WO2012129580A2 - Leiterplattenelement mit wenigstens einer led - Google Patents

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WO2012129580A2
WO2012129580A2 PCT/AT2012/000070 AT2012000070W WO2012129580A2 WO 2012129580 A2 WO2012129580 A2 WO 2012129580A2 AT 2012000070 W AT2012000070 W AT 2012000070W WO 2012129580 A2 WO2012129580 A2 WO 2012129580A2
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Gregor Langer
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    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Definitions

  • the invention relates to a printed circuit board element with a substrate, on which at least one dielectric layer is arranged, as well as with at least one LED (light emitting diode).
  • the invention relates to methods for producing such a printed circuit board element.
  • LED light emitting diodes are becoming increasingly interesting. It is also important that the technical advances in LED technology mean that LEDs are no longer merely meaningful as display elements on devices, but are also becoming increasingly interesting for other applications, such as for flat screen TVs, but also for lighting systems. Modern LEDs not only have sufficient
  • Brightness they are also favorable from the manufacturing cost ago and are now used on a large scale, for example in lighting systems in motor vehicles.
  • LEDs emit a particular color (that is, with a certain wavelength, with a more or less narrow bandwidth), and by mixing can be a variety of colors to white light, and here again turn to a cold white light or a warm white light, reach.
  • a particular color that is, with a certain wavelength, with a more or less narrow bandwidth
  • PWM pulse width modulation
  • these LEDs are in the mixing of various ⁇ dentipen LEDs also different to control to achieve the desired mixed color.
  • this mixing ratio changes during the lifetime of the LEDs, so that the Mixed color changes, which ultimately leads to an undesirable result.
  • a color change can also be caused by different ambient temperatures, for example at relatively high temperatures.
  • the object of the invention is therefore to remedy this situation and in a simple and cost-effective way capturing the Toge ⁇ surrounded LED light - no preference in which color, whether mixed light (white light) of RGB LEDs (RGB - Red Green Blue) or only by individual LEDs - to detect directly at the location of the LEDs, to then evaluate the measurement result immediately via a monitoring ⁇ or control circuit and to allow readjustment of the power supply of the LEDs, preferably via PWM. So an integrated system should be made possible to allow this monitoring with readjustment.
  • the invention provides a printed circuit board element as defined in claim 1.
  • Advantageous embodiments and developments as well as advantageous methods for producing such a printed circuit board element are in the specified dependent claims.
  • a channel-shaped optical waveguide cavity is thus present in the dielectric layer which leads away from the LED to form an integrated photosensitive component which is arranged to check the light emission and which forms part of a monitoring or control circuit.
  • This component is preferably formed by a photodiode or a phototransistor or the like.
  • Photosensor is preferably formed by a photodiode or a phototransistor or the like.
  • light is supplied to these photosensitive components by the LEDs in a "bypass" manner via the optical waveguide in the waveguide cavity, so that the respective LED light can be detected directly in place, within the printed circuit board element itself, which is brightness and color, etc.
  • the measured values thus acquired can be compared, preferably after digitization, with nominal values which can be stored in a controller chip, so that in the case of deviations a readjustment of the current drive for the LEDs can be carried out
  • Components can be formed in a conventional manner and above all be arranged directly on the same circuit board element in conventional technology, so that advantageously an integrated correction of colors and brightnesses of LEDs can be made directly on the circuit board element.
  • the respective LED or an LED chip is accommodated in a cavity in the dielectric layer material, wherein the waveguide cavity directly adjoins the LED cavity.
  • the waveguide cavity is filled to form the optical waveguide, in particular with an optical material which is introduced in the wet state.
  • the present technique allows further miniaturization because the optical fiber connection between LED and photosensitive device (photodiode) is very close Arrangement of these components allowed together.
  • Another advantage results from the fact that even in the dimension relatively small encapsulations, as provided for the protection of the components are possible. Furthermore, the design possibilities are increased.
  • the top of the waveguide i. the top of the optical material
  • a reflective layer e.g. with solder mask
  • the walls of the waveguide cavity to increase the reflectivity, for the production of electrical connections and / or for the preparation of fillets or the like. especially metallic, e.g. coated with copper or gold, if necessary with solder mask.
  • the walls of the waveguide cavity and / or optionally the LED cavity are formed obliquely.
  • the photosensitive component is mounted in a cavity of the dielectric layer.
  • the photosensitive component is arranged on the layer having the waveguide cavity, wherein the waveguide cavity then extends below this component.
  • the waveguide cavity having Layer on a heat dissipating layer for example made of aluminum
  • the substrate consists of heat-dissipating material, for example of aluminum.
  • a manufacturing technology favorable embodiment of the printed circuit board element is further characterized by the fact that the waveguide cavity is limited by a printed on the substrate or a dielectric layer frame.
  • a heat dissipating plate for example, to form an elongate cavity opening, for the production of the channel-shaped waveguide.
  • a prepreg is applied, after which in the opening of the waveguide and optionally. The LED and or or the photosensitive component are attached.
  • a dielectric layer is applied to the substrate in which, e.g. by laser structuring and removing defined areas, or by pressing, for example by means of stamp printing, a cavity is attached at least for the channel-shaped waveguide.
  • a frame surrounding a cavity is printed on the dielectric substrate, e.g. by screen printing, ink printing, stencil printing or the like. Druckmaschine-.
  • the upper side of the waveguide can be covered with a re ⁇ inflecting layer.
  • solder resist is used for the reflective layer, which can be used at the same time for other purposes in the manufacture of the printed circuit board element.
  • the walls of the waveguide cavity are to increase the reflectivity, e.g. with solder mask, coated.
  • the photosensitive component that is, preferably a photodiode or photocell, may be mounted in a cavity in the dielectric layer or on the dielectric layer; in the latter case, the photosensitive component partially covers the waveguide cavity.
  • photoelectric structures or printed circuit board elements with waveguides are widely known, cf. e.g. JP 2005-195991, AT 413 891 B, AT 505 834 B, AT 503 027 B or US 2009/074354 Al; In this case, however, there are no checking structures, in particular not those with cavities in a dielectric layer.
