WO2013058317A1 - 放射線画像撮影装置 - Google Patents
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Abstract
スイッチング素子と情報変換素子との間に配設される層間絶縁層のクラックの発生を抑制することができ、放射線検出素子の欠陥の発生を抑制する放射線画像撮影装置を提供する。放射線画像撮影装置は、スイッチング素子１０２と、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２を有する第１の層間絶縁層１１６Ｂと、放射線画像情報を電気信号に変換する情報変換素子１０６とを備える。第１の層間絶縁層１１６Ｂにはスイッチング素子１０２と情報変換素子１０６とを接続する第１の接続孔１１６Ｈ１が形成される。第１の接続孔１１６Ｈ１において、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２には３度以上かつ、２０度未満に傾斜角度が設定された第１の内壁面Ｔ１を有する。
Description
本発明は、放射線画像撮影装置に関する。特に、本発明は、スイッチング素子と情報変換素子との間に層間絶縁層を有し、この層間絶縁層に配設された接続孔を通してスイッチング素子と情報変換素子とを接続する放射線検出パネルを備えた放射線画像撮影装置に関する。
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換するＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線画像撮影装置においては、従来のＸ線フィルムやイメージングプレートを用いた放射線画像撮影装置に比べて、即時に画像を確認することができる特徴がある。また、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影（動画撮影）を行うことができる特徴がある。
この種の放射線検出器には種々のタイプが提案されている。例えば、間接変換方式を採用する放射線検出器は、シンチレータを用いて放射線を光に変換し、変換された光をフォトダイオード等のセンサ部によって電荷に変換し、この電荷を蓄積する。蓄積された電荷はＸ線撮影によって得られた撮影画像情報である。放射線画像撮影装置においては、放射線検出器に蓄積された電荷がアナログ信号として読み出され、このアナログ信号はアンプによって増幅された後にアナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換部によってデジタルデータに変換される。
下記特許文献１には、スイッチング素子のドレイン電極上に保護絶縁膜及び層間絶縁膜を配設し、この層間絶縁膜上に光電変換素子を配設した放射線画像検出器が開示されている。スイッチング素子にはＴＦＴが採用されている。光電変換素子は、電荷収集電極、電子注入阻止層、結晶化防止層、光導電層、結晶化防止層、正孔注入阻止層、バイアス電極を順次積層した構造を有する。層間絶縁膜にはコンタクトホールが形成され、光電変換素子の電荷収集電極はコンタクトホールを通してドレイン電極に接続されている。電荷収集電極は２０度以上８０度以下のテーパ角度を有するテーパ形状により構成されている。
この特許文献１に開示された放射線画像検出器においては、電荷収集電極がテーパ形状により構成されているので、ピンホールを生じることなく、電子注入阻止層や正孔注入阻止層を薄く形成することができる。この結果、放射線画像検出器において、ピンホールによる画像欠陥や残像による画像斑を低減することができる。
前述の特許文献１に開示された放射線画像検出器において、層間絶縁膜にはその表面を平坦化することができる樹脂材料が使用されている。放射線画像検出器の製造プロセスにおいては、層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜にコンタクトホールが形成された後に光電変換素子の各層が形成されている。光電変換素子の各層の形成には２００℃～３００℃の熱処理工程が使用されている。このため、光電変換素子の各層と層間絶縁膜との熱膨張係数差によって層間絶縁膜においてコンタクトホールの周囲にクラックを生じることが新たに確認された。クラックの発生は画素欠陥になる。
本発明の目的は、上記事実を考慮し、スイッチング素子と情報変換素子との間に配設される層間絶縁層のクラックの発生を抑制することができ、放射線検出素子の欠陥の発生を効果的に抑制することができる放射線画像撮影装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の放射線画像撮影装置は、一対の主電極を有するスイッチング素子と、主電極上に形成され、第１の有機膜を有する第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁層に形成され、第１の有機膜の底面から上面に渡って開口面積を増加させ第１の有機膜の底面とのなす角度が３度以上、かつ、２０度未満である第１の内壁面を有する第１の接続孔と、第１の有機膜上に形成され、第１の内壁面に沿い第１の接続孔を通して主電極の一方に接続される第１の電極、第１の電極上に配設される情報変換膜及び情報変換膜上に配設される第２の電極を有し、情報変換膜において放射線画像情報を電気信号に変換する情報変換素子と、を備える。
本発明の放射線画像撮影装置においては、スイッチング素子の主電極と情報変換素子の第１の電極との間の第１の層間絶縁層に形成される第１の接続孔の第１の内壁面の傾斜角度が３度以上かつ、２０度未満に設定されている。この第１の内壁面は、第１の層間絶縁層の第１の有機膜と第１の電極を含む情報変換素子との線膨張係数差によって第１の接続孔の周囲において第１の有機膜に発生する応力を緩和し、第１の有機膜にクラックが生じることを抑制する。
また、放射線画像撮影装置において、第１の有機膜の底面に、第１の有機膜の底面に対して垂直に投影した第１の内壁面の両端間の最大幅寸法を、第１の有機膜の膜厚寸法に対して２．７５倍以上かつ、４．００倍以下に設定することが好ましい。
上記構成を採用することにより、第１の接続孔の第１の内壁面の最大幅寸法が第１の有機膜の膜厚寸法に対して２．７５倍以上かつ、４．００倍以下に設定されているので、第１の内壁面の傾斜角度を２０度未満に設定することができる。
更に、放射線画像撮影装置は、第１の接続孔における、第１の有機膜の底面側に形成される第１の開口の平面形状は四隅に一定の曲率半径の円弧を有する方形状であり、第１の有機膜の上面側に形成される第２の開口の平面形状は円形状であることが好ましい。
上記構成を採用することにより、第１の接続孔の第１の内壁面の傾斜角度が２０度未満に設定されている。第１の有機膜の底面側の第１の開口の平面形状が方形状に設定されると、第１の内壁面の傾斜角度が緩やかなので開口面積が増加され、四隅の円弧の曲率半径を増加しつつ隣り合う円弧が結合され、第１の有機膜の上面側の第２の開口の平面形状は円形状になる。このため、第２の開口の周囲において第１の有機膜に発生する応力を緩和することができ、第１の有機膜にクラックが生じることを抑制することができる。
更にまた、第１の層間絶縁層は、シリコン系絶縁膜と、シリコン系絶縁膜上に積層されシリコン系絶縁膜上の膜厚に比べて厚い膜厚を有する第１の有機膜とを備え、第１の接続孔は、シリコン系絶縁膜に形成され、シリコン系絶縁膜の底面から上面に渡って開口面積を増加させシリコン系絶縁膜の底面とのなす傾斜角度が２０度以上９０度未満である第２の内壁面を有することが好ましい。
上記構成を採用することにより、第１の層間絶縁層のシリコン系絶縁膜の第２の内壁面の傾斜角度が２０度以上９０度未満に設定されている。第１の接続孔内においてシリコン系絶縁膜の段差形状が第２の内壁面により緩和されるので、第１の電極のステップカバレッジを向上することができる。従って、第１の電極の段差切れによる断線不良を抑制することができる。
加えて、放射線画像撮影装置の第１の接続孔内において、第１の内壁面と第２の内壁面との間にシリコン系絶縁膜の上面の一部が露出されていることが好ましい。
上記構成を採用することにより、第１の内壁面と第２の内壁面との間にシリコン系絶縁膜の上面の平坦面が存在している。第１の接続孔内において、シリコン系絶縁膜の段差形状がシリコン系絶縁膜の上面の平坦面によって一層緩和されるので、第１の電極のステップカバレッジを向上することができ、第１の電極の段差切れによる断線不良を効果的に抑制することができる。
加えてまた、第２の有機膜を有する第２の層間絶縁層と、第２の層間絶縁層に形成され、第２の有機膜の底面から上面に渡って開口面積を増加させ、第２の有機膜の底面とのなす角度が、第１の内壁面がなす角度よりも大きい第３の内壁面を有する第２の接続孔と、第２の有機膜上に配設され、第３の内壁面に沿い第２の接続孔を通して第２の電極に接続され、電源を供給する電源配線と、を更に備えることが好ましい。
上記構成を採用することにより、情報変換素子上にその第２の電極に電気的に接続される電源配線が配設されている。電源配線は第１の内壁面よりも傾斜角度の大きい第３の内壁面を有する第２の接続孔を通して第２の電極に接続されている。第１の有機膜を有する第１の層間絶縁層と第２の有機膜を有する第２の層間絶縁層とは同様な膜構造を有するにも関わらず、第２の接続孔の第３の内壁面の傾斜角度に比べて、第１の接続孔の第１の内壁面の傾斜角度が小さく設定されている。このため、第１の接続孔の周囲において第１の有機膜に発生する応力を緩和することができ、第１の有機膜にクラックが生じることを抑制することができる。
また、第１の接続孔の、第１の有機膜の上面側に形成される第２の開口径と第１の有機膜の底面側に形成される第１の開口径との開口径比率を、第２の接続孔の、第２の有機膜の上面側に形成される第４の開口径と第２の有機膜の底面側に形成される第３の開口径との開口径比率よりも大きく設定することが好ましい。
上記構成を採用することにより、第１の接続孔の開口径比率が第２の接続孔の開口径比率に比べて大きく設定されている。つまり、第１の層間絶縁層と第２の層間絶縁層とは同様の膜構造を有するにも関わらず、第２の接続孔の第３の内壁面の傾斜角度に比べて第１の接続孔の第１の内壁面の傾斜角度が小さい。このため、第１の接続孔の周囲において第１の有機膜に発生する応力を緩和することができ、第１の有機膜にクラックが生じることを抑制することができる。
更に、第３の開口の平面形状を四隅に第１の曲率半径の第１の円弧を有する方形状とし、第４の開口の平面形状を四隅に第１の曲率半径よりも大きい第２の曲率半径である第２の円弧を有する方形状とすることが好ましい。
