WO2012153688A1

WO2012153688A1 - 液晶パネル、液晶パネル集合体、及び液晶パネルの製造方法

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Publication number: WO2012153688A1
Application number: PCT/JP2012/061589
Authority: WO
Inventors: 洋樹牧野; 吉良　隆敏
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2011-05-09
Filing date: 2012-05-02
Publication date: 2012-11-15
Anticipated expiration: 2013-11-09
Also published as: US20140218673A1

Abstract

本発明に係る液晶パネル１０は、液晶層５０と、この液晶層５０の回りを囲むシール部４０と、液晶層５０及びシール部４０を挟んで互いに向かい合う一対のガラス基板２０，３０と、一方のガラス基板２０の内面上においてシール部４０よりも外側に配される端子パターン６０と、前記内面上において端子パターン６０よりも外側に配されると共に、腐蝕液と接触すると変色する腐蝕液浸入検出部７０とを備え、このような腐蝕液浸入検出部の変色によって、端子パターンの腐蝕を判別可能となる。

Description

液晶パネル、液晶パネル集合体、及び液晶パネルの製造方法

　本発明は、液晶パネル、液晶パネル集合体、及び液晶パネルの製造方法に関する。

　近年、コンピュータ、テレビ等の家電製品の表示部として、液晶パネルが広く用いられている。液晶パネルは、一般には、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）アレイ基板とカラーフィルタ（以下、ＣＦ）基板とからなる一対の基板が、所定の間隔を置いて平行に対向して貼り合わせられ、両基板間に液晶が封止された構成をなしている。

　通常、ＴＦＴアレイ基板には複数のＴＦＴやこれに接続された画素電極がマトリクス状に形成され、ＣＦ基板にはＣＦがマトリクス状に形成されると共にその全面に共通電極が形成されており、これら電極間に印加する電圧を変化させることで、液晶を配向制御することができるようになっている。

　このような液晶パネルを製造するにあたっては、大きなマザー基板（液晶パネル複数枚取り用の大型のガラス基板）に対して複数の液晶パネル分の画素電極やＣＦをそれぞれ形成する等、製造工程の途中までは、マザー基板のままで処理が行われている。

　そして、携帯電話やデジタルカメラ等に用いられる小型の液晶パネルでは、マザー基板同士を貼り合せて大判（大型）パネルとした後に個々に分割することが行われている。

　特に近年では、小型の前記液晶パネルに関しては、軽量化や大画面化を行うべく、薄型化及び狭額縁化が要望されている。この場合の薄型化とは、液晶パネルを構成する基板、具体的には上述したような画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板及びＣＦ等が形成されたＣＦ基板の薄板化である。また、狭額縁化とは、液晶パネルの表示領域における面積の拡大化、つまり表示領域を囲むパネル額縁領域の面積の縮小化である。

　特許文献１には、薄型化に関する技術が開示されている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板集合体と、ＣＦ基板集合体を、各表示領域を囲むように形成されたシール部を介して互いに貼り合わせ、両基板集合体間の複数の表示領域にそれぞれ液晶層を設けてパネル集合体（大判パネル）を作製する。

　次いで、フッ酸等からなるエッチング液を用いてパネル集合体をエッチング処理することにより、各基板集合体をそれぞれ薄板化する。このようなエッチング処理においては、エッチング槽に貯留されているエッチング液中にパネル集合体を浸漬する工程が行われる。

　その後、各基板集合体を、回転刃を有するカッターホイール等を用いてスクライブ溝を形成し、そのスクライブ溝に沿ってパネル集合体を分割すると、複数枚の液晶パネルが得られることになる。

　これによれば、パネル集合体の状態で各基板集合体をそれぞれ薄板化することができるので、例えば、分割した後に液晶パネルを薄板化する場合と比べて、製造効率が高いという利点がある。

　ただし、薄型化された状態のパネル集合体を分割するのは、薄型化されていない状態のパネル集合体を分割する場合と比べて、所定のパネル外径寸法となるように精度良く分割することが困難な場合がある。

　特許文献２には、薄型化された状態のパネル集合体を精度良く分割し、液晶パネルの薄型化を行う技術が示されている。

特開平４－１１６６１９号公報特開２００７－２９８７４７号公報

（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら、スクライブ溝が形成された大判（大型）パネルに対してケミカルエッチングを行う際に、スクライブ溝が成長し過ぎる等して、マザー基板に貫通孔が形成されることがある。このような孔が形成されると、その孔から前記マザー基板の内面側にまでエッチング液が浸入し、ＴＦＴアレイ基板内面上に形成されている端子パターンを腐蝕させてしまうことがあり、問題となっている。

　端子パターンが腐蝕すると導通不良等が生じるため、その腐蝕した端子パターンが形成されている部分の液晶パネルは、使用できなくなる。なお、前記端子パターンは、通常、複数本の細かな配線が集まったものからなるため、その一部分のみがエッチング液によって腐蝕していても、その腐蝕部分を視覚的に検出（判別）することが難しい場合があり、問題となっている。

　本発明の目的は、液晶パネルを構成する基板をケミカルエッチングによって薄板化する場合に、エッチング液（腐蝕液）によって腐蝕されている端子パターンを備えた液晶パネルを容易に判別できる技術を提供することである。

（課題を解決するための手段）
　本発明に係る液晶パネルは、液晶層と、この液晶層の回りを囲むシール部と、前記液晶層及び前記シール部を挟んで互いに向かい合う一対のガラス基板と、一方の前記ガラス基板の内面上において前記シール部よりも外側に配される端子パターンと、前記内面上において前記端子パターンよりも外側に配されると共に、腐蝕液と接触すると変色する腐蝕液浸入検出部と、を備える。前記液晶パネルは、腐蝕液浸入検出部の変色によって、端子パターンの腐蝕を判別できる。

　前記液晶パネルにおいて、前記腐蝕液浸入検出部が、金属膜を含んでもよい。

　前記液晶パネルにおいて、前記腐蝕液浸入検出部が、金属膜と、この金属膜の下側に敷かれる下地膜とを含んでもよい。前記液晶パネルは、金属膜の下側に下地膜を備えているため、腐蝕液浸入検出部の変色の有無が判別し易い。

　前記液晶パネルにおいて、前記腐蝕液浸入検出部が、金属膜と、下地膜と、これらの間で挟まれる１つ又は２つ以上の中間膜とを含んでもよい。前記液晶パネルは、金属膜と、下地膜と、これらの間で挟まれる１つ又は２つ以上の中間膜とを含んでいるため、腐蝕液浸入検出部の変色の有無が判別し易い。

　前記液晶パネルにおいて、前記金属膜が、一方の前記ガラス基板の内面上に配されている透明電極と同じ材料からなると共に、前記透明電極と同じ形成工程で形成されてもよい。前記液晶パネルは、その金属膜が透明電極と同じ形成工程で形成されるため、製造効率が良い。