  • FIG. 1 and 2 show an inventive printed circuit board element (or the essential part hereof) in a schematic plan view (FIG. 1) or in a schematic sectional illustration (FIG. 2);
  • FIGS. 1 and 2 Fig. 3 to 9 different stages in the manufacture of a guide element according to FIGS. 1 and 2, wherein
  • Fig. 3 and 4 show prefabricated individual elements still in a separate state in plan view and in section;
  • Figures 5 and 6 show, in section, the following steps in uniting the individual elements and the application of standard LP (printed circuit board) processes; further Fig. 7 and 8 in plan view and in section an intermediate product of the printed circuit board element, still without components, illustrative ⁇ Chen;
  • Fig. 9 shows a further intermediate step in section
  • FIG. 10 and 11 show a modified embodiment of the printed circuit board element according to the invention in a schematic plan view (FIG. 10) or in a schematic section (FIG. 11);
  • the respective printed circuit board element is continuous (or of interest here part thereof) designated with 1 ⁇ net.
  • a herkömmli ⁇ ches circuit board substrate or, if necessary, for the purpose of heat dissipation can be an aluminum substrate, an insulating or dielectric layer 3 and above in the illustrated embodiment a first conductor layer 4, for example made of copper, provided, which is already structured according to FIGS. 1 and 2.
  • circuit board part 5 for example, another circuit board part 6, without substrate, namely with dielectric layer 7 and conductor layer 8, attached. Again, the Lei ⁇ terlage 8 is already structured.
  • the dielectric layer 7 has an example ⁇ , in plan view circular cavity 9 for receiving at least one LED or at least an LED chip 10th Adjoining this cavity 9 is a channel-shaped optical waveguide cavity 11 which extends below a photosensitive optoelectronic component. ments 12, for example in the form of a photodiode or a phototransistor, generally sensor runs.
  • the waveguide 11 'thus formed may, for example, lead to the LED chip 10, but it is also sufficient to guide the waveguide 11' to just short of the LED chip 10 and hie him there at a distance - to let go of.
  • the photodiode 12 is mounted on the upper conductor layer 8, whereas the LED chip 10 is mounted on the lower conductor layer 4.
  • the LED 10 is encapsulated in a synthetic resin drop 13 (an encapsulation known per se by the term "Glob-Top" in the prior art).
  • a synthetic resin drop 13 an encapsulation known per se by the term "Glob-Top” in the prior art.
  • Such glob tops are e.g. provided for a mechanical protection for LED chips and ribbon wire connections, but also because of the lens effect
  • Light control and / or as a matrix for particles (for example phosphorus) for color adjustment of the light, for white-light applications, for example.
  • the emission direction of the LED 10 is, for example, substantially perpendicular to the main plane of the printed circuit board element 1, but a light component from the LED 10 also passes through the optical waveguide 11 'in the cavity 11 extending at an angle to this main emission direction to the photosensitive component 12 (hereinafter the FIG For the sake of simplicity, reference has always been made in this connection to a photodiode 12, but it should be clear that other photosensitive sensors or components are also suitable).
  • the photodiode 12 is now part of a monitoring or control circuit, which is not shown in the following, but can be accommodated on the circuit board element 1 with its components in a conventional manner.
  • the light emission of LED 10 changes character over time, for example, the color changes from white to thin Red, green or blue shifts, assuming that the white light is composed of red, green, blue light or on the LED chip 10, three such single LEDs for red, green and blue are attached, so this is Displacement in the optical range by means of the photosensor 12 and the photosensors detected, with a corresponding electronic signal is obtained, which is supplied to a known control circuit for setting a drive or driver stage for the LED 10.
  • an undesired change in the light emission can also result from the fact that the synthetic resin material of the encapsulation 13 changes over time (for example, a reduction in the transmission).
  • this monitoring and control circuit can be mounted in conventional printed circuit board technology, which is therefore not illustrated in detail in the drawing for the sake of simplicity.
  • the conductive pattern e.g., 4, 8
  • the conductive pattern of the printed circuit board substrates is only partially indicated or omitted altogether.
  • a prefabricated upper circuit board "part” 6 such as a prepreg (as shown), or a core or a fully processed circuit board, mounted on the lower circuit board “part” 5 by pressing and / or gluing.
  • the printed circuit board "part” 5 may be a fully processed FR4 printed circuit board element, IMS, etc., but also a heat dissipating plate.
  • circuit board part 6 is, for example by laser cutting, punching or the like. Techniques, so prefabricated that at least the Kaviteit 11 for the optical waveguide 11 '(see Fig. 2) is provided.
  • the component cavity 9 for the LED 10 is preferably provided in addition to the waveguide cavity 11, which adjoins the component cavity 9 (see FIG. 3).
  • the circuit board parts 6 and 5 are now pressed or glued together. This is followed by standard printed circuit board processes, in particular the structuring of the conductor layer 8, cf. 6, wherein the layer 8 can be connected to the layer 4, cf. the vertical cladding 14 in Fig. 6.
  • the walls of the cavities 9, 11 formed may be coated, not only to produce an electrical connection (see the cladding 14 in Fig. 6), but also to to increase the reflectivity, and / or to rounding, such as mirror elements to bring.
  • metals such as copper, gold, but also Lötstopplack and the like. Materials can be used.
  • an optical material 15 is filled in the waveguide cavity 11, for example, by screen printing, doctoring, inkjet techniques or the like.
  • the optical waveguide 11 'thus formed with the optical material 15 may thereafter be provided, as desired, with a reflective layer 16, e.g. a Lotstopplack, be covered.
  • the conductor layer 8 serve as a Entflechtungslage, and the conductor layer 4 can for the removal of
  • the printed circuit board substrate 5, 6 may also include more than the two metallic conductor layers 4, 8 shown.
  • the cavities 9, 11 can also be produced only after attaching the printed circuit board part 6 to the printed circuit board part 5 underneath.
  • the cavity 9, in which the LED chip 10 is mounted does not necessarily have to form the boundary of the glob-top encapsulation 13; rather, this encapsulation 13 can also be dimensioned larger or smaller than the cavity 9 in diameter.
