WO2013004496A2 - Optoelektronisches halbleiterbauelement und modul mit einer mehrzahl von derartigen bauelementen - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement und modul mit einer mehrzahl von derartigen bauelementen Download PDF

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Definitions

  • Optoelectronic semiconductor component and module with a plurality of such components Optoelectronic semiconductor component and module with a plurality of such components
  • the invention relates to an optoelectronic component comprising a first semiconductor chip and a second semiconductor chip. Furthermore, the present invention relates to a module with a plurality of such semiconductor devices.
  • LEDs are often used, which are downstream in the emission LCD filters. There are different requirements for the LEDs. On the one hand, a maximum brightness of the LEDs and, on the other hand, a large color gamut are expected. By different converters, which are downstream of the LEDs in the emission direction, the properties of the LEDs can be adjusted. However, the desired properties such as brightness and Farbgamut usually behave contrary
  • converters that convert in the green or red wavelength range do not have the
  • Farbgamut must be achieved.
  • the range of colors that can be achieved is the degree of conversion between the wavelength of the radiation emitted by the LED and the dominant wavelength of the converter, which may contain multiple phosphors, and the transmission of the downstream LCD filter.
  • the dominant wavelength of the LED the wavelength of the radiation emitted by the LED and the dominant wavelength of the converter, which may contain multiple phosphors, and the transmission of the downstream LCD filter.
  • the dominant wavelength of the individual phosphors are varied. In order to achieve the highest possible brightness, the dominant wavelength should be close to
  • LEDs in classes based on their physical
  • This object is achieved by a semiconductor device having the features of claim 1. Further, this object is achieved by a use of such a semiconductor device having the features of claim 11. In addition, this object is achieved by a module comprising a plurality of such semiconductor components having the features of claim 12.
  • this includes
  • Optoelectronic semiconductor device a first
  • the semiconductor chip and a second semiconductor chip, wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip each having an appropriate for generating radiation active layer.
  • the first semiconductor chip is followed by a first converter in the emission direction, which has a yellow
  • the second semiconductor chip is followed by a second converter in the emission direction, which comprises a yellow phosphor with the addition of a green phosphor.
  • the first converter therefore contains a yellow and
  • the second converter contains a yellow and additionally a green phosphor.
  • the individual semiconductor chips of the component are thus different converters with at least partially
  • the radiation of the second semiconductor chip is at least partially converted into yellow and green radiation by the second converter.
  • the radiation of the first semiconductor chip is at least partially by the first converter in yellow and red
  • a desired white point can be achieved with an enlarged Farbgamut.
  • a very large range of white points at the LED level can be achieved with advantage by the different dominance wavelengths of the total of three phosphors.
  • Converters preferably have one
  • the one emitted by the first semiconductor chip and at the first converter is the one emitted by the first semiconductor chip and at the first converter
  • Semiconductor chip emitted and converted to the second converter radiation is preferably in the ultra-white wavelength range with a proportion of green radiation.
  • the semiconductor device is an optoelectronic
  • the semiconductor device has two optoelectronic
  • the semiconductor chips are preferably LEDs, particularly preferably thin-film LEDs.
  • a growth substrate on which layers of the semiconductor chip have been epitaxially grown has been partially or completely detached.
  • the semiconductor chips each have one
  • the active layer preferably contains a pn junction, a double heterostructure, a
  • Single quantum well structure SQW, Single quantum well
  • MQW multiple quantum well structure
  • Dimensionality of quantization includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots, and each one
  • the semiconductor layer stack of the semiconductor chips each preferably contains an I I I / V semiconductor material.
  • III / V semiconductor materials are used for radiation generation in the
  • the active layer of the first and second semiconductor chips is in each case suitable for emitting radiation in the blue wavelength range. This blue radiation is then on the first converter
  • the first and second converters are respectively suitable for converting part of the radiation emitted by the first or second semiconductor chip into radiation of at least one other wavelength and for transmitting a part of the radiation emitted to the first or second semiconductor chip without being converted.
  • transmitting unconverted means that the radiation emitted by the first or second semiconductor chip at least partially passes through the first or second converter without any influence, so that this portion of the radiation is the corresponding one
  • Converters as blue radiation leaves.
  • the converters are therefore not suitable for complete conversion, but convert only a part of the
  • Phosphor is preferably an Eu2 + -doped CaAlSiN3: -based phosphor or a (Ba, Sr, Ca) 2Si5 g-based
  • the green phosphor is preferably an Eu ⁇ - + - doped orthosilicate or nitrido orthosilicate Lu3 (GaxAli- ⁇ ) 50] _2 _ based, in particular, a LU3 (GaxAl] _- ⁇ ) 5O2: Ce-based phosphor, a Y3Al5O12: Ce-based phosphor, a (Ba, Sr) Si202 2 ⁇ based phosphor or a ⁇ -SiAlON-based phosphor.
  • a LU3 (GaxAl] _- ⁇ ) 5O2 Ce-based phosphor
  • a Y3Al5O12 Ce-based phosphor
  • a (Ba, Sr) Si202 2 ⁇ based phosphor or a ⁇ -SiAlON-based phosphor In particular, show
  • the first phosphors Brightness and a great color gamut. In addition, these phosphors are cost-effective with advantage. According to at least one embodiment, the first
  • Converter plate formed Converter plates have, for example, a matrix material with the phosphors embedded therein.