上記構成を採用することにより、第２の層間絶縁層に形成される第２の接続孔の第４の開口の平面形状は第３の開口の平面形状に対して相似形状である。これに対して、第１の層間絶縁層に形成される第１の接続孔の第２の開口の平面形状は第１の開口に対して異なる円形状である。従って、第２の開口の平面形状に応力集中がし易い四隅（角部）が存在しなくなるので、第１の接続孔の周囲において第１の有機膜に発生する応力を緩和することができ、第１の有機膜にクラックが生じることを抑制することができる。
更にまた、シリコン系絶縁膜をシリコン窒化膜とし、第１の有機膜は２～４の比誘電率を有するポジ型感光性アクリル系樹脂とすることが好ましい。
上記構成を採用することにより、第１の層間絶縁層のシリコン系絶縁膜はシリコン窒化膜であり、シリコン窒化膜は緻密な膜質を有するのでスイッチング素子を保護する。有機膜はポジ型感光性アクリル系樹脂であり、ポジ型感光性アクリル系樹脂は表面の平坦化を実現して情報変換素子の性能向上を実現する。
加えて、情報変換素子を、放射線から光に変換された放射線画像情報を電気信号に変換する間接変換方式、又は放射線の放射線画像情報を電気信号に変換する直接変換方式により構成することが好ましい。
上記構成を採用することにより、情報変換素子に間接変換方式、直接変換方式のいずれも使用することができる。
加えてまた、情報変換素子に、不透明性又は透明性を有する導電性材料により形成された第１の電極と、複数層の半導体層により形成された情報変換膜と、透明性を有する導電性材料により形成された第２の電極と、を備え、電源配線は情報変換素子の厚さに対して薄い膜厚を有し透明性を有する導電性材料により形成されることが好ましい。
上記構成を採用することにより、情報変換素子はＰＩＮ型構造を有する光電変換素子であり、電源配線は光電変換素子の厚さに比べて薄い膜厚を有する。情報変換素子は、電源配線に比べて厚さが厚い分、第１の接続孔の周囲において第１の有機膜に大きな応力を発生させる。第１の内壁面に傾斜角度を持たせることにより、この応力を緩和することができるので、第１の有機膜にクラックが生じることを抑制することができる。
本発明は、上記構成とすることにより、スイッチング素子と情報変換素子との間に配設される層間絶縁層のクラックの発生を抑制することができ、放射線検出素子の欠陥の発生を効果的に抑制することができる放射線画像撮影装置を提供することができる。
以下、添付の図面を参照しながら本発明の一実施例を説明する。一実施例は放射線画像撮影装置を構築する可搬型の放射線画像検出器（電子カセッテ）に本発明を適用した例を説明するものである。なお、図面において同一機能を有する構成要素には同一符号を付し、重複する説明は適宜省略する。
［放射線画像撮影装置の全体構成］
図１に示すように、一実施例に係る放射線画像撮影装置１０は、放射線照射装置１２と、放射線画像検出器（電子カセッテ）１４と、コンソール１６とを備えて構築されている。放射線照射装置１２は、放射線Ｒを発生し、被検体（例えば、放射線画像を撮影する患者）１８に放射線Ｒを照射する。放射線画像検出器１４は被検体１８を透過した放射線Ｒによって得られる放射線画像情報を生成する。放射線画像検出器１４は持ち運び自在な可搬型である。コンソール１６は、放射線照射装置１２及び放射線画像検出器１４の動作制御を司り、放射線画像検出器１４において生成された放射線画像情報を記憶し、放射線画像情報を表示する等の機能を有する。
図１に示すように、一実施例に係る放射線画像撮影装置１０は、放射線照射装置１２と、放射線画像検出器（電子カセッテ）１４と、コンソール１６とを備えて構築されている。放射線照射装置１２は、放射線Ｒを発生し、被検体（例えば、放射線画像を撮影する患者）１８に放射線Ｒを照射する。放射線画像検出器１４は被検体１８を透過した放射線Ｒによって得られる放射線画像情報を生成する。放射線画像検出器１４は持ち運び自在な可搬型である。コンソール１６は、放射線照射装置１２及び放射線画像検出器１４の動作制御を司り、放射線画像検出器１４において生成された放射線画像情報を記憶し、放射線画像情報を表示する等の機能を有する。
なお、一実施例において、放射線画像検出器１４は、放射線画像情報を記憶する機能を備えていても、又備えていなくてもよい。
［放射線画像検出器の外観構成］
図２に示すように、放射線画像検出器１４は放射線Ｒの照射方向に所定の厚みを持つ平板形状を有する筐体１４０を備えている。筐体１４０は、放射線照射装置１２に対面する側の表面に照射面１４０Ａを有し、この照射面１４０Ａを少なくとも放射線Ｒを透過する材料によって製作している。
図２に示すように、放射線画像検出器１４は放射線Ｒの照射方向に所定の厚みを持つ平板形状を有する筐体１４０を備えている。筐体１４０は、放射線照射装置１２に対面する側の表面に照射面１４０Ａを有し、この照射面１４０Ａを少なくとも放射線Ｒを透過する材料によって製作している。
筐体１４０の内部には放射線検出パネル１４２及び信号処理基板１４４が収納されている。放射線検出パネル１４２は、照射面１４０Ａ側つまり放射線照射装置１２に対面する側に配設され、信号処理基板１４４は照射面１４０Ａに対向する非照射面１４０Ｂ側に配設される。放射線検出パネル１４２は、放射線照射装置１２から照射され被検体１８を透過した放射線Ｒから放射線画像情報を生成する機能を有する。信号処理基板１４４は、放射線検出パネル１４２の動作制御を司り、放射線検出パネル１４２において生成された放射線画像情報のコンソール１６への送信を行う機能を有する。
なお、放射線検出パネル１４２と信号処理基板１４４との間に筐体１４０の機械的強度を高める補強部材が配設されていてもよい。
［放射線画像検出器のシステム構成］
１．放射線検出パネルのシステム構成
図３に示すように、放射線画像検出器１４の放射線検出パネル１４２はＴＦＴマトリックス基板１１６を備えている。ＴＦＴマトリックス基板１１６は、行方向に延在し列方向に一定間隔において複数本配列されたゲート線１１０と、列方向に延在し行方向に一定間隔において複数本配列されたデータ線１１２とを備えている。ゲート線１１０とデータ線１１２との交差部には検出素子１００が配置されている。検出素子１００は、一実施例において放射線Ｒから変換された光（放射線画像情報）を検出し、この光を電気信号（同様に放射線画像情報）に変換した後に一時的に蓄積する（記憶する）。
１．放射線検出パネルのシステム構成
図３に示すように、放射線画像検出器１４の放射線検出パネル１４２はＴＦＴマトリックス基板１１６を備えている。ＴＦＴマトリックス基板１１６は、行方向に延在し列方向に一定間隔において複数本配列されたゲート線１１０と、列方向に延在し行方向に一定間隔において複数本配列されたデータ線１１２とを備えている。ゲート線１１０とデータ線１１２との交差部には検出素子１００が配置されている。検出素子１００は、一実施例において放射線Ｒから変換された光（放射線画像情報）を検出し、この光を電気信号（同様に放射線画像情報）に変換した後に一時的に蓄積する（記憶する）。
検出素子１００は、スイッチング素子（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）１０２と情報変換素子１０６とを備え、スイッチング素子１０２と情報変換素子１０６との直列回路により構成されている。スイッチング素子１０２は、一対の主電極のうち、一方の主電極（例えばドレイン電極。図４中、符号１０２Ｅ）をデータ線１１２に接続し、他方の主電極（例えばソース電極。図４中、符号１０２Ｄ）を情報変換素子１０６の第１の電極（図４中、符号１０６Ａ）に接続する。スイッチング素子１０２のゲート電極（図４中、符号１０２Ａ）はゲート線１１２に接続される。スイッチング素子１０２はゲート電極に供給される駆動信号に従って導通動作（ＯＮ）と非導通動作（ＯＦＦ）との切換えを行う。情報変換素子１０６の第２の電極（図４中、符号１０６Ｅ）は固定電位（電源）に接続されている。情報変換素子１０６は、放射線Ｒから変換された放射線画像情報としての光信号を電気信号に変換し、この電荷として変換された放射線画像情報を一時的に蓄積する。すなわち、一実施例において、情報変換素子１０６には光電変換素子が使用されている。また、情報変換素子１０６には放射線Ｒを直接電気信号に変換する直接変換素子を使用することができる。
２．信号処理基板のシステム構成
放射線画像検出器１４の信号処理基板１４４は、ゲート線ドライバ部２００と、信号処理部２０２と、温度センサ２０４と、画像メモリ２０６と、検出器制御部２０８と、通信部２１０と、電源部２１２とを備えている。
放射線画像検出器１４の信号処理基板１４４は、ゲート線ドライバ部２００と、信号処理部２０２と、温度センサ２０４と、画像メモリ２０６と、検出器制御部２０８と、通信部２１０と、電源部２１２とを備えている。
ゲート線ドライバ部２００は、ＴＦＴマトリックス基板１１６を延在するゲート線１１０に接続され、選択されたゲート線１１０にスイッチング素子１０２の駆動信号を供給する。ゲート線ドライバ部２００は、図３中、作図上、ＴＦＴマトリックス基板１１６の一辺（ここでは左辺）に沿ってそれよりも外側に配設されている。実際には、放射線検出パネル１４２に対向して信号処理基板１４４が配設されているので、ゲート線ドライバ部２００は、ＴＦＴマトリックス基板１１６の一辺に沿ってその非照射面１４０Ｂ側にＴＦＴマトリックス基板１１６と重複して配設されている。
信号処理部２０２は、ＴＦＴマトリックス基板１１６を延在するデータ線１１２に接続され、検出素子１００から読み出される放射線画像情報をデータ線１１２を通して取得する。ゲート線ドライバ部２００と同様に、信号処理部２０２は、図３中、作図上、ＴＦＴマトリックス基板１１６の一辺に隣接する他の一辺（ここでは下辺）に沿ってそれよりも外側に配設されている。実際には、放射線検出パネル１４２に対向して信号処理基板１４４が配設されているので、信号処理部２０２は、ＴＦＴマトリックス基板１１６の他の一辺に沿ってその非照射面１４０Ｂ側にＴＦＴマトリックス基板１１６と重複して配設されている。ゲート線ドライバ部２００、信号処理部２０２以外においても、信号処理基板１４４に搭載された素子、回路及びシステムは、ＴＦＴマトリックス基板１１６に重複して配設されている。
放射線画像が撮影され、放射線検出パネル１４２に放射線画像情報が蓄積されると、まずゲート線ドライバ部２００を用いて１本のゲート線１１０が選択され、このゲート線１１０に駆動信号が供給される。駆動信号の供給によってこのゲート線１１０に接続されたすべての検出素子１００のスイッチング素子１０２が導通状態になり、情報変換素子１０６に一時的に蓄積された放射線画像情報がデータ線１１２を通して信号処理部２０２に読み出される。信号処理部２０２においては、１本のデータ線１１２毎に対応して設けられたサンプルホールド回路（チャージアンプ）に電荷が蓄積される。
