WO2013140853A1 - 高周波電源装置 - Google Patents

高周波電源装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013140853A1
WO2013140853A1 PCT/JP2013/051742 JP2013051742W WO2013140853A1 WO 2013140853 A1 WO2013140853 A1 WO 2013140853A1 JP 2013051742 W JP2013051742 W JP 2013051742W WO 2013140853 A1 WO2013140853 A1 WO 2013140853A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
power
value
reflected wave
frequency
control
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/051742
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
規一 加藤
藤本 直也
Original Assignee
株式会社日立国際電気
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立国際電気 filed Critical 株式会社日立国際電気
Publication of WO2013140853A1 publication Critical patent/WO2013140853A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21BFUSION REACTORS
    • G21B3/00Low temperature nuclear fusion reactors, e.g. alleged cold fusion reactors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • H03H7/40Automatic matching of load impedance to source impedance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00Auxiliary systems
    • H05H2242/20Power circuits
    • H05H2242/26Matching networks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10Nuclear fusion reactors

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency power supply device that supplies high-frequency (RF) power to a load, and more particularly to a high-frequency power supply device that supplies constant effective power to a load.
  • RF high-frequency
  • the output adjustment means of the high frequency power supply detects the reflected wave power from the reaction vessel side with the generation of plasma, and the reflected wave power is converted into the power supplied from the high frequency power supply to the external electrode A plasma reactor that compensates for the reduction in effective load power due to reflected wave power is provided.
  • Patent Document 1 supplements the reduction in effective power due to reflected wave power by adding power equivalent to reflected wave power to the power supplied from the high-frequency power source to the external electrode. However, simply performing such complementation may result in excessive output when the reflected wave power is large.
  • This invention is made
  • the reflected wave is reduced by controlling the frequency, and then the power corresponding to the power of the reflected wave is added to the traveling wave. It is characterized by controlling the output power.
  • the high frequency power supply device of the present invention is configured such that, after the reflected wave is reduced to a predetermined level, when the reflected wave is not reduced by the control of the frequency, the power corresponding to the power of the reflected wave is a traveling wave. The output power is controlled so as to be added to.
  • the high-frequency power supply device of the present invention is a high-frequency power supply device that outputs power to a load.
  • the power corresponding to the reflected wave power is added to the traveling wave. It is characterized by controlling the output power so that.
  • the high frequency power supply device of the present invention provides power corresponding to the power of the reflected wave when the reflected wave is not reduced by the control of the impedance matching unit after the reflected wave is reduced to a predetermined level. The output power is controlled so as to be added to the traveling wave.
  • the high frequency power supply device of the present invention compensates the traveling wave power with the power corresponding to the reflected wave power while adjusting the frequency, the output can be prevented from becoming excessive.
  • the high frequency power supply device performs impedance matching with the load by controlling the number of periods by frequency matching processing, and adds power corresponding to reflected wave power to traveling wave power by constant control of effective power. A constant power is supplied to the load.
  • the high frequency power supply apparatus 100 includes a control unit 110, a high frequency power output unit 120, a directional coupler 130, a reflected wave detection unit 140, and a traveling wave detection unit 150.
  • the high frequency power supply apparatus 100 is connected to a load (for example, a semiconductor manufacturing apparatus that performs plasma processing) 200 by a coaxial cable 300.
  • the control unit 110 is realized by software by a CPU (Central Processing Unit) of the high frequency power supply device 100. Alternatively, it can be configured as a dedicated circuit by DSP (Digital Signal Processing) or the like.
  • the control unit 110 performs frequency matching processing for matching with the load 200 by controlling the frequency of the output power, and adds power corresponding to reflected wave power to traveling wave power to supply power to the load 200. A constant effective power control process is performed to control the value to the target value. Details of the processing performed by the control unit 110 will be described later.
  • the high frequency power output unit 120 outputs the high frequency power whose frequency and power are controlled by the control unit 110 to the load 200 via the directional coupler 130 and the coaxial cable 300.
  • the directional coupler 130 outputs the traveling wave output from the high frequency power output unit 120 and a part of the reflected wave reflected from the load 200 to the traveling wave detection unit 150 and the reflected wave detection unit 140. Based on the output of the directional coupler 130, the reflected wave detection unit 140 outputs a value indicating the power of the reflected wave (hereinafter referred to as a REF value) to the control unit 110.
  • the traveling wave detection unit 150 outputs a value indicating the traveling wave power (hereinafter referred to as an FWD value) to the control unit 110 based on the output of the directional coupler 130.