　前記液晶パネルにおいて、前記下地膜が、一方の前記ガラス基板の内面上に配されている絶縁膜と同じ材料からなると共に、前記絶縁膜と同じ形成工程で形成されてもよい。前記液晶パネルは、その下地膜が絶縁膜と同じ形成工程で形成されるため、製造効率が良い。

　前記液晶パネルにおいて、前記中間膜が、一方の前記ガラス基板の内面上に配されているゲート電極又はソース電極と同じ材料からなると共に、前記ゲート電極又はソース電極と同じ形成工程で形成されてもよい。前記液晶パネルは、その中間膜がゲート電極又はソース電極と同じ形成工程で形成されるため、製造効率が良い。

　前記液晶パネルにおいて、前記腐蝕液浸入検出部が、前記端子パターンの回りを、前記シール部と共に取り囲んでもよい。前記液晶パネルは、腐蝕液浸入検出部が、端子パターンの回りをシール部と共に取り囲んでいるため、エッチング液の浸入を確実に検出できる。

　また、本発明に係る液晶パネル集合体は、前記液晶パネルを、複数個まとめて製造するための液晶パネル集合体であって、一方のガラス基板同士が、互いに繋がってなる一方のマザーガラス基板と、他方のガラス基板同士が、互いに繋がってなる他方のマザーガラス基板と、前記マザーガラス基板間で挟まれる複数の液晶層と、前記マザーガラス基板間で挟まれる複数のシール部と、一方のマザーガラス基板の内面上に配される複数の端子パターンと、一方のマザーガラス基板の内面上に配される複数の腐蝕液浸入検出部と、を備える。

　また、本発明に係る液晶パネルの製造方法は、前記液晶パネル集合体を、液晶パネル毎に分断するために、少なくとも一方のマザーガラス基板の外面上にスクライブ溝を形成する工程と、前記スクライブ溝に腐蝕液を接触させて、前記スクライブ溝を成長させる工程と、成長後の前記スクライブ溝に沿って、前記液晶パネル集合体が液晶パネル毎に分断される工程と、分断された各液晶パネルの中から、腐蝕液浸入検出部が前記腐蝕液によって変色したものを除外する工程と、を備える。

（発明の効果）
　本発明によれば、液晶パネルを構成する基板をケミカルエッチングによって薄板化する場合に、エッチング液（腐蝕液）によって腐蝕されている端子パターンを備えた液晶パネルを容易に判別できる技術を提供できる。

液晶パネルの断面図液晶パネルの平面図腐蝕液浸入検出部の断面図液晶パネル集合体の平面図液晶パネルの製造方法の手順を説明するフローチャート薄型化前の液晶パネル集合体におけるシール部周辺を模式的に表した断面図液晶パネル集合体の薄型化に用いられるエッチング槽の断面図１回目のエッチング処理によって薄型化された液晶パネル集合体のシール部周辺を模式的に表した断面図スクライブ溝の形成に用いられるカッターホイールの斜視図第１スクライブ溝が形成された液晶パネル集合体のシール部周辺を模式的に表した断面図２回目のエッチング処理によって薄型化された液晶パネル集合体のシール部周辺を模式的に表した断面図第２スクライブ溝が形成された液晶パネル集合体のシール部周辺を模式的に表した断面図液晶パネル集合体が分断されて得られた液晶パネルを模式的に表した断面図実施形態２の液晶パネルの平面図実施形態２の液晶パネル集合体の平面図実施形態３の液晶パネルに形成される腐蝕液浸入検出部の部分的な拡大平面図実施形態４の液晶パネルに形成される腐蝕液浸入検出部の部分的な拡大断面図実施形態５の液晶パネルに形成される腐蝕液浸入検出部の部分的な拡大断面図

　＜実施形態１＞
　本発明の一実施形態に係る液晶パネルの製造方法、この製造方法で利用される液晶パネル集合体、及びこの製造方法で得られる液晶パネルについて、図１ないし図１３を参照しつつ説明する。先ず図１及び図２を参照しつつ、本実施形態の液晶パネルの構成を説明する。

（液晶パネル）
　図１は、液晶パネル１０の断面図である。図１に示されるように、液晶パネル１０は、主として、ＴＦＴアレイ基板（ガラス基板の一例）２０、ＣＦ基板（ガラス基板の一例）３０、シール部４０、液晶層５０等を備えている。

　ＴＦＴアレイ基板２０は、透明なガラス製の板２上に、複数の画素電極（透明電極）２１がマトリクス状に形成されている。各画素電極２１の周囲には、走査電極線であるゲート電極線２２と、画像信号電極線であるソース電極線２３とが互いに交差するように形成されている。

　ゲート電極線２２とソース電極線２３とは、それらの交差部において、ソース電極線２３がゲート電極配線２２の上側となるようにそれぞれ配されている。その交差部において、ゲート電極線２２とソース電極線２３とは、ゲート絶縁膜２６を介して互いに電気的に絶縁されている。また、ゲート電極線２２とソース電極線２３との交差部には、スイッチング素子としてのＴＦＴ２４が形成されている。ＴＦＴ２４は、ゲート電極線２２の一部であるゲート電極２２ａに接続されている。

　ＴＦＴ２４が形成されている領域のゲート絶縁膜２６の上側には、半導体膜２５が、ゲート電極２２ａに対して重畳するように形成されている。また、その半導体膜２５の上側には、ソース電極線２３の一部であるソース電極２３ａと、ドレイン電極２３ｂとがそれぞれ形成されている。なお、ソース電極２３ａとドレイン電極２３ｂとは、ゲート電極２２ａを挟んで互いに間隔を保った状態で、半導体膜２５上に形成されている。そして、ドレイン電極２３ｂが画素電極２１のコンタクトホール部２１ａを介して画素電極２１に接続されている。

　ＴＦＴ２４は、ゲート電極線２２のゲート電極２２ａより供給される走査信号電圧によって、オン・オフが切り替えられる。また、ソース電極線２３のソース電極２３ｂより供給される画像信号電圧は、オン状態のＴＦＴ２４によってドレイン電極２３ｂ及びコンタクトホール部２１ａを介して画素電極２１に供給される。

　このようなＴＦＴ２４は、ゲート絶縁膜２６の上側に形成されている層間絶縁膜２７によって覆われている。なお、この層間絶縁膜２７上には、画素電極２１が形成されている。画素電極２１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉde）等の透明導電膜により形成されている。この画素電極２１の上側には、紫外線等を利用した配向処理が施されているポリイミド膜等からなる配向膜２８が形成されている。液晶層５０中に含まれている液晶物質は、この配向膜２８によって配向規制される。

　ＣＦ基板３０は、ＴＦＴアレイ基板２０と対向するように配されており、ＴＦＴアレイ基板２０との間で液晶層５０を挟んでいる。ＣＦ基板３０は、透明なガラス製の板３上に、上述したゲート電極線２２及びソース電極線２３が形成された領域を遮光するように格子状のブラックマトリクス（以下、ＢＭ）３２が形成されている。ＢＭ３２で囲まれた領域には、赤、青、緑等のＣＦ層（着色層）３３が形成されている。

