WO2013035196A1 - 半導体レーザ駆動回路及び情報記録装置 - Google Patents

半導体レーザ駆動回路及び情報記録装置 Download PDF

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隆 碓井
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    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
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    • H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
    • H—ELECTRICITY
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies

Definitions

  • Embodiments described herein relate generally to a semiconductor laser driving circuit and an information recording apparatus.
  • a relaxation oscillation frequency severe GHz to several tens GHz
  • a short pulse recording method has been studied in which a light pulse corresponding to is generated at a high output and a mark is recorded on an optical disk.
  • Relaxation oscillation is a transient oscillation phenomenon that occurs at the rise when a semiconductor laser is driven with a step-like drive current, and a large overshoot occurs instantaneously. Output can be obtained.
  • it is necessary to drive the semiconductor laser in a short time from a current below the emission threshold to a current above the emission threshold.
  • the medium temperature It is required to have a high output in order to sufficiently increase the power.
  • the semiconductor laser drive circuit for optical discs different power is required for recording and reproduction, and at the time of recording, at least the recording power for forming recording marks on the optical disc medium and the irradiation when rewriting the phase change disc It is necessary to irradiate the erase power.
  • high-quality recording is performed by emitting a recording pulse having a fast rise time and peak power and an erase pulse lower than the peak power at a predetermined timing. Mark width modulation recording becomes possible.
  • the current slew rate related to the rise / fall time is generally about 100 to 200 A / ⁇ s.
  • the time taken for a 100 mA current pulse to reach from 10% to 90% is approximately 400-800 ps.
  • the relaxation oscillation is several GHz to several tens GHz, and at this rise, it is too late for the optical recording pulse using the relaxation oscillation pulse. It is clear that an optical pulse with sufficient output cannot be obtained with a drive current waveform whose rise time is several times slower than the target pulse width.
  • a semiconductor laser driving circuit having a modulation speed exceeding 10 Gbps is used.
  • a drive current circuit using a SiGe process bipolar transistor as a transistor has a current slew rate of about 1000 to 2000 A / ⁇ s and a 100 mA current pulse rise time of 50 ps or less.
  • the maximum modulation current it is approximately 100 mA or less, and it is difficult to obtain a sufficient peak output used for optical recording.
  • An object of the present embodiment is to provide a semiconductor laser driving circuit and an information recording apparatus capable of obtaining a high output while maintaining a fast rise time.
  • a semiconductor laser driving circuit for driving a semiconductor laser includes a first high-speed current source, a second high-speed current source, one or a plurality of low-speed current sources, and a coupler.
  • the first high-speed current source is for supplying a current to the semiconductor laser.
  • the second high-speed current source is for supplying a current to the semiconductor laser and has the same characteristics as the first high-speed current source or a characteristic close to the same.
  • the low-speed current source is for supplying a current to the semiconductor laser, and has a characteristic that it rises slower than the first and second high-speed current sources.
  • the coupler has a first output-side transmission line that is a transmission line on the output side of the first high-speed current source having a first characteristic impedance, and the second characteristic-impedance line has the first characteristic impedance.
  • a signal that flows through one output-side transmission path, a signal that flows through the second output-side transmission path, and a signal that flows through the third output-side transmission path are combined and output to the semiconductor laser.
  • the coupler includes the first, second, and third output side transmission lines, and has the same resistance value between the first output side transmission line and the second output side transmission line.
  • a first coupling portion that connects two resistors having resistance values close to the same in series and connects the third output-side transmission line at an intermediate point where the two resistors are connected to each other. And extending the first output side transmission line and the second output side transmission line by a predetermined distance by a line having a second characteristic impedance larger than the first characteristic impedance, respectively. And a second coupling portion to be connected.
  • FIG. 5 is a diagram showing a configuration in which the circuit of FIG. 4 is used in the semiconductor laser drive circuit of FIG.
  • FIG. 5 is a figure which shows the semiconductor laser drive circuit which concerns on a comparative example.
  • FIG. 5 is a mimetic diagram showing an example of a coupler concerning one embodiment.
  • the information recording device means a device having at least a function of recording information, and includes a device having a function of reproducing information and a device having no function of reproducing information.
  • the former is also called “information recording / reproducing apparatus”.
  • the information recording apparatus to which the semiconductor laser drive circuit of the present invention can be applied is not limited to the information recording apparatus (information recording / reproducing apparatus) illustrated in FIG. 1, and an information recording apparatus having a configuration different from that shown in FIG. It is also applicable to the device.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of an information recording / reproducing apparatus that can use a semiconductor laser driving circuit according to an embodiment.
  • 100 is a recording waveform generation circuit
  • 101 is a semiconductor laser driving circuit
  • 102 is a semiconductor laser diode (laser light emitting element)
  • 103 is an optical system
  • 104 is a photodetector
  • 105 is an RF amplifier
  • 106 is a signal processing circuit.
  • 107 are rotary tables
  • 108 is a spindle motor.
  • the semiconductor laser drive circuit 101, the semiconductor laser 102, the optical system 103, and the photodetector 104 may be mounted in a pickup head.
  • the information recording medium 200 is an optical disc such as Blu-ray, but is not limited thereto. Further, the information recording medium 200 may or may not be a removable disk. In addition, the information recording medium 200 may or may not have a recording layer that is multi-layered or super multi-layered. The information recording / reproducing apparatus records and reproduces information on the information recording medium 200.
  • the information recording medium 200 has grooves formed concentrically or spirally.
  • the concave portion of the groove is called “land”
  • the convex portion of the groove is called “groove”
  • the circumference of the groove or land is called “track”.
  • user data is recorded by forming a recording mark by irradiating a laser beam of peak power (peak power) along this track (only the groove, or the groove and land).
  • a single mark is recorded by raising the recording layer of the information recording medium 200 to a temperature equal to or higher than the melting point by an optical pulse output from the semiconductor laser 102.
  • data is reproduced by irradiating a laser beam with a read power (read power) that is weaker than the peak power during recording along the track, and detecting changes in reflected light intensity due to the recording marks on the track.
  • read power a read power
  • the recorded data is erased by irradiating an erase power (erase power) laser beam that is weaker than the peak power and stronger than the read power along the track to crystallize the recording layer.
  • the information recording medium 200 is held by the rotary table 107 and rotated by the spindle motor 108.
  • the recording waveform generation circuit 100 performs predetermined recording based on recording data and a recording clock supplied from a host device (not shown) via an interface circuit (not shown) during information recording (mark formation). Recording waveform data for realizing the recording waveform is generated.