  • the traveling wave power (W), the effective power (W), the reflected wave power in the high frequency power control process from when the high frequency power supply device 100 is activated until the amount corresponding to the reflected wave power corresponding to the loss is compensated. W) and changes in frequency (Hz) will be described with reference to FIG.
  • W traveling wave power
  • t1 traveling wave power
  • traveling wave power (output of the high frequency power output unit 120) rises.
  • the power obtained by subtracting the reflected wave power from the traveling wave power is effective power (here, there is no other loss).
  • the control unit 110 increases the output of the high-frequency power output unit 120 toward the target output along the reflected wave power.
  • the control unit 110 starts control (hereinafter, referred to as coarse adjustment control or SWEEP mode) that greatly changes the frequency from the time t1 when the output of high-frequency power is started.
  • coarse adjustment control the matching frequency is searched for by decreasing the frequency from the initial value.
  • the control unit 110 obtains a voltage standing wave ratio (hereinafter referred to as a VSWR value) which is a ratio between the FWD value and the REF value, and when the VSWR value becomes equal to or less than a predetermined VSWR threshold value as a result of the coarse adjustment control (reflection).
  • a VSWR value a voltage standing wave ratio
  • a predetermined VSWR threshold value a predetermined VSWR threshold value
  • the control unit 110 obtains a REF value ratio difference, which is a difference between the previous and current REF value ratios, with respect to the REF value ratio calculated from the REF value and the FWD value, and is below a predetermined REF value ratio difference threshold value.
  • a predetermined time predetermined number of times
  • effective power constant control is performed to match the execution power with the target output (target power to be supplied to the load 200).
  • frequency control fine adjustment control
  • power control effective power constant control
  • Step S101 First, when the high frequency power supply apparatus 100 is turned on, the control unit 110 sets the SWEEP mode as the mode, “0” as the previous REF value ratio, and “0” as the detection counter.
  • the control unit 110 proceeds to step S103.
  • the initial value of the RF flag is “0”, and is set to “1” when an instruction is given from the outside.
  • the instruction from the outside is, for example, a case where a driving start button (not shown) is turned on or a driving instruction is input from the load 200 side.
  • Step S103 the control unit 110 determines whether the high frequency power control process has reached a sampling period that is a period for adjusting the frequency and power.
  • a sampling period that is a period for adjusting the frequency and power.
  • Step S ⁇ b> 1034 the control unit 110 inputs an FWD value from the traveling wave detection unit 150.
  • Step S105 the control unit 110 inputs the REF value from the reflected wave detection unit 140.
  • Step S106 the control unit 110 calculates a VSWR value from the FWD value and the REF value.
  • Step S107 the control unit 110 determines whether or not the current mode is the SWEEP mode.
  • the process proceeds to step S108.
  • the process proceeds to step S111.
  • Step S108 determines whether the transition to the ADJUST mode is made by determining whether the VSWR value calculated in Step S106 is smaller than a preset VSWR threshold.
  • the VSWR value is smaller than the VSWR threshold value, that is, when the reflection ratio is smaller than the predetermined value (Yes in step S108)
  • the process proceeds to step S109.
  • the VSWR value is not smaller than the VSWR threshold value (No in step S108)
  • the process proceeds to step S110.
  • the determination in step S108 may use another index instead of the VSWR value as long as it is known that the reflected wave has decreased to a predetermined level, such as a REF value.
  • Step S109 When it is Yes in step S108, the control unit 110 transitions to the ADJUST mode by setting the ADJUST mode to the mode, and returns to step S102.
  • Step S110 When step S108 is No, that is, when the reflection ratio is not smaller than the predetermined value, the control unit 110 performs coarse frequency control on the power output from the high-frequency power output unit 120. And return to step S102.
  • Step S112 the control unit 110 calculates the REF value ratio (%) from (Equation 1) from the FWD value input in step S104 and the REF value input in step S105, and sets it to the current REF value ratio.
  • the REF value ratio is the ratio of the reflected wave to the traveling wave.
  • REF value / FWD value REF value ratio (%) (Equation 1)
  • Step S113 the control unit 110 determines whether or not there is a previous value of the REF value ratio, so that it is impossible to calculate a REF value ratio difference that is a difference between the previous REF value ratio and the current REF value ratio. Determine.
  • the process returns to step S102.
  • the process proceeds to step S114.