  • the cavity 9 can also be filled with solder mask after the LED assembly and before the glob top application in order to increase the reflectivity.
  • the walls of the cavities 9, 11 can be formed obliquely, for example by a corresponding drilling process in the case of the cavity 9, by a flow of the prepreg (printed circuit board part 6) during pressing and the like techniques.
  • Layer 7 the respective cavity 11 or 9, 9 'in retrospect, e.g. by laser structuring and removal of the corresponding areas, or else by pressing, for example by means of stamp printing to install.
  • the cavities 9, 11 may also be formed by a per se known technology, such as e.g. described in WO 2008/098271 AI.
  • the waveguide material 15 may be a transparent polymer waveguide material, which is introduced into the cavity 11 in the wet state.
  • LED 10 and a photodiode 12 are shown in the drawing, it is conceivable that a plurality of LEDs 10 and a plurality of photodiodes 12 (or multiple LEDs and / or multiple detector elements) may be mounted on the printed circuit board element 1 .
  • PTAs plated through-holes
  • LED 10 and photodiode 12 may be mounted on opposite sides except on the same side.
  • a corresponding number of waveguides 11 'can can also be provided. Additional coatings can be made by wet process or by PVD or CVD (chemical or physical vapor deposition) processes.
  • the LED chip 10 and the photodiode 12 may be mounted on the same conductor layer 4 (see Figure 2); Furthermore, the photodiode 12 may also be provided with a glob-top encapsulation 13 '. For this purpose, a corresponding cavity 9 'for the photodiode 12 or its encapsulation 13' is to be provided in the dielectric layer 7.
  • optical waveguide 11 'and the glob top 13 of the LED 10 or, as shown in FIGS. 12 and 13, the optical waveguide 11' and a modified encapsulation 13 '' of the photodiode 12 can be made of the same material and applied in a single process step using a dispenser, inkjet or capillary method.
  • FIGS. 14 (top view) and 15 (schematic section) an embodiment of the present printed circuit board element is shown, in which the cavities 11 and 9, 9 'are formed by forming a raised, comparatively thin frame 17 on the dielectric layer 3 mounted on the substrate 2 is printed.
  • a printing process are, for example, screen printing, ink printing, but also stencil printing or the like. Printing techniques.
  • the already structured conductor layer 4, for example made of copper, can be seen. Furthermore, in the case of the printed circuit board element 1 according to FIGS. 14 and 15, it is preferable to equip it with the components (LED 10, photodiode 12) in retrospect, after the frame 17 has been printed on.
  • the optical layer 15, ie the optical material 15 has not been shown so as to clarify the frame 17.
  • the frame 17 ie after reaching the state as in FIGS. shows, still the realization of the waveguide 11 'perform as described above.

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Abstract

Leiterplattenelement (1) mit einem Substrat (2), auf dem wenigstens eine dielektrische Schicht (7) angeordnet ist, sowie mit wenigstens einer LED (Leuchtdiode) (10), wobei in der dielektrischen Schicht (7) zumindest eine von der LED (10) wegführende kanalförmige Wellenleiter-Kavität (11) vorgesehen ist, die zu wenigstens einem integrierten lichtempfindlichen, zur Überprüfung der Lichtemission angeordneten Bauelement (12), vorzugsweise einer Fotodiode bzw. einer Fotozelle, führt, wobei die LED (10) vorzugsweise ebenfalls in einer Kavität (9) angeordnet ist, die mit der Wellenleiter-Kavität (11) verbunden ist; sowie Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leiterplattenelements (1).

Description

Leiterplattenelement mit wenigstens einer LED
Die Erfindung betrifft ein Leiterplattenelement mit einem Substrat, auf dem wenigstens eine dielektrische Schicht angeordnet ist, sowie mit wenigstens einer LED (Leuchtdiode).
Weiters bezieht sich die Erfindung auf Verfahren zum Herstellen eines solchen Leiterplattenelements.
Nicht zuletzt im Hinblick auf die Beschränkungen bei der Herstellung und Verwendung von Glühlampen aus wirtschaftspolitischen und umweltpolitischen Gründen werden Beleuchtungssysteme mit Leuchtdioden, kurz LEDs (LED-Licht emittierende Dioden) , immer interessanter. Von Bedeutung ist dabei auch, dass durch die technische Weiterentwicklung in der LED-Technik LEDs tatsächlich nicht mehr bloß als Anzeigeelemente an Geräten Bedeutung haben, sondern auch für andere Anwendungen, wie etwa bei TV-Flachbildschirmen, aber auch bei Lichtanlagen, immer interessanter werden. Moderne LEDs weisen dabei nicht nur eine ausreichende
Helligkeit auf, sie sind auch von den Herstellungskosten her günstig und werden mittlerweile schon in großem Maßstab, beispielsweise bei Lichtanlagen in Kraftfahrzeugen, verwendet.
Üblicherweise strahlen LEDs eine bestimmte Farbe (also mit einer bestimmten Wellenlänge, mit einer mehr oder weniger schmalen Bandbreite) ab, und durch Mischen lassen sich die verschiedensten Farben bis hin zu weißem Licht, und hier auch wiederum zu einem kalten weißen Licht oder zu einem warmen weißen Licht, erreichen. Die Techniken hierfür sind hinlänglich bekannt und bedürfen keiner weiteren Erläuterung. Nur als Beispiel sei
erwähnt, dass mit einer roten, einer grünen und einer blauen LED bei einer entsprechenden Ansteuerung und damit Mischung weißes Licht erhalten werden kann. Zur Ansteuerung wird bevorzugt Pulsweitenmodulation (PWM) verwendet, mit der der Strom durch die LEDs moduliert wird. Je länger dabei die Stromimpulse sind, umso heller leuchten die LEDs. Dabei sind beim Mischen von verschie¬ denfarbigen LEDs diese LEDs auch verschieden anzusteuern, um die gewünschte Mischfarbe zu erzielen. Dieses Mischverhältnis ändert sich jedoch während der Lebensdauer der LEDs, so dass sich die Mischfarbe ändert, was letztlich zu einem unerwünschten Ergebnis führt. Eine Farbänderung kann weiters auch von unterschiedlichen Umgebungstemperaturen, beispielsweise bei vergleichsweise hohen Temperaturen, verursacht werden.
