DE102012206101A1 - Light-emitting semiconductor device - Google Patents

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Christoph Gaerditz
Kilian Regau
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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement mit einer Schichtstruktur (1) und mit mindestens einem Abstandshalter (40) bereitgestellt. Die Schichtstruktur (1) weist mindestens eine optisch funktionelle Schicht (12) zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht (10, 14) auf. Der Abstandshalter (40) ist zum Vorgeben eines Abstands (32, 36) zu der elektrisch leitenden Schicht (10, 14) angeordnet. Der Abstandshalter (40) ist mit der Schichtstruktur (1) gekoppelt. Ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter Rand (34, 38) des Abstandshalters (40) hat den vorgegebenen Abstand (32, 36) zu der elektrisch leitenden Schicht (10, 14).In various embodiments, a semiconductor light-emitting device having a layered structure (1) and at least one spacer (40) is provided. The layer structure (1) has at least one optically functional layer (12) for generating electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer (10, 14). The spacer (40) is arranged to provide a gap (32, 36) to the electrically conductive layer (10, 14). The spacer (40) is coupled to the layer structure (1). An edge (34, 38) of the spacer (40) facing away from the layer structure (1) has the predetermined distance (32, 36) from the electrically conductive layer (10, 14).

Description

Die Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement mit einer Schichtstruktur. Die Schichtstruktur weist mindestens eine optisch funktionelle Schicht zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf.The invention relates to a light-emitting semiconductor component with a layer structure. The layer structure has at least one optically functional layer for generating electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer.

Bei Leuchten und/oder Lampen gibt es Normen, die gesetzlich vorgegeben und bei der Konstruktion oder dem Design der Leuchten bzw. Lampen einzuhalten sind. Eine dieser Normen definiert beispielsweise einen Sicherheitsabstand, der zu Elementen von Lichtquellen der Leuchte bzw. der Lampe eingehalten werden muss, die beispielsweise während oder nach dem Betrieb der Leuchte bzw. Lampe unter Spannung stehen können. Beispielsweise ist in Deutschland bei Leuchten ab einer Spannung von 25 V eine Luft- und Kriechstrecke (LKS) als Sicherheitsabstand einzuhalten. Dies dient zum Schutz eines Nutzers der Leuchte vor einem Stromschlag und ist beispielsweise in Normen wie der DIN EN 60598-1 festgelegt. Analoge Vorgaben gibt es beispielsweise auch für Leuchtmodule, Lightengines und Retrofit-Lampen.For luminaires and / or lamps, there are standards that are prescribed by law and must be complied with in the design or design of the luminaires or lamps. For example, one of these standards defines a safe distance which must be maintained with respect to elements of light sources of the lamp or of the lamp which may be under voltage during or after the operation of the lamp or lamp, for example. In Germany, for example, in luminaires with a voltage of 25 V or more, an air gap and creepage distance (LKS) must be maintained as a safety distance. This serves to protect a user of the lamp from electric shock and is for example in standards such as DIN EN 60598-1 established. Analogous specifications are also available, for example, for light modules, lightgines and retrofit lamps.

Bei Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen wird bei der Entwicklung und der Herstellung eine optimale Ausnutzung des die emittierenden Schichten tragenden Substrats angestrebt. Dies kann dazu beispielsweise dazu beitragen, eine relativ hohe Ausbeute pro Substrat zu erreichen, was zu relativ geringen Produktionskosten beitragen kann. Eine optimale Ausnutzung des Substrat kann beispielsweise erreicht werden, indem alle Schichten, insbesondere auch stromführende oder unter Spannung stehende Elemente und/oder Schichten von Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen, grundsätzlich bis zu einem äußeren Rand des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ausgebildet werden. Der Sicherheitsabstand muss dann bei der Leuchte bzw. Lampe berücksichtigt werden, in die das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eingebaut wird.In the case of light-emitting semiconductor components, optimal development of the substrate carrying the emitting layers is sought during development and production. This may, for example, help to achieve a relatively high yield per substrate, which can contribute to relatively low production costs. Optimum utilization of the substrate can be achieved, for example, by forming all layers, in particular also current-carrying or voltage-carrying elements and / or layers of light-emitting semiconductor components, in principle up to an outer edge of the light-emitting semiconductor component. The safety margin must then be taken into account in the luminaire or lamp in which the light-emitting semiconductor component is installed.

Ferner sind Leuchtvorrichtungen bekannt, in denen Licht emittierenden Halbleiter-Bauelemente genutzt werden und bei denen kein Sicherheitsabstand eingehalten werden muss. Auch bei diesen Leuchtvorrichtungen werden Licht emittierende Halbleiter-Bauelemente genutzt, bei denen das Substrat optimal ausgenutzt ist. Das Vorsehen des Sicherheitsabstands beim Ausbilden der Schichtstruktur des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ist somit bei diesen Leuchtvorrichtungen nicht notwendig und kann bezüglich der Lichtausbeute sogar nachteilig sein.Furthermore, lighting devices are known in which light-emitting semiconductor components are used and in which no safety distance must be maintained. These light-emitting devices also use light-emitting semiconductor components in which the substrate is optimally utilized. The provision of the safety margin in forming the layer structure of the semiconductor light-emitting device is therefore not necessary in these light-emitting devices and may even be disadvantageous in terms of the luminous efficacy.

Es ist bekannt, das Problem des nötigen Sicherheitsabstands dadurch zu umgehen, eine maximale Spannung, die in jeglichem Falle (z.B. im Betrieb oder im Fehlerfall) an leitfähigen Teilen anliegen kann, derart zu beschränken, dass kein Sicherheitsabstand erforderlich ist, z.B. kleiner als 25V. beispielsweise können mehrere Licht emittierende Halbleiter-Bauelemente in einzelne Abschnitte unterteilt sein, bei denen die Einzelspannungen jeweils von der Spannungsversorgung technisch auf Werte begrenzt sind, dass für diese kein Sicherheitsabstand einzuhalten ist. Alternativ oder zusätzlich ist es bekannt, die Licht emittierenden Halbleiter-Bauelemente mit isolierenden Gehäusen zu umgeben.It is known to circumvent the problem of the necessary safety distance by limiting a maximum voltage that can be applied to conductive parts in any case (for example during operation or in the event of a fault) in such a way that no safety distance is required, e.g. less than 25V. For example, a plurality of light-emitting semiconductor components may be subdivided into individual sections, in which the individual voltages are each technically limited to values by the voltage supply, that no safety distance must be maintained for them. Alternatively or additionally, it is known to surround the light-emitting semiconductor components with insulating housings.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement bereitgestellt, das auf einfache und/oder kostengünstige Weise dazu beiträgt, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ein vorgegebener Abstand, beispielsweise ein Sicherheitsabstand, eingehalten wird.In various exemplary embodiments, a semiconductor light-emitting component is provided which contributes in a simple and / or cost-effective manner to a predetermined distance, for example a safety margin, being maintained when the light-emitting semiconductor component is used.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement mit einer Schichtstruktur bereitgestellt. Die Schichtstruktur weist mindestens eine optisch funktionelle Schicht zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement weist mindestens einen Abstandshalter zum Vorgeben eines Abstands zu der elektrisch leitenden Schicht auf. Der Abstandshalter ist mit der Schichtstruktur gekoppelt und ein vor der Schichtstruktur abgewandter Rand des Abstandshalters hat den vorgegebenen Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht.In various embodiments, a semiconductor light-emitting device having a layered structure is provided. The layer structure has at least one optically functional layer for generating electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer. The semiconductor light-emitting device has at least one spacer for setting a distance to the electrically-conductive layer. The spacer is coupled to the layer structure and an edge of the spacer facing away from the layer structure has the predetermined distance from the electrically conductive layer.

Das Anordnen des Abstandshalters bei dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement trägt auf einfache und/oder kostengünstige Weise dazu bei, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, beispielsweise in einer Leuchte oder Lampe, der vorgegebene Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht eingehalten wird. Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise ein gesetzlich vorgegebener Sicherheitsabstand sein. Der vorgegebene Abstand kann auch größer als der gesetzlich vorgegeben Sicherheitsabstand sein. Der Abstandshalter bildet einen um die Schichtstruktur angeordneten Überstand, durch den kein Gehäuse und/oder kein anderes Bauteil den vorgegebenen Abstand unterschreiten kann. Der Abstandshalter stellt somit auf einfach Weise die Einhaltung des vorgegeben Abstands, beispielsweise des Sicherheitsabstands, beispielsweise der LKS, sicher. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann in unterschiedlichen Leuchten, Leuchtmitteln, Lampen, Applikationen und Modulen verwendet werden. Arranging the spacer in the light-emitting semiconductor component contributes in a simple and / or cost-effective manner to the fact that the predetermined distance from the electrically conductive layer is maintained when using the light-emitting semiconductor component, for example in a lamp or lamp. The predetermined distance may be, for example, a legally prescribed safety distance. The specified distance can also be greater than the legally prescribed safety distance. The spacer forms a projection arranged around the layer structure, through which no housing and / or no other component can fall below the predetermined distance. The spacer thus ensures compliance with the predetermined distance, for example, the safety distance, for example, the LKS, in a simple way. The light-emitting semiconductor device can be used in different lights, bulbs, lamps, applications and modules.

Dass die elektrisch leitende Schicht elektrisch leitend ist, bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Schicht grundsätzlich elektrisch leitfähig ist und/oder dass die Schicht zum Anlegen einer Spannung und/oder zum Leiten von Strom vorgesehen ist. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht vor, während oder nach einem Betrieb des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem die elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, unter Spannung stehen. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht dazu dienen, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. In this context, the fact that the electrically conductive layer is electrically conductive means that the layer is fundamentally electrically conductive and / or that the layer is provided for applying a voltage and / or for conducting current. For example, the electrically conductive layer may be under voltage before, during or after an operation of the semiconductor light-emitting device in which the electromagnetic radiation is generated. For example, the electrically conductive layer can serve to generate the electromagnetic radiation.