  • Step S115 the control unit 110 determines whether the REF value ratio difference value calculated in Step S114 is smaller than a preset REF value ratio difference threshold.
  • the REF value ratio difference value is smaller than the REF value ratio difference threshold, that is, when the amount of change in the ratio of the reflected wave to the traveling wave is smaller than the predetermined value (Yes in step S115)
  • the process proceeds to step S116.
  • the REF value ratio difference value is not smaller than the REF value ratio difference threshold value (No in step S115)
  • the process proceeds to step S121.
  • Step S116 ⁇ ⁇ ⁇ Next, when it is Yes in step S115, the control unit 110 adds “1” to the detection counter.
  • Step S117 the control unit 110 determines whether the detection counter has reached a predetermined number of times, so that the REF value ratio difference value is continuously smaller than the REF value ratio difference threshold by a predetermined number of times. That is, it is determined whether the fluctuation of VSWR due to frequency control has converged and improvement of VSWR due to frequency control is not expected (frequency matching is saturated).
  • the detection counter reaches the specified number of times (Yes in step S117)
  • the process proceeds to step S118.
  • the detection counter is not the specified number of times (No in step S117)
  • the process returns to step S102.
  • Step S119 the control unit 110 determines whether or not the power control value calculated in Step S118 is equal to or less than a predetermined power control upper limit value.
  • the process proceeds to step S120.
  • the power control value exceeds the power control upper limit value (No in step S117)
  • the process returns to step S102.
  • Step S120 When Yes in step S119, the control unit 110 performs power control for controlling the output of the high-frequency power output unit 120 so as to be the power control value calculated in step S118, and returns to step S102.
  • the control unit 110 performs power control for controlling the output of the high-frequency power output unit 120 so as to be the power control value calculated in step S118, and returns to step S102.
  • the target output matches the effective power (FWD value ⁇ REF value)
  • the current output is maintained.
  • the output of the high-frequency power output unit 120 may be increased up to the power control value at once, or an upper limit value is provided for the amount of change, and the difference between the current value and the previous value of the power control value exceeds the upper limit value. In such a case, the upper limit value may be increased in a plurality of times.
  • Step S121 (Step S121) ⁇ ⁇ If No in step S115, the control unit 110 initializes the detection counter by setting “0”, and returns to step S102.
  • the high-frequency power supply device 100 first matches the power output to the load 200 by controlling the frequency, and further advances the power corresponding to the reflected wave power when the reflected wave remains.
  • the execution power can be matched with the target power while preventing the output from becoming excessive.
  • the amount of power change due to power control can be suppressed, the influence on the load 200 can be reduced, and the time until stabilization to the target effective power is shortened. can do.
  • the frequency control in parallel with the power control, it is possible to accurately follow the fluctuation of the impedance of the load 200 after the power control is executed.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a functional configuration of the high-frequency power supply device 100A according to the second embodiment.
  • the impedance matching unit 400 is provided between the high frequency power supply device 100A and the load 200, and the control unit 110A performs impedance matching control processing instead of frequency matching processing.
  • the impedance matching device 400 is a device that changes the impedance by changing the capacitance value of the capacitance element.
  • the SWEEP mode shown in FIGS. 1 to 3 is replaced with an impedance coarse adjustment mode in which the constant of the impedance matching device 400 is coarsely adjusted based on the VSWR value, and the ADJUST mode is changed to the VSWR value.
  • step S110 of the high-frequency power control process shown in FIG. 3 the control unit 110A outputs a control command for performing rough impedance adjustment control on the power output from the high-frequency power output unit 120 to the impedance matching unit 400.
  • step S111 of the high frequency power control process shown in FIG. 3 the control unit 110A outputs a control command for performing fine impedance adjustment control on the power output from the high frequency power output unit 120 to the impedance matching unit 400.
  • control unit 110A outputs a control command for coarse impedance adjustment control or fine impedance adjustment control to the impedance matching unit 400, and the impedance matching unit 400 controls the impedance based on the command, and the control unit 110A performs power control.
  • the control unit 110A performs power control.
  • the frequency is controlled to reduce the reflected wave, and then the power corresponding to the reflected wave power is changed to a traveling wave.
  • the output power is controlled so as to be added.
  • the high frequency power supply device according to the present invention provides power corresponding to the power of the reflected wave when the reflected wave is no longer reduced by controlling the frequency after the reflected wave is reduced to a predetermined level.
  • the output power is controlled so as to be added to the traveling wave.