　そして、ＣＦ層３３及びＢＭ３２の表面を覆うように、ＴＦＴアレイ基板２０の各画素電極２１と対向する共通電極３１が形成されている。図１において、共通電極３１は、ＣＦ層３３及びＢＭ３２の下側に示されている。この共通電極３１も、画素電極２１と同様、ＩＴＯ等の透明導電膜によって形成されている。また、共通電極３１の表面を覆うように、配向膜３４が形成されている。この配向膜３４も、ＴＦＴアレイ基板２０側のものと同様、紫外線等を利用した配向処理が施されているポリイミド膜等からなり、液晶層５０中に含まれている液晶物質の配向規制を行っている。

　なお、このような両基板２０，３０によって挟まれている液晶層５０は、シール部４０によって封止されている。図１に示されるように、このシール部４０も、両基板２０，３０によって挟まれている。図２は、液晶パネル１０の平面図である。図２に示されるように、液晶層５０の周りを囲む枠状のシール部４０が形成されている。なお、図２には、ＣＦ基板３０側から見た液晶パネル１０が示されている。

　図２に示されるように、ＴＦＴアレイ基板２０、及びＣＦ基板３０は、共に矩形状（四角形状）である。ただし、図２において下側に配されているＴＦＴアレイ基板２０の方が、上側に配されているＣＦ基板３０よりも大きい。ＴＦＴアレイ基板２０とＣＦ基板３０とは、それぞれ短辺側における一方の端部の位置がそろえられている。そして、短辺側における他方の端部の位置は異なっており、ＴＦＴアレイ基板３０の一部が、ＣＦ基板２０よりも外側にはみ出している。このはみ出した部分におけるＴＦＴアレイ基板３０の内面上には、端子パターン６０が形成されている。この端子パターン６０は、複数本の細かな配線からなり、アルミニウム等の金属材料からなる。なお、この端子パターン６０上には、図示されない液晶パネル１０を駆動させるためのドライバＩＣが実装されている。

　端子パターン６０は、シール部４０よりも外側におけるＴＦＴアレイ基板２０の内面上に形成されている。本実施形態の場合、端子パターン６０は、ガラス製の板２上に形成されており、その一部は、ＣＦ基板３０の短辺側における端部によって覆われている。この端子パターン６０をなす各配線６の一端は、上述したソース電極配線２２、ゲート電極配線２３等に接続されている。これに対して、それらの他端は、図示されないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の端子部と、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を介して接続される。なお、端子パターン６０は、ＴＦＴアレイ基板２０の周縁までは形成されておらず、周縁よりも内側の部分に配されている。

　また、端子パターン６０よりも外側におけるＴＦＴアレイ基板２０の内面上には、腐蝕液浸入検出部７０が形成されている。図２に示されるように、腐蝕液浸入検出部７０は、端子パターン６０を囲むように、ＴＦＴアレイ基板２０の周縁に沿って設けられている。腐蝕液浸入検出部７０は、連続した一本の帯状（線状）であり、その幅は、端子パターン７０を構成する各配線６よりも大きく設定されている。本実施形態の場合、その幅は、シール部４０の幅よりも若干細く設定されている。なお、端子パターン６０は、ＴＦＴアレイ基板２０の内面上において、シール部４０と、腐蝕液浸入検出部７０とによって取り囲まれている。

　図３は、腐蝕液浸入検出部７０の断面図である。図３に示されるように、腐蝕液浸入検出部７０は、ガラス製の板２上に形成されている下地膜７２と、この下地膜７２上に形成されている金属膜７１とからなる。下地膜７２は、上述したゲート絶縁膜２６と同じ材料からなると共に、そのゲート絶縁膜２６と同じ製造工程で製造される。そして、金属膜７１は、上述した画素電極（透明電極）２１と同じ材料（つまり、ＩＴＯ等の透明導電膜）からなると共に、その画素電極２１と同じ製造工程で製造される。

　腐蝕液浸入検出部７０は、フォトリソグラフィ技術等のパターン形成技術を利用して、所定の場所に形成される。腐蝕液浸入検出部７０は、フッ酸等からなるエッチング液（腐蝕液）と接触すると、エッチング液と反応して、変色する。

（液晶パネル集合体）
　本実施形態の液晶パネル１０は、１つの大型パネルの状態で、複数個まとめて製造される。図４は、液晶パネル集合体１００の平面図である。ここで、液晶パネル集合体１００について図４等を参照しつつ説明する。

　図４に示されるように、大型パネルとしての液晶パネル集合体１００中では、複数個の液晶パネル１０は、互いに配列された状態で繋がっている。各液晶パネル１０における各ＴＦＴアレイ基板２０は、複数個まとめて一枚の大型のガラス基板（第１マザーガラス基板）として製造される。この第１マザーガラス基板のことを、特に、ＴＦＴアレイ基板集合体と称する場合がある。また、各液晶パネル１０の各ＣＦ基板３０も、複数個まとめて一枚の大型のガラス基板（第２マザーガラス基板）として製造される。この第２マザーガラス基板のことを、特に、ＣＦ基板集合体と称する場合がある。これらのマザーガラス基板が、後述するように液晶層５０及びシール部４０等を挟んだ状態で互いに貼り合せられると、図４に示されるような、液晶パネル集合体１となる。

　各液晶パネル１０は、液晶パネル集合体１００の表面上（つまり、マザーガラス基板の外表面上）に仮想的に設定されている複数本の分断予定線Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４，Ｙ５によって、それぞれ区画されている。後述するように、これらの分断予定線Ｘ１等に沿ってスクライブ溝がそれぞれ形成される。なお、図４には、ＴＦＴアレイ基板２０側のマザーガラス基板２００から見た液晶パネル集合体１００が示されている。ＣＦ基板２０側のマザーガラス基板３００についても、同様に、複数本の分断予定線が設定されている。

（液晶パネルの製造方法）
　図５は、液晶パネル１０の製造方法の手順を説明するフローチャートである。図５に示されるように、液晶パネル１０は、工程Ｓ１ないし工程Ｓ１０を経て製造される。以下、液晶パネル１０の製造方法を、各工程に分けて説明する。

（工程Ｓ１）
　工程Ｓ１は、ＴＦＴアレイ基板集合体を作製する工程である。この工程Ｓ１では、先ず、大型（大判）の透明なガラス製の板（第１マザーガラス板）上に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロム等からなる単層又は多層の導電膜が形成される。この導電膜を形成する方法としては、スパッタリング法等の公知の手法を適用できる。そして、前記板上に設けられた導電膜は、フォトリソグラフィ技術等を利用して、所定のパターンに成形される。このうようにして、所定のパターンを成すゲート電極線２２及びゲート電極２２ａが得られる。なお、端子パターン６０も、ゲート電極線２２等と同じ製造工程によって、前記板（第１マザーガラス板）の所定個所に形成される。