Alternativ dazu kann die elektrisch leitende Schicht auch eine Schicht sein, an der funktionsbedingt eine Spannung anliegt. Dass der Rand des Abstandshalters von der Schichtstruktur abgewandt ist, heißt im Wesentlichen, dass der Rand der Schichtstruktur nicht zugewandt ist. In anderen Worten ist der Abstandshalter ein Körper, der einen, zwei oder mehr Ränder aufweist, wobei eine erste Menge der Ränder, beispielsweise einer, zwei oder mehr, der Schichtstruktur zugewandt ist und wobei alle übrigen Ränder von der Schichtstruktur abgewandt sind. Der Abstandshalter kann einstückig ausgebildet sein oder der Abstandshalter kann mehrere miteinander verbundene oder voneinander unabhängige Teilstücke aufweisen. Ferner kann ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement mehrere Abstandshalter aufweisen. Der Abstandshalter weist elektrisch isolierendes Material auf. Beispielsweise kann der Abstandshalter im Wesentlichen oder vollständig aus elektrisch isolierendem Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Abstandshalter Keramik, eine Glasplatte und/oder Acryl aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann der Abstandshalter im Wesentlichen aus elektrisch isolierendem Material gebildet sein und ansonsten vereinzelt elektrisch leitende Abschnitte, beispielsweise Kontaktmittel und/oder Leiterbahnen, aufweisen.Alternatively, the electrically conductive layer may also be a layer to which a voltage is applied due to the function. The fact that the edge of the spacer is remote from the layer structure essentially means that the edge of the layer structure is not facing. In other words, the spacer is a body having one, two or more edges, with a first set of edges, for example one, two or more, facing the layer structure and with all remaining edges facing away from the layer structure. The spacer may be integrally formed or the spacer may have a plurality of interconnected or independent sections. Further, a semiconductor light-emitting device may include a plurality of spacers. The spacer has electrically insulating material. For example, the spacer may be substantially or completely formed of electrically insulating material. For example, the spacer may comprise or be formed of ceramic, a glass plate and / or acrylic. By way of example, the spacer can essentially be formed from electrically insulating material and otherwise occasionally have electrically conductive sections, for example contact means and / or conductor tracks.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter zumindest teilweise in Richtung parallel zu den Schichten und in Richtung weg von der Schichtstruktur. Ein von der Schichtstruktur abgewandter erster Rand des Abstandshalters hat in Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht. Dies trägt auf einfache Weise dazu bei, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements in Richtung parallel zu der Schichtstruktur der vorgegebene Abstand eingehalten wird. Der erste Rand kann beispielsweise einer der vorstehend erläuterten Ränder des Abstandhalters sein. Der vorgegebene erste Abstand kann beispielsweise der vorstehend erläuterte Abstand sein. According to various embodiments, the spacer extends at least partially in the direction parallel to the layers and in the direction away from the layer structure. A first edge of the spacer facing away from the layer structure has a predetermined first distance to the electrically conductive layer in the direction parallel to the layers. This contributes in a simple way to the fact that, when the light-emitting semiconductor component is used in the direction parallel to the layer structure, the predetermined distance is maintained. The first edge may be, for example, one of the above-explained edges of the spacer. The predetermined first distance may be, for example, the distance explained above.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen erstreckt sich der Abstandshalter in Richtung senkrecht zu den Schichten und in Richtung weg von der Schichtstruktur. Ein von der Schichtstruktur abgewandter zweiter Rand des Abstandshalters hat in Richtung senkrecht zu den Schichten einen vorgegebenen zweiten Abstand zu der elektrisch leitenden Schicht. Dies trägt dazu bei, dass bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements der vorgegebene Abstand senkrecht zu der Schichtstruktur eingehalten wird. Der vorgegebene zweite Abstand kann dem vorgegebenen ersten Abstand entsprechen oder von diesem unterschiedlich sein. Der sich parallel zu den Schichten erstreckende Abstandshalter kann derselbe Abstandshalter sein wie der, der sich senkrecht zu den Schichten erstreckt. In anderen Worten kann sich der Abstandshalter senkrecht und/oder parallel zu den Schichten erstrecken und entsprechend senkrecht und/oder parallel zu den Schichten den jeweiligen Abstand vorgeben. Alternativ dazu können auch zwei oder mehr Abstandshalter angeordnet sein, wobei sich ein, zwei oder mehr der Abstandshalter parallel zu den Schichten erstrecken und wobei sich ein, zwei oder mehr der Abstandshalter senkrecht zu den Schichten erstrecken.According to various embodiments, the spacer extends in the direction perpendicular to the layers and in the direction away from the layer structure. A second edge of the spacer facing away from the layer structure has a predetermined second distance to the electrically conductive layer in the direction perpendicular to the layers. This contributes to the fact that, when the light-emitting semiconductor component is used, the predetermined distance perpendicular to the layer structure is maintained. The predetermined second distance may correspond to the predetermined first distance or be different from this. The spacer extending parallel to the layers may be the same spacer as that extending perpendicular to the layers. In other words, the spacer may extend perpendicularly and / or parallel to the layers and correspondingly define the respective spacing perpendicularly and / or parallel to the layers. Alternatively, two or more spacers may also be arranged with one, two or more of the spacers extending parallel to the layers and with one, two or more of the spacers extending perpendicular to the layers.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die elektrisch leitende Schicht eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die optische funktionelle Schicht. Beispielsweise kann die Schichtstruktur zwei elektrisch leitende Schichten aufweisen, die als Elektrodenschichten, beispielsweise als Anodenschicht und als Kathodenschicht ausgebildet sind. Die optische funktionelle Schicht kann dann beispielsweise zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnet sein und mit Hilfe einer an die Elektrodenschichten angelegten Spannung zum Erzeugen der elektromagnetischen Strahlung angeregt werden. Der Abstandshalter trägt dann einfach dazu bei, bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements den vorgegebenen Abstand zu der bzw. den Elektrodenschichten des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements einzuhalten.According to various embodiments, the electrically conductive layer is an electrode layer for applying an electrical voltage to the optical functional layer. By way of example, the layer structure may comprise two electrically conductive layers, which are formed as electrode layers, for example as anode layer and as cathode layer. The optical functional layer can then be arranged, for example, between the two electrode layers and excited by means of a voltage applied to the electrode layers for generating the electromagnetic radiation. The spacer then simply helps to maintain the predetermined distance to the electrode layer (s) of the light-emitting semiconductor device when using the light-emitting semiconductor device.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der vorgegebene Abstand ein gesetzlich vorgegebener Sicherheitsabstand. Beispielsweise können der vorgegebene erste Abstand und der vorgegebenen zweite Abstand dem gesetzlich vorgegebenen Sicherheitsabstand entsprechend. Beispielsweise können für den vorgegebenen ersten Abstand und für den vorgegebenen zweiten Abstand gleiche oder jeweils unterschiedliche gesetzlich vorgegebene Sicherheitsabstände gelten. Der vorgegebene erste bzw. zweite Abstand ist dann entsprechend ausgebildet.According to various embodiments, the predetermined distance is a legally prescribed safety distance. For example, the predetermined first distance and the predetermined second distance corresponding to the legally prescribed safety distance. For example, identical or different statutory clearances may apply for the given first distance and for the given second distance. The predetermined first or second distance is then designed accordingly.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine erste Seite und eine von der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf. Die elektromagnetische Strahlung verlässt das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite. Der Abstandshalter ist mindestens auf der zweiten Seite angeordnet. Dies kann auf dazu beitragen, den Abstandshalter auf einfache Weise an der Schichtstruktur zu befestigen. Ferner kann der Abstandshalter dazu verwendet werden, das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement zu befestigen. Ferner kann der Abstandshalter einen Schutz für die Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bilden beispielsweise gegenüber mechanischen Einwirkungen. Beispielsweise ist die erste Seite eine Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, wobei dann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement auch als Top-Emitter bezeichnet werden kann. Der Abstandshalter ist dann mindestens auf einer von der Vorderseite abgewandten Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet. According to various embodiments, the semiconductor light emitting device has a first side and a second side remote from the first side. The electromagnetic radiation leaves the light-emitting semiconductor component at least on the first side. The spacer is at least on the second Page arranged. This can help to easily secure the spacer to the layer structure. Further, the spacer may be used to mount the semiconductor light-emitting device. Furthermore, the spacer can provide protection for the backside of the semiconductor light-emitting device, for example against mechanical effects. For example, the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter. The spacer is then arranged at least on a side facing away from the front back of the light-emitting semiconductor device.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen verlässt die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite und der Abstandshalter ist mindestens auf der ersten Seite angeordnet. Dies ermöglicht, den Abstandshalter auf einfache Art und Weise an der Schichtstruktur zu befestigen. Beispielsweise ist die erste Seite eine Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, wobei dann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement auch als Top-Emitter bezeichnet werden kann. Der Abstandshalter kann dann dazu genutzt werden, die elektromagnetische Strahlung zu beeinflussen, beispielsweise zu streuen, zu konvertieren oder in eine Richtung zu richten. Ferner kann der Abstandshalter einen Schutz für die Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bilden beispielsweise gegenüber mechanischen Einwirkungen. According to various embodiments, the electromagnetic radiation leaves the semiconductor light-emitting device at least on the first side and the spacer is arranged at least on the first side. This makes it possible to fasten the spacer in a simple manner to the layer structure. For example, the first side is a front side of the semiconductor light-emitting device, in which case the semiconductor light-emitting device may also be referred to as a top emitter. The spacer can then be used to influence, such as scatter, convert, or unidirect electromagnetic radiation. Furthermore, the spacer can provide protection for the front side of the semiconductor light-emitting device, for example against mechanical effects.