  • the recording waveform data represents the timing at which the current source of the semiconductor laser drive circuit 101 is turned on / off.
  • the laser drive circuit 101 includes a plurality of current sources and a transmission line having a predetermined characteristic impedance, and supplies a drive current to the semiconductor laser 102.
  • the semiconductor laser drive circuit 101 of this embodiment will be described in detail later.
  • the semiconductor laser 102 generates the various laser beams described above according to the signal supplied from the semiconductor laser drive circuit 101.
  • Laser light emitted from the semiconductor laser 102 passes through the optical system 103 (more specifically, for example, a collimator lens, a half prism, and an objective lens (not shown) configured in the optical system 103). Irradiated on top.
  • Reflected light from the information recording medium 200 passes through the optical system 103 (more specifically, for example, an objective lens, a half prism, a condensing lens, and a cylindrical lens (not shown) configured in the optical system 103). Guided to the photodetector 104.
  • the photodetector 104 is configured by, for example, a photodetection cell divided into four parts, and detection signals of these photodetection cells are output to the RF amplifier 105.
  • the RF amplifier 105 processes a signal from the photodetection cell of the photodetector 104, a focus error signal FE indicating an error from just focus, and a tracking error signal TE indicating an error between the laser beam spot center and the track center. And a reproduction signal RF.
  • the reproduction signal RF is a full addition signal of the output signals of the respective light detection cells of the light detector 104.
  • the focus error signal FE and the tracking error signal TE are supplied to a control circuit (not shown), and the control circuit controls the focus position to a desired position on the information recording medium 200 based on the signal FE and the signal TE.
  • Servo and tracking servo are performed.
  • By performing the focus servo and the tracking servo a change in reflected light from a pit formed on a track of the information recording medium 200 corresponding to the recording information is reflected in the reproduction signal (full addition signal) RF. .
  • This reproduction signal RF is supplied to the signal processing circuit 106.
  • the signal processing circuit 106 reproduces recorded data from the reproduction signal RF.
  • a method for simply increasing the amount of drive current for example, a method may be considered in which a plurality of current sources responsible for supplying peak pulse drive current are connected in parallel and simultaneously driven to increase the peak current.
  • problems such as deterioration of high-frequency characteristics and delay of pulse rise time, and reflection and ringing due to impedance mismatch at the coupling point.
  • a coupler using an impedance-controlled transmission line represented by, for example, the Wilkinson type is known for coupling high-frequency signals, but a signal in a band lower than that is added. That is not taken into account.
  • a low-frequency signal line is connected to a line through which a high-frequency signal passes. Impedance mismatch occurs, causing the characteristics of the high frequency signal to deteriorate.
  • it is conceivable to insert a resistor in series and connect the line but in order not to deteriorate the characteristics of the high-frequency signal, it is necessary to insert a resistor having a relatively large resistance value.
  • it is necessary to mount a resistor having a large withstand voltage which may lead to an increase in mounting area.
  • a peak current larger than the peak current output that can be output by one current source can be obtained by adding a plurality of current sources without degrading the rising characteristics of the current source having high-speed rising characteristics.
  • the semiconductor laser drive circuit 101 that can further output the drive current for realizing the erase pulse without degrading the peak current output characteristics as much as possible is realized.
  • FIG. 2 is a block diagram showing an example of the circuit configuration of the semiconductor laser drive circuit 101 according to the present embodiment.
  • 11 and 12 are high-speed current sources
  • 13 is a low-speed current source
  • 21 to 27 are transmission lines
  • 41 to 43 are resistors.
  • a portion indicated by 30 is referred to as a coupler
  • a portion indicated by 31 is referred to as a pre-stage coupler
  • a portion indicated as 32 is referred to as a post-stage coupler.
  • a configuration in which the transmission line 27 is omitted from the configuration in FIG. 2 is also possible.
  • the formation of the recording mark on the information recording medium 200 using the relaxation oscillation pulse includes a peak pulse for recording the mark using the relaxation oscillation, an erase pulse having a lower intensity than the peak pulse, and a bias having a lower intensity than the erase pulse. This can be realized by combining with a pulse.
  • the mark length modulation can be formed by continuously irradiating a plurality of relaxation oscillation pulses a plurality of times in accordance with a desired mark length.
  • FIG. 2 shows that the semiconductor laser drive circuit 101 has two high-speed current sources 11 and 12 that carry peak pulse drive current for generating a peak pulse, and an erase current for generating an erase pulse and a bias current for generating a bias pulse. Are supplied by the low-speed current source 13.
  • FIG. 2 is an example, and other configurations are possible.
  • a configuration in which a DC bias current source 14 for supplying a bias current is provided independently of the low speed current source 13 is possible.
  • a resistor or the like may be further connected between the bias current source 14 and the connection point 38.
  • a configuration in which the transmission line 27 is omitted as described above is also possible.
  • a complementary current drive circuit using a SiGe bipolar transistor may be used as the current sources 11 and 12, or a CMOS type current using a MOSFET.
  • a drive circuit may be used.
  • FIG. 4 shows an example of a complementary current drive circuit that can be used for each current source.
  • 102 is a semiconductor laser diode
  • 51 and 52 are SiGe bipolar transistors
  • 53 is a dummy diode
  • 60 is a constant current source.
  • P is a predetermined timing signal
  • / P is a timing signal obtained by inverting the signal P.
  • the rise time of the high-speed current pulse is preferably 100 ps or less.
  • FIG. 5 shows a circuit configuration example when a complementary current drive circuit is used for the current sources 11, 12, and 13 of the semiconductor laser drive circuit 101 of FIG.
  • each current source may be composed of discrete components, may be configured as an individual integrated circuit, or all current sources may be configured as an integrated circuit of one package. Also good.
  • the two high-speed current sources 11 and 12 preferably have the same characteristics (or substantially the same characteristics) or characteristics close to the same, and have the same characteristics. In this case, the effect of the present embodiment is most exhibited.
  • the transmission line 21 that is the output-side transmission line of the high-speed current source 11 and the transmission line 22 that is the output-side transmission line of the high-speed current source 12 are extended by electric lines having the same characteristic impedance Z0.
  • the characteristic impedance Z0 is matched with the impedance of the semiconductor laser serving as a load.
  • the characteristic impedance Z0 is set to 20 ⁇ , for example.