　次いで、ゲート電極線２２等が形成された大型の前記ガラス板上に、ゲート絶縁膜２６が形成される。このゲート絶縁膜２６は、例えば、窒化シリコン等からなり、プラズマＣＶＤ法等の公知の手法を用いて形成される。なお、このゲート絶縁膜２６の形成時に、腐蝕液浸入検出部７０の下地膜７２も形成される。そしてこのゲート絶縁膜２６上に、半導体膜２５、ソース電極線２３、ソース電極２３ａ、ドレイン電極２３ｂがそれぞれ形成される。半導体膜２５は、例えば、ｎ＋型のアモルファスシリコン等からなり、プラズマＣＶＤ法等の公知の手法を用いて形成される。そして、ソース電極線２３、ソース電極２３ａ、ドレイン電極２３ｂは、上述したゲート電極線２２と同様の手法を用いてそれぞれ形成される。

　次いで、感光性樹脂からなる層間絶縁膜２７が前記ガラス板上に形成される。この層間絶縁膜２７には、コンタクトホール部２１ａを形成するための開口部が形成される。この開口部は、フォトリソグラフィ技術等を利用して形成される。そして、この層間絶縁膜２７の表面上には、ＩＴＯからなる透明導電膜が、スパッタリング法等の公知の手法を用いて形成される。その後、この透明導電膜は、フォトリソグラフィ技術等を利用して、所定のパターンに成形されて画素電極２１となる。このようにして、所定のパターンの画素電極２１及びそのコンタクトホール部２１ａが得られる。なお、この画素電極２１の形成時に、腐蝕液浸入検出部７０の金属膜７１も形成される。この金属膜７１は、画素電極２１と同じＩＴＯからなる。

　画素電極２１が形成された後、その画素電極２１等を覆うように、配向膜２８が形成される。円圧式印刷装置、インクジェット式印刷装置等の装置を用いて、ポリイミド等からなる液状の配向膜原料が塗布される。その後、塗布された配向膜原料を乾燥させ、更に、その配向膜原料に対して所定の方向から紫外線を照射して配向処理を行う。すると、画素電極２１上に、配向膜２８が形成される。

　以上のようにして、工程Ｓ１において、複数個のＴＦＴアレイ基板２０が互いに配列された状態で繋がったＴＦＴアレイ基板集合体（第１マザーガラス基板）２００が作製される。なお、各ＴＦＴアレイ基板２０の所定個所には、図示されない柱状のスペーサーが形成されている。このスペーサーによって、互いに貼り合わせられた後のＴＦＴアレイ基板２０と、ＣＦ基板３０との間隔が一定に保たれる。

（工程Ｓ２）
　工程Ｓ２は、ＣＦ基板集合体を作製する工程である。この工程Ｓ２では、先ず、大型（大判）の透明なガラス製の板（第２マザーガラス板）上に、ＢＭレジスト等が塗布される。ＢＭレジストは、黒色着色剤を分散させた感光性樹脂組成物等からなる。次いで、塗布されたＢＭレジストを、フォトリソグラフィ技術等を利用して、所定のパターンに成形する。このようにして、前記板（第２マザーガラス板）上に、所定のパターンを成すＢＭ３２が得られる。

　次いで、赤色、緑色、青色等の各色の着色感材が、前記板上に塗布される。着色感材は、所定の色の着色剤（顔料）を分散させた感光性樹脂組成物等からなる。塗布された着色感材は、フォトリソグラフィ技術等を利用して、所定のパターンに成形される。このようにして、所定のパターンを成すＣＦ層（着色層）３３が得られる。次いで、ＣＦ層３３及びＢＭ３２等を覆うように、ＩＴＯからなる透明導電膜が、スパッタリング法等を利用して形成される。そして、この透明導電膜が共通電極３１となる。

　次いで、共通電極３１を覆うように配向膜３４が形成される。この配向膜３４は、ＴＦＴアレイ基板２０（ＴＦＴアレイ基板集合体２００）側に形成されるものと同様の手法により形成される。

　以上のようにして、工程Ｓ２において、複数個のＣＦ基板３０が互いに配列された状態で繋がったＣＦ基板集合体（第２マザーガラス基板）３００が作製される。

（工程Ｓ３）
　工程Ｓ３は、ＣＦ基板集合体３００の各ＣＦ基板３０上に、それぞれシール部４０を形成すると共に、液晶材料を滴下する工程である。シール部４０は、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂からなる。シール部４０は、スクリーン印刷装置等を利用して、各ＣＦ基板３０の内面上にある各配向膜３４の周りを囲むような枠状のものとしてそれぞれ形成される。そして、枠状に形成されたシール部４０の内側に、インクジェット方式の吐出装置等を利用して、液晶材料がそれぞれ滴下される。

（工程Ｓ４）
　工程Ｓ４は、基板集合体２００，３００同士を貼り合わせて、液晶パネル集合体１００を作製する工程である。この工程Ｓ４では、ＴＦＴアレイ基板集合体２００と、シール部４０等が形成されたＣＦ基板集合体３００とが、真空チャンバ（不図示）内で対向配置される。そして、大気圧以下の減圧状態で、両基板集合体２００，３００が加圧される。その後、真空チャンバ内を、大気圧状態に戻すと、ＴＦＴアレイ基板集合体２００及びＣＦ基板集合体３００は、大気圧と、それらの内部圧力との差によって、常時加圧された状態となる。その後、両基板集合体２００，３００間で挟まれている各シール部４０の硬化が行われる。このようにして、ＴＦＴアレイ基板集合体２００と、ＣＦ基板集合体３００との貼り合わせが行われる。そして貼り合わせが完了すると、図４に示されるような、複数個の液晶パネル１０が互いに配列された状態で繋がった液晶パネル集合体１００が得られる。

　図４に示されるように、液晶パネル集合体１００中には、外観形状が矩形状の液晶パネル１０が互いに隣接した状態で割り当てられている。そして、シール部４０は、各液晶パネル１０の表示領域Ｓをそれぞれ囲むような１つの大きな格子状のパターンとして形成されている。つまり、隣り合ったシール部４０同士は、部分的に繋がった状態で設けられている。なお、上述した分断予定線Ｘ１，Ｙ１等は、隣り合ったシール部４０同士の繋がった部分の略中央を通るように、設定されている。

　また、図４に示されるように、各ＴＦＴアレイ基板２０の内面上に設けられている各端子パターン６０は、一列に並ぶように設けられている。そして、各端子パターン６０の周りを囲むように設けられている各腐蝕液浸入検出部７０は、分断予定線Ｘ２，Ｙ１等に沿って設けられている。本実施形態の場合、隣り合った腐蝕液浸入検出部７０同士は、部分的に繋がった状態で設けられている。そしてこの繋がった部分の上を、各分断予定線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４，Ｙ５が通るように設定されている。なお、液晶パネル集合体１００が、液晶パネル１０毎に分断される際に、隣り合った腐蝕液浸入検出部７０，７０同士は、切り離されることになる。

