WO2013085277A1 - 반도체 조립용 접착 테이프 - Google Patents

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WO2013085277A1
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adhesive layer
adhesive
film
pattern
release film
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PCT/KR2012/010478
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송규석
호종필
김상균
전종철
최재원
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제일모직주식회사
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive tape for semiconductor assembly. More specifically, the present invention is a release film, a circular adhesive layer formed on the release film, a circular adhesive film installed to cover the adhesive layer and to contact the release film around the adhesive layer, and the longitudinal direction of the release film
  • An adhesive tape for semiconductor assembly comprising a patterned adhesive film continuously formed at both ends of the semiconductor adhesive tape, wherein a patterned adhesive layer having the same thickness as the adhesive layer under the patterned adhesive film is adjacent to the tangent in the width direction of the adhesive layer circumference.
  • An adhesive tape for assembling semiconductors which is formed between tangent lines.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly of the present invention can minimize transfer marks even in roll winding pressure in a multi-stage laminated semiconductor assembly tape of a pre-cut roll winding method, and at the initial moment of laminating the adhesive layer and the adhesive film. It can increase the compressive force to reduce the generation of voids, and by securing the stability of the winding foam due to friction with the release film can have an effect to improve the tilting.
  • Dicing die-bonding tape which has the two functions of the die-bonding film for laminating
  • the thickness of the insulating adhesive layer on the edge portion of the roll when laminating the adhesive layer of a circular shape and the adhesive film installed on the release film Due to this, the initial compressive force of the adhesive layer and the adhesive film is insufficient, which causes the occurrence of mounting voids between the adhesive layer and the adhesive film, causing a failure rate increase.
  • void generation during wafer mounting may cause problems such as chip cracking and chipping during sawing operations.
  • the adhesive tape having the insulating adhesive layer of the edge portion of the roll is wound on the reel, the adhesive tape is easily moved from side to side, thereby causing a problem that the wafer in the circle does not adhere to the correct position when mounting the pre-cut type.
  • the present invention solves the above problem by forming a pattern adhesive layer having the same thickness as the circular adhesive layer on both ends of the roll in the longitudinal direction between the circular tangent of the circular adhesive layer circumference and the adjacent tangent of the adjacent adhesive layer circumference. It features.
  • An object of the present invention is to provide an adhesive tape for assembling a semiconductor capable of eliminating the transfer mark defect caused by the multi-stage lamination of the insulating adhesive layer in the pre-cut roll winding method.
  • Another object of the present invention is the lamination of the adhesive layer and the adhesive film of the circular shape installed on the release film due to the thickness of the adhesive layer of the edge portion of the roll due to insufficient initial compression force of the adhesive layer and the adhesive film and thereby between the adhesive layer and the adhesive film It is to provide an adhesive tape for semiconductor assembly that can overcome the problem that the mounting void occurs.
  • the present invention also aims to improve problems such as chip cracking and chipping during wafer sawing operations.
  • Still another object of the present invention is to provide an adhesive tape for assembling a semiconductor having a pull-improving effect by maintaining winding foam stability in a pre-cut roll winding method.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly of the present invention is a release film, a circular adhesive layer formed on the release film, a circular adhesive film installed to cover the adhesive layer and contact the release film around the adhesive layer, and the release film And a pattern adhesive film formed continuously at both ends in the longitudinal direction of the pattern adhesive layer, wherein a pattern adhesive layer having the same thickness as the adhesive layer is disposed between the widthwise tangent of the adhesive layer circumference and the widthwise tangent of the adjacent adhesive layer circumference below the pattern adhesive film. It is characterized by being formed.
  • the width direction length of the pattern adhesive layer may be equal to or smaller than the width direction length of the pattern adhesive film. In one embodiment, the width direction length of the pattern adhesive layer may be 2cm to 12cm.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly may include an additional pattern adhesive layer which is spaced at least 2 cm in the longitudinal direction of the release film from the pattern adhesive layer. In one embodiment, the separation distance may be 4 cm or more.
  • the adhesive tape for assembling a semiconductor according to the present invention can solve the transfer mark defect caused by the multi-stage lamination of the adhesive layer in the pre-cut roll winding method.
  • the present invention can eliminate void defects because there is a channel that can escape the void generated when the adhesive film and the release film is laminated.
  • the present invention can solve the loosening due to the adhesion of the pattern adhesive layer and the release film by improving the pattern shape of the pattern adhesive layer.
  • the present invention can solve the problem of the generation of the transfer marks by the pattern adhesive layer by improving the size of the pattern adhesive layer.
  • the present invention can improve problems such as chip cracking and chipping during wafer sawing operations, and provides an adhesive tape for semiconductor assembly having an effect of improving pulling by maintaining winding foam stability in a pre-cut roll winding method. do.
  • FIG. 1 is a view of an adhesive tape for assembling semiconductor having a pattern adhesive layer having a width of 5 cm in accordance with one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view of one center of section A of the adhesive tape for semiconductor assembly shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view of section B of FIG.
  • FIG 3 is a view showing an adhesive tape for assembling semiconductor having a pattern adhesive layer having a width of 11 cm according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram of an adhesive tape for assembling a semiconductor having an additional pattern adhesive layer according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a view of an adhesive tape for assembling semiconductor without the pattern adhesive layer according to Comparative Example 1.
  • FIG. 6 is a diagram of an adhesive tape for assembling semiconductor having a straight pattern adhesive layer according to Comparative Example 2.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the evaluation of the winding shape stability
  • FIG. 8 is one side view seen from the direction A of FIG. 7
  • FIG. 9 is the other side view seen from the direction B of FIG. 7.
  • Circular adhesive layer formed on the release film
  • An adhesive film of a circular shape covering the adhesive layer and installed to contact the release film around the adhesive layer;
  • a pattern adhesive film continuously formed at both ends of the release film in a longitudinal direction wherein a pattern adhesive layer having the same thickness as the adhesive layer under the pattern adhesive film is adjacent to a width direction tangent of the adhesive layer circumference and a width direction tangent of the adhesive layer It is characterized in that it is formed discontinuously at both ends in the longitudinal direction of the release film.
  • the pattern adhesive layer is formed between the widthwise tangent of the circular adhesive layer circumference and the widthwise tangent of the neighboring circular adhesive layer circumference, at the initial instant when laminating the circular adhesive layer and the adhesive film installed on the release film. Due to the thickness of the adhesive layer of the edge portion of the roll, the insufficient adhesion force between the adhesive layer and the adhesive film can be improved to reduce the occurrence of mounting voids between the adhesive layer and the adhesive film.
  • the shape of the pattern adhesive layer is not particularly limited, but a parabolic shape that is convex toward the center of the roll is preferable in view of increasing the initial compressive force during laminating the adhesive layer and the adhesive film.
  • the pattern adhesive layer according to the present invention may be formed between the widthwise tangent of the circular adhesive layer circumference and the widthwise tangent of the neighboring circular shaped adhesive layer circumference, but improves insufficient initial compressive force of the adhesive layer and the adhesive film.
  • the pattern adhesive layer may extend slightly apart from the widthwise tangent of the circular adhesive layer circumference and the widthwise tangent of the neighboring circular shaped adhesive layer circumference within a range that does not deteriorate.
  • the width direction length X of the pattern adhesive layer may be equal to or shorter than the width direction length Y of the pattern adhesive film.