Es ist daher bereits Stand der Technik, mit LEDs erzeugtes Licht laufend mit Hilfe von Sensoren zu überwachen und die LED-Ströme abhängig von den Änderungen in der jeweiligen Lichtfarbe und auch von den Temperaturen nachzuregeln . Beispielsweise kann in diesem Zusammenhang auf die EP 2 082 620 Bl verwiesen werden.
Von Nachteil ist bei den bekannten Lösungen, wo das abgegebene Licht, etwa weißes LED-Licht, das in der Kombination von roten, grünen und blauen LEDs abgegeben wird, mit Hilfe eines Sensors erfasst wird, um ein elektrisches Ist-Signal der Regeleinheit zuzuführen, dass diese Schaltungen einschließlich Sensor in einem gesonderten Gerät vorgesehen sind, wobei eine derartige Überwachungs- bzw. Regelschaltung nicht für alle Anwendungen, z.B. bei miniaturisierten Schaltungen mit LEDs, ohne Weiteres anwendbar ist. Es wäre in zeitlichen Abständen ein Messen von derartigen LED-Einheiten in Labors oder dergl. notwendig, so dass eine kontinuierliche Nachregelung des LED-Lichts nicht möglich ist.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, hier Abhilfe zu schaffen und auf einfache und kostengünstige Weise eine Erfassung des abgege¬ benen LED-Lichts - egal in welcher Farbe, ob Mischlicht (Weißlicht) von RGB-LEDs (RGB - Rot Grün Blau) oder auch nur von einzelnen LEDs - unmittelbar an der Stelle der LEDs zu erfassen, um das Messergebnis dann sofort über einen Überwachungs¬ bzw. Regelkreis auszuwerten und eine Nachregelung der Stromversorgung der LEDs, bevorzugt über PWM, zu ermöglichen. Es soll also ein integriertes System ermöglicht werden, um diese Überwachung mit Nachregelung zu ermöglichen.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung ein Leiterplattenelement wie in Anspruch 1 definiert vor. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen sowie vorteilhafte Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leiterplattenelements sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Beim vorliegenden Leiterplattenelement liegt somit in der dielektrischen Schicht eine kanalförmige ellenleiter-Kavität vor, die von der LED weg zu einem integrierten lichtempfindlichen Bauelement führt, das zur Überprüfung der Lichtemission angeordnet ist, und das Teil eines Überwachungs- bzw. Regelkreises ist. Dieses Bauelement ist bevorzugt durch eine Fotodiode oder einen Fototransistor oder dergl. Fotosensor gebildet. Selbstverständlich sind im Fall von mehreren LEDs auch entsprechend mehrere fotoempfindliche Detektorelemente vorzusehen, die ggfs. auch durch einen einzelnen Mehrfach-Detektor , mit mehreren Empfangsbereichen, gebildet sein können. Im Betrieb wird diesen fotoempfindlichen Bauelementen von den LEDs in einer Art „Bypass" Licht über den Lichtwellenleiter in der Wellenleiter-Kavität zugeführt, so dass direkt an Ort und Stelle, innerhalb des Leiterplattenelements selbst, das jeweilige LED-Licht erfasst werden kann, was Helligkeit und Farbe etc. anlangt. Die so erfassten Messwerte können, bevorzugt nach Digitalisierung, mit Sollwerten verglichen werden, die in einem Reglerchip abgespeichert sein können, so dass bei Abweichungen eine Nachregelung der Stromansteuerung für die LEDs durchgeführt werden kann. Diese für die Regelung erforderlichen elektronischen Komponenten können in an sich herkömmlicher Weise ausgebildet und vor allem auch direkt auf dem selben Leiterplattenelement in herkömmlicher Technik angeordnet sein, so dass in vorteilhafter Weise eine integrierte Korrektur von Farben und Helligkeiten von LEDs direkt am Leiterplattenelement erfolgen kann.
Bevorzugt ist dabei auch die jeweilige LED bzw. ein LED-Chip in einer Kavität im dielektrischen Schichtmaterial untergebracht, wobei die Wellenleiter-Kavität unmittelbar an die LED-Kavität anschließt. Die Wellenleiter-Kavität ist zur Bildung des Lichtwellenleiters insbesondere mit einem optischen Material gefüllt, das im nassen Zustand eingebracht wird.
Mit der vorliegenden Technik wird eine weitergehende Miniaturisierung ermöglicht, da die Lichtwellenleiter-Verbindung zwischen LED und fotoempfindlichem Bauelement (Fotodiode) eine sehr enge Anordnung dieser Komponenten beieinander erlaubt. Die Integration der LED-Komponente einerseits und des Sensorsystems bzw. Regelkreises in ein und dem selben Leiterplattenelement
andererseits ermöglicht auch bei miniaturisierten Anwendungen, mit beschränkten Platzverhältnissen, eine laufende Kontrolle und Nachregelung des LED-Lichts. Die Kavitäten für den Lichtwellenleiter sowie bevorzugt auch für die LED und weiters, wie es ebenfalls bevorzugt wird, für das lichtempfindliche Bauelement, also insbesondere die Fotodiode, ermöglichen auch eine Ausnutzung von Lichtreflexion; ein weiterer Vorteil ergibt sich dadurch, dass auch in der Dimension relativ kleine Einkapselungen, wie sie zum Schutz der Bauteile vorgesehen werden, ermöglicht sind. Weiters werden die Design-Möglichkeiten erhöht.
Was die angesprochene Lichtreflexion betrifft, so ist es von Vorteil, wenn die Oberseite des Wellenleiters, d.h. die Oberseite des optischen Materials, mit einer reflektierenden Schicht, z.B. mit Lötstopplack, bedeckt ist.