　図４に示されるように、ＴＦＴアレイ基板集合体２００の端部には、液晶パネル１０として利用されない余白部分２０１がある。なお、図４には示されていないが、ＣＦ基板集合体にも、同様な余白部分が設けられている。ただし、本実施形態の場合、ＣＦ基板集合体側に設けられている余白部分の方が、前記余白部分２０１よりも大きく設定されている。

　余白部分２０１は、ＴＦＴアレイ基板集合体２００における分断予定線Ｘ２よりも外側の部分からなり、この部分と対向するＣＦ基板集合体側の余白部分との間には、これらの隙間を埋める線状のスペーサー４１が設けられている。このスペーサー４１は、シール部４０と同じ材料からなると共に、同じ工程で製造される。このスペーサー４１は、後述する液晶パネル集合体１００の薄型化の際に、その端部からエッチング液が浸入することを防止している。

（工程Ｓ５）
　工程Ｓ５は、エッチング処理によって液晶パネル集合体１００を薄型化する工程（第１薄型化工程）である。図６は、薄型化前の液晶パネル集合体１００におけるシール部４０周辺を模式的に表した断面図である。この工程Ｓ５では、ＴＦＴアレイ基板集合体２００及びＣＦ基板集合体３００の厚み（板厚）が、それぞれ最終的な目標の板厚Ｔ（例えば、０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍ～０．３ｍｍ）に、α（例えば５０μｍ～１００μｍ）分を残したもの（つまり、Ｔ＋α）となるまで、エッチング処理によって、液晶パネル集合体１００を薄型化する。

　図７は、液晶パネル集合体の薄型化に用いられるエッチング槽の断面図である。エッチング処理は、図７に示されるように、液晶パネル集合体１００を、エッチング槽８０内に充填されているエッチング液８１に浸漬することによって行われる。この場合、液晶パネル集合体１００は、専用のトレイ８２内に収容され、そのトレイ８２内に収容された状態で、エッチング液８１中に浸漬される。エッチング液８１としては、フッ酸等の公知のものが利用される。

　トレイ８１の周囲には、多数の孔８２ａが設けられており、これらの孔８２ａを介してトレイ８２内部にエッチング液８１が入り込むように構成されている。そして、この入り込んだエッチング液８１を利用して、液晶パネル集合体１００は、トレイ８１内で薄型化される。

　なお、エッチング槽８０内の下方（底側）には、給気ポンプ（不図示）に接続された給気管８３が配設されている。この給気管８３には、多数の小孔８３ａが設けられており、各小孔８３ａから、気泡８４を発生させている。エッチング処理の間、この気泡８４によって、エッチング液８１が撹拌される。なお、気泡８４は、給気ポンプから供給された窒素ガス等の気体を、給気管８３の小孔８３ａから噴出させたものからなる。

　エッチング処理の進行に伴って、ＴＦＴアレイ基板集合体２００の厚み（板厚）及びＣＦ基板集合体３００の厚み（板厚）は、共に徐々に小さく（薄く）なっていく。ＴＦＴアレイ基板集合体２００の厚みは、その外表面２００ａ側から徐々に溶解して（エッチングされて）薄くなり、またＣＦ基板集合体３００の厚みも、その外表面３００ａ側から徐々に溶解して（エッチングされて）薄くなる。

　そして、各基板集合体２００，３００の板厚が、それぞれ本工程における目標（つまり、Ｔ＋α）となると、エッチング槽８０の中から、液晶パネル集合体１００がトレイ８２に収容されたままの状態で取り出されて、１回目のエッチング処理が終了する。そして、トレイ８２の中から、液晶パネル集合体１００が取り出される。

　図８は、１回目のエッチング処理（第１薄型化工程）によって薄型化された液晶パネル集合体１００のシール部４０周辺を模式的に表した断面図である。なお、図８には、エッチング処理される（薄型化）前の各基板集合体２００，３００における外表面２００ａ，３００ａの位置が、それぞれ鎖線で示されている。図８に示されるように、エッチング処理によって、各基板集合体２００，３００の板厚がそれぞれ薄くなっている。

（工程Ｓ６）
　工程Ｓ６は、ＴＦＴアレイ基板集合体２００に第１スクライブ溝を形成する工程である。図９は、スクライブ溝の形成に用いられるカッターホイール９０の斜視図である。この工程Ｓ６では、エッチング処理後の液晶パネル集合体１００におけるＴＦＴアレイ基板集合体２００側の外表面上に、図９に示されるようなカッターホイール９０を用いて、スクライブ溝が形成される。カッターホイール９０は、人工ダイヤモンドの単結晶体等からなる回転刃９０ａを備えている。回転刃９０ａは、その外周側が先細り形状となっている。

　カッターホイール９０の回転刃９０ａを、分断予定線Ｙ１等（図４参照）に沿って、外表面２００ａ上に押し当てつつ転動させることによって、断面がＶ字形状のスクライブ溝２００ｂがＴＦＴアレイ基板集合体２００に形成される。なお、ＴＦＴアレイ基板集合体２００の外表面２００ａ上に形成されるスクライブ溝２００ｂを、特に、第１スクライブ溝２００ｂと称する。図１０は、第１スクライブ溝２００ｂが形成された液晶パネル集合体１００のシール部４０周辺を模式的に表した断面図である。図１０に示されるように、第１スクライブ溝２００ｂは、隣り合ったシール部４０，４０同士が一体的に形成されている部分に対して、その略中央に配置されるように形成されている。

（工程Ｓ７）
　工程Ｓ７は、エッチング処理による液晶パネル集合体１００の更なる薄型化及び第１スクライブ溝２００ｂの成長を行う工程（第２薄型化工程）である。この工程Ｓ７では、上述した工程Ｓ５（第１薄型化工程）において、残した板厚分αをエッチングにより除去する。そして、各基板集合体２００，３００が、それぞれ最終目標とする板厚Ｔになるように薄型化される。

　工程Ｓ７は、工程Ｓ５の場合と同様、液晶パネル集合体１００が、エッチング槽８０内のエッチング液８１中に浸漬して行われる。この場合も、エッチング処理の進行に伴って、ＴＦＴアレイ基板集合体２００の厚み（板厚）及びＣＦ基板集合体３００の厚み（板厚）は、共に徐々に小さく（薄く）なっていく。ＴＦＴアレイ基板集合体２００の厚みは、その外表面２００ａ側から徐々に溶解して（エッチングされて）薄くなり、またＣＦ基板集合体３００の厚みも、その外表面３００ａ側から徐々に溶解して（エッチングされて）薄くなる。そして、各基板集合体２００，３００の厚みが、それぞれ最終目標とする前記板厚Ｔとなるまで液晶パネル集合体１００が薄型化されると、エッチング槽８０の中から、液晶パネル集合体１００がトレイ８２に収容されたままの状態で取り出されて、２回目のエッチング処理が終了する。その後、液晶パネル集合体１００は、トレイ８２から適宜、取り出される。