  • the width direction length of the pattern adhesive layer is 2cm to 12cm, more preferably 4cm to 11cm.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly according to the present invention is positioned at a distance of 2 cm or more in the longitudinal direction of the release film from the pattern adhesive layer (the separation distance may be measured by the length of B in FIG. 4) and is not at both ends in the longitudinal direction of the release film. It may include additional pattern adhesive layer formed continuously.
  • the spaced distance is preferably at least 4 cm.
  • the additional pattern adhesive layer can further reduce the transfer wound defect by reducing the roll winding pressure.
  • Fig. 1 shows one specific example of the adhesive tape 7 for semiconductor assembly of the present invention.
  • a circular adhesive layer 1 on a release film 6 a circular adhesive film 2 covering the adhesive layer 2, and a pattern adhesive film continuously formed at both ends in the longitudinal direction of the release film ( 3) and the pattern adhesive layer 4 formed under the pattern adhesive film.
  • the pattern adhesive layer 4 may be formed at both ends in the longitudinal direction of the release film between a widthwise tangent (a) of a circular adhesive layer circumference and a widthwise tangent (b) of a neighboring adhesive layer circumference.
  • the widthwise length X of the pattern adhesive layer is shorter than the widthwise length Y of the pattern adhesive film.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view of a central portion between a widthwise tangent (a) of an adhesive layer circumference and a widthwise tangent (b) of an adjacent adhesive layer circumference in the adhesive tape for assembling the semiconductor of FIG. 1. (3) and the pattern adhesive layer 4 are formed.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view between the two widthwise tangents b and c of the adhesive layer circumference of the adhesive tape for assembling the semiconductor of FIG. 1, and the laminated structure of the adhesive layer 1 and the adhesive film 2 at the central portion thereof.
  • the pattern adhesive film 3 is formed in the longitudinal direction both ends.
  • Figure 3 shows another embodiment of the adhesive tape for a semiconductor assembly of the present invention, while the adhesive tape for semiconductor assembly of Figure 1 is 5cm in the width direction length of the pattern adhesive layer, the adhesive tape for semiconductor assembly of Figure 3 is a pattern There is a difference in that the widthwise length of the adhesive layer is 11 cm.
  • FIG. 4 shows an example of the adhesive tape for assembling semiconductors of the present invention having an additional pattern adhesive layer 8 in addition to the pattern adhesive layer 4.
  • the additional pattern adhesive layer 8 is spaced from the pattern adhesive layer 4 in the longitudinal direction of the release film by 2 cm (distance between a and c) and is formed under the pattern adhesive film in the same width direction as the pattern adhesive film.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly of the present invention may be laminated in the order of a release film, an adhesive layer (or an insulating adhesive layer), an adhesive film (adhesive layer (or photocurable adhesive layer) and a base film), in the following each configuration in detail Explain.
  • Adhesive film or pattern adhesive film
  • the adhesive film or the pattern adhesive film herein refers to an adhesive layer coated on a base film with a thickness of about 1-30 ⁇ m.
  • the base film may be the same as the base film of the tape used in the conventional back grinding process and the dicing process.
  • Various plastic films may be used as the base film of the tape for the back grinding process, and among these, thermoplastic plastic films may be used.
  • the base film should be one capable of expanding. When the wafer receives a physical impact during the back grinding process, the wafer is cracked or broken, resulting in damage to the circuit designed wafer. Therefore, the base film should be a thermoplastic and expandable film, which means that the film must absorb the physical impact caused by the sawing process to mitigate the impact, thereby protecting the wafer.
  • the base film not only be expandable but also UV-permeable, and in particular, since the photocurable adhesive layer formed on the base film is an ultraviolet curable adhesive composition, it is preferable that the base film is a film having excellent transmittance to ultraviolet rays of a wavelength at which the adhesive composition can be cured. Do. Therefore, the base film should not contain an ultraviolet absorber or the like.
  • the base film should be chemically stable. In the back grinding process and the dicing process, the physical impact is also great, but the polishing is performed by the CMP slurry, so that the base film in contact with it should be chemically stable.
  • the polymer form, especially the polyolefin-based polymer is chemically stable and therefore suitable as a base film.
  • the base film examples include polyethylene, polypropylene, copolymers of ethylene and propylene, poly-1butene, copolymers of ethylene and vinyl acetate, mixtures of polyethylene and styrenebutadiene rubber, and polyolefin films such as polyvinyl chloride films. Mainly used, but not limited to these.
  • the base film may be mainly melted by blending polyolefin chips to form a film by extrusion, or may be formed by blowing.
  • the heat resistance and mechanical properties of the formed film are determined according to the type of chips to be blended.
  • the prepared base film is preferably surface modified to increase the adhesion with the adhesive layer. Surface modification can be both physical and chemical methods, and physical methods can be corona treatment or plasma treatment, and chemical methods can be used such as in-line coating or primer treatment, but are not limited thereto.
  • the thickness of a base film 30-300 micrometers is preferable normally from a viewpoint of workability, ultraviolet permeability, etc. Within this range, the film is not deformed by heat generated during ultraviolet irradiation, and the physical shock generated during the dicing process can be sufficiently alleviated. In addition, since the length of one roll of finished product is long, there is no additional cost due to the increase of roll replacement time. In order to fill the wafer surface with high unevenness
  • Adhesive layer (or pattern adhesive layer)
  • the adhesive layer may be cured by heat or cured by ultraviolet irradiation. Therefore, the adhesive layer of the present invention may or may not include a photoinitiator.
  • thermosetting agent which can be cured by heat without a photoinitiator
  • an isocyanate-based, epoxy-based, aziridine-based, melamine-based, amine-based, imide-based, carbodiimide-based, and amide-based series may be used, but the present invention is not limited thereto. no.
  • isocyanate-based thermosetting agents can be used.
  • 2,4-triylene diisocyanate, 2,6-triylene diisocyanate, hydrogenated triylene diisocyanate, 1,3-xylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenyl methane-4,4 -Diisocyanate, 1,3-bisisocyanatomethyl cyclohexane, tetra methyl xylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl hexamethylene diisocyanate, 2,4,4-trimethyl hexamethylene Diisocyanate, triylene diisocyanate adduct of trimetholpropane, xylene diisocyanate adduct of trimetholpropane, triphenylmethanetriisocyanate, methylene bis triisocyanate, and the like may be used, but is not limited thereto.
  • a photocurable adhesive layer Before strong ultraviolet irradiation, it strongly supports the upper insulating adhesive layer and wafer by a strong tack, and it prevents a wafer from damaging by moving or moving during back grinding and dicing process, and the interface of each layer To prevent penetration of chemical substances such as CMP, and after UV irradiation, the adhesive layer increases the cohesion of the coating film due to the crosslinking reaction and shrinks, thereby significantly reducing the adhesive force at the interface with the insulating adhesive layer. As long as the photocurable adhesive layer and a base film peel easily from the wafer with an insulating adhesive layer by this, it can be any.
  • the photocurable pressure-sensitive adhesive layer may include one or more monomers selected from the group consisting of (meth) acrylate and (meth) acrylic acid having a carbon-carbon double bond capable of ultraviolet curing in the side chain.
  • the (meth) acrylate may be an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms at the terminal, a (meth) acrylate having a hydroxyl group at the terminal, a (meth) acrylate having an epoxy group at the terminal, and the like. .
  • thermosetting agents In addition to one or more monomers selected from the group consisting of (meth) acrylate and (meth) acrylic acid, thermosetting agents, photoinitiators and the like may be included.
  • the at least one monomer selected from the group consisting of (meth) acrylate and (meth) acrylic acid may be included at 90-99% by weight based on solids in the photocurable adhesive layer.