Der Abstandshalter an der ersten Seite kann zusätzlich oder alternativ zu dem Abstandshalter auf der zweiten Seite angeordnet sein. Ferner kann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement ein Bottom-Emitter sein und der bzw. die Abstandshalter können auf der ersten und/oder zweiten Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet sein. Außerdem kann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement ein Top- und Bottom-Emitter sein, beispielsweis eine transparente OLED, und der bzw. die Abstandshalter können auf der ersten und/oder zweiten Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet sein.The spacer on the first side may be arranged additionally or alternatively to the spacer on the second side. Further, the semiconductor light-emitting device may be a bottom emitter and the spacer (s) may be disposed on the first and / or second sides of the semiconductor light-emitting device. In addition, the semiconductor light-emitting device may be a top and bottom emitter, for example, a transparent OLED, and the spacer (s) may be disposed on the first and / or second sides of the semiconductor light-emitting device.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der Abstandshalter eine Aufnahmeausnehmung auf. Die Schichten und/oder weitere Schichten der Schichtstruktur und/oder eine mit der Schichtstruktur gekoppelte Wärmesenke sind zumindest teilweise in der Aufnahmeausnehmung angeordnet. Beispielsweise können eine Trägerschicht, ein Träger und/oder ein Substrat der Schichtstruktur durch die Aufnahmeausnehmung hindurch oder in die Aufnahmeausnehmung ragen. Die Wärmesenke kann beispielsweise eine Graphit- oder Aluminiumschicht sein, die beispielsweise auf der Rückseite der Schichtstruktur aufgebracht ist. Über die Wärmesenke kann eine Wärmeankopplung der Schichtstruktur erfolgen, so dass während des Betriebs des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv aus dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement abgeführt werden kann. In anderen Worten kann eine Wärmekopplung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements über die Aufnahmeausnehmung des Abstandhalters erfolgen. Die Wärmesenke kann auch zur Wärmespreizung und/oder zur Wärmeverteilung, beispielsweise zu einer gleichmäßigen Wärmeverteilung dienen und/oder beitragen.According to various embodiments, the spacer has a receiving recess. The layers and / or further layers of the layer structure and / or a heat sink coupled to the layer structure are arranged at least partially in the receiving recess. For example, a carrier layer, a carrier and / or a substrate of the layer structure can project through the receiving recess or into the receiving recess. The heat sink can be for example a graphite or aluminum layer, which is applied, for example, on the back of the layer structure. The heat sink can be used to heat-couple the layer structure, so that heat arising during operation of the light-emitting semiconductor component can be dissipated quickly and effectively from the light-emitting semiconductor component. In other words, a heat coupling of the light-emitting semiconductor device via the receiving recess of the spacer can be carried out. The heat sink can also serve for heat spreading and / or heat distribution, for example, to a uniform heat distribution and / or contribute.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der Abstandshalter zum Koppeln mit der Schichtstruktur mindestens eine Koppelausnehmung auf. Die Koppelausnehmung ist beispielsweise dazu ausgebildet, dass durch sie ein Mittel zum Koppeln des Abstandshalters mit der Schichtstruktur geführt werden kann. Beispielsweise kann über die Koppelausnehmung Lötzinn zwischen den Abstandshalter und die Schichtstruktur geführt werden, so dass der Abstandshalter mit der Schichtstruktur über eine Lötverbindung gekoppelt ist. Die Koppelausnehmung kann in diesem Zusammenhang auch als Löt-Auge oder als Löt-Via bezeichnet werden. Die Lötverbindung kann zur mechanischen Kopplung von Abstandshalter an Schichtstruktur und/oder zur elektrischen Kopplung der Schichtstruktur über den Abstandshalter dienen. Alternativ oder zusätzlich zu der dem Herstellen der Lötverbindung über die Koppelausnehmung kann die Lötverbindung auch seitlich beispielsweise mit Hilfe einer flachen Lötspitze hergestellt werden. Optional kann dann auf die Koppelausnehmung verzichtet werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Schichtstruktur mindestens eine Kontaktleiste auf, mit der Abstandshalter gekoppelt ist. Die Kontaktleiste dient beispielsweise zum Kontaktieren der Schichtstruktur, beispielsweise zum Anlegen einer Spannung an die elektrisch leitende Schicht, beispielsweise die Elektrodenschichten. Der Abstandshalter kann rein zur mechanischen Befestigung des Abstandshalters mit der Kontaktleiste gekoppelt sein und/oder der Abstandshalter kann zur elektrischen Ankopplung der Kontaktleiste mit der Kontaktleiste über den Abstandshalter gekoppelt sein.According to various embodiments, the spacer for coupling with the layer structure has at least one coupling recess. The coupling recess is designed, for example, such that a means for coupling the spacer to the layer structure can be guided through it. For example, solder can be guided between the spacers and the layer structure via the coupling recess, so that the spacer is coupled to the layer structure via a solder connection. The coupling recess can be referred to in this context as a soldering eye or as a soldering via. The solder joint can serve for the mechanical coupling of spacers to the layer structure and / or for the electrical coupling of the layer structure via the spacer. Alternatively or in addition to the production of the solder joint via the coupling recess, the solder joint can also be produced laterally, for example with the aid of a flat soldering tip. Optionally can then be dispensed with the coupling recess. According to various embodiments, the layer structure has at least one contact strip with which spacers are coupled. The contact strip serves, for example, for contacting the layer structure, for example for applying a voltage to the electrically conductive layer, for example the electrode layers. The spacer may be coupled purely for mechanical attachment of the spacer with the contact strip and / or the spacer may be coupled to the electrical connection of the contact strip with the contact strip on the spacer.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der Abstandshalter eine Leiterplatte auf. Die Leiterplatte kann beispielsweise keramische Isolationsmaterialien, Kunststoff und/oder ein Kunstharz aufweisen. Beispielsweise kann die Leiterplatte eine Metallkernplatine sein, die zumindest teilweise in eine elektrisch isolierende Keramik eingebettet ist. Ferner können Fasermatten in den Kunststoff bzw. das Kunstharz eingebettet sein. Beispielsweise weist der Abstandshalter eine FR4-Leiterplatte oder eine FR5-Leiterplatte auf. Dies kann dazu beitragen, den Abstandshalter einfach und kostengünstige herzustellen. Ferner kann dies dazu beitragen, die Kontaktleisten und/oder die Schichtstruktur auf einfache Weise kontaktieren zu können.According to various embodiments, the spacer has a printed circuit board. The circuit board may for example comprise ceramic insulation materials, plastic and / or a synthetic resin. For example, the circuit board may be a metal core board that is at least partially embedded in an electrically insulating ceramic. Furthermore, fiber mats can be embedded in the plastic or the synthetic resin. For example, the Spacer a FR4 board or a FR5 board on. This can help to make the spacer simple and inexpensive. Furthermore, this can contribute to be able to contact the contact strips and / or the layer structure in a simple manner.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn auf, die mit der Kontaktleiste gekoppelt ist. Beispielsweise kann die Leiterbahn über die Koppelausnehmung mit der Kontaktleiste gekoppelt sein. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann dann über die Leiterbahn der Leiterplatte einfach kontaktiert werden. Dies kann dazu beitragen, das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement bei seiner Verwendung einfach in einer übergeordneten Vorrichtung anzuordnen und anzuschließen.According to various embodiments, the circuit board has at least one conductor track which is coupled to the contact strip. For example, the conductor can be coupled via the coupling recess with the contact strip. The light-emitting semiconductor component can then be easily contacted via the conductor track of the printed circuit board. This may help to easily locate and connect the semiconductor light-emitting device in use in a higher-level device.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weisen die Schichtstrukturen der Abstandshalter mindestens je eine Orientierungsmarke auf. Die Orientierungsmarken sind einander zugeordnet. Dies kann auf einfach Weise zu einem einfachen und/oder präzisen Herstellen des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements beitragen. Durch die Orientierungsmarken ist der Abstandshalter so bezüglich der Schichtstruktur ausgerichtet, dass die Leiterplatte bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste ausgerichtet ist. In anderen Worten geben die Orientierungsmarken eine relative Orientierung der Schichtstruktur, insbesondere der Kontaktleiste auf der Schichtstruktur, zu dem Abstandshalter beim Herstellen des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements vor. Beispielsweise können die körperlichen Strukturen der Schichtstruktur und des Abstandshalters so ausgebildet sein, dass grundsätzlich unterschiedliche relative Orientierung des Abstandshalters zu der Schichtstruktur möglich sind. Die Orientierungsmarken können dann dazu beitragen, dass die Schichtstruktur und der Abstandshalter dennoch eine eindeutige Orientierung zueinander haben. Dies kann beispielsweise vorteilhaft sein, wenn eine nicht bestimmungsgemäße Orientierungen beispielsweise zu einer falschen Kontaktierung (Verpolung) der Schichtstruktur führen. According to various embodiments, the layer structures of the spacers have at least one orientation mark each. The orientation marks are assigned to each other. This can easily contribute to a simple and / or precise production of the light-emitting semiconductor component. By the orientation marks of the spacer is aligned with respect to the layer structure that the circuit board is properly aligned with the contact strip. In other words, the orientation marks indicate a relative orientation of the layer structure, in particular the contact strip on the layer structure, to the spacer in the production of the semiconductor light-emitting component. By way of example, the physical structures of the layer structure and of the spacer can be designed in such a way that essentially different relative orientation of the spacer to the layer structure is possible. The orientation marks can then contribute to the fact that the layer structure and the spacer still have a clear orientation to each other. This can be advantageous, for example, if an improper orientation leads, for example, to incorrect contacting (reverse polarity) of the layer structure.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der Abstandshalter eine optische Schicht auf. Die optische Schicht wirkt sich auf die elektromagnetische Strahlung aus, die in der optisch funktionellen Schicht erzeugt wird. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn der Abstandshalter auf der Seite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet ist, auf der die elektromagnetische Strahlung emittiert wird. Die elektromagnetische Strahlung tritt dann durch den Abstandshalter und kann von diesem auf vorgegebene Art und Weise beeinflusst werden.According to various embodiments, the spacer has an optical layer. The optical layer affects the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer. This is advantageous in particular when the spacer is arranged on the side of the light-emitting semiconductor component on which the electromagnetic radiation is emitted. The electromagnetic radiation then passes through the spacer and can be influenced by it in a predetermined manner.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die optische Schicht eine Streuschicht und/oder Konversionsschicht. Die Streuschicht dient dazu, die in der optisch funktionellen Schicht erzeugte elektromagnetische Strahlung zu streuen. Die Konversionsschicht dient dazu, die elektromagnetische Strahlung zu konvertieren und beispielsweise die Wellenlängen der erzeugten elektromagnetischen Strahlung hin zu längeren oder kürzeren Wellenlängenbereichen zu verschieben. In anderen Worten kann der Abstandshalter als Konversionselement dienen, wie es beispielsweise aus Remote-Phosphor- und/oder LARP-Anwendungen bekannt ist.According to various embodiments, the optical layer is a scattering layer and / or conversion layer. The scattering layer serves to scatter the electromagnetic radiation generated in the optically functional layer. The conversion layer serves to convert the electromagnetic radiation and, for example, to shift the wavelengths of the generated electromagnetic radiation toward longer or shorter wavelength ranges. In other words, the spacer can serve as a conversion element, as it is known for example from remote phosphor and / or LARP applications.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine mit der Schichtstruktur gekoppelte Wärmesenke auf. Der Abstandshalter ist dann beispielsweise so ausgebildet, dass durch ihn mindestens der vorgegebene erste Abstand zwischen der elektrisch leitenden Schicht und der Wärmesenke vorgegeben ist.According to various embodiments, the light-emitting semiconductor component has a heat sink coupled to the layer structure. The spacer is then designed, for example, such that at least the predetermined first distance between the electrically conductive layer and the heat sink is predetermined by it.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigen:Show it:

1 ein Ausführungsbeispiel einer Schichtstruktur für ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement, 1 an embodiment of a layer structure for a light-emitting semiconductor component,

2 eine Ansicht einer Vorderseite eines Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 2 a view of a front side of an embodiment of a semiconductor light-emitting device,

3 eine Ansicht einer Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements gemäß 2, 3 a view of a back side of the light-emitting semiconductor device according to 2 .

4 eine Schnittdarstellung durch das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß 2, 4 a sectional view through the light-emitting semiconductor device according to 2 .

5 eine Ansicht einer Rückseite eines Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 5 a view of a back side of an embodiment of a semiconductor light-emitting device,

6 eine Schnittdarstellung durch das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß 5, 6 a sectional view through the light-emitting semiconductor device according to 5 .

7 eine Ansicht einer Vorderseite eines Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 7 a view of a front side of an embodiment of a semiconductor light-emitting device,

8 eine Schnittdarstellung durch das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß 7, 8th a sectional view through the light-emitting semiconductor device according to 7 .

9 eine Schnittdarstellung durch ein Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 9 a sectional view through an embodiment of a light-emitting semiconductor device,

10 eine Schnittdarstellung durch ein Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 10 a sectional view through an embodiment of a light-emitting semiconductor device,

11 eine Schnittdarstellung durch ein Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 11 a sectional view through an embodiment of a light-emitting semiconductor device,

12 eine Schnittdarstellung durch ein Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 12 a sectional view through an embodiment of a light-emitting semiconductor device,

13 eine Schnittdarstellung durch ein Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 13 a sectional view through an embodiment of a light-emitting semiconductor device,

14 eine Schnittdarstellung durch ein Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, 14 a sectional view through an embodiment of a light-emitting semiconductor device,

15 ein Ausführungsbeispiel eines Abstandshalters und ein Ausführungsbeispiel einer Schichtstruktur, 15 an embodiment of a spacer and an embodiment of a layer structure,

16 ein Ausführungsbeispiel eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements. 16 an embodiment of a light-emitting semiconductor device.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.

Ein Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) oder eine organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein Licht emittierender Transistor oder organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Halbleiter-Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.A light-emitting semiconductor device may be formed in various embodiments as a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) or as a light emitting transistor or organic light emitting transistor. The light emitting semiconductor device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting semiconductor components may be provided, for example housed in a common housing.

1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Schichtstruktur 1 eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement ist bei diesem Ausführungsbeispiel beispielsweise eine organische Leuchtdiode. 1 shows a schematic cross-sectional view of a layer structure 1 a semiconductor light-emitting device according to various embodiments. The semiconductor light emitting device in this embodiment is, for example, an organic light emitting diode.

Die Schichtstruktur 1 weist beispielsweise einen Träger 2 auf. Der Träger 2 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise Licht emittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 2 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 2 eine Metallfolie, eine Kunststofffolie und/oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 2 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Der Träger 2 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.The layer structure 1 has, for example, a carrier 2 on. The carrier 2 For example, it can serve as a support element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. For example, the carrier 2 Glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material or be formed therefrom. Furthermore, the carrier can 2 a metal foil, a plastic film and / or a laminate having one or more plastic films or be formed therefrom. The plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP). Further, the plastic may include or be formed from polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN). The carrier 2 may comprise one or more of the above materials. The carrier 2 can be translucent or even transparent.

Unter dem Begriff „transluzent“ bzw. „transluzente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem Licht emittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kannThe term "translucent" or "translucent layer" may in various embodiments be understood to mean that a layer is transparent to light, for example for the light generated by the light-emitting component, for example one or more wavelength ranges, for example for light in a wavelength range of visible light (for example at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm). By way of example, the term "translucent layer" in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that substantially all of the amount of light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer), whereby part of the light can be scattered in this case

Unter dem Begriff „transparent“ oder „transparente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Somit ist „transparent“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent“ anzusehen.The term "transparent" or "transparent layer" can be understood in various embodiments that a Layer is permeable to light (for example, at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein in a structure (for example, a layer) coupled light substantially without scattering or light conversion from the structure (for example, layer) is coupled out. Thus, "transparent" in various embodiments is to be regarded as a special case of "translucent".

Für den Fall, dass beispielsweise ein Licht emittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes elektronisches Halbleiter-Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist.In the event, for example, that a light-emitting monochrome or emission-limited electronic semiconductor component is to be provided, it is sufficient for the optically translucent layer structure to be translucent at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited emission spectrum.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode (oder auch allgemein das bzw. die Licht emittierenden Halbleiter-Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) als ein Top- und/oder Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. Bei einem Top-Emitter emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Vorderseite und bei einem Bottom-Emitter emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Rückseite. Bei einem Top- und Bottom-Emitter emittiert das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement das Licht an der Vorderseite und an der Rückseite.In various embodiments, the organic light-emitting diode (or also generally the light-emitting semiconductor component or components according to the exemplary embodiments described above or below) may be configured as a top and / or bottom emitter. A top and bottom emitter can also be referred to as an optically transparent component, for example a transparent organic light-emitting diode. In a top emitter, the semiconductor light-emitting device emits the light at the front, and in a bottom emitter, the semiconductor light-emitting device emits the light at the back. For a top and bottom emitter, the semiconductor light emitting device emits the light at the front and at the back.

Die Schichtstruktur 1 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen beispielsweise eine optional auf oder über dem Träger 2 angeordnete Barriereschicht 4 aufweisen. Die Barriereschicht 4 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die Barriereschicht 4 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 0,1 nm (eine Atomlage) bis 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von 40 nm. The layer structure 1 For example, in various embodiments, an optional on or over the carrier 2 arranged barrier layer 4 exhibit. The barrier layer 4 It may comprise or consist of one or more of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantala, lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof. Furthermore, the barrier layer 4 in various embodiments have a layer thickness in a range of 0.1 nm (one atomic layer) to 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of 10 nm to 200 nm, for example, a layer thickness of 40 nm.

