WO2013002502A3 - Composition de gravure de texture pour une tranche de silicium cristallin et procédé de gravure de texture de celle-ci - Google Patents

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박면규
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Abstract

La présente invention concerne une composition de gravure de texture pour une tranche de silicium cristallin et un procédé de gravure de texture de celle-ci, et, plus spécifiquement, une composition de gravure de texture pour une tranche de silicium cristallin, qui est apte à rendre maximimale la quantité absorbée de lumière du soleil par le fait qu'elle comprend la quantité optimale de composés alcalins, de composés cycliques, de polysaccharides et d'eau résiduelle, permettant ainsi d'améliorer l'uniformité de texture selon une position sur la surface de la tranche de silicium cristallin, d'améliorer le rendement optique par réduction de la réflectivité de la lumière, et d'augmenter le nombre de tranches traitées selon la quantité utilisée par unité. L'invention concerne également un procédé de gravure de texture d'une tranche de silicium.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI635160B (zh) * 2014-03-07 2018-09-11 東友精細化工有限公司 紋理蝕刻溶液組成物及晶體矽晶圓紋理蝕刻方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030024879A (ko) * 2000-08-16 2003-03-26 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 신규한 최종 연마 방법을 사용하여 반도체 웨이퍼를처리하기 위한 방법 및 장치
WO2011020632A1 (fr) * 2009-08-20 2011-02-24 Rena Gmbh Procédé de gravure de surfaces de silicium
KR20110046308A (ko) * 2009-10-26 2011-05-04 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물
JP2011119405A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030024879A (ko) * 2000-08-16 2003-03-26 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 신규한 최종 연마 방법을 사용하여 반도체 웨이퍼를처리하기 위한 방법 및 장치
WO2011020632A1 (fr) * 2009-08-20 2011-02-24 Rena Gmbh Procédé de gravure de surfaces de silicium
KR20110046308A (ko) * 2009-10-26 2011-05-04 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물
JP2011119405A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法

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