WO2012132253A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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達彦 吉田
長谷川　雅己
智明 長田
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    • H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate with plasma.
  • Patent Document 1 discloses a configuration in which an antenna 41 is wound around a bell jar 42 as shown in FIG. A high frequency voltage is applied from the high frequency power supply 43 to generate plasma in a plasma generation space in the bell jar 42.
  • the bell jar 42 is made of an insulating material such as quartz glass, and the outer surface of the bell jar 42 is covered with an insulating film that blocks ultraviolet light, so that ultraviolet light emitted from plasma is emitted. Is shut off.
  • the electric field strength is locally high (electric field is concentrated) in the vicinity of the feeding point where the high frequency voltage is applied from the high frequency power supply 43. If the state where the electric field is concentrated continues, (1) local scraping (LE) of the bell jar may occur near the feeding point, and the replacement cycle of the bell jar 42 may be shortened. (2) In addition, when particles are generated by local scraping (LE) of the bell jar 42, the particles may adhere to the surface of the substrate disposed in the substrate processing chamber. (3) Further, due to local scraping (LE) of the bell jar 42, a high impedance portion and a low impedance portion are generated, and the distribution of plasma generated in the bell jar 42 may be non-uniform.
  • the bell jar 42 is made of an insulating material such as quartz glass, and even if the insulating bell jar 42 is covered with an insulating film, the electrical characteristics do not change. For this reason, the state where the electric field strength is locally high in the vicinity of the feeding point is not solved even if the insulating film is covered, and the above problems (1) to (3) are still not solved.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a technique that is excellent in productivity, can suppress the generation of particles in a space for processing a substrate, or can improve the uniformity of plasma generation. For the purpose.
  • a substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus for processing a substrate with plasma, A first container member that forms a processing space for processing a substrate, and a second container that forms a plasma generation space for plasma generation that is attached to the first container member and communicates with the processing space
  • a container having a member A gas introduction part for introducing gas into the container;
  • a plasma generation unit provided in an external space of the container and having an antenna that excites the gas in the plasma generation space by an electric field generated by feeding a high-frequency voltage from a power source;
  • a substrate holding part capable of holding the substrate in the processing space, A coating film containing a semiconductor material is formed on the surface of the second container member disposed at a position close to the antenna.
  • a technology that is excellent in productivity, can suppress the generation of particles in a space for processing a substrate, and can improve the uniformity of plasma generation.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a container 101 as a configuration for isolating a space for processing the substrate SB from the external space S3 at atmospheric pressure.
  • the container 101 includes a diffusion chamber (hereinafter referred to as a first container member) 102 and a bell jar (hereinafter referred to as a second container member) 104.
  • the first container member (diffusion chamber) 102 forms a processing space S1 for processing the substrate SB.
  • the second container member (belger) 104 forms a plasma generation space S2 for plasma generation that communicates with the processing space S1 in a state of being attached to the first container member.
  • the first container member (diffusion chamber) 102 is supported by the base member 103.
  • a shield member 114 is attached to the inner wall of the first container member (diffusion chamber) 102 to prevent reaction products generated by plasma from adhering to the inner wall of the first container member (diffusion chamber) 102. It has been.
  • the shield member 114 is detachable to enable efficient maintenance work.
  • a substrate holding unit 106 capable of holding the substrate SB is provided.
  • the substrate holding unit 106 includes an electrode for electrostatically attracting the substrate SB or applying a bias to the substrate SB, and the electrode is connected to the high-frequency power source 133 via the matching unit 131.
  • the base member 103 is provided with an exhaust pipe 110.
  • the exhaust pipe 110 includes an exhaust device 112 including a vacuum pump capable of reducing the processing space S1 and the plasma generation space S2 to a predetermined degree of vacuum. It is connected.
  • the second container member (belger) 104 has a side wall part 120 and a ceiling part 122, and the ceiling part 122 is formed on the upper end side of the side wall part 120.
  • the side wall part 120 and the ceiling part 122 are integrally formed.
  • the lower end side of the side wall 120 is open, and the plasma generation space S2 and the processing space S1 can communicate with each other through this opening.