Die Schichtstruktur 1 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen einen auf oder über der Barriereschicht 4 angeordneten elektrisch aktiven Bereich 6 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements aufweisen. Der elektrisch aktive Bereich 6 kann als der Bereich des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement eine, zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten auf. Beispielsweise weist der elektrisch aktive Bereich 6 als erste elektrisch leitende Schicht eine erste Elektrodenschicht 10 und als zweite elektrisch leitende Schicht eine zweite Elektrodenschicht 14 auf. Ferner weist bei verschiedenen Ausführungsbeispielen der elektrisch aktive Bereich eine organische funktionelle Schicht 12 auf. Alternativ oder zusätzlich können noch weitere Schichten der Schichtstruktur 1 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements elektrisch leitend ausgebildet sein. Als elektrisch leitende Schicht ist jegliche Schicht des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements zu verstehen, an der vor, während oder nach einem Betrieb des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem Licht erzeugt wird, eine Spannung anliegen und/oder durch die ein Strom fließen kann.The layer structure 1 In various embodiments, one may be on or above the barrier layer 4 arranged electrically active area 6 of the semiconductor light emitting device. The electrically active area 6 may be understood as the region of the semiconductor light-emitting device in which an electric current flows to operate the semiconductor light-emitting device. In various embodiments, the semiconductor light-emitting device has one, two or more electrically conductive layers. For example, the electrically active region 6 as a first electrically conductive layer, a first electrode layer 10 and a second electrode layer as the second electrically conductive layer 14 on. Further, in various embodiments, the electrically active region comprises an organic functional layer 12 on. Alternatively or additionally, further layers of the layer structure may be used 1 be formed of the light-emitting semiconductor device electrically conductive. An electrically conductive layer is any layer of the semiconductor light-emitting component to which a voltage is applied and / or through which a current can flow before, during or after an operation of the light-emitting semiconductor component in which light is generated ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barriereschicht 4 (oder, wenn die Barriereschicht 4 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 2) die erste Elektrodenschicht 10 aufgebracht sein. Die erste Elektrodenschicht 10 (im Folgenden auch als untere Elektrodenschicht 10 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs. Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 gebildet sein aus einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrodenschicht 10 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.In various embodiments, on or above the barrier layer 4 (or, if the barrier layer 4 is absent, on or above the vehicle 2 ) the first electrode layer 10 be upset. The first electrode layer 10 (Also referred to below as the lower electrode layer 10 may be formed of an electrically conductive material, such as of a metal or a conductive transparent oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs. Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 , or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs and can be used in various embodiments. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped. In various embodiments, the first electrode layer 10 have a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials. In various embodiments, the first electrode layer 10 be formed from a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers. In various embodiments, the first electrode layer 10 one or more of the following materials have, alternatively or in addition to the above materials: networks of metallic nanowires and particles, such as Ag; Networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires. Furthermore, the first electrode layer 10 having electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste Elektrodenschicht 10 und der Träger 2 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrodenschicht 10 aus einem Metall gebildet ist, kann die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise Schichtdicken größer oder gleich 10 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke größer oder gleich 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrodenschicht 10 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 15 nm bis 18 nm. Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrodenschicht 10 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet ist, die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 50 nm bis 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 75 nm bis 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 1 nm bis 150 nm. Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrodenschicht 10 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet ist, die erste Elektrodenschicht 10 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 1 nm bis 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 10 nm bis 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von 40 nm bis 250 nm.In various embodiments, the first electrode layer 10 and the carrier 2 be formed translucent or transparent. In the case that the first electrode layer 10 is formed of a metal, the first electrode layer 10 For example, have a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 18 nm. Furthermore, the first electrode layer 10 For example, have layer thicknesses greater than or equal to 10 nm, for example, a layer thickness greater than or equal to 15 nm. In various embodiments, the first electrode layer 10 a layer thickness in a range of 10 nm to 25 nm, for example, a layer thickness in a range of 10 nm to 18 nm, for example, a layer thickness in a range of 15 nm to 18 nm Further, in the case that the first electrode layer 10 is formed of a conductive transparent oxide (TCO), the first electrode layer 10 For example, have a layer thickness in a range of 50 nm to 500 nm, for example, a layer thickness in a range of 75 nm to 250 nm, for example, a layer thickness in a range of 1 nm to 150 nm. Further, in the case that the first electrode layer 10 from, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes, which may be combined with conductive polymers, or formed of graphene layers and composites, the first electrode layer 10 For example, have a layer thickness in a range of 1 nm to 500 nm, for example, a layer thickness in a range of 10 nm to 400 nm, for example, a layer thickness in a range of 40 nm to 250 nm.

Die erste Elektrodenschicht 10 kann als Anode, also als Löcher injizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine Elektronen injizierende Elektrodenschicht.The first electrode layer 10 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting electrode layer.

Die erste Elektrodenschicht 10 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer nicht dargestellten Energiequelle, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 2 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an der ersten Elektrodenschicht 10 angelegt werden bzw. sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.The first electrode layer 10 may comprise a first electrical connection to which a first electrical potential (provided by a power source, not shown, for example, a power source or a voltage source) can be applied. Alternatively, the first electrical potential to the carrier 2 be applied and be and then then indirectly to the first electrode layer 10 be created or be. The first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.

Der elektrisch aktive Bereich 6 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements kann eine optisch funktionelle Schicht 12 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrodenschicht 10 aufgebracht ist. Die optisch funktionelle Schicht 12 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Ein, zwei oder mehr der Teilschichten können beispielsweise eine organische elektrolumineszente Schicht oder Schichtenfolge aufweisen.The electrically active area 6 of the semiconductor light emitting device may be an optically functional layer 12 have, on or above the first electrode layer 10 is applied. The optically functional layer 12 For example, it may have one, two or more sublayers. One, two or more of the partial layers may comprise, for example, an organic electroluminescent layer or layer sequence.

Die optisch funktionelle Schicht 12 kann eine oder mehrere Emitterschichten 18, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, aufweisen, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 16 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en)). In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 16 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en)) vorgesehen sein.The optically functional layer 12 can be one or more emitter layers 18 , For example, with fluorescent and / or phosphorescent emitters having, and one or more Lochleitungsschichten 16 (also referred to as hole transport layer (s)). In various embodiments, alternatively or additionally, one or more electron conduction layers may be used 16 (Also referred to as electron transport layer (s)) may be provided.

Beispiele für Emittermaterialien, die in dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht(en) 18 eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)3·2(PF6) (Tris[4,4’-di-tertbutyl-(2,2’)-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating), abscheidbar sind.Examples of emitter materials used in the semiconductor light-emitting device according to various embodiments of the emitter layer (s) 18 can be used include organic or organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) as well as metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 2 (PF 6 ) (tris [4,4'-di-tert-butyl- (2,2 ') -bipyridine] ruthenium (III) complex) and blue-fluorescent DPAVBi (4,4-bis [4- (di-p tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA (9,10-bis [N, N-di (p-tolyl) amino] anthracene) and red fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6- Julolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter. Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited in particular by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating).

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. Ferner können alternativ oder zusätzlich andere geeignete Emittermaterialien vorgesehen sein.The emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. Furthermore, alternatively or additionally, other suitable emitter materials may be provided.

Die Emittermaterialien der Emitterschicht(en) 18 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht(en) 18 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht(en) 18 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 18 oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht 18, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht 18 und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht 18. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann Licht mit einem weißen Farbeindruck erzeugt werden. Alternativ kann vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial, beispielsweise in einer Konversionsschicht, anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. Eine derartige Konversionsschicht kann somit dazu dienen einen Wellenlängenbereich der Primärstrahlung oder Anregungsstrahlung zu verschieben.The emitter materials of the emitter layer (s) 18 For example, the semiconductor light-emitting device may be selected so that the semiconductor light-emitting device emits white light. The emitter layer (s) 18 can have several different colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials, alternatively, the emitter layer (s) can / 18 also be composed of several sub-layers, such as a blue fluorescent emitter layer 18 or blue phosphorescent emitter layer 18 , a green phosphorescent emitter layer 18 and a red phosphorescent emitter layer 18 , By mixing the different colors, light can be produced with a white color impression. Alternatively, it can be provided to arrange a converter material, for example in a conversion layer, in the beam path of the primary emission produced by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation through the combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression. Such a conversion layer can thus serve to shift a wavelength range of the primary radiation or excitation radiation.

Die optisch funktionelle Schicht 12 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules“) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die optisch funktionelle Schicht 12 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht 20 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die optisch funktionelle Schicht 12 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht 16 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht 20 können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.The optically functional layer 12 may generally comprise one or more electroluminescent layers. The one or more electroluminescent layers may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small non-polymeric molecules ("small molecules"), or a combination of these materials. For example, the optically functional layer 12 have one or more electroluminescent layers as the hole transport layer 20 is designed or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible. Alternatively, in various embodiments, the optically functional layer 12 have one or more functional layers that serve as an electron transport layer 16 is executed or are, so that, for example, in an OLED effective electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible. As material for the hole transport layer 20 For example, tertiary amines, carbazo derivatives, conductive polyaniline or polythylenedioxythiophene can be used. In various embodiments, the one or more electroluminescent layers may be embodied as an electroluminescent layer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Lochtransportschicht 20 auf oder über der ersten Elektrodenschicht 10 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 18 kann auf oder über der Lochtransportschicht 20 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Elektronentransportschicht 16 auf oder über der Emitterschicht 18 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.In various embodiments, the hole transport layer 20 on or above the first electrode layer 10 deposited, for example, be deposited, and the emitter layer 18 can be on or above the hole transport layer 20 applied, for example, be deposited. In various embodiments, the electron transport layer 16 on or above the emitter layer 18 applied, for example, be deposited.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 12 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht(en) 20 und Emitterschicht(en) 18 und Elektronentransportschicht(en) 16) eine Schichtdicke aufweisen von maximal 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 300 nm.In various embodiments, the optically functional layer 12 (ie, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 20 and emitter layer (s) 18 and electron transport layer (s) 16 ) have a layer thickness of at most 1.5 microns, for example, a layer thickness of at most 1.2 microns, for example, a layer thickness of 1 microns, for example, a layer thickness of at most 800 nm, for example, a layer thickness of at most 500 nm, for example, a maximum layer thickness 400 nm, for example, a layer thickness of a maximum of 300 nm.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 12 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 12 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die optisch funktionelle Schicht 12 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 µm.In various embodiments, the optically functional layer 12 For example, a stack of a plurality of directly superimposed organic light-emitting diodes (OLEDs), each OLED may have, for example, a maximum thickness of 1.5 microns, for example, a layer thickness of not more than 1.2 microns, for example, a layer thickness of at most 1 micron, for example one Layer thickness of at most 800 nm, for example a layer thickness of at most 500 nm, for example a layer thickness of at most 400 nm, for example a layer thickness of not more than 300 nm. In various embodiments, the optically functional layer 12 For example, have a stack of two, three or four directly superimposed OLEDs, in which case, for example, the optically functional layer 12 may have a layer thickness of at most about 3 microns.

Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 18 oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht(en) 16 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements weiter zu verbessern, beispielsweise Einkoppelschichten, Auskoppelschichten oder Streuschichten.Optionally, the semiconductor light emitting device may generally comprise further organic functional layers, for example, disposed on or over the one or more emitter layers 18 or on or above the electron transport layer (s) 16 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting semiconductor component, for example coupling-in layers, coupling-out layers or scattering layers.

Auf oder über der optisch funktionellen Schicht 12 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen Schichten kann die zweite Elektrodenschicht 14 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 14) aufgebracht sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrodenschicht 14 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrodenschicht 10, wobei in verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrodenschicht 14 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 10 nm.On or above the optically functional layer 12 or optionally at or above the one or more further organic functional layers may be the second electrode layer 14 (For example in the form of a second electrode layer 14 ) be applied. In various embodiments, the second electrode layer 14 comprise or be formed from the same materials as the first electrode layer 10 , wherein in various embodiments, metals are particularly suitable. In various embodiments, the second electrode layer 14 For example, have a layer thickness of less than or equal to 50 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 45 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 40 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 35 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 30 nm , For example, a layer thickness of less than or equal to 25 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to 10 nm.

Die zweite Elektrodenschicht 14 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet sein wie die erste Elektrodenschicht 10, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrodenschicht 14 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrodenschicht 10 beschrieben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrodenschicht 10 und die zweite Elektrodenschicht 14 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in 1 dargestellte Licht emittierende Halbleiter-Bauelement als Top- und/oder Bottom-Emitter, beispielsweise als transparentes Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement ausgebildet sein.The second electrode layer 14 may generally be formed in a similar manner as the first electrode layer 10 , or different from this. The second electrode layer 14 may be formed in various embodiments of one or more of the materials and with the respective layer thickness, as above in connection with the first electrode layer 10 described. In various embodiments, the first electrode layer 10 and the second electrode layer 14 both translucent or transparent. Thus, the in 1 illustrated light-emitting semiconductor device as a top and / or bottom emitter, for example, be designed as a transparent light-emitting semiconductor device.

Die zweite Elektrodenschicht 14 kann als Anode, also als Löcher injizierende Elektrodenschicht ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine Elektronen injizierende Elektrodenschicht.The second electrode layer 14 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode layer or as a cathode, that is, as an electron-injecting electrode layer.