信号処理部２０２は、行方向において順次サンプルホールド回路を選択し、サンプルホールド回路に蓄積された放射線画像情報を順次読み出す。１本の選択されたゲート線１１０に接続されたすべての検出素子１００に蓄積された放射線画像情報が読み出されると、ゲート線ドライバ部２００は列方向の次段の１本のゲート線１１０を選択する。同様の処理手順において、信号処理部２０２は、サンプルホールド回路を順次選択し、選択されたゲート線１１０に接続される検出素子１００に蓄積された放射線画像情報の読み出しを行う。放射線検出パネル１４２に蓄積されたすべての放射線画像情報が読み出されると、撮影された二次元の放射線画像が電気信号（電子情報）として取得される。
信号処理部２０２は、その回路構成を省略するが、サンプルホールド回路、マルチプレクサ、アナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換器等を備えている。サンプルホールド回路は、データ配線１１２毎に配設され、検出素子１００からデータ配線１１２を通して伝送された放射線画像情報（電荷信号）を保持する。サンプルホールド回路は、オペアンプ及びコンデンサを有し、電荷信号をアナログ信号（電圧信号：放射線画像情報）に変換する。つまり、サンプルホールド回路は検出素子１００に蓄積された電荷を電圧に変換するチャージアンプとしての機能を有する。
サンプルホールド回路において変換されたアナログ信号はマルチプレクサにシリアルに入力される。このマルチプレクサはアナログデジタル変換器にアナログ信号をシリアルに出力する。アナログデジタル変換器はシリアルに入力されたアナログ信号を順次デジタル信号（放射線画像情報）に変換する。
図３に示すように、信号処理部２０２は画像メモリ２０６に接続されている。信号処理部２０２のアナログデジタル変換器においてデジタル信号に変換された放射線画像情報は画像メモリ２０６にシリアルに記憶される。画像メモリ２０６は所定枚数分の放射線画像情報を記憶可能な記憶容量を備え、放射線画像の撮影が行われる毎に撮影によって得られた放射線画像情報が画像メモリ２０６に順次記憶される。
検出器制御部２０８は、ゲート線ドライバ部２００、信号処理部２０２、温度センサ２０４、画像メモリ２０６、通信部２１０、電源部２１２に接続され、これらの制御を司る。検出器制御部２０８はマイクロコンピュータを備え、このマイクロコンピュータはＣＰＵ（中央演算処理ユニット）２０８Ａ、メモリ２０８Ｂ及び記憶部２０８Ｃを備えて構築されている。メモリ２０８Ｂは、放射線画像検出器１４の制御を実行する処理プログラム等を格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、各種処理プログラムや処理中のデータ等を一時的に格納するＲＡＭ（Random Access Memory）を備えている。記憶部２０８Ｃは、画像メモリ２０６に格納された放射線画像情報等のデータを記憶する不揮発性フラッシュメモリ等によって構築されている。
温度センサ２０４は放射線画像検出器１４の温度、一実施例においては図４に示す蛍光体１４８の下面（非照射面１４０Ｂ側の面）の中央部分の温度を測定する。温度センサ２０４において測定された温度情報は検出器制御部２０８に送られる。検出器制御部２０８は、この温度情報に基づき、放射線画像検出器１４全体の動作の調整を行う。
通信部２１０は、検出器制御部２０８からの制御に基づき、外部機器との間において各種情報の送受信を行う。一実施例に係る通信部２１０は、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）８０２．１１ａ／ｂ／ｇ等に代表される無線ＬＡＮ（Local Area Network）規格に対応した無線通信部であり、無線通信によって各種情報の伝送を行う。具体的には、通信部２１０は、検出器制御部２０８とコンソール１６との間において放射線画像の撮影に関する制御を行う各種情報の送受信、検出器制御部２０８からコンソール１６への放射線画像情報の送信等を行う。
電源部２１２はゲート線ドライバ部２００、信号処理部２０２、画像メモリ２０６、検出器制御部２０８、通信部２１０の各種回路に電力を供給する。一実施例において、電源部２１２は放射線画像検出器１４の可搬性を高めるためにバッテリ（充電可能な二次電池）を内蔵する。各種回路にはこのバッテリから電力が供給される。バッテリィは、放射線画像検出器１４の非使用時等に、図示しない充電器を通して電源に接続され、充電を行う。
一実施例に係る放射線画像検出器１４は、放射線画像の撮影の開始に同期させてコンソール１６から制御信号を受信し動作を開始するのではなく、放射線発生装置１２から照射される放射線Ｒを感知して自動的に動作制御を開始する非同期型（同期フリー型）を採用している。放射線Ｒの感知には、検出素子１００の配列中に埋め込まれこの検出素子１００と同一構造を有する感知センサの出力、又は検出素子１００の配列外に配置された感知センサの出力に基づき行われる。また、放射線Ｒの感知は、放射線Ｒから変換された光を検出するフォトセンサを使用し、このフォトセンサの出力に基づき行ってもよい。
なお、本発明は、非同期型を採用する放射線画像検出器１４に限定されるものではない。本発明は、放射線画像の撮影の開始に同期させてコンソール１６から制御信号を受信し動作を開始する同期型を採用する放射線画像検出器１４に適用してもよい。
［コンソールのシステム構成］
図３に示すように、コンソール１６は、サーバコンピュータとして構築され、ディスプレイ１６１及び操作パネル１６２を備えている。ディスプレイ１６１は放射線画像撮影装置１０の操作メニュー、撮影された放射線画像等を表示するモニターである。操作パネル１６２は、複数の操作キー、スイッチ等を備え、各種情報や操作指示の入力を行う。コンソール１６は、ＣＰＵ１６３と、ＲＯＭ１６４と、ＲＡＭ１６５と、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１６６と、ディスプレイドライバ１６８と、操作入力検出部１６９と、通信部１６７とを備えている。
図３に示すように、コンソール１６は、サーバコンピュータとして構築され、ディスプレイ１６１及び操作パネル１６２を備えている。ディスプレイ１６１は放射線画像撮影装置１０の操作メニュー、撮影された放射線画像等を表示するモニターである。操作パネル１６２は、複数の操作キー、スイッチ等を備え、各種情報や操作指示の入力を行う。コンソール１６は、ＣＰＵ１６３と、ＲＯＭ１６４と、ＲＡＭ１６５と、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１６６と、ディスプレイドライバ１６８と、操作入力検出部１６９と、通信部１６７とを備えている。
ＣＰＵ１６３はコンソール１６の全体の動作の制御を司る。ＲＯＭ１６４はコンソール１６の動作を制御する制御プログラムを含む各種プログラム等を格納する。ＲＡＭ１６５は各種データを一時的に記憶する。ハードディスクドライブ１６６は各種データを記憶し保持する。ディスプレイドライバ１６８はディスプレイ１６１の各種情報の表示の制御を行う。操作入力検出部１６９は操作パネル１６２に対する操作状態の検出を行う。通信部１６７は、放射線発生装置１２との間において曝射条件等の各種情報の送受信を行うとともに、放射線画像検出器１４との間において放射線画像情報等の各種情報の送受信を行う。通信部１６７は、放射線画像検出器１４の通信部２１０と同様に、無線通信によってデータの送受信を行う。
コンソール１６において、ＣＰＵ１６３、ＲＯＭ１６４、ＲＡＭ１６５、ＨＤＤ１６６、ディスプレイドライバ１６８、操作入力検出部１６９及び通信部１６７はシステムバス（共通バス配線）１７０を通して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ１６３はシステムバス１７０を通してＲＯＭ１６４、ＲＡＭ１６５、ＨＤＤ１６６のそれぞれにアクセスを行える。また、ＣＰＵ１６３は、システムバス１７０及びディスプレイドライバ１６８を通してディスプレイ１６１において各種情報の表示の制御を行える。また、ＣＰＵ１６３は、操作入力検出部１６９及びシステムバス１７０を通して操作パネル１６２に対するユーザの操作状態を把握可能である。更に、ＣＰＵ１６３は、システムバス１７０及び通信部１６７を通して、放射線発生装置１２、放射線画像検出器１４のそれぞれとの間において、各種情報の送受信の制御を行える。
［放射線発生装置のシステム構成］
図３に示すように、放射線発生装置１２は、放射線源１２１と、線源制御部１２２と、通信部１２３とを備えている。通信部１２３はコンソール１６との間において曝射条件等の各種情報の送受信を行う。線源制御部１２２は通信部１２３を通して受信された曝射条件に基づいて放射線源１２１の制御を行う。
図３に示すように、放射線発生装置１２は、放射線源１２１と、線源制御部１２２と、通信部１２３とを備えている。通信部１２３はコンソール１６との間において曝射条件等の各種情報の送受信を行う。線源制御部１２２は通信部１２３を通して受信された曝射条件に基づいて放射線源１２１の制御を行う。
線源制御部１２２は前述の放射線画像検出器１４の検出器制御部２０８と同様にマイクロコンピュータを備えている。このマイクロコンピュータのメモリには通信部１２３を通して受信された曝射条件等の情報が格納される。曝射条件には例えば管電圧、管電流、曝射期間を含む情報が少なくとも含まれている。この曝射条件に基づいて、線源制御部１２２は放射線源１２１から放射線Ｒを照射する。
［放射線検出パネルの装置構造］
１．放射線検出パネルの全体構造
一実施例に係る放射線画像検出器１４の放射線検出パネル１４２は、図４に示すように、ＴＦＴマトリックス基板１１６と、ＴＦＴマトリックス基板１１６上に配設された蛍光体（シンチレータ）１４８とを備えている。ここでは、理解し易いように、１個の検出素子１００が図示されている。１個の検出素子１００は最小の解像度の単位になる１画像である。検出素子１００は、絶縁性基板１１６Ａに配設され、この絶縁性基板１１６Ａ上に配設されたスイッチング素子１０２と、その上に配設された情報変換素子１０６とを積層した構造を有する。
１．放射線検出パネルの全体構造
一実施例に係る放射線画像検出器１４の放射線検出パネル１４２は、図４に示すように、ＴＦＴマトリックス基板１１６と、ＴＦＴマトリックス基板１１６上に配設された蛍光体（シンチレータ）１４８とを備えている。ここでは、理解し易いように、１個の検出素子１００が図示されている。１個の検出素子１００は最小の解像度の単位になる１画像である。検出素子１００は、絶縁性基板１１６Ａに配設され、この絶縁性基板１１６Ａ上に配設されたスイッチング素子１０２と、その上に配設された情報変換素子１０６とを積層した構造を有する。
２．蛍光体（シンチレータ）の構造