  • the high-frequency power supply device of the invention is a high-frequency power supply device that outputs power to a load.
  • the power corresponding to the reflected wave power is added to the traveling wave.
  • the output power is controlled as described above.
  • the high-frequency power supply device of the present invention of (3) corresponds to the power of the reflected wave when the reflected wave is not reduced by the control of the impedance matching device after the reflected wave is reduced to a predetermined level. The output power is controlled so that the power is added to the traveling wave.
  • the load of the high-frequency power supply device according to the present invention is a semiconductor manufacturing device.
  • the frequency is controlled to reduce the reflected wave, and then the power corresponding to the power of the reflected wave
  • the output power is controlled so as to be added to the traveling wave.
  • the power control method for a high-frequency power supply device according to the present invention provides the power of the reflected wave when the reflected wave is no longer reduced by the frequency control after the reflected wave is reduced to a predetermined level. The output power is controlled so that the corresponding power is added to the traveling wave.
  • the impedance matching device in a high frequency power supply device that outputs power to a load, the impedance matching device is controlled to reduce the reflected wave, and then the power corresponding to the power of the reflected wave is obtained. The output power is controlled so as to be added to the traveling wave.
  • the power control method for a high-frequency power supply device according to the present invention is such that when the reflected wave is not reduced by the control of the impedance matching unit after the reflected wave is reduced to a predetermined level, The output power is controlled so that the power corresponding to the power is added to the traveling wave.
  • the output becomes excessive even when the control is performed to add the power corresponding to the reflected wave power to the traveling wave power to make the effective power match the target power. It is possible to provide a high frequency power supply device that can prevent this.
  • the present invention can be applied to a high frequency power supply device.

Abstract

 負荷の実効電力を一定にする高周波電源装置を提供する。高周波電力の出力が開始される(t1)時点から、周波数を大きく変化させるSWEEPモードが開始され、FWD値とREF値の比である電圧定在波比(VSWR値)を求め、VSWR値が予め決められたVSWRの閾値以下になると(反射波が所定のレベルまで低下すると)、VSWR値に応じて周波数を細かく変化させるADJUSTモードを開始する(t2)。また、REF値とFWD値から算出するREF値割合について、前回と今回のREF値割合の差分であるREF値割合差分を求め、予め決められたREF値割合差分閾値以下の状態が所定時間継続すると(t3からt4)、周波数制御によるマッチングが飽和したと判断し、反射波電力(W)に相当する電力を進行波電力(W)に加算することで、実行電力を目標出力に一致させる実効電力一定制御を行う。

Description

高周波電源装置
 本発明は、高周波(RF:Radio Frequency)電力を負荷に供給する高周波電源装置に係り、特に負荷に一定の実効電力を供給するための高周波電源装置に関するものである。
 高周波電源装置が負荷(電力供給先となる装置)に一定の電力を効率よく出力するためには、負荷のインピーダンス変動に応じて整合(マッチング)を取る必要がある。例えば、特許文献1に開示の技術では、高周波電源の出力調整手段がプラズマの発生に伴って反応容器側からの反射波電力を検出し、高周波電源から外部電極に供給される電力に反射波電力と同等の電力を加算して出力させ、反射波電力による実効負荷電力の低下を補完するプラズマリアクターを提供している。