Die zweite Elektrodenschicht 14 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential), beispielsweise bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von 1,5 V bis 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von 2,5 V bis 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von 3 V bis 12 V.The second electrode layer 14 may have a second electrical connection to which a second electrical potential (which is different from the first electrical potential), for example provided by the energy source, can be applied. For example, the second electric potential may have a value such that the difference from the first electric potential has a value in a range of 1.5V to 20V, for example, a value in a range of 2.5V to 15V, for example a value in a range of 3 V to 12 V.

Auf oder über der zweiten Elektrodenschicht 14 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 6 kann optional noch eine Verkapselung 8, beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht 8 oder Dünnschichtverkapselung gebildet werden oder sein.On or above the second electrode layer 14 and thus on or above the electrically active area 6 Optionally, an encapsulation 8th , for example in the form of a barrier thin film 8th or thin-layer encapsulation.

Unter einer „Barrierendünnschicht“ bzw. einem „Barriere-Dünnfilm“ 8 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 8 derart ausgebildet, dass sie von Stoffen, die das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement schädigen könnnen, wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel, nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Under a "barrier thin film" or a "barrier thin film" 8th In the context of this application, for example, a layer or a layer structure can be understood which is suitable for forming a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. In other words, the barrier thin film 8th such that they can not be penetrated by substances that can damage the light-emitting semiconductor component, such as water, oxygen or solvents, or at most to very small proportions.

Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht 8 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 8 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder eines plasmalosen Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)), oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.According to one embodiment, the barrier thin film 8th be formed as a single layer (in other words, as a single layer). According to an alternative embodiment, the barrier thin layer 8th have a plurality of sub-layers formed on each other. In other words, according to an embodiment, the barrier thin film 8th be formed as a layer stack (stack). The barrier thin film 8th or one or more sublayers of the barrier film 8th can be formed, for example, by means of a suitable deposition method, eg by means of an atomic layer deposition (ALD) method according to one embodiment, eg a plasma-enhanced atomic layer deposition method (PEALD) or a plasma-less atomic layer deposition method (plasma-less atomic layer deposition (PLALD)), or by means of a chemical vapor deposition (CVD) method according to another embodiment, for example a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method or a plasma-less chemical vapor deposition method (PLCVD )), or alternatively by other suitable deposition methods.

Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 8, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat“ bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 8, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens.By using an atomic layer deposition process (ALD) very thin layers can be deposited. In particular, layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region. According to one embodiment, in the case of a barrier thin film 8th having multiple sublayers, all sublayers are formed by an atomic layer deposition process. A layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate". According to an alternative embodiment, in the case of a barrier thin layer 8th having multiple sublayers, one or more Partial layers of the barrier thin film 8th be deposited by a deposition method other than an atomic layer deposition method, for example, by a vapor deposition method.

Die Barrierendünnschicht 8 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von 0.1 nm (eine Atomlage) bis 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von 10 nm bis 1 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.The barrier thin film 8th may according to one embodiment have a layer thickness of 0.1 nm (one atomic layer) to 1000 nm, for example, a layer thickness of 10 nm to 1 nm according to an embodiment, for example 40 nm according to one embodiment.

Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 8 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.According to an embodiment, in which the barrier thin film 8th has multiple sub-layers, all sub-layers may have the same layer thickness. According to another embodiment, the individual partial layers of the barrier thin layer 8th have different layer thicknesses. In other words, at least one of the partial layers may have a different layer thickness than one or more other of the partial layers.

Die Barrierendünnschicht 8 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. The barrier thin film 8th or the individual partial layers of the barrier thin film 8th may be formed according to an embodiment as a translucent or transparent layer.

Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 8 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 8) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen.In other words, the barrier thin film 8th (or the individual sublayers of the barrier thin film 8th ) of a translucent or transparent material (or combination of materials that is translucent or transparent).

Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 8 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 8 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 8 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.According to one embodiment, the barrier thin film 8th or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film 8th aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof. In various embodiments, the barrier thin film 8th or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film 8th one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2 ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 8 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack 24 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 26 (beispielsweise eine Glasabdeckung) auf der Barrierendünnschicht 8 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 24 eine Schichtdicke von größer als 1 µm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren µm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. In various embodiments, on or above the barrier film 8th an adhesive and / or a protective varnish 24 be provided by means of which, for example, a cover 26 (For example, a glass cover) on the barrier thin film 8th attached, for example, is glued. In various embodiments, the optically translucent layer of adhesive and / or protective lacquer 24 have a layer thickness of greater than 1 micron, for example, a layer thickness of several microns. In various embodiments, the adhesive may include or be a lamination adhesive.

In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen Licht streuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als Licht streuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (SiO2), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga2Oa) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.In the layer of the adhesive (also referred to as adhesive layer) light-scattering particles can be embedded in various embodiments, which can lead to a further improvement of the color angle distortion and the Auskoppeleffizienz. In various embodiments, scattering particles may be provided as scattering particles, for example, as scattering dielectric particles, such as metal oxides, e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga 2 Oa) aluminum oxide, or titanium oxide. Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres. Furthermore, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrodenschicht 14 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 24 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 300 nm bis 1,5 µm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 500 nm bis 1 µm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.In various embodiments, between the second electrode layer 14 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 24 nor an electrically insulating layer (not shown) are applied or be, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of 300 nm to 1.5 microns, for example, with a layer thickness in a range of 500 nm to 1 micron, electrically unstable Protect materials, for example, during a wet chemical process.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 26. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.In various embodiments, the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the cover 26 , Such an adhesive may, for example, be a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 24 verzichtet werden kann, beispielsweise bei Ausführungsbeispielen, bei denen die Abdeckung 26, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Verkapselung 8 aufgebracht werden.It should also be noted that in various embodiments, it is entirely an adhesive 24 can be omitted, for example, in embodiments in which the cover 26 For example, glass, for example, by plasma spraying on the encapsulation 8th be applied.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Abdeckung 26 und/oder der Klebstoff 24 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen. In various embodiments, the cover may / may 26 and / or the adhesive 24 have a refractive index (for example at a wavelength of 633 nm) of 1.55.

Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit einer Verkapselung, beispielsweise der Barrierendünnschicht 8) in dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement vorgesehen sein.Furthermore, in various exemplary embodiments, one or more antireflection layers (for example combined with an encapsulation, for example the barrier thin layer 8th ) may be provided in the light-emitting semiconductor device.

2 zeigt eine Vorderseite eines Ausführungsbeispiels eines Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement weist beispielsweise die vorstehend erläuterte Schichtstruktur 1 auf. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement und die Schichtstruktur 1 sind bei diesem Ausführungsbeispiel achteckig ausgebildet. Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement und die Schichtstruktur 1 können jedoch eine andere Form aufweisen, beispielsweise können das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement und/oder die Schichtstruktur 1 in Vorderansicht rund oder viereckig ausgebildet sein oder eine andere beliebige Form aufweisen. 2 shows a front side of an embodiment of a semiconductor light-emitting device. The light-emitting semiconductor component has, for example, the layer structure explained above 1 on. The semiconductor light-emitting device and the layered structure 1 are octagonal in this embodiment. The semiconductor light-emitting device and the layered structure 1 however, they may have another shape, for example, the semiconductor light-emitting device and / or the layered structure 1 be formed round or square in front view or have any other shape.

Das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement weist einen Abstandshalter 40 auf. Der Abstandshalter 40 weist beispielsweise eine zentrale Aufnahmeausnehmung 42 auf, die in 2 von der Schichtstruktur 1 verdeckt ist und daher in 2 gestrichelt angedeutet ist. Die Aufnahmeausnehmung 42 kann beispielsweise dazu dienen, die Schichtstruktur 1 von einer Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements aus elektrisch und/oder thermisch zu koppeln. Der Abstandshalter 40 weist einen die Aufnahmeausnehmung 42 begrenzenden inneren Rand und einen äußeren ersten Rand 34 auf. Der äußere erste Rand 34 des Abstandshalters 40 hat einen vorgegebenen ersten Abstand 32 zu der Schichtstruktur 1. Der in 2 gezeigte erste Rand 34 des Abstandshalters 40 ist von der Schichtstruktur 1 abgewandt und kann auch als von der Schichtstruktur 1 abgewandter erster Rand 34 bezeichnet werden.The semiconductor light-emitting device has a spacer 40 on. The spacer 40 has, for example, a central receiving recess 42 on that in 2 from the layer structure 1 is hidden and therefore in 2 indicated by dashed lines. The receiving recess 42 can serve, for example, the layer structure 1 electrically and / or thermally couple from a backside of the semiconductor light-emitting device. The spacer 40 has a receiving recess 42 delimiting inner edge and an outer first edge 34 on. The outer first edge 34 of the spacer 40 has a given first distance 32 to the layer structure 1 , The in 2 shown first edge 34 of the spacer 40 is from the layer structure 1 turned away and can also be considered as of the layer structure 1 averted first edge 34 be designated.

Der Abstandshalter 40 dient zum Einhalten des vorgegebenen ersten Abstands 32 zu der Schichtstruktur 1 bei Verwendung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, beispielsweise in einer Leuchte. Beispielsweise dient der Abstandshalter 40 zum Einhalten des vorgegebenen ersten Abstands 32 zu den elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1, beispielsweise zu den Elektrodenschichten 10, 14. Der Abstandshalter 40 besteht im Wesentlichen oder vollständig aus elektrisch isolierendem Material. Beispielsweise besteht der Abstandshalter 40 im Wesentlichen aus elektrisch isolierendem Material und weist ansonsten ein paar wenige elektrisch leitende Bereiche auf. Alternativ dazu kann der Abstandshalter beispielsweise eine Metallkernplatine aufweisen, die zumindest teilweise von einem isolierenden Material umgeben ist, beispielsweise von einer Isolationsauflage und/oder einer Keramik. Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise einem gesetzlich vorgegebenen Sicherheitsabstand entsprechen oder größer als dieser sein. Der vorgegebene Abstand kann beispielsweise abhängig von dem elektrischen Potential vorgegeben werden, das an die Elektrodenschichten 10, 14 oder deren elektrische Anschlüsse angelegt werden kann oder soll.The spacer 40 serves to maintain the predetermined first distance 32 to the layer structure 1 when using the light-emitting semiconductor device, for example in a lamp. For example, the spacer is used 40 to comply with the predetermined first distance 32 to the electrically conductive layers 10 . 14 the layer structure 1 , For example, to the electrode layers 10 . 14 , The spacer 40 consists essentially or completely of electrically insulating material. For example, the spacer consists 40 essentially of electrically insulating material and otherwise has a few electrically conductive areas. Alternatively, the spacer may comprise, for example, a metal core board which is at least partially surrounded by an insulating material, for example an insulation pad and / or a ceramic. The predetermined distance may correspond, for example, to a legally prescribed safety distance or be greater than this. The predetermined distance can be predetermined, for example, as a function of the electrical potential that is applied to the electrode layers 10 . 14 or whose electrical connections can or should be applied.

In 2 erstreckt sich der vorgegebene Abstand 32 von einem äußeren Rand der Schichtstruktur 1 bis zu dem ersten Rand 34 des Abstandshalters 40. Dabei wird beispielsweise davon ausgegangen, dass sich die elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1 bis zu dem äußeren Rand der Schichtstruktur 1 erstrecken. Falls sich jedoch die elektrisch leitenden Schichten 10, 14 in Richtung parallel zu den Schichten nicht bis zum äußeren Rand der Schichtstruktur 1 erstrecken, so kann sich der vorgegebene erste Abstand 32 von dem vorgegebenen ersten Rand 34 bis hin zu einen Rand der nächstliegenden elektrisch leitenden Schicht 10, 14 der Schichtstruktur 1 erstrecken. Der Abstand des äußeren Rands 34 des Abstandshalters 40 zu dem äußeren Rand der Schichtstruktur 1 kann dann kleiner sein als der vorgegebene erste Abstand 32.In 2 extends the predetermined distance 32 from an outer edge of the layered structure 1 up to the first edge 34 of the spacer 40 , It is assumed, for example, that the electrically conductive layers 10 . 14 the layer structure 1 up to the outer edge of the layer structure 1 extend. However, if the electrically conductive layers 10 . 14 in the direction parallel to the layers not to the outer edge of the layer structure 1 extend, so may the predetermined first distance 32 from the given first edge 34 to an edge of the nearest electrically conductive layer 10 . 14 the layer structure 1 extend. The distance of the outer edge 34 of the spacer 40 to the outer edge of the layer structure 1 can then be smaller than the predetermined first distance 32 ,

Ferner erstreckt sich der Abstandshalter 40 bei diesem Ausführungsbeispiel um den gesamten Umfang der Schichtstruktur 1. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 auch mehrere Teilabschnitte aufweisen, die jeweils lediglich an Abschnitten des Umfangs der Schichtstruktur 1 angeordnet sind und so den ersten Abstand 32 insbesondere an diesen Abschnitten vorgeben.Furthermore, the spacer extends 40 in this embodiment around the entire circumference of the layer structure 1 , Alternatively, the spacer can 40 Also have several sections, each only at portions of the circumference of the layer structure 1 are arranged and so the first distance 32 specify in particular at these sections.