  • the thermosetting agent may be any that can be cured by reacting with a functional group introduced into the adhesive binder side chain.
  • a functional group introduced into the adhesive binder side chain In the case where the functional group introduced into the side chain is carboxyl-based, epoxy is mainly used as a curing agent. If the functional group introduced into the side chain is hydroxyl-based, an isocyanate curing agent is mainly used.
  • melamine-based and the like can be used, and epoxy-based, isocyanate-based, melamine-based and the like can be used by mixing two or more components.
  • any one can be used as long as the molecular chain is broken by ultraviolet rays such as ketone or acetophenone.
  • the photoinitiator is added, the carbon-carbon double bond of the side chain of the adhesive binder is crosslinked by the radical, and the glass transition temperature of the adhesive layer is increased by the crosslinking reaction, and the adhesive layer loses the tack. When the tack is lost, a small force is required to peel off the adhesive layer on the top.
  • thermosetting agent and the photoinitiator may be included in an amount of 0.1-10% by weight based on solids in the photocurable adhesive layer.
  • the thickness of the photocurable adhesive layer may be 1-30 ⁇ m. Within the above range, the photocuring at the level of easy pick-up process during ultraviolet irradiation is sufficiently possible, and the adhesive force is maintained when the ring frame is attached to sufficiently support the wafer in the ring frame detachment due to the physical impact generated during the dicing process. . In addition, in order to maintain the adhesiveness of an appropriate level with an insulating adhesive layer, 5-20 micrometers is more preferable.
  • the method of forming the photocurable adhesive layer on the base film may be directly coated, or may be transferred by a transfer method after completion of drying after coating on the base film or the like.
  • the coating method for forming the photocurable adhesive layer is not limited in any way as long as it can form a coating film such as bar coating, gravure coating, comma coating, reverse roll coating, applicator coating, spray coating, and the like.
  • the adhesive layer is an adhesive layer that directly adheres to the wafer surface.
  • the wafer surface having the bumpy surface having large bumps or the like should be laminated without voiding, and then the upper and lower chips are strongly adhered through the die attach. That is, since the adhesive layer is finally used as an adhesive for attaching the upper and lower sides of the chip, the adhesive layer must have physical properties to satisfy the reliability of the semiconductor packaging level, and at the same time, the processability for packaging, that is, the wafer surface containing the unevenness during the mounting process is voided. The filling prevents chipping or chip cracking during the dicing process, and does not cause a decrease in reliability due to swelling after die attach.
  • the adhesive layer is usually attached to the surface of the bump forming wafer on which the circuit is designed at a temperature near 60 ° C.
  • the adhesive layer may include an acrylic resin that is a binder portion having a film forming ability, an epoxy resin that is a curing portion, and a curing agent.
  • the acrylic resin is a thermoplastic resin having excellent film forming ability and may have a weight average molecular weight of 300,000-1,000,000 g / mol, and a glass transition temperature of -30 to 10 ° C.
  • Acrylic resin can be obtained by superposing
  • the acrylic resin is prepared by polymerizing at least one monomer selected from the group consisting of (meth) acrylates having 2 to 10 carbon atoms, (meth) acrylic acid, vinyl acetate, and acrylic monomers modified therefrom. It may be.
  • the polymerization method is not particularly limited.
  • the content of the acrylic resin in the adhesive layer is not particularly limited, but may be included in an amount of 60 parts by weight to 150 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition including the epoxy resin and the curing agent, which are solid components other than the acrylic resin.
  • the film forming ability is good and the film adhesive is not easily broken and wound into a roll shape, and the fluidity is high even at a high temperature of 100 ° C. or more, so that bubbles are less likely to occur when bonding between chips.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as the epoxy resin is cured and exhibits adhesion.
  • the functional group in order to perform the curing reaction, the functional group must be 2 or more. Therefore, it is preferable to use bisphenol A epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, or the like. desirable.
  • the content of the epoxy resin in the adhesive layer is not particularly limited, but may be included as 1-50 parts by weight of 100 parts by weight of the composition including the epoxy resin and the curing agent.
  • a curing accelerator can be used as a curing agent for curing the epoxy resin.
  • an imidazole series, an amine series, a phenol series, or the like may be used, and the curing accelerator may be included in an amount of 0.01-10 parts by weight in 100 parts by weight of the composition including an epoxy resin and a curing agent.
  • inorganic particles such as silica may be added to improve the dimensional stability and heat resistance of the adhesive layer.
  • Inorganic particles such as silica may be included in an amount of 1-50 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition including an epoxy resin and a curing agent.
  • silane coupling agents may be used in one kind or in a mixture of two or more kinds in the adhesive layer in contact with the wafer surface in order to increase adhesion with the wafer.
  • the silane coupling agent may use a commonly known coupling agent.
  • the silane coupling agent may be included in an amount of 0.1-10 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition including the epoxy resin, the curing accelerator, and the curing agent.
  • the coating method of the adhesive layer is not particularly limited as long as it can form a uniform coating film thickness.
  • any one of the formation methods of the photocurable adhesive layer described above can be selected and used.
  • the coating thickness of the adhesive layer may be 2-30 ⁇ m. Within this range, the adhesive strength between the upper and lower chips is good, and may be applicable to a thin semiconductor packaging.
  • the release film can be anything as long as it can protect the adhesive layer from foreign matter or impact.
  • a film mainly used as a traveling film for coating an adhesive layer is used.
  • a protective film can be easily used.
  • a polyethylene terephthalate film can be used.
  • what modified the surface of a polyethylene terephthalate film with polydimethylsiloxane, a fluorine type mold release agent, etc. can also be used.
  • the thickness of the release film is not particularly limited, but may be 5-50 ⁇ m. Within this range, the adhesive layer and the adhesive film are protected from external physical shocks and the proper volume and weight of the finished product are maintained to enable the worker to move and work easily.
  • thermosetting agent AK-75 Alkyung Chemical
  • Irgacure-184 Ciba -Geigy
  • Acrylic resin SG-70L (weight average molecular weight 900000g / mol, glass transition temperature -13 °C-Nagase Chemtech) 30kg, cresol novolac epoxy resin YDCN-500-1P (weight average molecular weight 100000g / mol, Kukdo Chemical) 4.5 kg, cresol novolac-based curing agent MY721 (Huntsman) 4.5 kg, imidazole-based curing catalyst 10 g 2P4MZ (Shikoku Chemical Co., Ltd.), aminogylsilane coupling agent 100 g KBM-573 (Shin Yetsu Co., Ltd.) and spherical silica filler PLS-6XS (Tatsumori ) 0.5 kg was mixed.
  • the adhesive layer composition was prepared by first dispersing at 700 rpm for 2 hours and then milling.
  • the coating of the photocurable pressure-sensitive adhesive layer composition of Preparation Example 1 by using a pilot coating equipment after lamination at 25 °C to a polyolefin film After the aging for 3 days in a dry chamber at 40 °C to prepare a photocurable adhesive layer on a polyolefin film.
  • the adhesive layer composition of Preparation Example 2 was coated on a surface of another polyethylene terephthalate release film of 38 ⁇ m thickness (SRD-T38, Saehan Media) by using a pilot coating equipment to 20 ⁇ m, and dried at 100 °C for 10 minutes Later, the polyethylene terephthalate release film (SRD-T38, Saehan media) was subjected to lamination at a temperature of 80 °C and then aged for 3 days in a drying chamber of 25 °C to prepare an adhesive layer.