図４に示すように、ＴＦＴマトリックス基板１１６の最上層には透明絶縁膜１１６Ｅが配設され、この透明絶縁膜１１６Ｅ上に蛍光体１４８が配設されている。蛍光体１４８はＴＦＴマトリックス基板１１６の略全域に配設されている。この蛍光体１４８は、情報変換素子１０６上に透明絶縁膜１１６Ｅを介して配設されているので、蛍光体１４８側（図４中、上側）から入射される放射線Ｒを吸収し光に変換可能であるとともに、絶縁性基板１１６Ａ側（図４中、下側）から入射される放射線Ｒも吸収し光に変換可能である。
図４に示すように、ＴＦＴマトリックス基板１１６の最上層には透明絶縁膜１１６Ｅが配設され、この透明絶縁膜１１６Ｅ上に蛍光体１４８が配設されている。蛍光体１４８はＴＦＴマトリックス基板１１６の略全域に配設されている。この蛍光体１４８は、情報変換素子１０６上に透明絶縁膜１１６Ｅを介して配設されているので、蛍光体１４８側（図４中、上側）から入射される放射線Ｒを吸収し光に変換可能であるとともに、絶縁性基板１１６Ａ側（図４中、下側）から入射される放射線Ｒも吸収し光に変換可能である。
蛍光体１４８が発する光の波長域は可視光域（波長３６０ｎｍ～８３０ｎｍ）に設定される。放射線画像検出器１４において、放射線画像の撮影を可能とするためには、蛍光体１４８が発する光に緑色の波長域を含むことが好ましい。
放射線ＲとしてＸ線を使用しＸ線画像を撮影する場合、蛍光体１４８にはヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましい。更に、蛍光体１４８にはＸ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ～６００ｎｍの波長域にあるタリウムが添加されたヨウ化セシウム（ＣｓＩ（Ｔｌ））、酸硫化ガドリウム（ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ））等を用いることが特に好ましい。ＣｓＩ（Ｔｌ）の可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。なお、本発明において、放射線Ｒは、Ｘ線に限定されるものではなく、少なくとも医療に利用されるγ線、電子線、中性子線、陽子線、重粒子線等の放射線を含む意味において使用されている。
ここで、一実施例において、蛍光体１４８は、基本的にはＴＦＴマトリックス基板１１６つまり放射線検出パネル１４２に対して別部材（別部品）として製作されている。蛍光体１４８は、放射線画像検出器１４の製作過程（組立工程）において、放射線検出パネル１４２に装着される。
３．スイッチング素子（ＴＦＴ）の構造
図４に示すように、検出素子１００のスイッチング素子１０２は絶縁性基板１１６Ａ上に配設されている。スイッチング素子１０２は、絶縁性基板１１６Ａの表面に対して鉛直方向から見た平面視において、情報変換素子１０６に重複する領域（情報変換素子１０６下の領域）に配設されている。つまり、スイッチング素子１０２と情報変換素子１０６とは絶縁性基板１１６Ａ上に立体的に積層しているので、検出素子１００の絶縁性基板１１６Ａの表面と同一平面方向において検出素子１００の占有面積を縮小することができる。
図４に示すように、検出素子１００のスイッチング素子１０２は絶縁性基板１１６Ａ上に配設されている。スイッチング素子１０２は、絶縁性基板１１６Ａの表面に対して鉛直方向から見た平面視において、情報変換素子１０６に重複する領域（情報変換素子１０６下の領域）に配設されている。つまり、スイッチング素子１０２と情報変換素子１０６とは絶縁性基板１１６Ａ上に立体的に積層しているので、検出素子１００の絶縁性基板１１６Ａの表面と同一平面方向において検出素子１００の占有面積を縮小することができる。
スイッチング素子１０２は、ゲート電極１０２Ａと、ゲート絶縁膜１０２Ｂと、活性層（チャネル層）１０２Ｃと、一方の主電極（ドレイン電極）１０２Ｅ及び他方の主電極（ソース電極）１０２Ｄとを備えている。ゲート電極１０２Ａは絶縁性基板１１６Ａの表面上に配設されている。ゲート電極１０２Ａは、一実施例において、ゲート線１１０と同一導電層において同一導電性材料によって形成されている。例えば、ゲート電極１０２Ａには、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ合金、銅（Ｃｕ）若しくはＣｕ合金の単層、又はそれらを主体とした積層膜が使用されている。
ゲート絶縁膜１０２Ｂは、絶縁性基板１１６Ａの表面上の略全域にゲート電極１０２Ａを介して配設されている。ゲート絶縁膜１０２Ｂには、例えばシリコン系絶縁膜、ここではシリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜が使用されている。ＳｉＮｘ膜は例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて成膜されている。
活性層１０２Ｃは、ゲート絶縁膜１０２Ｂの表面上において、ゲート電極１０２Ａに重複して配設されている。主電極１０２Ｄ及び１０２Ｅは、活性層１０２Ｃ上に配設され、ゲート電極１０２Ａ上において互いに離間されている。主電極１０２Ｄ及び１０２Ｅは、一実施例において、同一導電層において同一導電性材料によって形成されている。
一実施例に係る放射線画像検出器１４において、活性層１０２Ｃは、ｎ型（又はｐ型）不純物を有するアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）により構成されている。また、活性層１０２Ｃは非晶質酸化物により形成してもよい。非晶質酸化物にはＩｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ－Ｏ系）を使用することができる。また、非晶質酸化物には、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ｇａ系若しくはＧａ－Ｚｎ－Ｏ系）を使用することが好ましく、更により好ましくはＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が使用される。具体的には、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系非晶質酸化物であって、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましい。特に、ＩｎＧａＺｎＯ４が好適である。活性層１０２Ｃが非晶質酸化物により形成されたスイッチング素子１０２は、Ｘ線等の放射線Ｒを吸収せず、又は吸収したとしても極めて微量に留まるので、ノイズの発生を効果的に抑えられる。
一実施例において、絶縁性基板１１６Ａには液晶用としての無アルカリガラスが使用されている。ここで、スイッチング素子１０２の活性層１０２Ｃに前述の非晶質酸化物を採用し、情報変換素子１０６の後述する第１の半導体層１０６Ｂ～第３の半導体層１０６Ｄに代えて有機光電変換材料を採用した場合、活性層１０２Ｃ及び有機光電変換材料はいずれも低温プロセスにおいて成膜が可能である。従って、絶縁性基板１１６Ａには、半導体基板、石英基板、ガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド（全芳香族ポリアミド）、バイオナノファイバ等の低温プロセスに適した基板材料を使用することができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板が絶縁性基板１１６Ａとして使用可能である。このようなプラスチック製の可撓性基板を採用すれば、放射線画像検出器１４の軽量化を図ることができ、例えば持ち運び、取り扱い等の可搬性が高まる。
また、絶縁性基板１１６Ａには、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を抑制するためのガスバリア層、平坦性或いは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を配設することができる。
一方、絶縁性基板１１６Ａとして使用可能なアラミドは、２００度以上の温度の高温プロセスを採用することができるので、透明電極材料を高温度において硬化させ、透明電極材料の低抵抗化を図れる。また、２００度以上の高温度の半田リフロー工程を含む、ゲート線ドライブ部２００を構築するドライバＩＣの自動実装プロセスにも対応することができる。また、ＩＴＯやガラス基板の熱膨張係数に対して、アラミドの熱膨張係数は近い値を有するので、製造プロセス終了後において絶縁性基板１１６Ａには反りが少なく、絶縁性基板１１６Ａに割れが生じ難い。また、アラミドは、ガラス基板等の機械的強度に対して高い機械的強度を有するので、絶縁性基板１１６Ａの薄型化を図れる。なお、絶縁性基板１１６Ａは、単層基板構造に限定されるものではなく、超薄型ガラス基板にアラミドを積層した複合基板構造を採用してもよい。
また、絶縁性基板１１６Ａとして使用可能なバイオナノファイバはバクテリア（酢酸菌：Acetobacter Xylinum）により産出されるセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合物である。セルロースミクロフィブリル束は、例えば可視光波長に対して１／１０程度の５０ｎｍの微細な幅サイズを有し、かつ高強度、高弾性及び低熱膨張率を有する。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸させ硬化させることによって、繊維を６０～７０％も含有しながら、波長５００ｎｍにおいて約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバを得ることができる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３ｐｐｍ～７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度（４６０ＭＰａ）及び高弾性（３０ＧＰａ）を有し、かつフレキシブル性を備えている。従って、ガラス基板等に比べて、絶縁性基板１１６Ａの薄型化を図ることができる。
主電極１０２Ｄ及び１０２Ｅには、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ若しくはＣｕ合金の単層、又はそれらを主体とした積層膜が使用されている。
主電極１０２Ｄ及び１０２Ｅ上において、絶縁性基板１１６Ａ上の全域には保護膜１０２Ｆが配設されている。この保護膜１０２Ｆはスイッチング素子１０２上を覆いそれを保護する。この保護膜１０２Ｆには、例えばＣＶＤ法を用いて成膜されたシリコン系絶縁膜、具体的にはＳｉＮｘ膜が使用されている。