Beispielsweise zwischen der Schichtstruktur 1 und dem Abstandshalter 40 sind mehrere Kontaktleisten 30, beispielsweise vier Kontaktleisten 30 angeordnet. Alternativ dazu können beispielsweise auch nur zwei, drei oder mehr als vier Kontaktleisten 30 vorgesehen sein. Ferner können die Kontaktleisten 30 auch an anderen Stellen positioniert sein. Die Kontaktleisten 30 dienen beispielsweise dazu, den Abstandshalter 40 an der Schichtstruktur 1 zu befestigen und/oder die Elektrodenschichten 10, 14 der Schichtstruktur 1 über die Kontaktleisten 30 mit dem Abstandshalter 40 zu verbinden. Die Kontaktleisten 30 weisen beispielsweise die elektrischen Anschlüsse der Elektrodenschichten 10, 14 auf oder sind mit diesen und/oder dem Träger 2 elektrisch gekoppelt. Der Abstandshalter 40 kann auch dazu dienen, den vorgegebenen Abstand 32 zu einer der Kontaktleisten 30 einzuhalten.For example, between the layer structure 1 and the spacer 40 are multiple contact strips 30 For example, four contact strips 30 arranged. Alternatively, for example, only two, three or more than four contact strips 30 be provided. Furthermore, the contact strips 30 also be positioned in other places. The contact strips 30 serve, for example, to the spacer 40 at the layer structure 1 to attach and / or the electrode layers 10 . 14 the layer structure 1 over the contact strips 30 with the spacer 40 connect to. The contact strips 30 have, for example, the electrical connections of the electrode layers 10 . 14 on or are with these and / or the carrier 2 electrically coupled. The spacer 40 can also serve the given distance 32 to one of the contact strips 30 observed.

3 zeigt eine Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements gemäß 2, wobei die durch den Abstandshalter 40 verdeckten Kanten der Schichtstruktur 1 und der Kontaktleisten 30 gestrichelt angedeutet sind. 3 shows a back side of the semiconductor light-emitting device according to FIG 2 , passing through the spacer 40 hidden edges of the layer structure 1 and the contact strips 30 indicated by dashed lines.

4 zeigt einen Schnitt durch das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement gemäß 3 im Bereich der Kontaktleisten 30. Die Schichtstruktur 1 weist eine erste Seite 22 und eine zweite Seite 28 auf. In diesen Zusammenhang kann die erste Seite 22 auch als Vorderseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bezeichnet werden. Dementsprechend kann die zweite Seite 28 auch als Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bezeichnet werden. Beispielsweise ist an der ersten Seite 22, also der Vorderseite, die Abdeckschicht 26 ausgebildet. Beispielsweise ist an der zweiten Seite 28, also der Rückseite, der Träger 2 ausgebildet. Alternativ dazu können zwischen Abdeckschicht 22 bzw. dem Träger 2 und der ersten bzw. zweiten Seite 22, 28 noch weitere Schichten ausgebildet sein. 4 shows a section through the light-emitting semiconductor device according to 3 in the area of contact strips 30 , The layer structure 1 has a first page 22 and a second page 28 on. In this context, the first page 22 also be referred to as the front of the semiconductor light-emitting device. Accordingly, the second page 28 Also referred to as the back of the light-emitting semiconductor device. For example, on the first page 22 , so the front, the cover layer 26 educated. For example, on the second page 28 So the back, the vehicle 2 educated. Alternatively, between cover layer 22 or the carrier 2 and the first or second page 22 . 28 be formed even more layers.

Der Abstandshalter 40 ist bei diesem Ausführungsbeispiel an der zweiten Seite 28 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements befestigt. Beispielsweise ist der Abstandshalter 40 an der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1 festgeklebt. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 über eine, zwei oder mehrere Koppelausnehmungen 44 mit der Kontaktleiste 30 gekoppelt sein, wobei die Koppelausnehmung 44 sich durch den Abstandshalter 40 hindurch erstrecken. Die Koppelausnehmungen 44 können beispielsweise dazu dienen, von der Rückseite aus Lötzinn aufzubringen, welches dann in erhitzten Zustand durch Koppelausnehmungen 44 hindurch fließen kann und über Lötverbindungen 46 den Abstandshalter 40 mit den Kontaktleisten 30 verbinden kann. Dies kann beispielsweise dann vorteilhaft sein, wenn über die Koppelausnehmungen 44 nicht nur eine mechanische Kopplung des Abstandshalters 40 mit der Schichtstruktur 1 sondern auch eine elektrische Kontaktierung der Kontaktleisten 30 über den Abstandshalter 40 erfolgt, wobei dann in 4 nicht dargestellte Leiterbahnen auf oder in dem Abstandshalter 40 über die Lötverbindung 46 mit den Kontaktleisten 30 verbunden werden können. Die Koppelausnehmungen 44 können in diesem Zusammenhang auch als Löt-Augen oder Löt-Vias bezeichnet werden.The spacer 40 is on the second side in this embodiment 28 of the semiconductor light-emitting device. For example, the spacer is 40 on the second page 28 the layer structure 1 taped. Alternatively or additionally, the spacer can 40 via one, two or more coupling recesses 44 with the contact strip 30 coupled, wherein the coupling recess 44 through the spacer 40 extend through. The coupling recesses 44 For example, they can be used to apply solder from the back, which then becomes heated in the form of coupling recesses 44 can flow through and over solder joints 46 the spacer 40 with the contact strips 30 can connect. This can be advantageous, for example, if via the coupling recesses 44 not just a mechanical coupling of the spacer 40 with the layer structure 1 but also an electrical contact of the contact strips 30 over the spacer 40 takes place, then in 4 not shown tracks on or in the spacer 40 over the solder joint 46 with the contact strips 30 can be connected. The coupling recesses 44 may also be referred to as solder eyes or solder vias in this context.

Der Abstandshalter 40 ist beispielsweise aus einem im Wesentlichen isolierenden Material, beispielsweise aus Keramik, Kunststoff und/oder Kunstharz, gebildet oder weist dieses auf. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 eine, zwei oder mehr Keramikplatten aufweisen. Der Abstandshalter 40 kann beispielsweise durch eine Leiterplatte gebildet sein. Der Abstandshalter kann beispielsweise mittels Ausstanzen, Ausschneiden, Fräsen, Laserschneiden oder ein anderes Verfahren hergestellt bzw. strukturiert werden.The spacer 40 is for example made of or comprises an essentially insulating material, for example of ceramic, plastic and / or synthetic resin. For example, the spacer 40 have one, two or more ceramic plates. The spacer 40 can be formed for example by a printed circuit board. The spacer can be produced or structured, for example, by means of punching, cutting, milling, laser cutting or another method.

Der Abstandshalter 40 erstreckt sich parallel zu den Schichten der Schichtstruktur 1, wobei der erste Rand 34 des Abstandshalters 40 in Richtung parallel zu den Schichten der Schichtstruktur 1 den vorgegebenen ersten Abstand 32 zu den elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1 vorgibt.The spacer 40 extends parallel to the layers of the layer structure 1 , where the first edge 34 of the spacer 40 in the direction parallel to the layers of the layer structure 1 the predetermined first distance 32 to the electrically conductive layers 10 . 14 the layer structure 1 pretends.

5 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend dem mit Bezug zu den 2 bis 4 erläuterten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu zusätzlich eine Wärmesenke 50 auf der Rückseite des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet ist. Die Wärmesenke 50 weist beispielsweise eine Schicht auf, die beispielsweise Graphit und/oder Aluminium aufweisen kann. Die Wärmesenke 50 dient dazu, während des Betriebs des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv von der Schichtstruktur 1 abzuführen. Die Wärmesenke 50 kann alternativ oder zusätzlich auch dazu dienen, die Wärme zu verteilen, beispielsweise möglichst gleichmäßig zu verteilen. Die Schichtstruktur 1 wird somit durch die Aufnahmeausnehmung 42 des Abstandshalters 40 thermisch gekoppelt. 5 shows an embodiment of the semiconductor light-emitting device, which is largely with respect to the 2 to 4 explained embodiment of the light-emitting semiconductor device corresponds, in contrast to a heat sink in addition 50 is arranged on the back of the light-emitting semiconductor device. The heat sink 50 has, for example, a layer which, for example, may comprise graphite and / or aluminum. The heat sink 50 serves to heat generated during operation of the semiconductor light-emitting device quickly and effectively from the layer structure 1 dissipate. The heat sink 50 may alternatively or additionally also serve to distribute the heat, for example, to distribute as evenly as possible. The layer structure 1 thus becomes through the receiving recess 42 of the spacer 40 thermally coupled.

6 zeigt eine Schnittdarstellung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements gemäß 5, aus der hervorgeht, dass die Wärmesenke 50 in die Aufnahmeausnehmung 42 hinein und zumindest teilweise durch die Aufnahmeausnehmung 42 des Abstandshalters 40 hindurch ragt. Der innere Rand des Abstandshalters 40, der die Aufnahmeausnehmung 42 begrenzt, kann so ausgebildet sein, dass auch durch ihn der vorgegebene erste Abstand 32 zu der elektrisch leitenden Schicht 10, 14 vorgegeben ist. Dies kann dazu beitragen, zu verhindern, dass die Wärmesenke 50 zu nah an die elektrisch leitende Schicht 10, 14 und/oder die Kontaktleiste 30 kommt. Eine Dicke in der Wärmesenke 50 kann beispielsweise einer Dicke des Abstandshalters 40 entsprechen. 6 shows a sectional view of the light-emitting semiconductor device according to 5 , which shows that the heat sink 50 in the receiving recess 42 into and at least partially through the receiving recess 42 of the spacer 40 protrudes through. The inner edge of the spacer 40 , the receiving recess 42 limited, may be formed so that through him the predetermined first distance 32 to the electrically conductive layer 10 . 14 is predetermined. This can help to prevent the heat sink 50 too close to the electrically conductive layer 10 . 14 and / or the contact strip 30 comes. A thickness in the heat sink 50 For example, a thickness of the spacer 40 correspond.

7 zeigt eine weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Bauelements, das weitgehend dem in den 2 bis 4 erläuterten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu auf der Rückseite des Licht emittierenden Bauelements keine Aufnahmeausnehmung 42 ausgebildet ist und somit der Abstandshalter 40 flächig geschlossen ausgebildet ist. 7 shows a further embodiment of the light-emitting device, which largely in the 2 to 4 explained embodiment of the light-emitting device corresponds, in contrast, on the back of the light-emitting device no receiving recess 42 is formed and thus the spacer 40 formed flat closed.

8 zeigt einen Schnitt durch das Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Bauelements gemäß 7, aus dem ebenfalls hervorgeht, dass der Abstandshalter 40 flächig ausgebildet ist. Der Abstandshalter 40 kann als Schutz der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1 vor mechanischen Einwirkungen und/oder zur Befestigung des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements dienen. 8th shows a section through the embodiment of the light emitting device according to 7 , which also states that the spacer 40 is formed flat. The spacer 40 can be used as protection of the second page 28 the layer structure 1 serve against mechanical effects and / or for attachment of the light-emitting semiconductor device.

9 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend den vorstehend erläuterten Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu keine Koppelausnehmungen 44 ausgebildet sind. Beispielsweise erfolgt bei diesem Ausführungsbeispiel die elektrische Ankopplung der Kontaktleisten 30 nicht über den Abstandshalter 40 sondern beispielsweise direkt, beispielsweise mittels einer Bondverbindung. Ferner erfolgt die mechanische Kopplung des Abstandshalters 40 an der Schichtstruktur 1 ausschließlich über die zweite Seite 28 der Schichtstruktur 1. 9 shows an embodiment of the light-emitting semiconductor device, which largely corresponds to the above-described embodiments of the light-emitting device, in contrast to no coupling recesses 44 are formed. For example, in this embodiment, the electrical coupling of the contact strips 30 not over the spacer 40 but for example directly, for example by means of a bond. Furthermore, the mechanical coupling of the spacer takes place 40 at the layer structure 1 exclusively on the second page 28 the layer structure 1 ,

10 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend den vorstehend erläuterten Ausführungsbeispielen entspricht, wobei im Unterschied dazu der Abstandshalter 40 derart dick ausgebildet ist, dass durch ihn in Richtung senkrecht zu den Schichten der Schichtstruktur 1 ein vorgegebener zweiter Abstand 36 eingehalten wird. Insbesondere weist der Abstandshalter 40 eine von der Schichtstruktur 1 abgewandte Seite auf, die auch als zweiter Rand 38 bezeichnet werden kann. Der vorgegebene zweite Abstand 36 kann dem vorgegebenen ersten Abstand 32 entsprechen oder von diesem unterschiedlich sein. 10 shows a further embodiment of the semiconductor light-emitting device, which largely corresponds to the embodiments described above, in contrast to the spacer 40 is formed so thick that through it in the direction perpendicular to the layers of the layer structure 1 a predetermined second distance 36 is complied with. In particular, the spacer has 40 one of the layered structure 1 on the opposite side, which also serves as the second edge 38 can be designated. The predetermined second distance 36 can be the given first distance 32 correspond or be different from this.