  • SRD-T38 polyethylene terephthalate release film of 38 ⁇ m thickness
  • the adhesive film and the adhesive film are laminated under conditions of 25 ° C. and 1 to 10 kgf / cm 2, leaving a wafer shape and a pattern adhesive film larger than the wafer adhesive layer in the adhesive film, and removing the remainder using a cutting facility.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly of Example 1 in which the widthwise length of the pattern adhesive layer was implemented as 5 cm, was manufactured.
  • An adhesive tape for semiconductor assembly of Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1, with the widthwise length of the pattern adhesive layer being 11 cm as shown in FIG. 3.
  • An adhesive tape for semiconductor assembly was prepared in the same manner as in Example 1 except that the additional pattern adhesive layer 8 was further embodied 2 cm apart from the pattern adhesive layer 4 as shown in FIG. 4.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly of Comparative Example 2 was manufactured by the same method as Example 1 or Example 2 except that a straight pattern adhesive layer as shown in FIG. 6 was formed at both ends of the length direction of the roll.
  • both ends in the thickness direction of the adhesive tape 200 wound on the reel 230 are fixed with the fixing jig 210, and the center of one end in the longitudinal direction of the adhesive tape 200 is fixed.
  • the center jig 220 was pushed (x direction in FIG. 7) to measure its pulling length.
  • Example 1 Example 2
  • Example 3 Comparative Example 1 Comparative Example 2 Presence of transcription ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Mounting void ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Chipping / Chip Cracks ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Winding foam stability ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • the adhesive tape for semiconductor assembly of the present invention has no transfer marks and also has excellent winding foam stability.
  • the adhesive tape for semiconductor assembly of the present invention is free of mounting voids.
  • there is no pattern adhesive layer, or the adhesive tape for a semiconductor assembly in which a straight pattern adhesive layer is formed there were transfer marks and mounting voids, and it was found that the winding foam stability was not good due to the pulling phenomenon.

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Abstract

본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는, 이형필름, 상기 이형필름 상에 형성된 원형 모양의 접착층, 상기 접착층을 덮고 상기 접착층의 주위에서 상기 이형필름에 접촉하도록 설치된 원형 모양의 점착필름, 및 상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름을 포함하며, 상기 패턴 점착필름 아래에 상기 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층이, 상기 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 조립용 접착 테이프
본 발명은 반도체 조립용 접착 테이프에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 이형필름, 상기 이형필름 상에 형성된 원형 모양의 접착층, 상기 접착층을 덮고 상기 접착층의 주위에서 상기 이형필름에 접촉하도록 설치된 원형 모양의 점착필름, 및 상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름을 포함하는 반도체 조립용 접착 테이프에 있어서, 상기 패턴 점착필름 아래에 상기 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층이 상기 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 조립용 접착 테이프에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는 프리-컷(pre-cut) 롤 권취 방식의 다단 적층 반도체 조립용 테이프에서 롤 권취 압력에도 전사 자국을 최소화할 수 있고, 접착층과 점착필름을 라미네이팅하는 초기 순간의 압착력을 높일 수 있어 보이드 발생을 줄일 수 있으며, 이형필름과의 마찰로 인해 와인딩 폼 안정성을 확보함으로써 쏠림 개선 효과를 가질 수 있다.
최근 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단 분리(다이싱)할 때의 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하기 위하거나, 스택 패키지에 있어서는 반도체 칩끼리 적층, 접착하기 위한 다이본딩 필름의 2개의 기능을 겸비하는 다이싱·다이본딩 테이프가 개발되어 있다.
현재 대부분의 반도체 조립용 다이싱·다이본딩 테이프는 프리-컷 방식의 롤 권취 구조를 갖고 있으며, 보통 200컷에서 300컷 사이의 다단 적층 구조를 갖고 있다. 이러한 구조의 특성상 내원을 이루는 절연성 접착층과 외원의 점착필름 사이에는 절연성 접착층의 두께만큼 단차가 발생하여 롤 권취 형태로 누적 적층될수록 내원인 절연성 접착층의 말단이 눌려 부분 원형의 전사 자국이 발생할 수 있고 심하면 접히게 될 수도 있다. 또한 롤의 엣지 부분에 별도의 절연성 접착층을 두는 경우(일본 특허 출원 공개 제2009-231382호)에는 이형필름상에 설치된 원형 모양의 접착층과 점착필름을 라미네이팅할 때 롤의 엣지 부분의 절연성 접착층의 두께로 인해 접착층과 점착필름의 초기 압착력이 불충분하게 되고, 이는 접착층과 점착필름 사이에 마운팅 보이드의 발생을 야기하여 불량률 증가의 원인이 된다. 구체적으로 웨이퍼 마운팅시 보이드 발생은 소잉(sawing) 작업시 칩 크랙 및 칩핑 등의 문제를 발생시킬 수 있다.
또한, 상기 롤의 엣지 부분의 절연성 접착층을 갖는 접착 테이프를 릴에 감았을 때 좌우로 쉽게 이동하여 프리-컷 타입의 마운팅시 서클 내 웨이퍼가 정 위치에 부착되지 않는 문제가 발생하게 한다.
따라서, 프리-컷 롤 권취 방식에서 절연성 접착층의 다단 적층에 의해 발생하는 전사 자국 불량을 해소할 수 있고, 접착층과 점착필름을 라미네이팅할 때 접착층과 점착필름의 불충분한 초기 압착력으로 인한 마운팅 보이드 발생, 칩 크랙이나 칩핑의 문제를 개선하며, 와인딩 폼 안정성을 유지하여 쏠림 개선 효과를 갖는 반도체 조립용 접착 테이프를 개발할 필요가 있다.
이에 본 발명은 롤의 길이 방향 양단부에 원형 모양의 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층을, 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성시킴으로써 상기 문제를 해결하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 목적은 프리-컷 롤 권취 방식에서 절연성 접착층의 다단 적층에 의해 발생하는 전사 자국 불량을 해소할 수 있는 반도체 조립용 접착 테이프를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이형필름상에 설치된 원형 모양의 접착층과 점착필름을 라미네이팅할 때 롤의 엣지 부분의 접착층의 두께로 인해 접착층과 점착필름의 초기 압착력이 불충분하게 되고 이로 인해 접착층과 점착필름 사이에 마운팅 보이드가 발생하는 문제점을 극복할 수 있는 반도체 조립용 접착 테이프를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한, 웨이퍼 소잉(sawing) 작업시 칩 크랙 및 칩핑 등의 문제를 개선하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 프리-컷 롤 권취 방식에서 와인딩 폼 안정성을 유지하여 쏠림 개선 효과를 갖는 반도체 조립용 접착 테이프를 제공하는 것이다.
본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는, 이형필름, 상기 이형필름 상에 형성된 원형 모양의 접착층, 상기 접착층을 덮고 상기 접착층의 주위에서 상기 이형필름에 접촉하도록 설치된 원형 모양의 점착필름, 및 상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름을 포함하며, 상기 패턴 점착필름 아래에 상기 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층이, 상기 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
일 구체예에서, 상기 패턴 접착층의 폭방향 길이가 상기 패턴 점착필름의 폭방향 길이와 같거나 작을 수 있다. 일 구체예에서, 상기 패턴 접착층의 폭방향 길이가 2cm 내지 12cm일 수 있다.
일 구체예에서, 반도체 조립용 접착 테이프는 상기 패턴 접착층으로부터 이형필름의 길이 방향으로 2cm 이상 이격되어 위치하는 추가의 패턴 접착층을 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 상기 이격 거리는 4cm 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 조립용 접착 테이프는 프리-컷 롤 권취 방식에서 접착층의 다단 적층에 의해 발생하는 전사 자국 불량을 해소할 수 있다.