  • a flange 124 is formed on the outer peripheral side in the vicinity of the opening of the side wall 120, and a seal member such as an O-ring is disposed on the seal surface 126 of the flange 124, for example.
  • a seal member such as an O-ring is disposed on the seal surface 126 of the flange 124, for example.
  • the gas introduction unit G-IN introduces gas into the container 101.
  • a gas containing alcohol can be used alone, or a mixed gas to which an inert gas such as argon gas is added can be used.
  • the antenna 130 is disposed in the external space S3 in the vicinity of the second container member (Bellja) 104 constituting the container 101.
  • a high frequency voltage is supplied to the antenna 130 from a high frequency power supply 134 via a matching unit 132.
  • the matching unit 132 performs impedance matching in order to efficiently supply high-frequency power to the plasma generation space S2 via the antenna even if the configuration on the second container member 104 side or the plasma in the plasma generation space S2 changes. .
  • an induction electric field (hereinafter, referred to as an electric field) is generated in the plasma generation space S2 in the second container member (belger) 104.
  • the gas introduced by the gas introduction part G-IN is excited in the plasma generation space by this induction electric field, and inductively coupled plasma (hereinafter “plasma”) is generated.
  • An electromagnet 139 is disposed on the outer periphery of the antenna 130, and the electromagnet 139 diffuses the plasma in the plasma generation space S2 toward the substrate SB in the processing space S1.
  • the antenna 130, the matching unit 132, the high frequency power source 134, and the electromagnet 139 function as a plasma generation unit for generating plasma in the plasma generation space S2.
  • the second container member (belger) 104 is made of, for example, an insulating material such as quartz glass.
  • the ultraviolet light passes through the second container member (belger) 104, the ultraviolet light and oxygen in the external space S3 are used. Can react to generate ozone.
  • the second container member (belger) 104 is disposed at a position close to the antenna 130 disposed in the external space S3 at atmospheric pressure, and a coating film containing a semiconductor material on the surface of the second container member Is formed.
  • the coating film containing the semiconductor material mitigates the concentration of the electric field generated at the feeding point of (i) the second container member (Bellja) 104 leaking to the external space S3 and (ii) the high-frequency voltage feed point. In particular, an advantageous effect is realized.
  • FIG. 2 shows an example in which a coating film 200 of a semiconductor material is formed on the outer surface of the second container member (belger) 104.
  • pretreatment is performed on the outer surface of the second container member (belger) 104. As a result, the outer surface is roughened by blasting.
  • the coating film 200 is formed on the second container member (belger) 104 by thermal spraying.
  • the semiconductor material thermal spraying material
  • the semiconductor material thermal spraying material
  • the thermal spraying process is advantageous in terms of reducing heat input to the second container member (belger) 104 and reducing the thermal influence on the second container member (belger) 104 as compared to the welding process. is there.
  • the thermal spraying process is an advantageous process in that it can be applied only to a specific portion of the second container member (belger) 104 by masking, as in the coating process.
  • a semiconductor material (spraying material) is sprayed and solidified on the outer surface of the second container member (belger) 104 roughened by blasting.
  • sufficient engagement between the roughened surface irregularities and the particles of the semiconductor material (spraying material) is ensured, and the second container member (Bellja) 104 and the semiconductor material (spraying material) are in close contact with each other. The strength is improved.
  • the coating range where the coating film 200 is formed is the outer surface of the second container member (belger) 104 excluding the seal surface 126.
  • the seal surface 126 is excluded from the coverage area by masking. The reason why the sealing surface 126 is excluded from the covering range is that the following two points are taken into consideration.
  • (I) It is considered that the sealing performance is lowered due to the formation of the coating film 200.
  • the second container member (bell jar) 104 is attached to the first container member (diffusion chamber) 102 (FIG. 1) via a seal member (for example, an O-ring) that is an elastic member. For this reason, even if the coating film 200 is formed on the seal surface 126, it is considered that the effect of blocking ultraviolet light is considered to be lower than that of other outer surfaces.
  • FIG. 5 is a diagram showing the measurement results of the surface resistance when silicon (Si) is used as the semiconductor material for the thermal spraying process.