　なお、工程Ｓ７においては、ＴＦＴアレイ基板集合体２００の外表面２００ａに形成された第１スクライブ溝２００ｂも、徐々にエッチングされる。そして、その第１スクライブ溝２００ｂは、溝幅方向及び溝深さ方向に拡がって成長する。図１１は、２回目のエッチング処理によって薄型化された液晶パネル集合体１００のシール部４０周辺を模式的に表した断面図である。図１１には、エッチング処理によって、成長した第１スクライブ溝２００ｂが示されている。なお、図１１には、２回目のエッチング処理が行われる前の各基板集合体２００，３００における外表面２００ａ，３００ａの位置が、それぞれ鎖線で示されている。図１１に示されるように、エッチング処理によって、各基板集合体２００，３００の板厚がそれぞれ薄くなっていると共に、第１スクライブ溝２００ｂが大きくなっている。

（工程Ｓ８）
　工程Ｓ８は、ＣＦ基板集合体３００に第２スクライブ溝３００ｂを形成する工程である。この工程Ｓ８では、２回目のエッチング処理後の液晶パネル集合体１００におけるＣＦ基板集合体２００側の外表面上に、カッターホイール９０（図９参照）を用いて、スクライブ溝が形成される。なお、ＣＦ基板集合体３００側にも、各液晶パネル１０を区画するように複数本の分断予定線が設けられている。カッターホイール９０の回転刃９０ａを、これらの分断予定線に沿うように、外表面３００ａ上に押し当てつつ転動させることによって、断面がＶ字形状のスクライブ溝３００ｂがＣＦ基板集合体３００に形成される。なお、ＣＦ基板集合体３００の外表面３００ａ上に形成されるスクライブ溝３００ｂを、特に、第２スクライブ溝３００ｂと称する。図１２は、第２スクライブ溝３００ｂが形成された液晶パネル集合体１００のシール部４０周辺を模式的に表した断面図である。図１１に示されるように、第２スクライブ溝３００ｂは、隣り合ったシール部４０，４０同士が一体的に形成されている部分に対して、その略中央に配置されるように形成されている。そして、その隣り合ったシール部４０，４０同士が一体的に形成されている部分を介して、第１スクライブ溝２００ｂと、第２スクライブ溝３００ｂとは互いに向かい合っている。

（工程Ｓ９）
　工程９は、液晶パネル集合体１００を液晶パネル１０毎に分断する工程である。この工程９では、この工程９では、第１スクライブ溝２００ｂ及び第２スクライブ溝３００ｂが形成された液晶パネル集合体１００（図１２参照）に、外部より所定の力が加えられる。外部より力が加えられると、第１スクライブ溝２００ｂ及び第２スクライブ溝３００ｂが形成されて厚みが薄く（小さく）なっている部分が分断される。その際、隣り合ったシール部４０，４０同士が一体的に形成されている部分が、互いに分離される。図１３は、液晶パネル集合体１００が分断されて得られた液晶パネル１０，１０を模式的に表した断面図である。図１３に示されるように、第１スクライブ溝２００ｂ及び第２スクライブ溝３００ｂの部分で、互いに分離して、液晶パネル集合体１００が個々の液晶パネル１０に分断される。なお、液晶パネル集合体１００が備えている図４に示されるような余白部分２０１等も、この工程Ｓ９において分断されて除去される。

　本実施形態の場合、隣り合った各液晶パネル１０，１０における各腐蝕液浸入検出部７０，７０同士も、上述したように部分的に一体的に形成されている（図４参照）。そのため、工程Ｓ９において、各腐蝕液浸入検出部７０，７０も分断されて、互いに離される。このようにして最終的に液晶パネル１０に形成される腐蝕液浸入検出部７０は、ＴＦＴアレイ基板２０の外縁部分にまで隙間なく形成されることになり、後述するエッチング液の検出に好適である。

　以上のようにして、工程Ｓ９において、液晶パネル集合体１００が分断されると、その液晶パネル集合体１００から複数個の液晶パネル１０が得られる。なお、各液晶パネル１０の端部（端面）は、適宜、整形される。

（工程Ｓ１０）
　工程１０は、腐蝕液浸入検出部７０が変色した液晶パネル１０を除外する工程である。上述したように、液晶パネル集合体１００が各液晶パネル１０に分断されるまでに、２度のエッチング処理が行われる。特に、２回目のエッチング処理では、第１スクライブ溝２００ｂを成長させている。このように、第１スクライブ溝２００ｂを成長させると、場合によっては、その底が抜ける等して、ＴＦＴアレイ基板集合体２００を貫通する孔（貫通孔）が形成される。この孔が、例えば、シール部４０の真上に形成された場合には、そのシール部４０によってその孔は塞がれているため、エッチング液がその孔から液晶パネル集合体１００の内側に浸入することない。しかしながら、このような孔が、シール部４０が形成されていない個所（例えば、分断予定線Ｘ２上）に形成された場合、その孔からエッチング液が液晶パネル集合体１００の内側に浸入することがある。特に、ＴＦＴアレイ基板集合体２００の内面側にエッチング液が浸入して、各ＴＦＴアレイ基板２０に設けられている端子パターン６０にエッチング液が付着すると、その端子パターン６０が腐蝕してしまう。端子パターン６０が腐蝕すると、導通不良等の原因となるため、端子パターン６０が腐蝕した液晶パネル１０は、そのままの状態では利用できなくなる。そのため、このような液晶パネル１０は、端子パターン６０が腐蝕していない他の液晶パネルと区別する必要がある。

　なお、端子パターン６０を構成する各配線は非常に細いため、それらの一部分のみがエッチング液によって腐蝕されている場合、視覚的な検査を行っても、その腐蝕を見落としてしまうことがある。しかしながら、本実施形態の各液晶パネル１０には、上述したようにそれぞれ腐蝕液浸入検出部７０が設けられているため、端子パターン６０の腐蝕を視覚的な検査で容易に見つけ出すことができる。以下、その理由を説明する。

　腐蝕液浸入検出部７０は、ＴＦＴアレイ基板２０の内面上において、端子パターン６０よりも外側（外縁側）に配されている。そして、腐蝕液浸入検出部７０は、液晶パネル１０の周縁（外縁）に沿うようにＴＦＴアレイ基板２０の内面上に配されている。通常、エッチング液は、液晶パネル１０の周縁側から浸入してくるため、端子パターン６０がエッチング液によって腐蝕された場合には、それよりも外側にある腐蝕液浸入検出部７０を通過していることになる。

　また、腐蝕液浸入検出部７０は、その最上層（最外層）に金属膜を備えている（図３参照）。本実施形態の場合、金属膜は透明なＩＴＯからなる。この金属膜がエッチング液（腐蝕液）と接触すると、エッチング液と反応して金属膜の色が変化（変色）する。

　したがって、腐蝕液浸入検出部７０が変色している場合には、それよりも内側にある端子パターン６０にもエッチング液が到達している可能性があり、端子パターン６０が腐蝕していることが推測できる。このようにして、腐蝕液浸入検出部７０の色の変化によって、端子パターン６０の腐蝕を判別できる。