一実施例において、スイッチング素子１０２の他方の主電極１０２Ｄには引出配線１０２Ｇの一端が電気的に接続されている。符号は付けないが、主電極１０２Ｄと引出配線１０２Ｇとの接続は保護膜１０２Ｆに形成された接続孔を通して行われる。引出配線１０２Ｇの他端は、検出素子１００の領域内（画素内）において、保護膜１０２Ｆ上のスイッチング素子１０２が配設されていない領域まで引き出されている。この引出配線１０２Ｇの他端は情報変換素子１０６（の第１の電極１０６Ａ）に電気的に接続されている。引出配線１０２Ｇは、スイッチング素子１０２と情報変換素子１０６との直接接続を避けることによって、直接接続に伴うスイッチング素子１０２の性能低下を抑制する。引出配線１０２Ｇには例えば透明導電性材料、具体的には酸化錫インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等を使用することができる。なお、本発明においては、スイッチング素子１０２の性能に支障を来さない場合には、引出配線１０２Ｇを設けずに、スイッチング素子１０２（の主電極１０２Ｄ）と情報変換素子１０６（の第１の電極１０６Ａ）とを直接接続してもよい。
４．第１の層間絶縁層及び第１の接続孔の構造
図４に示すように、スイッチング素子１０２の主電極１０２Ｄ及び１０２Ｅを含む絶縁性基板１１６Ａ上の全域には第１の層間絶縁層１１６Ｂが配設されている。スイッチング素子１０２の他方の主電極１０２Ｄは、引出配線１０２Ｇを介在し、第１の層間絶縁層１１６Ｂに形成された第１の接続孔１１６Ｈ１を通して情報変換素子１０６（の第１の電極１０６Ａ）に電気的に接続されている。
図４に示すように、スイッチング素子１０２の主電極１０２Ｄ及び１０２Ｅを含む絶縁性基板１１６Ａ上の全域には第１の層間絶縁層１１６Ｂが配設されている。スイッチング素子１０２の他方の主電極１０２Ｄは、引出配線１０２Ｇを介在し、第１の層間絶縁層１１６Ｂに形成された第１の接続孔１１６Ｈ１を通して情報変換素子１０６（の第１の電極１０６Ａ）に電気的に接続されている。
第１の層間絶縁層１１６Ｂは、一実施例において、シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１と、その上層に形成された第１の有機膜（以下、一実施例においては「第１の感光性有機膜」という。）１１６Ｂ２との積層膜により構成されている。シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１は、層間絶縁層１０２Ｆと同様にスイッチング素子１０２を保護する機能を有し、例えばＣＶＤ法を用いて成膜されたＳｉＮｘ膜により形成されている。ＳｉＮｘ膜は例えば２００ｎｍ～４００ｎｍの膜厚に設定されている。
第１の感光性有機膜１１６Ｂ２は低誘電率を有する感光性の有機材料により成膜された塗布型絶縁膜である。一実施例において、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２には例えば比誘電率εｒが２～４を有するポジ型感光性アクリル系樹脂が使用されている。ポジ型感光性アクリル系樹脂は、メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した有機材料である。第１の感光性有機膜１１６Ｂ２は、塗布法を用いて、例えば１μｍ～４μｍの厚さに塗布される。第１の感光性有機膜１１６Ｂ２においては、下層の引出配線１０２Ｇと上層の情報変換素子１０６の第１の電極１０６Ａとの間に付加される寄生容量を減少することができる。また、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２においては、その表面の平坦化を図ることができ、第１の電極１０６Ａ等のステップカバレッジを向上することができる。
図４、図５、図６及び図７に示すように、第１の接続孔１１６Ｈ１は、シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１に形成された第２の内壁面Ｔ２と、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に形成された第１の内壁面Ｔ１とを備えている。この接続個数に限定されるものではないが、１つの検出素子１００（１画素）に１個の第１の接続孔１１６Ｈ１が配設されている。
特に、図６に示すように、第２の内壁面Ｔ２は、シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の底面（図６中、下側表面）から上面（図６中、上側表面）に渡って開口面積を増加させるテーパ面である。第２の内壁面Ｔ２のシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の底面とのなす角度（傾斜角度）α２は２０度以上９０度未満に設定されている。ここでは、角度α２は、必要以上に開口面積を広げることなく、かつ上層配線（情報変換素子１０６の少なくとも第１の電極１０６Ａ）のステップカバレッジを向上するために、好ましくは３０度～６０度に設定されている。第１の接続孔１１６Ｈ１においてシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１部分の断面形状は順テーパ形状により構成されている。また、図５及び図７に示すように、第１の接続孔１１６Ｈ１においてシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の開口形状は実質的に円形状により構成されている。
同図６に示すように、第１の内壁面Ｔ１は、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の底面（図６中、下側表面）から上面（図６中、上側表面）に渡って開口面積を増加させるテーパ面である。第１の内壁面Ｔ１の第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の底面とのなす角度（傾斜角度）α１は、角度α２に比べて小さい２０度未満に設定されている。第１の接続孔１１６Ｈ１において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２部分の断面形状は順テーパ形状により構成されている。
また、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の底面にそれに対して垂直に投影した第１の内壁面Ｔ１の両端間の最大幅寸法Ｗ１は、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の厚さｔの２．７５倍以上かつ、４．００倍以下の寸法に設定されている。第１の内壁面Ｔ１の両端間の幅寸法とは、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の底面側に形成される第１の開口Ｈ１端と第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の上面側に形成される第２の開口Ｈ２端との間の平面上における寸法である。そして、最大幅寸法Ｗ１とは、第１の内壁面Ｔ１の両端間の幅寸法のうち最も寸法が大きい幅寸法である。
第１の開口Ｈ１の平面形状は四隅に一定の曲率半径Ｒ１の円弧を有する方形状（この形状に限定はされないが、実質的に正方形状）に設定されている。これに対して、第２の開口Ｈ２の平面形状は、曲率半径Ｒ１よりも大きい半径Ｒ２を有する実質的な円形状により構成されている。この第２の開口Ｈ２の開口形状は、角度α１を有する第１の内壁面Ｔ１によって、円弧の曲率半径Ｒ１が半径Ｒ２まで成長し、四隅の隣接する円弧同士が互いに結合された形状である。最大幅寸法Ｗ１は第１の開口Ｈ１端の隣り合う円弧間の中心（端辺の中央）と第２の開口Ｈ２端との間の幅寸法である。
図８は、第１の接続孔１１６Ｈ１において、第１の内壁面Ｔ１の最大幅寸法Ｗ１の変化と、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２のクラック（割れ）の発生との関係を示すデータである。縦軸は最大幅寸法Ｗ１と第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の膜厚ｔと比率を示すアスペクト比を示し、横軸はサンプルＳ１～Ｓ２０を示す。アスペクト比つまり最大幅寸法Ｗ１が２．７５倍未満の場合、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じ又生じる可能性を有するが、２．７５倍以上かつ、４．００倍以下になるとクラックの発生は更に改善されて皆無になる。
一方、図９は、第１の接続孔１１６Ｈ１において、第１の内壁面Ｔ１の傾斜（テーパ）角度α１の変化と、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２のクラック（割れ）の発生との関係を示すデータである。縦軸は第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度α１を示し、横軸はサンプルＳ１～Ｓ２０を示す。傾斜角度α１が２０度以上の場合、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じ又生じる可能性を有するが、２０度未満になるとクラックの発生は皆無になる。また、傾斜角度α１の下限の値は、画素の大きさ、配列または製造プロセス等によって定まり、３度以上であることが好ましく、より好ましくは５度である。従って、傾斜角度α１の範囲は３度以上２０度未満であることが好ましく、より好ましくは５度以上２０度未満である。
なお、第１の内壁面Ｔ１の断面は図４に示すような直線状とは限らず、図１３に示すような情報変換素子１０６側に張り出した湾曲状となる場合がある。このような場合、傾斜角度α１は、以下のようにして算出する。まず、第１の層間絶縁層１１６Ｂの一部をなすシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１と第１の電極１０６Ａの交点をβとし、βから基板１１６Ａと平行にｔ１の距離離間した基板１１６Ａに対する垂線と第１の電極１０６Ａとの交点をγとする。次に、βとγを通る直線を仮想直線とし、この仮想直線とシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１との角度を算出し、算出された角度をα１とする。このとき、ｔ１は３μｍとする。