  • Converter plates have, for example, a matrix material with the phosphors embedded therein.
  • Converter wafers are applied to the semiconductor chips.
  • the person skilled in the art is also familiar with such converter chips under the term fluorescent layers. According to at least one embodiment, the
  • Semiconductor component further comprises a housing having at least one cavity in which the semiconductor chips are arranged.
  • the semiconductor device is formed in this case as an LED package.
  • each semiconductor chip in the housing is associated with a cavity, thus each semiconductor chip is arranged in a separate cavity of the housing.
  • Semiconductor component further comprises an optical element, which is arranged downstream of the semiconductor chips in the emission direction.
  • the semiconductor device does not necessarily have a housing.
  • the semiconductor chips can hereby for example, be mounted on a planar printed circuit board.
  • Spectral components of the converted and unconverted radiations are mixed so that white light is produced with advantage.
  • the optical detector According to at least one embodiment, the optical detector
  • This light guide is preferably suitable for the backlighting of televisions and computer monitors or other screens.
  • the light guide is designed such that a homogeneous
  • Light guide for example, scattering centers, which are preferably suitable, the coupled into the light guide
  • a module comprises a plurality of semiconductor devices mounted on a
  • Radiation emitted semiconductor devices are coupled in this case in the common light guide.
  • Radiation emitted semiconductor devices are coupled in this case in the common light guide.
  • Integrated scattering centers are preferred for homogeneous radiation characteristic.
  • the module for backlighting Preferably, the module for backlighting
  • a screen is used.
  • Module, and Figure 3 is a diagram showing the emission spectra of a
  • Components such as layers, structures,
  • FIG. 1 shows a cross section of an exemplary embodiment of a semiconductor component 10 which has a housing 5.
  • the housing 5 has a carrier substrate (not shown), which is enclosed, for example, by means of the housing 5.
  • the housing 5 has a cavity (not shown) in which a first semiconductor chip 1a and a second semiconductor chip 1b are arranged.
  • the semiconductor chips 1a, 1b are mounted on a bottom surface of the cavity of the housing 5 directly on the carrier substrate.
  • the first semiconductor chip la has a to
  • the second semiconductor chip 1b has a to
  • Radiation generation suitable layer IIb which is also suitable to emit radiation in the blue wavelength range.
  • the semiconductor chips 1a, 1b each have a semiconductor layer sequence based on a III / V semiconductor material.
  • the active layer IIa, IIb is in each case integrated in the semiconductor layer sequence.
  • the semiconductor chips 1a, 1b are preferably LEDs.
  • the first semiconductor chip 1a is followed by a first converter 3a in the emission direction, which is suitable for radiation in the blue wavelength range in radiation in the yellow
  • the first converter 3a has a red phosphor which is suitable for converting the blue radiation emitted by the first semiconductor chip 1a into radiation in the red wavelength range.
  • the first converter 3a is designed as a converter plate and is arranged directly on a radiation coupling-out side of the first semiconductor chip 1a. This is
  • the converter plate 3a produced separately and by means of a layer transfer to the first
  • the first converter 3a preferably converts that of the first one
  • the yellow phosphor of the first converter 3a is
  • Y3 (Gax Al- ⁇ ) 5O 2: Ce-based phosphor preferably a Y3 (Gax Al- ⁇ ) 5O 2: Ce-based phosphor.
  • the red phosphor is preferably an Eu2 + -doped CaAlSiN3: -based phosphor or a (Ba, Sr, Ca) 2S15N8-based phosphor.
  • a second converter 3b is correspondingly arranged and arranged downstream of the semiconductor chip in the emission direction, which is also referred to as
  • the second converter 3b converts a part of the radiation emitted by the second semiconductor chip 1b into radiation in the yellow and in the green wavelength range. Part of the second
  • Semiconductor chip emitted radiation is emitted by the lb second converter 3b transmits unconverted as blue radiation. Beams passing through the second converter 3b thus comprise both a yellow and green component and a blue component. For example, again about 50% of the active layer IIb of the second
  • the yellow phosphor of the second converter 3b is again preferably a Y3 (Gax Al- ⁇ ) 5O 2: Ce-based phosphor.
  • the green phosphor of the second converter 3b is preferably an Eu 2+ -doped orthosilicate or nitrido orthosilicate, a Lu 3 (Gax Al- ⁇ ) 5O 2: Ce-based phosphor, a Y 3 Al50] 2: Ce-based phosphor, a (Ba, Sr) Si 2 O 2 -based
  • the green phosphor is a Y3Al5O12: Ce-based phosphor, it preferably has a low doping of less than 1%.
  • the converters 3a, 3b each have a preferred one
  • the individual phosphors of the converters 3a, 3b are homogeneously distributed in the matrix material, so that a homogeneous as possible
  • the semiconductor component of FIG. 1 emits in total blue radiation which is emitted by the semiconductor chips 1a, 1b and transmitted unconverted, red and yellow
  • Screens such as televisions and computers.
  • the semiconductor device does not necessarily comprise a housing.