  • the transmission lines 21 and 22 have the same characteristics (or substantially the same characteristics) or characteristics close to the same as much as possible. The effect by is most exhibited.
  • the low-speed current source 13 may have the same characteristics as the high-speed current sources 11 and 12, and a resistor may be connected in series to the output. In that case, the chip resistor 43 described later can also be used.
  • the characteristic impedance of the output-side transmission line 23 of the low-speed current source 13 may be the same as that of the transmission lines 21 and 22 on the high-speed current source side (for example, 20 ⁇ ), but may be a different impedance.
  • the output-side transmission lines of the low-speed current sources are connected to each other via a resistor of 0 ⁇ or more and the like and can be realized in the same manner.
  • the high-speed current source output-side transmission paths 21 and 22 and the low-speed current source output-side transmission path 23 combine signals flowing through the transmission lines 21, 22, and 23, respectively.
  • the coupler 30 includes a front coupling unit 31 and a rear coupling unit 32.
  • the upstream coupling unit 31 first, two chip resistors 41 and 42 having the same resistance value or a resistance value close to the same are connected in series, and the transmission line 21 and the transmission line 22 are connected.
  • the transmission path 23 is connected via the chip resistor 43 at a connection point where the chip resistor 41 and the chip resistor 42 are connected.
  • the resistance values of the chip resistors 41 and 42 be equal to or approximately equal to the characteristic impedance Z0.
  • the resistance value of the chip resistor 43 is desirably determined in consideration of the effective value of the output current of the low-speed current source 13 and the withstand voltage of the chip resistor, and is determined in a range of approximately 50 ⁇ or less.
  • FIG. 6 shows a circuit configuration of a semiconductor laser driving circuit according to a comparative example.
  • 1001 and 1002 are high-speed current sources
  • 1003 is a low-speed current source
  • 1021 to 1024 and 1026 are transmission lines
  • 1043 is a resistor.
  • the output-side transmission line 1023 of the low-speed current source 1003 is connected at the position of the transmission line 1026 via a series resistor 1043 having the same resistance value.
  • the rising performance is deteriorated compared to the present embodiment.
  • the value of the series resistor 1043 needs to be a considerably large resistance value as compared with the chip resistor 43 in the present embodiment. Yes, it is not realistic in terms of power consumption.
  • FIG. 1 a schematic diagram of the coupler 30 is shown in FIG. This corresponds to a configuration in which the transmission line 27 is omitted from the configuration of FIG.
  • the rear-stage coupling unit 32 inserts the transmission lines 21 and 22 of the two high-speed current sources from the front-stage coupling unit 31 and the transmission lines 24 and 25 having a length L having a characteristic impedance Z1 larger than the characteristic impedance Z0. Are connected after being stretched and output through a transmission line 26 having a characteristic impedance Z0.
  • f is the target frequency
  • ⁇ is the dielectric constant of the substrate
  • c is the speed of light.
  • ⁇ represents a power (that is, 2 ⁇ (1/2) is the square root of 2).
  • the target frequency f is more effective when matched with the relaxation oscillation frequency (several GHz to several tens GHz) of the semiconductor laser.
  • FIG. 8 shows a schematic diagram of another example of the coupler 30. This corresponds to the configuration of FIG. In this case, after the transmission lines 24 and 25 having a length L having a characteristic impedance Z1 larger than the characteristic impedance Z0 are inserted and coupled, a transmission line 27 having a distance L having a characteristic impedance Z2 smaller than the characteristic impedance Z0 is inserted. And output through the transmission line 26 having the characteristic impedance Z0.
  • a flexible substrate may be used to provide flexibility in arrangement of the semiconductor laser.
  • Each current source (11, 12, and 13 in the case of FIG. 2) in the semiconductor laser driving circuit 101 and the front-stage coupling portion 31 of the coupler 30 are formed on a rigid board to involve component mounting, while component mounting is performed.
  • the rear-stage coupling portion 32 of the coupler 30 that requires a relatively large physical length on a flexible board necessary for the mechanism, an increase in circuit scale can be suppressed.
  • FIG. 9 shows a simulation waveform when a drive current waveform corresponding to the relaxation vibration recording strategy is output using the semiconductor laser drive circuit 101 of the present embodiment.
  • FIG. 10 shows a simulation waveform when the semiconductor laser driving circuit according to the comparative example of FIG. 6 is used.
  • 11A is an overlay display of the simulation waveform of FIG. 9 and the simulation waveform of FIG. 10, and
  • FIG. 11B is an enlarged view of the portion indicated by 80 in FIG. c) is an enlarged view of the portion indicated by 81 in (a).
  • 83 corresponds to FIG. 9, and 84 corresponds to FIG.
  • 85 corresponds to FIG. 9, and 86 corresponds to FIG.
  • the peak current pulse is output by simultaneously driving two high-speed current sources (11, 12) and a DC bias current source (13 in FIG. 2) (14 in FIG. 3).
  • the erase current pulse is output by simultaneously driving the low-speed current source and the DC bias current source.
  • the latter corresponds to driving the current source 13 so as to supply the current source and the DC bias current source in the case of FIG. 2, and simultaneously driving the low speed current 13 and the DC bias current source 14 in the case of FIG.
  • a 30 ps skew is provided between the transmission path of the current source 11 and the transmission path of the current source 12.
  • the parameters such as the resistance value are optimized so that the rise times of the erase current pulses indicated by 82 in FIG.
  • the driving current waveform according to the comparative example it can be seen that ringing occurs due to impedance mismatch in the addition portion.
  • no ringing occurs in the current waveform of the semiconductor laser drive circuit 101 of the present embodiment.
  • the peak current is increased by about 10% in the semiconductor laser drive circuit 101 of the present embodiment compared to the comparative example, and it can be seen that a fast rise time is realized.
  • the rising characteristic at the peak current can be improved, and ringing accompanying impedance mismatch can be suppressed.