또한, 이형필름상에 설치된 원형 모양의 접착층과 점착필름을 라미네이팅할 때 초기 압착력을 개선하여 접착층과 점착필름 사이에 보이드가 발생하는 문제점을 해소할 수 있다. 또한 본 발명은 점착필름과 이형필름을 라미네이팅할 때 발생한 void가 빠져나갈 수 있는 채널이 존재하여 void 불량을 해소할 수 있다. 또한 본 발명은 패턴 접착층의 패턴 형태를 개선하여 패턴 접착층과 이형필름의 접착으로 인한 풀림 불량을 해소할 수 있다. 또한 본 발명은 패턴 접착층의 사이즈를 개선하여 패턴 접착층에 의한 전사자국 발생 문제를 해소할 수 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 소잉(sawing) 작업시 칩 크랙 및 칩핑 등의 문제를 개선시킬 수 있으며, 프리-컷 롤 권취 방식에서 와인딩 폼 안정성을 유지하여 쏠림 개선 효과를 갖는 반도체 조립용 접착 테이프를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 폭길이 5cm의 패턴 접착층을 갖는 반도체 조립용 접착 테이프의 도면이다.
도 2a는 상기 도 1의 반도체 조립용 접착 테이프의 A구간 한 중앙의 단면도이고, 도 2b는 B구간의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 구체예에 따른 폭길이 11cm의 패턴 접착층을 갖는 반도체 조립용 접착 테이프의 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 구체예에 따른 추가적 패턴 접착층을 갖는 반도체 조립용 접착 테이프의 도면이다.
도 5는 비교예 1에 따른 패턴 접착층이 없는 반도체 조립용 접착 테이프의 도면이다.
도 6은 비교예 2에 따른 일직선 형태의 패턴 접착층을 갖는 반도체 조립용 접착 테이프의 도면이다.
도 7은 와인딩 형태 안정성 평가를 설명하기 위한 단면도, 도 8은 도 7의 A방향에서 바라 본 일측면도, 도 9은 도 7의 B 방향에서 바라 본 타측면도이다.
본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는,
이형필름,
상기 이형필름 상에 형성된 원형 모양의 접착층,
상기 접착층을 덮고 상기 접착층의 주위에서 상기 이형필름에 접촉하도록 설치된 원형 모양의 점착필름, 및
상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름을 포함하며, 상기 패턴 점착필름 아래에 상기 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층이 상기 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 비연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 패턴 접착층을 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성시킴으로써 이형필름상에 설치된 원형 모양의 접착층과 점착필름을 라미네이팅할 때 초기 순간에 롤의 엣지 부분의 접착층의 두께로 인해 접착층과 점착필름의 압착력이 불충분해지는 것을 개선시켜 접착층과 점착필름 사이에 마운팅 보이드의 발생을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 패턴 접착층으로 인해 프리-컷 롤 권취 방식에서 접착층의 다단 적층에 의해 발생하는 전사 자국 불량을 해소할 수 있다.
본 발명에서 패턴 접착층의 모양은 특별히 한정되지 않으나, 접착층과 점착필름의 라미네이팅시 초기 압착력을 증가시킨다는 관점에서 롤의 중앙 방향으로 볼록한 포물선 모양이 바람직하다.
본 발명에 따른 패턴 접착층은 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성될 수 있으나 접착층과 점착필름의 불충분한 초기 압착력을 개선시킨다는 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위 내에서 패턴 접착층이 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선 사이를 약간 벗어나 연장되어 존재할 수 있다.
상기 패턴 접착층의 폭방향 길이(X)는 상기 패턴 점착필름의 폭방향 길이(Y)와 같거나 짧을 수 있다.
바람직하게 상기 패턴 접착층의 폭방향 길이는 2cm 내지 12cm이며, 더욱 바람직하게는 4cm 내지 11cm이다.
본 발명에 따른 반도체 조립용 접착 테이프는 상기 패턴 접착층으로부터 이형필름의 길이 방향으로 2cm 이상 이격되어 위치(이격 거리는 도 4에서 B의 길이로 측정될 수 있다)하며 이형필름의 길이 방향의 양단부에 비연속적으로 형성되어 있는 추가의 패턴 접착층을 포함할 수 있다. 상기 이격되는 거리는 바람직하게 4cm 이상이다.
상기 추가의 패턴 접착층으로 인해 롤 권취 압력을 감소시켜 전사 자국 불량을 추가로 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프(7)의 일 구체예를 나타낸 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이형필름(6) 위에 원형 모양의 접착층(1), 상기 접착층을 덮는 원형 모양의 점착필름(2), 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름(3) 및 상기 패턴 점착필름 아래 형성된 패턴 접착층(4)의 구조를 갖는다. 상기 패턴 접착층(4)은 원형 모양의 접착층 원주의 폭방향 접선(a)과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선(b) 사이에 이형필름의 길이 방향의 양단부에 형성될 수 있다. 본 발명의 일 양태에서, 패턴 접착층의 폭방향 길이(X)는 상기 패턴 점착필름의 폭방향 길이(Y) 보다 짧다.
도 2a는 도 1의 반도체 조립용 접착 테이프에 있어서 접착층 원주의 폭방향 접선(a)과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선(b) 사이 중앙 부분의 횡단면을 도시한 것으로 길이 방향 양단부에 패턴 점착필름(3)과 패턴 접착층(4)이 형성되어 있다. 도 2b는 도 1의 반도체 조립용 접착 테이프에 있어서 접착층 원주의 양 폭방향 접선들(b와 c) 사이의 횡단면을 도시한 것으로 중앙 부위에 접착층(1)과 점착필름(2)의 적층 구조와, 길이 방향 양단부에 패턴 점착필름(3)이 형성되어 있다.
도 3은 본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프의 다른 일 구체예를 나타낸 것으로, 도 1의 반도체 조립용 접착 테이프는 패턴 접착층의 폭방향 길이가 5cm인 반면, 도 3의 반도체 조립용 접착 테이프는 패턴 접착층의 폭방향 길이가 11cm인 점에서 차이가 있다.
도 4는 패턴 접착층(4) 외에 추가의 패턴 접착층(8)을 갖는 본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프의 일예를 도시한다. 상기 추가의 패턴 접착층(8)은 패턴 접착층(4)으로부터 이형필름의 길이 방향으로 2cm 이격(a와 c사이의 거리)되어 패턴 점착필름 아래에 패턴 점착필름과 동일한 폭방향 길이로 형성되어 있다.
본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는 이형필름, 접착층(또는 절연성 접착층), 점착필름 (점착층(또는 광경화 점착층) 및 기재필름)의 순으로 적층될 수 있으며, 이하에서는 상기 각 구성을 상세히 설명한다.
(1) 점착필름(또는 패턴 점착필름)
본원에서 점착필름 또는 패턴 점착필름은 기재필름 상에 점착층이 두께 1-30㎛ 정도로 코팅되어 있는 것을 말한다.
1) 기재필름
기재필름은 종래에 이면연삭공정(back grinding) 공정 및 다이싱 공정시 사용되던 테이프의 기재필름과 동일할 수 있다. 이면연삭공정용 테이프의 기재필름으로써 다양한 플라스틱 필름이 사용될 수 있는데, 그 중에서도 열가소성의 플라스틱 필름이 사용될 수 있다.