なお、第１の内壁面Ｔ１の断面は図４に示すような直線状とは限らず、図１３に示すような情報変換素子１０６側に張り出した湾曲状となる場合がある。このような場合、傾斜角度α１は、以下のようにして算出する。まず、第１の層間絶縁層１１６Ｂの一部をなすシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１と第１の電極１０６Ａの交点をβとし、βから基板１１６Ａと平行にｔ１の距離離間した基板１１６Ａに対する垂線と第１の電極１０６Ａとの交点をγとする。次に、βとγを通る直線を仮想直線とし、この仮想直線とシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１との角度を算出し、算出された角度をα１とする。このとき、ｔ１は３μｍとする。
また、図６に示すように、第１の接続孔１１６Ｈ１において、第１の内壁面Ｔ１と第２の内壁面Ｔ２との間には、シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１に上面の一部が最大幅寸法Ｗ２を持って露出されている。このシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の上面の一部を露出させることによって、第１の接続孔１１６Ｈ１内における第１の内壁面Ｔ１と第２の内壁面Ｔ２との間の段差形状を緩和することができる。この段差形状を緩和することによって、上層配線のステップカバレッジを更に向上することができる。
５．情報変換素子の構造
図４及び図５に示すように、一実施例に係る検出素子１００には、ＰＩＮ構造を有し、間接変換方式を採用する情報変換素子１０６が使用されている。情報変換素子１０６は、ＴＦＴマトリックス基板１１６の絶縁性基板１１６Ａ上にスイッチング素子１０２を介在して配設され、第１の電極（下部電極）１０６Ａと、情報変換膜（第１の半導体層１０６Ｂ、第２の半導体層１０６Ｃ及び第３の半導体層１０６Ｄ）と、第２の電極（上部電極）１０６Ｅとを順次積層して構成されている。
図４及び図５に示すように、一実施例に係る検出素子１００には、ＰＩＮ構造を有し、間接変換方式を採用する情報変換素子１０６が使用されている。情報変換素子１０６は、ＴＦＴマトリックス基板１１６の絶縁性基板１１６Ａ上にスイッチング素子１０２を介在して配設され、第１の電極（下部電極）１０６Ａと、情報変換膜（第１の半導体層１０６Ｂ、第２の半導体層１０６Ｃ及び第３の半導体層１０６Ｄ）と、第２の電極（上部電極）１０６Ｅとを順次積層して構成されている。
第１の電極１０６Ａは、絶縁性基板１１６Ａ上であって層間絶縁層１１６Ｂ（第１の感光性有機膜１１６Ｂ２）上に配設され、検出素子１００毎（画素毎）に分割されている。第１の電極１０６Ａは、層間絶縁層１１６Ｂに形成された第１の接続孔１１６Ｈ１を通して、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の第１の内壁面Ｔ１及びシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の第２の内壁面Ｔ２に沿って形成され、引出配線１０２Ｇに接続されている。
第１の電極１０６Ａは、情報変換膜の膜厚が１μｍ前後と厚い場合には導電性を有する材料であれば透明性、不透明性の制限を殆ど受けない。従って、第１の電極１０６Ａには透明又は不透明な導電性材料を使用することができる。透明導電性材料には、例えばＩＴＯ等を使用することができる。不透明な導電性材料には、例えばＡｌ、Ａｌ合金、銀（Ａｇ）等を使用することができる。一方、情報変換膜の膜厚が例えば０．２μｍ～０．５μｍ程度と薄い場合、情報変換膜において光を十分に吸収することができない。この光はスイッチング素子１０２に照射され、スイッチング素子１０２の主電極１０２Ｄ、１０２Ｅ間のリーク電流が増加してしまうので、電極１０６Ａには不透明性つまり遮光性のある導電性材料又はその積層膜を使用することが好ましい。第１の電極１０６Ａに例えばＩＴＯ膜を使用する場合、ＩＴＯ膜は例えばスパッタリング法を用いて成膜し、このＩＴＯ膜の膜厚は例えば５０ｎｍ～２００ｎｍに設定される。
情報変換膜の第１の半導体層１０６Ｂは第１の電極１０６Ａ上に配設され、第２の半導体層１０６Ｃは第１の半導体層１０６Ｂ上に配設され、第３の半導体層１０６Ｄは第２の半導体層１０６Ｃ上に配設されている。一実施例に係る情報変換素子１０６はＰＩＮ構造を採用しており、第１の半導体層１０６Ｂはｎ＋型ａ－Ｓｉ層により構成されている。第２の半導体層１０６Ｃはｉ型ａ－Ｓｉ層により構成されている。第３の半導体層１０６Ｄはｐ＋型ａ－Ｓｉ層により構成されている。第２の半導体層１０６Ｃは、蛍光体１４８により変換された光から電荷（一対の自由電子と自由正孔）を発生させる。第１の半導体層１０６Ｂは、コンタクト層として使用され、第１の電極１０６Ａに電気的に接続される。第３の半導体層１０６Ｄは、同様にコンタクト層として使用され、第２の電極１０６Ｅに電気的に接続される。
第２の電極１０６Ｅは第３の半導体層１０６Ｅ上において個別に配設されている。一実施例において、第２の電極１０６Ｅは、第３の半導体層１０６Ｄ上を覆う第２の層間絶縁層１１６Ｃのシリコン系絶縁膜１１６Ｃ１上に形成されている。第２の電極１０６Ｅは、シリコン系絶縁膜１１６Ｃ１に形成された符号を省略する接続孔を通して、第３の半導体層１０６Ｄに電気的に接続されている。第２の電極１０６Ｅには、透明性が高い、例えばＩＴＯ、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性材料を使用することができる。第２の電極１０６Ｅに例えばＩＴＯ膜を使用する場合、ＩＴＯ膜は例えばスパッタリング法を用いて成膜し、このＩＴＯ膜の膜厚は例えば５０ｎｍ～２５０ｎｍに設定される。
一実施例においては、情報変換膜としての第１の半導体層１０６Ｂ～第３の半導体層１０６Ｄに加えて第１の電極１０６Ａ及び第２の電極１０６Ｅを含み、情報変換素子１０６が構築されている。
なお、情報変換素子１０６はＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）構造を採用してもよい。また、情報変換素子１０６は、間接変換方式ではなく、放射線Ｒ（放射線画像情報）を直接電気信号（放射線画像情報）に変換する直接変換方式により構成してもよい。
６．第２の層間絶縁層及び第２の接続孔の構造
図４、図５及び図７に示すように、情報変換素子１０６の第２の電極１０６Ｅ上を含む絶縁性基板１１６Ａ上の全域には第２の層間絶縁層１１６Ｃが配設されている。第２の層間絶縁層１１６Ｃ上には電源配線１１６Ｄが形成され、この電源配線１１６Ｄは第２の層間絶縁層１１６Ｃに形成された第２の接続孔１１６Ｈ２を通して第２の電極１０６Ｅに電気的に接続されている。
図４、図５及び図７に示すように、情報変換素子１０６の第２の電極１０６Ｅ上を含む絶縁性基板１１６Ａ上の全域には第２の層間絶縁層１１６Ｃが配設されている。第２の層間絶縁層１１６Ｃ上には電源配線１１６Ｄが形成され、この電源配線１１６Ｄは第２の層間絶縁層１１６Ｃに形成された第２の接続孔１１６Ｈ２を通して第２の電極１０６Ｅに電気的に接続されている。
第２の層間絶縁層１１６Ｃは、一実施例において、シリコン系絶縁膜１１６Ｃ１と、その上層に形成された第２の有機膜（以下、一実施例においては「第２の感光性有機膜」という。）１１６Ｃ２との積層膜により構成されている。シリコン系絶縁膜１１６Ｃ１は、シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１と同様に例えばＣＶＤ法を用いて成膜されたＳｉＮｘ膜により形成されている。ＳｉＮｘ膜は例えば２００ｎｍ～４００ｎｍの膜厚に設定されている。第２の感光性有機膜１１６Ｃ２は、情報変換素子１０６による段差形状を緩和するために、平坦化に適した前述の第１の感光性有機膜１１６Ｂ２と同様に、かつ同様の条件により成膜された塗布型絶縁膜により形成されている。
第２の接続孔１１６Ｈ２は第２の感光性有機膜１１６Ｃ２に形成された第３の内壁面Ｔ３を備えている。この接続個数に限定されるものではないが、１つの検出素子１００（１画素）に１個の第２の接続孔１１６Ｈ２が配設されている。第３の内壁面Ｔ３は、第２の感光性有機膜１１６Ｃ２の底面から上面に渡って開口面積を増加させるテーパ面である。第３の内壁面Ｔ３の第２の感光性有機膜１１６Ｃ２の底面とのなす角度（傾斜角度）α３は２０度以上９０度未満に設定されている。ここでは、角度α３は、必要以上に開口面積を広げることなく、上層配線である電源配線１１６Ｄのステップカバレッジを向上するために、好ましくは３０度～６０度に設定されている。更に、電源配線１１６Ｄの膜厚は前述の情報変換素子１０６の全体の厚さに比べて薄く、電源配線１１６Ｄと第２の感光性有機膜１１６Ｃ２との線膨張係数差に伴い、第２の接続孔１１６Ｈ２の周囲において第２の感光性有機膜１１６Ｃ２にはクラックが生じ難い。従って、第３の内壁面Ｔ３の角度α３は第１の内壁面Ｔ１の角度α１に比べて大きく設定されている。
第２の接続孔１１６Ｈ２において第２の感光性有機膜１１６Ｃ２部分の断面形状は順テーパ形状により構成されている。第２の感光性有機膜１１６Ｃ２の底面側の第３の開口Ｈ３の平面形状は四隅に一定の曲率半径の円弧を有する方形状（この形状に限定はされないが、実質的に正方形状）に設定されている。第２の感光性有機膜１１６Ｃ２の上面側の第４の開口Ｈ４の平面形状は、四隅に第３の開口Ｈ３の曲率半径によりも大きな一定の曲率半径の円弧を有する方形状（この形状に限定はされないが、実質的に正方形状）に設定されている。
ここで、前述の第１の層間絶縁層１１６Ｂの第１の接続孔１１６Ｈ１の第２の開口Ｈ２径と第１の開口Ｈ１径との開口径比率は、第２の層間絶縁層１１６Ｃの第２の接続孔１１６Ｈ２の第４の開口Ｈ４径と第３の開口Ｈ３径との開口径比率に比べて大きく設定されている。
７．電源配線の構造
図４及び図５に示すように、電源配線１１６Ｄは、第２の層間絶縁層１１６Ｃ（第２の感光性有機膜１１６Ｃ２）上に配設され、複数の検出素子１００に共通の配線として構成されている。電源配線１１６Ｄは、第２の層間絶縁層１１６Ｃに形成された第２の接続孔１１６Ｈ２を通して、第２の感光性有機膜１１６Ｃ２の第３の内壁面Ｔ３に沿って形成され、第２の電極１０６Ｅに接続されている。
図４及び図５に示すように、電源配線１１６Ｄは、第２の層間絶縁層１１６Ｃ（第２の感光性有機膜１１６Ｃ２）上に配設され、複数の検出素子１００に共通の配線として構成されている。電源配線１１６Ｄは、第２の層間絶縁層１１６Ｃに形成された第２の接続孔１１６Ｈ２を通して、第２の感光性有機膜１１６Ｃ２の第３の内壁面Ｔ３に沿って形成され、第２の電極１０６Ｅに接続されている。
電源配線１１６Ｄには例えばＩＴＯ膜が使用され、ＩＴＯ膜は例えばスパッタリング法を用いて成膜し、このＩＴＯ膜の膜厚は例えば５０ｎｍ～２５０ｎｍに設定される。
［放射線検出器の製造方法］
前述の放射線画像検出器１４の特に第１の層間絶縁層１１６Ｂ及び第１の接続孔１１６Ｈ１の製造方法は以下の通りである。