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Abstract

　実施形態によれば、半導体レーザ駆動回路は、第１、第２の高速電流源、低速電流源、結合器を含む。第１と第２の高速電流源は同一又は同一に近い特性をもち、低速電流源は高速電流源よりも立ち上がりの遅い特性をもつ。結合器は、第１の特性インピーダンスをもつ第１の高速電流源の第１の出力側伝送路、第１の特性インピーダンスをもつ第２の高速電流源の第２の出力側伝送路、低速電流源の第３の出力側伝送路を含み、第１～第３の出力側伝送路を流れる信号を結合して半導体レーザに出力する。結合器は、第１と第２の出力側伝送路間に同一の抵抗値の二つの抵抗体を直列に配置して接続し、該抵抗体同士が接続される中間点で第３の出力側伝送路を接続し、更に第１と第２の出力側伝送路を第１の特性インピーダンスより大きい第２の特性インピ―ダンスをもつ線路で所定の距離だけ夫々延伸して接続する。

Description

半導体レーザ駆動回路及び情報記録装置
　本発明の実施形態は、半導体レーザ駆動回路及び情報記録装置に関する。
　光ディスクの記録倍速の高倍速化のために、記録光パルスの高速変調を実現する方法として、半導体レーザの物理的な変調限界である緩和振動周波数（数ＧＨｚ～数十ＧＨｚ）の１～数周期に相当する光パルスを高出力で発生させ、光ディスクにマークを記録する短パルス記録方式が検討されている。
　緩和振動とは半導体レーザをステップ状の駆動電流で駆動した際の立ち上がりに生じる過渡的な振動現象であり、瞬間的に大きなオーバーシュートが出ることから、この現象を利用することで短時間に高出力を得ることができる。半導体レーザの緩和振動を生成するためには、半導体レーザを、発光閾値以下の電流から発光閾値以上の電流まで短時間で駆動する必要があり、加えて良好な記録マークを得るためには媒体温度を十分に上昇させるために高出力であることが求められる。
　また、光ディスク用の半導体レーザ駆動回路においては、記録時と再生時で異なるパワーが必要になり、さらに記録時には、少なくとも光ディスク媒体に記録マークを形成するための記録パワー、相変化ディスクの書き換え時に照射するイレースパワーを照射する必要がある。特に、緩和振動パルスを利用した高線速記録では、速い立ち上がり時間を有し且つピークパワーを有する記録パルスと、ピークパワーよりも低いイレースパルスとを所定のタイミングで発光させることによって、高品位のマーク幅変調記録が可能になる。
　一般的な光ディスク用の半導体レーザ駆動回路においては、立ち上がり・立下り時間に関する電流スルーレートは、１００～２００Ａ／μｓ程度が一般的である。１００ｍＡの電流パルスが１０％から９０％まで到達するのにかかる時間はおよそ４００～８００ｐｓである。しかし、緩和振動は数ＧＨｚ～数１０ＧＨｚであり、この立ち上がりでは、緩和振動パルスを用いた光記録パルスには遅過ぎる。目的とするパルス幅よりも立ち上がり時間が数倍も遅いような駆動電流波形では、十分な出力の光パルスが得られないことは明らかである。
　一方、光伝送等の分野では、変調速度が１０Ｇｂｐｓを超えるような半導体レーザ駆動回路が用いられている。特にトランジスタにＳｉＧｅプロセスのバイポーラトランジスタを用いた駆動電流回路では、１０００～２０００Ａ／μｓ程度の電流スルーレートを持ち、１００ｍＡの電流パルスの立ち上がり時間が５０ｐｓ以下のものも実現されている。しかしながら、最大変調電流という点では、概ね１００ｍＡ以下であり、光記録に用いられるような十分なピーク出力を得ることは難しい。
　このように、緩和振動を利用して高速パルス電流を発生する半導体レーザ駆動回路において、高速化と高出力化との両立は困難である。
特開平０７－０３８３０９号公報
　従来、緩和振動を利用して高速パルス電流を発生する半導体レーザ駆動回路において、高速な立ち上がり時間を維持しつつ、高出力を得ることは困難であった。
　本実施形態は、高速な立ち上がり時間を維持しつつ、高出力を得ることのできる半導体レーザ駆動回路及び情報記録装置を提供することを目的とする。
　実施形態によれば、半導体レーザを駆動するための半導体レーザ駆動回路は、第１の高速電流源と、第２の高速電流源と、一つ又は複数の低速電流源と、結合器とを含む。第１の高速電流源は、前記半導体レーザに電流を供給するためのものである。前記第２の高速電流源は、前記半導体レーザに電流を供給するためのものであり、前記第１の高速電流源と同一の特性又は同一に近い特性を有する。前記低速電流源は、前記半導体レーザに電流を供給するためのものであり、前記第１及び第２の高速電流源よりも立ち上がりの遅い特性を有する。前記結合器は、第１の特性インピーダンスを有する、前記第１の高速電流源の出力側の伝送路である第１の出力側伝送路と、該第１の特性インピーダンスを有する、前記第２の高速電流源の出力側の伝送路である第２の出力側伝送路と、前記一つ又は複数の低速電流源の出力側の伝送路である第３の出力側伝送路とを含み、該第１の出力側伝送路を流れる信号と、該第２の出力側伝送路を流れる信号と、該第３の出力側伝送路を流れる信号とを結合して前記半導体レーザに対して出力する。また、前記結合器は、前記第１、第２及び第３の出力側伝送路を含み、前記第１の出力側伝送路と前記第２の出力側伝送路との間に、同一の抵抗値又は同一に近い抵抗値を有する二つの抵抗体を直列に配置して接続し、該二つの抵抗体同士が接続される中間点において前記第３の出力側伝送路を接続する第１の結合部と、前記第１の出力側伝送路と前記第２の出力側伝送路とを、前記第１の特性インピーダンスよりも大きい第２の特性インピ―ダンスを有する線路により所定の距離だけ夫々延伸した後に接続する第２の結合部とを含む。
一実施形態に係る情報記録装置を例示するブロック図である。 一実施形態に係る半導体レーザ駆動回路の一例を示す図である。 一実施形態に係る半導体レーザ駆動回路の他の例を示す図である。 電流源の一例を示す回路図である。 図２の半導体レーザ駆動回路に図４の回路を用いた構成を示す図である。 比較例に係る半導体レーザ駆動回路を示す図である。 一実施形態に係る結合器の一例を示す模式図である。 一実施形態に係る結合器の他の例を示す模式図である。 一実施形態に係る半導体レーザ駆動回路のシミュレーション結果を例示する説明図である。 比較例に係る半導体レーザ駆動回路のシミュレーション結果を例示する説明図である。 図９及び図１０をオーバーレイ表示した図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路及びこれを使用することのできる情報記録装置について詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、同一の番号を付した部分については同様の動作を行うものとして、重ねての説明を省略する。