  • the semiconductor chips 1a, 1b may alternatively be applied to a carrier substrate that is not enclosed by a housing.
  • FIG. 2 shows an exemplary embodiment of a module
  • FIG. 10 shown comprising a plurality of semiconductor devices 10, for example, side by side on a
  • Carrier substrate 2 are arranged.
  • the semiconductor components 10 of FIG. 2 may be designed, for example, in each case corresponding to the semiconductor component according to the exemplary embodiment of FIG. Accordingly, the components each have two semiconductor chips 1a, 1b, to which respectively the first converter 3a and second converter 3b are arranged downstream.
  • the first and second semiconductor chips 1a, 1b are preferably arranged alternately on the carrier substrate.
  • the semiconductor chips 1a, 1b of the components 10 are in
  • the optical element 4 is for example a light guide, which preferably contains scattering centers.
  • Scattering centers are preferably suitable, of the Semiconductor devices 10 emitted radiation to scatter homogeneously in all directions.
  • the emitted from the semiconductor chips la, lb of the semiconductor devices 10 and the converted beams are coupled together in the common light guide 4, wherein in the light guide 4, the spectral components of the radiations are mixed.
  • Such in a light guide coupled and mixed there beams can for
  • FIG. 3 shows a diagram in which standardized
  • the semiconductor device for example, according to the embodiment of Figure 1 are plotted.
  • the emission spectrum IG are emitted by the semiconductor device as a whole
  • the emission spectrum IG is, in particular, the summed spectrum of the individual emission spectra IIa, IIb of the individual semiconductor chips of the component. Due to the different dominance wavelengths of
  • a total of three phosphors used in the yellow, red and green wavelength range can be achieved with advantage a very wide range of white points at the LED level. This leads advantageously to the screen level to an enlarged color space compared to the individual semiconductor chips at maximum brightness.
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these, but includes each new feature and any combination of features, which in particular any combination of features in the

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Abstract

Es wird ein Halbleiterbauelement (10) angegeben, das einen ersten Halbleiterchip (1a) und einen zweiten Halbleiterchip (1b) umfasst. Der erste und zweite Halbleiterchip (1a, 1b) weisen jeweils eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (1a, 1b) auf. Dem ersten Halbleiterchip (1a) ist ein erster Konverter (3a) nachgeordnet, der einen gelben Leuchtstoff mit Zusatz eines roten Leuchtstoffs umfasst. Dem zweiten Halbleiterchip (1b) ist ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet, der einen gelben Leuchtstoff mit Zusatz eines grünen Leuchtstoffs umfasst. Weiter ist ein Modul mit einer Mehrzahl derartiger Bauelemente (10) angegeben.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, das einen ersten Halbleiterchip und einen zweiten Halbleiterchip umfasst. Weiter betrifft die vorliegende Erfindung ein Modul mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102011106478.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Zur Hinterleuchtung von Bildschirmen wie beispielsweise
Fernsehern und Computermonitoren werden oftmals LEDs benutzt, denen in Abstrahlrichtung LCD-Filter nachgeschaltet sind. Dabei gibt es unterschiedliche Anforderungen an die LEDs. Zum einen werden eine maximale Helligkeit der LEDs und zum anderen ein großer Farbgamut erwartet. Durch unterschiedliche Konverter, die den LEDs in Abstrahlrichtung nachgeschaltet sind, können die Eigenschaften der LEDs angepasst werden. Die gewünschten Eigenschaften wie beispielsweise Helligkeit und Farbgamut verhalten sich jedoch meist gegensätzlich
zueinander. Beispielsweise weisen Konverter, die im grünen oder roten Wellenlängenbereich konvertieren, nicht die
Helligkeit von gelben Konvertern jedoch einen größeren
Farbgamut als gelbe Konverter auf. Aus den technischen Eigenschaften der unterschiedlichen LCD- Filter ergeben sich für die einzelnen LEDs des Weiteren unterschiedliche Weißpunkte, die für einen optimalen
Farbgamut erreicht werden müssen. Bei einer Mischung von beispielsweise zwei Konvertern ergibt sich der Farbbereich, der erreicht werden kann, aus dem Konversionsgrad zwischen der Wellenlänge der von der LED emittierten Strahlung und der Dominanzwellenlänge des Konverter, der mehrere Leuchtstoffe enthalten kann und der Transmission des nach geschalteten LCD-Filters. Hierbei kann die Dominanzwellenlänge des
Konverters aus mehreren Leuchtstoffen jedoch nur an den
Grenzen der Dominanzwellenlänge der einzelnen Leuchtstoffe variiert werden. Um nun eine möglichst große Helligkeit zu erreichen, sollte die Dominanzwellenlänge nahe der
Empfindlichkeitskurve des menschlichen Auges liegen. Dies führt jedoch häufig dazu, dass mit einem an die Helligkeit optimierten Konverter nur ein begrenzter Bereich von
Weißpunkten erreicht werden kann, wodurch zwar eine optimale Helligkeit, jedoch ein verringerter Farbgamut ermöglicht wird .