  • Measurement object Sample (50 mm x 50 mm) sprayed with silicon (Si)
  • Measuring equipment HIOKI 3522-50 LCR HiTESTER Shimadzu GAS CHROMATOGRAPH GC-12A (constant temperature bath)
  • METEX M-3850D Thermocouple meter
  • Measurement voltage 1V Except at room temperature (23 ° C. (room temperature)), a sample placed on a measurement jig (not shown) was placed in a thermostatic bath, and the resistance value R at that time was measured while gradually raising the temperature to the above measurement temperature. .
  • the measurement target length W is 0.045 m (45 mm) and the length L between electrodes is 0.01 m (10 mm).
  • ⁇ Bermja sprayed with Si is heated more and more during the process. Depending on the process, the temperature may exceed 300 ° C. during use, and it has been confirmed that the plasma is maintained without disappearing. If the resistance value is too low, it will be difficult to maintain a stable plasma, but even if Si is heated and the resistance value decreases, the plasma can be stably maintained at about 350 ° C.
  • the coating film 200 containing the semiconductor material By forming the coating film 200 containing the semiconductor material on the outer surface of the second container member (Bellja) 104, ultraviolet light emitted from the plasma can be blocked. Thereby, it is possible to prevent ozone from being generated due to a reaction between ultraviolet light and oxygen in the atmosphere outside the substrate processing apparatus 100.
  • FIG. 2 shows an example in which the coating film 200 containing a semiconductor material is directly coated on the second container member (belger) 104, but the gist of the present invention is limited to this example. It is not a thing.
  • an insulating film may be coated on the second container member (belger) 104 as an intermediate layer, and the coating film 200 containing a semiconductor material may be coated on the intermediate layer.
  • FIG. 3 is a view showing an AA cross section of the second container member (belger) 104 in FIG. 2, the matching unit 132, and the high frequency power source 134.
  • the antenna 130 shows a case of one turn.
  • the antenna 130 has two terminals, a power supply terminal that receives high-frequency voltage power supply and a ground terminal that is grounded, and is disposed close to the outer periphery of the second container member (belger) 104.
  • the coating film 200 of the semiconductor material By forming the coating film 200 of the semiconductor material on the outer surface of the second container member (belger) 104, the concentration of the electric field generated in the vicinity of the power supply terminal (near the power supply point) that is the power supply point of the high-frequency voltage is reduced to the second. Can be dispersed over the surface of the container member (bell jar) 104.
  • the metal film of the conductor When the metal film of the conductor is formed on the outer surface of the second container member (bell jar) 104, electricity flows through the metal film, and electric power is generated inside the second container member (bell jar) 104 by electromagnetic induction. The problem of not being supplied can arise.
  • the second container member 104 is formed with an insulating material film
  • the second container member (belger) 104 itself is also made of an insulating material such as quartz. Even if it is coated, the electrical characteristics cannot change. For this reason, the metal film of the conductor and the film of the insulating material cannot alleviate the concentration of the electric field generated in the vicinity of the feeding point with respect to the second container member (bell jar) 104.
  • the semiconductor material used as the coating film 200 has, for example, an electrical characteristic in which the volume resistivity R is in the range of 1.5 ⁇ 10 ⁇ 5 ⁇ m (1.5 ⁇ 10E- 5 ⁇ m) ⁇ R ⁇ 4000 ⁇ m.
  • a semiconductor material for example, silicon
  • a material for example, quartz
  • the coating film 200 is formed on the outer surface of the second container member (belger) 104
  • the gist of the present invention is not limited to this example, and the coating film Even if 200 is formed on the inner surface of the second container member (belger) 104, the same effect can be obtained.
  • the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment has an advantageous effect of blocking ultraviolet light emitted from the plasma and dispersing the concentration of the electric field generated in the vicinity of the feeding point over the surface of the second container member (Bellja) 104. Realize. By distributing the concentration of the electric field over the surface of the second container member 104, the occurrence of local scraping in the second container member (belger) 104 is suppressed, and the replacement cycle of the second container member 104 is extended. Can be Alternatively, particles generated in the plasma generation space S2 can be reduced by suppressing the occurrence of local shaving in the second container member (belger) 104. Alternatively, plasma with a uniform distribution can be generated in the second container member (belger) 104. According to the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment, it is possible to realize a substrate processing technique with high quality and excellent productivity.
