitting semiconductor component in which the
Abstandshalter 40 und die Schichtstruktur 1 viereckig Spacer 40 and the layer structure 1 quadrangular
ausgebildet sind . Ansonsten kann das in Figur 16 gezeigte Ausführungsbeispiel beispielsweise dem in Figur 7 gezeigten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements entsprechen. Bei allen vorstehend gezeigten Ausführungsbeispxelen kann der Abstandshalter 40 zusätzlich zu dem vorgegeben der Abstände 32, 36 beispielsweise dazu verwendet werden, die are formed. Otherwise, the embodiment shown in Figure 16, for example, correspond to the embodiment of the light-emitting semiconductor device shown in Figure 7. In all embodiments shown above, the spacer 40 may be used, for example, in addition to the predetermined spacing 32, 36, for example
Schichtstruktur 1 zu befestigen und/oder aufzunehmen, dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement mechanische Layer structure 1 to attach and / or receive, the semiconductor light-emitting device mechanical
Stabilität zu geben und/oder die Seite (erste , zweite, äußere ) der Schichtstruktur 1 zu schützen, an der der To give stability and / or to protect the side (first, second, outer) of the layer structure 1, at which the
Abstandshalter 40 angeordnet ist. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 mit einem vorgegebenen Design ausgebildet v/erden, so dass das Design des Abstandshalters 40 zum Erscheinungsbild des Licht emittierenden Halbleiter- Bauelements beiträgt . Falls der Abstandshalter 40 auf der Seite 22 , 28 der Schichtstruktur 1 angeordnet ist, auf der die elektromagnetische Strahlung ausgekoppelt wird, so kann der Abstandshalter 40 beispielsweise auch als Spacer 40 is arranged. Alternatively or additionally, the spacer 40 may be formed with a predetermined design, so that the design of the spacer 40 contributes to the appearance of the semiconductor light emitting device. If the spacer 40 is arranged on the side 22, 28 of the layer structure 1 on which the electromagnetic radiation is coupled out, then the spacer 40 can also be referred to as a
AuskoppelSchicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 dann derart ausgebildet sein, dass die elektromagnetische Strahlung durch den Abstandshalter 40 strukturiert und/oder gerichtet wird. Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen AuskoppelSchicht serve. Alternatively or additionally, the spacer 40 can then be designed such that the electromagnetic radiation is structured and / or directed by the spacer 40. The invention is not limited to those specified
Ausführungsbeispie1e beschränkt . Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen nur an Teilabschnitten des äußeren Rands der Schichtstruktur 1 ausgebildet sein und so nur an diesen Bereichen den  Ausführungsbeispie1e limited. For example, the spacer 40 may be formed in all embodiments only at portions of the outer edge of the layer structure 1 and so only at these areas
entsprechenden Abstand 32 , 36 vorgeben . Beispielsweise können derartig segmentierte Abstandshalter 40 an Seitenkanten oder Ecken der Schichtstruktur 1 angeordne sein. Ferner können die gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen auf der ersten und/oder der zweiten Seite 22, 28 angeordnet sein. Ferner kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen alternativ oder specify appropriate distance 32, 36. For example, such segmented spacers 40 can be arranged on side edges or corners of the layer structure 1. Furthermore, the embodiments shown can be combined with each other become. For example, the spacer 40 may be disposed on the first and / or second sides 22, 28 in all embodiments. Furthermore, the spacer 40 may alternatively or in all embodiments
zusätzlich, wie in Figur 13 gezeigt, als Rahmen um die in addition, as shown in Figure 13, as a frame around the
Schichtstruktur 1 ausgebildet sein, Ferner können bei allen gezeigten Ausführungsbeispielen die Koppelausnehmungen 44 in dem Abstandshalter 40 ausgebildet sein oder nicht. Ferner kann bei allen Ausführungsbeispielen die elektrische  Layer structure 1 may be formed Furthermore, in all the embodiments shown, the coupling recesses 44 may be formed in the spacer 40 or not. Furthermore, in all embodiments, the electrical
Ankopplung der Kontaktleisten 30 über den Abstandshalter 40 oder unabhängig von dem Abstandshalter 40 erfolgen. Ferner kann die Form des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bei allen gezeigten Ausführungsbeispielen von der achteckigen bzw. viereckigen Form abweichen. Beispielsweise kann die Form in Draufsicht kreisförmig beispielsweise rund oder oval, oder polygonförmig beispielsweise dreieckig, fünfeckig oder sechseckig ausgebildet sein. Coupling of the contact strips 30 via the spacer 40 or independently of the spacer 40 done. Further, the shape of the semiconductor light-emitting device may differ from the octagonal shape in all the embodiments shown. For example, the shape in plan view may be circular, for example round or oval, or polygonal, for example, triangular, pentagonal or hexagonal.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen hat ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement eine Schichtstruktur 1, die mindestens eine optisch funktionelle Schicht 12 zum According to various embodiments, a semiconductor light-emitting device has a layer structure 1 comprising at least one optically functional layer 12 for
Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht 10, 14 aufweist, und mindestens einen Abstandshalter 40 zum Vorgeben eines Generating electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer 10, 14, and at least one spacer 40 for prescribing a
Abstands 32, 36 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14, wobei der Abstandshalter 40 mit der Schichtstruktur 1 gekoppelt ist und wobei ein von der Schichtstruktur 1 abgewandter Rand 34, 38 des Abstandshalters 40 mindestens den vorgegebenen Abstand 32, 36 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14 hat. Distance 32, 36 to the electrically conductive layer 10, 14, wherein the spacer 40 is coupled to the layer structure 1 and wherein a side facing away from the layer structure 1 edge 34, 38 of the spacer 40 at least the predetermined distance 32, 36 to the electrically conductive layer 10, 14 has.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter 40 in Richtung parallel zu den Schichten 10, 12, 14 und in Richtung weg von der Schichtstruktur 1 und ein von der Schichtstruktur 1 abgewandter erster Rand 34 desAccording to various embodiments, the spacer 40 extends in the direction parallel to the layers 10, 12, 14 and in the direction away from the layer structure 1 and a first edge 34 of the layer facing away from the layer structure 1
Abstandshalters 40 hat in Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand 32 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter 40 in Richtung senkrecht zu den Schichten 10, 12, 14 und in Richtung weg von der Schichtstruktur 1 und ein von der Schichtstruktur 1 abgewandter zweiter Rand 38 des Abstandshalters 40 hat in Richtung senkrecht zu den Schichten 10 , 12 , 14 einen vorgegebenen zweiten Abstand 36 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die elektrisch leitende Schicht 10, 14 eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die optisch funktionelle Spacer 40 has a predetermined first distance 32 to the electrically conductive layer 10, 14 in the direction parallel to the layers. According to various embodiments, the spacer 40 extends in the direction perpendicular to the layers 10, 12, 14 and in the direction away from the layer structure 1, and a second edge 38 of the spacer 40 facing away from the layer structure 1 has a direction perpendicular to the layers 10, 12 , 14 a predetermined second distance 36 to the electrically conductive layer 10, 14. According to various embodiments, the electrically conductive layer 10, 14 is an electrode layer for applying a voltage to the optically functional
Schicht 12. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der vorgegebeneLayer 12. According to various embodiments, the predetermined
Abstand 32, 36 ein gesetzlich vorgegebener Distance 32, 36 a legally prescribed
Sicherheitsabstand . Safety distance.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine erste Seite 22 und eine von der ersten Seite 22 abgewandte zweite Seite 28 auf , wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite 22 verlässt und wobei der Abstandshalter 40 mindestens auf der zweiten Seite 28 angeordnet ist . According to various embodiments, the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the second side 28.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine erste Seite 22 und eine von der ersten Seite 22 abgewandte zweite Seite 28 auf, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite 22 verlässt und wobei der Abstandshalter 40 mindestens auf der ersten Seite 22 angeordnet ist . Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der According to various embodiments, the semiconductor light-emitting device has a first side 22 and a second side 28 facing away from the first side 22, wherein the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side 22 and wherein the spacer 40 is at least is arranged on the first side 22. According to various embodiments, the
Abstandshalter 40 eine Aufnahmeausnehmung 42 auf und in der Aufnahmeausnehmung 42 sind die Schichten 10 , 12 , 14 und/oder weitere Schichten 2 , 4 , 6, 8, 24 , 26 der Schichtstruktur 1 und/oder eine mit der Schichtstruktur 1 gekoppelte Wärmesenke 50 angeordnet. Spacer 40 a receiving recess 42 and in the receiving recess 42 are the layers 10, 12, 14 and / or further layers 2, 4, 6, 8, 24, 26 of the layer structure first and / or a heat sink 50 coupled to the layer structure 1.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der According to various embodiments, the
Abstandshalter 40 zum Koppeln mit der Schichtstruktur 1 mindestens eine Koppelausnehmung 44 auf. Spacer 40 for coupling with the layer structure 1 at least one coupling recess 44.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die According to various embodiments, the
Schichtstruktur 1 mindestens eine Kontaktleiste 30 auf , mit der der Abstandshalter 40 gekoppelt ist . Layer structure 1, at least one contact strip 30 to which the spacer 40 is coupled.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der According to various embodiments, the