Weiters ist es günstig, wenn die Wände der Wellenleiter-Kavität zur Erhöhung der Reflektivität , zur Herstellung von elektrischen Verbindungen und bzw. oder zur Herstellung von Abrundungen oder dergl . insbesondere metallisch, z.B. mit Kupfer oder Gold, ggf. mit Lötstopplack, beschichtet sind.
Für bestimmte Reflexionseffekte ist es auch vorteilhaft, wenn die Wände der Wellenleiter-Kavität und bzw. oder ggfs. der LED- Kavität schräg ausgebildet sind.
Wie erwähnt ist bei einer günstigen Ausführungsform vorgesehen, dass das lichtempfindliche Bauelement in einer Kavität der dielektrischen Schicht angebracht ist. Alternativ dazu ist es auch günstig, wenn das lichtempfindliche Bauelement auf der die Wellenleiter-Kavität aufweisenden Schicht angeordnet ist, wobei die Wellenleiter-Kavität dann bis unterhalb dieses Bauelements verläuft.
Um Wärme von der Anordnung abzuführen, kann auch mit Vorteil vorgesehen werden, dass die die Wellenleiter-Kavität aufweisende Schicht auf einer Wärmeableitschicht, z.B. aus Aluminium, angebracht ist. Weiters ist es hier möglich, dass das Substrat aus wärmeableitendem Material, z.B. aus Aluminium, besteht.
Eine herstellungstechnisch günstige Ausführungsform des Leiterplattenelements zeichnet sich weiters dadurch aus, dass die Wellenleiter-Kavität durch einen auf dem Substrat bzw. einer dielektrischen Schicht aufgedruckten Rahmen begrenzt ist.
Zum Herstellen eines Leiterplattenelements wie vorstehend angeführt kann bevorzugt derart vorgegangen werden, dass auf einem fertig prozessierten Substrat, ggf. einer wärmeabführenden Platte, eine unter Bildung einer länglichen Kavitäts-Öffnung, für die Herstellung des kanalförmigen Wellenleiters, vorkonfektionierte Leiterplatten-Schicht, z.B. ein Prepreg, aufgebracht wird, wonach in der Öffnung der Wellenleiter und ggfs. die LED und bzw. oder das lichtempfindliche Bauelement angebracht werden .
Andererseits ist es zur Herstellung eines derartigen Leiterplattenelements vielfach auch günstig, wenn auf dem Substrat eine dielektrische Schicht angebracht wird, in der, z.B. durch Laser- strukturierung und Entfernen definierter Bereiche, oder durch Einpressen, beispielsweise mittels Stempeldruck, eine Kavität zumindest für den kanalförmigen Wellenleiter angebracht wird.
Weiters ist es für eine einfache Herstellung auch vorteilhaft, wenn auf dem Substrat aus einem Dielektrikum ein Rahmen, der eine Kavität umgibt, aufgedruckt wird, z.B. durch Siebdruck, Tintendruck, Schablonendruck oder dergl . Druckverfahren-.
In den vorgenannten Fällen kann die Wellenleiter-Kavität, bei¬ spielsweise durch Siebdruck, durch Rakeln, durch Inkjet-Druck oder dergl. Technik, mit einem optischen Material (im nassen Zustand) befüllt werden.
Vorzugsweise kann die Oberseite des Wellenleiters mit einer re¬ flektierenden Schicht bedeckt werden. In einer einfachen Ausfüh¬ rung wird für die reflektierende Schicht Lötstopplack verwendet, der zugleich auch für andere Zwecke bei der Herstellung des Leiterplattenelements eingesetzt werden kann.
Weiters ist es günstig, wenn die Wände der Wellenleiter-Kavität zur Erhöhung der Reflektivität , z.B. mit Lötstopplack, beschichtet werden.
Wie erwähnt kann das lichtempfindliche Bauelement, also bevorzugt eine Fotodiode oder Fotozelle, in einer Kavität in der dielektrischen Schicht oder aber auf der dielektrischen Schicht angebracht werden; im letzteren Fall überdeckt das lichtempfindliche Bauelement teilweise die Wellenleiter-Kavität.
Es sei erwähnt, dass fotoelektrische Strukturen oder Leiterplattenelemente mit Wellenleitern vielfach bekannt sind, vgl. z.B. JP 2005-195991, AT 413 891 B, AT 505 834 B, AT 503 027 B oder US 2009/074354 AI; hierbei liegen jedoch keine Überprüfung- Strukturen, insbesondere auch nicht solche mit Kavitäten in einer dielektrischen Schicht, vor.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispielen, auf die sie jedoch nicht beschränkt sein soll, noch weiter erläutert. Im Einzelnen zeigen in der Zeichnung:
Fig. 1 und 2 ein erfindungsgemäßes Leiterplattenelement (bzw. den hier wesentlichen Teil hievon) in einer schematischen Draufsicht (Fig. 1) bzw. in einer schematischen Schnittdarstellung (Fig. 2);
Fig. 3 bis 9 verschiedene Stufen bei der Herstellung eines Leitelements gemäß Fig. 1 und 2, wobei
Fig. 3 und 4 vorgefertigte Einzelelemente noch in getrenntem Zustand in Draufsicht bzw. im Schnitt zeigen;
Fig. 5 und 6 nachfolgende Schritte beim Vereinigen der Einzelelemente und der Anwendung von Standard-LP (Leiterplatten) -Prozessen im Schnitt zeigen; weiters Fig. 7 und 8 in Draufsicht bzw. im Schnitt ein Zwischenprodukt des Leiterplattenelements, noch ohne Bauelemente, veranschauli¬ chen;
Fig. 9 einen weiteren Zwischenschritt im Schnitt zeigt;
Fig. 10 und 11 eine modifizierte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Leiterplattenelements in schematischer Draufsicht (Fig. 10) bzw. im schematischen Schnitt (Fig. 11);
Fig. 12 und 13 in entsprechenden Darstellungen, nämlich in
Draufsicht (Fig. 12) bzw. im Schnitt (Fig. 13), noch eine andere Variante des vorliegenden Leiterplattenelements; und
Fig. 14 und 15, ebenfalls in entsprechenden Darstellungen
(Draufsicht bzw. Schnitt) eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Leiterplattenelements .