  • the substrate processing apparatus 100 is advantageous for substrate processing for manufacturing devices such as semiconductors and liquid crystals.
  • the device manufacturing method includes a holding process of holding the substrate by the substrate holding unit 106 of the substrate processing apparatus 100 and an introducing process of introducing gas into the container 101 by the gas introducing unit G-IN of the substrate processing apparatus 100.
  • the device manufacturing method includes a generation step of generating plasma by exciting a gas with the plasma generation unit of the substrate processing apparatus 100, and a processing step of processing the substrate with plasma.

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Abstract

　プラズマで基板を処理する基板処理装置は、基板を処理するための処理空間を形成する第１の容器部材と、第１の容器部材に取付けられた状態で処理空間と連通するプラズマ生成用のプラズマ生成空間を形成する第２の容器部材と、を有する容器と、容器にガスを導入するガス導入部と、容器の外部空間に設けられ、電源からの高周波電圧の給電による電界でプラズマ生成空間内のガスを励起するアンテナを有するプラズマ生成部と、処理空間において基板を保持することが可能な基板保持部と、を備える。アンテナと近接した位置に配置されている第２の容器部材の表面に半導体材料を含有する被覆膜が形成されている。

Description

基板処理装置
　本発明は、プラズマで基板を処理する基板処理装置に関する。
　基板に対してプラズマで、所定の処理を行う基板処理装置の一例として、誘導結合型プラズマを用いたプラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置が広く使用されている。誘導結合型ドライエッチング装置は、ガス反応用の反応室内に導入されたガスに高電圧をかけてガスを励起して、誘導結合プラズマ（以下、プラズマ）を発生させて、基板処理室内に配置された基板の表面をドライエッチングする装置である。誘導結合型ドライエッチング装置として、例えば、特許文献１には、図４に示すように、アンテナ４１を、ベルジャ４２の周りに巻回した構成が開示されている。高周波電源４３から高周波電圧が印加され、ベルジャ４２内のプラズマ生成空間にプラズマが生成される。
　誘導結合型ドライエッチング装置では、プラズマ生成に用いるガスによって、反応室内で生成されたプラズマから紫外光が放出され、この紫外光が、ベルジャ４２から外に漏れた場合、空気中の酸素と作用してオゾンが発生し得る。特許文献１では、ベルジャ４２は石英ガラス等の絶縁性を有する材料で構成されており、ベルジャ４２の外側表面を、紫外光を遮断する絶縁膜で被覆することによって、プラズマから放出される紫外光を遮断している。
特開２００９-２６８８５号公報
　しかしながら、特許文献１に示すような構成では、高周波電源４３から高周波電圧が印加される給電点付近では、電界強度が局所的に高い状態（電界が集中した状態）になる。電界が集中した状態が継続すると、（１）給電点付近でベルジャの局所的な削れ（ＬＥ）が発生し得ることとなり、ベルジャ４２の交換周期が短くなり得る。（２）また、ベルジャ４２の局所的な削れ（ＬＥ）によりパーティクルが発生した場合、基板処理室内に配置された基板の表面にパーティクルが付着することもあり得る。（３）更に、ベルジャ４２の局所的な削れ（ＬＥ）により、インピーダンスの高い部分と低い部分とが生じ、ベルジャ４２内で生成されるプラズマの分布は不均一なものとなり得る。
　特許文献１の構成では、石英ガラス等の絶縁性を有する材料でベルジャ４２が構成されており、絶縁性を有するベルジャ４２を絶縁膜で被覆したとしても、電気的な特性の変化は生じない。このため、給電点付近において、電界強度が局所的に高い状態は、絶縁膜を被覆しても解消されず、上述の（１）～（３）の課題は依然として解決されない。