　なお、腐蝕液浸入検出部７０は、金属膜７１の下側に、下地膜７２があるため、それによって幾分、光透過率（透明度）が抑えられているため、金属膜７１の変色が分かり易くなっている。

　　以上のようにして、複数個の液晶パネル１０の中から、端子パターン６０の腐蝕した液晶パネル１０を視覚的な検査で、容易に見つけ出すことができる。なお、視覚的な検査としては、肉眼で直接、腐蝕液浸入検出部７０の変色を確認してもよいし、ルーペ、ＣＣＤカメラ等の機器を利用して確認してもよい。

　しがたって、工程Ｓ９では、腐蝕液浸入検出部７０が変色した液晶パネル１０を、その他の液晶パネル１０から容易に除外できる。なお、腐蝕液浸入検出部７０の下地膜７２は、金属膜７１の板２に対する接着性も向上させている。

　以上のように、本実施形態の液晶パネルの製造方法では、エッチング液によって端子パターン６０が腐蝕した液晶パネル１０を、容易に見つけ出すことができる。そのため、本実施形態の液晶パネルの製造方法によれば、エッチング液によって端子パターン６０が腐蝕した液晶パネル１０を除外しつつ、良品のみからなる液晶パネル１０を効率良く製造することができる。

　また、本実施形態の液晶パネル１０が備える腐蝕液浸入検出部７０は、既存の製造工程を利用して製造できる。そのため、本実施形態の液晶パネル１０は、腐蝕液浸入検出部７０を製造するために、実質的に新しく製造工程を追加する必要がなく、腐蝕液浸入検出部７０を追加するための製造コストが抑えられる。

　なお、エッチング液の浸入経路としては、ＴＦＴアレイ基板集合体２００に形成される孔だけではなく、ＣＦ基板集合体３００側に形成される孔や、液晶パネル集合体１００の端部の隙間（つまり、基板集合体２００，３００の隙間）等であってもよい。

　＜実施形態２＞
　次いで、図１４及び図１５を参照しつつ、本発明の実施形態２について説明する。図１４は、実施形態２の液晶パネル１０Ａの平面図であり、図１５は、実施形態２の液晶パネル集合体１００Ａの平面図である。なお、図１５に示される液晶パネル集合体１００Ａは、図４に示される実施形態１のものと同様、ＴＦＴアレイ基板集合体２００側から見た状態が示されている。本実施形態の液晶パネル１０Ａ及び液晶パネル集合体１００Ａの基本的な構成及びそれらの製造方法は、実施形態１におけるものとそれぞれ同様である。ただし、本実施形態においては、液晶パネル１０Ａに設けられる腐蝕液浸入検出部７０Ａの形状（パターン）が、実施形態１のものと異なっている。以下、主にその異なっている点について説明する。

　図１４に示されるように、腐蝕液浸入検出部７０Ａは、実施形態１と同様、ＴＦＴアレイ基板２０の内面上において、端子パターン６０よりも外側に配されている。ただし、本実施形態の腐蝕液浸入検出部７０Ａは、ＴＦＴアレイ基板２０の外縁よりも内側の部分に設けられている。そして、図１５に示されるように、隣り合った各液晶パネル１０Ａにおける各腐蝕液浸入検出部７０Ａは、互いに分離された状態で、予めＴＦＴアレイ基板集合体２００に形成されている。このように、腐蝕液浸入検出部７０Ａは、少なくとも端子パターン６０よりも外側の部分に形成されればよく、必ずしもＴＦＴアレイ基板２０の外縁部分まで埋め尽くすように形成されなくてもよい。

　＜実施形態３＞
　次いで、図１６を参照しつつ、本発明の実施形態３について説明する。図１６は、実施形態３の液晶パネル１０Ｂに形成される腐蝕液浸入検出部７０Ｂの部分的な拡大平面図である。本実施形態の液晶パネル１０Ｂの基本的な構成及びその製造方法は、実施形態１のものと同様である。ただし、本実施形態の液晶パネル１０Ｂは、ＴＦＴアレイ基板２０の内面上に形成される腐蝕液浸入検出部１０Ｂの形状（パターン）が、実施形態１のものと異なっている。以下、主にその異なっている点について説明する。

　図１６に示されるように、本実施形態の腐蝕液浸入検出部７０Ｂは、実施形態１と同様、ＴＦＴアレイ基板２０の内面上において、端子パターン６０よりも外側に配されている。ただし、この腐蝕液浸入検出部７０Ｂは、ＴＦＴアレイ基板２０の外縁に沿った個所において、複数個分かれた状態で形成されている。つまり、本実施形態の腐蝕液浸入検出部７０Ｂは、実施形態１のもののように連続的な形状ではなく、部分的に途切れたような形状となっている。このように、液晶パネル１０Ｂに設けられる腐蝕液浸入検出部７０Ｂは、常に連続して形成する必要はなく、部分的に途切れるような形状であってもよい。

　なお、本実施形態の場合、端子パターン６０を構成する各配線６の先側に、マーカー６１が設けられている。このマーカー６１は、配線６よりも更に細く形成されているものである。このように、ＴＦＴアレイ基板２０の内面上に、他のパターン（マーカー６１）が形成されている場合は、そのパターンを避けるように、腐蝕液浸入検出部１０Ｂが形成されてもよい。

　＜実施形態４＞
　次いで、図１７を参照しつつ、本発明の実施形態４について説明する。図１７は、実施形態４の液晶パネルに形成される腐蝕液浸入検出部７０Ｃの部分的な拡大断面図である。本実施形態の液晶パネルの基本的な構成及びその製造方法は、実施形態１のものと同様である。ただし、腐蝕液浸入検出部７０Ｃの構成が、実施形態１のものと異なっている。以下、主にその異なっている点について説明する。

　本実施形態の腐蝕液浸入検出部７０Ｃは、実施形態１のものと同様、その最上層（最外層）に、金属膜７１を備えている。そして、ガラス製の板２上には、下地膜７２が形成されている。ただし、本実施形態の腐蝕液浸入検出部７０Ｃは、これらの間に、中間膜７３を備えている。この中間膜７３は、ソース電極線２３（図１参照）と同じ材料からなると共に、同じ製造工程で製造される。このように、金属膜７１と下地膜７２との間で挟まれるように、中間膜７３が形成されていると、その中間膜７３によって光透過率（透明度）が抑えられるため、腐蝕液浸入検出部７０Ｃの変色を判別し易くなる。

　＜実施形態５＞
　次いで、図１８を参照しつつ、本発明の実施形態５について説明する。図１８は、実施形態５の液晶パネルに形成される腐蝕液浸入検出部７０Ｄの部分的な拡大断面図である。本実施形態の液晶パネルの基本的な構成及びその製造方法は、実施形態１のものと同様である。ただし、腐蝕液浸入検出部７０Ｄの構成が、実施形態１のものと異なっている。以下、主にその異なっている点について説明する。