　まず、後で詳しく説明する半導体レーザ駆動回路が適用可能な情報記録装置について説明する。ここで、情報記録装置とは、少なくとも情報を記録する機能を有する装置を意味し、情報を再生する機能を有する装置も、情報を再生する機能を有しない装置も含む。なお、前者は「情報記録再生装置」とも呼ぶ。
　最初に、図１を参照しながら、本願発明の半導体レーザ駆動回路が適用可能な情報記録装置の一例を説明する。なお、本願発明の半導体レーザ駆動回路が適用可能な情報記録装置は、図１に例示した情報記録装置（情報記録再生装置）に制限されるものではなく、図１とは異なる構成を有する情報記録装置にも適用可能である。
　図１は、一実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を使用することのできる情報記録再生装置の構成例を示すブロック図である。図１において、１００は記録波形生成回路、１０１は半導体レーザ駆動回路、１０２は半導体レーザダイオード（レーザ発光素子）、１０３は光学系、１０４は光検出器、１０５はＲＦアンプ、１０６は信号処理回路、１０７は回転テーブル、１０８はスピンドルモータである。例えば、半導体レーザ駆動回路１０１、半導体レーザ１０２、光学系１０３及び光検出器１０４は、ピックアップヘッド内に搭載されても良い。情報記録媒体２００は、例えばＢｌｕ－ｒａｙなどのような光ディスクであるが、これに制限されない。また、情報記録媒体２００は、リムーバブルディスクであっても、そうでなくても良い。また、情報記録媒体２００は、記録層が多層化又は超多層化されたものであっても、そうでなくても良い。情報記録再生装置は、情報記録媒体２００に対して情報の記録及び再生を行うものである。
　情報記録媒体２００には、同心円状又は螺旋状に溝が刻まれている。溝の凹部は「ランド」と呼ばれ、溝の凸部は「グルーブ」と呼ばれ、更に、グルーブ又はランドの一周は「トラック」と呼ばれる。記録時においては、このトラック（グルーブのみ、又は、グルーブ及びランド）に沿ってピークパワー（peak power）のレーザ光を照射し、記録マークを形成することによって、ユーザデータを記録する。例えば、半導体レーザ１０２から出力される光パルスにより情報記録媒体２００の記録層を溶点以上の温度に上昇させることによって、単一のマークを記録する。再生時においては、記録時のピークパワーより弱いリードパワー(read power)のレーザ光をトラックに沿って照射し、トラック上にある記録マークによる反射光強度の変化を検出することによって、データ再生を行う。書き換え型ディスクの場合には、ピークパワーより弱く且つリードパワーより強いイレースパワー(erase power)のレーザ光をトラックに沿って照射し、記録層を結晶化することによって、記録されたデータの消去を行う。
　情報記録媒体２００は、回転テーブル１０７により保持され、スピンドルモータ１０８により回転駆動される。
　記録波形生成回路１００は、情報記録時（マーク形成時）には、ホスト装置（図示せず）からインタフェース回路（図示せず）を介して供給される記録データ及び記録クロックに基づいて、所定の記録波形を実現する記録波形データを生成する。記録波形データは、半導体レーザ駆動回路１０１の電流源をＯＮ／ＯＦＦするタイミングを表す。レーザ駆動回路１０１は、複数の電流源及び所定の特性インピ－ダンスを有する伝送路などにより構成され、駆動電流を半導体レーザ１０２に供給する。本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１は、後で詳しく説明する。
　半導体レーザ１０２は、半導体レーザ駆動回路１０１から供給される信号に応じて、上記した各種のレーザ光を発生する。半導体レーザ１０２から発せられるレーザ光は、光学系１０３（より詳しくは、例えば、光学系１０３内に構成されるコリメータレンズ、ハーフプリズム及び対物レンズ（図示せず））を介して、情報記録媒体２００上に照射される。情報記録媒体２００からの反射光は、光学系１０３（より詳しくは、例えば、光学系１０３内に構成される対物レンズ、ハーフプリズム、集光レンズ及びシリンドリカルレンズ（図示せず））を介して、光検出器１０４に導かれる。光検出器１０４は、例えば４分割された光検出セルなどにより構成され、これら光検出セルの検知信号はＲＦアンプ１０５に出力される。ＲＦアンプ１０５は、光検出器１０４の光検知セルからの信号を処理し、ジャストフォーカスからの誤差を示すフォーカスエラー信号ＦＥ、レーザ光のビームスポット中心とトラック中心との誤差を示すトラッキングエラー信号ＴＥと、再生信号ＲＦとを生成する。再生信号ＲＦは、光検出器１０４の各光検出セルの出力信号の全加算信号である。フォーカスエラー信号ＦＥ及びトラッキングエラー信号ＴＥは、制御回路（図示せず）に供給され、制御回路では、信号ＦＥ及び信号ＴＥに基づいて焦点位置を情報記録媒体２００上の所望の位置に制御するフォーカスサーボ及びトラッキングサーボが行われる。フォーカスサーボ及びトラッキングサーボがなされることによって、記録情報に対応して情報記録媒体２００のトラック上に形成されたピットなどからの反射光の変化が、再生信号（全加算信号）ＲＦに反映される。この再生信号ＲＦは、信号処理回路１０６に供給される。信号処理回路１０６は、再生信号ＲＦから、記録データを再生する。
　以下では、緩和振動パルスを用いた情報記録媒体２００へのマークの記録を実現する半導体レーザ駆動回路１０１について詳しく説明する。
　ところで、単純に駆動電流量を増やす方法としては、例えば、ピークパルス用駆動電流の供給を担う電流源を複数並列接続し、同時に駆動させることでピーク電流を稼ぐ方法が考えられよう。しかしながら、接続される線路が増えるほど、高周波特性を劣化させ、パルスの立ち上がり時間が遅くなるといった問題や、結合点におけるインピーダンスの不整合が原因で反射・リンギングが生じるといった問題などが考えられる。結合による劣化を防ぐために、高周波信号の結合には、例えばウィルキンソン型に代表される、インピーダンス制御された伝送路を用いた結合器が知られているが、それよりも低い帯域の信号を加算することは考慮されていない。例えば、イレースパルスに代表される比較的低い帯域の信号を同時に加算するためには、高周波信号の通る線路に対して低周波信号の線路を接続することになるが、直接接続すると、接続部でインピーダンスの不整合が生じて、高周波信号の特性を劣化させる原因となる。これを防ぐために、抵抗を直列に挿入して線路を接続することも考えられるが、高周波信号の特性を劣化させないためには、比較的大きな抵抗値の抵抗を挿入することが必要になる。さらに、数十ｍＡ～数百ｍＡの比較的大きな電流を流すためには、耐圧の大きな抵抗を実装する必要があり、実装面積の増加につながるという問題が考えられる。