　本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、生産性に優れ、基板を処理する空間内におけるパーティクルの発生を抑制し、あるいは、プラズマ生成の均一性向上が可能な技術を提供することを目的とする。
　本発明の一つの側面にかかる基板処理装置は、プラズマで基板を処理する基板処理装置であって、
　基板を処理するための処理空間を形成する第１の容器部材と、前記第１の容器部材に取付けられた状態で前記処理空間と連通するプラズマ生成用のプラズマ生成空間を形成する第２の容器部材と、を有する容器と、
　前記容器にガスを導入するガス導入部と、
　前記容器の外部空間に設けられ、電源からの高周波電圧の給電による電界で前記プラズマ生成空間内の前記ガスを励起するアンテナを有するプラズマ生成部と、
　前記処理空間において前記基板を保持することが可能な基板保持部と、を備え、
　前記アンテナと近接した位置に配置されている前記第２の容器部材の表面に半導体材料を含有する被覆膜が形成されていることを特徴とする。
　本発明によれば、生産性に優れ、基板を処理する空間内におけるパーティクルの発生を抑制し、プラズマ生成の均一性向上が可能な技術が提供される。
　本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
　添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
実施形態にかかる基板処理装置の構成を説明する図。 第２の容器部材（ベルジャ）の被覆を説明する図。 第２の容器部材（ベルジャ）の被覆を説明する図。 従来技術を説明する図。 実験結果を示す図。
　以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。
　（基板処理装置の構成）
　本発明の実施形態にかかる基板処理装置１００の概略構成を、図１を参照しながら説明する。基板処理装置１００は、大気圧の外部空間Ｓ３から基板ＳＢを処理するための空間を隔離するための構成として容器１０１を備える。容器１０１は、拡散チャンバー（以下、第１の容器部材）１０２と、ベルジャ（以下、第２の容器部材）１０４と、を有する。第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２は、基板ＳＢを処理するための処理空間Ｓ１を形成する。第２の容器部材（ベルジャ）１０４は、第１の容器部材に取付けられた状態で処理空間Ｓ１と連通するプラズマ生成用のプラズマ生成空間Ｓ２を形成する。第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２はベース部材１０３により支持されている。
　第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２の内壁には、プラズマによって生成される反応生成物が第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２の内壁に付着するのを防止するためのシールド部材１１４が取り付けられている。効率的なメインテナンス作業を可能にするためにシールド部材１１４は着脱可能である。
　第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２の処理空間Ｓ１内には、基板ＳＢを保持することが可能な基板保持部１０６が設けられている。基板保持部１０６は、基板ＳＢを静電吸着したり基板ＳＢにバイアスを印加したりするための電極を含み、かかる電極は、整合器１３１を介して高周波電源１３３に接続されている。
　第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２およびシールド部材１１４には、未処理の基板ＳＢを処理空間Ｓ１に搬入し、または、処理済みの基板ＳＢを処理空間Ｓ１から搬出するためのゲート（不図示）が設けられている。ベース部材１０３には、排気管１１０が設けられており、この排気管１１０には、処理空間Ｓ１およびプラズマ生成空間Ｓ２を所定の真空度まで減圧することが可能な真空ポンプを含む排気装置１１２が接続されている。
　第２の容器部材（ベルジャ）１０４は、側壁部１２０と天井部１２２とを有しており、側壁部１２０の上端側に天井部１２２が形成されている。側壁部１２０と天井部１２２とが一体として形成されている。側壁部１２０の下端側は開口しており、この開口を介してプラズマ生成空間Ｓ２と処理空間Ｓ１は連通可能である。