Bei dem in 10 gezeigten Ausführungsbeispiel erstreckt sich der vorgegebene zweite Abstand 36 von dem zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 bis hin zu der zweiten Seite 28 der Schichtstruktur 1. Dabei wird beispielsweise davon ausgegangen, dass zumindest eine der elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1 an oder zumindest nahe der zweiten Seite 28 angeordnet ist. Falls jedoch beispielsweise die Schichten an der zweiten Seite 28 an der Schichtstruktur 1 nicht elektrisch leitend sind, so kann der vorgegebene zweite Abstand 36 sich von dem zweiten Rand 38 bis hin zur nächstliegenden elektrisch leitenden Schicht 10, 14 erstrecken. Somit kann durch den zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 der vorgegebene zweite Abstand 36 nicht nur bis hin zu der zweiten Seite 28 Schichtstruktur 1 vorgegeben sein, sondern im Speziellen zu den elektrisch leitenden Schichten 10, 14 der Schichtstruktur 1.At the in 10 the embodiment shown, the predetermined second distance extends 36 from the second edge 38 of the spacer 40 to the second page 28 the layer structure 1 , It is assumed, for example, that at least one of the electrically conductive layers 10 . 14 the layer structure 1 at or at least near the second page 28 is arranged. However, if, for example, the layers on the second side 28 at the layer structure 1 are not electrically conductive, so can the predetermined second distance 36 from the second edge 38 to the nearest electrically conductive layer 10 . 14 extend. Thus, by the second edge 38 of the spacer 40 the predetermined second distance 36 not just to the second page 28 layer structure 1 be given, but in particular to the electrically conductive layers 10 . 14 the layer structure 1 ,

11 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend den mit Bezug zu den vorstehenden Figuren erläuterten Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu der Abstandshalter 40 nicht auf der zweiten Seite 28 sondern auf der ersten Seite 22 des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements angeordnet ist. Falls das Halbleiter-Bauelement die elektromagnetische Strahlung auf der ersten Seite 22 emittiert, so ist der Abstandshalter 40 vorzugsweise transluzent ausgebildet. Zusätzlich kann der Abstandshalter 40 als optisch funktionelle Schicht dienen und das erzeugte Licht optisch beeinflussen. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 als Streuschicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 als Konversionsschicht zum Konvertieren der Wellenlängen der erzeugten elektromagnetischen Strahlung dienen. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 transparent ausgebildet sein. Der Abstandshalter 40 kann als Schutz der ersten Seite 22 der Schichtstruktur 1 vor mechanischen Einwirkungen dienen. 11 shows a further embodiment of the semiconductor light-emitting device, which largely corresponds to the explained with reference to the preceding figures embodiments of the light-emitting semiconductor device, in contrast to the spacer 40 not on the second page 28 but on the first page 22 the semiconductor light-emitting device is arranged. If the semiconductor device the electromagnetic radiation on the first page 22 emitted, so is the spacer 40 preferably formed translucent. In addition, the spacer can 40 serve as an optically functional layer and optically influence the generated light. For example, the spacer 40 serve as a litter layer. Alternatively or additionally, the spacer can 40 serve as a conversion layer for converting the wavelengths of the generated electromagnetic radiation. Alternatively, the spacer can 40 be transparent. The spacer 40 can as protection of the first page 22 the layer structure 1 serve against mechanical effects.

12 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend dem in 11 gezeigten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entspricht, wobei im Unterschied dazu, der Abstandshalter 40 derart dick ausgebildet ist, dass er mit seinem zweiten Rand 38 den vorgegebenen zweiten Abstand 36 vorgibt. Der Abstandshalter 40 kann somit entsprechend dem in 10 gezeigten Ausführungsbeispiel des Abstandshalters 40 ausgebildet sein und an der ersten Seite 22 der Schichtstruktur 1 angeordnet sein. 12 shows a further embodiment of the semiconductor light-emitting device, which largely corresponds to the in 11 shown embodiment of the light-emitting semiconductor device, in contrast, the spacer 40 is formed so thick that it with its second edge 38 the predetermined second distance 36 pretends. The spacer 40 can thus according to the in 10 shown embodiment of the spacer 40 be educated and on the first page 22 the layer structure 1 be arranged.

13 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem die Schichtstruktur 1 mit den Kontaktleisten 30 im Wesentlichen der bzw. den vorstehend erläuterten Schichtstrukturen 1 mit den entsprechenden Kontaktleisten 30 entspricht. Im Unterschied zu den vorstehend erläuterten Ausführungsbeispielen des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements ist jedoch der Abstandshalter 40 seitlich der Schichtstruktur 1 angeordnet. Beispielsweise erstreckt sich der Abstandshalter 40 bei diesem Ausführungsbeispiel rahmenförmig um den äußeren Rand der Schichtstruktur 1. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 lediglich an einzelnen Teilbereichen seitlich der Schichtstruktur 1 ausgebildet sein. Falls die Schichtstruktur 1 beispielsweise achteckig ausgebildet ist, so kann der Abstandshalter 40 beispielsweise an jeder der acht Seiten der Schichtstruktur 1 und/oder an den acht Ecken der Schichtstruktur 1 angeordnet sein. 13 shows a further embodiment of the light-emitting semiconductor device, wherein the layer structure 1 with the contact strips 30 essentially the one or more layer structures explained above 1 with the corresponding contact strips 30 equivalent. In contrast to the above-described embodiments of the semiconductor light emitting device, however, the spacer is 40 side of the layer structure 1 arranged. For example, the spacer extends 40 in this embodiment frame-shaped around the outer edge of the layer structure 1 , Alternatively, the spacer can 40 only at individual sub-areas laterally of the layer structure 1 be educated. If the layer structure 1 for example, is octagonal, so the spacer 40 for example, on each of the eight sides of the layer structure 1 and / or at the eight corners of the layered structure 1 be arranged.

Der Abstandshalter 40 kann beispielsweise als Schutz des äußeren Rands der Schichtstruktur 1 vor mechanischen Einwirkungen dienen. Der Abstandshalter 40 kann beispielsweise an der Schichtstruktur 1 festgeklebt sein. Alternativ oder zusätzlich können der Abstandshalter 40 und/oder die Schichtstruktur 1 Mittel aufweisen, über der Abstandshalter 40 mit der Schichtstruktur 1 gekoppelt werden kann, beispielsweise mechanisch mit Hilfe eines Rastmittels am Abstandshalter 40 und einer Gegenrast an der Schichtstruktur 1.The spacer 40 For example, as protection of the outer edge of the layer structure 1 serve against mechanical effects. The spacer 40 can, for example, on the layer structure 1 be stuck. Alternatively or additionally, the spacer can 40 and / or the layer structure 1 Have means over the spacer 40 with the layer structure 1 can be coupled, for example, mechanically with the aid of a locking means on the spacer 40 and a counter-detent on the layer structure 1 ,

Ferner kann das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mit dem Abstandshalter 40 beispielsweise besonders dünn ausgebildet werden.Further, the semiconductor light-emitting device may be connected to the spacer 40 For example, be made very thin.

14 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, das weitgehend dem mit Bezug zu 13 erläuterten Ausführungsbeispiel entspricht, wobei im Unterschied dazu sich der Abstandshalter 40 senkrecht zu den Schichten der Schichtstruktur 1 derart weit erstreckt, dass auf der ersten und der zweiten Seite 22, 28 der vorgegebene zweite Abstand 36 von dem zweiten Rand 38 des Abstandshalters 40 zu der entsprechenden Seite 22, 28 der Schichtstruktur 1 gebildet ist. Alternativ dazu kann der Abstandshalter 40 auch so ausgebildet sein, dass der vorgegebene zweite Abstand 36 in Richtung senkrecht zu den Schichten lediglich zu einer der beiden Seiten 22, 28 vorgegeben ist. 14 shows a further embodiment of the semiconductor light-emitting device, which largely to the reference to 13 illustrated embodiment, in contrast to the spacer 40 perpendicular to the layers of the layer structure 1 extends so far that on the first and the second side 22 . 28 the predetermined second distance 36 from the second edge 38 of the spacer 40 to the corresponding page 22 . 28 the layer structure 1 is formed. Alternatively, the spacer can 40 be designed so that the predetermined second distance 36 in the direction perpendicular to the layers only to one of the two sides 22 . 28 is predetermined.

15 zeigt eine Vorderansicht des Abstandshalters 40 gemäß 2 und eine Ansicht der Rückseite der Schichtstruktur 1 gemäß 3. In anderen Worten ist das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement in 15 aufgeklappt dargestellt. Im Unterschied zu dem in 2 und 3 gezeigten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements sind bei diesem Ausführungsbeispiel lediglich zwei Kontaktleisten 30 vorgesehen. Alternativ dazu können jedoch die vier Kontaktleisten 30 vorgesehen sein. Korrespondierend zu den Kontaktleisten 30 der Schichtstruktur 1 weist der Abstandshalter 40 Leiterbahnen 52 auf. Der Abstandshalter 40 ist beispielsweise eine Leiterplatte und/oder kann in diesem Zusammenhang auch als Leiterplatte bezeichnet werden. Die Leiterbahnen 52 dienen zum Kontaktieren der Kontaktleisten 30. Die Leiterbahnen 52 können auch auf einer in 3 gezeigten Rückseite des Abstandshalters 40 ausgebildet sein und die Kontaktleisten durch die in 4 gezeigten Koppelausnehmungen 44 kontaktieren. Das Ausbilden des Abstandshalters 40 als Leiterplatte und/oder die Leiterbahnen 52 können dazu beitragen, dass das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement einfach und/oder kostengünstig kontaktierbar ist. 15 shows a front view of the spacer 40 according to 2 and a view of the back of the layer structure 1 according to 3 , In other words, the semiconductor light-emitting device is in 15 opened unfolded. Unlike the in 2 and 3 shown embodiment of the light-emitting semiconductor device are in this embodiment, only two contact strips 30 intended. Alternatively, however, the four contact strips 30 be provided. Corresponding to the contact strips 30 the layer structure 1 points the spacer 40 conductor tracks 52 on. The spacer 40 For example, a printed circuit board and / or may be referred to in this context as a printed circuit board. The tracks 52 serve to contact the contact strips 30 , The tracks 52 can also be on a in 3 shown back of the spacer 40 be formed and the contact strips by the in 4 shown coupling recesses 44 to contact. The forming of the spacer 40 as a printed circuit board and / or the conductor tracks 52 can contribute to the light-emitting semiconductor device is easy and / or inexpensive contactable.

Der Abstandshalter 40 und die Schichtstruktur 1 weisen jeweils einander zugeordnete Orientierungsmarken 54 auf. Falls die in 15 gezeigte Schichtstruktur 1 auf die in 15 gezeigten Abstandshalter 40 geklappt wird, so liegen in Draufsicht die beiden Orientierungsmarken 54 übereinander. Durch die Orientierungsmarken 54 ist eine relative Orientierung der Schichtstruktur 1 zu dem Abstandshalter 40 vorgegeben. Mit Hilfe der Orientierungsmarken 54 kann beispielsweise sichergestellt sein, dass die Zuordnung der Leiterbahnen 52 zu den Kontaktleisten 30 eindeutig und/oder richtig ist. Die Orientierungsmarken 54 können einfach dazu beitragen, dass bei einem Herstellungsprozess des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements die relative Ausrichtung bzw. Orientierung der Schichtstruktur 1 zu dem Abstandshalter 40 bestimmungsgemäß erfolgt.The spacer 40 and the layer structure 1 each have associated orientation marks 54 on. If the in 15 shown layer structure 1 on the in 15 shown spacers 40 is flipped so are in plan view, the two orientation marks 54 one above the other. By the orientation marks 54 is a relative orientation of the layer structure 1 to the spacer 40 specified. With the help of the orientation marks 54 For example, it can be ensured that the assignment of the conductor tracks 52 to the contact strips 30 is unique and / or correct. The orientation marks 54 may simply contribute to the relative orientation of the layer structure in a manufacturing process of the semiconductor light-emitting device 1 to the spacer 40 as agreed.