特開平11-149996
 特許文献1は、高周波電源から外部電極に供給される電力に反射波電力と同等の電力を加算して出力することで反射波電力による実効電力の低下を補完している。しかし、単にこのような補完を行うだけでは、反射波電力が大きかった場合に出力が過大になるおそれがある。
 本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、上記課題を解決できる高周波電源装置を提供することを目的とする。
 本発明の高周波電源装置は、負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、周波数を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。
 また、本発明の高周波電源装置は、前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記周波数の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。
 本発明の高周波電源装置は、負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、インピーダンス整合器を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。
 また、本発明の高周波電源装置は、前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記インピーダンス整合器の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。
 本発明の高周波電源装置は、周波数を調整しながら反射波電力に相当する電力を進行波電力に補填するため、出力が過大になることを防止できる。
本発明の実施形態に係る高周波電源装置の機能構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る高周波電力制御処理における進行波電力、反射波電力、及び周波数の変化を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る高周波電源装置における高周波電力制御処理のフローチャートである。 本発明の第2の実施形態に係る高周波電源装置の機能構成を示す図である。
 以下、本発明を実施するための形態(以下、「実施形態」という)について、図面を参照して説明する。実施形態は、高周波電源装置が周波数マッチング処理により周期数を制御することで負荷とのインピーダンスマッチングを行うと共に、実効電力一定制御処理により反射波電力に相当する電力を進行波電力に加算することで、負荷に一定の電力を供給するものである。
 本発明の実施形態に係る高周波電源装置100の機能構成について、図1を用いて説明する。図1に示すように、高周波電源装置100は、制御部110、高周波電力出力部120、方向性結合器130、反射波検出部140、及び進行波検出部150から構成されている。高周波電源装置100は、同軸ケーブル300により負荷(例えばプラズマ処理を行う半導体製造装置)200に接続されている。
 制御部110は、高周波電源装置100のCPU(Central Processing Unit)によりソフトウェア的に実現される。あるいはDSP(Digital Signal Processing)などにより専用回路として構成することもできる。制御部110は、出力電力の周波数を制御することで負荷200とのマッチングを取る周波数マッチング処理を行うと共に、進行波電力に反射波電力分の電力を加算することで負荷200に供給される電力を目標値に制御する実効電力一定制御処理を行う。制御部110が行う処理の詳細については、後述する。高周波電力出力部120は、制御部110により周波数と電力が制御された高周波電力を方向性結合器130、同軸ケーブル300を介して負荷200に出力する。方向性結合器130は、高周波電力出力部120から出力された進行波と、負荷200から反射した反射波の一部を進行波検出部150および反射波検出部140に出力する。反射波検出部140は、方向性結合器130の出力に基づき、反射波の電力を示す値(以下、REF値という)を制御部110に出力する。進行波検出部150は、方向性結合器130の出力に基づき、進行波の電力を示す値(以下、FWD値という)を制御部110に出力する。
 次に、高周波電源装置100を起動してから損失分である反射波電力に相当する分を補填するまでの高周波電力制御処理における進行波電力(W)、実効電力(W)、反射波電力(W)、及び周波数(Hz)の変化について、図2を用いて説明する。
 高周波電源装置100が高周波電力の出力を開始すると(t1)、進行波電力(高周波電力出力部120の出力)が立ち上がる。この時点では、まだマッチングが取れていないため、反射波電力も一時的に上昇する。進行波電力から反射波電力分を差し引いた電力が、実効電力となる(ここでは他の損失は無いものとする)。制御部110は、反射波電力に沿いながら、高周波電力出力部120の出力を目標出力に向けて増加させる。具体的には、ある一定の電力に到達した後は、反射波電力が小さくなるほど出力を大きくしていく。ここで、目標出力とは、負荷200に供給すべき目標電力と同じ値である。
 制御部110は、高周波電力の出力が開始されるt1時点から、周波数を大きく変化させる制御(以下、粗調制御、あるいはSWEEPモードという)を開始する。本実施例では、粗調制御において、周波数を初期値から低下させていくことでマッチング周波数を探る。
 制御部110は、FWD値とREF値の比である電圧定在波比(以下、VSWR値という)を求め、粗調制御の結果、VSWR値が予め決められたVSWRの閾値以下になると(反射波が所定のレベルまで低下すると)、VSWR値に応じて周波数を細かく変化させる制御(以下、微調制御、あるいはADJUSTモードという)を開始する(t2)。
 その後、制御部110は、REF値とFWD値から算出するREF値割合について、前回と今回のREF値割合の差分であるREF値割合差分を求め、予め決められたREF値割合差分閾値以下の状態が所定時間(所定回数)継続すると(t3からt4)、周波数制御によるマッチングが飽和した(周波数制御ではこれ以上反射波が低減されない)と判断し、反射波電力(W)に相当する電力を進行波電力(W)に加算することで、実行電力を目標出力(負荷200に供給すべき目標電力)に一致させる実効電力一定制御を行う。
 図示のように、ADJUSTモード移行後は、周波数制御(微調制御)と電力制御(実効電力一定制御)が同時に(並行して)実行される。
 次に、制御部110が実行する高周波電力制御処理について図3を用いて説明する。なお、図3の高周波電力制御処理は、制御部110が実行する。