Zusätzlich ergibt sich durch Produktionsschwankungen, dass produktgleiche LEDs häufig nicht genau identische
Helligkeiten und Farborte besitzen. Diesbezüglich ist
bekannt, LEDs in Klassen anhand ihrer physikalischen
Parameter einzuteilen, wobei LEDs verschiedener Klassen miteinander in einem Bildschirm verbaut werden. Diese ergeben dann insgesamt auf Bildschirmebene eine gemittelte Helligkeit und einen gemittelten Farbort. Durch dieses so genannte
Champing werden also LEDs unterschiedlicher
Klasseneinteilungen in einem Endprodukt verbaut.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das zur Hinterleuchtung geeignet ist, wobei die Halbleiterchips des Halbleiterbauelements eine maximale Helligkeit und
gleichzeitig einen vergrößerten Farbgamut aufweisen. Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Weiter wird diese Aufgabe durch eine Verwendung eines derartigen Halbleiterbauelements mit den Merkmalen des Anspruchs 11 gelöst. Zudem wird diese Aufgabe durch ein Modul umfassend eine Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente mit den Merkmalen des Anspruchs 12 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des
Halbleiterbauelements, dessen Verwendung und des Moduls sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Halbleiterbauelement einen ersten
Halbleiterchip und einen zweiten Halbleiterchip, wobei der erste Halbleiterchip und der zweite Halbleiterchip jeweils eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweisen. Dem ersten Halbleiterchip ist in Abstrahlrichtung ein erster Konverter nachgeordnet, der einen gelben
Leuchtstoff mit Zusatz eines roten Leuchtstoffs umfasst. Dem zweiten Halbleiterchip ist in Abstrahlrichtung ein zweiter Konverter nachgeordnet, der einen gelben Leuchtstoff mit Zusatz eines grünen Leuchtstoffs umfasst.
Der erste Konverter enthält demnach einen gelben und
zusätzlich einen roten Leuchtstoff. Entsprechend enthält der zweite Konverter einen gelben und zusätzlich einen grünen Leuchtstoff .
Den einzelnen Halbleiterchips des Bauelements sind also unterschiedliche Konverter mit zumindest teilweise
unterschiedlichen Leuchtstoffen nachgeordnet. Die Strahlung des zweiten Halbleiterchips wird zumindest teilweise mit dem zweiten Konverter in gelbe und grüne Strahlung konvertiert. Die Strahlung des ersten Halbleiterchips wird zumindest anteilig durch den ersten Konverter in gelbe und rote
Strahlung umgewandelt. Durch die jeweilige Verwendung eines gelben Leuchtstoffs kann mit Vorteil eine maximale Helligkeit erreicht werden. Durch die Verwendung von zwei weiteren unterschiedlichen Leuchtstoffen, nämlich den grünen
Leuchtstoff und den roten Leuchtstoff, die in demselben
Halbleiterbauelement verbaut sind, kann vorteilhafterweise ein gewünschter Weißpunkt bei einem vergrößerten Farbgamut erzielt werden. Insbesondere kann durch die unterschiedlichen Dominanzwellenlängen der insgesamt drei Leuchtstoffe mit Vorteil ein sehr großer Bereich von Weißpunkten auf LED-Ebene erreicht werden. Die einzelnen Strahlungen, die von den einzelnen
Halbleiterchips emittiert und an den nachgeordneten
Konvertern konvertiert werden, weisen bevorzugt einen
ähnlichen Farbort auf. Bevorzugt liegt die von dem ersten Halbleiterchip emittierte und an dem ersten Konverter
konvertierte Strahlung im ultraweißen Wellenlängenbereich mit einem Anteil roter Strahlung. Die von dem zweiten
Halbleiterchip emittierte und an dem zweiten Konverter konvertierte Strahlung liegt vorzugsweise im ultraweißen Wellenlängenbereich mit einem Anteil grüner Strahlung.
Erfindungsgemäß kann somit ein Emissionsspektrum des
Bauelements realisiert werden, das sich aus einer
Superposition der einzelnen emittierten beziehungsweise konvertierten Spektren der Halbleiterchips beziehungsweise Konverter zusammensetzt, und das vorteilhafterweise an die herkömmlichen LCD-Filtersysteme abgestimmt ist. Dadurch ermöglicht sich eine maximale Helligkeit und ein vergrößerter Farbgamut zur Hinterleuchtung von beispielsweise Bildschirmen .
Das Halbleiterbauelement ist ein optoelektronisches
Bauelement, das die Umwandlung von elektrisch erzeugten Daten oder Energien in Lichtemission ermöglicht oder umgekehrt. Das Halbleiterbauelement weist zwei optoelektronische
Halbleiterchips auf, vorzugsweise Strahlungsemittierende Halbleiterchips. Die Halbleiterchips sind bevorzugt LEDs, besonders bevorzugt Dünnfilm-LEDs. Bei Dünnfilm-LEDs ist insbesondere ein Aufwachssubstrat , auf dem Schichten des Halbleiterchips epitaktisch aufgewachsen worden sind, teilweise oder vollständig abgelöst worden. Die Halbleiterchips weisen jeweils einen
Halbleiterschichtenstapel auf, in dem die aktive Schicht enthalten ist. Die aktive Schicht enthält vorzugsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine
Einfachquantentopfstruktur (SQW, Single quantum well) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der
Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede
Kombination dieser Strukturen.