　そこで、本実施形態では、高速な立ち上がり特性を有する電流源の立ち上がり特性を劣化させずに複数加算することで、電流源１つで出力し得るピーク電流出力よりも大きなピーク電流を得ることができ、ピーク電流出力の特性をできる限り劣化させずにイレースパルスを実現するための駆動電流をさらに加算して出力できる半導体レーザ駆動回路１０１を実現する。
　図２は、本実施形態に係る半導体レーザ駆動回路１０１の回路構成の一例を示すブロック図である。図２において、１１，１２は高速電流源、１３は低速電流源、２１～２７は伝送線路、４１～４３は抵抗を表している。また、３０が示す部分を結合器、３１が示す部分を前段結合部、３２が示す部分を後段結合部と呼ぶ。なお、図２の構成から伝送線路２７を省いた構成も可能である。
　緩和振動パルスを用いた情報記録媒体２００への記録マークの形成は、緩和振動を利用したマークを記録するピークパルスと、ピークパルスよりも強度の低いイレースパルスと、イレースパルスよりも強度の低いバイアスパルスとを組み合わせることによって、実現することができる。その際、マーク長変調は、複数の緩和振動パルスを所望のマーク長に合わせて複数回連続的に照射することによって、形成することができる。図２は、半導体レーザ駆動回路１０１が、ピークパルスを発生させるピークパルス用駆動電流を担う２つの高速電流源１１，１２を有し、イレースパルスを発生させるイレース電流とバイアスパルスを発生させるバイアス電流とを低速電流源１３で供給する例を示している。なお、図２の構成は一例であり、他の構成も可能である。例えば、図３に示すように、半導体レーザ駆動回路１０１において、低速電流源１３とは独立して、バイアス電流を供給するＤＣバイアス電流源１４を設ける構成も可能であり、また、図３のＤＣバイアス電流源１４と接続点３８との間に更に抵抗等が接続されても良い。それらの場合において、上記のように伝送線路２７を省いた構成も可能である。以下では、図２の構成例を中心に説明する。
　本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１において、電流源１１，１２には、例えば、ＳｉＧｅバイポーラトランジスタを用いた相補型の電流駆動回路を用いても良いし、又は、ＭＯＳＦＥＴを用いたＣＭＯＳ型の電流駆動回路を用いても良い。他の電流源についても同様である。図４に、各電流源に使用可能な相補型電流駆動回路の一例を示す。図４において、１０２は半導体レーザダイオード、５１，５２はＳｉＧｅバイポーラトランジスタ、５３はダミーダイオード、６０は定電流源を表す。また、Ｐは所定のタイミング信号であり、／Ｐは信号Ｐを反転させたタイミング信号である。なお、高速電流パルスの立ち上がり時間は、１００ｐｓ以下であるのが望ましい。この相補型電流駆動回路では、タイミング信号Ｐでトランジスタ５１をＯＮ／ＯＦＦさせて、半導体レーザダイオード１０２に電流６０を供給し、また、タイミング信号／Ｐでトランジスタ５２をＯＮ／ＯＦＦさせて、ダミーダイオード５３に電流を供給する。このようにすることによって、レーザＯＮ／ＯＦＦ時の負荷変動を抑制することができる。図５に、図２の半導体レーザ駆動回路１０１の電流原１１，１２，１３に相補型電流駆動回路を用いた場合の回路構成例を示す。この場合に、各電流原は、ディスクリート部品で構成されていても良いし、若しくは、個別の集積回路として構成されても良いし、又は、全電流原が一つのパッケージの集積回路として構成されても良い。
　本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１において、２つの高速電流源１１，１２は、同一の特性（若しくは、実質的に同一の特性）又は同一に近い特性であることが望ましく、同一の特性である場合に本実施形態による効果が最も発揮される。高速電流源１１の出力側伝送路である伝送路２１と高速電流源１２の出力側伝送路である伝送路２２は、等しい特性インピーダンスＺ０を有する電線路によって延伸されたものである。特性インピーダンスＺ０は、負荷となる半導体レーザのインピーダンスと整合させる。特性インピーダンスＺ０は、例えば２０Ωとされる。
　伝送路２１及び２２は、可能な限り同一の特性（若しくは、実質的に同一の特性）又は同一に近い特性にすることが望ましく、等長配線にし且つ特性インピーダンスを同一にした場合に本実施形態による効果が最も発揮される。
　低速電流源１３は、高速電流源１１，１２と同一特性のものを用いて、その出力に抵抗を直列に接続するように構成してもよい。その場合、後述するチップ抵抗４３と兼用することもできる。
　低速電流源１３の出力側伝送路２３の特性インピーダンスは、高速電流源側の伝送路２１及び２２と同じにしても良い（例えば２０Ωとされる）が、異なるインピーダンスでも構わない。複数の低速電流源を有する場合は、低速電流源の出力側伝送路同士を０Ω以上の抵抗等を介して接続し、１本の伝送路としておくことで、同様に実現できる。
　さて、本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１において、高速電流源の出力側伝送路２１，２２と低速電流源の出力側伝送路２３は、伝送路２１，２２，２３をそれぞれ流れる信号を結合して出力する結合器３０に接続される。結合器３０は、前段結合部３１と後段結合部３２を含む。前段結合部３１では、まず、同一の抵抗値又は同一に近い抵抗値を有する２つのチップ抵抗４１，４２を直列に接続して、伝送路２１と伝送路２２との間が接続され、さらに、チップ抵抗４１とチップ抵抗４２とが接続されている接続点において、チップ抵抗４３を介して伝送路２３が接続される。
　チップ抵抗４１，４２の抵抗値は、特性インピーダンスＺ０と等しい抵抗値又はほぼ等しい抵抗値にするのが望ましい。チップ抵抗４３の抵抗値は、低速電流源１３の出力電流の実効値と、チップ抵抗の耐圧とを加味して決定されるのが望ましく、概ね５０Ω以下の範囲で決定される。
　上記接続点の位置で伝送路２３を結合することが本実施形態の特徴の一つであり、伝送路２３を、他の位置で、チップ抵抗４３と同一の抵抗値を持つ直列抵抗を介して接続するよりも、立ち上がり特性を良くすることができる。図６に、比較例に係る半導体レーザ駆動回路の回路構成を示す。図６において、１００１，１００２は高速電流源、１００３は低速電流源、１０２１～１０２４，１０２６は伝送線路、１０４３は抵抗である。図６の回路構成では、低速電流源１００３の出力側伝送路１０２３が、伝送路１０２６の位置で、同一の抵抗値を持つ直列抵抗１０４３を介して接続されており、直列抵抗１０４３の抵抗値を本実施形態におけるチップ抵抗４３と同一にすると、立ち上がり性能は本実施形態よりも劣化する。また、この直列抵抗１０４３を最適化して、本実施形態と同等の立ち上がり特性を得ようとすると、直列抵抗１０４３の値を、本実施形態におけるチップ抵抗４３に比べてかなり大きな抵抗値とする必要があり、消費電力の点からも、現実的でない。