In der Zeichnung ist durchgehend das jeweilige Leiterplattenelement (bzw. der hier interessierende Teil hiervon) mit 1 bezeich¬ net. Wie aus Fig. 1 und 2 hervorgeht, ist beim vorliegenden Leiterplattenelement 1 auf einem Substrat 2, das ein herkömmli¬ ches Leiterplattensubstrat oder aber ggf., zwecks Wärmeabführung, ein Aluminiumsubstrat sein kann, eine isolierende bzw. dielektrische Schicht 3 und darüber im gezeigten Ausführungsbeispiel eine erste Leiterlage 4, z.B aus Kupfer, vorgesehen, die gemäß Fig. 1 und 2 bereits strukturiert ist.
Auf diesem Leiterplattenteil 5 ist beispielsweise ein weiterer Leiterplattenteil 6, ohne Substrat, nämlich mit dielektrischer Schicht 7 und Leiterlage 8, angebracht. Auch hier ist die Lei¬ terlage 8 bereits strukturiert.
Die dielektrische Schicht 7 weist eine in Draufsicht beispiels¬ weise kreisrunde Kavität 9 für die Aufnahme zumindest einer LED bzw. zumindest eines LED-Chips 10 auf. An diese Kavität 9 schließt eine kanalförmige Lichtwellenleiter-Kavität 11 an, die bis unterhalb eines fotoempfindlichen optoelektronischen Bauele- ments 12, z.B. in Form einer Fotodiode oder eines Fototransistors, allgemein Sensors, verläuft.
In der Kavität 11 befindet sich ein Wellenleitermaterial, und der so gebildete Wellenleiter 11' kann beispielsweise bis zum LED-Chip 10 führen, jedoch genügt es auch, den Wellenleiter 11' bis knapp zum LED-Chip 10 zu führen und ihn dort im Abstand hie- von enden zu lassen.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, ist beim gezeigten Beispiel die Fotodiode 12 auf der oberen Leiterlage 8 montiert, wogegen der LED-Chip 10 auf der unteren Leiterlage 4 montiert ist.
Die LED 10 ist in einem Kunstharztropfen 13 eingekapselt (einer Einkapselung, wie sie unter der Bezeichnung "Glob-Top" im Stand der Technik an sich bekannt ist) . Derartige Glob-Tops werden z.B. für einen mechanischen Schutz für LED-Chips und Banddrahtverbindungen vorgesehen, aber auch wegen der Linsenwirkung
(Lichtlenkung) und/oder als Matrix für Partikel (z.B. Phosphor) zur Farbeinstellung des Lichts, etwa für Weiss-Licht-Anwendun- gen .
Die Abstrahlrichtung der LED 10 ist beispielsweise im Wesentlichen senkrecht zur Hauptebene des Leiterplattenelements 1, jedoch gelangt ein Lichtanteil von der LED 10 auch über den sich unter einem Winkel zu dieser Hauptabstrahlrichtung erstreckenden Lichtwellenleiter 11' in der Kavität 11 zum lichtempfindlichen Bauelement 12 (nachfolgend wird der Einfachheit halber in diesem Zusammenhang immer auf eine Fotodiode 12 Bezug genommen, es sollte jedoch klar sein, dass auch andere fotoempfindliche Sensor- bzw. Bauelemente in Frage kommen) .
Die Fotodiode 12 ist nun Teil eines Überwachungs- bzw. Regelkreises, der im Weiteren nicht dargestellt ist, jedoch auf dem Leiterplattenelement 1 mit seinen Komponenten in an sich herkömmlicher Weise untergebracht sein kann.
Wenn die Lichtemission der LED 10 im Laufe der Zeit ihren Charakter ändert, beispielsweise die Farbe sich von weiß in Rieh- tung rot, grün oder blau verschiebt, wenn man davon ausgeht, dass das weiße Licht aus rotem, grünem, blauem Licht zusammengesetzt ist bzw. am LED-Chip 10 drei derartige Einzel-LEDs für rot, grün und blau angebracht sind, so wird diese Verschiebung im optischen Bereich mit Hilfe des Fotosensors 12 bzw. der Fotosensoren erfasst, wobei ein entsprechendes elektronisches Signal erhalten wird, welches einem an sich bekannten Regelkreis zur Einstellung einer Ansteuerung oder Treiberstufe für die LED 10 zugeführt wird. Eine unerwünschte Änderung der Lichtemission kann sich im Übrigen auch dadurch ergeben, dass sich das Kunstharzmaterial der Einkapselung 13 mit der Zeit verändert (z.B. Verringerung der Transmission) .
Wie erwähnt können die weiteren Komponenten dieses Überwachungsund Regelkreises in herkömmlicher Leiterplattentechnologie angebracht sein, was daher in der Zeichnung der Einfachheit halber nicht näher veranschaulicht ist. Auch ist in den Zeichnungsfiguren durchgehend das Leiterbild (z.B. 4, 8) der Leiterplattensubstrate teilweise nur angedeutet oder überhaupt weggelassen.
Weiters sind auch in der Zeichnung der Einfachheit halber weitere Schritte bzw. Schichten, wie etwa weitere Leiterplattenlagen und/oder Schutzschichten bzw. Deckschichten etc., weggelassen.
Zur Herstellung eines Leiterplattenelements wie in Fig. 1 und 2 gezeigt wird beispielsweise - vgl. Fig. 3 und 4 - ein vorkonfektionierter oberer Leiterplatten„teil" 6, wie etwa ein Prepreg (gemäß Darstellung) , oder aber ein Core oder eine fertig prozessierte Leiterplatte, auf dem unteren Leiterplatten„teil" 5 durch Verpressen und/oder Verkleben angebracht. Der Leiterplat- ten„teil" 5 kann ein fertig prozessiertes FR4-Leiterplattenele- ment, IMS etc., aber auch eine wärmeabführende Platte sein.