Abstandshalter 40 eine Leiterplatte auf. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Spacer 40 a circuit board. According to various embodiments, the
Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn 52 auf, die mit der Kontak leiste 30 gekoppelt ist .  Printed circuit board at least one conductor 52 which is coupled to the Kontak strip 30.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weisen die According to various embodiments, the
Schichtstruktur 1 und der Abstandshalter 40 je eine Layer structure 1 and the spacer 40 each one
Orientierungsmarke 54 auf , die einander zugeordnet sind und durch die der Abstandshalter 40 so zu der Schichtstruktur 1 ausgerichtet ist , dass die Leiterplatte bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste 30 ausgerichtet ist.  Orientation mark 54, which are associated with each other and through which the spacer 40 is aligned with the layer structure 1, that the circuit board is properly aligned with the contact strip 30.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der According to various embodiments, the
Abstandshalter 40 eine optische Schicht auf . Spacer 40 has an optical layer.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die optische Schicht eine Streuschicht und/oder eine Konversionsschicht . According to various embodiments, the optical layer is a scattering layer and / or a conversion layer.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine mit der According to various embodiments, the semiconductor light-emitting device has one with the
Schichtstruktur 1 gekoppelte Wärmesenke 50 auf und der Layer structure 1 coupled heat sink 50 and the
Abstandshalter 40 ist so ausgebildet , dass durch ihn Spacer 40 is formed to pass through it
mindestens der vorgegebene erste Abstand 32 zwischen der elektrisch leitenden Schicht 10, 14 und der Wärmesenke 50 vorgegeben ist . at least the predetermined first distance 32 between the electrically conductive layer 10, 14 and the heat sink 50 is predetermined.

Claims

Patentansprüche claims
1. Organische Leuchtdiode mit einer Schichtstruktur (1), die mindestens eine optisch funktionelle Schicht (12) zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht (10, 14) aufweist, und mit mindestens einem Abstandshalter (40) zum Vorgeben eines An organic light-emitting diode having a layer structure (1) which has at least one optically functional layer (12) for generating electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer (10, 14), and with at least one spacer (40) for specifying a
Abstands { 32 , 36) zu der elektrisch leitenden Schicht (10 , 14 ) , wobei der Abstandshalter (40) mit der Schichtstruktur (1) gekoppelt ist und wobei ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter Rand (34 , 38 ) des Abstandshalters (40 ) mindestens den vorgegebenen Abstand (32, 36) zu der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) hat und wobei der vorgegebene Abstand (32 , 36) ein gesetzlich vorgegebener Sicherheitsabstand ist . Distance {32, 36) to the electrically conductive layer (10, 14), wherein the spacer (40) is coupled to the layer structure (1) and wherein a side facing away from the layer structure (1) edge (34, 38) of the spacer ( 40) has at least the predetermined distance (32, 36) to the electrically conductive layer (10, 14) and wherein the predetermined distance (32, 36) is a legally prescribed safety distance.
2. Organische Leuchtdiode nach Anspruch 1 , bei dem sich der Abstandshalter (40) in Richtung parallel zu den Schichten2. Organic light emitting diode according to claim 1, wherein the spacer (40) in the direction parallel to the layers
(10 , 12, 14 ) und in Richtung weg von der Schichtstruktur (1) erstreckt und bei dem ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter erster Rand (34 ) des Abstandshalters (40) in(10, 12, 14) and extends in the direction away from the layer structure (1) and in which a first edge (34) of the spacer (40) facing away from the layer structure (1) in FIG
Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand (32) zu der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) hat . Direction parallel to the layers has a predetermined first distance (32) to the electrically conductive layer (10, 14).
3. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem sich der Abstandshalter (40 ) in Richtung senkrecht zu den Schichten (10 , 12, 14 ) und in Richtung weg von der Schichtstruktur (1) erstreckt und bei dem ein von der Schichtstruktur ( 1) abgewandter zweiter Rand (38 ) des Abstandshalters (40) in Richtung senkrecht zu den Schichten (10 , 12 , 14 ) einen vorgegebenen zweiten Abstand (36) zu der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) hat . 3. Organic light-emitting diode according to one of the preceding claims, in which the spacer (40) extends in the direction perpendicular to the layers (10, 12, 14) and in the direction away from the layer structure (1) and in which one of the layer structure ( 1) facing away from the second edge (38) of the spacer (40) in the direction perpendicular to the layers (10, 12, 14) has a predetermined second distance (36) to the electrically conductive layer (10, 14).
4. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden 4. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche , bei dem die elektrisch leitende Schicht (10 , 14 ) eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen Claims in which the electrically conductive layer (10, 14) has an electrode layer for applying an electrical
Spannung an die optisch funktionelle Schicht (12) ist . Tension to the optically functional layer (12).
5. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden 5. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche, das eine erste Seite (22) und eine von der ersten Seite (22) abgewandte zweite Seite (28) aufweist, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Claims, having a first side (22) and a second side (28) facing away from the first side (22), wherein the electromagnetic radiation emits the light
Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite (22) verlässt und wobei der Abstandshalter (40) mindestens auf der zweiten Seite (28) angeordnet ist. Leaves semiconductor device at least on the first side (22) and wherein the spacer (40) is arranged at least on the second side (28).
6. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden 6. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche, das eine erste Seite (22) und eine von der ersten Seite (22) abgewandte zweite Seite (28) aufweist, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Claims, having a first side (22) and a second side (28) facing away from the first side (22), wherein the electromagnetic radiation emits the light
Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite (22) verlässt und wobei der Abstandshalter (40) mindestens auf der ersten Seite (22) angeordnet ist. Leaves semiconductor device at least on the first side (22) and wherein the spacer (40) is arranged at least on the first side (22).
7. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden 7. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) eine Claims in which the spacer (40) has a
Aufnähmeausnehmung (42) aufweist und bei dem die Schichten (10, 12, 14) und/oder weitere Schichten (2, 4 , 6, 8, 24, 26) der Schichtstruktur (1) und/oder eine mit der Schichtstruktur (1) gekoppelte Wärmesenke (50) in der Aufnahmeausnehmung (42) angeordnet sind.  Aufnähmeausnehmung (42) and in which the layers (10, 12, 14) and / or further layers (2, 4, 6, 8, 24, 26) of the layer structure (1) and / or one with the layer structure (1) coupled heat sink (50) in the receiving recess (42) are arranged.
8. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden 8. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche , bei dem der Abstandshalter (40) zum Koppeln mit der Schichtstruktur (1) mindestens eine Koppelausnehmung (44) aufweist .  Claims in which the spacer (40) for coupling with the layer structure (1) has at least one coupling recess (44).
9. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden9. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche , bei dem die Schichtstruktur (1) mindestens eine Kontaktleiste (30) aufweist , mit der der Abstandshalter (40 ) gekoppelt ist . Claims in which the layer structure (1) has at least one contact strip (30) to which the spacer (40) is coupled.
10. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden10. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) eine Leiterplatte aufweist . Claims in which the spacer (40) comprises a printed circuit board.
11. Organische Leuchtdiode nach den Ansprüchen 9 und 10, bei dem die Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn (52) 11. Organic light-emitting diode according to Claims 9 and 10, in which the printed circuit board has at least one printed conductor (52).
aufweis , die mit der Kontaktleiste (30) gekoppelt ist . aufweis, which is coupled to the contact strip (30).
12. Organische Leuchtdiode nach Anspruch 11 , bei dem die Schichtstruktur (1) und der Abstandshalter (40) je eine 12. Organic light-emitting diode according to claim 11, wherein the layer structure (1) and the spacer (40) each one
Orient ierungsmarke (54) aufweisen, die einander zugeordnet sind und durch die der Abstandshalter (40) so zu de Orientation mark (54), which are associated with each other and through which the spacer (40) so de
Schichtstruktur (1) ausgerichtet is , dass die Leiterplatte bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste (30) ausgerichtet ist . Layer structure (1) is aligned is that the circuit board is properly aligned with the contact strip (30).
13. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden 13. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche , bei dem der Abstandshalter (40) eine optische Schicht aufweist . Claims in which the spacer (40) comprises an optical layer.
14. Organische Leuchtdiode nach Anspruch 13 , bei dem die optische Schicht eine Streuschicht und/oder eine 14. Organic light emitting diode according to claim 13, wherein the optical layer is a scattering layer and / or a
Konversionsschicht ist . Conversion layer is.
15. Organische Leuchtdiode nach einem der vorstehenden 15. Organic light-emitting diode according to one of the preceding
Ansprüche, das eine mit der Schichtstruktur (1) gekoppelte Wärmesenke (50) aufweist und bei dem der Abstandshalter (40 ) so ausgebildet is , dass durch ihn mindestens der vorgegebene erste Abstand (32) zwischen der elektrisch leitenden Schicht ( 10 , 14 ) und der Wärmesenke (50) vorgegeben ist .  Claims, which has a heat sink (50) coupled to the layer structure (1) and in which the spacer (40) is formed such that at least the predetermined first distance (32) between the electrically conductive layer (10, 14) and the heat sink (50) is predetermined.
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