　次に、図７に、結合器３０の模式図を示す。なお、これは、図２の構成から伝送線路２７を省いた構成に対応する。
　後段結合部３２は、前段結合部３１から、２つの高速電流源の出力側伝送路２１,２２を、特性インピーダンスＺ０よりも大きな特性インピーダンスＺ１を有する長さＬの伝送路２４，２５を挿入して延伸した後に結合し、特性インピーダンスＺ０を有する伝送路２６で出力する。特に、Ｚ１とＬの値に、　
　　　Ｚ１＝２＾（１／２）×Ｚ０　
　　　Ｌ＝（１／（４ｆ））×ｃ／（ε＾０．５）　
により計算される値を用いると、伝送路２４，２５の結合部５０におけるインピーダンス整合を図ることができ、伝送路２１，２２から伝送路２６への通過率を高めることができる。ここで、ｆは目標周波数、εは基板の絶縁体誘電率、ｃは光速である。また、＾は、累乗を表す（すなわち、２＾（１／２）は、２の平方根である）。
　また、伝送路２１から、伝送路２４を通り結合点５０で分岐され、伝送路２５、伝送路２２へ戻って行く一部の信号は、伝送路２１からチップ抵抗４１，４２を通る信号に対して半波長位相がずれるために、それら信号が打ち消し合う効果があり、結果的に、伝送路２１から伝送路２２への信号の反射を抑制できる。同様に、伝送路２２から伝送路２１への信号の反射も抑制できる。
　なお、目標周波数ｆは、およそ半導体レーザの緩和振動周波数（数ＧＨｚ～数十ＧＨｚ）に合わせると、より効果的である。
　図８に、結合器３０の他の例の模式図を示す。これは、伝送線路２７を含む図２の構成に対応する。この場合、特性インピーダンスＺ０よりも大きな特性インピーダンスＺ１を有する長さＬの伝送路２４，２５を挿入し結合した後に、特性インピーダンスＺ０よりも小さな特性インピーダンスＺ２を有する距離Ｌの伝送路２７を挿入し、特性インピーダンスＺ０の伝送路２６で出力する。特に、Ｚ１とＺ２とＬの値に、　
　　　Ｚ１＝２＾（１／４）×Ｚ０　
　　　Ｚ２＝２＾（－１／４）×Ｚ０　
　　　Ｌ＝（１／（４ｆ））×ｃ／（ε＾０．５）　
により計算される値を用いると、インピーダンスマッチングをより段階的に行う効果が得られ、より高周波特性を高めることができる。
　情報記録再生装置において、半導体レーザ駆動回路１０１と、半導体レーザダイオード１０２とを接続する場合、半導体レーザの配置に自由度をもたせるためにフレキシブル基板を用いて接続しても良い。半導体レーザ駆動回路１０１における各電流源（図２の場合、１１，１２，１３）及び結合器３０の前段結合部３１を、部品実装を伴うためにリジッド基板上に形成し、一方、部品実装を伴わないが、比較的大きな物理長を必要とする結合器３０の後段結合部３２を、機構上必要なフレキシブル基板上に実装することで、回路規模の増加を抑制することができる。
　以下では、本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１を用いて緩和振動記録ストラテジに対応した駆動電流波形を出力した場合のシミュレーション結果について、比較例によるシミュレーション結果と比較しつつ、説明する。
　複数の電流源を接続する場合に、本実施形態の方法とは異なる方法としては、複数の電流源からの出力線を直接接続する方法が考えられる。ここでは、複数の電流源を直接接続した半導体レーザ駆動回路（図６参照）を比較例として説明する。
　図９に、本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１を用いて緩和振動記録ストラテジに対応した駆動電流波形を出力した場合のシミュレーション波形を示す。図１０に、図６の比較例に係る半導体レーザ駆動回路を用いた場合のシミュレーション波形を示す。また、図１１の（ａ）は、図９のシミュレーション波形と図１０のシミュレーション波形とをオーバーレイ表示したものであり、（ｂ）は（ａ）の８０で示す部分を拡大したものであり、（ｃ）は（ａ）の８１で示す部分を拡大したものである。図１１の（ｂ）において、８３は図９に対応し、８４は図１０に対応する。また、図１１の（ｃ）において、８５は図９に対応し、８６は図１０に対応する。
　各種の駆動電流パルスについて、ピーク電流パルスは、２つの高速電流源（１１，１２）及びＤＣバイアス電流源（図２の場合、１３）（図３の場合、１４）を同時に駆動することによって出力し、イレース電流パルスは、低速電流源及びＤＣバイアス電流源を同時に駆動することによって出力している。なお、後者は、図２の場合、電流源及びＤＣバイアス電流源を供給するように電流源１３を駆動することに対応し、図３の場合、低速電流１３及びＤＣバイアス電流源１４を同時に駆動することに対応する。特性のばらつきを想定して、電流源１１の伝送路と電流源１２の伝送路との間には、３０ｐｓのスキューを与えている。抵抗値等のパラメータは、図１１の（ａ）の８２で示すイレース電流パルスの立ち上がり時間が同等になるように、それぞれ最適化している。
　比較例による駆動電流波形は、加算部分におけるインピーダンス不整合に伴いリンギングが発生していることがわかる。一方、本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１による電流波形は、リンギングが生じていない。また、ピーク電流は、比較例よりも本実施形態の半導体レーザ駆動回路１０１の方が１０％程度上昇しており、高速な立ち上がり時間を実現していることがわかる。このように、本実施形態によれば、ピーク電流における立ち上がり特性が改善でき、インピーダンス不整合に伴うリンギングも抑制できる。
　以上のように、本実施形態によれば、高速な駆動電流源を複数設け、伝送路中で高周波特性を損なわずに合成することで、高速な立ち上がり時間を維持しつつ、高出力を得ることのできる半導体レーザ駆動回路を提供することができる。
　本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Claims (15)

  1. 　半導体レーザを駆動するための半導体レーザ駆動回路において、
    　前記半導体レーザに電流を供給するための第１の高速電流源と、
    　前記半導体レーザに電流を供給するための、前記第１の高速電流源と同一の特性又は同一に近い特性を有する第２の高速電流源と、
    　前記半導体レーザに電流を供給するための、前記第１及び第２の高速電流源よりも立ち上がりの遅い特性を有する一つ又は複数の低速電流源と、