Der zu verpressende bzw. zu verklebende obere Leiterplattenteil 6 ist, beispielsweise durch Laserschneiden, durch Stanzen oder dergl . Techniken, so vorkonfektioniert, dass zumindest die Kavi- tät 11 für den Lichtwellenleiter 11' (s. Fig. 2) vorgesehen ist. Bevorzugt ist die Bauteil-Kavität 9 für die LED 10 zusätzlich zur Wellenleiter-Kavität 11, die an die Bauteil-Kavität 9 anschließt (vgl. Fig. 3), vorgesehen. Gemäß Fig. 5 werden nun die Leiterplattenteile 6 und 5 miteinander verpresst bzw. verklebt. Im Anschluss daran erfolgen Standard-Leiterplatten-Prozesse, wie insbesondere die Strukturierung der Leiterlage 8, vgl. Fig 6, wobei auch die Lage 8 mit der Lage 4 verbunden werden kann, vgl. die vertikale Plattierung 14 in Fig. 6. Weiters können die Wände der gebildeten Kavitäten 9, 11 beschichtet werden, und zwar nicht nur, um eine elektrische Verbindung (siehe die Plattierung bzw. Verbindung 14 in Fig. 6) herzustellen, sondern auch, um die Reflektivität zu erhöhen, und bzw. oder um Abrundungen, etwa Spiegelelemente, einzubringen. Für diese Beschichtungen der Wände der Kavitäten 9, 11, können Metalle, wie z.B. Kupfer, Gold, aber auch Lötstopplack und dergl. Materialien, eingesetzt werden.
Im Anschluss daran wird gemäß Fig. 7 und 8 in die Wellenleiter- Kavität 11 ein optisches Material 15, beispielsweise durch Siebdruck, durch Rakeln, durch Inkj et-Verfahren oder dergl. Techniken, eingefüllt. Der so gebildete Lichtwellenleiter 11' mit dem optischen Material 15 kann danach gemäß Fig. 9 falls gewünscht mit einer reflektierenden Schicht 16, z.B. einem Lotstopplack, bedeckt werden.
Im Anschluss daran erfolgt im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Bestückung mit dem LED-Chip 10 bzw. mit der Fotodiode 12, siehe Fig. 1 und 2, und anschließend wird noch die Glob-Top-Ein- kapselung 13 vorgenommen.
Im Rahmen der Erfindung sind verschiedene Abwandlungen und Modifikationen möglich. So kann die Leiterlage 8 als Entflechtungslage dienen, und die Leiterlage 4 kann zur Abfuhr von
Verlustwärme herangezogen werden. Das Leiterplattensubstrat 5, 6 kann auch mehr als die zwei gezeigten metallischen Leiterlagen 4, 8 beinhalten.
In Abwandlung der Reihenfolge der Schritte gemäß Fig. 7 bis 9 und der nachfolgenden Montage der Bauelemente (Fig. 1 und 2) kann auch derart vorgegangen werden, dass das Wellenleitermaterial 15 erst nach der Bauteilmontage appliziert wird. Ferner können die Kavitäten 9, 11 auch erst nach Anbringen des Leiterplattenteils 6 am darunter liegenden Leiterplattenteil 5 erzeugt werden. Die Kavität 9, in der der LED-Chip 10 montiert wird, muss nicht notwendigerweise die Begrenzung der Glob-Top-Einkap- selung 13 bilden, vielmehr kann diese Einkapselung 13 im Durchmesser auch größer oder kleiner als die Kavität 9 ausgelegt sein. Ferner kann die Kavität 9 nach der LED-Montage und vor der Glob-Top-Applikation auch mit Lötstopplack ausgefüllt werden, um die Reflektivität zu erhöhen.
Die Wände der Kavitäten 9, 11 können überdies schräg ausgebildet werden, beispielsweise durch einen entsprechenden Bohrprozess im Fall der Kavität 9, durch ein Verfließen des Prepregs (Leiterplattenteil 6) beim Pressen und dergl. Techniken.
Es ist weiters möglich, auf dem Substrat 2 eine dielektrische Schicht 7 anzubringen, und danach in dieser dielektrischen
Schicht 7 die jeweilige Kavität 11 bzw. 9, 9' im Nachhinein, z.B. durch Laserstrukturierung und Entfernen der entsprechenden Bereiche, oder aber auch durch Einpressen, etwa mittels Stempeldruck, anzubringen.
Die Kavitäten 9, 11 können im Übrigen auch durch eine an sich bekannte Technologie, wie z.B. in der WO 2008/098271 AI beschrieben, hergestellt werden. Das Wellenleitermaterial 15 kann ein transparentes Polymer-Wellenleitermaterial sein, das im nassen Zustand in die Kavität 11 eingebracht wird.
Selbstverständlich ist, wenn in der Zeichnung jeweils eine LED 10 und eine Fotodiode 12 gezeigt ist, es denkbar, dass auch mehrere LEDs 10 und mehrere Fotodioden 12 (bzw. Mehrfach-LEDs und/oder Mehrfach-Detektorelemente ) auf dem Leiterplattenelement 1 angebracht sein können. In herkömmlicher Weise können überdies plattierte Durchbohrungen (PTA - plated through-hole ) oder Vias vorgesehen werden, wobei die LED 10 und die Fotodiode 12 außer auf derselben Seite auch an gegenüberliegenden Seiten angebracht sein können. Für eine Mehrfach-LED-Regelung können auch entsprechend viele Wellenleiter 11' vorgesehen sein. Zusätzliche Beschichtungen können im Nassverfahren oder mit Hilfe von PVD- oder CVD-Prozessen (chemische oder physikalische Ablagerung aus der Dampfphase) hergestellt werden.
Wie weiters aus Fig. 10 und 11 ersichtlich ist, können der LED- Chip 10 und die Fotodiode 12 auf der gleichen Leiterlage 4 (s. Fig. 2) montiert sein; weiters kann die Fotodiode 12 ebenfalls mit einer Glob-Top-Einkapselung 13' versehen sein. Hierzu ist in der dielektrischen Schicht 7 eine entsprechende Kavität 9' für die Fotodiode 12 bzw. deren Einkapselung 13' vorzusehen.