前述の放射線画像検出器１４の特に第１の層間絶縁層１１６Ｂ及び第１の接続孔１１６Ｈ１の製造方法は以下の通りである。
まず、絶縁性基板１１６Ａ上にスイッチング素子１０２、引出配線１０２Ｇを順次形成した後に、引出配線１０２Ｇ上に第１の層間絶縁層１１６Ｂのシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１が形成される（図１０参照）。シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１は、前述の通り、例えばＣＶＤ法を用いて成膜される。図１０に示すように、シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１上に第１の感光性有機膜１１６Ｂ２が形成される。第１の感光性有機膜１１６Ｂ２は回転塗布（スピンコート）法を用いて成膜される。この第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の表面は平坦化されている。ここで、第１回目のベーキング処理が実施され、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２とその下地のシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１との密着性が高められる。
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、図示しないマスクを使用して第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に露光及び現像を行い、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に接続孔１１６Ｈ３が形成される（図１１参照）。現像には等方性を有するウエットエッチングが使用される。マスクを除去した後、接続孔１１６Ｈ３内に開口を有する別のマスクを新たに形成される。図１１に示すように、このマスクの開口から露出されるシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１がウエットエッチングにより除去される。このウエットエッチングにより、シリコン系絶縁膜１１６Ｂ１に第２の内壁面Ｔ２が形成される。
次に、第２回目のベーキング処理が実施される。第２回目のベーキング処理においては、図１２に示すように、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の突出した形状部分を集中的に溶かし、又接続孔１１６Ｈ３の内壁面が溶けかつ後退する適度なベーキング温度が選択される。この第２回目のベーキング処理が実施されると、傾斜角度α１が３度以上かつ、２０度未満に設定された第１の内壁面Ｔ１を有する第１の接続孔１１６Ｈ１が形成される。
この後、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の脱色を目的として紫外線照射処理、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２を安定に硬化させる第３回目のベーキング処理が実施される。
［実施例の作用効果］
以上説明したように、一実施例に係る放射線画像撮影装置１０においては、スイッチング素子１０２の主電極１０２Ｄと情報変換素子１０６の第１の電極１０６Ａとの間の第１の層間絶縁層１１６Ｂに形成される第１の接続孔１１６Ｈ１の第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度が３度以上かつ、２０度未満に設定されている。この第１の内壁面Ｔ１は、第１の層間絶縁層１１６Ｂの第１の感光性有機膜１１６Ｂ２と第１の電極１０６Ａを含む情報変換素子１０６との線膨張係数差によって第１の接続孔１１６Ｈ１の周囲において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に発生する応力を緩和し、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じることを抑制する。
以上説明したように、一実施例に係る放射線画像撮影装置１０においては、スイッチング素子１０２の主電極１０２Ｄと情報変換素子１０６の第１の電極１０６Ａとの間の第１の層間絶縁層１１６Ｂに形成される第１の接続孔１１６Ｈ１の第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度が３度以上かつ、２０度未満に設定されている。この第１の内壁面Ｔ１は、第１の層間絶縁層１１６Ｂの第１の感光性有機膜１１６Ｂ２と第１の電極１０６Ａを含む情報変換素子１０６との線膨張係数差によって第１の接続孔１１６Ｈ１の周囲において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に発生する応力を緩和し、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じることを抑制する。
また、放射線画像撮影装置１０においては、第１の接続孔１１６Ｈ１の第１の内壁面Ｔ１の最大幅寸法Ｗ１が第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の膜厚寸法ｔに対して２．７５倍以上、かつ４．００倍以下に設定されているので、第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度を３度以上かつ、２０度未満に設定することができる。
また、放射線画像撮影装置１０においては、第１の接続孔１１６Ｈ１の第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度が３度以上かつ、２０度未満に設定されている。第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の底面側の第１の開口Ｈ１の平面形状が方形状に設定されると、第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度が緩やかなので開口面積が増加され、四隅の円弧の曲率半径を増加しつつ隣り合う円弧が結合され、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２の上面側の第２の開口Ｈ２の平面形状は円形状になる。このため、第２の開口Ｈ２の周囲において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に発生する応力を緩和することができ、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じることを更に抑制することができる。
また、放射線画像撮影装置１０においては、第１の層間絶縁層１１６Ｂのシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の第２の内壁面Ｔ２の傾斜角度が２０度以上９０度未満に設定されている。第１の接続孔１１６Ｈ１内においてシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の段差形状が第２の内壁面Ｔ２により緩和されるので、第１の電極１０６Ａのステップカバレッジを更に向上することができる。従って、第１の電極１０６Ａの段差切れによる断線不良を抑制することができる。
また、放射線画像撮影装置１０においては、第１の内壁面Ｔ１と第２の内壁面Ｔ２との間にシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の上面の平坦面が存在している。第１の接続孔１１６Ｈ１内において、シリコン系絶縁膜１１１６Ｂ１の段差形状がシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１の上面の平坦面によって一層緩和されるので、第１の電極１０６Ａのステップカバレッジを更に向上することができ、第１の電極１０６Ａの段差切れによる断線不良を効果的に抑制することができる。
また、放射線画像撮影装置１０においては、情報変換素子１０６上にその第２の電極１０６Ｅに電気的に接続される電源配線１１６Ｄが配設されている。電源配線１１６Ｄは第１の内壁面Ｔ１よりも傾斜角度の大きい第３の内壁面Ｔ３を有する第２の接続孔１１６Ｈ２を通して第２の電極１０６Ｅに接続されている。第１の感光性有機膜１１６Ｂ２を有する第１の層間絶縁層１１６Ｂと第２の感光性有機膜１１６Ｃ２を有する第２の層間絶縁層１１６Ｃとは同様な膜構造を有するにも関わらず、第２の接続孔１１６Ｈ２の第３の内壁面Ｔ３の傾斜角度に比べて、第１の接続孔１１６Ｈ１の第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度が小さく設定されている。このため、第１の接続孔１１６Ｈ１の周囲において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に発生する応力を緩和することができ、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じることを更に抑制することができる。
また、放射線画像撮影装置１０においては、第１の接続孔１１６Ｈ１の開口径比率が第２の接続孔１１６Ｈ２の開口径比率に比べて大きく設定されている。つまり、第１の層間絶縁層１１６Ｂと第２の層間絶縁層１１６Ｃとは同様の膜構造を有するにも関わらず、第２の接続孔１１６Ｈ２の第３の内壁面Ｔ３の傾斜角度に比べて第１の接続孔１１６Ｈ１の第１の内壁面Ｔ１の傾斜角度が小さい。このため、第１の接続孔１１６Ｈ１の周囲において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に発生する応力を緩和することができ、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じることを更に抑制することができる。
また、放射線画像撮影装置１０においては、第２の層間絶縁層１１６Ｃに形成される第２の接続孔１１６Ｈ２の第４の開口Ｈ４の平面形状は第３の開口Ｈ３の平面形状に対して相似形状である。これに対して、第１の層間絶縁層１１６Ｂに形成される第１の接続孔１１６Ｈ１の第２の開口Ｈ２の平面形状は第１の開口Ｈ１に対して異なる円形状である。従って、第２の開口Ｈ２の平面形状に応力集中がし易い四隅（角部）が存在しなくなるので、第１の接続孔１１６Ｈ１の周囲において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に発生する応力を緩和することができ、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じることを更に抑制することができる。