기재필름은 익스팬딩(expanding)이 가능한 것이어야 한다. 이면연삭 공정 중 발생하는 물리적 충격을 웨이퍼가 받으면 크랙이 발생하거나 깨져서 회로 설계된 웨이퍼가 손상받는다. 따라서 기재필름이 열가소성 및 익스팬딩이 가능한 필름이어야 한다는 의미는 소잉(Sawing) 공정에 의한 물리적 충격을 필름이 흡수하여 충격을 완화시킴으로 인해 웨이퍼를 보호해야 한다는 것이다.
기재필름은 익스팬딩이 가능해야 할 뿐만 아니라 자외선 투과성인 것이 바람직하고 특히 기재필름 위에 형성되는 광경화성 점착층은 자외선 경화형 점착 조성물이므로 점착 조성물이 경화 가능한 파장의 자외선에 대해서 투과성이 우수한 필름인 것이 바람직하다. 따라서, 기재필름에는 자외선 흡수제 등이 포함되어서는 안 된다.
기재필름은 화학적으로 안정한 것이어야 한다. 이면연삭 공정 및 다이싱 공정시 물리적 충격도 크지만 CMP 슬러리에 의해 폴리싱이 진행되므로 이에 접하는 기재필름은 화학적으로 안정한 것이어야 한다. 일반적으로 폴리머 형태, 특히 폴리 올레핀계 고분자는 화학적으로 안정하므로 기재필름으로 적합하다.
기재필름의 예로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌과 프로필렌의 공중합체, 폴리-1부텐, 에틸렌과 초산비닐의 공중합체, 폴리에틸렌과 스타이렌부타디엔 고무의 혼합물, 폴리비닐클로라이드 필름 등의 폴리올레핀계 필름 등이 주로 사용될 수 있는데, 이들에 제한되지 않는다.
기재필름은 주로 폴리올레핀 칩을 블렌딩하여 용융시켜 압출 방식으로 필름을 형성할 수도 있고 블로잉 방식으로도 필름을 형성 할 수도 있다. 블렌딩하는 칩의 종류에 따라 형성되는 필름의 내열성 및 기계적 물성이 결정된다. 상기 제조되는 기재필름은 점착층과의 접착력을 증가시키기 위하여 표면 개질을 하는 것이 바람직하다. 표면 개질은 물리적 방법, 화학적 방법 모두 가능하며 물리적 방법으로는 코로나 처리나 플라즈마 처리를 할 수 있고, 화학적 방법으로는 인라인코팅 처리 내지 프라이머 처리 등의 방법을 사용할 수 있는데, 이들에 제한되지는 않는다.
기재필름의 두께는 작업성, 자외선 투과성 등의 측면에서 통상 30~300㎛가 바람직하다. 상기 범위 내에서, 자외선 조사시 발생하는 열에 의해 필름이 변형되지 않고 다이싱 공정시 발생하는 물리적 충격을 충분히 완화시켜줄 수 있다. 또한, 설비상 완제품 한 롤의 길이가 길이 않으므로 롤 교체 시간의 증가로 인해 추가 비용이 발생하지 않는다. 요철이 심한 웨이퍼 표면을 충진하기 위해서는 기재필름은 50~200㎛가 보다 바람직하다.
2) 점착층 (또는 패턴 점착층)
본 발명에서 점착층은 열에 의해 경화되거나 자외선 조사에 의해 경화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 점착층은 광 개시제를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다.
광개시제 없이 열에 의해 경화될 수 있는 열경화제로는 이소시아네이트계, 에폭시계, 아지리딘계, 멜라민계, 아민계, 이미드계, 카르보디이미드계 및 아미드계로 이루어진 등이 사용될 수 있으나, 반드시 이들에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 이소시아네이트계 열 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들면 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 수소화 트릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실렌 디이소시아네이트, 1,4-크실렌 디이소시아네이트, 디페닐 메탄-4,4-디이소시아네이트, 1,3-비스이소시아나토메틸 시클로헥산, 테트라 메틸 크실렌 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메티롤프로판의 트릴렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리메티롤프로판의 크실렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트, 메틸렌 비스 트리 이소시아네이트 등이 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
광경화성 점착층으로는 특별히 제한은 없고 자외선 조사 전에는 강한 택(Tack)으로 상부의 절연성 접착층 및 웨이퍼를 강하게 지지하여 이면 연삭 및 다이싱 공정시 흔들리거나 움직여 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하고 각 층의 계면으로 CMP 등의 화학 물질이 침투하는 것을 방지하고 자외선 조사 후에는 점착층이 가교 반응에 의해 도막 응집력이 증가하고 수축하여 절연성 접착층과의 계면에서 접착력이 현저히 감소함으로써 릴(Reel) 형태의 접착 테이프에 의해 절연성 접착층이 부착된 웨이퍼로부터 광경화성 점착층과 기재필름이 쉽게 박리되는 것이면 어느 것이나 가능하다.
광경화성 점착층은 측쇄에 자외선 경화가 가능한 탄소-탄소 이중결합을 도입한 (메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 단량체를 포함할 수 있다.
(메타)아크릴레이트는 말단으로 탄소수 1개 내지 10개의 알킬기를 갖는 알킬 (메타)아크릴레이트, 말단에 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트, 말단에 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴레이트 등이 될 수 있다.
(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 단량체 이외에 열경화제, 광개시제 등을 포함할 수 있다.
(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 단량체는 광경화성 점착층 중 고형분 기준으로 90-99중량%로 포함될 수 있다.
열경화제는 점착 바인더 측쇄에 도입된 관능기와 반응하여 경화할 수 있는 것이면 어느 것이든 가능하다. 측쇄에 도입된 관능기가 카르복실계인 경우에는 주로 경화제로 에폭시계를 많이 사용하며 측쇄에 도입된 관능기가 히드록실계이면 이소시아네이트 경화제를 주로 사용한다. 이 외에도 멜라민계 등을 사용할 수 있으며 에폭시계, 이소시아네이트계, 멜라민계 등을 2성분 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
광개시제로는 케톤계, 아세토페논계 등 자외선에 의해 분자 사슬이 끊겨 라디칼을 생성할 수 있는 것이면 어느 것이든 가능하다. 광개시제를 첨가하면 점착층 성분 중 점착바인더 측쇄의 탄소-탄소 이중결합이 라디칼에 의해 가교 반응을 하고 가교반응에 의해 점착층의 유리전이온도가 상승해 점착층은 택(Tack)을 소실하게 된다. 택(Tack)을 소실하게 되면 상부의 접착층으로부터 박리하는데 힘이 작게 소요된다.
열경화제 및 광개시제는 광경화성 점착층 중 고형분 기준으로 0.1-10중량%로 포함될 수 있다.
광경화성 점착층의 두께는 1-30㎛가 될 수 있다. 상기 범위 내에서, 자외선 조사시 픽업공정이 용이한 수준의 광경화가 충분히 가능하고 링프레임 부착시 점착력을 유지하여 다이싱 공정시 발생하는 물리적 충격에 의한 링프레임 탈리에서 웨이퍼를 충분히 지지해 줄 수 있다. 또한 절연접착층과의 적정수준의 점착성을 유지하기 위해서는 5-20㎛가 보다 바람직하다.
기재필름에 광경화성 점착층을 형성시키는 방법은 직접 코팅할 수도 있고 기재필름 등에 코팅한 후에 건조 완료 후 전사방식에 의해 전사시킬 수도 있다. 광경화 점착층을 형성시키는 도포 방법은 바 코팅, 그라비아 코팅, 콤마 코팅, 리버스 롤 코팅, 어플리케이터 코팅, 스프레이 코팅 등 도막을 형성시킬 수 있는 방식이면 어떤 방식이든 제한이 없다.