Der Halbleiterschichtenstapel der Halbleiterchips enthält jeweils vorzugsweise ein I I I /V-Halbleitermaterial . III/V- Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im
ultravioletten, über den sichtbaren bis in den infraroten Spektralbereich besonders geeignet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die aktive Schicht des ersten und zweiten Halbleiterchips jeweils geeignet, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich zu emittieren. Diese blaue Strahlung wird anschließend am ersten Konverter
beziehungsweise am zweiten Konverter in gelbe und rote beziehungsweise gelbe und grüne Strahlung umgewandelt, sodass das Bauelement insgesamt weiße Strahlung emittiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der erste und zweite Konverter jeweils geeignet, einen Teil der von dem ersten bzw. zweiten Halbleiterchip emittierten Strahlung in Strahlung zumindest einer anderen Wellenlänge zu konvertieren und einen Teil der dem ersten bzw. zweiten Halbleiterchip emittierten Strahlung unkonvertiert zu transmittieren .
Unkonvertiert transmittiert bedeutet hierbei, dass die von dem ersten beziehungsweise zweiten Halbleiterchip emittierte Strahlung zumindest anteilig ohne Beeinflussung durch den ersten beziehungsweise zweiten Konverter hindurch tritt, sodass dieser Anteil der Strahlung den entsprechenden
Konverter als blaue Strahlung verlässt. Die Konverter sind demnach nicht zu einer vollständigen Konversion geeignet, sondern konvertieren lediglich einen Teil der von dem
jeweiligen Halbleiterchip emittierten Strahlung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der gelbe
Leuchtstoff ein Y3 (GaxAli-X) 5O12- basierter, insbesondere ein Y3 (GaxAli-χ) 5O 2 : Ce-basierter, Leuchtstoff. Der rote
Leuchtstoff ist vorzugsweise ein Eu2+-dotierter CaAlSiN3:- basierter Leuchtstoff oder ein (Ba, Sr, Ca) 2Si5 g-basierter
Leuchtstoff. Der grüne Leuchtstoff ist bevorzugt ein Eu^-+- dotiertes Orthosilikat oder Nitridoorthosilikat , ein Lu3 (GaxAli-χ) 50]_2_basierter, insbesondere ein LU3 (GaxAl]_- χ) 5O 2 : Ce-basierter, Leuchtstoff, ein Y3AI5O12 : Ce-basierter Leuchtstoff, ein (Ba, Sr) Si202 2~basierter Leuchtstoff oder ein ß-SiAlON-basierter Leuchtstoff. Insbesondere weisen
Halbleiterchips mit derartig nachgeschalteten Leuchtstoffen beziehungsweise Leuchtstoffkombinationen eine optimale
Helligkeit und einen großen Farbgamut auf. Zudem sind diese Leuchtstoffe mit Vorteil kostengünstig. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der erste
Konverter und/oder der zweite Konverter als
Konverterplättchen ausgebildet. Konverterplättchen weisen beispielsweise ein Matrixmaterial mit den darin eingebetteten Leuchtstoffen auf. Mittels beispielsweise eines
Layertransfers können die separat hergestellten
Konverterplättchen auf die Halbleiterchips aufgebracht werden. Dem Fachmann sind derartige Konverterplättchen auch unter dem Begriff Leuchtstofflayer bekannt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Halbleiterbauelement weiter ein Gehäuse mit zumindest einer Kavität auf, in der die Halbleiterchips angeordnet sind. Das Halbleiterbauelement ist in diesem Fall als LED-Package ausgebildet. Alternativ besteht die Möglichkeit, dass jedem Halbleiterchip in dem Gehäuse eine Kavität zugeordnet ist, wobei somit jeder Halbleiterchip in einer separaten Kavität des Gehäuses angeordnet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Halbleiterbauelement weiter ein optisches Element auf, das den Halbleiterchips in Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. In diesem Fall muss das Halbleiterbauelement nicht zwangsläufig ein Gehäuse aufweisen. Die Halbleiterchips können hierbei beispielsweise auf einer planaren Leiterplatte montierst sein .
Vorzugsweise wird in das optische Element die von dem ersten Halbleiterchip und die von dem zweiten Halbleiterchip
emittierte und die von den Konvertern konvertierte Strahlung eingekoppelt. In dem optischen Element können so die
Spektralbestandteile der konvertierten und unkonvertierten Strahlungen gemischt werden, sodass mit Vorteil weißes Licht entsteht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das optische
Element ein Lichtleiter. Dieser Lichtleiter ist vorzugsweise zur Hinterleuchtung von Fernsehern und Computermonitoren oder anderen Bildschirmen bevorzugt geeignet. Vorzugsweise ist der Lichtleiter derart ausgebildet, dass eine homogene
Abstrahlcharakteristik erzielt wird. Hierzu enthält der
Lichtleiter beispielsweise Streuzentren, die bevorzugt geeignet sind, die in den Lichtleiter eingekoppelten
Spektralbestandteile homogen in alle Raumrichtungen zu streuen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das
Halbleiterbauelement als Hinterleuchtung verwendet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst ein Modul eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, die auf einem
gemeinsamen Trägersubstrat angeordnet sind, wobei den
Halbleiterbauelementen in Abstrahlrichtung ein Lichtleiter nachgeordnet ist. Die von den einzelnen
Halbleiterbauelementen emittierten Strahlungen werden hierbei in den gemeinsamen Lichtleiter eingekoppelt. Zur homogenen Abstrahlcharakteristik sind im Lichtleiter bevorzugt Streuzentren integriert, die geeignet sind, die von den
Halbleiterbauelementen emittierte Strahlung zu streuen.