    　第１の特性インピーダンスを有する、前記第１の高速電流源の出力側の伝送路である第１の出力側伝送路と、該第１の特性インピーダンスを有する、前記第２の高速電流源の出力側の伝送路である第２の出力側伝送路と、前記一つ又は複数の低速電流源の出力側の伝送路である第３の出力側伝送路とを含み、該第１の出力側伝送路を流れる信号と、該第２の出力側伝送路を流れる信号と、該第３の出力側伝送路を流れる信号とを結合して前記半導体レーザに対して出力する結合器とを含み、
    　前記結合器は、前記第１、第２及び第３の出力側伝送路を含み、前記第１の出力側伝送路と前記第２の出力側伝送路との間に、同一の抵抗値又は同一に近い抵抗値を有する二つの抵抗体を直列に配置して接続し、該二つの抵抗体同士が接続される中間点において前記第３の出力側伝送路を接続する第１の結合部と、前記第１の出力側伝送路と前記第２の出力側伝送路とを、前記第１の特性インピーダンスよりも大きい第２の特性インピ―ダンスを有する線路により所定の距離だけ夫々延伸した後に接続する第２の結合部とを含むことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
  2. 　前記第２の結合部は、前記第２の特性インピ―ダンスを有する二つの線路を接続した後に、これを、前記第１の特性インピーダンスを有する線路により前記半導体レーザに接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
  3. 　前記第２の結合部は、前記第２の特性インピ―ダンスを有する二つの線路を接続し、更に、これを、前記第１の特性インピーダンスよりも小さい第３の特性インピーダンスを有する線路により所定の距離だけ延伸した後に、これを、前記第１の特性インピーダンスを有する線路により前記半導体レーザに接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
  4. 　前記第１の特性インピーダンスを、前記半導体レーザのインピーダンスと整合させることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
  5. 　前記第２の特性インピーダンスを、前記第１の特性インピーダンスに２＾（１／２）を乗じた値とすることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ駆動回路。
  6. 　前記第２の特性インピーダンスを、前記第１の特性インピーダンスに２＾（１／４）を乗じた値とし、前記第３の特性インピーダンスを、前記第１の特性インピーダンスに２＾（－１／４）を乗じた値とすることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ駆動回路。
  7. 　前記半導体レーザ駆動回路は、
    　前記第１及び第２の高速電流源並びに前記低速電流源が実装されるリジッド基板部と、
    　前記リジッド基板部と前記半導体レーザとを繋ぐフレキシブル基板部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
  8. 　前記第１の結合部は、前記リジッド基板部に実装され、
    　前記第２の結合部は、前記フレキシブル基板部に実装されることを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザ駆動回路。
  9. 　前記高速電流源は、バイポーラトランジスタで構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
  10. 　前記高速電流源は、バイポーラトランジスタで構成され、その立ち上がり時間が１００ｐｓ以下であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ駆動回路。
  11. 　１又は複数の記録層を有する情報記録媒体への記録を行う情報記録装置において、
    　半導体レーザと、
    　前記半導体レーザを駆動するための半導体レーザ駆動回路とを備え、
    　前記半導体レーザ駆動回路は、
    　前記半導体レーザに電流を供給するための第１の高速電流源と、
    　前記半導体レーザに電流を供給するための、前記第１の高速電流源と同一の特性又は同一に近い特性を有する第２の高速電流源と、
    　前記半導体レーザに電流を供給するための、前記第１及び第２の高速電流源よりも立ち上がりの遅い特性を有する一つ又は複数の低速電流源と、
    　第１の特性インピーダンスを有する、前記第１の高速電流源の出力側の伝送路である第１の出力側伝送路と、該第１の特性インピーダンスを有する、前記第２の高速電流源の出力側の伝送路である第２の出力側伝送路と、前記一つ又は複数の低速電流源の出力側の伝送路である第３の出力側伝送路とを含み、該第１の出力側伝送路を流れる信号と、該第２の出力側伝送路を流れる信号と、該第３の出力側伝送路を流れる信号とを結合して前記半導体レーザに対して出力する結合器とを含み、
    　前記結合器は、前記第１、第２及び第３の出力側伝送路を含み、前記第１の出力側伝送路と前記第２の出力側伝送路との間に、同一の抵抗値又は同一に近い抵抗値を有する二つの抵抗体を直列に配置して接続し、該二つの抵抗体同士が接続される中間点において前記第３の出力側伝送路を接続する第１の結合部と、前記第１の出力側伝送路と前記第２の出力側伝送路とを、前記第１の特性インピーダンスよりも大きい第２の特性インピ―ダンスを有する線路により所定の距離だけ夫々延伸した後に接続する第２の結合部とを含むことを特徴とする情報記録装置。
  12. 　前記半導体レーザ駆動回路は、前記第１及び第２の高速電流源から高速電流を同時に出力することで前記半導体レーザダイオードにピーク電流パルスを供給することを特徴とする請求項１１に記載の情報記録装置。
  13. 　前記半導体レーザから出力される光パルスにより前記情報記録媒体の記録層を溶点以上の温度に上昇させることによって、単一のマークを記録することを特徴とする請求項１２に記載の情報記録装置。
  14. 　前記第２の結合部は、前記第２の特性インピ―ダンスを有する二つの線路を接続した後に、これを、前記第１の特性インピーダンスを有する線路により前記半導体レーザに接続することを特徴とする請求項１１に記載の情報記録装置。
  15. 　前記第２の結合部は、前記第２の特性インピ―ダンスを有する二つの線路を接続し、更に、これを、前記第１の特性インピーダンスよりも小さい第３の特性インピーダンスを有する線路により所定の距離だけ延伸した後に、これを、前記第１の特性インピーダンスを有する線路により前記半導体レーザに接続することを特徴とする請求項１１に記載の情報記録装置。
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