Der Lichtwellenleiter 11' und der Glob-Top 13 der LED 10 oder aber, wie aus Fig. 12 und 13 ersichtlich, der Lichtwellenleiter 11' und eine modifizierte Einkapselung 13'' der Fotodiode 12 können aus demselben Material bestehen und in einem einzigen Prozessschritt appliziert werden, etwa mit Hilfe einer Dispenser-, Inkjet- oder Kapillarmethode.
In den Fig. 14 (Draufsicht) und 15 ( schematischer Schnitt) ist schließlich noch allgemein eine Ausführungsform des vorliegenden Leiterplattenelements gezeigt, bei dem die Kavitäten 11 bzw. 9, 9' dadurch gebildet werden, dass ein hochstehender, vergleichsweise dünner Rahmen 17 auf die dielektrische Schicht 3, die auf dem Substrat 2 angebracht wurde, aufgedruckt wird. Als Druckverfahren eignen sich dabei beispielsweise Siebdruck, Tintendruck, aber auch Schablonendruck oder dergl. Drucktechniken.
Im Übrigen ist aus den Fig. 14 und 15 wiederum die bereits strukturierte Leiterlage 4, etwa aus Kupfer, ersichtlich. Weiters wird beim Leiterplattenelement 1 gemäß Fig. 14 und 15 bevorzugt eine Bestückung mit den Komponenten (LED 10, Fotodiode 12) im Nachhinein, nach dem Aufdrucken des Rahmens 17, vorgenommen .
Zu erwähnen ist zu den Fig. 14 und 15 noch, dass die optische Schicht, d.h. das optische Material 15 (vgl. beispielsweise Fig. 8) nicht dargestellt wurde, um so den Rahmen 17 zu verdeutlichen. Selbstverständlich ist nach Aufdrucken des Rahmens 17, also nach Erreichen des Zustandes wie in den Fig. 14 und 15 ge- zeigt, noch die Realisierung des Wellenleiters 11' wie vorstehend beschrieben durchzuführen.

Claims

Patentansprüche :
1. Leiterplattenelement (1) mit einem Substrat (2), auf dem wenigstens eine dielektrische Schicht (7) angeordnet ist, sowie mit wenigstens einer LED (Leuchtdiode) (10), dadurch gekenn¬ zeichnet, dass in der dielektrischen Schicht (7) zumindest eine von der LED (10) wegführende kanalförmige Wellenleiter-Kavität (11) vorgesehen ist, die zu wenigstens einem integrierten lichtempfindlichen, zur Überprüfung der Lichtemission angeordneten Bauelement (12) führt.
2. Leiterplattenelement (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die LED (10) vorzugsweise ebenfalls in einer Ka- vität (9) angeordnet ist, die mit der Wellenleiter-Kavität (11) verbunden ist.
3. Leiterplattenelement (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenleiter-Kavität (11) mit einem optischen Material (15) gefüllt ist.
4. Leiterplattenelement (1) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite des optischen Materials (15) mit einer reflektierenden Schicht (16), z.B. Lötstopplack, bedeckt ist .
5. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Wände der Wellenleiter-Kavität (11) und bzw. oder ggfs. der LED-Kavität (9) zur Erhöhung der Reflektivität , zur Herstellung von elektrischen Verbindungen und bzw. oder zur Herstellung von Abrundungen oder dergl . insbesondere metallisch, z.B. mit Kupfer oder Gold, ggfs. mit Lötstopplack, beschichtet sind.
6. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Wände der Wellenleiter-Kavität (11) und bzw. oder ggfs. der LED-Kavität (9) schräg ausgebildet sind .
7. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Bauelement (12) in einer Kavität (9') der dielektrischen Schicht (7) angebracht ist.
8. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Bauelement (12) auf der die ellenleiter-Kavität (11) aufweisenden Schicht (7) angeordnet ist, wobei die Wellenleiter-Kavität (11) bis unterhalb des Bauelements (12) verläuft.
9. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die die Wellenleiter-Kavität (11) aufweisenden Schicht (7) auf einer Wärmeableitschicht, z.B. aus Aluminium, angebracht ist.
10. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) aus wärmeableitendem Material, z.B. aus Aluminium, besteht.
11. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Bauelement (12) eine Fotodiode oder eine Fotozelle ist.
12. Leiterplattenelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenleiter-Kavität (11) durch einen auf dem Substrat (2) oder einer dielektrischen Schicht (3) aufgedruckten Rahmen (17) begrenzt ist.
13. Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenelements (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem fertig prozessierten Substrat (2; 5), ggfs. einer wärmeabführenden Platte, eine unter Bildung einer länglichen Kavi- täts-Öffnung (11), für die Herstellung des kanalförmigen
Wellenleiters (11'), vorkonfektionierte Leiterplatten-Schicht (6), z.B. ein Prepreg, aufgebracht wird, wonach in der Öffnung der Wellenleiter (11') und ggfs. die LED (10) und bzw. oder das lichtempfindliche Bauelement (12) angebracht werden.
14. Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenelements (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat (2) eine dielektrische Schicht (7) angebracht wird, in der, z.B. durch Laserstrukturierung und Entfernen definierter Bereiche, oder durch Einpressen, beispielsweise mittels Stempeldruck, eine Kavität (11) zumindest für einen kanalförmi- gen Wellenleiter (11') angebracht wird.
15. Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenelements (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat (2) aus einem Dielektrikum ein Rahmen (17), der eine Kavität (11) umgibt, aufgedruckt wird, z.B. durch Siebdruck, Tintendruck, Schablonendruck oder dergl. Druckverfahren.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenleiter-Kavität (11), z.B. durch Siebdruck, Rakeln, Inkjet oder dergl., mit einem optischen Material (15) befüllt wird.
17. Verfahren und Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite des optischen Materials (15) mit einer reflektierenden Schicht (16), z.B. Lötstopplack, bedeckt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Wände der Wellenleiter-Kavität (11) zur Erhöhung der Reflektivität , ggfs. mit Lötstopplack, beschichtet werden .
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Bauelement (12) auf der dielektrischen Schicht (7), teilweise die Wellenleiter-Kavität (11) überdeckend, aufgebracht wird.
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