Vorzugsweise wird das Modul zur Hinterleuchtung
beispielsweise eines Bildschirms verwendet.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen : einen schematischen Querschnitt eines
Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen
Halbleiterbauelements , einen schematischen Querschnitt eines
Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen
Moduls, und Figur 3 ein Diagramm, das die Emissionsspektren eines
erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements und dessen Halbleiterchips in Abhängigkeit der Wellenlänge darstellt . In den Figuren können gleiche oder gleich wirkende
Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Bestandteile und deren
Größenverhältnisse untereinander sind nicht als
maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne
Bestandteile wie beispielsweise Schichten, Strukturen,
Komponenten und Bereiche zur besseren Darstellbarkeit
und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein. In Figur 1 ist ein Querschnitt eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements 10 gezeigt, das ein Gehäuse 5 aufweist. Das Gehäuse 5 weist ein Trägersubstrat auf (nicht dargestellt) , das beispielsweise mittels des Gehäuses 5 umschlossen ist. Das Gehäuse 5 weist eine Kavität auf (nicht dargestellt) , in dem ein erste Halbleiterchip la und ein zweite Halbleiterchip lb angeordnet sind. Insbesondere sind die Halbleiterchips la, lb auf einer Bodenfläche der Kavität des Gehäuses 5 direkt auf dem Trägersubstrat montiert.
Der erste Halbleiterchip la weist eine zur
Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht IIa auf, die geeignet ist, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich zu emittieren. Der zweite Halbleiterchip lb weist eine zur
Strahlungserzeugung geeignete Schicht IIb auf, die ebenfalls geeignet ist, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich zu emittieren. Die Halbleiterchips la, lb weisen jeweils eine Halbleiterschichtenfolge auf, die auf einem III/V- Halbleitermaterial basieren. Die aktive Schicht IIa, IIb ist dabei jeweils in der Halbleiterschichtenfolge integriert. Die Halbleiterchips la, lb sind vorzugsweise LEDs.
Dem ersten Halbleiterchip la ist in Abstrahlrichtung ein erster Konverter 3a nachgeordnet, der geeignet ist, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich in Strahlung im gelben
Wellenlängenbereich zu konvertieren. Zusätzlich weist der erste Konverter 3a einen roten Leuchtstoff auf, der geeignet ist, die von dem ersten Halbleiterchip la emittierte blaue Strahlung in Strahlung im roten Wellenlängenbereich zu konvertieren . Der erste Konverter 3a ist vorliegend als Konverterplättchen ausgebildet und direkt auf einer Strahlungsauskoppelseite des ersten Halbleiterchips la angeordnet. Hierzu ist
beispielsweise das Konverterplättchen 3a separat hergestellt und mittels eines Layertransfers auf den ersten
Halbleiterchip la übertragen und dort befestigt. Der erste Konverter 3a konvertiert bevorzugt die von dem ersten
Halbleiterchip la emittierte Strahlung teilweise in Strahlung im gelben und roten Wellenlängenbereich. Das bedeutet, dass lediglich eine Teilkonversion im ersten Konverter 3a
stattfindet, sodass aus dem ersten Konverter 3a hindurch tretende Strahlen sowohl einen blauen Anteil sowie einen gelben und roten Anteil umfassen. Beispielsweise wird etwa 50 % der von der aktiven Schicht IIa des ersten
Halbleiterchips la emittierten Strahlung in dem ersten
Konverter 3a in gelbe beziehungsweise rote Strahlung
umgewandelt und etwa 50 % unkonvertiert als blaue Strahlung transmittiert . Der gelbe Leuchtstoff des ersten Konverters 3a ist
vorzugsweise ein Y3 (GaxAli-χ) 5O 2 : Ce-basierter Leuchtstoff.
Der rote Leuchtstoff ist vorzugsweise ein Eu2+-dotierter CaAlSiN3 : -basierter Leuchtstoff oder ein (Ba, Sr, Ca) 2S15N8- basierter Leuchtstoff.
