WO2013002502A3 - Composition de gravure de texture pour une tranche de silicium cristallin et procédé de gravure de texture de celle-ci - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract 3
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 abstract 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Abstract
La présente invention concerne une composition de gravure de texture pour une tranche de silicium cristallin et un procédé de gravure de texture de celle-ci, et, plus spécifiquement, une composition de gravure de texture pour une tranche de silicium cristallin, qui est apte à rendre maximimale la quantité absorbée de lumière du soleil par le fait qu'elle comprend la quantité optimale de composés alcalins, de composés cycliques, de polysaccharides et d'eau résiduelle, permettant ainsi d'améliorer l'uniformité de texture selon une position sur la surface de la tranche de silicium cristallin, d'améliorer le rendement optique par réduction de la réflectivité de la lumière, et d'augmenter le nombre de tranches traitées selon la quantité utilisée par unité. L'invention concerne également un procédé de gravure de texture d'une tranche de silicium.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20110062735 | 2011-06-28 | ||
KR10-2011-0062735 | 2011-06-28 | ||
KR10-2012-0058485 | 2012-05-31 | ||
KR1020120058485A KR20130002258A (ko) | 2011-06-28 | 2012-05-31 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2013002502A2 WO2013002502A2 (fr) | 2013-01-03 |
WO2013002502A9 WO2013002502A9 (fr) | 2013-02-07 |
WO2013002502A3 true WO2013002502A3 (fr) | 2013-04-11 |
Family
ID=47424628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/KR2012/004786 WO2013002502A2 (fr) | 2011-06-28 | 2012-06-18 | Composition de gravure de texture pour une tranche de silicium cristallin et procédé de gravure de texture de celle-ci |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2013002502A2 (fr) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI635160B (zh) * | 2014-03-07 | 2018-09-11 | 東友精細化工有限公司 | 紋理蝕刻溶液組成物及晶體矽晶圓紋理蝕刻方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030024879A (ko) * | 2000-08-16 | 2003-03-26 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 | 신규한 최종 연마 방법을 사용하여 반도체 웨이퍼를처리하기 위한 방법 및 장치 |
WO2011020632A1 (fr) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | Rena Gmbh | Procédé de gravure de surfaces de silicium |
KR20110046308A (ko) * | 2009-10-26 | 2011-05-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물 |
JP2011119405A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法 |
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2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030024879A (ko) * | 2000-08-16 | 2003-03-26 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 | 신규한 최종 연마 방법을 사용하여 반도체 웨이퍼를처리하기 위한 방법 및 장치 |
WO2011020632A1 (fr) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | Rena Gmbh | Procédé de gravure de surfaces de silicium |
KR20110046308A (ko) * | 2009-10-26 | 2011-05-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물 |
JP2011119405A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013002502A2 (fr) | 2013-01-03 |
WO2013002502A9 (fr) | 2013-02-07 |
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