(ステップS101)  まず、高周波電源装置100に電源が投入されると、制御部110は、モードにSWEEPモード、前回REF値割合に「0」、及び検出カウンタに「0」を設定する。
(ステップS102)  次いで、制御部110は、RFフラグをチェックし、RFフラグ=1(RF-ON)であるかを判定する。RFフラグ=1(RF-ON)であるとき(ステップS102のYes)は、制御部110はステップS103に進む。RFフラグ=0(RF-OFF)であるとき(ステップS102のNo)は、制御部110は高周波電力制御処理を終了する。
 なお、RFフラグは初期値が「0」であり、外部から指示があったときに「1」に設定される。外部からの指示とは、例えば運転開始ボタン(図示せず)がON操作された場合や、負荷200側から運転指示が入力された場合である。
(ステップS103)  次いで、制御部110は、高周波電力制御処理が周波数及び電力を調整する周期であるサンプリング周期に到達したかを判定する。サンプリング周期に到達したとき(ステップS103のYes)は、ステップS104に進む。サンプリング周期に到達していないとき(ステップS103のNo)は、ステップS102に戻る。
(ステップS104)  次いで、制御部110は、進行波検出部150からFWD値を入力する。
(ステップS105)  次いで、制御部110は、反射波検出部140からREF値を入力する。
(ステップS106)  次いで、制御部110は、FWD値とREF値からVSWR値を算出する。
(ステップS107)  次いで、制御部110は、現在のモードがSWEEPモードであるかを判定する。SWEEPモードであるとき(ステップS107のYes)は、ステップS108に進む。SWEEPモードでないとき(ステップS107のNo)は、ステップS111に進む。
(ステップS108)  ステップS107のYesであるとき、制御部110は、ステップS106で算出したVSWR値が予め設定されたVSWR閾値より小さいかを判定することで、ADJUSTモードに遷移するかを判定する。VSWR値がVSWR閾値より小さいとき、即ち、反射の割合が所定値より小さくなったとき(ステップS108のYes)は、ステップS109に進む。VSWR値がVSWR閾値より小さくないとき(ステップS108のNo)は、ステップS110に進む。なお、ステップS108の判断は、VSWR値に代え、REF値等、反射波が所定のレベルまで低下したことがわかれば、他の指標を用いてもよい。
(ステップS109)  ステップS108のYesであるとき、制御部110は、モードにADJUSTモードを設定することでADJUSTモードに遷移し、ステップS102に戻る。
(ステップS110)  ステップS108のNoであるとき、即ち、反射の割合が所定値より小さくなっていないとき、制御部110は、高周波電力出力部120が出力する電力に対して周波数の粗調制御を行い、ステップS102に戻る。
(ステップS111)  ステップS107のNoであるとき、即ち、S109でADJUSTモードに設定された後は、制御部110は、高周波電力出力部120が出力する電力に対して周波数の微調整制御を行う。この微調制御により、VSWR値を目標値(VSWR=1)に精度良く調整すると共に、VSWR値に応じて周波数を細かく上下させることで負荷200のインピーダンスの変動に精度良く追従させる。
(ステップS112)  次いで、制御部110は、ステップS104で入力したFWD値とステップS105で入力したREF値から(式1)によりREF値割合(%)を算出し、今回REF値割合に設定する。(式1)から明らかなように、REF値割合とは、進行波に対する反射波の割合である。
   REF値 / FWD値 =REF値割合(%)・・・・・(式1)
(ステップS113)  次いで、制御部110は、REF値割合の前回値が無いか判定することで、前回REF値割合と今回REF値割合との差分であるREF値割合差分の算出が不可であるかを判定する。REF値割合の前回値が無いとき(ステップS113のYes)は、ステップS102に戻る。REF値割合の前回値があるとき(ステップS113のNo)は、ステップS114に進む。
(ステップS114)  ステップS113のNoであるとき、制御部110は、(式2)によりREF値割合差分値を算出する。
 前回REF値割合 - 今回REF値割合 = REF値割合差分値・・・・・(式2)
(ステップS115)  次いで、制御部110は、ステップS114で算出したREF値割合差分値が予め設定されたREF値割合差分閾値より小さいかを判定する。REF値割合差分値がREF値割合差分閾値より小さいとき、即ち、進行波に対する反射波の割合の変化量が所定値より小さいとき(ステップS115のYes)は、ステップS116に進む。REF値割合差分値がREF値割合差分閾値より小さくないとき(ステップS115のNo)は、ステップS121に進む。
(ステップS116)  次いで、ステップS115のYesであるとき、制御部110は、検出カウンタに「1」を加算する。
(ステップS117)  次いで、制御部110は、検出カウンタが予め決められた規定回数となったかを判定することで、REF値割合差分値がREF値割合差分閾値より規定回数連続して小さい状態であるか、即ち、周波数制御によるVSWRの変動が収束し、周波数制御によるVSWRの改善が見込まれなくなったか(周波数マッチングが飽和したか)を判定する。検出カウンタが規定回数となったとき(ステップS117のYes)は、ステップS118に進む。検出カウンタが規定回数でないとき(ステップS117のNo)は、ステップS102に戻る。
(ステップS118)  ステップS117のYesであるとき、制御部110は、(式3)により電力制御値を算出する。進行波電力(高周波出力部120の出力)が目標出力に達していれば、(式3)は、進行波電力に反射波電力を加算することに相当する。
 電力制御値 = FWD値 +(目標出力 -(FWD値-REF値))・・・(式3)
(ステップS119)  次いで、制御部110は、ステップS118で算出した電力制御値が予め決められている電力制御上限値以下であるかを判定する。電力制御値が電力制御上限値以下であるとき(ステップS119のYes)は、ステップS120に進む。電力制御値が電力制御上限値をオーバーしているとき(ステップS117のNo)は、ステップS102に戻る。
(ステップS120)  ステップS119のYesであるとき、制御部110は、ステップS118で算出した電力制御値となるように高周波電力出力部120の出力を制御する電力制御を行い、ステップS102に戻る。なお、(式3)から明らかなように、目標出力と実効電力(FWD値-REF値)が一致していれば、現状の出力が維持される。
 また、高周波電力出力部120の出力は、電力制御値まで一度に上昇させてもよいし、変化量に上限値を設け、電力制御値の今回値と前回値の差分が当該上限値を超えた場合には、当該上限値ずつ複数回にわけて上昇させるようにしてもよい。