また、放射線画像撮影装置１０において、第１の層間絶縁層１１６Ｂのシリコン系絶縁膜１１６Ｂ１はシリコン窒化膜であり、シリコン窒化膜は緻密な膜質を有するのでスイッチング素子１０２を保護する。第１の感光性有機膜１１６Ｂ２はポジ型感光性アクリル系樹脂であり、ポジ型感光性アクリル系樹脂は表面の平坦化を実現して情報変換素子１０６の性能向上を実現する。
また、放射線画像撮影装置１０においては、情報変換素子１０６に間接変換方式、直接変換方式のいずれも使用することができる。
また、放射線画像撮影装置１０においては、情報変換素子１０６はＰＩＮ型構造を有する光電変換素子であり、電源配線１１６Ｄは光電変換素子の厚さに比べて薄い膜厚を有する。情報変換素子１０６は、電源配線１１６Ｄに比べて厚さが厚い分、第１の接続孔１１６Ｈ１の周囲において第１の感光性有機膜１１６Ｂ２に大きな応力を発生させる。第１の内壁面Ｔ１に傾斜角度を持たせることにより、この応力を緩和することができるので、第１の感光性有機膜１１６Ｂ２にクラックが生じることを更に抑制することができる。
（その他の実施例）
以上、本発明を一実施例を用いて説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
以上、本発明を一実施例を用いて説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
１０ 放射線画像撮影装置
１２ 放射線照射装置
１４ 放射線画像検出器（電子カセッテ）
１４０ 筐体
１４２ 放射線検出パネル
１４４ 信号処理基板
１４８ 蛍光体（シンチレータ）
１６ コンソール
１００ 検出素子
１０２ スイッチング素子（ＴＦＴ）
１０２Ｄ、１０２Ｅ 主電極
１０６ 情報変換素子（光電変換素子）
１０６Ａ 第１の電極
１０６Ｂ 第１の半導体層
１０６Ｃ 第２の半導体層
１０６Ｄ 第３の半導体層
１０６Ｅ 第２の電極
１１０ ゲート線
１１２ データ線
１１６Ｂ 第１の層間絶縁層
１１６Ｂ１、１１６Ｃ１ シリコン系絶縁膜
１１６Ｂ２ 第１の感光性有機膜（第１の有機膜）
１１６Ｃ２ 第２の感光性有機膜（第２の有機膜）
１１６Ｈ１ 第１の接続孔
１１６Ｈ２ 第２の接続孔
２００ ゲート線ドライバ部
２０２ 信号処理部
２０４ 温度センサ
２０６ 画像メモリ
２０８ 検出器制御部
２１０ 通信部
２１２ 電源部Ｔ１ 第１の内壁面
Ｔ２ 第２の内壁面
Ｔ３ 第３の内壁面
Ｗ１ 最大幅寸法
Ｈ１ 第１の開口
Ｈ２ 第２の開口
Ｈ３ 第３の開口
Ｈ４ 第４の開口
１２ 放射線照射装置
１４ 放射線画像検出器（電子カセッテ）
１４０ 筐体
１４２ 放射線検出パネル
１４４ 信号処理基板
１４８ 蛍光体（シンチレータ）
１６ コンソール
１００ 検出素子
１０２ スイッチング素子（ＴＦＴ）
１０２Ｄ、１０２Ｅ 主電極
１０６ 情報変換素子（光電変換素子）
１０６Ａ 第１の電極
１０６Ｂ 第１の半導体層
１０６Ｃ 第２の半導体層
１０６Ｄ 第３の半導体層
１０６Ｅ 第２の電極
１１０ ゲート線
１１２ データ線
１１６Ｂ 第１の層間絶縁層
１１６Ｂ１、１１６Ｃ１ シリコン系絶縁膜
１１６Ｂ２ 第１の感光性有機膜（第１の有機膜）
１１６Ｃ２ 第２の感光性有機膜（第２の有機膜）
１１６Ｈ１ 第１の接続孔
１１６Ｈ２ 第２の接続孔
２００ ゲート線ドライバ部
２０２ 信号処理部
２０４ 温度センサ
２０６ 画像メモリ
２０８ 検出器制御部
２１０ 通信部
２１２ 電源部Ｔ１ 第１の内壁面
Ｔ２ 第２の内壁面
Ｔ３ 第３の内壁面
Ｗ１ 最大幅寸法
Ｈ１ 第１の開口
Ｈ２ 第２の開口
Ｈ３ 第３の開口
Ｈ４ 第４の開口
Claims (11)
- 一対の主電極を有するスイッチング素子と、
前記主電極上に形成され、第１の有機膜を有する第１の層間絶縁層と、
当該第１の層間絶縁層に形成され、前記第１の有機膜の底面から上面に渡って開口面積を増加させ、かつ、前記第１の有機膜の底面とのなす角度が３度以上かつ２０度未満である第１の内壁面を有する第１の接続孔と、
前記第１の有機膜上に形成され、前記第１の内壁面に沿い前記第１の接続孔を通して前記主電極の一方に接続される第１の電極と、当該第１の電極上に配設される情報変換膜及び当該情報変換膜上に配設される第２の電極とを有し、前記情報変換膜において放射線画像情報を電気信号に変換する情報変換素子と、
を備えた放射線画像撮影装置。 - 前記第１の有機膜の底面に、前記第１の有機膜の底面に対して垂直に投影した前記第１の内壁面の両端間の最大幅寸法が、前記第１の有機膜の膜厚寸法に対して２．７５倍以上かつ、４．００倍以下に設定されている請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記第１の接続孔において、前記第１の有機膜の底面側に形成される第１の開口の平面形状は四隅に一定の曲率半径の円弧を有する方形状であり、前記第１の有機膜の上面側に形成される第２の開口の平面形状は円形状である請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記第１の層間絶縁層は、
シリコン系絶縁膜と、
当該シリコン系絶縁膜上に積層され前記シリコン系絶縁膜上の膜厚に比べて厚い膜厚を有する前記第１の有機膜とを備え、
前記第１の接続孔は、前記シリコン系絶縁膜に形成され、当該シリコン系絶縁膜の底面から上面に渡って開口面積を増加させ、当該シリコン系絶縁膜の底面とのなす傾斜角度が２０度以上９０度未満である第２の内壁面を有する請求項１に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記第１の接続孔内において、前記第１の内壁面と前記第２の内壁面との間に前記シリコン系絶縁膜の上面の一部が露出されている請求項４に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記情報変換素子上に形成され、第２の有機膜を有する第２の層間絶縁層と、
当該第２の層間絶縁層に形成され、前記第２の有機膜の底面から上面に渡って開口面積を増加させ、前記第２の有機膜の底面とのなす角度が、前記第１の内壁面がなす角度よりも大きい第３の内壁面を有する第２の接続孔と、
前記第２の有機膜上に配設され、前記第３の内壁面に沿い前記第２の接続孔を通して前記第２の電極に接続され、電源を供給する電源配線と、
を更に備えた請求項１に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記第１の接続孔の、前記第１の有機膜の上面側に形成される第２の開口径と、前記第１の有機膜の底面側に形成される第１の開口径との開口径比率は、前記第２の接続孔の、前記第２の有機膜の上面側に形成される第４の開口径と、前記第２の有機膜の底面側に形成される第３の開口径との開口径比率よりも大きい請求項６に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記第３の開口の平面形状は四隅に第１の曲率半径の第１の円弧を有する方形状であり、前記第４の開口の平面形状は、四隅に前記第１の曲率半径よりも大きい第２の曲率半径である第２の円弧を有する方形状である請求項７に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記シリコン系絶縁膜はシリコン窒化膜であり、前記第１の有機膜は２～４の比誘電率を有するポジ型感光性アクリル系樹脂である請求項４又は請求項５に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記情報変換素子は、放射線から光に変換された放射線画像情報を電気信号に変換する間接変換方式、又は放射線の放射線画像情報を電気信号に変換する直接変換方式により構成される請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記情報変換素子は、不透明性又は透明性を有する導電性材料により形成された前記第１の電極と、複数層の半導体層により形成された前記情報変換膜と、透明性を有する導電性材料により形成された前記第２の電極と、を備え、
前記電源配線は、前記情報変換素子の厚さに対して薄い膜厚を有し透明性を有する導電性材料により形成された請求項６に記載の放射線画像撮影装置。
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| EP4020036A1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-06-29 | EFFECT Photonics B.V. | An environmentally protected photonic integrated circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009252835A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Fujifilm Corp | 電磁波検出素子 |
| JP2010034520A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-02-12 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| JP2010164530A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
-
2011
- 2011-10-21 JP JP2011231606A patent/JP2015005533A/ja active Pending
-
2012
- 2012-10-18 WO PCT/JP2012/076948 patent/WO2013058317A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009252835A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Fujifilm Corp | 電磁波検出素子 |
| JP2010034520A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-02-12 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
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