Auf dem zweiten Halbleiterchip lb ist entsprechend ein zweiter Konverter 3b angeordnet und dem Halbleiterchip in Abstrahlrichtung nachgeordnet, der ebenfalls als
Konverterplättchen ausgebildet ist. Der zweite Konverter 3b konvertiert einen Teil der von dem zweiten Halbleiterchip lb emittierten Strahlung in Strahlung im gelben und im grünen Wellenlängenbereich. Ein Teil der von dem zweiten
Halbleiterchip lb emittierten Strahlung wird durch den zweiten Konverter 3b unkonvertiert als blaue Strahlung transmittiert . Aus dem zweiten Konverter 3b hindurch tretende Strahlen umfassen somit sowohl einen gelben und grünen Anteil sowie einen blauen Anteil. Beispielsweise wird wiederum etwa 50 % der von der aktiven Schicht IIb des zweiten
Halbleiterchips lb emittierten Strahlung in dem zweiten
Konverter 3b in gelbe beziehungsweise grüne Strahlung
umgewandelt und etwa 50 % unkonvertiert transmittiert. Der gelbe Leuchtstoff des zweiten Konverters 3b ist wiederum vorzugsweise ein Y3 (GaxAli-χ) 5O 2 : Ce-basierter Leuchtstoff. Der grüne Leuchtstoff des zweiten Konverters 3b ist bevorzugt ein Eu2+-dotiertes Orthosilikat oder Nitridoorthosilikat , ein Lu3 (GaxAli-χ) 5O 2 : Ce-basierter Leuchtstoff, ein Y3Al50]_2:Ce- basierter Leuchtstoff, ein (Ba, Sr) Si202 2-basierter
Leuchtstoff oder ein ß-SiAlON-basierter Leuchtstoff. Ist der grüne Leuchtstoff ein Y3AI5O12 : Ce-basierter Leuchtstoff, so weist dieser bevorzugt eine niedrige Dotierung von weniger als 1% auf.
Die Konverter 3a, 3b weisen jeweils bevorzugt ein
Matrixmaterial auf, in dem die einzelnen Leuchtstoffe
eingebettet sind. Besonders bevorzugt sind die einzelnen Leuchtstoffe der Konverter 3a, 3b in dem Matrixmaterial homogen verteilt, sodass eine möglichst homogene
Abstrahlcharakteristik erzielt werden kann.
Das Halbleiterbauelement der Figur 1 emittiert insgesamt blaue Strahlung, die von den Halbleiterchips la, lb emittiert und unkonvertiert transmittiert wird, rote und gelbe
Strahlung, die von dem ersten Konverter 3a konvertiert wird, und grüne und gelbe Strahlung, die von dem zweiten Konverter 3b umgewandelt wird. Dadurch kann ein Bauelement realisiert werden, dessen Emissionsspektrum einen vergrößerten Farbraum im Vergleich zu den einzelnen Halbleiterchips la, lb bei maximaler Helligkeit aufweist. Derartige Bauelemente eignen sich dadurch insbesondere zur Hinterleuchtung von
Bildschirmen, wie beispielsweise Fernsehern und Computern.
Durch die Verwendung der oben genannten Konverter 3a, 3b kann mit Vorteil ein hoher Farbgamut bei maximaler Helligkeit erzielt werden.
Das Halbleiterbauelement muss nicht zwangsläufig ein Gehäuse umfassen. Die Halbleiterchips la, lb können alternativ auf einem Trägersubstrat aufgebracht sein, das nicht von einem Gehäuse umschlossen ist.
In Figur 2 ist ein Ausführungsbeispiel eines Moduls
dargestellt, das eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen 10 umfasst, die beispielsweise nebeneinander auf einem
Trägersubstrat 2 angeordnet sind. Die Halbleiterbauelemente 10 der Figur 2 können beispielsweise jeweils entsprechend dem Halbleiterbauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 ausgestaltet sein. Die Bauelemente weisen demnach jeweils zwei Halbleiterchips la, lb auf, denen jeweils der erste Konverter 3a beziehungsweise zweite Konverter 3b nachgeordnet ist. Die ersten und zweiten Halbleiterchips la, lb sind auf dem Trägersubstrat bevorzugt alternierend angeordnet.
Den Halbleiterchips la, lb der Bauelemente 10 ist in
Abstrahlrichtung ein gemeinsames optisches Element 4
nachgeordnet. Das optische Element 4 ist beispielsweise ein Lichtleiter, der bevorzugt Streuzentren enthält. Die
Streuzentren sind bevorzugt geeignet, die von den Halbleiterbauelementen 10 emittierte Strahlung homogen in alle Raumrichtungen zu streuen.
Die von den Halbleiterchips la, lb der Halbleiterbauelemente 10 emittierten und die konvertierten Strahlen werden in den gemeinsamen Lichtleiter 4 gemeinsam eingekoppelt, wobei in dem Lichtleiter 4 die Spektralbestandteile der Strahlungen gemischt werden. Insbesondere koppelt die vom ersten
Halbleiterchip la emittierte blaue Strahlung, die vom ersten Konverter 3a konvertierte gelbe und rote Strahlung, die vom zweiten Halbleiterchip lb emittierte blaue Strahlung sowie die vom zweiten Konverter 3b konvertierte gelbe und grüne Strahlung gemeinsam in den Lichtleiter 4 ein und werden dort bevorzugt homogen gemischt. Derartige in einem Lichtleiter eingekoppelte und dort gemischte Strahlen können zur
Hinterleuchtung von beispielsweise Fernsehern und
Computermonitoren verwendet werden.