(ステップS121)  ステップS115のNoであるとき、制御部110は、検出カウンタに「0」を設定して初期化し、ステップS102に戻る。
 以上により、本発明の高周波電源装置100は、まず負荷200に出力する電力に対して周波数を制御することでマッチングを取り、反射波が残っている場合はさらに反射波電力に相当する電力を進行波電力に加算する電力制御を行うことで、出力が過大になることを防止しつつ、実行電力を目標電力に一致させることができる。さらに、最初に周波数制御でマッチングを取ることで、電力制御による電力の変化量を抑制でき、負荷200に与える影響を低減することができると共に、目標とする実効電力に安定させるまでの時間を短くすることができる。また、電力制御に並行して周波数制御も実行することで、電力制御を実行した後の負荷200のインピーダンスの変動にも精度良く追従することができる。
 図4は、第2の実施の形態に係る高周波電源装置100Aの機能構成を示す図である。本実施例においては、高周波電源装置100Aと負荷200の間にインピーダンス整合器400を設け、制御部110Aにおいて、周波数マッチング処理に代え、インピーダンス整合制御処理を行うようにした。インピーダンス整合器400は、静電容量素子の静電容量値を変化させることでインピーダンスを変化させる装置である。
 この実施例では、図1~図3で示したSWEEPモードをインピーダンス整合器400の定数をVSWR値に基づいて粗調整するインピーダンス粗調整モードに置き換え、ADJUSTモードをインピーダンス整合器400の定数をVSWR値に基づいて微調整するインピーダンス微調整モードに置き換えることにより、図3の処理フローと同様な制御を行う。また、図3に示す高周波電力制御処理のステップS110では、制御部110Aは、高周波電力出力部120が出力する電力に対してインピーダンス粗調整制御を行う制御指令をインピーダンス整合器400に出力する。また、図3に示す高周波電力制御処理のステップS111では、制御部110Aは、高周波電力出力部120が出力する電力に対してインピーダンス微調整制御を行う制御指令をインピーダンス整合器400に出力する。
 このように制御部110Aがインピーダンス整合器400にインピーダンス粗調整制御またはインピーダンス微調整制御の制御指令を出力し、その指令に基づいてインピーダンス整合器400がインピーダンスを制御すると共に、制御部110Aで電力制御を行うことで、負荷200が所望する一定の実効電力となるようにすることも可能である。
(1)本発明の高周波電源装置は、負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、周波数を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。(2)
(1)の本発明の高周波電源装置は、前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記周波数の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。(3)
発明の高周波電源装置は、負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、インピーダンス整合器を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。(4)
(3)の本発明の高周波電源装置は、前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記インピーダンス整合器の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。(5)
(1)から(4)のいずれかの本発明の高周波電源装置の前記負荷は、半導体製造装置であることを特徴としている。(6)  本発明の高周波電源装置の電力制御方法は、負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、周波数を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。(7)
(6)の本発明の高周波電源装置の電力制御方法は、前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記周波数の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。(8)
本発明の高周波電源装置の電力制御方法は、負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、インピーダンス整合器を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。(9)
(8)の本発明の高周波電源装置の電力制御方法は、前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記インピーダンス整合器の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴としている。
 以上のような本発明の高周波電源装置によれば、反射波電力に相当する電力を進行波電力に加算して実効電力を目標電力に一致させる制御を行う場合であっても出力が過大になることを防止できる高周波電源装置を提供することができる。
 具体的な実施の形態により本発明を説明したが、上記実施の形態は本発明の例示であり、この実施の形態に限定されないことは言うまでもない。
 本発明は、高周波電源装置に適用することができる。
100・・・・・・・・・高周波電源装置
100A・・・・・・・・高周波電源装置
110・・・・・・・・・制御部
110A・・・・・・・・制御部
120・・・・・・・・・高周波電力出力部
130・・・・・・・・・方向性結合器
140・・・・・・・・・反射波検出部
150・・・・・・・・・進行波検出部
200・・・・・・・・・負荷
300・・・・・・・・・同軸ケーブル
400・・・・・・・・・インピーダンス整合器

Claims (4)

  1.  負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、
     周波数を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴とする高周波電源装置。
  2.  前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記周波数の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
  3.  負荷に対して電力を出力する高周波電源装置において、