　本実施形態の腐蝕液浸入検出部７０Ｄは、実施形態１のものと同様、その最上層（最外層）に、金属膜７１を備えている。そして、ガラス製の板２上には、下地膜７２が形成されている。ただし、本実施形態の腐蝕液浸入検出部７０Ｄは、これらの間に、２つの（２層の）中間膜７３，７４を備えている。中間膜７３が上側に配され、中間膜７４が下側に配されている。中間膜７３は、ソース電極線２３（図１参照）と同じ材料からなると共に、同じ製造工程で製造される。また、中間膜７４は、ゲート電極線７４（図１参照）と同じ材料からなると共に、同じ製造工程で製造される。このように、金属膜７１と下地膜７２との間で挟まれるように、２つの中間膜７３，７４が形成されていると、それらの中間膜７３。７４によって光透過率（透明度）が抑えられるため、腐蝕液浸入検出部７０Ｄの変色を判別し易くなる。

　＜他の実施形態＞
　本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

　（１）上記実施形態では、腐蝕液浸入検出部における金属膜は、下地膜を介してガラス板上に形成されていたが、他の実施形態においては、ガラス板上に直に、金属膜が形成されてもよい。

　（２）上記実施形態では、腐蝕液浸入検出部は、最終的に液晶パネルに形成されたままの状態であったが、他の実施形態においては、例えば、腐蝕液浸入検出部がＴＦＴアレイ基板から最終的に剥がせる構成としてもよい。

　（３）上記実施形態では、液晶パネル集合体中の各液晶パネル同士は、互いに隙間なく連続して繋がった状態であったが（例えば、図４参照）、他の実施形態においては、例えば、液晶パネル同士が互いに余白部分を介して繋がった状態であってもよい。この場合、隣り合った各液晶パネルにおけるシール部同士は、液晶パネル集合体の状態において、既に互いに離されていてもよいし、分断後に一部が余白部分に残るように予め線幅が太くなるように各シール部が形成されてもよい。

　（４）上記実施形態では、腐蝕液浸入検出部は、金属膜を備えるものであったが、他の実施形態においては、エッチング液と接触すると色が変化する金属膜以外の膜を腐蝕液浸入検出部として用いてもよい。

　（５）上記実施形態では、ＴＦＴアレイ基板集合体に第１スクライブ溝を形成した後に、第２薄型化工程（２回目のエッチング処理）を経て、ＣＦ基板集合体に第２スクライブ溝を形成し、その後、パネル集合体を液晶パネル毎に分断していたが、他の実施形態においては、例えば、ＣＦ基板集合体に先ずスクライブ溝を形成し、その後、第２薄型化工程を経て、ＴＦＴアレイ基板集合体にスクライブ溝を形成し、その後、パネル集合体を液晶パネル毎に分断してもよい。つまり、他の実施形態においては、第２スクライブ溝を、第１スクライブ溝よりも先に形成してもよい。

　（６）更に他の実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板集合体及びＣＦ基板集合体の双方に、それぞれスクライブ溝を形成し、その後、第２薄型化工程を経て、パネル集合体を液晶パネル毎に分断してもよい。つまり、他の実施形態においては、第２薄型化工程の前に、第１スクライブ溝及び第２スクライブ溝の双方を各基板集合体に形成してもよい。

　１０…液晶パネル、２…ガラス板、２０…ＴＦＴアレイ基板（ガラス基板）、２１…画素電極（透明電極）、２１ａ…コンタクトホール部、２２…ゲート電極線、２３…ソース電極線、２３ａ…ソース電極、２３ｂ…ドレイン電極、２４…ＴＦＴ、２５…半導体膜、２６…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、２７…層間絶縁膜、２８…配向膜、３０…ＣＦ基板、３…ガラス板、３１…共通電極、３２…ＢＭ、３３…ＣＦ層、３４…配向膜、４０…シール部、５０…液晶層、６０…端子パターン、７０…腐蝕液浸入検出部、１００…液晶パネル集合体、２００…ＴＦＴアレイ基板集合体（マザーガラス基板）、３００…ＣＦ基板集合体（マザーガラス基板）

Claims

　液晶層と、
　この液晶層の回りを囲むシール部と、
　前記液晶層及び前記シール部を挟んで互いに向かい合う一対のガラス基板と、
　一方の前記ガラス基板の内面上において前記シール部よりも外側に配される端子パターンと、
　前記内面上において前記端子パターンよりも外側に配されると共に、腐蝕液と接触すると変色する腐蝕液浸入検出部と、を備える液晶パネル。
　前記腐蝕液浸入検出部が、金属膜を含む請求項１に記載の液晶パネル。
　前記腐蝕液浸入検出部が、金属膜と、この金属膜の下側に敷かれる下地膜とを含む請求項１又は２に記載の液晶パネル。　
　前記腐蝕液浸入検出部が、金属膜と、下地膜と、これらの間で挟まれる１つ又は２つ以上の中間膜とを含む請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶パネル。
　前記金属膜が、一方の前記ガラス基板の内面上に配されている透明電極と同じ材料からなると共に、前記透明電極と同じ形成工程で形成される請求項１ないし５のいずれか一項に記載の液晶パネル。
　前記下地膜が、一方の前記ガラス基板の内面上に配されている絶縁膜と同じ材料からなると共に、前記絶縁膜と同じ形成工程で形成される請求項１ないし５のいずれか一項に記載の液晶パネル。
　前記中間膜が、一方の前記ガラス基板の内面上に配されているゲート電極又はソース電極と同じ材料からなると共に、前記ゲート電極又はソース電極と同じ形成工程で形成される請求項１ないし６のいずれか一項に記載の液晶パネル。
　前記腐蝕液浸入検出部が、前記端子パターンの回りを、前記シール部と共に取り囲む請求項１ないし７のいずれか一項に記載の液晶パネル。
　請求項１ないし８のいずれか一項に記載の液晶パネルを、複数個まとめて製造するための液晶パネル集合体であって、
　一方のガラス基板同士が、互いに繋がってなる一方のマザーガラス基板と、
　他方のガラス基板同士が、互いに繋がってなる他方のマザーガラス基板と、
　前記マザーガラス基板間で挟まれる複数の液晶層と、
　前記マザーガラス基板間で挟まれる複数のシール部と、
　一方のマザーガラス基板の内面上に配される複数の端子パターンと、
　一方のマザーガラス基板の内面上に配される複数の腐蝕液浸入検出部と、を備える液晶パネル集合体。
　請求項９に記載の液晶パネル集合体を、液晶パネル毎に分断するために、少なくとも一方のマザーガラス基板の外面上にスクライブ溝を形成する工程と、
　前記スクライブ溝に腐蝕液を接触させて、前記スクライブ溝を成長させる工程と、
　成長後の前記スクライブ溝に沿って、前記液晶パネル集合体が液晶パネル毎に分断される工程と、
　分断された各液晶パネルの中から、腐蝕液浸入検出部が前記腐蝕液によって変色したものを除外する工程と、を備える液晶パネルの製造方法。