16 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements, bei dem der Abstandshalter 40 und die Schichtstruktur 1 viereckig ausgebildet sind. Ansonsten kann das in 16 gezeigte Ausführungsbeispiel beispielsweise dem in 7 gezeigten Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements entsprechen. 16 shows an embodiment of the semiconductor light-emitting device in which the spacer 40 and the layer structure 1 are formed square. Otherwise, that can be done in 16 shown embodiment, for example, in 7 Shown embodiment of the light-emitting semiconductor device correspond.

Bei allen vorstehend gezeigten Ausführungsbeispielen kann der Abstandshalter 40 zusätzlich zu dem vorgegeben der Abstände 32, 36 beispielsweise dazu verwendet werden, die Schichtstruktur 1 zu befestigen und/oder aufzunehmen, dem Licht emittierenden Halbleiter-Bauelement mechanische Stabilität zu geben und/oder die Seite (erste, zweite, äußere) der Schichtstruktur 1 zu schützen, an der der Abstandshalter 40 angeordnet ist. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 mit einem vorgegebenen Design ausgebildet werden, so dass das Design des Abstandshalters 40 zum Erscheinungsbild des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements beiträgt. Falls der Abstandshalter 40 auf der Seite 22, 28 der Schichtstruktur 1 angeordnet ist, auf der die elektromagnetische Strahlung ausgekoppelt wird, so kann der Abstandshalter 40 beispielsweise auch als Auskoppelschicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann der Abstandshalter 40 dann derart ausgebildet sein, dass die elektromagnetische Strahlung durch den Abstandshalter 40 strukturiert und/oder gerichtet wird.In all embodiments shown above, the spacer can 40 in addition to the given distances 32 . 36 For example, be used to the layer structure 1 to attach and / or receive, to give mechanical stability to the light-emitting semiconductor device and / or the side (first, second, outer) of the layer structure 1 to protect, at which the spacer 40 is arranged. Alternatively or additionally, the spacer can 40 be formed with a given design, so that the design of the spacer 40 contributes to the appearance of the light-emitting semiconductor device. If the spacer 40 on the website 22 . 28 the layer structure 1 is arranged, on which the electromagnetic radiation is coupled, so the spacer 40 for example, serve as a decoupling layer. Alternatively or additionally, the spacer can 40 then be designed such that the electromagnetic radiation through the spacer 40 structured and / or directed.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen nur an Teilabschnitten des äußeren Rands der Schichtstruktur 1 ausgebildet sein und so nur an diesen Bereichen den entsprechenden Abstand 32, 36 vorgeben. Beispielsweise können derartig segmentierte Abstandshalter 40 an Seitenkanten oder Ecken der Schichtstruktur 1 angeordnet sein. Ferner können die gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Beispielsweise kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen auf der ersten und/oder der zweiten Seite 22, 28 angeordnet sein. Ferner kann der Abstandshalter 40 bei allen Ausführungsbeispielen alternativ oder zusätzlich, wie in 13 gezeigt, als Rahmen um die Schichtstruktur 1 ausgebildet sein. Ferner können bei allen gezeigten Ausführungsbeispielen die Koppelausnehmungen 44 in dem Abstandshalter 40 ausgebildet sein oder nicht. Ferner kann bei allen Ausführungsbeispielen die elektrische Ankopplung der Kontaktleisten 30 über den Abstandshalter 40 oder unabhängig von dem Abstandshalter 40 erfolgen. Ferner kann die Form des Licht emittierenden Halbleiter-Bauelements bei allen gezeigten Ausführungsbeispielen von der achteckigen bzw. viereckigen Form abweichen. Beispielsweise kann die Form in Draufsicht kreisförmig beispielsweise rund oder oval, oder polygonförmig beispielsweise dreieckig, fünfeckig oder sechseckig ausgebildet sein.The invention is not limited to the specified embodiments. For example, the spacer 40 in all embodiments, only at partial sections of the outer edge of the layer structure 1 be formed and so only at these areas the appropriate distance 32 . 36 pretend. For example, such segmented spacers 40 on side edges or corners of the layer structure 1 be arranged. Furthermore, the embodiments shown can be combined with each other. For example, the spacer 40 in all embodiments on the first and / or the second page 22 . 28 be arranged. Furthermore, the spacer can 40 in all embodiments alternatively or additionally, as in 13 shown as a frame around the layer structure 1 be educated. Furthermore, in all embodiments shown the coupling recesses 44 in the spacer 40 be educated or not. Furthermore, in all embodiments, the electrical coupling of the contact strips 30 over the spacer 40 or regardless of the spacer 40 respectively. Further, the shape of the semiconductor light-emitting device may differ from the octagonal shape in all the embodiments shown. For example, the shape in plan view may be circular, for example round or oval, or polygonal, for example, triangular, pentagonal or hexagonal.

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Claims (16)

Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement mit einer Schichtstruktur (1), die mindestens eine optisch funktionelle Schicht (12) zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und mindestens eine elektrisch leitende Schicht (10, 14) aufweist, und mit mindestens einem Abstandshalter (40) zum Vorgeben eines Abstands (32, 36) zu der elektrisch leitenden Schicht (10, 14), wobei der Abstandshalter (40) mit der Schichtstruktur (1) gekoppelt ist und wobei ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter Rand (34, 38) des Abstandshalters (40) mindestens den vorgegebenen Abstand (32, 36) zu der elektrisch leitenden Schicht (10, 14) hat.Light-emitting semiconductor component with a layer structure ( 1 ) containing at least one optically functional layer ( 12 ) for generating electromagnetic radiation and at least one electrically conductive layer ( 10 . 14 ), and at least one spacer ( 40 ) for setting a distance ( 32 . 36 ) to the electrically conductive layer ( 10 . 14 ), wherein the spacer ( 40 ) with the layer structure ( 1 ) and wherein one of the layer structure ( 1 ) facing away from the edge ( 34 . 38 ) of the spacer ( 40 ) at least the predetermined distance ( 32 . 36 ) to the electrically conductive layer ( 10 . 14 ) Has. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, bei dem sich der Abstandshalter (40) in Richtung parallel zu den Schichten (10, 12, 14) und in Richtung weg von der Schichtstruktur (1) erstreckt und bei dem ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter erster Rand (34) des Abstandshalters (40) in Richtung parallel zu den Schichten einen vorgegebenen ersten Abstand (32) zu der elektrisch leitenden Schicht (10, 14) hat.A semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the spacer ( 40 ) in the direction parallel to the layers ( 10 . 12 . 14 ) and in the direction away from the layer structure ( 1 ) and in which one of the layer structure ( 1 ) facing away from the first edge ( 34 ) of the spacer ( 40 ) in the direction parallel to the layers a predetermined first distance ( 32 ) to the electrically conductive layer ( 10 . 14 ) Has. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem sich der Abstandshalter (40) in Richtung senkrecht zu den Schichten (10, 12, 14) und in Richtung weg von der Schichtstruktur (1) erstreckt und bei dem ein von der Schichtstruktur (1) abgewandter zweiter Rand (38) des Abstandshalters (40) in Richtung senkrecht zu den Schichten (10, 12, 14) einen vorgegebenen zweiten Abstand (36) zu der elektrisch leitenden Schicht (10, 14) hat.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the spacer ( 40 ) in the direction perpendicular to the layers ( 10 . 12 . 14 ) and in the direction away from the layer structure ( 1 ) and in which one of the layer structure ( 1 ) remote second edge ( 38 ) of the spacer ( 40 ) in the direction perpendicular to the layers ( 10 . 12 . 14 ) a predetermined second distance ( 36 ) to the electrically conductive layer ( 10 . 14 ) Has. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die elektrisch leitende Schicht (10, 14) eine Elektrodenschicht zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die optisch funktionelle Schicht (12) ist. Light emitting semiconductor device ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the electrically conductive layer ( 10 . 14 ) an electrode layer for applying an electrical voltage to the optically functional layer ( 12 ). Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der vorgegebene Abstand (32, 36) ein gesetzlich vorgegebener Sicherheitsabstand ist.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the predetermined distance ( 32 . 36 ) is a legally prescribed safety distance. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, das eine erste Seite (22) und eine von der ersten Seite (22) abgewandte zweite Seite (28) aufweist, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite (22) verlässt und wobei der Abstandshalter (40) mindestens auf der zweiten Seite (28) angeordnet ist.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, comprising a first side ( 22 ) and one from the first page ( 22 ) facing away from the second page ( 28 ), wherein the electromagnetic radiation, the semiconductor light-emitting device at least on the first side ( 22 ) and wherein the spacer ( 40 ) at least on the second side ( 28 ) is arranged. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, das eine erste Seite (22) und eine von der ersten Seite (22) abgewandte zweite Seite (28) aufweist, wobei die elektromagnetische Strahlung das Licht emittierende Halbleiter-Bauelement mindestens auf der ersten Seite (22) verlässt und wobei der Abstandshalter (40) mindestens auf der ersten Seite (22) angeordnet ist.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, comprising a first side ( 22 ) and one from the first page ( 22 ) facing away from the second page ( 28 ), wherein the electromagnetic radiation, the semiconductor light-emitting device at least on the first side ( 22 ) and wherein the spacer ( 40 ) at least on the first page ( 22 ) is arranged. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) eine Aufnahmeausnehmung (42) aufweist und bei dem die Schichten (10, 12, 14) und/oder weitere Schichten (2, 4, 6, 8, 24, 26) der Schichtstruktur (1) und/oder eine mit der Schichtstruktur (1) gekoppelte Wärmesenke (50) in der Aufnahmeausnehmung (42) angeordnet sind.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the spacer ( 40 ) a receiving recess ( 42 ) and in which the layers ( 10 . 12 . 14 ) and / or further layers ( 2 . 4 . 6 . 8th . 24 . 26 ) of the layer structure ( 1 ) and / or one with the layer structure ( 1 ) coupled heat sink ( 50 ) in the receiving recess ( 42 ) are arranged. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) zum Koppeln mit der Schichtstruktur (1) mindestens eine Koppelausnehmung (44) aufweist.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the spacer ( 40 ) for coupling with the layer structure ( 1 ) at least one coupling recess ( 44 ) having. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Schichtstruktur (1) mindestens eine Kontaktleiste (30) aufweist, mit der der Abstandshalter (40) gekoppelt ist. Semiconductor light-emitting component according to one of the preceding claims, in which the layer structure ( 1 ) at least one contact strip ( 30 ), with which the spacer ( 40 ) is coupled. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) eine Leiterplatte aufweist.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the spacer ( 40 ) has a printed circuit board. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach den Ansprüchen 10 und 11, bei dem die Leiterplatte mindestens eine Leiterbahn (52) aufweist, die mit der Kontaktleiste (30) gekoppelt ist.Light-emitting semiconductor component according to Claims 10 and 11, in which the printed circuit board has at least one printed conductor ( 52 ), which with the contact strip ( 30 ) is coupled. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 12, bei dem die Schichtstruktur (1) und der Abstandshalter (40) je eine Orientierungsmarke (54) aufweisen, die einander zugeordnet sind und durch die der Abstandshalter (40) so zu der Schichtstruktur (1) ausgerichtet ist, dass die Leiterplatte bestimmungsgemäß zu der Kontaktleiste (30) ausgerichtet ist.A semiconductor light emitting device according to claim 12, wherein the layer structure ( 1 ) and the spacer ( 40 ) one orientation mark each ( 54 ), which are associated with each other and through which the spacer ( 40 ) so to the layer structure ( 1 ) is aligned that the circuit board intended to the contact strip ( 30 ) is aligned. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Abstandshalter (40) eine optische Schicht aufweist.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the spacer ( 40 ) has an optical layer. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 14, bei dem die optische Schicht eine Streuschicht und/oder eine Konversionsschicht ist.A semiconductor light emitting device according to claim 14, wherein the optical layer is a scattering layer and / or a conversion layer. Licht emittierendes Halbleiter-Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, das eine mit der Schichtstruktur (1) gekoppelte Wärmesenke (50) aufweist und bei dem der Abstandshalter (40) so ausgebildet ist, dass durch ihn mindestens der vorgegebene erste Abstand (32) zwischen der elektrisch leitenden Schicht (10, 14) und der Wärmesenke (50) vorgegeben ist.A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, which is one having the layered structure ( 1 ) coupled heat sink ( 50 ) and in which the spacer ( 40 ) is designed so that at least the predetermined first distance ( 32 ) between the electrical conductive layer ( 10 . 14 ) and the heat sink ( 50 ) is given.
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