In Figur 3 ist ein Diagramm gezeigt, in dem genormte
Strahlungsemission I gegen die Wellenlänge λ eines
erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements beispielsweise gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 aufgetragen sind. In dem Diagramm sind das Emissionsspektrum IIa der von dem ersten Halbleiterchip emittierten und an dem ersten Konverter konvergierten Strahlung, das Emissionsspektrum IIb der von dem zweiten Halbleiterchip emittierten und an dem zweiten Konverter konvergierten Strahlung und das Emissionsspektrum IG der vom Halbeiterbauelement insgesamt emittierten
Strahlung gezeigt. Das Emissionsspektrum IG ist insbesondere das summierte Spektrum der einzelnen Emissionsspektren IIa, IIb der einzelnen Halbleiterchips des Bauelements. Durch die unterschiedlichen Dominanzwellenlängen der
insgesamt drei verwendeten Leuchtstoffe im gelben, roten und grünen Wellenlängenbereich kann mit Vorteil ein sehr großer Bereich von Weißpunkten auf LED-Ebene erreicht werden. Dies führt mit Vorteil auf Bildschirmebene zu einem vergrößerten Farbraum im Vergleich zu den einzelnen Halbleiterchips bei maximaler Helligkeit.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den
Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombinationen selbst nicht explizit in den Ansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben sind.

Claims

1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10), das einen ersten Halbleiterchip (la) und einen zweiten
Halbleiterchip (lb) umfasst, wobei
der erste Halbleiterchip (la) eine zur
Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (IIa) aufweist,
der zweite Halbleiterchip (lb) eine zur
Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (IIb) aufweist,
dem ersten Halbleiterchip (la) in Abstrahlrichtung ein erster Konverter (3a) nachgeordnet ist, der einen gelben Leuchtstoff mit Zusatz eines roten Leuchtstoffs umfasst, und
dem zweiten Halbleiterchip (lb) in Abstrahlrichtung ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet ist, der einen gelben Leuchtstoff mit Zusatz eines grünen
Leuchtstoffs umfasst.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei
die aktive Schicht (IIa) des ersten Halbleiterchips (la) und die aktive Schicht (IIb) des zweiten Halbleiterchips (lb) jeweils geeignet sind, Strahlung im blauen
Wellenlängenbereich zu emittieren.
3. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der erste und zweite Konverter jeweils geeignet ist, einen Teil der von dem ersten beziehungsweise zweiten Halbleiterchip (la, lb) emittierten Strahlung in
Strahlung zumindest einer anderen Wellenlänge zu
konvertieren und einen Teil der dem ersten beziehungsweise zweiten Halbleiterchip (la, lb)
emittierten Strahlung unkonvertiert zu transmittieren .
4. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der gelbe Leuchtstoff ein Y3 (GaxAli_x) 5O12 : Ce-basierter Leuchtstoff ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der rote Leuchtstoff ein Eu2+-dotierter CaAl S iN3 i - basierter Leuchtstoff oder ein (Ba, Sr, Ca) 2Sis 8-basierter Leuchtstoff ist.
6. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der grüne Leuchtstoff ein Eu2+-dotiertes Orthosilikat oder Nitridoorthosilikat , ein LU3 (GaxAli_x) 5O12 : Ce- basierter Leuchtstoff, ein Y3AI 5O12 : Ce-basierter
Leuchtstoff, ein (Ba, Sr) Si202 2-basierter Leuchtstoff oder ein ß-SiAlON-basierter Leuchtstoff ist.
7. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der erste Konverter (3a) und der zweite Konverter (3b) als Konverterplättchen ausgebildet sind.
8. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter aufweisend ein Gehäuse mit zumindest einer Kavität, in der die Halbleiterchips (la, lb) angeordnet sind.
9. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter aufweisend ein optisches Element (4), das den Halbleiterchips (la, lb) in Abstrahlrichtung nachgeordnet ist.
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, wobei
das optische Element (4) ein Lichtleiter ist, der
Streuzentren enthält.
11. Verwendung eines Halbleiterbauelements nach einem der vorhergehenden Ansprüche als Hinterleuchtung .
12. Modul, das eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 10 umfasst, die auf einem gemeinsamen Trägersubstrat (2) angeordnet sind, wobei den Halbleiterbauelementen (10) in Abstrahlrichtung ein Lichtleiter (4) nachgeordnet ist.
13. Modul nach Anspruch 12, wobei
im Lichtleiter (4) Streuzentren integriert sind, die geeignet sind, die von den Halbleiterbauelementen (10) emittierte Strahlung zu streuen.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013226793A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh LED-Modul
DE102014107472A1 (de) 2014-05-27 2015-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Beleuchtungsvorrichtung

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7488990B2 (en) * 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device
US7701124B2 (en) * 2004-04-23 2010-04-20 Harvatek Corporation White light-emitting device having a cap layer formed from a mixture of silicon and a phosphor blend
US7682850B2 (en) * 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
JP4989936B2 (ja) * 2006-07-27 2012-08-01 株式会社朝日ラバー 照明装置
KR100818162B1 (ko) * 2007-05-14 2008-03-31 루미마이크로 주식회사 색온도 조절이 가능한 백색 ｌｅｄ 장치
US7990045B2 (en) * 2008-03-15 2011-08-02 Sensor Electronic Technology, Inc. Solid-state lamps with partial conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors
JP2010034184A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
WO2010128481A2 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 I2Ic Corporation Light source comprising light deflecting particles
JP5343752B2 (ja) * 2009-07-31 2013-11-13 大日本印刷株式会社 導光板、導光板の製造方法、面光源装置および液晶表示装置
KR101659355B1 (ko) * 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None

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Publication number Publication date
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