(3) 접착층 (또는 패턴 접착층)
접착층은 웨이퍼 표면과 직접 접착하는 접착층으로 WSP의 경우에는 범프 등이 형성된 요철이 큰 표면을 가진 웨이퍼 표면을 보이드 없이 라미네이션해야 하며 이 이후 다이 어태치를 통해 칩 상하간을 강하게 접착시켜야 한다. 즉, 상기 접착층은 최종적으로 칩 상하 간을 부착시키는 접착제로 사용하므로 반도체 패키징 수준의 신뢰성을 만족하기 위한 물성을 가져야 하는 동시에 패키징을 하기 위한 공정성, 즉 마운팅 공정시 요철이 포함된 웨이퍼면을 보이드 없이 충진시켜 다이싱 공정시 칩핑(Chipping)이나 칩 크랙을 방지하고 다이 어태치 이후에도 스웰링(Swelling)등으로 인한 신뢰도 저하를 발생시키지 않는다. 접착층은 통상 60℃ 근처의 온도에서 회로가 설계된 범프 형성 웨이퍼의 표면에 부착된다.
접착층은 필름 형성능을 갖는 바인더부인 아크릴계 수지와 경화부인 에폭시 수지 및 경화제를 포함할 수 있다.
아크릴계 수지는 필름 형성능이 우수한 열가소성 수지로서 중량평균분자량이 300,000-1,000,000g/mol이 될 수 있고, 유리 전이 온도가 -30 ~ 10℃가 될 수 있다. 아크릴계 수지는 아크릴계 단량체 또는 이와 중합 가능한 단량체를 중합하여 얻을 수 있다. 예를 들면, 아크릴계 수지는 탄소수 2개 내지 10개의 알킬기를 갖는 (메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, 비닐 아세테이트 및 이로부터 변성된 아크릴계 단량체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 단량체를 중합하여 제조된 것일 수 있다. 중합 방법은 특별히 제한되지 않는다.
접착층 중 아크릴계 수지의 함량은 특별히 제한은 없지만, 아크릴계 수지를 제외한 나머지 고형 성분인 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 조성물 100중량부에 대하여 60 중량부 내지 150 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 필름 형성능이 좋아 필름상 접착제가 깨지지 않고 롤상으로 권취하기 쉬우며 100℃이상의 고온에서도 유동성이 높아 칩간 접착시 기포가 발생할 가능성이 적어진다.
에폭시 수지는 경화되어서 접착력을 나타내는 것이면 특별한 제한은 없으나, 경화반응을 하기 위해서는 관능기가 2 이상이어야 하므로, 비스페놀 A형 에폭시 수지나 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 접착층 중 에폭시 수지의 함량은 특별히 제한은 없지만, 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 조성물 100중량부 중 1-50 중량부로 포함될 수 있다.
에폭시 수지를 경화시키기 위한 경화제로써 경화촉진제를 사용할 수 있다. 경화촉진제로는 이미다졸계나 아민계, 페놀계 등을 사용할 수 있으며 경화촉진제는 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 조성물 100중량부 중 0.01-10중량부로 포함될 수 있다.
또한 접착층의 치수 안정 및 내열 특성 향상을 위해 실리카 등의 무기 입자를 첨가할 수 있다. 실리카 등의 무기 입자는 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 조성물 100중량부에 대하여 1-50 중량부로 포함될 수 있다.
또한, 웨이퍼 표면과 접하는 접착층에는 웨이퍼와의 부착력을 증가시키기 위해 다양한 실란 커플링제를 1종 또는 2종 이상의 혼합으로 사용할 수 있다. 실란 커플링제는 통상적으로 알려진 커플링제를 사용할 수 있다. 실란 커플링제는 에폭시 수지, 경화촉진제 및 경화제를 포함하는 조성물 100중량부에 대하여 0.1-10 중량부로 포함될 수 있다.
접착층의 코팅 방식도 균일한 도막 두께를 형성시킬 수 있는 것이면 특별한 제한이 없다. 바람직하게는, 상기 기술된 광경화성 점착층의 형성 방식 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다.
접착층의 코팅 두께는 2-30㎛가 될 수 있다. 상기 범위 내에서, 칩 상하간 접착력이 좋고, 두께가 얇은 반도체 패키징에 적용 가능할 수 있다.
(4) 이형필름
이형필름은 접착층을 외부 이물이나 충격으로부터 보호할 수 있는 것이면 어떤 것이든 가능하다. 일반적으로는 접착층을 코팅하기 위한 주행필름으로 사용하는 필름을 주로 사용한다.
반도체 패키징 공정 중에는 최외곽 보호 필름을 제거하여 공정을 진행하므로 보호필름으로는 제거가 용이한 필름을 사용할 수 있다. 일반적으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용할 수 있다. 또한, 이형성을 더 부여하기 위해서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 표면을 폴리디메틸실록산이나 플루오린계 이형제 등으로 개질시킨 것을 사용할 수도 있다.
이형필름의 두께는 특별히 제한은 없는데, 5-50㎛가 될 수 있다. 상기 범위 내에서, 외부의 물리적 충격으로부터 접착층 및 점착필름을 보호하고 완제품의 적정한 부피 및 무게를 유지하여 작업자가 이동 및 작업시 수월한 작업을 가능하게 해준다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
제조예 1: 점착층 조성물의 제조
20L 4구 플라스크에 유기 용매인 에틸 아세테이트 2.4kg, 톨루엔 1.2kg을 넣고, 한쪽에는 환류 냉각기를, 다른 한쪽에는 온도계를, 또 다른 한쪽에는 드롭핑 펀넬을 설치하였다. 플라스크 용액의 온도를 60℃로 올렸다. 메틸 메타아크릴레이트 510g, 부틸 아크릴레이트 540g, 2-에틸헥실아크릴레이트 2.85kg, 2-히드록시에틸 메타아크릴레이트 1.80kg, 아크릴산 300g을 벤조일 퍼옥사이드 39g의 혼합액을 제조하였다. 상기 제조한 혼합액을 드롭핑 펀넬을 사용하여 60~70℃에서 3시간 동안 적하 하였다. 적하시 교반 속도는 250rpm으로 하였고, 적하 종료 후 60℃에서 3시간 동안 반응물을 숙성시켰다. 메톡시프로필아세테이트 600g, 아조비스이소부티로니트릴 2g을 투입한 후 60℃에서 4시간 동안 유지한 후, 점도 및 고형분을 측정하고 반응을 중지시켰다. 중합후의 점도는 10000 cps이고, 고형분의 함량은 40%이었다. 제조된 아크릴 점착 바인더에 글리시딜 메타아크릴레이트 450g을 투입하고 50℃에서 1시간 정도 반응시키고 제조된 점착 바인더 100g에 2g의 열경화제 AK-75(애경화학), 1g의 광개시제 Irgacure-184(Ciba-Geigy)를 혼합하여 광경화 점착 조성물을 제조하였다.