　側壁部１２０の開口近傍の外周側には、フランジ１２４が形成されており、フランジ１２４のシール面１２６には、例えば、Ｏリングなどのシール部材が配置される。第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２に対して第２の容器部材（ベルジャ）１０４が取付けられると、シール面１２６に配置されたシール部材により、第１の容器部材１０２と第２の容器部材１０４との間の締結部の気密性は維持される。すなわち、処理空間Ｓ１およびプラズマ生成空間Ｓ２は、大気圧の外部空間Ｓ３に対して閉じた空間となり、外部空間Ｓ３から隔離され、処理空間Ｓ１およびプラズマ生成空間Ｓ２における真空度は維持される。
　ガス導入部Ｇ－ＩＮは容器１０１にガスを導入する。ガス導入部Ｇ－ＩＮにより導入されるガスとしては、例えば、アルコールを含有するガスを単体で用いる他、アルゴンガスなどの不活性ガスを添加した混合ガスを使用することが可能である。
　アンテナ１３０は、容器１０１を構成する第２の容器部材（ベルジャ）１０４に近接して外部空間Ｓ３に配置されている。アンテナ１３０には、整合器１３２を介して高周波電源１３４から高周波電圧が給電される。整合器１３２は、第２の容器部材１０４側の構成やプラズマ生成空間Ｓ２のプラズマなどが変化しても、アンテナを介し効率よく高周波電力をプラズマ生成空間Ｓ２に供給するために、インピーダンス整合を行う。
　高周波電源１３４からアンテナ１３０に所定の高周波電圧が給電されることにより、第２の容器部材（ベルジャ）１０４内のプラズマ生成空間Ｓ２に誘導電界（以下、電界）が生じる。ガス導入部Ｇ－ＩＮにより導入されたガスがこの誘導電界によりプラズマ生成空間内で励起され誘導結合プラズマ（以下、「プラズマ」）が生成される。アンテナ１３０の外周部には、電磁石１３９が配置されており、電磁石１３９は、プラズマ生成空間Ｓ２のプラズマを処理空間Ｓ１の基板ＳＢに向けて拡散させる。ここで、アンテナ１３０、整合器１３２、高周波電源１３４、および電磁石１３９は、プラズマ生成空間Ｓ２内にプラズマを生成するためのプラズマ生成部として機能する。
　第２の容器部材（ベルジャ）１０４内のプラズマ生成空間Ｓ２内にプラズマが生成されると、このプラズマから紫外光が放出される。第２の容器部材（ベルジャ）１０４は、例えば、石英ガラス等の絶縁材料により構成されており、紫外光が第２の容器部材（ベルジャ）１０４を透過した場合、紫外光と外部空間Ｓ３の酸素が反応してオゾンが発生し得る。
　（第２の容器部材の被覆）
　第２の容器部材（ベルジャ）１０４は、大気圧の外部空間Ｓ３に配置されているアンテナ１３０に近接した位置に配置されており、第２の容器部材の表面に半導体材料を含有する被覆膜が形成されている。半導体材料を含有する被覆膜は、（i）第２の容器部材（ベルジャ）１０４から外部空間Ｓ３に漏れ出る紫外光の遮断、および(ii)高周波電圧の給電点に生じる電界の集中を緩和するという点で特に有利な効果を実現する。
　図２は、半導体材料の被覆膜２００が第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に形成されている例を示している。被覆膜の剥がれがなく、より強固に安定した被覆膜を第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に形成するために、第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に前処理としてブラスト処理を施して外側表面を荒面化している。
　溶射処理により第２の容器部材（ベルジャ）１０４に被覆膜２００を形成する。溶射処理において、半導体材料（溶射材）は、一端、液化されて、高速ガス流などによって被覆処理の対象である第２の容器部材（ベルジャ）１０４の表面に吹き付けられる。半導体材料（溶射材）は、第２の容器部材（ベルジャ）１０４の表面で凝固し密着することで半導体材料（溶射材）の被覆膜が形成され得る。溶射処理は、溶接などの処理に比べて第２の容器部材（ベルジャ）１０４への入熱が小さく、第２の容器部材（ベルジャ）１０４への熱的影響を低減する観点で有利な処理である。また、溶射処理は、塗装処理などと同様に、マスキングにより第２の容器部材（ベルジャ）１０４の特定の部分のみに施工できる点でも有利な処理である。ブラスト処理で荒面化した第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に溶射処理で半導体材料（溶射材）を吹き付け、凝固させる。このような処理により、荒面化した表面の凹凸と半導体材料（溶射材）の粒子との噛み合わせを十分に確保し、第２の容器部材（ベルジャ）１０４と半導体材料（溶射材）の密着強度の向上を図っている。