     インピーダンス整合器を制御して反射波を低減させた後、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴とする高周波電源装置。
  4.  前記反射波が所定のレベルまで低減した後、前記インピーダンス整合器の制御によって前記反射波が低減されなくなったときに、前記反射波の電力に相当する電力を進行波に加算するように出力電力を制御することを特徴とする請求項3に記載の高周波電源装置。
PCT/JP2013/051742 2012-03-23 2013-01-28 高周波電源装置 WO2013140853A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012066674A JP2013197080A (ja) 2012-03-23 2012-03-23 高周波電源装置
JP2012-066674 2012-03-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013140853A1 true WO2013140853A1 (ja) 2013-09-26

Family

ID=49222320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/051742 WO2013140853A1 (ja) 2012-03-23 2013-01-28 高周波電源装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2013197080A (ja)
WO (1) WO2013140853A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4110023A4 (en) * 2020-02-18 2024-03-20 Kyosan Electric Mfg METHOD FOR CONTROLLING HIGH-FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE AND HIGH-FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6782360B2 (ja) 2017-06-28 2020-11-11 株式会社日立国際電気 高周波電源装置及びそれを用いたプラズマ処理装置
US11810759B2 (en) 2019-02-14 2023-11-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. RF generator

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11149996A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Mc Electronics Kk プラズマリアクター
JP2000049000A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kem Kk 周波数整合器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11149996A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Mc Electronics Kk プラズマリアクター
JP2000049000A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kem Kk 周波数整合器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4110023A4 (en) * 2020-02-18 2024-03-20 Kyosan Electric Mfg METHOD FOR CONTROLLING HIGH-FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE AND HIGH-FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013197080A (ja) 2013-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11361942B2 (en) Adjustment of power and frequency based on three or more states
KR102130921B1 (ko) 전력 및 주파수의 상태 기반 조절
US9947513B2 (en) Edge ramping
KR102165741B1 (ko) 세 개 이상의 상태에 기초한 전력 및 주파수의 조절
US8203859B2 (en) High frequency device with variable frequency and variable load impedance matching
SG193113A1 (en) Impedance-based adjustment of power and frequency
WO2013140853A1 (ja) 高周波電源装置
WO2018061617A1 (ja) 高周波電源装置
JP6309411B2 (ja) 高周波電源
US11031213B2 (en) Microwave output device and plasma processing device
US20200098546A1 (en) Impedance matching device provided in high-frequency power system
WO2015056509A1 (ja) プラズマ生成用電源装置の制御方法
KR101257003B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 전력 공급 장치 및 그의 자동 주파수 선택 방법
JP6505062B2 (ja) 電圧変換装置及び機器
JP4490142B2 (ja) 高周波電源の出力電力制御方法および高周波電源装置
KR101290702B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 전력 공급 장치 및 그의 주파수 자동 추적 방법
JP2006288009A5 (ja)
JP2006288009A (ja) 高周波電源装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13764437

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13764437

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1