*제조예 2: 접착층 조성물의 제조
아크릴 수지 SG-70L(중량평균분자량 900000g/mol, 유리전이온도 -13℃ㅡ 나가세켐텍사) 30kg, 크레졸 노볼락계로 이루어진 에폭시수지 YDCN-500-1P(중량평균분자량 100000g/mol, 국도화학사) 4.5kg, 크레졸 노볼락계 경화제 MY721(헌츠만) 4.5kg, 이미다졸계 경화촉매로 2P4MZ(시코쿠화학사) 10g, 아미노실란커플링제로 KBM-573(신예츠사) 100g 및 구형 실리카 충진제 PLS-6XS (Tatsumori) 0.5kg을 혼합하였다. 700rpm에서 2시간 동안 1차 분산시킨 다음 밀링하여 접착층 조성물을 제조하였다.
실시예 1: 반도체 조립용 접착 테이프 제조
두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 일면에 상기 제조예 1의 광경화성 점착층 조성물을 파일럿 코팅 설비를 이용하여 10㎛로 코팅한 후에 폴리올레핀 필름에 25℃에서 라미네이션을 실시한 후 40℃의 건조실에서 3일 동안 에이징하여 폴리올레핀 필름 위에 광경화성 점착층을 제조하였다.
또 다른 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 일면에 상기 제조예 2의 접착층 조성물을 파일럿 코팅 설비를 이용하여 20㎛로 코팅하고, 100℃에서 10분 동안 건조시킨 후에 폴리에틸렌테레프탈레이트 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)에 80℃의 온도에서 라미네이션을 실시한 후 25℃의 건조실에서 3일 동안 에이징하여 접착층을 제조하였다.
상기 제조된 접착필름에 커팅 설비를 이용하여 웨이퍼 형상의 접착층과 패턴 접착층인 필요한 부분을 남기고 나머지를 제거하였다. 그 후, 25℃ 및 1~10 kgf/㎠의 조건하에 상기 접착필름과 점착필름을 라미네이팅하여 점착필름 중 상기 웨이퍼 형상의 접착층보다 큰 웨이퍼 형상 및 패턴 점착필름을 남기고 커팅 설비를 이용하여 나머지를 제거하여 도 1에서와 같이 패턴 접착층의 폭방향 길이가 5cm로 구현된 실시예 1의 반도체 조립용 접착 테이프를 제조하였다.
실시예 2: 반도체 조립용 접착 테이프 제조
패턴 접착층의 폭방향 길이만 도 3과 같이 11cm로 하여 실시예 1과 동일하게 시행하여 실시예 2의 반도체 조립용 접착 테이프를 제조하였다.
실시예 3: 반도체 조립용 접착 테이프 제조
도 4에서와 같이 추가적인 패턴 접착층(8)을 패턴 접착층(4)과 2cm 이격되게 추가로 구현시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 반도체 조립용 접착 테이프를 제조하였다.
비교예 1: 반도체 조립용 접착 테이프 제조
*롤의 길이 방향 양단부에 패턴 접착층 없이 패턴 점착필름 만을 형성시킨 것을 제외하고는 실시예 1이나 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하여 도 5에 도시된 바와 같은 비교예 1의 반도체 조립용 접착 테이프를 제조하였다.
비교예 2: 반도체 조립용 접착 테이프의 제조
*롤의 길이 방향 양단부에 도 6에 도시된 바와 같은 일직선의 패턴 접착층이 형성된 것을 제외하고는 실시예 1이나 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하여 비교예 2의 반도체 조립용 접착 테이프를 제조하였다.
실험예: 반도체 조립용 접착 테이프의 물성 평가
상기 실시예와 비교예에서 제조된 반도체 조립용 접착 테이프에 대하여 하기 기재된 물성을 평가하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
물성 평가 방법
1) 전사자국 유무: 상기 실시예와 비교예에서 제조된 반도체 조립용 접착테이프를 Winder R/M #002(Master Co.Ltd)를 이용하여 5N의 winder tension으로 50m 길이를 와인딩한 다음 25℃에서 24시간 방치 후 전사 자국 유무를 육안으로 평가하였다.
○ : 전사자국 유
× : 전사자국 무
2) 마운팅 보이드: 상기 실시예와 비교예에서 제조된 반도체 조립용 접착 테이프를 Mounter AR-08WM(Aron사)을 사용하여 8인치 x 8인치 x 80㎛의 웨이퍼 표면에 60℃로 열압착시켰다. 그런 다음, 광학 현미경(ME600L, Nikon사)을 이용하여 웨이퍼 표면에 보이드 발생 여부를 평가하였다.
3) 칩핑 / 칩 크랙: 상기 2)에서 마운팅이 완료된 웨이퍼를 DFD-650(Discio사)을 이용하여 크기 10mm x 10mm로 다이싱하고, 100개의 칩들의 표면 및 단면을 관찰하여 칩핑 및 칩 크랙의 발생 여부를 평가하였다.
4) 와인딩 폼 안정성 평가: 상기 실시예와 비교예에서 제조된 반도체 조립용 접착 테이프를 5℃에서 도 7-9에 기재된 방법으로 지그에 부착한 후 20N으로 중심 부분을 20초 동안 밀어 외부 쏠림 길이를 측정하였다.
즉, 도 7-9에서 도시된 것과 같이, 릴(230)에 감긴 접착 테이프(200)의 두께 방향의 양단을 고정 지그(210)로 고정시키고, 접착 테이프(200)의 길이 방향의 일단에 중앙 지그(220)를 설치한 후 상기 중앙 지그(220)를 밀어(도 7의 x 방향) 그 쏠림 길이를 측정하였다.
○ : 쏠림 길이가 20mm 이내
× : 쏠림 길이가 20mm 초과
표 1
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2
전사자국 유무 × × × ○ ○
마운팅 보이드 × × × ○ ○
칩핑/칩 크랙 × × × ○ ○
와인딩 폼 안정성 ○ ○ ○ × ×
상기 표 1에서 살핀 바와 같이, 본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는 전사 자국이 없고 와인딩 폼 안정성도 우수함을 알 수 있다. 특히 본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는 마운팅 보이드가 없음을 알 수 있다. 반면에, 패턴 접착층이 없거나, 일직선의 패턴 접착층이 형성된 반도체 조립용 접착 테이프는 전사자국 및 마운팅 보이드가 있었고, 쏠림 현상이 있어 와인딩 폼 안정성이 좋지 않음을 알 수 있다.
[부호의 설명]
1: 접착층, 2: 점착층, 3: 패턴 점착층, 4: 패턴 접착층, 5: 폭방향 접선, 6: 이형필름, 7: 접착 테이프, 8: 추가적 패턴 접착층, 9: 직선형 접착층, 200: 접착 테이프, 210: 고정 지그, 220: 중앙 지그, 230: 릴

Claims (5)

  1. 이형필름,
    상기 이형필름 상에 형성된 원형 모양의 접착층,
    상기 접착층을 덮고 상기 접착층의 주위에서 상기 이형필름에 접촉하도록 설치된 원형 모양의 점착필름, 및
    상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름을 포함하는 반도체 조립용 접착 테이프에 있어서,
    상기 패턴 점착필름 아래에 상기 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층이 상기 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 비연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 조립용 접착 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴 접착층의 폭방향 길이(X)가 패턴 점착필름의 폭방향 길이(Y)보다 짧은 것을 특징으로 하는, 반도체 조립용 접착 테이프.
  3. 제1항에 있어서, 상기 패턴 접착층의 폭방향 길이가 2cm 내지 12cm인, 반도체 조립용 접착 테이프.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 패턴 접착층으로부터 이형필름의 길이 방향으로 2cm 이상 이격되어 위치하는 추가의 패턴 접착층을 포함하는, 반도체 조립용 접착 테이프.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이격 거리가 4cm 이상인, 반도체 조립용 접착 테이프.
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