　図２において、被覆膜２００が形成される被覆範囲は、シール面１２６を除く第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面である。シール面１２６はマスキングにより被覆範囲から除外している。シール面１２６を被覆範囲から除外するのは、以下の２点を考慮しているためである。（i）被覆膜２００の形成によりシール性能が低下することが考えられる点。また、（ii）第２の容器部材（ベルジャ）１０４は弾性部材であるシール部材（例えば、Ｏリング）を介して第１の容器部材（拡散チャンバー）１０２（図１）に取付けられる。このため、シール面１２６に被覆膜２００を形成したとしても、紫外光を遮断する効果は、他の外側表面に比べて低いと考えられる点を考慮している。
　半導体材料としては、第２の容器部材（ベルジャ）１０４を構成する材料（例えば、石英等）との親和性に優れたシリコン（Ｓｉ）を使用することが好ましい。図５は半導体材料としてシリコン（Ｓｉ）を溶射処理に用いた場合の表面抵抗の測定結果を示す図である。
　（１）測定対象：シリコン（Ｓｉ）を溶射した試料(５０ｍｍ×５０ｍｍ)
　（２）測定装置：HIOKI　3522-50　LCR　HiTESTER
　　　　　　Shimadzu GAS CHROMATOGRAPH GC-12A(恒温槽)
　　　　　　METEX　M-3850D（熱電対計）
　（３）測定条件
　　・測定温度：２３℃（室温）、２００℃、３５０℃
　　・測定電圧：１Ｖ
　常温時（２３℃（室温））を除き、測定治具（不図示）に設置した試料を恒温槽に入れ、段階的に温度を上記の測定温度に上げながら、その時の抵抗値Ｒを測定した。
　図５の５ｂに示すように、測定対象長さＷ＝０．０４５ｍ（４５ｍｍ）、電極間の長さＬ＝０．０１ｍ（１０ｍｍ）とする。
　表面抵抗率ρは、抵抗値Ｒ（測定値）、測定対象長さＷ、電極間の長さＬを用いると、表面抵抗率ρ＝Ｒ×Ｗ／Ｌにより求めることができる。
　Ｓｉを溶射したベルジャは、プロセス中にどんどん加熱されていく。プロセスによっては、使用中に３００℃を超えることがあるが、その際にもプラズマが消えずに維持されることが確認されている。抵抗値が下がりすぎると安定した状態のプラズマを維持しにくくなるが、Ｓｉが加熱され、抵抗値が低下しても、３５０℃程度ならば安定してプラズマを維持することができる。
　図５の５ａに示す実験結果より、Ｓｉが常温（２３℃（室温））～３５０℃程度に加熱されているときの抵抗値（測定値Ｒ）４．２７３Ω～１０．２８４ｋΩ（表面抵抗率１９．２２９Ω～４６．２７８ｋΩ）ならば、プラズマ密度分布の均一化を図りつつプラズマの生成・維持が可能であることが分かる。即ち抵抗値（表面抵抗率）が５ａに示す範囲の半導体材料であれば溶射材として用いることが可能である。なお、抵抗値が低い半導体材料を溶射材として用いた場合は、プロセス中にベルジャを冷却手段により冷却することで抵抗値（表面低効率）の低下を抑制し、プラズマの生成・維持を行うことができる。冷却方法としては、ファンを用いて風によって冷却する方法や、水冷する方法が適用可能である。
　半導体材料を含有する被覆膜２００を第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に形成することにより、プラズマから放出される紫外光を遮断することができる。これにより、基板処理装置１００の外部で、紫外光と大気中の酸素とが反応してオゾンが生成されることを防ぐことができる。
　尚、図２では、半導体材料を含有する被覆膜２００を、第２の容器部材（ベルジャ）１０４上に直接コーティングした例を示しているが、本発明の趣旨は、この例に限定されるものではない。例えば、絶縁性の膜を、中間層として、第２の容器部材（ベルジャ）１０４上にコーティングして、この中間層に半導体材料を含有する被覆膜２００をコーティングしてもよい。
　図３は、図２における第２の容器部材（ベルジャ）１０４のＡ－Ａ断面と整合器１３２および高周波電源１３４とを示す図である。図３では、簡単化のため、アンテナ１３０は１ターンの場合を示している。アンテナ１３０は、高周波電圧の給電を受ける給電端子と、接地されている接地端子との２つの端子を有し、第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外周に近接して配置されている。半導体材料の被覆膜２００を第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に形成することにより、高周波電圧の給電点である給電端子の近傍（給電点付近）に生じる電界の集中を第２の容器部材（ベルジャ）１０４の表面にわたり分散させることができる。
　導体のメタル膜を第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に形成した場合、メタル膜中を電気が流れ、電磁誘導により第２の容器部材（ベルジャ）１０４の内部に電気的なパワーが供給されないという問題が生じ得る。また、絶縁性材料の膜を第２の容器部材１０４の形成した場合、第２の容器部材（ベルジャ）１０４自身も石英等の絶縁性材料で構成されていることから、これに絶縁性材料で被覆したとしても、電気的な特性に変化は生じ得ない。このため、導体のメタル膜および絶縁性材料の膜では、第２の容器部材（ベルジャ）１０４に対する給電点付近に生じる電界の集中を緩和することはできない。
　被覆膜２００として使用する半導体材料は、例えば、体積抵抗率Ｒの範囲が、１．５×１０－５Ωｍ（１．５×１０Ｅ－５Ωｍ）≦Ｒ≦４０００Ωｍの範囲の電気的な特性を有する。半導体材料としては、上記の電気的な特性を有し、第２の容器部材（ベルジャ）１０４を構成する材料（例えば、石英等）との親和性に優れた半導体材料（例えば、シリコン等）を使用することが好ましい。尚、図２の例では、被覆膜２００が第２の容器部材（ベルジャ）１０４の外側表面に形成される例を説明したが、本発明の趣旨はこの例に限定されず、被覆膜２００を第２の容器部材（ベルジャ）１０４の内側表面に形成しても同様の効果を得ることもできる。
　本実施形態の基板処理装置１００は、プラズマから放出される紫外光を遮断するとともに、給電点付近に生じる電界の集中を第２の容器部材（ベルジャ）１０４の表面にわたり分散可能な有利な効果を実現する。電界の集中を第２の容器部材１０４の表面にわたり分散させることにより、第２の容器部材（ベルジャ）１０４内の局所的な削れの発生が抑制され、第２の容器部材１０４の交換周期を長期化することができる。あるいは、第２の容器部材（ベルジャ）１０４内の局所的な削れの発生が抑制されることにより、プラズマ生成空間Ｓ２に生じるパーティクルを低減することができる。あるいは、第２の容器部材（ベルジャ）１０４内において均一な分布のプラズマを生成することができる。本実施形態にかかる基板処理装置１００によれば、高品位で生産性に優れた基板の処理技術を実現することが可能になる。
（デバイスの製造方法）
　上記の基板処理装置１００は、半導体や液晶などのデバイスを製造するための基板処理に有利である。デバイスの製造方法としては、基板処理装置１００の基板保持部１０６により基板を保持する保持工程と、基板処理装置１００のガス導入部Ｇ－ＩＮにより容器１０１にガスを導入する導入工程とを有する。また、デバイスの製造方法は、基板処理装置１００のプラズマ生成部によりガスを励起してプラズマを生成する生成工程と、プラズマで基板を処理する処理工程と、を有する。
　本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
　本願は、２０１１年３月３１日提出の日本国特許出願特願２０１１－７９７００を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims (4)

  1. 　プラズマで基板を処理する基板処理装置であって、
    　基板を処理するための処理空間を形成する第１の容器部材と、前記第１の容器部材に取付けられた状態で前記処理空間と連通するプラズマ生成用のプラズマ生成空間を形成する第２の容器部材と、を有する容器と、
    　前記容器にガスを導入するガス導入部と、
    　前記容器の外部空間に設けられ、電源からの高周波電圧の給電による電界でプラズマ生成空間内の前記ガスを励起するアンテナを有するプラズマ生成部と、
    　前記処理空間において前記基板を保持することが可能な基板保持部と、を備え、
    　前記アンテナと近接した位置に配置されている前記第２の容器部材の表面に半導体材料を含有する被覆膜が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記被覆膜の体積抵抗率Ｒの範囲は、１．５×１０－５Ωｍ≦Ｒ≦４０００Ωｍであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記第２の容器部材は絶縁材料で形成されており、外側表面にブラスト処理が施され、
    　前記被覆膜は、前記ブラスト処理が施された前記第２の容器部材の外側表面に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記被覆膜には、シリコンが含有されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
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